TWI430019B

TWI430019B - 製造罩幕基底之方法及光罩之製造方法

Info

Publication number: TWI430019B
Application number: TW097112627A
Authority: TW
Inventors: Asakawa Keishi; Miyata Ryoji
Original assignee: Hoya Corp; Hoya Electronics Malaysia Sendirian Berhad
Priority date: 2007-04-09
Filing date: 2008-04-08
Publication date: 2014-03-11
Also published as: JP2008257087A; KR101412912B1; KR20080091720A; CN101286007A; CN101286007B; TW200905374A; JP4974363B2

Description

製造罩幕基底之方法及光罩之製造方法

本發明是有關於一種製造罩幕基底之方法及光罩之製造方法。

於用以平板顯示器(Flat Panel Display, FPD)元件的罩幕基底(FPD用的罩幕基底)中，在遮光膜、半透光膜等上形成抗蝕膜。此抗蝕膜是在蝕刻前述薄膜時作為蝕刻罩幕使用。但是，於FPD用的罩幕基底中，由於需要形成抗蝕膜的前述薄膜表面的面積大，例如是與LSI用的罩幕基底等相比，容易產生抗蝕膜的塗佈不均或面內的膜厚均勻性的惡化。

而且，於FPD用的光罩等中，於近年來，由於所形成的圖案的高精度化，期望能夠形成橫越大型基板全面且厚度均勻的抗蝕膜的技術。

鑑於上述情況，在FPD用的罩幕基底以及光罩的製造領域，例如被檢討使用通稱為「CAP塗佈器(CAP coater)」的塗佈裝置。於此種「CAP塗佈器」中，在儲存有液體狀抗蝕劑的液槽中，沈浸有具有毛細管狀間隙的塗佈管嘴。另一方面，以被塗佈面朝向下方的姿勢而藉由吸著板來保持基板，其次，使塗佈管嘴從抗蝕劑中上升，並使此塗佈管嘴的上端部接近基板的被塗佈面。依此，液槽中所儲存的液體狀的抗蝕劑藉由塗佈管嘴的毛細管現象上升，此抗蝕塗佈劑經由塗佈管嘴的上端部而與基板的被塗佈面接觸。於此種的抗蝕劑與被塗佈面的接觸狀態中，液槽以及塗佈管嘴降至一定的「塗佈高度」的位置(塗佈間隙G的位置)。於此狀態，使塗佈管嘴以及被塗佈面以橫越被塗佈面的方式相對移動，藉此橫越被塗佈面的全面而形成抗蝕劑的塗佈膜。

但是，即使是在如同上述使用CAP塗佈器的情況下，為了因應更高精度圖案的要求，必須進一步的追求膜厚的均勻性。因此，在塗佈後的乾燥時防止面內的乾燥不均發生，亦成為提昇膜厚均勻性的重要要素。

此處，本案申請人為了防止清潔室內的垂直層流的氣流所引起的乾燥不均而導致的抗蝕膜的膜厚不均，開發出了在基板的被塗佈面保持向下的狀態，以一定的速度移動基板並乾燥的抗蝕劑塗佈方法(專利文獻1：特開2004-311884號公報)，或是從被塗佈面的下方向抗蝕膜供給清潔氣體，以抑制垂直層流捲入被塗佈面的抗蝕劑塗佈方法(專利文獻2：特許第3658355號公報)，並在先前提出申請。

然而，如同上述的方法，在使用於如下說明的具體的塗佈裝置時，判明發生了乾燥不均。

詳細而言，圖7所示的塗佈裝置，為裝置前面(載入器(loader))側於吸著板3進行對基板10的吸著或脫離的型式的裝置，具有如下所述的吸著以及脫離機構。亦即是，吸著以及脫離機構在裝置前面側(圖中C的位置)以吸著板3吸著基板10，向圖中右方向移動吸著板3與基板10，並藉由塗佈管嘴22於基板10的被塗佈面上進行抗蝕劑的塗佈，以形成抗蝕劑的塗佈膜21a(詳細如後述)。塗佈結束後，於圖中右方向的略微移動吸著板3與基板10的位置(稱為塗佈結束位置)，使吸著板3與基板10的移動停止。其次，向圖中左方向移動吸著板3與基板10，在裝置前面側(圖中C的位置)進行基板10自吸著板3的脫離。以下基板10的圖中右端部稱為塗佈開始側，圖中左端部稱為塗佈結束側。

圖7所示的塗佈裝置，塗佈結束的基板10暫時停止在圖中A的位置(塗佈結束位置)。其後，基板10向載入器側移動，於圖中B的位置下方所設置的清潔供氣單元31進行抗蝕膜表面的乾燥，並向載入器側移動。

此乾燥法的問題點在於塗佈方向與乾燥方向為逆向，不容易得到均勻的乾燥時間。實際上是由塗佈結束側先接受來自圖中B的位置下方的供氣單元(air unit)31的風，最後才是塗佈開始側。

因此，塗佈後A→B→C移動的吸著板3的移送速度(塗佈返回速度)過高的話，在位置B的乾燥不充分，產生如圖8所示的縱方向的雲紋不均(靄狀不均)。相反的塗佈返回速度低的話，雖然縱方向的雲紋不均減輕，但塗佈開始區域(塗佈開始側)在到達圖中B的位置之前就自然乾燥，因此如圖9所示的不規則的雲紋不均會發生在塗佈開始區域的中心。雖然改變塗佈返回速度、供氣單元的數目、高度、風量而進行了多數的測試，無法將縱方向的雲紋不均與不規則的雲紋不均同時抑制為可以容許的程度。

尚且，圖中C的位置亦在其下方設置供氣單元32以進行乾燥。但是，此處的乾燥是將基板置於載入器，用以促進連接下一個步驟程度的抗蝕膜的乾燥，由於其為後述的到達「充分乾燥狀態」之後的乾燥，因而解明了對於上述雲紋不均並不會造成影響。

本發明鑑於上述課題，其目的為提供一種罩幕基底的製造方法，具有能夠不產生前述雲紋不均的將已塗佈的抗蝕劑乾燥的步驟。

本發明具有以下的構成。

(構成1)

一種罩幕基底的製造方法，製造附抗蝕膜罩幕基底，具有下述抗蝕劑塗佈步驟：從具有於一方向延伸的抗蝕液供給口的塗佈管嘴吐出抗蝕液，並向與前述一方向相交的方向使前述塗佈管嘴以及基板的被塗佈面相對移動，以於前述塗佈面塗佈前述抗蝕劑，

其特徵在於：已塗佈的抗蝕劑的乾燥具有下述步驟：從相對於抗蝕劑的塗佈膜表面的平行方向供給清潔氣體，並進行乾燥。

(構成2)

如構成1所述的罩幕基底的製造方法，其特徵在於：已塗佈的抗蝕劑的乾燥具有下述步驟：於抗蝕劑的塗佈膜表面相對向的設置整流板，在前述抗蝕劑的塗佈膜表面與前述整流板之間供給清潔氣體，並進行乾燥。

(構成3)

如構成1或2所述的罩幕基底的製造方法，其特徵在於：對前述抗蝕劑的塗佈膜表面，從塗佈開始側向塗佈結束側供給清潔氣體。

(構成4)

如構成1~3的其中任一項所述的罩幕基底的製造方法，其特徵在於：下述抗蝕劑塗佈步驟：使液槽中所儲存的液體狀抗蝕劑藉由塗佈管嘴的毛細管現象上升，並使基板的被塗佈面朝向下方以接近前述塗佈管嘴的上端部，前述藉由塗佈管嘴上升的抗蝕劑經由前述塗佈管嘴的上端部而與前述被塗佈面接觸，在抗蝕劑與基板的被塗佈面接觸的狀態下，使液槽以及塗佈管嘴下降至一定的塗佈高度的位置，於此狀態使前述塗佈管嘴以及前述被塗佈面相對移動，以於前述塗佈面塗佈前述抗蝕劑。

(構成5)

一種光罩的製造方法，其特徴在於：使用構成1~4的其中任一項所述的罩幕基底的製造方法所得到的罩幕基底以製造光罩。

如依本發明，能夠提供一種罩幕基底的製造方法，其具有能夠不產生前述雲紋不均的將已塗佈的抗蝕劑乾燥的步驟。

以下更詳細的說明本發明。

本發明的罩幕基底的製造方法，其為附抗蝕膜罩幕基底的製造方法，具有下述抗蝕劑塗佈步驟：從具有於一方向延伸的抗蝕液供給口的塗佈管嘴吐出抗蝕液，並向與前述一方向相交的方向使前述塗佈管嘴以及基板的被塗佈面相對移動，以於前述塗佈面塗佈前述抗蝕劑，其特徴在於：已塗佈的抗蝕劑的乾燥具有下述步驟：從相對於抗蝕劑的塗佈膜表面的平行方向供給清潔氣體、並進行乾燥(構成1)。

依上述構成1的發明的話，已塗佈的抗蝕劑的乾燥，是從相對於抗蝕劑的塗佈膜表面(亦即由已塗佈的抗蝕劑所形成的塗佈膜表面，也就是抗蝕膜的表面，以下相同)的平行方向供給清潔氣體，並進行乾燥，藉由具有上述乾燥步驟，與相對於抗蝕劑的塗佈膜表面從垂直方向供給清潔氣體的情況相比，乾燥氣流的流向為一個方向，防止了乾燥不均。

尚且，上述構成1的發明沿著抗蝕劑的塗佈膜表面，使清潔氣體與前述塗佈膜表面平行的流動，藉此抗蝕劑的塗佈膜表面所揮發並滯留在塗佈膜表面附近的溶劑蒸汽，可從塗佈膜表面被強制的帶離開。

於本發明中，藉由供給清潔氣體的強制乾燥，較佳是持續進行乾燥直至可以防止因為強制乾燥不足而導致在強制乾燥之後產生自然乾燥所引起的乾燥不均產生的狀態(以下稱為充分乾燥狀態)為止。

於本發明中，如同後述的，藉由供給清潔氣體的強制乾燥，較佳是持續進行乾燥直至可以防止在強制乾燥前所產生的自然乾燥所引起的乾燥不均產生，並達到充分乾燥狀態為止。

於本發明中，其中已塗佈的抗蝕劑的乾燥具有下述步驟：於抗蝕劑的塗佈膜表面相對向的設置整流板，在前述抗蝕劑的塗佈膜表面與前述整流板之間供給清潔氣體，並進行乾燥(構成2)。

此處，如果在抗蝕劑的塗佈膜表面未相對向的設置整流板，從相對於抗蝕劑的塗佈膜表面的平行方向供給的清潔氣體，會從前述塗佈膜表面向遠離表面的方向發散。

如依上述構成2，由於在抗蝕劑的塗佈膜表面相對向的設置整流板，因此從相對於抗蝕劑的塗佈膜表面的平行方向供給的清潔氣體，並不會從前述塗佈膜表面向遠離表面的方向發散。因此能夠對抗蝕劑的塗佈膜表面均勻的送風。

而且，如依上述構成2的發明，與從相對於抗蝕劑的塗佈膜表面的垂直方向供給清潔氣體相比乾燥效率高。因此到達充分乾燥狀態所需要的時間可以縮短。相對於此，其他的乾燥方法的乾燥效率低，因此到達充分乾燥狀態所需要的時間長，在藉由送風的強制乾燥到達充分乾燥狀態為止的期間，會發生因自然乾燥所引起的乾燥不均。而且，到達充分乾燥狀態所需要的時間長的話，在生產率的方面是不利的。如果優先考慮生產率而縮短藉由送風的強制乾燥時間的話，由於強制乾燥不足而在強制乾燥後發生自然乾燥，從而產生乾燥不均。

於本發明中，抗蝕劑的塗佈膜表面與整流板表面的間隔，由充分發揮上述作用的觀點來看較佳為1~2cm。而且，更佳的是於此間隔藉由適當形狀的空氣噴嘴而均勻的送入清潔氣體。

於本發明中，前述塗佈膜表面與整流板之間供給通過的清潔氣體的流速，由充分發揮上述作用的觀點來考慮較佳為0.2~1m/sec。

清潔氣體的流速(氣體強度)過高的話，如圖5所示，會發生肋骨狀的乾燥不均。

清潔氣體的流速(氣體強度)過低的話，如圖6所示，塗佈結束區域(塗佈結束側)在到達充分乾燥前會自然乾燥，並發生因自然乾燥所引發的不規則狀的雲紋不均(靄狀不均)。

於本發明中，前述整流板較佳相對於抗蝕劑的塗佈膜表面(亦即基板表面或吸著板表面)平行配設。亦即是，抗蝕劑的塗佈膜表面與整流板表面的間隔，較佳是在抗蝕劑的塗佈膜表面的任意部位都為一定的間隔。

於本發明中，前述整流板的面積較佳為大於抗蝕劑的塗佈膜表面的面積，更佳為與基板的面積相等或是大於基板的面積(亦即是覆蓋吸著板的尺寸)。

於本發明中，其中對前述抗蝕劑的塗佈膜表面，從塗佈開始側向塗佈結束側供給清潔氣體(構成3)。

依上述構成3的發明的話，藉由從塗佈開始側向塗佈結束側供給清潔氣體，由於能夠從塗佈開始區域(塗佈開始側)進行乾燥，塗佈開始區域不會發生在藉由供給清潔氣體的強制乾燥前因自然乾燥所引起乾燥不均。這是因為接近清潔氣體供給側的區域(亦即上風側)會比其他區域(亦即下風側)更早(先)乾燥。

於本發明中，較佳為從抗蝕劑的塗佈膜表面的塗佈開始側的邊緣向抗蝕劑的塗佈膜表面的塗佈結束側的邊緣均勻的供給清潔氣體。

於本發明中，塗佈結束後在其附近的位置(塗佈結束位置)停止基板的移動，於此基板的移動停止的狀態，能夠實施上述本發明的乾燥步驟(方法1)。

而且，於本發明中，能夠使基板以一定速度移動並進行塗佈，並實施本發明的乾燥步驟(方法2)。例如是，能夠從塗佈開始前或塗佈剛開始後供給清潔氣體並進行上述本發明的乾燥步驟。而且，能夠從塗佈開始而塗佈一定面積的階段開始供給清潔氣體並實施本發明的乾燥步驟。而且，能夠從塗佈剛結束之後開始供給清潔氣體並實施本發明的乾燥步驟。

尚且，塗佈開始側與塗佈結束側相比，由被塗佈後開始所經歷的時間長，有可能發生在藉由供給清潔氣體的強制乾燥前因自然乾燥所引起乾燥不均，但依照上述方法1 或方法2，因為能夠縮短藉由供給清潔氣體的強制乾燥開始為止的時間，因此能夠防止此種的疑慮。

本發明能夠適用於通稱為狹縫塗佈器的塗佈裝置，其中狹縫塗佈器為從具有於一方向延伸的抗蝕液供給口的塗佈管嘴吐出抗蝕液，並向與前述一方向相交的方向使前述塗佈管嘴以及基板的被塗佈面相對移動，以於前述被塗佈面塗佈前述抗蝕劑。於狹縫塗佈器中，塗佈管嘴與基板的位置關係並沒有特別限制，包含有相對於床面保持水平的基板的上方設置塗佈管嘴的型態，或是塗佈管嘴與基板的兩方相對於床面保持垂直的型態等。

本發明能夠適用於使用通稱為「CAP塗佈器」的塗佈裝置的情形(構成4)。

本發明的光罩的製造方法，使用上述本發明的罩幕基底的製造方法所得到的罩幕基底以製造光罩(構成5)。

於本發明的罩幕基底中，包含成膜於基板上的用於形成罩幕圖案的薄膜以及成膜於此薄膜上方的抗蝕膜。

於本發明中，罩幕基底亦包括光罩基底、相轉移基底、反射型罩幕基底、植入用轉印平板基底。而且，於罩幕基底包含附抗蝕膜罩幕基底。於相轉移罩幕基底包含具有半調膜、遮光膜的情形。尚且，於此情形，用於形成罩幕圖案的薄膜所指的是半調膜、遮光膜。而且，於反射型罩幕基底的情形，包含有在多層反射膜上或在設於多層反射膜上的緩衝層上，形成有作為轉印圖案的鉭系材料或鉻系材料的吸收體膜的構成。而在植入用轉印平板基底的情形，包含在作為轉印平板的基材上形成鉻系材料等的轉印圖案形成用薄膜的構成。於罩幕含有光罩、相轉移罩幕、反射型罩幕、植入用轉印平板。罩幕亦含標線板(reticle)。

於本發明中，作為用以形成罩幕圖案的薄膜，例如是遮斷曝光光的遮光膜，調整、控制曝光光的透過量的半透光膜，調整、控制曝光光等的反射率的反射率控制膜(包含抗反射膜)，對曝光光改變相位的相轉移膜，具有遮光機能以及相轉移機能的半調膜。

於本發明的罩幕基底中，作為用以形成前述罩幕圖案的薄膜，可列舉金屬膜。作為金屬膜可列舉鉻、鉭、鉬、鈦、鉿、鎢，或是含此些元素的合金，又或是含上述元素或上述合金的材料所構成的膜。

而且，於本發明的罩幕基底中，作為用以形成前述罩幕圖案的薄膜，可列舉含有矽的含矽膜。作為含矽膜可列舉矽膜或含矽與鉻、鉭、鉬、鈦、鉿、鎢的金屬的金屬矽化膜，進一步的亦可為在矽膜或金屬矽化膜中含氧、氮、碳的至少一種的膜。

於本發明中，作為FPD用的罩幕基底以及光罩，可列舉用於製造LCD(液晶顯示面板)、電漿顯示器、有機EL(電激發光)顯示器等的FPD元件的罩幕基底以及光罩。

於LCD用罩幕中，含有製造LCD時所必要的罩幕，例如是包含用於形成TFT(薄膜電晶體)，特別是TFT通道部或接觸窗開口部、低溫矽TFT、彩色濾光膜、反射板(黑矩陣)等的基板。於其他的顯示裝置製造用罩幕中，含有製造有機EL(電激發光)顯示器、電漿顯示器等的基板。

以下參照圖式並說明本發明的實施型態。

圖1所示為用以說明本發明的實施型態的通稱為「CAP塗佈器」的塗佈裝置以及本發明的乾燥步驟的一型態的模式的側面圖。圖2為圖1的主要部位的平面圖。

圖1以及圖3所示的塗佈裝置，為在裝置前面(載入器)側對吸著板3進行基板10的吸著與脫離的型式的裝置，具有如下所述吸著以及脫離機構。亦即是，吸著以及脫離機構在裝置前面側(圖中C的位置)以吸著板3吸著基板10，向圖中右方向移動吸著板3與基板10，並藉由塗佈管嘴22於基板10的被塗佈面上進行抗蝕劑的塗佈，以形成抗蝕劑的塗佈膜21a(詳細如後述)。塗佈結束後，於圖中右方向的略微移動吸著板3與基板10的位置(稱為塗佈結束位置)，使吸著板3與基板10的移動停止。其次，向圖中左方向移動吸著板3與基板10，在裝置前面側(圖中C的位置)進行基板10自吸著板3的脫離。以下基板10的圖中右端部稱為塗佈開始側，圖中左端部稱為塗佈結束側。

圖1以及圖2所示的塗佈裝置，在與抗蝕劑的塗佈膜表面(亦即抗蝕劑的塗佈膜21a的表面)相對向的設置整流板50。整流板50相對於抗蝕劑的塗佈膜表面以一定間隔水平設置。而且，整流板50如圖2所示，為覆蓋基板10以及吸著板3的尺寸。整流板50設置為鄰接(接近)塗佈管嘴22。

於圖1所示的塗佈裝置，以從塗佈開始側向塗佈結束側供給清潔氣體的方式，在裝置前面側之相反側的裝置背面側，設置作為清潔氣體的供給機構的供氣單元60。

供氣單元60以從相對於抗蝕劑的塗佈膜表面(亦即抗蝕劑的塗佈膜21a的表面)的平行方向供給清潔氣體(與塗佈膜21a的表面平行吹出)的方式設置，於抗蝕劑的塗佈膜表面與整流板之間，沿著抗蝕劑的塗佈膜表面且平行的使清潔氣體流動。

供氣單元60如圖2所示，沿著抗蝕劑的塗佈膜表面的塗佈開始側的邊緣設置複數個，依此能夠由抗蝕劑的塗佈膜表面的塗佈開始側的邊緣向塗佈結束側的邊緣均勻的供給清潔氣體。

供氣單元60例如是具有發生氣流的風扇以及配備在此風扇前方的空氣過濾器，並通過空氣過濾器提供清潔氣體。此處作為空氣過濾器較佳例如是使用高效率微粒空氣過濾器(High Efficient Particulate Air Filter, HEPA)。

圖3所示為以塗佈管嘴22對基板10的被塗佈面塗佈抗蝕劑的狀態的斷面圖。圖4所示為用以詳細的說明塗佈管嘴22等的動作的斷面圖。

「CAP塗佈器」裝置，首先，進行基板10的抗蝕劑的塗佈開始部位與塗佈單元2的塗佈管嘴22的上端部的位置對準(未圖示)。基板10的抗蝕劑的塗佈開始部位，為此基板10的一側緣部。

尚且，此「CAP塗佈器」裝置，如同後述的，具有水平移動吸著板3的水平驅動機構，使液槽、塗佈管嘴個別上下移動的上下驅動機構(未圖示)，控制水平驅動機構以及控制上下驅動機構以調整液槽以及塗佈管嘴高度位置的控制部(未圖示)。

於上述狀態中，控制部如圖4所示，使儲存有抗蝕劑21至一定液面位置為止的液槽20與完全沈浸於此抗蝕劑21中的塗佈管嘴22一起上升，從下方側接近基板10的被塗佈面10a。

而且，塗佈管嘴22藉由支撐桿28支撐而收納於液槽20內。此塗佈管嘴22以及液槽20具有與基板10的橫方向(圖3中的與紙面直交的方向)的一邊長度相當的長度。塗佈管嘴22沿著其長邊方向具有縫隙狀的毛細管狀間隙23。此塗佈管嘴22構成為夾持此毛細管狀間隙23，而具有上端部的寬度變窄的尖嘴的斷面形狀。毛細管狀間隙23的上端部，於塗佈管嘴22的上端部中橫越此塗佈管嘴22的略全長而開口為縫隙狀。而且此毛細管間隙23亦向塗佈管嘴的下方側開口(請參照圖3、4)。

其次，控制部使液槽20的上升停止，如圖3所示的使塗佈管嘴22的上端側從液槽20內的抗蝕劑21的液面向上方側突出。此時，由於塗佈管嘴22是從完全沈浸在抗蝕劑21中的狀態(請參照圖4)而向抗蝕劑21的液面的上方側突出，因此毛細管狀間隙23內為充滿抗蝕劑21的狀態(請參照圖3)。尚且，支撐桿28為以可上下移動的狀態貫通設置於液槽20的底部的穴20b。然後，為了避免抗蝕劑21從穴20b與支撐桿28之間的微小間隙洩漏，在塗佈管嘴22與液槽20的穴20b的周圍之間，以包覆支撐桿28一部份的方式設置伸縮自如的蛇腹29。

而且，控制部使塗佈管嘴22比液槽20的上端部中毛細管狀的開口20a更上升，使塗佈管嘴22的上端部的抗蝕劑21與基板10的被塗佈面10a接觸(請參照圖3)。

於此接觸時，較佳使塗佈管嘴22的前端部與被塗佈面10a的間隔以相對小的狀態開始接觸，其次，使塗佈管嘴22的前端部與被塗佈面10a的間隔擴張為相對大的狀態而結束接觸較佳。具體而言，較佳例如是瞬間保持接觸間隔小的狀態並開始接觸，亦即是以不起泡的接觸速度擴張接觸間隔而結束接觸。

其次，控制部在塗佈管嘴22的上端部中的抗蝕劑21與基板10的被塗佈面10a接觸的狀態，將液槽20與塗佈管嘴22下降至一定的「塗佈高度」的位置，設定實施塗佈時的塗佈管嘴22的前端部與被塗佈面10a的間隔(塗佈間隔G)(請參照圖3)。

此處的塗佈間隔G，是指比暫時接觸的抗蝕劑21脫離被塗佈面10a的脫離間隔G'更小的範圍內，使其盡量的大。亦即是，塗佈間隔G至少為脫離間隔G'的50%以上，希望為脫離間隔G'的70%至95%以上。

於上述狀態，控制部使基板10於與塗佈管嘴22的上端部中的毛細管狀間隙23形成的狹縫直交的方向(圖3中箭頭V所示的方向)移動，塗佈管嘴22的上端部橫越被塗佈面10a的全面而移動，以橫越被塗佈面10a的全面形成抗蝕劑21的塗佈膜21a。

尚且，基板10與塗佈管嘴22的相對移動速度，是以預先設定的管嘴間隔、抗蝕劑的黏度、液面高度以及塗佈間隔G為前提，使塗佈膜21a形成所希望的膜厚的方式而藉由控制部進行控制。

以下基於實施例而更詳細的說明本發明。

(實施例1)

使用具有上述發明的實施型態所述圖1～圖4的構成的塗佈裝置，依照實施型態所述方法，在罩幕基底的薄膜上塗佈抗蝕劑並使之乾燥，形成附抗蝕膜罩幕基底。

此時，塗佈的條件是以為了形成1μm的抗蝕膜而設定液面高度、塗佈間隔、移動速度等。

而且，乾燥的條件是以在如圖1、圖2所示的塗佈結束位置(圖中A的位置)使基板的移動停止，於此基板的移動停止狀態，藉由供氣單元60，以與抗蝕劑的塗佈膜表面平行的使清潔氣體流動。此時抗蝕劑的表面與整流板的表面的間隔為1~2cm。而且，前述塗佈膜表面與整流板之間所供給通過的清潔氣體的流速為0.5m/sec。清潔氣體的供給時間(乾燥時間)為10分鐘。

尚且，作為罩幕基底，可使用在大型玻璃基板(合成石英(QZ)10mm厚、尺寸850mm×1200mm)上，具有用於形成罩幕圖案的薄膜的基板。

上述所得的附抗蝕膜罩幕基底，在經由一定時間後檢查已塗佈、乾燥的抗蝕膜，並不會發現如圖8所示的縱方向的雲紋不均(靄狀不均)，亦不會發現如圖9所示的不規則狀的雲紋不均(靄狀不均)。

而且，使用上述所得的附抗蝕膜罩幕基底製作光罩，進一步將此光罩用於製作FPD，在光罩以及FPD兩方面都沒有看到被認為是因抗蝕膜的上述乾燥不均所引起的異常。

(比較例1)

使用如圖7所示的塗佈裝置以形成附抗蝕膜罩幕基底。而且塗佈條件與實施例1相同。

塗佈後向A→B→C移動的吸著板的移送速度(塗佈返回速度)過高的話，於位置B的乾燥不充分，產生如圖8所示的縱方向的雲紋不均(靄狀不均)。

相反的，塗佈返回速度過低的話，雖然減少縱方向的雲紋不均，但是塗佈開始區域在到達位置B之前就已經自然乾燥，因此如圖9所示的不規則狀的雲紋不均(靄狀不均)將會以塗佈開始區域為中心發生。

雖然對塗佈返回速度藉由改變供氣單元31的數目、高度、風量而進行種種的測試，無法達成將縱方向的雲紋不均與不規則狀的雲紋不均同時抑制在可以容許的程度。

(參考例1)

於圖7所示的塗佈裝置中，於在圖中B的位置下方所設置的清潔供氣單元31相同，在圖中A的位置下方(未圖示)設置清潔供氣單元，在塗佈結束的基板停止於圖中A的位置(塗佈結束位置)的狀態下，由下方設置的清潔供氣單元向已塗佈抗蝕劑的塗佈膜表面供給清潔氣體以進行乾燥。其結果，發生圖8所示的乾燥不均。

尚且，本發明並不僅限制於前述實施例，在不脫離本發明要旨的範圍當然可以進行各種的變更。

2‧‧‧塗佈單元

3‧‧‧吸著板

10‧‧‧基板

20‧‧‧液槽

20b‧‧‧穴

21‧‧‧抗蝕劑

21a‧‧‧塗佈膜

22‧‧‧塗佈管嘴

23‧‧‧毛細管狀間隙

28‧‧‧支撐桿

29‧‧‧蛇腹

31‧‧‧清潔供氣單元

32‧‧‧清潔供氣單元

50‧‧‧整流板

60‧‧‧供氣單元

G‧‧‧塗佈間隔

圖1所示為用以說明本發明的一型態的模式的側面圖。

圖2所示為圖1的主要部位的平面圖。

圖3所示為本發明的一型態的塗佈裝置其塗佈機構進行塗佈的狀態的斷面圖。

圖4所示為圖3的塗佈裝置的塗佈機構的主要部位的構成的斷面圖。

圖5所示為用以說明依乾燥條件的乾燥不均的一型態的模式圖。

圖6所示為用以說明依乾燥條件的乾燥不均的其他型態的模式圖。

圖7為用以說明從前的乾燥步驟的一型態的模式的側面圖。

圖8為用以說明依從前的乾燥步驟的乾燥不均的一型態的模式圖。

圖9為用以說明依從前的乾燥步驟的乾燥不均的一型態的模式圖。