JP2009086111A - 光変調器とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】入射光INは光分波器13で2分岐され、アーム導波路20a,20bでそれぞれ変調電圧Va,Vbによってプッシュ−プル駆動された後、光合波器14で合波されて変調された出射光OUTが出力される。出射光OUTは、変調電圧Va,Vbに応じて強度が変調されると同時に、アーム導波路20a,20bの等価屈折率の変化により、波長が変化する。これをチャープ現象といい、光ファイバによる長距離伝送では、ファイヤの材質や光の波長に応じて最適なチャープ特性が求められる。アーム導波路20a,20bは、それぞれ層数の異なるMQW導波路層22a,22bで構成しているので、この層数を変えることにより、容易に安定した所望の負チャープ特性を得ることができる。
【選択図】図1
Description
マッハツェンダー型の光変調器は、光を一旦2つに分岐させて再び合波させるときの干渉条件によって光のオン・オフを行う光強度変調器で、分岐した2つの光の導波路上に設けた電極に変調用の電圧を印加することで、合波するときの干渉条件を変えるようにしている。
入射導波路2に与えられた入射光INは、光分波器3によって2つの光束に分けられ、それぞれ第1アーム導波路4aと第2アーム導波路4bに入射される。第1アーム導波路4aと第2アーム導波路4bに入射された光束は、それぞれ第1変調電極7aと第2変調電極7bに印加される電圧に応じて生ずる導波路の屈折率の変化によって位相変調を受けて出力端から出射される。第1アーム導波路4aと第2アーム導波路4bから出射される光束は、光合波器5によって合波され、出射導波路6に出力される。従って、出射導波路6から出力される出射光OUTの強度は、第1変調電極7aと第2変調電極7bに印加された変調用の電圧で生じた光束の位相差に応じて変化する。
図3に示すように、この光変調器では、光強度がオフからオンに移り変わる瞬間に、出射光の波長が低周波側に変化し、逆に光強度がオンからオフに移り変わる瞬間には、波長が高周波側に変化する負チャープ特性を呈し、その変化量を示すαパラメータ(αパラメータについては後述する)の値は約−0.2である。
例えば、入射光INを第1の入射導波路12aから入力し、第1の出射導波路15aから出力される出射光OUTを用いる場合、第1アーム導波路20aにおける電気−光相互作用長(第1変調電極16aの長さにほぼ一致)と等価屈折率をそれぞれLa,NEaとし、第2アーム導波路20bにおける電気−光相互作用長(第2変調電極16bの長さにほぼ一致)と等価屈折率をそれぞれLb,NEbとすると、出射光OUTの状態は次のようになる。但し、λは光の波長、nは任意の整数である。
(La×NEa)−(Lb×NEb)=2n×λ/2 のときオフ状態
(La×NEa)−(Lb×NEb)=(2n+1)×λ/2 のときオン状態
α=E(dφ/dt)/(dE/dt) ・・(1)
|ΔVa|=|ΔVb| かつ Va+Vb=一定
但し、個々で、ΔViは、Viの最大値と最小値の差を意味する。
12 入射導波路
13 光分波器
14 光合波器
15 出射導波路
16 変調電極
17 共通電極
20 アーム導波路
21 下側SCH層
22 MQW導波路層
23 上側SCH層
24 クラッド層
25 キャップ層
Claims (9)
- 入射される光を2つに分岐する光分波器と、前記分岐された光の内の一方を導いて第1の変調信号でその位相を変化させて出力する第1の導波路と、前記分岐された光の内の他方を導いて第2の変調信号でその位相を変化させて出力する第2の導波路と、前記第1及び第2の導波路から出力される光を合成して変調された光を出射する光合波器とを備えた光変調器において、
前記第1の導波路で前記第1の変調信号の電界が印加されるコア層の厚さと、前記第2の導波路で前記第2の変調信号の電界が印加されるコア層の厚さを、異なる厚さに形成したことを特徴とする光変調器。 - 前記第1の導波路のコア層は、下側光閉じ込め層と、上側光閉じ込め層と、これらの2つの光閉じ込め層で挟まれた複数層の多重量子井戸導波路層で構成し、
前記第2の導波路のコア層は、下側光閉じ込め層と、前記第1の導波路よりも層の数が少ない多重量子井戸導波路層で構成した、ことを特徴とする請求項1記載の光変調器。 - 前記第1の導波路のコア層は、下側光閉じ込め層と、上側光閉じ込め層と、これらの2つの光閉じ込め層で挟まれた導波路層で構成し、
前記第2の導波路のコア層は、下側光閉じ込め層と、前記第1の導波路よりも厚さが薄い導波路層で構成した、ことを特徴とする請求項1記載の光変調器。 - 前記第1及び第2の導波路のコア層は、何れも、下側光閉じ込め層と、上側光閉じ込め層と、これらの2つの光閉じ込め層で挟まれた同じ数の多重量子井戸導波路層を有し、
前記第1の導波路を構成する各多重量子井戸導波路層の厚さと、前記第2の導波路を構成する各多重量子井戸導波路層の厚さを、異なる厚さに形成したことを特徴とする請求項1記載の光変調器。 - 前記第1及び第2の導波路のコア層は、何れも、下側光閉じ込め層と、上側光閉じ込め層と、これらの2つの光閉じ込め層で挟まれた導波路層を有し、
前記第1の導波路を構成する導波路層の厚さと、前記第2の導波路を構成する導波路層の厚さを、異なる厚さに形成したことを特徴とする請求項1記載の光変調器。 - 2つに分岐された入射光の一方を導いて第1の変調信号でその位相を変化させて出力する第1の導波路と、前記入射光の他方を導いて第2の変調信号でその位相を変化させて出力する第2の導波路とを備え、前記第1及び第2の導波路から出力される光を合成して変調された出射光を出力する光変調器の製造方法において、
基板上に前記第1及び第2の導波路のコア層となる下側光閉じ込め層、複数のバリア層と量子井戸層を交互に積層した多重量子井戸導波路層、及び上側光閉じ込め層を順次形成するコア層形成処理と、
前記第2の導波路に対応する箇所の前記上側光閉じ込め層、及び前記多重量子井戸導波路層を構成する複数のバリア層と量子井戸層の内の一部を、選択的ウエットエッチングによって除去する層数調整処理と、
前記層数調整処理を行った基板表面にクラッド層とキャップ層を順次形成した後、エッチングによってメサ構造の前記第1及び第2の導波路を形成する導波路形成処理とを、
順次行うことを特徴とする光変調器の製造方法。 - 2つに分岐された入射光の一方を導いて第1の変調信号でその位相を変化させて出力する第1の導波路と、前記入射光の他方を導いて第2の変調信号でその位相を変化させて出力する第2の導波路とを備え、前記第1及び第2の導波路から出力される光を合成して変調された出射光を出力する光変調器の製造方法において、
基板上で前記第1の導波路を形成する箇所を挟むように、表面への結晶成長を阻止するための選択成長マスク対を形成するマスク形成処理と、
前記選択成長マスク対を用いて、前記基板上に前記第1及び第2の導波路のコア層となる下側光閉じ込め層、複数のバリア層と量子井戸層を交互に積層した多重量子井戸導波路層、及び上側光閉じ込め層を結晶成長法によって順次形成するコア層形成処理と、
前記コア層が形成された基板から前記選択成長マスク対を除去し、該コア層の表面にクラッド層とキャップ層を順次形成した後、エッチングによってメサ構造の前記第1及び第2の導波路を形成する導波路形成処理とを、
順次行うことを特徴とする光変調器の製造方法。 - 2つに分岐された入射光の一方を導いて第1の変調信号でその位相を変化させて出力する第1の導波路と、前記入射光の他方を導いて第2の変調信号でその位相を変化させて出力する第2の導波路とを備え、前記第1及び第2の導波路から出力される光を合成して変調された出射光を出力する光変調器の製造方法において、
基板上に前記第1及び第2の導波路のコア層となる下側光閉じ込め層、導波路層、及び上側光閉じ込め層を順次形成するコア層形成処理と、
前記第2の導波路に対応する箇所の前記上側光閉じ込め層をドライエッチングによって除去すると共に、前記導波路層の一部をドライエッチングによって除去して厚さを調整する層厚調整処理と、
前記層数調整処理を行った基板表面にクラッド層とキャップ層を順次形成した後、エッチングによってメサ構造の前記第1及び第2の導波路を形成する導波路形成処理とを、
順次行うことを特徴とする光変調器の製造方法。 - 2つに分岐された入射光の一方を導いて第1の変調信号でその位相を変化させて出力する第1の導波路と、前記入射光の他方を導いて第2の変調信号でその位相を変化させて出力する第2の導波路とを備え、前記第1及び第2の導波路から出力される光を合成して変調された出射光を出力する光変調器の製造方法において、
基板上で前記第1の導波路を形成する箇所を挟むように、表面への結晶成長を阻止するための選択成長マスク対を形成するマスク形成処理と、
前記選択成長マスク対を用いて、前記基板上に前記第1及び第2の導波路のコア層となる下側光閉じ込め層、導波路層、及び上側光閉じ込め層を結晶成長法によって順次形成するコア層形成処理と、
前記コア層が形成された基板から前記選択成長マスク対を除去し、該コア層の表面にクラッド層とキャップ層を順次形成した後、エッチングによってメサ構造の前記第1及び第2の導波路を形成する導波路形成処理とを、
順次行うことを特徴とする光変調器の製造方法。
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JP2014191218A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光変調器 |
US9272308B2 (en) | 2009-06-18 | 2016-03-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Method of manufacturing optical device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0961766A (ja) * | 1995-08-19 | 1997-03-07 | Nec Corp | 半導体光変調器 |
JP2000066156A (ja) * | 1998-08-25 | 2000-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | マッハツェンダ型光変調器 |
JP2004133245A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Fujitsu Ltd | モノリシック光干渉素子 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0961766A (ja) * | 1995-08-19 | 1997-03-07 | Nec Corp | 半導体光変調器 |
JP2000066156A (ja) * | 1998-08-25 | 2000-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | マッハツェンダ型光変調器 |
JP2004133245A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Fujitsu Ltd | モノリシック光干渉素子 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9272308B2 (en) | 2009-06-18 | 2016-03-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Method of manufacturing optical device |
JP2014191218A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光変調器 |
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