CN102023746B - 导电膜层叠部件、电光装置及电子设备 - Google Patents

导电膜层叠部件、电光装置及电子设备 Download PDF

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Abstract

本发明提供高精细及高品质的导电膜层叠部件、电光装置及电子设备。本发明的导电膜层叠部件具有:第1导电膜,形成于基板上;和第2导电膜,形成于上述第1导电膜上;上述第2导电膜与上述第1导电膜相比宽度较狭窄,且上述第2导电膜剖面看,是在与上述第1导电膜相反方向上具有弯曲成凸状的表面的形状。

Description

导电膜层叠部件、电光装置及电子设备
技术领域
本发明涉及导电膜层叠部件、电光装置及电子设备。
背景技术
作为在基板上形成导电膜等图形膜的方法,例如已知下述方法:使用喷墨法,将包含图形膜的材料的液状材料作为液滴进行排出,在基板上涂敷由液滴点相连而成的功能液,并使涂敷后的功能液固化,由此来形成图形膜(例如参见专利文献1)。
专利文献1:特开2003-080694号公报
但是,采用上述的方法所形成的图形膜因为是微小的点图形相互重合所构成的集合体,所以因点图形的重合而在图形膜中形成台阶。于是,存在:在对图形膜施加了外力时,应力集中于台阶部分,产生图形膜的剥离和/或裂纹等这样的问题。
发明内容
本发明为了解决上述问题的至少一部分而做出,能够作为下面的方式或应用例来实现。
[应用例1]本应用例所涉及的导电膜层叠部件其特征为,具有:第1导电膜,形成于基板上;和第2导电膜,形成于上述第1导电膜上;上述第2导电膜的膜宽度比上述第1导电膜的膜宽度窄,且上述第2导电膜剖面看,在与上述第1导电膜相反方向上具有弯曲成凸状的表面。
根据该构成,因为第2导电膜具有不与基板接触、并且不覆盖到第1导电膜的端部的形态,所以可以抑制因应力等导致的膜的剥离等发生。再者,因为第2导电膜在与第1导电膜相反方向上具有弯曲成凸状的表面,所以可以抑制因应力等导致的裂纹等发生。
[应用例2]在上述应用例所涉及的导电膜层叠部件中,其特征为,上述第2导电膜的膜宽度从上述第1导电膜的膜宽度方向上的两个端部开始各窄0.5~5μm。
根据该构成,可以进一步抑制第2导电膜的剥离和/及裂纹等,能够提供可靠性高的导电膜层叠部件。
[应用例3]在上述应用例所涉及的导电膜层叠部件中,其特征为,上述第2导电膜的厚度是0.2~2μm,且上述第2导电膜的剖面看的端部的角度是0.5~10°。
根据该构成,可以进一步抑制膜的剥离和/及裂纹等,能够提供可靠性高的导电膜层叠部件。
[应用例4]在上述应用例所涉及的导电膜层叠部件中,其特征为,上述第1导电膜是具有透明性的导电膜,上述第2导电膜是包含银的导电膜。
根据该构成,因为在具有透明性的导电膜上叠层银的导电膜,所以例如在第1导电膜的电阻率比较高的情况下,也由于在第1导电膜上形成包含银的第2导电膜,因而作为叠层后的导电膜整体可以减低电阻率。
[应用例5]在上述应用例所涉及的导电膜层叠部件中,其特征为,具有保护膜,形成于上述第1导电膜及上述第2导电膜上;具备:3层层叠部,由上述第1导电膜、上述第1导电膜上所形成的上述第2导电膜和上述第2导电膜上所形成的上述保护膜进行了叠层而成;和2层层叠部,是上述第1导电膜的膜宽度方向的端部,由上述第1导电膜和上述第1导电膜上所形成的上述保护膜进行了叠层而成。
根据该构成,在3层层叠部中,由保护膜覆盖第2导电膜的表面。另外,在2层层叠部中,因为第1导电膜和保护膜贴紧,所以第2导电膜被可靠地封入。借此,在外部环境下第2导电膜得到可靠保护。
[应用例6]在上述应用例所涉及的导电膜层叠部件中,其特征为,上述第1导电膜和上述保护膜是相同的材料。
根据该构成,可以使第1导电膜和保护膜之间的贴紧性得到进一步提高。
[应用例7]在上述应用例所涉及的导电膜层叠部件中,其特征为,上述第2导电膜通过对上述基板的表面实施疏水化处理,并且对上述第1导电膜的表面实施比上述基板的疏水力弱的疏水化处理,并在上述第1导电膜上涂敷包含上述第2导电膜的材料的液状材料,来形成。
根据该构成,可以形成与第1导电膜相比宽度较狭窄,且在和第1导电膜相反方向上具有弯曲成凸状的表面的第2导电膜,能抑制因应力等导致的膜剥离和/及裂纹发生。
[应用例8]本应用例所涉及的电光装置其特征为,具备上述的导电膜层叠部件。
根据该构成,可以提供具备可靠性高的导电膜层叠部件的电光装置。这种情况下,电光装置指的是,例如液晶显示器、等离子体显示器、有机EL显示器及FED(场放射显示器)等。
[应用例9]本应用例所涉及的电子设备其特征为,装载有上述电光装置。
根据该构成,可以提供装载有可靠性高的电光装置的电子设备。这种情况下,电子设备指的是,例如装载有滤色器、等离子体显示器、有机EL显示器、FED(场放射显示器)的电视接收机、个人计算机、便携电子设备及其他的各种电子产品。
附图说明
图1是表示作为导电膜层叠部件的触摸面板的构成的俯视图。
图2是表示作为导电膜层叠部件的触摸面板的构成的剖面图。
图3是表示作为导电膜层叠部件的触摸面板的构成的剖面图。
图4是表示触摸面板制造方法的流程图。
图5是表示触摸面板制造方法一部分的流程图。
图6是表示表面处理装置的构成的模式图。
图7是表示液滴排出装置的构成的立体图。
图8是表示采用压电方式的功能液的排出原理的模式图。
图9是表示触摸面板制造方法的工序图。
图10是表示触摸面板的制造方法的工序图。
图11是基底材料的接触角的测定数据。
图12是表示基底材料表面处理状态的模式图。
图13是表示功能液涂敷状态等的模式图。
图14是表示作为电光装置的液晶显示装置的构成的俯视图及剖面图。
图15是表示作为电子设备的个人计算机的构成的立体图。
符号说明
1…基板,1a…一方的面,5…输入区域,6…引绕布线区域,6a…第1区域,6b…第2区域,60…引绕布线,60a…第1导电膜,60b…第2导电膜,61…第1保护膜,62…第2保护膜,80…3层层叠部,81…2层层叠部,100…作为导电膜层叠部件的触摸面板,500…作为电光装置的液晶显示装置,900…表面处理装置,1001…液滴排出头,1100…作为电子设备的便携式个人计算机,IJ…液滴排出装置,D…液滴,W1…第1导电膜的膜宽度,W2…第2导电膜的膜宽度,H…第2导电膜的膜厚度,θ…角度。
具体实施方式
下面,一边参照附图一边说明将本发明具体化后的实施方式。还有,为了使各附图中的各部件为可在各附图上辨认的程度的大小,所以按每个部件使比例尺和/或个数等不同进行了图示。
(导电膜层叠部件的构成)
首先,对于导电膜层叠部件的构成进行说明。还有,在本实施方式中,将举出作为导电膜层叠部件的触摸面板为例进行说明。图1是表示触摸面板的构成的俯视图。图2及图3是表示触摸面板的构成的剖面图,图2是图1所示的触摸面板的A-A′剖面图,图3是图1所示的触摸面板的B-B′剖面图。
触摸面板100具有基板1、基板1上所设置的输入区域5和引绕布线区域6。基板1具有透明性,例如是石英玻璃、玻璃、塑料等。还有,在本实施方式中,将设为玻璃基板1进行说明。玻璃基板1在俯视时按矩形状进行了成形。
输入区域5是在图1中用单点划线包围的区域,用来检测在触摸面板100上进行输入的手指的位置信息。在输入区域5上,分别配置多个X电极10及多个Y电极20。X电极10在图示中沿X轴方向延伸,且X电极10在Y轴方向上相互空出间隔排列了多个。Y电极20在图示中沿Y轴方向延伸,各个Y电极20在X轴方向上相互空出间隔进行了排列。X电极10及Y电极20通过使相互的桥接布线交叉而在输入区域5内的交叉部K处进行交叉。
X电极10具备:多个岛状电极部12,按X轴方向排列;和桥接布线11,连接相邻的岛状电极部12彼此。岛状电极部12俯视形成为矩形状,其配置为一方的对角线沿着X轴。
Y电极20具备:多个岛状电极部22,按Y轴方向排列;和桥接布线21,连接相邻的岛状电极部22彼此。岛状电极部22俯视形成为矩形状,其配置为一方的对角线沿着Y轴。岛状电极部12和岛状电极部22在X轴方向及Y轴方向上相互不同地进行了配置(方格状配置),在输入区域5中,矩形状的岛状电极部12、22配置成俯视矩阵状。
作为构成X电极10、Y电极20及桥接布线11、21的材料,可以采用ITO(氧化铟锡)和/或IZO(氧化铟锌,注册商标)、ZnO等具有透光性的电阻体。
引绕布线区域6是在图1中用双点划线包围的区域。在引绕布线区域6,形成多条引绕布线60。各引绕布线60的一端与X电极10或Y电极20进行连接,另一端与触摸面板100的内部或者外部装置中所设置的驱动部及电信号转换/运算部(全都未图示)进行连接。
另外,引绕布线区域6被分成第1区域6a和第2区域6b。在本实施方式中,被分成与下述端子连接部的区域对应的第1区域6a和与第1区域6a以外的区域对应的第2区域6b,上述端子连接部与驱动部及电信号转换/运算部(全都未图示)进行电连接。
触摸面板100如图2及图3所示,在玻璃基板1的一方的面1a设有岛状电极部12(未图示)、岛状电极部22、桥接布线11及引绕布线60。在桥接布线11上,以和岛状电极部22大致成一个面的高度形成使X电极10和Y电极20间绝缘的电极间绝缘膜30。而且,在电极间绝缘膜30上配置桥接布线21。X电极10的桥接布线11形成得比岛状电极部22薄,例如为1/2左右的厚度。覆盖这些电极及布线地形成平坦化膜40。在平坦化膜40上,夹着粘接层51配置保护基板50。另外,在玻璃基板1的另一方的面1b,设有屏蔽层70。
电极间绝缘膜30例如采用聚硅氧烷、丙烯酸类树脂及丙烯酸单体等来形成。还有,在使用聚硅氧烷来形成时,电极间绝缘膜30成为包含硅氧化物的无机绝缘膜。另一方面,在采用丙烯酸类树脂及丙烯酸单体时,电极间绝缘膜30成为包含树脂材料的有机绝缘膜。这里,使用了将JSR NN525E和EDM(二甘醇乙基甲基醚)以4∶1(重量比)混合而成的墨。
在电极间绝缘膜30的形成材料中,优选的是,采用相对介电常数为4.0以下,最好为3.5以下的材料。借此,可以减低桥接布线11、21的交叉部K处的寄生电容,能保持触摸面板的位置检测性能。另外,在电极间绝缘膜30的形成材料中,优选的是,采用折射率为2.0以下,最好为1.7以下的材料。借此,可以减小与玻璃基板1和/或X电极10、Y电极20之间的折射率差,能够防止电极间绝缘膜30的图形被使用者看见。
引绕布线60具有:第1导电膜60a,配置于玻璃基板1的一方的面1a上;和第2导电膜60b,形成于第1导电膜60a上。而且,在第1区域6a中,形成将引绕布线60的表面覆盖了的第1保护膜61。另外,在第2区域6b中,形成将引绕布线60的表面覆盖了的第2保护膜62。
第1导电膜60a是一种具有透明性的透明导电膜。例如,是ITO和/或IZO等的电阻体。第2导电膜60b是一种以Ag为主要成分的金属膜。还有,第2导电膜60b只要是与第1导电膜60a相比可以进一步减小薄层(sheet)电阻的导电膜,就没有特别限定。例如,除Ag之外,还可使用将Au、Al、Cu、Pd等的金属及碳(石墨、碳纳米管等的纳米碳)之中的1种以上作为成分的有机化合物、纳米微粒、纳米线等。这样,通过将第1导电膜60a和第2导电膜60b叠层来形成为导电膜层叠结构,就可以作为引绕布线60整体减低电阻率。
另外,如图3所示,第2导电膜60b的膜宽度W2形成得比第1导电膜60a的膜宽度W1狭窄。再者,第2导电膜60b剖面看,在和第1导电膜60a相反方向上具有弯曲成凸状的表面。再者,具体而言,第2导电膜60b的膜宽度W2形成得从第1导电膜的膜宽度W1的两个端部开始各狭窄0.5~5μm。另外,第2导电膜60b的厚度H是0.2~2μm,第2导电膜60b的剖视时的端部的角度θ是0.5~10°。
第1保护膜61形成在第1导电膜60a的表面及第2导电膜60b的表面上。第1保护膜61是一种具有透明性的透明导电膜。例如,是和第1导电膜60a相同的材料,是ITO和/或IZO等的电阻体。这里,在引绕布线60和第1保护膜61之间的层叠关系上,如图3(b)所示,具有:3层层叠部80,由第1导电膜60a、第1导电膜60a上所形成的第2导电膜60b和第2导电膜60b上所形成的第1保护膜61进行了叠层而成;和2层层叠部81,是第1导电膜60a的宽度方向的端部,由第1导电膜60a和第1导电膜60a上所形成的第1保护膜61进行了叠层而成。在2层层叠部81中,因为形成第1导电膜60a与第1保护膜61之间的接合部(接触部),所以利用第1导电膜60a和第1保护膜61封入第2导电膜60b。因此,可以避免接触外部环境地保护第2导电膜60b。
第2保护膜62形成在第1导电膜60a的表面及第2导电膜60b的表面上。第2保护膜62具有绝缘性,例如采用聚硅氧烷、丙烯酸类树脂及丙烯酸单体等来形成。还有,第2区域6b的层叠结构也和上述第1区域6a中的层叠结构相同。具体而言,具有:3层层叠部,由第1导电膜60a、第1导电膜60a上所形成的第2导电膜60b和第2导电膜60b上所形成的第2保护膜62进行了叠层而成;和2层层叠部,是第1导电膜60a的宽度方向的端部,由第1导电膜60a和第1导电膜60a上所形成的第2保护膜62进行了叠层而成。在2层层叠部处,因为形成有第1导电膜60a与第2保护膜62之间的接触部,所以利用第1导电膜60a和第2保护膜62封入第2导电膜60b。
平坦化膜40形成在X及Y电极10、20及第2区域6b的引绕布线60(第2保护膜62上)上。而且,在平坦化膜40上,夹着粘接层51来配置保护基板50。另外,在玻璃基板1的另一方的面1b,设有屏蔽层70。还有,在第1区域6a的引绕布线60上,未设置平坦化膜40及保护基板50等。其原因为,第1区域6a的引绕布线60需要和驱动部及电信号转换/运算部(全都未图示)进行连接。
利用平坦化膜40使玻璃基板1的一方的面1a侧平坦化,所以可以将玻璃基板1和保护基板50在大致整面的范围内均匀地接合。另外,在平坦化膜40的形成材料中,优选的是,采用折射率为2.0以下,最好为1.7以下的材料。借此,可以减小与玻璃基板1和/或X电极10、Y电极20之间的折射率差,能够使得X电极10及Y电极20的布线图形不易被看见。
保护基板50是玻璃或塑料等的透明基板。或者,在本实施方式的触摸面板100配置于液晶面板或有机EL面板等显示装置的前侧的面时,作为保护基板50,也可以利用作为显示装置的一部分来使用的光学元件基板(偏振板和/或相位差板等)。
屏蔽层70是通过使ITO和/或IZO(注册商标)等的透明导电材料在玻璃基板1的另一方的面1b成膜,来形成的。或者,也可以准备形成有作为屏蔽层的透明导电膜的膜,将此膜粘接到玻璃基板1的另一方的面1b来构成。通过设置屏蔽层70,在玻璃基板1的另一方的面1b上隔断电场。借此,可以防止触摸面板100的电场对显示装置等发生作用和/或显示装置等外部设备的电场对触摸面板100发生作用。还有,在本实施方式中,虽然在玻璃基板1的另一方的面1b形成了屏蔽层70,但是也可以将屏蔽层70形成于玻璃基板1的一方的面1a侧。
这里,对于触摸面板100的工作原理进行简单说明。首先,从未图示的驱动部,通过引绕布线60给X电极10及Y电极20供给预定的电位。还有,对屏蔽层70,例如输入接地的电位(接地电位)。
若在如上所述被供给了电位的状态下,从保护基板50侧朝向输入区域5使手指接近,则在接近保护基板50的手指与接近位置附近的X电极10及Y电极20的各自之间形成寄生电容。于是,在形成有寄生电容的X电极10及Y电极20中,因对该寄生电容进行充电而引起暂时的电位下降。
在驱动部中,对各电极的电位进行传感检测,立刻检测上述发生了电位下降的X电极10及Y电极20。然后,通过由电信号转换/运算部解析所检测到的电极的位置,来检测输入区域5中的手指的位置信息。具体而言,通过按X轴方向延伸的X电极10,来检测手指接近的位置在输入区域5中的Y坐标,通过按Y轴方向延伸的Y电极20,来检测输入区域5中的X坐标。
(导电膜层叠部件的制造方法)
下面,说明导电膜层叠部件的制造方法。还有,在本实施方式中,将说明作为导电膜层叠部件的触摸面板的制造方法。图4是表示触摸面板制造方法的流程图。
本实施方式的触摸面板制造工序包括:电极成膜工序S10,在玻璃基板1的一方的面1a,形成岛状电极部12、22、桥接布线11及作为引绕布线60的一部分的第1导电膜60a;第2导电膜形成工序S20,在第1导电膜60a上形成第2导电膜60b;绝缘膜形成工序S30,在桥接布线11上形成电极间绝缘膜30,并且形成将第2区域6b的引绕布线60覆盖的第2保护膜62;第1保护膜形成工序S40,形成将第1区域6a的引绕布线60覆盖的第1保护膜61;桥接布线形成工序S50,形成经由电极间绝缘膜30上来连接相邻的岛状电极部22彼此的桥接布线21;平坦化膜形成工序S60,形成使玻璃基板1的一方的面1a侧平坦化的平坦化膜40;保护基板接合工序S70,通过粘接层51将保护基板50和平坦化膜40进行接合;以及屏蔽层形成工序S80,在玻璃基板1的另一方的面1b形成屏蔽层70。
另外,图5是表示触摸面板制造方法的一部分的流程图。也就是说,是进一步详细说明触摸面板制造方法中的第2导电膜形成工序S20所用的流程图。
如图5所示,第2导电膜形成工序S20包括:清洗工序S20a,清洗在玻璃基板1的一方的面1a形成有第1导电膜60a后的基体材料1′的表面;表面处理工序S20b,对基体材料1′的表面进行表面处理;涂敷工序S20c,在第1导电膜60a上,涂敷包含水系分散介质的功能液,该水系分散介质分散有作为第2导电膜60b的材料的金属微粒;放置工序S20d,放置附着有功能液的基体材料1′;以及固化工序S20e,使涂敷后的功能液固化,在第1导电膜60a上形成第2导电膜60b。
还有,本实施方式中,在上述表面处理工序S20b中使用了表面处理装置,另外,在涂敷工序S20c等中使用了液滴排出装置。因此,在触摸面板制造方法的说明之前,对于表面处理装置及液滴排出装置进行说明。
首先,说明表面处理装置。图6是表示表面处理装置构成的模式图。表面处理装置900是一种作为表面处理剂使用六甲基二硅氮烷进行基体材料表面处理的装置,并且一般是进行HMDS处理的装置。还有,在本实施方式中,表示出采用气体扩散法的表面处理装置900的构成。表面处理装置900具有六甲基二硅氮烷(HMDS)910;碟形容器920,装入六甲基二硅氮烷910;以及收置容器930,能够密闭地收置碟形容器920和基体材料1′。而且,在进行表面处理时,在收置容器930之中,分别设置装入有六甲基二硅氮烷910的碟形容器920,和在碟形容器920的上方设置的基体材料1′,使收置容器930成为密闭状态。然后,使六甲基二硅氮烷910气化,让收置容器930内成为六甲基二硅氮烷910的气体气氛下。借此,基体材料1′和六甲基二硅氮烷910发生反应,实施基体材料1′的表面处理。
下面,说明液滴排出装置。图7是表示液滴排出装置构成的立体图。液滴排出装置IJ具备液滴排出头1001、X轴方向驱动轴1004、Y轴方向导向轴1005、控制装置CONT、载物台1007、清洗机构1008、基座1009和加热器1015。
载物台1007用来支撑要涂敷功能液的工件W,具备将工件W固定于基准位置上的未图示的固定机构。
液滴排出头1001是具备多个排出喷嘴的多喷嘴型液滴排出头,使长度方向和X轴方向一致。多个排出喷嘴在液滴排出头1001的下侧的面按一定间隔来设置。其构成为,从液滴排出头1001的排出喷嘴,对支撑在载物台1007上的工件W,将功能液作为液滴进行排出,在工件W上涂敷功能液。
在X轴方向驱动轴1004上,连接着X轴方向驱动马达1002。该X轴方向驱动马达1002由步进马达等构成,若从控制装置CONT供给了X轴方向的驱动信号,则使X轴方向驱动轴1004旋转。若X轴方向驱动轴1004进行了旋转,则液滴排出头1001按X轴方向进行移动。
Y轴方向导向轴1005进行了固定,使之相对基座1009不移动。载物台1007具备Y轴方向驱动马达1003。Y轴方向驱动马达1003是步进马达等,若从控制装置CONT供给了Y轴方向的驱动信号,则使载物台1007按Y轴方向进行移动。
控制装置CONT给液滴排出头1001供给液滴的排出控制用电压。另外,给X轴方向驱动马达1002供给控制液滴排出头1001的X轴方向移动的驱动脉冲信号、给Y轴方向驱动马达1003供给控制载物台1007的Y轴方向移动的驱动脉冲信号。
清洗机构1008用来清洗液滴排出头1001。在清洗机构1008中,具备未图示的Y轴方向驱动马达。通过该Y轴方向驱动马达的驱动,清洗机构沿着Y轴方向导向轴1005进行移动。清洗机构1008的移动也由控制装置CONT进行控制。
加热器1015在此是通过灯退火对工件W进行热处理的机构,实施工件W上所配置的功能液中所包含的溶媒的蒸发及干燥。该加热器1015的电源接通及断开也由控制装置CONT进行控制。
液滴排出装置IJ一边使液滴排出头1001和支撑工件W的载物台1007相对地进行扫描,一边对工件W,从在液滴排出头1001的下侧的面按X轴方向所排列的多个排出喷嘴排出液滴。
图8是表示采用压电方式的功能液排出原理的模式图。在图8中,与收置功能液的液体室1021相邻,设置压电元件1022。对液体室1021,通过包括材料储存罐的液体材料供给系统1023供给功能液,该材料储存罐收置功能液。压电元件1022连接在驱动电路1024上,通过该驱动电路1024对压电元件1022施加电压,使压电元件1022产生变形,以此使得液体室1021发生变形,从排出喷嘴1025排出功能液。此时,通过使施加电压的值产生变化,来控制压电元件1022的变形量。另外,通过使施加电压的频率产生变化,来控制压电元件1022的变形速度。采用压电方式的液滴排出因为不对材料加热,所以具有不易给材料的组成带来影响这样的优点。
这里,返回触摸面板制造方法的说明。图9及图10是表示触摸面板制造方法的工序图。
首先,在电极成膜工序S10中,在玻璃基板1上,形成X电极10(岛状电极部12、桥接布线11)、岛状电极部22以及构成引绕布线60一部分的第1导电膜60a。作为形成方法,例如可以使用光刻法来形成。具体而言,采用溅射法等在玻璃基板1的一方的面1a大致整面形成ITO膜之后,通过使用光刻法及蚀刻法对ITO膜进行图形形成,来形成X电极10(岛状电极部12、桥接布线11)、岛状电极部22以及引绕布线60的第1导电膜60a。还有,作为除光刻法以外的方法,还可以使用图7所示的液滴排出装置IJ,采用喷墨法来形成。例如,将包含ITO微粒的功能液作为液滴进行排出,在玻璃基板1上涂敷功能液。随后,通过使玻璃基板1上所涂敷的功能液(液滴)干燥、固化,在玻璃基板1上,形成由ITO微粒的集合体构成的X电极10(岛状电极部12、桥接布线11)、岛状电极部22以及构成引绕布线60一部分的第1导电膜60a。
还有,在本实施方式的电极成膜工序S10中,虽然通过排出含有ITO微粒的液滴,形成了ITO膜,但是除此之外,也可以使用含有IZO(注册商标)微粒的液滴,来形成包含IZO(注册商标)的透明导电膜。
接下来,进行到第2导电膜形成工序S20。首先,在第2导电膜形成工序S20的清洗工序S20a中,清洗在玻璃基板1上形成有第1导电膜60a后的基体材料1′。作为清洗方法,例如可以通过UV清洗、等离子体清洗、HF(氢氟酸)清洗等进行。这里,基体材料1′清洗后的玻璃基板1对水的接触角大约为10°以下,第1导电膜60a对水的接触角也大约为10°以下。也就是说,基体材料1′的表面整个区域为亲水化区域。
接着,在表面处理过程S20b中,使用图6所示的表面处理装置900,通过利用气体扩散法的HMDS处理对基体材料1′的表面进行表面处理。还有,在本实施方式中,要使用作为表面处理剂的六甲基二硅氮烷((CH3)3SiNHSi(CH3)3)910。具体而言,在收置容器930的内部,设置储存了六甲基二硅氮烷910的碟形容器920,并且在碟形容器920的上方设置基体材料1′。然后,将收置容器930维持为密闭状态,在使六甲基二硅氮烷910气化了的气体气氛内让基体材料1′曝露。
基体材料1′的表面处理条件可以考虑基体材料1′的构成和/或此后要涂敷的功能液的性质等,适当设定。这里,对于表面处理条件举出具体例进行说明。图11是基体材料的接触角的测定数据。同图(a)是在横轴上取表面处理时间h,在纵轴上取接触角θ,表示出玻璃基板1表面对水的接触角θ及第1导电膜60a表面对水的接触角θ的测定数据。同图(b)是在横轴上取表面处理时间h,在纵轴上取接触角θ,表示出玻璃基板1表面对功能液的接触角θ及第1导电膜60a表面对功能液的接触角θ的测定数据。这里,表面处理中的六甲基二硅氮烷910是在常温(大约20~25℃)下使之气化后的状态。另外,功能液是包含分散有银微粒的水系分散介质的液状材料。如图11(a)所示,玻璃基板1表面对水的接触角θ从表面处理开始在20分钟左右急剧地增大,在表面处理时间为3分钟之时达到50°以上。然后,若表面处理时间到了20分钟以后,则逐渐增大。另一方面,第1导电膜60a表面对水的接触角θ虽然从表面处理开始在10分钟左右急剧地增大,但是被抑制在大约25°以下。从而,从同图(a)判明,通过表面处理(HMDS处理),在同一时期形成疏水力强的区域(玻璃基板1的表面)和疏水力弱的区域(第1导电膜60a)的反差。
另外,如图11(b)所示,玻璃基板1表面对功能液的接触角θ从表面处理开始在10分钟左右急剧地增大,在表面处理时间为3分钟之时达到40°以上。然后,若表面处理时间到了10分钟以后,则逐渐增大。另一方面,第1导电膜60a表面对功能液的接触角θ虽然从表面处理开始在10分钟左右急剧地增大,但是被抑制在大约30°以下。从而,从同图(b)也判明,通过表面处理(HMDS处理),在同一时期形成疏水力强的区域(玻璃基板1的表面)和疏水力弱的区域(第1导电膜60a)。
上面,通过图11所示的测定以数据为参考,本实施方式中基体材料1′的表面处理条件使六甲基二硅氮烷910在常温下气化,基体材料1′的曝露时间设为3~15分钟左右。还有,既可以相应于加工状况,例如将表面处理条件的基体材料1′的曝露时间设为3分钟以内,也可以设为15分钟以上(60分钟以内)。
接下来,进一步详细说明表面处理中基体材料1′的表面状态。图12是表示基体材料表面处理状态的模式图。同图(a)表示出,表面处理前(清洗工序S20a后)玻璃基板1的表面状态。在该状态下,玻璃基板1的表面存在多个羟基(-OH),对水具有亲水性。从而,如同图(b)所示,玻璃基板1对水的接触角θ大致为10°以下。另外,关于第1导电膜60a的表面,也和玻璃基板1的表面状态相同,具有亲水性,第1导电膜60a对水的接触角大致为10°以下。这里,接触角θ在大气(空气)中,相对于处于固体表面(在本实施方式中是玻璃基板1的表面、第1导电膜60a的表面)的液体(在本实施方式中是水滴),将从气相、液相、固相3相的接点引出的液体的切线和固体表面所形成的液体侧的角度,定义为相对该固体的、该液体的接触角θ。从而,接触角越小,水滴越向玻璃基板1的面浸润扩展,也就是说表现出亲水性,接触角越大,水滴越是排斥玻璃基板1的面,也就是说表现出疏水性。
图12(c)表示出表面处理后玻璃基板1的表面状态。如同图(c)所示,六甲基二硅氮烷910和玻璃基板1表面的水分(-OH)发生反应,使之产生氨(NH3)。然后,玻璃基板1的表面被三甲基甲硅烷基化(-Si(CH3)3)。也就是说,玻璃基板1的表面被进行疏水化处理。从而,如同图(d)所示,与表面处理前相比,玻璃基板1对水的接触角θ增大,大致为50°以上。另一方面,因为和第1导电膜60a表面之间的反应较慢,所以被实施与玻璃基板1的疏水力相比较弱的疏水化处理。也就是说,被实施弱疏水化处理(保持亲水力)。具体而言,第1导电膜60a对水的接触角大致为25°以下。这样,就可以通过该表面处理工序S20b,在一个基体材料1′,在同一时期形成疏水力强的区域(玻璃基板1的表面区域)和疏水力弱的区域(第1导电膜60a的表面区域)。
还有,在本实施方式中,虽然作为表面处理剂使用了六甲基二硅氮烷910,但是除此之外,例如还可以使用三甲基甲氧基硅烷(CH3Si(OCH3)3)、三甲基氯硅烷((CH3)3SiCl)等的硅烷化合物。另外,在本实施方式中,虽然作为HMDS处理使用了气体扩散法,但是除此之外,例如也可以使用发泡法(bubbling),该发泡法向储存液体状HMDS的储存箱内吹入氮气使之发泡,令其产生HMDS蒸汽,将该HMDS蒸汽喷射于基体材料。
接着,在涂敷工序S20c中,在第1导电膜60a上,涂敷包含水系分散介质的功能液,该水系分散介质分散有作为第2导电膜60b的材料的金属微粒。作为第2导电膜60b的金属材料,要使用与第1导电膜60a相比电阻率较低的材料。例如,可以使用包含银微粒的金属材料。还有,作为形成第2导电膜60b的其他材料,除了包含银微粒的材料之外,例如可以使用包含Au、Al、Cu、Pd等金属微粒的材料和/或者包含石墨和/或碳纳米管的材料。金属微粒和/或碳微粒以纳米微粒和/或纳米线的形态分散于功能液中。
图13是表示涂敷工序S20c中的功能液涂敷状态的模式图。如同图(a)所示,在本实施方式中,使用液滴排出装置IJ,将功能液作为液滴D进行排出,在第1导电膜60a上涂敷功能液。具体而言,通过一边使载物台1007和液滴排出头1001相对地移动,一边对液滴排出头1001进行排出驱动,使之排出液滴D,令液滴D附着于第1导电膜60a上。此时,要考虑第1导电膜60a的布线宽度或者第1导电膜60a的表面状态,适当设定液滴D的液滴量。还有,如图11所示,玻璃基板1相对功能液(液滴D)的接触角θ大致是40°以上。另一方面,第1导电膜60a相对功能液(液滴D)的接触角θ大致是30°以下。和相对水的接触角相同,对于功能液,也通过表面处理工序S20b,保持疏水力强的区域(玻璃基板1的表面区域)和疏水力弱的区域(第1导电膜60a的表面区域)之间的反差。
同图(b)是对液滴D附着到第1导电膜60a上的液滴点Da的状态进行俯视的模式图。从液滴排出头1001所排出的液滴D附着于第1导电膜60a上,附着后的液滴点Da在第1导电膜60a上浸润扩展。另外,在涂敷工序S20c中,要以下述方式多次排出液滴D,该方式为,使得第1导电膜60a上所涂敷的液滴点Da和相邻的其他液滴点Da进行接触。液滴点Da如同图(b)所示,相邻的液滴点Da彼此相连为念珠状,第1导电膜60a上所涂敷的液体状态的液面在俯视时具有凹凸形状。还有,涂敷了的液滴点Da虽然在第1导电膜60a上浸润扩展,但是不浸润扩展到玻璃基板1的表面。其原因为,因为玻璃基板1的表面被进行过疏水化处理,所以在其和第1导电膜60a之间的边界部分处,液滴点Da的浸润扩展被限制。还有,在涂敷工序S20c中,要考虑将要形成的第2导电膜60b的膜厚度,适当调整涂敷量(液滴排出量)。
接着,在放置工序S20d中,放置涂敷有功能液后的基体材料1′。例如,在常温下放置1~10分钟左右。图13(c)是表示放置后液体状态的模式图。如同图(c)所示,第1导电膜60a上所涂敷的功能液成为与第1导电膜60a的图形形状相仿的液体状态。也就是说,从具有图13(b)所示的凹凸形状的液体状态,变化为与第1导电膜60a的图形形状相仿的液体状态。在本实施方式中,变化为与第1导电膜60a的直线状图形形状相仿的液体状态。这是因为在具有图13(b)所示的凹凸形状的液体状态下,连接液滴点Da彼此的凹部,由于第1导电膜60a的表面被进行过弱疏水化(亲水化),所以按第1导电膜60a的布线宽度方向进行浸润扩展。另一方面,关于凸部,由于玻璃基板1的表面被进行过强疏水化处理,所以在第1导电膜60a与玻璃基板1之间的边界部分处功能液被排斥,被排斥的功能液向第1导电膜60a侧进行移动。通过这样进行放置,功能液就以自匹配的形式进行移动,形成与第1导电膜60a的图形形状相仿的液体状态。还有,本放置工序S20d因为考虑了第1导电膜60a上所涂敷的功能液的自匹配移动时间,所以例如在自匹配的移动快速完成时等,也可以省略。
接着,在固化工序S20e中,使涂敷后的功能液固化,来形成第2导电膜60b。例如,将基体材料1′按230℃、1个小时进行加热并烧制。在固化工序S20e中,涂敷后的功能液其溶媒部分蒸发,并且功能液收缩。然后,如图13(d)所示,在第1导电膜60a上,形成与第1导电膜60a的膜宽度相比较狭窄的第2导电膜60b。在本实施方式中,经过上述工序,以此形成第2导电膜60b,该第2导电膜60b与第1导电膜60a相比膜宽度较狭窄,且剖面看,在和第1导电膜60a相反方向上具有弯曲成凸状的表面。更为详细而言,形成从第1导电膜60a的膜宽度方向两个端部开始各狭窄0.5~5μm、膜厚度为0.2~2μm并且剖视时端部的角度为0.5~10°的第2导电膜60b。
接着,在绝缘膜形成工序S30中,如图9(c)所示,在岛状电极部12、22之间的间隙内以填埋X电极10的桥接布线11的方式形成电极间绝缘膜30。另外,还在同一时期形成将第2区域6b的引绕布线60覆盖的第2保护膜62。在绝缘膜形成工序S30中,例如使用液滴排出装置IJ,将包含绝缘膜的材料(例如,包含聚硅氧烷的液体材料和/或丙烯酸类树脂或者丙烯酸单体)的功能液作为液滴D进行排出,在上述各区域上涂敷功能液。然后,通过使涂敷后的功能液干燥、固化,来形成电极间绝缘膜30及第2保护膜62。还有,当形成电极间绝缘膜30时,优选的是,至少在桥接布线11上的区域无间隙地配置液滴。借此,可以形成没有到达桥接布线11的孔和/或裂纹的电极间绝缘膜30,能防止电极间绝缘膜30中的绝缘不良和/或桥接布线21的断线。此时,交叉部K处的电极间绝缘膜30因为和作为分隔壁的岛状电极部22相接,所以表面张力发生作用,在使得两端侧鼓起的所谓渗出突起得到了抑制的状态下和岛状电极部22的上侧的面大致成一个面地,被进行成膜。
接着,在第1保护膜形成工序S40中,形成将第1区域6a的引绕布线60覆盖的第1保护膜61。例如,使用光刻法来形成第1保护膜61。还有,因为在采用光刻法进行了曝光时,如上所述,第1导电膜60a的表面具有无凹凸的均等的曲面,所以光晕等漫反射的发生得到抑制,可以形成高精度的图形膜。
接着,进行到桥接布线形成工序S50。在桥接布线形成工序S50中,如图9(d)所示,跨相邻所配置的岛状电极部22上和电极间绝缘膜30上,将包含ITO微粒的液体材料的液滴配置为布线形状。随后,使玻璃基板1上的液体材料干燥及固化。借此,形成连接岛状电极部22彼此的桥接布线21。在桥接布线21的形成时,因为如上所述,作为基底的交叉部K的电极间绝缘膜30通过由分隔壁(岛状电极部22)来划分轮廓而大致成一个面,所以桥接布线21不会像在基底产生了渗出突起时那样弯曲,而形成为直线状。还有,作为桥接布线21的形成所使用的液体材料,除了上述包含ITO微粒的液体材料之外,还可以采用包含IZO(注册商标)微粒和/或ZnO微粒的液体材料,来形成。
在桥接布线形成工序S50中,优选的是,使用和电极成膜工序S10相同的液体材料来形成桥接布线21。也就是说,在桥接布线21的构成材料中,优选的是,使用和X电极10和/或岛状电极部22的构成材料相同的材料。
接着,进行到平坦化膜形成工序S60。在平坦化膜形成工序S60中,如图10(a)所示,以使玻璃基板1的一方的面1a平坦化为目的,将包含绝缘材料的平坦化膜40形成于一方的面1a的大致整面。平坦化膜40虽然可以使用和在绝缘膜形成工序S30中所使用的电极间绝缘膜30形成用的液体材料相同的液体材料来形成,但是因为以玻璃基板1表面的平坦化为目的,所以优选的是,使用树脂材料来形成。
接着,进行到保护基板接合工序S70。在保护基板接合工序S70中,如图10(b)所示,在另行准备的保护基板50和平坦化膜40之间配置粘接剂,通过由此粘接剂形成的粘接层51来粘合保护基板50和平坦化膜40。保护基板50除了由玻璃和/或塑料等形成的透明基板之外,也可以是偏振板和/或相位差板等的光学元件基板。作为构成粘接层51的粘接剂,可以使用透明的树脂材料等。
接着,进行到屏蔽层形成工序S80。在屏蔽层形成工序S80中,如图10(c)所示,在玻璃基板1的另一方的面1b(和一方的面1a相反侧的面)形成由导电膜所构成的屏蔽层70。屏蔽层70可以采用真空成膜法、网板印刷法、胶印(offset)法、液滴排出法等众所周知的成膜法来形成。例如在采用液滴排出法等的印刷法来形成屏蔽层70时,可以使用在电极成膜工序S10及桥接布线形成工序S50中使用的包含ITO微粒等的液体材料。另外,除了通过对玻璃基板1的成膜来形成屏蔽层70的方法之外,也可以另行准备在一面或两面成膜有导电膜的膜,通过将此膜与玻璃基板1的另一方的面1b贴合来将膜上的导电膜作为屏蔽层70。
还有,在本实施方式中,虽然设为将屏蔽层70在触摸面板制造过程的最后实施,但是屏蔽层70可以按任意的定时形成。例如,也可以将预先形成有屏蔽层70的玻璃基板1供给电极成膜工序S10以后的工序。另外,也可以在电极成膜工序S10~保护基板接合工序S70为止的任意工序之间配置屏蔽层形成过程。
另外,在本实施方式中,虽然在玻璃基板1的另一方的面1b形成了屏蔽层70,但是要在玻璃基板1的一方的面1a侧形成屏蔽层70A时,要在电极成膜工序S10之前,执行形成屏蔽层70A的工序和形成绝缘膜的工序。这种情况下,屏蔽层70A也可以采用和屏蔽层形成工序S80相同的方法来形成。另外,绝缘膜的形成工序例如可以和绝缘膜形成工序S30相同。
(电光装置的构成)
下面,说明电光装置的构成。还有,在本实施方式中,将对于作为电光装置的、具备上述触摸面板100的液晶显示装置的构成,进行说明。图14表示液晶显示装置的构成,同图(a)是俯视图,同图(b)是(a)的俯视图中的H-H′剖面图。
如图14(a)所示,液晶显示装置500具有元件基板410、对向基板420及图像显示区域410a。元件基板410是一种矩形状的基板,具有比对向基板420宽的平面区域。对向基板420是液晶显示装置500的图像显示侧,是由玻璃和/或丙烯酸树脂等形成的透明基板。对向基板420通过密封件452接合到元件基板410的中央部。图像显示区域410a是对向基板420的平面区域,是沿着密封件452的内周所设置的周边分隔构件453的内侧区域。
在元件基板410的对向基板420的周边,配置数据线驱动电路401、扫描线驱动电路404、与数据线驱动电路401及扫描线驱动电路404连接的连接端子402以及连接相对于对向基板420相对向所配置的扫描线驱动电路404彼此的布线405等。
接下来,说明液晶显示装置500的剖面。在元件基板410的液晶层450侧的面,叠层像素电极409及取向膜418等。在对向基板420的液晶层450侧的面,叠层遮光膜(黑矩阵)423、滤色器422、共用电极425及取向膜429等。液晶层450由元件基板410和对向基板420来夹持。而且,在对向基板420外侧(液晶层450相反侧)的面,夹着粘接层101来配置本发明的触摸面板100。
(电子设备的构成)
下面,说明电子设备的构成。还有,在本实施方式中,将对于作为电子设备的、装载了上述触摸面板或者具备触摸面板的液晶显示装置的便携式个人计算机的构成,进行说明。图15是表示便携式个人计算机构成的立体图。便携式个人计算机1100具备显示部1101和具有键盘1102的主体部1103。便携式个人计算机1100在显示部1101具备上述实施方式的液晶显示装置500。根据具备这种构成的便携式个人计算机1100,由于本发明的触摸面板被使用到显示部,因而可以形成为抑制了制造成本的电子设备。
还有,上述电子设备用来示例本发明的电子设备,并不用来限定本发明的技术范围。例如,在便携电话机、便携式音频设备、PDA(PersonalDigital Assistant,个人数字助理)等的显示部中也可以优选地使用本发明所涉及的触摸面板。
上面,一边参照附图一边说明了本发明所涉及的最佳实施方式,但是不言而喻,本发明不限定为有关的例子。在上述例子中所示的各构成部件的各种形状和/或组合等是一例,可以在不脱离本发明宗旨的范围内根据设计要求等进行各种变更。
从而,根据上述实施方式,具有下面所示的效果。
(1)在第1导电膜60a上具备第2导电膜60b,该第2导电膜60b具有与第1导电膜60a的膜宽度W1相比较狭窄的膜宽度W2。再者,第2导电膜60b其形状为,具有弯曲成凸状的表面。通过形成这种层叠结构,第2导电膜60b具有不与玻璃基板1接触、并且不覆盖到第1导电膜60a的端部的形态,所以可以抑制因应力等导致的膜剥离等的发生。再者,还可以抑制因应力等导致的裂纹等发生。
(2)设置膜厚度为0.2~2μm,且剖视时端部的角度具有0.5~10°的第2导电膜60b。借此,可以进一步抑制膜的剥离和/或裂纹等,能够提供可靠性高的触摸面板。另外,在和覆盖第1及第2导电膜60a、60b的第1保护膜61之间的关系上,例如当采用光刻法形成第1保护膜61时,在曝光了时,第2导电膜60b上漫反射的发生(光晕)得到抑制。因此,可以提供具有高精细层叠图形的触摸面板100。
(1)使用六甲基二硅氮烷910,实施了在玻璃基板1上形成了第1导电膜60a后的基体材料1′的表面处理。于是,六甲基二硅氮烷910和玻璃基板1表面的水分发生反应,使得玻璃基板1的表面被三甲基甲硅烷基化。也就是说,玻璃基板1的表面被进行疏水化处理。另一方面,因为和第1导电膜60a的表面之间的反应较慢,所以疏水力弱。也就是说,第1导电膜60a的表面保持亲水力。从而,通过实施上述表面处理,就可以在同一时期且有选择地形成疏水化区域和亲水化区域。因此,可以使制造过程简化。而且,朝向第1导电膜60a上,将包含分散有第2导电膜60b的材料的水系分散介质的功能液作为液滴进行排出,使得在第1导电膜60a上涂敷功能液。因为第1导电膜60a的表面具有弱疏水性(亲水性),所以涂敷后的功能液在第1导电膜60a上浸润扩展。另一方面,因为玻璃基板1的表面具有疏水性,所以功能液向玻璃基板1侧的浸润扩展被限制。从而,可以相应于第1导电膜60a的图形形状,使功能液浸润扩展。然后,通过使功能液固化,就可以在第1导电膜60a上形成下述形状的第2导电膜60b,该形状具有与第1导电膜60a的膜宽度W1相比较狭窄的膜宽度W2。然后,可以按比采用光刻法的图形膜形成良好的精度形成第2导电膜60b。因此,可以实施微细的导电膜形成。
还有,并不限定为上述实施方式,可举出如下的变形例。
(变形例1)在上述实施方式中,作为导电膜层叠部件,举出触摸面板100为例进行了说明,但是不限定于此,例如,除此之外,也可以用于液晶显示器、等离子体显示器、有机EL显示器及FED(场放射显示器)等离子体显示器等中。即便这样,仍可以获得和上面相同的效果。

Claims (10)

1.一种导电膜层叠部件,其特征为,
具有:
第1导电膜,其形成于基板上,上述第1导电膜具有设置于向上述基板延伸的一对侧表面之间的上表面;和
第2导电膜,其形成于上述第1导电膜的上表面上;
保护膜,其直接设置于上述第2导电膜上;
其中上述第2导电膜的膜宽度比上述第1导电膜的上表面的膜宽度窄,
上述第2导电膜在剖面看具有凸状的表面;以及
上述保护膜直接接触上述第1导电膜的上表面。
2.根据权利要求1所述的导电膜层叠部件,其特征为,
上述第2导电膜的膜宽度从上述第1导电膜的膜宽度方向上的两个端部开始各收窄0.5~5μm。
3.根据权利要求1所述的导电膜层叠部件,其特征为,
上述第2导电膜的厚度是0.2~2μm,并且上述第2导电膜的剖面看的端部的角度是0.5~10°。
4.根据权利要求2所述的导电膜层叠部件,其特征为,
上述第2导电膜的厚度是0.2~2μm,并且上述第2导电膜的剖面看的端部的角度是0.5~10°。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的导电膜层叠部件,其特征为,
上述第1导电膜是具有透明性的导电膜,
上述第2导电膜是包含银的导电膜。
6.根据权利要求1~4中任一项所述的导电膜层叠部件,其特征为,
具有形成于上述第1导电膜及上述第2导电膜上的保护膜,
具备:
3层层叠部,其由上述第1导电膜、形成于上述第1导电膜上的上述第2导电膜和形成于上述第2导电膜上的上述保护膜叠层而成;和
2层层叠部,其是上述第1导电膜的膜宽度方向的端部,由上述第1导电膜和形成于上述第1导电膜上的上述保护膜叠层而成。
7.根据权利要求6所述的导电膜层叠部件,其特征为,
上述第1导电膜和上述保护膜是相同的材料。
8.根据权利要求1~4或7中任一项所述的导电膜层叠部件,其特征为,
上述第2导电膜,通过在上述基板的表面实施疏水化处理,并且在上述第1导电膜的表面实施比上述基板的疏水力弱的疏水化处理,并在上述第1导电膜上涂敷包含上述第2导电膜的材料的液状材料,来形成。
9.一种电光装置,其特征为,
具备权利要求1~8中任一项所述的导电膜层叠部件。
10.一种电子设备,其特征为,
具备权利要求9所述的电光装置。
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