TWI432912B - 帶電粒子束描繪裝置及方法，負載效應所致之寸法變動量尺寸調整方法及記憶程式之記錄媒體 - Google Patents

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Description

帶電粒子束描繪裝置及方法，負載效應所致之寸法變動量尺寸調整方法及記憶程式之記錄媒體
本發明係有關於，帶電粒子束描繪方法及負載效應負載效應所致之寸法變動量尺寸調整(resize)方法。尤其是，於電子線描繪時用來提升線寬均一性的求出電子束之照射量的手法。又，是有關於使負載效應所帶來之寸法變動，在對描繪裝置輸入資料前就預先加以補正的尺寸調整方法。
促成半導體元件的微細化之進展的微影技術，係在半導體製程當中也是生成唯一圖案之極為重要的製程。近年來，隨著LSI的高集縮化，半導體元件所要求之電路線寬，正逐年微細化。為了對這些半導體元件形成所望的電路圖案，必須要高精度的原畫圖案(光罩，reticle或又稱mask)。此處，電子線(電子束)描繪技術係本質上就具有優良的解像性，用於高精度之原畫圖案的生產。
圖19係用來說明先前之可變成形型電子線描繪裝置之動作的概念圖。
可變成形型電子線描繪裝置(EB(Electron beam)描繪裝置)，係動作如下。第1孔片410上係形成有用來使電子線330成形的矩形、例如長方形之開口411。又，第2光闌420上，係形成有用來使通過開口411的電子線330，成形為所望矩形形狀的可變成形開口421。從帶電 粒子源430照射、通過開口411的電子線330，係被偏向器所偏向。然後，通過可變成形開口421之一部份，照射在被搭載於平台上的試料340。平台係在描繪中，連續性地往所定一方向(例如X方向)移動。亦即，可通過開口411和可變成形開口421兩者的矩形形狀，是被描繪在搭載於會連續性移動的平台上之試料340的描繪領域中。令其通過開口411和可變成形開口421兩者，以作成任意形狀的方式，稱作可變成形方式。
此處，近年來，做為電子束曝光時被經常使用的光阻之1，有化學增幅型光阻。化學增幅型光阻，係有隨著曝光前後的放置而其最佳曝光量會有所變化之問題。做為解決此問題的手法有，藉由測定補正曝光圖案的膜厚等，來決定光阻感動之變化。然後，藉由束徑被擴散成20 μm程度的射束，進行再度照射的技術，已被文獻所揭露(例如參照日本特開2000－267259號公報)。
如上述，化學增幅型光阻，係有隨著曝光前後的放置而其最佳曝光量會有所變化之問題。亦即，若將化學增幅型光阻使用於光罩製造時，則身為試料的光罩的描繪後之線寬寸法(CD)會發生變動(PED)。上述專利文獻1所記載之技術中，由於會發生每種圖案範疇的劑量誤差，因此存在著無法進行高精度補正之問題。又，存在著需要用來決定補正露光量的圖案，和除了曝光裝置本體外、另加之膜壓測定器或曝光補助室等之問題。甚至，還存在有需要再度照射之工程的問題。
此處，上述光罩描繪後的線寬寸法(CD)變動(PED)，係認為是因描繪所生成的光酸擴散所致。光酸擴散，約在數十nm的領域中發生，速率為1.0nm/h程度。另一方面，在電子束描繪中，在對已塗佈光阻膜的光罩等試料照射電子束時，存在著稱作霧化(fogging)的促使光阻圖案寸法改變之因素。霧化係為，鄰近效應所致之後方散射電子，飛躍光阻而在電子鏡筒的下面再度散射，再度照射光罩的此種多重散射所導致的光阻照射現象。而且，會跨越很廣的範圍(數mm~數cm)。其他還存在有，當把已形成的光阻圖案當成光罩而將下層的遮光膜等加以蝕刻時，被蝕刻的遮光膜等發生寸法變動的負載效應之此一現象。這些霧化或負載效應所帶來的寸法變動量，總是受到光罩描繪後之放置所造成的影響。
本發明係克服所述之問題點，提供一種將光罩描繪後之放置時間所帶來的線寬寸法(CD)變動加以補正的手法。
本發明之一樣態之帶電粒子束描繪裝置，其特徵為，具備：描繪時間預測部，係基於將描繪領域予以描繪所需之圖案資料，來預測使用帶電粒子束描繪圖案所需之總描繪時間；和基準照射量取得部，係使用從描繪開始時刻起算之時間和已被預測出之總描繪時間與基準照射量的第1相關關 係，將使用圖案資料進行描繪時的總描繪時間內之描繪開始起算之任意時間後的基準照射量，加以取得；和霧化效應補正係數取得部，係使用從描繪開始時刻起算之時間和已被預測出之總描繪時間與鄰近效應補正係數的第2相關關係，將使用圖案資料進行描繪時的前記任意時間後的霧化效應補正係數，加以取得；和照射量計算部，係使用前記基準照射量和霧化效應補正係數，來計算前記任意時間後的照射量；和照射時間計算部，係基於所計算出之照射量，來計算描繪領域之某個位置上的帶電粒子束的照射時間；和偏向器，係配合照射時間，將帶電粒子束予以偏向；和光闌，係將已被偏向器所偏向的帶電粒子束，加以遮蔽。
又，本發明之另一樣態之帶電粒子束描繪裝置，其特徵為，具備：描繪時間預測部，係基於將描繪領域予以描繪所需之圖案資料，來預測使用帶電粒子束描繪圖案所需之總描繪時間；和負載效應補正係數取得部，係使用從描繪開始時刻起算之時間和已被預測出之總描繪時間與負載效應補正係數的相關關係，將使用圖案資料進行描繪時的總描繪時間內之描繪開始起算之任意時間後的負載效應補正係數，加以取得；和 寸法變動量計算工程，係使用前記負載效應補正係數，來計算前記任意時間後的負載效應所帶來之寸法變動量；和照射量計算部，係基於寸法變動量，取得前記任意時間後的照射量；和照射時間計算部，係基於所取得到的照射量，來計算取得描繪領域之某個位置上的帶電粒子束的照射時間；和偏向器，係配合照射時間，將帶電粒子束予以偏向；和光闌，係將已被偏向器所偏向的帶電粒子束，加以遮蔽。
本發明之一態樣的帶電粒子束描繪方法，其特徵為，將描繪領域予以描繪所需之圖案資料加以輸入；基於上述之圖案資料，預測用來描繪圖案所需之總描繪時間；使用從描繪開始時刻起算之時間和已被預測出之前記總描繪時間與基準照射量的第1相關關係，將進行圖案資料描繪時的總描繪時間內之描繪開始起算之任意時間後的基準照射量，加以取得；使用從描繪開始時刻起算之時間和已被預測之總描繪時間與霧化效應補正係數的第2相關關係，將使用圖案資料進行描繪時的總描繪時間內之描繪開始起算之任意時間後的霧化效應補正係數，加以取得；使用前記基準照射量和霧化效應補正係數，來計算前 記任意時間後的照射量；配合照射量，使用帶電粒子束來描繪描繪領域的任意位置。
又，本發明之另一樣態之帶電粒子束描繪方法，其特徵為，基於將描繪領域予以描繪所需之圖案資料，預測用來描繪圖案所需之總描繪時間；使用從描繪開始時刻起算之時間和已被預測出之總描繪時間與負載效應補正係數的相關關係，將使用圖案資料進行描繪時的總描繪時間內之描繪開始起算之任意時間後的負載效應補正係數，加以取得；使用前記負載效應補正係數，來計算前記任意時間後的負載效應所帶來之寸法變動量；基於寸法變動量，取得前記任意時間後的照射量；配合前記照射量，使用帶電粒子束來描繪前記描繪領域的任意位置。
又，本發明之一樣態之負載效應所致之寸法變動量尺寸調整方法，其特徵為，基於將描繪領域予以描繪所需之圖案資料，預測用來描繪圖案所需之總描繪時間；使用從描繪開始時刻起算之時間和已被預測出之總描繪時間與負載效應補正係數的相關關係，將使用圖案資料進行描繪時的總描繪時間內之描繪開始起算之任意時間後的負載效應補正係數，加以取得； 使用前記負載效應補正係數，來計算前記任意時間後的負載效應所帶來之寸法變動量；基於寸法變動量，依照所被預定之描繪開始起的時間，將前記圖案資料進行尺寸調整(resize)；將尺寸調整過的圖案資料加以輸出。
本發明之一樣態的記錄可供電腦執行之程式的可讀取之記錄媒體，其特徵為，可令電腦具備：記憶處理，係將從描繪開始時刻起算之時間和已被預測出之總描繪時間與基準照射量之第1相關資訊，和從描繪開始時刻起算之時間和所被預測出之總描繪時間與霧化效應補正係數之第2相關資訊，記憶至記憶裝置；和輸入處理，係將描繪領域予以描繪所需之圖案資料加以輸入；時間計算處理，係基於圖案資料，計算用來描繪圖案所需之總描繪時間；基準照射量取得處理，係從記憶裝置中讀出第1相關資訊，將使用圖案資料進行描繪時的總描繪時間內之描繪開始起算之任意時間後的基準照射量，加以取得；霧化效應補正係數取得處理，係從記憶裝置中讀出第2相關資訊，將使用圖案資料進行描繪時的前記任意時間後的霧化效應補正係數，加以取得；照射量計算處理，係使用已被取得之前記基準照射量和霧化效應補正係數，來計算任意時間後的照射量，並加以輸出。
本發明之另一樣態的記錄可供電腦執行之程式的可讀取之記錄媒體，其特徵為，可令電腦具備：記憶處理，係將從描繪開始時刻起算之時間和已被預測出之總描繪時間與負載效應補正係數之相關資訊，記憶至記憶裝置；和輸入處理，係將描繪領域予以描繪所需之圖案資料加以輸入；時間計算處理，係基於圖案資料，計算用來描繪圖案所需之總描繪時間；負載效應補正係數取得處理，係從記憶裝置中讀出第1相關資訊，將使用圖案資料進行描繪時的總描繪時間內之描繪開始起算之任意時間後的負載效應補正係數，加以取得；寸法變動量計算處理，係使用已被取得之負載效應補正係數，來計算前記任意時間後的負載效應所帶來之寸法變動量；和照射量計算處理，係基於寸法變動量，取得任意時間後的照射量，並加以輸出。
以下，在實施形態中，說明使用電子束作為帶電粒子束之一例之構成。但是，帶電粒子束並非限於電子束，亦可使用離子束等帶電粒子之射束。
實施形態1.
實施形態1中係說明，起因於霧化的寸法變動量，以照射量來加以補正之構成。圖1係表示實施形態1中的電子束描繪方法之要部工程的流程圖。於圖1中，電子束描繪方法，係實施：圖案資料輸入工程(S102)、描繪時間預測工程(S104)、基準照射量D0 (t)、霧化效應補正係數θF (t)取得工程(S108)、照射量計算工程(S110)、照射時間計算工程(S112)、描繪工程(S114)這一連串工程。
圖2係實施形態1中的描繪裝置的要部構成之一例的概念圖。於圖2中，描繪裝置100，係為帶電粒子線描繪裝置之一例。描繪裝置100，係使用微影技術而對試料101描繪所定圖案。描繪裝置100，係具備描繪部和控制部。在描繪部，係具備電子鏡筒102和描繪室103。電子鏡筒102內係配置有，電子槍201、遮沒偏向器205、遮沒光闌206。描繪室103內係具有XY平台105。XY平台105上，係載置著身為描繪對象的光罩等試料101。在控制部係具備：控制計算機110、做為記憶裝置之一例的記憶體130、做為記憶裝置之一例的磁碟裝置146、偏向控制電路140。在控制計算機110內，係具有：基準照射量取得部112、霧化效應補正係數取得部114、照射量計算部116、照射時間計算部118、描繪資料處理部120這些各機能。對控制計算機110，係輸入圖案資料150。又，在磁碟裝置146中係儲存著，基準照射量D0 與CD之相 關資訊142、霧化效應補正係數θF 與CD之相關資訊144、係數參數145。圖2中，關於本實施形態1之說明上所必須之構成部份以外者，係省略記載。對EB描繪裝置100而言，當然還含有通常必須要的其他構成。又，雖然在圖2中係記載成，做為電腦之一例的控制計算機110上，執行基準照射量取得部112、霧化效應補正係數取得部114、照射量計算部116、照射時間計算部118、描繪資料處理部120這些各機能之處理，但並非限定於此。亦可藉由電子電路所構成的硬體來實施之。或者，亦可藉由硬體和軟體的組合來實施。或者亦可為硬體和韌體的組合。
從電子槍201射出的電子束200，係照射在XY平台105上之試料101的所望位置。電子束200，係被控制成所定的電流密度J。又，電子束200，係為帶電粒子束之一例。XY平台105係被配置成可移動。而且，在描繪中，XY平台105係為連續移動。此處，當試料101上的電子束200已經達到將所望之照射量入射至試料101的照射時間時，就使得電子束200不會再到達至試料101面上。這是為了要使試料101上不被照射超過需要的電子束200。而其手法為，例如以靜電型的遮沒偏向器205將電子束200予以偏向，同時，以遮沒光闌206將電子束200予以切斷。藉此，就可使電子束200不再到達試料101面上。遮沒偏向器205的偏向電壓，係受偏向控制電路140及未圖示的增幅器所控制。
當射束ON(遮沒OFF)時，從電子槍201射出的電 子束200，係會沿著圖2中的實線所示之軌道前進。另一方面，當射束OFF(遮沒ON)時，從電子槍201射出的電子束200，係會沿著圖2中的虛線所示之軌道前進。又，電子鏡筒102內及被配置在XY平台105上的描繪室103內，藉由未圖示之真空泵抽真空，成為壓力低於大氣壓之真空氣氛。
圖2中係記載著，說明本實施形態1上所必須之構成部份，但描繪裝置100係除了上述構成以外，亦可具備以下構成。亦即，在電子鏡筒102內，亦可具備照明透鏡、第1光闌、投影透鏡、成形偏向器、第2光闌、接物透鏡、接物偏向器等。當射束ON(遮沒OFF)時，在所述構成中，從電子槍201所射出的電子束200，是藉由照明透鏡而照明帶有矩形、例如長方形之孔的第1光闌全體。在此處，先將電子束200成形成為例如長方形。然後，通過了第1光闌的第1光闌像之電子束200，係被投影透鏡投影在第2光闌上。所述第2光闌上的第1光闌像之位置，係受成形偏向器所控制。然後，就可改變射束形狀和寸法。然後，通過了第2光闌的第1光闌像之電子束200，係被接物透鏡對焦。然後，被接物偏向器所偏向，照射在被配置成可移動之XY平台105上之試料101的所望位置。藉由所述構成就可使其成為可變成形型EB描繪裝置。
此處，以電子束200之照射量補正過霧化的照射量D(x,y)，係可用以下的式(1)來表示。
(1)D (x ,y )=D o .D F (x ,y )
如式(1)所示，照射量D(x,y)，係對基準照射量D0 乘以霧化補正照射量DF (x,y)，就可將起因於霧化的寸法變動加以補正。此處，霧化補正照射量DF (x,y)，係為已規格化的補正量。然後，霧化補正照射量DF (x,y)，例如係用霧化效應補正係數θF 而藉由以下的式(2)就可得到近似解。
相較於鄰近效應的影響範圍(數十μm)，霧化的影響範圍(數mm~數cm)係非常的廣。於是，首先，關於呈現為光罩圖案的描繪領域，做為全域領域係定義了，以μm~mm層次、例如0.5~lmm的寸法，分割成網目狀的霧化效應補正用單位領域(網目領域)。然後，只要對每個霧化效應補正單位領域，計算出補正霧化的霧化補正照射量DF (x，y)即可。又，霧化效應補正係數θF ，係為呈現霧化之量的概估值。而且，隨著被塗佈在試料101上的光阻，經常使用0.04~0.1等的值。又，霧化效應的分布函數UF (x,y)，係如以下的式(3)所示，可用霧化效應影響範圍(散射半徑)σF 的高斯分布來取近似。
此處，積分係針對照射的圖案來進行。令某場所x＝(x,y)處的圖案密度為ρ(x,y)，可用以下的式(4)取近似。
此處，即使單純進行霧化補正，也會因描繪後的放置而發生寸法變動。
圖3係實施形態1中事前實驗用的基板之一例圖示。
於圖3中，使用EB描繪裝置100，將1 μm的線&空白圖案10描繪至基板300。此時，將圖案10的周邊之圖案面積密度被設成0%的晶片15、設成50%的晶片20、及被設成100%的晶片30的3種類晶片群，進行描繪。各晶片皆為相同大小，例如為4cm見方的大小。該晶片群係描繪複數段。描繪方法係為，各晶片群是將EB描繪裝置100的描繪開始時刻予以錯開而進行描繪。圖3中，首先，從上段的晶片群起往下方，以1→2→3之順序進行描繪。例如，同面積密度的晶片是每1小時地被描繪的方式而逐一進行描繪。例如，第1段的晶片30被描繪後，過了1小時後才去描繪第2段的晶片30。然後，第2段的晶片30被描繪後，過了1小時後才去描繪第3段的晶片30。同樣地，第1段的晶片20被描繪後，過了1小時後才去描繪第2段的晶片20。然後，第2段的晶片20被描繪後，過了1小時後才去描繪第3段的晶片20。同樣 地，第1段的晶片15被描繪後，過了1小時後才去描繪第2段的晶片15。然後，第2段的晶片15被描繪後，過了1小時後才去描繪第3段的晶片15。在這些描繪時，基板300係準備為，例如石英等透明玻璃基板上形成做為遮光層的鉻(Cr)膜，並在Cr膜上形成化學增幅型光阻。然後，為了使測定點增多，準備複數片同樣的基板300備用。然後，之前的基板300的最終段晶片被描繪後，在1小時後才開始描繪下一片基板300的第1段的晶片，較為理想。
圖4係實施形態1中的描繪後之放置時間與圖案線寬寸法CD之相關關係圖形之一例圖示。
如圖4所示，隨著電子束描繪後之放置時間T，圖案面積密度0%、50%、100%都會帶有所定斜率地，使CD發生變動。此處，做為一例，圖案線寬寸法CD，係呈現出對晶片的放置時間T成1次方比例的圖形。只要選擇較適合於光阻特性的最佳關係即可。此處，以下係假設為，各晶片的描繪時間係非常短到可以忽視，而加以說明。因此，某一晶片描繪後之放置時間，係視為從該當晶片的描繪開始時刻起算之時間，而加以說明。然後此處做為一例，假設各圖案面積密度的晶片，在10小時後，CD都會縮小7nm。CD係為測定圖案10的線寬而得。此處，由於不進行霧化補正等，因此隨著圖案面積密度的差異，CD會跟著變動。
圖5係實施形態1中的進行過霧化補正時的描繪後之 放置時間與圖案線寬寸法CD之相關關係圖形之一例圖示。
依照式(1)~(3)來補正電子束200的照射量，以補正因圖案面積密度差異所致之CD變動。可是在此同時，如圖5所示，可知隨著描繪後之放置時間T，CD會帶有所定斜率而發生變動。此處也是做為一個例子，假設可用一次方比例來取近似。然後，此處也是做為一例，假設10小時後CD會縮小7nm。
接著，藉由不同的實驗，求出圖案線寬寸法CD與基準照射量D0 的相關關係，以及圖案線寬寸法CD與霧化效應補正係數θF 的相關關係。
圖6係實施形態1中的圖案線寬寸法CD與基準照射量D0 之相關關係，以及圖案線寬寸法CD與霧化效應補正係數θF 之相關關係的圖形之一例圖示。
如圖6所示，基準照射量D0 ，係可用以圖案線寬寸法CD為變數的函數D0 (CD)來加以定義。此處，做為一例係圖示了，基準照射量D0 是對圖案線寬寸法CD成比例的圖形。將該相關資訊F(CD)142，儲存至磁碟裝置146中備用。同樣地，霧化效應補正係數θF ，係可用以圖案線寬寸法CD為變數的函數θF (CD)來加以定義。此處，做為一例係圖示了，霧化效應補正係數θF 是對圖案線寬寸法CD成比例的圖形。然後，將該相關資訊G(CD)144，儲存至磁碟裝置146中備用。
圖7係實施形態1中的進行補正所需之基準照射量 D0 與描繪後之放置時間T之相關關係，以及進行補正所需之霧化效應補正係數θF 與描繪後之放置時間T之相關關係的圖形之一例圖示。
令從描繪開始時刻起算之時間為t。然後，令從描繪開始時刻起至所有晶片群描繪結束為止的時間(描繪時間)為tw 。此時，放置時間T係為，描繪時間tw 減去時間t而得的差值(T＝tw －t)。然後，為了補正CD隨著描繪後之放置時間經過而逐漸減少之現象，只要能配合其來加大描繪時的CD寸法即可。例如，在圖5的例子中，由於10小時後CD會減少7nm，因此在對描繪後之放置時間將是10小時的晶片進行描繪時，以大於最終所望粗細7nm的方式來補正描繪時的照射量即可。於是，以D0 (t)＝D0 {CD(t)}來定義，且以θF (t)＝θF {CD(t)}來定義時，可獲得如圖7所示的相關關係之圖形。用來補正放置時間所致之寸法變動的基準照射量D0 的時間變化D0 (t)，係可用以下的式(5)取近似。
(5)D 0 (t )＝D 0 (t ＝w )＋α (t w －t )
D0 (t＝w)，係表示無放置時間時的值。藉由式(5)可得到比例係數α。該比例係數α係為D0 (t)的係數參數145之一。將該比例係數α儲存至磁碟裝置146中備用。又，用來補正放置時間所致之寸法變動的霧化效應補正係數θF 的時間變化θF (t)，係可用以下的式(6)取近似。θF (t＝w)，係表示無放置時間時的值。
(6)θ F (t )＝θ F (t ＝w )＋β (t w －t )
藉由式(6)可得到比例係數β。該比例係數β係為θF (t)的係數參數145之一。將該比例係數β儲存至磁碟裝置146中備用。
如以上，描繪開始時刻起算之時間t與描繪時間tw 與基準照射量D0 的相關關係D0 (t)，係可根據描繪後起算之放置時間T與用來補正因放置而改變之圖案線寬CD所需之基準照射量D0 之關係所得出的第1係數參數(係數α)，和圖案線寬CD與基準照射量D0 之關係，而加以求出。而且，描繪開始時刻起算之時間t與描繪時間tw 與霧化效應補正係數θF 的相關關係θF (t)，係可根據描繪後起算之放置時間T與用來補正因放置而改變之圖案線寬CD所需之霧化效應補正係數θF 之關係所得出的第2係數參數(係數β)，和圖案線寬CD與霧化效應補正係數θF 之關係，而加以求出。
以上述說明為前提，以下說明本實施形態中的電子束之描繪方法。
步驟(S)102中，做為圖案資料輸入工程，控制計算機110係將用來描繪描繪領域所需之圖案資料150加以輸入。所被輸入的圖案資料150，係被儲存在記憶體130或磁碟裝置146中。
於S104中，做為描繪時間預測工程，身為描繪時間預測部之一例的描繪資料處理部120，係基於圖案資料 150，來作成射擊資料。然後，基於射擊資料，來計算用來描繪圖案資料150所需之總描繪時間tw 。換言之，預測出描繪圖案時的總描繪時間tw 。若總描繪時間是已知，則亦可將其直接輸入。
於S108中，做為基準照射量取得工程，是使用描繪開始時刻起算之時間t與已被預測出之描繪時間tw 與基準照射量D0 的相關關係，來取得在描繪圖案資料150時的描繪時間內之描繪開始起算之任意時間後的基準照射量D0 。同樣地，做為霧化效應補正係數取得工程，是使用描繪開始時刻起算之時間t與已被預測出之描繪時間tw 與霧化效應補正係數θF 的相關關係，來取得在描繪圖案資料150時的描繪時間內之描繪開始起算之任意時間後的霧化效應補正係數θF 。首先，基準照射量取得部112，係從磁碟裝置146讀出相關資訊142。然後，求出無放置時間時的所望之對應於CD的基準照射量D0 (t＝w)。接著，從磁碟裝置146讀出係數參數145。然後，使用D0 (t＝w)與係數α，根據式(5)求出描繪開始時刻起算之任意時間後的基準照射量D0 (t)。相關資訊142與係數參數145的讀出順序，誰先誰後都沒關係。又，亦可同時讀出。
然後，霧化效應補正係數取得部114，亦從磁碟裝置146讀出相關資訊144。然後，求出無放置時間時的所望之對應於CD的霧化效應補正係數θF (t＝w)。接著，從磁碟裝置146讀出係數參數145。然後，使用霧化效應補 正係數θF (t＝w)與係數β，根據式(6)求出描繪開始時刻起算之任意時間後的霧化效應補正係數θF (t)。相關資訊144與係數參數145的讀出順序，誰先誰後都沒關係。又，亦可同時讀出。
於S110中，做為照射量計算工程，照射量計算部116係使用描繪開始起算之任意時間後的基準照射量D0 (t)與霧化效應補正係數θF (t)，來計算任意時間後的照射量D(x,y)。計算方法，係使用上述式(1)~(3)即可。將代入式中的基準照射量D0 與霧化效應補正係數θF ，當成任意時間後的基準照射量D0 (t)與霧化效應補正係數θF (t)使用即可。
於S112中，做為照射時間計算工程，照射時間計算部118係計算出，描繪領域的描繪開始起算之任意時間後的某位置上的電子束200之照射時間Td。照射量D(x,y)，係可用照射時間Td與電流密度J的積來加以定義。因此，照射時間Td，係可藉由照射量D(x,y)除以電流密度J來求出。
於S114中，做為描繪工程，控制計算機110係用所求出的照射時間Td，對偏向控制電路140輸出訊號，來使對試料的電子束照射成為OFF。然後，在偏向控制電路140中，沿著所述的訊號，配合已求出的照射時間Td，控制遮沒偏向器205，以使電子束200偏向。然後，在照射所望之照射量D(x,y)至試料101後，已被遮沒偏向器205所偏向的電子束200，係被遮沒光闌206遮蔽而不會到達 試料101。
圖8係實施形態1中的補正後之圖案線寬寸法CD與放置時間T之相關關係圖形之一例圖示。
藉由使基準照射量D0 (t)與霧化效應補正係數θF (t)隨時間而變化，就可如圖8所示般地提升線寬均一性。如此，就可針對起因於霧化的寸法變動而進行考慮到放置時間的補正。
如以上，藉由使基準照射量D0 (t)與霧化效應補正係數θF (t)隨時間而變化，就可減低圖案類型間的誤差。又，可使得膜厚測定或再照射等造成的產能劣化，不會發生。又，在本實施形態中，即使沒有如專利文獻1般地用來決定補正露光量的圖案，也能求出將任意時間後的光罩描繪後之線寬寸法(CD)變動予以補正的照射量。甚至，即使沒有曝光裝置本體以外的膜壓測定器或曝光補助室等，也能求出將任意時間後的光罩描繪後之線寬寸法(CD)變動予以補正的照射量。
此處，上述例子中雖然是使用式(5)與式(6)來求出基準照射量D0 (t)與霧化效應補正係數θF (t)，但並非侷限於此。例如，亦可理想求出如下。首先，取代係數參數145，改成將圖5所示的放置時間T與CD之相關資訊CD(T)，記憶至磁碟裝置146中備用。然後，基準照射量取得部112，係從磁碟裝置146讀出相關資訊CD(T)。然後，針對從描繪開始時刻起算的任意時間後的所望之CD，藉由T＝tw －t，求出放置時間T。然後，將放置了T後的 寸法變動過之CD’，根據相關資訊CD(T)而求出。接著，從磁碟裝置146讀出相關資訊142。然後，將放置時間T後的對應於CD’的基準照射量D0 ，加以求出。該求出之基準照射量D0 係為從描繪開始時刻起算之任意時間後的基準照射量D0 (t)。相關資訊142與相關資訊CD(T)的讀出順序，誰先誰後都沒關係。又，亦可同時讀出。
然後，霧化效應補正係數取得部114，亦從磁碟裝置146讀出相關資訊CD(T)。然後，針對從描繪開始時刻起算的任意時間後的所望之CD，藉由T＝tw －t，求出放置時間T。然後，將放置了T後的寸法變動過之CD’，根據相關資訊CD(T)而求出。接著，從磁碟裝置146讀出相關資訊144。然後，將放置時間T後的對應於CD’的霧化效應補正係數θF ，加以求出。該求出之霧化效應補正係數θF 係為從描繪開始時刻起算之任意時間後的霧化效應補正係數θF (t)。相關資訊144與相關資訊CD(T)的讀出順序，誰先誰後都沒關係。又，亦可同時讀出。然後，放置時間T或CD’，係若將基準照射量取得部112與霧化效應補正係數取得部114之任一方所求出的值交給另一方沿用，則更有效率而為理想。相關資訊CD(T)與相關資訊F(CD)142與相關資訊G(CD)144，係由近似式或表格等來構成，較為理想。
若依據如以上的實施形態1，則可求出從描繪開始起算之任意時間後的光罩描繪後的霧化所帶來之線寬寸法(CD)變動予以補正的照射量。因此，藉由以所述照射量 進行描繪，就可補正因描繪後之放置所致之霧化所帶來的線寬寸法(CD)變動。
實施形態2.
實施形態2中係說明，起因於負載效應的寸法變動量，以照射量來加以補正之構成。
圖9係表示實施形態2中的電子束描繪方法之要部工程的流程圖。
於圖9中，電子束描繪方法，係實施圖案資料輸入工程(S202)、描繪時間預測工程(S204)、負載效應補正係數θL (t)取得工程(S206)、負載效應所帶來之寸法變動量△ 1(x,y)計算工程(S208)、照射量取得工程(S210)、照射時間計算工程(S212)、描繪工程(S214)這一連串工程。
圖10係實施形態2中的EB描繪裝置的要部構成之一例的概念圖。
於圖10中，EB描繪裝置100係取代了磁碟裝置146改成具備磁碟裝置246。然後，控制計算機110內所具備的機能係不同。這些以外的構成，係和實施形態1相同。於圖10中，在控制計算機110內，係具有：負載效應補正係數取得部214、寸法變動量△ 1(x,y)計算部215、照射量取得部216、照射時間計算部118、描繪資料處理部120這些各機能。又，在磁碟裝置246中係儲存著，CD與照射量D之相關資訊242、負載效應補正係數θL 與CD 之相關資訊244、係數參數245。圖10中，關於本實施形態2之說明上所必須之構成部份以外者，係省略記載。對EB描繪裝置100而言，當然還含有通常必須要的其他構成。又，雖然在圖10中係記載成，做為電腦之一例的控制計算機110上，執行負載效應補正係數取得部214、寸法變動量△ 1(x,y)計算部215、照射量取得部216、照射時間計算部118、描繪資料處理部120這些各機能之處理，但並非限定於此。亦可藉由電子電路所構成的硬體來實施之。或者，亦可藉由硬體和軟體的組合來實施。或者亦可為硬體和韌體的組合。
圖10中，關於本實施形態2之說明上所必須之構成部份以外者，係省略記載。可是，EB描繪裝置100係除了上述構成以外，仍具備以下之構成這點，是和實施形態1相同。亦即，在電子鏡筒102內，亦可具備照明透鏡、第1光闌、投影透鏡、成形偏向器、第2光闌、接物透鏡、接物偏向器等。
此處，起因於負載效應的圖案線寬之寸法變動量△ 1(x,y)，係可使用負載效應補正係數θL 、負載效應影響範圍(散射半徑)σL 等，而如以下式(7)般地，以高斯分布取近似。
此處，積分係針對照射的圖案來進行。令某場所 x＝(x,y)處的圖案密度為ρ(x,y)，可用以下的式(8)取近似。
此處，式(7)中的第1項，係依存於圖案面積密度的負載效應所致之寸法變動量。然後，第2項的f(x,y)，係依存於位置的負載效應所致之寸法變動量。因此，藉由促使將這些寸法變動量△ 1(x,y)在進行描繪階段中相反地增減，就可補正成為所望之寸法。
相較於鄰近效應的影響範圍(數十μm)，負載效應的影響範圍(數mm~數cm)係非常的廣。於是，首先，關於呈現為光罩圖案的描繪領域，做為全域領域係定義了，以μm~mm層次、例如0.5~1mm的寸法，分割成網目狀的負載效應補正用單位領域(網目領域)。然後，只要對每個負載效應補正單位領域，計算出補正負載效應所需之寸法變動量△ 1(x,y)即可。又，負載效應補正係數θL ，係為一概估值用來表現出依存於圖案面積密度之負載效應所致之寸法變動的最大值的量。
此處，和霧化補正時同樣地，即使單純地進行負載效應補正，也會因描繪後的放置而發生寸法變動。以下，於實施形態2中，事前實驗用的基板，也是使用和圖3同樣的基板。然後，進行同樣的描繪。其結果為如圖4所示，獲得和實施形態1同樣的描繪後之放置時間與圖案線寬寸 法CD之相關關係。此處，由於不進行負載效應補正等，因此隨著圖案面積密度的差異，CD會跟著變動。
圖11係實施形態2中的進行過負載效應補正時的描繪後之放置時間與圖案線寬寸法CD之相關關係圖形之一例圖示。
依照式(7)，預估寸法變動量△ 1(x,y)。然後，隨著要以將該量進行尺寸調整以進行補正，或是將該量藉由描繪時的照射量來進行補正，圖案面積密度差異所致之CD變動係被補正。可是在此同時，如圖11所示，可知隨著描繪後之放置時間T，CD會帶有所定斜率而發生變動。此處也是做為一個例子，假設可用一次方比例來取近似。
接著，藉由不同的實驗，求出圖案線寬寸法CD與負載效應補正係數θL 的相關關係。
圖12係實施形態2中的圖案線寬寸法CD與負載效應補正係數θL 之相關關係圖形之一例圖示。
如圖12所示，負載效應補正係數θL ，係可用以圖案線寬寸法CD為變數的函數θL (CD)來加以定義。此處，做為一例係圖示了，負載效應補正係數θL 是對圖案線寬寸法CD成比例的圖形。然後，將該相關資訊G(CD)244，儲存至磁碟裝置246中備用。
圖13係實施形態2中的進行補正所需之負載效應補正係數θL 與描繪後之放置時間T之相關關係圖形之一例圖示。
令從描繪開始時刻起算之時間為t。此時，放置時間T係和實施形態1同樣地，是描繪時間tw 減去時間t而得的差值(T＝tw －t)。然後，例如，為了補正CD隨著描繪後之放置時間經過而逐漸減少之現象，只要能配合其來加大描繪時的CD寸法即可。於是，以θL (t)＝θL {CD(t)}來定義時，可獲得如圖13所示的相關關係之圖形。用來補正放置時間所致之寸法變動的負載效應補正係數θL 的時間變化θL (t)，係可用以下的式(9)取近似。θL (t＝w)，係表示無放置時間時的值。
(9)θ L (t )＝θ L (t ＝w )＋γ (t w －t )
藉由式(9)可得到比例係數γ。該比例係數γ係為θL (t)的係數參數245。將該比例係數γ儲存至磁碟裝置246中備用。
如以上，描繪開始時刻起算之時間t與總描繪時間tw 與負載效應補正係數θL 的相關關係θL (t)，係可根據描繪後起算之放置時間T與用來補正因放置而改變之圖案線寬CD所需之負載效應補正係數θL 之關係所得出的係數參數(係數γ)，和圖案線寬CD與負載效應補正係數θL 之關係，而加以求出。
圖14係實施形態2中的CD與照射量D之相關關係之圖形之一例圖示。
若得到應補正之寸法變動量△ 1(x,y)，則對所望的CD加算寸法變動量△ 1(x,y)，藉此就可得到補正後的應 描繪之CD的值。然後，如圖14所示，照射量D，係可用以圖案線寬寸法CD為變數的函數D(CD)來加以定義。此處，做為一例係圖示了，照射量D是對圖案線寬寸法CD成比例的圖形。然後，將該相關資訊D(CD)242，儲存至磁碟裝置246中備用。
以上述說明為前提，以下說明本實施形態中的電子束之描繪方法。
於S202中，做為圖案資料輸入工程，控制計算機110係將用來描繪描繪領域所需之圖案資料150加以輸入。所被輸入的圖案資料150，係被儲存在記憶體130或磁碟裝置246中。
於S204中，做為描繪時間預測工程，身為時間計算部之一例的描繪資料處理部120，係基於圖案資料150，來作成射擊資料。然後，基於射擊資料，來計算用來描繪圖案資料150所需之總描繪時間tw 。換言之，預測出描繪圖案時的總描繪時間tw 。若描繪時間是已知，則亦可將其直接輸入。
於S206中，做為負載效應補正係數取得工程，是使用描繪開始時刻起算之時間t與已被預測出之總描繪時間tw 與負載效應補正係數θL 的相關關係，來取得在描繪圖案資料150時的描繪時間內之描繪開始起算之任意時間後的負載效應補正係數θL 。負載效應補正係數取得部214，係從磁碟裝置246讀出相關資訊244。然後，求出無放置時間時的所望之對應於CD的負載效應補正係數θL ( t＝w)。接著，從磁碟裝置246讀出係數參數245。然後，使用負載效應補正係數θL (t＝w)與係數γ，根據式(9)求出描繪開始時刻起算之任意時間後的負載效應補正係數θL (t)。相關資訊244與係數參數245的讀出順序，誰先誰後都沒關係。又，亦可同時讀出。
於S208中，做為寸法變動量計算工程，寸法變動量計算部215係使用已求出的負載效應補正係數θL (t)，來計算任意時間後的寸法變動量△ 1(x,y)。計算方法，係使用上述式(7)即可。此時亦可取代代入式中的負載效應補正係數θL ，改成使用任意時間後的負載效應補正係數θL (t)。
於S210中，做為照射量取得工程，照射量取得部216，係基於已求出的寸法變動量△ 1(x,y)，取得描繪時間內的描繪開始起算之任意時間後的照射量D。照射量取得部216，係從磁碟裝置246讀出相關資訊D(CD)242。然後，將應補正之寸法變動量△ 1(x,y)，加算至所望的CD。其結果為，可得到補正後的應描繪之CD”的值。然後，根據相關資訊D(CD)242而取得對應於CD”的照射量D。
以下，照射時間計算工程(S212)以後的工程，係和實施形態1中的照射時間計算工程(S112)以後的工程相同。
圖15係實施形態2中的補正後之圖案線寬寸法CD與放置時間T之相關關係圖形之一例圖示。
藉由使負載效應補正係數θL (t)隨時間而變化，就可如圖15所示般地提升線寬均一性。如此，就可針對起因於負載效應的寸法變動而進行考慮到放置時間的補正。
如以上，藉由使負載效應補正係數θL (t)隨時間而變化，就可減低圖案類型間的誤差。又，可使得膜厚測定或再照射等造成的產能劣化，不會發生。又，在實施形態2中，係和實施形態1同樣地，即使沒有如專利文獻1所述的用來決定補正露光量的圖案，仍可求出補正所需之照射量。甚至，即使沒有曝光裝置本體以外的膜壓測定器或曝光補助室等，也能求出將任意時間後的光罩描繪後之線寬寸法(CD)變動予以補正的照射量。
此處，上述例子中雖然是使用式(9)來求出負載效應補正係數θL (t)，但並非侷限於此。例如，亦可理想求出如下。首先，取代係數參數245，改成將圖5所示的放置時間T與CD之相關資訊CD(T)，記憶至磁碟裝置246中備用。然後，負載效應補正係數取得部214，係從磁碟裝置246讀出相關資訊CD(T)。然後，針對從描繪開始時刻起算的任意時間後的所望之CD，藉由T＝tw －t，求出放置時間T。然後，將放置了T後的寸法變動過之CD’，根據相關資訊CD(T)而求出。接著，從磁碟裝置246讀出相關資訊244。然後，將放置時間T後的對應於CD’的負載效應補正係數θL ，加以求出。該求出之負載效應補正係數θL 係為從描繪開始時刻起算之任意時間後的負載效應補正係數θL (t)。相關資訊244與相關資訊CD(T)的讀出 順序，誰先誰後都沒關係。又，亦可同時讀出。相關資訊CD(T)與相關資訊G(CD)244，係由近似式或表格等來構成，較為理想。又，相關資訊D(CD)242亦由近似式或表格等來構成，較為理想。
若依據如以上的實施形態2，則可求出從描繪開始起算之任意時間後的光罩描繪後的負載效應所帶來之線寬寸法(CD)變動予以補正的照射量。因此，藉由以所述照射量進行描繪，就可補正因描繪後之放置所致之負載效應所帶來的線寬寸法(CD)變動。
實施形態3.
實施形態2中，針對藉由補正以EB描繪裝置100進行描繪之際的照射量D(x,y)，以補正負載效應所致之寸法變動的情形加以說明。在實施形態3中，說明預先補正輸入EB描繪裝置100前的圖案資料的情形。
圖16係表示實施形態3中的負載效應所致之寸法變動量尺寸調整方法之要部工程的流程圖。
於圖16中，尺寸調整方法，係實施圖案資料輸入工程(S302)、描繪時間預測工程(S304)、負載效應補正係數θL (t)取得工程(S306)、負載效應所帶來之寸法變動量△ 1(x,y)計算工程(S308)、尺寸調整工程(S310)、圖案資料輸出工程(S312)這一連串工程。
圖17係實施形態3中的資料轉換裝置的要部構成之一例的概念圖。
於圖17中，資料轉換裝置500，係具備控制計算機550和記憶體520和磁碟裝置510。資料轉換裝置500，係為尺寸調整裝置之一例。又，記憶體520和磁碟裝置510，係為記憶裝置之一例。然後，控制計算機550內係具有：描繪時間預測演算部502、負載效應補正係數取得部504、寸法變動量計算部506、尺寸調整處理部508等各機能。又，在磁碟裝置510中係儲存著，實施形態2中已說明過的CD與照射量D之相關資訊242、負載效應補正係數θL 與CD之相關資訊244、係數參數245。被控制計算機550所輸入或輸出的資訊及在內部演算的結果，係被記憶至記憶體520或磁碟裝置510。圖17中，關於本實施形態3之說明上所必須之構成部份以外者，係省略記載。對資料轉換裝置500而言，當然還含有通常必須要的其他構成。又，雖然在圖17中係記載成，做為電腦之一例的控制計算機550上，執行描繪時間預測演算部502、負載效應補正係數取得部504、寸法變動量計算部506、尺寸調整處理部508這些各機能之處理，但並非限定於此。亦可藉由電子電路所構成的硬體來實施之。或者，亦可藉由硬體和軟體的組合來實施。或者亦可為硬體和韌體的組合。
於S302中，做為圖案資料輸入工程，控制計算機550係將用來描繪描繪領域所需之圖案資料12加以輸入。所被輸入的圖案資料12，係被儲存在記憶體520或磁碟裝置510中。
於S304中，做為描繪時間預測工程，描繪時間預測演算部502，係基於圖案資料12，計算用來描繪圖案資料12所需之總描繪時間tw 。換言之，預測出描繪圖案時的總描繪時間tw 。若描繪時間是已知，則亦可將其直接輸入。
於S306中，做為負載效應補正係數取得工程，是使用描繪開始時刻起算之時間t與已被預測出之總描繪時間tw 與負載效應補正係數θL 的相關關係，來取得在描繪圖案資料12時的描繪時間內之描繪開始起算之任意時間後的負載效應補正係數θL 。負載效應補正係數取得部504，係從磁碟裝置510讀出相關資訊244。然後，求出無放置時間時的所望之對應於CD的負載效應補正係數θL (t＝w)。接著，從磁碟裝置510讀出係數參數245。然後，使用負載效應補正係數θL (t＝w)與係數γ，根據式(9)求出描繪開始時刻起算之任意時間後的負載效應補正係數θL (t)。相關資訊244與係數參數245的讀出順序，誰先誰後都沒關係。又，亦可同時讀出。
此處，負載效應補正係數θL (t)，係和實施形態2同樣地，可根據相關資訊CD(T)和相關資訊G(CD)244來求出。取代係數參數245，改成將圖5所示的放置時間T與CD之相關資訊CD(T)，記憶至磁碟裝置510中備用。然後，負載效應補正係數取得部504，係從磁碟裝置510讀出相關資訊CD(T)。然後，針對從描繪開始時刻起算的任意時間後的所望之CD，藉由T＝tw －t，求出放置時間T。 然後，將放置了T後的寸法變動過之CD’，根據相關資訊CD(T)而求出。接著，從磁碟裝置510讀出相關資訊244。然後，將放置時間T後的對應於CD’的負載效應補正係數θL ，加以求出。該求出之負載效應補正係數θL 係為從描繪開始時刻起算之任意時間後的負載效應補正係數θL (t)。
於S308中，做為寸法變動量計算工程，寸法變動量計算部506係使用已求出的負載效應補正係數θL (t)，來計算任意時間後的寸法變動量△ 1(x,y)。計算方法，係使用上述式(7)即可。此時亦可取代代入式中的負載效應補正係數θL ，改成使用任意時間後的負載效應補正係數θL (t)。
於S310中，做為尺寸調整工程，尺寸調整處理部508，係基於已求出的任意時間後的寸法變動量△ 1(x,y)，依照所被預定之描繪開始起算之時間，將圖案資料12進行尺寸調整(resize)。具體而言，係將寸法變動量△ 1(x,y)的值，對圖案資料12的寸法進行加減。
於S312中，做為輸出工程，控制計算機550係為二將已被尺寸調整過的圖案資料14記憶至磁碟裝置510，而進行輸出。或者，亦可輸出給描繪裝置100。
藉由如以上之構成，就可隨著每一描繪後之放置時間而以不同的尺寸調整量來進行尺寸調整。因此，在輸入至描繪裝置前，就可預先補正圖案資料本身。如此，即使對描繪裝置輸入前就預先補正圖案資料本身，也仍為理想。
此處，上述各實施形態中，雖然將D0 (t)或θF (t)或θL (t)當成時間t的1次函數來說明，但並非侷限於此，可隨著光阻的特性來適宜地使用其他的函數。例如，亦可像是D0 (t)＝a．t2 ＋b．t＋c、θF (t)＝a’．t2 ＋b’．t＋c’、θL (t)＝a”．t2 ＋b”．t＋c”，定義成2次函數。或者亦可像是D0 ＝d＋f．exp(－t/T)、θF (t)＝d’＋f’．exp(－t/T’)、θL (T)＝d”＋f”．exp(－t/T”)，定義成指數函數。a、b、c、a’、b’、c’、d、f、T、d’、f’、T’等係數，係為隨著光阻的特性而改變的常數。這些的定義，係只要根據上述各實施形態中所說明過的預先調查CD的時間特性之實驗結果，來進行最佳化即可。在描繪裝置中，將如此最佳化過的係數(參數)的值和式子，以程式等形態而記憶在例如硬碟裡備用。然後，在描繪時，將該參數值代入式子中，來算出D0 (t)或θF (t)或θL (t)即可。
又，上述各實施形態中，雖然做為關係式是以近似式來求出D0 (t)或θF (t)或θL (t)，但亦可不使用這些近似式，而是藉由實驗來求出某時間點的最佳D0 (t)或θF (t)或θL (t)之值，將該實驗數據以表格等方式記憶在例如硬碟中備用。然後，在描繪時，就可一面參照表格，一面引用表格中的值來求出。又，亦可因應需要而進行內插以求值。
圖18係用來說明進行內插而求出值時的圖。
圖18中係記載著，藉由內插法來求出，在時間t1 與時間t2 之間的時間t上的D0 (t)。所述情況下，只要使用 時間t1 與此時D0 (t1 )的值D1 、時間t2 與此時D0 (t2 )的值D2 即可求出。具體而言，以D0 (t)＝(t－t1 )/(t2 -t1 )．(D2 －D1 )＋D1 來求出之。圖18中，雖然是針對D0 (t)來記載，但在求θF (t)或θL (t)時也可同樣進行。
以上的說明當中，記載為┌~部」或┌~工程」的處理內容或動作內容，係可藉由能在電腦上動作的程式來加以構成。或者，亦可不是只有身為軟體的程式，還可藉由軟體和軟體的組合來實施。或者亦可為與韌體的組合。又，以程式來構成時，程式係可被記錄在磁碟裝置、磁帶裝置、FD、或ROM(唯讀記憶體)等之記錄媒體中。例如，係被記錄至磁碟裝置146、246、510。
又，於圖2或圖10中，身為電腦的控制計算機110，係更可透過未圖示的匯流排，連接著：做為記憶裝置之一例的RAM(隨機存取記憶體)、ROM、磁碟(HD)裝置、做為輸出手段之一例的鍵盤(K/B)、滑鼠、做為輸出手段之一例的監視器、印表機、或者做為輸出入手段之一例的外部介面(I/F)、FD、DVD、CD等。又，於圖17中的做為電腦的控制計算機550也是同樣如此。
以上，一面參照具體例一面說明實施形態。可是，本發明並非被限定於這些具體例。例如，實施形態2或實施形態3的構成係可適用於，負載效應是因蝕刻而發生之外的情形。例如，亦可適用於化學機械研磨(CMP)處理時所發生的情形中。
又，裝置構成或控制手法等，和本發明說明沒有直接 必要關連的部份等雖然省略記載，但可適宜選擇必要的裝置構成或控制手法來使用之。例如，關於控制EB描繪裝置100的控制部構成雖然省略詳細記載，但當然在必要時是要適宜選擇控制部構成而使用之。
其他，具備本發明之要素，當業者可能作出的適宜設計變更的所有帶電粒子束描繪方法及負載效應所致之寸法變動量尺寸調整方法、及使它們在電腦上執行的程式及使這些方法具現化的裝置，係被本發明之範圍所涵蓋。
熟悉該當技藝者可做額外的改良或改造。因而，本發明並非限定於所揭露的實施例或相關圖式。因此，各種變形改良只要不超出申請專利範圍的精神主旨，其均等構成仍被本發明所涵蓋。
10‧‧‧圖案
12‧‧‧圖案資料
14‧‧‧圖案資料
15‧‧‧晶片
20‧‧‧晶片
30‧‧‧晶片
100‧‧‧EB描繪裝置
101‧‧‧試料
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
105‧‧‧XY平台
110‧‧‧控制計算機
112‧‧‧基準照射量取得部
114‧‧‧霧化效應補正係數取得部
116‧‧‧照射量計算部
118‧‧‧照射時間計算部
120‧‧‧描繪資料處理部
130‧‧‧記憶體
140‧‧‧偏向控制電路
142‧‧‧基準照射量D0 與CD之相關資訊
144‧‧‧霧化效應補正係數θF 與CD之相關資訊
145‧‧‧係數參數
146‧‧‧磁碟裝置
150‧‧‧圖案資料
200‧‧‧電子束
201‧‧‧電子槍
205‧‧‧遮沒偏向器
206‧‧‧遮沒光闌
214‧‧‧負載效應補正係數取得部
215‧‧‧寸法變動量△ 1(x,y)計算部
216‧‧‧照射量取得部
242‧‧‧CD與照射量D之相關資訊
244‧‧‧負載效應補正係數θL 與CD之相關資訊
245‧‧‧係數參數
246‧‧‧磁碟裝置
300‧‧‧基板
330‧‧‧電子線
340‧‧‧試料
410‧‧‧第1光闌
411‧‧‧開口
420‧‧‧第2光闌
421‧‧‧可變成形開口
430‧‧‧帶電粒子源
500‧‧‧資料轉換裝置
502‧‧‧描繪時間預測演算部
504‧‧‧負載效應補正係數取得部
506‧‧‧寸法變動量計算部
508‧‧‧尺寸調整處理部
510‧‧‧磁碟裝置
520‧‧‧記憶體
550‧‧‧控制計算機
圖1係表示實施形態1中的電子束描繪方法之要部工程的流程圖。
圖2係實施形態1中的EB描繪裝置的要部構成之一例的概念圖。
圖3係實施形態1中事前實驗用的基板之一例圖示。
圖4係實施形態1中的描繪後之放置時間與圖案線寬寸法CD之相關關係圖形之一例圖示。
圖5係實施形態1中的進行過霧化補正時的描繪後之放置時間與圖案線寬寸法CD之相關關係圖形之一例圖示。
圖6係實施形態1中的圖案線寬寸法CD與基準照射量D0 之相關關係，以及圖案線寬寸法CD與霧化效應補正係數θF 之相關關係的圖形之一例圖示。
圖7係實施形態1中的進行補正所需之基準照射量D0 與描繪後之放置時間T之相關關係，以及進行補正所需之霧化效應補正係數θF 與描繪後之放置時間T之相關關係的圖形之一例圖示。
圖8係實施形態1中的補正後之圖案線寬寸法CD與放置時間T之相關關係圖形之一例圖示。
圖9係表示實施形態2中的電子束描繪方法之要部工程的流程圖。
圖10係實施形態2中的EB描繪裝置的要部構成之一例的概念圖。
圖11係實施形態2中的進行過負載效應補正時的描繪後之放置時間與圖案線寬寸法CD之相關關係圖形之一例圖示。
圖12係實施形態2中的圖案線寬寸法CD與負載效應補正係數θL 之相關關係圖形之一例圖示。
圖13係實施形態2中的進行補正所需之負載效應補正係數θL 與描繪後之放置時間T之相關關係圖形之一例圖示。
圖14係實施形態2中的CD與照射量D之相關關係之圖形之一例圖示。
圖15係實施形態2中的補正後之圖案線寬寸法CD 與放置時間T之相關關係圖形之一例圖示。
圖16係表示實施形態3中的負載效應所致之寸法變動量尺寸調整方法之要部工程的流程圖。
圖17係實施形態3中的資料轉換裝置的要部構成之一例的概念圖。
圖18係用來說明進行內插而求出值時的圖。
圖19係用來說明先前之可變成形型電子線描繪裝置之動作的概念圖。

Claims (11)

  1. 一種帶電粒子束描繪裝置，其特徵為，具備：描繪時間預測部，係基於將描繪領域予以描繪所需之圖案資料，來預測使用帶電粒子束描繪圖案所需之總描繪時間；和基準照射量取得部，係使用從描繪開始時刻起算之時間和已被預測出之前記總描繪時間與基準照射量的第1相關關係，將使用圖案資料進行描繪時的總描繪時間內之描繪開始起算之任意時間後的對應之基準照射量，加以取得；和霧化效應補正係數取得部，係使用從描繪開始時刻起算之時間和已被預測出之前記總描繪時間與霧化效應補正係數的第2相關關係，將使用圖案資料進行描繪時的前記任意時間後的對應之霧化效應補正係數，加以取得；和照射量計算部，係使用前記對應之基準照射量和前記對應之霧化效應補正係數，來計算前記任意時間後的照射量；和照射時間計算部，係基於所計算出之照射量，來計算描繪領域之某個位置上的帶電粒子束的照射時間；和偏向器，係配合照射時間，將帶電粒子束予以偏向；和光闌，係將已被偏向器所偏向的帶電粒子束，加以遮 蔽。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之帶電粒子束描繪裝置，其中，前記第1相關關係，係根據描繪後起算之放置時間與隨放置而改變之圖案線寬加以補正的基準照射量之關係中所得出之第1係數參數、和圖案線寬與基準照射量之關係，而被求出。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之帶電粒子束描繪裝置，其中，前記第2相關關係，係根據描繪後起算之放置時間與隨放置而改變之圖案線寬加以補正的霧化效應補正係數之關係中所得出之第2係數參數、和圖案線寬與霧化效應補正係數之關係，而被求出。
  4. 一種帶電粒子束描繪裝置，其特徵為，具備：描繪時間預測部，係基於將描繪領域予以描繪所需之圖案資料，來預測使用帶電粒子束描繪圖案所需之總描繪時間；和負載效應補正係數取得部，係使用從描繪開始時刻起算之時間和已被預測出之前記總描繪時間與負載效應補正係數的相關關係，將使用圖案資料進行描繪時的總描繪時間內之描繪開始起算之任意時間後的對應之負載效應補正係數，加以取得；和寸法變動量計算工程，係使用任意時間後的對應之負載效應補正係數，來計算前記任意時間後的負載效應所帶來之寸法變動量；和照射量取得部，係基於寸法變動量，取得前記任意時 間後的照射量；和照射時間計算取得部，係基於所取得到的照射量，來計算描繪領域之某個位置上的帶電粒子束的照射時間；和偏向器，係配合照射時間，將帶電粒子束予以偏向；和光闌，係將已被偏向器所偏向的帶電粒子束，加以遮蔽。
  5. 一種帶電粒子束描繪方法，其特徵為，將描繪領域予以描繪所需之圖案資料加以輸入；基於前記圖案資料，預測用來描繪圖案所需之總描繪時間；使用從描繪開始時刻起算之時間和已被預測出之前記總描繪時間與基準照射量的第1相關關係，將進行前記圖案資料描繪時的前記總描繪時間內之描繪開始起算之任意時間後的對應之基準照射量，加以取得；使用從描繪開始時刻起算之時間和已被預測之前記總描繪時間與霧化效應補正係數的第2相關關係，將使用前記圖案資料進行描繪時的前記任意時間後的對應之霧化效應補正係數，加以取得；使用前記對應之基準照射量和前記對應之霧化效應補正係數，來計算前記任意時間後的照射量；配合前記照射量，使用帶電粒子束來描繪前記描繪領域的任意位置。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之帶電粒子束描繪 方法，其中，前記第1相關關係，係根據描繪後起算之放置時間與隨放置而改變之圖案線寬加以補正的基準照射量之關係中所得出之第1係數參數、和圖案線寬與基準照射量之關係，而被求出。
  7. 如申請專利範圍第5項所記載之帶電粒子束描繪方法，其中，前記第2相關關係，係根據描繪後起算之放置時間與隨放置而改變之圖案線寬加以補正的霧化效應補正係數之關係中所得出之第2係數參數、和圖案線寬與霧化效應補正係數之關係，而被求出。
  8. 一種帶電粒子束描繪方法，其特徵為，基於將描繪領域予以描繪所需之圖案資料，預測用來描繪圖案所需之總描繪時間；使用從描繪開始時刻起算之時間和已被預測出之前記總描繪時間與負載效應補正係數的相關關係，將使用前記圖案資料進行描繪時的前記總描繪時間內之描繪開始起算之任意時間後的對應之負載效應補正係數，加以取得；使用前記對應之負載效應補正係數，來計算前記任意時間後的負載效應所帶來之寸法變動量；基於前記寸法變動量，取得前記任意時間後的照射量；配合前記照射量，使用帶電粒子束來描繪前記描繪領域的任意位置。
  9. 一種負載效應所致之寸法變動量尺寸調整方法，其特徵為， 基於將描繪領域予以描繪所需之圖案資料，預測用來描繪前記圖案資料所需之總描繪時間；使用從描繪開始時刻起算之時間和已被預測出之前記總描繪時間與負載效應補正係數的相關關係，將進行圖案描繪時的前記總描繪時間內之描繪開始起算之任意時間後的對應之負載效應補正係數，加以取得；使用前記對應之負載效應補正係數，來計算前記任意時間後的負載效應所帶來之寸法變動量；基於前記寸法變動量，依照所被預定之描繪開始起的時間，將前記圖案資料進行尺寸調整(resize)；將尺寸調整過的圖案資料加以輸出。
  10. 一種記錄可供電腦執行之程式的可讀取之記錄媒體，其特徵為，令電腦執行：記憶處理，係將從描繪開始時刻起算之時間和已被預測出之總描繪時間與基準照射量之第1相關資訊，和從描繪開始時刻起算之時間和所被預測出之總描繪時間與霧化效應補正係數之第2相關資訊，記憶至記憶裝置；和輸入處理，係將描繪領域予以描繪所需之圖案資料加以輸入；時間計算處理，係基於圖案資料，計算用來描繪圖案所需之總描繪時間；基準照射量取得處理，係從記憶裝置中讀出第1相關資訊，將使用圖案資料進行描繪時的總描繪時間內之描繪開始起算之任意時間後的對應之基準照射量，加以取得； 霧化效應補正係數取得處理，係從記憶裝置中讀出第2相關資訊，將使用圖案資料進行描繪時的前記任意時間後的對應之霧化效應補正係數，加以取得；照射量計算處理，係使用已被取得之前記對應之基準照射量和前記對應之霧化效應補正係數，來計算前記任意時間後的照射量，並加以輸出。
  11. 一種記錄可供電腦執行之程式的可讀取之記錄媒體，其特徵為，令電腦執行：記憶處理，係將從描繪開始時刻起算之時間和已被預測出之總描繪時間與負載效應補正係數之相關資訊，記憶至記憶裝置；和輸入處理，係將描繪領域予以描繪所需之圖案資料加以輸入；時間計算處理，係基於圖案資料，計算用圖案資料進行描繪所需之總描繪時間；負載效應補正係數取得處理，係從記憶裝置中讀出相關資訊，將使用圖案資料進行描繪時的總描繪時間內之描繪開始起算之任意時間後的對應之負載效應補正係數，加以取得；寸法變動量計算處理，係使用已被取得之前記對應之負載效應補正係數，來計算前記任意時間後的負載效應所帶來之寸法變動量；和照射量計算處理，係基於寸法變動量，取得前記任意時間後的照射量，並加以輸出。
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