JPS6127653A

JPS6127653A - 半導体ウエ−ハ支持装置

Info

Publication number: JPS6127653A
Application number: JP14921684A
Authority: JP
Inventors: Tadao Fukuyoshi; 福良　忠雄
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1984-07-18
Filing date: 1984-07-18
Publication date: 1986-02-07

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（発明の技術分野）本発明は半導体ウェーハの支持装置に関するもので、特
に低温酸化膜形成装置に使用されるものである。

〔発明の技術的背景〕

半導体装置の製造においてはリンシリケートガラス（Ｐ
ＳＧ）等の保護膜形成、ＣＶＤ法による層間絶縁膜の形
成等において約４５０℃の雰囲気中で酸化膜を堆積させ
る低温酸化膜形成装置が用いられる。この低＆［化膜形
成装置内で用いられるウェーハの支持台（す廿ブタ）を
第６図に示す。

第６図は支持台１上に「ウェーハ３を載置した様子を示
す斜視図であって、Ｂ方向から見た側面図を示す第７図
に示されるように、支持台１の表面には細い溝２が１０
７１１目状に形成されている。この溝２は、支持台１の
表面が完全に平坦であるとウェーハ３の下面との間に介
在する空気層のため、ウェーハ３が支持台１の表面上を
滑るおそれがあるためこれを防止するためのものである
。

このように支持台１上にウェーハ３が載置された状態で
低温酸化膜形成装置内で酸化膜が形成される。

〔背現技術の問題点〕

しかしながら、第８図の正面図に示されるように酸化膜
５はウェーハ３の表面に形成されるのみでなく支持台１
の表面にも形成される。被処理ウェーハのセットａ３よ
び処理済ウェーハのリセットはバキュームピンセット４
によりウェーハ３の表面を吸着することにより行われる
が、ウェーハ表面をチャッキングするため、第９図に示
すようにバキュームピンセットの接触傷８がウェーハ３
の表面に付き、この傷がウェーハ３および形成された酸
化膜５を損傷づるためその部分での半導体チップの歩留
りが低下するという問題がある。

また、酸化膜５が支持台１の表面上にも形成されている
ため、ウェーハ３のレット、リセット時に第８図に示す
ように酸化シリコンの粉末６が飛敗し、第９図に示ずよ
うにつｊ−凸表面に載って焼き付くという現象が見られ
る。この焼き付いた酸化シリコン粉末７はレジスト塗布
の均一性を妨げ、エツチング特性を蝮えるため正確なパ
ターニングが不可能となり、製品歩留りをさらに低下さ
せるという問題がある。

〔発明の目的〕

本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、ウェー
ハ表面のチャッキングによる傷および酸化シリコン粉末
の付着のない半導体ウェーハの支持装置を提傅すること
を目的とする。

〔発明の概要〕

上記目的達成のため、本発明においては、支持すべき半
導体ウェーハの直径よりも狭い幅を有し、ウェーハ支持
体の上面よりも突出したウェーハ支持面を有するウェー
ハ支持部材と、処理時には前記ウェーハ支持部材の前記
ウェーハ支持面よりも下方に収納され、前記半導体ウェ
ーハのセットおよび取出し時には前記つＴ−ハ支持面よ
りも上方に移動して前記半導体ウェーハを保持する少な
くとも２本のウェーハ支持ワイヤとを備えるようにして
おり、ワイＡ７によりウェーハ支持体の上方に移動させ
た状態でウェーハ裏面をチャッキングできるため、傷お
Ｊ：び酸化シリコン粉末付着・の発生を防止でき製品歩
留りを向上できるものである。

〔発明の実施例〕

以下、図面を参照しながら本発明の実施例のいくつかを
詳細に説明する。

第１図は本発明にがかるウェーハ支持装置の構成を示す
斜視図であって、ウェーハ３を載置した様子を示してお
り、まｌＣ１第２図はへ方向から見た側面図である。こ
れによれば、アルミニウム製のウェーハ支持体１１はウ
ェーハ３の直径よりも狭い幅を有Ｊるウェーハ指示部１
１ａを２列分備えており、このウェーハ指示部１１ａは
ウェーハ支持体１１の上面１１ｃよりも上方に突出して
いる。ウェーハ支持部１１ａの下面には断面矩形の２つ
の直線溝１１ｂが平行に形成されている。この溝１１ｂ
内には、支持体１１の長手り向の両延長部に設けられた
１対のワイヤ係止部材１３によって緊張状態で懸架され
た鋼製のウェーハ支持ワイヤ１２が配設される。ワイヤ
の懸垂を防止するためには、ワイヤ係止部材１３の−・
方においてワイヤ先端にばね、重錘等により引張力を与
えておくことが望ましい。このワイヤ係止部材１３の下
部には２つの１７−シリンダ１５の摺動＠１４が固着さ
れており、４つのエアーシリンダ１５を同時に駆動する
ことによりワイヤ係止部材１３およびワイヤ１２を平行
に保ったまま上下させることができる。第２図はウェー
ハ３の処理時にワイヤ１２が下がって溝１１ｂの中にあ
る状態を示し、第３図はウェ、−ハ３のセットおよび取
出し時にワイヤ１２が上ってｔｇ　１１　ｂの外に出た
状態を示している。この状態ではバキＪ−ムピンセット
１６をウェーハ裏面３ｂに接触さゼることができる。

したがって半導体デツプを形成づるつ〕、−凸表面３ａ
にバキコームピンセットの接触傷を付けることはない。

また、ウェーハ３のセラ１〜および取出し時にはウェー
ハ３が接触リ−るのはワイヤ１２のみであり、酸化膜５
が形・成された支持部上面１１ｃには接触しないから酸
化シリコンの粉を巻き上げることはなく、ウェーハ表面
３ａへの酸化シリコン粉の焼き付き現象は生じない。

第４図は本発明の伯の実施例を示す斜視図であり、第５
図はその動作を示す模式的正面図であって、ウェーハ支
持係１１の両延長部には、被処理ウェーハを１枚取出り
毎に高さが１段ずつ変動するウェーハ取出しキャリア１
７ａおよび処理済つ工−ハを収納する毎に収納部１段ず
つ高さが変動するウェーハ収納キャリア１７ｂが設けら
れている。また、ワイヤ１２′はエンドレスとなってお
り、ウェーハ取出しキＩ／リアｉ７ａおよびウェーハ収
納キャリア１７ｂのそれぞれ近傍に設けられた方向変換
プーリ１８ａおＪ：び１８ｂで支持され、回転駆動プー
リ１９の回転によりウェーハ３を所定方向に搬送するこ
とができる。この回転駆動プーリはモータ（図示せず）
により回転駆動される。

これらのワイヤ１２′、方向変換プーリ１８ａおよび１
８ｂ１回転駆動プーリ１９＠から成る搬送系は一体とし
て上下動が可０とであり、′その駆動はエアーシリンダ
２０により行なわれる。

この装置においては、つ王−ハ３のセット時は第５図（
ｂ）に示Ｊように搬送系全体が上昇しておりワイヤ１２
′はウェーハ支持台１１の上方にあり、ワイヤ１２′の
搬送によってウェーハ３がウェーハ取出しキャリア１７
ａから取出されてウェーハ支持部１１ａｌの所定位嵌に
配設され、また処理済のウェーハ３がウェーハ収納キＶ
リア１７ｂの収納される。第５図（ａ）は搬送系が下降
した状態を示しており、ウ−［−ハ３はウェーハ支持部
１１ａ上に載置された状態で酸化等の処理を行なうこと
ができる。

以上の実施例においてはウェーハ３を支持するワイヤは
２本であったが支持の安定性を高めるために３本以上と
してもにい。

また、実施例においてはウェーハの処理時にウェーハ支
持ワイヤをつｌ−ハ支持面に設けられた溝内に収納して
いるが、これに限られることなく、例えばウェーハ支持
部拐の両側面に沿ってワイヤの上下動を行なうようにし
てもよい。

さらに、実施例で叫ワイヤおよび搬送系の上下動をエア
ーシリンダで行なっているが、カム、電磁ソレノイド、
歯車、リンク機構などあらゆる公知の位置変更機構を用
いて実現させることができる。

また、ウェーハ支持係１１およびワイヤ１２の材料は実
施例に示したものの他各種のものを適宜使用することが
できる。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明においては、支持すべきウェーハ
の直径よりも狭い幅の支持面を有しウェーハ支持係の上
面よりも突出したウェーハ支持部材と、ウェーハ支持部
の上下に移動可能に配設された少なくとも２本のウェー
ハ支持ワイヤとを備えているので、半導体ウェーハのセ
ット時および取出時には支持ワイヤを上昇ざＵることに
より半導体ウェーハの裏面をチャッキングでき、また酸
化シリコン粉末を巻上げることがないから傷および酸化
シリコン粉末の焼付きを防止でき、半導体製品の品質お
よび歩留りの向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にかかる半導体ウェーハ支持装置の一実
施例の構成を示す斜視図、第２図および第３図はその六
方向から見た側面図、第４図は本発明の他の実施例の構
成を示す斜視図、第５図はその動作を示す正面図、第６
図は従来のウェーハ支持台を示す斜視図、第７図は従来
のウェーハ支持台上にウェーハを載置した様子を示す図
、第８図はウェーハの取出し時の様子を示す説明図、第
９図はウェーハ上の欠陥を示づ°説明図である。１・・・ウェーハ支持台、３・・・ウェーハ、４．１６
・・・バキュームピンセット、５・・・酸化膜、７・・
・焼きイ］ぎ、８・・・チ１１ツキング傷、１１・・・
ウェーハ支持体、１１ａ・・・つ」−ハ支持部材、１１
ｂ・・・渦、１１ｃ・・・ウェーハ支持体上面、１２．
１２’　・・・ワイヤ、１３・・・ワイヤ係止部材、１
５．２０・・・エアーシリンダ、１７ａ・・・ウェーハ
取出しキャリア、１７ｂ・・・ウェーハ収納キレリア、
１９・・・回転駆動プーリ。出願人代理人　　猪　　股　　　　　清第１図第２図第３図Ｊｂ　ｌｌｂ　　Ｉｌａ　　１

Claims

【特許請求の範囲】１、支持すべき半導体ウェーハの直径よりも狭い幅を有
し、ウェーハ支持体の上面よりも突出したウェーハ支持
面を有するウェーハ支持部材と、処理時には前記ウェー
ハ支持部材の前記ウェーハ支持面よりも下方に収納され
、前記半導体ウェーハのセットおよび取出し時には前記
ウェーハ支持面よりも上方に移動して前記半導体ウェー
ハを保持する少なくとも２本のウェーハ支持ワイヤと、
を備えた半導体ウェーハ支持装置。２、ウェーハ支持体上面にウェーハ支持ワイヤを収納す
る少なくとも２本の直線溝を形成してなる特許請求の範
囲１項記載の半導体ウェーハ支持装置。３、ウェーハ支持ワイヤがウェーハ支持部材の両側面に
沿って上下に移動可能に配設された特許請求の範囲第１
項記載の半導体ウェーハ支持装置。４、ウェーハ支持ワイヤがウェーハ搬送ワイヤを兼ねた
ものである特許請求の範囲第２項または第３項記載の半
導体ウェーハ支持装置。５、ウェーハ支持ワイヤが５００℃以上の耐熱性を有す
る特許請求の範囲第２項ないし第４項のいずれか記載の
半導体ウェーハ支持装置。