JP2007221713A - 高周波伝送線路 - Google Patents
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Abstract
【課題】伝送損失が少ない高周波伝送線路を提供する。
【解決手段】プラスチックフィルム10の少なくとも一面に金属薄膜11を有し、かつ多数の微細孔12を有する帯状の導電膜１を具備する高周波伝送線路。
【選択図】図１
【解決手段】プラスチックフィルム10の少なくとも一面に金属薄膜11を有し、かつ多数の微細孔12を有する帯状の導電膜１を具備する高周波伝送線路。
【選択図】図１
Description
本発明は、高周波を伝送する線路に関し、特に金属薄膜及びプラスチックフィルムを有する帯状の導電膜を具備する高周波伝送線路に関する。
パーソナルコンピュータ（PC）等の情報処理機器や、携帯電話等の無線通信機器や、情報通信網には、高周波伝送線路が使用されている。従来、高周波伝送線路として、図31に示すような、線状の内導体100に誘電体200及び外導体100'を被覆した同軸ケーブルが汎用されており、図32に示すような、金属管100からなる導波管も大電力の伝送等に多用されている。しかし同軸ケーブルや導波管には、柔軟性に欠ける、製造コストが高い、重いといった問題がある。
軽量性や柔軟性に優れた高周波伝送線路としては、図33に示すような、誘電体基板（例えばポリイミドフィルム）200の一面に平行な一対の導体線路100，100を設けた平行線路；図34に示すような、誘電体基板200の両面に接地導体100'，100'を設け、中心部に導体100を設けたストリップ線路；図35に示すような、誘電体基板200の一面に接地導体100'を設け、他方の面にストリップ導体100を設けたマイクロストリップ線路；図36に示すような、誘電体基板200の一面にストリップ導体100を設け、それを挟んで両側に接地導体100'，100'を配置したコプレナ線路等の平面型伝送線路が挙げられる。例えば特開2000-151201号（特許文献１）は、柔軟性を有する高周波伝送線路として、プラスチックフィルム（材質：ポリイミド、ポリエステル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン及びその多孔質体からなる群から選ばれた少なくとも一種）を基材とし、これに導電性膜を設けたストリップ線路、マイクロストリップ線路及びコプレナ線路を記載している。
しかし従来の高周波伝送線路では、誘電体の誘電率の影響により、線路を伝搬する電磁波の速度が低下することがあり、これが高速化や高周波化に対する障害となっていた。そこで特開2005-303778号（特許文献２）は、高周波特性に優れているとともに伝送損失が少ない伝送線路として、図37に示すような、くぼみ201が形成された基板（Si、ガラス等）200と、くぼみ201上に形成されたメンブレン（材質：ポリイミド等、エッチングによりくぼみ201を形成するためのスリット201'を有する）200'と、メンブレン200'上に形成された中心導体100と、その両側に形成された電極100'，100'とを有する伝送線路を提案している。しかしこの伝送線路は構造が大きく、複雑であり、製造コストが高い。
高周波伝送線路のエネルギー損失は、表皮効果（導体の表面から内部に入る程、高周波電流が指数関数的に減衰する現象）による導体損失と、誘電体材料による誘電体損失とに大別することができるが、一般的に誘電体損失より導体損失の方が支配的である。そのため導体表面に近いほど表面抵抗（表皮抵抗ともいう）が大きく、導体損失（ジュール損失）が大きい。高周波電流が集中する導体の薄い領域を表皮深さと呼ぶ。例えば導体が銅の場合、１GHzの高周波に対する表皮深さは約2.1μmである。しかし従来、伝送線路の導体膜厚は、透過により失われる放射損失を回避したり、金属メッキや金属焼き付け等により導体を作製する場合の基板や導電膜の表面粗さ等の問題を回避したりするため、表皮深さより十分に厚くしていた。
そこで特開平7-336113号（特許文献３）は、比較的簡単な構造で、かつ導体損失が少ない高周波伝送線路として、膜厚が使用周波数に対する表皮深さの1.14倍から2.75倍の範囲である導体膜（銅膜等）を有する高周波伝送線路を提案している。特許文献３は、この伝送線路として同軸ケーブル、導波管、ストリップ線路及びマイクロストリップ線路を記載している。
しかし近年、データ伝送の大容量化が一層進み、それに伴い、伝送線路の一層の高周波化及び低損失化が求められている。また機器の小型化に伴い伝送線路の微細化も必要となっている。
従って、本発明の目的は、伝送損失が少ない高周波伝送線路を提供することである。
上記目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明者は、プラスチックフィルムの少なくとも一面に金属薄膜を形成し、かつ多数の微細孔を形成した帯状の導電膜を用いると、伝送損失が少ない高周波伝送線路が得られることを見出し、本発明に想到した。
すなわち、本発明の高周波伝送線路は、プラスチックフィルムの少なくとも一面に金属薄膜を有し、かつ多数の微細孔を有する帯状の導電膜を具備することを特徴とする。前記帯状導電膜は少なくとも二本離隔した状態で並列しているのが好ましい。
本発明の好ましい例では、二本の前記帯状導電膜が平面配置されている。前記二本の帯状導電膜は各々一面に前記金属薄膜を有し、積層配置が同じであるのがより好ましい。前記二本の帯状導電膜は、板状の誘電性支持体上に平面配置されているのがより好ましい。
本発明の別の好ましい例では、二本の前記帯状導電膜が対向配置されている。前記二本の帯状導電膜は各々一面に前記金属薄膜を有し、各金属薄膜が対向するように配置されているのがより好ましい。前記二本の帯状導電膜は、断面がU字状の誘電性支持体の内側に配置されているのがより好ましい。
本発明のさらに別の好ましい例では、二本の前記帯状導電膜が、各々の水平面が直交するように配置されている。前記二本の帯状導電膜は各々一面に前記金属薄膜を有し、各金属薄膜表面が互いに面するように配置されているのがより好ましい。前記二本の帯状導電膜は、断面がL字状の誘電性支持体に配置されているのがより好ましい。
前記プラスチックフィルムは、ポリエステル、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル−ブタジエン樹脂、ポリウレタン、フッ素樹脂、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル及び熱可塑性エラストマーからなる群から選ばれた少なくとも一種からなるのが好ましい。前記プラスチックフィルムは、前記ポリエステルからなるのがより好ましい。前記ポリエステルはポリエチレンテレフタレート及び／又はポリブチレンテレフタレートからなるのが好ましい。
前記金属薄膜は蒸着膜又は箔であるのが好ましい。前記金属薄膜は銅及び／又はアルミニウムからなるのが好ましい。前記金属薄膜の厚さは100 nm〜10 μmであるのが好ましい。
前記微細孔の平均開口径は0.5〜100μmであるのが好ましい。前記微細孔の平均分布密度は500個／cm2以上とするのが好ましく、これにより一層伝送損失が少なくなる。前記微細孔の壁面にも前記金属薄膜を形成するのが好ましく、これにより一層伝送損失が少なくなる。
本発明の高周波伝送線路は伝送損失が少ない。さらに構造がシンプルであり、軽量性や柔軟性にも優れており、微細化も容易である。このような特性を有する本発明の高周波伝送線路は、航空機、自動車等の信号伝送用途、各種情報処理機器、各種無線通信機器、情報通信網等の信号伝送用途、高周波回路、プリント配線基板等の用途に好適である。
本発明の高周波伝送線路は、プラスチックフィルムの少なくとも一面に金属薄膜を有し、かつ多数の微細孔を有する帯状の導電膜を具備する。まず帯状導電膜について説明し、次いでそれを用いた高周波伝送線路について説明する。
[1] 帯状導電膜
(1) 構造
図１は帯状導電膜の一例を示す。この例では、帯状導電膜１は、プラスチックフィルム10の一面に一様に形成された金属薄膜11を有し、多数の微細孔12を有する。図２は帯状導電膜の別の例を示す。この例では、プラスチックフィルム10の両面に、一様に形成された金属薄膜11，11を有する以外、図１に示す膜と同じである。図３は帯状導電膜のさらに別の例を示す。この例では、プラスチックフィルム10の一面に、ストリップ状の二本の金属薄膜11，11が平行に形成されている以外、図１に示す膜と同じである。図４は帯状導電膜のさらに別の例を示す。この例では、プラスチックフィルム10の一面に、ストリップ状の一本の金属薄膜11が形成されており、他方の面に一様に金属薄膜11が形成されている以外、図１に示す膜と同じである。図５は帯状導電膜のさらに別の例を示す。この例では、プラスチックフィルム10の一面に、ストリップ状の三本の金属薄膜11が設けられている以外、図１に示す膜と同じである。
(1) 構造
図１は帯状導電膜の一例を示す。この例では、帯状導電膜１は、プラスチックフィルム10の一面に一様に形成された金属薄膜11を有し、多数の微細孔12を有する。図２は帯状導電膜の別の例を示す。この例では、プラスチックフィルム10の両面に、一様に形成された金属薄膜11，11を有する以外、図１に示す膜と同じである。図３は帯状導電膜のさらに別の例を示す。この例では、プラスチックフィルム10の一面に、ストリップ状の二本の金属薄膜11，11が平行に形成されている以外、図１に示す膜と同じである。図４は帯状導電膜のさらに別の例を示す。この例では、プラスチックフィルム10の一面に、ストリップ状の一本の金属薄膜11が形成されており、他方の面に一様に金属薄膜11が形成されている以外、図１に示す膜と同じである。図５は帯状導電膜のさらに別の例を示す。この例では、プラスチックフィルム10の一面に、ストリップ状の三本の金属薄膜11が設けられている以外、図１に示す膜と同じである。
(2) プラスチックフィルム
プラスチックフィルム10を構成する樹脂は特に制限されず、有極性又は無極性のいずれでもよい。樹脂として、例えばポリエステル；ポリイミド（PI）；ポリフェニレンサルファイド（PPS）；ポリアミド（PA）；ポリアミドイミド（PAI）；ポリエーテルサルフォン（PES）；ポリエーテルエーテルケトン（PEEK）；ポリカーボネート（PC）；アクリル樹脂；ポリスチレン（PS）；スチレン−アクリロニトリル−ブタジエン（ABS）樹脂；ポリウレタン；フッ素樹脂；ポリエチレン（PE）、ポリプロピレン（PP）等のポリオレフィン；ポリ塩化ビニル（PCV）；熱可塑性エラストマー等が挙げられる。中でもプラスチックフィルム10は、各々耐熱性の高いポリエステル、PPS、PA、PI、PAI、PES及びPEEKからなる群から選ばれた少なくとも一種からなるのが好ましく、ポリエステル及び／又はPIからなるのがより好ましく、ポリエステルからなるのが特に好ましい。
プラスチックフィルム10を構成する樹脂は特に制限されず、有極性又は無極性のいずれでもよい。樹脂として、例えばポリエステル；ポリイミド（PI）；ポリフェニレンサルファイド（PPS）；ポリアミド（PA）；ポリアミドイミド（PAI）；ポリエーテルサルフォン（PES）；ポリエーテルエーテルケトン（PEEK）；ポリカーボネート（PC）；アクリル樹脂；ポリスチレン（PS）；スチレン−アクリロニトリル−ブタジエン（ABS）樹脂；ポリウレタン；フッ素樹脂；ポリエチレン（PE）、ポリプロピレン（PP）等のポリオレフィン；ポリ塩化ビニル（PCV）；熱可塑性エラストマー等が挙げられる。中でもプラスチックフィルム10は、各々耐熱性の高いポリエステル、PPS、PA、PI、PAI、PES及びPEEKからなる群から選ばれた少なくとも一種からなるのが好ましく、ポリエステル及び／又はPIからなるのがより好ましく、ポリエステルからなるのが特に好ましい。
(a) ポリエステルフィルム
ポリエステルフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（PET）、ポリブチレンテレフタレート（PBT）、ポリエチレンナフタレート（PEN）、ポリブチレンナフタレート（PBN）等、種々のポリエステル樹脂からなるフィルムを使用することができる。中でも、PETフィルム及びPBTフィルムは市販品として安価に入手できるので、好ましい。以下これらを例にとって、詳細に説明する。
ポリエステルフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（PET）、ポリブチレンテレフタレート（PBT）、ポリエチレンナフタレート（PEN）、ポリブチレンナフタレート（PBN）等、種々のポリエステル樹脂からなるフィルムを使用することができる。中でも、PETフィルム及びPBTフィルムは市販品として安価に入手できるので、好ましい。以下これらを例にとって、詳細に説明する。
(i) PETフィルム
PETフィルムは、基本的にエチレングリコールとテレフタル酸とからなる飽和ポリエステルフィルムである。但しPETフィルムの特性を損なわない範囲で、エチレングリコール以外のジオール成分、又はテレフタル酸以外のカンボン酸成分を共重合成分として含んでいてもよい。そのようなジオール成分としては、例えば、ジエチレングリコール、1,4-ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、1,4-シクロヘキサンメタノール等が挙げられ、またジカルボン酸成分としては、例えば、イソフタル酸、セバシン酸、アジピン酸、アゼライン酸、コハク酸等が挙げられる。PETフィルムは、例えば東レ（株）の「ルミラー」や、東洋紡績（株）の「東洋紡エステルフィルム」や、ユニチカ（株）の「エンブレット」等のように、通常二軸延伸フィルムとして市販されている。
PETフィルムは、基本的にエチレングリコールとテレフタル酸とからなる飽和ポリエステルフィルムである。但しPETフィルムの特性を損なわない範囲で、エチレングリコール以外のジオール成分、又はテレフタル酸以外のカンボン酸成分を共重合成分として含んでいてもよい。そのようなジオール成分としては、例えば、ジエチレングリコール、1,4-ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、1,4-シクロヘキサンメタノール等が挙げられ、またジカルボン酸成分としては、例えば、イソフタル酸、セバシン酸、アジピン酸、アゼライン酸、コハク酸等が挙げられる。PETフィルムは、例えば東レ（株）の「ルミラー」や、東洋紡績（株）の「東洋紡エステルフィルム」や、ユニチカ（株）の「エンブレット」等のように、通常二軸延伸フィルムとして市販されている。
PETフィルムは、一般に誘電率（106Hz）が3.0であり、誘電正接（106 Hz）が0.016であり、約250〜270℃の融点及び約70〜80℃のガラス転移温度を有する。なお誘電率及び誘電正接はASTM D150により測定することができ、融点はASTM D4591により測定することができ、ガラス転移温度はJIS K7121により測定することができる（以下同じ）。
(ii) PBTフィルム
PBTフィルムは、基本的に1,4-ブタンジオールとテレフタル酸とからなる飽和ポリエステルフィルムである。但し熱収縮性等の物性を損なわない範囲で、1,4-ブタンジオール以外のジオール成分、又はテレフタル酸以外のカンボン酸成分を共重合成分として含んでいてもよい。そのようなジオール成分としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ネオペンチルグリコール、1,4-シクロヘキサンメタノール等が挙げられる。またジカルボン酸成分としては、例えば、イソフタル酸、セバシン酸、アジピン酸、アゼライン酸、コハク酸等が挙げられる。PBTフィルムを構成するPBT樹脂の具体例としては、例えば東レ（株）から商品名「トレコン」として市販されているホモPBT樹脂を挙げることができる。
PBTフィルムは、基本的に1,4-ブタンジオールとテレフタル酸とからなる飽和ポリエステルフィルムである。但し熱収縮性等の物性を損なわない範囲で、1,4-ブタンジオール以外のジオール成分、又はテレフタル酸以外のカンボン酸成分を共重合成分として含んでいてもよい。そのようなジオール成分としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ネオペンチルグリコール、1,4-シクロヘキサンメタノール等が挙げられる。またジカルボン酸成分としては、例えば、イソフタル酸、セバシン酸、アジピン酸、アゼライン酸、コハク酸等が挙げられる。PBTフィルムを構成するPBT樹脂の具体例としては、例えば東レ（株）から商品名「トレコン」として市販されているホモPBT樹脂を挙げることができる。
PBTフィルムは、一般に誘電率（106Hz）が3.3であり、誘電正接（106 Hz）が0.02であり、約220〜230℃の融点及び約20〜45℃のガラス転移温度を有する。
PBTフィルムの熱収縮率は、MD（機械方向）及びTD（幅方向）ともに２％以下であるのが好ましい。ここでMD及びTDの熱収縮率はそれぞれ、PBTフィルムを150℃に10分間加熱する条件で測定したものである。熱収縮率が２％以下のPBTフィルムは、空冷インフレーション成形法により製造することができる。PBTフィルムを空冷インフレーション成形法により製造する方法として、特開2004-268257号に記載の方法を挙げることができる。
(iii) ポリエステルフィルム中の他の添加成分
ポリエステルフィルムは、単一樹脂成分からなるものに限定されず、複数の樹脂成分からなるものでもよい。樹脂成分の組合せとしては、複数のポリエステル樹脂の組合せの他に、一種又は二種以上のポリエステル樹脂に本発明の効果を阻害しない範囲で他の熱可塑性樹脂を添加したものが挙げられる。他の熱可塑性樹脂としては、PPS；PA；PI；PAI； PES；PEEK；ポリカーボネート；ポリウレタン；フッ素樹脂；ポリオレフィン；ポリ塩化ビニル；熱可塑性エラストマー等を挙げることができる。他の熱可塑性樹脂を含有する場合、その割合はポリエステルフィルム全体を100質量％として、５〜20質量％であるのが好ましく、5〜15質量％であるのがより好ましく、５〜10質量％であるのが特に好ましい。従って特に断りがない限り、本明細書において使用する用語「PETフィルム」及び「PBTフィルム」はそれぞれ、PET又はPBTの単体のみならず、PET又はPBT＋他の熱可塑性樹脂からなる組成物を含むものと理解すべきである。
ポリエステルフィルムは、単一樹脂成分からなるものに限定されず、複数の樹脂成分からなるものでもよい。樹脂成分の組合せとしては、複数のポリエステル樹脂の組合せの他に、一種又は二種以上のポリエステル樹脂に本発明の効果を阻害しない範囲で他の熱可塑性樹脂を添加したものが挙げられる。他の熱可塑性樹脂としては、PPS；PA；PI；PAI； PES；PEEK；ポリカーボネート；ポリウレタン；フッ素樹脂；ポリオレフィン；ポリ塩化ビニル；熱可塑性エラストマー等を挙げることができる。他の熱可塑性樹脂を含有する場合、その割合はポリエステルフィルム全体を100質量％として、５〜20質量％であるのが好ましく、5〜15質量％であるのがより好ましく、５〜10質量％であるのが特に好ましい。従って特に断りがない限り、本明細書において使用する用語「PETフィルム」及び「PBTフィルム」はそれぞれ、PET又はPBTの単体のみならず、PET又はPBT＋他の熱可塑性樹脂からなる組成物を含むものと理解すべきである。
ポリエステルフィルムは、必要に応じて、可塑剤、酸化肪止剤や紫外線吸収剤等の安定剤、帯電防止剤、界面活性剤、染料や顔料等の着色剤、流動性の改善のための潤滑剤、無機充填剤等の添加剤を適宜含有しても良い。
(b) ポリイミドフィルム
ポリイミド（PI）フィルムは、基本的に芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとの脱水縮合反応物からなる。PIフィルムとしては、ピロメリット酸二無水物と4,4’-ジアミノジフェニルエーテルとの脱水縮合反応物を主成分とするものが好ましい。PIフィルムは、一般に誘電率（106Hz）が3.4であり、誘電正接（106 Hz）が0.01である。PIフィルムも他の熱可塑性樹脂や添加剤を含有してもよい。他の熱可塑性樹脂の含有量はPIフィルム全体を100質量％として、５〜20質量％であるのが好ましい。PIフィルムの市販品としては、例えば東レ・デュボン（株）の「カプトン」や、鐘渕化学工業（株）の「アピカル」や、宇部興産（株）の「ユーピレックス」や、三菱樹脂（株）の「ダイアラミー」等を挙げることができる。
ポリイミド（PI）フィルムは、基本的に芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとの脱水縮合反応物からなる。PIフィルムとしては、ピロメリット酸二無水物と4,4’-ジアミノジフェニルエーテルとの脱水縮合反応物を主成分とするものが好ましい。PIフィルムは、一般に誘電率（106Hz）が3.4であり、誘電正接（106 Hz）が0.01である。PIフィルムも他の熱可塑性樹脂や添加剤を含有してもよい。他の熱可塑性樹脂の含有量はPIフィルム全体を100質量％として、５〜20質量％であるのが好ましい。PIフィルムの市販品としては、例えば東レ・デュボン（株）の「カプトン」や、鐘渕化学工業（株）の「アピカル」や、宇部興産（株）の「ユーピレックス」や、三菱樹脂（株）の「ダイアラミー」等を挙げることができる。
(c) フィルムの組合せ
プラスチックフィルム10は単層に限らず、積層して使用することもできる。例えば、異なるプラスチックフィルム同士を熱融着したり、ポリエチレン等の接着層を介して接着したりすることにより、積層フィルムを形成することができる。
プラスチックフィルム10は単層に限らず、積層して使用することもできる。例えば、異なるプラスチックフィルム同士を熱融着したり、ポリエチレン等の接着層を介して接着したりすることにより、積層フィルムを形成することができる。
(d) フィルムの厚さ
プラスチックフィルム10の厚さに特に制限はないが、実用的には約５〜50μmとするのが好適である。プラスチックフィルム10の厚さを約５μm未満とするのは技術的に困難であり、コスト高になる。特にポリエステルフィルムの厚さを約50μm超にすると、フィルム価格が高騰する。
プラスチックフィルム10の厚さに特に制限はないが、実用的には約５〜50μmとするのが好適である。プラスチックフィルム10の厚さを約５μm未満とするのは技術的に困難であり、コスト高になる。特にポリエステルフィルムの厚さを約50μm超にすると、フィルム価格が高騰する。
(3) 金属薄膜
金属薄膜11を構成する金属としては、銅、アルミニウム、亜鉛、銀、金、錫、珪素、チタン、コバルト、ニッケル及び鉄あるいはこれらの合金など導電性を有するものであれば特に限定されない。中でも銅及びアルミニウムが導電性や原料コストの点から好ましい。金属薄膜11としては、蒸着膜、箔、めっき膜等が挙げられるが、蒸着膜が好ましい。蒸着膜は一般的に純度が高く、耐酸化性に優れている。
金属薄膜11を構成する金属としては、銅、アルミニウム、亜鉛、銀、金、錫、珪素、チタン、コバルト、ニッケル及び鉄あるいはこれらの合金など導電性を有するものであれば特に限定されない。中でも銅及びアルミニウムが導電性や原料コストの点から好ましい。金属薄膜11としては、蒸着膜、箔、めっき膜等が挙げられるが、蒸着膜が好ましい。蒸着膜は一般的に純度が高く、耐酸化性に優れている。
金属薄膜11の厚さは、伝送する電磁波の周波数に応じて適宜設定すればよいが、一般的に100 nm以上であるのが好ましい。厚さの上限は、製造効率の点から10μm以下であるのが好ましい。
(4) 微細孔
微細孔は貫通孔又は未貫通孔のいずれでもよいが、貫通孔を含むのが好ましい。微細孔12の平均開口径は0.5〜100μmであるのが好ましい。微細孔12の平均開口径を0.5μｍ未満とするのは技術的に困難であり、コスト高になる。また微細孔12の平均開口径を100μm超にすると、帯状導電膜１の強度が低下する恐れがある。微細孔12の平均開口径は、0.5〜50μmであるのがより好ましく、0.5〜20μｍであるのが特に好ましい。
微細孔は貫通孔又は未貫通孔のいずれでもよいが、貫通孔を含むのが好ましい。微細孔12の平均開口径は0.5〜100μmであるのが好ましい。微細孔12の平均開口径を0.5μｍ未満とするのは技術的に困難であり、コスト高になる。また微細孔12の平均開口径を100μm超にすると、帯状導電膜１の強度が低下する恐れがある。微細孔12の平均開口径は、0.5〜50μmであるのがより好ましく、0.5〜20μｍであるのが特に好ましい。
微細孔12の平均分布密度は500個／cm2以上であるのが好ましい。微細孔12の平均分布密度が500個／cm2未満であると、伝送損失が多い。なお微細孔12の平均分布密度の上限は技術的に可能な限りいくらでも良く、特に制限されない。ただし帯状導電膜１の伝送損失を良好にし、かつ膜強度を保持する観点から、微細孔12の平均分布密度は１×103〜３×104個／cm2であるのがより好ましく、１×104〜３×104個／cm2であるのが特に好ましい。
微細孔12は、図１(b)及び図２(b)に示すように、その壁面に金属薄膜層11が形成されているのが好ましく、これにより伝送損失が一層少なくなる。ただし微細孔12の壁面に金属薄膜層11を形成することに限定する趣旨ではない。
(5) 製造方法
帯状導電膜１は、(a) プラスチックフィルム10の少なくとも一面に金属薄膜を形成した後、以下に述べるポーラス加工により微細孔12を形成するか、(b) プラスチックフィルム10にポーラス加工により微細孔12を形成した後、少なくとも一面に金属薄膜を形成し、次いで(c) スリットすることにより製造することができる。
帯状導電膜１は、(a) プラスチックフィルム10の少なくとも一面に金属薄膜を形成した後、以下に述べるポーラス加工により微細孔12を形成するか、(b) プラスチックフィルム10にポーラス加工により微細孔12を形成した後、少なくとも一面に金属薄膜を形成し、次いで(c) スリットすることにより製造することができる。
(a) 金属薄膜形成後にポーラス加工する方法
(i) 金属薄膜形成工程
金属薄膜の形成方法に特に制限はないが、蒸着法、箔を接合する方法、めっき法（電気めっき法、無電解めっき法等）等が挙げられる。中でも金属薄膜形成方法としては蒸着法が好ましい。金属の蒸着方法に特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法、プラズマCVD法、熱CVD法、光CVD法等の化学気相蒸着法等公知の方法を適用することができる。ただし経済性の点では真空蒸着法が好ましい。
(i) 金属薄膜形成工程
金属薄膜の形成方法に特に制限はないが、蒸着法、箔を接合する方法、めっき法（電気めっき法、無電解めっき法等）等が挙げられる。中でも金属薄膜形成方法としては蒸着法が好ましい。金属の蒸着方法に特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法、プラズマCVD法、熱CVD法、光CVD法等の化学気相蒸着法等公知の方法を適用することができる。ただし経済性の点では真空蒸着法が好ましい。
真空蒸着法は、一般的に半連続式（フィルムの送り出し、蒸着及び巻取りを真空中で行う方法）又は連続式（フィルムの送り出しと巻取りは大気中で、蒸着のみを真空中で行う方法）により行う。具体的には、10-2 Pa程度の高真空下で、金属を高周波誘導加熱方式又は抵抗加熱方式（輻射）により加熱し、蒸発させ、その蒸気をプラスチックフィルムに凝縮させ、金属層を形成する。
化学気相蒸着法（CVD法）を用いる場合、低温で薄膜を形成できるプラズマCVD法を用いるのが好ましい。プラズマCVD法は、対向する電極間もしくはコイルに高周波電力を印加して低圧反応ガスのプラズマを発生させて金属蒸着層を形成するか、減圧下で反応ガスの高周波グロー放電分解により金属蒸着層を形成する方法である。出発原料としてハロゲン化金属、有機金属、有機金属錯体、金属アルコラート等を用い、さらに窒素、アンモニア、一酸化二窒素、酸素、一酸化炭素、メタン、水素等の反応性ガスをヘリウム、アルゴン等のキャリアガスとともに用いる。
銅蒸着層を形成する場合、例えば原料ガスとして銅アセチルアセトナート［Cu(acac)2］を用いるが、水素を添加することにより炭素を効果的に除去することができる。
アルミニウム蒸着層を形成する場合、例えば原料ガスとしてトリメチルアルミニウム（Al(CH3)3）を用い、0.03 〜0.06 W／cm3のプラズマパワー密度下、下記式(1)：
2 Al(CH3)3 ＋ H2 → 2 Al(CH3)2 ＋ 2CH4 ・・・(1)
、及び下記式(2)：
Al(CH3)2 ＋ H2 → Al ＋ 2CH4 ・・・(2)
により表される反応を選択的に生じさせる。なお式(1)はプラズマ中で起こる反応を表し、式(2)はフィルム表面で起こる反応を表す。
2 Al(CH3)3 ＋ H2 → 2 Al(CH3)2 ＋ 2CH4 ・・・(1)
、及び下記式(2)：
Al(CH3)2 ＋ H2 → Al ＋ 2CH4 ・・・(2)
により表される反応を選択的に生じさせる。なお式(1)はプラズマ中で起こる反応を表し、式(2)はフィルム表面で起こる反応を表す。
プラスチックフィルム10と蒸着する金属との密着性を高めるために、蒸着操作の前にプラスチックフィルム10に洗浄を兼ねた表面処理を施すのが好ましい。表面処理としては、ブラスト、エンボス加工等による機械的処理；コロナ放電、プラズマ、火炎処理等による物理化学的処理；溶剤、酸性溶液、アルカリ性溶液等による化学的処理等がある。表面処理後のフィルム10を加熱又は真空加熱処理して、フィルム10中の水分やガス分を除去してもよい。
プラスチックフィルム10と金属箔11を接合するには、真空プレス装置等を用いてプラスチックフィルム10と金属箔11とを熱圧着する方法、接着剤を用いる方法などが挙げられる。接着剤として、例えば、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、エチレン−ビニルアルコール共重合樹脂（EVA）、ポリビニルアセタール系樹脂［例えばポリビニルホルマール、ポリビニルブチラール（PVB樹脂）、変性PVB等］、塩化ビニル樹脂、ホットメルト接着剤、シーラントフィルム等が挙げられる。シーラントフィルムは、ポリエチレンフィルム、無延伸ポリプロピレンフィルム、アイオノマー樹脂フィルム、ポリスチレンフィルム、エチレン-酢酸ビニル共重合体（EVA）とポリエチレンとの混合物からなるフィルム等により形成することができる。
図３〜図５に示すような、ストリップ状の金属薄膜11を形成する方法として、例えばプラスチックフィルム10上に一様に金属薄膜11を形成した後、レジスト塗布及び露光工程によりストリップ状回路を印刷し、金属薄膜11の不要部分を除去するエッチング処理を行う方法が挙げられる。また金属薄膜11を形成しない部分に予めマスク層を設けた後、プラスチックフィルム10上に蒸着法又はめっき法により金属薄膜11を形成し、マスク層を除去する方法も挙げられる。マスク層を構成する物質としては、例えば流動パラフィン、シリコーン系有機化合物、フッ素系有機化合物等の絶縁性有機物が好ましい。マスク層を形成する方法として、コーティング法、真空蒸着法等が挙げられる。
(ii) ポーラス加工工程
金属薄膜11を形成したプラスチックフィルム10に微細孔12を形成するには、例えば特許第2063411号、特開2002-059487号、特許第2643730号、特許第2542772号、特許第2703151号、特開平9-99492号、特開平9-57860号等に開示の方法を採用することができる。例えば特許第2063411号に開示の方法を利用すると、鋭い角部を有する多数のモース硬度５以上の粒子が表面に付着した第一ロールと、表面が平滑な第二ロールとの間に、金属薄膜11を形成したフィルム10を通過させるとともに、各ロール間を通過するフィルムへの押圧力を各ロールと接触するフィルム面全体に亘って均一となるように調節することにより、第一ロール表面の多数の粒子の鋭い角部でフィルムに微細孔12を多数形成することができる。第二ロールとしては、例えば鉄系ロール、表面にNiメッキ、Crメッキ等を施した鉄系ロール、ステンレス系ロール、特殊鋼ロール等を用いることができる。微細孔12の平均開口径や平均分布密度は、第一ロールに付着される微粒子の粒径や密度を調整することにより調整できる。また第一ロール及び第二ロール間の押圧力を調節することにより、貫通孔及び未貫通孔の一方又は両方を形成することができる。
金属薄膜11を形成したプラスチックフィルム10に微細孔12を形成するには、例えば特許第2063411号、特開2002-059487号、特許第2643730号、特許第2542772号、特許第2703151号、特開平9-99492号、特開平9-57860号等に開示の方法を採用することができる。例えば特許第2063411号に開示の方法を利用すると、鋭い角部を有する多数のモース硬度５以上の粒子が表面に付着した第一ロールと、表面が平滑な第二ロールとの間に、金属薄膜11を形成したフィルム10を通過させるとともに、各ロール間を通過するフィルムへの押圧力を各ロールと接触するフィルム面全体に亘って均一となるように調節することにより、第一ロール表面の多数の粒子の鋭い角部でフィルムに微細孔12を多数形成することができる。第二ロールとしては、例えば鉄系ロール、表面にNiメッキ、Crメッキ等を施した鉄系ロール、ステンレス系ロール、特殊鋼ロール等を用いることができる。微細孔12の平均開口径や平均分布密度は、第一ロールに付着される微粒子の粒径や密度を調整することにより調整できる。また第一ロール及び第二ロール間の押圧力を調節することにより、貫通孔及び未貫通孔の一方又は両方を形成することができる。
上記(i)で述べた方法で金属薄膜11を形成した後、金属薄膜形成面を第一ロールに当接させるポーラス加工を行うことにより、第一ロール表面の多数の微粒子の角部で、金属薄膜11を形成したフィルム10に多数の微細孔12が形成されると同時に、金属薄膜11が微細孔12の壁面に沿って塑性変形する。その結果、壁面に金属薄膜11が形成された微細孔12が形成される。金属薄膜11を両面に有する薄膜の場合、ポーラス加工を施すことにより各金属薄膜11，11を連結させることができる。
両面に金属薄膜11を有するプラスチックフィルム10に高密度で微細孔12を形成する場合、上記第一及び第二のロールを有する穿孔ユニットを２式設け、二段階で微細孔12を形成してもよい。この時二段目の第一ロールに当接する面は、一段目の第一ロールに当接した面の反対面であるのが好ましい。また両面に金属薄膜を有する薄膜を二つの第一ロールの間に通すことにより、両面から微細孔12を形成してもよい。
(b) ポーラス加工後に金属を蒸着する方法
まずプラスチックフィルム10に対して、上記第一及び第二のロールを有する穿孔ユニットによりポーラス加工を行い、微細孔12を形成し、次いで上記(a)で述べた蒸着法又はめっき法により金属薄膜11を形成する。ポーラス加工したプラスチックフィルム10のいずれか一方の面に、蒸着法又はめっき法により金属薄膜11を形成することにより、微細孔12の壁面にも金属が形成される。
まずプラスチックフィルム10に対して、上記第一及び第二のロールを有する穿孔ユニットによりポーラス加工を行い、微細孔12を形成し、次いで上記(a)で述べた蒸着法又はめっき法により金属薄膜11を形成する。ポーラス加工したプラスチックフィルム10のいずれか一方の面に、蒸着法又はめっき法により金属薄膜11を形成することにより、微細孔12の壁面にも金属が形成される。
予めプラスチックフィルム10に微細孔12を形成する際、特開平9-99492号に開示の方法を採用することができる。この方法では穿孔ユニットの後段においてアーク照射を行う。これにより穿孔を確実に行うことができる。また特許第2643730号、特許第2542772号及び特許第2703151号に開示の方法を採用することができる。これらは第一ロールの粒子を誘電体粒子（例えばダイヤモンド粒子）とし、第二ロールをジルコニア層のような誘電体層により被覆し、第一ロールに高電圧を供給することにより、第一ロールと第二ロールの間でコロナ放電を起こす方法である。また特開平9-57860号に開示の方法を採用することができる。この方法では、穿孔ユニットの後段に、誘電体層及びゴム層がこの順に被覆された第三ロールを設け、第一ロールと第三ロールの間でコロナ放電を起こす。
上記(a)及び(b)のいずれの方法においても、微細孔12は帯状導電膜１の全面に一様に設けるのが好ましい。
(c) スリット工程
得られた微細孔付き導電膜を所望の幅にスリットする。スリット方法は特に制限されず、公知のスリッタを用いる方法が挙げられる。
得られた微細孔付き導電膜を所望の幅にスリットする。スリット方法は特に制限されず、公知のスリッタを用いる方法が挙げられる。
[2] 高周波伝送線路
以下高周波伝送線路（以下単に「伝送線路」とよぶ）について図面を用いて詳細に説明する。ただし伝送線路が具備する帯状導電膜は図示のものに限定されず、図１〜図５に示すいずれの膜でもよい。
以下高周波伝送線路（以下単に「伝送線路」とよぶ）について図面を用いて詳細に説明する。ただし伝送線路が具備する帯状導電膜は図示のものに限定されず、図１〜図５に示すいずれの膜でもよい。
(1) 第一の伝送線路
本発明の第一の伝送線路は、図１〜図５のいずれかに示す一本の帯状導電膜１のみからなる。第一の伝送線路の幅は、伝送する電磁波の周波数に応じて適宜設定すればよい。
本発明の第一の伝送線路は、図１〜図５のいずれかに示す一本の帯状導電膜１のみからなる。第一の伝送線路の幅は、伝送する電磁波の周波数に応じて適宜設定すればよい。
(2) 第二の伝送線路
図６は本発明の第二の伝送線路を示す。この伝送線路では、二本の帯状導電膜１，１が、板状の誘電性支持体２上に平面配置され、平行線路が形成されている。この伝送線路は、二本の帯状導電膜１，１間に電界が集中し、高周波を伝送することができる。図６に示すように、二本の帯状導電膜１，１が各々一面に金属薄膜11を有する場合、積層配置が同じであるのが好ましい。
図６は本発明の第二の伝送線路を示す。この伝送線路では、二本の帯状導電膜１，１が、板状の誘電性支持体２上に平面配置され、平行線路が形成されている。この伝送線路は、二本の帯状導電膜１，１間に電界が集中し、高周波を伝送することができる。図６に示すように、二本の帯状導電膜１，１が各々一面に金属薄膜11を有する場合、積層配置が同じであるのが好ましい。
帯状導電膜１，１の幅d1，d2は、伝送する電磁波の周波数に応じて適宜設定すればよい。幅d1，d2は、通常１〜10 mmであるのが好ましく、1.5〜７mmであるのがより好ましい。幅d1，d2が、１mm以上であれば、高周波に対して十分な伝達性を有する。幅d1，d2を10 mm超としても、膜価格が高騰する。ただし幅d1，d2は、必ずしも同じである必要はない。
二本の帯状導電膜１，１の間隔d3は、１〜10 mmであるのが好ましく、1.5〜７mmであるのがより好ましい。間隔d3が１mm未満だと伝達性が不十分であり、一方10mm超だと放射損失が多い。
誘電性支持体２を構成する誘電体は特に制限されず、例えばプラスチックフィルム10と同じ樹脂；GaAs等の半導体；アルミナ等のセラミックス等が挙げられる。誘電性支持体２の形状は、二本の帯状導電膜を平面配置できればよく、図示のものに限定されない。誘電性支持体２の厚さは、伝送する電磁波の周波数や形状保持性や必要な強度に応じて適宜設定できる（以下同じ）。帯状導電膜１，１を、誘電性支持体２に固定するには、接着剤を介して積層するのが好ましい（以下同じ）。接着剤は上記と同じでよい。
(3) 第三の伝送線路
図７は本発明の第三の伝送線路を示す。図７において図６と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第三の伝送線路では、二本の帯状導電膜１，１が、U字状断面を有する誘電性支持体２の内側に、対向配置されている。この伝送線路は、二本の帯状導電膜間１，１に電界が集中し、高周波を伝送することができる。図７に示すように、二本の帯状導電膜１，１が各々一面に金属薄膜11を有する場合、各金属薄膜11，11が対向するように配置するのが好ましい。誘電性支持体２の形状は、二本の帯状導電膜を対向配置できればよく、図示のものに限定されない。
図７は本発明の第三の伝送線路を示す。図７において図６と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第三の伝送線路では、二本の帯状導電膜１，１が、U字状断面を有する誘電性支持体２の内側に、対向配置されている。この伝送線路は、二本の帯状導電膜間１，１に電界が集中し、高周波を伝送することができる。図７に示すように、二本の帯状導電膜１，１が各々一面に金属薄膜11を有する場合、各金属薄膜11，11が対向するように配置するのが好ましい。誘電性支持体２の形状は、二本の帯状導電膜を対向配置できればよく、図示のものに限定されない。
各帯状導電膜１，１の幅は第二の伝送線路と同じでよい。ただし帯状導電膜１，１の幅は、必ずしも同じである必要はない。二本の帯状導電膜の間隔d4は、１〜10 mmであるのが好ましく、1.5〜７mmであるのがより好ましい。間隔d4が１mm未満だと伝達性が不十分であり、一方10 mm超だと放射損失が多い。
(4) 第四の伝送線路
図８は本発明の第四の伝送線路を示す。図８において図６と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。この伝送線路では、二本の帯状導電膜１，１が、L字状断面を有する誘電性支持体２の内側に、各々の水平面が直交するように配置されている。この伝送線路は、二本の帯状導電膜１，１間に電界が集中し、高周波を伝送することができる。図８に示すように、二本の帯状導電膜１，１が各々一面に金属薄膜11を有する場合、各金属薄膜表面11，11が互いに面するように配置するのが好ましい。誘電性支持体２の形状は、二本の帯状導電膜１，１を各々の水平面が直交するように配置できればよく、図示のものに限定されない。
図８は本発明の第四の伝送線路を示す。図８において図６と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。この伝送線路では、二本の帯状導電膜１，１が、L字状断面を有する誘電性支持体２の内側に、各々の水平面が直交するように配置されている。この伝送線路は、二本の帯状導電膜１，１間に電界が集中し、高周波を伝送することができる。図８に示すように、二本の帯状導電膜１，１が各々一面に金属薄膜11を有する場合、各金属薄膜表面11，11が互いに面するように配置するのが好ましい。誘電性支持体２の形状は、二本の帯状導電膜１，１を各々の水平面が直交するように配置できればよく、図示のものに限定されない。
各帯状導電膜１，１の幅は第二の伝送線路と同じでよい。ただし帯状導電膜１，１の幅は、必ずしも同じである必要はない。二本の帯状導電膜１，１の間隔d5は、１〜10 mmであるのが好ましく、1.5〜７mmであるのがより好ましい。間隔d5が１mm未満だと伝達性が不十分であり、一方10 mm超だと放射損失が多い。
(5) 第五の伝送線路
図９は本発明の第五の伝送線路を示す。図９において図６と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第五の伝送線路は、誘電性支持体２が、断面がU字状の２つの支持体を、開放端を外方に向けてL字状に接合した形状である以外第四の伝送線路と同じである。
図９は本発明の第五の伝送線路を示す。図９において図６と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第五の伝送線路は、誘電性支持体２が、断面がU字状の２つの支持体を、開放端を外方に向けてL字状に接合した形状である以外第四の伝送線路と同じである。
(6) 第六の伝送線路
図10は本発明の第六の伝送線路を示す。図10において図６と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第六の伝送線路では、板状の誘電性支持体２の両面に、帯状導電膜からなる接地導体1'，1'が設けられており、板状誘電体基板２の厚さ方向の中央部に、帯状導電膜からなるストリップ導体１が、接地導体1'，1'と平行になるように設けられたストリップ線路が形成されている。この伝送線路は、ストリップ導体１と、接地導体1'，1'との各間に電界が集中し、高周波を伝送することができる。
図10は本発明の第六の伝送線路を示す。図10において図６と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第六の伝送線路では、板状の誘電性支持体２の両面に、帯状導電膜からなる接地導体1'，1'が設けられており、板状誘電体基板２の厚さ方向の中央部に、帯状導電膜からなるストリップ導体１が、接地導体1'，1'と平行になるように設けられたストリップ線路が形成されている。この伝送線路は、ストリップ導体１と、接地導体1'，1'との各間に電界が集中し、高周波を伝送することができる。
ストリップ導体１の幅や、ストリップ導体１と接地導体1'，1'との各間隔は伝送する電磁波の周波数に応じて適宜設定すればよい。ストリップ導体１のみに帯状導電膜を用いてもよいし、接地導体1'，1'の少なくとも一方のみに帯状導電膜を用いてもよい。このような場合、帯状導電膜以外の導体には金属のみからなる薄膜（例えば銅蒸着膜、銅箔等）を使用すればよい（以下同様）。
(7) 第七の伝送線路
図11は本発明の第七の伝送線路を示す。図11において図６と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第七の伝送線路では、板状の誘電性支持体２の一面に、帯状導電膜からなるストリップ導体１が設けられており、他方の面に帯状導電膜からなる接地導体1'が設けられたマイクロストリップ線路が形成されている。この伝送線路は、ストリップ導体１と接地導体1'との間に電界が集中し、高周波を伝送することができる。ストリップ導体１の幅や、ストリップ導体１と接地導体1'との間隔は伝送する電磁波の周波数に応じて適宜設定すればよい。ストリップ導体１のみに帯状導電膜を用いてもよいし、接地導体1'のみに帯状導電膜を用いてもよい。
図11は本発明の第七の伝送線路を示す。図11において図６と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第七の伝送線路では、板状の誘電性支持体２の一面に、帯状導電膜からなるストリップ導体１が設けられており、他方の面に帯状導電膜からなる接地導体1'が設けられたマイクロストリップ線路が形成されている。この伝送線路は、ストリップ導体１と接地導体1'との間に電界が集中し、高周波を伝送することができる。ストリップ導体１の幅や、ストリップ導体１と接地導体1'との間隔は伝送する電磁波の周波数に応じて適宜設定すればよい。ストリップ導体１のみに帯状導電膜を用いてもよいし、接地導体1'のみに帯状導電膜を用いてもよい。
(8) 第八の伝送線路
図12は本発明の第八の伝送線路を示す。図12において図６と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第八の伝送線路では、板状の誘電性支持体２の一面に帯状導電膜からなるストリップ導体１が設けられており、ストリップ導体１の両側に近接して帯状導電膜からなる２つの接地導体1'，1'が設けられたコプレナ線路が形成されている。この伝送線路は、ストリップ導体１と、接地導体1'，1'との各間に電界が集中し、高周波を伝送することができる。ストリップ導体１の幅や、ストリップ導体１と接地導体1'，1'との各間隔は伝送する電磁波の周波数に応じて適宜設定すればよい。ストリップ導体１のみに帯状導電膜を用いてもよいし、接地導体1'，1'の少なくとも一方のみに帯状導電膜を用いてもよい。帯状導電膜からなるストリップ導体１の幅は第二の伝送線路の導体と同じでよい。
図12は本発明の第八の伝送線路を示す。図12において図６と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第八の伝送線路では、板状の誘電性支持体２の一面に帯状導電膜からなるストリップ導体１が設けられており、ストリップ導体１の両側に近接して帯状導電膜からなる２つの接地導体1'，1'が設けられたコプレナ線路が形成されている。この伝送線路は、ストリップ導体１と、接地導体1'，1'との各間に電界が集中し、高周波を伝送することができる。ストリップ導体１の幅や、ストリップ導体１と接地導体1'，1'との各間隔は伝送する電磁波の周波数に応じて適宜設定すればよい。ストリップ導体１のみに帯状導電膜を用いてもよいし、接地導体1'，1'の少なくとも一方のみに帯状導電膜を用いてもよい。帯状導電膜からなるストリップ導体１の幅は第二の伝送線路の導体と同じでよい。
(9) 第九の伝送線路
図13は本発明の第九の伝送線路を示す。図13において図６と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第九の伝送線路では、断面が方形の導体管３の内部に、帯状導電膜からなるストリップ導体１が一面に設けられた板状誘電体基板２が、その側面が方形導体管３の両内側面と接し、かつ上下面とは接しないように平行に固定されたサスペンデッド線路が形成されている。ストリップ導体１の幅や、方形導体管３のサイズは伝送する電磁波の周波数に応じて適宜設定すればよい。
図13は本発明の第九の伝送線路を示す。図13において図６と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第九の伝送線路では、断面が方形の導体管３の内部に、帯状導電膜からなるストリップ導体１が一面に設けられた板状誘電体基板２が、その側面が方形導体管３の両内側面と接し、かつ上下面とは接しないように平行に固定されたサスペンデッド線路が形成されている。ストリップ導体１の幅や、方形導体管３のサイズは伝送する電磁波の周波数に応じて適宜設定すればよい。
(10) 第十の伝送線路
図14は本発明の第十の伝送線路を示す。図14において図６と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第十の伝送線路では、断面が方形の角柱状誘電性支持体２を帯状導電膜１により被覆した誘電体方形導波管を形成している。誘電体方形導波管の断面積は伝送する電磁波の周波数に応じて適宜設定すればよい。
図14は本発明の第十の伝送線路を示す。図14において図６と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第十の伝送線路では、断面が方形の角柱状誘電性支持体２を帯状導電膜１により被覆した誘電体方形導波管を形成している。誘電体方形導波管の断面積は伝送する電磁波の周波数に応じて適宜設定すればよい。
(11) 第十一の伝送線路
図15は本発明の第十一の伝送線路を示す。図15において図６と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第十一の伝送線路では、断面がH形の柱状誘電性支持体２を帯状導電膜１により被覆した誘電体リッジ導波管を形成している。誘電体リッジ導波管の断面積は伝送する電磁波の周波数に応じて適宜設定すればよい。
図15は本発明の第十一の伝送線路を示す。図15において図６と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第十一の伝送線路では、断面がH形の柱状誘電性支持体２を帯状導電膜１により被覆した誘電体リッジ導波管を形成している。誘電体リッジ導波管の断面積は伝送する電磁波の周波数に応じて適宜設定すればよい。
(12) 第十二の伝送線路
図16は本発明の第十二の伝送線路を示す。図16において図６と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第十二の伝送線路では、円柱状誘電性支持体２を帯状導電膜１により被覆した誘電体円形導波管を形成している。誘電体円形導波管の断面積は伝送する電磁波の周波数に応じて適宜設定すればよい。
図16は本発明の第十二の伝送線路を示す。図16において図６と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第十二の伝送線路では、円柱状誘電性支持体２を帯状導電膜１により被覆した誘電体円形導波管を形成している。誘電体円形導波管の断面積は伝送する電磁波の周波数に応じて適宜設定すればよい。
(13) 第十三の伝送線路
図17は本発明の第十三の伝送線路を示す。図17において図６と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第十三の伝送線路では、断面が円環状の円筒状誘電性支持体２の内周面に帯状導電膜からなる中心導体１を設け、外周面に帯状導電膜からなる接地導体1'を設けた同軸線路を形成している。同軸線路の径（内径及び外径）は伝送する電磁波の周波数に応じて適宜設定すればよい。中心導体１のみに帯状導電膜を用いてもよいし、接地導体1'のみに帯状導電膜を用いてもよい。
図17は本発明の第十三の伝送線路を示す。図17において図６と同じ部材又は部分には同じ参照番号を付してある。第十三の伝送線路では、断面が円環状の円筒状誘電性支持体２の内周面に帯状導電膜からなる中心導体１を設け、外周面に帯状導電膜からなる接地導体1'を設けた同軸線路を形成している。同軸線路の径（内径及び外径）は伝送する電磁波の周波数に応じて適宜設定すればよい。中心導体１のみに帯状導電膜を用いてもよいし、接地導体1'のみに帯状導電膜を用いてもよい。
以上のような本発明の伝送線路は伝送損失が少ない。その理由は定かではないが、例えば高周波の伝播時に微細孔12に渦電流が発生して、線路のインピーダンスや電流密度が低下するといったことが推測される。
以上の通り図面を参照して本発明を説明したが、本発明はそれらに限定されず、本発明の趣旨を変更しない限り種々の変更を加えることができる。例えば図６〜図９に示すような二本の帯状導電膜１，１が並列している第二〜第五の伝送線路において、各帯状導電膜１，１の水平面が交わる角度は、ほぼ０度（第二及び第三の伝送線路）やほぼ90度（第四及び第五の伝送線路）に限らず、これら以外でもよい。
本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。
実施例１
（帯状導電膜の作製）
PETフィルム：二軸延伸PETフィルム［厚さ：12μm、融点：265℃、ガラス転移温度：75℃、商品名：「ルミラー」（東レ（株）製）］。
（帯状導電膜の作製）
PETフィルム：二軸延伸PETフィルム［厚さ：12μm、融点：265℃、ガラス転移温度：75℃、商品名：「ルミラー」（東レ（株）製）］。
上記PETフィルムの一面に、真空蒸着法により0.3μmの厚さの銅蒸着層を形成した。次いで定位置に固定した第一ロール（粒径30〜60μmの合成ダイヤモンド微粒子を電着したもの）と金属製第二ロールとの間に、得られた銅蒸着フィルムを通過させた。得られた多孔質銅蒸着PETフィルムの微細孔の平均開口径は１〜５μmであり、微細孔の密度は２×104〜2.5×104 個／cm2であった。得られた導電膜の表面を光学顕微鏡により観察した。得られた光学顕微鏡写真を図18（10倍×10倍）に示す。図18から、多数の微細な貫通孔が一様に形成されていることが分かった。得られた多孔質銅蒸着PETフィルムをスリットし、3.0 mmの幅を有する帯状導電膜を作製した。
（伝送線路の作製）
２本の上記帯状導電膜を、板状のPCV製支持体に平行に固定し、図６に示す平行線路型の伝送線路を作製した（長さ：１m、二本の帯状導電膜の間隔d3：３mm）。
２本の上記帯状導電膜を、板状のPCV製支持体に平行に固定し、図６に示す平行線路型の伝送線路を作製した（長さ：１m、二本の帯状導電膜の間隔d3：３mm）。
（高周波伝達率の測定）
図19に示すように、上記伝送線路の一端に高周波発振器４を接続し、他端に高周波受信器５を接続し、表１に示す周波数の各信号を伝送し、高周波伝達率（％）［入力振幅（V）／出力振幅（V）×100］を調べた。結果を図20に示す。上記伝送線路は、300 MHzの印加信号に対して70％以上の伝達率を示した。
図19に示すように、上記伝送線路の一端に高周波発振器４を接続し、他端に高周波受信器５を接続し、表１に示す周波数の各信号を伝送し、高周波伝達率（％）［入力振幅（V）／出力振幅（V）×100］を調べた。結果を図20に示す。上記伝送線路は、300 MHzの印加信号に対して70％以上の伝達率を示した。
実施例２
各帯状導電膜の幅を5.0 mmとした以外実施例１と同様にして、平行線路型の伝送線路を作製した。得られた伝送線路について、実施例１と同様にして高周波伝達率（％）を調べた。結果を図21に示す。この伝送線路は、350 MHzの印加信号に対してほぼ100％の伝達率を示した。
各帯状導電膜の幅を5.0 mmとした以外実施例１と同様にして、平行線路型の伝送線路を作製した。得られた伝送線路について、実施例１と同様にして高周波伝達率（％）を調べた。結果を図21に示す。この伝送線路は、350 MHzの印加信号に対してほぼ100％の伝達率を示した。
実施例３
実施例１と同様にして作製した帯状導電膜（幅：3.0 mm）を２本用いて、U字状断面を有するPCV製支持体の内側に対向配置し、図７に示す伝送線路を作製した（長さ：１m、二本の帯状導電膜の間隔d4：２mm）。得られた伝送線路について、実施例１と同様にして高周波伝達率（％）を調べた。結果を図22に示す。この伝送線路は、400 MHzの印加信号に対して90％以上の伝達率を示した。
実施例１と同様にして作製した帯状導電膜（幅：3.0 mm）を２本用いて、U字状断面を有するPCV製支持体の内側に対向配置し、図７に示す伝送線路を作製した（長さ：１m、二本の帯状導電膜の間隔d4：２mm）。得られた伝送線路について、実施例１と同様にして高周波伝達率（％）を調べた。結果を図22に示す。この伝送線路は、400 MHzの印加信号に対して90％以上の伝達率を示した。
実施例４
各帯状導電膜の幅を5.0 mmとした以外実施例３と同様にして、対向型の伝送線路を作製した。得られた伝送線路について、実施例１と同様にして高周波伝達率（％）を調べた。結果を図23に示す。この伝送線路は、400 MHzの印加信号に対して90％以上の伝達率を示した。
各帯状導電膜の幅を5.0 mmとした以外実施例３と同様にして、対向型の伝送線路を作製した。得られた伝送線路について、実施例１と同様にして高周波伝達率（％）を調べた。結果を図23に示す。この伝送線路は、400 MHzの印加信号に対して90％以上の伝達率を示した。
実施例５
実施例１と同様にして作製した帯状導電膜（幅：3.0 mm）を２本用いて、L字状断面を有するPCV製支持体に、各々の水平面が直交するように配置し、図８に示す伝送線路を作製した（長さ：１m、二本の帯状導電膜の間隔d5：５mm）。得られた伝送線路について、実施例１と同様にして高周波伝達率（％）を調べた。結果を図24に示す。この伝送線路は、350 MHzの印加信号に対して100％超の伝達率を示し、超伝導が生じた。
実施例１と同様にして作製した帯状導電膜（幅：3.0 mm）を２本用いて、L字状断面を有するPCV製支持体に、各々の水平面が直交するように配置し、図８に示す伝送線路を作製した（長さ：１m、二本の帯状導電膜の間隔d5：５mm）。得られた伝送線路について、実施例１と同様にして高周波伝達率（％）を調べた。結果を図24に示す。この伝送線路は、350 MHzの印加信号に対して100％超の伝達率を示し、超伝導が生じた。
実施例６
各帯状導電膜の幅を5.0 mmとした以外実施例５と同様にして、伝送線路を作製した。得られた伝送線路について、実施例１と同様にして高周波伝達率（％）を調べた。結果を図25に示す。この伝送線路は、350 MHzの印加信号に対して70％以上の伝達率を示した。
各帯状導電膜の幅を5.0 mmとした以外実施例５と同様にして、伝送線路を作製した。得られた伝送線路について、実施例１と同様にして高周波伝達率（％）を調べた。結果を図25に示す。この伝送線路は、350 MHzの印加信号に対して70％以上の伝達率を示した。
比較例１
線状導体を二本有する市販の絶縁電線（長さ：１m、線状導体：銅のより線、線状導体の直径：５mm、被覆材：ポリエチレン）について、実施例１と同様にして高周波伝達率（％）を調べた。結果を図26に示す。この絶縁電線は、最大でも26％の伝達率しか示さず、実施例１〜６の伝送線路に比較して格段に劣っていた。
線状導体を二本有する市販の絶縁電線（長さ：１m、線状導体：銅のより線、線状導体の直径：５mm、被覆材：ポリエチレン）について、実施例１と同様にして高周波伝達率（％）を調べた。結果を図26に示す。この絶縁電線は、最大でも26％の伝達率しか示さず、実施例１〜６の伝送線路に比較して格段に劣っていた。
比較例２
市販のケーブルテレビ用同軸ケーブル（長さ：１m、内導体：銅の単線、内導体の直径：0.5 mm、外導体：錫めっきした細い銅線を網目に織り込んだもの、絶縁物：ポリエチレン）について、実施例１と同様にして高周波伝達率（％）を調べた。結果を図27に示す。この同軸ケーブルは、最大でも57％の伝達率しか示さず、実施例１〜６の伝送線路に比較して劣っていた。
市販のケーブルテレビ用同軸ケーブル（長さ：１m、内導体：銅の単線、内導体の直径：0.5 mm、外導体：錫めっきした細い銅線を網目に織り込んだもの、絶縁物：ポリエチレン）について、実施例１と同様にして高周波伝達率（％）を調べた。結果を図27に示す。この同軸ケーブルは、最大でも57％の伝達率しか示さず、実施例１〜６の伝送線路に比較して劣っていた。
比較例３
図28は比較例３で評価した同軸ケーブルを示す。この同軸ケーブルは、(a) 実施例１と同様にして作製した帯状導電膜（幅：3.0 mm）を用い、その金属薄板11を外側にしてPCV棒（直径：５mm）２の外周面に螺旋状に巻き付けた内導体１と、(b) 同帯状導電膜を用い、PCV円筒（内径：８mm、外径：10 mm）2'の外周面に螺旋状に巻き付けた外導体1'とからなる。この同軸ケーブルについて、実施例１と同様にして高周波伝達率（％）を調べた。結果を図29に示す。この同軸ケーブルは、最大でも13％の伝達率しか示さず、実施例１〜６の伝送線路に比較して格段に劣っていた。
図28は比較例３で評価した同軸ケーブルを示す。この同軸ケーブルは、(a) 実施例１と同様にして作製した帯状導電膜（幅：3.0 mm）を用い、その金属薄板11を外側にしてPCV棒（直径：５mm）２の外周面に螺旋状に巻き付けた内導体１と、(b) 同帯状導電膜を用い、PCV円筒（内径：８mm、外径：10 mm）2'の外周面に螺旋状に巻き付けた外導体1'とからなる。この同軸ケーブルについて、実施例１と同様にして高周波伝達率（％）を調べた。結果を図29に示す。この同軸ケーブルは、最大でも13％の伝達率しか示さず、実施例１〜６の伝送線路に比較して格段に劣っていた。
比較例４
帯状導電膜の幅を5.0 mmとした以外比較例３と同様にして、同軸ケーブルを作製した。得られた伝送線路について、実施例１と同様にして高周波伝達率（％）を調べた。結果を図30に示す。この同軸ケーブルは、最大でも13％の伝達率しか示さず、実施例１〜６の伝送線路に比較して格段に劣っていた。
帯状導電膜の幅を5.0 mmとした以外比較例３と同様にして、同軸ケーブルを作製した。得られた伝送線路について、実施例１と同様にして高周波伝達率（％）を調べた。結果を図30に示す。この同軸ケーブルは、最大でも13％の伝達率しか示さず、実施例１〜６の伝送線路に比較して格段に劣っていた。
１，1'・・・帯状導電膜
10・・・プラスチックフィルム
11・・・金属薄膜
12・・・微細孔
２・・・誘電性支持体
３・・・導体管
４・・・高周波発振器
５・・・高周波受信器
100，100'・・・導体
200・・・誘電体
10・・・プラスチックフィルム
11・・・金属薄膜
12・・・微細孔
２・・・誘電性支持体
３・・・導体管
４・・・高周波発振器
５・・・高周波受信器
100，100'・・・導体
200・・・誘電体
Claims (19)
- プラスチックフィルムの少なくとも一面に金属薄膜を有し、かつ多数の微細孔を有する帯状の導電膜を具備することを特徴とする高周波伝送線路。
- 請求項１に記載の高周波伝送線路において、前記帯状導電膜は少なくとも二本離隔した状態で並列していることを特徴とする高周波伝送線路。
- 請求項２に記載の高周波伝送線路において、二本の前記帯状導電膜が平面配置されたことを特徴とする高周波伝送線路。
- 請求項３に記載の高周波伝送線路において、前記二本の帯状導電膜は各々一面に前記金属薄膜を有し、積層配置が同じであることを特徴とする高周波伝送線路。
- 請求項３又は４に記載の高周波伝送線路において、前記二本の帯状導電膜は、板状の誘電性支持体上に平面配置されたことを特徴とする高周波伝送線路。
- 請求項２に記載の高周波伝送線路において、二本の前記帯状導電膜が対向配置されたことを特徴とする高周波伝送線路。
- 請求項６に記載の高周波伝送線路において、前記二本の帯状導電膜は各々一面に前記金属薄膜を有し、各金属薄膜が対向するように配置されたことを特徴とする高周波伝送線路。
- 請求項６又は７に記載の高周波伝送線路において、前記二本の帯状導電膜は、断面がU字状の誘電性支持体の内側に配置されたことを特徴とする高周波伝送線路。
- 請求項２に記載の高周波伝送線路において、二本の前記帯状導電膜が、各々の水平面が直交するように配置されたことを特徴とする高周波伝送線路。
- 請求項９に記載の高周波伝送線路において、前記二本の帯状導電膜は各々一面に前記金属薄膜を有し、各金属薄膜表面が互いに面するように配置されたことを特徴とする高周波伝送線路。
- 請求項９又は10に記載の高周波伝送線路において、前記二本の帯状導電膜は、断面がL字状の誘電性支持体に配置されたことを特徴とする高周波伝送線路。
- 請求項１〜11のいずれかに記載の高周波伝送線路において、前記プラスチックフィルムは、ポリエステル、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル−ブタジエン樹脂、ポリウレタン、フッ素樹脂、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル及び熱可塑性エラストマーからなる群から選ばれた少なくとも一種からなることを特徴とする高周波伝送線路。
- 請求項12に記載の高周波伝送線路において、前記ポリエステルはポリエチレンテレフタレート及び／又はポリブチレンテレフタレートからなることを特徴とする高周波伝送線路。
- 請求項１〜13のいずれかに記載の高周波伝送線路において、前記金属薄膜は蒸着膜又は箔であることを特徴とする高周波伝送線路。
- 請求項１〜14のいずれかに記載の高周波伝送線路において、前記金属薄膜は銅及び／又はアルミニウムからなることを特徴とする高周波伝送線路。
- 請求項１〜15のいずれかに記載の高周波伝送線路において、前記金属薄膜の厚さは100 nm〜10 μmであることを特徴とする高周波伝送線路。
- 請求項１〜16のいずれかに記載の高周波伝送線路において、前記微細孔の平均開口径は0.5〜100μmであることを特徴とする高周波伝送線路。
- 請求項１〜17のいずれかに記載の高周波伝送線路において、前記微細孔の平均分布密度は500個／cm2以上であることを特徴とする高周波伝送線路。
- 請求項１〜18のいずれかに記載の高周波伝送線路において、前記微細孔は、その壁面に前記金属薄膜が形成されていることを特徴とする高周波伝送線路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2006043098A JP2007221713A (ja) | 2006-02-20 | 2006-02-20 | 高周波伝送線路 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007221713A true JP2007221713A (ja) | 2007-08-30 |
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|---|---|---|---|
| JP2006043098A Pending JP2007221713A (ja) | 2006-02-20 | 2006-02-20 | 高周波伝送線路 |
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2006
- 2006-02-20 JP JP2006043098A patent/JP2007221713A/ja active Pending
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