CN114335023A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域。该显示面板中氧化物薄膜晶体管的氧化物层以及氧化物薄膜晶体管的第一源极(或第一漏极)之间设计有第二绝缘层，因此可以避免氧化物层与第一源极(或第一漏极)直接接触。由此，在制备得到第一源极和第一漏极的过程中，该第二绝缘层可以对氧化物层起到保护作用，能够避免氧化物层被损伤，能够保证显示面板的良率。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

显示面板包括衬底基板，以及位于衬底基板的一侧的多个子像素。每个子像素包括像素电路以及发光单元，像素电路用于驱动发光单元发光。

相关技术中，低温多晶氧化物(low temperature poly oxide，LTPO)显示面板中子像素的像素电路包括至少一个氧化物薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)。低温多晶硅(low temperature poly silicon，LTPS)显示面板中子像素的像素电路包括的TFT均为LTPS TFT。由于氧化物TFT相比LTPS TFT而言，可以节省电量，降低显示装置的功耗，因此现有的显示面板通常设计为LTPO显示面板。

但是，制备LTPO显示面板的过程中，容易导致氧化物薄膜晶体管的氧化物层损伤，LTPO显示面板的良率较低。

发明内容

本申请提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，可以解决相关技术中显示面板的良率较低的问题。所述技术方案如下：

一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括：

衬底基板；

以及，位于所述衬底基板的一侧的氧化物薄膜晶体管，第一绝缘层和第二绝缘层，所述氧化物薄膜晶体管包括：第一栅极，氧化物层，第一源极和第一漏极；

其中，所述第一栅极位于所述衬底基板的一侧，所述第一绝缘层位于所述第一栅极远离所述衬底基板的一侧，所述氧化物层位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述第二绝缘层位于所述氧化物层远离所述衬底基板的一侧，所述第一源极和所述第一漏极间隔设置，且均位于所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述第一源极通过所述第二绝缘层中的第一过孔与所述氧化物层连接，所述第一漏极通过所述第二绝缘层中的第二过孔与所述氧化物层连接。

可选的，所述氧化物层的材料为铟镓锌氧化物。

可选的，所述显示面板还包括：位于所述衬底基板的一侧的低温多晶硅薄膜晶体管，第三绝缘层以及第四绝缘层；所述低温多晶硅薄膜晶体管包括：有源层，第二栅极，第二源极和第二漏极；

所述有源层，所述第三绝缘层，所述第二栅极以及所述第四绝缘层沿远离所述衬底基板的方向依次层叠，所述第二源极和所述第二漏极间隔设置，且均与所述有源层连接。

可选的，所述第一栅极位于所述第四绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述第二源极，所述第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极位于同层；

所述第一绝缘层，所述第二绝缘层，所述第三绝缘层以及所述第四绝缘层中具有第三过孔和第四过孔，所述第二源极通过所述第三过孔与所述有源层连接，所述第二漏极通过所述第四过孔与所述有源层连接。

可选的，所述显示面板还包括：沿远离所述第一源极的方向依次层叠的第五绝缘层，连接层，第六绝缘层，阳极层以及像素界定层；

所述连接层通过所述第五绝缘层中的第五过孔与所述第二漏极连接，所述阳极层通过所述第六绝缘层中的第六过孔与所述连接层连接，所述像素界定层具有镂空区域，所述镂空区域用于露出所述阳极层。

可选的，所述第一绝缘层，所述第二绝缘层，所述第三绝缘层以及所述第四绝缘层的材料均为无机材料；

所述第五绝缘层和所述第六绝缘层的材料均为有机材料。

可选的，所述显示面板还包括：存储电容，所述存储电容包括第一电容极板和第二电容极板；

其中，所述第一电容极板与所述第二栅极位于同层，所述第二电容极板与所述第一栅极位于同层。

另一方面，提供了一种显示面板的制备方法，所述方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板的一侧形成氧化物薄膜晶体管的第一栅极；

在所述第一栅极远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层所述衬底基板的一侧形成所述氧化物薄膜晶体管的氧化物层；

在所述氧化物层远离所述衬底基板的一侧形成第二绝缘层，所述第二绝缘层中具有第一过孔和第二过孔；

以及，在所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成所述氧化物薄膜晶体管的第一源极和第一漏极，所述第一源极和所述第一漏极间隔设置，所述第一源极通过所述第一过孔与所述氧化物层连接，所述第一漏极通过所述第二过孔与所述氧化物层连接。

可选的，在所述衬底基板的一侧形成氧化物薄膜晶体管的第一栅极之前，所述方法还包括：

在所述衬底基板的一侧形成低温多晶硅薄膜晶体管的有源层；

在所述有源层远离所述衬底基板的一侧形成第三绝缘层；

在所述第三绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的第二栅极；

在所述第二栅极远离所述衬底基板的一侧形成第四绝缘层；

在所述衬底基板的一侧形成氧化物薄膜晶体管的第一栅极之后，所述方法还包括：

在所述衬底基板的一侧形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的第二源极和第二漏极，所述第二源极和所述第二漏极间隔设置，且均与所述有源层连接。

可选的，在所述衬底基板的一侧形成氧化物薄膜晶体管的第一栅极，包括：

在所述第四绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成所述氧化物薄膜晶体管的第一栅极；

形成所述第一源极，所述第一漏极，所述第二源极和所述第二漏极，包括：

在所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成所述第一源极，所述第一漏极，所述第二源极和所述第二漏极。

可选的，形成第一绝缘层，所述第二绝缘层，所述第三绝缘层以及所述第四绝缘层，包括：

在所述有源层远离所述衬底基板的一侧形成第三绝缘膜层；

在所述第二栅极远离所述衬底基板的一侧形成第四绝缘膜层；

在所述第一栅极远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘膜层；

在所述氧化物层远离所述衬底基板的一侧形成第二绝缘膜层；

对所述第一绝缘膜层，所述第二绝缘膜层，所述第三绝缘膜层，以及所述第四绝缘膜层进行第一次图案化处理，得到所述第一中间绝缘层，所述第二中间绝缘层，所述第三中间绝缘层以及所述第四中间绝缘层；

对所述第一中间绝缘层，所述第二中间绝缘层，所述第三中间绝缘层以及所述第四中间绝缘层进行第二次图案化处理，得到所述第一绝缘层，所述第二绝缘层，所述第三绝缘层以及所述第四绝缘层；

其中，所述第一中间绝缘层，所述第二中间绝缘层，所述第三中间绝缘层以及所述第四中间绝缘层具有第三过孔和第四过孔，所述第一源极通过所述第三过孔与所述有源层连接，所述第二漏极通过所述第四过孔与所述有源层连接；所述第二中间绝缘层不具有所述第一过孔和所述第二过孔。

可选的，所述衬底基板具有显示区以及位于所述显示区的一侧的弯折区；所述对所述第一绝缘膜层，所述第二绝缘膜层，所述第三绝缘膜层，以及所述第四绝缘膜层进行第一次图案化处理，包括：

对所述第一绝缘膜层，所述第二绝缘膜层，所述第三绝缘膜层，以及所述第四绝缘膜层位于所述显示区的部分进行刻蚀，形成所述第三过孔和所述第四过孔，并对所述第一绝缘膜层，所述第二绝缘膜层，所述第三绝缘膜层，以及所述第四绝缘膜层位于所述弯折区的部分进行第一次刻蚀，形成第七过孔；

所述对所述第一中间绝缘层，所述第二中间绝缘层，所述第三中间绝缘层以及所述第四中间绝缘层进行第二次图案化处理，包括：

对所述第二中间绝缘层位于所述显示区的部分进行刻蚀，形成所述第一过孔和所述第二过孔，并对所述第一中间绝缘层，所述第二中间绝缘层，所述第三中间绝缘层，以及所述第四中间绝缘层中所述第七过孔所在的区域进行第二次刻蚀，形成第八过孔。

可选的，在所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成所述氧化物薄膜晶体管的第一源极和第一漏极之后，所述方法还包括：

在所述第一源极远离所述衬底基板的方向依次形成第五绝缘层，连接层，第六绝缘层，阳极层以及像素界定层；

其中，所述连接层通过所述第五绝缘层中的第五过孔与所述第二漏极连接，所述阳极层通过所述第六绝缘层中的第六过孔与所述连接层连接，所述像素界定层具有镂空区域，所述镂空区域用于露出所述阳极层。

可选的，所述第一绝缘层，所述第二绝缘层，所述第三绝缘层以及所述第四绝缘层的材料均为无机材料；

所述第五绝缘层和所述第六绝缘层的材料均为有机材料。

又一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：供电组件以及如上述方面所述的显示面板；

其中，所述供电组件用于为所述显示面板供电。

本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：

本申请提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，该显示面板中氧化物薄膜晶体管的氧化物层以及氧化物薄膜晶体管的第一源极(或第一漏极)之间设计有第二绝缘层，因此可以避免氧化物层与第一源极(或第一漏极)直接接触。由此，在制备得到第一源极和第一漏极的过程中，该第二绝缘层可以对氧化物层起到保护作用，能够避免氧化物层被损伤，能够保证显示面板的良率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是相关技术中的一种显示面板的结构示意图；

图2是相关技术中的另一种显示面板的结构示意图；

图3是本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图4是本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图5是本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图；

图6是本申请实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程图；

图7是本申请实施例提供的一种形成第七绝缘膜层，有源层，第三绝缘膜层，第二栅极以及第四绝缘膜层的示意图；

图8是本申请实施例提供的一种形成第一栅极的示意图；

图9是本申请实施例提供的一种形成第一绝缘膜层的示意图；

图10是本申请实施例提供的一种形成氧化物层的示意图；

图11是本申请实施例提供的一种形成第二绝缘膜层的示意图；

图12是本申请实施例提供的一种形成第三过孔，第四过孔和第七过孔的示意图；

图13是本申请实施例提供的一种形成第一过孔，第二过孔和第八过孔的示意图；

图14是本申请实施例提供的一种形成第一源极，第一漏极，第二源极和第二漏极的示意图；

图15是本申请实施例提供的一种形成第五绝缘层的示意图；

图16是本申请实施例提供的一种形成连接层的示意图；

图17是本申请实施例提供的一种形成第六绝缘层的示意图；

图18是本申请实施例提供的一种形成阳极层的示意图；

图19是相关技术中提供的显示面板的制备方法的流程图；

图20是相关技术中形成第一缓冲膜层，低温多晶硅薄膜晶体管的有源层，第一栅极绝缘膜层，低温多晶硅薄膜晶体管的栅极以及第二栅极绝缘膜层的示意图；

图21是相关技术中形成氧化物薄膜晶体管的栅极的示意图；

图22是相关技术中形成第二缓冲膜层的示意图；

图23是相关技术中形成第九过孔，第十过孔和第十一过孔的示意图；

图24是相关技术中形成氧化物薄膜晶体管的氧化物层的示意图；

图25是相关技术中形成低温多晶硅薄膜晶体管的源极和漏极，以及形成氧化物薄膜晶体管的源极和漏极的示意图；

图26是相关技术中形成钝化层的示意图；

图27是相关技术中形成第十二过孔的示意图；

图28是相关技术中形成第一平坦层，连接层，第二平坦层，阳极层以及像素界定层的示意图；

图29是本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。

为降低显示装置的功耗，现有的显示面板通常设计为LTPO显示面板。但是，LTPO显示面板的制备较为复杂，所采用的掩膜板(mask)的数量较多(相对于LTPS显示面板多了两道mask)，制备成本较高。由此，为了减少制备LTPO显示面板所采用的掩膜板的数量，可以使得LTPO显示面板中的氧化物薄膜晶体管采用如图1所示的背沟道刻蚀型结构(backchannel etch，BCE)，简称为LTPO BCE显示面板。该LTPO BCE显示面板相对于普通的LTPO显示面板可以节省一道掩膜板以及多个沉积工艺。

但是，参考图1，LTPO BCE显示面板的氧化物膜晶体管中的氧化物层和源漏极层(源漏极层包括间隔设置的源极和漏极)直接接触。因此制备得到源极和漏极的过程中，对用于形成源极和漏极的金属膜层刻蚀时会对氧化物层造成损伤，导致氧化物薄膜晶体管的阈值电压(Vth)负偏，分散性增大，稳定性变差。

相关技术中，为了避免刻蚀金属膜层时对氧化物层造成损伤的问题，提出一种双层氧化物层(两层氧化物层的材料相同，配比不同，需要分两次制备)的方案。参考图2，第一层氧化物层作为沟道层，第二层氧化物层作为保护层。在制备图2所示的氧化物薄膜晶体管时，由于氧化物薄膜晶体管中的第二层氧化物层可以对第一层氧化物层起到保护作用，因此可以避免刻蚀金属膜层时对氧化物层造成损伤。但是，由于该方案需要单独形成一层第二层氧化物层，因此会导致成本较高，产能下降。并且，由于源漏极层与第二层氧化物层的接触电阻往往较大，因此不利于高刷新率的显示面板的开发。

本申请所有实施例中采用的晶体管均可以为场效应管或其他特性相同的器件，根据在电路中的作用本公开的实施例所采用的晶体管主要为开关晶体管。本申请实施例所采用的开关晶体管可以包括P型开关晶体管和N型开关晶体管中的任一种，其中，P型开关晶体管在栅极为低电平时导通，在栅极为高电平时截止，N型开关晶体管在栅极为高电平时导通，在栅极为低电平时截止。

本申请的实施方式部分使用的术语仅用于对本申请的实施例进行解释，而非旨在限定本申请。除非另作定义，本申请的实施方式使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”、“第三”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则所述相对位置关系也可能相应地改变。

图3是本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图。参考图3可以看出，该显示面板10可以包括：衬底基板101，以及位于衬底基板101的一侧的氧化物薄膜晶体管102，第一绝缘层103和第二绝缘层104。该氧化物薄膜晶体管102可以包括：第一栅极1021，氧化物层1022，第一源极1023和第一漏极1024。

参考图3，该第一栅极1021位于衬底基板101的一侧，第一绝缘层103位于第一栅极1021远离衬底基板101的一侧，氧化物层1022位于第一绝缘层103远离衬底基板101的一侧，第二绝缘层104位于氧化物层1022远离衬底基板101的一侧。第一源极1023和第一漏极1024间隔设置，且均位于第二绝缘层104远离衬底基板101的一侧。第一源极1023通过第二绝缘层104中的第一过孔与氧化物层1022连接，第一漏极1024通过第二绝缘层104中的第二过孔与氧化物层1022连接。

在本申请实施例中，制备得到第一源极1023和第一漏极1024的过程可以包括：先形成一金属膜层，然后再对该金属膜层进行图案化处理以得到第一源极1023和第一漏极1024。其中，图案化处理的过程包括：在金属膜层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，对光刻胶进行显影，刻蚀掉未被光刻胶保护的金属膜层的部分以及去除剩余的光刻胶。

由于第二绝缘层104位于氧化物层1022以及第一源极1023(或第一漏极1024)之间，因此该第二绝缘层104可以对氧化物层1022起到保护作用。由此，在制备第一源极1023和第一漏极1024的过程中，对金属膜层(该金属膜层用于制备形成第一源极1023和第一漏极1024)的刻蚀不会对氧化物层1022造成损伤，能够保证显示面板10的良率，有利于显示面板10的量产。

并且，本申请实施例提供的显示面板10无需制备两层氧化物层1022(下层氧化物层1022作为沟道层，上层氧化物层1022作为保护层)，因此不会导致显示面板10的制备成本太高，能够提高产能。同时，能够避免第一源极1023(或第一漏极1024)与上层的氧化物层1022的接触电阻太大，有利于开发得到高刷新率的显示面板10。

综上所述，本申请实施例提供了一种显示面板，该显示面板中氧化物薄膜晶体管的氧化物层以及氧化物薄膜晶体管的第一源极(或第一漏极)之间设计有第二绝缘层，因此可以避免氧化物层与第一源极(或第一漏极)直接接触。由此，在制备得到第一源极和第一漏极的过程中，该第二绝缘层可以对氧化物层起到保护作用，能够避免氧化物层被损伤，能够保证显示面板的良率。

可选的，该氧化物层1022的材料可以为铟镓锌氧化物(indium gallium zincoxide，IGZO)。

图4是本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。参考图4可以看出，该显示面板10还可以包括：位于衬底基板101的一侧的低温多晶硅薄膜晶体管105，第三绝缘层106以及第四绝缘层107。其中，低温多晶硅薄膜晶体管105可以包括：有源层1051，第二栅极1052，第二源极1053和第二漏极1054。有源层1051，第三绝缘层106，第二栅极1052以及第四绝缘层107沿远离衬底基板101的方向依次层叠。第二源极1053和第二漏极1054间隔设置，且均与有源层1051连接。

参考图4，第一栅极1021可以位于第四绝缘层107远离衬底基板101的一侧。第二源极1053，第二漏极1054，第一源极1023和第一漏极1024可以位于同层。也即是，参考图4，有源层1051，第三绝缘层106，第二栅极1052，第四绝缘层107，第一栅极1021，第一绝缘层103，氧化物层1022，第二绝缘层104以及第一源极1023沿远离衬底基板101的方向依次层叠。

其中，第二源极1053，第二漏极1054，第一源极1023和第一漏极1024位于同层可以是指：第二源极1053，第二漏极1054，第一源极1023和第一漏极1024采用相同材料由同一次构图工艺制备得到。示例的，制备第二源极1053，第二漏极1054，第一源极1023和第一漏极1024的过程可以包括：在第二绝缘层104远离衬底基板101的一侧沉积一层金属膜层，对该金属膜层进行图案化处理得到第二源极1053，第二漏极1054，第一源极1023和第一漏极1024。其中，该金属膜层可以成为第一源漏极膜层。

在本申请实施例中，第一绝缘层103，第二绝缘层104，第三绝缘层106以及第四绝缘层107中具有第三过孔和第四过孔。第二源极1053可以通过第三过孔与有源层1051连接，第二漏极1054可以通过第四过孔与有源层1051连接。

参考图4，该显示面板10还可以包括：沿远离第一源极1023的方向依次层叠的第五绝缘层108，连接层109，第六绝缘层110，阳极层111以及像素界定层112。连接层109通过第五绝缘层108中的第五过孔与第二漏极1054连接，阳极层111通过第六绝缘层110中的第六过孔与连接层109连接。也即是，阳极层111通过连接层109与第二漏极1054连接，从而使得低温多晶硅薄膜晶体管105能够为阳极层111传输信号。另外，像素界定层112具有镂空区域，该镂空区域用于露出阳极层111，以便阳极层111与后续形成的发光材料接触。

可选的，连接层109的材料可以为金属材料。例如，连接层109，第一源极1023，第一漏极1024，第二源极1053和第二漏极1054的材料可以相同。当然也可以不同，本申请实施例对此不做限定。

可选的，第一绝缘层103，第二绝缘层104，第三绝缘层106以及第四绝缘层107的材料均可以为无机材料。第五绝缘层108和第六绝缘层110的材料可以为有机材料。也即是，第一绝缘层103，第二绝缘层104，第三绝缘层106以及第四绝缘层107均为无机材料层，第五绝缘层108和第六绝缘层110均为有机材料层。

由于氧化物层1022远离衬底基板101的一侧具有由无机材料制备得到的第二绝缘层104，该第二绝缘层104可以对氧化物层1022起到保护作用，因此无需再在第一源极1023远离衬底基板101的一侧设计其他的无机材料层来保护氧化物层1022。由此，可以节省一层无机材料层的制备工艺，提高显示面板10的产能。

另外，图4中，显示面板10还包括第七绝缘层113，该第七绝缘层113可以位于有源层1051和衬底基板101之间。该第七绝缘层113的材料可以为无机材料，即该第七绝缘层113可以为无机材料层。

示例的，图4中沿远离衬底基板101的方向的各个绝缘层分别为：第七绝缘层113可以为第一缓冲层(buffer)。第三绝缘层106可以为第一栅极绝缘层(gate insulator，GI)。第四绝缘层107可以为第二栅极绝缘层。第一绝缘层103可以为第二缓冲层，第二绝缘层104可以为层间介电层(inter level dielectric，ILD)。第五绝缘层108可以为第一平坦层(planarization layer，PLN)。第六绝缘层110可以为第二平坦层。

在本申请实施例中，参考图4，衬底基板101可以具有显示区101a以及位于显示区101a的一侧的弯折区101b。无机材料层位于该弯折区101b的部分的厚度小于厚度阈值，从而可以便于沿该弯折区101b弯折，以将显示面板10中的驱动电路弯折至非显示侧，提高显示面板10的屏占比。

参考图4，显示面板10还包括位于弯折区101b的信号线114，该信号线114可以与连接层109位于同层。也即是，该信号线114可以与连接层109采用相同材料由同一次构图工艺制备得到。其中，该信号线114可以为数据信号线114。

示例的，制备连接层109和信号线114的过程可以包括：在第五绝缘层108远离衬底基板101的一侧沉积一层金属膜层，对该金属膜层进行图案化处理得到连接层109和信号线114。其中，该金属膜层可以称为第二源漏极膜层。

参考图4，该显示面板10还可以包括：存储电容115。该存储电容115可以包括第一电容极板1151和第二电容极板1152。其中，第一电容极板1151可以与第二栅极1052位于同层，第二电容极板1152可以与第一栅极1021位于同层。也即是，第一电容极板1151与第二栅极1052可以采用相同材料并由同一次构图工艺制备得到。第二电容极板1152和第一栅极1021可以采用相同材料并由同一次构图工艺制备得到。

综上所述，本申请实施例提供了一种显示面板，该显示面板中氧化物薄膜晶体管的氧化物层以及氧化物薄膜晶体管的第一源极(或第一漏极)之间设计有第二绝缘层，因此可以避免氧化物层与第一源极(或第一漏极)直接接触。由此，在制备得到第一源极和第一漏极的过程中，该第二绝缘层可以对氧化物层起到保护作用，能够避免氧化物层被损伤，能够保证显示面板的良率。

图5是本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图。参考图5，该方法可以包括：

步骤201、提供一衬底基板。

在本申请实施例中，制备显示面板10时，可以先获取一衬底基板101。该衬底基板101可以为玻璃基板。

步骤202、在衬底基板的一侧形成氧化物薄膜晶体管的第一栅极。

在本申请实施例中，在获取衬底基板101之后，在该衬底基板101的一侧形成氧化物薄膜晶体管102的第一栅极1021。可选的，该第一栅极1021的材料可以为金属材料。

示例的，形成第一栅极1021的过程可以包括：先在衬底基板101的一侧形成一金属膜层，然后再对该金属膜层进行图案化处理以得到第一栅极1021。其中，图案化处理的过程包括：光刻胶涂覆，曝光，显影，刻蚀以及去除光刻胶。

步骤203、在第一栅极远离衬底基板的一侧形成第一绝缘层。

在本申请实施例中，在形成第一栅极1021之后，可以在该第一栅极1021远离衬底基板101的一侧形成第一绝缘层103。该第一绝缘层103的材料可以为无机材料。该第一绝缘层103可以用于使得第一栅极1021与后续形成的氧化物层1022绝缘。

步骤204、在第一绝缘层远离衬底基板的一侧形成氧化物薄膜晶体管的氧化物层。

在本申请实施例中，在形成第一绝缘层103之后，可以在该第一绝缘层103远离衬底基板101的一侧形成氧化物层1022。该氧化物层1022的材料可以为IGZO。

步骤205、在氧化物层远离衬底基板的一侧形成第二绝缘层。

在本申请实施例中，形成氧化物层1022之后，可以在氧化物层1022远离衬底基板101的一侧形成第二绝缘层104。该第二绝缘层104的材料可以为无机材料。该第二绝缘层104中具有第一过孔和第二过孔。

步骤206、在第二绝缘层远离衬底基板的一侧形成氧化物薄膜晶体管的第一源极和第一漏极。

在本申请实施例中，形成第二绝缘层104之后，可以在该第二绝缘层104远离衬底基板101的一侧形成第一源极1023和第一漏极1024。其中，第一源极1023和第一漏极1024间隔设置，第一源极1023通过第一过孔与氧化物层1022连接，第一漏极1024通过第二过孔与氧化物层1022连接。

示例的，形成第一源极1023和第一漏极1024的过程可以包括：先在第二绝缘层104远离衬底基板101的一侧形成一金属膜层，然后再对该金属膜层进行图案化处理以得到第一源极1023和第一漏极1024。

由于本申请实施例在形成第一源极1023和第二漏极1054之前，在氧化物层1022远离衬底基板101的一侧形成了一层第二绝缘层104，因此该第二绝缘层104可以对氧化物层1022起到保护作用。在制备第一源极1023和第一漏极1024的过程中，对金属膜层(该金属膜层用于制备形成第一源极1023和第一漏极1024)的刻蚀不会对氧化物层1022造成损伤，能够保证显示面板10的良率，有利于显示面板10的量产。

并且，本申请实施例无需制备两层氧化物层1022(下层氧化物层1022作为沟道层，上层氧化物层1022作为保护层)，因此不会导致显示面板10的制备成本太高，能够提高产能。同时，能够避免第一源极1023(或第一漏极1024)与上层的氧化物层1022的接触电阻太大，有利于开发得到高刷新率的显示面板10。

综上所述，本申请实施例提供了一种显示面板的制备方法，该方法制备得到的显示面板中，氧化物薄膜晶体管的氧化物层以及氧化物薄膜晶体管的第一源极(或第一漏极)之间形成有第二绝缘层，因此可以避免氧化物层与第一源极(或第一漏极)直接接触。由此，在形成第一源极和第一漏极的过程中，该第二绝缘层可以对氧化物层起到保护作用，能够避免氧化物层被损伤，能够保证显示面板的良率。

图6是本申请实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程图。参考图6，该方法可以包括：

步骤301、在衬底基板的一侧依次形成第七绝缘膜层，低温多晶硅薄膜晶体管的有源层，第三绝缘膜层，低温多晶硅薄膜晶体管的第二栅极以及第四绝缘膜层。

在本申请实施例中，在制备显示面板10时，可以先获取一衬底基板101。之后，参考图7，可以在该衬底基板101的一侧依次形成第七绝缘膜层113a，低温多晶硅薄膜晶体管105的有源层1051，第三绝缘膜层106a，低温多晶硅薄膜晶体管105的第二栅极1052以及第四绝缘膜层107a。

其中，衬底基板101可以为玻璃基板。第七绝缘层113可以为第一缓冲层，该第七绝缘膜层113a可以整层覆盖衬底基板101。第三绝缘膜层106a可以为第一栅极绝缘膜层，该第三绝缘膜层106a可以整层覆盖衬底基板101。第四绝缘膜层107a可以为第二栅极绝缘膜层，该第四绝缘膜层107a可以整层覆盖衬底基板101。也即是，形成第七绝缘膜层113a，第三绝缘膜层106a以及第四绝缘膜层107a的过程中，无需进行图案化处理(即无需采用掩膜板对光刻胶进行曝光)。

当然，低温多晶硅薄膜晶体管105的有源层1051以及低温多晶硅薄膜晶体管105的第二栅极1052均为图案化结构，因此形成低温多晶硅薄膜晶体管105的有源层1051以及低温多晶硅薄膜晶体管105的第二栅极1052的过程中，均需要进行图案化处理，即均需要采用掩膜版对光刻胶进行曝光。

例如，形成低温多晶硅薄膜晶体管105的有源层1051的过程包括：在第七绝缘膜层113a远离衬底基板101的一侧形成有源膜层，之后对该有源膜层进行图案化处理得到有源层1051。形成低温多晶硅薄膜晶体管105的第二栅极1052的过程包括：在第三绝缘膜层106a远离衬底基板101的一侧形成第二栅极1052膜层，之后对该第二栅极1052膜层进行图案化处理得到第二栅极1052。

其中，对有源膜层进行图案化处理所采用的掩膜板以及对第二栅极1052膜层进行图案化处理所采用的掩膜板为不同的掩膜板。也即是，在该步骤301中所需采用的掩膜板的数量为2。

步骤302、在第四绝缘膜层远离衬底基板的一侧形成氧化物薄膜晶体管的第一栅极。

在本申请实施例中，参考图8，在形成第四绝缘膜层107a之后，可以在该第四绝缘膜层107a远离衬底基板101的一侧形成氧化物薄膜晶体管102的第一栅极1021。

其中，由于氧化物薄膜晶体管102的第一栅极1021为图案化结构，因此形成氧化物薄膜晶体管102的第一栅极1021的过程中，需要进行图案化处理，即均需要采用掩膜版对光刻胶进行曝光。

形成氧化物薄膜晶体管102的第一栅极1021的过程包括：在第四绝缘膜层107a远离衬底基板101的一侧形成第一栅极膜层，之后对该第一栅极膜层进行图案化处理得到第一栅极1021。

步骤303、在第一栅极远离衬底基板的一侧形成第一绝缘膜层。

在本申请实施例中，参考图9，在形成第一栅极1021之后，可以在该第一栅极1021远离衬底基板101的一侧形成第一绝缘膜层103a。该第一绝缘膜层103a可以为第二缓冲膜层。该第一绝缘膜层103a可以整层覆盖衬底基板101。也即是，形成第一绝缘膜层103a的过程中，无需进行图案化处理(即无需采用掩膜板对光刻胶进行曝光)。

步骤304、在第一绝缘膜层远离衬底基板的一侧形成氧化物薄膜晶体管的氧化物层。

在本申请实施例中，参考图10，在形成第一绝缘膜层103a之后，可以在该第一绝缘膜层103a远离衬底基板101的一侧形成氧化物薄膜晶体管102的氧化物层1022。

其中，由于氧化物薄膜晶体管102的氧化物层1022为图案化结构，因此形成氧化物薄膜晶体管102的氧化物层1022的过程中，需要进行图案化处理，即均需要采用掩膜版对光刻胶进行曝光。

形成氧化物薄膜晶体管102的氧化物层1022的过程包括：在第一绝缘膜层103a远离衬底基板101的一侧形成氧化物膜层，之后对该氧化物膜层进行图案化处理得到氧化物层1022。

步骤305、在氧化物层远离衬底基板的一侧形成第二绝缘膜层。

在本申请实施例中，参考图11，在形成氧化物层1022之后，可以在该氧化物层1022远离衬底基板101的一侧形成第二绝缘膜层104a。该第二绝缘膜层104a可以为层间介定膜层。该第二绝缘膜层104a可以整层覆盖衬底基板101。也即是，形成第二绝缘膜层104a的过程中，无需进行图案化处理(即无需采用掩膜板对光刻胶进行曝光)。

步骤306、对第一绝缘膜层，第二绝缘膜层，第三绝缘膜层，第四绝缘膜层以及第七绝缘膜层进行第一次图案化处理，得到第一中间绝缘层，第二中间绝缘层，第三中间绝缘层，第四中间绝缘层以及第七中间绝缘层。

在本申请实施例中，参考图12，在形成第二绝缘膜层104a之后，可以对第一绝缘膜层103a，第二绝缘膜层104a，第三绝缘膜层106a，第四绝缘膜层107a以及第七绝缘膜层113a进行第一次图案化处理(需要采用掩膜版对光刻胶进行曝光)，得到第一中间绝缘层103b，第二中间绝缘层104b，第三中间绝缘层106b，第四中间绝缘层107b以及第七中间绝缘层113b。

其中，该第一中间绝缘层103b，第二中间绝缘层104b，第三中间绝缘层106b以及第四中间绝缘层107b可以具有第三过孔和第四过孔，以便后续形成的低温多晶硅薄膜晶体管105的源极通过第三过孔与有源层1051连接，以及低温多晶硅薄膜晶体管105的漏极通过第四过孔与有源层1051连接。

另外，衬底基板101可以具有显示区101a以及位于显示区101a的一侧的弯折区101b。由于第一绝缘膜层103a，第二绝缘膜层104a，第三绝缘膜层106a，第四绝缘膜层107a以及第七绝缘膜层113a的材料均可以为无机材料，因此可以通过第一次图案化处理使得这些膜层位于弯折区101b的部分的厚度变薄。由此可以便于该弯折区101b弯折，以将显示面板10中的驱动电路弯折至非显示侧，提高显示面板的屏占比。

可选的，该步骤306可以为：对第一绝缘膜层103a，第二绝缘膜层104a，第三绝缘膜层106a以及第四绝缘膜层107a位于显示区101a的部分进行刻蚀，形成第三过孔和第四过孔，并对第一绝缘膜层103a，第二绝缘膜层104a，第三绝缘膜层106a，第四绝缘膜层107a以及第七绝缘膜层113a位于弯折区101b的部分进行第一次刻蚀，形成第七过孔。

也即是，该步骤306的第一次图案化处理得到的第一中间绝缘层103b，第二中间绝缘层104b，第三中间绝缘层106b以及第四中间绝缘层107b具有第三过孔和第四过孔。并且第一中间绝缘层103b，第二中间绝缘层104b，第三中间绝缘层106b，第四中间绝缘层107b以及第七中间绝缘层113具有第七过孔。其中，第三过孔和第四过孔位于显示区101a，第七过孔位于弯折区101b。并且，第二中间绝缘层104b不具有第一过孔和第二过孔。

步骤307、对第一中间绝缘层，第二中间绝缘层，第三中间绝缘层，第四中间绝缘层以及第七中间绝缘层进行第二次图案化处理，得到第一绝缘层，第二绝缘层，第三绝缘层，第四绝缘层以及第七绝缘层。

在本申请实施例中，参考图13，在得到第一中间绝缘层103b，第二中间绝缘层104b，第三中间绝缘层106b，第四中间绝缘层107b以及第七中间绝缘层113b之后，可以对该第一中间绝缘层103b，第二中间绝缘层104b，第三中间绝缘层106b，第四中间绝缘层107b以及第七中间绝缘层113b进行第二次图案化处理(需要采用掩膜板对光刻胶进行曝光)，得到第一绝缘层103，第二绝缘层104，第三绝缘层106，第四绝缘层107以及第七绝缘层113。

由于第一绝缘膜层103a，第二绝缘膜层104a，第三绝缘膜层106a，第四绝缘膜层107a以及第七绝缘膜层113a的总厚度较厚，因此通常情况下需要进行两次刻蚀，才能使得这些膜层位于弯折区101b的部分的厚度小于厚度阈值。由此可以通过第二次图案化处理使得这些膜层位于弯折区101b的部分的厚度进一步变薄。

另外，形成的第二绝缘层104中可以具有第一过孔和第二过孔，以便使得后续形成的氧化物薄膜晶体管102的源极通过第一过孔与氧化物层1022连接，以及使得氧化物薄膜晶体管102的漏极通过第二过孔与氧化物层1022连接。

可选的，该步骤307可以为：对第二中间绝缘层104b位于显示区101a的部分进行刻蚀，形成第一过孔和第二过孔，并对第一中间绝缘层103b，第二中间绝缘层104b，第三中间绝缘层106b以及第四中间绝缘层107b中第七过孔所在的区域进行第二次刻蚀，形成第八过孔。

步骤308、在第二绝缘层远离衬底基板的一侧形成第一源极，第一漏极，第二源极和第二漏极。

在本申请实施例中，参考图14，可以在第二绝缘层104远离衬底基板101的一侧形成第一源极1023，第一漏极1024，第二源极1053和第二漏极1054。其中，该第一源极1023，第一漏极1024，第二源极1053和第二漏极1054位于同层，即可以采用相同材料由同一次构图工艺制备得到。

其中，由于第一源极1023，第一漏极1024，第二源极1053和第二漏极1054均为图案化结构，因此形成的过程中需要进行图案化处理，即均需要采用掩膜版对光刻胶进行曝光。例如，形成第一源极1023，第一漏极1024，第二源极1053和第二漏极1054的过程包括：在第二绝缘层104远离衬底基板101的一侧形成第一金属膜层，之后对该第一金属膜层(第一源漏极膜层)进行图案化处理得到第一源极1023，第一漏极1024，第二源极1053和第二漏极1054。

步骤309、在第一源极远离衬底基板的一侧依次形成第五绝缘层，连接层，第六绝缘层，阳极层以及像素界定层。

在本申请实施例中，由于氧化物层1022远离衬底基板101的一侧具有由无机材料制备得到的第二绝缘层104，该第二绝缘层104可以对氧化物层1022起到保护作用，因此无需再在第一源极1023远离衬底基板101的一侧设计其他的无机材料层来保护氧化物层1022。由此，可以节省一层无机材料层的制备工艺，提高显示面板的产能。

可选的，参考图4，图15至图18，形成第一源极1023，第一漏极1024，第二源极1053和第二漏极1054之后，可以在第一源极1023，第一漏极1024，第二源极1053和第二漏极1054远离衬底基板101的一侧依次形成第五绝缘层108，连接层109，第六绝缘层110，阳极层111以及像素界定层112。

其中，第五绝缘层108和第六绝缘层110的材料可以均为有机材料，即第五绝缘层108和第六绝缘层110均为有机材料层。第五绝缘层108可以为第一平坦层，第六绝缘层110可以为第二平坦层。第五绝缘层108中可以具有第五过孔，以使得连接层109通过第五绝缘层108中的第五过孔与第二漏极1054连接。第六绝缘层110中可以具有第六过孔，以使得阳极层111通过第六绝缘层110中的第六过孔与连接层109连接。也即是，可以使得阳极层111通过连接层109与第二漏极1054连接。

可选的，形成第五绝缘层108的过程包括：在第一源极1023，第一漏极1024，第二源极1053和第二漏极1054远离衬底基板101的一侧形成第五绝缘膜层，之后对该第五绝缘膜层进行图案化处理得到第五绝缘层108。其中，第五绝缘膜层可以整层覆盖衬底基板101。

在本申请实施例中，制备得到的显示面板10还可以包括位于弯折区101b的信号线114。该信号线114可以与连接层109位于同层。也即是，信号线114与连接层109采用相同材料并由同一次构图工艺制备得到。可选的，形成连接层109和信号线114的过程包括：在第五绝缘层108远离衬底基板101的一侧形成第二金属膜层(第二源漏极膜层)，之后对该第二金属膜层进行图案化处理得到信号线114和连接层109。

可选的，形成第六绝缘层110的过程包括：在连接层109远离衬底基板101的一侧形成第六绝缘膜层，之后对该第六绝缘膜层进行图案化处理得到第六绝缘层110。其中，第六绝缘膜层可以整层覆盖衬底基板101。

可选的，形成阳极层111的过程包括：在第六绝缘层110远离衬底基板101的一侧形成阳极膜层，之后对该阳极膜层进行图案化处理得到阳极层111。其中，阳极膜层可以整层覆盖衬底基板101。

可选的，形成像素界定层112的过程包括：在阳极层111远离衬底基板101的一侧形成像素界定膜层，之后对该像素界定膜层进行图案化处理得到像素界定层112。其中，像素界定膜层可以整层覆盖衬底基板101。像素界定层112具有镂空区域，该镂空区域可以用于露出阳极层111，以便使得阳极层111与后续形成的发光材料接触。另外，本申请实施例对像素界定层112之后形成的其他膜层不再赘述。

在本申请实施例中，基于上述步骤301至步骤309可以确定出，需要采用掩膜板的步骤包括：1.形成低温多晶硅薄膜晶体管105的有源层1051；2.形成低温多晶硅薄膜晶体管105的第二栅极1052；3.形成氧化物薄膜晶体管102的第一栅极1021；4.形成氧化物薄膜晶体管102的氧化物层1022；5.形成第三过孔，第四过孔以及第七过孔；6.形成第一过孔，第二过孔以及第八过孔；7.形成第一源极1023，第一漏极1024，第二源极1053和第二漏极1054；8.形成第五绝缘层108；9.形成连接层109；10.形成第六绝缘层110；11.形成阳极层111；12.形成像素界定层112。也即是，制备本申请实施例提供的显示面板10需要采用12道掩膜板。

图19是相关技术中的显示面板的制备方法的流程图。参考图19，相关技术中制备显示面板的方法包括：

步骤401、在衬底基板的一侧依次形成第一缓冲膜层，低温多晶硅薄膜晶体管的有源层，第一栅极绝缘膜层，低温多晶硅薄膜晶体管的栅极以及第二栅极绝缘膜层。

参考图20，在衬底基板的一侧依次形成第一缓冲膜层，低温多晶硅薄膜晶体管的有源层，第一栅极绝缘膜层，低温多晶硅薄膜晶体管的栅极以及第二栅极绝缘膜层。

其中，第一缓冲膜层，第一栅极绝缘膜层以及第二栅极绝缘膜层可以整层覆盖衬底基板，即形成第一缓冲膜层，第一栅极绝缘膜层以及第二栅极绝缘膜层的过程中均无需采用掩膜板进行图案化处理。另外，形成低温多晶硅薄膜晶体管的有源层，以及低温多晶硅薄膜晶体管的栅极均为图案化结构，因此均需采用掩膜板进行图案化处理。也即是，该步骤401中所需采用的掩膜板的数量为2。

步骤402、在第二栅极绝缘膜层远离衬底基板的一侧形成氧化物薄膜晶体管的栅极。

参考图21，在形成第二栅极绝缘膜层之后，在第二栅极绝缘膜层远离衬底基板的一侧形成氧化物薄膜晶体管的栅极。其中，该氧化物薄膜晶体管的栅极为图案化结构，因此需采用掩膜板进行图案化处理。

步骤403、在氧化物薄膜晶体管的栅极远离衬底基板的一侧形成第二缓冲膜层。

参考图22，在形成氧化物薄膜晶体管的栅极之后，在氧化物薄膜晶体管的栅极远离衬底基板的一侧形成第二缓冲膜层。其中，该第二缓冲膜层整层覆盖衬底基板，因此形成第二缓冲膜层的过程中，无需采用掩膜板进行图案化处理。

步骤404、对第一缓冲膜层，第一栅极绝缘膜层，第二栅极绝缘膜层以及第二缓冲膜层进行第一次图案化处理，得到第一中间缓冲层，第一中间栅极绝缘层，第二中间栅极绝缘层以及第二中间缓冲层。

参考图23，对第一缓冲膜层，第一栅极绝缘膜层，第二栅极绝缘膜层以及第二缓冲膜层位于显示区的部分进行刻蚀，形成第九过孔和第十过孔，并对第一缓冲膜层，第一栅极绝缘膜层，第二栅极绝缘膜层以及第二缓冲膜层位于弯折区的部分进行第一次刻蚀，形成第十一过孔。其中，第一中间栅极绝缘层，第二中间栅极绝缘层以及第二中间缓冲层具有第九过孔和第十过孔。第一中间缓冲层，第一中间栅极绝缘层，第二中间栅极绝缘层以及第二中间缓冲层具有第十一过孔。

步骤405、在第二中间缓冲层远离衬底基板的一侧形成氧化物薄膜晶体管的氧化物层。

参考图24，在第二中间缓冲层远离衬底基板的一侧形成氧化物薄膜晶体管的氧化物层。该氧化物层为图案化结构，因此需采用掩膜板进行图案化处理。

步骤406、在氧化物层远离衬底基板的一侧形成低温多晶硅薄膜晶体管的源极和漏极，以及形成氧化物薄膜晶体管的源极和漏极。

参考图25，在氧化物层远离衬底基板的一侧形成低温多晶硅薄膜晶体管的源极和漏极，以及形成氧化物薄膜晶体管的源极和漏极。其中，低温多晶硅薄膜晶体管的源极通过第九过孔与低温多晶硅薄膜晶体管的有源层连接，低温多晶硅薄膜晶体管的漏极通过第十过孔与低温多晶硅薄膜晶体管的有源层连接。氧化物薄膜晶体管的源极和漏极均与氧化物薄膜晶体管的氧化物层直接接触，且氧化物薄膜晶体管的源极和漏极之间具有间隙。

形成低温多晶硅薄膜晶体管的源极和漏极，以及形成氧化物薄膜晶体管的源极和漏极需采用掩膜板进行图案化处理。

步骤407、在低温多晶硅薄膜晶体管的源极和漏极，以及形成氧化物薄膜晶体管的源极和漏极远离衬底基板的一侧形成钝化层。

由于在形成氧化物薄膜晶体管的源极和漏极时，会对氧化物薄膜晶体管的氧化物层造成一定的损伤，因此需要形成钝化层(参考图26)，以对氧化物层进行修复。

其中，该钝化层的材料为无机材料，因此该钝化层位于第十一过孔的区域的部分需要去除。也即是，形成钝化层时，需要采用掩膜板进行图案化处理。

步骤408、对第一中间缓冲层，第一中间栅极绝缘层，第二中间栅极绝缘层以及第二中间缓冲层进行第二次图案化处理，得到第一缓冲层，第一栅极绝缘层，第二栅极绝缘层以及第二缓冲层。

参考图27，由于第一缓冲膜层，第一栅极绝缘膜层，第二栅极绝缘膜层以及第二缓冲膜层的总厚度较厚，因此通常情况下需要进行两次刻蚀，才能使得这些膜层位于弯折区的部分的厚度较小。由此可以通过第二次图案化处理使得这些膜层位于弯折区的部分的厚度进一步变薄。

例如，对第一中间缓冲层，第一中间栅极绝缘层，第二中间栅极绝缘层以及第二中间缓冲层位于第十一过孔的区域的部分进一步刻蚀，形成第十二过孔。

步骤409、在钝化层远离衬底基板的方向依次形成第一平坦层，连接层，第二平坦层，阳极层以及像素界定层。

参考图28，在钝化层远离衬底基板的方向依次形成第一平坦层，连接层，第二平坦层，阳极层以及像素界定层。

在相关技术中，基于上述步骤401至步骤409可以确定出，需要采用掩膜板的步骤包括：1.形成低温多晶硅薄膜晶体管的有源层；2.形成低温多晶硅薄膜晶体管的栅极；3.形成氧化物薄膜晶体管的栅极；4.对第一缓冲膜层，第一栅极绝缘膜层，第二栅极绝缘膜层以及第二缓冲膜层进行第一次图案化处理；5.形成氧化物薄膜晶体管的氧化物层；6.形成低温多晶硅薄膜晶体管的源极和漏极，以及形成氧化物薄膜晶体管的源极和漏极；7.形成钝化层；8.对第一中间缓冲层，第一中间栅极绝缘层，第二中间栅极绝缘层以及第二中间缓冲层进行第二次图案化处理；9.形成第一平坦层；10.形成连接层；11.形成第二平坦层；12.形成阳极层；13.形成像素界定层。也即是，制备相关技术的显示面板需要采用13道掩膜板。

对比上述步骤301至步骤309，以及步骤401至步骤409，制备本申请实施例的显示面板所需采用的掩膜板的数量相对于相关技术中显示面板所需采用的掩膜板的数量少，可以提高显示面板的制备效率，提高产能，便于量产。

综上所述，本申请实施例提供了一种显示面板的制备方法，该方法制备得到的显示面板中，氧化物薄膜晶体管的氧化物层以及氧化物薄膜晶体管的第一源极(或第一漏极)之间形成有第二绝缘层，因此可以避免氧化物层与第一源极(或第一漏极)直接接触。由此，在形成第一源极和第一漏极的过程中，该第二绝缘层可以对氧化物层起到保护作用，能够避免氧化物层被损伤，能够保证显示面板的良率。

图29是本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图。参考图29，该显示装置可以包括：供电组件50以及如上述实施例所提供的显示面板10。其中，该供电组件50与显示面板10连接，用于为显示面板10供电。

可选的，该显示装置可以为有机发光二极管显示装置、液晶显示装置、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (15)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板(10)包括：

衬底基板(101)；

以及，位于所述衬底基板(101)的一侧的氧化物薄膜晶体管(102)，第一绝缘层(103)和第二绝缘层(104)，所述氧化物薄膜晶体管(102)包括：第一栅极(1021)，氧化物层(1022)，第一源极(1023)和第一漏极(1024)；

其中，所述第一栅极(1021)位于所述衬底基板(101)的一侧，所述第一绝缘层(103)位于所述第一栅极(1021)远离所述衬底基板(101)的一侧，所述氧化物层(1022)位于所述第一绝缘层(103)远离所述衬底基板(101)的一侧，所述第二绝缘层(104)位于所述氧化物层(1022)远离所述衬底基板(101)的一侧，所述第一源极(1023)和所述第一漏极(1024)间隔设置，且均位于所述第二绝缘层(104)远离所述衬底基板(101)的一侧，所述第一源极(1023)通过所述第二绝缘层(104)中的第一过孔与所述氧化物层(1022)连接，所述第一漏极(1024)通过所述第二绝缘层(104)中的第二过孔与所述氧化物层(1022)连接。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述氧化物层(1022)的材料为铟镓锌氧化物。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板(10)还包括：位于所述衬底基板(101)的一侧的低温多晶硅薄膜晶体管(105)，第三绝缘层(106)以及第四绝缘层(107)；所述低温多晶硅薄膜晶体管(105)包括：有源层(1051)，第二栅极(1052)，第二源极(1053)和第二漏极(1054)；

所述有源层(1051)，所述第三绝缘层(106)，所述第二栅极(1052)以及所述第四绝缘层(107)沿远离所述衬底基板(101)的方向依次层叠，所述第二源极(1053)和所述第二漏极(1054)间隔设置，且均与所述有源层(1051)连接。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一栅极(1021)位于所述第四绝缘层(107)远离所述衬底基板(101)的一侧，所述第二源极(1053)，所述第二漏极(1054)，所述第一源极(1023)和所述第一漏极(1024)位于同层；

所述第一绝缘层(103)，所述第二绝缘层(104)，所述第三绝缘层(106)以及所述第四绝缘层(107)中具有第三过孔和第四过孔，所述第二源极(1053)通过所述第三过孔与所述有源层(1051)连接，所述第二漏极(1054)通过所述第四过孔与所述有源层(1051)连接。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板(10)还包括：沿远离所述第一源极(1023)的方向依次层叠的第五绝缘层(108)，连接层(109)，第六绝缘层(110)，阳极层(111)以及像素界定层(112)；

所述连接层(109)通过所述第五绝缘层(108)中的第五过孔与所述第二漏极(1054)连接，所述阳极层(111)通过所述第六绝缘层(110)中的第六过孔与所述连接层(109)连接，所述像素界定层(112)具有镂空区域，所述镂空区域用于露出所述阳极层(111)。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层(103)，所述第二绝缘层(104)，所述第三绝缘层(106)以及所述第四绝缘层(107)的材料均为无机材料；

所述第五绝缘层(108)和所述第六绝缘层(110)的材料均为有机材料。

7.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板(10)还包括：存储电容(115)，所述存储电容(115)包括第一电容极板(1151)和第二电容极板(1152)；

其中，所述第一电容极板(1151)与所述第二栅极(1052)位于同层，所述第二电容极板(1152)与所述第一栅极(1021)位于同层。

8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底基板(101)；

在所述衬底基板(101)的一侧形成氧化物薄膜晶体管(102)的第一栅极(1021)；

在所述第一栅极(1021)远离所述衬底基板(101)的一侧形成第一绝缘层(103)；

在所述第一绝缘层(103)所述衬底基板(101)的一侧形成所述氧化物薄膜晶体管(102)的氧化物层(1022)；

在所述氧化物层(1022)远离所述衬底基板(101)的一侧形成第二绝缘层(104)，所述第二绝缘层(104)中具有第一过孔和第二过孔；

以及，在所述第二绝缘层(104)远离所述衬底基板(101)的一侧形成所述氧化物薄膜晶体管(102)的第一源极(1023)和第一漏极(1024)，所述第一源极(1023)和所述第一漏极(1024)间隔设置，所述第一源极(1023)通过所述第一过孔与所述氧化物层(1022)连接，所述第一漏极(1024)通过所述第二过孔与所述氧化物层(1022)连接。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述衬底基板(101)的一侧形成氧化物薄膜晶体管(102)的第一栅极(1021)之前，所述方法还包括：

在所述衬底基板(101)的一侧形成低温多晶硅薄膜晶体管(105)的有源层(1051)；

在所述有源层(1051)远离所述衬底基板(101)的一侧形成第三绝缘层(106)；

在所述第三绝缘层(106)远离所述衬底基板(101)的一侧形成所述低温多晶硅薄膜晶体管(105)的第二栅极(1052)；

在所述第二栅极(1052)远离所述衬底基板(101)的一侧形成第四绝缘层(107)；

在所述衬底基板(101)的一侧形成氧化物薄膜晶体管(102)的第一栅极(1021)之后，所述方法还包括：

在所述衬底基板(101)的一侧形成所述低温多晶硅薄膜晶体管(105)的第二源极(1053)和第二漏极(1054)，所述第二源极(1053)和所述第二漏极(1054)间隔设置，且均与所述有源层(1051)连接。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述衬底基板(101)的一侧形成氧化物薄膜晶体管(102)的第一栅极(1021)，包括：

在所述第四绝缘层(107)远离所述衬底基板(101)的一侧形成所述氧化物薄膜晶体管(102)的第一栅极(1021)；

形成所述第一源极(1023)，所述第一漏极(1024)，所述第二源极(1053)和所述第二漏极(1054)，包括：

在所述第二绝缘层(104)远离所述衬底基板(101)的一侧形成所述第一源极(1023)，所述第一漏极(1024)，所述第二源极(1053)和所述第二漏极(1054)。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，形成第一绝缘层(103)，所述第二绝缘层(104)，所述第三绝缘层(106)以及所述第四绝缘层(107)，包括：

在所述有源层(1051)远离所述衬底基板(101)的一侧形成第三绝缘膜层(106a)；

在所述第二栅极(1052)远离所述衬底基板(101)的一侧形成第四绝缘膜层(107a)；

在所述第一栅极(1021)远离所述衬底基板(101)的一侧形成第一绝缘膜层(103a)；

在所述氧化物层(1022)远离所述衬底基板(101)的一侧形成第二绝缘膜层(104a)；

对所述第一绝缘膜层(103a)，所述第二绝缘膜层(104a)，所述第三绝缘膜层(106a)，以及所述第四绝缘膜层(107a)进行第一次图案化处理，得到所述第一中间绝缘层(103b)，所述第二中间绝缘层(104b)，所述第三中间绝缘层(106b)以及所述第四中间绝缘层(107b)；

对所述第一中间绝缘层(103b)，所述第二中间绝缘层(104b)，所述第三中间绝缘层(106b)以及所述第四中间绝缘层(107b)进行第二次图案化处理，得到所述第一绝缘层(103)，所述第二绝缘层(104)，所述第三绝缘层(106)以及所述第四绝缘层(107)；

其中，所述第一中间绝缘层(103b)，所述第二中间绝缘层(104b)，所述第三中间绝缘层(106b)以及所述第四中间绝缘层(107b)具有第三过孔和第四过孔，所述第一源极(1023)通过所述第三过孔与所述有源层(1051)连接，所述第二漏极(1054)通过所述第四过孔与所述有源层(1051)连接；所述第二中间绝缘层(104b)不具有所述第一过孔和所述第二过孔。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述衬底基板(101)具有显示区(101a)以及位于所述显示区(101a)的一侧的弯折区(101b)；所述对所述第一绝缘膜层(103a)，所述第二绝缘膜层(104a)，所述第三绝缘膜层(106a)，以及所述第四绝缘膜层(107a)进行第一次图案化处理，包括：

对所述第一绝缘膜层(103a)，所述第二绝缘膜层(104a)，所述第三绝缘膜层(106a)，以及所述第四绝缘膜层(107a)位于所述显示区(101a)的部分进行刻蚀，形成所述第三过孔和所述第四过孔，并对所述第一绝缘膜层(103a)，所述第二绝缘膜层(104a)，所述第三绝缘膜层(106a)，以及所述第四绝缘膜层(107a)位于所述弯折区(101b)的部分进行第一次刻蚀，形成第七过孔；

所述对所述第一中间绝缘层(103b)，所述第二中间绝缘层(104b)，所述第三中间绝缘层(106b)以及所述第四中间绝缘层(107b)进行第二次图案化处理，包括：

对所述第二中间绝缘层(104b)位于所述显示区(101a)的部分进行刻蚀，形成所述第一过孔和所述第二过孔，并对所述第一中间绝缘层(103b)，所述第二中间绝缘层(104b)，所述第三中间绝缘层(106b)，以及所述第四中间绝缘层(107b)中所述第七过孔所在的区域进行第二次刻蚀，形成第八过孔。

13.根据权利要求9至12任一所述的方法，其特征在于，在所述第二绝缘层(104)远离所述衬底基板(101)的一侧形成所述氧化物薄膜晶体管(102)的第一源极(1023)和第一漏极(1024)之后，所述方法还包括：

在所述第一源极(1023)远离所述衬底基板(101)的方向依次形成第五绝缘层(108)，连接层(109)，第六绝缘层(110)，阳极层(111)以及像素界定层(112)；

其中，所述连接层(109)通过所述第五绝缘层(108)中的第五过孔与所述第二漏极(1054)连接，所述阳极层(111)通过所述第六绝缘层(110)中的第六过孔与所述连接层(109)连接，所述像素界定层(112)具有镂空区域，所述镂空区域用于露出所述阳极层(111)。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一绝缘层(103)，所述第二绝缘层(104)，所述第三绝缘层(106)以及所述第四绝缘层(107)的材料均为无机材料；

所述第五绝缘层(108)和所述第六绝缘层(110)的材料均为有机材料。

15.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：供电组件(50)以及如权利要求1至7任一所述的显示面板(10)；

其中，所述供电组件(50)用于为所述显示面板(10)供电。

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