TWI425329B - An abnormality detection system, an abnormality detection method, a memory medium, and a substrate processing apparatus - Google Patents

An abnormality detection system, an abnormality detection method, a memory medium, and a substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
TWI425329B
TWI425329B TW099121246A TW99121246A TWI425329B TW I425329 B TWI425329 B TW I425329B TW 099121246 A TW099121246 A TW 099121246A TW 99121246 A TW99121246 A TW 99121246A TW I425329 B TWI425329 B TW I425329B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
signal
data
trigger
abnormality
generated
Prior art date
Application number
TW099121246A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201129885A (en
Inventor
Tsuyoshi Moriya
Yasutoshi Umehara
Yuki Kataoka
Michiko Nakaya
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201129885A publication Critical patent/TW201129885A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI425329B publication Critical patent/TWI425329B/zh

Links

Classifications

    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61K—PREPARATIONS FOR MEDICAL, DENTAL OR TOILETRY PURPOSES
    • A61K8/00—Cosmetics or similar toiletry preparations
    • A61K8/18—Cosmetics or similar toiletry preparations characterised by the composition
    • A61K8/19—Cosmetics or similar toiletry preparations characterised by the composition containing inorganic ingredients
    • A61K8/27—Zinc; Compounds thereof
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61K—PREPARATIONS FOR MEDICAL, DENTAL OR TOILETRY PURPOSES
    • A61K8/00—Cosmetics or similar toiletry preparations
    • A61K8/18—Cosmetics or similar toiletry preparations characterised by the composition
    • A61K8/19—Cosmetics or similar toiletry preparations characterised by the composition containing inorganic ingredients
    • A61K8/25—Silicon; Compounds thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61K—PREPARATIONS FOR MEDICAL, DENTAL OR TOILETRY PURPOSES
    • A61K8/00—Cosmetics or similar toiletry preparations
    • A61K8/02—Cosmetics or similar toiletry preparations characterised by special physical form
    • A61K8/0216—Solid or semisolid forms
    • A61K8/022—Powders; Compacted Powders
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61K—PREPARATIONS FOR MEDICAL, DENTAL OR TOILETRY PURPOSES
    • A61K8/00—Cosmetics or similar toiletry preparations
    • A61K8/18—Cosmetics or similar toiletry preparations characterised by the composition
    • A61K8/19—Cosmetics or similar toiletry preparations characterised by the composition containing inorganic ingredients
    • A61K8/20—Halogens; Compounds thereof
    • A61K8/21—Fluorides; Derivatives thereof
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61K—PREPARATIONS FOR MEDICAL, DENTAL OR TOILETRY PURPOSES
    • A61K8/00—Cosmetics or similar toiletry preparations
    • A61K8/18—Cosmetics or similar toiletry preparations characterised by the composition
    • A61K8/19—Cosmetics or similar toiletry preparations characterised by the composition containing inorganic ingredients
    • A61K8/24—Phosphorous; Compounds thereof
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61Q—SPECIFIC USE OF COSMETICS OR SIMILAR TOILETRY PREPARATIONS
    • A61Q11/00—Preparations for care of the teeth, of the oral cavity or of dentures; Dentifrices, e.g. toothpastes; Mouth rinses
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C12/00—Powdered glass; Bead compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/097—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing phosphorus, niobium or tantalum
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/11—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing halogen or nitrogen
    • C03C3/112—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing halogen or nitrogen containing fluorine
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C4/00—Compositions for glass with special properties
    • C03C4/0007—Compositions for glass with special properties for biologically-compatible glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C4/00—Compositions for glass with special properties
    • C03C4/0007—Compositions for glass with special properties for biologically-compatible glass
    • C03C4/0021—Compositions for glass with special properties for biologically-compatible glass for dental use
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C4/00—Compositions for glass with special properties
    • C03C4/0035—Compositions for glass with special properties for soluble glass for controlled release of a compound incorporated in said glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/3299—Feedback systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Birds (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Oral & Maxillofacial Surgery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)

Description

異常檢測系統、異常檢測方法、記憶媒體及基板處理裝置
本發明係關於異常檢測系統、依據異常檢測系統之異常檢測方法、記憶有在異常檢測系統中所使用之程式的電腦可讀取之記憶媒體及基板處理裝置。
對半導體晶圓或平面顯示器面板等之基板施予特定電漿處理之電漿處理裝置通常具備有收容基板之收容室(以下，稱為「腔室」)。在如此之基板處理裝置中，一面將處理氣體導入至腔室內一面對腔室內施加高頻電力，依此自處理氣體產生電漿，藉由其電漿對基板施予電漿處理。
當對腔室內施加高頻電力時，根據各種之要因，有產生電漿異常放電(例如，微弧)等之異常。電漿異常放電係成為在基板表面產生裂紋或凹槽等，或燒毀配置在腔室內之構成零件等之原因，再者，成為剝離附著於腔室內之構成零件(例如，上部電極)之沉積等而產生微粒之原因。
因此，於早期檢測出電漿異常放電，檢測出電漿異常放電之時，必須快速執行停止電漿處理裝置之動作等之適當對應，必須防止基板或構成零件之損傷及微粒之產生。在此，早期檢測出電漿異常放電等之異常的方法，開發有各種。
例如，就以電漿處理方法之能高感度檢測之方法而言 ，研究有檢測出因電漿異常放電時之能量釋放而引起之AE(聲波發射)之方法。就以利用AE之檢測裝置而言，所知的有在腔室之外壁具備多數超音波感測器，藉由該些超音波感測器檢測出電漿異常放電之時之能量釋放所引起之AE，或以抵接於載置半導體晶圓之載置台(承載器)或配置在載置於載置台上之半導體晶圓之周邊的聚焦環之方式，設置多數音響探針，藉由超音波感測器檢測出傳播該些音響探針之超音波的裝置(例如，參照專利文獻1)。此時，有併用監控使用於電漿產生之高頻電力(電壓或電流)之方法。
先行技術文獻
專利文獻1：日本特開2003-100714號公報
但是，超音波感測器不僅因電漿異常放電而引起之AE，也檢測出因電漿處理裝置之閘閥之開關等而引起之機械性振動等的雜訊。依此，產生如電漿異常放電之檢測精度下降之問題。為了解決該問題，尋求超音波感測器檢測出之AE訊號之解析手法之改良。
就以AE訊號之解析手法而言，有例如高速取樣超音波感測器之輸出訊號(檢測訊號)，並在PC(Personal Computer)上數位處理所取得之資料之方法。但是，在該方法中，因必須藉由高速取樣處理大容量資料，故有資料 處理成本變高之問題，或無法執行即時之資料處理等之問題。
再者，雖然也有併用模型而執行數位處理之方法，但是為自DSP(Digital Signal Processor)之處理能力之界限，對應於10kHz取樣之程度。該取樣頻率雖然在高頻電力之監測下為充分，但是從產生到結束之時間為微秒程度之異常所引起之AE訊號之監測則不充分。
但是，以往即使配置有多數之超音波感測器之時，AE訊號之解析係在每超音波感測器被執行。此時，例如，由於電漿異常放電之產生處不同，AE訊號之大小產生差異，故有可能沒注意到電漿異常放電產生之情形。
本發明之目的係提供可以一面取得與在處理裝置產生之異常有關之大容量之資料，一面將資料處理成本抑制成較低，並可高精度檢測出所產生之異常的異常檢測系統、依據異常檢測系統之異常檢測方法、記憶有在異常檢測系統中所使用之程式的電腦可讀取之記憶媒體及基板處理裝置。
為了達成上述目的，本案發明所涉及之異常檢測系統係檢測出產生於處理裝置之異常的異常檢測系統，具備有用以在上述處理裝置中產生之聲波發射之多數超音波感測器；和將上述多數超音波感測器之各輸出訊號各分配成第1訊號和第2訊號之分配單元；和以第1頻率取樣上述第1訊號，於檢測出特定特徵之時，使觸發訊號產生之觸發產生 單元；和接收上述觸發訊號而決定觸發產生時刻之觸發產生時刻決定單元；和作成以較上述第1頻率高之第2頻率取樣上述第2訊號之取樣資料的資料作成單元；和藉由執行上述取樣資料中相當於以藉由上述觸發產生時刻決定單元所決定之上述觸發產生時刻為基準之一定期間之資料的波形解析，來解析產生於上述處理裝置之異常的資料處理單元。
再者，異常檢測系統又具備有觸發訊號處理單元，用以於特定期間內產生多數上述觸發訊號之時，以上述多數之觸發訊號當作代表觸發訊號匯集成一個訊號，上述觸發產生時刻決定單元係對上述代表觸發訊號決定上述觸發產生時刻。
再者，異常檢測系統又具有自上述多數超音波感測器之各輸出訊號除去雜訊之濾波器。
再者，異常檢測系統係上述第1頻率為10kHz~5MHz，上述第2頻率為500kHz~5MHz。
為了達成上述目的，本案發明所涉及之異常檢測方法係檢測出產生於處理裝置之異常的異常檢測方法，具備有藉由多數超音波感測器檢測出在上述處理裝置中產生之聲波發射之檢測步驟；和將在上述檢測步驟中所取得之來自上述多數超音波感測器之各輸出訊號藉由分配單元各分配成第1訊號和第2訊號之分配步驟；和藉由A/D變換單元以第1頻率取樣上述第1訊號，並於檢測出特定特徵之時，藉由訊號產生單元使觸發訊號產生之觸發訊號產生步驟；和接收上述觸發訊號而藉由時刻計數單元決定上述觸發訊號之觸發產生時刻之觸發產生時刻決定步驟；和藉由A/D變換單元以較上述第1頻率高之第2頻率取樣上述第2訊號而作成取樣資料的取樣資料作成步驟；和藉由電腦執行上述取樣資料中相當於以在上述觸發產生時刻決定步驟中所決定之上述觸發產生時刻為基準之一定期間之資料的波形解析，來解析產生於上述處理裝置之異常的資料處理步驟。
再者，本案發明所涉及之異常檢測方法又具備有觸發訊號處理步驟，用以在上述觸發訊號產生步驟中於特定期間內產生多數上述觸發訊號之時，以上述多數之觸發訊號當作代表觸發訊號匯集成一個訊號，在上述觸發產生時刻決定步驟中對上述代表觸發訊號決定上述觸發產生時刻。
再者，本案發明所涉及之異常檢測方法又具有自依據上述分配步驟所取得之上述第1訊號及上述第2訊號藉由濾波器除去雜訊之雜訊除去步驟。
再者，本案發明所涉及之異常檢測方法係上述第1頻率為10kHz～5MHz，上述第2頻率為500kHz～5MHz。
再者，本案發明所涉及之異常檢測方法係上述資料處理步驟具有自上述取樣資料切出相當於上述一定期間之資料的切出步驟；和對在上述切出步驟中切出之資料執行依據代表值之降低取樣，於所作成之降低取樣資料存在有意波形之時，自上述降低取樣資料抽出波形特徵量之第1波形特徵量抽出步驟；和藉由推斷藉由上述第1波形特徵量抽出步驟所抽出之波形特徵量之時刻，壓縮在上述切出步驟切出之資料的解析對象，針對上述解析對象自在上述切出步驟切出之資料抽出波形特徵量之第2波形特徵量抽出步驟；和藉由執行在上述第2波形特徵量抽出步驟中所取得之波形特徵量和事先設定之異常模式辨識模型之模式辨識，判定產生於上述處理裝置之異常的判定步驟。
再者，本案發明所涉及之異常檢測方法係在申請專利範圍第5至9項中之任一項所記載之異常檢測方法中，又具有於上述檢測步驟前所執行，取得在上述處理裝置中實行之特定處理製程條件之製程條件取得步驟，上述檢測步驟僅在上述製程條件取得步驟中所取得之上述製程條件所含之上述特定處理之實行期間之間被實行。
為了達成上述目的，本案發明所涉及之電腦可讀取之記憶媒體係儲存有用以使藉由電腦所控制之異常檢測系統實行檢測出在特定處理裝置產生之異常之異常檢測方法之程式的電腦可讀取之記憶媒體，上述異常檢測方法具備有藉由多數超音波感測器檢測出在上述處理裝置中產生之聲波發射之檢測步驟；和將在上述檢測步驟中所取得之來自上述多數超音波感測器之各檢測訊號藉由分配單元各分配成第1訊號和第2訊號之分配步驟；和藉由A/D變換單元以第1頻率取樣上述第1訊號，並於檢測出特定特徵之時，藉由訊號產生單元使觸發訊號產生之觸發訊號產生步驟；和接收上述觸發訊號而藉由時刻計數單元決定上述觸發訊號之觸發產生時刻之觸發產生時刻決定步驟；和作成以較上述第1頻率高之第2頻率藉由A/D變換單元取樣上述第2訊號之取樣資料的取樣資料作成步驟；和藉由電腦執行上述取樣資料中相當於以在上述觸發產生時刻決定步驟中所決定之上述觸發產生時刻為基準之一定期間之資料的波形解析，來解析產生於上述處理裝置之異常的資料處理步驟。
若藉由本案發明所涉及之異常檢測系統、異常檢測方法及電腦可讀取之記憶媒體時，則可以一面取得與產生於處理裝置之異常有關之大容量資料，一面將資料處理成本抑制成較低，而且亦可以高精度檢測出所產生之異常。
再者，若藉由本案發明所涉及之異常檢測系統及異常檢測方法時，藉由使代表觸發訊號產生，不會降低異常檢測之精度，可以減輕資料處理所承受之負荷。
再者，若藉由本案發明所涉及之異常檢測方法時，因自超音波感測器之各輸出訊號藉由濾波器除去雜訊，故可以提高觸發訊號之產生或取樣資料之解析精度。
再者，若藉由本案發明所涉及之異常檢測系統及異常檢測方法時，在產生後以微秒程度結束的以往中，可以不會漏掉檢測困難之引起異常的AE訊號而予以檢測出。
再者，若藉由本發明所涉及之異常檢測方法時，依據資料之切出減少成為解析處理對象之資料量，並且使用資料量少之降低取樣資料，並且因壓縮解析處理之對象，故不會降低異常檢測之精度，可以縮短資料處理時間。
再者，若藉由本案發明所涉及之異常檢測方法時，因 僅在製程條件所含之特定之處理之實行期間之間執行在檢測步驟中取得資料，故可以減輕全部資料處理之負荷，再者可以執行壓縮被檢測之異常種類的解析和判定。
以下，針對本發明之實施型態一面參照圖面一面予以說明。
第1圖為表示適用本發明之實施型態所涉及之異常檢測系統之電漿處理裝置之概略構成之剖面圖。該電漿處理裝置2係用以對半導體晶圓(以下，稱為「晶圓」)W施予蝕刻處理，由鋁或不銹鋼等之金屬所構成之圓筒型之腔室10，腔室10內具備有當作例如載置直徑為300mm之晶圓W之工作台的圓柱狀之承載器11。
腔室10具備連通腔室10之內部和外部之維修用之開口部(無圖示)，和將該開口部開關自如之維修用蓋(無圖示)。再者，在腔室10之側壁和承載器11之間，設置有當作將承載器11上方之氣體排出至腔室10之外的流路而發揮功能之排氣路12。在排氣路12之途中，配置有環狀之排氣板13，較排氣板13下游之空間，與可調式蝶閥之APC(壓力控制閥：Adaptive Pressure Control Valve)14相通。APC14連接於抽真空用之排氣泵之TMP(渦輪分子泵：Turbomolecular Pump)15，TMP15連接於排氣泵之DP(乾泵：Dry Pump)16。
並且，將藉由APC14、TMP15及DP16所構成之排氣流路以下稱為「主排氣管線」。在該主排氣管線中，藉由APC14執行腔室10內之壓力控制，並且藉由TMP15及DP16可以將腔室10內減壓成高真空狀態。
較排氣板13下游側之空間經與主排氣管線不同之排氣流路(以下，稱為「粗抽管線」)與DP16連通。該粗抽管線具備例如直徑為25mm之排氣管17、配置在排氣管17之途中之閥V2，於驅動DP16之時，通過粗抽管線，而可以排出腔室10內之氣體。
在承載器11經供電棒40及整合器19，連接有將特定高頻電力供給至承載器11之高頻電源18。依此，承載器11當作下部電極而發揮功能。再者，整合器19係降低來自承載器11之高頻電力之反射，提高對承載器11供給高頻電力之供給效率。並且，自高頻電源18輸出之電力係藉由電流感測器或電壓感測器(無圖示)被監測。
在承載器11之內部上方，為了以靜電吸附力吸附晶圓W，配置有由導電膜所構成之圓板狀之電極板20，在電極板20電性連接有直流電源22。晶圓W係藉由依據自直流電源22被施加至電極板20之直流電壓所產生之庫倫力或傑森拉別克(Johnsen-Rahbek)力而吸附保持在承載器11之上面。再者，在承載器11之上方，為了將在承載器11之上方之空間S產生之電漿朝向晶圓W收束，配置有由矽(Si)等所構成之圓環狀之聚焦環24。
在承載器11之內部設置有冷媒室25，在此將冷媒室25設成沿著圓周方向之環狀。在冷媒室25從冷卻單元(無圖示)經配管26循環供給特定溫度之冷媒(例如，冷卻水)，藉由冷媒之溫度控制被配置在承載器11上之晶圓W之處理溫度。
在承載器11之上面中吸附晶圓W之部分(以下，稱為「吸附面」)，設置有多數傳熱氣體供給孔27，和傳熱氣體供給溝(無圖示)。傳熱氣體供給孔27等經設置在承載器11內部之傳熱氣體供給管線28而連接於傳熱供給部29，傳熱氣體供給部29係將He氣體等之傳熱氣體供給至吸附面和晶圓W之背面之間隙。並且，傳熱氣體供給部29係以可以將吸附面和晶圓W之背面之間隙予以抽真空之方式，連接於DP16。
在承載器11之吸附面配置有當作從承載器11之上面突出自如之上升銷的多數推桿30。推桿30係藉由滾珠螺桿等使馬達(無圖示)之旋轉運動變換成直線運動，可在第1圖之上下方向移動。於將晶圓W吸附保持於吸附面之時，推桿30被收容在承載器11，於將晶圓W對腔室10搬入或搬出之時，推桿30從承載器11之上面突出，使晶圓W自承載器11離開而往上方抬起。
在腔室10之頂棚部，配置有噴淋頭33。在噴淋頭33經整合器23連接有高頻電源21，高頻電源21係將特定之高頻電力供給至噴淋頭33。依此，噴淋頭33當作上部電極而發揮功能。並且，整合器23之功能與上述整合器19之功能相同。
再者，自高頻電源21輸出之電力係藉由無圖示之電流感測器或電壓感測器而被監測。
噴淋頭33係具有被配置在其下面側，具有多數氣體通氣孔34之電極板35，和可拆裝支撐電極板35之電極支撐體36。再者，在電極支撐體36之內部設置有緩衝室37，緩衝室37和處理器體供給部(無圖示)係藉由處理氣體導入管(配管)38連接。在處理氣體導入管38之途中，配置有配管隔熱體39，配管隔熱體39係由絕緣體所構成，防止被供給至噴淋頭33之高頻電力通過處理氣體導入管38而流入至處理氣體供給部。
在腔室10之側壁安裝有開關晶圓W之搬入搬出口31之閘閥5。
在電漿處理裝置2中，將高頻電力各供給至承載器11和噴淋頭33，並且自噴淋頭33供給處理氣體至承載器11和噴淋頭33之間之空間S，依此使空間S產生離子或包含自由基之高密度之電漿。
在電漿處理裝置2中，於蝕刻處理之時，首先打開閘閥5，並將處理對象之晶圓W搬入至腔室10內而載置在承載器11之上。接著，從直流電源22對電極板20施加直流電壓，使晶圓W吸附在承載器11上。
之後，自噴淋頭33以特定流量及流量比將處理氣體(例如，由特定流量比率之C2 F8 氣體、O2 氣體及Ar氣體所構成之混合氣體)導入至腔室10內，藉由主排氣管線將腔室10內之壓力設成特定值。並且，藉由承載器11及噴淋頭33，對腔室10內施加高頻電力。如此一來，在空間S中，處理氣體被電漿化，生成之自由基或離子係藉由聚焦環24被收束在晶圓W表面，晶圓W之表面被物理性或化學性蝕刻。
此時，於產生微弧等之電漿異常放電之時，使用超音波感測器，藉由檢測出隨著電漿異常放電之產生的能量釋放所引起之AE而檢測出。超音波感測器為後述異常檢測系統100之構成要素之一個。
第2圖為表示超音波感測器之概略構成之剖面圖。超音波感測器41具備由Al2 O3 等之絕緣體所構成之平板狀之受波板42，經銀蒸鍍膜等之金屬膜43而被安裝於受波板42之壓電元件(例如，鋯鈦酸鉛系壓電陶瓷)44，和以覆蓋壓電元件44之方式被安裝於受波板42之由金屬(例如，鋁或不銹鋼)所構成之框體狀之屏蔽外殼45。
壓電元件44當接受超音波等之物理性振動時，產生因應其振動大小之大小的電壓。為了取出該電壓訊號，在屏蔽外殼45之側壁配置露出至屏蔽外殼45之內部和外部之連接器46，藉由內部配線48連接金屬膜47和連接器46，並且在連接器46連接有外部配線49，通過外部配線49取出在壓電元件44產生之電壓訊號。
超音波感測器41在被安裝在預測電漿處理裝置2中產生電漿異常放電之構成零件，例如腔室10或配管隔熱體39之外部。具體而言，為了檢測出因電漿異常放電之產生而傳播至腔室10之外壁的超音波，使受波板42密接於腔室10之外壁，而將超音波感測器41安裝於腔室10。
並且，由於電漿處理裝置2之構成零件，有洩漏電流從其構成零件流入至超音波感測器41，超音波感測器41無法正確檢測出異常放電之虞。但是，在超音波感測器41中，因由絕緣體所構成之受波板42遮斷洩漏電流，故可以迴避該問題。受波板42所使用之絕緣體若為可傳達超音波即可，並不限定於Al2 O3 。
接著，針對在電漿處理裝置2所產生之電漿異常放電等之異常檢測系統予以說明。第3圖為本發明之實施型態所涉及之異常檢測系統之概略構成圖。
在電漿處理裝置2中，因如上述般從高頻電源18、21輸出之電力被監測，故可將該監測訊號使用於異常檢測(主要為電漿產生時之異常檢測)。但是，如以下說明般，對於將監測訊號之取樣頻率設為例如10kHz，將超音波感測器41之輸出訊號(以下，稱為「感測器訊號」)之取樣頻率設為例如1MHz，依此詳細取得感測器訊號。依此，在此，設為根據感測器訊號檢測出產生於電漿處理裝置2之異常並予以解析者(以下，稱為「異常檢測/解析處理」)，監測訊號係設為輔助性被使用於異常檢測/解析者。
異常檢測系統100具備配置在電漿處理裝置2之超音波感測器41、和將來自超音波感測器41之感測器訊號分配成兩系統之相同訊號的分配器65、和用以自從分配器65輸出之一方感測器訊號(第1訊號)除去雜訊之濾波器51a、和用以自從分配器65輸出之另一方感測器訊號(第2訊號)除去雜訊之濾波器51b、和檢測出通過濾波器51a之感測器訊號所含之特定特徵，並使觸發訊號產生之觸發器(Trigger)52、和對自觸發器52輸出之觸發訊號執行特定動作(處理)之OR電路53、和將來自OR電路53之輸出訊號和通過濾波器51b之感測器訊號予以資料處理之PC(個人電腦：Personal Computer)50。
異常檢測系統100具備多數超音波感測器41，依此，即使在來自一個超音波感測器41之資訊，有發現困難之異常，亦可以提高其他超音波感測器41強檢測出其異常之確率。即是，藉由執行解析來自多數超音波感測器41之資訊的多變量(多通道)解析，實現高之檢測精度。在此，雖然將超音波感測器41之數量設為4個，但並不限定於此。
在異常檢測系統100中，藉由分配器65將自超音波感測器41之輸出之感測器訊號分配成兩系統之相同之訊號。該係如後述般，以效率佳執行感測器訊號之資料處理為目的。
自超音波感測器41輸出之感測器訊號為類比之電壓訊號。該檢測器訊號含有藉由電漿處理裝置2之運轉而產生之機械性振動等的雜訊，大多之時，如此之雜訊與表示欲檢測之電漿異常放電等之異常的AE之波長不同。在此，於將自分配器65輸出之一方的感測訊號輸入至觸發器52之前，應切除不需要之低頻雜訊，通過濾波器51a(具體而言，HPF(High-Pass Filter)。濾波器51a係有助於觸發器52中之觸發輸出條件之判定。
對此，自分配器65輸出之另一方的感測訊號輸入至PC50所預備之資料記錄板55(於後說明)之前，應切除不需要之低頻雜訊，通過濾波器51b(具體而言，BPF(Band Pass Filter)。濾波器51b係在PC50被實行之異常檢測/解析處理中，有助於算出成為異常之判斷材料之頻率關係之特徵量算出。
觸發器52係藉由簡易解析感測器訊號，並抽出感測器訊號所含之特定特徵，判斷超音波感測器41是否檢測出異常之硬碟(H/W)。並且，觸發器52具備有用以變更設定H/W之動作條件之軟體及條件輸入手段(例如，操作面板等)。
觸發器52具備例如當作以10kHz之取樣頻率取樣各個感測器訊號之A/D變換器的功能。在觸發器52之取樣頻率可以從10kHz～5MHz之範圍選擇。
觸發器52具備有當作訊號產生器之功能，於判斷在電漿處理裝置2不產生異常之時，將表示其主旨之「0」之訊號，於發現疑似產生有異常之特定特徵之時，將「1」之訊號(以下，稱為觸發訊號)，在一定週期產生而輸出至OR電路53。例如觸發器52於檢測出表示較事先所設定之臨界值大之最大值的峰值之時，判斷出在電漿處理裝置2產生異常，並產生觸發訊號。
觸發器52之輸出線即使對每個感測器訊號設置亦可，即使匯集成一個亦可。在此，設為成為前者之構成。OR電路53具備有對應於配置在4個超音波感測器41之每個的觸發器52之輸出線的4系統輸入線。
OR電路53為檢查自觸發器52所發送之訊號，當接收觸發訊號時，執行藉由以下說明之第1或第2觸發訊號處理方法之處理的H/W。
依據OR電路53之第1觸發訊號處理方法若自觸發器52接收觸發訊號時，則不管來自那一條輸入線之觸發訊號，隨著時間序列實質上不會延遲地將所有之觸發訊號發送至PC50之方法。該第1方法係超音波感測器41之配置數量少(例如，兩個)之時等般，即使產生觸發訊號多，亦使用於PC50中之異常檢測/解析處理之負荷之增大為限定性之時為佳。
依據OR電路53之第2觸發訊號處理方法係不管通過4系統之輸入線之任一者而收訊，將在一定期間內產生之觸發訊號匯集成一個觸發訊號而對PC50輸出之方法。
具體而言，OR電路53係當從觸發器52接收最初之觸發訊號時，將其其接收時刻在一定期間(以下，稱為彙整期間)內接收的所有的觸發訊號，視為因與成為最初之觸發訊號之原因的異常相同之異常而所引起者，產生將該些觸發訊號匯集成一個之觸發訊號(以下，稱為「代表觸發訊號」)，將其代表觸發訊號輸出至PC50。於代表觸發訊號被輸出至PC50之後，最初接收之觸發訊號成為下一個彙整期間之開始基準。
因即使在第1、第2中之任一觸發訊號處理方法中，從OR電路53輸出至PC50之輸出線一條即可，故OR電路53具備有一條輸出線。並且，即使將觸發器52和OR電路53以一個H/W來構成亦可。
在PC50中，根據來自OR電路53輸出之觸發訊號或代表觸發訊號，和通過濾波器51b之感測器訊號，執行用以特定在電漿處理裝置2產生之異常的異常檢測/解析處理。
以下，在異常檢測系統100中，OR電路53係當作隨著上述第2觸發訊號處理方法而輸出代表觸發訊號者，說明PC50之構成及資料處理方法等。
PC50具備有CPU59、和為了執行異常檢測/解析處理，用以記憶暫時性成為程式資料或運算對象之資料的RAM58、和用以記憶啟動程式或OS(Operating System)用程式等之ROM57、和用以保存異常檢測/解析處理所使用之程式或資料，在異常解析中所取得之中間資料或解析結果之記憶裝置的HDD(硬碟驅動器)61。
PC50除該些之外，具備有例如鍵盤或滑鼠等之輸入手段、作為螢幕之LCD(Liquid Crystal Display)、圖形板、處理CD-ROM或DVDRAM等之記憶媒體的驅動器、用以連接於LAN或網際網路等之通訊電路的介面等。
再者，PC50具備接收自OR電路53輸出之代表觸發訊號，特定生成代表觸發訊號之時刻(以下稱為「觸發產生時刻」)之觸發產生時刻計數器54、和用以對每感測器訊號以特定頻率數位取樣通過濾波器51b之4系統之感測器訊號，而當作數位資料而加以保存之資料記錄器板(Data Logger Board)55、和用以特定頻率數位取樣高頻電源19、21之監測訊號，而當作數位資料而加以保存的資料記錄器板56。
觸發產生時刻計數器54及資料記錄器板55、56各安裝於例如PC50之PCI匯流排等，藉由被存取於PC50之驅動器執行動作控制。
觸發產生時刻計數器54具備有內部時脈，例如將接收代表觸發訊號之時間當作觸發產生時刻而加以辨識。如上述般，代表觸發訊號係從成為其代表觸發訊號產生之基準的自觸發器52產生之最初觸發訊號之產生時刻經過彙整期間之時被生成。因此，在電漿處理裝置2實際產生異常之時刻和觸發產生時刻之間產生時間延遲。因此，如後述般，在PC50中執行考慮到該時間延遲之異常檢測/解析處理。
資料記錄器板55具備當作A/D變換器之功能，以例如1MHz之頻率將通過濾波器51b之感測器訊號，予以高速取樣而變換成數位資料(以下，稱為「高速取樣資料」)，並予以記憶。
將取樣頻率設為1MHz，係因為可檢測出從產生後在數微秒結束之微弧般之異常放電之故。並且，在資料記錄器板55之取樣頻率係可以自500kHz～5MHz之範圍選擇。
資料記錄器板55也又具備內部時脈，高速取樣資料係作為依照該內部時脈之時間序列資料，被記憶於資料記錄器板55，以一定週期朝HDD61移動並保存。如此一來，可以防止資料記錄器板55中之蓄積資料之溢流。
資料記錄器板55之內部時脈和觸發產生時刻計數器54之內部時脈相同。高速取樣資料雖然表示在電漿處理裝置2實際產生異常之時刻中起因於其異常之特徵，但是在電漿處理裝置2實際產生異常之時刻和觸發產生時刻之間，如上述般產生時間延遲。在PC50中，如後述般，考慮該時間延遲而處理高速取樣資料。
監測訊號係將資料記錄器板56中之取樣頻率以10kHz變換成數位資料(以下稱為「低速取樣資料」)。
資料記錄器板56也又具備與觸發產生時刻計數器54之內部時脈同步之內部時脈，低速取樣資料係作為依照該內部時脈之時間序列資料，被記憶於資料記錄器板56，以一定週期朝HDD61移動並保存。如此一來，可以防止資料記錄器板56中之蓄積資料之溢流。
如此一來，在異常檢測系統100中，不會漏掉用以特定在電漿處理裝置2中產生之異常的詳細資料，以當作高速取樣資料而加以取得。但是，當高速取樣資料之資料量膨大，解析高速取樣資料之所有時，則必須較大處理成本和時間。再者，也必須要考慮實際在電漿處理裝置2產生異常之時刻，和觸發產生時刻之間之時間延遲，確實取出表示出現於高速取樣資料之異常的特徵。
在此，在PC50中，當概略觸發產生時刻計數器54接收代表觸發訊號而決定觸發產生時刻之時，記憶於HDD61之高速取樣資料中觸發產生時刻之前後一定期間(時間寬)之資料被切成4系統之每感測器訊號(以下，將如此被切出之資料稱為「範圍限定資料」，並予以解析。其結果，於實際上是否產生異常，於產生異常之時，具體性判斷產生何種之異常等。PC50係實行用以執行如此一連串之處理之異常檢測/解析程式。
如此一來，藉由異常檢測/解析處理使用範圍限定資料，減少資料處理量而將處理成本抑制成低，可效率佳執行高精度之異常檢測，可執行即時之異常檢測/解析處理。再者，因成為各以另外之執行緒實行觸發產生時刻之決定、高速取樣資料之收集、異常檢測/解析處理之構成，故可以防止各處理之延遲。之後說明PC50中之異常檢測/解析處理方法之詳細。
異常檢測系統100可以設成當藉由高速取樣資料之解析判斷考慮到對電漿處理裝置2之運轉造成障礙的異常時，則將用以對電漿處理裝置2發出警報，或使下一個晶圓W之處理開始延期之控制訊號，發送至電漿處理裝置2之構成。
在PC50連接有異常檢測/解析處理所使用之各種資料或異常檢測/解析處理結果，並且保存異常檢測/解析處理結果之關連資訊之知識DB(Knowledge Data Base)63。
因記憶於HDD61之高速取樣資料中，範圍限定資料以外之資料基本上不需要，故於確定範圍限定資料之後，自HDD61刪除，範圍限定資料適當從HDD61移動至知識DB63而被保存。
在知識DB63中，使用於異常檢測/解析處理之結果或晶圓W之處理所使用之製程條件(配方資料)，與範圍限定資料連結而被保存。知識DB63係可以使在電漿處理裝置2中產生之異常的種類、原因、對應方法與異常檢測/解析處理之結果連結而予以保存。
保存於知識DB63之各種資料有利於之後之異常檢測/解析處理所使用之各種參數(例如，後述之正常模型或異常參數辨識用模型之定義、各種臨界值之定義等)之設定。
並且，與電漿處理裝置2相同之型式，配置在其他處之附屬於電漿處理裝置之異常檢測系統，也以設為利用通訊電路而存取於知識DB63之構成為佳。依此，可以將與在配置在其他處之電漿處理裝置產生之異常有關之資訊蓄積於知識DB63，有助於電漿處理裝置2之異常檢測/解析處理。再者，配置在其他處之附屬於電漿處理裝置之異常檢測系統，係藉由自知識DB63抽出所需之資訊，可以容易對應於在其電漿處理裝置產生之異常。
接著，針對依據異常檢測系統100之異常檢測/解析處理方法予以說明。最初說明異常檢測/解析處理方法之概略，之後在異常檢測/解析處理中針對成為關鍵之處理予以詳細說明。
第4圖為表示依據異常檢測系統100之運用形態之概要的流程圖。
與電漿處理裝置2之重新開始或維修後之啟動同時，異常檢測系統100啟動。此時，因有電漿處理裝置2之裝置條件不明確或變化之情形，故首先藉由試運行(Pilot Run：試量產)，執行超音波感測器41及高頻電源19、21之監測感測器之雜訊位準辨識(步驟S1)。
將在步驟S1中所測量之雜訊位準與正常模型比較，若在容許範圍內，則根據試運行之測量結果來調諧正常模型之S/N比等，定義正常模型(步驟S2)。並且，正常模型係在電漿處理裝置2為空轉狀態、電漿產生中，除此之外(例如，晶圓搬運中)等之已定義區間的來自各超音波感測器41之時間序列資料，藉由特定濾波器處理等之後之統計值，例如、最大、最小、平均、分散等之參數而被定義之波形。
另外，雖然在第4圖無圖示，但是於在步驟S1中被測量之雜訊位準與表示任何裝置異常之時或以往之正常模型之差為大之時，以發出警報等閉鎖電漿處理裝置2，成為藉由操作員或管理者之點檢對象。
在步驟S2定義正常模型之後，執行波形辨識用之臨界值之調諧(步驟S3)。例如，決定用以在觸發器52中使觸發訊號產生之臨界值，或後述之降低取樣資料表示之波形中峰值判斷或特徵量抽出用之臨界值。
接著，執行被保存於HDD61(或是知識DB63)之異常模式辨識用模型之上載(步驟S4)。異常模式辨識用模型為表示波形之各種特徵量，在PC50中被用於與根據範圍限定資料(高速取樣資料)之波形之模式辨識，例如儲存於例如RAM58。
並且，在步驟S4中，可以對判明原因之每個異常上載1個或多數異常模式辨識用模型，再者也可以上載過去被檢測出之異常而表示原因不明之波形的異常模式辨識用模型。
接著，執行評估藉由異常模式辨識用模型之模擬的辨識率確認(步驟S5)。步驟S5雖然可以使用在試運行中所取得之高速取樣資料和低速取樣資料而實行，但是即使藉由重新執行試運行而實行亦可。在步驟S5中取得一定辨識率(例如，90%)之時，對重新開始及維修後之啟動的處理結束，而可以執行電漿處理裝置2及異常檢測系統100之通常運用(步驟S6)。
並且，在第4圖中雖無明示，但是於在步驟S5中無法取得一定辨識率之時，至取得一定辨識率為止，重複執行步驟S2～S4。
接著，於使電漿處理裝置2運轉之時，藉由至步驟S5所設定之條件，執行依據異常檢測系統100之電漿處理裝置2之監視(運用繼續時處理開始)。異常檢測系統100當在電漿處理裝置2之運轉中檢測出異常時(觸發器52產生觸發訊號)，實行用以特定其異常之異常檢測/解析處理(步驟S7)。
對於在步驟S7之異常檢測/解析處理所取得之結果，判斷是否正確執行異常判定(步驟S8)。例如，於與異常模式辨識用模型之模式辨識之辨識率低之時，則以「異常判定有問題(在步驟S8中為“NO”)」，執行各種參數之再設定(步驟S10)。
在步驟S10中，執行例如臨界值之調諧、波形特徵量之追加、異常模式辨識用模型之追加等，接著執行正常模式之再定義和辨識率確認及評估。(步驟S11)。在步驟S11中，於取得一定辨識率之時，返回至步驟S7(異常檢測/解析處理)。
並雖然在第4圖無明確表示，但是於在步驟S11中無法取得一定辨識率之時，至取得一定辨識率為止，重複執行步驟S10～S11。
在步驟S8中，於判斷「異常判定無問題(在步驟8中為“YES”)」之時，繼續運用異常檢測系統100(步驟S9)，至電漿處理裝置2之運轉停止為止執行電漿處理裝置2之監視(繼續運用處理結束)。
接著，針對依據步驟S7(異常檢測/解析處理)之詳細程序予以說明。
第5圖為表示異常檢測/解析處理方法之概略程序的流程圖。
首先，執行晶圓W之製程條件(配方資料)之資訊取得(步驟S21)。例如，於欲僅檢測出僅發生在電漿產生中之異常時，藉由取得製程條件，可以僅在從電漿產生開始至結束之期間，取得高速取樣資料及低速取樣資料。
當開始接收來自超音波感測器41之感測器訊號時，感測器訊號藉由分配器65被分配成兩系統之相同訊號，一方藉由濾波器51a縮小頻率波段之後，輸入至PC50(資料記錄器板55)(步驟S22)。
觸發器52係當檢測出在所接收之感測器訊號存在具有特定臨界值以上之最大值的峰值時，使產生觸發訊號而輸出至OR電路53。OR電路53係當接收到觸發訊號時，依照上述第2觸發訊號處理方法，生成代表觸發訊號，而對PC50輸出(步驟S23)。
步驟S22以後直接被輸入至PC50之感測器訊號，係藉由資料記錄器板55而變換至高速取樣資料，暫時被記憶，以一定週期移行並保存至HDD61。當觸發產生時刻計數器54從OR電路53接收代表觸發訊號時，決定觸發產生時刻，從高速取樣資料切出範圍限定資料(步驟S24)，刪除範圍限定資料以外之不需要資料。
在步驟中S24被切出之範圍限定資料之期間，當考慮因產生於電漿處理裝置2之異常而引起之AE，產生後在一定期間衰減，和產生後快速使觸發訊號生成時，在觸發產生時刻之時間前側考慮彙整期間且設定成較短，在觸發產生時刻之時間後側，設定成較長使得峰值波形在途中不會切斷為佳。
接著，實行範圍限定資料之波形解析(步驟S25)。波形解析方法之詳細於之後說明。步驟S25之處理因必須針對對在OR電路53所產生之所有代表觸發訊號切出之範圍限定資料執行，故判斷是否實行所接收之代表觸發訊號數分之處理(步驟S26)。
當接收之代表觸發訊號數分之處理結束時(在步驟S26為“YES”)，則執行異常模式判定(步驟S27)。此時，即使為僅從一個超音波感測器41之感測器訊號難以特定之異常，藉由比較自4個超音波感測器41所取得之各感測器訊號，可以大大提高可以特定異常原因之確率。
另外，至所接收之代表觸發訊號數分之處理結束為止(在步驟S26為“NO”)，則重複步驟S24、S25之處理。
根據步驟S27之判定結果，判斷實際上是否產生異常(步驟S28)。於確認異常產生之時(在步驟S28為“YES”)，PC50係對電漿處理裝置2，發送用以實行發出警報或停止下一個程序等之訊號(步驟S29)，結束異常檢測/解析處理。
另外，判斷無確認出異常產生之時及確認出異常產生但不需要採取發出警報或停止下一個程式等之措施時(在步驟S28中為“NO”)，則結束異常檢測/解析處理。並且，於異常檢測/解析處理結束時，在步驟S24、S25、S27所取得之各種資料被保存於知識DB63。
針對上述步驟S23、S24、S25及S27，以下更詳細說明。
第6圖為表示步驟S23(觸發輸出)之詳細程序的流程圖。
通過濾波器51a之感測器訊號被輸入至觸發器52，執行簡單之前處理(在此，係10kHz下之數位取樣處理)(步驟S31)。
根據在步驟S31所取得之取樣資料，判斷在感測器訊號是否存在最大值成為臨界值以上之峰值(步驟S32)。於存在最大值為臨界值以上之峰值時(在步驟S32中為“YES”)，並且為了將其峰值與雜訊等之峰值區別，判斷峰值是否為繼續一定期間以上，即是峰值是否具有一定期間以上之時間寬(步驟S33)。
峰值繼續一定期間以上之時(在步驟S33中為“YES”)，觸發器52使觸發訊號產生，而輸出至OR電路53(步驟S34)。在OR電路53中，判斷是否從最初之觸發訊號經過彙整期間(步驟S35)，持有彙整期間之經過(在步驟S35中為“NO”)。
當在步驟S35經過彙整期間時(在步驟S35中為“YES”)，OR電路53在彙整期間內結合所接受到之觸發訊號而產生代表觸發訊號(步驟S36)，輸出至PC50(步驟S37)。
在步驟S37輸出代表觸發訊號之後，最初所接受到之觸發訊號，則成為生成下一個代表觸發訊號之基準的觸發訊號。在步驟S32、S33之判斷為“NO”之時，接著則執行監視(步驟S38)，藉由步驟S37、S38之結束，結束步驟S23之處理。
第7圖為表示步驟S24(波形切出/保存)之詳細程序的流程圖。
當裝備在PC50之觸發產生時刻計數器54接收代表觸發訊號時(步驟S41)，決定觸發產生時刻(步驟S42)。當在步驟S42中決定觸發產生時刻時，藉由觸發產生時刻適用事先決定之期間，執行相對於高速取樣資料及低速取樣資料的觸發產生時刻周邊資料之切出(範圍限定資料之作成)(步驟S43)。並且，「事先決定之期間」係考慮代表觸發訊號之生成所需之彙整期間而被決定。
在步驟S43中被切出之範圍限定資料被保存於HDD61(步驟S44)，自HDD61消去不需要高速取樣資料及低速取樣資料。
接著，執行範圍限定資料之解析(波形解析：步驟S25)，在步驟S25之過程中所取得之時間序列資料被保存於HDD61(步驟S45)，適當移行並被保存於知識DB63。再者，在HDD61保存在步驟S25中所取得之解析結果(表示異常之峰值之特徵量)(步驟S46)，結束波形切出/保存處理。
第8圖為表示步驟S25(波形解析)之詳細程序的流程圖。
相對於一個代表觸發訊號存在4個範圍限定資料。在此，對每範圍限定資料，判斷峰值(最大振幅)是否為特定臨界值以上(是否存在具以臨界值以上之峰值的頂峰)(步驟S51)。於峰值低於臨界值之時(在步驟S51中為“NO”)，則判定分有意波形(步驟S55)，結束針對其範圍限定資料之波形解析處理。
當峰值為臨界值以上之時(在步驟S51中為“YES”)，則執行代表值抽出(降低取樣)(步驟S52)。超音波感測器41產生之感測器訊號因表示電壓值在正值和負值之間變化之振動波形，故可以採用最大振幅(絕對值)以當作代表值。此時，在步驟S52中，將負值變換成正值而與原本之正值重疊，並將連接如此所取得之波形之最大振幅值之波形的資料，加工成將取樣頻率設為例如10kHz之降低取樣資料。
並且，就以在步驟S52中可採用之代表值而言，除最大振幅以外，可舉出最小振幅、平均振幅等，應藉由檢測對象訊號之特性而被選定。藉由在步驟S52中減少資料數，可以減輕在以後步驟S53～58中之資料處理負荷，並縮短資料處理時間。
接著，根據所取得之降低取樣資料之波形，判斷峰值是否繼續一定期間以上(步驟S53)。例如，判斷經過一定期間以上之時間寬，波形之高度是否維持在最大振幅之15%以上之高度。
於峰值不繼續一定期間以上之時(在步驟S53中為“NO”)，則判斷非有意波形(步驟S55)，結束針對其降低取樣資料及成為其原來之範圍限定資料的波形解析處理。
於峰值繼續一定期間以上之時(在步驟S53中為“YES”)，則判斷為有意波形(步驟S54)，推斷其波形之時刻(用以特定波形之時刻)(步驟S56)。就以該時刻推定方法而言，以資料處理時間短之順序，可舉出能量監視、互相相關值監視、局部恆常AR模型等。於使用能量監視方法時，則可以將表示最大振幅之時刻設為波形之時刻。
之後，自降低取樣資料抽出波形特徵量(步驟S57)。就以波形特徵量而言，可舉出最大能量(最大振幅之時間積分值)、表示最大能量之時刻、對表示最大能量到達時刻(表示最大能量之時間前方向計時，低於最大能量之例如25%的最初時刻)、最大能量消滅時刻(從表示最大能量之時刻朝時間後方向前進而計時，低於最大能量之例如25%之最初時刻)、斷續波/連續波(特定期間之間不會有低於最大能量之例如25%之情形為連續波，低於之時為斷續波)等。
從在步驟S56求出之波形之推定時刻，和在步驟S57中求出之波形特徵量，壓縮解析對象(範圍)(步驟S58)。然後，針對在步驟S58中被壓縮之解析對象，自範圍限定資料抽出波形特徵量(步驟S59)。具體而言，使範圍限定資料(取樣頻率：1MHz)予以高速傅立葉變換(FFT：Fast Fourier Transform)，使波形特徵明確。
就以波形特徵量而言，FFT開始時刻(=最大能量到達時刻)、FFT結束時刻(從最大能量消滅時刻前進至時間前方向而FFT取樣數成為2乘冪之最初時刻)、FFT取樣數(使用於FFT之取樣數，例如可以將16348設為上限)、最大峰值頻率(表示最大振幅之頻率)、平均頻率(峰值面積(能量)超過全峰值面積之50%的頻率)、基準頻率以上之比率(基準頻率(例如，取樣頻率之20%)以上之比率)等。如此一來，波形解析處理結束。
第9圖為表示步驟S27(異常模式判定)之詳細程序的流程圖。
首先，讀出製程處理條件(步驟S61)。因可以限定根據所讀出之製程處理條件而產生之異常，故可以壓縮異常模式辨識用模型，縮短判定時間。再者，可以提高判定所產生之異常之時的正確性。
接著，讀出在波形解析(步驟S25)所取得之波形特徵量(步驟S62)，並且讀出異常模式辨識模型(步驟S63)。藉由在步驟S62讀出之波形特徵量和在步驟S63讀出之異常模式辨識模型的模式辨識演算，判定所產生之異常為何(步驟S64)。就以模式辨識演算而言，可以使用眾知之方法，例如將SVM(Support Vector Machine)等擴張成多段式判定等。如此一來，異常模式判定處理結束。
接著，針對異常檢測系統100之變形例予以說明。
(變形例1)
針對觸發產生時刻計數器54及資料記錄器板55、56之構成，並不限定於上述實施型態，即使藉由一個外部基準同步時脈執行觸發產生時刻計數器54及資料記錄器板55、56之時脈控制亦可。
(變形例2)
在上述實施型態中，在OR電路53中，將多數觸發訊號彙整成一個代表觸發訊號(第2觸發訊號處理方法)，但是代表觸發訊號之生成方法亦可使用以下之方法。
即是，在PC50設置緩衝器板和時刻計數器，以取代觸發產生時刻計數器54，設成外部基準同步時脈對時刻計數器供給時刻資訊之構成。在OR電路53中，依照上述第1觸發訊號處理方法，將自觸發器52所接收之觸發訊號對緩衝器板隨著時間序列而予以逐漸輸出。與此並行，自時刻計數器所輸出之計數值被擷取至緩衝器板。如此一來，對觸發訊號賦予計數值。
緩衝器板係將存在於一定期間內之多數觸發訊號匯集成一個代表觸發訊號。此時，因各觸發訊號具備有時刻資訊，故就以代表觸發訊號之觸發產生時刻而言，可以使用例如具有一定期間內之最初之觸發訊號的時刻資訊。
依此，於使用上述第2觸發訊號處理方法時，代表觸發訊號之觸發產生時刻雖成為使代表觸發訊號產生之最初之觸發訊號之產生時刻經過彙整期間者，但是在該方法中，可以將代表觸發訊號之觸發產生時刻，設為接近實際在電漿處理裝置2產生異常之時刻的時刻。
(變形例3)
就以OR電路53中之代表觸發訊號之另外的產生方法而言，可以使用將最初所接收之觸發訊號當作代表觸發訊號對PC50輸出，之後，至經過相當於彙整期間之時間之時，不對PC50輸出所接收之觸發訊號之方法。即使在該方法中，亦可以將藉由觸發產生時刻計數器54所決定之觸發產生時刻，設為接近實際在電漿處理裝置2產生異常之時刻的時刻。
(變形例4)
在上述實施型態中，雖然自保存於HDD61之高速取樣資料執行範圍限定資料之切出，但並不限定於此，即使為高速取樣資料記憶於資料記錄器板55之時，隨著代表觸發訊號之接收而執行範圍限定資料之切出，並將切出之範圍限定資料自資料記錄器板55移動至HDD61，並一面保存，一面自資料記錄器板55消去範圍限定資料以外之資料的構成亦可。即使針對低速取樣資料亦可以使用相同之方法。
再者，即使自高速取樣資料特定範圍限定資料，於刪除不需要資料之時，確認在不需要之資料不存在一定之臨界值以上之峰值，並且實行刪除亦可。再者，即使特定範圍限定資料，在一定時間不消去不需要資料亦可，使高速取樣資料資料週期性移行至HDD61而在一定期間保存，適當刪除不需要之資料亦可。
(變形例5)
在上述實施型態中，在波形解析處理之步驟S51中，判斷峰值低於特定臨界值之範圍限定資料自之後的解析對象被除外，再者，在步驟S53中，峰值不繼續一定期間以上之降低取樣資料及成為其原來之範圍限定資料自之後之解析對象被除外，但是即使以對應於一個代表觸發訊號之4個範圍限定資料視為群組，於在群組之中存在判斷峰值為特定臨界值以上之範圍限定資料之時，再者，即使存在一個峰值繼續一定期間以上之降低取樣資料之時，也針對其群組之所有資料，以前進至下一個步驟之處理之方式構成處理方法亦可。依此，可以掌握來自4個超音波感測器41之感測器訊號之相互關係。
(變形例6)
在電漿處理裝置2中產生於電漿產生中之異常放電，出現於監測訊號之確率也高。依此，即使設為根據監測訊號使觸發訊號產生之構成亦可。再者，對監測訊號執行與對感測器訊號執行之處理相同之處理，自不僅表示感測器訊號也表示監測訊號之波形的特徵量判斷異常原因等，使可確定亦可。
(變形例7)
於以1MHz高速取樣感測器訊號之時，即使與高速取樣資料同時作成實質上與以10kHz取樣相同之抽樣資料，使用該抽樣資料執行至藉由時刻推定之解析對象之壓縮(步驟S58)為止之資料處理。
但是，該方法以限於經驗上確認出即使以10kHz取樣資料執行使用1MHz取樣資料之步驟S51之峰值判斷也不會有障礙之情形為佳。
以上，雖然針對本發明之實施型態予以說明，但是本發明並不限定於上述型態。本發明之目的即使藉由將記憶有實現上述實施型態之功能之軟體之程式碼的記憶媒體，供給至PC50或外部伺服器，PC50或外部伺服器之CPU讀出被儲存於記憶媒體之程式碼而加以實行亦可達成。
此時，自記憶媒體讀出之程式碼本身實現上述實施型態之功能，記憶有其程式碼之記憶媒體構成本發明。
再者，作為用以供給程式碼之記憶媒體，可以使用例如軟碟(註冊商標)、硬碟、光磁碟、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW、磁帶、非揮發性之記憶卡、ROM等。再者，即使經網際網路下載程式碼亦可。此時，上述程式碼即使藉由自連接於網際網路、商用網路或是區域網路等之無圖式之其他電腦或資料庫等下載，而被供給亦可。
再者，藉由實行CPU讀出之程式碼，不僅實現上述實施型態之功能，也包含根據其程式碼之指示，在CPU上運轉之OS等執行實際處理之一部分或全部，藉由其處理，實現上述實施型態之機能的情形。
並且，也包含自記憶媒體被讀出之程式碼，被寫入至插入至PC50或外部伺服器之機能擴充埠或PC50或連接於外部伺服器之機能擴充單元所具備之記憶體後，根據其程式碼之指示，其機能擴充埠或機能擴充單元所具備之CPU等執行實際處理之一部份或全部，並藉由其處理實現上述實施型態之機能的情形。
上述程式碼之型態即使由目標碼、藉由編譯器所實行之程式碼、被供給至OS之腳本資料(script data)等之型態構成亦可。
在上述實施型態所涉及之電漿處理裝置中，為了檢測出電漿異常放電，除來自超音波感測器之感測器訊號，使用來自高頻電源19、21之監測訊號，但是與該監測訊號並用或不使用該監測訊號，使用另外的訊號，例如亦可以使用來自測量流入承載器或晶圓W之吸附用之電極板的電流值之電流值監測器、測量來自承載器之高頻電力之反射波的反射波監測器及測量高頻電力之相位變動的相位監測器之監測訊號。
在上述實施型態中，雖然針對將異常檢測系統適用於電漿處理裝置之一種的蝕刻裝置之情形予以敘述，但是異常檢測系統亦可適用於CVD成膜裝置或灰化裝置等之其他電漿處理裝置，並且並不限定於電漿處理裝置，亦可適用於塗布顯像裝置或基板洗淨裝置、熱處理裝置、蝕刻裝置等。
在上述實施型態中，就以被處理之基板而言，雖然舉出晶圓W，但是被處理基板並不限定於此，即使為FPD(Flat Panel Display)等之玻璃基板亦可。
2．．．電漿處理裝置
5．．．閘閥
10．．．腔室
11．．．承載器
12．．．排氣路
13．．．排氣板
14．．．APC(壓力控制閥)
15．．．TMP(排氣泵)
16．．．DP(乾泵)
17．．．排氣管
18．．．高頻電源
19．．．整合器
20．．．電極板
21．．．高頻電源
22．．．直流電源
23．．．整合器
24．．．聚焦環
25．．．冷煤室
26．．．配管
27．．．傳熱氣體供給孔
28．．．傳熱氣體供給管線
29．．．傳熱氣體供給部
30．．．推桿
31．．．搬入搬出口
33．．．噴淋頭
34．．．氣體通氣孔
35．．．電極板
36．．．電極支撐體
37．．．緩衝室
38．．．處理氣體導入管
39．．．配管隔熱體
40．．．供電棒
41．．．超音波感測器
42．．．受波板
43．．．金屬膜
44．．．壓電元件
45．．．屏蔽外殼
46．．．連接器
47．．．金屬膜
48．．．內部配線
49．．．外部配線
50．．．PC
51a．．．濾波器
51b．．．濾波器
52．．．觸發器
53．．．OR電路
54．．．觸發產生時刻計數器
55．．．資料記錄器板
56．．．資料記錄器板
57．．．ROM
58．．．RAM
59．．．CPU
61．．．HDD
63．．．知識DB(Knowledge Data Base)
65．．．分配器
100．．．異常檢測系統
第1圖為表示適用本發明所涉及之異常檢測系統之電漿處理裝置之概略構成之剖面圖。
第2圖為表示超音波感測器之概略構成之剖面圖。
第3圖為本發明之實施型態所涉及之異常檢測系統之概略構成圖。
第4圖為表示依據異常檢測系統之運用形態之概要的流程圖。
第5圖為表示依據異常檢測系統之異常檢測/解析處理方法之概略程序的流程圖。
第6圖為表示第5圖中之步驟S23(觸發輸出)之詳細程序的流程圖。
第7圖為表示第5圖中之步驟S24(波形切出/保存)之詳細程序的流程圖。
第8圖為表示第5圖中之步驟S25(波形解析)之詳細程序的流程圖。
第9圖為表示第5圖中之步驟S27(異常模式判定)之詳細程序的流程圖。
2．．．電漿處理裝置
18．．．高頻電源
21．．．高頻電源
41．．．超音波感測器
50．．．PC
51a．．．濾波器
51b．．．濾波器
52．．．觸發器
53．．．OR電路
54．．．觸發產生時刻計數器
55．．．資料記錄器板
56．．．資料記錄器板
57．．．ROM
58．．．RAM
59．．．CPU
61．．．HDD
63．．．知識DB(Knowledge Data Base)
65．．．分配器
100．．．異常檢測系統

Claims (15)

  1. 一種異常檢測系統，係用以檢測出在有可能為雜訊之AE(Acoustic Emission：聲波發射)混入異常檢測對象所發出之AE的處理裝置中產生之異常的異常檢測系統，其特徵為：具備多數超音波感測器，用以檢測出在上述處理裝置中產生之聲波發射；分配單元，用以將上述多數超音波感測器之各輸出訊號各分配成第1訊號和第2訊號；觸發產生單元，用以第1頻率取樣上述第1訊號，且於檢測出特定特徵之時使觸發訊號產生；觸發產生時刻決定單元，用以接收上述觸發訊號而決定觸發產生時刻；資料作成單元，作成以高於上述第1頻率之第2頻率取樣上述第2訊號的取樣資料；和資料處理單元，藉由執行資料之波形解析，該資料係上述取樣資料中相當於以藉由上述觸發產生時刻決定單元所決定之上述觸發產生時刻為基準之一定期間，解析產生於上述處理裝置之異常。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之異常檢測系統，其中又具備有觸發訊號處理單元，用以於特定期間內產生多數上述觸發訊號之時，以上述多數之觸發訊號當作代表觸發訊號而匯集成一個訊號， 上述觸發產生時刻決定單元係對上述代表觸發訊號決定上述觸發產生時刻。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之異常檢測系統，其中又具有自上述多數超音波感測器之各輸出訊號除去雜訊之濾波器。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所記載之異常檢測系統，其中上述第1頻率為10kHz~5MHz，上述第2頻率為500kHz~5MHz。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所記載之異常檢測系統，其中上述處理裝置為半導體晶圓或玻璃基板的處理裝置。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所記載之異常檢測系統，其中上述處理裝置為蝕刻裝置、CVD成膜裝置、灰化裝置、塗佈顯像裝置、基板洗淨裝置、熱處理裝置中之任一者。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所記載之異常檢測系統，其中上述處理裝置為電漿處理裝置。
  8. 一種異常檢測方法，係用以檢測出在有可能為雜訊之AE(Acoustic Emission：聲波發射)混入異常檢測對象所發出之AE的處理裝置中產生之異常的異常檢測方 法，其特徵為：具備檢測步驟，藉由多數超音波感測器檢測出在上述處理裝置中產生之聲波發射；分配步驟，藉由分配單元將在上述檢測步驟中所取得之來自上述多數超音波感測器之各輸出訊號各分配成第1訊號和第2訊號；觸發訊號產生步驟，藉由A/D變換單元以第1頻率取樣上述第1訊號，且於檢測出特定特徵之時，藉由訊號產生單元使觸發訊號產生；觸發產生時刻決定步驟，接收上述觸發訊號而藉由時刻計數器單元決定上述觸發訊號之觸發產生時刻；取樣資料作成步驟，藉由A/D變換單元以高於上述第1頻率之第2頻率取樣上述第2訊號而作成取樣資料；和資料處理步驟，藉由電腦執行上述取樣資料中相當於在上述觸發產生時刻決定步驟中所決定之上述觸發產生時刻為基準之一定期間之資料的波形解析，來解析產生於上述處理裝置之異常。
  9. 如申請專利範圍第8項所記載之異常檢測方法，其中又具備有觸發訊號處理步驟，於在上述觸發訊號產生步驟中於特定期間內產生多數上述觸發訊號之時，以上述多數之觸發訊號當作代表觸發訊號而匯集成一個訊號，在上述觸發產生時刻決定步驟中，對上述代表觸發訊號決定上述觸發產生時刻。
  10. 如申請專利範圍第8或9項所記載之異常檢測方法，其中又具有自依據上述分配步驟所取得之上述第1訊號及上述第2訊號藉由濾波器除去雜訊之雜訊除去步驟。
  11. 如申請專利範圍第8或9項所記載之異常檢測方法，其中將上述第1頻率設為10kHz~5MHz，將上述第2頻率設為500kHz~5MHz。
  12. 如申請專利範圍第8或9項所記載之異常檢測方法，其中上述資料處理步驟具有切出步驟，從上述取樣資料切出相當於上述一定期間之資料；第1波形特徵量抽出步驟，對在上述切出步驟中切出之資料執行依據代表值之降低取樣，於作成之降低取樣資料存在有意波之時，自上述降低取樣資料抽出波形特徵量；第2波形特徵量抽出步驟，藉由推斷藉由上述第1波形特徵量抽出步驟所抽出之波形特徵量之時刻，壓縮在上述切出步驟中切出之資料的解析對象，並針對上述解析對象而從在上述切出步驟中切出之資料抽出波形特徵量；判定步驟，藉由執行在上述第2波形特徵量抽出步驟所取得之波形特徵量和事先設定之異常模式辨識模型之模式辨識，判定在上述處理裝置產生之異常。
  13. 如申請專利範圍第8或9項所記載之異常檢測方法，其中又具有於上述檢測步驟前所執行之取得在上述處理裝置中所實行之特定處理之製程條件的製程條件取得步驟，上述檢測步驟僅在上述製程條件取得步驟中取得之上述製程條件所含之上述特定處理的實行期間被實行。
  14. 一種電腦可讀取之記憶媒體，係儲存有用以使藉由電腦所控制之異常檢測系統實行檢測出在有可能為雜訊之AE(Acoustic Emission：聲波發射)混入異常檢測對象所發出之AE的處理裝置中產生之異常之異常檢測方法的程式，該電腦可讀取之記憶媒體之特徵為：上述異常檢測方法具有檢測步驟，藉由多數超音波感測器檢測出在上述處理裝置中產生之聲波發射；分配步驟，藉由分配單元將在上述檢測步驟中所取得之來自上述多數超音波感測器之各檢測訊號各分配成第1訊號和第2訊號；觸發訊號產生步驟，藉由A/D變換單元以第1頻率取樣上述第1訊號，且於檢測出特定特徵之時，藉由訊號產生單元使觸發訊號產生；觸發產生時刻決定步驟，接收上述觸發訊號而藉由時刻計數器單元決定上述觸發訊號之觸發產生時刻；取樣資料作成步驟，藉由A/D變換單元以高於上述第1頻率之第2頻率取樣上述第2訊號而作成取樣資料；和 資料處理步驟，藉由上述電腦執行資料之波形解析，該資料係上述取樣資料中相當於在藉由上述觸發產生時刻決定步驟中所決定之上述觸發產生時刻為基準之一定期間，解析產生於上述處理裝置之異常。
  15. 一種基板處理裝置，其特徵為：具備有如申請專利範圍第1至4項中之任一項所記載之異常檢測系統。
TW099121246A 2009-06-30 2010-06-29 An abnormality detection system, an abnormality detection method, a memory medium, and a substrate processing apparatus TWI425329B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009155370A JP5363213B2 (ja) 2009-06-30 2009-06-30 異常検出システム、異常検出方法、記憶媒体及び基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201129885A TW201129885A (en) 2011-09-01
TWI425329B true TWI425329B (zh) 2014-02-01

Family

ID=43411005

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099121246A TWI425329B (zh) 2009-06-30 2010-06-29 An abnormality detection system, an abnormality detection method, a memory medium, and a substrate processing apparatus

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8751196B2 (zh)
JP (1) JP5363213B2 (zh)
KR (1) KR101313912B1 (zh)
CN (1) CN102473593B (zh)
TW (1) TWI425329B (zh)
WO (1) WO2011001929A1 (zh)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100043143A (ko) * 2007-08-21 2010-04-28 파나소닉 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 방전 상태 감시 장치
JP5774331B2 (ja) * 2011-03-03 2015-09-09 株式会社日立国際電気 基板処理システム、管理装置、データ解析方法、及びデータ解析プログラム
JP2013251071A (ja) * 2012-05-30 2013-12-12 Advantest Corp 信号測定装置、信号測定方法、プログラム、記録媒体
US8886574B2 (en) * 2012-06-12 2014-11-11 Siemens Aktiengesellschaft Generalized pattern recognition for fault diagnosis in machine condition monitoring
KR102042620B1 (ko) * 2012-06-12 2019-12-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 프로세싱 시스템들에서의 높은 샘플링 레이트 센서 버퍼링
US9727049B2 (en) 2012-09-04 2017-08-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Qualitative fault detection and classification system for tool condition monitoring and associated methods
US9316675B2 (en) * 2012-09-06 2016-04-19 Mks Instruments, Inc. Secondary plasma detection systems and methods
JP5910428B2 (ja) * 2012-09-13 2016-04-27 オムロン株式会社 監視装置、監視方法、プログラムおよび記録媒体
EP2936542B1 (de) 2012-12-18 2018-02-28 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Arclöschverfahren und leistungsversorgungssystem mit einem leistungswandler
US9429247B2 (en) * 2013-03-13 2016-08-30 Applied Materials, Inc. Acoustically-monitored semiconductor substrate processing systems and methods
JP5943357B2 (ja) * 2014-09-17 2016-07-05 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 検出装置、検出方法、およびプログラム
US10914635B2 (en) * 2014-09-29 2021-02-09 Rosemount Inc. Wireless industrial process monitor
JP6384401B2 (ja) * 2015-05-20 2018-09-05 株式会社デンソー センサ装置、および、これを用いた電動パワーステアリング装置
CN106323452B (zh) * 2015-07-06 2019-03-29 中达电子零组件(吴江)有限公司 一种设备异音的检测方法及检测装置
JP6587874B2 (ja) 2015-09-10 2019-10-09 株式会社東芝 検知システム、信号処理装置及び検知方法
JP6745197B2 (ja) 2016-11-04 2020-08-26 浜松ホトニクス株式会社 超音波検査装置及び超音波検査方法
JP6870347B2 (ja) * 2017-01-31 2021-05-12 オムロン株式会社 情報処理装置、情報処理プログラムおよび情報処理方法
JP6988890B2 (ja) * 2017-05-25 2022-01-05 日本電気株式会社 処理装置、処理方法及びプログラム
CN110583101B (zh) * 2017-05-25 2023-09-01 欧瑞康美科（美国）公司 使用实时电压监控的等离子体喷枪诊断
CN111052680B (zh) * 2017-09-07 2021-11-23 三菱电机株式会社 不正当连接检测装置、不正当连接检测方法及存储介质
JP6905445B2 (ja) * 2017-10-16 2021-07-21 日本化薬株式会社 墜落検知装置、飛行体の墜落を検知する方法、パラシュートまたはパラグライダーの展開装置、およびエアバッグ装置
EP3742169B1 (en) * 2018-01-16 2022-06-22 Hitachi High-Tech Corporation Specimen processing system
JP6973131B2 (ja) * 2018-01-31 2021-11-24 オムロン株式会社 制御装置及び制御方法
JP6930448B2 (ja) * 2018-02-01 2021-09-01 オムロン株式会社 データサンプリング装置、及びデータサンプリング方法
JP7074489B2 (ja) * 2018-02-08 2022-05-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス データ処理方法、データ処理装置、および、データ処理プログラム
JP7161830B2 (ja) * 2018-09-28 2022-10-27 日置電機株式会社 波形記録装置
US11393663B2 (en) * 2019-02-25 2022-07-19 Tokyo Electron Limited Methods and systems for focus ring thickness determinations and feedback control
CN110108352B (zh) * 2019-05-10 2021-12-14 上海岚盒信息技术有限公司 振动巡检仪及其低功耗测量方法、计算机可读存储介质
CN112585727B (zh) * 2019-07-30 2023-09-29 株式会社日立高新技术 装置诊断装置、等离子体处理装置以及装置诊断方法
JP7385913B2 (ja) * 2019-12-25 2023-11-24 株式会社Agama-X 生体電位測定装置及び生体電位測定プログラム
CN114441028B (zh) * 2020-10-30 2024-04-23 深圳富桂精密工业有限公司 冲压异常检测系统
CN113566811B (zh) * 2021-06-30 2024-06-21 武汉港迪电气有限公司 基于多路位置检测传感器的数据滤波融合算法及装置
CN115342848A (zh) * 2022-08-01 2022-11-15 广州市齐明软件科技有限公司 一种关于传感器异常数据的检测方法及装置
CN117090989B (zh) * 2022-12-22 2024-06-07 浙江德卡控制阀仪表有限公司 具有监测系统的电动闸阀
CN117330882B (zh) * 2023-12-01 2024-02-06 东莞市新易讯时代通信有限公司 一种用于滤波器的自动化测试方法及系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001074123A1 (fr) * 2000-03-28 2001-10-04 Japan Science And Technology Corporation Appareil de detection de decharge anormale de plasma, et procede de detection correspondant
JP2003173896A (ja) * 2001-12-04 2003-06-20 Japan Science & Technology Corp 異常放電検出装置、異常放電検出方法、及び、プラズマ処理装置
TW200506560A (en) * 2003-06-11 2005-02-16 Scient Systems Res Ltd A method for process control of semiconductor manufacturing equipment

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3541359B2 (ja) 2001-09-19 2004-07-07 独立行政法人 科学技術振興機構 超音波プローブの一部を内蔵した基板載置台及び超音波プローブ貫通孔の密閉装置
JP2003319857A (ja) 2002-05-01 2003-11-11 Hidekazu Tanaka 支柱内収納式マネキンボディ
JP2004319857A (ja) 2003-04-18 2004-11-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置のモニタリングシステム
IE20030437A1 (en) * 2003-06-11 2004-12-15 Scient Systems Res Ltd A method for process control of semiconductor manufacturing equipment
JP4673601B2 (ja) * 2004-10-27 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20060100824A1 (en) * 2004-10-27 2006-05-11 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, abnormal discharge detecting method for the same, program for implementing the method, and storage medium storing the program
JP5094002B2 (ja) * 2005-09-06 2012-12-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 プラズマ処理装置およびその異常放電抑止方法
JP4754419B2 (ja) * 2006-07-03 2011-08-24 学校法人立命館 プラズマ異常放電診断方法、プラズマ異常放電診断システム及びコンピュータプログラム
JP5105399B2 (ja) * 2006-08-08 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 データ収集方法，基板処理装置，基板処理システム
JP5703038B2 (ja) * 2011-01-26 2015-04-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001074123A1 (fr) * 2000-03-28 2001-10-04 Japan Science And Technology Corporation Appareil de detection de decharge anormale de plasma, et procede de detection correspondant
JP2003173896A (ja) * 2001-12-04 2003-06-20 Japan Science & Technology Corp 異常放電検出装置、異常放電検出方法、及び、プラズマ処理装置
TW200506560A (en) * 2003-06-11 2005-02-16 Scient Systems Res Ltd A method for process control of semiconductor manufacturing equipment

Also Published As

Publication number Publication date
CN102473593A (zh) 2012-05-23
JP5363213B2 (ja) 2013-12-11
KR101313912B1 (ko) 2013-10-01
WO2011001929A1 (ja) 2011-01-06
CN102473593B (zh) 2014-07-16
US20120109582A1 (en) 2012-05-03
KR20120024686A (ko) 2012-03-14
US8751196B2 (en) 2014-06-10
TW201129885A (en) 2011-09-01
JP2011014608A (ja) 2011-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI425329B (zh) An abnormality detection system, an abnormality detection method, a memory medium, and a substrate processing apparatus
KR101606736B1 (ko) 플라즈마 프로세싱 챔버에서 플라즈마 불안정성을 검출하기 위한 패시브 용량성-결합된 정전식 (ｃｃｅ) 프로브 장치
KR100407025B1 (ko) 클리닝 공정의 종점 검출 장치 및 방법
JP4983575B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR100819296B1 (ko) 기판 처리 장치, 퇴적물 모니터링 장치 및 퇴적물 모니터링방법
US20060100824A1 (en) Plasma processing apparatus, abnormal discharge detecting method for the same, program for implementing the method, and storage medium storing the program
KR20110039241A (ko) 플라즈마 프로세싱 챔버에서 인시츄 아킹 이벤트들을 검출하기 위한 패시브 용량성-커플링된 정전식 (ｃｃｅ) 프로브 장치
JP5427888B2 (ja) プラズマ処理チャンバ内のストライクステップを検出するための容量結合静電（ｃｃｅ）プローブ構成、それに関連する方法、及び、その方法を実行するコードを格納するプログラム格納媒体
WO2006041656B1 (en) Methods and apparatus for monitoring a process in a plasma processing system by measuring a plasma frequency
US6866744B2 (en) Semiconductor processing apparatus and a diagnosis method therefor
JP3893276B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2008288340A (ja) プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、及び洗浄時期予測プログラム
CN101958232B (zh) 基于ftir光谱监测的等离子体刻蚀机内部状态维护方法
KR101912259B1 (ko) 파티클 모니터 방법, 파티클 모니터 시스템
KR20130019349A (ko) 막 균열 검출 장치 및 성막 장치
JP2005531912A (ja) 半導体プラズマパラメータの非侵入性の測定と解析のための方法と装置
JP4673601B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2005531913A (ja) プラズマパラメータの非侵入性の測定と解析のための方法と装置
JP2004235349A (ja) プラズマ処理装置および処理方法
JP3702220B2 (ja) プラズマ管理方法
JP4663205B2 (ja) ドライエッチング装置
JP2011023629A (ja) ドライエッチング方法、電子デバイスの製造方法、ドライエッチング装置、処理制御プログラム及び記録媒体
JP2010277695A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2002141334A (ja) プラズマ利用機器の制御装置
JP2004111691A (ja) 半導体処理装置、半導体処理方法、半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees