TWI413826B - 光調變器及其製造方法 - Google Patents

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Description

光調變器及其製造方法
本發明係有關於具備用以調變光的調變領域、鄰接調變領域的被動領域的光調變器及其製造方法。
現在舉出半導體馬赫-任德爾光調變器(Mach-Zehnder modulator)做為光調變器的一例來說明。半導體被動調變器具有代表性的層構造為p-i-n構造。所謂p-i-n構造是指在InP等半導體基板上按n型覆蓋層、非摻雜的核心層、及p型覆蓋層的順序積層的構造(例如參照非專利文獻1)。
使用p-i-n構造會發生因為在p型覆蓋層的價電子帶吸收而導致的光損失。要減低光損失，會考慮加厚核心層的厚度、或在核心層與p型覆蓋層之間形成非摻雜覆蓋層。例如專利文獻1中揭露了核心層與p型覆蓋層之間插入了厚度100nm的非摻雜覆蓋層(i-InP覆蓋層)的構造。像這樣增加p-i-n構造的非摻雜層(p-i-n構造的i部分)厚度，能夠減低p型覆蓋層的光損失。
另外也有一種將光調變器的層構造做為n-i-n構造的方式來減低光損失(例如參照非專利文獻2)。這個構造因為沒有p型覆蓋層，所以能夠消除在p型覆蓋層的光損失。
[專利文獻]特開平7-191290號公報
[非專利文獻1]　N. Yoshimoto et al.,Journal of Lightwave Technology,vol. 17,no. 9,pp. 1662-1669,1999.
[非專利文獻2]　K. Tsuzuki et al.,Electronics Letters,vol. 39,no. 20,pp. 1464-1466,2003.
除了減低光損失外，光調變器也會被要求減低驅動電壓。也就是說，從限制使用IC(驅動器)的輸出振幅及減低電力消耗的觀點來看，光調變器會被期望以低電壓驅動。
然而加厚上述p-i-n構造的非摻雜層的情況下，要同時滿足低驅動電壓相當困難。也就是說，因為加厚非摻層會減弱非摻雜層的電場，所以在核心層所發生的量子侷限史塔克效應(Quantum Confined Stark Effect：QCSE)會造成折射率變化量減低。在這個情況下，必須提高光調變時的驅動電壓來產生所期望的折射率變化量。因此，在具有p-i-n構造構造的光調變器中，有著難以同時減低光損失與驅動電壓的問題。
而將光調變器做為n-i-n構造時則有以下的問題。在單晶體積體化光調變器與半導體雷射時，半導體雷射採用p-i-n構造的情況很多，若光調變器採用n-i-n構造的話會使製造複雜化。因此採用n-i-n構造做為光調變器的情況下，會有難以單晶體積體化光調變器與半導體雷射的問題。
本發明係為了解決上述的問題，而提出一種能夠減低光損失與驅動電壓，並且能夠容易地與半導體雷射進行單晶體積體化的光調變器及其製造方法。
本發明的光調變器，具備調變光的調變領域及鄰接該調變領域的被動領域，該調變領域及該被動領域上形成有：半導體基板；該半導體基板上的n型覆蓋層；該n型覆蓋層上的核心層；以及該核心層上的p型覆蓋層，該調變領域上形成有：該p型覆蓋層；該p型覆蓋層上的接觸層；以及該接觸層上的P側電極，其中在該被動領域中，該核心層與該P型覆蓋層之間形成有非摻雜覆蓋層。
本發明的光調變器的製造方法，該光調變器具備調變光的調變領域及鄰接該調變領域的被動領域，光調變器的製造方法包括：在半導體基板上依序形成n型覆蓋層、核心層、下部非摻雜覆蓋層、蝕刻停止層、及上部非摻雜覆蓋層的步驟；在該被動領域形成光罩，並蝕刻該調變領域的該上部非摻雜覆蓋層的步驟；蝕刻該調變領域的該蝕刻停止層的步驟；除去該光罩，在該調變領域的該下部非摻雜覆蓋層上以及該被動領域的該上部非摻雜覆蓋層上依序形成p型覆蓋層及接觸層的步驟；除去該被動領域的該接觸層的步驟；以及在該調變領域的該接觸層上形成P側電極的步驟。
根據本發明，可獲得能夠減低光損失與驅動電壓，並且能夠容易地與半導體雷射進行單晶體積體化的光調變器。
實施例1
參照第1圖至第6圖說明本發明的實施例1。相同或對應的構成要素會標示相同的符號而省略說明。
第1圖係本發明實施例1的光調變器10的平面圖。第1圖所示的光調變器10例如將光分開後在合波的半導體馬赫-任德爾光調變器。光半導體10具備調變光的調變領域與鄰接調變領域的被動領域。調變領域形成有2條P側電極12。被動領域形成有分歧形狀的SiO2 保護膜14。P側電極12與SiO2 保護膜14形成在高平台型波導16的表面。調變領域的長邊方向長度為例如1mm。鄰接調變領域前後的被動領域長邊方向長度分別為例如1mm。因此光調變器10的長邊方向長度為3mm。而高平台型波導16的波導寬度為例如1.8μm。
第2圖係第1圖X-X’虛線剖面圖。如第2圖所示，在調變領域及被動領域，半導體基板20上形成n型覆蓋層22。半導體基板20以n型InP基板形成。而n型覆蓋層22以n型InP層形成。n型覆蓋層22厚度例如是200nm。此n型覆蓋層22上形成有核心層24。核心層24以i-InGaAsP/InGaAsP多重量子井(MQW)形成。核心層24具有將厚度7nm的InGaAsP做為井層，並將厚度7nm、組成波長1.1μm的InGaAsP做為障壁層共30週期的多重量子井(MQW)構造。井層的組成波長的設定會使得MQW的光激發螢光(PL)波長為1.4μm。
核心層24上形成有p型覆蓋層28。在被動領域中核心層24與p型覆蓋層28之間形成有非摻雜覆蓋層26，關於此點稍後再說明。p型覆蓋層28以p型InP層形成。p型覆蓋層28的厚度為例如1500nm左右。P型覆蓋層28的載子濃度為例如1×1018 cm-3 。而半導體基板20的下面形成有N側電極30。所有共通形成於調變領域與被動領域的部分如以上所述。
在調變領域中，p型覆蓋層28上形成有接觸層32。接觸層32以p型InGaAsP層形成。接觸層32的厚度為例如500nm。接觸層32上形成有P側電極12。
在被動領域中，核心層24與p型覆蓋層28之間形成有非摻雜覆蓋層26。非摻雜覆蓋層26以非摻雜InP層形成。非摻雜覆蓋層26的厚度為例如200nm。另外，在被動領域中，p型覆蓋層28上形成有SiO2保護膜14。本發明實施例1的光調變器10具備上述的構造。
接著參照第3圖及第4圖說明光調變器10的製造方法。第3圖係說明本發明實施例1的光調變器10的製造方法流程圖。第4圖係本發明實施例1的光調變器10的製造過程剖面圖。以下將按照第3圖的流程表來進行說明。首先使用MOCVD法在半導體基板20上形成n型覆蓋層22、核心層24、及p型覆蓋層28。之後在調變領域形成SiO2 光罩60(步驟50)。步驟50結束的剖面圖表示於第4A圖。
步驟50結束後進入步驟51。在步驟51以蝕刻的方式除去被動領域的p型覆蓋層28。步驟51結束後進入步驟52。在步驟52形成非摻雜覆蓋層26於被動領域。非摻層覆蓋層26可使用MOCVD法的對接成長來形成。步驟52結束的剖面圖表示於第4B圖。
步驟52結束後進入步驟53。在步驟53除去SiO2 光罩60後在使p型覆蓋層28成長。然後在p型覆蓋層28上形成接觸層32。p型覆蓋層28及接觸層32的形成是使用MOCVD法。步驟53結束的剖面圖表示於第4C圖。
步驟53結束後進入步驟54。在步驟54以酒石酸溶液與過氧化氫的混合液除去被動領域的接觸層32。
步驟54結束後進入步驟55。在步驟55以乾蝕刻形成高平台型波導16。接著在被動領域形成SiO2 光保護14。之後在調變領域的接觸層32上形成P側電極12。再以研磨的方式削薄半導體基板20的下方表面，在半導體基板的下方表面形成N側電極30，完成第1圖及第2圖所示的光調變器10。
本發明實施例1的光調變器10的特徵為被動領域具備非摻雜覆蓋層26而調變領域不具備非摻雜覆蓋層26。被動領域的p型覆蓋層28上的光分佈會因為非摻雜覆蓋層26而減低。也就是說，由核心層24至p型覆蓋層28的光量減低。這個結果會因為p型覆蓋層28的價電子帶吸收減少，而能夠減低光調變器10的光損失。另一方面，因為在調變領域沒有形成非摻雜覆蓋層26，所以p-i-n構造中的i層厚度不會增加。這個結果能夠防止光調變時所需要的驅動電壓增加。也就是說，能夠減低光調變器10的驅動電壓。
第5圖係顯示模擬本發明實施例1的光調變器10的被動領域上光損失的結果。如第5圖所示，增大非摻雜覆蓋層26的厚度光損失會下降。特別是，非摻雜覆蓋層26的厚度在100nm以上時，可以有-1dB/mm以上的光損失下降。另一方面，過度增加非摻雜覆蓋層26的厚度，會導致結晶成長時的異常成長或光微影製程的焦點異常等問題。因此，本發明實施例1中，將非摻雜覆蓋層26的厚度設定為200nm。使用具有200nm厚度的非摻雜覆蓋層26的話，被動領域的長邊方向長度每1mm就能減低-1.44 dB的損失。本發明實施例1的被動領域的長邊方向距離為2mm，因此光調變器10能夠有-2.88dB的光損失下降。
如此一來，根據本發明實施例1的光調變器10的組成，能夠減低光損失及驅動電壓。而且因為光調變器10為p-i-n構造，能夠容易地與半導體雷射單晶體積體化。
本發明實施例1有關於光調變器，但也能夠將本發明應用於其他的裝置。例如能夠將本發明應用於具備施加電壓的主動領域與鄰接主動領域的被動領域的半導體波長可變雷射。在這個情況下，若在被動領域的核心層與p型覆蓋層之間也形成厚度100nm以上的非摻雜覆蓋層的話，就能獲得本發明的效果。
本發明也可以應用於例如具備施加電壓的主動領域與鄰接主動領域的被動領域的積體半導體光元件。在這個情況下，若在被動領域的核心層與p型覆蓋層之間也形成厚度100nm以上的非摻雜覆蓋層的話，就能獲得本發明的效果。
有關於光調變器10的製造方法並不限定於上述的方法。參照第6圖來說明其他的製造方法。第6圖係本發明實施例1的光調變器10的其他製造方法剖面圖。在這個製造方法中，首先在半導體基板20上依序以MOCVD法形成n型覆蓋層22、核心層24、p型覆蓋層28、及接觸層32(第6A圖)。之後，將SiO2 光罩70形成於調變領域，並以蝕刻的方式去除被動領域的接觸層32與p型覆蓋層28(第6B圖)。此後，使用MOCVD的對接成長來形成非摻領域26及p型覆蓋層28於被動領域。之後除去SiO2 光罩70(第6C圖)。之後再形成高平台型波導16及P側電極12。再以研磨的方式削薄半導體基板20並形成N側電極30，完成光調變器10。此外，在不脫離本發明的範疇之下，也可以有各種不同的變形。
實施例2
參照第7圖說明本發明的實施例2。第7圖係本發明實施例2的光調變器80的剖面圖。如第7圖所示，光調變器80的被動領域的核心層24與p型覆蓋層28之間形成有非摻雜覆蓋層82。非摻雜覆蓋層82的厚度為例如200nm。另外在調變領域的核心層24與p型覆蓋層28之間形成有比非摻雜覆蓋層82薄的非摻雜覆蓋層84。較薄的非摻雜覆蓋層84的厚度為例如10nm。非摻雜覆蓋層82及較薄的非摻雜覆蓋層84都以非摻雜的InP層形成。光調變器80的平面圖如第1圖所示。
一般來說，要減低光損失，厚的非摻雜覆蓋層會比較好，而要減低驅動電壓的話，調變領域的非摻雜覆蓋層厚度薄的話比較好。然而，不在調變領域形成非摻雜覆蓋層會發生無法充分減低光損失的情形。因此，光調變器80中，在調變領域形成比被動領域薄的非摻雜覆蓋層82薄的非摻雜覆蓋層84。根據此構造能減低光損失。而因為上述的非摻雜覆蓋層84厚度僅10nm，也能夠輕微地抑制驅動電壓的上升。
另外，薄的非摻雜覆蓋層84的厚度未滿10nm的話很難獲得光損失減低的效果，使會希望薄的非摻雜覆蓋層84厚度在10nm以上。
實施例3
參照第8圖至第10圖說明本發明實施例3。第8圖係本發明實施例3的光調變器90的剖面圖。如第8圖所示，光調變器90的被動領域形成有連接p型覆蓋層28的上部非參雜覆蓋層96、連接核心層24的下部非摻雜覆蓋層92。上部非摻雜覆蓋層96及下部非摻雜覆蓋層92是以非摻雜InP層形成。上部非摻雜覆蓋層96的厚度為例如200nm。而下部非摻雜覆蓋層92的厚度為例如10nm。下部非摻雜覆蓋層92延伸至調變領域的核心層24與p型覆蓋層28之間。然而，上部非摻雜覆蓋層96不形成於調變領域。
而在上部非摻雜覆蓋層96與下部非摻雜覆蓋層92之間形成有為非摻雜層的蝕刻停止層94。蝕刻停止層94以非差雜的InGaAsP層形成。蝕刻停止層94的厚度為例如20nm。而蝕刻停止層94的組成波長為1.2μm。蝕刻停止層94是能夠選擇性地對非摻雜覆蓋層(上部非摻雜覆蓋層96及下部非摻雜覆蓋層92)蝕刻的層。本發明實施例3的光調變器90具備上述的構造。光調變器90的平面圖如第1圖所示。
接著參照第9圖及第10圖說明光調變器90的製造方法。第9圖係說明本發明實施例3的光調變器90的製造方法流程圖。第10圖係本發明實施例3的光調變器90的製造過程剖面圖。以下將沿著第9圖的流程來說明。首先，在半導體基板20上依序形成n型覆蓋層22、核心層24、下部非摻雜覆蓋層92、蝕刻停止層94、及上部非摻雜覆蓋層96(步驟100)。各層以MOCVD法形成。步驟100結束時的剖面圖表示於第10A圖。
結束步驟100後進入步驟101。在步驟101中，形成SiO2 光罩98於被動領域，並以鹽酸及磷酸水溶液的混合液蝕刻調變領域的上部非摻雜覆蓋層96。此時，鹽酸及磷酸水溶液的混合液對蝕刻停止層94的蝕刻率極低，因此蝕刻能夠停止於蝕刻停止層94的上面。接著也蝕刻掉調變領域的蝕刻停止層94。此蝕刻係使用酒石酸水溶液與過氧化水溶液的混合液。步驟101結束時的剖面圖表示於第10B圖。
結束步驟101後進入步驟102。在步驟102，首先除去SiO2 光罩98。然後在調變領域中的下部非摻雜覆蓋層92上及被動領域中的上述非差雜覆蓋層96上分別依序形成p型覆蓋層28及接觸層32。這些層是以MOCVD法形成。步驟102結束時的剖面圖表示於第10C圖。
結束步驟102後進入步驟103。在步驟103，使用酒石酸水溶液與過氧化水溶液的混合液除去被動領域的接觸層32。
結束步驟103後進入步驟104。在步驟104以乾蝕刻形成高平台型波導16。接著形成SiO2 保護膜14於被動領域。之後在調變領域的接觸層32上形成P側電極12。在以研磨的方式削薄半導體基板20的下方平面，將N側電極30形成於半導體基板20的下方平面以完成第8圖所示的光調變器90。
本實施例3的光調變器90的製造方法中，因為蝕刻停止層94覆蓋於下部非摻雜覆蓋層92，所以蝕刻上部非摻雜覆蓋層96時不會蝕刻到下部非摻雜覆蓋層92。因此，能夠在調變領域形成期望的厚度的下部非摻雜覆蓋層92。
10、80、90‧‧‧光調變器
12‧‧‧P側電極
14‧‧‧SiO2 保護膜
16‧‧‧高平台型波導
20‧‧‧半導體基板
22‧‧‧n型覆蓋層
24‧‧‧核心層
26‧‧‧非摻雜覆蓋層
28‧‧‧p型覆蓋層
30‧‧‧N側電極
32‧‧‧接觸層
60、70‧‧‧SiO2 光罩
第1圖係本發明實施例1的光調變器的平面圖。
第2圖係第1圖X-X’虛線剖面圖。
第3圖係說明本發明實施例1的光調變器的製造方法流程圖。
第4A~4C圖係本發明實施例1的光調變器的製造過程剖面圖。
第5圖係顯示模擬本發明實施例1的光調變器的被動領域上光損失的結果。
第6A~6C圖係本發明實施例1的光調變器的其他製造方法剖面圖。
第7圖係本發明實施例2的光調變器的剖面圖。
第8圖係本發明實施例3的光調變器的剖面圖。
第9圖係說明本發明實施例3的光調變器的製造方法流程圖。
第10A~10C圖係本發明實施例3的光調變器的製造過程剖面圖。
12．．．P側電極
14．．．SiO2 保護膜
20．．．半導體基板
22．．．n型覆蓋層
24．．．核心層
26．．．非摻雜覆蓋層
28．．．p型覆蓋層
30．．．N側電極
32．．．接觸層

Claims (6)

  1. 一種光調變器，具備調變光的調變領域及鄰接該調變領域的被動領域，該調變領域及該被動領域上形成有：半導體基板；該半導體基板上的n型覆蓋層；該n型覆蓋層上的核心層；以及該核心層上的p型覆蓋層，該調變領域上形成有：該p型覆蓋層；該p型覆蓋層上的接觸層；以及該接觸層上的P側電極，其中在該被動領域中，該核心層與該P型覆蓋層之間形成有非摻雜覆蓋層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光調變器，其中該非摻雜覆蓋層的厚度在100nm以上。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項中任一項所述之光調變器，其中在該調變領域中，該核心層與該p型覆蓋層之間具有形成為比該非摻雜覆蓋層薄之薄的非摻雜覆蓋層。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之光調變器，其中該薄的非摻雜覆蓋層厚度在10nm以上。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之光調變器，其中該非摻雜覆蓋層具備與該p型覆蓋層接觸的上部非摻雜覆蓋層以及與該核心層接觸的下部非摻雜覆蓋層， 該上部非摻雜覆蓋層與該下部非摻雜覆蓋層之間形成有非摻雜層，該下部非摻雜覆蓋層延伸至該調變領域內的該核心層與該p型覆蓋層之間。
  6. 一種光調變器的製造方法，該光調變器具備調變光的調變領域及鄰接該調變領域的被動領域，光調變器的製造方法包括：在半導體基板上依序形成n型覆蓋層、核心層、下部非摻雜覆蓋層、蝕刻停止層、及上部非摻雜覆蓋層的步驟；在該被動領域形成光罩，並蝕刻該調變領域的該上部非摻雜覆蓋層的步驟；蝕刻該調變領域的該蝕刻停止層的步驟；除去該光罩，在該調變領域的該下部非摻雜覆蓋層上以及該被動領域的該上部非摻雜覆蓋層上依序形成p型覆蓋層及接觸層的步驟；除去該被動領域的該接觸層的步驟；以及在該調變領域的該接觸層上形成P側電極的步驟。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016114712A (ja) * 2014-12-12 2016-06-23 日本電信電話株式会社 半導体マッハツェンダー光変調器
JP6365357B2 (ja) * 2015-03-11 2018-08-01 三菱電機株式会社 光半導体装置の製造方法
JP6531525B2 (ja) * 2015-07-03 2019-06-19 富士通株式会社 光変調器および光変調器の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200931670A (en) * 2007-09-13 2009-07-16 Omnivision Cdm Optics Inc Transmissive detectors, systems incorporating same, and associated methods
CN101527429A (zh) * 2008-03-07 2009-09-09 三菱电机株式会社 半导体激光器及其制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0667043A (ja) * 1992-08-24 1994-03-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> スポット変換素子およびその製造方法
US6278170B1 (en) * 1993-12-27 2001-08-21 Nec Corporation Semiconductor multiple quantum well mach-zehnder optical modulator and method for fabricating the same
JPH07230066A (ja) * 1994-02-18 1995-08-29 Hitachi Ltd 半導体光変調器
JPH10307219A (ja) * 1997-05-06 1998-11-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光導波路形フィルタおよびその製造方法
JPH1172759A (ja) * 1997-08-29 1999-03-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 導波路形光デバイスとその製造方法
JP2002169132A (ja) * 2000-12-04 2002-06-14 Toshiba Electronic Engineering Corp 電界吸収型光変調器およびその製造方法
KR100413527B1 (ko) * 2002-01-29 2004-01-03 한국전자통신연구원 단일 집적 반도체 광소자 제작방법
US6845198B2 (en) * 2003-03-25 2005-01-18 Sioptical, Inc. High-speed silicon-based electro-optic modulator
JP5515927B2 (ja) * 2010-03-24 2014-06-11 住友電気工業株式会社 半導体光素子

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200931670A (en) * 2007-09-13 2009-07-16 Omnivision Cdm Optics Inc Transmissive detectors, systems incorporating same, and associated methods
CN101527429A (zh) * 2008-03-07 2009-09-09 三菱电机株式会社 半导体激光器及其制造方法

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