TWI425978B - 以溶膠-凝膠法製備ib-iiia-via化合物粉末之方法 - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種半導體材料之製法，且特別是有關於一種以溶膠-凝膠法製備IB-IIIA-VIA化合物粉末之方法。
IB-IIIA-VIA化合物具有特殊的能階大小(energy gap)，其可藉由調整其各成份之比例而改變材料的電子(electronic)與光學(optical)特性，因此可應用於太陽能電池(solar cell)上。若將IB-IIIA-ⅥA化合物製備成粉末型態時，可將其應用於真空製程之靶材(target)，或者可應用於塗佈製程之原料。然而，製作IB-IIIA-VIA化合物粉末之最大挑戰在於製備出顆粒微小且均勻之粉末。
溶膠凝膠法包含了系統的液相(溶膠)到固相(凝膠)的轉換，在典型的溶膠凝膠法中，溶膠的原料是固體粒子(通常為無機金屬鹽)懸浮在液體中，反應物經過一連串的水解反應(hydrolysis)、縮合反應(condensation)與聚合反應(polymerization)，最後凝結成新的相態，意即凝膠。溶膠凝膠法之優點在於其可在低溫下製備、可控制性高、產物均勻性高等優點，因此廣泛地應用於各種領域，如陶瓷、玻璃、無機薄膜、氣凝膠，有機無機複合材料等。
美國專利公開號US2005/0183767提供一種以溶液方式製備太陽能電池的方法，首先取含有IB、IIIA與IA族元素之有機金屬化合物，將該些有機金屬混合後以形成有機金屬液態油墨(organometallic liquid ink)，再將此油墨塗佈於基材上，之後再進行硒化處理，以得到IB-IIIA-VIA薄膜。然而，有機金屬毒性較高且不穩定，因此製備過程需小心使用。
若能將溶膠凝膠法結合至製備IB-IIIA-VIA化合物之方法上，應有助於提供微小且均勻的粉末顆粒。
本發明提供一種IB-IIIA-VIA化合物粉末之製法，包括以下步驟：(a)將IB族化合物與IIIA族化合物溶於一溶劑中：(b)加入一凝膠劑(gelation agent)於步驟(a)之溶劑中以形成溶膠(sol)；(c)乾燥該溶膠以得到一凝膠(gel)；(d)加熱該凝膠以得到一含有IB與IIIA族元素之前驅物粉末；以及(e)對該前驅物粉末進行熱處理製程，以導入一VIA族元素於該前驅物粉末中，以得到IB-IIIA-VIA化合物粉末。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
本發明提供一種IB-IIIA-VIA化合物粉末之製法，包括以下步驟，首先進行步驟(a)將IB族化合物與IIIA族化合物溶於溶劑中，其中IB族包括銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)或上述之組合，而IB族化合物包括含有IB族之氧化物、氮化物、氫氧化物、鹵化物、硝酸物、醋酸物、硫酸物、碳酸物、氯酸物、磷酸物、硒酸物、草酸物、磷化物，例如氧化銅(CuO)、氮化銅(Cu(N3
)2
)、氫氧化銅(Cu(OH)2
)、氯化銅(CuCl2
)，硝酸銀(AgNO3
)、硝酸銅(Cu(NO3
)2
)、硫酸銅(CuSO4
)、醋酸銅(Cu(CH3
COO)2
)、醋酸銀(CH3
COOAg)、碳酸銅(Cu2
CO3
)、草酸銅(CuC2
O4
)、氯酸銅(Cu(ClO4
)2
)、磷酸銅(Cu3
(PO4
)2
)、硒酸銅(CuSeO4
)或磷化銅(Cu3
P)。
上述之IIIA族包括鋁(Al)、銦(In)、鎵(Ga)或上述之組合，而IIIA族化合物包括含有IIIA族之氧化物、氮化物、氫氧化物、鹵化物、硝酸物、醋酸物、硫酸物、碳酸物、氯酸物、磷酸物、硒酸物、草酸物或磷化物，例如氧化銦(In2
O3
)、氧化鎵(Ga2
O3
)、氮化銦(InN)、氮化鎵(GaN)、氫氧化銦(In(OH)3
)、氫氧化鎵(Ga(OH)3
)、氯化鋁(AICl3
)、氯化銦(InCl3
)、氯化鎵(GaCl3
)、硝酸鋁(Al(NO3
)3
)、硝酸銦(In(NO3
)3
)、硝酸鎵(Ga(NO3
)3
)、醋酸銦(In(CH3
COO)3
)、醋酸鋁(Al(CH3
COO)3
)、碳酸鋁(Al2
(CO3
)3
)、草酸鋁(Al2
(C2
O4
)3
)、醋酸鎵(Ga(CH3
COO)3
)、硫酸銦(In2
(SO4
)3
)、硫酸鋁(Al2
(SO4
)3
)、硫酸鎵(Ga2
(SO4
)3
)、氯酸銦(In(ClO4
)3
)、氯酸鎵(Ga(ClO4
)3
)、磷酸銦(InPO4
)、磷酸鎵(GaPO4
)、硒酸銦(In2
(SeO4
)3
)、硒酸鎵(Ga2
(SeO4
)3
)、磷化銦(InP)或磷化鎵(GaP)。
此處需注意的是，IB族與IIIA族化合物之選擇，並不限於上述提及之化合物，只要含有IB族、IIIA族元素之化合物皆可。
上述之溶劑除了溶劑水之外，尚可包括醇類、酮類、醚類、胺類、酸類、鹼類或上述之組合。上述醇類包括甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、正丁醇、異戊醇或乙二醇；酮類包括丙酮、丁酮、甲基異丁酮；醚類包括甲醚、乙醚、甲乙醚、二苯醚、乙二醇甲醚、乙二醇丁醚或乙二醇乙醚醋酸；胺類包括乙二胺、二甲基甲醯胺、三乙醇胺或二乙醇胺。上述酸類包括硝酸、鹽酸、硫酸、醋酸或丙酮酸。上述鹼類包括氫氧化鈉(NaOH)、氫氧化鉀(KOH)、氫氧化鋰(LiOH)、尿素(CON2
H4
)、氨(NH3
)、碳酸鈉(Na2
CO3
)、碳酸氫鈉(NaHCO3
)或上述之組合。
然而，溶劑之選擇並不限於上述提及之醇類、酮類、醚類、胺類、酸類、鹼類溶劑，只要是能將上述化合物溶解之單一或混合溶劑皆可。
上述IB族化合物與IIIA族化合物之莫耳數比為約(0.7~1.4)：(0.7~1.4)，較佳為約(0.7~1.3)：(0.7~1.3)，最佳為約(0.8~1.3)：(0.8~1.3)。
此外，步驟(a)之溶劑中尚可添加IA族化合物或VIA族化合物，其中添加IA族化合物可改善太陽電池之特性。例如，可添加IA族化合物提高電池之光電轉化效率，其中IA族包括鋰(Li)，鈉(Na)、鉀(K)或上述之組合，而IA族之化合物包括IA族之鹵化物、硝酸物、醋酸物、硫酸物、碳酸物或氯酸物，例如氯化鋰(LiCl)、氯化鈉(NaCl)、氯化鉀(KCl)、硝酸鋰(LiNO3
)、硝酸鈉(NaNO3
)、硝酸鉀(KNO3
)、醋酸鋰(CH3
COOLi)、醋酸鈉(CH3
COONa)、醋酸鉀(CH3
COOK)、硫酸鋰(Li2
SO4
)、硫酸鈉(Na2
SO4
)、硫酸鉀(K2
SO4
)、碳酸鋰(Li2
CO3
)、碳酸鈉(Na2
CO3
)、碳酸鉀(K2
CO3
)、氯酸鋰(LiClO3
)、氯酸鈉(NaClO3
)或氯酸鉀(KClO3
)。
上述之VIA族包括硫(S)、硒(Se)、銻(Te)或上述之組合，而VIA族化合物包括含有VIA族之氧化物、鹵化物、鹵氧化物，硫化物、硒化物、胺化物、脲化物、硒酸物、硫酸物或碲酸物，例如氧化硒(SeO2
)、氧化碲(TeO2
)、硫酸(H2
SO4
)、硒酸(H2
SeO4
)、碲酸(H2
TeO4
)、亞硫酸(H2
SO3
)、亞硒酸(H2
SeO3
)、亞碲酸(H2
TeO3
)、硫脲(thiourea,CS(NH2
)2
)、硒脲(selenourea,CSe(NH2
)2
)、二氯化硒(SeCl2
)、四氯化硒(SeCl4
)、二氯化碲(TeCl2
)、四氯化碲(TeCl4
)、二溴化硒(SeBr2
)、四溴化硒(SeBr4
)、二溴化碲(TeBr2
)、四溴化碲(TeBr4
)、氯氧化硒(SeOCl2
)或硫化硒(SeS2
)。
上述IB族化合物、IIIA族化合物與IA族化合物莫耳數比為約(0.7~1.4)：(0.7~1.4)：(0.005~0.2)，較佳為約(0.7~1.3)：(0.7~1.3)：(0.006~0.2)，最佳為約(0.8~1.3)：(0.8~1.3)：(0.008~0.2)。
接著，進行步驟(b)加入凝膠劑(gelation agent)於步驟(a)之溶劑中以形成溶膠(sol)，其中凝膠劑有兩種，第一種凝膠劑包括螯合劑與聚合劑，其中螯合劑可與金屬陽離子產生鍵結，形成錯合物，以增進金屬離子分佈之均勻性與反應性，而聚合劑之作用在於可與螯合劑產生脫水聚合反應，以增加反應之均勻性。
上述螯合劑包括酒石酸、草酸、丙酸、順丁烯二酸、檸檬酸(citric acid)、五亞乙基六胺(pentaethylenehexamine,PEHA)、甲基丙烯酸縮水甘油酯(glycidyl methacrylate,GMA)或乙二胺四乙酸(ethylenediaminetetraaccetic acid,EDTA)，而聚合劑為含有兩個以上羥基之多元醇，如乙二醇、丙二醇、丙三醇、丁二醇、丁三醇、丁四醇、戊二醇、戊三醇、聚乙二醇、甘油等。
另一種凝膠劑為含有羥基之高分子，其中含有羥基之高分子包括聚乙烯醇(poly(vinyl alchol))、聚乙烯醇縮丁醛(poly(vinyl butyral))或聚乙二醇，此類高分子同樣能提高金屬離子分佈之均勻性。
接著，進行步驟(c)乾燥溶膠以得到凝膠(gel)，其中乾燥溫度為約70℃~350℃，時間約為30分鐘~8小時，此步驟用以去除多餘的水分，以幫助形成凝膠。
之後，進行步驟(d)加熱凝膠以得到前驅物粉末，加熱溫度為約約200℃~800℃，時間約為1小時~5小時，此步驟用以去除多餘水分與有機物。
之後，進行步驟(e)對前驅物粉末進行熱處理製程，以導入VIA族元素於該前驅物粉末中，以得到IB-IIIA-VIA族化合物粉末。熱處理製程之目的在於改善粉末特性，使粉末更具有均勻的表面型態(morphology)。上述之VIA族與其化合物同前所述，在此不再贅述。
熱處理製程可分成兩種製程，第一種製程包括混合含有VIA族粉末與前驅物粉末以得到混合粉末；以及將混合粉末置於氣體氣氛中進行熱處理製程，其中VIA族之粉末與前驅物粉末之莫耳數比為約(0.01~20)：1，較佳為約(0.5~10)：1，更佳為約(1~4)：1。
上述之氣體氣氛包括含有VIA族元素之氣體，如硒化氫(H2
Se)、硫化氫(H2
S)、硒(Se)蒸氣，硫(S)蒸氣、碲(Te)蒸氣或上述之組合。此外，氣體氣氛尚包括其他氣體，如氮氣(N2
)、氫氣(H2
)、氬氣(Ar)、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2
)、氨氣(NH3
)、一氧化氮(NO)、氧氣(O2
)、空氣或上述之組合。
第二種熱處理製程包括將前驅物粉末置於含有VIA氣體氣氛中進行熱處理製程，此處之VIA族氣體氣氛同上所述，在此不再贅述。不論是第一種或第二種熱處理製程，其製程溫度為約300℃~900℃，時間為約1小時~24小時。
此處需注意的是，上述步驟(a)~步驟(c)之製備過程，可於一般室溫與大氣環境下進行，不需額外控制製程之氣氛、溫度、濕度與壓力。
相較於習知之合金製備法，本發明利用溶膠凝膠法製備IB-IIIA-VIA化合物粉末之優點在於金屬離子於溶液中分佈較為均勻，製程溫度較低，且製備時間較短。相較於先前技術(US 2005/0183767)使用有機金屬作為起始物，本發明步驟(a)之IB族或IIIA族化合物不但無毒性，且化學穩定性較高，且製備成本較低，更有利於產業上之應用。
本發明製得之IB-IIIA-VIA化合物粉末，由X光繞射圖譜分析證實產物為黃銅礦(chalcopyrite)之晶體結構。另外，由掃描式電子顯微鏡(SEM)分析得知，其顆粒大小為約0.01~3μm，較佳為約0.01~0.1μm，且所得之IB-IIIA-VIA化合物粉末為球狀結構，其具有多維(multiple-dimension)表面型態，於後續塗佈製程時，具有多維的表面型態之黄銅礦粉末可得到較為均勻的塗佈表面。
綜上所述，本發明利用溶膠凝膠法製備IB-IIIA-VIA化合物粉末，藉由凝膠劑，使金屬離子均勻的分佈於溶膠溶液中，經過乾燥形成凝膠後，再配合後續的熱處理製程以得到顆粒小且均勻的粉末。
由上述製法製得之IB-IIIA-VIA化合物粉末，其可作為真空製程之靶材(target)，其中真空製程包括蒸鍍或濺鍍。
此外，上述IB-IIIA-VIA化合物粉末製成漿料(slurry)混合後，可作為塗佈製程之原料，其中塗佈製程包括旋轉塗佈(spin coating)、棒狀塗佈(bar coating)、浸漬塗佈(dip coating)、滾筒塗佈(roll coating)、噴霧塗佈(spray coating)、凹版式塗佈(gravure coating)、噴墨印刷(ink jet printing)、狹縫塗佈(slot coating)或刮刀塗佈(blade coating)。再者，IB-IIIA-VIA化合物粉末亦可作為太陽能電池(Solar Cell)之吸光材料。
實施例1
依CuInSe2
化學成分比例，配出CuCl2
和InCl3
之混合水溶液，先加入檸檬酸當作螯合劑，再加入乙二醇當作聚合劑。
將此水溶液攪拌均勻後，進行乾燥得到凝膠狀產物，將此凝膠狀產物在400℃的爐中加熱三小時排除有機物以獲得前驅物，將前驅物與過量的硒粉進行球磨混合，使Se與(Cu+
+In3+
)之莫耳數比為1.1:1，然後在氮氫還原氣氛下500℃加熱一小時，即可獲得所需的CuInSe2
粉體。
第1圖為粉體之X-ray繞射分析圖譜，圖中顯示此粉體具有(112)、(204)/(220)與(312)/(116)三支主要繞射峰，其中(204)與(220)為同位置之繞射峰，(312)與(116)亦為同位置之繞射峰，符合ICDD卡編號895646圖譜，此粉體為黃銅礦結構。
實施例2
依CuIn0.5
Ga0.5
Se2
化學成分比例，配出CuCl2
、InCl3
、Ga(NO3
)3
與SeO2
之水溶液，並加入5莫耳%的NaCl於水溶液中，先加入草酸當作螯合劑再加入甘油當作聚合劑。將此水溶液攪拌均勻後，進行乾燥得到凝膠狀產物，將此凝膠狀產物在500℃的爐中加熱三小時排除有機物以獲得前驅物，然後將前驅物在氮氫還原氣氛下550℃加熱三十分鐘，即可獲得所需的CuIn0.5
G0.5
Se2
粉體。
此粉體經X-ray繞射圖譜分析後具有(112)、(204)/(220)與(312)/(116)三支主要繞射峰，符合ICDD卡編號401488圖譜，此粉體為黃銅礦結構。
實施例3
依CuIn0.7
Ga0.3
Se2
化學成分比例，配出CuCl2
、InCl3
與Ga(NO3
)3
之水溶液，再加入乙二胺四乙酸(ethylenediamineteraacetic acid,EDTA)當作螯合劑，再加入丙二醇當作聚合劑。
將此水溶液攪拌均勻後，進行乾燥得到凝膠狀產物，將乾燥後的凝膠狀產物在550℃的爐中加熱一小時排除有機物以獲得前驅物，再將前驅物和過量的硒粉進行球磨混合，使Se與(Cu+
+In3+
+Ga3+
)之莫耳數比為1.5:1，然後在含硒氣的氮氫還原氣氛下550℃加熱30分鐘，即可獲得所需的CuIn0.7
Ga0.3
Se2
粉體。
此粉體經X-ray繞射圖譜分析後具有(112)、(204)/(220)與(312)/(116)三支主要繞射峰，其中(204)與(220)為同位置之繞射峰，(312)與(116)亦為同位置之繞射峰，符合ICDD卡編號351102圖譜，此粉體為黃銅礦結構。
實施例4
依Cu1.2
AlSe2
化學成分比例，配出CuCl2
與Al(NO3
)3
之水溶液，並加入10莫耳%的NaCl於水溶液中，再加入聚乙烯醇(Polyvinyl Alcohol，PVA)當作凝膠劑，將此水溶液攪拌均勻後，進行乾燥得到凝膠狀產物，將乾燥後的凝膠狀產物在350℃的爐中加熱三小時排除有機物以獲得前驅物，再將前驅物和過量的硒粉及硫粉進行球磨混合，使(Se+S)與(Cu+
+In3+
+Ga3+
)之莫耳數比為2:1，然後在氮氫還原氣氛下450℃加熱一小時，即可獲得所需的CuAl(Se,S)2
粉體。
此粉體經X-ray繞射圖譜分析後具有(112)、(204)與(312)三支主要繞射峰，符合ICDD卡編號750101圖譜，此粉體為黃銅礦結構。
實施例5
依Cu0.8
GaSe2
化學成分比例，配出CuCl2
、Ga(NO3
)3
與H2
SeO3
之混合水溶液，先加入酒石酸當作螯合劑再加入丁二醇當作聚合劑。
將此水溶液攪拌均勻後，進行乾燥得到凝膠狀產物，將此凝膠狀產物在480℃的爐中加熱一小時排除有機物以獲得前驅物，然後將前驅物在氮氫還原氣氛下500℃加熱一小時，即可獲得所需的CuGaSe2
粉體。
此粉體經X-ray繞射圖譜分析後具有(112)、(220)、(204)與(312)、(116)五支主要繞射峰，符合ICDD卡編號810903圖譜，此粉體為黃銅礦結構。
實施例6
依AgIn1.3
Se2
化學成分比例，配出AgNO3
和In(NO3
)3
之水溶液，加入聚乙二醇(polyethylene glycol,PEG)當作凝膠劑，將此水溶液攪拌均勻後，進行乾燥得到凝膠狀產物，將此凝膠狀產物在400℃的爐中加熱三小時排除有機物以獲得前驅物，將此前驅物和過量的硒粉進行球磨混合，使Se與(Ag+
+In3+
)之莫爾數比為3:1，然後在含硒氣的氮氫還原氣氛下550℃加熱十八小時，即可獲得所需的AgIn1
Se2
粉體。
此粉體經X-ray繞射圖譜分析後可發現有(112)、(204)與(312)三支主要繞射峰，符合ICDD卡編號750118圖譜，此粉體為黃銅礦結構。
雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
第1圖為一X-ray繞射圖，用以說明本發明之黄銅礦粉末之結構。
Claims (10)
- 一種以溶膠-凝膠法製備IB-IIIA-VIA化合物粉末之方法，包括以下步驟：(a)將IB族化合物與IIIA族化合物溶於一溶劑中；(b)加入一凝膠劑(gelation agent)於步驟(a)之溶劑中以形成溶膠(sol)；(c)乾燥該溶膠以得到一凝膠(gel)；(d)加熱該凝膠以得到一含有IB與IIIA族元素之前驅物粉末；以及(e)對該前驅物粉末進行熱處理製程，以導入一VIA族元素於該前驅物粉末中，以得到IB-IIIA-VIA化合物粉末。
- 如申請專利範圍第1項所述之以溶膠-凝膠法製備IB-IIIA-VIA化合物粉末之方法，其中IB族化合物與IIIA族化合物之莫耳數比為約(0.7~1.4)：(0.7~1.4)。
- 如申請專利範圍第1項所述之以溶膠-凝膠法製備IB-IIIA-VIA化合物粉末之方法，其中該溶劑包括水、醇類、酮類、醚類、胺類、酸類、鹼類或上述之組合。
- 如申請專利範圍第1項所述之以溶膠-凝膠法製備IB-IIIA-VIA化合物粉末之方法，其中步驟(a)中尚包括混合IA族化合物或VIA族化合物於該溶劑中。
- 如申請專利範圍第1項所述之以溶膠-凝膠法製備IB-IIIA-VIA化合物粉末之方法，其中該凝膠劑包括一螯合劑與一聚合劑。
- 如申請專利範圍第5項所述之以溶膠-凝膠法製備IB-IIIA-VIA化合物粉末之方法，其中該螯合劑包括酒石酸、草酸、丙酸、順丁烯二酸、檸檬酸(citric acid)、五亞乙基六胺(pentaethylenehexamine,PEHA)、甲基丙烯酸縮水甘油酯(glycidyl methacrylate,GMA)或乙二胺四乙酸(ethylenediaminetetraaccetic acid,EDTA)。
- 如申請專利範圍第5項所述之以溶膠-凝膠法製備IB-IIIA-VIA化合物粉末之方法，其中該聚合劑包括含有兩個以上羥基之多元醇。
- 如申請專利範圍第1項所述之以溶膠-凝膠法製備IB-IIIA-VIA化合物粉末之方法，其中該凝膠劑包括含有羥基之高分子。
- 如申請專利範圍第1項所述之以溶膠-凝膠法製備IB-IIIA-VIA化合物粉末之方法，其中該熱處理製程包括以下步驟：混合一含有VIA族粉末與該前驅物粉末以得到混合粉末；以及將該混合粉末置於一氣體氣氛中進行熱處理製程。
- 如申請專利範圍第1項所述之以溶膠-凝膠法製備IB-IIIA-VIA化合物粉末之方法，其中該熱處理製程包括以下步驟：將該前驅物粉末置於一含有VIA族氣體氣氛中進行熱處理製程。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0881695A2 (en) * | 1997-05-16 | 1998-12-02 | International Solar Electric Technology, Inc. | A method of making group IB-IIIA-VIA compund semiconductor films and method of fabricating a photovoltaic device |
| JPH11340482A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-12-10 | Internatl Solar Electric Technol Inc | 化合物半導体フィルムおよび関連電子装置の製造方法 |
| EP0978882A2 (en) * | 1998-07-02 | 2000-02-09 | International Solar Electric Technology, Inc. | An oxide-based method of making compound semiconductor films and making related electronic devices |
| TW200832727A (en) * | 2007-01-17 | 2008-08-01 | Solar Applied Mat Tech Corp | Target and thin film fabricated by the target |
| CN101245443A (zh) * | 2007-02-17 | 2008-08-20 | 光洋应用材料科技股份有限公司 | 靶材以及该靶材所制造的薄膜 |
| CN101468398A (zh) * | 2007-12-28 | 2009-07-01 | 财团法人工业技术研究院 | 纳米级黄铜矿结构粉体及高分子薄膜太阳能电池的制造方法 |
-
2010
- 2010-02-05 TW TW99103461A patent/TWI425978B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0881695A2 (en) * | 1997-05-16 | 1998-12-02 | International Solar Electric Technology, Inc. | A method of making group IB-IIIA-VIA compund semiconductor films and method of fabricating a photovoltaic device |
| JPH11340482A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-12-10 | Internatl Solar Electric Technol Inc | 化合物半導体フィルムおよび関連電子装置の製造方法 |
| EP0978882A2 (en) * | 1998-07-02 | 2000-02-09 | International Solar Electric Technology, Inc. | An oxide-based method of making compound semiconductor films and making related electronic devices |
| TW200832727A (en) * | 2007-01-17 | 2008-08-01 | Solar Applied Mat Tech Corp | Target and thin film fabricated by the target |
| CN101245443A (zh) * | 2007-02-17 | 2008-08-20 | 光洋应用材料科技股份有限公司 | 靶材以及该靶材所制造的薄膜 |
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