JP5102275B2 - リソグラフィ装置および位置決め装置 - Google Patents

Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置に関する。さらに本発明は、位置決め装置に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常は基板のターゲット部分上に付ける機械である。リソグラフィ装置は、たとえば、集積回路（IC）の製造時に使用される。そのような場合、選択可能にマスクまたはレチクルと呼ばれるパターニングデバイスを使用し、ＩＣの個々の層に形成しようとする回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（たとえば、シリコンウェーハ）上の（たとえば、ダイの一部、１つのダイ、またはいくつかのダイを含む）ターゲット部分上に転写することができる。パターンの転写は、一般に、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層上への結像による。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる互いに近接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置には、パターン全体を一度にターゲット部分上に露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、所与の方向（「スキャン」方向）で放射ビームを介してパターンをスキャンし、一方、この方向に対して平行または逆平行で基板を同期スキャンすることによって、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることによってパターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。

[0003] 一般に、リソグラフィ装置は、可動オブジェクトを含む。そのようなオブジェクトは、フレーム、たとえばベースフレームまたはメトロロジーフレームなど、別のオブジェクトに対して移動可能である。可動オブジェクトの一例は、たとえば基板またはパターニングデバイスのサポート構造であり、このサポート構造は、パターンがパターニングデバイスから基板に転写されるパターン転写プロセスにおいて、基板および／またはパターニングデバイスを放射ビームに対して位置決めするように移動することができる。特にスキャナでは、両方のサポート構造が移動可能である。

[0004] あるオブジェクトが別のオブジェクトに対して移動可能であるとき、電力、データ、流体などを一方のオブジェクトから他方のオブジェクトに、またその逆に移送するために、それらの間にケーブルおよび／またはホースが設けられる可能性がある。可動オブジェクトは、その可動オブジェクトを別のオブジェクトに対して位置決めすることができるアクチュエータの形態の熱源、または他の熱源を含む可能性がある。これらの熱源は、可動オブジェクトの温度および／または温度分布に影響を及ぼすことがある。可動オブジェクトがリソグラフィ装置のパターン転写プロセスにおいて使用されるときには、結像問題および／またはオーバーレイエラーを最小限に抑えるために、温度を（おそらくはミリケルビン範囲内で）制御することが好ましい。その場合には、可動オブジェクトは、所定の温度を有する流体を可動オブジェクトに通すことによって温度制御することができ、その流体は、ホース内で可動オブジェクトに、また可動オブジェクトから輸送される。

[0005] しかし、２つの相対的に移動するオブジェクト間でケーブルおよび／またはホースを位置決めすることは、ケーブルおよび／またはホースが力外乱を導入するため、可動オブジェクトの位置精度を達成することを制限するおそれがある。流体を担持するホースの場合には、これらの力外乱は、移動する流体自体の慣性力、および／または流体と可動オブジェクトの加速もしくは減速との相互作用の結果とすることができる。可動オブジェクトの質量を削減する傾向、ならびに精度および（１５Ｇより大きい）加速度に関する、増大する要求との組合せで、これらの外乱は、許容できないものになり、リソグラフィ装置の結像問題および／またはオーバーレイエラーを引き起こすおそれがある。

[0006] 結像問題および／またはオーバーレイエラーの低減されたリソグラフィ装置を提供することが望ましい。さらに、温度制御される可動オブジェクトの獲得可能な位置精度を改善することが望ましい。

[0007] 本発明の一実施形態によれば、可動の第１のオブジェクトと、熱交換器とを含み、熱交換器が、電気熱量特性または磁気熱量特性を有する材料を含み、かつ可動の第１のオブジェクトと熱を交換することによって第１のオブジェクトの温度に影響を及ぼすように構成された熱交換体と、第１のオブジェクトを冷却または加熱するために、熱交換体に電磁界を供給し熱交換体の温度を適合させるように構成されたジェネレータとを含む、リソグラフィ装置が提供される。

[0008] 本発明の他の実施形態によれば、第１のオブジェクトを第２のオブジェクトに対して位置決めするための位置決め装置であって、熱交換器を含み、熱交換器が、電気熱量特性または磁気熱量特性を有する材料を含み、かつ第１のオブジェクトおよび第２のオブジェクトと熱を交換するように構成される熱交換体と、第１のオブジェクトを冷却または加熱するために、熱交換体に電磁界を供給し熱交換体の温度を適合させるように構成され、かつ熱交換体が、第１の位置で第１のオブジェクトと熱を交換するように、また第２の位置で第２のオブジェクトと熱を交換するように構成されるジェネレータとを含み、熱交換器が、第１の位置と第２の位置の間で熱交換体の少なくとも一部分を移動するように構成された位置決めシステムをさらに含む、位置決め装置が提供される。

[0009] 次に、例示にすぎないが、本発明の諸実施形態について、対応する参照記号が対応する部分を示す添付の概略図面を参照して述べる。

[0010]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の図である。 [0011]本発明の一実施形態による熱交換用アセンブリによって温度制御することができるオブジェクトを概略的に表す図である。 [0012]本発明の他の実施形態による熱交換用アセンブリを概略的に表す図である。 [0013]本発明の他の実施形態による熱交換用アセンブリを概略的に表す図である。 [0014]本発明の他の実施形態による熱交換用アセンブリを概略的に表す図である。 [0015]本発明の一実施形態による熱交換用アセンブリを含む位置決め装置を概略的に表す図である。

[0016] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（たとえば、UV放射または任意の他の好適な放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ、パターニングデバイス（たとえば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１の位置決めデバイスＰＭに接続されたパターニングデバイスサポートまたはマスクサポート構造（たとえば、マスクテーブル）ＭＴを含む。また、この装置は、基板（たとえば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（たとえば、ウェーハテーブル）ＷＴまたは「基板サポート」を含む。さらにこの装置は、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗの（たとえば、１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃ上に投影するように構成された投影システム（たとえば、屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。

[0017] 照明システムは、放射を誘導する、整形する、または制御するために、屈折タイプ、反射タイプ、磁気タイプ、電磁タイプ、静電タイプ、または他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せなど様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。

[0018] パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、また、たとえばパターニングデバイスが真空環境内で保持されるか否かなど他の条件によって決まる仕方でパターニングデバイスを保持する。パターニングデバイスサポートは、機械式、真空、静電気、または他のクランプ技法を使用し、パターニングデバイスを保持することができる。パターニングデバイスサポートは、たとえば必要に応じて固定または可動とすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスが、たとえば投影システムに対して確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を使用することがあればそれは、「パターニングデバイス」という、より一般的な用語と同義と見なすことができる。

[0019] 本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内でパターンを生み出すように、放射ビームにその断面でパターンを与えるために使用することができる任意のデバイスを指すものとして広く解釈するべきである。放射ビームに与えられるパターンは、たとえば、パターンが位相シフトフィーチャ、またはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に対応しない可能性があることに留意されたい。一般に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路など、ターゲット部分内で生み出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。

[0020] パターニングデバイスは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの諸例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィで周知であり、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小さなミラーの行列構成を使用し、ミラーのそれぞれは、入来放射ビームを様々な方向で反射するように個別に傾けることができる。傾斜式ミラーは、ミラー行列によって反射される放射ビーム内にパターンを与える。

[0021] 本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射にとって、あるいは、液浸液の使用または真空の使用など他の要因にとって適切なように、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システム、静電光学システム、またはそれらの任意の組合せを含めて、任意のタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈するべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用することがあればそれは、「投影システム」という、より一般的な用語と同義と見なすことができる。

[0022] 本明細書では、本装置は、（たとえば、透過マスクを使用する）透過タイプのものである。別法として、本装置は、（たとえば、上記で参照されているタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する）反射タイプのものとすることができる。

[0023] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブルまたは「基板サポート」（および／または２つ以上のマスクテーブルまたは「マスクサポート」）を有するタイプのものとすることができる。そのような「マルチステージ」機では、追加のテーブルまたはサポートを同時に使用することができ、あるいは、１つまたは複数の他のテーブルまたはサポートが露光用に使用されている間に、１つまたは複数のテーブルまたはサポート上で準備ステップを実施することができる。

[0024] リソグラフィ装置はまた、投影システムと基板の間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体、たとえば水によって基板の少なくとも一部分を覆うことができるタイプのものとすることができる。また、液浸液は、リソグラフィ装置内の他の空間、たとえば、マスクと投影システムの間で与えることもできる。液浸技法は、投影システムの開口数を増大するために使用することができる。本明細書で使用される「液浸」という用語は、基板など、ある構造を液体内に沈めなければならないことを意味しておらず、逆に、液体が、露光中に投影システムと基板の間に位置することを意味するにすぎない。

[0025] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置は、たとえば放射源がエキシマレーザであるとき、別体とすることができる。そのような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、たとえば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに渡される。他の場合には、たとえば放射源が水銀ランプであるとき、放射源をリソグラフィ装置の一体部分とすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと呼ばれることがある。

[0026] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれσ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなど、様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使用し、その断面において所望の均一性および強度分布を有するように、放射ビームを調節することができる。

[0027] 放射ビームＢは、パターニングデバイスサポート（たとえば、マスクテーブル）ＭＴ上で保持されているパターニングデバイス（たとえば、マスクMA）上に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。放射ビームＢは、パターニングデバイス（たとえば、マスク）ＭＡを横切って、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に集束する。基板テーブルＷＴは、第２の位置決めデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）の助けにより、たとえば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内で位置決めするように、正確に移動することができる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭと（図１には明示的に図示されない）別の位置センサを使用し、パターニングデバイス（たとえば、マスク）ＭＡを、たとえばマスクライブラリから機械的に取り出した後で、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、パターニングデバイスサポート（たとえば、マスクテーブル）ＭＴの移動は、第１の位置決めデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」の移動は、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。（スキャナではなく）ステッパの場合には、パターニングデバイスサポート（たとえば、マスクテーブル）ＭＴをショートストロークアクチュエータだけに接続することも、固定とすることもできる。パターニングデバイス（たとえば、マスク）ＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２、および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図の基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有しているが、ターゲット部分間のスペース内に位置してもよい（これらは、スクライブレーンアライメントマークとして知られる）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられる状況では、パターニングデバイスマスクアライメントマークは、ダイ間に位置してもよい。

[0028] 図の装置は、以下のモードの少なくとも１つで使用することができる。

[0029] １．ステップモードでは、パターニングデバイスサポート（たとえば、マスクテーブル）ＭＴまたは「マスクサポート」および基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」が本質的に静止したままであり、一方、放射ビームに与えられたパターン全体がターゲット部分Ｃ上に１回で投影される（すなわち、単一静的露光）。次いで、基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」がＸおよび／またはＹ方向でシフトされ、その結果、異なるターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズにより、単一静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。

[0030] ２．スキャンモードでは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影されている間に、パターニングデバイスサポート（たとえば、マスクテーブル）ＭＴまたは「マスクサポート」および基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」が同期してスキャンされる（すなわち、単一動的露光）。パターニングデバイスサポート（たとえば、マスクテーブル）ＭＴまたは「マスクサポート」に対する基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」の速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）倍率と像反転特性によって決定される可能性がある。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズにより、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向での）幅が制限され、一方、スキャン運動の長さにより、ターゲット部分の（スキャン方向での）高さが決定される。

[0031] ３．別のモードでは、パターニングデバイスサポート（たとえば、マスクテーブル）ＭＴまたは「マスクサポート」が、プログラマブルパターニングデバイスを保持して本質的に静止したままであり、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影されている間に、基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」が移動またはスキャンされる。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」の各移動の後で、またはスキャン中、連続する放射パルスの間で、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上記で参照されているタイプのプログラマブルミラーアレイなど、プログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[0032] 上述の使用モードに対する組合せおよび／または変形形態、または全く異なる使用モードをも使用することができる。

[0033] 図２は、本発明の一実施形態による（広義には熱交換器と呼ぶことができる）熱交換用アセンブリによって加熱または冷却することができる可動の第１のオブジェクトＯＢ１を概略的に表したものを示す。第１のオブジェクトＯＢ１は、たとえば基板テーブルもしくはホルダ、パターニングデバイスを支持するように構築されたサポート、ロングストロークモジュール、ショートストロークモジュール、機械部、電気部、または光学部など、リソグラフィ装置内の任意の可動オブジェクトとすることができる。第１のオブジェクトは、単一のコンポーネントとすることができるが、アセンブリ、素子、システム、部品、またはその一部分とすることもできる。熱交換用アセンブリは、熱交換体ＢＯと、ジェネレータＧＥＮとを含む。

[0034] 熱交換体ＢＯは、電気熱量特性または磁気熱量特性を有する材料を含む。電気熱量特性を有する材料は、印加電界下で実質的に可逆の温度変化を示す。そのような材料の一例は、鉛、チタン、酸素、およびジルコニウムの混合物であるセラミック材料である。磁気熱量特性を有する材料は、印加磁界下で実質的に可逆の温度変化を示す。そのような材料の一例は、ガドリニウムである。温度変化は、材料に応じて、正の変化でも負の変化でもよい。これらの材料の２つ、たとえば電気熱量特性を有するある材料と磁気熱量特性を有するある材料を組合せ、電気熱量材料の、電界による温度変化が、磁気熱量材料の、磁界による温度変化の逆であることも可能である。これは、初期温度に対して熱交換体の温度を上昇または低下させることを可能にし、熱交換体が動作することができる温度範囲がより大きくなる。

[0035] ジェネレータＧＥＮは、熱交換体ＢＯの温度を適合させるために、電磁界ＥＭを熱交換体ＢＯに供給することができる。ジェネレータＧＥＮが電磁界ＥＭを熱交換体ＢＯに印加したとき、熱交換体ＢＯの温度が値ΔＴで変化することになる。後の段階で電磁界ＥＭを除去すると、熱交換体ＢＯの温度が値−ΔＴで変化することになる。最初に熱交換体ＢＯおよび第１のオブジェクトＯＢ１が同じ温度を有すると仮定すると、電磁界ＥＭによる熱交換体ＢＯの温度の変化により、熱交換体ＢＯと第１のオブジェクトＯＢ１の間に温度差が生じる。温度差は、熱交換体ＢＯと第１のオブジェクトＯＢ１が最初に同じ温度を有していないときも生み出すことができることに留意されたい。この温度差により、正味の熱量が第１のオブジェクトＯＢ１から、または第１のオブジェクトＯＢ１に伝達され、それにより第１のオブジェクトＯＢ１をそれぞれ冷却または加熱することになる。

[0036] 図２の熱交換器の利点は、フレームのような別のオブジェクトとの流体連結が必要とされず、それにより、輸送可能な流体を使用する熱交換器に比べて、第１のオブジェクトＯＢ１に設ける必要があるホースの数が削減されることである。ホースの数が削減されると、力外乱が減少し、輸送可能な流体を使用する熱交換用アセンブリに比べて、位置精度が高まることになる。可動オブジェクトが、リソグラフィ装置、たとえば図１による装置内で使用される場合、高められた位置精度により、像品質およびオーバーレイ性能が高まる。

[0037] 好ましくは、上述のような熱交換アセンブリを使用することにより、第１のオブジェクトＯＢ１と別のオブジェクトの間のホースがなくなり、それにより力外乱源が解消され、それにより性能がさらに改善される。

[0038] 図２を概略的に表したものは、図の例に限定されないことを理解されたい。ジェネレータＧＥＮは、第１のオブジェクトＯＢ１に取り付けられるが、第１のオブジェクトＯＢ１と一体とすることも、第１のオブジェクトＯＢ１の一部とせずに、第１のオブジェクトＯＢ１の外に配置することもできる。ジェネレータは、電磁界ＥＭを熱交換体ＢＯに与えることが可能である。

[0039] さらに、熱交換体ＢＯは、第１のオブジェクトＯＢ１の一部とすることができるが、別体とすることもできる。さらに、熱交換体ＢＯは、第１のオブジェクトＯＢ１に対して移動可能でなく、したがって第１のオブジェクトＯＢ１と共に移動することも可能であるが、フレームに対して静止しており、したがって第１のオブジェクトＯＢ１に対して移動可能とすることもできる。その場合には、熱交換体ＢＯは、特定の場所で第１のオブジェクトＯＢ１を冷却または加熱し、その後で、第１のオブジェクトＯＢ１が、いくつかの仕事をするために熱交換体ＢＯから離れ、冷却または加熱が必要とされる場合、その特定の場所に戻ることが可能である。別の変形形態では、熱交換体ＢＯが第１のオブジェクトＯＢ１とだけ熱を交換することができるように、熱交換体ＢＯを第１のオブジェクトＯＢ１によって完全に取り囲むことができる。

[0040] ジェネレータＧＥＮは、無線で操作および給電されてもよく、これは、ジェネレータＧＥＮが第１のオブジェクトＯＢ１の一部である、または第１のオブジェクトＯＢ１に取り付けられている場合、第１のオブジェクトＯＢ１と別のオブジェクトの間のケーブルの数がさらに削減されるため、有益となる可能性がある。

[0041] 熱交換体ＢＯが第１のオブジェクトＯＢ１に対して移動可能でない変形形態では、熱交換用アセンブリは、第１のオブジェクトＯＢ１を限られた期間の間、温度制御するのに特に適している。リソグラフィ装置では、この限られた期間は、パターンがパターニングデバイスから基板に転写される期間、すなわちパターン転写プロセス中とすることができる。基板およびパターニングデバイスの温度、特に温度分布は、最大の精度を得る上で重要なパラメータである。したがって、第１のオブジェクトＯＢ１の温度をその期間内で小さい温度範囲（好ましくはミリケルビン温度範囲）内に制御することが望ましい。

[0042] 第１のオブジェクトＯＢ１の温度制御は、熱交換体ＢＯの温度を制御することによって確立することができ、熱交換体ＢＯの温度は、電磁界ＥＭの強度に依存する。第１のオブジェクトＯＢ１を熱交換用アセンブリまたは熱交換器によってどのように制御することができるかの一例について、下記で述べる。

[0043] 熱交換体ＢＯが、電界ＥＭが熱交換体ＢＯに印加されたとき温度がΔＴで降下する電気熱量材料製であると仮定すると、電界を熱交換体ＢＯに印加し、それにより熱交換体ＢＯの温度を低下させることによって、第１のオブジェクトＯＢ１を冷却することが可能である。正味の熱量が第１のオブジェクトＯＢ１から熱交換体ＢＯに伝達され、それにより第１のオブジェクトＯＢ１の温度を低下させ、熱交換体ＢＯの温度を上昇させることになる。熱源がない場合、この状況は最終的に、第１のオブジェクトＯＢ１と熱交換体ＢＯの間の温度平衡をもたらすことになる。しかし、電界ＥＭの強度を変化させることにより、熱交換体ＢＯの温度が正または負の方向で変化することになり、それにより、たとえばクリティカルな期間中に第１のオブジェクトＯＢ１の温度を一定に保つことが可能になる。したがって、熱交換用アセンブリは、第１のオブジェクトＯＢ１の温度を測定するセンサＳＥと、センサＳＥによって送られる信号に応じてジェネレータＧＥＮを駆動する制御ユニットまたはコントローラＣＵとを含むことができる。クリティカルな期間が周期的であるときには、後続のクリティカルな期間の間で電界を熱交換体ＢＯから除去し、それにより、この例では熱交換体ＢＯの温度をΔＴで上昇させることができる。次いで、熱交換体ＢＯおよび第１のオブジェクトＯＢ１は、互いに、またおそらくはそれらの周囲と熱を交換することが可能であり、それにより、次のクリティカルな期間のための開始点として使用することができる新しい温度平衡を生み出す。このタイプの温度制御は、実際の温度が重要でないが経時的な温度の変化が重要であるとき、または温度分布だけが重要であるとき、特に適用可能である。

[0044] この例に対する多数の変形形態が存在すること、また、たとえば同様の仕方で、やはり第１のオブジェクトＯＢ１を熱交換体ＢＯによって加熱することができることを、当業者なら理解されたい。

[0045] この実施形態では、第１のオブジェクトＯＢ１はまた、ヒータＨＥを含み、これらのヒータは、第１のオブジェクトＯＢ１を局所的に加熱することが可能である。次いで、たとえば熱交換体ＢＯを使用し第１のオブジェクトＯＢ１を広範囲で冷却し、ヒータＨＥを（制御ユニットCUによって）動作させ第１のオブジェクトＯＢ１を局所的に加熱し、それにより温度を局所的に制御する能力を改善することができ、これは温度分布が重要なパラメータであるとき有利である。

[0046] 図３は、第１のオブジェクトＯＢ１’を冷却するために可動の第１のオブジェクトＯＢ１’および第２のオブジェクトＯＢ２’と熱を交換するための、本発明の他の実施形態による熱交換用アセンブリまたは熱交換器を概略的に表したものを示す。第１のオブジェクトＯＢ１’は、たとえば基板テーブルもしくはホルダ、パターニングデバイスを支持するように構築されたサポート、ロングストロークモジュール、ショートストロークモジュール、機械部、電気部、または光学部など、リソグラフィ装置内の任意の可動オブジェクトとすることができる。第１のオブジェクトは、単一のコンポーネントとすることができるが、アセンブリ、素子、システム、部品、またはその一部分とすることもできる。第２のオブジェクトＯＢ２’は、たとえば基板テーブルもしくはホルダ、パターニングデバイスを支持するように構築されたサポート、ロングストロークモジュール、ショートストロークモジュール、フレーム、ベースフレーム、メトロロジーフレーム、機械部、電気部、または光学部など、リソグラフィ装置内の任意のオブジェクトとすることができる。第２のオブジェクトは、単一のコンポーネントとすることができるが、アセンブリ、素子、システム、部品、またはその一部分とすることもできる。

[0047] 熱交換用アセンブリは、この実施形態では磁気熱量特性を有する材料を含む熱交換体ＢＯ２を含む。さらに、熱交換用アセンブリは、磁界ＥＭ２を熱交換体ＢＯ２に供給するように構成されるジェネレータＧＥＮ２を含む。

[0048] この実施形態では、熱交換体ＢＯ２の温度は、磁界ＥＭ２が熱交換体ＢＯ２に印加されたとき上昇する。図３は、磁界ＥＭ２が第１の位置ＦＰ２で熱交換体ＢＯ２に印加される状況を示す。熱交換体ＢＯ２の温度の上昇により、正味の熱量が、矢印Ｑ２によって示されているように、熱交換体ＢＯ２から第２のオブジェクトＯＢ２’に伝達されることになる。これは、熱交換体ＢＯ２の温度を低下させ、第２のオブジェクトＯＢ２’の温度を上昇させることになる。

[0049] 熱交換用アセンブリは、熱交換体ＢＯ２を第１の位置ＦＰ２と第２の位置ＳＰ２の間で移動するように構成される位置決めシステムをさらに含む。熱交換体ＢＯ２は、第２の位置ＳＰ２で、破線で示されている。位置決めシステムによって引き起こされる熱交換体ＢＯ２の可能な移動が、矢印ＰＯＳ２によって概略的に示されている。

[0050] 磁界ＥＭ２の除去、または熱交換体ＢＯ２が磁界ＥＭ２から移動したこと（またはそれらの組合せ）によって熱交換体ＢＯ２がもはや磁界ＥＭ２を受けていないとき、熱交換体ＢＯ２の温度は、第１のオブジェクトＯＢ１’の温度より低くなることになる。熱交換体ＢＯ２が位置決めシステムによって第２の位置ＳＰ２に移動されたとき、熱交換体ＢＯ２は、第１のオブジェクトＯＢ１’と熱を交換することが可能である。熱交換体ＢＯ２のより低い温度により、正味の熱量が第１のオブジェクトＯＢ１’から熱交換体ＢＯ２に伝達され（矢印Ｑ１によって示す）、それにより第１のオブジェクトＯＢ１’の温度を低下させ、熱交換体ＢＯ２の温度を上昇させることになる。したがって、この実施形態における第１のオブジェクトＯＢ１’は、熱交換体ＢＯ２によって冷却される。同時に、第２のオブジェクトＯＢ２’は、その周囲と熱を交換すること可能であり、それにより、その温度がその初期値に低下する。また、第２のオブジェクトＯＢ２’の熱容量は、プロセス全体にわたって温度が実質的に一定のままであるような大きいものとすることも可能である。

[0051] 熱交換体ＢＯ２と第１のオブジェクトＯＢ１’の間の熱交換後、位置決めシステムは、熱交換体ＢＯ２を第２の位置ＳＰ２から第１の位置ＦＰ２に戻すことになり、それにより、上記のサイクルを全体にわたって再び開始することが可能になる。

[0052] この実施形態では、熱交換体ＢＯ２と第１のオブジェクトＯＢ１’の間と、熱交換体ＢＯ２と第２のオブジェクトＯＢ２’の間とで交互に熱が交換され、それにより、この実施形態は、特定の期間中、たとえば基板が測定される、または放射ビームによって照射されるとき、第１のオブジェクトＯＢ１’を冷却するのに特に適したものとなる。一方または両方の動作中の温度制御は、像品質およびオーバーレイ性能を高めるために重要となる可能性がある。

[0053] 一変形形態では、ジェネレータＧＥＮ２は、図３における状況の代わりに、またはそれに加えて、第２の位置ＳＰ２で電磁界ＥＭ２を与えることができる。ジェネレータＧＥＮ２の一は、第１のオブジェクトＯＢ１’の冷却または加熱が望まれるかどうかに、また、熱交換体ＢＯ２の材料特性によって決まる。

[0054] この実施形態では、第１のオブジェクトＯＢ１’は、第２のオブジェクトＯＢ２’に対して移動可能である。第２の位置ＳＰ２は、第２のオブジェクトＯＢ２’に対して静止していることが可能であるが、第１のオブジェクトＯＢ１’に対して静止していてもよい。後者の場合には、第１のオブジェクトＯＢ１’は、熱交換体ＢＯ２が第２の位置ＳＰ２から、または第２の位置ＳＰ２に移動されたとき、第２のオブジェクトＯＢ２’に対して常に同じ位置にあることが好ましい。これにより位置決めシステム、およびその制御が簡素化される。第１のオブジェクトＯＢ１’が基板またはパターニングデバイスのサポート構造である場合、熱交換体ＢＯ２が置かれるプロセス全体において熱交換体ＢＯ２の移動に余分な時間が必要にならないように、熱交換体ＢＯ２の移動を、それぞれのサポート構造への、またそれぞれのサポート構造からの基板またはパターニングの輸送と同期させることができる。

[0055] 他の変形形態では、第１のオブジェクトＯＢ１’はヒータを含むことができ、制御システムを設け、図２の実施形態と同様に第１のオブジェクトＯＢ１’の温度を制御することができる。次いで、熱交換体ＢＯ２は広範囲で冷却し、ヒータは局所的に加熱し、それにより、第１のオブジェクトＯＢ１’の温度または温度分布を制御することが可能になる。

[0056] 図３による実施形態の熱交換用アセンブリの利点は、第１のオブジェクトＯＢ１’を冷却および／または加熱するために、第１のオブジェクトＯＢ１’と第２のオブジェクトＯＢ２’の間にホースが必要とされないことである。これにより、これらのホースによる力外乱が解消され、図３のシステムがリソグラフィ装置内で使用された場合、そのような装置の結像品質および／またはオーバーレイ性能が改善される。

[0057] 図４は、本発明の他の実施形態による熱交換用アセンブリを概略的に表したものを示す。この熱交換用アセンブリは、第２のオブジェクトＯＢ２’’から第１のオブジェクトＯＢ１’’に熱を伝達することによって、可動の第１のオブジェクトＯＢ１’’を冷却または加熱するために使用される。この熱交換用アセンブリは、位置決めシステムＰＯＳ３によって軸ＡＸの周りで回転させることができる熱交換体ＢＯ３を含む。位置決めシステムＰＯＳ３は、軸ＡＸと実質的に一致するシャフトＳＨ３によって熱交換体ＢＯ３に接続される。しかし、熱交換体ＢＯ３を軸ＡＸの周りで回転させるために多数の他の可能性があることを、当業者なら理解する。

[0058] 熱交換体ＢＯ３は、第１のオブジェクトＯＢ１’’および第２のオブジェクトＯＢ２’’と同時に熱を交換することが可能である。熱交換体ＢＯ３と第１のオブジェクトＯＢ１’’の間の熱交換は第１の位置ＦＰ３で行われ、熱交換体ＢＯ３と第２のオブジェクトＯＢ２’’の間の熱交換は第２の位置ＳＰ３で行われる。この実施形態では、一部分ＢＯ３Ａが第１の位置ＦＰ３で位置決めされ、同時に、一部分ＢＯ３Ｂが第２の位置ＳＰ３で位置決めされ、その結果、第１のオブジェクトＯＢ１’’および第２のオブジェクトＯＢ２’’と同時に熱を交換することができる。

[0059] この実施形態では、熱交換体ＢＯ３は、磁界を受けたとき温度降下を示す磁気熱量材料を含む。磁界ＥＭ３をジェネレータＧＥＮ３によってもたらすことができる。第２の位置ＳＰ３にある熱交換体ＢＯ３の一部分ＢＯ３Ｂがこの磁界ＥＭ３を受け、この一部分ＢＯ３Ｂの温度降下をもたらし、第２のオブジェクトＯＢ２’’と一部分ＢＯ３Ｂの間で温度差が生じる。この温度差の結果として、正味の熱量（Ｑ４）が第２のオブジェクトＯＢ２’’から一部分ＢＯ３Ｂに伝達されることになる。

[0060] この例では、位置決めシステムＰＯＳ３による熱交換体ＢＯ３の回転により、一部分ＢＯ３Ａが第２の位置ＳＰ３から第１の位置ＦＰ３に移動された。この移動により、一部分ＢＯ３Ａはもはや磁界ＥＭ３を受けておらず、したがって温度が上昇することになり、一部分ＢＯ３Ａと第１のオブジェクトＯＢ１’’の間で温度差が生じ、その結果、正味の熱量（Ｑ３）を一部分ＢＯ３Ａから第１のオブジェクトＯＢ１’’に伝達することができる。

[0061] 図４は２つの一部分しか示していないが、熱交換体ＢＯ３の連続的な回転により、熱交換体ＢＯ３を介して第２のオブジェクトＯＢ２’’から第１のオブジェクトＯＢ１’’に連続的な熱輸送が生じるように、好ましくは接線方向で均等に分散された、可能な複数の一部分がある。ある一部分から別の一部分への熱交換体ＢＯ３内の熱輸送は、それらの一部分を互いに分離することによって、または熱交換体ＢＯ３を十分に速く回転させることによって、最小限に保たれることが好ましい。後者の場合には、矢印Ｑ３、Ｑ４によって示されている熱輸送が熱交換体ＢＯ３内部の熱輸送より速いことが好ましい。

[0062] 図４の実施形態は、第１のオブジェクトＯＢ１’’を加熱するために使用される。変形形態では、第１のオブジェクトＯＢ１’’を冷却するために、または設計の最適化のために、熱交換体ＢＯ３の材料特性および／またはジェネレータＧＥＮ３の場所を変えることができる。

[0063] 第１のオブジェクトＯＢ１’’は、第２のオブジェクトＯＢ２’’に対して移動可能であるが、第１のオブジェクトＯＢ１’’が移動可能な軌道は、たとえば、その軌道が熱交換体ＢＯ３の湾曲に従うため、または移動範囲が熱交換体ＢＯ３のサイズに比べて小さいため、熱交換体ＢＯ３が第１のオブジェクトＯＢ１’’と熱を交換することが依然として可能であるようなものとすることができる。また、図４の実施形態は、たとえば熱交換体ＢＯ３の非連続的な回転によって、図２および図３の実施形態について述べたような、第１のオブジェクトＯＢ１’’の非連続的な冷却または加熱に適している。

[0064] 図５は、第１のオブジェクトＯＢ１’’’から第２のオブジェクトＯＢ２’’’に熱を伝達することによって第１のオブジェクトＯＢ１’’’を冷却するように構成される、本発明の他の実施形態による熱交換用アセンブリを概略的に表したものを示す。

[0065] したがって、この熱交換用アセンブリは、第１のサブボディＳＢ１と第２のサブボディＳＢ２とを含む熱交換体ＢＯ４を含む。サブボディＳＢ１は、サブボディＳＢ１が磁界を受けたとき温度降下を示す磁気熱量特性を有する材料を含む。サブボディＳＢ２は、サブボディＳＢ２が電界を受けたとき温度が上昇する電気熱量特性を有する材料を含む。

[0066] サブボディＳＢ１、ＳＢ２はどちらも、図４における熱交換体ＢＯ３と同様に、対応する位置決めシステムＰＯＳ４Ａ、ＰＯＳ４Ｂによって、それぞれの軸ＡＸ１、ＡＸ２の周りで回転する。この実施形態における熱交換用アセンブリの作動原理もまた、図４による実施形態の作動原理と同様である。熱は、熱交換体ＢＯ４を介して第１のオブジェクトＯＢ１’’’から第２のオブジェクトＯＢ２’’’に伝達される。図５の実施形態では、熱は、第１のオブジェクトＯＢ１’’’から第１のサブボディＳＢ１に（矢印Ｑ５によって示す）、第１のサブボディＳＢ１から第２のサブボディＳＢ２に（矢印Ｑ６によって示す）、また第２のサブボディＳＢ２から第２のオブジェクトＯＢ２’’’に（矢印Ｑ７によって示す）輸送される。したがって、熱交換から見て、第１のオブジェクトＯＢ１’’’、サブボディＳＢ１、ＳＢ２、および第２のオブジェクトＯＢ２’’’は、直列で配置される。

[0067] ジェネレータＧＥＮ４Ａ、ＧＥＮ４Ｂは、それぞれのサブボディＳＢ１、ＳＢ２の一部分の温度を変化させるために、それぞれの電磁界ＥＭ４Ａ、ＥＭ４Ｂを印加するように構成される。この実施形態では、２つのいわゆる相を使用して熱が伝達され、各サブボディが相を表す。１つの相ではなく複数の相を使用することの利点は、第１のオブジェクトＯＢ１’’’と第２のオブジェクトＯＢ２’’’の間のより大きな温度差を得ることができることである。この特定の実施形態の追加の利点は、材料の選択により、（熱伝達の場所にある）２つのサブボディ間の境界のところで電磁界が必要とされず、それにより、一方のジェネレータが、他方のジェネレータに関連付けられたサブボディの温度に影響を及ぼす可能性が低減されることである。

[0068] サブボディの数、サブボディの直列および／または並列配置、材料特性の選択、およびジェネレータの場所に多数の変形形態があることを、当業者なら理解するであろう。

[0069] 図６は、本発明の一実施形態による熱交換アセンブリを含む位置決め装置を概略的に表す。この位置決め装置は、リソグラフィ装置の一部であり、３つのオブジェクトＡ、Ｂ、Ｃを含み、これらのうち、オブジェクトＣは、メトロロジーフレームまたはベースフレームのようなフレームとみなされ、オブジェクトＡは、基板（図示せず）を保持するように構築された基板テーブルまたは基板ホルダとみなされる。したがって、オブジェクトＡによって支持される基板の位置は、オブジェクトＡの位置によって決定される。

[0070] オブジェクトＢは、オブジェクトＣに対して、軌道Ｔ１に沿って移動可能である。オブジェクトＡは、オブジェクトＢに対して、この例では軌道Ｔ１より短い軌道Ｔ２に沿って移動可能である。オブジェクトＢは、ロングストロークモジュールＬＳＭによって、オブジェクトＣに対して位置決めすることができる。オブジェクトＡは、ショートストロークモジュールＳＳＭによって、オブジェクトＢに対して位置決めすることができる。一般に、ロングストロークモジュールＬＳＭは、オブジェクトＢの位置決めを介して、オブジェクトＡを粗動位置決めし、ショートストロークモジュールＳＳＭは、オブジェクトＡを微動位置決めする。モジュールＬＳＭおよびモジュールＳＳＭは、共に熱源とすることができる。モジュールＬＳＭ、ＳＳＭのアクチュエータなど熱源は、像品質、オーバーレイ性能、および／または位置精度に負の影響を及ぼすおそれがある。したがって、これらのオブジェクトの１つまたは複数の温度制御が望ましい可能性がある。

[0071] 図２〜５による熱交換アセンブリ、またはそれらの変形形態は、オブジェクトのうちの１つの温度を制御するために使用することができる。オブジェクトＡおよびＢは、熱交換アセンブリの第１のオブジェクトに対応してもよく、オブジェクトＢおよびＣは、（必要な場合）熱交換アセンブリの第２のオブジェクトに対応してもよい。いくつかの変形形態を下記に示す。

[0072] 熱交換アセンブリの熱交換体は、第１および第２のオブジェクトと相互作用する別体であってもよいが、オブジェクトＡ、Ｂ、Ｃのうちの１つの一部とすることもできる。熱交換体が第１のオブジェクトと第２のオブジェクトのどちらとも熱を交換することが可能であるとき、熱交換体は、第２のオブジェクトによって支持されることが好ましい。

[0073] 位置決め装置内で熱交換アセンブリを使用することの利点は、オブジェクトＡ、Ｂ、Ｃのうちの１つを冷却または加熱するのにホースが必要とされないことである。それによって、これらのホースによって誘発される力外乱が低減され、好ましくは防止され、位置精度、像品質、および／またはオーバーレイ性能が改善される。

[0074] 本文中では、ＩＣの製造時におけるリソグラフィ装置の使用を具体的に参照することがあるが、本明細書で述べられているリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイドおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（LCD）、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の応用分野があり得ることを理解されたい。そのような代替の応用分野の文脈において、本明細書で「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用することがあればそれは、それぞれより一般的な用語である「基板」または「ターゲット部分」と同義と見なすことができることを、当業者なら理解するであろう。本明細書で参照されている基板は、露光の前後に、たとえば、トラック（一般に、レジストの層を基板に付け、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツール内で処理することができる。適用可能な場合、本明細書における開示は、そのような、また他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、たとえば多層ＩＣを作成するために複数回処理することができ、その結果、本明細書で使用される基板という用語は、複数の処理済みの層をすでに含む基板を指すこともある。

[0075] 上記では、本発明の実施形態の使用が、光リソグラフィの文脈で具体的に参照されていることがあるが、本発明は、他の応用分野、たとえばインプリントリソグラフィで使用することができ、状況において可能な場合、光リソグラフィに限定されないことが理解されるであろう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィにより、基板上に生み出されるパターンが画定される。パターニングデバイスのトポグラフィを、基板に供給されたレジストの層に押し込むことができ、そのとき、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せを加えることによってレジストが硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化された後で、レジストから移動され、レジスト内にパターンを残す。

[0076] 本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、（たとえば、約３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長を有する）紫外（UV）放射、および（たとえば、５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する）極端紫外（EUV）放射、ならびに、イオンビームまたは電子ビームなど粒子ビームを含めて、あらゆるタイプの電磁放射を包含する。

[0077] 「レンズ」という用語は、状況において可能な場合、屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネント、および静電光学コンポーネントを含めて、様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか１つ、または組合せを指すことがある。

[0078] 上記では、本発明の特定の実施形態について述べたが、本発明は、述べられているものとは別の方法で実施することができることが理解されるであろう。たとえば、本発明は、上述の方法について説明する機械可読命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、あるいは、そのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（たとえば、半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスク）の形態をとることができる。

[0079] 上記の説明は、限定するものでなく、例示的なものであるものとする。したがって、以下で述べられている特許請求の範囲から逸脱することなしに、述べられている本発明に修正を加えることができることが、当業者には明らかであろう。

Claims (12)

1. 可動の第１のオブジェクトと、
   熱交換器とを備え、前記熱交換器が、
   電気熱量特性または磁気熱量特性を有する材料を含み、かつ前記可動の第１のオブジェクトと熱を交換することによって前記可動の第１のオブジェクトの温度に影響を及ぼすように構成された熱交換体と、
   前記第１のオブジェクトを冷却または加熱するために、前記熱交換体に電磁界を供給し前記熱交換体の温度を変化させるように構成されたジェネレータとを備え、
   前記熱交換体が、前記熱交換体と前記第１のオブジェクトの間と、前記熱交換体と第２のオブジェクトの間とで交互に熱を交換するように構成され、
   前記交互に熱を交換する間において、前記熱交換体が前記電磁界を受けているときの前記熱交換体と前記第１のオブジェクトとの温度差に応じた熱が前記熱交換体と前記第１のオブジェクトとの間で伝達され、前記熱交換体が前記電磁界を受けていないときの前記熱交換体と前記第２のオブジェクトとの温度差に応じた熱が前記熱交換体と前記第２のオブジェクトとの間で伝達される、リソグラフィ装置。
2. 前記第１のオブジェクトを局所的に加熱するヒータを前記第１のオブジェクトが備えており、前記熱交換器と前記第１のオブジェクトの前記ヒータとを用いて前記第１のオブジェクトの温度を制御するように構成されたコントローラをさらに備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記第１のオブジェクトが、以下のコンポーネント、すなわち、
   基板を保持するように構築された基板テーブル、
   パターニングデバイスを支持するように構築されたサポート、
   ロングストロークモジュール、および
   ショートストロークモジュール
   の１つまたは複数、あるいはそれらの１つまたは複数の一部である、請求項１又は２に記載のリソグラフィ装置。
4. 第１のオブジェクトを第２のオブジェクトに対して位置決めするように構成された位置決め装置であって、熱交換器を備え、前記熱交換器が、
   電気熱量特性または磁気熱量特性を有する材料を含み、かつ前記第１のオブジェクトおよび前記第２のオブジェクトと熱を交換するように構成される熱交換体と、
   前記第１のオブジェクトを冷却または加熱するために、前記熱交換体に電磁界を供給し前記熱交換体の温度を変化させるように構成され、かつ前記熱交換体が、第１の位置で前記第１のオブジェクトと熱を交換するように、また第２の位置で前記第２のオブジェクトと熱を交換するように構成される、ジェネレータと、
   前記第１の位置と前記第２の位置の間で前記熱交換体の少なくとも一部分を移動するように構成された位置決めシステムとを備え、
   前記熱交換体が、前記熱交換体と前記第１のオブジェクトの間と、前記熱交換体と前記第２のオブジェクトの間とで交互に熱を交換するように構成され、
   前記交互に熱を交換する間において、前記熱交換体が前記電磁界を受けているときの前記熱交換体と前記第１のオブジェクトとの温度差に応じた熱が前記熱交換体と前記第１のオブジェクトとの間で伝達され、前記熱交換体が前記電磁界を受けていないときの前記熱交換体と前記第２のオブジェクトとの温度差に応じた熱が前記熱交換体と前記第２のオブジェクトとの間で伝達される、位置決め装置。
5. 前記熱交換器が、前記熱交換体を介して前記第１のオブジェクトから前記第２のオブジェクトに正味の熱量を伝達することによって、前記第１のオブジェクトを冷却するように構成される、請求項４に記載の位置決め装置。
6. 前記熱交換器が、前記熱交換体を介して前記第２のオブジェクトから前記第１のオブジェクトに正味の熱量を伝達することによって、前記第１のオブジェクトを加熱するように構成される、請求項４に記載の位置決め装置。
7. 前記ジェネレータが、前記第１の位置で、または前記第２の位置で、または前記第１の位置と前記第２の位置の両方で電磁界を供給するように構成される、請求項４〜６のいずれか１項に記載の位置決め装置。
8. 前記位置決めシステムが前記熱交換体を回転させるように構成され、その結果、前記熱交換体の一部分が前記第１のオブジェクトと熱を交換することが可能であり、前記熱交換体の別の一部分が前記第２のオブジェクトと熱を交換することが可能である、請求項４〜７のいずれか１項に記載の位置決め装置。
9. 前記熱交換体が複数のサブボディを備え、各サブボディが、対応するジェネレータを有し、かつ少なくとも１つの他のサブボディと熱を交換するように構成される、請求項４〜８のいずれか１項に記載の位置決め装置。
10. 前記第１のオブジェクトを局所的に加熱するヒータを前記第１のオブジェクトが備えており、前記熱交換体と前記第１のオブジェクトの前記ヒータとを用いて前記第１のオブジェクトの温度を制御するように構成されたコントローラをさらに備える、請求項４〜９のいずれか１項に記載の位置決め装置。
11. 前記第１のオブジェクトが、以下のコンポーネント、すなわち、
    基板を保持するように構築された基板テーブル、
    パターニングデバイスを支持するように構築されたサポート、
    ロングストロークモジュール、および
    ショートストロークモジュール
    の１つまたは複数、あるいはそれらの１つまたは複数の一部である、請求項４〜１０のいずれか１項に記載の位置決め装置。
12. 前記第２のオブジェクトが、以下のコンポーネント、すなわち、
    基板を保持するように構築された基板テーブル、
    パターニングデバイスを支持するように構築されたサポート、
    ロングストロークモジュール、
    ショートストロークモジュール、および
    フレーム
    の１つまたは複数、あるいはそれらの１つまたは複数の一部である、請求項４〜１１のいずれか１項に記載の位置決め装置。