TWI411068B - 一種使用間隔結合劑封裝圖像感測器之方法與裝置 - Google Patents

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Description

一種使用間隔結合劑封裝圖像感測器之方法與裝置
本發明係關於一種圖像感測器之封裝以封裝絲焊(wire bond)，並避免圖像感測器受潮之方法與裝置；特別是本發明係揭示一封裝圖像感測器之組合，其包括一壩狀(dam)結構，並其提供絲焊(wire bond)封膜。
圖像感測器利用一感光像素(photo-sensitive pixel)以擷取一光學影像，最常見的一種圖像感測器係為互補金氧半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)圖像感測器。目前已有許多互補金氧半導體圖像感測器的封裝技術；然而，其中一種習知技術係將圖像感測器置於一基板(或稱中介層(interposer))上，並提供絲焊(wire bond)連接於該基板與該圖像感測器之間。一附加透明罩通常會被用來保護該圖像感測器。
一般而言，若封裝組合予以封膜時，則該封裝圖像感測器之可靠性將會增加；於習知技術中係利用一封裝材料(encapsulant)，例如一液態聚合物，以同時封裝該絲焊，並提供一防水層於透明罩之邊緣。例如，第1圖所示，其係美國專利第6,995,462號揭示之一封裝組合50，其具有一中介層30(以及外部連接點38與錫球48)、圖像感測器晶片4、透明罩22、絲焊44，以及接觸墊片34。一封裝材料46(例如：一矽填充聚合物或液態結晶聚合物)封裝該絲焊44。在此一封裝設計中，一微透鏡20係配置於該圖像感測器4之一部分，該圖像感測器4具有一像素陣列。一液態黏著材料24(諸如一液態環氧化物或一液態樹脂)係用以黏著該透明罩；然而，此等結構具有數項缺陷；習知的液態黏著材料在操作上難以控制其厚度與寬度，因此，液態黏著材料的寬度時常超出預期，且浪費晶片上空間，並增加製造成本。此外，僅有相對少量的封裝材料置於透明罩的邊緣。亦即，透明罩邊緣的液態樹脂鄰接該封裝材料，以致於僅有相對稀少的封裝材料置於透明罩的邊緣，以防止濕氣。
第2圖係揭示一薄膜包覆線(film over wire)結構，其係為台灣矽品精密工業股份有限公司申請取得之美國專利第6,388,313號所揭示之一變化結構；矽品精密之互補金氧半導體(CMOS)圖像感測器封裝材料含一基板210，而圖像感測器晶片220裝設於其上；一液態附著薄膜230，諸如一液態樹脂薄膜，係用以結合透明玻璃罩240。然而，目前技術上由於樹脂滲漏，難以精確控制一大區域之液態樹脂薄膜的均勻分佈。除此之外，液態樹脂250會造成於初始薄膜沉積後側向流動於晶片220邊緣之缺點，就此，將導致其難以像素陣列邊緣與晶片邊緣間難以達成一窄溝，進而浪費晶片容納區域，導致製造成本的耗費。此外，液態附著樹脂薄膜之透濕性(moisture permeation)亦為一可靠度之考量(reliability concern)；特別是，其於封裝圖像感測器的生命週期期間，有水氣側向滲漏穿過樹脂薄膜之風險。
據此，有鑑於前述先前技術之缺陷，發展一種改良之裝置、系統與方法，用來封裝一圖像感測器是有其必要的。
一圖像感測器封裝組合係利用一間隔結合劑(spacer paste)以控制一圖像感測器晶片上之一透明窗高度，藉以提供安全絲焊(wire bond)空隙。一圖像感測器晶片係裝設於一中介層(interposer)，以及絲焊係形成於該圖像感測器晶片與該中介層之間；一透明罩係附著於該圖像感測器晶片，其利用由一間隔結合劑形成之一壩體(dam)，該壩體之全部或一部得由一基礎圖樣平臺區域上分佈之間隔結合劑所形成。該間隔結合劑提供一統一、低傾斜率之接合面，其於該圖像感測器之表面上具有一受控制之高度，以提供絲焊空隙。一附加之封裝材料(encapsulant)得形成於該透明罩與該中介層間一區域中該晶片之外部區域。
第3A圖係為一透過頂部透明罩340之一封裝圖像感測器300之俯視圖。該頂部透明罩340允許光線進入到達一感光像素陣列306，其位於一圖像感測器晶片302之一中央位置304，其中該圖像感測器晶片302係為一積體電路晶片。一封裝材料350係形成於該透明罩340之一週邊位置之下，一間隔結合劑之壩體308係以一環氧化物之間隔結合劑形成於圖像感測器晶片302之一週邊邊緣位置，並未阻礙包含像素302陣列之該中央位置304；壩體308具有一寬度w。像素陣列306得連續至壩體308之邊界，但一般而言具有輕微差距d，其可視為製造公差(manufacturing tolerance)。因此，該像素陣列306嵌入該圖像感測器晶片302，其二者邊緣總計距離為w+d。為闡述本發明之其他方面，此說明利用虛擬的格線以指示說明個別絲焊附著區域317及絲焊接觸墊336間之複數絲焊338形成之例示數量的電性連接。
第3B圖係為一沿著第3A圖線段3B-3B之側視截面圖，一基板315具有包含晶片附著區域319及絲焊接觸區域317之一頂部表面。該基板315係形成於一中介層301中，其包括外部接觸區域310，以產生外部電性連結(諸如：使用錫球)。內部引洞通道325支援外部接觸區域310與絲焊附著區域317間之電性連結；圖像感測器晶片302具有一底埠表面321附著於該晶片附著部分319。
該圖像感測器晶片302之頂部表面330包含中央位置304，其具有感光像素陣列306。絲焊338係形成於該圖像感測器晶片之絲焊接觸墊336與該基板315上之絲焊附著區域317。例示之絲焊係以黃金金屬線製成；一可靠絲焊之程序一般需要該金屬線未被過度彎曲；據此，該絲焊338之一部延伸於該圖像感測器晶片320之頂部表面330之上，高度為h1，其依據該絲焊之彎曲度或其他因子而定。該圖像感測器晶片可包含一彩色濾光片陣列/微透鏡陣列307，其裝設於該圖像感測器晶片之該中央位置304部分，其具有像素陣列306。
該透明罩340(諸如玻璃罩)係用以保護該圖像感測器晶片302；本發明之一實施例中，透明罩340延伸超過該圖像感測器晶片302，而具有突出342，其延伸超過該基板315之該絲焊附著區域317。該透明罩340係藉由間隔結合劑壩體308附著於該圖像感測器晶片，其中該壩體308具有一壩體高為h2，寬為w。本發明之一實施例中，該間隔結合劑用作一壩體308(其高為h2，寬為w)，藉以改善製程能力與可靠性。該間隔結合劑係為一黏著劑，其包含間隔物球體，將於後詳述之。封裝材料350係用以封裝該絲焊，並且用以防止水氣之滲漏。本發明之一實施例中，封裝材料350係為不透光(例如黑色)，以對於圖像感測器提供額外之光線隔絕。
組裝中，該間隔結合劑壩體308係利用間隔結合劑配置於該圖像感測器晶片302之表面而形成，壩體308於該圖像感測器晶片302之頂部表面330與該透明罩340間形成一凹槽360，該間隔結合劑壩體308可覆蓋部分該絲焊338，並覆蓋絲焊接觸墊336，該凹槽360可為一空氣填充之凹槽，或是一填充惰性氣體之凹槽。一間隔結合劑壩體308則提供許多優點；第一，該間隔結合劑壩體308係與一可靠封裝設計相同，其用以防止水氣滲漏。第二，該間隔結合劑壩體308提供一受控制、具一致性，且低傾斜度之接合面，蓋因其間隔物控制整個壩體周圍之接合面之高度。除此之外，間隔結合劑厚度h2可被選擇以提供一受控制的安全絲焊間隙，其包括所需之最小距離h1，以容納一可靠性絲焊程序及一附加的製造/可靠性安全邊緣(h2-h1)。亦即，該凹槽高度可以藉由一充足之邊緣而控制成為一大於部分最小絲焊間隙高度之距離，使透明罩340於封裝、測試和/或該封裝之生命週期期間不會壓迫至該絲焊並使其受損。本發明之一實施例中，一間隙高度h2可以選擇為至少60微米。
一間隔結合劑使用於形成一壩體308，對於壩體高與壩體寬提供改良之控制。間隔結合劑係為一特別之接著劑，其具有一基礎接著劑，並更包含一選擇的比例之有機聚合球體用來當作間隔物；該有機聚合間隔物球體之體積可選擇性地控制該壩體之高度h2。一間隔結合劑隻時間-溫度-壓力矯正程序係與基礎接著劑具有相似性；一低流失(low-bleed)型接著劑係為一較佳之選擇。一例示之有機間隔結合劑，諸如由德國之漢高科技(Henkel Technologies)所生產者，包括聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate,PMMA)球體；該有機聚合物球體具有一直徑，其直徑大小係於一特定範圍內用於一篩選程序，使該球體於統計分佈上具有一平均間隔物大小。間隔物大小習慣上係以「密爾(mil)」一詞作為界定，1密爾係為25.4微米。據此，一間隔結合劑具備有機聚合間隔物，其平均之間隔物大小之表示得為1密爾、1.5密爾、2密爾、3密爾等。一種使用一間隔結合劑之技術係利用具有一內部直徑足以超過間隔物大小之針，以使該間隔結合劑藉由合理之壓力予以分佈之。例如，漢高科技公司(Henkel Technologies)建議一分佈針上孔洞之直徑至少應為該間隔物之五倍以上。因此，一較大間隔物之選擇將增加凹槽高度h2，亦可能有增加壩體寬之傾向；因此，一較大針孔洞對於間隔結合劑之塗佈是有需要的。
該封裝亦提供改良式的互動措施，以提供水氣滲漏之防止。封裝材料350完全延展於該中介層301及該透明罩340間的區域，其係於壩體308之外側。因此，圖像感測器晶片320係藉由2個保護區域以防止水氣滲漏；其一，封裝材料350係完全延展於透明罩340與突出342下基板315之間，提供一主要外部阻絕措施以防止水氣滲漏，因此，水氣滲漏係阻決於該透明罩之頂部，並且就由突出342下封裝材料之實質厚度，防止側邊水氣滲露。其次，間隔結合劑308之壩體區域提供一附加內部阻絕措施，作為防止水氣滲露之第二保護措施。
依第3A到3B圖所揭示之一實施例得以裝配於一晶圓級(wafer-level)封裝程序，其中大量圖像感測器晶片係於一普通中介層基板上進行封裝，其於加工後予以分離之。一例示之流程步驟，其包含下述步驟：第一，提供一圖像感測器晶圓(wafer)，其中包含一彩色濾光片陣列/微透鏡陣列，該圖像感測器晶圓係切割為個別晶片，該個別晶片係附著於一基板(即附著一中介層之不同區域，該中介層形成自一基板晶圓)。絲焊係形成於個別晶片，接著分佈該間隔結合劑以形成一壩體於每一圖像感測器晶片之邊緣。接著使該透明罩附著之，該附著步驟之部分係依靠該間隔結合劑之基礎接著劑。特別是，溫度和壓力矯正該間隔結合劑係依靠該基礎接著劑；接著，將該絲焊予以封裝，封裝材料以一黑色元件為較佳(以提供光線隔絕)。如一實施例所示，得使用一液體下填充料(liquid underfill)封裝材料，其流於該透明罩下開放空隙(該壩體之外部，其防止該封裝材料流過像素陣列)。隨後，該封裝材料已為矯正；執行一最終切割步驟以分離個別封裝裝置。
該圖像感測器之頂部與該透明罩之底部之間需要一例示絲焊間隙距離h2，其約為60微米。然而，如前所述，市面上可用之間隔結合劑，一般而言具有間隙物，其係以密爾(mil)特定之，而非微米。第4圖所示實施例之例示步驟係利用具有3或4密爾，或至少75微米之間隔物之一間隔結合劑，以提供大於60微米之間隙。然而，應予注意，一般分配程序係利用具有一內部孔洞且該孔洞直徑大於間隔物體積足夠因式(倍數)之針，其係為避免阻塞，且允許間隔結合劑於合理的壓力下得以順暢流動。特別是，漢高科技公司(Henkel Technologies)建議一分佈針上孔洞之直徑至少應為該間隔物之五倍以上；於此，該分配程序係藉由至少相同孔洞直徑之因式，以增加分配之間隔結合劑的寬度。此外，於該間隔結合劑分配後，其可能粗操而非平滑(因其具有該球體)，而一些少量之延伸(溢出)可能會於分配後及一矯正程序之間發生。實驗顯示，如為大小為3密爾(約75微米)之間隔物，該寬度在利用一習知分配與矯正程序時，可被控制在約450微米；因此，於該實施例中，一封裝之圖像感測器可具備像素陣列，當提供一75微米高度之區域(h2)以容許安全絲焊間隙，依其之需求，其像素陣列得延伸靠近於該晶片450微米之邊緣。此對於該像素陣列之邊緣與晶片邊緣之間的距離之進階控制，使得晶片區域之利用更有效率，並有效降低製造成本。
第4A圖係說明一實施例之一頂視圖，其允許使用一較小間隔物。第4B圖係一沿著4B-4B線之橫剖面圖，該實施例係與前述者相似，除一壩體408係形成自間隔結合劑408-A之一區域，該間隔結合劑408-A分佈於一基礎圖樣平臺區域408-B，以減少所需間隔之大小。圖樣平臺區域408-B係為一壩狀區域，形成於該圖像感測器晶片之頂部，且延伸於該圖像感測器晶片表面上，高度為h3。該間隔結合劑408-A係沉積於圖樣平臺區域408-B之頂部，其增加高度h4，以完成該壩體408。因此，為達成一全部間隙高度h2，其所需間隔結合劑厚度係為：h4=h2-h3。為便於說明本發明，本實施例所示區域408-A與408-B係準確對齊排列；一般而言，則無需準確對齊排列之。舉例而言，間隔結合劑408-A可以分配以具有一初始寬度，而其得以較圖樣平臺區域408-B稍微小。圖樣平臺區域408-B並未涵蓋中央位置304，其亦未覆蓋絲焊接觸墊336(以容許絲焊之形成)。於此，本發明之一實施例中，絲焊338及絲焊接觸墊336均由封裝材料350包覆之。
使用包括一基礎平臺區域408-A之一壩體408之一優點係在於其容許該間隔結合劑408-A減少期間隔物之大小，其亦隨之容許減少壩體之寬度。於該實施例中，一壩體寬度w1必須達到一絲焊338所需間隙h2；然而，壩體之最小寬度大部分係由間隔結合劑408-A厚度h4所需最寬度來決定，而其係依據間隔物大小決定。如一說明之適例，若一間隙於該晶片表面頂部之上，係為安全絲焊間隙者，其高度h12為60微米，則可藉由圖樣平臺區域408-A提供所需高度之大約一半，而架台由間隔結合劑區域408-A提供以達成該高度之要求。以一37微米高之圖樣平臺區域408-B置於分配1.5密爾(約38微米間隔物直徑)之間隔結合劑408-A，提供約75微米之間隙。如前所述，該間隔結合劑分配程序係利用具有達到間隔物大小之直徑的一孔洞；因此，於本實施例中，該壩體之寬度w1(圖樣平臺區域408-B加上1.5密爾間隔結合劑，堆疊於頂部，以達一預先選擇之高度h2)係較一半稍微小，若該壩體僅由具有一3密爾間隔物大小之間隔結合劑所形成。其使得該像素陣列邊緣與該晶片邊緣之間寬度距離實質縮短，以節省製造成本。
如先前所述之實施例，第4A-4B圖所示實施例亦提供絕佳之防護措施，阻絕水氣滲漏。圍繞壩體408之透明罩340下封裝材料350之完整層，其具有一實質寬度，且提供一主要防護措施以阻絕水氣滲漏，壩體408則係阻絕水氣滲漏之第二防護措施。
該圖樣平臺區域408-B係形成自一層材料，其得以沉積在一圖像感測器晶圓之上，且在切割圖像感測器晶圓成為個別晶片之前，以一光罩蝕刻製程(photolithographic process)產生圖示。圖樣平臺區域408-B係以一層感光材料構成為最佳，其得以直接利用光罩蝕刻製程形成圖示，且其更能夠利用一相對低溫程序進一步加工至一穩定狀態，其不會使該圖像感測器晶片之電性、光學性質嚴重衰退。舉例而言，部分種類之光阻(諸如特定光聚合物)可以沉積於一晶圓上形成相對厚之一層(例如約40微米之厚度)，其後再藉由一低溫程序矯正之。
第4A-4B圖所示實施例，亦可組裝於晶圓級之封裝程序中，其中大量圖像感測器晶片係封裝於一普通中介層基板，其後則分割之。下述為一例示之流程；第一，提供一圖像感測器晶圓，其包含一彩色濾光片陣列/微透鏡陣列；該圖樣平臺區域408-B係利用一光阻塗布程序(photoresist coating process)、曝光、顯影、烘烤程序所形成。該圖像感測器晶圓係切隔為個別晶片，該個別晶片附著於一基板(即一中介層形成自一基板晶圓)。絲焊係為個別晶片而形成。其後，該間隔結合劑分配於圖樣平臺層，以形成壩體於每一圖像感測器晶片之邊緣；隨後，該透明罩附著。而該附著程序之部分係依靠該間隔結合劑之基礎接著劑。特別是，該間隔結合劑之溫度、壓力之矯正亦依靠該基礎接著劑。該絲焊隨後被封裝，其得以黑色化合物為一封裝材料(以提供光線阻絕)為較佳。如一實施例，一液體下填充料(liquid underfill)封裝材料，其流於該透明罩下開放空隙(該壩體之外部)。隨後，該封裝材料已為矯正；執行一最終切割步驟以分離個別封裝裝置。
前開之描述僅為闡釋本發明，所使用特定術語、名稱係為提供對本發明之更進一步理解。然而，所屬技術領域之熟知技藝者應可知悉，本發明亦得於省略部分特定細節狀況下實施。於此，本發明前述特定實施例之描述僅係為闡釋、說明之目的，其非窮盡或限制本發明；凡熟悉此領域之技藝者，在不脫離本專利精神或範圍內，所作之更動或潤飾，均屬於本發明所揭示精神下所完成之等效改變或設計，且應包含在下述之申請專利範圍內。說明書所示實施例之選擇係為對本發明之精神及其實際應用予以最佳之闡釋，俾使所屬技術領域熟知技藝者得以利用本發明，且在不脫離本發明之精神及範圍下可為若干修改。特定之實施例並非為限制本發明之範圍而僅係為闡述之。本發明之實施例範圍並未由特定例示而予以限制，惟除後附申請專利範圍之外係不受限。
300．．．封裝圖像感測器
302．．．圖像感測器晶片
304．．．中央位置
306．．．感光像素陣列
308．．．壩體
317．．．絲焊附著區域
336．．．絲焊接觸墊
338．．．絲焊
340．．．頂部透明罩
350．．．封裝材料
本發明將於以下之敘述及所附圖式得到更完整之說明，其中：
第1圖係為一習知技術之一封裝圖像感測器。
第2圖係為一習知技術之一封裝圖像感測器。
第3A、3B圖係為根據本發明之一封裝圖像感測器，其利用一間隔結合劑以作為一壩體。
第4A、4B圖係為根據本發明之一封裝圖像感測器，其利用一間隔結合劑與平臺層之部分，以作為一壩體。
圖式中，相同或類似之元件即使描繪於不同之圖式中係仍以相同之參照數字代表。
300．．．封裝圖像感測器
302．．．圖像感測器晶片
304．．．中央位置
306．．．感光像素陣列
308．．．壩體
317．．．絲焊附著區域
336．．．絲焊接觸墊
338．．．絲焊
340．．．頂部透明罩
350．．．封裝材料

Claims (11)

  1. 一種封裝裝置，其包含：一中介層，其具有一晶片附著區域位於該中介層的一第一表面的一第一區域，且具有複數個絲焊接觸區域配置於該中介層的該第一表面的一第二區域；一圖像感測晶片，其具有一底部表面和一相對之頂部表面，該底部表面架設於該中介層之該晶片附著區域，且該頂部表面具有一像素陣列於該圖像感測晶片之一中央區域，和複數個絲焊接觸墊於該像素陣列週邊的邊緣區域；複數個絲焊，用以提供該中介層上個別絲焊接觸區域與該圖像感測器晶片上之該複數個絲焊接觸墊之間的電性連結，該複數個絲焊具有一彎曲，使該絲焊延伸於該圖像感測晶片之該頂部表面；一透明罩，其經由具有間隔物的一間隔結合劑附著於該圖像感測器，該間隔結合劑係配置於該圖像感測器晶片之該頂部表面上該中央區域外部之該頂部表面的一區域，於該像素陣列周圍以形成一壩體，該壩體於該圖像感測器晶片之該頂部表面與該透明罩之間的中央區域周圍，更形成一凹槽，該透明罩係延伸超過該圖像感測器並包括有延伸超過該絲焊附著區域之突出；以及一封裝材料，其形成於該透明罩下，該凹槽與該壩體之外部之一區域中，用以封裝該絲焊； 其中，該間隔物係為有機聚合物球體；其中，該壩體具有一壩體高度於該圖像感測器晶片之頂部表面上，該壩體結構上經配置以允許該透明罩下該複數個絲焊之安全間隙，且該壩體封裝延伸於該圖像感測器晶片之該頂部表面之該等絲焊之一部分；其中該壩體實質上只由位於該頂部表面之該間隔結合劑構成，且該壩體高度實質上等於該等有機聚合物球體之尺寸。
  2. 一種封裝裝置，其包含：一中介層，其具有一晶片附著區域位於該中介層的一第一表面的一第一區域，且具有複數個絲焊區域配置於該中介層的該第一表面的一第二區域；一圖像感測晶片，其具有一底部表面和一相對之頂部表面，該底部表面架設於該中介層之該晶片附著區域，且該頂部表面具有一像素陣列於該圖像感測晶片之一中央區域，和複數個絲焊接觸墊於該像素陣列週邊的邊緣區域；複數個絲焊，用以提供該中介層上個別絲焊接觸區域與該圖像感測器晶片上之該複數個絲焊接觸墊之間的電性連結，該複數個絲焊具有一彎曲，使該絲焊延伸於該圖像感測晶片之該頂部表面；一透明罩，其經由一區域之一間隔結合劑附著於該圖 像感測器，該間隔結合劑係配置於該圖像感測器晶片之周圍，於包含該像素陣列之該中央區域以外之一區域中，其中該間隔結合劑之該區域具有有機聚合物球體以及足以提供透明罩下該複數個絲焊之安全間隙之一厚度；以及一基礎圖樣平台區域，位於該間隔結合劑之該區域之下、該圖像感測器上，該基礎圖樣平台區域與該間隔結合劑之該區域之總合高度大於該圖像感測器晶片與該透明罩之間該間隔結合劑之該區域之該厚度。
  3. 如申請專利範圍第2項之封裝裝置，其中更包含一光學不透光封裝材料，係形成於該透明罩之下，該凹槽與該壩體之外部的區域中，用以封裝該絲焊。
  4. 如申請專利範圍第2項之封裝裝置，其中該壩體不覆蓋該複數個絲焊附著區域。
  5. 一種封裝圖像感測器之方法，其包含：附著一圖像感測器晶片之一底部表面於一中介層，該圖像感測器晶片之一頂部表面具有一中央區域，其包括一像素陣列，和其周圍之一邊緣區域，其包括複數個絲焊接觸墊；形成絲焊於該圖像感測器晶片與該中介層之間；配置一間隔結合劑於該像素陣列周圍之該邊緣區域， 以形成一壩體，該間隔結合劑具有有機聚合物間隔物球體；附著一透明罩於該間隔結合劑，且矯正該間隔結合劑以結合該透明罩於該圖像感測器晶片，該透明罩係延伸超過該圖像感測器並包括有延伸超過該等絲焊所附著區域之突出；以及選擇該間隔結合劑中該間隔物之體積，使該透明罩於該圖像感測器晶片之該頂部表面上延伸一受控制之距離，以足夠提供一安全絲焊間隔。
  6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該配置之步驟包含利用大於間隔物體積1倍以上之孔洞，配置該間隔結合劑，使該間隔結合劑之寬度隨間隔物體積增加而增加，該間隔物體積更進一步被選擇以控制該間隔結合劑之該寬度。
  7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該間隔物體積係以密爾(mil)為計算單位，其中1密爾為千分之一英吋，即25.4微米，且該間隔物體積不大於4密爾。
  8. 如申請專利範圍第7項之方法，其中該間隔結合劑之厚度不大於3密爾。
  9. 如申請專利範圍第5項之方法，其中更包含蝕刻成形 一基礎平臺區域於圖像感測器晶片上，於該中央部份及該絲焊接觸區域以外之區域，該間隔結合劑係被配置於該基礎平臺區域上。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該蝕刻成形一基礎平臺區域於圖像感測器晶片更包含成形一感光材料。
  11. 如申請專利範圍第5項之方法，其中包含封裝該透明罩下該壩體外部之區域。
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