TWI416546B - 可撓性扁平電纜 - Google Patents

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TWI416546B
TWI416546B TW096126087A TW96126087A TWI416546B TW I416546 B TWI416546 B TW I416546B TW 096126087 A TW096126087 A TW 096126087A TW 96126087 A TW96126087 A TW 96126087A TW I416546 B TWI416546 B TW I416546B
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Yutaka Fukuda
Hiroshi Hayami
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Sumitomo Electric Industries
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Description

可撓性扁平電纜
本發明係關於具備用於調整特性阻抗的低介電層之可撓性扁平電纜(FFC：Flexible Flat Cable)。
車輛用汽車導航系統或聲頻機器等電子機器之內部配線材枓係使用可撓性扁平電纜(flexible flat cable)。此種電纜係具有數條平板狀導體、與設置於導體兩側之一對絶緣膜的結構。絶緣膜係具備設置於導體兩側之聚對苯二甲酸乙二醇酯等之樹脂膜，與形成在該樹脂膜上用於接著在導體之接著劑層。
另外，近年來，可撓性扁平電纜已用作為連接於液晶顯示裝置、電漿顯示裝置等的電子機器之高速傳送用配線電纜。可撓性扁平電纜若用作為高速傳送用配線電纜時，則該可撓性扁平電纜之特性阻抗(impedance)必須設定於與高速數位信號的發報用．接收用IC之阻抗相同之100Ω。
此種高頻用之可撓性扁平電纜，已有提案揭露一種例如具有積層加工在導體兩側之附有接著劑層之絶緣性發泡彈性體，與設置在該發泡彈性體外側之附有導電性接著劑的金屬層之可撓性扁平電纜。
例如日本發明專利特開第2003－31033號公報所揭示，在該電纜之發泡彈性體，則將包圍空孔的樹脂部之介電率，與空孔內的空氣之介電率加以複合化。因此，複合介電率係約為1.5，其係採取使介電率處於比非發泡的傳統絕緣體之約3.0介電率為低(約1.5)之方法。
在該日本發明專利特開第2003－31033號公報中，低介電率係由所設置之作為絶緣層的發泡體所提供，但是發泡體之發泡卻有不均勻性。因此，可撓性扁平電纜整體不易確保均勻的靜電電容，結果導致無法控制可撓性扁平電纜之特性阻抗值。
另一方面，在日本發明專利特開第2006－32003號公報揭示一種可控制特性阻抗值之可撓性扁平電纜。更具體而言，其係揭示一種藉由調整導體(複數)寬度、導體厚度、或用於被覆導體兩面之絶緣層的厚度，使得特性阻抗被控制於100Ω±5%之高頻用可撓性扁平電纜。
然而，在揭示於該日本發明專利特開第2006－32003號公報之電纜，卻未設置用於降低電磁干擾與雜訊之屏蔽層(shielding layer)。因此，電纜整體係無法防止EMI(亦即，電子機器在運作期間，由電路產生之電磁波對於周邊電子機器之運作造成不良影響之現象)。
若在揭示於該日本發明專利特開第2006－32003號公報之可撓性扁平電纜，設置用於防止EMI之屏蔽層時，則由於導體與屏蔽層之間的靜電電容增大，使得特性阻抗值降低。就結果而言，若採取此等EMI防止對策時，則無法達成阻抗匹配(impedance matching)。
因此，為解除如上所述之問題，似可採取在導體、屏蔽層之間設置用於調整可撓性扁平電纜的特性阻抗之低介電層之方法。用於構成該低介電層之樹脂，雖然可採用硬質聚氯化乙烯樹脂，但是若使用硬質聚氯化乙烯樹脂時，低介電層則將變硬，使得可撓性扁平電纜之柔軟性將因此降低。
一般而言，發泡體係屬低介電率，因此用於構成低介電層之樹脂，則可考慮採用發泡聚丙烯樹脂等之發泡樹脂。此種發泡樹脂，與如上所述之硬質聚氯化乙烯樹脂不同而具有優越的柔軟性。然而，例如以發泡聚丙烯樹脂形成低介電層時，則會在以彎曲狀態使用的可撓性扁平電纜產生壓曲變形(buckling deformation)，使得電纜彎曲部份之厚度不均勻。其結果，電纜彎曲時，則將導致可撓性扁平電纜之特性阻抗不均勻。
此外，由於硬質聚氯化乙烯樹脂係在分子中含有大量氯，當處理可撓性扁平電纜廢棄物時，則將對環境造成極大負荷。
本發明之一目的係提供一種可防止EMI同時可調整特性阻抗之高速傳送用可撓性扁平電纜。
本發明之另一目的係提供一種具有優越的柔軟性，且可防止在彎曲時的壓曲變形之可撓性扁平電纜。
本發明之又一目的係提供一種對環境負荷小之可撓性扁平電纜。
本發明之其他目的係提供一種高難燃性之可撓性扁平電纜。
為達成如上所述之目的，若根據本發明專利之一方式，則可提供一種可撓性扁平電纜，其係具備導體、被覆該導體之絕緣層、設置於絶緣層外面之低介電層、以及設置於該低介電層之外面的屏蔽層。低介電層係以含有選自由聚烯烴樹脂、聚碳酸酯樹脂、改質聚苯醚樹脂、聚苯硫樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚芳酯樹脂、氟系樹脂、及熱塑性彈性體所組成的族群中之至少一種所構成的樹脂組成物為其主成份。
 〔本發明之最佳實施方式之詳細說明〕
以下，就本發明之適當的實施方式加以說明。第1圖係本發明實施方式之可撓性扁平電纜(flex flat cable)構成示意圖，第2圖係第1圖之沿著A－A線之截面圖。第3圖係第1圖之沿著B－B線之截面圖。
本實施方式之可撓性扁平電纜1，如第1圖、第2圖所示，係各自具有包含：具有特定寬度及厚度之數條平板狀導體2，與用於被覆導體2之兩面的一對絕緣膜3的結構。各絕緣膜3係由樹脂膜5、與積層於該樹脂膜5上之接著劑層4所構成。兩片絕緣膜3係呈予以貼合成在兩片絕緣膜3之接著劑層4之間夾住數條導體2之構成。
如第2圖所示，在各樹脂膜5的外面則設置低介電層6。低介電層6係用於調整可撓性扁平電纜1之特性阻抗者。在本實施方式之可撓性扁平電纜1，則隔著積層於低介電層6上的黏著劑層8而在一對之樹脂膜5的外面設置低介電層6。
在一對之低介電層6的外面，則設置屏蔽層9。屏蔽層9係用於降低電磁干擾與雜訊。屏蔽層9可為例如：具備聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂等之絶緣性樹脂膜11、蒸鍍在樹脂膜11之內側面，例如銀等之導電性金屬蒸鍍層12、以及為使導電性金屬蒸鍍層12與導體(接地線)導通而塗佈在金屬蒸鍍層12的銀膏等之導電性接著劑層13之屏蔽帶。屏蔽帶整體之厚度係例如可為30μm，樹脂膜11之厚度可為9μm，導電性接著劑層13之厚度可為20μm。另外，屏蔽層9並不受限於此等結構，屏蔽層9也可為僅由導電性接著劑層13所形成。在低介電層6與屏蔽層9之間係設置易接著層(adhesion facilitating layer)10。低介電層6、與屏蔽層9之導電性接著劑層13係隔著該易接著層10而連接。在易接著層10與屏蔽層9之間，則設置帶狀導電層15，其係具有接地作用。在本實施方式中，可撓性扁平電纜1整體之厚度可為400μm至900μm。
如第3圖所示，在可撓性扁平電纜1之端部1a(在下文中則稱為「電纜端部1a」)為供導體2連接至設置在印刷基板或電氣電子零組件等的連接端子(未圖示)而使導體2之一部份露出於外部而缺少絕緣膜3。
導體2係由銅箔、鍍錫軟銅箔等之導電性金屬箔所構成。導體2之厚度雖係取決於所使用的電流量而定，但是若考慮及可撓性扁平電纜1之摺動性等時，則較佳為20μm至50μm。
樹脂膜5係由具有優越柔軟性的樹脂材料所構成的樹脂膜。例如，樹脂膜5係由聚酯樹脂、聚苯硫樹脂、聚醯亞胺樹脂等所構成的樹脂膜，該等可泛用作為可撓性扁平電纜用。「聚酯樹脂」係包括：聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二醇酯樹脂、聚萘二甲酸丁二醇酯樹脂、聚對苯二甲酸三亞甲酯樹脂、聚萘二甲酸三亞甲酯樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲酯樹脂、聚萘二甲酸環己烷二甲酯聚芳酯樹脂等。
另外，該等樹脂膜中，從電氣特性、機械特性、成本等的觀點來看，則適合使用由聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂所構成的樹脂膜5。另外，藉由使用由聚醯亞胺樹脂所構成的樹脂膜5，則可提供能符合UL(Underwriters Laboratories Inc.)規格的使用上限溫度為105℃以上之具有抗熱老化性，同時也能對應使用無鉛焊錫的電子構件構裝之可撓性扁平電纜。另外，視需要也可在樹脂膜5的表面施加電暈處理、電漿處理、打底處理。另外，在本實施方式中，係適合使用厚度為12μm至50μm之樹脂膜5。
接著劑層4係由樹脂材料所構成的接著劑。在本發明中，接著劑層4係例如在聚酯系樹脂混合難燃劑之接著劑。在本實施方式中，係適合使用厚度為20μm至50μm之接著劑層4。
接著劑層4係將如上所述之樹脂材料溶解於溶劑後塗佈在樹脂膜5上，並加以乾燥即可形成。也可替代其而以T－模法(T－die method)或充氣膨脹法(inflation method)等之熔融擠壓法來形成接著劑層4。從提高接著劑層4與樹脂膜5之可濕潤性的觀點來看，則也可對樹脂膜5施加電暈處理，或經塗佈習知增黏塗劑(anchor coat)後，在樹脂膜5上塗佈接著劑層4。
低介電層6係具有低介電性，同時含有具有優越的柔軟性及加工性且對環境負荷為小的樹脂材料為其主成份。在本實施方式中，在低介電層6係使用選自由聚烯烴樹脂、聚碳酸酯樹脂(PC)、改質聚苯醚樹脂(PPE)、聚苯硫樹脂(PPS)、聚醯亞胺樹脂(PI)、聚醚醯亞胺樹脂(PEI)、聚芳酯樹脂(PAR)、氟系樹脂、及熱塑性彈性體(TPE)所組成的族群中之至少一種。
「聚烯烴樹脂」係包括例如：聚乙烯樹脂(PE)、聚丙烯樹脂(PP)、酸改質聚乙烯樹脂、酸改質聚丙烯樹脂、乙烯－醋酸乙烯酯共聚合物(EVA)、乙烯－甲基丙烯酸甲酯共聚合物(EMMA)、乙烯－丙烯酸乙酯共聚合物(EEA)、乙烯－甲基丙烯酸共聚合物(EMAA)、及多離子聚合物。
該等樹脂之中，聚乙烯樹脂、酸改質聚乙烯樹脂、乙烯－醋酸乙烯酯共聚合物、乙烯－丙烯酸乙酯共聚合物、及乙烯－甲基丙烯酸共聚合物係具有低介電性，同時特別是具有優越柔軟性之聚烯烴樹脂。低密度聚乙烯樹脂(LDPE)或直鏈狀低密度聚乙烯樹脂(LLDPE)等之聚乙烯樹脂係具有低介電性，同時特別是具有優越加工性之聚烯烴樹脂。以此等具有優越加工性的低密度聚乙烯樹脂及直鏈狀低密度聚乙烯樹脂中之至少一種來構成低介電層6時，則在使用如上所述之T－模法或充氣膨脹法等之熔融擠壓法，或壓延法、流延法、及雙軸向延伸法等來加工低介電層6時，則可提高低介電層6之加工性。
如上所述之樹脂或彈性體係可以單獨或其兩種以上之混合物來使用。若聚烯烴樹脂係以兩種以上之混合物來使用時，則例如低介電層6可為含有乙烯－醋酸乙烯酯共聚合物與由聚乙烯樹脂所構成的樹脂組成物為其主成份，且乙烯－醋酸乙烯酯共聚合物與聚乙烯樹脂之混合比率以重量比計為20：80至80：20。
更具體而言，若聚乙烯樹脂係使用低密度聚乙烯樹脂時，則低介電層6係由乙烯－醋酸乙烯酯共聚合物與低密度聚乙烯樹脂所形成，且乙烯－醋酸乙烯酯共聚合物與低密度聚乙烯樹脂之混合比率以重量比計為20：80至80：20。若聚乙烯樹脂係使用直鏈狀低密度聚乙烯樹脂時，則聚烯烴系樹脂係由乙烯－醋酸乙烯酯共聚合物與直鏈狀低密度聚乙烯樹脂所構成，且乙烯－醋酸乙烯酯共聚合物與直鏈狀低密度聚乙烯樹脂之混合比率以重量比計為20：80至80：20。
另外，也可混合如上所述之低密度聚乙烯樹脂與直鏈狀低密度聚乙烯樹脂來使用。更具體而言，聚烯烴系樹脂係由乙烯－醋酸乙烯酯共聚合物與聚乙烯樹脂(低密度聚乙烯樹脂與直鏈狀低密度聚乙烯樹脂之混合樹脂)所構成，乙烯－醋酸乙烯酯共聚合物與聚乙烯樹脂之混合比率以重量比計為20：80至80：20之組成。
在如上所述之樹脂中，改質聚苯醚樹脂係具有優越的難燃性，同時與屏蔽層9之接著性為高。從可降低低介電層6的介電率的觀點來看，該改質聚苯醚樹脂也是有用。
由於低介電層6係含有由如上所述之樹脂或彈性體所構成的樹脂組成物為其主成份，可提高可撓性扁平電纜1之柔軟性，同時可設定可撓性扁平電纜1之特性阻抗值為在50Ω至110Ω之範圍內的任意之值。
亦即，因為如上所述的硬質樹脂(solid resin)之組成與如上所述之先前技術由發泡聚丙烯所形成的低介電層不同，可不必使其發泡而提高可撓性扁平電纜1之柔軟性。因此，可有效率地防止可撓性扁平電纜1在彎曲時之壓曲變形。並且，與該先前技術不同，由於不使用聚氯化乙烯，因此可提供對環境負荷為小的可撓性扁平電纜1。
若聚烯烴樹脂係使用於低介電層6時，則可使具有特定厚度(100μm至350μm)之低介電層6的介電率降低為在2.2至3.2之範圍。另外，即使在選自由聚碳酸酯樹脂(PC)、改質聚苯醚樹脂(PPE)、聚苯硫樹脂(PPS)、聚醯亞胺樹脂(PI)、聚醚醯亞胺樹脂(PEI)、聚芳酯樹脂(PAR)、氟系樹脂、及熱塑性彈性體所組成的族群中之至少一種使用於介電層6時，也可降低具有特定厚度(100μm至350μm)的低介電層6之介電率為在2.1至3.5之範圍。因此，可設定特性阻抗之值為在50Ω至110Ω之範圍內的任意之值。亦即，可設定可撓性扁平電纜1之特性阻抗值為吾所欲之值，且也可達成阻抗匹配。
若低介電層6係含有由聚烯烴樹脂所構成的樹脂組成物為其主成份時，則由於缺乏該樹脂組成物之難燃性，可撓性扁平電纜1整體之難燃性則將降低。因此，較佳為將難燃劑包含在低介電層6中，以對低介電層6賦予能符合UL規格之垂直燃燒試驗(VW－1試驗)之難燃性。
「難燃劑」係包括例如：氯化石蠟、氯化聚乙烯、氯化聚苯、全氯五環癸烷等之「氯系難燃劑」；或伸乙基雙－五溴聯苯、四溴乙烷、四溴雙酚A、六溴苯、十溴聯苯醚、四溴鄰苯二甲酸酐、聚二溴苯醚、六溴環癸烷、溴化銨等之「溴系難燃劑」等之「鹵素系難燃劑」。
另外，「難燃劑」係也包括例如：磷酸三烯丙酯、磷酸烷基烯丙酯、磷酸烷酯、膦酸二甲酯、亞膦酸酯、鹵化亞膦酸酯酯、磷酸三甲酯、磷酸三丁酯、磷酸三辛酯、磷酸三丁氧基乙酯、磷酸辛基二苯酯、磷酸三甲苯酚酯、磷酸甲苯酚基苯酯、磷酸三苯酯、磷酸參(氯乙基)酯、磷酸參(2－氯丙基)酯、磷酸參(2,3－二氯丙基)酯、磷酸參(2,3－二溴丙基)酯、磷酸參(溴氯丙基)酯、雙(2,3－二溴丙基)－2,3－二氯丙基磷酸酯、磷酸雙(氯丙基)一辛酯、聚膦酸酯、聚磷酸酯、芳香族聚磷酸酯、二溴新戊二醇等之「磷酸酯或磷化合物」；或膦酸酯型多元醇、磷酸酯型多元醇、及含鹵素元素之多元醇等。
並且，「難燃劑」也包括：氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鎂、三氧化銻、三氯化銻、硼酸鋅、硼酸銻、硼酸、鉬酸銻、氧化鉬、磷．氮化合物、鋁矽酸鈣、鋯化合物、錫化合物、片鈉鋁石、鋁酸鈣、氧化銅、金屬銅粉、碳酸鈣、偏硼酸鋇等之「金屬粉或無機化合物」；聚矽氧系高分子、二茂鐵、反丁烯二酸、順丁烯二酸、及三聚氰胺三聚氰酸酯、三氮、異三聚氰酸酯、尿素、胍等之「氮化合物」等。
低介電層6係相對於100重量份之由聚烯烴樹脂所構成的樹脂組成物為含有30重量份以上、80重量份以下之難燃劑。若難燃劑之含量為小於30重量份時，則有可能導致無法充分地提高可撓性扁平電纜1整體之難燃性。若難燃劑之含量多於80重量份時，則有可能導致可撓性扁平電纜1之特性阻抗值降低，以致不易設定該特性阻抗值為吾所欲之值。
包含在低介電層6中之難燃劑較佳為溴系難燃劑或氯系難燃劑等之鹵素系難燃劑，另外，此時，溴系難燃劑或氯系難燃劑係可單獨使用或混合併用。若熱可塑性彈性體使用於低介電體層6時，則該難燃劑係適合使用如前所述之比率。
從更進一步提高可撓性扁平電纜之難燃性的觀點來看，則也可混合難燃助劑。在此種情況下，低介電層6係相對於100重量份之由如上所述之樹脂所構成的樹脂組成物為含有15重量份以上、40重量份以下之難燃助劑。難燃助劑較佳為三氧化二銻。
屏蔽層9之樹脂膜11，若以在分子骨架中具有芳香族環之樹脂來形成時，則可形成具有優越的難燃性和強度之屏蔽層9。此等樹脂係包括例如：聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚對苯二甲酸丁二醇酯樹脂、聚對苯二甲酸1,4－環己基二亞甲酯樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂等。在該等樹脂之中，從成本與優異機械強度的觀點來看，則特佳為聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂。
另外，可構成用於接著低介電層6與屏蔽層9的易接著層10之樹脂係可使用胺基甲酸酯樹脂、醋酸乙烯酯樹脂、丙烯酸系樹脂、乙烯－醋酸乙烯酯共聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、橡膠系樹脂等。該等樹脂可單獨使用一種、或其兩種以上混合併用。
在本實施方式中，如上所述之易接著層10係可確實地提高低介電層6與屏蔽層9之接著性。在本實施方式中，係適合使用厚度為0.1μm至5μm之易接著層10。
可構成黏著劑層8之樹脂係可使用丙烯酸系樹脂、天然橡膠、聚異戊二烯系橡膠、腈橡膠、苯乙烯－丁二烯橡膠、丁基橡膠、醋酸乙烯酯樹脂、聚甲基丙烯酸酯樹脂、聚丁酸乙烯酯、環氧系樹脂、聚矽氧樹脂等。在本實施方式中，適合使用厚度為5μm至60μm之黏著劑層8。
另外，低介電層6係可以混合如上所述之聚烯烴等之樹脂，然後使用習知的T－模法或充氣膨脹法等之熔融擠壓法、或壓延法、流延法和雙軸向延伸法等加工該混合物之方法來製造。例如，使用T－模法時，則將熔融狀態樹脂或彈性體由T－模擠壓出成薄膜狀，然後則以冷卻輥等加以冷卻以成膜之方法來製造低介電層6。使用壓延法時，則以班布瑞密閉式混合機(Banbury Mixer)等之捏合機(kneader)捏合(kneading)樹脂或彈性體後，以壓延輥(calender roller)使其成膜，然後以冷卻輥冷卻並以捲取機捲取膜，則可製得低介電層6。另外，製造含有難燃劑或難燃助劑之低介電層6時，則經混合樹脂或彈性體與難燃劑及難燃助劑後，以該T－模法等來加工製造。
導電層15係由例如鍍錫箔與丙烯酸系黏著劑所形成，適合使用厚度為20μm之帶狀。
可撓性扁平電纜1之製造方法如下。首先，預先形成一對在經由如上所述之製造方法所製得之低介電層6的內面設置黏著劑層8者。此時，在黏著劑層8的表面則預先設置經施加剝離處理之薄片構件(未圖示)。在設置易接著層10時，則預先形成一對在低介電層6的外面設置易接著層10者。
在低介電層6形成黏著劑層8之方法，係包括：在低介電層6的外面構成黏著劑層8，並塗佈如上所述之醋酸乙烯酯樹脂等為醋酸乙酯等之溶劑所溶解的塗佈液後，加以乾燥以塗佈之方法，或將構成低介電層6之樹脂等與構成黏著劑層8之醋酸乙烯酯樹脂等以T－模共擠壓機予以共擠壓出之T－模擠壓法等。
在低介電層6形成易接著層10之方法，係包括：在低介電層6的外面，經塗佈使構成易接著層10的如上所述之胺基甲酸酯樹脂等溶解於醋酸乙酯等溶劑之塗佈液後，乾燥該塗佈液以塗佈之方法，或以T－模共擠壓機將構成低介電層6之聚烯烴樹脂與構成易接著層10之胺基甲酸酯樹脂等予以共擠壓出之T－模擠壓法等。
在低介電層6塗佈如上所述之塗佈液之方法，可使用一般塗佈方法，例如，照相凹版輪轉塗佈法、輥式塗佈法、幕塗佈法、輥舐塗佈法、及氣刀塗佈法等。其中，在本實施方式中，較佳為照相凹版輪轉塗佈法，且使用照相凹版輪轉塗佈法時所形成的易接著層10之厚度較佳為0.1μm至5μm。
其次，以絕緣膜3所夾住導體2之兩面，且經受到使用傳統熱積層機或熱壓裝置之加熱加壓處理，則可製得導體2為接著劑層4所連續地積層接著，且導體2之兩面係為絕緣膜3所被覆之長條狀產品。
接著，取除黏著劑層8的表面之施加剝離處理的薄片構件，並將黏著劑層8載置於絕緣膜3之樹脂膜5的表面。然後，隔著黏著劑層8在一對之樹脂膜5的外面設置低介電層6。其次，在低介電層6之易接著層10的表面，設置帶狀導電層15。接著，預先製得之屏蔽帶，則以被覆位於可撓性扁平電纜1兩側外面的低介電層6之易接著層10、及可撓性扁平電纜1之厚度方向X(參閱第2圖)之兩側端面的方式而使其纏上，以在低介電層6的外面提供屏蔽層9。
其次，使用傳統熱積層機或熱壓裝置實施加熱加壓處理，藉此則可使屏蔽層9與低介電層6接著。藉由如上所述之方法則可製得如第2圖所示之可撓性扁平電纜1。在本實施方式之可撓性扁平電纜1，作為接地之導電層15係與連結器(未圖示)連接，則可實現接地連接。
若根據如上所述之本實施方式，則可獲得如下所述之功效。
低介電層6係含有選自由聚烯烴樹脂、聚碳酸酯樹脂、改質聚苯醚樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚芳酯樹脂、氟系樹脂、及熱塑性彈性體(TPE)所組成的族群中之至少一種所構成的樹脂組成物為其主成份。因此，與如上所述之先前技術之以發泡聚丙烯所形成的低介電層不同，不必使其發泡，而可提高可撓性扁平電纜1之柔軟性。因此，可實現有效率地防止可撓性扁平電纜1在彎曲時之壓曲變形，其結果，在彎曲時，則可防止可撓性扁平電纜1之特性阻抗造成不均勻的情況。
另外，可設定可撓性扁平電纜1之特性阻抗值為吾所欲之值。因此，可提供具有例如與高速數位信號之發報用．接收用IC之阻抗相同的100Ω之特性阻抗的可撓性扁平電纜1，因此可提供適合用作為高速傳送用之配線電纜的可撓性扁平電纜1。
此外，可提供對環境之負荷為小的可撓性扁平電纜1。
另外，也可對可撓性扁平電纜1賦予能符合UL規格之垂直燃燒試驗(VW－1試驗)的難燃性。
藉由屏蔽層9，也可提供使用可撓性扁平電纜1之電子機器在運作中可減少由電路產生的信號雜訊。
用於構成低介電層6之聚烯烴樹脂，係可以選自由聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、酸改質聚乙烯樹脂、酸改質聚丙烯樹脂、乙烯－醋酸乙烯酯共聚合物、乙烯－甲基丙烯酸甲酯共聚合物、乙烯－丙烯酸乙酯共聚合物、乙烯－甲基丙烯酸共聚合物、及多離子聚合物所組成的族群中之至少一種來構成。因此，以泛用性高且易獲得性樹脂材料，則可形成用於構成低介電層6之聚烯烴樹脂。
用於構成低介電層6之聚乙烯樹脂係由具有優越的加工性之低密度聚乙烯樹脂、及直鏈狀低密度聚乙烯樹脂中之至少一種所構成。因此，使用T－模法或充氣膨脹法等之熔融擠壓法、或壓延法、流延法和雙軸向延伸法等來加工使用低介電層6時，則可提高低介電層之加工性。
低介電層6係相對於100重量份之由乙烯－醋酸乙烯酯共聚合物與聚乙烯樹脂所構成的樹脂組成物為含有30重量份以上、80重量份以下之難燃劑。因此，可在不致於降低可撓性扁平電纜1之特性阻抗值下，提供符合UL規格之垂直燃燒試驗(VW－1試驗)之具有優越難燃性的可撓性扁平電纜1。
在低介電層6與屏蔽層9之間，則設置易接著層10。因此，可確實地提高低介電層6與屏蔽層9之接著性，以防止彎曲所造成的屏蔽層9與低介電層6之間的剝離。
另外，如上所述之實施方式也可變更為如下所述者。
如第6圖所示，為提高導體2與連接端子(未圖示)之連接可靠性，也可以鍍層7來被覆在電纜端部1a之導體2的表面。惟對於環境之顧慮上較佳為使用不含鉛之鍍層7。從防止導體2與連接端子之間的連接可靠性降低的觀點來看，則不含鉛之鍍層7係可使用鍍金層。對於導體2的表面之電鍍處理，係以無電鍍數法或電解鍍數法來實施。在設置鍍金層時，則對露出之導體2的表面，首先形成抗擴散層的鍍鎳層後，在該鍍鎳層的表面上形成鍍金層。形成鍍層7時，則以絕緣膜3被覆導體2之兩面後，為在電纜端部1a設置供形成鍍層7的導體2之露出部而以冲剪加工，邊在一邊絕緣膜3形成孔部，邊將兩絕緣膜3與導體2相互積層。然後，將長帶狀製品切斷成一定長度。接著，僅在露出之導體2的表面連續地形成鍍層7。
也可在低介電層6與屏蔽層9之間不予設置易接著層10，而在低介電層6的外面直接設置屏蔽層9和導電層15。
《實施例》
以下，根據實施例、比較例來說明本發明。本發明並不局限於此等實施例，當可根據本發明之精神與範圍加以變形、變更該等實施例，惟此等均應包括在本專利範圍之內。
A.使用烯烴樹脂之低介電層的實例
(低介電層之製造)低密度聚乙烯樹脂〔日本Unicar股份有限公司製造，商品名為NUC 8007〕、及溴系難燃劑〔Albemarle股份有限公司製造，商品名為SAYTEX 8010〕，係以重量比為100/30之比率來使用。以捏合機捏合該等樹脂後，以設定在135℃之壓延輥實施壓延加工，以製得具有200μm厚度之薄膜狀低介電層(Layer 1A)。
直鏈狀低密度聚乙烯樹脂〔日本Unicar股份有限公司製造，商品名為NUC DFDJ7540〕、及溴系難燃劑〔Albemarle股份有限公司製造，商品名為SAYTEX 8010〕，係以重量比為100/30之比率來使用。以捏合機捏合該等樹脂後，以設定在135℃之壓延輥實施壓延加工，以製得具有200μm厚度之薄膜狀低介電層(Layer 2A)。
聚丙烯樹脂〔日本聚乙烯股份有限公司(Japan Polyethylene Corp.)製造，商品名為Novatec PP FL02A〕、及溴系難燃劑〔Albemarle股份有限公司製造，商品名為SAYTEX 8010〕，係以重量比為100/30之比率來使用。以捏合機捏合該等樹脂後，以設定在135℃之壓延輥實施壓延加工，以製得具有200μm厚度之薄膜狀低介電層(Layer 3A)。
乙烯－丙烯酸乙酯共聚合物〔三井．杜邦Polychemicals股份有限公司(Mitsui－DuPont Polychemicals Co.)製造，商品名為EV A702〕、及溴系難燃劑〔Albemarle股份有限公司製造，商品名為SAYTEX 8010〕，係以重量比為100/30之比率來使用。以捏合機捏合該等樹脂後，以設定在135℃之壓延輥實施壓延加工，以製得具有200μm厚度之薄膜狀低介電層(Layer 4A)。
酸改質聚乙烯〔三菱化學股份有限公司(Mitsubishi Chemical Corp.)製造，商品名為Modic AP F534A〕、及溴系難燃劑〔Albemarle股份有限公司製造，商品名為SAYTEX 8010〕，係以重量比為100/30之比率來使用。以捏合機捏合該等樹脂後，以設定在135℃之壓延輥實施壓延加工、以製得具有200μm厚度之薄膜狀低介電層(Layer 5A)。
乙烯－甲基丙烯酸甲酯共聚合物〔住友化學股份有限公司(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.)製造，商品名為Acryft WH303〕、及溴系難燃劑〔Albemarle股份有限公司製造，商品名為SAYTEX 8010〕，係以重量比為100/30之比率來使用。以捏合機捏合該等樹脂後，以設定在135℃之壓延輥實施壓延加工、以製得具有200μm厚度之薄膜狀低介電層(Layer 6A)。
乙烯－甲基丙烯酸共聚合物〔三井．杜邦Polychemicals股份有限公司製造，商品名為Nucrel N1207C〕、及溴系難燃劑〔Albemarle股份有限公司製造，商品名為SAYTEX 8010〕，係以重量比為100/30之比率來使用。以捏合機捏合該等樹脂後，以設定在135℃之壓延輥實施壓延加工、以製得具有200μm厚度之薄膜狀低介電層(Layer 7A)。
多離子聚合物〔三井．杜邦Polychemicals股份有限公司製造，商品名為Himilan 1705〕、及溴系難燃劑〔Albemarle股份有限公司製造，商品名為SAYTEX 8010〕，係以重量比為100/30之比率來使用。以捏合機捏合該等樹脂後，以設定在135℃之壓延輥實施壓延加工、以製得具有200μm厚度之薄膜狀低介電層(Layer 8A)。
乙烯－醋酸乙烯酯共聚合物〔三井．杜邦Polychemicals股份有限公司製造，商品名為Everflex V360〕、及溴系難燃劑〔Albemarle股份有限公司製造，商品名為SAYTEX 8010〕，係以重量比為100/30之比率來使用。以捏合機捏合該等樹脂後，以設定在135℃之壓延輥實施壓延加工，以製得具有200μm厚度之薄膜狀低介電層(Layer 9A)。
乙烯－醋酸乙烯酯共聚合物〔三井．杜邦Polychemicals股份有限公司製造，商品名為Everflex V360〕、低密度聚乙烯樹脂〔日本聚乙烯股份有限公司製造，商品名為Novatec YF30〕、及溴系難燃劑〔Albemarle股份有限公司製造，商品名為SAYTEX 8010〕，係以重量比為50/50/40之比率來使用。以捏合機捏合該等樹脂後，以設定在135℃之壓延輥實施壓延加工、以製得具有200μm厚度之薄膜狀低介電層(Layer 10A)。
乙烯－醋酸乙烯酯共聚合物〔三井．杜邦Polychemicals股份有限公司製造，商品名為Everflex V360〕、低密度聚乙烯樹脂〔日本Unicar股份有限公司製造，商品名為NUC 8007〕、及溴系難燃劑〔Albemarle股份有限公司製造，商品名為SAYTEX 8010〕，係以重量比為50/50/50之比率來使用。以捏合機捏合該等樹脂後，以設定在135℃之壓延輥實施壓延加工、以製得具有200μm厚度之薄膜狀低介電層(Layer 11A)。
乙烯－醋酸乙烯酯共聚合物〔三井．杜邦Polychemicals股份有限公司製造，商品名為Everflex V360〕、低密度聚乙烯樹脂〔日本Unicar股份有限公司製造，商品名為NUC 8007〕、及溴系難燃劑〔Albemarle股份有限公司製造，商品名為SAYTEX 8010〕係以50/50/80之重量比比率使用。以捏合機捏合該等樹脂後，以設定在135℃之壓延輥實施壓延加工、以製得具有200μm厚度之薄膜狀低介電層(Layer 12A)。
熔融流動指數(MFR)為6克/10分鐘，且醋酸乙烯酯含量(VA)為28%之乙烯－醋酸乙烯酯共聚合物、直鏈狀低密度聚乙烯樹脂〔日本聚乙烯股份有限公司製造，商品名為Novatec UF420〕、及溴系難燃劑〔Albemarle股份有限公司製造，商品名為SAYTEX 8010〕，係以重量比為50/50/40之比率來使用。以捏合機捏合該等樹脂後，以設定在135℃之壓延輥實施壓延加工、以製得具有200μm厚度之薄膜狀低介電層(Layer 13A)。
眾所皆知的低介電層(Layer 14A)係準備具有200μm厚度之硬質聚氯化乙烯樹脂。眾所皆知的低介電層(Layer 15A)係準備具有200μm厚度之發泡聚丙烯樹脂。眾所皆知的低介電層(Layer 16)係準備具有200μm厚度之聚碳酸酯樹脂。
另一方面，製造難燃性評估用之下述二低介電層。乙烯－醋酸乙烯酯共聚合物〔三井．杜邦Polychemicals股份有限公司製造，商品名為Everflex V360〕、低密度聚乙烯樹脂〔日本Unicar股份有限公司製造，商品名為NUC 8007〕、及溴系難燃劑〔Albemarle股份有限公司製造，商品名為SAYTEX 8010〕，係以50/50/20之重量比比率使用。以捏合機捏合該等樹脂後，以設定在135℃之壓延輥實施壓延加工、以製得具有200μm厚度之薄膜狀低介電層(Layer 17A)。
乙烯－醋酸乙烯酯共聚合物〔三井．杜邦Polychemicals股份有限公司製造，商品名為Everflex V360〕、低密度聚乙烯樹脂〔日本Unicar股份有限公司製造，商品名為NUC 8007〕、及溴系難燃劑〔Albemarle股份有限公司製造，商品名為SAYTEX 8010〕，係以50/50/100之重量比比率使用。以捏合機捏合該等樹脂後，以設定在135℃之壓延輥實施壓延加工，以製得具有200μm厚度之薄膜狀低介電層(Layer 18A)。
(低介電層彎曲相斥力之測定)接著，就低介電層Layer 1A至18A各個測定在彎曲時之彎曲相斥力。其結果如表1所示。彎曲相斥力之測定係使用具備供用於保持Layer 1A至18A的保持構件之夾頭20、21的拉伸壓縮試驗機〔今田製作所股份有限公司(Imada,Inc.)製造，商品名為SV50型〕來實施。更具體而言，如第4圖所示，首先，在距自低介電層30之一端部為10 mm之部份安裝可朝圖中箭頭標記W方向移動之夾頭20，同時在距自另一端部為10 mm之部份安裝夾頭21。將Layer 1A至18A中之任一低介電層(在下文則稱為「低介電層30」)，以間隔D係配置成50 mm之夾頭20、21予以夾住並固定。接著，朝圖中箭頭標記W方向以100毫米/分鐘速度移動夾頭20，並測定第5圖所示夾頭20、21之間隔D到達30 mm時的低介電層30之彎曲相斥力。另外，各Layer 1A至18A係使用寬度為25 mm、長度為70 mm者。
(低介電層介電率之測定)接著，就Layer 1A至18A之各個測定介電率。其結果如表1所示。介電率之測定係使用介電率測定器〔日本Hewlett Packard股份有限公司製造，商品名為4276A LCZ meter〕來實施。
(接著力評估)〔實施例1A〕在Layer 13A的外面以照相凹版輪轉塗佈機塗佈二液硬化型之胺基甲酸酯樹脂〔東洋油墨製造股份有限公司(Toyo Ink Mfg Co.,Ltd.)製造；主劑：EL510、硬化劑：CAT－RT810〕，並將其乾燥，以照相凹版輪轉塗佈法形成厚度為2μm之易接著層。接著，使用熱壓機隔著易接著層而以100℃、10 kg/cm2 將Layer 13A與片狀之屏蔽帶熱壓加工5秒鐘以使其接著而貼合，並將經貼合之薄片加工成寬度為10 mm。屏蔽帶係使用經在9μm厚度之PET製的帶之一面蒸鍍銀，並在該蒸鍍層上以20μm厚度塗上導電性接著劑之帶(帶整體之厚度為30μm)。接著，以100毫米/分鐘速度朝180°方向剝離屏蔽帶，並測定屏蔽帶與低介電層之接著力。其結果如表2所示。接著力之測定係使用拉伸壓縮試驗機〔今田製作所股份有限公司製造，商品名為SV50型〕來實施。
〔實施例2A〕在Layer 10A的外面以照相凹版輪轉塗佈機塗佈將醋酸乙烯酯樹脂〔日本合成化學工業股份有限公司(Nippon Synthetic Chemical Industry Co.,Ltd.)製造，商品名為Gosenyl〕溶解於溶劑之塗佈液，並將其乾燥，以照相凹版輪轉塗佈法形成厚度為2μm之易接著層。接著，以與如上所述之實施例1A相同的方式使Layer 10A與屏蔽帶接著貼合、加工。然後，以與實施例1A相同的條件測定接著力。其結果如表2所示。
〔實施例3A〕除在Layer 13A的外面未設置易接著層以外，其餘則以與實施例1A相同的方式使Layer 13A與片狀之屏蔽帶接著貼合、加工。然後，以與實施例1A相同的條件測定接著力。其結果如表2所示。
〔比較例1A〕使用熱壓機將Layer 14A與片狀之屏蔽帶予以接著貼合，並將經貼合之薄片加工成寬度為10 mm。另外，屏蔽帶係使用經在9μm厚度之PET製的帶之一面蒸鍍銀，並在該蒸鍍層上以20μm厚度塗上導電性接著劑之帶(帶整體之厚度為30μm)。接著，以與實施例1A相同的條件測定接著力。其結果如表2所示。
〔比較例2A〕使用熱壓機將Layer 15A與片狀之屏蔽帶予以接著貼合，並將經貼合之薄片加工成寬度為10 mm。屏蔽帶係使用經在9μm厚度之PET製的帶之一面蒸鍍銀，並在該蒸鍍層上以20μm厚度塗上導電性接著劑之帶(帶整體之厚度為30μm)。接著，以與實施例1A相同的條件測定接著力。其結果如表2所示。
〔實施例4A〕(可撓性扁平電纜之製造)首先，在Layer 1A的外面以照相凹版輪轉塗佈機塗佈二液硬化型之胺基甲酸酯樹脂〔東洋油墨製造股份有限公司製造、主劑：EL510硬化劑：CAT－RT810〕，並將其乾燥，以照相凹版輪轉塗佈法形成厚度為2μm之易接著層。
接著，將作為導體的10條銅線(厚度為0.035 mm、寬度為0.3 mm)10條予以配置成平行排列狀態，然後以整體之厚度為0.06 mm之兩片絕緣膜夾住該銅線，並使用熱積層機實施加熱加壓處理，以由絕緣膜被覆銅線兩面。絕緣膜各個係具有由聚對苯二甲酸乙二醇酯所構成的樹脂膜(厚度為0.025 mm)、與形成在該樹脂膜上之由聚酯系接著劑所構成的接著劑層(厚度為0.035 mm)。10條銅線中之1條係兩片重疊以作為接地線。接著，在一對該低介電層Layer 1A的內面形成由厚度為40μm之丙烯酸系樹脂〔綜研化學公司(Soken Kagaku K.K.)製造，商品名為SK Dain 1201〕所構成的黏著劑層。在絕緣膜的表面載置黏著劑層，並隔著黏著劑層在一對之樹脂膜的外面設置低介電層。接著，在低介電層之易接著層表面設置厚度為20μm之帶狀導電層後，以被覆低介電層6的易接著層10之狀態而纏上在實施例1A至3A所使用的屏蔽帶。接著，以100℃、10 g/cm2 、5秒鐘實施熱壓加工，以製得可撓性扁平電纜。
(可撓性扁平電纜之彎曲相斥力測定)接著，就所製得之可撓性扁平電纜測定彎曲時之彎曲相斥力。其結果如表3所示。彎曲相斥力之測定係使用如上所述之拉伸壓縮試驗機〔今田製作所股份有限公司製造，商品名為SV50型〕，並以與如上所述之低介電層彎曲相斥力之測定相同的方式來實施。亦即，首先在距自可撓性扁平電纜之一端部為10 mm之部份安裝夾頭20，同時在距自另一端部為10 mm之部份安裝夾頭21，並以配置成間隔D為50 mm的夾頭20、21夾住固定可撓性扁平電纜。接著，朝箭頭標記W之方向，以100毫米/分鐘速度移動夾頭20而測定夾頭20、21之間隔D成為30 mm時的可撓性扁平電纜之彎曲相斥力。另外，可撓性扁平電纜係使用寬度為25 mm、長度為70 mm者。
(特性阻抗之測定)就所製得之可撓性扁平電纜測定其特性阻抗。其結果如表3所示。另外，特性阻抗係以特性阻抗測定裝置〔Agilent Technologies公司製造；Network Analyzer型號：E8362B、S－Parameter Test Sets型號：N4419B Agilent Technology〕來實施測定。另外，設特性阻抗目標值為100Ω，且將測定值為90Ω至110Ω者為合格。
(難燃性評估)接著，對於所製得之可撓性扁平電纜施加在UL規格1581之VW－1所規定的垂直燃燒試驗。更具體而言，準備10條實施例4A之可撓性扁平電纜，使其垂直豎立。以對垂直設定成20°角度之燃燒器由斜下方使電纜著火後，將10條中有1條以上電纜會燃燒者、因燃燒落下物而導致配置於可撓性扁平電纜下方之作為試料的脫脂綿燃燒者、或安裝在可撓性扁平電纜頂部之作為試料的牛皮紙燃燒者視為不合格，而其他則視為合格。以上之結果係展示於表3。
〔實施例5A〕除取代經形成2μm厚度之易接著層之Layer 1A，而使用經形成與在實施例4A形成於低介電層Layer 1A之易接著層相同的厚度為2μm之易接著層的低介電層Layer 2A以外，其餘則以與實施例4A相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例4A相同的條件實施彎曲相斥力之測定、特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果係展示於表3。
〔實施例6A〕除取代經形成2μm厚度之易接著層之低介電層Layer 1A，而使用經形成與在實施例4A形成於低介電層Layer 1A之易接著層相同的厚度為2μm之易接著層的低介電層Layer 3A以外，其餘則以與實施例4A相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例4A相同的條件實施彎曲相斥力之測定、特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果係展示於表3。
〔實施例7A〕除取代經形成2μm厚度之易接著層之低介電層Layer 1A，而使用經形成與在實施例4A形成於低介電層Layer 1A之易接著層相同的厚度為2μm之易接著層的低介電層Layer 4A以外，其餘則以與實施例4A相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例4A相同的條件實施彎曲相斥力之測定、特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果係展示於表3。
〔實施例8A〕除取代經形成2μm厚度之易接著層之低介電層Layer 1A，而使用經形成與在實施例4A形成於低介電層Layer 1A之易接著層相同的厚度為2μm之易接著層的低介電層Layer 5A以外，其餘則以與實施例4A相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例4A相同的條件實施彎曲相斥力之測定、特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果係展示於表3。
〔實施例9A〕除取代經形成2μm厚度之易接著層之低介電層Layer 1A，而使用經形成與在實施例4A形成於低介電層Layer 1A之易接著層相同的厚度為2μm之易接著層的低介電層Layer 6A以外，其餘則以與實施例4A相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例4A相同的條件實施彎曲相斥力之測定、特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果係展示於表3。
〔實施例10A〕除取代經形成2μm厚度之易接著層之低介電層Layer 1A，而使用經形成與在實施例4A形成於低介電層Layer 1A之易接著層相同的厚度為2μm之易接著層的低介電層Layer 7A以外，其餘則以與實施例4A相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例4A相同的條件實施彎曲相斥力之測定、特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果係展示於表3。
〔實施例11A〕除取代經形成2μm厚度之易接著層之低介電層Layer 1A，而使用經形成與在實施例4A形成於低介電層Layer 1A之易接著層相同的厚度為2μm之易接著層的低介電層Layer 8A以外，其餘則以與實施例4A相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例4A相同的條件實施彎曲相斥力之測定、特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果係展示於表3。
〔實施例12A〕除取代經形成2μm厚度之易接著層之低介電層Layer 1A，而使用經形成與在實施例4A形成於低介電層Layer 1A之易接著層相同的厚度為2μm之易接著層的低介電層Layer 9A以外，其餘則以與實施例4A相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例4A相同的條件實施彎曲相斥力之測定、特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果係展示於表3。
〔實施例13A〕除取代經形成2μm厚度之易接著層之低介電層Layer 1A，而使用經形成與在實施例4A形成於低介電層Layer 1A之易接著層相同的厚度為2μm之易接著層的低介電層Layer 10A以外，其餘則以與實施例4A相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例4A相同的條件實施彎曲相斥力之測定、特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果係展示於表3。
〔實施例14A〕除取代經形成2μm厚度之易接著層之低介電層Layer 1A，而使用經形成與在實施例4A形成於低介電層Layer 1A之易接著層相同的厚度為2μm之易接著層的低介電層Layer 11A以外，其餘則以與實施例4A相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例4A相同的條件實施彎曲相斥力之測定、特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果係展示於表3。
〔實施例15A〕除取代經形成2μm厚度之易接著層之低介電層Layer 1A，而使用經形成與在實施例4A形成於低介電層Layer 1A之易接著層相同的厚度為2μm之易接著層的低介電層Layer 12A以外，其餘則以與實施例4A相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例4A相同的條件實施彎曲相斥力之測定、特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果係展示於表3。
〔實施例16A〕除取代經形成2μm厚度之易接著層之低介電層Layer 1A，而使用在實施例1A所說明經形成厚度為2μm之易接著層的低介電層Layer 13A以外，其餘則以與實施例4A相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例4A相同的條件實施彎曲相斥力之測定、特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果係展示於表3。
〔比較例3A〕除取代經形成2μm厚度之易接著層之低介電層Layer 1A，而使用低介電層Layer 14A以外，其餘則以與實施例4A相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例4A相同的條件實施彎曲相斥力之測定、特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果係展示於表3。
〔比較例4A〕除取代經形成2μm厚度之易接著層之低介電層Layer 1A，而使用低介電層Layer 15A以外，其餘則以與實施例4A相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例4A相同的條件實施彎曲相斥力之測定、特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果係展示於表3。
〔比較例5A〕除取代經形成2μm厚度之易接著層之低介電層Layer 1A，而使用低介電層Layer 16A以外，其餘則以與實施例4A相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例4A相同的條件實施彎曲相斥力之測定、特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果係展示於表3。
〔比較例6A〕除取代經形成2μm厚度之易接著層之低介電層Layer 1A，而使用經形成與在實施例4A形成於低介電層Layer 1A之易接著層相同的厚度為2μm之易接著層的低介電層Layer 17A以外，其餘則以與實施例4A相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例4A相同的條件實施彎曲相斥力之測定、特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果係展示於表3。
〔比較例7A〕除取代經形成2μm厚度之易接著層之低介電層Layer 1A，而使用經形成與在實施例4A形成於低介電層Layer 1A之易接著層相同的厚度為2μm之易接著層的低介電層Layer 18A以外，其餘則以與實施例4A相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例4A相同的條件實施彎曲相斥力之測定、特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果係展示於表3。
如表1所示，低介電層Layer 1A至13A、15A、17A和18A係在任何情況下在彎曲時之彎曲相斥力值也是小，可知其係具有優越的柔軟性。另外，相同地如表3所示，在分別使用低介電層Layer 1A至13A之實施例4A至16A、使用低介電層Layer 15 A之比較例4A、使用低介電層Layer 17A之比較例6A、及使用Layer 18A之比較例7A的可撓性扁平電纜係在任何情況下在彎曲時之彎曲相斥力也是小，可知其係具有優越的柔軟性。亦即，可知低介電層Layer 1A至13A係與由發泡聚丙烯所形成的低介電層Layer 15A不同，不必發泡而可提高可撓性扁平電纜之柔軟性。
與此相對，如表1所示，低介電層Layer 14A和16A係在彎曲時之彎曲相斥力值卻大，可知其係缺乏柔軟性。另外，相同地如表3所示，在分別使用低介電層Layer 14A和16A的比較例3A和比較例5A之可撓性扁平電纜，在彎曲時之彎曲相斥力值卻大，可知其係缺乏柔軟性。
如表1所示，低介電層Layer 1A至15A和17A係在任何情況下其介電率也是如3.2以下之低，並且如表3所示，在分別使用該等低介電層Layer 1A至13A之實施例4A至16A、使用低介電層Layer 14A之比較例3A、使用低介電層Layer 15A之比較例4A、及使用低介電層Layer 17A之比較例6A的可撓性扁平電纜，在任何情況下其特性阻抗也為在90Ω至110Ω之範圍內，可知其係適合用作為高速傳送用之配線電纜。
與此相對，如表1所示，低介電層Layer 16A和18A係在任何情況下其介電率卻大於3.2。如表3所示，在該等使用低介電層Layer 16A之比較例5A、及使用低介電層Layer 18A之比較例7A的可撓性扁平電纜，在任何情況下其特性阻抗也為在90Ω至110Ω之範圍外，可知其係不適合用作為高速傳送用之配線電纜。
如表3所示，在分別使用低介電層Layer 1A至13A之實施例4A至16A、使用低介電層Layer 14A之比較例3A、使用低介電層16之比較例5A、及使用低介電層Layer 18A之比較例7A的可撓性扁平電纜，可知其在任何情況下也符合UL規格1581之VW－1所規定的垂直燃燒試驗。
與此相對，如表3所示，在使用低介電層Layer 15A之比較例4A、及使用低介電層Layer 17A之比較例6A的可撓性扁平電纜，在任何情況下也不符合UL規格1581之VW－1所規定的垂直燃燒試驗，可知其係缺乏難燃性。
另外，如表2所示，經設置用於接著低介電層與屏蔽帶的易接著層之實施例1A、2A，可知其屏蔽帶之接著力是大於未設置該易接著層之實施例3A及比較例2A。另外，比較例1A由於其低介電層Layer 14A與屏蔽帶之接著力係大於屏蔽帶強度，以致在剝離屏蔽帶時屏蔽帶會被破壞力，因此不能測定接著力。
B.使用烯烴樹脂以外的樹脂之低介電層實例
(低介電層)低介電層Layer 1B係使用具有250μm厚度之薄膜狀聚碳酸酯樹脂〔筒中塑料股份有限公司(Tsutsunaka plastic Industry Co.,Ltd.)製造，商品名為sunloid ecosheet Polica〕。低介電層Layer 2B係使用具有250μm厚度之薄膜狀的改質聚苯醚樹脂〔奇異塑料股份有限公司(GE Plastic Co.)製造，商品名為Noryl WCD801〕。低介電層Layer 3B係使用具有250μm厚度之薄膜狀聚苯硫樹脂〔東麗(Toray)股份有限公司製造，商品名為Torelina〕。低介電層Layer 4B係使用具有250μm厚度之薄膜狀聚醯亞胺樹脂〔宇部興產股份有限公司(Ube Kosan K.K.)製造，商品名為UPLEX〕。低介電層Layer 5B係使用具有250μm厚度之薄膜狀聚醚醯亞胺樹脂〔三菱樹脂股份有限公司製造，商品名為Superio－UT〕。低介電層Layer 6B係使用具有250μm厚度之薄膜狀聚芳酯樹脂〔Unitika股份有限公司(Unitika Ltd.)製造，商品名為Enplate〕。低介電層Layer 7B係使用具有250μm厚度之薄膜狀氟系樹脂的4－氟化乙烯．乙烯共聚合物樹脂(ETFE)〔Daikin工業股份有限公司(Daikin Industries,Ltd.)製造，商品名為Neofron〕。低介電層Layer 8B係使用對於100重量份之熱可塑性高分子(TPE)〔旭化成化學股份有限公司(Asahi Kasei Chemicals Corp.)製造、等級名為Taftec(註冊商標)H1041〕，且含有60重量份之溴系難燃劑，並混合後，以習知的T－模法成形為具有250μm厚度之薄膜。
作為眾所皆知的低介電層Layer 9B，則係使用具有250μm厚度之薄膜形狀熱可塑性聚胺基甲酸酯樹脂〔Okamoto股份有限公司製造，商品名為PU－N21〕，同時作為眾所皆知的低介電層Layer 10B，則係使用具有250μm厚度之聚酯不織布〔旭化成(Asahi)股份有限公司製造，商品名為Ertas FR1050〕。
(低介電層之介電率測定)接著，就Layer 1B至10B各個實施介電率測定。其結果如表4所示。如上所述，介電率之測定係使用介電率測定器〔日本Hewlett Packard股份有限公司製造，商品名為4276A LCZ meter〕。
〔實施例1B〕(可撓性扁平電纜之製造)首先，將作為導體之10條銅線(0.035 mm厚度、0.3 mm寬度)予以配置成平行並排狀態，並以整體之厚度為0.06 mm之兩片絕緣膜夾住該銅線，然後使用熱積層機實施加熱加壓處理，以將銅線之兩面以絕緣膜加以被覆。各絕緣膜係具有由聚對苯二甲酸乙二醇酯所構成的樹脂膜(厚度0.025 mm)、由形成在該樹脂膜上之聚酯系接著劑所構成的接著劑層(厚度為0.035 mm)。接著，準備在內面以塗佈形成厚度為40μm之由醋酸乙烯酯樹脂〔鐘工業(Kane Industries)股份有限公司製造，商品名為Kane Dain〕所構成的黏著劑層一對之低介電層Layer 1B，然後使黏著劑層載置於絕緣膜之樹脂膜的表面，以隔著黏著劑層而在一對之樹脂膜的外面設置低介電層。接著，在低介電層的表面設置厚度為20μm之帶狀導電層，並確保該導電層與連接器之接地連接後，將屏蔽帶以宛如被覆低介電層6的方式纏繞。另外，屏蔽帶係使用在9μm厚度之PET製帶之一面蒸，鍍銀，且在該蒸鍍層上以20μm厚度塗上導電性接著劑的帶(帶整體之厚度為30μm)。接著，將積層物以100℃、10 g/cm2 、5秒鐘實施熱壓加工，以製得可撓性扁平電纜。
(特性阻抗之測定)將所製得之可撓性扁平電纜實施測定特性阻抗。其結果展示於表5。如上所述，特性阻抗係以特性阻抗測定裝置〔Agilent Technologlogies公司製造，Network Analyzer型號：E8362B、S－parameter Test sets型號：N4419B Agilent Technology〕實施測定。另外，特性阻抗目標值設定為100Ω，並將測定值為90Ω至110Ω者視為合格。
(難燃性評估)接著，對於所製得之可撓性扁平電纜實施UL規格1581之VW－1所規定的垂直燃燒試驗。更具體而言，準備10條實施例1B之可撓性扁平電纜，使其垂直豎立。以對垂直設定成20°角度之燃燒器由斜下向使電纜著火後，將10條中有1條以上電纜會燃燒者、因燃燒落下物而導致配置於可撓性扁平電纜下方之作為試料的脫脂綿燃燒者、或安裝在可撓性扁平電纜頂部之作為試料的牛皮紙燃燒者視為不合格，而其他則視為合格。以上之結果如表5所示。
〔實施例2B〕除取代低介電層Layer 1B，而使用低介電層Layer 2B以外，其餘則以與實施例1B相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例1B相同的條件實施特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果展示於表5。
〔實施例3B〕除取代低介電層Layer 1B，而使用低介電層Layer 3B以外，其餘則以與實施例1B相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例1B相同的條件實施特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果展示於表5。
〔實施例4B〕除取代低介電層Layer 1B，而使用低介電層Layer 4B以外，其餘則以與實施例1B相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例1B相同的條件實施特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果展示於表5。
〔實施例5B〕除取代低介電層Layer 1B，而使用低介電層Layer 5B以外，其餘則以與實施例1B相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例1B相同的條件實施特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果展示於表5。
〔實施例6B〕除取代低介電層Layer 1B，而使用低介電層Layer 6B以外，其餘則以與實施例1B相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例1B相同的條件實施特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果展示於表5。
〔實施例7B〕除取代低介電層Layer 1B，而使用低介電層Layer 7B以外，其餘則以與實施例1B相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例1B相同的條件實施特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果展示於表5。
〔實施例8B〕除取代低介電層Layer 1B，而使用低介電層Layer 8B以外，其餘則以與實施例1B相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例1B相同的條件實施特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果展示於表5。
〔比較例1B〕除取代低介電層Layer 1B，而使用低介電層Layer 9B以外，其餘則以與實施例1B相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例1B相同的條件實施特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果展示於表5。
〔比較例2B〕除取代低介電層Layer 1B，而使用低介電層Layer 10B以外，其餘則以與實施例1B相同的方式製造可撓性扁平電纜。然後，以與實施例1B相同的條件實施特性阻抗之測定和難燃性評估。以上之結果展示於表5。
如表4所示，低介電層Layer 1B至8B，係在任何情況下其介電率係如3.5以下之低，另外，如表5所示，在使用低介電層Layer 1B至8B的實施例1B至8B之可撓性扁平電纜，在任何情況下其特性阻抗為在90Ω至110Ω之範圍內。可知其係適合用作為高速傳送用之配線電纜。
與此相對，如表4所示，低介電層Layer 9B、10B，係在任何情況下其介電率卻大於3.5。如表5所示，在使用該等低介電層Layer 9B、10B的比較例1B、2B之可撓性扁平電纜，在任何情況下其特性阻抗為在90Ω至110Ω之範圍外，可知其係不適合用作為高速傳送用之配線電纜。
另外，如表5所示，在使用低介電層Layer 1B至8B的實施例1B至8B、及使用低介電層Layer 9B、10B的比較例1B、2B之可撓性扁平電纜，可知在任何情況下其係符合UL規格1581之VW－1所規定的垂直燃燒試驗。
1．．．可撓性扁平電纜
1a．．．電纜端部
2．．．導體
3．．．絕緣膜
4．．．接著劑層
5．．．樹脂膜
6．．．低介電層
8．．．黏著劑層
9．．．屏蔽層
10．．．易接著層
11．．．樹脂膜
12．．．導電性金屬蒸鍍層
13．．．導電性接著劑層
15．．．導電層
20、21．．．夾頭
30．．．低介電層
D．．．間隔
W．．．箭頭標記
第1圖係本發明之實施方式之可撓性扁平電纜結構示意圖。
第2圖係第1圖之沿著A－A線之截面圖。
第3圖係第1圖之沿著B－B線之截面圖。
第4圖係用於說明低介電層之彈性力測定示意圖。
第5圖係用於說明低介電層之彈性力測定示意圖。
第6圖係用於說明本發明之實施方式之可撓性扁平電纜變形例之截面圖。
1．．．可撓性扁平電纜
2．．．導體
3．．．絕緣膜
4．．．接著劑層
5．．．樹脂膜
6．．．低介電層
8．．．黏著劑層
9．．．屏蔽層
10．．．易接著層
11．．．樹脂膜
12．．．導電性金屬蒸鍍層
13．．．導電性接著劑層
15．．．導電層

Claims (7)

  1. 一種可撓性扁平電纜，其係具備導體、被覆該導體之絕緣層、設置於絶緣層外面之低介電層、以及設置於該低介電層之外面的屏蔽層，其特徵為該低介電層係含有由聚烯烴樹脂所構成的樹脂組成物，該低介電層之厚度為100μm~350μm，且該低介電層之介電率為2.2~3.2。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之可撓性扁平電纜，其中該聚烯烴樹脂係選自由聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、酸改質聚乙烯樹脂、酸改質聚丙烯樹脂、乙烯-醋酸乙烯酯共聚合物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚合物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚合物、乙烯-甲基丙烯酸共聚合物、及多離子聚合物所組成的族群中之至少一種。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之可撓性扁平電纜，其中該聚烯烴樹脂係包含由該乙烯-醋酸乙烯酯共聚合物與該聚乙烯樹脂所構成的樹脂組成物為其主成分，同時該乙烯-醋酸乙烯酯共聚合物與該聚乙烯樹脂之混合比率以重量比計為20：80至80：20。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之可撓性扁平電纜，其中該聚乙烯樹脂係低密度聚乙烯樹脂及直鏈狀低密度聚乙烯樹脂中之至少一種。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之可撓性扁平電纜，其中該低介電層係又含有相對於100重量份之該樹脂組成物為30重量份以上、80重量份以下之難燃劑。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之可撓性扁平電纜，其中在該低介電層與該屏蔽層之間又具備易接著層。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之可撓性扁平電纜，其中該低介電層係具備分別設置於該絕緣層兩面之第一和第二之低介電層，且該屏蔽層係包圍該第一和第二之低介電層。
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