TWI413990B - 導電膜積層構件、光電裝置、電子機器 - Google Patents

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TWI413990B
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Description

導電膜積層構件、光電裝置、電子機器
本發明係有關於一種導電膜積層構件、光電裝置、電子機器。
作為於基板上形成導電膜等圖案膜之方法，眾所周知有如下方法，例如，使用噴墨法，將包含圖案膜之材料之液態材料作為液滴噴出，於基板上塗佈以液滴點相連之功能液，並藉由將經塗佈之功能液固化，而形成圖案膜(例如，參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2003-080694號公報
然而，藉由上述方法所形成之圖案膜為由微小點圖案相互重合而構成之集合體，故而會因點圖案之重疊而導致圖案膜中形成階差。如此一來會存在如下問題：於圖案膜被施加外力之情形時，應力集中於階差部分，導致圖案膜產生剝離或裂紋等。
本發明係為解決上述課題之至少一部分而完成者，且可作為以下之形態或應用例而實現。
[應用例1]本應用例之導電膜積層構件之特徵在於包含：第1導電膜，其形成於基板上；以及第2導電膜，其形成於上述第1導電膜上；上述第2導電膜之膜寬窄於上述第1導電膜之膜寬；且上述第2導電膜於剖面觀察時在與上述第1導電膜相反之方向上具有彎曲成凸狀之表面。
根據該構成，第2導電膜具有不與基板接觸，又，不與第1導電膜之端部重合之形態，因此，可抑制因應力等產生膜之剝離等。進而，第2導電膜在與第1導電膜相反方向上具有彎曲成凸狀之表面，因此，可抑制應力等造成裂紋之產生等。
[應用例2]上述應用例之導電膜積層構件之特徵在於：上述第2導電膜之膜寬係自上述第1導電膜之膜寬方向之兩端部起分別窄0.5~5 μm。
根據該構成，進而可抑制第2導電膜之剝離或裂紋等，從而可提供可靠性高之導電膜積層構件。
[應用例3]上述應用例之導電膜積層構件之特徵在於：上述第2導電膜之厚度為0.2~2 μm；且上述第2導電膜之剖面觀察時之端部角度為0.5~10°。
根據該構成，進而可抑制膜之剝離或裂紋等，從而可提供可靠性高之導電膜積層構件。
[應用例4]上述應用例之導電膜積層構件之特徵在於：上述第1導電膜為具有透明性之導電膜；上述第2導電膜為含銀之導電膜。
根據該構成，於具有透明性之導電膜上積層有銀之導電膜，因此，例如即便於第1導電膜之電阻率相對較高之情形時，亦由於第1導電膜上形成有含銀之第2導電膜，故而作為經積層之導電膜整體可降低電阻率。
[應用例5]上述應用例之導電膜積層構件之特徵在於：其包含形成於上述第1導電膜及上述第2導電膜上之保護膜，且包含：3層積層部，其係由上述第1導電膜、形成於上述第1導電膜上之上述第2導電膜、及形成於上述第2導電膜上之上述保護膜積層而成；以及2層積層部，其為上述第1導電膜之膜寬方向之端部，由上述第1導電膜、及形成於上述第1導電膜上之上述保護膜積層而成。
根據該構成，3層積層部係由保護膜來覆蓋第2導電膜之表面。又，2層積層部中第1導電膜與保護膜密接，因此，能夠將第2導電膜密封。藉此，可於外部環境下確實地保護第2導電膜。
[應用例6]上述應用例之導電膜積層構件之特徵在於：上述第1導電膜與上述保護膜為相同之材料。
根據該構成，可進而提高第1導電膜與保護膜之密接性。
[應用例7]上述應用例之導電膜積層構件之特徵在於：上述第2導電膜係藉由如下方式而形成：對上述基板之表面實施撥水化處理，並對上述第1導電膜之表面，實施較上述基板之撥水力弱之撥水化處理，且將包含上述第2導電膜之材料之液態材料塗佈於上述第1導電膜上。
根據該構成，形成有寬度窄於第1導電膜、且在與第1導電膜相反方向上具有彎曲成凸狀之表面之第2電極膜，因此，可抑制因應力等而產生膜之剝離或裂紋。
[應用例8]本應用例之光電裝置之特徵在於包含上述導電膜積層構件。
根據該構成，能夠提供具備可靠性高之導電膜積層構件之光電裝置。於該情形時，光電裝置係相當於例如液晶顯示器、電漿顯示器、有機EL顯示器、FED(電場發射顯示器)等。
[應用例9]本應用例之電子機器之特徵在於：其搭載有上述光電裝置。
根據該構成，能夠提供搭載有可靠性高之光電裝置之電子機器。於該情形時，電子機器係相當於例如搭載有彩色濾光片、電漿顯示器、有機EL顯示器、FED(電場發射顯示器)之電視接收機，個人電腦、可攜式電子機器、及其他各種電子製品。
以下，一面參照圖式，一面對將本發明具體化之實施形態進行說明。再者，各圖式中之各構件設為可於各圖式上辨識程度之大小，因此，針對每一構件使縮尺或數量等不同進行圖示。
(導電膜積層構件之構成)
首先，對導電膜積層構件之構成進行說明。再者，本實施形態係以作為導電膜積層構件之觸控面板為例進行說明。圖1係表示觸控面板之構成之平面圖。圖2及圖3係表示觸控面板之構成之剖面圖，圖2係圖1所示之觸控面板之A-A'剖面圖，圖3係圖1所示之觸控面板之B-B'剖面圖。
觸控面板100係具有基板1、設置於基板1上之輸入區域5、環繞配線區域6。基板1具有透明性，且為例如石英玻璃、玻璃、及塑膠等。再者，本實施形態中，作為玻璃基板1進行說明。玻璃基板1於平面觀察時成形為矩形。
輸入區域5為圖1中由一點鏈線包圍之區域，且為檢測輸入至觸控面板100之手指之位置資訊之區域。於輸入區域5中，分別配置有複數個X電極10以及複數個Y電極20。X電極10於圖示中沿X軸方向延伸，且X電極10沿Y軸方向相互隔開間隔排列有複數個。Y電極20於圖示中沿Y軸方向延伸，各個Y電極20沿X軸方向相互隔開間隔而排列。X電極10及Y電極20藉由使彼此之橋接配線交叉而於輸入區域5內之交叉部K中交叉。
X電極10包含沿X軸方向排列之複數個島狀電極部12、及連接相鄰之島狀電極部12彼此之橋接配線11。島狀電極部12於平面觀察時形成為矩形，且一對角線以沿X軸的方式配置。
Y電極20包含沿Y軸方向排列之複數個島狀電極部22、及連接相鄰之島狀電極部22彼此之橋接配線21。島狀電極部22係於平面觀察時形成為矩形，且一對角線以沿Y軸的方式配置。島狀電極部12與島狀電極部22於X軸方向及Y軸方向上以相互不同之方式配置(棋盤狀配置)，而於輸入區域5中，矩形之島狀電極部12、22平面觀察時以矩陣狀配置。
作為構成X電極10、Y電極20及橋接配線11、21之材質，可採用ITO(氧化銦)、或IZO(氧化銦鋅；註冊商標)、ZnO等具有透光性之電阻器。
環繞配線區域6為圖1中由二點鏈線所包圍之區域。於環繞配線區域6中形成有複數之環繞配線60。各環繞配線60之一端與X電極10或Y電極20連接，另一端與觸控面板100之內部或外部裝置中所設置之驅動部及電氣訊號轉換/運算部(均省略圖示)連接。
又，環繞配線區域6被劃分為第1區域6a與第2區域6b。本實施形態中，劃分為與驅動部及電氣訊號轉換/運算部(均省略圖示)電性連接之端子連接部之區域所對應的第1區域6a、及第1區域6a以外之區域所對應之第2區域6b。
觸控面板100如圖2及圖3所示，於玻璃基板1之一面1a上，設置有島狀電極部12(省略圖示)、島狀電極部22、橋接配線11、及環繞配線60。於橋接配線11上，以與島狀電極部22成為大致同一平面之高度形成有將X電極10與Y電極20間絕緣之電極間絕緣膜30。接著，於電極間絕緣膜30上配置有橋接配線21。X電極10之橋接配線11係形成為比島狀電極部22薄，例如為1/2左右之厚度。以覆蓋該等電極以及配線之方式形成有平坦化膜40。於平坦化膜40上，隔著接著層51配置有保護基板50。又，於玻璃基板1之另一面1b設置有遮蔽層70。
電極間絕緣膜30係藉由例如聚矽氧烷、丙烯酸系樹脂、及丙烯酸單體等所形成。再者，於使用聚矽氧烷形成之情形時，電極間絕緣膜30成為包含矽氧化物之無機絕緣膜。另一方面，於採用丙烯酸系樹脂及丙烯酸單體之情形時，電極間絕緣膜30成為包含樹脂材料之有機絕緣膜。此處，係使用以4:1(重量比)將JSR NN525E與EDM(二乙二醇乙基甲基醚)混合而成之油墨。
於電極間絕緣膜30之構成材料中，較佳為採用相對介電係數為4.0以下、理想為3.5以下之材料。藉此，可降低橋接配線11、21之交叉部K中之寄生電容，保持觸控面板之位置檢測性能。又，於電極間絕緣膜30之構成材料，較佳為採用折射率為2.0以下、理想為1.7以下之材料。藉此，可縮小與玻璃基板1、或X電極10及Y電極20之折射率差，從而可防止使用者看見電極間絕緣膜30之圖案。
環繞配線60係具有配置於玻璃基板1之一面1a上之第1導電膜60a、及形成於第1導電膜60a上之第2導電膜60b。繼而，第1區域6a中形成有覆蓋環繞配線60之表面之第1保護膜61。又，第2區域6b中形成有覆蓋環繞配線60之表面之第2保護膜62。
第1導電膜60a為具有透明性之透明導電膜。例如，該第1導電膜60a為ITO或IZO等電阻器。第2導電膜60b為以Ag為主成分之金屬膜。再者，第2導電膜60b只要可使薄層電阻小於第1導電膜60a則並無特別限定。例如，使用以除了Ag之外亦將Au、Al、Cu、Pd等金屬及碳(石墨、奈米碳管等奈米碳)中之一種以上作為成分的有機化合物，奈米粒子，及奈米導線等。如此般，可藉由將第1導電膜60a與第2導電膜60b積層而形成為導電膜積層構造，使環繞配線60整體降低電阻率。
又，如圖3所示，第2導電膜60b之膜寬W2係形成為窄於第1導電膜60a之膜寬W1。進而，第2導電膜60b於剖面觀察時在與第1導電膜60a相反之方向上具有彎曲成凸狀之表面。進而具體而言，第2導電膜60b之膜寬W2係形成為自第1導電膜之膜寬W1之兩端部起分別窄0.5~5 μm。又，第2導電膜60b之厚度H為0.2~2 μm，第2導電膜60b之剖面觀察時之端部角度θ為0.5~10°。
第1保護膜61形成於第1導電膜60a之表面以及第2導電膜60b之表面上。第1保護膜61為具有透明性之透明導電膜。例如，該第1保護膜61為與第1導電膜60a相同之材料且為ITO或IZO等電阻器。此處，於環繞配線60與第1保護膜61之積層關係中，如圖3(b)所示，包括由第1導電膜60a、形成於第1導電膜60a上之第2導電膜60b及形成於第2導電膜60b上之第1保護膜61積層而成之3層積層部80，以及作為第1導電膜60a之寬度方向之端部且由第1導電膜60a與形成於第1導電膜60a上之第1保護膜61積層而成之2層積層部81。2層積層部81形成有第1導電膜60a與第1保護膜61之接合部(接觸部)，因此，藉由第1導電膜60a與第1保護膜61封閉第2導電膜60b。藉此，可保護第2導電膜60b不受外界環境影響。
第2保護膜62形成於第1導電膜60a之表面以及第2導電膜60b之表面上。第2保護膜62係具有絕緣性，且藉由例如聚矽氧烷、丙烯酸系樹脂、及丙烯酸單體等形成。再者，第2區域6b中之積層構造亦與上述第1區域6a中之積層構造相同。具體而言，包括由第1導電膜60a、形成於第1導電膜60a上之第2導電膜60b及形成於第2導電膜60b上之第2保護膜62積層而成之3層積層部，以及作為第1導電膜60a之寬度方向之端部且由第1導電膜60a與形成於第1導電膜60a上之第2保護膜62積層而成之2層積層部。2層積層部形成有第1導電膜60a與第2保護膜62之接觸部，因此，藉由第1導電膜60a與第2保護膜62封閉第2導電膜60b。
平坦化膜40形成於X及Y電極10、20以及第2區域6b中之環繞配線60(第2保護膜62上)上。而且，於平坦化膜40上，隔著接著層51配置著保護基板50。又，於玻璃基板1之另一面1b設置有遮蔽層70。再者，於第1區域6a中之環繞配線60上並未設置平坦化膜40及保護基板50等。其原因在於：第1區域6a中之環繞配線60必需與驅動部及電氣訊號轉換/運算部(均省略圖示)連接。
可藉由利用平坦化膜40使玻璃基板1之一面1a側平坦化，而使玻璃基板1與保護基板50大致遍及整個面均一接合。又，平坦化膜40之構成材料中，較佳為採用折射率為2.0以下、較理想為1.7以下之材料。藉此，可使玻璃基板1或X電極10、Y電極20之折射率差縮小，從而可使X電極10或Y電極20之配線圖案難以看見。
保護基板50為玻璃或塑膠等透明基板。或者，於本實施形態之觸控面板100配置於液晶面板或有機EL面板等顯示裝置之前表面之情形時，作為保護基板50，亦可使用用作顯示裝置之一部分之光學元件基板(偏光板或相位差板等)。
遮蔽層70係藉由使ITO或IZO(註冊商標)等透明導電材料成膜於玻璃基板1之另一面1b上而形成。或者，亦可為準備形成有成為遮蔽層之透明導電膜之薄膜，並將該薄膜接著於玻璃基板1之另一面1b之構成。藉由設置遮蔽層70，而於玻璃基板1之另一面1b側遮蔽電場。藉此，可防止觸控面板100之電場作用於顯示裝置等，或者防止顯示裝置等外部機器之電場作用於觸控面板100。再者，本實施形態中，於玻璃基板1之另一面1b形成遮蔽層70，但亦可使遮蔽層70形成於玻璃基板1之一面1a側。
此處，對觸控面板100之動作原理簡單進行說明。首先，自省略圖示之驅動部，經由環繞配線60而對X電極10及Y電極20供給特定之電位。再者，於遮蔽層70中，例如輸入接地之電位(接地電位)。
於如上述供給有電位之狀態下，若自保護基板50側使手指朝輸入區域5靠近，則於靠近保護基板50之手指、與接近位置附近之X電極10及Y電極20之各自之間形成有寄生電容。如此一來，形成有寄生電容之X電極10及Y電極20會因對該寄生電容充電而引起暫時性電位下降。
驅動部係感測各電極之電位，並立即檢測出產生上述電位下降之X電極10及Y電極20。繼而，藉由電氣訊號轉換/運算部分析經檢測之電極之位置，藉此檢測出輸入區域5中之手指之位置資訊。具體而言，藉由沿X軸方向延伸之X電極10，檢測出手指接近之位置之輸入區域5之Y座標，並藉由沿Y軸方向延伸之Y電極20，檢測出輸入區域5之X座標。
(導電膜積層構件之製造方法)
繼而，對導電膜積層構件之製造方法進行說明。再者，本實施形態中，係對作為導電膜積層構件之觸控面板之製造方法進行說明。圖4係表示觸控面板之製造方法之流程圖。
本實施形態之觸控面板之製造步驟係包括：電極成膜步驟S10，其係於玻璃基板1之一面1a上，形成島狀電極部12、22、橋接配線11、及成為環繞配線60之一部分之第1導電膜60a；第2導電膜形成步驟S20，其係於第1導電膜60a上形成第2導電膜60b；絕緣膜形成步驟S30，其係於橋接配線11上形成電極間絕緣膜30，並且形成覆蓋第2區域6b中之環繞配線60的第2保護膜62；第1保護膜形成步驟S40，其係形成覆蓋第1區域6a中之環繞配線60的第1保護膜61；橋接配線形成步驟S50，其係形成經由電極間絕緣膜30上連接相鄰之島狀電極部22彼此的橋接配線21；平坦化膜形成步驟S60，其係形成使玻璃基板1之一面1a側平坦化之平坦化膜40；保護基板接合步驟S70，其係經由接著層51，使保護基板50與平坦化膜40接合；以及遮蔽層形成步驟S80，其係於玻璃基板1之另一面1b上形成遮蔽層70。
又，圖5係表示觸控面板之製造方法之一部分之流程圖。即，該圖5係用以對觸控面板之製造方法中之第2導電膜形成步驟S20進一步進行詳細說明之流程圖。
如圖5所示，第2導電膜形成步驟S20係包括：清洗步驟S20a，其係對玻璃基板1之一面1a上形成有第1導電膜60a之基材1'之表面進行清洗；表面處理步驟S20b，其係對基材1'之表面實施表面處理；塗佈步驟S20c，其係於第1導電膜60a上，塗佈包含分散有作為第2導電膜60b之材料之金屬粒子的水系分散介質之功能液；放置步驟S20d，其係放置附著功能液之基材1'；以及固化步驟S20e，其使經塗佈之功能液固化，於第1導電膜60a上形成第2導電膜60b。
再者，本實施形態係於上述表面處理步驟S20b中使用表面處理裝置，又，於塗佈步驟S20c等中使用液滴噴出裝置。因此，於觸控面板之製造方法之說明之前，先對表面處理裝置及液滴噴出裝置進行說明。
首先說明表面處理裝置。圖6係表示表面處理裝置之構成之模式圖。表面處理裝置900為使用六甲基二矽氮烷作為表面處理劑進行基材之表面處理的裝置，一般而言進行HMDS(Hexamethyldisilazane，六甲基二矽氮烷)處理之裝置。再者，本實施形態中，表示氣體擴散法之表面處理裝置900之構成。表面處理裝置900包括六甲基二矽氮烷(HMDS)910、放入有六甲基二矽氮烷910之皿狀容器920、及可密閉地收容皿狀容器920與基材1'之收容容器930。繼而，於進行表面處理之情形時，於收容容器930之中，設置放入有六甲基二矽氮烷910之皿狀容器920，且於皿狀容器920之上方設置基材1'，並使收容容器930成為密閉狀態。接著，使六甲基二矽氮烷910氣化，使收容容器930內成為六甲基二矽氮烷910之氣體環境。藉此，基材1'與六甲基二矽氮烷910產生反應，從而進行基材1'之表面處理。
繼而，對液滴噴出裝置進行說明。圖7係表示液滴噴出裝置之構成之立體圖。液滴噴出裝置IJ係包括液滴噴頭1001、X軸方向驅動軸1004、Y軸方向導向軸1005、控制裝置CONT、載物台1007、清洗機構1008、基台1009、及加熱器1015。
載物台1007係支持塗佈有功能液之工件W者，且包含將工件W固定於基準位置之省略圖示之固定機構。
液滴噴頭1001為包含複數個噴嘴之多噴嘴型之液滴噴頭，且使長度方向與X軸方向一致。複數個噴嘴係以固定間隔設置於液滴噴頭1001之下表面。自液滴噴頭1001之噴嘴，相對於支持於載物台1007之工件W，將功能液作為液滴噴出，從而於工件W上塗佈功能液。
於X軸方向驅動軸1004上，連接有X軸方向驅動馬達1002。該X軸方向驅動馬達1002包括步進馬達等，若自控制裝置CONT供給X軸方向之驅動訊號，則使X軸方向驅動軸1004旋轉。若X軸方向驅動軸1004旋轉，則液滴噴頭1001沿X軸方向移動。
Y軸方向導向軸1005係以相對基台1009不移動之方式固定。載物台1007包含Y軸方向驅動馬達1003。Y軸方向驅動馬達1003為步進馬達等，若自控制裝置CONT供給Y軸方向之驅動訊號，則使載物台1007沿Y軸方向移動。
控制裝置CONT對液滴噴頭1001供給液滴之噴出控制用之電壓。又，對X軸方向驅動馬達1002供給控制液滴噴頭1001之X軸方向之移動的驅動脈衝訊號，且對Y軸方向驅動馬達1003供給控制載物台1007之Y軸方向之移動的驅動脈衝訊號。
清洗機構1008係對液滴噴頭1001進行清洗者。清洗機構1008中包含省略圖示之Y軸方向之驅動馬達。藉由該Y軸方向之驅動馬達之驅動，清洗機構沿Y軸方向導向軸1005而進行移動。清洗機構1008之移動亦藉由控制裝置CONT控制。
加熱器1015此處為藉由燈退火而對工件W進行熱處理之機構，且進行配置於工件W上之功能液中所包含的溶劑蒸發及乾燥。該加熱器1015之電源之接通及遮斷亦藉由控制裝置CONT控制。
液滴噴出裝置IJ係一面對液滴噴頭1001與支持工件W之載物台1007進行相對性掃描，一面自沿X軸方向排列於液滴噴頭1001之下表面的複數個噴嘴，對工件W噴出液滴。
圖8係表示壓電方式之功能液之噴出原理之模式圖。於圖8中，與收容功能液之液體室1021鄰接而設置有壓電元件1022。於液體室1021中，經由包含收容功能液之材料儲罐的液體材料供給系統1023而供給有功能液。壓電元件1022係連接於驅動電路1024，且經由該驅動電路1024，對壓電元件1022施加電壓，並藉由使壓電元件1022變形，而使液體室1021變形，從而自噴嘴1025中噴出功能液。於該情形時，藉由改變施加電壓之值，控制壓電元件1022之變形量。又，藉由改變施加電壓之頻率，控制壓電元件1022之變形速度。壓電方式之液滴噴出因不對材料施加熱，而具有不會對材料之組成造成影響之優點。
此處，返回至觸控面板之製造方法之說明中。圖9及圖10係表示觸控面板之製造方法之步驟圖。
首先，電極成膜步驟S10係於玻璃基板1上，形成X電極10(島狀電極部12、橋接配線11)、島狀電極部22、及構成環繞配線60之一部分之第1導電膜60a。作為形成方法，例如可利用光微影法而形成。具體而言，於藉由濺鍍法等而於玻璃基板1之一面1a之大致整個面上形成ITO膜之後，藉由利用光微影法及蝕刻法使ITO膜圖案化，而形成X電極10(島狀電極部12、橋接配線11)、島狀電極部22、及環繞配線60之第1導電膜60a。再者，作為光微影法以外之方法，亦可採用圖7所示之液滴噴出裝置IJ，並藉由噴墨法而形成。例如，將包含ITO粒子之功能液作為液滴噴出，於玻璃基板1上塗佈功能液。其後，藉由使塗佈於玻璃基板1上之功能液(液滴)乾燥‧固化，而可於玻璃基板1上，形成含ITO粒子之集合體之X電極10(島狀電極部12、橋接配線11)、島狀電極部22、及構成環繞配線60之一部分之第1導電膜60a。
再者，本實施形態之電極成膜步驟S10係藉由噴出含ITO粒子之液滴而形成ITO膜，此外，亦可利用含IZO(註冊商標)之粒子之液滴，形成包含IZO(註冊商標)之透明導電膜。
繼而，轉移至第2導電膜形成步驟S20。首先，第2導電膜形成步驟S20之清洗步驟S20a係對玻璃基板1上形成有第1導電膜60a之基材1'進行清洗。作為清洗方法，可利用例如UV(UltraViolet，紫外線)清洗、電漿清洗、HF(hydrofluoric acid)(氫氟酸)進行清洗等。此處，於基材1'之清洗後之玻璃基板1對水之接觸角約為10°以下，第1導電膜60a對水之接觸角亦約為10°以下。即，基材1'之表面整個區域成為親水化區域。
繼而，表面處理步驟S20b中，利用圖6所示之表面處理裝置900，並藉由氣體擴散法之HMDS處理對基材1'之表面實施表面處理。再者，本實施形態中，使用作為表面處理劑之六甲基二矽氮烷((CH3 )3 SiNHSi(CH3 )3 )910。具體而言，於收容容器930之內部，設置儲存六甲基二矽氮烷910之皿狀容器920，並且於皿狀容器920之上方設置基材1'。繼而，將收容容器930維持密閉狀態，使基材1'曝露於使六甲基二矽氮烷910氣化所得之氣體環境內。
基材1'之表面處理條件可考慮基材1'之構成、或隨後塗佈之功能液之性質等而適當設定。此處，對於表面處理條件，列舉具體例加以說明。圖11為基材中之接觸角之測定資料。圖11(a)係將橫軸設為表面處理時間h，將縱軸設為接觸角θ，表示玻璃基板1之表面對水之接觸角θ、及第1導電膜60a之表面對水之接觸角θ之測定資料。圖11(b)係將橫軸設為表面處理時間h，將縱軸設為接觸角θ，從而表示玻璃基板1之表面對功能液之接觸角θ、及第1導電膜60a之表面對功能液之接觸角θ之測定資料。此處，表面處理中之六甲基二矽氮烷910為常溫(約為20~25℃)下氣化之狀態。又，功能液為包含分散有銀粒子之水系分散介質之液態材料。如圖11(a)所示，玻璃基板1之表面對水之接觸角θ係自表面處理開始約20分鐘左右急遽變大，且於表面處理時間3分鐘之時點達到50°以上。繼而，表面處理時間達到20分以後，該接觸角θ緩慢變大。另一方面，第1導電膜60a之表面對水之接觸角θ係自表面處理開始約10分鐘左右急遽變大，抑制為約25°以下。因此，根據圖11(a)可知，藉由表面處理(HMDS處理)，同時期地形成撥水力強之區域(玻璃基板1之表面)與撥水力弱之區域(第1導電膜60a)之對照。
又，如圖11(b)所示，玻璃基板1之表面對功能液之接觸角θ係自表面處理開始約10分鐘左右急遽變大，且於表面處理時間3分鐘之時點達到40°以上。接著，表面處理時間達到10分以後，該接觸角θ則緩慢變大。另一方面，第1導電膜60a之表面對功能液之接觸角θ係自表面處理開始約10分鐘左右急遽變大，但抑制於約30°以下。因此，根據圖11(b)亦可知，藉由表面處理(HMDS處理)，同時期地形成撥水力強之區域(玻璃基板1之表面)與撥水力弱之區域(第1導電膜60a)。
以上，參考圖11所示之測定資料，本實施形態中之基材1'之表面處理條件係使六甲基二矽氮烷910於常溫下氣化，且使基材1'之曝露時間為3~15分鐘左右。再者，根據加工狀況，例如，既可使表面處理條件之基材1'之曝露時間為3分鐘以內，亦可使該時間為15分鐘以上(60分鐘以內)。
繼而，對表面處理中之基材1'之表面狀態進而進行詳細說明。圖12係表示基材之表面處理狀態之模式圖。該圖12(a)係表示表面處理前(清洗步驟S20a後)之玻璃基板1之表面狀態。於該狀態下，玻璃基板1之表面存在有大量羥基(-OH)，對水具有親水性。因此，如該圖12(b)所示，玻璃基板1對水之接觸角θ大致為10°以下。又，第1導電膜60a之表面亦與玻璃基板1之表面狀態相同，具有親水性，第1導電膜60a對水之接觸角大致為10°以下。此處，接觸角θ係將氣體中(空氣中)，相對於位於固體表面(本實施形態中為玻璃基板1之表面、第1導電膜60a之表面)之液體(本實施形態中為水滴)，自氣體相‧液體相‧固體相之3相之接點拉出之液體之切線與固體表面所成之液體側之角度，定義為該液體相對於該固體之接觸角θ。因此，接觸角越小，則水滴於玻璃基板1之面上越濡濕擴散，即，呈現親水性，而接觸角越大，則水滴於玻璃基板1之面上越被排斥，即，顯示撥水性。
圖12(c)係表示表面處理後之玻璃基板1之表面之狀態。如該圖12(c)所示，六甲基二矽氮烷910與玻璃基板1之表面之水分(-OH)進行反應，產生氨(NH3 )。繼而，玻璃基板1之表面被三甲基矽烷基化(-Si(CH3 )3 )。即，玻璃基板1之表面被撥水化處理。因此，如該圖12(d)所示，與表面處理前相比，玻璃基板1對水之接觸角θ變大，達到大致50°以上。另一方面，由於與第1導電膜60a之表面之反應變慢，因此，被實施較玻璃基板1之撥水力弱之撥水化處理。即，被實施弱撥水化處理(保持親水力)。具體而言，第1導電膜60a對水之接觸角成為大致25°以下。如此般，藉由該表面處理步驟S20b，於一基材1'中，同時期地形成撥水力強之區域(玻璃基板1之表面區域)與撥水力弱之區域(第1導電膜60a之表面區域)。
再者，於本實施形態中，係使用六甲基二矽氮烷910作為表面處理劑，但另外亦可使用例如甲氧基三甲基矽烷(CH3 Si(OCH3 )3 )、氯三甲基矽烷((CH3 )3 SiCl)等矽烷化合物。又，於本實施形態中，係使用氣體擴散法作為HMDS處理，但另外亦可使用例如發泡法，即，對存儲液狀HMDS之箱中噴入氮氣使之發泡，產生HMDS蒸氣，並對該基材噴射該HMDS蒸氣。
繼而，於塗佈步驟S20c中，於第1導電膜60a上，塗佈包含分散有作為第2導電膜60b材料之金屬粒子的水系分散介質之功能液。作為第2導電膜60b之金屬材料，係使用電阻率較第1導電膜60a更低之材料。例如，使用含銀粒子之金屬材料。再者，作為形成第2導電膜60b之其他材料，除了含銀粒子之材料以外，亦可使用例如包含Au、Al、Cu、Pd等金屬粒子之材料、或者包含石墨或奈米碳管之材料。金屬粒子或碳粒子以奈米粒子或奈米導線之形態分散於功能液中。
圖13係表示塗佈步驟S20c中之功能液之塗佈狀態之模式圖。如該圖13(a)所示，本實施形態中，使用液滴噴出裝置IJ，將功能液作為液滴D噴出，於第1導電膜60a上塗佈功能液。具體而言，一面使載物台1007與液滴噴頭1001相對移動，一面使液滴噴頭1001噴出驅動，藉此，噴出液滴D，並使液滴D附著於第1導電膜60a上。此時，考慮到第1導電膜60a之配線寬度、或第1導電膜60a之表面狀態，適當設定液滴D之液滴量。再者，如圖11所示，玻璃基板1對功能液(液滴D)之接觸角θ大致為40°以上。另一方面，第1導電膜60a對功能液(液滴D)之接觸角θ大致為30°以下。與對水之接觸角同樣地，對功能液而言，亦藉由表面處理步驟S20b，保持撥水力強之區域(玻璃基板1之表面區域)與撥水力弱之區域(第1導電膜60a之表面區域)之對照。
該圖13(b)係平面觀察液滴D噴附至第1導電膜60a上之液滴點Da之狀態之模式圖。自液滴噴頭1001中噴出之液滴D被噴附至第1導電膜60a上，且所噴附之液滴點Da於第1導電膜60a上濡濕擴散。又，塗佈步驟S20c係以塗佈於第1導電膜60a上之液滴點Da與鄰接之其他液滴點Da接觸之方式，複數次噴出液滴D。液滴點Da，如該圖13(b)所示，鄰接之液滴點Da彼此以念珠狀相連，且塗佈於第1導電膜60a上之液體狀態之液面於平面觀察時具有凹凸形狀。再者，所塗佈之液滴點Da係於第1導電膜60a上濡濕擴散，但不會濡濕擴散至玻璃基板1之表面為止。其原因在於：因玻璃基板1之表面經撥水化處理，故與第1導電膜60a之交界部分，液滴點Da之濡濕擴散被限制。再者，於塗佈步驟S20c中，考慮到所形成之第2導電膜60b之膜厚，而適當調整塗佈量(液滴噴出量)。
繼而，於放置步驟S20d中，放置塗佈有功能液之基材1'。例如，常溫下放置1~10分鐘左右。圖13(c)係表示放置後之液體狀態之模式圖。如該圖13(c)所示，塗佈於第1導電膜60a上之功能液成為仿效第1導電膜60a之圖案形狀之液體狀態。即，自具有該圖13(b)所示之凹凸形狀之液態，變成仿效第1導電膜60a之圖案形狀之液體狀態。本實施形態中，係變成仿效第1導電膜60a之直線圖案形狀之液體狀態。此係於具有該圖13(b)所示之凹凸形狀之液體狀態下，液滴點Da彼此連接之凹部，因第1導電膜60a之表面被弱撥水化(親水化)處理，故而於第1導電膜60a之配線寬度方向上濡濕擴散。另一方面，凸部因玻璃基板1之表面被強撥水化處理，故而於第1導電膜60a與玻璃基板1之交界部分功能液被排斥，被排斥之功能液將移動至第1導電膜60a側。因以此方式放置，故功能液自動對準地移動，從而形成仿效第1導電膜60a之圖案形狀之液體狀態。再者，本放置步驟S20d由於考慮了塗佈於第1導電膜60a上之功能液之自動對準性移動時間，因此，例如，於快速自動對準性移動結束之情形時等，可予以省略。
繼而，於固化步驟S20e中，使塗佈之功能液固化，形成第2導電膜60b。例如，使基材1'於230℃下加熱、煅燒1個小時。於固化步驟S20e中，經塗佈之功能液係溶劑成分蒸發，並且功能液收縮。繼而，如圖13(d)所示，於第1導電膜60a上，形成較第1導電膜60a之膜寬更窄之第2導電膜60b。於本實施形態中，經由上述步驟，形成第2導電膜60b，該第2導電膜60b係膜寬較第1導電膜60a更窄，且，於剖面觀察時在與第1導電膜60a相反之方向具有彎曲成凸狀之表面。更詳細而言，形成有如下第2導電膜60b，該第2導電膜60b係自第1導電膜60a之膜寬方向之兩端部起分別變窄0.5~5 μm，且膜厚為0.2~2 μm，剖面觀察時之端部角度為0.5~10°。
繼而，絕緣膜形成步驟S30中，如圖9(c)所示，以嵌入X電極10之橋接配線11之方式，於島狀電極部12、22之間之隙間形成電極間絕緣膜30。又，同時期地形成覆蓋第2區域6b中之環繞配線60的第2保護膜62。於絕緣膜形成步驟S30中，例如使用液滴噴出裝置IJ，將包含絕緣膜之材料(例如，含聚矽氧烷之液體材料或丙烯酸系樹脂、或者丙烯酸單體)之功能液作為液滴D噴出，於上述各區域塗佈功能液。繼而，藉由使塗佈之功能液乾燥‧固化，而形成電極間絕緣膜30及第2保護膜62。再者，於形成電極間絕緣膜30時，較佳為至少於橋接配線11上之區域無間隙地配置液滴。藉此，可形成無到達橋接配線11之孔或裂紋之電極間絕緣膜30，從而防止電極間絕緣膜30中之絕緣不良或橋接配線21之斷線。此時，交叉部K中之電極間絕緣膜30，與作為間隔壁之島狀電極部22相接，故而表面張力發生作用，從而於兩端側隆起之所謂溢出得以抑制之狀態下，以與島狀電極部22之上表面大致為同一平面之方式成膜。
繼而，於第1保護膜形成步驟S40中，形成覆蓋第1區域6a中之環繞配線60之第1保護膜61。例如，使用光微影法形成第1保護膜61。再者，利用光微影法進行曝光時，如上述般，第1導電膜60a之表面，因具有無凹凸之均等曲面，故而暈光等漫反射之發生得以抑制，從而可形成高精度圖案膜。
繼而，轉移至橋接配線形成步驟S50。於橋接配線形成步驟S50中，如圖9(d)所示，遍及相鄰配置之島狀電極部22上與電極間絕緣膜30上，將含ITO粒子之液體材料之液滴配置成配線形狀。其後，使玻璃基板1上之液體材料乾燥固化。藉此，形成將島狀電極部22彼此連接之橋接配線21。於橋接配線21之形成時，如上述般，成為基底之交叉部K之電極間絕緣膜30藉由間隔壁(島狀電極部22)劃分輪廓，從而形成為大致同一平面，因此，橋接配線21形成為直線狀，而不會如基底產生溢出時那樣彎曲。再者，作為用於形成橋接配線21之液體材料，除了包含上述ITO粒子之液體材料之外，亦可使用IZO(註冊商標)粒子、或ZnO粒子之液體材料而形成。
橋接配線形成步驟S50中，較佳為使用與電極成膜步驟S10相同之液體材料，形成橋接配線21。即，較佳為橋接配線21之構成材料中，使用與X電極10或島狀電極部22之構成材料相同之材料。
繼而，轉移至平坦化膜形成步驟S60。平坦化膜形成步驟S60中，如圖10(a)所示，為了使玻璃基板1之一面1a平坦化，將包含絕緣材料之平坦化膜40形成於一面1a之大致整個面上。平坦化膜40可使用與絕緣膜形成步驟S30中所用之電極間絕緣膜30形成用之液體材料相同之液體材料而形成，但出於玻璃基板1表面之平坦化目的，較佳為使用樹脂材料形成。
繼而，轉移至保護基板接合步驟S70。保護基板接合步驟S70中，如圖10(b)所示，於另外準備之保護基板50與平坦化膜40之間配置接著劑，隔著包含接著劑之接著層51使保護基板50與平坦化膜40貼合。保護基板50除了可為包含玻璃或塑膠等之透明基板以外，亦可為偏光板或相位差板等光學元件基板。作為構成接著層51之接著劑，可使用透明樹脂材料等。
繼而，轉移至遮蔽層形成步驟S80。遮蔽層形成步驟S80中，如圖10(c)所示，於玻璃基板1之另一面1b(與一面1a為相反側之面)上形成由導電膜構成之遮蔽層70。遮蔽層70可採用真空成膜法、網版印刷法、平板印刷法、及液滴噴出法等公知之成膜法而形成。例如當使用液滴噴出法等印刷法形成遮蔽層70之情形時，可使用電極成膜步驟S10、及橋接配線形成步驟S50中所用之含ITO粒子等之液體材料。又，除了藉由相對於玻璃基板1之成膜而形成遮蔽層70之方法以外，亦可另外準備單面或者雙面上成膜有導電膜之薄膜，並藉由使薄膜貼合於玻璃基板1之另一面1b上，而使薄膜上之導電膜成為遮蔽層70。
再者，本實施形態中係於觸控面板製造步驟之最後實施遮蔽層70，但遮蔽層70可於任意之時間形成。例如，亦可將預先形成有遮蔽層70之玻璃基板1用於電極成膜步驟S10以後之步驟中。又，可於電極成膜步驟S10~保護基板接合步驟S70為止之任意之步驟之間配置遮蔽層形成步驟。
又，於本實施形態中，係於玻璃基板1之另一面1b上形成遮蔽層70，當於玻璃基板1之一面1a側形成遮蔽層70A時，在電極成膜步驟S10之前，實施形成遮蔽層70A之步驟、及形成絕緣膜之步驟。亦可於該情形時，遮蔽層70A藉由與遮蔽層形成步驟S80相同之方法形成。又，絕緣膜之形成步驟可與例如絕緣膜形成步驟S30相同。
(光電裝置之構成)
繼而，說明光電裝置之構成。再者，本實施形態中，對作為光電裝置之液晶顯示裝置，即包含上述觸控面板100之液晶顯示裝置之構成進行說明。圖14係表示液晶顯示裝置之構成，該圖14(a)為平面圖，該圖14(b)為(a)之平面圖中之H-H'剖面圖。
如圖14(a)所示，液晶顯示裝置500係具有元件基板410、對向基板420、及圖像顯示區域410a。元件基板410為具有大於對向基板420之平面區域之矩形基板。對向基板420為液晶顯示裝置500中之圖像顯示側，且由玻璃或丙烯酸樹脂等所形成之透明基板。對向基板420係隔著密封材452而接合於元件基板410之中央部。圖像顯示區域410a為對向基板420之平面區域，且為沿著密封材452內周而設置之周邊摺線453之內側區域。
於元件基板410中之對向基板420之周邊，配置有資料線驅動電路401、掃描線驅動電路404、與資料線驅動電路401及掃描線驅動電路404連接之連接端子402、以及相對於對向基板420對向配置且將掃描線驅動電路404彼此連接之配線405等。
繼而，對液晶顯示裝置500之剖面進行說明。於元件基板410之液晶層450側之面，積層有像素電極409及配向膜418等。於對向基板420之液晶層450側之面，積層有遮光膜(黑矩陣)423、彩色濾光片422、共通電極425、及配向膜429等。液晶層450係由元件基板410及對向基板420所夾持。並且，於對向基板420之外側(液晶層450之相反側)之面，夾著接著層101配置著本發明之觸控面板100。
(電子機器之構成)
繼而，對電子機器之構成進行說明。再者，本實施形態中，對作為電子機器之行動型個人電腦，即搭載有上述觸控面板或者包含觸控面板之液晶顯示裝置之行動型個人電腦之構成進行說明。圖15係表示行動型個人電腦之構成之立體圖。行動型個人電腦1100包括顯示部1101、及具有鍵盤1102之本體部1103。行動型個人電腦1100係於顯示部1101中具有上述實施形態之液晶顯示裝置500。根據具備如此構成之行動型個人電腦1100，本發明之觸控面板因用於顯示部，故而可製成抑制製造成本之電子機器。
再者，上述電子機器為例示本發明之電子機器者，而並非限定本發明之技術範圍。例如，亦可於行動電話、可攜式用音響機器、PDA(Personal Digital Assistant，個人數位助理)等之顯示部中較佳地使用本發明之觸控面板。
以上，一面參照隨附圖式。一面對本發明之較佳實施形態進行了說明，但本發明當然不受上述示例所限。上述例中所示之各構成構件之諸形狀或組合等為一例，於不脫離本發明精神之範圍內可基於設計要求等而進行各種變更。
因此，根據上述實施形態，有以下所示之效果。
(1)於第1導電膜60a上具有第2導電膜60b，該第2導電膜60b所具有之膜寬W2較第1導電膜60a之膜寬W1更窄。進而，第2導電膜60b為具有彎曲成凸狀之表面之形狀。由於形成如此之積層構造，故第2導電膜60b具有不與玻璃基板1接觸且不與第1導電膜60a之端部重合之形態，因此，可抑制由應力等所產生膜之剝離等。進而，第2導電膜60b可抑制應力等造成裂紋之產生等。
(2)設置有膜厚為0.2~2 μm、且剖面觀察時之端部角度具有0.5~10°之第2導電膜60b。藉此，可提供一種能夠進一步抑制膜之剝離或裂紋等之可靠性高的觸控面板。又，與覆蓋第1及第2導電膜60a、60b之第1保護膜61之關係中，例如，當利用光微影法形成第1保護膜61時，於曝光之情形時，使第2導電膜60b中之漫反射之產生(暈光)減少。藉此，可提供一種具有高精細積層圖案之觸控面板100。
(1)使用六甲基二矽氮烷910，進行於玻璃基板1上形成有第1導電膜60a之基材1'之表面處理。如此，六甲基二矽氮烷910與玻璃基板1之表面之水分產生反應，使玻璃基板1之表面三甲基矽烷基化。即，玻璃基板1之表面受到撥水化處理。另一方面，因與第1導電膜60a之表面之反應較慢，故撥水力較弱。即，第1導電膜60a之表面保持了親水力。因此，可藉由進行上述表面處理，同時期且選擇性地形成撥水化區域與親水化區域。藉此，可使製造步驟簡化。然後，朝第1導電膜60a上，將包含分散有第2導電膜60b之材料之水系分散介質之功能液作為液滴噴出，於第1導電膜60a上塗佈功能液。第1導電膜60a之表面具有弱撥水性(親水性)，因此，塗佈之功能液於第1導電膜60a上濡濕擴散。另一方面，因玻璃基板1之表面具有撥水性，故而功能液朝玻璃基板1側之濡濕擴散受到限制。因此，可使功能液仿效第1導電膜60a之圖案形狀濡濕擴散。繼而，可藉由使功能液固化，於第1導電膜60a上形成第2導電膜60b，該第2導電膜60b之形狀為所具有之膜寬W2較第1導電膜60a之膜寬W1更窄。然後，能以優於光微影法之圖案膜形成之精度形成第2導電膜60b。藉此，可形成微細之導電膜。
再者，本發明並非由上述實施形態所限定，且列舉以下之變形例。
(變形例1)上述實施形態中，列舉觸控面板100作為導電膜積層構件進行了說明，但不僅限於此，例如，另外亦可應用於液晶顯示器、電漿顯示器、有機EL顯示器、FED(電場發射顯示器)電漿顯示器等。即便如此，亦可獲得與上述相同之效果。
1．．．基板
1'．．．基材
1a．．．一面
1b．．．另一面
5．．．輸入區域
6．．．環繞配線區域
6a．．．第1區域
6b．．．第2區域
10．．．X電極
11、21．．．橋接配線
12、22．．．島狀電極部
20．．．Y電極
30．．．電極間絕緣膜
40．．．平坦化膜
50、101．．．保護基板
51．．．接著層
60．．．環繞配線
60a．．．第1導電膜
60b．．．第2導電膜
61．．．第1保護膜
62．．．第2保護膜
70．．．遮蔽層
80．．．3層積層部
81．．．2層積層部
100．．．導電膜積層構件之觸控面板
401．．．資料線驅動電路
402．．．連接端子
404．．．掃描線驅動電路
405．．．配線
409．．．像素電極
410．．．元件基板
410a．．．圖像顯示區域
418、429．．．配向膜
420．．．對向基板
422．．．彩色濾光片
423．．．遮光膜(黑矩陣)
425．．．共通電極
450．．．液晶層
452．．．密封材
453．．．周邊摺線
500．．．光電裝置之液晶顯示裝置
900．．．表面處理裝置
910．．．六甲基二矽氮烷
920．．．皿狀容器
930．．．收容容器
1001．．．液滴噴頭
1002．．．X軸方向驅動馬達
1003．．．Y軸方向驅動馬達
1004．．．X軸方向驅動軸
1005．．．Y軸方向導向軸
1007．．．載物台
1008．．．清洗機構
1009．．．基台
1015．．．加熱器
1021．．．液體室
1022．．．壓電元件
1023．．．液體材料供給系統
1024．．．驅動電路
1025．．．噴嘴
1100．．．電子機器之行動型個人電腦
1101．．．顯示部
1102．．．鍵盤
1103．．．本體部
CONT．．．控制裝置
D．．．液滴
Da．．．液滴點
H．．．第2導電膜之膜厚
IJ．．．液滴噴出裝置
K．．．交叉部
W．．．工件
W1．．．第1導電膜之膜寬
W2．．．第2導電膜之膜寬
θ．．．角度
圖1係表示作為導電膜積層構件之觸控面板之構成之平面圖；
圖2係表示作為導電膜積層構件之觸控面板之構成之剖面圖；
圖3(a)、(b)係表示作為導電膜積層構件之觸控面板之構成之剖面圖；
圖4係表示觸控面板之製造方法之流程圖；
圖5係表示觸控面板之製造方法之一部分之流程圖；
圖6係表示表面處理裝置之構成之模式圖；
圖7係表示液滴噴出裝置之構成之立體圖；
圖8係表示壓電方式之功能液之噴出原理之模式圖；
圖9(a)-(d)係表示觸控面板之製造方法之步驟圖；
圖10(a)-(c)係表示觸控面板之製造方法之步驟圖；
圖11(a)-(b)係表示基材中之接觸角之測定資料；
圖12(a)-(d)係基材之表面處理狀態之模式圖；
圖13(a)-(d)係表示功能液之塗佈狀態等之模式圖；
圖14(a)、(b)係表示作為光電裝置之液晶顯示裝置之構成的平面圖及剖面圖；及
圖15係表示作為電子機器之個人電腦之構成之立體圖。
1．．．基板
6a．．．第1區域
60．．．環繞配線
60a．．．第1導電膜
60b．．．第2導電膜
61．．．第1保護膜
80．．．3層積層部
81．．．2層積層部
100．．．導電膜積層構件之觸控面板
H．．．第2導電膜之膜厚
W1．．．第1導電膜之膜寬
W2．．．第2導電膜之膜寬
θ．．．角度

Claims (10)

  1. 一種導電膜積層構件，其特徵在於包含：第1導電膜，其形成於基板上，上述第1導電膜具有配置於向上述基板延伸之一對側面之間的上表面；第2導電膜，其形成於上述第1導電膜之上述上表面上；以及保護膜，其直接配置於上述第2導電膜上；上述第2導電膜之膜寬窄於上述第1導電膜之上述上表面之膜寬；上述第2導電膜於剖面觀察時具有凸狀表面；且上述保護膜直接接觸上述第1導電膜之上述上表面。
  2. 如請求項1之導電膜積層構件，其中上述第2導電膜之膜寬係自上述第1導電膜之上述上表面之膜寬方向之上述側面起分別窄0.5~5 μm。
  3. 如請求項1之導電膜積層構件，其中上述第2導電膜之厚度為0.2~2 μm；且於剖面觀察時，相對於上述上表面之上述第2導電膜之上述凸狀表面之端部之傾斜角度為0.5~10°。
  4. 如請求項2之導電膜積層構件，其中上述第2導電膜之厚度為0.2~2 μm；且於剖面觀察時，相對於上述上表面之上述第2導電膜之上述凸狀表面之端部之傾斜角度為0.5~10°。
  5. 如請求項1至4中任一項之導電膜積層構件，其中上述第1導電膜為具有透明性之導電膜； 上述第2導電膜為含銀之導電膜。
  6. 如請求項1至4中任一項之導電膜積層構件，其包含：3層積層部，其係由上述第1導電膜、形成於上述第1導電膜上之上述第2導電膜、及形成於上述第2導電膜上之上述保護膜積層而成；以及2層積層部，其為上述第1導電膜之膜寬方向之端部，由上述第1導電膜、及形成於上述第1導電膜上之上述保護膜積層而成。
  7. 如請求項6之導電膜積層構件，其中上述第1導電膜與上述保護膜為相同之材料。
  8. 如請求項1至4中任一項之導電膜積層構件，其中上述第2導電膜係藉由下述方式而形成：對上述基板之表面實施撥水化處理，並對上述第1導電膜之表面實施較上述基板之撥水力弱之撥水化處理，且將包含上述第2導電膜之材料之液態材料塗佈於上述第1導電膜上。
  9. 一種光電裝置，其包含如請求項1至8中任一項之導電膜積層構件。
  10. 一種電子機器，其係包含如請求項9之光電裝置。
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