TWI411105B

TWI411105B - 主動元件陣列基板、有機發光二極體顯示器裝置及其製造方法

Info

Publication number: TWI411105B
Application number: TW098132890A
Authority: TW
Inventors: King Yuan Ho; Chen Wei Lin; Yen Shih Huang; Chih Hung Cheng
Original assignee: Ind Tech Res Inst
Priority date: 2009-09-29
Filing date: 2009-09-29
Publication date: 2013-10-01
Also published as: TW201112414A

Description

主動元件陣列基板、有機發光二極體顯示器裝置及其製造方法

本發明係有關於主動元件陣列基板及有機發光二極體顯示器裝置，特別有關於結合低漏電的非晶矽薄膜電晶體與高載子移動率的結晶矽薄膜電晶體的主動元件陣列基板及有機發光二極體顯示器裝置。

傳統的主動元件陣列基板可應用於液晶顯示器、有機發光二極體等面板裝置，其主動元件陣列主要包括多晶矽/微結晶矽薄膜電晶體和非晶矽薄膜電晶體兩大類。多晶矽/微結晶矽薄膜電晶體具有高可靠度和高載子移動率等優點，但其元件均勻度較差，且由於高漏電流，使得儲存電容不易控制電壓準位。相反地，非晶矽薄膜電晶體的均勻度較佳且具有絕佳的漏電流抑制，但是以非晶矽電晶體構成的電晶體陣列基板，其元件可靠度不佳且載子移動率小致使顯示畫素開口率小。

傳統的主動式有機發光二極體面板，不論是上閘極式低溫多晶矽/微結晶矽(LTPS/μ-Si)電晶體陣列或下閘極式非晶矽(a-Si)電晶體陣列均需七道光罩製程完成。例如，製造上閘極式電晶體陣列所需的七道光罩步驟為形成多晶矽島、形成金屬閘極、沉積層間介電層、形成孔及圖案化源極/汲極金屬、沉積保護層及蝕刻導通孔、形成畫素電極、沉積第二導電層並形成開口。若採用多晶矽/微結晶矽電晶體陣列，則漏電流過大，儲存電容易由切換電晶體處漏電流使電壓準位改變。若採用非晶矽電晶體陣列，則元件的可靠度不佳，受電流應力(stress)之後，易造成臨界電壓飄移，導致顯示器面板的壽命降低。

本發明之實施例提供一種有機發光二極體顯示器裝置，包括：一基板上具有主動元件所構成的一畫素陣列，各畫素包括：一畫素電極；一儲存電容；以及一頂閘極式或底閘極式結晶矽薄膜電晶體；其中該畫素電極接觸洞及金屬接觸洞為同一道製程定義；以及其中該畫素電極與該頂閘極式或底閘極式結晶矽薄膜電晶體的源極/汲極電性連接。

本發明之實施例另提供一種主動元件陣列基板，包括：一基板上具有主動元件所構成的一畫素陣列，各畫素包括：一底閘極式非晶矽薄膜電晶體；一儲存電容；以及一頂閘極式結晶矽薄膜電晶體；其中該底閘極式非晶矽薄膜電晶體的閘極與該頂閘極式結晶矽薄膜電晶體的源極/汲極是由相同材料層所構成；以及其中該底閘極式非晶矽薄膜電晶體的源極/汲極與該頂閘極式結晶矽薄膜電晶體的閘極是由相同材料層所構成。

本發明之實施例另提供一種有機發光二極體顯示器裝置，包括：一基板上具有主動元件所構成的一畫素陣列，各畫素包括：一底閘極式非晶矽薄膜電晶體；一儲存電容；一頂閘極式結晶矽薄膜電晶體；一有機發光二極體元件包括一有機發光二極體電極、一有機發光層及一畫素電極；其中該底閘極式非晶矽薄膜電晶體的閘極、該儲存電容的下電極與該頂閘極式結晶矽薄膜電晶體的源極/汲極是由相同材料層構成；其中該底閘極式非晶矽薄膜電晶體的源極/汲極、該儲存電容的上電極、與該頂閘極式結晶矽薄膜電晶體的閘極是由相同材料層構成；以及其中該畫素電極與該頂閘極式結晶矽薄膜電晶體的源極/汲極電性連接。

本發明之實施例又提供一種有機發光二極體顯示器裝置的製造方法，包括：提供一基板具有四個區域；形成一圖案化畫素電極於該基板的第一區域上；形成一第一介電層覆蓋該圖案畫電極和該基板；形成一圖案化第一導電層於第二、第三和第四區域上，以做為頂閘極式薄膜電晶體的源極/汲極電極及底閘極式薄膜電晶體的閘極電極；形成一結晶矽島於第二區域上，覆蓋該頂閘極式薄膜電晶體的源極/汲極電極；形成一第二介電層於第二、第三和第四區域上，覆蓋該頂閘極式薄膜電晶體的源極/汲極電極、該結晶矽島和該底閘極式薄膜電晶體的閘極電極；形成一非晶矽島於第四區域的第二介電層上，對應該底閘極式薄膜電晶體的閘極電極；形成一圖案化第二導電層於第二、第三和第四區域上，以做為頂閘極式薄膜電晶體的閘極電極及底閘極式薄膜電晶體的源極/汲極電極；形成一第三介電層於第二、第三和第四區域上，覆蓋該頂閘極式薄膜電晶體和該底閘極式薄膜電晶體，且露出第一區域的該畫素電極；形成一有機發光層於該第三介電層上並與該畫素電極電性接觸；形成有機發光二極體電極於該有機發光層上；以及形成一保護層於該電極上。

為使本發明能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

以下以各實施例詳細說明並伴隨著圖式說明之範例，做為本發明之參考依據。在圖式或說明書描述中，相似或相同之部分皆使用相同之圖號。且在圖式中，實施例之形狀或是厚度可擴大，並以簡化或是方便標示。再者，圖式中各元件之部分將以分別描述說明之，值得注意的是，圖中未繪示或描述之元件，為所屬技術領域中具有通常知識者所知的形式，另外，特定之實施例僅為揭示本發明使用之特定方式，其並非用以限定本發明。

為了提高主動式有機發光二極體顯示器裝置的製程良率並減少製程數目，本發明實施例提供一主動式有機發光二極體顯示器下板的製作流程，其中畫素電極接觸洞及金屬接觸洞為同一道製程定義以減少製程數目以達到增加製程良率的功效。

又為了獲得低漏電流及高穩定度之主動式有機發光二極體顯示器裝置，本發明實施例，亦提供主動元件陣列基板兼具多晶矽/微結晶矽薄膜電晶體和非晶矽薄膜電晶體的優點，並將兩者整合在一個畫素上。在製程中，不增加黃光光罩製程次數，且與傳統主動元件製程相容，完成該主動式陣列基板，做為低漏電、高可靠度之有機發光二極體的主動元件陣列基板。

本發明實施例的主動元件陣列基板利用非晶矽薄膜電晶體的低漏電特性，應用於切換電晶體(Switching TFT)可有效地降低電容漏電，並結合微結晶矽薄膜電晶體的高載子移動率與高可靠度特性，應用於驅動電晶體(Driving TFT)上，以提高有機發光二極體的亮度，並提高顯示元件的壽命。相較於先前技術，本發明實施例不需倚靠電路的方式僅以兩電晶體和一電容(2T-1C)的簡單畫素設計，製作高穩定度的有機發光二極體面板。

第1A-1F圖顯示根據本發明實施例有機發光二極體下板製造方法各步驟的剖面示意圖。請參閱第1A圖，提供一基板100，例如玻璃、石英、可撓式高分子透明基板或金屬薄板。一介電層112可形成於基板100上。接著，形成一圖案化畫素電極114於該基板的第一區域上。畫素電極114例如為一金屬電極或一銦錫氧化物電極。

請參閱第1B圖，形成一第一介電層120覆蓋該圖案畫電極114和基板100。接著，以金屬及重摻雜矽島形成一圖案化第一導電層125以做為頂閘極式薄膜電晶體的源極/汲極電極。

請參閱第1C圖，形成微結晶矽島130或低溫多晶矽島覆蓋該頂閘極式薄膜電晶體的源極/汲極電極125，做為頂閘極式薄膜電晶體的主動層。請參閱第1D圖，形成一第二介電層140覆蓋該頂閘極式薄膜電晶體的源極/汲極電極125、該微結晶矽島130。該第二介電層140的材質可為氮化矽層、氧化矽層、或氮氧化矽層、或其他合適的介電層材料。接著，形成接觸洞開口142，露出畫素電極114與源極/汲極電極125，如第1D圖所示。應注意的是，利用畫素電極(ITO)和其他材料有蝕刻選擇比，在打開接觸洞142時，使其不至於被破壞。

請參閱第1E圖，形成圖案化第二導電層150以做為頂閘極式薄膜電晶體的閘極電極。上述圖案化第二導電層另包括電性接觸150連接畫素電極114與源極/汲極電極125。接著，形成一第三介電層160覆蓋該頂閘極式薄膜電晶體且露出第一區域的該畫素電極114，如第1F圖所示。第二導電層(例如金屬)材料的選擇必須與底下的介電層有蝕刻選擇比。

第2A圖係顯示根據本發明之一實施例的2T-1C的畫素結構10a的電路示意圖，第2B圖係顯示第2A圖中的2T-1C的畫素結構10a的剖面示意圖。請參閱第2A圖，一主動元件2T-1C所構成的顯示畫素10a包括由掃描線22和資料線24所構成的畫素區域。顯示畫素10a另包括一切換電晶體(Switching TFT)12例如一底閘極式非晶矽薄膜電晶體，可有效地降低儲存電容16漏電，以及一驅動電晶體(Driving TFT)14例如一頂閘極式結晶矽薄膜電晶體，以提高有機發光二極體(OLED)18的亮度，並提高顯示元件的壽命。請參閱第2B圖，於此實施例中，電容50的上電極51與底閘極式薄膜電晶體(bottom gate TFT)60的源極/汲極(S/D)相接，並連接於頂閘極式薄膜電晶體(top gate TFT)70之閘極端。再者，電容50的下電極53與GND相接，而不與頂閘極式薄膜電晶體(top gate TFT)70的源極/汲極(S/D)相接。

第2C圖係顯示根據本發明另一實施例的2T-1C的畫素結構10b的電路示意圖，第2D圖係顯示第2C圖中的2T-1C的畫素結構10b的剖面示意圖。於此實施例中，電容50的上電極55與底閘極式薄膜電晶體60的源極/汲極(S/D)相接，並連接於頂閘極式薄膜電晶體70之閘極端。再者，電容50的下電極57與V_DD 相接，且與頂閘極式薄膜電晶體70的源極/汲極(S/D)電性相接。

根據本發明之實施例，製作上述整合微結晶矽電晶體和非晶矽電晶體於一2T-1C顯示畫素的製程亦為七道光罩製程，因此並沒有因為元件整合而增加製程光罩數，而能提高主動元件基板電路的可靠度與面板壽命。該2T-1C顯示畫素的製程包括形成圖案化畫素電極、形成圖案化汲極/源極區(例如微結晶矽電晶體)與定義圖案化金屬閘極區(例如非晶矽電晶體)，定義第一主動層(例如微結晶矽電晶體)、定義第二主動層(例如非晶矽電晶體)、形成接觸洞、定義閘極區(例如微結晶矽電晶體)與定義汲極/源極區(例如非晶矽電晶體)、定義保護層。

第3A-3H圖顯示根據本發明實施例有機發光二極體顯示器裝置的製造方法各步驟的剖面示意圖。請參閱第3A圖，提供一基板100具有四個區域，例如玻璃、石英、可撓式高分子透明基板或金屬薄板。一介電層112可形成於基板100上。接著，形成一圖案化畫素電極114於該基板的第一區域上。畫素電極114例如為一金屬電極或一銦錫氧化物電極。

請參閱第3B圖，形成一第一介電層120覆蓋該圖案畫電極114和基板100。接著，形成一圖案化第一導電層125a、125b、和125c分別位於第二、第三和第四區域上，以做為頂閘極式薄膜電晶體的源極/汲極電極及底閘極式薄膜電晶體的閘極電極。

請參閱第3C圖，形成微結晶矽島130或低溫多晶矽島於第二區域上，覆蓋該頂閘極式薄膜電晶體的源極/汲極電極125a和125b，做為頂閘極式薄膜電晶體的主動層。請參閱第3D圖，形成一第二介電層140於第二、第三和第四區域上，覆蓋該頂閘極式薄膜電晶體的源極/汲極電極125a和125b、該微結晶矽島130和該底閘極式薄膜電晶體的閘極電極125c。該第二介電層140的材質可為氮化矽層、氧化矽層、或氮氧化矽層、或其他合適的介電層材料。接著，形成一非晶矽島145於第四區域的第二介電層140上，對應該底閘極式薄膜電晶體的閘極電極125c，做為底閘極式薄膜電晶體的主動層。例如，於一實施例中，完成頂閘極式微結晶電晶體主動層的定義步驟後，直接以化學氣象沉積法(CVD)沈積SiN/a-Si/n⁺ a-Si三層連續沈積，其中SiN為頂閘極式電晶體與底閘極式電晶體的共同介電層。接著，形成接觸洞開口142，露出畫素電極114與源極/汲極電極125a，如第3E圖所示。應注意的是，利用畫素電極(ITO)和其他材料有蝕刻選擇比，在打開接觸洞142時，使其不至於被破壞。

請參閱第3F圖，形成圖案化第二導電層150a、150b和150c於第二、第三和第四區域上，以做為頂閘極式薄膜電晶體的閘極電極及底閘極式薄膜電晶體的源極/汲極電極。上述圖案化第二導電層另包括電性接觸150d連接畫素電極114與源極/汲極電極125a。接著，形成一第三介電層160於第二、第三和第四區域上，覆蓋該頂閘極式薄膜電晶體和該底閘極式薄膜電晶體，且露出第一區域的該畫素電極114，如第3G圖所示。第二導電層(例如金屬)材料的選擇必須與底下的介電層有蝕刻選擇比。

請參閱第3H圖，接著形成一有機發光層170於該第三介電層160上並與該畫素電極114電性接觸，形成一有機發光二極體電極180於該有機發光層170上，有機發光層170可為小分子型OLED或高分子型PLED。再者，各畫素的有機發光層170可為對應不同顏色畫素(例如紅、綠、藍)，或者為白光OLED元件。接著，形成一保護層190或對向基板於該有機發光二極體電極180上。畫素電極114、有機發光層170、和有機發光二極體電極180構成一有機發光二極體元件。例如，有機發光二極體元件可為一上發光式二極體或一下發光式二極體。

第4圖顯示根據本發明實施例的主動元件陣列基板的剖面示意圖，有鑑於此，根據上述實施例的揭露，提供一種主動元件陣列基板200包括一基板上具有主動元件所構成的一畫素陣列，各畫素包括一底閘極式非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)、一儲存電容Cs、以及一頂閘極式結晶矽薄膜電晶體(C-Si TFT)，該底閘極式非晶矽薄膜電晶體的閘極與該頂閘極式結晶矽薄膜電晶體的源極/汲極是由相同材料層所構成，以及該底閘極式非晶矽薄膜電晶體的源極/汲極與該頂閘極式結晶矽薄膜電晶體的閘極是由相同材料層所構成。由於主動元件陣列基板200包含頂閘極式微結晶矽電晶體及底閘極式非晶矽電晶體於同一畫素上，並且由於同時具有微結晶矽電晶體與非晶矽電晶體，因此可同時具有高驅動電晶體可靠度與低漏電流之切換電晶體。依此畫素電晶體設計，有機發光二極體面板可以擁有較佳的面板特性。再者，在製程中整合非晶矽電晶體和微結晶矽電晶體於一畫素中，在不增加額外製程光罩數下提高有機發光二極體面板的品質，如此的畫素與製程結構設計能符合量產與效能兼備的需求。

本發明雖以各種實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10a、10b．．．顯示畫素

12．．．切換電晶體(Switching TFT)

14．．．驅動電晶體(Driving TFT)

16．．．儲存電容

18．．．有機發光二極體

22．．．掃描線

24‧‧‧資料線

50‧‧‧電容

51、55‧‧‧上電極

53、57‧‧‧下電極

60‧‧‧底閘極式薄膜電晶體

70‧‧‧頂閘極式薄膜電晶體

100‧‧‧基板

112‧‧‧介電層

114‧‧‧畫素電極

120‧‧‧第一介電層

125、125a、125b、和125c‧‧‧圖案化第一導電層

130‧‧‧微結晶矽島

140‧‧‧第二介電層

145‧‧‧非晶矽島

142‧‧‧接觸洞

150、150a-150d‧‧‧第二導電層

160‧‧‧第三介電層

170‧‧‧有機發光層

180‧‧‧有機發光二極體電極

190‧‧‧保護層

200‧‧‧主動元件陣列基板

第1A-1F圖顯示根據本發明實施例有機發光二極體下板製造方法各步驟的剖面示意圖；

第2A圖係顯示根據本發明之一實施例的2T-1C的畫素結構10a的電路示意圖；

第2B圖係顯示第2A圖中的2T-1C的畫素結構10a的剖面示意圖；

第2C圖係顯示根據本發明另一實施例的2T-1C的畫素結構10b的電路示意圖；

第2D圖係顯示第2C圖中的2T-1C的畫素結構10b的剖面示意圖；

第3A-3H圖顯示根據本發明實施例有機發光二極體顯示器裝置的製造方法各步驟的剖面示意圖；以及

第4圖顯示根據本發明實施例的主動元件陣列基板的剖面示意圖。

100．．．基板

112．．．介電層

114．．．畫素電極

120．．．第一介電層

125a、125b、和125c．．．圖案化第一導電層

130．．．微結晶矽島

140．．．第二介電層

145．．．非晶矽島

150a-150d．．．第二導電層

160．．．第三介電層

170．．．有機發光層

180．．．有機發光二極體電極

190．．．保護層

Claims

一種有機發光二極體顯示器下板，包括：一基板上具有主動元件所構成的一畫素陣列，各畫素包括：一畫素電極；一儲存電容；一薄膜電晶體；其中該畫素電極埋藏於該薄膜電晶體之下且與電晶體之汲極/源極電性連接。
如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器下板，其中該薄膜電晶體可為頂閘極式薄膜電晶體或為底閘極式薄膜電晶體。
如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器下板，其中該薄膜電晶體可以為非晶矽或為結晶矽薄膜電晶體。
如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器下板，其中該畫素電極的材料可為一金屬電極或一銦錫氧化物電極。
如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器下板，其中該基板包括玻璃、石英、可撓式高分子透明基板或金屬薄板。
一種主動元件陣列基板，包括：一基板上具有主動元件所構成的一畫素陣列，各畫素包括：一底閘極式非晶矽薄膜電晶體；一儲存電容；以及一頂閘極式結晶矽薄膜電晶體；其中該底閘極式非晶矽薄膜電晶體的閘極與該頂閘極式結晶矽薄膜電晶體的源極/汲極是由圖案化第一材料層所構成；以及其中該底閘極式非晶矽薄膜電晶體的源極/汲極與該頂閘極式結晶矽薄膜電晶體的閘極是由圖案化第二材料層所構成。
如申請專利範圍第6項所述之主動元件陣列基板，其中該基板包括玻璃、石英、可撓式高分子透明基板或金屬薄板。
如申請專利範圍第6項所述之主動元件陣列基板，其中該頂閘極式結晶矽薄膜電晶體為一多晶矽薄膜電晶體或一微晶矽薄膜電晶體，做為驅動該畫素的電晶體。
如申請專利範圍第6項所述之主動元件陣列基板，其中該底閘極式非晶矽薄膜電晶體為切換該畫素的電晶體。
如申請專利範圍第6項所述之主動元件陣列基板，其中該儲存電容具有一下電極與該頂閘極式結晶矽薄膜電晶體的源極/汲極電性連接以及一上電極與該底閘極式非晶矽薄膜電晶體的源極/汲極電性連接。
如申請專利範圍第6項所述之主動元件陣列基板，更包括一畫素電極設置於一基板上，且與該頂閘極式結晶矽薄膜電晶體的源極/汲極電性連接。
一種有機發光二極體顯示器裝置，包括：一基板上具有主動元件所構成的一畫素陣列，各畫素包括：一底閘極式非晶矽薄膜電晶體；一儲存電容；一頂閘極式結晶矽薄膜電晶體；一有機發光二極體元件包括一有機發光二極體電極、一有機發光層及一畫素電極；其中該底閘極式非晶矽薄膜電晶體的閘極、該儲存電容的下電極與該頂閘極式結晶矽薄膜電晶體的源極/汲極是由圖案化第一材料層所構成；其中該底閘極式非晶矽薄膜電晶體的源極/汲極、該儲存電容的上電極、與該頂閘極式結晶矽薄膜電晶體的閘極是由圖案化第二材料層所構成；以及其中該畫素電極與該頂閘極式結晶矽薄膜電晶體的源極/汲極電性連接。
如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體顯示器裝置，其中該基板包括玻璃、石英、可撓式高分子透明基板或金屬薄板。
如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體顯示器裝置，其中該頂閘極式結晶矽薄膜電晶體為一多晶矽薄膜電晶體或一微晶矽薄膜電晶體，做為驅動該畫素的電晶體。
如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體顯示器裝置，其中該底閘極式非晶矽薄膜電晶體為切換該畫素的電晶體。
如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體顯示器裝置，其中該儲存電容的下電極與該頂閘極式結晶矽薄膜電晶體的源極/汲極電性連接，以及該儲存電容的上電極與該底閘極式非晶矽薄膜電晶體的源極/汲極電性連接。
如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體顯示器裝置，其中有機發光二極體元件為一上發光式二極體或一下發光式二極體。
如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體顯示器裝置，其中該有機發光二極體元件為小分子發光二極體或高分子發光二極體。
如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體顯示器裝置，其中該發光二極體的電極為一金屬電極或一銦錫氧化物電極。
一種有機發光二極體顯示器裝置的製造方法，包括：提供一基板具有四個區域；形成一圖案化畫素電極於該基板的第一區域上；形成一第一介電層覆蓋該圖案案化畫素電極和該基板；形成一圖案化第一導電層於第二、第三和第四區域上，以做為頂閘極式薄膜電晶體的源極/汲極電極及底閘極式薄膜電晶體的閘極電極；形成一結晶矽島於第二區域上，覆蓋該頂閘極式薄膜電晶體的源極/汲極電極；形成一第二介電層於第二、第三和第四區域上，覆蓋該頂閘極式薄膜電晶體的源極/汲極電極、該結晶矽島和該底閘極式薄膜電晶體的閘極電極；形成一非晶矽島於第四區域的第二介電層上，對應該底閘極式薄膜電晶體的閘極電極；形成一圖案化第二導電層於第二、第三和第四區域上，以做為頂閘極式薄膜電晶體的閘極電極及底閘極式薄膜電晶體的源極/汲極電極；形成一第三介電層於第二、第三和第四區域上，覆蓋該頂閘極式薄膜電晶體和該底閘極式薄膜電晶體，且露出第一區域的該畫素電極；形成一有機發光層於該第三介電層上並與該畫素電極電性接觸；形成一發光二極體的電極於該有機發光層上；以及形成一保護層於該發光二極體的電極上。
如申請專利範圍第20項所述之有機發光二極體顯示器裝置的製造方法，其中該基板包括玻璃、石英、可撓式高分子透明基板或金屬薄板。
如申請專利範圍第20項所述之有機發光二極體顯示器裝置的製造方法，其中該畫素電極為一金屬電極或一銦錫氧化物電極。
如申請專利範圍第20項所述之有機發光二極體顯示器裝置的製造方法，其中該第二介電層為氮化矽層、氧化矽層、或氮氧化矽層等低介電常數材料或高介電常數材料。
如申請專利範圍第20項所述之有機發光二極體顯示器裝置的製造方法，其中該非晶矽島為一非晶矽/N-型濃摻雜非晶矽複合層。
如申請專利範圍第20項所述之有機發光二極體顯示器裝置的製造方法，其中該頂閘極式薄膜電晶體為一多晶矽薄膜電晶體或一微晶矽薄膜電晶體，做為驅動該畫素的電晶體。
如申請專利範圍第20項所述之有機發光二極體顯示器裝置的製造方法，其中該底閘極式薄膜電晶體為切換該畫素的電晶體。
如申請專利範圍第20項所述之有機發光二極體顯示器裝置的製造方法，其中該有機發光二極體元件為小分子發光二極體或高分子發光二極體。
如申請專利範圍第20項所述之有機發光二極體顯示器裝置的製造方法，其中該畫素電極與該頂閘極式薄膜電晶體的源極/汲極電性連接。
如申請專利範圍第20項所述之有機發光二極體顯示器裝置的製造方法，其中該第一導電層、該第二介電層和該第二導電層於第三區域中構成一儲存電容，其中該第一導電層與該頂閘極式薄膜電晶體的源極/汲極電性連接，以及該第二導電層與該底閘極式非晶矽薄膜電晶體的源極/汲極電性連接。