TWI430860B - Cutting machine - Google Patents

Description

切削加工裝置 發明領域

本發明係有關於一種將於形成有許多半導體裝置之半導體晶圓表面設有樹脂或電極等層疊部之薄板狀物為加工對象物，將層疊部之厚度(高度)正確地切削成目標厚度之方法及裝置。

發明背景

用以實現半導體裝置之輕薄短小之技術有各式各樣，舉例言之，一種稱為倒裝晶片之裝置可謀求省空間而實用化，此種倒裝晶片係於裝置表面形成複數15~100 μm左右之高度之突起狀凸塊作為電極，使該等凸塊與形成於印刷配線基板之電極相對而直接接合者。

從裝置表面突出形成之凸塊以眾所周知之電鍍或打線成球之方法形成。因此，呈一直維持形成狀態之凸塊高度不均等，若要複數凸塊完全接觸接觸對象之基板電極，高度必須均等。為實現高密度配線，有於凸塊與基板間夾持ACF(Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜)而接合之積體電路封裝技術(參照專利文獻1)。此時，由於當凸塊高度不足時，導致接合不良，故凸塊高度需在一定值以上。是故，需將形成於半導體晶圓之複數凸塊調整成預定高度，且使高度一致，因此，進行切削高度之前端部，以使高度一致之加工(參照專利文獻2)。

【專利文獻1】日本專利公開公報2001－237278號【專利文獻2】日本專利公開公報2000－173954號

發明概要

如此進行，切削凸塊時，當然一面辨識凸塊之高度，一面進行。辨識凸塊高度之方法有以下之方法，即，對為切削而保持於真空夾頭式夾盤等之半導體晶圓測量矽等晶圓本體側、亦即基板部之厚度t1及包含該基板部與從基板部突出之凸塊之晶圓全體之總厚度t2，求出(t2－t1)，藉此，辨識凸塊高度t。而近年，要求儘可能縮短製造時間，以製造更多之裝置，而重新評價藉同步進行不同之過程，是否可縮短測量上述凸塊高度所花費之時間。

是故，本發明之目的係提供可縮短將基板部之層疊部(上述凸塊等)切削成所期厚度之切削步驟所花費之時間，結果，可增大單位時間之處理數，而謀求生產性之提高之切削加工方法及切削加工裝置。

本發明之切削加工方法係使用一種切削裝置，將板狀工作件之層疊部切削成預定厚度者，該切削裝置包含有：將在基板部表面保留該表面之一部份而設有前述層疊部之前述工作件，保持於層疊部側露出且與基板部之裡面密合之狀態的保持機構；具有切削保持於該保持機構之前述工作件之前述層疊部表面之切削刀的切削機構；測量保持於前述保持機構之前述工作件之前述基板部與前述層疊部厚度總合之總厚度的總厚度測量機構；及測量保持於前述保 持機構前之前述工作件之前述基板部厚度的基板部厚度測量機構。該切削加工方法包含基板部厚度測量步驟、總厚度測量步驟及層疊部切削步驟。該基板部厚度測量步驟係以前述基板部厚度測量機構測量前述工作件之前述基板部厚度；該總厚度測量步驟係將前述工作件保持於前述保持機構，以前述總厚度測量機構測量保持於前述保持機構之前述工作件之總厚度；該層疊部切削步驟係比較在前述總厚度測量步驟所得之前述工作件之總厚度測量值與在前述基板部厚度測量步驟所得之前述基板部之厚度測量值，求出前述層疊部之厚度，同時，以前述切削機構切削層疊部表面至該層疊部厚度達預定厚度為止。

根據本發明之切削加工方法，在將工作件保持於保持機構前之階段，以基板部厚度測量機構測量基板部之厚度，接著，將該工作件保持於保持機構，進行切削機構所作之層疊部之切削，或者在途中，一面切削，一面測量包含層疊部之工作件之總厚度。求出從工作件之總厚度t2減去預先測量之基板部厚度t1之值(t2－t1)作為層疊部之厚度t。在本發明中，在層疊部之切削步驟，僅進行根據工作件之總厚度測量之層疊部厚度之算出，算出層疊部厚度所需之基板部之厚度在實際之切削步驟前之階段完成。

以流水作業將多數工作件切削加工時，於一面確認前個工作件層疊部之厚度，一面切削該層疊部表面之步程正進行時，可測量後續之工作件之基板部厚度。即，層疊部之切削加工與基板部之厚度測量可同步進行。藉此，可使 從將工作件保持於保持機構之時間至結束層疊部之切削之時間縮短測量基板部厚度之時間量。因此，單位時間之處理數增大，而可謀求生產性之提高。

接著，本發明之切削加工裝置係可適合執行上述本發明切削加工方法者，其包含有保持機構、切削機構、總厚度測量機構及基板部厚度測量機構。該保持機構係將在基板部表面保留該表面之一部份而設有層疊部之板狀工作件，保持於層疊部側露出且基板部之裡面密合之狀態者；該切削機構具有切削保持於該保持機構之前述工作件之前述層疊部表面之切削刀；該總厚度測量機構係測量保持於前述保持機構之前述工作件之前述基板部及前述層疊部厚度總合之總厚度者；該基板部厚度測量機構係測量保持於前述保持機構前之前述工作件之前述基板部厚度者。

在本發明之切削加工裝置中，包含在保持於保持機構前之階段，決定前述工作件之位置，以將前述工作件保持於前述保持機構之預定位置之定位部配置於保持機構附近之情形。又，本發明之上述基板部厚度測量機構宜附附設於該定位部。這是由於可同步進行以定位部進行保持機構對工作件之定位及測量基板部厚度之步驟，而可謀求全體加工時間進一步縮短之故。

又，在本發明之切削加工裝置中，包含以下之結構，即，前述保持機構設置成可於將工作件載置於前述保持機構或從該保持機構取下工作件之工作件裝卸位置及以前述切削機構將保持於前述保持機構之工作件之前述層疊部表 面切削加工之工作件加工位置2位置間移動自如，以移動機構移動，而位於各位置。又，在本發明中，若為此結構時，特徵在於上述總厚度測量機構設置於工作件裝卸位置附近之形態。

在此種形態，在工作件加工位置切削工作件之層疊部表面後，使工作件移動至工作件裝卸位置，在此，測量工作件之總厚度，同時，算出層疊部之厚度。當算出之層疊部厚度為期望值時，從保持機構取下該工作件，移至下個步驟。當層疊部厚度非期望值而較厚時，工作件返回至工作件加工位置，再切削層疊部，進行厚度之調整，之後，使工作件移動至工作件裝卸位置，測量總厚度，以確認層疊部之厚度。反覆進行此種步驟，以將層疊部加工成所期之厚度。

根據本發明，由於可同步進行工作件之層疊部之切削加工與基板部之厚度測量，故可縮短層疊部之切削加工時間，結果，可增大單位時間之處理數，因而，發揮謀求生產性提高之效果。

圖式簡單說明

第1圖係以本發明一實施形態將凸塊切削加工之半導體晶圓之平面圖。

第2圖係第1圖所示之半導體晶圓之放大截面圖。

第3圖係本發明一實施形態之切削加工裝置之全體立體圖。

第4圖係顯示以切削加工裝置具有之切削單元將保持 於夾盤之晶圓之凸塊切削之狀態的側面圖。

第5圖係顯示將晶圓保持於夾盤之狀態之平面圖。

第6圖係顯示切削加工裝置所具有之基板部厚度測量裝置之側面圖。

第7圖係顯示以切削加工裝置所具有之總厚度測量裝置測量晶圓之總厚度之狀態的正面圖。

用以實施發明之最佳形態

以下參照圖式，說明本發明一實施形態。

[1]半導體晶圓(工作件)

第1圖之標號1顯示在一實施形態執行切削加工之半導體晶圓(以下簡稱為晶圓)。此晶圓1以以矽等半導體材料形成之圓板狀基板部2為主體。基板部2加工成均一厚度，於其表面形成複數半導體晶片3。該等半導體晶片3以形成格子狀之切斷預定線4區隔。半導體晶片3於基板部2表面形成極限之數目，晶片形成區域2A之周圍作為未形成半導體晶片3之剩餘區域2B。

於各半導體晶片3表面形成IC或LSI等圖中未示之電子電路。如第1圖之放大部份所示，於各半導體晶片3之表面形成作為電子電路電極之複數凸塊(層疊部5)。此時，凸塊5於半導體3之表面幾乎全面排列成格子狀。該等凸塊5從半導體3表面突出15~100μm之高度，而如第2圖所示，高度多為不齊之情形。於晶圓1周面之預定處形成顯示半導體結晶方位之V字形缺口(凹口)6。本實施形態係有關於將凸塊5之 前端部切削加工，以使凸塊5一致達預定高度且均等之技術。

[2]切削加工裝置之基本結構及動作

第3圖顯示適合將晶圓之凸塊切削加工之切削加工裝置。以下，說明此切削加工裝置10之基本結構及動作。第3圖之標號11係長方體之基台。作為工作件之上述晶圓1供給至放置於基板11上之預定位置之供給匣12，層疊預定片數而收容。從供給匣12以拾取機器人13取出1片晶圓1，以將形成有凸塊5之表面側朝上之狀態，移動至定位部20，定位於預定位置。

定位部20具有中央真空夾頭式旋轉台21、呈放射狀地配置於此旋轉台21周圍，相對於旋轉台21之中心進退之複數銷22。晶圓1以拾取機器人13對齊裡面(與凸塊5突出之側相反側之面)而載置於旋轉台21，當退避至周圍之複數銷22移動至旋轉工作台21側時，為該等銷22所按壓，調整在旋轉台21上之位置，而定位於預定位置。之後，將晶圓1吸附保持於旋轉台21。

在基台11上之定位部20周圍之預定處配設用以檢測形成於晶圓1之結晶方位標記(在第1圖中之例為凹口6)之結晶方位感測器29。此結晶方位感測器29宜使用由發光部與受光部之組合構成之穿透型或反射型等光感測器。晶圓1之凹口6之位置藉保持有晶圓1之旋轉台21旋轉，而以結晶方位感測器29檢測，將顯示凹口6之位置之位置資料記憶於控制部80。旋轉台21在結晶方位感測器29測出之位置或從該測 出位置旋轉預定角度之位置停止旋轉，該停止位置為供給臂14之晶圓1之取下位置。

此外，如第6圖所示，旋轉台21以同心形固定於圓筒形基座23之上端部，基座23旋轉自如地支撐於基台11上。於基座23捲繞以馬達24驅動之確動皮帶25，馬達24之動力藉由確動皮帶25及基座23，傳達至旋轉台21，旋轉台21旋轉。

在基台11上之定位部20周圍之預定處設置用以測量保持在旋轉台21之晶圓1之基板部2厚度的基板部厚度測量裝置(基板部厚度測量機構)30。以此基板部厚度測量裝置30測量保持在旋轉台21之晶圓1之基板部2之厚度(t1)，將該測量值記憶於控制部80。關於基板部厚度測量裝置30後面詳述之。

以定位部20進行定位，並且已測量基板部2之厚度之晶圓1以供給臂14從定位部20之旋轉台21真空吸附而取下，以表面(形成有凸塊5之側之面)露出之狀態載置於在裝卸位置待機之圓盤狀夾盤(保持機構)40上。夾盤40固定於於Y方向來回移動之夾盤基座(移動機構)49。夾盤40藉由夾盤基座49，於Y方向內側之切削加工位置與Y方向前側之裝卸位置來回。覆蓋夾盤基座49之移動路徑，以防止切削屑等落下至該移動路徑之蛇腹狀蓋體48伸縮自如地設置於夾盤基座49之移動方向兩端。

夾盤40為一般眾所周知之真空夾頭式，如第4圖所示，於水平之上面形成吸附保持晶圓1之多孔質吸附區域41。此吸附區域41嵌合於形成在構成夾盤40外形之圓盤狀框體42 上面之淺凹部42a。包圍吸附區域41之框體42之環狀上面為與吸附區域41之上面相同之平面。夾盤40預先真空運轉，載置晶圓1，同時將之吸附保持於吸附區域41上。如第5圖所示，晶圓1以同心形吸附保持於夾盤40上。如上述，藉晶圓1定位於定位部20之預定位置，晶圓1可以同心形載置於夾盤40上。

當晶圓1移至位於裝卸位置之夾盤40時，接著，以總厚度測量裝置(總厚度測量機構)50測量晶圓1之總厚度(t2：基板部2之厚度＋凸塊5之高度)。晶圓1之總厚度之測量值提供至控制部80。控制部80求出從晶圓1之總厚度測量值t2減去晶圓1保持於定位部20時，以基板部厚度測量裝置30測量之基板部2之厚度測量值t1之值(t2－t1)，此值辨識作為切削前之凸塊5之高度(從基板部2表面突出之凸塊高)t。關於總厚度測量裝置50後面詳述之。

以總厚度測量裝置50測量晶圓1之總厚度後，接著，夾盤基座49於上述切削加工位置之方向移動，在移動中，以切削單元(切削機構)60切削晶圓1表面所有凸塊5之前端部，使凸塊5一致達到所期高度。

如第3圖所示，切削單元60由軸方向於Z方向延伸之圓筒狀心軸殼體61、與心軸殼體同軸且旋轉自如地支撐於此心軸殼體61內之心軸62(於第4圖顯示)、旋轉驅動此心軸62之伺服馬達63、以與心軸下端同軸之狀態固定於心軸62下端之圓盤狀鑽錐輪64、可裝卸地安裝於此鑽錐輪64之鑽錐65構成。鑽錐輪64藉伺服馬達63於一方向旋轉。鑽錐65具 有由鑽石等構成之切削刀，以此切削刀切削凸塊5。以鑽錐65之旋轉軌跡形成之切削面設定成與夾盤40之上面平行。

如第3圖所示，切削單元60藉由輸送機構70可升降地支撐於直立設置於基台11之Y方向內側之端部之管柱15。輸送機構70由固定於管柱15前面且可沿Z方向延伸之Z軸線性引導件71、以可沿此Z軸線性引導件71滑動自如之狀態裝設之Z軸滑件72、以伺服馬達73旋轉驅動，藉旋轉使Z軸滑件72於Z方向移動、亦即升降之滾珠螺桿式驅動機構74構成。切削單元60之心軸殼體61固定於Z軸滑件72，藉此，與Z軸滑件72一同升降。

切削單元60所作之凸塊5之切削加工如以下進行。首先，以輸送機構70調整切削單元60之上下方向之位置，以使鑽錐65位於可將凸塊5切削成所期高度之位置。因此，事前，以輸送機構70進行切削單元60之位置之設置，而可正確地辨識以切削單元60之升降而變動之從夾盤40上面至鑽錐65前端之高度。

設置之方法有如以下之方法，即，使切削單元60下降，當鑽錐65之前端接觸夾盤40表面時，同時停止下降，以此位置為基準位置(零點位置)。然後，依此基準位置之切削單元60之高度位置，辨識從夾盤40至鑽錐65前端之高度。以控制部80辨識顯示65之高度位置之切削單元60之高度。

鑽錐65可將凸塊切削成所期高度之位置係從以總厚度測量裝置50測量之凸塊5之高度hb減去所期之凸塊5之高度hb’之值(hb－hb’)之下降位置，此計算以控制部80進行。控制 部80將依此值之動作值提供至輸送機構70之伺服馬達73，依此，切削單元60下降至切削位置。

如此進行，當鑽錐65之高度位置達可將凸塊5切削成所期高度之位置後，接著，一面使夾盤40旋轉，一面使夾盤基座49從裝卸位置移動至管柱15方向，將保持在夾盤40上之晶圓1以預定速度送入至切削單元60下方之切削加工位置。藉此，凸塊5之前端部可以鑽錐65切削。

晶圓1之表面通過旋轉之鑽錐65之切削區域，而對所有之凸塊5之切削加工結束後，夾盤基座49返回至裝卸位置，在此，以上述總厚度測量裝置50再度測量晶圓1之總厚度，將該測量值提供至控制部80。控制部80再次進行從凸塊切削後之晶圓1之總厚度t2減去基板部2之厚度t1之計算，以算出切削後之凸塊5之高度。進一步，控制部80判定所算出之凸塊5之高度是否為期望值，當為期望值時，晶圓1移至下個洗浄步驟。又，當凸塊5之高度非期望值而較大時，再次如上述進行凸塊5之切削及切削後之凸塊5之高度確認。此外，當凸塊5之高度較期望值小時，該晶圓1從該步驟排除。

因凸塊5之高度顯示期望，對1片晶圓1之凸塊切削加工便視為結束。之後，夾盤40之真空運轉停止，晶圓1以回收臂16從夾盤40上移送至旋轉式洗淨裝置17，以該裝置17洗淨、進行乾燥處理。經洗淨處理之晶圓1以拾取機器人13移送收容至回收匣18內。已取下晶圓1之夾盤台40以從洗淨噴嘴19噴射之洗淨水去除切削屑等。

反覆進行以上之動作，將複數晶圓1之凸塊5之前端部 切削加工，凸塊5達到所期之高度。如此，凸塊5之高度一致之晶圓1之後沿切斷預定線4切斷分割，半導體晶片3分別單片化。用以單片化之切斷方法可採用切割或雷射光照射等。

[3]基板部厚度測量裝置及總厚度測量裝置

接著，說明上述基板部厚度測量裝置及總厚度測量裝置。

如第6圖所示，基板部厚度測量裝置30係線性規31及支承規32夾持晶圓1之基板部2，以測量該基板部2之厚度之結構者，該等規31、32以相對之狀態安裝於字形之框架33之一端及另一端。

線性規31係探針31b可從圓筒狀本體部31a之一端進退自如地突出者，測量接觸探針31b前端之被測量物之位置。另一方面，支承規32亦為相同之結構，探針32b進退自如地從圓筒狀本體部32a之一端突出，以測量接觸探針32b前端之被測量物之位置。框架33係具有從鉛直部33a之兩端於一方向延伸之上下水平部33b、33c者，於上側水平部33b之前端固定線性規31之本體部31a，於下側水平部33c之前端固定支承規32之本體部32a。各規31、32配設成同軸，俾使各探針31b、32b朝對方側之探針進退，藉於各探針31b、32b間夾持被測量物，可測量該被測量物之厚度。

框架33以藉由移動機構34相對於上述旋轉台21進退自如之狀態設置於基台11上。移動機構34具有由於旋轉工作台21之徑方向延伸之氣缸等構成之驅動部35，於沿該驅動 部35移動之滑件36固定框架33之下側水平部33c。框架33藉滑件36之移動相對於旋轉台21靠近或遠離，當接近適當距離時，呈於各探針31b、32b間夾持晶圓1之凸塊5周圍之基板部2之部份、亦即上述剩餘區域2B之狀態。

從此狀態使各探針31b、32b於相互靠近之方向移動，使線性規31側之探針31b接觸基板部2之上面，並且使支承規32側之探針32b接觸基板部2之下面時，從各探針31b、32b之測量值算出基板部2之厚度。此計算以控制部80進行。此外，各規31、32之基板部2之測量點以複數(例如2~4處左右)為佳，此時，將測量值之平均作為基板部2之厚度而記憶於控制部80。要使測量點為複數只要使旋轉台21間歇地旋轉1次，於該旋轉期間停止時，測量即可。

如第3圖所示，總厚度測量裝置50具有2個線性規51、52。該等規51、52係與上述基板部厚度測量裝置30之線性規31相同之結構，如第7圖所示，由本體部51a、52a、進退自如地從本體部51a、52a之一端突出之探針51b、52b構成。2個線性規51、52中，線性規51係測量夾盤40之上面(此時為框架42之上面)之高度位置之基準側規，線性規52係測量晶圓1全體之高度位置(此時為凸塊5之高度位置)之晶圓側規。

如第3圖所示，該等規51、52之本體部51a、52a以各探針51b、52b向下方延伸之狀態固定於設置在基台11且於X方向延伸之框架55。框架55配設於上述裝卸位置之上方，在此裝卸位置，測量晶圓1之總厚度。如第7圖所示，各規 51、52於X方向相互分離配置，俾使基準側規51之探針51b之前端接觸位於裝卸位置之夾盤40之框體42上面，晶圓側規52之探針52b接觸保持在夾盤40上之晶圓1之凸塊5表面。各規51、52之高度位置之測量值提供至控制部80來處理。

晶圓1之總厚度t2以從在晶圓側規52測量之凸塊5之高度位置hb減去在基準側規51測量之夾盤40之高度位置hc之值(hb－hc)求出。此計算以控制部80進行。此外，各規51、52之測量點以複數(例如2~4處左右)為佳，此時，測量值之平均作為各高度位置之測量值而記憶於控制部80。要使測量點為複數只要使夾盤基座49於Y方向適當地移動即可。在此，規為2個，分別設置於基準側及晶圓側，亦可構造成將1個規安裝成可相對於框架55於X方向移動，以該規測量凸塊5及夾盤40之高度位置。然而，如本實施形態般，由於若具備2個規51、52，可縮短測量時間，故較佳。

如上述，當使用2個規時，任一規皆可測量晶圓1之總厚度，可同時獲得2處之總厚度測量值。此時，2個規皆設置成各探針51b、52b可接觸夾盤40之上面及保持在夾盤40之晶圓1之凸塊5。於將晶圓1載置於夾盤40之前，使各探針51b、52b接觸夾盤40上面，設置零點，之後，使各探針51b、52b接觸保持於夾盤40之晶圓1不同處之凸塊5，而可以各規51、52獲得總厚度之測量值。

[4]本實施形態之作用效果

以上為本實施形態之切削加工裝置10之結構及動作， 根據本裝置，多數晶圓1之凸塊5之切削加工處理連續地以流水作業持續進行。在該作業中，實際切削凸塊5時，下個處理之晶圓1從供給匣12設置於定位部20之旋轉工作台21，在切削加工前之階段之定位部20，以基板部厚度測量裝置30測量基板部2之厚度t1。因而，在之後之凸塊5之切削步驟中，僅以總厚度測量裝置50測量晶圓1之總厚度t2，即可算出凸塊5之高度。

如此，藉同步進行前個晶圓1之凸塊5之切削與下個晶圓1之基板部2之厚度測量，可使將晶圓1保持於夾盤40至完成凸塊5之切削之時間縮短測量基板部2之厚度之時間量。因此，單位時間之處理數增大，生產性提高。

1‧‧‧半導體晶圓(工作件)

2‧‧‧基板部

2A‧‧‧晶片形成區域

2B‧‧‧剩餘區域

3‧‧‧半導體晶片

4‧‧‧切斷預定線

5‧‧‧凸塊(層疊部)

6‧‧‧凹口

10‧‧‧切削加工裝置

11‧‧‧基台

12‧‧‧供給匣

13‧‧‧拾取機器人

14‧‧‧供給臂

15‧‧‧管柱

16‧‧‧回收臂

17‧‧‧旋轉式洗淨裝置

18‧‧‧回收匣

19‧‧‧洗淨噴嘴

20‧‧‧定位部

21‧‧‧旋轉台

22‧‧‧銷

23‧‧‧基座

24‧‧‧馬達

25‧‧‧確動皮帶

29‧‧‧結晶方位感測器

30‧‧‧基板部厚度測量裝置(基板部厚度測量機構)

31‧‧‧線性規

31a‧‧‧本體部

31b‧‧‧探針

32‧‧‧支承規

32a‧‧‧本體部

32b‧‧‧探針

33‧‧‧框架

33b‧‧‧上側水平部

33c‧‧‧下側水平部

34‧‧‧移動機構

35‧‧‧驅動部

36‧‧‧滑件

40‧‧‧夾盤(保持機構)

41‧‧‧吸附區域

42‧‧‧框體

42a‧‧‧凹部

48‧‧‧蓋體

49‧‧‧夾盤基座

50‧‧‧總厚度測量裝置(總厚度測量機構)

51‧‧‧線性規

51a‧‧‧本體部

51b‧‧‧探針

52‧‧‧線性規

52a‧‧‧本體部

52b‧‧‧探針

55‧‧‧框架

60‧‧‧切削單元

61‧‧‧心軸殼體

62‧‧‧心軸

63‧‧‧伺服馬達

64‧‧‧鑽錐輪

65‧‧‧鑽錐

70‧‧‧輸送機構

71‧‧‧Z軸線性引導件

72‧‧‧Z軸滑件

73‧‧‧伺服馬達

74‧‧‧滾珠螺桿式驅動機構

80‧‧‧控制部

第1圖係以本發明一實施形態將凸塊切削加工之半導體晶圓之平面圖。

第2圖係第1圖所示之半導體晶圓之放大截面圖。

第3圖係本發明一實施形態之切削加工裝置之全體立體圖。

第4圖係顯示以切削加工裝置具有之切削單元將保持於夾盤之晶圓之凸塊切削之狀態的側面圖。

第5圖係顯示將晶圓保持於夾盤之狀態之平面圖。

第6圖係顯示切削加工裝置所具有之基板部厚度測量裝置之側面圖。

第7圖係顯示以切削加工裝置所具有之總厚度測量裝置測量晶圓之總厚度之狀態的正面圖。

10‧‧‧切削加工裝置

11‧‧‧基台

12‧‧‧供給匣

13‧‧‧拾取機器人

14‧‧‧供給臂

15‧‧‧管柱

16‧‧‧回收臂

17‧‧‧旋轉式洗淨裝置

18‧‧‧回收匣

19‧‧‧洗淨噴嘴

20‧‧‧定位部

21‧‧‧旋轉台

22‧‧‧銷

29‧‧‧結晶方位感測器

30‧‧‧基板部厚度測量裝置(基板部厚度測量機構)

33‧‧‧框架

40‧‧‧夾盤(保持機構)

48‧‧‧蓋體

49‧‧‧夾盤基座

50‧‧‧總厚度測量裝置(總厚度測量機構)

51‧‧‧線性規

52‧‧‧線性規

55‧‧‧框架

60‧‧‧切削單元

61‧‧‧心軸殼體

63‧‧‧伺服馬達

64‧‧‧鑽錐輪

65‧‧‧鑽錐

70‧‧‧輸送機構

71‧‧‧Z軸線性引導件

72‧‧‧Z軸滑件

73‧‧‧伺服馬達

74‧‧‧滾珠螺桿式驅動機構

80‧‧‧控制部

Claims (3)

1. 一種切削加工裝置，包含有：保持機構，係將在基板部表面保留該表面之一部份而設有層疊部之板狀工作件，保持於層疊部側露出且基板部之裡面密合之狀態者；切削機構，具有切削保持於該保持機構之前述工作件之前述層疊部表面之切削刀；總厚度測量機構，係測量保持於前述保持機構之前述工作件之前述基板部及前述層疊部厚度總合之總厚度者；及基板部厚度測量機構，係測量保持於前述保持機構前之前述工作件之前述基板部厚度者。
2. 如申請專利範圍第1項之切削加工裝置，包含有定位部，該定位部配置於前述保持機構附近，且在保持於保持機構前之階段，決定前述工作件要被保持於前述保持機構的預定位置上之該工作件的位置，且於該定位部附設有前述基板部厚度測量機構。
3. 如申請專利範圍第1或2項之切削加工裝置，包含有移動機構，該移動機構使前述保持機構位於將工作件載置於前述保持機構或從該保持機構取下工作件之工作件裝卸位置、及以前述切削機構將保持於前述保持機構之工作件之前述層疊部表面切削加工之工作件加工位置，且前述總厚度測量機構設置於工作件裝卸位置附近。