TWI431752B - A module part and a method for manufacturing the same, and an electronic machine using the module part - Google Patents
A module part and a method for manufacturing the same, and an electronic machine using the module part Download PDFInfo
- Publication number
- TWI431752B TWI431752B TW099106756A TW99106756A TWI431752B TW I431752 B TWI431752 B TW I431752B TW 099106756 A TW099106756 A TW 099106756A TW 99106756 A TW99106756 A TW 99106756A TW I431752 B TWI431752 B TW I431752B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- metal film
- circuit board
- sealing
- module
- module part
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 87
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 200
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 200
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 96
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 26
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 26
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 20
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 15
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 63
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 29
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 28
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 20
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 11
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 4
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910000848 Damascus steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
- H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
- H01L2924/1617—Cavity coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09145—Edge details
- H05K2201/0919—Exposing inner circuit layers or metal planes at the side edge of the printed circuit board [PCB] or at the walls of large holes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/0929—Conductive planes
- H05K2201/09354—Ground conductor along edge of main surface
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3442—Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
本發明係有關於以樹脂進行模製成形之模組零件與使用該模組零件之電子機器。
第29圖係特許文獻1所記載之習知模組零件1的截面圖。模組零件1具有電路基板5、配置於電路基板5上之配線圖案4、配置於電路基板5內部之接地層6、安裝於配線圖案4上之零件7、密封住零件7周圍之密封部3、及設置於密封部3外面之金屬膜2。露出於電路基板5側面之接地層6係與金屬膜2電性連接。金屬膜2具有屏蔽效果,可抑制從模組零件1外部接收之雜訊、及內部所產生之雜訊輻射。
第30A至30C圖係顯示模組零件1之製造方法的截面圖。第30A至30C圖所示之模組零件1中,在電路基板5下面配置有接地圖案8。藉由電性連接金屬膜2與接地圖案8,可提高屏蔽效果。
如第30A圖所示,藉由在電路基板5上安裝零件7而設置密封部3,以製作模組零件1P。在未形成有金屬膜2之模組零件1P的下面沒有形成金屬膜2的部份,形成光阻劑等之保護層9。
接著,如第30B圖所示,在模組零件1P表面形成金屬膜2,製作模組零件1Q。由於在電路基板5下面配置有保護層9,故除了下面之接地圖案8以外未形成金屬膜2。
然後如第30C圖所示,以稱為剝除(lift-off)等的圖案化方法除去覆蓋保護層9之金屬膜2與保護層9,製作模組零件1。與保護層9一起剝離金屬膜2,則金屬膜2的一部分會成為碎片11A、11B、11C。各碎片中之一部份的碎片11C可能會附著在配線圖案4上而產生短路等不良狀況。又,碎片11A成為連著金屬膜2的毛邊。
變成毛邊的碎片11A可能會因為安裝模組零件1時等之振動或衝擊而掉落。又,該毛邊也可能因為經時變化而剝落。當金屬膜2的一部分缺失時,在金屬膜2與密封部3的界面會產生空隙,可能會降低金屬膜2的屏蔽效果,而可能影響模組零件1的長期可信賴性。
第31圖顯示其他習知模組零件501的截面圖。在第31圖中,對於與第29圖所示之模組零件1相同部分附加同樣的元件符號。第31圖所示之模組零件501,具有板金製之遮罩502,代替第29圖所示之模組零件1的金屬膜2。遮罩502可做為逆F型天線而動作,並且也可作為屏蔽箱。
第31圖所示之模組零件501之板金製遮罩502雖具有天線與屏蔽箱兩者的機能,但容易因外力而變形,不具有對於電子零件507之可信賴性等之保護機能,又具有較大的重量。
特許文獻
特許文獻1:特開2006-286915號公報
一種模組零件包含有:電路基板、安裝於電路基板之上面的零件、設置於電路基板之上面且封住零件的密封部、設置於電路基板之下面外周部份的接地圖案、及覆蓋住密封部與電路基板的金屬膜。金屬膜包含有:,覆蓋密封部之上面的頂面部、從頂面部延伸且覆蓋電路基板之側面的側面部、及從側面部延伸且設置於接地圖案上的底面部。底面部具有越遠離側面部而越小的厚度。
本模組零件可以高信賴度電性連接電路基板之配線圖案與金屬膜。
第1A圖係本發明實施型態1之模組零件的上面立體圖。
第1B圖係第1A圖所示之模組零件之線1B-1B的截面圖。
第1C圖係實施型態1之模組零件之金屬膜的截面圖。
第2A圖係實施型態1之其他模組零件的上面立體圖。
第2B圖係第2A圖所示之模組零件之線2B-2B的截面圖。
第3A圖係顯示實施型態1之電子機器製造方法的截面圖。
第3B圖係顯示實施型態1之電子機器製造方法的截面圖。
第4A圖係實施型態1之電子機器的截面圖。
第4B圖係第4A圖所示之電子機器的放大截面圖。
第5A圖係實施型態1之其他電子機器的截面圖。
第5B圖係第5A圖所示之電子機器的放大截面圖。
第6A圖係實施型態1之又另一電子機器的截面圖。
第6B圖係第6A圖所示之電子機器的放大截面圖。
第7A圖係實施型態1之模組零件的下面立體圖。
第7B圖係第7A圖所示之模組零件的部份截面圖。
第8A圖係實施型態1之其他模組零件的下面立體圖。
第8B圖係第8A圖所示之模組零件的部份放大圖。
第9A圖係顯示本發明實施型態2之電子機器製造方法的截面圖。
第9B圖係第9A圖所示之電子機器的截面圖。
第9C圖係第9A圖所示之電子機器的截面圖。
第10A圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第10B圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第10C圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第10D圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第11A圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第11B圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第11C圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第11D圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第12A圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第12B圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第12C圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第12D圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第13A圖係顯示本發明實施型態4之模組零件製造方法的截面圖。
第13B圖係顯示第13A圖所示之模組零件製造方法的截面圖。
第13C圖係顯示本發明實施型態4之模組零件製造方法的截面圖。
第13D圖係顯示第13A圖所示之模組零件製造方法的截面圖。
第14圖顯示各種金屬之光反射率。
第15A圖係本發明實施型態5之模組零件的上面立體圖。
第15B圖係第15A圖所示之模組零件之線15B-15B的截面圖。
第15C圖係第15A圖所示之模組零件之線15C-15C的截面圖。
第15D圖係實施型態5之模組零件之金屬膜的截面圖。
第16圖係實施型態5之模組零件的截面圖。
第17圖係實施型態5之模組零件的上面圖。
第18圖顯示實施型態5之模組零件的屏蔽效果。
第19A圖係顯示實施型態5之模組零件之電磁波放射分布的上面圖。
第19B圖係顯示第19A圖所示之模組零件之電磁波放射分布的側面圖。
第20A圖係顯示比較例之模組零件之電磁波放射強度的上面圖。
第20B圖係顯示第20A圖所示之模組零件之電磁波放射強度的側面圖。
第21A圖係實施型態5之其他模組零件的上面立體圖。
第21B圖係第21A圖所示之線21B-21B之模組零件的截面圖。
第22A圖係實施型態5之另一其他模組零件的上面立體圖。
第22B圖係第22A圖所示之線22B-22B之模組零件的截面圖。
第23圖顯示實施型態5之模組零件之金屬膜做為天線所放射之電磁波頻率與金屬膜之膜厚的關係。
第24圖顯示實施型態5之模組零件作為天線所放出電磁波頻率與邊或對角線長度的關係。
第25A圖係顯示本發明實施型態5之電子機器製造方法的截面圖。
第25B圖係第25A圖所示之電子機器的截面圖。
第26A圖係顯示本發明實施型態5之模組零件製造方法的截面圖。
第26B圖係顯示本發明實施型態5之模組零件製造方法的截面圖。
第26C圖係顯示本發明實施型態5之模組零件製造方法的截面圖。
第26D圖係顯示本發明實施型態5之模組零件製造方法的截面圖。
第27A圖係顯示本發明實施型態5之模組零件製造方法的截面圖。
第27B圖係顯示本發明實施型態5之模組零件製造方法的截面圖。
第27C圖係顯示本發明實施型態5之模組零件製造方法的截面圖。
第27D圖係顯示本發明實施型態5之模組零件製造方法的截面圖。
第28A圖係顯示本發明實施型態5之模組零件之其他製造方法的截面圖。
第28B圖係顯示本發明實施型態5之模組零件之其他製造方法的截面圖。
第28C圖係顯示本發明實施型態5之模組零件之其他製造方法的截面圖。
第29圖係顯示習知之模組零件的截面圖。
第30A圖係顯示第29圖所示之模組零件製造方法的截面圖。
第30B圖係顯示第29圖所示之模組零件製造方法的截面圖。
第30C圖係顯示第29圖所示之模組零件製造方法的截面圖。
第31圖係其他習知模組零件的截面圖。
第1A圖係本發明實施型態1之模組零件100的上面立體圖。第1B圖係第1A圖所示之模組零件100之線1B-1B的截面圖。
模組零件100包含有電路基板104、安裝於電路基板104之上面104A的零件108、設置於電路基板104之上面104A的密封部109及金屬膜101。密封部109密封住零件108。金屬膜101則覆蓋電路基板104之側面104C與密封部109。
電路基板104係例如多層之樹脂基板,具有由以環氧樹脂含浸玻璃纖維之玻璃環氧樹脂或陶瓷等絕緣物所構成的絕緣層105。絕緣層105具有分別成為電路基板104之上面104A、下面104B及側面104C的上面105A、下面105及側面105C。電路基板104更包含有配線圖案106、設置於絕緣層105之上面105A的焊盤(land)113、設置於絕緣層105之下面105B的接地圖案110、設置於絕緣層105之下面105B的焊盤111及設置於絕緣層105內的通路導體107。在絕緣層105之內部、上面105A與下面105B中至少設置一個配線圖案106。於焊盤113安裝零件108。通路導體107則連接配線圖案106或接地圖案110。
配線圖案106之端106C露出於電路基板104之側面104C、亦即絕緣層105之側面105C。金屬膜101與露出之配線圖案106之端106C電性連接。接地圖案110係設置於電路基板104之下面104B、亦即絕緣層105之下面105B的外周部。金屬膜101具有覆蓋密封部109之上面109A的頂面部101A、及從頂面部101A延伸至電路基板104之側面104C的側面部101B。金屬膜101更具有從側面部101B延伸、且位於接地圖案110之下面110B上的底面部112。底面部112具有從絕緣層105(電路基板104)外周向內周變小的厚度而具有厚度傾斜度。
金屬膜101之側面部101B覆蓋密封部109之側面109C與電路基板104之側面104C,亦即,超過密封部109與電路基板104之境界面102而延伸。藉此,可提高接地圖案110與金屬膜101之密接性,而不會產生毛邊等金屬膜101開始剝落的部份,故可提升長期的電性連接信賴性。
當電路基板104為使用例如玻璃環氧樹脂作為絕緣層105的多層基板時,可藉由銅箔形成焊盤113、配線圖案106、接地圖案110、焊盤111而可減低成本。
當電路基板104於絕緣層105使用陶瓷基板時,可以銀、銀鈀或銅形成焊盤113、配線圖案106、接地圖案110、焊盤111。可印刷、燒成導電糊、也可以貼上銅箔等導體箔而形成配線圖案。
零件108為例如半導體積體電路(IC)等之主動元件或線圈、電容器等被動元件,使用晶片元件作為零件108可提高安裝密度。
密封部109係由例如熱硬化性樹脂所構成,一面進行真空加壓一面加熱,則樹脂填料進入電路基板104與零件108的間隙,可不產生空洞而密封住零件108。密封部109之下面109B抵接於電路基板104之上面104A。
金屬膜101可由濺鍍或電鍍所形成,或者也可印刷市面販售之導電糊使之硬化而形成。亦即,金屬膜101可為濺鍍膜、電鍍膜、導電糊之任一者或者該等之組合。
又,金屬膜101宜為兩種以上之元素所構成。例如,於密封部109表面形成由銅所構成之下層,在該下層上更設置由鋅或鎳、錫等所構成之上層,可防止下層銅之氧化或生鏽情形的產生。藉由在銅所構成之下層上設置由銀所構成之上層,可降低金屬膜101之薄片電阻,而可將具有屏蔽效果之頻率區域擴展至高頻率側。
另外,使用於金屬膜101之2種元素,也可為合金而形成金屬膜101。可事先將銅與鋅、或銅與鎳等零件合金化,將之作為濺鍍靶材。或者也可分別準備銅的靶材與鋅的靶材,將之同時濺鍍而合金化。藉此,可減少步驟數而降低成本。
第1C圖係金屬膜101之其他例的截面圖。金屬膜101具有:設置於密封部109表面之由鈦或鉻所構成的下層1101;形成於下層1101上的銅層2101;及設置於銅層2101上之由鋅或鎳、錫或者是鋅合金或鎳合金、錫合金所構成的上層3101。藉此,可提高密封部109與金屬膜101的密接性。
另外,在形成上述下層之前,在密封部109表面以氬(Ar)施行逆濺鍍而洗淨密封部109表面,可更提升與金屬膜101的密接性。
如第1B圖所示,由於接地圖案110與金屬膜101之底面部112以面接觸,故可減少接觸電阻。由於底面部112具有從電路基板104(絕緣層105)外周向內周變小的厚度,故難以產生應力,即使施以外力等也不會產生剝離。
第2A與2B圖分別係實施型態1之其他模組零件1100的上面立體圖與截面圖。在第2A與2B圖中,對於與第1A與1B圖所示之模組零件100相同的部分附加相同元件符號。在第2A與2B圖所示之模組零件1100中,在連接密封部109之上面109A與側面109C的境界邊緣設有去角部114。金屬膜101覆蓋住包含去角部114的密封部109表面。去角部114係設置於略呈直角之密封部109邊緣、由具有預定角度之傾斜的平面所構成的倒角加工。另外,傾斜的角度為45度,但並不限定於此。又,去角部114也可具有複數角度的傾斜面。並且,去角部114也可不為平面、而為圓角加工而呈具有預定曲率半徑之曲面,曲率半徑可為例如1mm以上、半徑5mm以下,但並不限定於此。又,去角部114也可具有階梯形狀。另外,去角部114也可為倒角加工、圓角加工等之複數組合。藉由去角部114,可降低金屬膜101形成時之厚度參差不齊,而可抑制金屬膜101之內部應力產生。
第3A與3B圖係顯示實施型態1之電子機器119之製造方法的截面圖。電子機器119包含有:模組零件100、焊料117、電路基板118及填角120。電路基板118具有與電路基板104之絕緣層105、配線圖案106及通道導體107一樣的絕緣層105E、配線圖案106B及通道導體107B。
如第3A圖所示,將模組零件100安裝於電路基板118的上面118A。此時,設置於電路基板118之上面118A的配線圖案106B與設置於模組零件100之電路基板104下面104B的焊盤111係藉由焊料117連接。如第3B圖所示,焊料117具有沿著模組零件100之金屬膜101側面部101B向頂面部101A延伸的填角120。藉由填角120,可提高電路基板118與模組零件100的固定強度(或剝離強度)。另外,填角120可因應用途而形成。
第4A與4B圖分別係顯示電子機器119之模組零件100之電場輻射的截面圖與放大截面圖。
從安裝於模組零件100(1100)之電路基板104的零件108所構成的電路,以特定的頻帶輻射出雜訊。如金屬膜101般以導體覆蓋模組零件100(1100),可得到可降低由模組零件100所輻射出之雜訊的屏蔽效果。
在實施型態1中,所抑制之雜訊頻率帶在例如無線LAN的情況下,為10GHz左右(例如9.8GHz~10.2GHz),將10GHz的頻率分頻成1/4而作成2.4GHz、分頻成1/2而作成5.0GHz的載波等。
如第4B圖所示,當電場116集中於模組零件100之邊緣時,由於電場輻射115A、115B之邊緣具有峰值103,故金屬膜101會有屏蔽效果不足的可能性。
在實施型態1中,金屬膜101之厚度為1μm以上、200μm以下,以10μm以上、100μm以下為佳。當厚度為200μm以上時,金屬膜101容易產生內部應力。又,當厚度小於1μm時,屏蔽效果可能會較低。
第5A與5B圖分別係根據實施型態1之其他電子機器1119的截面圖與放大截面圖。第5A與5B圖中,對於與第4A與4B圖所示之電子機器119相同的部分附加同樣的元件符號。第5A與5B圖所示之電子機器1119具有以模組零件3100代替第4A與4B圖所示之電子機器119之模組零件100。第5A與5B圖所示之模組零件3100的去角部114具有階梯形狀。
具有階梯形狀之去角部114具有複數之邊緣114A。藉由複數之邊緣114A,由於電場116較第4A與4B圖所示之電子機器119為分散,故可縮小電場輻射115A、115B的峰值103。
第6A與6B圖分別係根據實施型態1之又另一電子機器2119的截面圖與放大截面圖。第6A與6B圖中,對於與第5A與5B圖所示之電子機器1119相同的部分附加同樣的元件符號。第6A與6B圖所示之電子機器2119中,模組零件1100的去角部114具有如第2A與2B圖所示之平面所構成之倒角加工。去角部114具有複數之邊緣114A。藉由複數之邊緣114A,由於電場116較第4A與4B圖所示之電子機器119為分散,故可縮小電場輻射115A、115B的峰值103。
另外,為了更分散電場116,也可實施圓角加工使去角部114具有有預定曲率半徑的曲面而除去邊緣。
如以上所述,可抑制模組零件1100對於外部機器的雜訊干擾。
第7A圖係模組零件100的下面立體圖。模組零件100之下面、即電路基板104(絕緣層105)的下面104B(下面105B)具有構成外周部之4邊的矩形狀。接地圖案110係沿著絕緣層105之下面105B外周部的4個邊中至少2個邊而設置。連接金屬膜101側面部101B的底面部112位於接地圖案110之下面110B。
第7B圖係第7A圖所示之模組零件100的部分截面圖。底面部112之厚度越遠離側面部101B越小,亦即從絕緣層105之下面105B外周部越靠近中央越連續性地單向變小,在端122A的厚度為零。端122A具有直線形狀。藉由上述構造,可防止底面部112之內部應力產生,即使承受機械性外力,底面112也不易剝離而不易產生毛邊。結果,模組零件100即使在使用時受到振動或衝擊,金屬膜101也不會產生缺損。
如此一來,電路基板104之下面104B實質上具有有4邊的矩形狀。接地圖案110係沿著電路基板104下面104B的4邊中至少2邊而設置。金屬膜101之底面部112沿著電路基板104之下面104B的4邊中至少2邊而設置。金屬膜101之底面部112係超過該等2邊而設置於接地圖案110。
第8A圖係實施型態1之又另一模組零件2100的下面立體圖。第8B圖係第8A圖所示之模組零件2100的部分截面圖。第8A與8B圖中,對於與第7A與7B圖所示之模組零件100相同的部分附加同樣的元件符號。第8A與8B圖所示之模組零件2100中,底面部112之厚度越遠離側面部101B越小,亦即從絕緣層105之下面105B外周部越靠近中央越連續性地單向變小,在端122的厚度為零。端122不為直線形狀,具有參差不齊的波浪狀等不定的形狀。端122具有不定的形狀,可更抑制內部應力的產生。端122也可具有例如木紋形狀或大馬士革鋼模樣的形狀。
底面部112之端122為不定的形狀,可使底面部112之端122較第7A與7B圖所示之直線形狀的端122A為長,藉由使底面部112與絕緣層105接合的距離較長,可使絕緣層105更堅固地接合於金屬膜101,而可使金屬膜101不易剝離。
第9A圖係顯示本發明之實施型態2之電子機器3119製造方法的截面圖。第9B圖係電子機器3119的截面圖。第9A與9B圖中,對於與第3A與3B圖所示之電子機器119相同的部分附加同樣的元件符號。
在電子機器3119之電路基板118的上面118A設有焊料117,在焊料117上安裝有模組零件100。
如第9B圖所示,設置於電路基板118上面118A的接地圖案121A與連接於模組零件100之金屬膜101的接地圖案110係透過焊料117而電性連接。如此一來,將與金屬膜101密接性高之模組零件100搭載於電子機器119,可提供電性連接信賴性較高的電子機器3119。
又,設置於電路基板118之上面118A的接地圖案121A與設置於電路基板118之下面118B的接地圖案121B係以通路導體107B連接。如此一來,透過通路導體107B可電性連接模組零件100之接地圖案110與接地圖案121B。通路導體107B係藉由導電性樹脂或電鍍而形成。又,通路導體107B連接電路基板118之內部層間。
如第9B圖所示,通路導體107B也可組合複數之通路導體(例如複數之通路導體107B)而成。可以1個通路導體107A連接形成於電路基板118之上面118A的接地圖案121B、與形成於下面118B的接地圖案121B。也可以貫通電路基板118之僅1個的貫通通路導體107A連接接地圖案121A、121B。藉由以較少的通路導體107A連接接地圖案121A、121B,可降低不良品率或電阻值。
藉由將內藏於電路基板118之通路導體107A連接接地圖案121A、121B,可安定接地圖案121A、121B的接地電位。藉此,可安定電子機器119的屏蔽效果。結果,如第9B圖所示,藉由使用通路導體107A,從電路基板118側面方向發出的雜訊103C可變小。
無須限定接地圖案121B為幾乎覆蓋下面全部的大面積圖案,可為一般的接地圖案。
第9C圖係比較例之電子機器4119的截面圖。電子機器4119中,不具有連接設置於電路基板118上面118A之接地圖案121A與設置於下面118B之接地圖案121B的1個通路導體。此時,可能無法減低來自於電路基板118側面之雜訊103E、或由電路基板118下面118B所放射之雜訊103F。
在第9C圖所示之比較例的電子機器4119中,於電路基板118上面118A安裝模組零件100時,可能會無法安定接地圖案121A的接地電位,從電路基板118側面產生電場輻射115A、115B,會使屏蔽效果低下。因此,宜設有如第9B圖所示之連接接地圖案121A、121B的1個通道導體107A。
第10A至10D圖係顯示本發明實施型態3之模組零件100之製造方法的截面圖。
電路基板片204具有用以安裝零件108之焊盤113(如第3A圖所示)與配線圖案。首先,如第10A圖所示,將零件108安裝於電路基板片204上之焊盤113。接著,如第10B圖所示,以焊料117(第3A圖所示)將零件108電性連接於焊盤113。然後,如第10C圖所示,藉由密封樹脂209密封零件108周圍後,如第10D圖所示,將電路基板片204與密封樹脂209分割成個片123。電路基板片204與密封樹脂209係分割後分別成為電路基板104與密封部109。
第11A至11D圖係顯示實施型態3之模組零件100之製造方法的截面圖。如第11A與11B圖所示,在具有保持部124之固定具125上,配置所得之個片123。可使用雙面膠等接著劑作為保持部124。保持部124宜配置於個片123的下部,並且較電路基板104之周緣部配置地較為內側。
接著,如第11C圖所示,形成覆蓋個片123的金屬膜101。使個片123之電路基板104下面104B的外周部104T從保持部124露出地將個片123載置於保持部124上。金屬膜101係從個片123之側面繞至下面104B而形成外周部104T。當以例如濺鍍金屬元素的方法形成金屬膜101時,從個片123上面噴附之金屬元素繞至下面104B,形成於下面104之外周部104T的金屬膜101之部份的厚度從下面104B的外周向內側逐漸變小,形成第7A與8A圖所示之底面部112。
最後,如第11D圖所示,將個片123從固定具125剝離,得到模組零件100。
如此一來,由於從個片123下面之端向內側變薄的金屬膜101不易產生毛邊等缺陷,故可提升因使用模組零件100時之振動或衝擊而有所影響的電性連接信賴性。
第12A至12D圖係顯示實施型態3之模組零件100之其他製造方法的截面圖。第12A至12D圖中,對於第11A至11D圖所示之模組零件100相同的部分附加相同元件符號。
第11A至11D圖所示之固定具125的保持部124具有矩形的截面。而第12A至12D圖所示之固定具125則具備具有梯形形狀截面的保持部124A。
如第12A圖所示,在固定具125設有孔126。如第12B圖所示,藉由透過孔126於方向103A吸入空氣,可將個片123保持於固定具125之保持部124A。接著,如第12C圖所示,形成覆蓋個片123之金屬膜101。使個片123之電路基板104下面104B的外周部104T從保持部124露出地將個片123載置於保持部124A上。金屬膜101係從個片123之側面繞至下面104B而形成外周部104T。當以例如濺鍍金屬元素的方法形成金屬膜101時,從個片123上面噴附之金屬元素繞至下面104B,形成於下面104之外周部104T的金屬膜101之部份的厚度從下面104B的外周向內側逐漸變小,形成第7A與8A圖所示之底面部112。然後,如第12D圖所示,藉由將空氣依方向103G噴射,從固定具125取下個片123,製作模組零件100。
保持個片123之保持部124A係擁有具有斜面124B之梯形的截面。斜面124B以傾斜的角度抵接於模組零件100之電路基板104。亦即,斜面214B與電路基板104之下面104B之間的距離從下面104B之外緣向內側部分越來越小。藉此,以電鍍或導電糊形成金屬膜101的情況下,當金屬膜101繞至個片123之電路基板104下面104B而形成時,可使金屬膜101之厚度向內側變小。
又,藉由如第11A至11D圖或第12A至12D圖所示之方法,可易於形成第8A與8B圖所示之具有不定形狀之端122。
藉由上述方法,即使藉由電鍍或塗布導電性樹脂也可易於形成金屬膜101,且可提高個片123與金屬膜101之電性連接信賴性。
第13A與13B圖係顯示本發明實施型態4之模組零件1100製造方法的截面圖。第13A與13B圖中,對於與第10C與10D圖所示之實施型態3製造方法的同樣部分附加同樣元件符號。如第13A圖所示,在密封安裝於電路基板片204上之零件108的密封樹脂209,於個片123的境界設置具有矩形截面的溝127。另外,溝127的深度比從個片123上面至電路基板片204為止的距離短,溝127未達到電路基板片204。接著,如第13B圖所示,從溝127之底部中央切斷至電路基板片204的下面,可將密封樹脂209與電路基板片204完全分割成複數的個片123。藉由在個片123表面形成金屬膜101,可得到具有第5A與5B圖所示之具有階梯形狀去角部114之密封部109的模組零件1100。
第13C與13D圖係顯示本發明實施型態4之其他模組零件1100製造方法的截面圖。第13C與13D圖中,對於與第10C與10D圖所示之實施型態3製造方法的同樣部分附加同樣元件符號。如第13C圖所示,在密封安裝於電路基板片204上之零件108的密封樹脂209,在個片123的境界設置具有V字形截面的溝128。另外,溝128的深度比從個片123上面至電路基板片204為止的距離短,溝128未達到電路基板片203。接著,如第13D圖所示,從溝128之底部中央切斷至電路基板片204的下面,可將密封樹脂209與電路基板片204完全分割成複數的個片123。藉由在個片123表面形成金屬膜101,可得到具有第2A與2B圖所示之具有倒角加工去角部114之密封部109的模組零件1100。
藉由第13A至13D圖所示之方法,可僅以形成溝127、128與截斷個片兩次步驟,而易於製造出邊角為倒角加工之個片123或具有階梯形狀邊角的個片123。
可使用形成溝127、128之薄刃鋸片及截斷電路基板片204與密封樹脂209的薄刃鋸片。裁斷之鋸片要比形成溝127、128的鋸片還薄。
在第13A至13D圖所示之方法中,藉由選擇變更溝127、128的截面形狀,可使密封部109之一個以上的邊之形狀為階梯或倒角加工、圓角加工、或該等之組合形狀。
接著,說明在第7A、7B、8A、8B圖所示之模組零件100、2100中,分別接地圖案110與金屬膜101之底面部121的方法。
接地圖案110之下面110B與金屬膜101之底面部121的表面色差ΔE為1以上,2以上為佳,3以上更佳。藉由該等值之色差ΔE,可容易判別形成於接地圖案110之下面110B上的金屬膜101(底面部112)的有無或形狀。
第14圖係顯示光的波長與金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)的反射率關係的圖,顯示各種金屬的顏色差異。第14圖中,橫軸表示光的波長,橫軸表示光的反射率。如第14圖所示,銀對於400~700nm波長的光具有95%以上的反射率,結果看起來會是銀色。銅由於對於400~550nm波長的光反射率較低、對於550nm以上波長的光反射率較高,故銅色看起來是一種偏紅的顏色。又,金由於相較於銅,對於550nm左右波長的光反射率較高,因此看起來為比銅色還接近黃色的黃金色。
例如,接地圖案110由銅箔所構成時,看起來會是紅銅色,鍍金時看起來則會是金色。當金屬膜101含有2種以上元素時,表面會因為鎳、鋅、銀等成分看起來是銀色。藉由選擇該等材料而使接地圖案110之下面110B與金屬膜101表面的色差ΔE之值為上述範圍內,無須使用複雜且昂貴的裝置,以肉眼即可簡單地辨識金屬膜101的狀態,並可使用CCD攝影機等通常的照相裝置即可自動輕易判別。
若以Lab色彩系統表現紅銅色、銀色、金色等,由於該等色之色差ΔE為1以上,故可輕易地以目視確認形成於接地圖案110上的金屬膜101之狀態。藉此,不只金屬膜101之電性連接信賴性、連底面部112之狀態也可確實地判別。另外,關於色差ΔE及色差ΔE之測定方法以及測定裝置等,可參考JIS L 0804、JIS L 0805、JIS Z 8721、JIS S 6006、6007、6016、6020、6028等。
實施型態1~4之模組零件可藉由底面部112提高金屬膜101與接地圖案110的電性連接信賴性。因此,內藏安裝有該模組零件之電路基板118的電子機器可對於使用時之振動或掉落時之衝擊等外部衝擊,實現較高的信賴性。
第15A圖係本發明實施型態5之模組零件600的上面立體圖。第15B圖係第15A圖所示之模組零件600之線15B-15B的截面圖。
模組零件600包含有電路基板604、安裝於電路基板604上面604A之零件608、設置於電路基板604上面604A之密封部609、及金屬膜601。密封部609密封住零件608。金屬膜601覆蓋住電路基板604之側面604C與密封部609。
電路基板604係例如多層樹脂基板,具有由以環氧樹脂含浸玻璃纖維之玻璃環氧樹脂或陶瓷等絕緣物所構成的絕緣層605。絕緣層605具有分別為電路基板604之上面604A、下面604B及側面604C的上面605A、下面605及側面605C。電路基板604更包含有配線圖案606、設置於絕緣層605之上面605A的焊盤606A、及設置於絕緣層605內的通路導體607。在絕緣層605之內部、上面605A與下面605B中至少設置一個配線圖案606。於焊盤606A安裝零件608。通路導體607則連接配線圖案606或接地圖案1610。
金屬膜601具有覆蓋密封部609之上面609A的頂面部601A、從頂面部601A延伸的側面部601B、及從側面部601B延伸的底面部601C。側面部601B覆蓋電路基板604之604C。底面部601C覆蓋住接地圖案1610的一部份。頂面部601A具有有沿著長方向600A延伸之長邊612與短邊611的矩形。側面部601B上設有使電路基板604側面604C與密封部609側面609C露出的狹縫613。
第15C圖係第15A圖所示之模組零件600之線15C-15C的截面圖。狹縫613分別設置於金屬膜601彼此相對之側面部601B。狹縫613沒有被金屬膜601包住而呈開放狀態並構成開口部610。
金屬膜601之特別是頂面部610A與側面部601B之機能為放射電磁波603B的天線。
金屬膜601之側面部601B覆蓋密封部609之側面609C與電路基板604之側面604C,亦即,超過密封部609與電路基板604之境界面602而延伸。藉此,可提高接地圖案1610與金屬膜601之密接性,而不會產生毛邊等金屬膜601開始剝落的部份,故可提升長期的電性連接信賴性。
金屬膜601之頂面部601A較側面部601B、特別是覆蓋密封部609之側面609C的部分還要厚。具體而言,金屬膜601之頂面部601A的厚度為側面部601B中覆蓋密封部609之側面609C之部分的厚度的1.5倍以上、5倍以下。藉此,可確實地連接頂面部601A與側面部601B。
金屬膜601之底面部601C具有從絕緣層605之外周向內周變小的厚度而具有厚度傾斜度。藉此,不容易產生應力,底面部601C即使有外力等也不易從接地圖案1610剝離,故可提升長期的電性連接信賴性。
當電路基板604使用陶瓷基板做為絕緣層605時,可以銀、銀鈀或銅形成焊盤606A、配線圖案606、接地圖案110、焊盤111。可以導電糊之印刷、燒成而形成配線圖案,也可以貼上銅箔等導體箔而形成配線圖案。
零件608為例如半導體積體電路(IC)等之主動元件或線圈、電容器等被動元件,使用晶片元件可提高安裝密度。
密封部609係由例如熱硬化性樹脂所構成,一面進行真空加壓一面加熱,則樹脂填料進入電路基板604與零件608的間隙,可不產生空洞而密封住零件608。密封部609之下面609B抵接於電路基板604之上面604A。
金屬膜601可由濺鍍或電鍍所形成,或者也可印刷市面販售之導電糊使之硬化而形成。
又,金屬膜601宜為兩種以上之元素所構成。例如,於密封部609表面形成由銅所構成之下層,在該下層上更設置由鋅或鎳、錫等所構成之上層,可防止下層銅之氧化或生鏽情形的產生。藉由在銅所構成之下層上設置由銀所構成之上層,可降低金屬膜601之薄片電阻,而可將具有屏蔽效果之頻率區域擴展至高頻率側。
另外,使用於金屬膜101之2種元素,也可為合金而形成金屬膜101。也可事先將銅與鋅、或銅與鎳等零件合金化,將之作為濺鍍靶材。或者也可分別準備銅的靶材與鋅的靶材,將之同時濺鍍而合金化。藉此,可減少步驟數而降低成本。
第15D圖係金屬膜601之其他例的截面圖。金屬膜601具有:設置於密封部609表面之由鈦或鉻所構成的下層1601;形成於下層1601上的銅層2601;及設置於銅層2601上之由鋅或鎳、錫或者是鋅合金或鎳合金、錫合金所構成的上層3601。藉此,可提高密封部609與金屬膜601的密接性。
另外,在形成上述下層之前,在密封部609表面以氬(Ar)施行逆濺鍍而洗淨密封部609表面,可更提升與金屬膜601的密接性。
如第15B圖所示,由於接地圖案1610與金屬膜601之底面部601C以面接觸,故可減少接觸電阻。由於底面部601C具有從電路基板604(絕緣層605)外周向內周變小的厚度,故難以產生應力,即使有外力等也不會剝離。
狹縫613可提高金屬膜601作為天線的效果。電路基板604之側面604C或密封部609之側面609C的一部份露出於狹縫613。
接著,說明實施型態5之模組零件600的金屬膜601之頂面部601A與側面部601B的天線機能。第16圖係模組零件600的截面圖。
模組零件600更具備供電部616,供電部616具有電抗614及發信埠615。發信埠615由位於電路基板604之上面604A的配線圖案606所構成。供電部616係設置於金屬膜601之頂面部601A的略中央部。
電抗514由形成於安裝在電路基板604中央附近之零件608與金屬膜601之頂面部601A之間或發信埠615與頂面部601A之間的電容性或電感性空間耦合成分所構成,以零件(電容性、電感性)所耦合。金屬膜601之頂面部601A的厚度因所放射之電磁波603之頻率的集膚效應而設定為流通高頻率電流之集膚深度以上,提高設置於金屬膜601之頂面部601A的供電部616之供電效率。另一方面,金屬膜601之側面部601B的厚度設定為小於前述集膚深度,藉此,可提高從模組零件600側面附近放射之電磁波的放射效率。電磁波603之頻率f的集膚深度D以金屬膜601之導電率σ與磁導率μ表示為以下式。
D=1/(π‧f‧σ‧μ)1/2
例如,求出金屬膜601由銅所構成時之集膚深度D。銅的導電率σ為5.8×107
(S/m)、磁導率μ為4π×10-7
(H/m)。例如,當從模組零件600之金屬膜601放射的電磁波603頻率f為5GHz時,集膚深度D由上式可得為約0.95μm。
因此,當頻率f為5MHz時,藉由將金屬膜601之頂面部601A的厚度設定為1μm、側面部601B的厚度設定為0.2~0.33μm,則可同時兼顧模組零件600之屏蔽效果與天線效果。
金屬膜601通常在寬頻帶(100kHz~12.75GHz)可電磁屏蔽模組零件600。實施形態5之模組零件600中,金屬膜601可作為放射特定頻率範圍之電磁波的天線。放射波長λ之電磁波時,使金屬膜601具有矩形狀之頂面部601A的邊611或邊612的長度為3λ/10~7λ/10。
如第15C圖所示,狹縫613所形成之開口部610係設置於連接彼此相對之邊612的密封部609側面609C與電路基板604之側面604C。開口部610之邊612方向的長度610W係設定為3λ/10~7λ/10。藉此,金屬膜601之頂面部601A與側面部601B可作為放射波長λ電磁波的天線。在連接邊611之密封部609與電路基板604之側面未設有開口部,而由金屬膜601之側面部601B覆蓋全體。露出於電路基板604之側面604C的配線圖案606係連接於聯繫邊611之金屬膜601側面部601B。藉此,可抑制從連接邊611之側面部601B所放射之電磁波,並可設定金屬膜601作為天線之指向性為與邊612呈直角的方向。金屬膜601之頂面部601A可看做是延伸於邊611方向之半波偶極天線的集合。
藉由調整開口部610的面積,可抑制模組零件600作為天線之放射效率。例如,當開口部610從電路基板104之下面104向金屬膜601之頂面部601A變窄時,由於側面部601B與露出於電路基板604之側面604C的配線圖案606連接的部分漸漸變大,故可調整放射效率。當未設有開口部610時,放射效率會最低,因此在欲縮短所放射之電磁波的到達距離時極為有效。
當開口部610在與頂面部601A平行的方向變化時,由於開口部610的長度會較所放射之電磁波的所需波長為短,故可將作為天線之頻率移至較高區域。
使金屬膜601作為放射波長λ電磁波的天線,若密封部609之相對電容率εr,藉由因縮短波長而使邊611具有約為λ/(2×εr1/2
)的長度,金屬膜601可作為放射且接收該電磁波的天線。例如,頻率5GHz之電磁波的半波長λ/2為約3(cm)。此時,邊611的長度若為3/εr1/2
(cm),則金屬膜601可作為放射且接收該電磁波的天線。
以電鍍、蒸鍍或濺鍍製造金屬膜601時,由於一般而言會有金屬間的耦合,故可對模組零件600進行寬頻帶(100kHz~12.75GHz)的電磁屏蔽,且可作為放射並接收特定頻率範圍電磁波的天線。
第17圖係模組零件600之上面圖。金屬膜601之頂面部601A為矩形。頂面部601A的對角線601D長度係設定為1/2λ。頂面部601A之邊611的長度宜為3/10λ~7/10λ。又,也可將頂面部601A之對角線601D的長度設定為3/10λ~7/10λ。
例如,如前所述,以5GHz的頻率使之作為天線動作,當密封部609之相對電容率εr=4時,藉由縮短波長而使邊611之長度L611表示如下。
L611=λ/(2×εr1/2
)≒1.5cm
第18圖係顯示使用於模組零件600之金屬膜601之金屬的電磁屏蔽效果的圖。第18圖中,橫軸表示電磁波的頻率,縱軸表示電磁波之衰減量的理論計算值。特性P601表示由市面販售之厚度80μm之白銅所構成的層之衰減量。特性P602表示由以濺鍍所形成之厚度1.0μm之銅箔所構成的層之衰減量。P603表示由厚度10μm之市面販售之導電糊所構成的層之衰減量。
如第18圖所示,衰減量以導電糊所構成的層最大,其次是白銅所構成的層較大,以濺鍍所形成的銅層之衰減量最小。將金屬膜601之頂面部601A的厚度設定為側面部601B厚度的1.5倍以上、5倍以下。藉此,特別是以濺鍍形成金屬膜601時,不會使模組零件600做為天線之頻率以外進行屏蔽之頻帶的屏蔽性變差,並且無損作為天線之頻率的放射效率。如上所述,藉由積極地調整金屬膜601之頂面部601A與側面部601B的厚度,即使較薄也可有效地增加電磁波的衰減量,故可提高模組零件600之屏蔽效果。
第19A與19B圖分別係顯示具備了具有狹縫613之金屬膜601的模組零件600之電磁波放射分布的上面圖與側面圖。第20A與20B圖分別係顯示具備了不具有狹縫613之金屬膜601的比較例模組零件之電磁波放射分布的上面圖與側面圖。
第19A、19B、20A、20B圖中,區域617A~617D之各電場強度E601A~E601D之中,電場強度E601A最大,電場強度E601B第2大,電場強度E601C第3大,電場強度E601D最小。如上所述,在接近模組零件600的區域,電場強度較高,越遠離模組零件的區域,電場強度越低。靠近第19A與19B圖所示之模組零件600處,形成有具有較高電場強度之區域617A。但是,第20A與20B圖所示之比較例模組零件則未形成電場強度較高的區域617A。又,第19A與19B圖所示之模組零件600所形成之區域617B、617C與第20A與20B圖所示之比較例模組零件所形成之區域617B、617C相較之下較窄。
如以上所說明,藉由在第19A與19B圖所示之模組零件600設置狹縫613,相較於第20A與20B圖所示之比較例模組零件的電界強度,可提高全體之電界強度。
第21A圖係實施型態5之其他模組零件1600的上面立體圖。第21B圖係第21A圖所示之模組零件1600之線21B-21B的截面圖。第21A與21B圖中,對於與第15A與15B圖所示之模組零件600相同的部分附加同樣的元件符號。在金屬膜601連接於邊612的側面部601B,設有開口部610以及開口部610A。開口部610係設置於側面部601B之邊612方向的中央部,開口部610A係設置於側面部601B之邊612方向的兩端部。金屬膜601連接邊611的側面部601B覆蓋密封部609之側面609C全體,但未達到電路基板604之側面604C,未連接於配線圖案606。藉此,可將作為天線之模組零件600的指向性設定為邊612的方向,在欲調整模組零件600之指向性時可用。
第22A圖係實施型態5之又另一模組零件2600的上面立體圖。第22B圖係第22A圖所示之模組零件2600之線22B-22B的截面圖。第22A與22B圖中,對於與第21A與21B圖所示之模組零件1600相同的部分附加同樣的元件符號。在模組零件2600中,在金屬膜601連接於邊611的側面部601B,設有開口部610B。開口部610B使電路基板604之側面604C露出,更使密封部609之側面609C一部分露出。藉由開口部610、610A、610B,可擴大天線之指向性調整範圍。
第23圖顯示金屬膜601作為天線所放射之電磁波頻率與頂面部601A與側面部601B膜厚的關係。又,第24圖顯示電磁波頻率與金屬膜601之邊611或對角線601D的長度的關係。
第24圖所示之對角線601D的長度,在模組零件600之邊611的長度為7/10λ、且金屬膜601之頂面部601A的形狀為正方形時為最大。如第24圖所示,實際的計算上考慮到密封部609的相對電容率,對角線601D的最大長為3/10λ~7/10λ。
如第23圖所示,藉由維持金屬膜601之頂面部601A的厚度與側面部601B的厚度間的關係,可提高頂面部601A與側面部601B對於作為所需頻率電磁波天線而動作之模組零件600的放射效率。
另外,開口部610可在形成金屬膜601之側面部601B時藉由罩(mask)而同時形成。狹縫613也可在形成側面部601B後,在對於側面部301B切出狹縫的修整步驟形成。
第25A與25B圖係顯示具備實施型態5之模組零件600的電子機器620製造方法的圖。電子機器620具有模組零件600及安裝有模組零件600的電路基板618。在電路基板618的上面618A,設有配線圖案606B。在配線圖案606B設有焊料619。模組零件600係以焊料619連接安裝於電路基板618之上面618A的配線圖案606B。
以下,說明模組零件600的製造方法。
第26A至26D圖係顯示本發明實施型態5之模組零件600製造方法的截面圖。
電路基板片704具有用以安裝零件608之配線圖案606。首先,如第26A圖所示,將零件608安裝於電路基板片704上之配線圖案606。接著,如第26B圖所示,以焊料619將零件608電性連接於配線圖案606。然後,如第26C圖所示,藉由密封樹脂709密封零件608周圍後,如第26D圖所示,將電路基板片704與密封樹脂709分割成個片621。電路基板片704與密封樹脂709係分割後分別成為電路基板604與密封部609。
第27A至27D圖係顯示模組零件600製造方法的截面圖。如第27A與27B圖所示,在具有保持部622之固定具623上,配置所得之個片621。可使用雙面膠等接著劑作為保持部622。保持部622宜配置於個片621的下部,並且較電路基板604之周緣部配置地較為內側。
接著,如第27C圖所示,形成覆蓋個片621的金屬膜601。使個片621之電路基板604下面604B的外周部604T從保持部622露出地將個片621載置於保持部622上。金屬膜601係從個片621之側面繞至下面604B而形成外周部604T。當以例如濺鍍金屬元素的方法形成金屬膜601時,從個片621上面噴附之金屬元素繞至下面604B,形成於下面604B之外周部604T的金屬膜601之部份的厚度從下面604B的外周向內側逐漸變小,形成第15A圖所示之底面部662。
最後,如第27D圖所示,將個片621從固定具623剝離,得到模組零件600。
如此一來,由於從個片621下面之端向內側變薄的金屬膜601不易產生毛邊等缺陷,故可提升因使用模組零件600時之振動或衝擊而有所影響的電性連接信賴性。
第28A至28C圖係顯示模組零件之其他製造方法的立體圖,顯示金屬膜601的形成方法。罩624係使用於在金屬膜601之側面部601B形成狹縫613或開口部610。
如第28A與28B圖所示,在形成金屬膜601前,將個片621固定於固定具623。個片621之側面抵接於罩624或隔著些微間隔而相對。
如第28C圖所示,以濺鍍裝置於用罩624蓋住側面之個片621的表面,形成金屬膜601。由於在罩624抵接或相對的部分不會附著金屬膜601的材料,故可在個片621的側面形成開口部610或狹縫613。另外,例如第27B與27C圖所示,藉由調整罩624與個片621的距離,可於金屬膜601之底面部601C形成厚度傾斜度。
另外,實施型態中,「上面」、「下面」等表示方向的用語僅係表示電路基板或零件等模組零件之構成零件的相對位置關係的相對方向,非顯示上下方向等的絕對方向。
本發明之模組零件可以高信賴性電性連接電路基板之配線圖案與金屬膜,可使用於對於使用時之振動或掉落衝擊等外部衝擊具有高信賴性的電子機器。
1、1P、1Q、100、501、600、1100、1600、2100、2600、3100...模組零件
2、101、601...金屬膜
3、109、609...密封部
4、106、106B、606、606B...配線圖案
5、104、118、618、604...電路基板
6...接地層
7、108、608...零件
8、110、121A、121B、1610...接地圖案
9...保護層
11A、11B、11C...碎片
101A、601A...頂面部
101B、601B...側面部
102、602...境界面
103...峰值
103A、103G...方向
103C、103E、103F...雜訊
104A、105A、109A、118A、604A、605A、609A、618A...上面
104B、105B、109B、110B、118B、604B、605B、609B...下面
104C、105C、109C、604C、605C、609C...側面
104T、604T...外周部
105、105E、605...絕緣層
106C、122、122A...端
107、107A、107B、607...通路導體
111、113、606A...焊盤
112、121、601C、662...底面部
114...去角部
114A...邊緣
115A、115B...電場輻射
116...電場
117、619...焊料
119、620、1119、2119、3119、4119...電子機器
120...填角
123、621...個片
124、124A、622...保持部
124B...斜面
125、623...固定具
126...孔
127、128...溝
204、704...電路基板片
209、709...密封樹脂
502...遮罩
507...電子零件
600A...長方向
601D...對角線
603、603B...電磁波
610、610A、610B...開口部
610W...長度
611...短邊
612...長邊
613...狹縫
614...電抗
615...發信埠
616...供電部
617A~617D...區域
624...罩
1101、1601...下層
1201、2101、2601...銅層
1301、3101、3601...上層
第1A圖係本發明實施型態1之模組零件的上面立體圖。
第1B圖係第1A圖所示之模組零件之線1B-1B的截面圖。
第1C圖係實施型態1之模組零件之金屬膜的截面圖。
第2A圖係實施型態1之其他模組零件的上面立體圖。
第2B圖係第2A圖所示之模組零件之線2B-2B的截面圖。
第3A圖係顯示實施型態1之電子機器製造方法的截面圖。
第3B圖係顯示實施型態1之電子機器製造方法的截面圖。
第4A圖係實施型態1之電子機器的截面圖。
第4B圖係第4A圖所示之電子機器的放大截面圖。
第5A圖係實施型態1之其他電子機器的截面圖。
第5B圖係第5A圖所示之電子機器的放大截面圖。
第6A圖係實施型態1之又另一電子機器的截面圖。
第6B圖係第6A圖所示之電子機器的放大截面圖。
第7A圖係實施型態1之模組零件的下面立體圖。
第7B圖係第7A圖所示之模組零件的部份截面圖。
第8A圖係實施型態1之其他模組零件的下面立體圖。
第8B圖係第8A圖所示之模組零件的部份放大圖。
第9A圖係顯示本發明實施型態2之電子機器製造方法的截面圖。
第9B圖係第9A圖所示之電子機器的截面圖。
第9C圖係第9A圖所示之電子機器的截面圖。
第10A圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第10B圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第10C圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第10D圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第11A圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第11B圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第11C圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第11D圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第12A圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第12B圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第12C圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第12D圖係顯示本發明實施型態3之模組零件製造方法的截面圖。
第13A圖係顯示本發明實施型態4之模組零件製造方法的截面圖。
第13B圖係顯示第13A圖所示之模組零件製造方法的截面圖。
第13C圖係顯示本發明實施型態4之模組零件製造方法的截面圖。
第13D圖係顯示第13A圖所示之模組零件製造方法的截面圖。
第14圖顯示各種金屬之光反射率。
第15A圖係本發明實施型態5之模組零件的上面立體圖。
第15B圖係第15A圖所示之模組零件之線15B-15B的截面圖。
第15C圖係第15A圖所示之模組零件之線15C-15C的截面圖。
第15D圖係實施型態5之模組零件之金屬膜的截面圖。
第16圖係實施型態5之模組零件的截面圖。
第17圖係實施型態5之模組零件的上面圖。
第18圖顯示實施型態5之模組零件的屏蔽效果。
第19A圖係顯示實施型態5之模組零件之電磁波放射分布的上面圖。
第19B圖係顯示第19A圖所示之模組零件之電磁波放射分布的側面圖。
第20A圖係顯示比較例之模組零件之電磁波放射強度的上面圖。
第20B圖係顯示第20A圖所示之模組零件之電磁波放射強度的側面圖。
第21A圖係實施型態5之其他模組零件的上面立體圖。
第21B圖係第21A圖所示之線21B-21B之模組零件的截面圖。
第22A圖係實施型態5之另一其他模組零件的上面立體圖。
第22B圖係第22A圖所示之線22B-22B之模組零件的截面圖。
第23圖顯示實施型態5之模組零件之金屬膜做為天線所放射之電磁波頻率與金屬膜之膜厚的關係。
第24圖顯示實施型態5之模組零件作為天線所放出電磁波頻率與邊或對角線長度的關係。
第25A圖係顯示本發明實施型態5之電子機器製造方法的截面圖。
第25B圖係第25A圖所示之電子機器的截面圖。
第26A圖係顯示本發明實施型態5之模組零件製造方法的截面圖。
第26B圖係顯示本發明實施型態5之模組零件製造方法的截面圖。
第26C圖係顯示本發明實施型態5之模組零件製造方法的截面圖。
第26D圖係顯示本發明實施型態5之模組零件製造方法的截面圖。
第27A圖係顯示本發明實施型態5之模組零件製造方法的截面圖。
第27B圖係顯示本發明實施型態5之模組零件製造方法的截面圖。
第27C圖係顯示本發明實施型態5之模組零件製造方法的截面圖。
第27D圖係顯示本發明實施型態5之模組零件製造方法的截面圖。
第28A圖係顯示本發明實施型態5之模組零件之其他製造方法的截面圖。
第28B圖係顯示本發明實施型態5之模組零件之其他製造方法的截面圖。
第28C圖係顯示本發明實施型態5之模組零件之其他製造方法的截面圖。
第29圖係顯示習知之模組零件的截面圖。
第30A圖係顯示第29圖所示之模組零件製造方法的截面圖。
第30B圖係顯示第29圖所示之模組零件製造方法的截面圖。
第30C圖係顯示第29圖所示之模組零件製造方法的截面圖。
第31圖係其他習知模組零件的截面圖。
100...模組零件
101...金屬膜
101A...頂面部
101B...側面部
104...電路基板
104A...上面
104B...下面
104C...側面
105...絕緣層
105A...上面
105B...下面
105C...側面
106...配線圖案
106C...端
107...通路導體
108...零件
109...密封部
109A...上面
109B...下面
109C...側面
110...接地圖案
110B...下面
111...焊盤
112...底面部
113...焊盤
Claims (13)
- 一種模組零件,包含有:電路基板,係具有上面、下面與側面者;零件,係安裝於前述電路基板之前述上面者;密封部,係設置於前述電路基板之前述上面且密封住前述零件而具有上面者;接地圖案,係設置於前述電路基板之前述下面的外周部份者;及金屬膜,該金屬膜係包含有:頂面部,係覆蓋前述密封部之前述上面者;側面部,係從前述頂面部延伸且覆蓋前述電路基板之前述側面者;及底面部,係從前述側面部延伸,設置於前述接地圖案上,具有越遠離前述側面部而越小的厚度者。
- 如申請專利範圍第1項之模組零件,其中前述電路基板之前述下面實質上係具有4個邊的矩形形狀,而前述接地圖案係沿著前述電路基板之前述下面的前述4個邊中至少2個邊而設置,前述金屬膜之前述底面部係超過前述電路基板之前述下面的前述4個邊中之前述至少2個邊而設置於前述接地圖案。
- 如申請專利範圍第1項之模組零件,其中前述金屬膜係由濺鍍膜、電鍍膜、導電糊中之任一者、或該等之組合而成。
- 如申請專利範圍第1項之模組零件,其中前述接地圖案之表面與前述金屬膜之表面的色差△E為3以上。
- 如申請專利範圍第1項之模組零件,其中前述密封部之與前述金屬膜之前述頂面部與前述側面部相連的部份,具有梯狀或倒角(Chamfer)加工形狀、圓角(Radius)加工形狀、或該等之組合形狀。
- 一種模組零件之製造方法,包含有:將複數零件安裝於電路基板片的步驟;以密封樹脂密封住安裝於前述電路基板片之前述複數零件的步驟;將前述電路基板片與前述密封樹脂一起分割成個片的步驟;將前述個片保持於固定具的步驟;及在將前述個片保持於前述固定具的步驟間,於前述個片之表面形成具有厚度傾斜度之金屬膜的步驟。
- 一種電子機器,具有:模組零件,以及第2電路基板,係具有搭載有前述模組零件之上面者,且前述模組零件包含有:具有上面、下面與側面的第1電路基板;安裝於前述第1電路基板之前述上面的零件;設置於前述第1電路基板之前述上面且密封住前述零件而具有上面的密封部;設置於前述第1電路基板之前述下面的外周部份的 第1接地圖案者;及覆蓋前述密封部與前述第1電路基板的金屬膜者,而前述第1電路基板具有露出於前述側面之配線圖案,前述金屬膜則包含有:頂面部,係覆蓋前述密封部之前述上面者;側面部,係從前述頂面部延伸且覆蓋前述電路基板之前述側面,電性連接於前述配線圖案者;及底面部,係從前述側面部延伸,設置於前述第1接地圖案上,具有越遠離前述側面部而越小的厚度者。
- 如申請專利範圍第7項之電子機器,其中前述第2電路基板包含有:第2接地圖案,係設置於前述第2電路基板之前述上面者;第3接地圖案,係設置於前述第2電路基板之下面者;及通路導體,係電性連接於前述模組零件之前述第1接地圖案,且連接於前述第2接地圖案與前述第3接地圖案者。
- 一種模組零件,包含有:電路基板,係具有上面、下面與側面者;零件,係安裝於前述電路基板之前述上面者;密封部,係設置於前述電路基板之前述上面,且密封住前述零件,具有抵接於前述電路基板之前述上面的下面、上面與側面者; 金屬膜,係包含有頂面部與側面部,該頂面部係覆蓋前述密封部之前述上面,而該側面部則從前述頂面部延伸且覆蓋前述電路基板之前述側面與前述密封部之前述側面;以及供電部,係供電於前述金屬膜而使前述金屬膜作為天線動作者,且,前述金屬膜之前述頂面部的厚度為前述側面部中覆蓋前述密封部之前述側面的部份之厚度的1.5倍以上、5倍以下。
- 如申請專利範圍第9項之模組零件,其中前述供電部係由形成於前述金屬膜之前述頂面部與前述電路基板之前述上面之間的耦合成分所構成。
- 如申請專利範圍第9項之模組零件,其中前述金屬膜係由濺鍍膜、電鍍膜、導電糊中之任一者、或該等之組合而成。
- 一種模組零件之製造方法,包含有:將複數零件安裝於電路基板片的步驟;以密封樹脂密封住安裝於前述電路基板片之前述複數零件的步驟;將前述電路基板片與前述密封樹脂一起分割成個片的步驟;將前述個片保持於固定具的保持步驟;及在將前述個片保持於前述固定具的步驟間,於前述個片之表面形成金屬膜的步驟, 且前述個片包含有:電路基板,係具有上面、下面與側面者;前述複數零件中之一個零件;密封部,係設置於前述電路基板之前述上面,且密封住前述複數零件中之前述一個零件,具有抵接於前述電路基板之前述上面的下面、上面與側面,並由前述密封樹脂所構成者;供電部,係供電於前述金屬膜,使前述金屬膜作為天線動作者,前述金屬膜具有:頂面部,係覆蓋前述密封部之前述上面者;及側面部,係從前述頂面部延伸,覆蓋前述電路基板之前述側面與前述密封部之前述側面者,且前述金屬膜之前述頂面部的厚度為前述側面部中覆蓋前述密封部之前述側面的部份之厚度的1.5倍以上、5倍以下。
- 一種電子機器,具有:模組基板,以及第2電路基板,係固定有前述模組基板者,且前述模組基板包含有:第1電路基板,係具有上面、下面與側面者;零件,係安裝於前述第1電路基板之前述上面者;密封部,係設置於前述第1電路基板之前述上面,且密封住前述零件,具有下面、上面與側面者; 金屬膜,係覆蓋前述密封部與前述第1電路基板者;及供電部,係供電於前述金屬膜,使前述金屬膜作為天線動作者,且前述第1電路基板具有露出於前述第1電路基板之前述側面的配線圖案,前述金屬膜具有:頂面部,係覆蓋前述密封部之前述上面者;及側面部,係從前述頂面部延伸,且覆蓋前述第1電路基板之前述側面與前述密封部之前述側面,電性連接於前述配線圖案者,且前述金屬膜之前述頂面部的厚度為前述金屬膜中覆蓋前述密封部之前述側面的部份之厚度的1.5倍以上、5倍以下。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009056198A JP5391747B2 (ja) | 2009-03-10 | 2009-03-10 | モジュール部品とモジュール部品の製造方法と、これを用いた電子機器 |
JP2009093819A JP2010245931A (ja) | 2009-04-08 | 2009-04-08 | アンテナ一体型モジュール部品とその製造方法と、これを用いた電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201041113A TW201041113A (en) | 2010-11-16 |
TWI431752B true TWI431752B (zh) | 2014-03-21 |
Family
ID=42728052
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW099106756A TWI431752B (zh) | 2009-03-10 | 2010-03-09 | A module part and a method for manufacturing the same, and an electronic machine using the module part |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TWI431752B (zh) |
WO (1) | WO2010103756A1 (zh) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110235304A1 (en) * | 2010-03-23 | 2011-09-29 | Alcatel-Lucent Canada, Inc. | Ic package stiffener with beam |
JP5633582B2 (ja) * | 2011-01-28 | 2014-12-03 | 株式会社村田製作所 | モジュール基板 |
JP5668627B2 (ja) * | 2011-07-19 | 2015-02-12 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュール |
JP6665048B2 (ja) * | 2016-06-29 | 2020-03-13 | 株式会社ディスコ | デバイスのパッケージ方法 |
JP6665047B2 (ja) * | 2016-06-29 | 2020-03-13 | 株式会社ディスコ | デバイスのパッケージ方法 |
CN210223996U (zh) * | 2017-02-28 | 2020-03-31 | 株式会社村田制作所 | 带薄膜屏蔽层的电子部件 |
JP6689780B2 (ja) | 2017-03-30 | 2020-04-28 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品モジュールの製造方法 |
JP2018170419A (ja) | 2017-03-30 | 2018-11-01 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品モジュール |
JP7155499B2 (ja) * | 2017-04-26 | 2022-10-19 | Tdk株式会社 | 積層型電子部品およびその製造方法 |
US10629455B1 (en) * | 2018-11-20 | 2020-04-21 | Nanya Technology Corporation | Semiconductor package having a blocking dam |
CN220341049U (zh) * | 2020-12-25 | 2024-01-12 | 株式会社村田制作所 | 电子部件和电路模块 |
WO2022264737A1 (ja) * | 2021-06-15 | 2022-12-22 | 株式会社村田製作所 | アンテナモジュールおよびそれを搭載した通信装置 |
JP7444487B1 (ja) | 2022-10-05 | 2024-03-06 | 日本ミクロン株式会社 | 太陽光発電無線センサー |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001339016A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Alps Electric Co Ltd | 面実装型電子回路ユニット |
JP2006286915A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Taiyo Yuden Co Ltd | 回路モジュール |
KR100703090B1 (ko) * | 2005-08-30 | 2007-04-06 | 삼성전기주식회사 | 후면 접지형 플립칩 반도체 패키지 |
CN101300911B (zh) * | 2005-11-28 | 2010-10-27 | 株式会社村田制作所 | 电路模块以及制造电路模块的方法 |
JP4972391B2 (ja) * | 2006-12-13 | 2012-07-11 | 新光電気工業株式会社 | シールドケース付パッケージおよびシールドケース付パッケージの製造方法 |
-
2010
- 2010-03-04 WO PCT/JP2010/001496 patent/WO2010103756A1/ja active Application Filing
- 2010-03-09 TW TW099106756A patent/TWI431752B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201041113A (en) | 2010-11-16 |
WO2010103756A1 (ja) | 2010-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI431752B (zh) | A module part and a method for manufacturing the same, and an electronic machine using the module part | |
CN107068657B (zh) | 包含天线层的半导体封装件及其制造方法 | |
US8368185B2 (en) | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding | |
KR100738448B1 (ko) | Ic태그 실장 프린트 회로 배선 기판 및 ic태그 실장 프린트 회로 배선 기판의 제조 방법 | |
US8410584B2 (en) | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding | |
JP5391747B2 (ja) | モジュール部品とモジュール部品の製造方法と、これを用いた電子機器 | |
JP2010245931A (ja) | アンテナ一体型モジュール部品とその製造方法と、これを用いた電子機器 | |
US10673125B2 (en) | Wireless apparatus | |
US11721884B2 (en) | Semiconductor device package and method of manufacturing the same | |
US9484311B2 (en) | Chip package and packaging method | |
US9793202B1 (en) | Wireless apparatus | |
JP5176736B2 (ja) | プリント配線基板 | |
US11018434B2 (en) | Antenna apparatus, and manufacturing method | |
US11744005B2 (en) | Electronic component module and manufacturing method of electronic component module | |
US20100101841A1 (en) | Printed circuit board | |
EP2209356A1 (en) | Conformal reference planes in substrates | |
US20210335733A1 (en) | Electronic device module and method of manufacturing electronic device module | |
JP6776280B2 (ja) | 無線通信モジュール、プリント基板、および製造方法 | |
JP2013222924A (ja) | 部品内蔵基板 | |
US6560125B1 (en) | Shield for shielding radio components | |
JP6970262B2 (ja) | 無線通信モジュール、プリント基板、および製造方法 | |
CN118213331A (zh) | 半导体装置封装及其制造方法 | |
JP2004039739A (ja) | 高周波配線基板 | |
KR20020066630A (ko) | 파워 증폭기 모듈 | |
JP2004128132A (ja) | 高周波用電子部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |