TWI426323B - 具有線之基材支持件及使用其之裝置 - Google Patents

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Description

具有線之基材支持件及使用其之裝置
本發明係關於一種製造半導體裝置之裝置，且更特定言之，係關於一種用於製造液晶顯示裝置之電漿裝置之基材支持件。
具有輕便性及低能耗之平板顯示(FPD)裝置已成為在現今信息時代被越來越多人所研究的課題。在各種類型的FPD裝置中，由於其具有高解析率、顯示彩色影像之能力及高品質影像顯示之優點，液晶顯示(LCD)裝置通常被用於筆記型電腦及桌上型電腦中。
一般而言，LCD裝置係無輻射裝置，其具有：一陣列基材、一彩色過濾基材及一插在該陣列基材與該彩色過濾基材之間之液晶層，並且其利用液晶層之光學各向異性來顯示影像。另外，LCD裝置是藉由重複下列步驟製成的：將一薄膜沉積至一基材上之沉積步驟、使用一光阻之光微影步驟、一選擇性蝕刻步驟及對於該基材之清潔步驟。LCD裝置製造過程之該等步驟在最佳狀態下可藉由使用一處理腔來執行。一其中之源氣體被高頻電源(high frequency power)激發為電漿態基團之電漿裝置適用於LCD裝置之沉積、蝕刻及清潔步驟。目前，電漿增強化學氣相沉積(PECVD)裝置已被廣泛地用作電漿裝置。
圖1為展示出根據相關技術用於液晶顯示裝置之電漿裝置的橫截面示意圖。在圖1中，一電漿裝置包括一具有蓋112及腔體114之處理腔100。穿過蓋112之中間部分及蓋112下方之墊板（未圖示）形成一進氣管122。在該墊板下方形成一具有複數個通孔（未圖示）之噴頭120。因此，將源氣體通過進氣管122注入至噴頭120中並通過該等複數個通孔擴散至處理腔100中之基座130上方的空間。由於包括該墊板及噴頭120之氣體擴散部件連接至一高頻（例如，射頻）電源部件124，所以源氣體被激發成電漿態。例如，該氣體擴散部件之噴頭120可作為上電極以獲得電漿態之源氣體。此外，腔體114具有用於轉移基材"S"之槽閥146。
將基座130安置於腔體114中。在基材"S"被轉移至處理腔100中之後，基材"S"被放置於基座130上。一用於在製造過程中加熱基材"S"之加熱器（未圖示）在基座130中形成並且連接至一外部電源（未圖示）。例如，基座130可充當下電極以獲得電漿態之源氣體。一基座支撐件134自基座130之後部中心部分延伸並且一如馬達等之基座驅動部件144被連接至該基座支撐件134以上下移動基座130。此外，穿過腔體114底部形成一排氣管142。該排氣管142連接至一真空泵（未圖示）以排出在製造過程之後處理腔100中之剩餘氣體及顆粒。
形成複數個頂升銷150以垂直穿透基座130。基材"S"由複數個頂升銷150來支撐，且在製造過程之前將基材"S"自一機械臂（未圖示）轉移至基座130，並且在製造過程之後，將其自基座130轉移至該機械臂。因此，當基材"S"被移入並移出處理腔100時，藉由驅動部件144上下移動基座130，並且複數個頂升銷150突出且凹進基座130之頂表面。結果，基材"S"被自複數個頂升銷150轉移至基座130，反之亦然。
圖2A至2C為展示出根據相關技術用於液晶顯示裝置之電漿裝置中之基材轉移過程的橫截面示意圖。在圖2A中，機械臂160上之基材"S"被移入處理腔100（圖1）且被放置於基座130上。複數個頂升銷150通過複數個頂升銷孔136在基座130之頂表面上突出，並且基材"S"之底表面與複數個頂升銷150相分離。接著，基材"S"藉由向下移機械臂160接觸複數個頂升銷150。
在圖2B中，機械臂160返回至處理腔100（圖1）之外部且基材"S"由在基座130頂表面上突出之複數個頂升銷150來支撐。
在圖2C中，由於基座130係藉由一基座驅動部件144（圖1）而被向上移動的，因而複數個頂升銷150通過複數個頂升銷孔136相對地向下移動。從而，該基材"S"放置於基座130之頂表面上。頂升銷150在上部150a處具有比其他部分更大之直徑以防止頂升銷150與基座130之頂升銷孔136完全分離。類似地，頂升銷孔136同樣在上部136a處具有比其他部分更大之直徑。
儘管未圖示，但其上具有基材"S"之基座130向上移動至處理腔100（圖1）之一反應區中，並且歸因於源氣體、高頻電源及熱而在基材"S"上形成一薄膜。在薄膜形成後，藉由向下移動基座130使得基材"S"被複數個頂升銷150所支撐。接著，將機械臂160放置於基材"S"與複數個頂升銷150之間且基材"S"隨後被移出處理腔100（圖1）。
由於通過其中具有加熱器之基座形成該等複數個頂升銷，所以在製造過程中，加熱器之熱會使複數個頂升銷產生缺陷。具體而言，鄰近加熱器之頂升銷容易因高溫而破裂。另外，當基材被放置於複數個頂升銷上時，該基材可能由於滑動超過一預設位置而產生缺陷。目前，隨基材尺寸之增加，需要更多的頂升銷來支撐基材。當穿過基座中心位置之頂升銷產生缺陷時，該基材之相應中心部分則不受支撐，藉此該基材會彎折或破裂。
此外，由於基座具有對應於複數個頂升銷之複數個頂升銷孔，所以來自基座中加熱器之熱可通過複數個頂升銷孔被釋放且並非完全傳遞至基材上。因而，無法獲得薄膜之最優製造過程。另外，由於與複數個頂升銷孔相鄰部分之電漿密度不同於其他部分，所以該基材上之薄膜厚度不均勻。薄膜之不均勻厚度會使所得LCD裝置劣化。
因此，本發明針對一種使用一基材支持件之電漿裝置，其大體上排除了由相關技術之侷限及缺陷所產生的一或多個問題。
本發明之一目的在於提供一種具有線之基材支持件及使用該基材支持件之電漿裝置。
本發明之另一目的在於提供一種基材支持件及使用該基材支持件之電漿裝置，其中製造過程之均一性得以改良。
本發明之又一目的在於提供一種基材支持件及使用該基材支持件之電漿裝置，其中在製造過程中，向基材均勻地傳遞熱且均勻地形成電漿。
將在隨後描述中陳述本發明之額外特徵及優勢，且自描述中可瞭解其部分內容或藉由實踐本發明而被瞭解。藉由在所描述及其申請專利範圍及隨附圖式所指出之特定結構將瞭解並獲得本發明之目標及其他優勢。
為達成該等及其他優勢，且根據本發明之目的，如所實施及廣泛描述的，一種用於支撐基材之構件包括：一基座、一處於該基座上方之支撐框架；及至少一連接至該支撐框架之線。
在另一態樣，一種裝置包括：一用於處理一基材之處理腔；一處於該處理腔中之基座；一處於該基座上方之支撐框架；及至少一連接至所述支撐框架的線。
另一態樣，一種裝置包括：一用於處理基材之處理腔、一在該處理腔中之基座、在該基座上方之複數條線，該等複數條線連接至側壁與處理腔底表面之中的一者上，及一連接至每條線之一端的張力控制部件。
另一態樣，一種轉移裝置中之基材的方法包括：a)將一其上具有基材之機械臂移入裝置的一處理腔中，該機械臂安置於一支撐框架之上方，複數條線連接至該支撐框架且一基座在處理腔中之支撐框架下方；b)向下移動機械臂以使基材被複數條線支撐；c)將機械臂移出處理腔；及d)向上移動基座以使基材被基座支撐。
應瞭解上文之概括性描述及下文的詳細描述均為示範性及說明性的，且其意欲根據申請專利範圍所主張的提供對本發明之進一步解釋。
現以較佳實施例詳細解釋參考，參考之實例在隨附圖式中說明。
因為本發明係關於諸如電漿增強化學氣相沉積(PECVD)裝置及蝕刻器之電漿裝置，其中處理氣體在腔室中被激發成電漿態並且接觸基材，所以該電漿裝置可為用於液晶顯示(LCD)裝置或半導體裝置之製造裝置。另外，基材可為用於LCD裝置之玻璃基材或用於半導體裝置之晶片。
圖3為根據本發明例示性實施例之電漿裝置的橫截面示意圖。
在圖3中，電漿裝置具有包括蓋312及腔體314之處理腔300。穿過蓋312之中心部分及蓋312下方之墊板（未圖示）形成一進氣管322。具有複數個通孔（未圖示）之噴頭320形成在墊板下方。因此，源氣體通過進氣管322而注入至噴頭320並且通過複數個通孔擴散至處理腔300中之基座330上方的空間中。因為包括該墊板及噴頭320之氣體擴散部件被連接至高頻（如，射頻）電源部件324上，所以源氣體被激發成電漿態。例如，氣體擴散部件之噴頭320可以充當上電極以獲得源氣體之電漿態。另外，腔體314具有用於轉移基材"S"之槽閥346。在另一例示性實施例中，源氣體通過處理腔300之側壁而注入至處理腔300中，且氣體擴散部件可由一種在基座330之邊界部分上方之注射器類型而形成。
將基座330安置於腔體314中且與噴頭320相分離。在基材"S"轉移至處理腔300中之後，基材"S"被放置於基座330上。一連接至外部電源（未圖示）之加熱器（未圖示）形成於基座330中以在製造過程中加熱基材"S"。例如，基座330可充當下電極以獲得源氣體之電漿態。基座支承件334自基座330之後部中心部分垂直延伸且諸如馬達之基座驅動部件344連接至基座支撐件334以上下移動基座330。另外，藉由腔體314之底部部分形成排氣管342。排氣管342連接至一真空泵（未圖示）以排出處理腔300中之剩餘氣體及粒子。
具體言之，包括線352（圖4A）之基材支撐部件350安置於基座330上方。線352橫穿處理腔300之內部空間且支撐基材"S"。
圖4A及4B分別為展示出根據本發明另一例示性實施例中之電漿裝置中的支撐部件之平面透視示意圖圖式。
在圖4A及4B中，基材支撐部件350包括：複數條線352、支撐框架354及支撐框架終端359。複數條線352包括一第一線352a及一跨越第一線352a之第二線352b，且支撐框架354具有包括第一、第二、第三及第四邊354a、354b、354c及354d之矩形形狀。根據在另一實施例中具有不同形狀之基材，支撐框架354可以具有不同形狀。每條線352之兩端分別連接至支撐框架354之相對邊。支撐框架終端359形成於處理腔300（圖3）之側壁上，且支撐框架354被放置於支撐終端359上。
當基材自（圖3的）處理腔300之外部轉移至基座330及自基座330轉移至處理腔300（圖3）之外部時，複數條線352大體接觸且支撐基材。例如，當基材具有包括兩個長邊及兩個短邊之矩形形狀時，複數條線352可能包括與基材長邊平行之第一線352a及與基材短邊平行之第二線352b。第一線352a可對應於基材之長邊緣部分，並且第二線352b可對應於與處理腔300（圖3）之槽閥346（圖3）相對的基材短邊緣部分。第一線352a可能具有一條對應於基材中心部分之第一線。然而，當使用一第一線時，由於在複數條線352與基材330之間的轉移期間基材傾斜，基材可能產生缺陷。因此，至少兩條對稱第一線352a可以用作沿與基材長邊平行方向之複數條線352。
複數條線352可具有預設張力，用於以具有第一、第二、第三及第四邊354a、354b、354c及354d之支撐框架354來支撐基材。例如，第一線352a可連接至第二及第四邊354b及354d，而第二線352b可連接至第一及第三邊354a及354c。當支撐框架具有預設厚度時，複數條線352可連接至支撐框架354之頂部、中間及底部部分中之一者。另外，支撐框架354之一邊具有開口部分358以便其上具有基材"S"（圖3）之機械臂360（圖6A）可移入及移出處於基座330上方之支撐框架354。因此，開口部分358可在鄰近槽閥346（圖3）之第四邊354d的中心部分形成。
在另一實施例中，支撐框架354可以藉由諸如螺釘及螺母之固定構件直接連接至處理腔300（圖3）。在此實施例中，支撐框架354放置於在處理腔300（圖3）之側壁上形成的支撐框架終端359上。例如，支撐框架終端359可形成於除了對應於第四邊354d及槽閥346(圖3)部分之外的對應於第一、第二及第三邊354a、354b及354c之側壁的三個部分上。
圖5為沿圖4之V-V線截取的橫截面示意圖。
如圖5所示，複數條線352安置於腔體314中之基座330上方，並且連接至基座330之邊界部分上方的支撐框架354上。支撐框架354接觸並且被放置於腔體314內表面上形成的固定構件359上。另外，邊緣框架362可安置於支撐框架354及複數條線352上方。邊緣框架362可覆蓋基材"S"(圖3)並且可放置於腔體314內表面上形成的邊緣框架終端364上。
在另一實施例中，支撐框架354可形成為不與基座330重疊。在此實施中，因為支撐框架354與基座330重疊，所以當基座330向上移動時，支撐框架354接觸基座330之邊界部分。因此，當其上具有基材"S"之基座330(圖3)與支撐框架354及複數條線352一同向上及下移動時，支撐框架354被基座330所支撐。結果，在基座330向上移動之前，固定構件359支撐該支撐框架354，並且防止當基座向下移動時支撐框架354繼續下降。
當基座330向上移動以支撐基材"S"(圖3)時，需要將基材"S"(圖3)水平放置於基座330上。當基材"S"(圖3)並未被水平放置於基座330上時，來自基座330中之加熱器的熱並未被均勻地傳遞至基材"S"(圖3)上，而使得形成於基材"S"(圖3)上之薄膜具有較差的均一性。因此，基座330具有對應於複數條線352之複數個線凹槽332，以便基材"S"（圖3）可被水平放置於基座330上。複數條線352可完全地纏繞於複數個線凹槽332中。
圖6A至6F為展示出根據本發明之一例示性實施例轉移電漿裝置中之基材的方法之透視示意圖，而圖7A至7F為展示出根據本發明之另一例示性實施例的轉移電漿裝置中之基材的方法之橫截面示意圖。
在圖6A及圖7A中，處於機械臂360上之基材"S"藉由閥槽346（圖3）被轉移至處理腔300（圖3）中。邊緣框架362、支撐框架354及基座330放置於處理腔300（圖3）中。邊緣框架362及支撐框架354分別藉由邊緣框架終端364及支撐框架終端359連接至腔體314之側壁。
在圖6B及圖7B中，其上具有基材"S"之機械臂360移動且被排列在對應於基座330之處理腔300（圖3）的中心部分。其上具有基材"S"之機械臂360放置於邊緣框架362與支撐框架354之間。因此，複數條線352及支撐框架354與機械臂360之底表面及基座330之頂表面間隔開。接著，其上具有基材"S"之機械臂360向下移動。
在圖6C及圖7C中，由於支撐框架354具有開口部分358，所以其上具有基材"S"之機械臂360可排列在支撐框架354中，而不與機械臂360及支撐框架354接觸。因為複數條線352安置於機械臂360之外部，所以複數條線352接觸基材"S"之後側。因此，基材"S"被複數條線352支撐，並且機械臂360與基材"S"相分離。即使在複數條線352支撐基材"S"之後，機械臂360繼續向下移動。
在圖6D及圖7D中，機械臂360在接觸基座330之前停止向下移動，且移出處理腔300（圖3）。結果，基材"S"完全由連接至支撐框架354之複數條線352支撐。另外，支撐框架354由固定於處理腔300（圖3）側壁上之支撐框架終端359支撐。基材"S"及複數條線352與基座330相分離。接著，基座330藉由基座驅動部件344（圖3）向上移動。
在圖6E及圖7E中，複數條線352接觸基座330之頂表面。因為基座330具有複數個線凹槽332，所以複數條線352完全纏繞在複數個線凹槽332中，若基座330不具有複數個線凹槽332，則複數條線可突出基座330，且基材"S"可能無法被水平放置在基座330上。鄰近複數條線352之基材"S"的部分不接觸基座330，而遠離複數條線352之基材"S"的其他部分接觸基座330。因此，來自基座330中之加熱器（未圖示）的熱被不完全傳遞至基材"S"上，而熱之不完全傳遞會引起薄膜厚度之均一性較差。在此實施例中，因為複數條線352完全纏繞在複數個線凹槽332中，所以基座330並不具有其頂表面上之突出，且基材"S"水平放置於基座330上。
若形成支撐框架354即使在基座330向上移動之後亦不與基座330接觸，則支撐框架354可藉由複數條線352而懸掛，並且很難獲得複數條線352之恆定張力。因此，支撐框架354之外部底表面可接觸支撐框架終端359之頂表面，並且當基座330向上移動時，支撐框架354之內部底表面可接觸基座330之頂表面。
在圖6F及圖7F中，基座330進一步向上移動。因為支撐框架354並未固定於支撐框架終端359上，所以支撐框架354、基材"S"及複數條線352與基座330一同向上移動。因此，支撐框架354與支撐框架終端359相分離，且隨後邊緣框架362接觸基材"S"及基座330之邊界部分以防止源氣體洩漏。結果，支撐框架354可在支撐框架終端359上方移動並且朝向處理腔300（圖3）之中心部分突出以接觸基座330。
接著，該源氣體被激發成電漿態且被安置於該基材"S"上以形成薄膜。在形成薄膜後，藉由與圖6A至6F及7A至7F中所示的相反製程，其上具有薄膜之基材"S"被轉移出處理腔300（圖3）。在基材"S"上形成該薄膜之後，其上具有基材"S"及支撐框架354之基座330向下移動且支撐框架354由支撐框架終端359來支撐。接著，當基座330進一步向下移動時，支撐框架354及複數條線352與基座330相分離。結果，基材"S"由複數條線352來支撐。接著，機械臂360移入處理腔300（圖3）且被安置於基材"S"與基座330之間。然後，機械臂360向上移動以接觸基材"S"且複數條線352與基材"S"相分離。結果，基材"S"由該機械臂支撐。然後，其上具有基材"S"之機械臂360移出處理腔300（圖3）。
在根據本發明之此實施例之電漿裝置中，使用複數個線352替代複數個頂升銷可轉移一基材。複數條線352內插於薄膜製造過程中之複數個線凹槽332中。在薄膜製造過程中，藉由基材330中之加熱器加熱該基材"S"。在製造過程之後，一種包括氟(F)或氯(Cl)之清洗氣被注入處理腔300中（圖3）以排出剩餘氣體。因此，複數條線352可由具有高張力、高抗腐蝕性及高熱阻之金屬材料製成。例如，包括鉻(Cr)或鎳(Ni)、英科耐爾合金、蒙乃爾合金及哈氏合金、用於鋼琴之鋼及用於鋼琴之高碳鋼的不銹鋼中之一者可用作複數條線352。
圖8為展示出根據本發明之另一例示性實施例的電漿裝置中之基材支撐部件的透視示意圖。在圖8中，與圖4B中之元件相同的元件具有與圖4B中之元件相同的元件符號，且省略對該等元件之說明。
在圖8中，一基材支撐部件350包括複數條線352、一支撐框架354及一支撐框架終端359。該支撐框架354具有一第一、第二、第三及第四邊354a、354b、354c及354d。對應於一槽閥（未圖示）之第四側354d具有一鋸齒狀中心上水平部分355a、一邊界上水平部分355b、一下水平部分355c及一連接該上水平部分355a及355b及該下部水平部分355c之垂直部分355d。複數條線352連接至該上水平部分355a及355b。
圖9A及9B為展示出根據本發明之另一例示性實施例的轉移電漿裝置中基材之方法的透視示意圖。
在圖9A中，藉由槽閥（未圖示）將機械臂360上之基材"S"移入處理腔（未圖示）。包括複數條線352、一支撐框架354、一支撐框架終端359及一基座330之基材支撐部件350安置於該處理腔內。其上具有基材"S"之機械臂360移入該處理腔且被安置於基材支撐部件350上。接著，機械臂360向下移動且基材"S"與複數條線352a接觸。因此，基材"S"由複數條線352a支撐。由於支撐框架354之第四邊354d具有一由一中心上水平部分355a、一邊界上水平部分355b、一下水平部分355c及一連接該上水平部分355a及355b及該下水平部分355c之垂直部分355d組成的鋸齒狀部分，所以機械臂360可在不接觸支撐框架354之情形中向下移動。
在圖9B中，由於第四側354d之所要部分，所以機械臂360在不接觸支撐框架354之情形中移出處理腔。支撐框架354之所要部分在其他實施例中可具有不同形狀。
在圖10為根據本發明另一例示性實施例之電漿裝置的橫截面示意圖，而圖11為根據本發明之另一例示性實施例的電漿裝置中之基材支撐部件的透視示意圖。
在圖10及圖11中，一電漿裝置具有一處理腔300及一藉由槽閥346插入處理腔300之基材"S"。插入之基材"S"由基材支撐部件350之複數條線352及複數個頂升銷400支撐。複數條線352及複數個頂升銷400分別對應於基材"S"之中心部分及邊界部分。此外，複數條線352沿與基材"S"平行之長邊方向安置，且複數個頂升銷400彼此間隔開。複數條線352連接至支撐框架354，該支撐框架354具有第一、第二、第三及第四邊354a、354b、354c及354d，且第四邊354d具有一由一中心上水平部分355a、一邊界上水平部分355b、一下水平部分355c及一連接上水平部分355a及355b及下水平部分355c之垂直部分355d組成的鋸齒狀部分，機械臂（未圖示）可在不接觸支撐框架354之情形中向下移動。複數個頂升銷400可通過基座330之邊界部分安置。
圖12A至12D為根據本發明之另一例示性實施例的轉移電漿裝置中基材之方法的橫截面示意圖。
在圖12A中，在基材"S"插入處理腔300前（圖10），支撐框架354安置於基座330上，且複數個頂升銷400於基座330之頂表面上突出。複數條線352在支撐框架354中形成，且支撐框架354被放置於腔體314上形成之支撐框架終端359上。複數條線352及複數個頂升銷400具有大體相同的高度。
在圖12B中，其上具有基材"S"之機械臂360移入處理腔300（圖10）且被安置於基座330上方。複數條線352及複數個頂升銷400與基材"S"間隔開。
在圖12C中，其上具有基材"S"之機械臂360向下移動，且基材"S"安置於支撐框架350中。因此，該基材與複數條線352及複數個頂升銷400接觸。由於支撐框架354具有一開口部分358（圖11），機械臂360可進一步在支撐框架354下方移動。因此，機械臂360與基材"S"相分離，且基材"S"由複數條線352及複數個頂升銷400支撐。複數條線352對應於基材"S"之中心部分，且複數個頂升銷400對應於基材"S"之邊界部分。接著，機械臂360藉由槽閥346（圖10）移出處理腔300（圖10）。
在圖12D中，其上具有基材"S"之基座330藉由一基座驅動部件（未圖示）向上移動，且複數條線352插入基座330之複數條線凹槽332中。同時，複數個頂升銷400通過在基座330中之複數個頂升銷孔336相對向下移動。由此，基材"S"接觸基座330且被基座330支撐。每一頂升銷400之頂部分402均可具有比每一頂升銷400之其他部分更大的直徑，以防止每一頂升銷400與基座330完全分離。類似地，每一頂升銷孔336可具有與每一頂升銷400相對應之形狀。
接著，其上具有基材"S"之基座330進一步向上移動，且薄膜形成於基材"S"上。在基材"S"上形成薄膜後，基材"S"可藉由反向執行圖12A至12D之製程被移出處理腔300（圖10）。
圖13為根據本發明之另一例示性實施例的電漿裝置之橫截面示意圖。而圖14A及14B分別為展示出根據本發明另一例示性實施例之電漿裝置中之一基材支撐部件的平面透視示意圖。在圖13、14A及14B中，與圖3、4A及4B中之元件相同的元件具有與圖3、4A及4B中之元件相同的元件符號，且省略對該等元件之說明。
在圖13中，一處理腔800包括一蓋812及在蓋812下方之一腔體814。穿過蓋812形成一進氣管822，且包括一墊板及一噴頭820之氣體擴散部件安置於蓋812下。氣體擴散部件連接至一高頻電源（例如射頻）供給部件824。一基座830、一基座支撐件834及一基座驅動部件844安置於腔體814中，且一槽閥846及一排氣管846形成於腔體814中。具體言之，包括複數條線852之基材支撐部件850（圖14A）安置於基材"S"與基座830之間。
在圖14A及14B中，基材支撐部件850包括複數條線852，複數個方向改變構件854及複數條線終端856及857。分別藉由第一及第二線終端856及857，每一條線852之兩端分別固定至腔體814之側壁及腔體814之底表面。每一條線852水平安置於基座830上方，且由方向改變構件854在基座830外延伸。方向改變構件854可由方向改變構件支撐件858支撐，且每一條線852及方向改變構件支撐件858均可藉由第二線終端857固定至腔體814之底表面。此外，一張力控制部件859連接至每一條線852之一端以保持支撐基材"S"之最佳張力。張力控制部件859可為風箱式。此外，可單獨或同時操作張力控制部件859及基座驅動部件844。例如，當基座830上下移動時，藉由收縮及擴張風箱式張力控制部件859，可調節每一條線852之張力。
複數條線852可安置於沿與基材"S"之長邊平行的方向，亦可相對基座830之中心線在基座830之邊界部分對稱地安置。此外，方向改變構件854可將每一條線852之水平方向改變成垂直方向，或反之亦然。例如，滑輪可用作方向改變構件854。另外，基座830可具有對應複數條線852之複數個線凹槽832。因此，複數條線852可完全插入複數個線凹槽832中，藉此基材"S"水平接觸基座830。此外，由於基材支撐部件850不包括一支撐框架，所以其上具有基材"S"之機械臂860可在無任何關於支撐框架之限制下自由移入或移出處理腔800。
結果，線852之第一端藉由第一線終端856連接至相對於槽閥846之腔體814的側壁上，且該線之第二端藉由第二線終端857連接至腔體814之底表面。線852於基座830上方水平延伸，且藉由方向改變構件854在鄰近槽閥846之基座830的外部上部分處垂直延伸。張力控制部件859連接至線852之第二端以調節線852之張力。
圖15A及15B分別為展示出根據本發明之另一例示性實施例的電漿裝置中之基材支撐部件的平面透視示意圖。在圖14A及14B中，與圖3、4A及4B中之元件相同的元件具有與圖3、4A及4B中之元件相同的元件符號，且省略對該等元件之說明。
在圖15A及15B中，一基材支撐部件850包括複數條線852，複數個第一方向改變構件854，複數個第二方向改變構件856及複數條線終端857。每一條線852之兩端均藉由線終端857連接至腔體814之底表面。線852自腔體814之底表面垂直延伸。線852之方向可藉由第一方向改變構件854而改變，且線852於基座830上方水平延伸。線852之方向可藉由第二方向改變構件855而再次改變，而線852垂直延伸至腔體814底表面。結果，第一及第二方向改變構件854及855對應於一條線852。藉由第一及第二方向改變構件854及855，線852整體上呈U形狀，且線852之兩端連接至腔體814的底表面之兩個相對部分。
第一及第二方向改變構件854及855可由方向改變構件支撐件858支撐，且線852及方向改變構件支撐件858可藉由線終端857連接至腔體814之底表面。此外，張力控制部件859連接至線852之兩端以保持支撐基材"S"之最佳張力。例如，張力控制部件859可為風箱式。此外，可單獨或同時操作張力控制部件859及基座驅動部件844。例如，連接桿859a可連接基座驅動部件844及張力控制部件859，以便可同時操作基座驅動部件844及張力控制部件859。當基座830上下移動時，藉由收縮及擴張風箱式張力控制部件859，可調節每一條線852之張力。另外，由於基座830具有對應於複數條線852之複數個線凹槽832，所以當基座830向上移動時，複數條線852可完全插入複數個線凹槽832中。
圖16A及16B為展示出根據本發明之另一例示性實施例的電漿裝置中之基材支撐部件的平面透視示意圖。
在圖16A及16B中，基材支撐部件850包括複數條線852及複數條線終端856。複數條線852包括與基座830之長邊平行的第一線852a及與基座830之短邊平行的第二線852b。因此，第一及第二線852a及852b彼此交叉且水平安置於基座830上方。每一條線852均藉由線終端856固定於腔體814之側壁上。
一T型槽閥846形成於腔體814之側壁上。因此，槽閥846之上部分848a的寬度大於槽閥846之下部分848b的寬度，且兩個輔助側壁847形成於槽閥846之下部分848b處。由於其上具有基材"S"（圖17A）之機械臂860（圖17A）藉由槽閥846之上部分848a移入或移出處理腔，所以上部分848a具有與基材"S"（圖17A）相對應之寬度。此外，由於僅機械臂860（圖17A）藉由下部分848b上下移動，因此下部分可具有比基材"S"（圖17A）更窄之與機械臂860（圖17A）相對應的寬度。在另一實施例中，該下部分可為三角形以使該下部分之寬度沿向下的方向減少。可將第一線852a之端部固定至輔助側壁847上，從而可自動調節槽閥846及第一線852a之間的距離。
圖17A至17F為根據本發明之另一例示性實施例的轉移電漿裝置中基材之方法的橫截面示意圖。即使圖17A至17F對應圖13、14A及14B之基材支撐部件，轉移圖17A至17F基材之方法亦可應用於圖15A、15B、16A及16B之基材支撐部件中。
在圖17A中，其上具有基材"S"之機械臂860藉由槽閥846之上部分848a插入至處理腔。包括複數條線852及基座830之基材支撐部件850在處理腔中形成。此外，複數條線852藉由腔體814之底部連接至張力控制部件859。
在圖17B中，其上具有基材"S"之機械臂860安置於基座830及基材支撐部件850之複數條線852上方的處理腔之中心部分。複數條線852與基材"S"及基座830相分離，接著，具有基材"S"之機械臂860向下移動。
在圖17C中，由於複數條線852之間的間隙大於機械臂860，因此該等複數條線852接觸基材"S"而不接觸機械臂860。隨著機械臂860進一步向下移動，機械臂860與該基材"S"相分離且基材"S"由該等複數條線852支撐。
在圖17D中，該機械臂860藉由下部分848b自處理腔中移出。
在圖17E中，基座830向上移動以接觸複數條線852。由於基座860包括複數個線凹槽832，因此複數條線852完全插入基座830之複數個線凹槽832中。因此，基材"S"均勻接觸基座830從而被基座830所支撐。複數條線852之張力不受張力控制部件859之調節直至基座830接觸基材"S"。
在圖17F中，其上具有基材"S"之基座830進一步向上移動。由於複數個線凹槽832中之複數條線852亦隨著基座830向上移動，因此複數條線852可被擴張以改變複數條線852之張力。因此，張力控制部件859調節複數條線852之張力以防止複數條線852的破裂及由複數條線852所造成之基材"S"的缺陷。例如，當其上具有基材"S"之基座830向上移動時，風箱型張力控制部件859可接觸以保持複數條線852之最佳張力。大體上，該處理腔中複數條線852之長度增加。即使未在圖17F中示出，但是可單獨或同時操作張力控制構件859及基座830。
接著，將該源氣體激發為電漿態並將其沉積於所述基材"S"上以形成薄膜。形成薄膜之後，藉由與圖17A至17B所展示之製程相反的製程將其上具有薄膜之基材"S"移出該處理腔。在該基材"S"上形成薄膜之後，其上具有基材"S"之基座830向下移動，且該張力控制構件859調節複數條線852之張力。例如，風箱型張力控制構件859可擴張以保持複數條線852之最佳張力，藉此該處理腔中複數條線852之長度大體上減小。接著，隨基座830進一步向下移動，複數條線852與基座830相分離以支撐基材"S"。接著，機械臂860藉由槽閥846之下部分848b移入處理腔且安置於基材"S"與基座830之間。然後，機械臂860向上移動以接觸基材"S"，且複數條線852與基材"S"相分離。結果，基材"S"由機械臂860支撐。接著，其上具有基材"S"之機械臂860藉由槽閥846之上部分848a移出該處理腔。
圖18及19分別為展示出根據本發明之另一例示性實施例的電漿裝置中之基材支撐部件的橫截面平面示意圖。
在圖18及圖19中，基材支撐部件850包括一跨越基座830中心部分之線852、一方向改變構件854、一方向改變構件支撐件858、一第一線終端856、一第二線終端857及複數個頂升銷900。該線852於基座830上方水平延伸。由於藉由方向改變構件854將線852之水平方向改變為垂直方向，因此線852垂直延伸至基座830外部。該方向改變構件854可由方向改變構件支撐件858支撐。藉由第一線終端856將線852之第一端連接至腔體814之側壁上，且藉由第二線終端857將線852之第二端連接至張力控制部件859。
複數個頂升銷900對應於基座930之邊界部分，而線852對應於基座830之中心部分。另外，該線與基座830之長邊830a平行。因此，基材"S"係被基材"S"之邊界部分處的複數個頂升銷900及基材"S"之中心部分處的線852所支撐。複數個頂升銷900可由陶瓷或不繡鋼製成。
圖20A至圖20F為展示出轉移具有圖18及19中之基材支撐部件的電漿裝置中之基材的方法的橫截面平面示意圖。
在圖20A中，其上具有基材"S"之機械臂860藉由槽閥846之上部分848a插入該處理腔中。基材支撐部件850包括線852，且複數個頂升銷900及基座830在處理腔中形成。另外，線852通過腔體814之底部連接至張力控制部件859。即使未在圖20A中圖示，但是線852對應於基材"S"之中心部分，且複數個頂升銷900對應於基材"S"之邊界部分。此外，線852具有與複數個頂升銷900大體相同的高度。
在圖20B中，其上具有基材"S"之機械臂860安置於基座830、基材支撐部件850之複數條線852及在基座830上方伸出之複數個頂升銷900上方的處理腔中心部分中。線852及複數個頂升銷900與基材"S"相分離。接著，其上具有基材"S"之機械臂860向下移動。
在圖20C中，由於複數個頂升銷900之間的間隙比機械臂860寬，因此複數個頂升銷900在不接觸機械臂860之情形下接觸基材"S"。隨機械臂860進一步向下移動，機械臂860與該基材"S"相分離且基材"S"被該線852及複數個頂升銷900所支撐。
在圖20D中，機械臂860藉由槽閥846之下部分848b移出該處理腔。
在圖20E中，基座830向上移動以接觸線852。由於基座860包括線凹槽832，因此將線852完全插入基座830之線凹槽832中。另外，複數個頂升銷900通過基座830中之複數個頂升銷孔（未圖示）相對向下移動。因此，該基材"S"均勻接觸基座830且由基座830安全支撐。張力控制部件859在基座830接觸基材"S"之前不調節複數條線852之張力。
在圖20F中，其上具有基材"S"之基座830進一步向上移動。由於線凹槽832中之線852亦隨基座830向上移動，因此該線852可被擴張以改變線852之張力。因此，張力控制部件859調節線852之張力以防止線852的破裂及由線852所造成之基材"S"的缺陷。例如，當其上具有基材"S"之基座830向上移動時，風箱型張力控制部件859可接觸以保持複數條線852之最佳張力。大體上，該處理腔中線852之長度增加。即使未在圖20F中示出，但是可單獨或同時操作張力控制構件859及基座830。複數個頂升銷900與基座830一同向上移動。
接著，將該源氣體激發為電漿態並將其沉積於該基材"S"上以形成薄膜。形成薄膜後，藉由與圖20A至20F所展示製程相反之製程而將其上具有薄膜之基材"S"移出該處理腔。在基材"S"上形成薄膜之後，其上具有基材"S"之基座830向下移動，且該張力控制構件859調節線852之張力。例如，風箱型張力控制構件859可擴張以保持線852之最佳張力，藉此該處理腔中線852之長度大體減小。接著，隨基座830進一步向下移動，線852與基座830相分離且複數個頂升銷900在基座830上方突出以支撐基材"S"。接著，機械臂860藉由槽閥846之下部分848b移入處理腔中且安置於基材"S"與基座830之間。接著，機械臂860向上移動以接觸基材"S"，且線852及複數個頂升銷900與基材"S"相分離。結果，基材"S"由機械臂860支撐。接著，其上具有基材"S"之機械臂860藉由槽閥846之上部分848a移出該處理腔。
在根據本發明之電漿裝置中，一基材支撐部件包括複數條線，而一基座包括對應於複數條線之複數個線凹槽。當該等線具有與該等線凹槽相同之數目時，線凹槽形成於該基座之預設區域中。該基座之預設區域中之線凹槽可致使薄膜厚度之均一性較差。
圖21A為展示出根據本發明之一例示性實施例之電漿裝置中之基座及基材的橫截面示意圖，而圖21B為展示出圖21A之基材上的薄膜厚度之圖式。
在圖21A中，將基材"S"放置於具有複數個線凹槽832之基座830上，且將複數條線852插入複數個線凹槽832中。在複數個線凹槽832區域中，基材"S"不接觸基座830且與基座830間隔開。在製造過程中，藉由基座830中之一加熱器（未圖示）加熱基材"S"。由於基材"S"並不完全接觸基座830，因此複數個線凹槽832區域之熱傳遞與其他區域之熱傳遞不同，且熱量並非均勻傳遞至基材"S"上。結果，基材"S"之溫度均一性較差。
此外，基座830充當一下電極以藉由使用氣體擴散部件（未圖示）作為上電極而產生電漿。由於導體電極之等位線與該電極之外表面平行，因此基座830之等位線具有對應基座830頂表面之凹凸不平的形狀。因此，由基座830及氣體擴散部件所產生之電場係不均勻的，且該電場之電漿密度亦係不均勻的。
如圖21B所示，基材"S"的溫度與電漿密度之均一性較差導致該基材"S"上之薄膜"F1"的厚度差異。對應於複數個線凹槽832（圖21A）之薄膜"F1"的厚度小於對應於其他區域之薄膜"F1"的厚度。
當該薄膜"F1"之厚度差異為△t1且平均厚度為ta v g 1 時，薄膜"F1"之均一性可定義為等式U(%)＝(△ t1/2ta v g 1 )X100。圖22及23為展示出根據本發明之另一實施例的電漿裝置之基座的平面示意圖。
在圖22及圖23中，基座930在其頂表面上具有複數個線凹槽932、932a及932b，且複數個線凹槽932、932a及932b之數目大於複數條線之數目（未圖示）。因此，將複數條線插入複數個線凹槽932、932a及932b中之某些線凹槽中。複數個線凹槽932、932a及932b彼此大體上相等地間隔開，且形成於基座930之整個頂表面上。結果，複數個線凹槽932、932a及932b均勻地形成於基座930之頂表面上，藉此改良該薄膜之厚度均一性。形成與圖22中之基座930之長邊平行的複數個線凹槽932，而形成與基座930之長邊平行的複數個第一線凹槽932a，且形成與基座930之短邊平行的第二線凹槽932b。
圖24A為展示出根據本發明之另一實施例的電漿裝置之基座及薄膜之橫截面示意圖，而圖24B為展示出圖24B基材上之薄膜厚度的圖式。
在圖24A中，基材"S"放置於具有複數個線凹槽932之基座930上，且複數條線952插入線凹槽932中之某些線凹槽中。因此，其他複數個線凹槽932可不包括複數條線952。在複數個線凹槽932區域中之基材"S"並不接觸基座930且與基座930間隔開，而在其他區域中之基材"S"接觸該基座。複數條線凹槽932彼此大體相等地間隔開，且形成於該基座930之整個頂表面上。
在製造過程中，藉由基座930中之一加熱器（未圖示）加熱基材"S"。儘管基材"S"並非全部接觸基座930，但是由於複數個線凹槽932形成於基座930之整個表面上且彼此相等地間隔開，所以自該加熱器至該基材"S"之熱傳遞及電漿密度係均勻的。結果，薄膜"F2"之厚度均一性得以改良。
如圖24B所示，由於複數個線凹槽932，該薄膜"F2"具有複數個鋸齒狀部分。該等鋸齒狀部分比線凹槽932較寬，並且該等線凹槽932彼此間隔開，從而複數個鋸齒狀可彼此重疊。因此，薄膜"F2"之厚度差異△t2減小。結果，可改良薄膜"F2"之厚度均一性（其被定義為U(%)＝(△t2/2ta v g 2 )X100等式）。當複數個線凹槽932形成於該基座930之整個表面上且彼此相等間隔開，從而該薄膜"F2"複數個鋸齒狀部分彼此重疊時，厚度均一性可得以改良。每一線凹槽932之寬度及相鄰線凹槽之間的距離可根據基座尺寸及該等線凹槽之數目來界定。例如，每一條線之寬度可處於自約1 mm至約2 mm的範圍內，且相鄰線凹槽932之間的距離可大於1 mm。
另外，當複數個線凹槽932多於複數條線952時，存在其他優勢。由於在製造過程中加熱基座930，所以基座930可接觸或擴張。即使安置一第一線凹槽以對應於一第一線，但在基座930收縮或擴張之後，該第一線凹槽不再對應該第一線。然而，由於複數個線凹槽932多於複數條線952，所以第一線可對應於鄰近第一線凹槽之第二線凹槽。因此，即使當基座930收縮或擴張時，複數條線952插入複數條線凹槽中。
參考圖25A及圖25B說明具有改良形狀之複數條線。圖25A及圖25B為展示出根據本發明之另一例示實施例的電漿裝置之基座中的複數個線凹槽的橫截面示意圖。
在圖25A及圖25B中，複數個線凹槽932形成於基座930之頂表面上。線凹槽932不具有矩形形狀，但自橫截面上看其具有梯形或三角形形狀。由於線凹槽932之側壁傾斜，所以當線凹槽932由於基座930之收縮及擴張而移位時，線952可滑入線凹槽932。因此，可改良線952與線凹槽932之未對準及線952不完全插入線凹槽932。
在根據本發明之電漿裝置中，一基材支撐部件藉由使用複數條線或使用複數條線及複數個銷穩定地支撐一基材。因此，基材上之薄膜厚度均一性得以改良。
熟習此項技術者應瞭解可在不脫離本發明精神及範圍的前提下，對於具有傳送器之裝置做出各種修飾及變化。因此，本發明欲涵蓋隨附申請專利範圍及其均等物範圍之內的本發明修飾及變化。
100．．．處理腔
112．．．蓋
114．．．腔體
120．．．噴頭
122．．．進氣管
124．．．高頻電源部件
130．．．基座
134．．．基座支撐件
136．．．頂升銷孔
136a．．．上部
142．．．排氣管
144．．．基座驅動部件
146．．．槽閥
150．．．頂升銷
150a．．．上部
160．．．機械臂
300．．．處理腔
312．．．蓋
314．．．腔體
320．．．噴頭
322．．．進氣管
324．．．電源部件
330．．．基座
332．．．線凹槽
334．．．基座支承件
336．．．頂升銷孔
342．．．排氣管
344．．．基座驅動部件
346．．．槽閥
350．．．基材支撐部件
352．．．複數條線
352a．．．第一線
352b．．．第二線
354．．．支撐框架
354a．．．第一邊
354b．．．第二邊
354c．．．第三邊
354d．．．第四邊
355a．．．中心上水平部分
355b．．．邊界上水平部分
355c．．．下水平部分
355d．．．垂直部分
358．．．開口部分
359．．．支撐框架終端
359．．．固定構件
360．．．機械臂
362．．．邊緣框架
364．．．邊緣框架終端
400．．．頂升銷
402．．．頂部分
800．．．處理腔
812．．．蓋
814．．．腔體
820．．．噴頭
822．．．進氣管
824．．．供給部件
830．．．基座
830a．．．長邊
832．．．線凹槽
834．．．基座支撐件
844．．．基座驅動部件
846．．．槽閥
846．．．排氣管
847．．．側壁
848a．．．上部分
848b．．．下部分
850．．．基材支撐部件
852．．．線
852a．．．第一線
852b．．．第二線
854．．．方向改變構件
855．．．第二方向改變構件
856．．．第一線終端
857．．．第二線終端
858．．．方向改變構件支撐件
859．．．張力控制部件
859a．．．連接桿
859．．．風箱型張力控制部件
860．．．機械臂
900．．．頂升銷
930．．．基座
932、932a、932b．．．線凹槽
952．．．線
所包括的用以提供對本發明之進一步理解且成為本說明書之組成部分的隨附圖式說明瞭本發明之實施例且所述描述用以揭示本發明之原理。在所述隨附圖式中：圖1為展示出根據相關技術用於液晶顯示裝置之電漿裝置的橫截面示意圖；圖2A至2C為展示出根據相關技術用於液晶顯示裝置之電漿裝置中的基材轉移處理之橫截面示意圖；圖3為展示出根據本發明之一例示性實施例的電漿裝置之橫截面示意圖；圖4A及4B分別為展示出根據本發明之一例示性實施例的電漿裝置中的基材支撐部件之平面透視示意圖；圖5為沿圖4A之V－V線截取之橫截面示意圖；圖6A至6F為展示出根據本發明之一例示性實施例的一種轉移電漿裝置中基材之方法的透視示意圖；圖7A至7F為展示出根據本發明之一例示性實施例的一種轉移電漿裝置中基材之方法的橫截面示意圖；圖8為展示出根據本發明之另一例示性實施例的電漿裝置中的基材支撐部件之透視示意圖；圖9A至9B為展示出根據本發明之另一例示性實施例的轉移電漿裝置中基材的方法之透視示意圖；圖10為展示出根據本發明之另一例示性實施例的電漿裝置之橫截面示意圖；圖11為展示出根據本發明之另一例示性實施例的電漿裝置中的基材支撐部件之透視示意圖；圖12A至12D為展示出根據本發明之另一例示性實施例的轉移電漿裝置中基材的方法之橫截面示意圖；圖13為展示出根據本發明之另一例示性實施例的電漿裝置之橫截面示意圖；圖14A至14B分別為展示出根據本發明之另一例示性實施例的電漿裝置中的基材支撐部件之平面透視示意圖；圖15A至15B分別為展示出根據本發明之另一例示性實施例的電漿裝置中的基材支撐部件之平面透視示意圖；圖16A至16B為展示出根據本發明之另一例示性實施例的電漿裝置中的基材支撐部件之平面透視示意圖；圖17A至17F為展示出根據本發明之另一例示性實施例的轉移電漿裝置中基材之橫截面示意圖；圖18及圖19為展示出根據本發明之另一例示性實施例的電漿裝置中的基材支撐部件之橫截面平面示意圖；圖20A至20F為轉移在具有圖18及19的基材支撐部件之電漿裝置中基材的方法之橫截面示意圖；圖21A為展示出根據本發明之一例示性實施例的電漿裝置中的基座及基材之橫截面示意圖；圖21B為展示出在圖21A基材上的薄膜之厚度的圖式；圖22及圖23為展示出根據本發明之另一實施例的電漿裝置中的基座之平面示意圖；圖24A為展示出根據本發明之另一實施例的電漿裝置中的基座及薄膜之橫截面示意圖；及圖24B為展示出處於圖24A基材上之薄膜的厚度的圖式。圖25A及25B為展示出根據本發明之另一例示性實施例的在電漿裝置中的基座中之複數個線凹槽之橫截面示意圖。
314．．．腔體
330．．．基座
350．．．基材支撐部件
352．．．複數條線
352a．．．第一線
352b．．．第二線
354．．．支撐框架
354a．．．第一邊
354b．．．第二邊
354c．．．第三邊
358．．．開口部分
359．．．支撐框架終端

Claims (26)

  1. 一種用於支撐一基材之構件，其包括：一基座；一處於該基座上方之支撐框架，該支撐框架包括一開口部分，以供一機械臂移入及移出該支撐框架；及至少一條連接至該支撐框架之線。
  2. 如請求項1之構件，其進一步包括一支撐該支撐框架之支撐框架終端。
  3. 如請求項1之構件，其中該支撐框架包括一鋸齒狀部分。
  4. 如請求項1之構件，其中該至少一條線係包括與該基材之一長邊平行的第一線及與該基材之一短邊平行的第二線之複數條線。
  5. 如請求項1之構件，其中該基座包括處於其一頂表面上之至少一線凹槽。
  6. 如請求項5之構件，其中該至少一線凹槽具有與該至少一條線相同之數目。
  7. 如請求項5之構件，其中該至少一線凹槽之數目大於該至少一條線之數目。
  8. 如請求項7之構件，其中該至少一線凹槽係彼此間隔開一段大體相等距離且安置於該基座之整個表面上的複數條線凹槽。
  9. 如請求項5之構件，其中該至少一線凹槽自橫截面上看具有一矩形、一梯形及一三角形中之一形狀。
  10. 如請求項1之構件，其中該至少一條線係由包括鉻(Cr)及 鎳(Ni)、英科耐爾(inconel)合金、蒙乃爾(monel)合金及哈氏(hastelloy)合金、用於鋼琴之鋼及用於鋼琴之高碳鋼中之一者的不銹鋼中之一者形成。
  11. 如請求項1之構件，進一步包含設置於該基座之複數個頂升銷。
  12. 如請求項11之構件，其中該至少一線及該等複數個頂升銷分別對應至該基座之一中央部份及一邊緣部份。
  13. 一種用於製造一液晶顯示器件或一半導體器件之裝置，其包含：一用於處理一基材之處理腔；一在該處理腔中之基座；一在該基座上方之支撐框架，該支撐框架包括一開口部分，以供一機械臂移入及移出該支撐框架；及至少一條連接至該支撐框架之線。
  14. 如請求項13之裝置，其進一步包含一處於該處理腔之一側壁上之支撐框架終端，該支撐框架被放置於該支撐框架終端。
  15. 如請求項13之裝置，其中該支撐框架包括一鋸齒狀部分。
  16. 如請求項13之裝置，其中該基座包括處於其一頂表面上之至少一線凹槽。
  17. 如請求項16之裝置，其中該至少一線凹槽之數目大於該至少一條線之數目。
  18. 如請求項17之裝置，其中該至少一線凹槽係彼此間隔開大體相等之距離且被安置於該基座之整個表面上的複數 個線凹槽。
  19. 如請求項16之裝置，其中該等至少一線凹槽具有於橫截面上看呈一矩形、一梯形、及一三角形中之一形狀。
  20. 如請求項13之裝置，其進一步包括通過該基座之一邊界部分之複數個頂升銷。
  21. 一種用於製造一液晶顯示器件或一半導體器件之裝置，其包含：一用於處理一基材之處理腔；一在該處理腔中之基座；處於該基座上方之複數條線，該等複數條線被連接至該處理腔之一側壁及一底表面中之一者上，其中該基座包含位於該基座之一頂表面上的複數個線凹槽，且該等複數個線凹槽之數目大於該等複數條線之數目；及一連接至每一線之一端的張力控制部件。
  22. 如請求項21之裝置，其中該等複數個線凹槽彼此間隔開大體相等之距離且被安置於該基座之整個表面上。
  23. 如請求項21之裝置，其中該基座包括處於其一頂表面上之複數個線凹槽且該等複數個線凹槽具有於橫截面上看呈一矩形、一梯形、及一三角形中之一形狀。
  24. 一種用於轉移一處於一裝置中之基材的方法，其包含下列步驟：a)移動一具有使其上之該基材進入該裝置之一處理腔的機械臂，該機械臂安置於一支撐框架上方，複數條線連接至該支撐框架，且一基座處於該處理腔之該支撐框 架下方；b)向下移動該機械臂以使得該基材被該等複數條線所支撐；c)將該機械臂自該處理腔中移出；及d)向上移動該基座以使得該基材被該基座所支撐。
  25. 如請求項24之方法，其進一步包含：e)向上移動其上具有該基材之該基座，以使得一邊緣框架覆蓋該基材之一邊界部分。
  26. 如請求項25之方法，其中該步驟e)包括同時向上移動該基座與該支撐框架。
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