TWI412633B - Single - crystal silicon - pulling quartz glass crucible and its manufacturing method - Google Patents

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TWI412633B TW097119747A TW97119747A TWI412633B TW I412633 B TWI412633 B TW I412633B TW 097119747 A TW097119747 A TW 097119747A TW 97119747 A TW97119747 A TW 97119747A TW I412633 B TWI412633 B TW I412633B
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Description

單晶矽上拉用石英玻璃坩堝及其製造方法
本發明係關於單晶矽上拉用石英玻璃坩堝及其製造方法。
以往在製造半導體製造用單晶矽時，廣為採用一種方法係被稱為所謂的丘克拉斯基法(Czochralski method，CZ法)，將多晶矽熔融在以石英玻璃所製造的坩堝內，在該矽熔液浸漬種晶，一面使坩堝旋轉，一面慢慢上拉種晶，而使單晶矽成長。
一般而言，單晶矽上拉用石英玻璃坩堝係由透明的內層與含泡而不透明的外層所構成，但是已知因單晶上拉時的熱負載，含泡的外層係比內層更容易膨脹，未被矽熔液按壓的直胴部分會因該膨脹差而朝內側傾倒。
近年來，隨著矽晶圓的大口徑化，所使用的石英玻璃坩堝亦已逐漸大口徑化，隨之由於作為原料的多結晶的裝填(charge)量增大，或與加熱器所育成的單晶矽分離，因此發展出作業的長時間化、加熱器的高輸出化，而使對於石英玻璃坩堝的加熱負荷增大。此外，自以往以來，即使在上拉某6”、8”的單結晶時，基於對於生產性或品質提升的配合，與以前相比，有對於石英玻璃坩堝的熱負荷變高的傾向。結果，無關於坩堝的尺寸，會有因熱負荷而使石英玻璃坩堝的圓筒部倒向內側的問題發生。
以變形對策而言，係已提案出使玻璃表面結晶化的方法(日本特開平8－2932號公報、日本特開平9－110590號公報、日本特開2004－131317號公報)、或埋設環狀構件的方法(日本特開2006－96616號公報)，但是可能分別成本上升，故並不理想。
此外，在日本特開2002－47092號公報中已提出藉由直胴部的厚度及黏性率的適當設定的變形對策，在日本特開2005－41723號公報已提出藉由壁厚構成的變形對策，但是當變更壁厚時，會有影響結晶品質的情形，並無法應用在所有製程。
(專利文獻1)日本特開平8－2932號公報(專利文獻2)日本特開平9－110590號公報(專利文獻3)日本特開2004－131317號公報(專利文獻4)日本特開2006－96616號公報(專利文獻5)日本特開2002－47092號公報(專利文獻6)日本特開2005－41723號公報
因此，本發明的目的在提供一種可以簡單的構成來防止直胴部上端朝向內側傾倒的單晶矽上拉用石英玻璃坩堝及其製造方法。
上述目的係藉由本發明之下述(1)至(11)之構成的單晶矽上拉用石英玻璃坩堝及其製造方法予以達成。
(1)一種單晶矽上拉用石英玻璃坩堝，係具備有直胴部與底部的單晶矽上拉用石英玻璃坩堝，其特徵為：至少分別前述直胴部的最內側的假想溫度被設定為1185℃至1265℃，最外側的假想溫度被設定為1145℃至1210℃，並且在該假想溫度形成斜率，且使最外側的假想溫度比最內側的假想溫度低25℃以上。
(2)如上述(1)之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝，其中，使最外側的假想溫度比最內側的假想溫度低50℃以上。
(3)一種單晶矽上拉用石英玻璃坩堝之製造方法，係具備有直胴部與底部的單晶矽上拉用石英玻璃坩堝之製造方法，其特徵為：至少分別將前述直胴部的最內側的假想溫度設定為1185℃至1265℃，最外側的假想溫度設定為1145℃至1210℃，並且在坩堝熔融後，將坩堝保持在模具內，將坩堝的外側保溫預定時間，藉此降低該外側的假想溫度，至少在前述直胴部形成假想溫度的斜率，且使最外側的假想溫度比最內側的假想溫度低25℃以上。
(4)如上述(3)之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝之製造方法，其中，在坩堝熔融後，將前述坩堝外側保溫，並且將坩堝內側強制冷卻，藉此提高該內側的假想溫度，至少在前述直胴部形成假想溫度的斜率，且使最外側的假想溫度比最內側的假想溫度低25℃以上。
(5)如上述(4)之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝之製造方法，其中，藉由噴吹氣體及超純水來進行前述強制冷卻。
(6)如上述(3)之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝之製造方法，其中，使用石墨模具，在坩堝熔融後，去除預定 量的殘粉，以前述石墨模具的餘熱，將坩堝外側保溫預定時間。
(7)如上述(6)之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝之製造方法，其中，在坩堝熔融後，將前述坩堝外側保溫，並且將坩堝內側強制冷卻，藉此提高該內側的假想溫度，至少在前述直胴部形成假想溫度的斜率，且使最外側的假想溫度比最內側的假想溫度低25℃以上。
(8)如上述(7)之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝之製造方法，其中，藉由噴吹氣體及超純水來進行前述強制冷卻。
(9)如上述(3)之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝之製造方法，其中，使用以冷卻水將外側予以冷卻的金屬製模具，至少在直胴部中殘留3mm以上、10mm以下的殘粉層，在坩堝熔融後，無須去除殘粉，而以該殘粉所具有的餘熱將坩堝外側保溫預定時間。
(10)如上述(9)之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝之製造方法，其中，在坩堝熔融後，將前述坩堝外側保溫，並且將坩堝內側強制冷卻，藉此提高該內側的假想溫度，至少在前述直胴部形成假想溫度的斜率，且使最外側的假想溫度比最內側的假想溫度低25℃以上。
(11)如上述(10)之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝之製造方法，其中，藉由噴吹氣體及超純水來進行前述強制冷卻。
在本發明之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝中，係至少在直胴部中，與最內側相比，使最外側的假想溫度構成為較低，因此玻璃本身的熱膨脹率、及密度的差會在消除前述朝內側傾倒的方向作用。因此，在本發明之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝中，並不會有如習知的坩堝般朝向內側傾倒的情形。
本發明之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝中之假想溫度的斜率的形成係可藉由當在製造坩堝時，在坩堝熔融結束後，將坩堝保持在模具內，且將其外側予以保溫、甚至將坩堝內側急冷的簡單操作來進行。
以下一面參照所附圖示，一面詳加說明本發明之實施形態之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝。
第1圖係本發明之實施形態之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝10的概略剖視圖。
該單晶矽上拉用石英玻璃坩堝10的基本形態係如第1圖所示，可與一般者相同，具備有直胴部12及底部14。此外，其層構成係由：包含多數氣泡的半透明玻璃層的外層部16、及形成在該外層部16之內面之無氣泡且表面平滑的透明石英玻璃層的內層部18所構成。
在本單晶矽上拉用石英玻璃坩堝10中雖未限定，但以直徑為24吋以上、尤其32吋以上為佳。
在本單晶矽上拉用石英玻璃坩堝10中，至少在前述直胴部12形成有假想溫度的斜率，最外側的假想溫度比最內側的假想溫度低25℃以上。該假想溫度的最外側與最內側的差係以50℃以上為佳。若最外側與最內側的假想溫度的差未達25℃，會有無法充分達成防止坩堝上端朝向內側傾倒之原本的作用之虞。
最外側與最內側的假想溫度的差並無特別有上限，但是若考慮到坩堝的壁厚時，則難以形成為150℃以上。
接著，就以上說明的單晶矽上拉用石英玻璃坩堝10的製造方法加以說明。單晶矽上拉用石英玻璃坩堝10的製造方法係具備有：熔融坩堝40的製造步驟、及將用以在坩堝形成假想溫度的斜率的其外側予以保溫的保溫步驟(或者進行與該外側的保溫步驟同時進行的坩堝的內側的強制冷卻的冷卻步驟)。
熔融坩堝40的製造步驟係使用第2圖的裝置50來進行。亦即由原料供給手段(未圖示)，供給至將天然氧化矽粉(silica powder)接著合成氧化矽粉進行旋轉的石墨模具52，在成型為坩堝形狀之後，在其中插入電弧電極26，開始放電，並且以泵70開始抽吸。在模具52設有：在模具內面形成有開口的空氣路徑54、56、58；該等空氣路徑54、56、58所連通的多歧管60、62、64(多歧管60、62係與多歧管64相連通)；及設在旋轉軸66且與泵70相連接的出口通路68，在坩堝內面形成屬於透明石英玻璃層的內層部18為止係藉由泵70進行抽吸。在獲得具 有所希望厚度的內層部18之後，停止或減弱藉由泵所進行的抽吸，藉此在之後形成有由半透明玻璃所構成的外層部16，以製造熔融坩堝40。
接著，停止電弧放電而移至保溫步驟。在保溫步驟中，係經由上述出口通路68、多歧管60、62、64及空氣路徑54、56、58而導入氣體，最好導入氮氣等惰性氣體，接著將該氣體噴吹在熔融坩堝40與模具52之間的殘粉層42，去除預定量的殘粉，藉由石墨模具52的餘熱而將熔融坩堝40的外側保溫預定時間。上述所去除之殘粉的量若為不會因模具52的收縮而變得無法取出熔融坩堝40的程度即可，雖依熔融條件、或坩堝尺寸而異，但一般而言成為殘粉整體的20至80%程度。保溫的維持時間(上述預定時間)亦依坩堝尺寸等而異，為10至60分鐘程度。在第3圖中，將藉由熔融坩堝的石墨模具予以保溫的部分以元件符號40b表示。
在此，熔融結束後的石墨模具係因熔融的熱而朝外側膨脹，但是隨著電弧停止，會朝內側收縮。若模具的尺寸變大，則收縮會以數mm單位發生，相對於此，由於熔融坩堝40幾乎不會收縮，因此若在原本的狀態下予以保持，則會因收縮率的差，變得無法取出熔融坩堝，而且在最差的情形下發生破裂，因此一般在這之前會由模具52取出。在本發明中，係由前述出口通路68供給氣體，藉此將熔融坩堝40與模具52之間的殘粉42去除預定量，藉由設置用以補足收縮差的空間，可在模具52內保持熔 融坩堝40。
熔融坩堝40亦可使用第4圖的裝置20予以製造。亦即，由原料粉供給手段(未圖示)導入至用以旋轉天然氧化矽粉的金屬製(主要為不銹鋼製)模具24，在成形為坩堝形狀之後，在其中插入電弧電極26，以遮熱板28覆蓋坩堝狀成形體的開口部，藉由電弧電極26，將該坩堝狀成形體的內部模穴形成為高溫環境30，至少局部予以熔融玻璃化，而形成不透明的坩堝基體，亦即外層部16，接著將合成氧化矽粉由原料粉供給手段22供給至高溫環境30，予以熔融玻璃化而在坩堝內表面形成由合成石英玻璃所構成之屬於透明層的內層部18，以製造熔融坩堝40。在製造該熔融坩堝40時，係至少在直胴部中，在熔融坩堝40與模具24之間殘留3mm以上、10mm以下之殘粉層42的方式設定製造(熔融)條件。此時，模具24為了防止因熱所造成的變形，而以冷卻水予以冷卻。
使用該第4圖的裝置20來製造熔融坩堝40時的保溫步驟係在殘留有上述殘粉層42的情形下直接藉由放冷預定時間來進行。殘粉層42由於含有空氣，因此難以受到因模具外側的冷卻水所造成的冷卻效果，保溫性佳，因此坩堝外側的冷卻較慢，外側的假想溫度比內側的假想溫度低。若殘粉層42未達3mm，由於冷卻水所造成的影響，並無法充分獲得保溫效果，若為10mm以上，則難以控制坩堝的尺寸。在第5圖中，以元件符號40b表示藉由熔融坩堝的殘粉予以保溫的部分。此時，保溫的維持時間 (預定時間)雖亦依坩堝尺寸等而異，但為20至60分鐘左右。
經水冷的模具24由於未受到因熱所造成之膨脹收縮的影響，因此無須立即取出熔融坩堝40，在直胴部中係以殘留3mm以上、10mm以下之殘粉層的方式調整熔融的條件，藉此可提升由殘粉層42所達成的保溫效果。
在以上述第2圖的裝置50及第4圖的裝置20之任一者製造熔融坩堝40的情形下，亦可除了上述保溫步驟以外，設置與該保溫步驟同時進行之將坩堝內側強制冷卻的冷卻步驟。
該冷卻步驟係例如第3圖及第5圖所示，在坩堝熔融之後，在熔融坩堝40的內面(尤其直胴部)噴吹氣體及超純水來進行。以氣體而言，係使用氮等惰性氣體、通過過濾器的空氣(在成本上較為有利)等，以超純水而言，係以使用阻抗值為17MΩ．cm以上、0.2μm以上的微粒為50個/ml以下者為佳。
上述強制冷卻的條件係依坩堝尺寸而使最適條件不同，但所使用之氣體的導入量係以10至100m3 /分鐘為佳，超純水的供給量係以0.01至0.5L/分鐘為佳。此外，超純水的供給係藉由噴霧方式更為提升效果。
在第3圖及第5圖中，以元件符號40a表示熔融坩堝之經強制冷卻的部分。
如以上所示之本發明之實施形態之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝10係在例如第6圖所示之單晶矽製造裝置80中 藉由碳基座(carbon susceptor)82予以保護，在主腔室84內，藉由坩堝驅動機構(未圖示)，以旋轉．升降自如的方式由支持軸86予以支持。接著，在單晶矽上拉用石英玻璃坩堝10內，藉由加熱器88進行加熱，藉此將多晶矽原料熔融而形成為原料熔液90，使被保持在種晶保持具92的種晶94接觸原料熔液90之後，藉由纜線96一面使其旋轉一面上拉，藉此育成單晶矽S。接著，將所育成的單晶矽S收容在與主腔室84相連接的上拉腔室98並予以取出。
(實施例)
以下顯示實施例及比較例，以更進一步具體說明本發明，但本發明並非限定於該等例子。
實施例1
首先，使用第2圖的裝置50，如上所述製造直徑24吋、直胴部之壁厚12mm的熔融坩堝40。
之後，在殘留於石墨模具52與熔融坩堝40之間的石英粉的殘粉層42如上所述噴吹氮氣，去除殘粉全體的約40%，將熔融坩堝40在模具內保持30分鐘。此外，與此同時，在熔融坩堝40的內側噴吹20分鐘的0.04L/分鐘的超純水及10m3 /分鐘的氮氣而將坩堝內側予以冷卻。之後，將所製造的坩堝由石墨模具52取出，而獲得實施例1的單晶矽上拉用石英玻璃坩堝。
進行測定該實施例1之坩堝的直胴部的最內側與最外側的假想溫度。坩堝的最內側的假想溫度係測定由坩堝內表面相當於壁厚之30%的部分，坩堝的最外側的假想溫度係測定由坩堝外表面相當於壁厚之30%的部分(以下同)。假想溫度的測定方法係藉由A.E.Geissberger and F.L.Galeener,Phys.Rev.B 28,3266至3271(1983)文獻記載的拉曼散射(Raman scattering)分光光度法來進行(以下同)。
結果，最內側的假想溫度為1265℃，最外側的假想溫度為1210℃，假想溫度差為55℃。
將該實施例1的單晶矽上拉用石英玻璃坩堝組裝於第6圖所示的單晶矽製造裝置，在該坩堝裝填(charge)150kg多晶矽原料，上拉直徑200mm的單晶矽。將其結果顯示於表1。
實施例2
首先，使用第2圖的裝置50，如上所述製造直徑24吋、直胴部之壁厚12mm的熔融坩堝40。
之後，在殘留在石墨模具52與熔融坩堝40之間的石英粉的殘粉層42如上所述噴吹氮氣，去除殘粉全體的約40%，將熔融坩堝40在模具內保持30分鐘。其中，未強制冷卻熔融坩堝40的內側，在原本的狀態下形成為空冷。之後，將所製造的坩堝由石墨模具52取出，而獲得實施例2的單晶矽上拉用石英玻璃坩堝。
經測定該實施例2之坩堝之直胴部的最內側與最外側的假想溫度的結果，最內側的假想溫度為1235℃，最外側的假想溫度為1200℃，假想溫度差為35℃。
將該實施例2的單晶矽上拉用石英玻璃坩堝組裝於第6圖所示的單晶矽製造裝置，在該坩堝裝填150kg多晶矽原料，上拉直徑200mm的單晶矽。將其結果顯示於表1。
實施例3
首先，使用第4圖的裝置20，如上所述製造直徑32吋、直胴部之壁厚16mm的熔融坩堝40。此時，以使殘粉層42的厚度為4mm的方式設定坩堝的熔融條件。由不銹鋼製模具24的內徑減去熔融坩堝40的外徑而求出直胴部之殘粉層42的厚度(以下同)，結果為4mm。
之後，未去除殘留在不銹鋼製模具24與熔融坩堝40之間的石英粉的殘粉層42，而將熔融坩堝40在模具內保持30分鐘。此外，與其同時在熔融坩堝40的內側，噴吹30分鐘的0.2L/分鐘之超純水及通過60m3 /分鐘之過濾器的空氣，而將坩堝內側予以冷卻。之後，將所製造的坩堝由模具24取出，而獲得實施例3的單晶矽上拉用石英玻璃坩堝。
經測定該實施例3之坩堝之直胴部的最內側與最外側的假想溫度的結果，最內側的假想溫度為1230℃，最外側的假想溫度為1150℃，假想溫度差為80℃。將該實施例3的單晶矽上拉用石英玻璃坩堝組裝於第6圖所示的單晶矽 製造裝置，在該坩堝裝填300kg多晶矽原料，上拉直徑300mm的單晶矽。將其結果顯示於表1。
實施例4
首先，使用第4圖的裝置20，如上所述製造直徑32吋、直胴部之壁厚16mm的熔融坩堝40。此時，以使殘粉層42的厚度為5mm的方式設定坩堝的熔融條件。直胴部的殘粉層42的厚度為5mm。
之後，未去除殘留在不銹鋼製模具24與熔融坩堝40之間的石英粉的殘粉層42，而將熔融坩堝40在模具內保持30分鐘。其中，未將熔融坩堝40的內側強制冷卻，而在原本的狀態下直接形成為空冷。之後，將所製造的坩堝由模具24取出，而獲得實施例4的單晶矽上拉用石英玻璃坩堝。
經測定該實施例4之坩堝之直胴部的最內側與最外側的假想溫度的結果，最內側的假想溫度為1185℃，最外側的假想溫度為1145℃，假想溫度差為40℃。將該實施例4的單晶矽上拉用石英玻璃坩堝組裝於第6圖所示的單晶矽製造裝置，在該坩堝裝填300kg多晶矽原料，上拉直徑300mm的單晶矽。將其結果顯示於表1。
比較例1
首先，使用第2圖的裝置50，如上所述製造直徑24吋、直胴部的壁厚12mm的熔融坩堝40。
之後，立即由石墨模具52取出熔融坩堝40，進行空冷，而獲得比較例1的單晶矽上拉用石英玻璃坩堝。
經測定該比較例1之坩堝之直胴部的最內側與最外側的假想溫度的結果，最內側的假想溫度為1245℃，最外側的假想溫度為1240℃，假想溫度差為5℃。
將該比較例1的單晶矽上拉用石英玻璃坩堝組裝於第6圖所示的單晶矽製造裝置，在該坩堝裝填150kg多晶矽原料，上拉直徑200mm的單晶矽。將其結果顯示於表1。
比較例2
首先，使用第2圖的裝置50，如上所述製造直徑24吋、直胴部的壁厚12mm的熔融坩堝40。
之後，未去除殘留在石墨模具52與熔融坩堝40之間的殘粉層42，而在模具內保持30分鐘，結果由於熔融坩堝在模具內破裂，因此無法使用。
比較例3
首先，使用第4圖的裝置20，如上所述製造直徑32吋、直胴部的壁厚16mm的熔融坩堝40。此時，以使殘粉層42的厚度成為2mm的方式設定坩堝的熔融條件。直胴部的殘粉層42的厚度為2mm。
之後，製作熔融坩堝40，在不銹鋼製模具24內將熔融坩堝40保持10分鐘之後，由模具取出，進行空冷，而獲得比較例3的單晶矽上拉用石英玻璃坩堝。
經測定該比較例3之坩堝之直胴部的最內側與最外側的假想溫度的結果，最內側的假想溫度為1190℃，最外側的假想溫度為1180℃，假想溫度差為10℃。
將該比較例3的單晶矽上拉用石英玻璃坩堝組裝於第6圖所示的單晶矽製造裝置，在該坩堝裝填300kg多晶矽原料，上拉直徑300mm的單晶矽。將其結果顯示於表1。
結果評估如下所示。
◎完全沒有變形
○雖看到稍微變形，但是在作業及單晶矽的品質上 沒有問題
×發生變形會影響作業及單晶矽的品質
由以上可知本發明之效果。
10‧‧‧單晶矽上拉用石英玻璃坩堝
12‧‧‧直胴部
14‧‧‧底部
20‧‧‧坩堝製造裝置
22‧‧‧原料粉供給手段
24‧‧‧金屬製模具
26‧‧‧電弧電極
28‧‧‧遮熱板
30‧‧‧高溫環境
40‧‧‧熔融坩堝
40a‧‧‧熔融坩堝之經強制冷卻的部分
40b‧‧‧藉由熔融坩堝的石墨模具予以保溫的部分
42‧‧‧殘粉層
50‧‧‧坩堝製造裝置
52‧‧‧石墨模具
54‧‧‧空氣路徑
56‧‧‧空氣路徑
58‧‧‧空氣路徑
60‧‧‧多歧管
62‧‧‧多歧管
64‧‧‧多歧管
66‧‧‧旋轉軸
68‧‧‧出口通路
70‧‧‧泵
80‧‧‧單晶矽製造裝置
82‧‧‧碳基座
84‧‧‧主腔室
86‧‧‧支持軸
88‧‧‧加熱器
90‧‧‧原料熔液
92‧‧‧種晶保持具
94‧‧‧種晶
96‧‧‧纜線
98‧‧‧上拉腔室
S‧‧‧單晶矽
第1圖係本發明之實施形態之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝的概略剖視圖。
第2圖係用以製造第1圖所示之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝之裝置的概略剖視圖。
第3圖係用以說明在坩堝附上假想溫度的斜率的方法的概略剖視圖。
第4圖係用以製造第1圖所示之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝之其他裝置的概略剖視圖。
第5圖係用以說明在坩堝附上假想溫度的斜率的方法的概略剖視圖。
第6圖係組裝有第1圖所示之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝之單晶矽製造裝置的概略圖。
40a‧‧‧熔融坩堝之經強制冷卻的部分
40b‧‧‧藉由熔融坩堝的石墨模具予以保溫的部分
42‧‧‧殘粉層
52‧‧‧石墨模具

Claims (11)

  1. 一種單晶矽上拉用石英玻璃坩堝，係具備有直胴部與底部的單晶矽上拉用石英玻璃坩堝，其特徵為：至少分別前述直胴部的最內側的假想溫度被設定為1185℃至1265℃，最外側的假想溫度被設定為1145℃至1210℃，並且在該假想溫度形成斜率，且使最外側的假想溫度比最內側的假想溫度低25℃以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝，其中，使最外側的假想溫度比最內側的假想溫度低50℃以上。
  3. 一種單晶矽上拉用石英玻璃坩堝之製造方法，係具備有直胴部與底部的單晶矽上拉用石英玻璃坩堝之製造方法，其特徵為：至少分別將前述直胴部的最內側的假想溫度設定為1185℃至1265℃，最外側的假想溫度設定為1145℃至1210℃，並且在坩堝熔融後，將坩堝保持在模具內，將坩堝的外側保溫預定時間，藉此降低該外側的假想溫度，至少在前述直胴部形成假想溫度的斜率，且使最外側的假想溫度比最內側的假想溫度低25℃以上。
  4. 如申請專利範圍第3項之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝之製造方法，其中，在坩堝熔融後，將前述坩堝外側保溫，並且將坩堝內側強制冷卻，藉此提高該內側的假想溫度，至少在前述直胴部形成假想溫度的斜率，且使最外側的假想溫度比最內側的假想溫度低25℃以上。
  5. 如申請專利範圍第4項之單晶矽上拉用石英玻璃坩 堝之製造方法，其中，藉由噴吹氣體及超純水來進行前述強制冷卻。
  6. 如申請專利範圍第3項之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝之製造方法，其中，使用石墨模具，在坩堝熔融後，去除預定量的殘粉，以前述石墨模具的餘熱，將坩堝外側保溫預定時間。
  7. 如申請專利範圍第6項之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝之製造方法，其中，在坩堝熔融後，將前述坩堝外側保溫，並且將坩堝內側強制冷卻，藉此提高該內側的假想溫度，至少在前述直胴部形成假想溫度的斜率，且使最外側的假想溫度比最內側的假想溫度低25℃以上。
  8. 如申請專利範圍第7項之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝之製造方法，其中，藉由噴吹氣體及超純水來進行前述強制冷卻。
  9. 如申請專利範圍第3項之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝之製造方法，其中，使用以冷卻水將外側予以冷卻的金屬製模具，至少在直胴部中殘留3mm以上、10mm以下的殘粉層，在坩堝熔融後，無須去除殘粉，而以該殘粉所具有的餘熱將坩堝外側保溫預定時間。
  10. 如申請專利範圍第9項之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝之製造方法，其中，在坩堝熔融後，將前述坩堝外側保溫，並且將坩堝內側強制冷卻，藉此提高該內側的假想溫度，至少在前述直胴部形成假想溫度的斜率，且使最外側的假想溫度比最內側的假想溫度低25℃以上。
  11. 如申請專利範圍第10項之單晶矽上拉用石英玻璃坩堝之製造方法，其中，藉由噴吹氣體及超純水來進行前述強制冷卻。
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