TWI411890B

TWI411890B - 微影裝置及定位裝置

Info

Publication number: TWI411890B
Application number: TW098140406A
Authority: TW
Inventors: Noud Jan Gilissen; Theodorus Petrus Maria Cadee
Original assignee: Asml Netherlands Bv
Priority date: 2008-12-10
Filing date: 2009-11-26
Publication date: 2013-10-11
Also published as: KR101121654B1; JP5102275B2; US20100141914A1; CN101819383A; KR20100067060A; EP2202581A1; JP2010141319A; US8411247B2; SG162668A1; EP2202581B1; TW201027274A

Description

微影裝置及定位裝置

本發明係關於一種微影裝置。本發明進一步係關於一種定位裝置。

微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，可使用圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。習知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由同時將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。

通常，微影裝置包括可移動物件。該物件可相對於另一物件(諸如，框架(例如，基底框架或度量衡框架))移動。可移動物件之實例為(例如)基板或圖案化器件之支撐結構，其可移動以在圖案轉印程序中相對於輻射光束來定位基板及/或圖案化器件，在圖案轉印程序中，將圖案自圖案化器件轉印至基板。特別在掃描器中，兩個支撐結構均可移動。

當一物件可相對於另一物件移動時，電纜及/或軟管可提供於其間以將電力、資料、流體等等自一物件轉移至另一物件且反之亦然。可移動物件可包括以致動器之形式的熱源，其可相對於另一物件或其他熱源來定位可移動物件。此等熱源可影響可移動物件之溫度及/或溫度分布。當在微影裝置之圖案轉印程序中使用可移動物件時，較佳地控制溫度(可能在毫克耳文(millikelvin)範圍內)，以便最小化成像問題及/或疊對誤差。在彼情況下，可藉由使具有預定溫度之流體傳遞通過可移動物件來溫度控制可移動物件，其中在軟管中將流體輸送至可移動物件及自可移動物件輸送流體。

然而，兩個相對移動物件之間的定位電纜及/或軟管可限制可移動物件之可達成的位置準確度，因為電纜及/或軟管引入力干擾。在流體載運軟管之情況下，此等力干擾可為移動流體自身之慣性力及/或流體與可移動物件之加速度或減速度之間的相互作用的結果。結合減小可移動物件之質量的趨向及關於準確度及加速度(>15G)之增加的需求，此等干擾變得不可接受且可導致微影裝置之成像問題及/或疊對誤差。

需要提供一種具有減少之成像問題及/或疊對誤差之微影裝置。進一步需要改良溫度控制之可移動物件之可獲得的位置準確度。

根據本發明之一實施例，提供一種微影裝置，微影裝置包括可移動第一物件及熱交換器，熱交換器包括：熱交換本體，熱交換本體包括具有電熱或磁熱屬性之材料，且經組態以藉由與可移動第一物件交換熱來影響第一物件之溫度；及產生器，產生器經組態以將電磁場供應至熱交換本體以調適熱交換本體之溫度，以便冷卻或加熱第一物件。

根據本發明之另一實施例，提供一種用以相對於第二物件來定位第一物件之定位裝置，定位裝置包括熱交換器，熱交換器包括：熱交換本體，熱交換本體包括具有電熱或磁熱屬性之材料，且經組態以與第一物件及第二物件交換熱；及產生器，產生器經組態以將電磁場供應至熱交換本體以調適熱交換本體之溫度，以便冷卻或加熱第一物件，其中熱交換本體經組態以在第一位置中與第一物件交換熱且在第二位置中與第二物件交換熱，熱交換器進一步包括定位系統，定位系統經組態以在第一位置與第二位置之間移動熱交換本體之至少一部分。

現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。

圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。裝置包括：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或任何其他適當輻射)；圖案化器件支撐件或光罩支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩) MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位圖案化器件之第一定位器件PM。裝置亦包括基板台(例如，晶圓台) WT或「基板支撐件」，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓) W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位基板之第二定位器件PW。裝置進一步包括投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。

照明系統可包括用以引導、成形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

圖案化器件支撐件以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可為(例如)框架或台，其可根據需要而係固定或可移動的。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文對術語「主光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。

本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會準確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。

圖案化器件可係透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。

本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。

如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。

微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台或「基板支撐件」(及/或兩個或兩個以上光罩台或「光罩支撐件」)的類型。在該等「多平台」機器中，可並行地使用額外台或支撐件，或可在一或多個台或支撐件上進行預備步驟，同時將一或多個其他台或支撐件用於曝光。

微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可藉由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間。可使用浸沒技術以增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。

參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射光束係藉助於包括(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。

照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分布的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。可使用照明器以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。

輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且係藉由圖案化器件而圖案化。在橫穿圖案化器件(例如，光罩) MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器件PW及位置感測器IF(例如，干涉器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，可使用第一定位器件PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩) MA。一般而言，可藉助於形成第一定位器件PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT或「基板支撐件」之移動。在步進器(與掃描器相反)之情況下，圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT可僅連接至短衝程致動器，或可係固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩) MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記占用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。

所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：

1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT或「光罩支撐件」及基板台WT或「基板支撐件」保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT或「基板支撐件」在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。

2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT或「光罩支撐件」及基板台WT或「基板支撐件」(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT或「基板支撐件」相對於圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT或「光罩支撐件」之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。

3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT或「光罩支撐件」保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT或「基板支撐件」。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT或「基板支撐件」之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。

圖2描繪根據本發明之一實施例的可藉由熱交換總成(其可被廣泛地稱作熱交換器)加熱或冷卻之可移動第一物件OB1的示意性表示。第一物件OB1可為在微影裝置內之任何可移動物件，諸如，基板台或固持器、經建構以支撐圖案化器件之支撐件、長衝程模組、短衝程模組、機械零件、電零件或光學零件。第一物件可為單一組件，而且亦可為總成、元件、部件、系統、零件或其部分。熱交換總成包括熱交換本體BO及產生器GEN。

熱交換本體BO包括具有電熱或磁熱屬性之材料。具有電熱屬性之材料在所施加之電場下展示實質上可逆溫度改變。該材料之實例為陶瓷材料，陶瓷材料為鉛、鈦、氧及鋯之混合物。具有磁熱屬性之材料在所施加之磁場下展示實質上可逆溫度改變。該材料之實例為釓。溫度改變取決於材料可為正溫度改變或負溫度改變。亦有可能組合此等材料中之兩者，例如，具有電熱屬性之一材料及具有磁熱屬性之一材料，其中歸因於電熱材料之電場的溫度改變係相反於歸因於磁熱材料之磁場的溫度改變。此允許熱交換本體相對於初始溫度來增加或減小其溫度，從而導致熱交換本體可操作之更大溫度範圍。

產生器GEN能夠將電磁場EM施加至熱交換本體BO，以便調適熱交換本體BO之溫度。當產生器GEN將電磁場EM施加至熱交換本體BO時，熱交換本體BO之溫度將隨著值ΔT而改變。在稍後階段中移除電磁場EM將隨著值-ΔT而改變熱交換本體BO之溫度。假定熱交換本體BO與第一物件OB1最初具有相同溫度，則歸因於電磁場EM的熱交換本體BO之溫度改變形成熱交換本體BO與第一物件OB1之間的溫度差。應注意，當熱交換本體BO與第一物件OB1最初不具有相同溫度時，亦可形成溫度差。歸因於溫度差，淨熱量將分別自第一物件OB1轉移或轉移至第一物件OB1，藉此冷卻或加熱第一物件OB1。

圖2之熱交換器的益處在於：與使用可輸送流體之熱交換器相比較，無需與諸如框架之另一物件的流體連接，藉此減少需要提供至第一物件OB1之軟管的數目。與使用可輸送流體之熱交換總成相比較，軟管之數目之減少導致力干擾之減小且將導致增加之位置準確度。若在微影裝置(例如，根據圖1之裝置)中使用可移動物件，則增加之位置準確度導致增加之影像品質及疊對效能。

較佳地，如以上所描述之熱交換總成的使用導致在第一物件OB1與另一物件之間不存在軟管，藉此消除力干擾之來源，此導致甚至進一步改良之效能。

應理解，圖2之示意性表示不限於所示實例。產生器GEN係附接至第一物件OB1，但其亦可與第一物件OB1成整體，或根本不為第一物件OB1之一部分且置放於第一物件OB1外部。產生器能夠將電磁場EM提供至熱交換本體BO。

此外，熱交換本體BO可為第一物件OB1之一部分，但其亦可為單獨身分(identity)。進一步有可能的係，熱交換本體BO相對於第一物件OB1不可移動且因此隨著第一物件OB1而行進，但其亦可相對於框架靜止且因此可相對於第一物件OB1移動。在彼情況下，有可能的係，熱交換本體BO在特定位置中冷卻或加熱第一物件OB1，隨後，第一物件OB1移動遠離於熱交換本體BO以在需要冷卻或加熱時執行某些任務且返回至特定位置。在另一變型中，熱交換本體BO可藉由第一物件OB1完全環繞，使得熱交換本體BO僅可與第一物件交換熱。

產生器GEN可經無線地操作及供電，此可在產生器GEN為第一物件OB1之一部分或附接至第一物件OB1的情況下係有益的，因為其進一步減少第一物件OB1與另一物件之間的電纜之數目。

在熱交換本體BO相對於第一物件OB1不可移動之變型中，熱交換總成特別適於溫度控制第一物件OB1持續有限時間週期。在微影裝置中，此有限時間週期可為將圖案自圖案化器件轉印至基板之時間週期，亦即，在圖案轉印程序期間。基板及圖案化器件之溫度且尤其係溫度分布為在獲得最大準確度時之重要參數。在小溫度範圍(較佳地，毫克耳文溫度範圍)內於該時間週期中控制第一物件OB1之溫度因此係理想的。

可藉由控制熱交換本體BO之溫度來建立第一物件OB1之溫度控制，熱交換本體BO之溫度又取決於電磁場EM之強度。以下將解釋可如何藉由熱交換總成或熱交換器來控制第一物件OB1之實例。

假定熱交換本體BO係由電熱材料製成(其中當將電場EM施加至熱交換本體BO時，溫度隨著ΔT而下降)，則有可能藉由將電場施加至熱交換本體BO且藉此降低熱交換本體BO之溫度來冷卻第一物件OB1。淨熱量將自第一物件OB1轉移至熱交換本體BO，藉此降低第一物件OB1之溫度且增加熱交換本體BO之溫度。若不存在熱源，則此情形將最終導致第一物件OB1與熱交換本體BO之間的溫度平衡。然而，改變電場EM之強度將在正方向或負方向上改變熱交換本體BO之溫度，藉此允許(例如)在臨界時間週期期間使第一物件OB1之溫度保持恆定。熱交換總成可因此包括量測第一物件OB1之溫度的感測器SE，及取決於由感測器SE所提供之信號而驅動產生器GEN的控制單元或控制器CU。在此實例中，當臨界時間週期係週期性時，可在後續臨界時間週期之間自熱交換本體BO移除電場，藉此隨著ΔT而增加熱交換本體BO之溫度。熱交換本體BO及第一物件OB1接著能夠彼此且可能與其周圍環境交換熱，藉此形成可用作用於下一臨界時間週期之起始點的新溫度平衡。此類型之溫度控制係在實際溫度不重要時特別適用，但隨著時間推移之溫度變化或僅溫度分布係重要的。

熟習此項技術者應理解，存在對此實例之許多變化，且(例如)以類似方式，亦可藉由熱交換本體BO來加熱第一物件OB1。

在此實施例中，第一物件OB1亦包括加熱器HE，加熱器HE能夠局域地加熱第一物件OB1。可接著(例如)使用熱交換本體BO以全域地冷卻第一物件OB1，且可操作加熱器HE(藉由控制單元CU)以局域地加熱第一物件OB1，藉此改良局域地控制溫度之能力，此在溫度分布為重要參數時係有利的。

圖3描繪根據本發明之另一實施例之熱交換總成或熱交換器的示意性表示，熱交換總成或熱交換器係用以與可移動第一物件OB1'及第二物件OB2'交換熱，以便冷卻第一物件OB1'。第一物件OB1'可為在微影裝置內之任何可移動物件，諸如，基板台或固持器、經建構以支撐圖案化器件之支撐件、長衝程模組、短衝程模組、機械零件、電零件或光學零件。第一物件可為單一組件，而且可為總成、元件、部件、系統、零件或其部分。第二物件OB2'可為在微影裝置內之任何物件，諸如，基板台或固持器、經建構以支撐圖案化器件之支撐件、長衝程模組、短衝程模組、框架、基底框架、度量衡框架、機械零件、電零件或光學零件。第二物件可為單一組件，而且可為總成、元件、部件、系統、零件或其部分。

熱交換總成包括熱交換本體BO2，在此實施例中，熱交換本體BO2包括具有磁熱屬性之材料。熱交換總成進一步包括產生器GEN2，產生器GEN2經組態以將磁場EM2供應至熱交換本體BO2。

在此實施例中，當將磁場EM2施加至熱交換本體BO2時，熱交換本體BO2之溫度增加。圖3展示在第一位置FP2中將磁場EM2施加至熱交換本體BO2之情形。歸因於熱交換本體BO2之溫度增加，淨熱量將自熱交換本體BO2轉移至第二物件OB2'(如由箭頭Q2所指示)。此將降低熱交換本體BO2之溫度且增加第二物件OB2'之溫度。

熱交換總成進一步包括定位系統，定位系統經組態以在第一位置FP2與第二位置SP2之間移動熱交換本體BO2。熱交換本體BO2係以幻影展示於第二位置SP2中。藉由箭頭POS2來示意性地指示由定位系統所導致的熱交換本體BO2之可能移動。

當熱交換本體BO2歸因於磁場EM2之移除或熱交換本體BO2離開場EM2之移動(或其組合)而不再經受磁場EM2時，熱交換本體BO2之溫度將下降至低於第一物件OB1'之溫度。當藉由定位系統而將熱交換本體BO2移動至第二位置SP2時，熱交換本體BO2能夠與第一物件OB1'交換熱。歸因於熱交換本體BO2之較低溫度，淨熱量將自第一物件OB1'轉移至熱交換本體BO2(由箭頭Q1所指示)，藉此降低第一物件OB1'之溫度且增加熱交換本體BO2之溫度。在此實施例中，因此藉由熱交換本體BO2來冷卻第一物件OB1'。同時，第二物件OB2'能夠與其周圍環境交換熱，藉此將其溫度降低至其初始值。亦有可能的係，第二物件OB2'之熱容量大以使得貫穿整個程序使溫度保持實質上恆定。

在熱交換本體BO2與第一物件OB1'之間的熱交換之後，定位系統將熱交換本體BO2自第二位置SP2移動回至第一位置FP2，藉此允許重新開始以上所描述之循環。

在此實施例中，在熱交換本體BO2與第一物件OB1'之間及在熱交換本體BO2與第二物件OB2'之間交替地交換熱，藉此使此實施例尤其適於在特定時間週期期間(例如，當量測或藉由輻射光束來照射基板時)第一物件OB1'之冷卻。在一或兩個操作期間之溫度控制可對於增加影像品質及疊對效能係重要的。

在一變型中，代替圖3中之情形或除了圖3中之情形以外，產生器GEN2亦可在第二位置SP2中提供電磁場EM2。產生器GEN2之位置取決於是需要第一物件OB1'之冷卻或是加熱且取決於熱交換本體BO2之材料屬性。

在此實施例中，第一物件OB1'可相對於第二物件OB2'移動。有可能的係，第二位置SP2相對於第二物件OB2'靜止，但其亦可相對於第一物件OB1'靜止。在後者之情況下，較佳的係，當自第二位置SP2移動熱交換本體BO2或將熱交換本體BO2移動至第二位置SP2時，第一物件OB1'相對於第二物件OB2'始終係在同一位置中。此簡化定位系統及其控制。在第一物件OB1'為基板或圖案化器件之支撐結構的情況下，可使熱交換本體BO2之移動與基板或圖案化器件至及自各別支撐結構之輸送同步，使得熱交換本體BO2之移動在對其置放之整個程序中無需額外時間。

在又一變型中，第一物件OB1'可包括加熱器，且可提供控制系統以類似於圖2之實施例來控制第一物件OB1'之溫度。熱交換本體BO2接著提供全域冷卻且加熱器提供局域加熱，藉此允許控制第一物件OB1'之溫度或溫度分布。

根據圖3之實施例之熱交換總成的益處在於：在第一物件OB1'與第二物件OB2'(或另一物件)之間無需軟管來冷卻及/或加熱第一物件OB1'。此消除歸因於此等軟管之力干擾且改良微影裝置之成像品質及/或疊對效能(若圖3之系統係用於該裝置中)。

圖4描繪根據本發明之又一實施例之熱交換總成的示意性表示。使用熱交換總成以藉由將熱自第二物件OB2"轉移至第一物件OB1"來冷卻或加熱可移動第一物件OB1"。熱交換總成包括熱交換本體BO3，熱交換本體BO3可藉由定位系統POS3而圍繞軸線AX旋轉。藉由與軸線AX實質上成一直線之軸件SH3而將定位系統POS3連接至熱交換本體BO3。然而，熟習此項技術者應理解，存在圍繞軸線AX旋轉熱交換本體BO3之許多其他可能性。

熱交換本體BO3能夠同時與第一物件OB1"及第二物件OB2"交換熱。熱交換本體BO3與第一物件OB1"之間的熱交換發生於第一位置FP3中，且熱交換本體BO3與第二物件OB2"之間的熱交換發生於第二位置SP3中。在此實施例中，將部分BO3A定位於第一位置FP3中，且同時，將部分BO3B定位於第二部分SP3中，使得可同時與第一物件OB1"及第二物件OB2"交換熱。

在此實施例中，熱交換本體BO3包括在經受磁場時展示溫度下降之磁熱材料。可藉由產生器GEN3來提供磁場EM3。在第二位置SP3中的熱交換本體BO3之部分BO3B經受此磁場EM3，從而導致此部分BO3B之溫度下降，且導致第二部分OB2"與部分BO3B之間的溫度差。由於此溫度差，淨熱量(Q4)將自第二物件OB2"轉移至部分BO3B。

在此實例中，部分BO3A歸因於藉由定位系統POS3的熱交換本體BO3之旋轉而剛好自第二位置SP3移動至第一位置FP3。歸因於此移動，部分BO3A不再經受磁場EM3且將因此增加溫度，從而導致部分BO3A與第一物件OB1"之間的溫度差，使得淨熱量(Q3)可自部分BO3A轉移至第一物件OB1"。

圖4僅展示兩個部分，但存在更多可能部分(較佳地均勻地散布於切線方向上)，使得熱交換本體BO3之連續旋轉將導致經由熱交換本體BO3的自第二物件OB2"至第一物件OB1"之連續熱輸送。較佳的係，藉由使一部分與另一部分彼此隔離或藉由足夠快速地旋轉熱交換本體BO3而使自一部分至另一部分的在熱交換本體BO3內之熱輸送保持最小值。在後者之情況下，接著較佳的係，由箭頭Q3及Q4所指示之熱輸送快於在熱交換本體BO3內之熱輸送。

圖4之實施例係用以加熱第一物件OB1"。在變型中，可更改熱交換本體BO3之材料屬性及/或產生器GEN3之位置，以便冷卻第一物件OB1"或用於設計最佳化。

第一物件OB1"可相對於第二物件OB2"移動，但第一物件OB1"可移動所沿之軌跡可係使得保持熱交換本體BO3有可能與(例如)第一物件OB1"交換熱，因為軌跡遵循熱交換本體BO3之曲率，或使得移動範圍與熱交換本體BO3之尺寸相比較係較小的。圖4之實施例亦適於藉由(例如)熱交換本體BO3之不連續旋轉的如針對圖2及圖3之實施例所描述之第一物件OB1"之不連續冷卻或加熱。

圖5描繪根據本發明之另一實施例之熱交換總成的示意性表示，熱交換總成經組態以藉由將熱自第一物件OB1'''轉移至第二物件OB2'''來冷卻第一物件OB1'''。

因此，熱交換總成包括熱交換本體BO4，熱交換本體BO4包括第一子本體SB1及第二子本體SB2。子本體SB1包括具有磁熱屬性之材料，其中當子本體SB1經受磁場時溫度下降。子本體SB2包括具有電熱屬性之材料，其中當子本體SB2經受電場時溫度增加。

類似於圖4中之熱交換本體BO3，子本體SB1、SB2兩者均係藉由對應定位系統POS4A及POS4B而圍繞各別軸線AX1及AX2旋轉。在此實施例中，熱交換總成之工作原理亦類似於根據圖4之實施例之工作原理。熱係經由熱交換本體BO4而自第一物件OB1'''轉移至第二物件OB2'''。在圖5之實施例中，熱係自第一物件OB1'''輸送至第一子本體SB1(由箭頭Q5所指示)、自第一子本體SB1輸送至第二子本體SB2(由箭頭Q6所指示)，且自第二子本體SB2輸送至第二物件OB2'''(由箭頭Q7所指示)。因此，根據熱交換觀點，串聯地配置第一物件OB1'''、子本體SB1、SB2及第二物件OB2'''。

產生器GEN4A及GEN4B經組態以施加各別電磁場EM4A及EM4B，以便改變各別子本體SB1及SB2之一部分的溫度。在此實施例中，使用兩個所謂的相位來轉移熱，其中每一子本體表示一相位。使用多個相位以代替一個相位之益處在於：可獲得第一物件OB1'''與第二物件OB2'''之間的較大溫度差。此特定實施例之額外益處在於：歸因於材料之選擇，在兩個子本體之間的邊界處(亦即，在熱轉移位置Q6處)無需電磁場，藉此減少一產生器影響與另一產生器相關聯之子本體之溫度的可能性。

熟習此項技術者應理解，在子本體之數目、子本體之串聯及/或並聯配置、材料屬性之選擇及產生器之位置方面存在許多變化。

圖6示意性地表示根據本發明之一實施例的包括熱交換總成之定位裝置。定位裝置為微影裝置之一部分，且包括三個物件A、B、C，其中物件C被認為係諸如度量衡框架或基底框架之框架，且物件A被認為係經建構以固持基板(未圖示)之基板台或基板固持器。由物件A所支撐之基板的位置因此係藉由物件A之位置判定。

物件B可沿著軌跡T1而相對於物件C移動。物件A可沿著軌跡T2而相對於物件B移動，在此實例中，軌跡T2短於軌跡T1。物件B可藉由長衝程模組LSM而相對於物件C定位。物件A可藉由短衝程模組SSM而相對於物件B定位。一般而言，長衝程模組LSM經由物件B之定位而提供物件A之粗略定位，且短衝程模組SSM提供物件A之精細定位。模組LSM及SSM兩者均包括致動器，致動器可為熱源。諸如模組LSM及SSM之致動器的熱源可負面地影響影像品質、疊對效能及/或位置準確度。物件中之一或多者的溫度控制可因此係理想的。

可使用根據圖2至圖5之熱交換總成或其變型以控制物件中之一者的溫度。物件A及B可對應於熱交換總成之第一物件，且物件B及C可對應於熱交換總成之第二物件(在需要時)。以下展示某些變型：

熱交換總成之熱交換本體可為與第一物件及第二物件相互作用之單獨身分，但其亦可為物件A、B或C中之一者的一部分。當熱交換本體能夠與第一物件及第二物件兩者交換熱時，較佳地藉由第二物件來支撐熱交換本體。

在定位裝置中使用熱交換總成之益處在於：無需軟管來冷卻或加熱物件A、B或C中之一者。藉此，減少且較佳地防止由彼等軟管所誘發之力干擾，從而導致改良之位置準確度、影像品質及/或疊對效能。

儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。

儘管以上可特定地參考在光學微影之情境中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在情境允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。

本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內的波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。

術語「透鏡」在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。

儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。

以上描述意欲係說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。

A．．．物件

AD．．．調整器

AX．．．軸線

AX1．．．軸線

AX2．．．軸線

B．．．輻射光束(圖1)/物件(圖6)

BD．．．光束傳送系統

BO．．．熱交換本體

BO2．．．熱交換本體

BO3．．．熱交換本體

BO3A．．．部分

BO3B．．．部分

BO4．．．熱交換本體

C．．．目標部分(圖1)/物件(圖6)

CO．．．聚光器

CU．．．控制單元或控制器

EM．．．電磁場

EM2．．．磁場

EM3．．．磁場

EM4．．．電磁場

FP2．．．第一位置

FP3．．．第一位置

GEN．．．產生器

GEN2．．．產生器

GEN3．．．產生器

GEN4A．．．產生器

GEN4B．．．產生器

HE．．．加熱器

IF．．．位置感測器

IL．．．照明系統/照明器

IN．．．積光器

LSM．．．長衝程模組

M1．．．圖案化器件對準標記

M2．．．圖案化器件對準標記

MA．．．圖案化器件/光罩

MT．．．圖案化器件支撐件/光罩支撐結構

OB1．．．第一物件

OB2．．．第二物件

P1．．．基板對準標記

P2．．．基板對準標記

PM．．．第一定位器件

POS2．．．熱交換本體BO2之可能移動

POS3．．．定位系統

POS4A．．．定位系統

POS4B．．．定位系統

PS．．．投影系統

PW．．．第二定位器件

Q1．．．熱輸送

Q2．．．熱輸送

Q3．．．熱輸送

Q4．．．熱輸送

Q5．．．熱輸送

Q6．．．熱輸送

Q7．．．熱輸送

SB1．．．第一子本體

SB2．．．第二子本體

SE．．．感測器

SH3．．．軸件

SO．．．輻射源

SP2．．．第二位置

SP3．．．第二位置

SSM．．．短衝程模組

T1．．．軌跡

T2．．．軌跡

W．．．基板

WT．．．基板台

圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；

圖2描繪根據本發明之一實施例的可藉由熱交換總成加以溫度控制之物件的示意性表示；

圖3描繪根據本發明之另一實施例之熱交換總成的示意性表示；

圖4描繪根據本發明之又一實施例之熱交換總成的示意性表示；

圖5描繪根據本發明之另一實施例之熱交換總成的示意性表示；及

圖6描繪根據本發明之一實施例的包括熱交換總成之定位裝置的示意性表示。