TWI404461B - 製備、監測或整修euv鏡面的方法、euv光生成方法及系統、euv集光鏡鏡面裝置、監測euv鏡面的系統、及碎屑移除裝置 - Google Patents

製備、監測或整修euv鏡面的方法、euv光生成方法及系統、euv集光鏡鏡面裝置、監測euv鏡面的系統、及碎屑移除裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI404461B
TWI404461B TW097145705A TW97145705A TWI404461B TW I404461 B TWI404461 B TW I404461B TW 097145705 A TW097145705 A TW 097145705A TW 97145705 A TW97145705 A TW 97145705A TW I404461 B TWI404461 B TW I404461B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
mirror
light
euv
focus
coating
Prior art date
Application number
TW097145705A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200932066A (en
Inventor
Norbert R Bowering
Igor V Fomenkov
Oleh V Khodykin
Alexander N Bykanov
Original Assignee
Cymer Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cymer Inc filed Critical Cymer Inc
Publication of TW200932066A publication Critical patent/TW200932066A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI404461B publication Critical patent/TWI404461B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/429—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to measurement of ultraviolet light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70941—Stray fields and charges, e.g. stray light, scattered light, flare, transmission loss
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70975—Assembly, maintenance, transport or storage of apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
    • G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
    • G21K2201/061—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements characterised by a multilayer structure
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
    • G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
    • G21K2201/067—Construction details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
    • H05G2/005—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state containing a metal as principal radiation generating component

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Testing Resistance To Weather, Investigating Materials By Mechanical Methods (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Description

製備、監測或整修EUV鏡面的方法、EUV光生成方法及系統、EUV集光鏡鏡面裝 置、監測EUV鏡面的系統、及碎屑移除裝置 相關申請案之相互對照
本申請案請求在2007年12月20日提出申請之美國專利申請案第12/004,871號的優先權，並且係與在2007年7月13日提出申請之發明名稱為LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE HAVING A DROPLET STREAM PRODUCED USING A MODULATED DISTURBANCE WAVE的美國專利申請案第11/827,803號的共同申請案(代理人案號2007-0030-01)、在2006年2月21日提出申請之發明名稱為LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE WITH PRE-PULSE的美國專利申請案第11/358,988號的共同申請案(代理人案號2005-0085-01)、在2005年2月25日提出申請之發明名稱為METHOD AND APPARATUS FOR EUV PLASMA SOURCE TARGET DELIVERY的美國專利申請案第11/067,124號的共同申請案(代理人案號2004-0008-01)、在2005年6月29日提出申請之發明名稱為LPP EUV PLASMA SOURCE MATERIAL TARGET DELIVERY SYSTEM的美國專利申請案第11/174,443號的共同申請案(代理人案號2005-0003-01)、SOURCE MATERIAL DISPENSER FOR EUV LIGHT SOURCE的共同申請案(代理人案號2005-0102-01)、在2006年2月21日提出申請之發明名稱為LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE的美國專利申請案第11/358,992號的共同申請案(代理人案號2005-0081-01)、在2005年6月29日提出申請之發明名稱為LPP EUV LIGHT SOURCE DRIVE LASER SYSTEM的美國專利申請案第11/174,299號的共同申請案(代理人案號2005-0044-01)、在2006年4月17日提出申請之發明名稱為ALTERNATIVE FUELS FOR EUV LIGHT SOURCE的美國專利申請案第11/406,216號的共同申請案(代理人案號2006-0003-01)、在2006年10月13日提出申請之發明名稱為DRIVE LASER DELIVERY SYSTEMS FOR EUV LIGHT SOURCE的美國專利申請案第11/580,414號的共同申請案(代理人案號2006-0025-01)、以及在2006年12月22日提出申請之發明名稱為LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE的美國專利申請案第11/644,153號的共同申請案(代理人案號2006-006-01)、在2006年8月16日提出申請之發明名稱為EUV OPTICS的美國專利申請案第11/505,177號的共同申請案(代理人案號2006-0027-01)、在2006年6月14日提出申請之發明名稱為DRIVE LASER FOR EUV LIGHT SOURCE的美國專利申請案第11/452,558號的共同申請案(代理人案號2006-0001-01)、在2005年8月9日核發給Webb等人之發明名稱為LONG DELAY AND HIGH TIS PULSE STRETCHER的、在2006年3月31日提出申請之發明名稱為CONFOCAL PULSE STRETCHER的美國專利申請案第11/394,512號(代理人案號2004-0144-01)、在2005年5月26日提出申請之發明名稱為SYSTEMS AND METHODS FOR IMPLEMENTING AN INTERACTION BETWEEN A LASER SHAPED AS A LINE BEAM AND A FILM DEPOSITED ON A SUBSTRATE的美國專利申請案第11/138,001號(代理人案號2004-0128-01)、以及在2002年5月7日提出申請之發明名稱為LASER LITHOGRAPHY LIGHT SOURCE WITH BEAM DELIVERY的美國專利申請案第10/141,216號(現為美國專利第6,693,939號)、在2003年9月23日核發給Knowles等人之發明名稱為VERY NARROW BAND,TWO CHAMBER,HIGH REP RATE GAS DISCHARGE LASER SYSTEM的美國專利第6,625,191號(美國專利申請案第10/012,002號，代理人案號2001-0090-01)、在2003年4月15日核發給Ness等人之發明名稱為INJECTION SEEDED LASER WITH PRECISE TIMING CONTROL的美國專利第6,549,551號(美國專利申請案第09/848,043號，代理人案號2001-0020-01)、以及在2003年5月20日核發給Myers等人之發明名稱為VERY NARROW BAND,TWO CHAMBER,HIGH REP RATE GAS DISCHARGE LASER SYSTEM的美國專利第6,567,450號(美國專利申請案第09/943,343號，代理人案號2001-0084-01)、在2006年8月25日提出申請之發明名稱為SOURCE MATERIAL COLLECTION UNIT FOR A LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE的美國專利申請案第11/509,925號的共同申請案(代理人案號2005-0086-01)有關，其等係在此被併入以供參考。
發明領域
本申請案係與自一來源材料所產生之電漿來提供超紫外線(EUV)，同時收集並導引至位在該超紫外線(EUV)光源腔室外部，以在例如大約50nm與更低之波長下用於例如半導體積體電路製造而加以運用之超紫外線(EUV)光源有關。
 發明背景
超紫外線(EUV)光，舉例來說，在超紫外線(EUV)頻譜(也就是具有大約為5-100nm之波長)內之電磁輻射，可以在光刻製程中被用來在例如矽晶圓之半導體基材中，產生譬如次-32nm結構特徵之非常小的結構。
用來產生超紫外線(EUV)光的方法包含有，但是不必然侷限於，將一具有例如氙、鋰或錫、銦、銻、碲、鋁，等等之一或更多元素的材料轉換成電漿態，其等具有一或更多條在超紫外線(EUV)頻譜中之激發譜線。在此一方法中，電漿可以藉著以雷射光束來照射例如材料滴、材料流或材料團之具有該等譜線放射元素的標靶材料而產生，其通常係被稱為雷射生成電漿(laser produced plasma；“LPP”)。另一種方法包括有將該該等譜線放射元素設置於二個電極之間。在此一方法中，電漿可以藉著在電極之間形成一放電作用而產生，其通常係被稱為放電生成電漿(discharge produced plasma；“DPP”)。
目前，其中具有用於照射/放電作用之譜線放射元素的各種不同系統已經被揭露。許多不同的形式與狀態都已被 嘗試，而包括以例如純金屬之純質形式而存在的該元素、以例如鹽類之化合物而存在的該元素，或是以例如與其他金屬來形成的合金、以溶解在例如水之溶劑的溶液中而存在之該元素。此外，目前已經揭露其中該譜發放射物質係以一液體來存在之系統，其包括有相對揮發性之液體、氣底、蒸汽及/或固體，並且可以係為小液滴、物質流、移動帶、煙塵、在液體流中之顆粒、在液滴流中之顆粒、噴射氣體，等等之形式。
針對這些方法，該電漿係典型地在一例如真空腔室之密封容器中產生，並使用各種不同類型的量測設備來加以監測。典型的超紫外線(EUV)光源也可以包括有一或更多個的以例如Mo/Si之高級多層塗層來塗覆之超紫外線(EUV)鏡面。一或更多個的此等鏡面然後係被設置於該密封容器中，遠離該照射位置並被定位以將由該電漿所發出之超紫外線(EUV)光，導引為一超紫外線(EUV)光源輸出。大體而言，這些超紫外線(EUV)鏡面可以是近-垂直入射類型鏡面或是低掠角入射類型鏡面中之任一者，藉著例示說明的方式，在LPP的裝設方式中，該鏡面可以是具有一允許該雷射光通過並到達照射作用位置的孔洞之橢圓狀(舉例來說，一具有垂直於一通過其之焦點的圓形剖面的近垂直入射類型)的型式。藉著這種結構，該照射位置可以被設置於在或接近於該橢圓體的第一焦點附近，而該光源輸出則可以被設置於、接近於或是在該第二橢圓焦點之下游處。
除了產生超紫外線(EUV)輻射之外，上述的這些電漿 製程也可能會在該電漿腔室中產生非所欲的副產物，其等可以包括有例如該標的材料之原子及/或原子叢/微液滴的能帶外輻射、高能離子與碎屑。這些電漿所形成之副產物可能會潛在地加熱、損害或者\減少各種不同電漿腔室光學元件(其等包括有，但是不侷限於，能夠在近-垂直入射或低掠角入射下進行超紫外線(EUV)反射作用之包括有多層鏡面塗層(MLM)的集光鏡、量測偵檢器之表面、用來觀測該電漿形成過程之窗口，以及該雷射輸入窗口)之操作效率。該等熱量、高能量離子及/或碎屑可以一些方式而對該等光學元件造成損壞，其等包括有將其等以會減少光的透射之材料來加以覆蓋、滲透進入其等之內，並且舉例來說，破壞其等之結構完整性及/或光學特性(該鏡面在短波長下反射光的能力)、使其等腐蝕、變粗糙或是將其等侵蝕及/或擴散至其等之內。
取出在電漿腔室中被污染或損害之光學元件以將該元件清洗或更換，可以是昂貴的，勞力密集性且耗時的。特別是，這些系統係典型地在該電漿腔室被開啟之後，係需要一相當複雜和耗時之電漿腔室的清潔與真空減壓作業。此一冗長的過程將會對生產時程造成不利的影響，並減少典型地係希望在少量或沒有停機時間下進行操作的光源之整體效率。
對於一些標靶材料而言(例如錫)，其係較佳地將一例如HBr或是一些其他的含有鹵素之化合物或是H自由基之蝕刻劑導入該電漿腔室內，以蝕刻例如被沈積於該光學元 件上之碎屑的材料。此一蝕刻劑可以存在於該光源運作算期間、非運作期間，或在該等兩個期間。其係被進一步構思以將該元件的一或更多受影響表面加熱以起始反應及/或增進該蝕刻劑的化學反應速率，並且/或是將該蝕刻速率維持在一定的程度下。對於其他的標靶材料而言(例如鋰)，其係較佳地在鋰碎屑已被沈積時，將等受影響表面加熱至一範圍介於400-550℃之溫度，以在使用或未使用蝕刻劑下將Li自該之經遮蔽的表面蒸發。
減少碎屑影響的一種方式係為將該集光鏡進一步移動極子遠離該照射作用位置。而這將意味著其需使用較大的集光鏡以收集相同數量之光。集光鏡效能(舉例來說，可以盡可能的將譜帶內之光線導引至例如焦點之能力)係依據該外表與表面平整度而定(舉例來說，該集光器之粗糙度)。如人們所預期的，隨著該集光鏡的尺寸變大，要產生一適當外表與表面平整度就會變得越來越困難/昂貴。針對此一情況，超紫外線(EUV)鏡面基材可能包含一或更多以下的考量因素：真空相容性、機械強度(舉例來說，高溫強度、高導熱性、低熱膨脹性、尺寸安定性以及產生一適當的外表與表面平整度之容易度。
許多因素都可能會影響來自一超紫外線(EUV)光源之頻譜帶內的輸出強度(以及光強度角度分佈)，而這些因素可能會隨著該光源存在時間而改變。舉例來說，在一個LPP系統中，集光鏡反射率、標靶尺寸、雷射脈衝能量與持續時間及/或雷射脈衝與標靶材料之組合(舉例來說，光束調控 與聚焦作用之關係)上的改變，可能會影響頻譜帶內之超紫外線(EUV)的輸出強度。因此，其可能需要確定那一個元件/子系統會對頻譜帶內之超紫外線(EUV)的輸出強度造成不利的影響，以使得該問題可以被修正。如果可能的話，其係較佳地可以在該光源位置中(也就是在原位)，並且/或是在該超紫外線(EUV)光源正在進行操作的時候，診斷每個元件/子系統的性能。
在理解的上述事實之後，本案申請人揭示了超紫外線(EUV)光源元件，以及用於生產、使用與整修超紫外線(EUV)光源元件之方法。
 發明概要
在本專利申請案的具體例之第一態樣中，一種用於原位監測超紫外線(EUV)鏡面以確認光劣化程度之方法，可以包含有在該超紫外線(EUV)鏡面係位在一光刻設備的作業位置中時，以具有係處於該超紫外線(EUV)頻譜以外的波長之光，來照射該鏡面之至少一部分的步驟/動作。該方法可以進一步包含有在該光自該鏡面反射之後測量至少一部分的光，以及運用該測量結果與鏡面劣化與光反射率之間的預定關係式，來估算多層鏡面之劣化程度的步驟/動作。
在此一方法的實施例中，該鏡面係可以被可操作地設置於光刻設備之一超紫外線(EUV)光源部分中，而在一特殊實施例中，該鏡面可以是一近-垂直入射多層鏡面。在一具 體例中，該照射動作可以用一可見光之點光源來進行，舉例來說，該點光源可以是一發光二極體或是一與一孔洞(舉例來說，其具有一相對較小的通孔以界定一較小的發光區域)結合之光源。
在此一方法中，該鏡面可以具有一界定了第一焦點與第二焦點之橢圓外形，而該照射步驟/動作可以用一設置於第一焦點上之可見光點光源來進行，而該測量步驟/動作可以用一被設置於靠近第二焦點更甚於第一焦點之位置的偵檢器來進執行。
舉例來說，該照射步驟/動作可用一設置於該第一焦點上之會產生一具有一位在該第二焦點上之頂點上的反射光圓錐體之點光源來進行，同時將經反射的光漫射。針對此一結構，該測量步驟/動作可以用一被設置於距該第二焦點一段距離之偵檢器來進行，以偵檢該經漫射反射光。在一特別的實施態樣中，該照射步驟/動作可以一雷射光束來進行，而該測量步驟/動作可以一被設置來偵檢該漫射反射光之偵檢器來進行。
在本專利申請案的具體例之另一態樣中，一種用於原位監測一超紫外線(EUV)鏡面以確認光劣化程度之系統，可以包含有一在該超紫外線(EUV)鏡面位於該光刻設備的運作位置中時，以具有可見光之波長的光來照射該鏡面之至少一部分的光源，以及一在光自鏡面反射之後測量該光的至少一部分強度之偵檢器，該偵檢器會產生一用於估算多層鏡面之劣化程度的輸出訊號。
在本專利申請案的具體例之又另一態樣中，一種用於測量一超紫外線(EUV)輻射之特性的量測裝置，可以包含有一偵檢元件以及一由氮化矽所組成之濾光器。在一結構中，該偵檢元件可以是一螢光轉換器，而該所量測之特性可以是光強度角度分佈。在另一結構中，該偵檢元件可以是一光二極體，而該所量測之特性可以是強度。
在此一態樣的一種結構中，該濾光器可以進一步包含有Ru(例如一Ru層)，並且在此一態樣的特殊結構中，該濾光器可以進一步包含有Ru和Zr。在此一態樣的另一結構中，該濾光器可以進一步包含數層之Ru層以及含數層之氮化矽層。在此一態樣的又另一結構中，該濾光器可以進一步包含有Pd(例如一Pd層)，並且在此一態樣的特殊結構中，該濾光器可以進一步包含有Pd和Zr。在此一態樣的另一結構中，該濾光器可以進一步包含數層之Pd層以及含數層之氮化矽層。
在本專利申請案的一具體例的又另一態樣中，一種種用於測量一超紫外線(EUV)光之光強度角度分佈的量測裝置，可以包含有一螢光轉換器以及一由鈾所組成之濾光器。在此一態樣的一實施例中，該濾光器可以進一步包含有Ru。
在本專利申請案之一具體例的另一態樣中，一例如螢光轉換器或光二極體之用於測量一超紫外線(EUV)輻射的特性之量測裝置，可以包含有一偵檢元件與一包含具有數個雙層之透光多層塗層的濾光器，每一雙層都具有一相對較低的折射率之材料以及一相對校較高的折射率之材料。舉例來說，該塗層可以是包含有數層的Mo層以及數層的Si層之透光多層塗層，或是包含有數層的Zr層以及數層的Si層之透光多層塗層。
在本專利申請案的一具體例之另一態樣中，一例如螢光轉換器或光二極體之用於測量一超紫外線(EUV)輻射的特性之量測裝置，可以包含有一偵檢元件與一包含有Ru的濾光器。
在另一態樣中，一種用於將碎屑(該碎屑係因為電漿之形成而產生)自一超紫外線(EUV)光源集光鏡鏡面(該集光鏡鏡面具有一帶有多層的近垂直入射角反射塗層之第一側邊，以及一相對側邊)移除的裝置可能包含有：一可以被沈積以覆蓋該相對側邊的至少一部分之導電性塗層；以及一會在該塗層中產生電流來加熱該集光鏡鏡面之系統。該導電性塗層可以是，但不一定要被侷限於一真空沈積塗層、一經熱噴灑塗層、一經電鍍塗層或是其等之組合。
在一具體例中，該塗層可以被架構以將該集光鏡鏡面的一第一區域加熱至一第一溫度T1 ，而將碎屑自該第一區域移除，並且將一第二區域加熱至一第二溫度T2 ，而將碎屑自該第二區域移除，而T1 ≠T2 。在一特定具體例中，該第一區域可能具有一與該第二區域不同之塗層面積覆蓋率。在另一特定具體例中，該第一區域可能具有一與該第二區域不同之塗層厚度。在另一特定的具體例中，該第一區域可能具有一與該第二區域不同之塗層導電係數。上述內容代表其可以具有係為不同溫度之三個或更多個的區域(例如，超過僅具有二個區域者)。
在一實施例中，該系統可以被架構以產生電磁輻射，並且該系統可以將一電磁輻射能量P1 輸送至該集光鏡鏡面的第一區域，同時將一電磁輻射能量P2 輸送至該集光鏡鏡面的第二區域P2 ，而P1 ≠P2 。
在本專利申請案的另一態樣中，一超紫外線(EUV)集光鏡鏡面裝置係具有一暴露於電漿形成時所產生的碎屑中之表面，其可以包含有一以多層近垂直入射角反射塗層來加以塗覆之基材，該基材係以一摻雜有導電性材料之材料所製成；以及一會在該基材中產生電流以將該集光鏡鏡面加熱之系統。
在此一態樣的一具體例中，該塗層可以被架構以將該集光鏡鏡面的一第一區域加熱至一第一溫度T1 ，而將碎屑自該第一區域移除，並且將一第二區域加熱至一第二溫度T2 ，而將碎屑自該第二區域移除，而T1 ≠T2 。在一特定的實施例中，該第一區域可以具有一與該第二區域不同的基材導電係數。在另一實施例中，該系統可以被架構以產生電磁輻射，並且該系統可以將一電磁輻射能量P1 輸送至該集光鏡鏡面的第一區域，同時將一電磁輻射能量P2 輸送至該集光鏡鏡面的第二區域P2 ，而P1 ≠P2 。
在本專利申請案的另一態樣中，一種用於製備一近垂直入射角超紫外線(EUV)鏡面的方法，可以包含有提供一基材；將該基材之一表面進行鑽石切削；使用物理氣相沈積作用來將至少一中間材料沈積覆蓋在該表面上；並且將一多層鏡面塗層沈積覆蓋於該中間材料上的步驟/動作。
舉例來說，該多層鏡面塗層可以包含有交互形成的Mo和Si層。
針對此一態樣，該基材可以是選自於不脹鋼、科伐合金(covar)、蒙耐合金(monel)、赫史特合金(hastelloy)、鎳、鉻鎳鐵合金、鈦、亞磷酸鎳電鍍/塗覆鋁、亞磷酸鎳電鍍/塗覆不脹鋼、亞磷酸鎳電鍍/塗覆科伐合金(covar)，或者該基材可以單獨地為一例如單晶或多晶矽之半導體。在一些結構中，該鏡面可以是一具有大於500毫米之直徑的橢圓狀鏡面。
在一具體例中，該中間材料可以包含有一對至少一蝕刻劑具有實質上與該多層反射塗層不同之蝕刻靈敏度的蝕刻中止材料，而在特定的具體例中，該蝕刻中止材料可以選自於由Si、B4 C、氧化物、SiC和Cr所構成之群組。在一些情況中，該蝕刻中止層可以具有範圍介於3nm至100nm的厚度。
在一具體例中，該中間材料可以包含有一實質上可以減少金屬基材擴散進入多層鏡面塗層之障壁材料，而在特定具體例中，該障壁材料可以選自於由ZrN、Zr、MoSi2 、Si3 N4 、B4 C、SiC和Cr等材料所構成之群組。。
在一具體例中，該中間材料可以包含有一平滑化材料，而在特定具體例中，該平滑化材料可以選自於由Si、C、Si3 N4 、B4 C、SiC，ZrN、Zr和Cr的材料所構成的群組。在一些實施例中，該平滑化材料可以使用較高度活化的沈積條件來進行沈積，舉例來說，該沈積條件包括將基材加熱及/或在沈積作用期間增加粒子能量。
在一些情況中，該平滑化層可覆蓋並與該金屬基材接觸在一具體例中，該平滑化層可以具有一範圍在3nm至100nm內的厚度。在一特定實施例中，該平滑化層可以包含有一非結晶材料。
在一實施例中，該沈積步驟/動作可以使用一選自於由離子束濺灑沈積作用、電子束物理氣相沈積磁電管濺散作用，以及其等之組合的物理氣相沈積技術來進行。
在本專利申請案的另一態樣中，一種用於整修一近垂直入射角超紫外線(EUV)鏡面的方法，可以包含有提供一具有一基材之超紫外線(EUV)鏡面、至少一覆蓋該基材之中間材料，以及一覆蓋該中間材料之多層鏡面塗料；將該多層鏡面塗料移除以產生一暴露表面；並在之後將該暴露的表面加以化學地研磨；沈積一平滑化材料；並且沈積一覆蓋該平滑化材料的多層鏡面塗層之步驟/動作。
在此一態樣的實施例中，該中間層可以具有一係為5μm至15μm之厚度，而該移除步驟/動作可以使用鑽石切削作用來移除該多層鏡面塗層。
在特定的實施例中，該平滑化材料可以選自於由ZrN、Zr、MoSi2 、Si3 N4 、B4 C、SiC和C的材料所構成之群組。
在一特定的實施例中，該多層鏡面塗層可以覆蓋並與該平滑化材料接觸。
在一特別的實施例中，一例如Cr層或TiO2 層之蝕刻中止層的第一中間物層中，可以一例如ZrN、Zr、Si、C、Si3 N4 、B4 C、SiC或MoSi2 之平滑化層或擴散障壁層的第二中間物層來加以覆蓋，以減少可能由該蝕刻中止層沈積作用所導致之表面粗糙現象。
在一實施例中，該移除步驟/動作可以使用化學蝕刻作用來移除多層鏡面塗層，而在一特定的實施例中，該中間層可以具有範圍為5nm至20nm的厚度，而該移除步驟/動作可以使用化學蝕刻作用來移除多層鏡面塗層。
在本專利申請案的另一態樣中，一種用於產生超紫外線(EUV)光的方法，可以包含有提供一具有一基材、一第一多層塗層堆、一覆蓋該第一多層塗層堆之中止層，以及一覆蓋該中止層之第二多層塗層堆的超紫外線(EUV)；使用該鏡面來將由一超紫外線(EUV)光產生電漿所產生之超紫外線(EUV)光加以反射，該電漿會產生將使得該第二多層塗層堆劣化之碎屑；並且在其之後；將該鏡面蝕刻以將該中止層的部分的至少一部分暴露；並且在其之後；使用該鏡面來將由一超紫外線(EUV)光發射電漿所產生之超紫外線(EUV)光加以反射。
在此一態樣的一實施例中，該中止層可以包含有選自於由ZrN、Zr、Si3 N4 、SiB6 、SiC、C、Cr、B4 C、Mo2 C、SiO2 、ZrB2 、YB6 和MoSi2 的材料所構成的群組之材料，而該蝕刻作用步驟可以使用一由Cl2 、HCl、CF4 與其等之混合 物所組成的群組之蝕刻劑。
在此一方法的具體例中，該第二多層塗層堆可以包含有數個雙層結構，每個雙層結構都具有一Mo層與一Si層，並且在一特定的具體例中，該第二多層塗層堆可以包含有數個Mo層、數個Si層，以及數個將Mo層自Si層分隔之擴散障壁層。
在一結構中，該第二多層塗層堆可以包含有超過四十個雙層結構。
在一些情況中，該中止層可以具有一被選定以維持該鏡面由該第二多層塗層至該第一多層塗層堆之週期性的厚度。
在此一態樣的一特殊實施例中，該中止層可以是一第一中止層，而該鏡面可以包含有一覆蓋該第二多層塗層堆之第二中止層，以及一覆蓋該第二中止層之第三多層塗層堆。
圖式簡單說明
第1圖顯示一依照本案揭示內容之態樣的以雷射產生之電漿超紫外線(EUV)光源的簡化概要圖；第2圖顯示一具有用於原位監測一橢圓狀超紫外線(EUV)鏡面，以確定光劣化程度的裝置之LPP超紫外線(EUV)光源的一部分之概要圖；第3圖顯示一具有用於原位監測一橢圓狀超紫外線(EUV)鏡面，以確定光劣化程度的裝置之一不同具體例的LPP超紫外線(EUV)光源之一部分的概要圖； 第4圖顯示一具有用於原位監測一橢圓狀超紫外線(EUV)鏡面，以確定光劣化程度的裝置之一不同具體例的LPP超紫外線(EUV)光源之一部分的概要圖；第5圖顯示一具有用於原位監測一橢圓狀超紫外線(EUV)鏡面，以確定光劣化程度的裝置之一不同具體例的LPP超紫外線(EUV)光源之一部分的概要圖；第6圖例示說明一種用於測量超紫外線(EUV)輻射特性之量測裝置的一部分，其具有一偵檢元件以及一窄頻超紫外線(EUV)透射濾光器；第7A圖顯示各種不同的濾光器材料相對於以奈米為單位之波長的透射強度(經標準化)之計算結果圖；第7B、7C和7D圖顯示具有各種不同厚度之去濃化鈾濾光器之相對於以奈米為單位的波長之透射強度的計算圖；第7E圖顯示具有厚約0.2μm之鈾層以及厚約50nm的Ru層之相對於以奈米為單位的波長之透射強度的計算結果圖；第8A、8B和8C圖例示說明三種超紫外線(EUV)反射鏡之背側加熱器的具體例；第9A圖顯示一種具有一基材、中間層以及多層鏡面塗層之近垂直入射角超紫外線(EUV)集光鏡的剖視圖；第9B圖顯示顯示一種例如近垂直入射角超紫外線(EUV)集光鏡之具有一基材、第一中間層、第二中間層以及多層鏡面塗層之鏡面的剖視圖；第10圖顯示顯示一種例如近垂直入射角超紫外線 (EUV)集光鏡之具有一基材、五個多層塗層堆，以及四個將該等多層塗層堆分隔之中止層的鏡面的剖視圖；並且第11圖顯示一種例如近垂直入射角超紫外線(EUV)集光鏡之鏡面的剖視圖，其具有一基材、數個由各別的中止層所分隔之多層塗層堆，每個多層塗層堆都具有數個相對較高之折射率層、數個相對較低折射率層，以及數個將高折射率層與低折射率層分隔之擴散障壁層。
 較佳實施例之詳細說明
首先參照第1圖，其顯示一種超紫外線(EUV)光源(舉例來說，依照一具體例之態樣的以雷射產生電漿之超紫外線(EUV)光源)的概要圖。如第1圖所示並在下文中更進一步地詳細描述的，該LPP光源20可以包含有用於產生一列光脈衝並將該等光脈衝傳送至一腔室26內的系統22。如在下文中詳細描述的，每個光脈衝都可以沿著一來自該系統22的波束路徑來進入腔室26內，以在一照射區域(例如在一橢圓鏡面的一焦點28上或是附近)中照射各別的標靶液滴。
可以用於第1圖所顯示的裝置14中之適當的雷射，可以包括有一例如在直流或射頻激發作用下，於例如10kW或更高之相對較高能量，以及例如50kHz或更大之較高脈衝重複率下操作的脈衝雷射裝置(例如一種可以產生在9.3μm或10.6μm下之輻射的脈衝氣體放電CO2 雷射裝置)。在一特別的實施例中，該雷射可以是一具有多階段放大作用之MOPA結構的軸向流動RF-泵送CO2 ，並且具有由一Q開關式主控 振盪器(MO)所起始之具有低能量和高重複率(舉例來說，能夠在100仟赫下操作)之種子脈衝。然後該雷射脈衝可以在進入該LPP腔室之前，由該MO來加以放大、成形、導引並且/或是聚焦。連續泵送式CO2 放大器可以被用於該系統22中。舉例來說，一種具有一個振盪器和三個放大器(O-PA1-PA2-PA3的結構)之適當的CO2 雷射裝置，係被揭露於2005年六月29日提出申請之發明名稱為LPP EUV LIGHT SOURCE DRIVE LASER SYSTEM的美國專利申請案第11/174,299號(代理人案號第2005-0044-01號)中，其之整體內容已經在先前被併入以供參考。或者，該雷射可以被架構成其中該液滴係被用來作為該光學腔室內之一鏡面的所謂“自動校準”雷射系統。在一些“自動校準”結構中，可能不需要一主振盪器。自動校準雷射系統係在2006年十月13日提出申請之發明名稱為DRIVE LASER DELIVERY SYSTEMS FOR EUV LIGHT SOURCE(代理人案號第2006-0025-01號)的共同申請案中加以揭露與請求，其之整體內容已經在先前被併入以供參考。
依據該應用方式，可以在高能量與高脈衝重複率下操作之其他類型的雷射也可以是適當的(舉例來說，一準分子或是分子氟雷射)。其等之具體例包含有，一固態雷射(舉例來說，具有一棒狀、纖維狀或是碟狀的增益媒介者)、一MOPA結構式準分子雷射系統(舉例來說，如美國專利第6,625,191、6,549,551和6,567,450號中所顯示者)、一具有一或更多腔室之準分子雷射(舉例來說，一振盪器腔室以及一 或更多放大腔室(而該等放大腔室係為並列式或串列式)、一主控振盪器/功率振盪器(MOPO)結構、功率振盪器/功率放大器(POPA)結構)，或是一可以形成一或者更多準分子或分子氟放大器或振盪器腔室的固態雷射，都可以是適當的。其他的設計也是可行的。
如在第1圖中所進一步顯示的，該超紫外線(EUV)光源20也可以包含有一標靶材料輸送系統24，舉例來說，將該標靶材料輸送進入一腔室26的內部至該照射區域，該液滴會在該處與一或者更多光脈衝互相作用(例如與一或者更多的前脈衝並於之後與一或者更多主脈衝作用)，最後產生一電漿並生成一超紫外線(EUV)放射作用。該標靶材料可以包含有，但並不一定侷限於，一包含有錫、鋰、氙或是其等之組合的材料。該等超紫外線(EUV)發射元素(舉例來說，錫、鋰、氙，等等)，可以是液滴及/或包含在液滴裡面的固態顆粒之形式。舉例來說，該元素錫可以純錫、錫化合物(舉例來說，SnBr4 、SnBr2 、SnH4 )、錫合金(舉例來說，錫-鎵合金、錫-銦合金、錫-銦-鎵合金、或是其等之組合)來加以運用。依據其所使用的材料，該標靶材料可以在包括有室溫或在一接近室溫(舉例來說，錫合金，SnBr4 )的較高溫度下(舉例來說，純錫)，或是在低於室溫之溫度(舉例來說，SnH4 )的各種不同溫度下，出現於照射區域，而在一些情況中，其可以是相對地具有揮發性(舉例來說，SnBr4 )。與這些材料在LPP超紫外線(EUV)光源中的用途有關之更多的細節，係被提供於2006年四月17日提出申請之發明名 稱為ALTERNATIVE FUELS FOR EUV LIGHT SOURCE之美國專利申請案第11/406,216號(代理人案號第2006-0003-01號)之共同申請案中，其之整體內容已經在先前被併入以供參考。
繼續參照第1圖，該超紫外線(EUV)光源20也可以包含有光學元件30(例如一係為經截斷的橢圓體形狀之集光鏡鏡面，其具有係為交互的鉬和矽層之高級多層塗層)。第1圖顯示該光學元件30可以形成有一孔洞，以允許由該系統22產生的該光脈衝通過並到達該照射區域。如其所示，該光學元件30可以是例如一具有位在或是接近於該照射區域裡面的第一焦點，以及一位在所謂的中間區域上之第二焦點的橢圓體鏡面，其中該超紫外線(EUV)光可以自該超紫外線(EUV)光源20輸出，並輸入至一運用超紫外線(EUV)光之裝置(例如一積體電路微影術工具(未顯示))。應該要瞭解的是，其他的光學元件可以用來取代該橢圓體鏡面，以收集並將光線導引至一中間位置，以在之後將其輸送至一運用超紫外線(EUV)光的裝置，舉例來說，該光學元件可以是拋物線狀或者可以被架構而將一具有環狀剖面之光束輸送至一中間位置，其可以參見於2006年八月16日提出申請之發明名稱為EUV OPTICS之美國專利申請案第11/505,177號(代理人案號第2006-0027-01號)之共同申請案，其之整體內容已經在先前被併入以供參考。
繼續參考第1圖，該超紫外線(EUV)光源20也可以包含一超紫外線(EUV)控制器60，其也可以包含有一用於開啟在 該系統22中之一或者更多燈具及/或雷射裝置的發射控制系統65，以藉此產生用來輸出至腔室26內之光脈衝。該超紫外線(EUV)光源20也可以包括有一液滴位置偵檢系統，其可以包含有可以指示液滴位置(舉例來說，相對於照射區域之位置)的輸出結果之一或者更多液滴成像器70。該成像器70可以將此一輸出結果提供給一例如可以計算一液滴位置及/或軌跡之液滴位置偵檢回饋系統62，舉例來說，其可以例如在一液滴接著一液滴為基礎或是以平均值為基礎，來計算液滴位置錯誤。然後該液滴錯誤可以被提供以作為控制器60的輸入值，舉例來說，其可以對該系統22提供一位置、方向及/或時點上的校正訊號，以控制一來源時序電路及/或控制一波束位置與形狀控制系統，而例如改變被被輸送至位在該腔室26中的照射區域之光脈衝位置及/或焦度。
該超紫外線(EUV)光源20可以包括有一或更多超紫外線(EUV)量測儀器，以測量由該光源20所產生之超紫外線(EUV)光之各種不同的特性。這些特性可以包括有，舉例來說，強度(舉例來說，整體強度或是在特定譜帶內之強度)、頻譜帶寬、偏極化現像、光束位置、指向方位等等。就該超紫外線(EUV)光源20而言，該裝置可以被架構以在該下游工具(舉例來說，該微影術掃描器)正在運作的時候進行作業，舉例來說，其可以藉著例如使用一截取鏡面或是採用未被收集之超紫外線(EUV)光，來對一部分的該超紫外線(EUV)輸出作用進行取樣，並且/或者可以在該下游工具(舉例來說，該微影術掃描器)並未進行運作的時候進行作業， 舉例來說，其可以藉著測量該超紫外線(EUV)光源20的整體超紫外線(EUV)輸出來進行。
如在第1圖中所進一步顯示的，該超紫外線(EUV)光源20可以包含一個液滴控制系統90，其係可以因應於一訊號而進行運作，在一些實施例中該訊號可以包含上述之液滴錯誤或是一些源自於控制器60之量值，以譬如修改該標靶材料自該液滴來源92的釋放點及/或修改液滴形成的時間點，而矯正在該液滴到達所欲的照射區域中之錯誤情況，並且/或是將該等所產生的液滴與該脈衝雷射系統22同步化。
與各種不同的液滴分配器結構以及其等之相關優點的細節，可以在2007年七月13日提出申請之發明名稱為LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE HAVING A DROPLET STREAM PRODUCED USING A MODULATED DISTURBANCE WAVE的美國專利申請案第11/827,803號(代理人案號第2007-0030-01號)的共同申請案、2006年二月21日提出申請之發明名稱為LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE WITH PRE-PULSE的美國專利申請案第11/358,988號(代理人案號第2005-0085-01號)的共同申請案、2005年二月25日提出申請之發明名稱為METHOD AND APPARATUS FOR EUV PLASMA SOURCE TARGET DELIVERY的美國專利申請案第11/067,124號(代理人案號第2004-0008-01號)的共同申請案，以及2005年六月29日提出申請之發明名稱為LPP EUV PLASMA SOURCE MATERIAL TARGET DELIVERY SYSTEM的美國專利申請案第11/174,443號(代理人案號第2005-0003-01號)的共同申請案中發現，其等之整體內容係在此被併入以供參考。
現在參照第2圖，其顯示一種用於原位監測一橢圓體超紫外線(EUV)鏡面30的裝置，以確定光劣化程度。如其所顯示的，該監測裝置可以包括一被設置以將光導向該鏡面30的反射表面之光源100以照射該鏡面表面。典型地，該光源可以提供一在該超紫外線(EUV)頻譜以外的光(也就是，落在係為1nm至100nm之波長範圍之外)。在一種設置方式中，該光源可以提供可見光。在一些情況中，使用一點光源可以是有利的，舉例來說，該點光源可以是一發光二極體(LED)，舉例來說，其可以使用一具有相對較小的發射面積之~1毫米直徑的LED，以及一相對地較大的發散光。或者，其可以使用一設置於一用來減少發射區域之孔洞(舉例來說，一相對較小的孔洞)後面之較大光源。
對於橢圓體形鏡面來說，該光源100可以被設置於該等焦點中之一者上(例如在如第2圖所顯示之該較接近的(或是主要)焦點28上)，因而如其所顯示的產生一在該(較遠的或次要的)焦點40上具有一頂點之反射光102圓錐體。其也顯示，該監測裝置可以包含有一可以包括有一螢幕(舉例來說，一白色螢幕)之偵檢器104(該螢幕係用以與一CCD攝影機一起產生該經反射的光之影像)並選擇性地包括有一透鏡，以用來記錄該該經反射的光之分佈狀況。或者，一CCD 攝影機可以被設置於位在該中間焦點40之後的該光圓錐體內。雖然該螢幕係被顯示成被設置於該次要焦點40的下游處，但是其也可以被另外地被設置於該主要與次要焦點28,40之間。其他適當的偵檢器可以包含有，但並不一定被侷限於螢光螢幕、光二極體陣列以及其他的光學攝影機。
在使用中，在第1圖中所顯示的超紫外線(EUV)來源20可以一預定的脈衝數值來進行操作。然後該超紫外線(EUV)光源20可以被關閉並將該真空腔室26開啟。一旦其被開啟，該光源100與偵檢器104可以被設置能於其等之各別的位置上。在另一結構中，一定位系統(未顯示)可以被安裝於腔室26中，以允許該光源100與偵檢器104可以在未打破在該腔室26中的高度真空下加以設置。在任一情況中，該監測裝置可以在不需要將該鏡面移除並且不會對該鏡面的校準作用的情況下，用來確定該鏡面光學的光劣化程度一旦該光源100與偵檢器104被適當地設置之後，該偵檢器可以取得該漫射反射光的影像並與先前所獲得之資料(也就是，一先前所測量(也就是，經驗上所產生的))進行比較，或是針對鏡面劣化程度與光反射率之間的關係進行計算。舉例來說，同步輻射可以被用來決定超紫外線(EUV)反射率以建立一在經驗上之超紫外線(EUV)反射率與超紫外線(EUV)光反射率之間的關係。典型地，例如由離子/顆粒的撞擊及/或材料(例如微-液滴)的沈積現象所導致之鏡面表面之微粗糙度的增加，將會導致鏡面反射光之對應減少現象。如果有需要的話，該光劣化測量作用然後可以被用來 估計超紫外線(EUV)反射率。
另外，或是除了在一定數量的超紫外線(EUV)光輸出脈衝之後使用該監測裝置之外，該監測裝置可以被用來診斷一鏡反射以外(或是近鏡反射以外)的超紫外線(EUV)光源，例如一具有非鏡反射超紫外線(EUV)輸出強度、頻寬、角均勻度，等等之超紫外線(EUV)光源。針對一典型的超紫外線(EUV)光源，例如鏡面反射率、輸入雷射能量與特性、液滴尺寸、液滴-雷射脈衝之相互作用，等等之因素可能會影響超紫外線(EUV)光之輸出作用。在此等大量的變數影響下，其可能難以僅藉著對各種不同的光源元件進行調整，就分辨出哪一個因素會導致一頻譜外超紫外線(EUV)輸出現像。在瞭解這些事實之後，在此所描述的鏡面監測裝置可以在不需將該鏡面自該光源移除，並且不需產生超紫外線(EUV)光來進行測量下，允許其進行一光劣化程度測量。
第3圖顯示另一種結構，其中一光源100(舉例來說，一如上所述之會發出在超紫外線(EUV)頻譜之外的光線之光源)可以被設置於一橢圓體鏡面30之如在第3圖中所顯示的該(較遠的與次要的)焦點40的該等焦點中之一者上，並且係被設置成使得該鏡面30的反射表面可以被加以照射之方位，因而會產生具有一位在該較近的(或是主要的)焦點28上之頂點的反射光102圓錐體。其同時顯示，該監測裝置可以包含有一被設置於或在該主要焦點28附近，並且係被設置以將光由該主要焦點28導引至該偵檢器104(如上所述者)的光學元件(例如一九十度轉向反射鏡)。同樣地，該光源可 以藉著適當的光學元件與九十度轉向反射鏡，而於次要焦點40上成像。光劣化現象的監測因此可以在未打破系統的真空下，通過該光源腔室的窗口而達成。
第4圖顯示其中可以(單獨地或是與上述的鏡反射一起)評估例如散射光之漫射反射現象，以確定鏡面之光劣化程度的另一種結構。典型地，鏡面表面之微粗糙度的增加(舉例來說，由離子/顆粒之撞擊及/或例如微液滴等等之材料沈積作用所導致者)，將會造成對應增加之漫射反射光數量。如其所做顯示的，光源100可以被設置或投射以照射部分或者所有的該超紫外線(EUV)鏡面30，而產生與該鏡面表面的有關之大略形狀有關的鏡反射，以及與小尺度的粗糙度(舉例來說，由離子/顆粒之撞擊及/或材料沈積作用所導致者)有關之漫射反射現象。對於在第3圖中所顯示的特定具體例，該光源100係被顯示成被設置於一橢圓體鏡面30的主要焦點28上，因而將會如其所示的產生一在該次要焦點40上具有一頂點之鏡反射光102圓錐體。其同時顯示，該監測裝置可以包含一如上述之例如CCD攝影機的偵檢器104，其係以相對於該照明光線成一斜角來加以設置以測量一漫射反射作用之數量。該所量測之資料然後可以與先前所得到的資料(也就是，一先前所測量的(也就是，經驗上所產生的))進行比較，或是針對鏡面劣化程度與漫射光反射率之間的關係進行計算。
第5圖顯示另一種其中可以(單獨地或是與上述的鏡反射一起)評估例如散射光之漫射反射現象，以確定鏡面之光 劣化程度的另一種結構。如其所做顯示的，雷射來源150可以被設置以將一入射的雷射光束152導引至橢圓體超紫外線(EUV)鏡面30表面(其具有焦點28,40)之一相對地較小的位置153上。如其所做顯示的，該光束係自其鏡面反射而成為經反射的光束154。偵檢器156係被設置以在一相對於該入射角之預定角度下接收散射光，並且在一些情況中，其可以沿著箭號158而移動，以在相對於該入射角之數個角度下測量散射光。其可能評估來自在該集光鏡30上之一些位置上的散射光，或者如果有需要的化，整個表面都可以用雷射光束來進行例如柵狀掃瞄之掃瞄作用。該所量測之資料然後可以與先前所得到的資料(也就是，一先前所測量的(也就是，經驗上所產生的))進行比較，或是針對鏡面劣化程度與漫射光反射率之間的關係進行計算。該入射角與散射光可以被傳播通過腔室窗口。因此，此等散射光的測量作用可以在未打破系統的真空下進行。雖然上述的描述(也就是，第2-5圖的說明)係參照橢圓體集光鏡鏡面來進行，上述的教示內容係可以延伸超越集光鏡鏡面，而更明確地，係可以超越近垂直入射角橢圓體鏡面，以包含有但是不必然地侷限於，平面鏡面、球形鏡面、非球形、拋物線鏡面、掠射鏡面，以及和所謂環狀視野光學元件(ringfieldoptics)。
第6圖例示說明一用於測量一超紫外線(EUV)輻射之特性的量測裝置200的一部分。如其所顯示的，該裝置200可以包含有一偵檢元件202以及一窄頻帶超紫外線(EUV)透光濾光器204。舉例來說，該偵檢元件202可以是一例如具有CE：YAG晶體之螢光轉換器，以測量例如該超紫外線(EUV)光源所放出之超紫外線(EUV)的光強度角度分佈情況，或者該偵檢元件202可以是一用於測量超紫外線(EUV)強度之光二極體。就該裝置200而言，該濾光器204可以是一被沈積以覆蓋(同時在一些情況中接觸)該偵檢元件202之一可操作表面的塗層(其可以具有一或者更多層次)。此外，或是除了該經沈積的塗層料之外，該濾光器204可以包含有一或者更多沿著該超紫外線(EUV)光徑而設置，並且係位在該偵檢器元件202前方之非沈積性薄膜/箔。在這一方面，揭露了一些在材料組成與厚度上不同之濾光器，而每個濾光器都具有一超紫外線(EUV)穿透譜帶寬以及尖峰透光率。典型地，該量測裝置200可以運用於一或者更多層次(舉例來說Mo/Si鏡面)之鏡面的下游，該鏡面會反射一具有相對較小的超紫外線(EUV)譜帶寬，以及大約為13.5nm之強度尖峰的光線。然而，在缺乏適當的濾光器下，用來測量超紫外線(EUV)光源之輸出量的量測偵檢器，也可能會(非所欲地)暴露於其他波長的光線下(例如在可見光、IR與UV光譜，以及頻譜帶外的超紫外線(EUV)輻射之光線)。再者，如目前所構思的，自一超紫外線(EUV)光源離開的光線可以自一些Mo/Si鏡面反射，而每個鏡面都會在該超紫外線(EUV)光與一晶圓相互作用之前，過濾該超紫外線(EUV)光源輸出。因此，在針對該超紫外線(EUV)光源輸出的進行量測時，其係較佳地藉由濾光器來模擬到達晶圓之該超紫外線(EUV)光。此時，其係被建議使用具有一約為13.5nm之相對較寬的頻譜帶寬的Zr，或是由於Si之吸收邊界的位置而在12.5nm附近具有吸收峰值之Si，或是其等之組合。
現在參照第7A圖，其顯示一些透射強度(經標準化)相對於以奈米計算之波長的計算圖，而曲線300係對應於一具有係為200nm的厚度之矽氮化物(Si3 N4 )濾光器。如其所顯示的，Si3 N4 濾光器具有一於大約為12.5nm的波長下之堅峰透光度。比起先前已經被建議以用於超紫外線(EUV)濾光作用之Si，Si3 N4 箔膜係具有比較高的抗拉強度，並且對於化學性活躍之環境而言也更不具活性同時更具抵抗力。同時，矽氮化物可以與一過渡金屬組合以產生一在僅運用矽氮化物下所獲得者更少之頻譜帶寬。第7A圖顯示二種矽氮化物/過渡金屬之組合的傳輸強度(經標準化)相對於波長之計算圖。明確地說，曲線圖302係對應於具有一厚度為200nm的矽氮化物(Si3 N4 )以及厚度為50nm的鈀(Pd)之濾光器，而曲線圖304係對應於具有一厚度為200nm的矽氮化物(Si3 N4 )以及厚度為50nm釕(Ru)之濾光器。在曲線圖302,304中，透射尖峰係位在12.5nm附近該頻譜帶寬係比對應於僅具有矽氮化物之濾光器的曲線圖300更窄。明確地說，該Si3 N4 /Pd(曲線圖302)之峰值半高寬(FWHM)頻譜寬係＜1nm，而Si3 N4 /Ru(曲線圖304)之FWHM頻譜寬則係為接近1.5nm。
現在參照第7B、7C和7D圖，其顯示一些傳輸強度相對於以奈米來計算之波長的計算圖，而曲線圖400(第7B圖)係為對應於一具有係為0.1μm的厚度之去濃化鈾濾光器、曲線圖402(第7C圖)係為對應於一具有係為0.2μm的厚度去濃化鈾濾光器、曲線圖404(第7D圖)則係為對應於一具有係為0.3μm的厚度去濃化鈾濾光器。如其所顯示的，該超紫外線(EUV)透射作用的峰值係位在13.3nm附近，而FWHM頻譜寬則係依據該濾光器的厚度而位在大約～2nm和～1nm之間。應注意的是：該濾光器愈厚，該頻譜寬也就愈窄並該透射度就越低。也可以發現在該峰值附近超紫外線(EUV)輻射的透射度，係隨著濾光器的厚度而介於10%和40%之間。
第7E圖顯示一具有大約0.2μm的厚度之鈾層以及大約50nm的厚度之Ru層的濾光器之傳輸強度相對於以奈米來計算之波長的計算圖(曲線圖406)。可以發現該頻譜帶寬係比鈾濾光器更窄(第7B-D圖)而最高透射度係接近於10%。
另一種適合的濾光器可以由包含有20-40個雙層之Mo/Si或Zr/Si透射多層所製成。該透射度係接近於2%，而該頻譜寬係大約為0.4nm並且在Mo/Si的情況中該雙層周期係大約為7.0nm。在Zr/Si透射性多層的情況中，運用厚度為4.0nm的矽層以及厚度為1.75nm的Zr層之20個雙層，將可以得到幾乎為80%之透射度。然而，在此一情況中該頻譜寬係為超過7nm寬的(峰值半高寬(full-width at half-maximum))。
第8A圖例示說明用於超紫外線(EUV)反射鏡之背側加熱器的一具體例，也就是一被設置於該鏡面的反射表面之相對側上，以控制一例如集光鏡鏡面30的鏡面之反射表面的溫度之加熱器。在一應用中，該加熱器可以被用來控制該鏡面之表面溫度，並因此控制超紫外線(EUV)光源的蝕刻速率，其使用一蝕刻劑來與已經被沈積在鏡面表面上之電漿生成碎屑之反應。典型地，該蝕刻速率可以隨著溫度而改變。舉例來說，使用HBr及/或Br2 蝕刻劑來進行之經沈積的錫的移除速率，已經被發現係在150-400℃的溫度範圍內強烈地隨著溫度而改變。如在下文中所詳細描述的，該背側加熱器可以被設置以將該表面的不同區域加熱至不同的溫度，以在鏡面的反射表面上維持一致的溫度，或是在較多碎屑被沈積之處提供較高的表面溫度，因而增進這些區域的蝕刻速率。舉例來說，就一在該較近的焦點上具有電漿生成之橢圓體集光鏡鏡面而言，該鏡面的一些區域係表較接近該電漿，而因此可能會由於該電漿而比其他的區域被更進一步加熱。針對此一情況，如果有需要的話，該背側加熱器可被用來進行差異性加熱作用，以在該鏡面的反射表面上形成一致的溫度。
集光鏡鏡面的使用期限可能在超紫外線(EUV)光源的整體成本中扮演了重要的角色。因此，其可以需要使用例如具有相對較長的使用壽命之加熱系統的集光鏡鏡面元件。在這一方面，於一些結構中，部分或所有的該加熱系統都可能會暴露於例如HBr/Br2 蝕刻劑以及較高的溫度下。此外，在一些結構中，加熱系統元件可以與該超紫外線(EUV)光源之可操作部分形成流體通連。在這些結構中，其係較佳地使用不會產生沈積在該光學元件之可作業表面上，及/或吸收超紫外線(EUV)光的污染物之材料。其可以施加類似於氮化矽或氧化矽之非反應性化合物的厚度為一至數百nm之鏡面夾具以及鏡面表面塗層，以避免與該蝕刻劑之反應並避免表面腐蝕現象。
第8A圖顯示一背側加熱器的結構，其中一例如鉬的導電性塗層500已經以一包含有二個電路的預定圖案來沈積在該集光鏡基材的背側502上，而每個電路均具有一對端子。雖然其在第8A圖中顯示為二個電路，但是應該瞭解的是，其也可以使用超過二個以及少至一個的電路。
舉例來說，該塗層可以直接地使用物理氣相沈積作用、化學氣相沈積作用、熱噴灑電鍍作用或是該等作用之組合而施加至該基材上。該基材之直接施加作用可以提供該導電性材料與該基材一良好熱接觸作用。舉例來說，該基材可以由SiC、多晶矽或單晶矽所組成。舉例來說，在大多數的情況下，該導電性塗層與基材之熱膨脹係數係較佳地為可以相配合，以避免該塗層之碎裂、剝落等等。在這一方面來說，Mo與SiC係具有相對接近之熱膨脹係數。
該SiC基材係具有一係為～1kΩ/cm至1000kΩ/cm之相當高的表面電阻係數。沿著Mo背側加熱器之該電阻係少於1Ω/cm，因此該加熱電流將會幾乎完全地流過該Mo加熱迴路。
第8A圖也顯示了該背側加熱器可以包含有一例如一或者更多可調節電源的系統504，其等可以在該塗層500中產生可調節電流以將該集光鏡鏡面加熱。針對在第8A圖中所顯示之經設置的背側加熱器，所產生之熱量可以數種方式而選擇性地自該集光鏡表面上的一區域至另外一區域進行變化。舉例來說，該塗層厚度及/或該塗層寬度“w”及/或表面覆蓋率(舉例來說，在一區域裡面由導體所覆蓋之表面的百分比)及/或塗層導電，可以被改變以產生差異性加熱作用。或者，或者是除了上述之變化以外，其可以使用每個都具有一不同圖案及/或每個都被連接至一獨立的電源之多重電路。
第8B圖顯示一背側加熱器的結構，其中一例如鉬的導電性塗層600已經以一包含有六個迴路的預定圖案來沈積(舉例來說，如上所述的)在該集光鏡基材的背側602上，而每個迴路均形成一封閉的電路。雖然其在第8B圖中顯示為六個電路，但是應該瞭解的是，其也可以使用超過六個以及少至一個的電路。就在第8B圖中所顯示的背側加熱器而言，一系統604可以被選擇性地提供以在每個迴路中產生渦電流而將該集光鏡鏡面表面加熱。舉例來說，該系統604可以包含有一或更多個被設置於該集光鏡鏡面後面之感應器。在另一種配置中，其可以使用微波輻射器。如果有需要的話，該系統604可以被架構以在每個迴路中獨立地產生渦電流，藉此讓不同的區域可以被獨立地加熱。
就在第8B圖中所顯示的背側加熱器而言，所產生之熱量可以數種方式而選擇性地自該集光鏡表面上的一區域至另外一區域進行變化。舉例來說，該塗層厚度及/或該塗層寬度“w”及/或表面覆蓋率(舉例來說，在一區域裡面由導體所覆蓋之表面的百分比)及/或塗層導電，可以被改變以產生差異性加熱作用。或者，或者是除了上述之變化以外，其可以使用每個都具有一不同圖案及/或每個都由一獨立感應器來產生能量之多重迴路。
第8C圖顯示另一種具體例，其中部分或所有的該鏡面基材700可以一導電性材料702來加以摻雜，舉例來說，一SiC基材係以石墨來進行摻雜。藉由此一結構性配置，該基材可以藉著將該經摻雜的部分選擇性地暴露於射頻或微波輻射下而加以加熱。所產生的熱量可以藉著改變在基材裡面的摻雜程度及/或改變到達一特定區域之該輻射的強度，而選擇性地由在該集光鏡表面上之一區域至另外一區域進行變化。
第9A圖顯示一鏡面(舉例來說，近垂直入射角超紫外線(EUV)集光鏡鏡面)的剖視圖，其具有一基材800、中間層802以及多層反射塗層804。第9A圖例示說明製造及/或整修一超紫外線(EUV)鏡面的方法，其中一例如Ni、Al、Ti或是譬如不脹鋼、科伐合金(covar)、蒙耐合金(monel)、赫史特合金(hastelloy)、鎳、鉻鎳鐵合金、鈦、亞磷酸鎳電鍍/塗覆鋁或亞磷酸鎳電鍍/塗覆不脹鋼，或者亞磷酸鎳電鍍/塗覆科伐合金(covar)之金屬基材，或是一例如單或多晶矽之類似矽的半導體，係被加以鑽石切削以產生一具有最終的光學元件之概要形狀(舉例來說，橢圓體、球形、以及拋物線外形，等等)，並具有一大約為2-10nm之表面粗猜糙度之暴露表面。接著，一可以是所謂的“平滑”層之中間層802，可以使用物理氣相沈積技術來進行沈積，以減少可能會影響MLM的性能之表面粗糙度。舉例來說，物理氣相沈積技術可以選自於由離子束濺灑沈積作用、電子束沈積作用、物理氣相沈積作用、磁控濺鍍作用以及其等之組合所構成的群組。該平滑化材料可以是一非晶形材料及/或可以是選自於由Si、C、Si3 N4 、B4 C、SiC、ZrN、Zr和Cr之材料所構成的群組。該平滑化材料可以使用較高度活化的沈積條件來進行沈積，舉例來說，舉例來說，該沈積條件包括將基材加熱及/或在沈積作用期間增加粒子能量。在一些情況中，該平滑層可以覆蓋並與該金屬基材接觸，並且可以具有落在大約3nm至100nm的範圍內之厚度。第9A圖顯示一多層反射塗層804(舉例來說，一具有大約30-90個Mo/Si雙層的塗層)可以被沈積以覆蓋該中間層802。
第9B圖顯示一例如近垂直入射角超紫外線(EUV)集光鏡鏡面之鏡面的剖視圖，其具有一基材850、第一中間層852、第二中間層854以及多層鏡面塗層856。第9A圖例示說明一種用於起始一超紫外線(EUV)鏡面的製造之方法，其中一由類似於SiC、多晶矽、單晶矽、Ni、Al、Ti之材料，或是類似於不脹鋼、科伐合金(covar)、蒙耐合金(monel)、赫史特合金(hastelloy)、鎳、鉻鎳鐵合金、鈦、亞磷酸鎳電鍍/塗覆鋁之材料所製造的基材，係藉由一例如鑽石切削、研磨、精磨和拋光，等等之適合於將該基材材料成形之技術來進行加工，以產生一具有該最終光學元件之例如橢圓體、球形、以及拋物線等等之該概要外形的暴露表面。
接著，中間層852,854係與該等所謂的“平滑”層以及另一係為所謂的“中止”層一起沈積。該“平滑”層可以在該“中止”層之後被加以沈積，或者反之亦然。每個此等層次都可以使用如上所述的物理氣相沈積技術來進行沈積。如上所述，該平滑化材料可以是一非晶形材料及/或可以是選自於由Si、C、Si3 N4 、B4 C、SiC、ZrN、Zr和Cr之材料所構成的群組，並且可以使用較高度活化的沈積條件而沈積成範圍為大約為3nm至100nm的厚度。
在此描述了二種不同類型的中止層。在一種結構中，可以使用一相對較薄的“蝕刻”中止層(舉例來說，1-100nm而在一些情況中為5-20nm)，以允許該MLM塗層可以在翻新製程期間經由蝕刻作用而移除，同時留下該蝕刻中止層。舉例來說，適當的蝕刻作用技術可以包含有，但是不一定被侷限於化學濕式蝕刻作用、乾式電漿蝕刻作用或是反應性離子蝕刻作用。典型地，該蝕刻中止層材料係經過選擇以在至少一蝕刻劑中，具有一實質上與該多層反射塗層不同之蝕刻靈敏度。適當的蝕刻中止材料可以包含有，但不一定被侷限制於，Si、B4 C、例如TiO2 之氧化物、例如ZrN之氮化物、SiC、Zr以及Cr。
在此揭露了第二種類型之中止層，其中可以使用一相對較厚(舉例來說3μm-20μm，和在一些情況中5μm到15μm)的中止層，以允許該MLM塗層可以在翻新製程期間經由鑽石切削作用而移除，同時留下該蝕刻中止層。此一第二類型的中止層之適當材料可以包含有，但不一定被侷限制於，Si、B4 C、例如TiO2 之氧化物、SiC、Zr、Cr以及例如ZrN之氮化物。
第9B圖也顯示一例如具有大約30-90個Mo/Si雙層之塗層的多層反射塗料856，可以被沈積以覆蓋該等中間層852,854。
在第9B圖中顯示之該鏡面的翻新作用，可以藉著移除該MLM塗層856來進行，或是藉由上述的鑽石切削或蝕刻作用，來使得該中止層暴露並接著在沈積一新的MLM塗層之後將一平滑化層沈積在該經暴露的中止層上。就該翻新作用而言，該平滑化層可以是一非晶形材料及/或可以是選自於由Si、C、Si3 N4 、B4 C、SiC、ZrN、Zr和Cr之材料所構成的群組，並且可以使用較高度活化的沈積條件而沈積成範圍為大約為3nm至100nm的厚度。
除了上述之該等中間層以外，可以提供一或更多用來避免一層次擴散進入另一者之障壁層，並且在一些情況中，可以提供一例如鉻或鋯之釋放層而覆蓋該中止層以促使MLM塗層被移除。這些額外的層次可以在最初的製造期間，並且在一些情況中於翻新作業期間被加以沈積。舉例來說，該障壁材料可以選自於MoSi2 、Si3 N4 ,B4 C、SiC、ZrN、Zr和Cr的材料所構成之群組，並且可能被設置在該基材和MLM之間的某處。在一些情況中，一障壁層可以被提供於該基材與該中止層之間以及/或是在該中止層與該MLM塗層之間。
第10圖顯示一例如近垂直入射角超紫外線(EUV)集光鏡鏡面930之鏡面的剖視圖，其具有一基材902、多層塗層堆904a-e以及中止層906a-d，而每個中止層906a-d均係被插置於一對多層塗層堆904a-e之間。舉例來說，每個多層塗層堆904a-e都可以包含有大約四十至二百個雙層，且更典型地為八十至一百二十個雙層，而每個雙層都具有一層相對較高之折射率材料以及一層相對較低之折射率材料。在一結構中，每個雙層都可以包含有一Mo層與一Si層。對該鏡面930而言，每個中止層906a-d都可以由選自於Si3 N4 、SiB6 、SiC、C、Cr、B4 C、Mo2 C、SiO2 、ZrB2 、YB6 與MoSi2 之材料所構成的群組之材料所形成。對該鏡面930而言，該中止層可以具有一被選定以維持該鏡面由一相鄰的多層塗層至另一相鄰的多層塗層堆之週期性的厚度。舉例來說，該中止層可以被製造成一厚度，以使得其可以更換在該多層堆中之一將會另外為一矽層之層次(舉例來說，在近垂直入射角下厚度大約為4nm)。在一些情況中，該中止層材料可以與一適當的蝕刻劑一起進行選擇，以使得該蝕刻劑對於該多層塗層堆材料(舉例來說Mo和Si)會具有一相對較高之蝕刻速率，並且對於該中止層會具有一相對較高之蝕刻速率。該等蝕刻劑可以選自於由例如Cl2 、HCl、CF4 以及其等之混合物的材料群所構成之群組。
第11圖顯示一例示說明一個鏡面930'(舉例來說，一近垂直入射角超紫外線(EUV)集光鏡鏡面)之剖視圖，其具有一基材952以及由一中止層956來分隔之多層塗層堆954a,b(注意：該等點系列代表如有需要的話該多層堆可以被重覆以形成所需之層次數量)。如其所進一步顯示的，每 個多層塗層堆954a,b可以具有例如層次958之數個相對較高折射率層、例如層次960之數個相對較低折射率層，以及例如層次962a,b之將相對較高折射率層與相對較低折射率層分隔的數個擴散障壁層。在一結構中，每個“雙層”都可以包含有一Mo層、一Si層以及二個擴散障壁層。舉例來說，該擴散障壁層可以是例如矽氮化物、碳或是B4 C，而每個中止層956都可以由選自於Si3 N4 、SiB6 、SiC、C、Cr、B4 C、Mo2 C、SiO2 、ZrB2 、YB6 與MoSi2 的材料所構成之群組的材料所形成。
在使用中，該等鏡面930,930'可以被設置於例如在第1圖所顯示的腔室26之腔室中，並且被用來反射由一超紫外線(EUV)光產生電漿所發出之超紫外線(EUV)光。如先前所描述的，該電漿可以產生包括有可能會到達並劣化該暴露表面的高能離子之碎屑，而更明確地說，其會劣化最靠近該表面之該多層塗層堆。在大部份的情況下，該劣化可能不會導致一均勻的磨耗/排除作用。相反的，該多層塗層堆可能會被不均勻地移除，而產生可能會減少該鏡面之頻譜帶內反射率的表面粗糙度。在一些情況中，其可能會形成突起與平臺。
一旦一定數量之塗層堆被移除、並且/或是其已增加一定數量之鏡面表面粗糙度，並且/或是其已發生在超紫外線(EUV)頻譜帶內之一定數量的反射率減少之現象，該多層塗層堆最靠近該表面之其餘部分可能會被蝕刻掉，舉例來說，其可以使用一對該多層塗層堆材料(例如Mo和Si)具有 相對較高的蝕刻率，而對該中止層具有相對較高的蝕刻率之蝕刻劑。一旦該多層塗層堆最靠近該表面之其餘部分被移除，蝕刻作用就可以被停止直到其再次需要對下一個多層塗料堆進行蝕刻，並可以在該中止層被用來覆蓋層下在該光源中持續使用該鏡面930,930'。
在一些情況中，該蝕刻作用可以在該鏡面930,930'被設置於該腔室內下被原位地進行，而在一些情況中，一蝕刻劑可以在超紫外線(EUV)光產生期間被導入至該腔室內。或者，蝕刻作用可以在預定進行維護作業期監，及/或在自該腔室中移除被設置在該腔室中之鏡面930,930'之後進行。舉例來說，如上述所指出的，蝕刻劑可以是選自於由Cl2 、HCl、CF4 以及其等之混合物的材料所構成之群組。
雖然在此一專利申請案中所詳細描述與例示以符合35U.S.C.§112之要求的該等特定的具體例，係完全能夠達到一或更多上述該等具體例的上述之目的、欲解決的問題，或任何其他原理或是目標，習於此藝者可以了解上述之具體例僅僅係為可以由本申請案所廣泛地設想之該標的物之典型、範例與代表。在下列的申請專利範圍中，除非有另外明確地指明，以單數形式來指述之元件，並非是要代表也不應被解釋為此一所請求的元件係為“一個且僅有一個”，反而應該是“一或更多個”。上述已知的或將會成為習於此藝者所已知之具體例的任何元件之所有結構與功能性等效物，係在此被明確地併入以供參考並且應該被包含於本案的申請專利範圍內。在本申請案之該發明說明書及/或 申請專利範圍中使用的任何術語，以及在該發明說明書及/或申請專利範圍中被賦予意義的表達方式，不論此一術語在任何字典或是其它常用意義為何，其都應具有其所被賦予之意義。在本發明說明書中作為一具體例來加以討論的裝置或者方法，並非是要克服或解決在本申請案中所討論的每一個問題，而其等係被包含於本案之申請專利範圍內。在本案發明說明書中，不論該等元件、元件或方法步驟是否係被明確地描述於該申請專利範圍中，所有的元件、元件或方法步驟均並非是要貢獻給公眾的。在該等隨附的申請專利範圍中所有的元件均不應以35U.S.C.§112第六段的法條來加以詮釋，除非該元件係明確地以“用於......之構件”的片語來描述，或是除非在一方法請求項的情況下，該等元件係以“步驟”而非“動作”來加以描述。
14‧‧‧裝置
20‧‧‧LPP光源
22,604‧‧‧系統
24‧‧‧標靶材料輸送系統
26‧‧‧腔室
28,40‧‧‧焦點
30‧‧‧光學元件
60‧‧‧超紫外線(EUV)控制器
62‧‧‧液滴位置偵檢回饋系統
65‧‧‧發射控制系統
70‧‧‧液滴成像器
90‧‧‧液滴控制系統
92‧‧‧液滴來源
100‧‧‧光源
102‧‧‧反射光
104,156‧‧‧偵檢器
150‧‧‧雷射來源
152‧‧‧入射雷射光束
153‧‧‧反射位置
154‧‧‧反射光束
158‧‧‧箭號
200‧‧‧量測裝置
202‧‧‧偵檢元件
204‧‧‧濾光器
300‧‧‧曲線
302,304,400,402,406,406‧‧‧曲線圖
500‧‧‧導電性塗層
502,602‧‧‧集光鏡基材背側
504‧‧‧可調節電源系統
600‧‧‧導電性塗層
700‧‧‧鏡面基材
702‧‧‧導電性材料
800,850,902,952‧‧‧基材
802‧‧‧中間層
804‧‧‧多層反射塗層
852‧‧‧第一中間層
854‧‧‧第二中間層
856‧‧‧多層鏡面塗層
904a-e,954a,b‧‧‧多層塗層堆
906a-d,956‧‧‧中止層
930,930'‧‧‧鏡面
958‧‧‧較高折射率層
960‧‧‧較低折射率層
962a,b‧‧‧擴散障壁層
第1圖顯示一依照本案揭示內容之態樣的以雷射產生之電漿超紫外線(EUV)光源的簡化概要圖；第2圖顯示一具有用於原位監測一橢圓狀超紫外線(EUV)鏡面，以確定光劣化程度的裝置之LPP超紫外線(EUV)光源的一部分之概要圖；第3圖顯示一具有用於原位監測一橢圓狀超紫外線(EUV)鏡面，以確定光劣化程度的裝置之一不同具體例的LPP超紫外線(EUV)光源之一部分的概要圖；第4圖顯示一具有用於原位監測一橢圓狀超紫外線(EUV)鏡面，以確定光劣化程度的裝置之一不同具體例的 LPP超紫外線(EUV)光源之一部分的概要圖；第5圖顯示一具有用於原位監測一橢圓狀超紫外線(EUV)鏡面，以確定光劣化程度的裝置之一不同具體例的LPP超紫外線(EUV)光源之一部分的概要圖；第6圖例示說明一種用於測量超紫外線(EUV)輻射特性之量測裝置的一部分，其具有一偵檢元件以及一窄頻超紫外線(EUV)透射濾光器；第7A圖顯示各種不同的濾光器材料相對於以奈米為單位之波長的透射強度(經標準化)之計算結果圖；第7B、7C和7D圖顯示具有各種不同厚度之去濃化鈾濾光器之相對於以奈米為單位的波長之透射強度的計算圖；第7E圖顯示具有厚約0.2μm之鈾層以及厚約50nm的Ru層之相對於以奈米為單位的波長之透射強度的計算結果圖；第8A、8B和8C圖例示說明三種超紫外線(EUV)反射鏡之背側加熱器的具體例；第9A圖顯示一種具有一基材、中間層以及多層鏡面塗層之近垂直入射角超紫外線(EUV)集光鏡的剖視圖；第9B圖顯示顯示一種例如近垂直入射角超紫外線(EUV)集光鏡之具有一基材、第一中間層、第二中間層以及多層鏡面塗層之鏡面的剖視圖；第10圖顯示顯示一種例如近垂直入射角超紫外線(EUV)集光鏡之具有一基材、五個多層塗層堆，以及四個將該等多層塗層堆分隔之中止層的鏡面的剖視圖；並且 第11圖顯示一種例如近垂直入射角超紫外線(EUV)集光鏡之鏡面的剖視圖，其具有一基材、數個由各別的中止層所分隔之多層塗層堆，每個多層塗層堆都具有數個相對較高之折射率層、數個相對較低折射率層，以及數個將高折射率層與低折射率層分隔之擴散障壁層。
20‧‧‧LPP光源
22‧‧‧系統
24‧‧‧標靶材料輸送系統
26‧‧‧腔室
28,40‧‧‧焦點
30‧‧‧光學元件
60‧‧‧超紫外線(EUV)控制器
62‧‧‧液滴位置偵檢回饋系統
65‧‧‧發射控制系統
70‧‧‧液滴成像器
90‧‧‧液滴控制系統
92‧‧‧液滴來源

Claims (53)

  1. 一種監測超紫外線(EUV)鏡面的方法，其用以原位監測一EUV鏡面以確認光劣化程度，該方法包含有以下動作：在該EUV鏡面位於一光刻設備的一操作位置中時，以具有處於EUV)頻譜以外的波長之光線，來輻照該鏡面之至少一部分；在該光線自該鏡面反射之後，測量至少一部分的該光線；以及運用該測量之結果以及鏡面劣化與光反射率之間的一預定關係式，來估算多層鏡面之一劣化程度。
  2. 如申請專利範圍第1項的方法，其中該鏡面係操作性地定位在該光刻設備之EUV光源部位中。
  3. 如申請專利範圍第1項的方法，其中該鏡面係一近垂直入射角多層鏡面。
  4. 如申請專利範圍第3項的方法，其中該輻照動作係以一可見光之點光源來執行。
  5. 如申請專利範圍第4項的方法，其中該點光源係選自於由一發光二極體以及與一孔洞相組合的一光源所構成的點光源群組。
  6. 如申請專利範圍第3項的方法，其中該鏡面具有界定出一第一焦點及一第二焦點的一橢圓狀形狀，且其中該輻照動作係以定位在該第一焦點處的一可見光之點光源來執行，且該測量動作係以定位在一較接近該第二焦點、而不是該第一焦點之位置處的一偵檢器來執行。
  7. 如申請專利範圍第3項的方法，其中該輻照動作係以一雷射光束來執行，且該測量動作係以定位成可偵檢漫射反射光線的一偵檢器來執行。
  8. 如申請專利範圍第1項的方法，該鏡面具有界定出一第一焦點及一第二焦點的一橢圓狀形狀，且其中該輻照動作係以一點光源來執行，該點光源係定位在該第一焦點處，並產生具有一頂點於該第二焦點處之反射光線的一光錐及漫射反射光線，且該測量動作係以定位成與該第二焦點相距一距離以偵檢漫射反射光線的一偵檢器來執行。
  9. 一種EUV光生成系統，其具有設置在一腔室中的至少一鏡面及一用以監測該鏡面之一光學狀態的系統，該EUV光生成系統包含：一光源，當該鏡面位在該腔室中之具有EUV光生成特性的一操作位置中時，該光源以具有處於EUV光頻譜以外之頻譜的第一光線來輻照該鏡面之至少一部分；及一偵檢裝置，其測量第二光線之一部分的一光學特性，該第二光線代表該第一光線自該鏡面之該部分所反射的至少一部分，該偵檢裝置產生有關於該光學狀態的資訊。
  10. 如申請專利範圍第9項的EUV光生成系統，其中該鏡面具有一主要焦點及一次要焦點，該光源係設置在該次要焦點處，該次要焦點與該鏡面間之一距離係大於該主要焦點與該鏡面間之一距離。
  11. 如申請專利範圍第9項的EUV光生成系統，其中該鏡面具有一主要焦點及一次要焦點，該光源係設置在該主要焦點處，該次要焦點與該鏡面間之一距離係大於該主要焦點與該鏡面間之一距離。
  12. 如申請專利範圍第11項的EUV光生成系統，其中該偵檢裝置係定位於來自該鏡面之鏡面反射光線之一光錐的外側，該第二光線代表在該第一光線自該鏡面之該部分反射之後的該第一光線之漫射反射。
  13. 如申請專利範圍第9項的EUV光生成系統，其中該第一光線代表在可見光頻譜內的光線。
  14. 如申請專利範圍第9項的EUV光生成系統，其中該鏡面具有一主要焦點及一次要焦點，該光源係設置於該主要焦點及該次要焦點中之一者處，該次要焦點與該鏡面間之一距離係大於該主要焦點與該鏡面間之一距離，其中該偵檢裝置與該鏡面間之一距離係大於該主要焦點與該鏡面間之一距離。
  15. 如申請專利範圍第14項的EUV光生成系統，其中該偵檢裝置包括用以接收該第二光線的至少一螢幕。
  16. 如申請專利範圍第14項的EUV光生成系統，其中該偵檢裝置包括用以接收該第二光線的至少一電荷耦合裝置(CCD)。
  17. 如申請專利範圍第14項的EUV光生成系統，其中該偵檢裝置與該鏡面間之該距離係小於該次要焦點與該鏡面間之距離。
  18. 如申請專利範圍第9項的EUV光生成系統，更包括一定位系統，該定位系統係組配來將該光源移動至該腔室中的一輻照位置以供輻照該鏡面之該至少一部分，其中當該腔室被用來產生該EUV光時，該光源不會被該定位系統定位在該輻照位置處。
  19. 如申請專利範圍第9項的EUV光生成系統，其中該鏡面代表一集光鏡鏡面。
  20. 一種EUV光生成系統，其具有設置在一腔室中的至少一第一鏡面及一用以監測該第一鏡面之一光學狀態的系統，該EUV光生成系統包含有：一光源，當該第一鏡面位在該腔室中之具有EUV光生成特性的一操作位置中時，該光源以具有處於EUV光頻譜以外之頻譜的第一光線來輻照該第一鏡面之至少一部分；一偵檢裝置；及一第二鏡面，其用以接收第二光線並反射該第二光線至該偵檢裝置上，該第二光線代表該第一光線自該第一鏡面之該部分所反射的至少一部分，該偵檢裝置產生有關於該光學狀態的資訊。
  21. 如申請專利範圍第20項的EUV光生成系統，其中該第二鏡面代表一轉向鏡面且該第一鏡面代表一集光鏡鏡面。
  22. 如申請專利範圍第20項的EUV光生成系統，其中該第一鏡面具有一主要焦點及一次要焦點，該光源係設置於該次要焦點處，該第二鏡面設置於該主要焦點處，該次要焦點與該鏡面間之一距離係大於該主要焦點與該鏡面 間之一距離。
  23. 如申請專利範圍第20項的EUV光生成系統，其中該偵檢裝置係定位於來自該第一鏡面之鏡面反射光線之一光錐的外側，該第二光線代表在該第一光線自該第一鏡面之該部分反射之後的該第一光線之漫射反射。
  24. 如申請專利範圍第20項的EUV光生成系統，其中該偵檢裝置包括用以接收來自該第二鏡面之第二光線的至少一電荷耦合裝置(CCD)。
  25. 一種EUV光生成系統，該系統包含有：用以反射光線的鏡面構件，該鏡面構件具有一第一側邊及一相對於該第一側邊的第二側邊；一雷射光源，其設置朝向該鏡面構件之第一側邊，其中一主要焦點及一次要焦點係設置朝向該鏡面構件之第二側邊，該雷射光源係組配成透過該鏡面構件中的一孔洞來輻照在該主要焦點處的標靶，以產生隨後會被該鏡面構件反射至次要焦點的EUV光；光輻照構件，其設置朝向該鏡面構件之第二側邊，當該鏡面構件位在一腔室中之具有EUV光生成特性的一操作位置中時，該光輻照構件以第一光線來輻照該鏡面構件之至少一部分；及偵檢構件，其用以測量第二光線之一部分的一光學特性，該第二光線代表該第一光線自該鏡面構件之該部分所反射的至少一部分，該偵檢構件產生有關於該鏡面構件之一光學狀態的資訊。
  26. 如申請專利範圍第25項的EUV光生成系統，其中該光輻照構件係設置於該次要焦點處，該次要焦點與該鏡面構件間之一距離係大於該主要焦點與該鏡面構件間之一距離。
  27. 如申請專利範圍第25項的EUV光生成系統，其中該光輻照構件係設置於該主要焦點處，該次要焦點與該鏡面構件間之一距離係大於該主要焦點與該鏡面構件間之一距離。
  28. 如申請專利範圍第25項的EUV光生成系統，其中該光輻照構件代表另一雷射光源且該第一光線係另一雷射光線。
  29. 如申請專利範圍第28項的EUV光生成系統，其中該第二光線代表散射光線，該偵檢構件係可移動來以多個角度來測量該第二光線。
  30. 如申請專利範圍第28項的EUV光生成系統，其中該光輻照構件係組配來掃描該鏡面構件之一表面。
  31. 如申請專利範圍第28項的EUV光生成系統，更包含一真空腔室，其中該鏡面構件及該雷射光源係設置於該真空腔室內，且其中該光輻照構件及該偵檢構件中之至少一者係設置在該真空腔室的外側。
  32. 一種碎屑移除裝置，其用來將碎屑自一EUV光源集光鏡鏡面移除，該碎屑係由電漿形成作用所產生，該集光鏡鏡面具有一以多層近垂直入射角反射塗層來覆蓋之第一側邊以及一相對側邊，該裝置包含有：一導電性塗層，其係被沈積以覆蓋至少一部分的該相對側邊；以及一系統，其可以在該塗層中產生電流以將該集光鏡 鏡面加熱。
  33. 如申請專利範圍第32項的裝置，其中該塗層係組配來將該集光鏡鏡面的一第一區域加熱至一第一溫度T1 以將碎屑自該第一區域移除，並且將該集光鏡鏡面的一第二區域加熱至一第二溫度T2 以將碎屑自該第二區域移除，而T1 ≠T2 。
  34. 如申請專利範圍第33項的裝置，其中該第一區域係具有一與該第二區域不同的塗層面積覆蓋率。
  35. 如申請專利範圍第33項的裝置，其中該第一區域係具有一與該第二區域不同的塗層厚度。
  36. 如申請專利範圍第33項的裝置，其中該第一區域係具有一與該第二區域不同的塗層導電係數。
  37. 如申請專利範圍第33項的裝置，其中該系統係組配來產生電磁輻射，而該系統會將一電磁輻射能量P1輸送至該集光鏡鏡面的第一區域，並將一電磁輻射能量P2輸送至該集光鏡鏡面的第二區域，而P1≠P2。
  38. 如申請專利範圍第33項的裝置，其中該導電性塗層係選自於由一真空沈積塗層、一熱噴灑塗層、一電鍍塗層以及其等之組合所構成的塗層群組。
  39. 一種EUV集光鏡鏡面裝置，該鏡面裝置具有一暴露於由電漿形成作用所產生的碎屑之表面，該鏡面裝置包含有：一基材，其係以一多層近垂直入射角反射塗層來加以塗覆，該基材係由一摻雜有一導電性材料之材料所製成；以及 一系統，其會在該基材中產生電流以將該集光鏡鏡面加熱。
  40. 如申請專利範圍第39項的裝置，其中該塗層係組配來將該集光鏡鏡面的一第一區域加熱至一第一溫度T1 以將碎屑自該第一區域移除，並且將該集光鏡鏡面的一第二區域加熱至一第二溫度T2 以將碎屑自該第二區域移除，而T1 ≠T2 。
  41. 如申請專利範圍第40項的裝置，其中該第一區域係具有一與該第二區域不同的基材導電係數。
  42. 如申請專利範圍第40項的裝置，其中該系統係組配來產生電磁輻射，而該系統會將一電磁輻射能量P1輸送至該集光鏡鏡面的第一區域，並將一電磁輻射能量P2輸送至該集光鏡鏡面的第二區域，而P1≠P2。
  43. 一種製備EUV鏡面的方法，其用以製備一近垂直入射角EUV鏡面，該方法包含有以下動作：提供一基材；將該基材的一表面進行鑽石切削加工；運用物理氣相沈積技術沈積至少一覆蓋該表面之中間材料；及沈積一覆蓋該中間材料之多層鏡面塗層。
  44. 如申請專利範圍第43項的方法，其中該基材包含有多晶矽(multi-crystalline silicon)。
  45. 一種整修EUV鏡面的方法，其用以整修一近垂直入射角EUV鏡面，該方法包含有以下動作： 提供一EUV鏡面，其具有一基材、至少一覆蓋該基材之中間材料、以及一覆蓋該中間材料之多層鏡面塗層；將該多層鏡面塗層移除以產生一暴露表面；並在此之後將該暴露表面化學拋光；沈積一平滑化材料；並且沈積一覆蓋該平滑化材料之多層鏡面塗層。
  46. 一種EUV光生成方法，該方法包含有以下動作：提供一EUV鏡面，其具有一基材、一第一多層塗料堆、一覆蓋該第一多層塗料堆之中止層、以及一覆蓋該中止層之第二多層塗料堆；使用該鏡面來反射由一EUV光發射電漿所生成之EUV光，該電漿會產生劣化該第二多層塗料堆之碎屑；並在此之後蝕刻該鏡面以使得該中止層的至少一部分被暴露出來；並在此之後使用該鏡面來反射由一EUV光發射電漿所生成之EUV光。
  47. 如申請專利範圍第46項的方法，其中該中止層包含一選自於由Si3 N4 、SiB6 、SiC、C、Cr、B4 C、Mo2 C、SiO2 、ZrB2 、YB6 以及MOSi2 所構成之材料群組的材料，且該蝕刻動作採用一選自於由Cl2 、HCl、CF4 以及其等之混合物所構成之材料群組的蝕刻劑。
  48. 如申請專利範圍第47項的方法，其中該第二多層塗料堆包含多個雙層，各雙層具有一Mo層及一Si層。
  49. 如申請專利範圍第48項的方法，其中該第二多層塗料堆包含多個Mo層、多個Si層、以及多個將Mo層與Si層分離開的擴散障壁層。
  50. 如申請專利範圍第46項的方法，其中該第二多層塗料堆包含四十個以上的雙層。
  51. 如申請專利範圍第46項的方法，其中該中止層具有一選定來維持該鏡面自該第二多層塗料堆至該第一多層塗料堆之週期性的厚度。
  52. 如申請專利範圍第46項的方法，其中該中止層係一第一中止層，且該鏡面包含一覆蓋該第二多層塗料堆的第二中止層以及一覆蓋該第二中止層的第三多層塗料堆。
  53. 一種監測EUV鏡面的系統，其用以原位監測一EUV鏡面以確認光劣化程度，該系統包含有：一光源，當該EUV鏡面位於一光刻設備的一操作位置中時，該光源以具有處於可視頻譜中之波長的光線來輻照該鏡面之至少一部分；以及一偵檢器，在該光線已自該鏡面反射之後，該偵檢器測量該光線之至少一部分的一強度，該偵檢器產生一輸出信號以供用來估算多層鏡面之一劣化程度。
TW097145705A 2007-12-20 2008-11-26 製備、監測或整修euv鏡面的方法、euv光生成方法及系統、euv集光鏡鏡面裝置、監測euv鏡面的系統、及碎屑移除裝置 TWI404461B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/004,871 US7960701B2 (en) 2007-12-20 2007-12-20 EUV light source components and methods for producing, using and refurbishing same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200932066A TW200932066A (en) 2009-07-16
TWI404461B true TWI404461B (zh) 2013-08-01

Family

ID=40787486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097145705A TWI404461B (zh) 2007-12-20 2008-11-26 製備、監測或整修euv鏡面的方法、euv光生成方法及系統、euv集光鏡鏡面裝置、監測euv鏡面的系統、及碎屑移除裝置

Country Status (5)

Country Link
US (3) US7960701B2 (zh)
EP (1) EP2232210A2 (zh)
JP (2) JP2011515650A (zh)
TW (1) TWI404461B (zh)
WO (1) WO2009085094A2 (zh)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7843632B2 (en) * 2006-08-16 2010-11-30 Cymer, Inc. EUV optics
US8018578B2 (en) * 2007-04-19 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Pellicle, lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102008040265A1 (de) 2008-07-09 2010-01-14 Carl Zeiss Smt Ag Reflektives optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102009040785A1 (de) * 2009-09-09 2011-03-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Substrat aus einer Aluminium-Silizium-Legierung oder kristallinem Silizium, Metallspiegel, Verfahren zu dessen Herstellung sowie dessen Verwendung
JP2011222958A (ja) * 2010-03-25 2011-11-04 Komatsu Ltd ミラーおよび極端紫外光生成装置
US20130114059A1 (en) * 2010-07-06 2013-05-09 Asml Netherlands B.V. Components for EUV Lithographic Apparatus, EUV Lithographic Apparatus Including Such Components and Method for Manufacturing Such Components
TWI501046B (zh) 2010-07-30 2015-09-21 卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司 超紫外線曝光裝置
DE102010039930A1 (de) * 2010-08-30 2012-03-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage
DE102011015141A1 (de) 2011-03-16 2012-09-20 Carl Zeiss Laser Optics Gmbh Verfahren zum Herstellen eines reflektiven optischen Bauelements für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage und derartiges Bauelement
US9265573B2 (en) 2012-07-19 2016-02-23 Covidien Lp Ablation needle including fiber Bragg grating
US9354508B2 (en) * 2013-03-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor
US9280053B2 (en) * 2013-09-04 2016-03-08 Cymer, Llc Apparatus for and method of temperature compensation in high power focusing system for EUV LPP source
JP6365852B2 (ja) * 2014-02-24 2018-08-01 株式会社ニコン 多層膜反射鏡及びその製造方法、並びに露光装置
US20160033879A1 (en) * 2014-07-30 2016-02-04 GlobalFoundries, Inc. Methods and controllers for controlling focus of ultraviolet light from a lithographic imaging system, and apparatuses for forming an integrated circuit employing the same
DE102014218087A1 (de) * 2014-09-10 2015-10-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung und Verfahren zur Überwachung des Kontaminationszustandes eines Spiegels einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
JPWO2016151682A1 (ja) * 2015-03-20 2018-01-18 国立大学法人 東京大学 Ｅｕｖ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置
KR102465328B1 (ko) 2015-08-28 2022-11-10 삼성전자주식회사 극자외선 발생 장치 및 노광 장치
KR102369935B1 (ko) 2015-08-31 2022-03-03 삼성전자주식회사 드립 홀을 갖는 콜렉팅 미러를 포함하는 euv 광 발생 장치
JP6506153B2 (ja) * 2015-10-27 2019-04-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 変位検出装置および変位検出方法ならびに基板処理装置
WO2017130346A1 (ja) * 2016-01-28 2017-08-03 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
WO2017187571A1 (ja) * 2016-04-27 2017-11-02 ギガフォトン株式会社 極端紫外光センサユニット及び極端紫外光生成装置
WO2018077870A1 (en) * 2016-10-25 2018-05-03 Trinamix Gmbh Nfrared optical detector with integrated filter
WO2019043773A1 (ja) * 2017-08-29 2019-03-07 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
CN112041752A (zh) * 2018-04-26 2020-12-04 Asml荷兰有限公司 用于测试诸如收集器反射镜的反射镜的系统及测试诸如收集器反射镜的反射镜的方法
WO2024166185A1 (ja) * 2023-02-06 2024-08-15 ギガフォトン株式会社 劣化推定方法、レーザ装置及び電子デバイスの製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6359212B1 (en) * 2000-07-13 2002-03-19 Trw Inc. Method for testing solar cell assemblies and second surface mirrors by ultraviolet reflectometry for susceptibility to ultraviolet degradation
TW569005B (en) * 2001-06-21 2004-01-01 Imego Ab Ultraviolet detection sensor
TWM285698U (en) * 2005-09-21 2006-01-11 Han-Chin Gau Detection device for detecting ultraviolet strength
TW200607987A (en) * 2004-07-12 2006-03-01 August Technology Corp Camera module for an optical inspection system and related method of use
TW200625833A (en) * 2004-12-22 2006-07-16 Mitac Int Corp Handheld electronic apparatus with detecting ultraviolet intensity
US20070187627A1 (en) * 2004-03-10 2007-08-16 Cymer, Inc. Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an EUV light source

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6342441A (ja) * 1986-08-07 1988-02-23 Shinko Electric Ind Co Ltd 凹面鏡の精度測定装置
US5356662A (en) 1993-01-05 1994-10-18 At&T Bell Laboratories Method for repairing an optical element which includes a multilayer coating
US5265143A (en) 1993-01-05 1993-11-23 At&T Bell Laboratories X-ray optical element including a multilayer coating
US6521101B1 (en) * 1995-11-04 2003-02-18 The Regents Of The University Of California Method for fabricating beryllium-based multilayer structures
US5698113A (en) 1996-02-22 1997-12-16 The Regents Of The University Of California Recovery of Mo/Si multilayer coated optical substrates
US5737137A (en) 1996-04-01 1998-04-07 The Regents Of The University Of California Critical illumination condenser for x-ray lithography
US5958605A (en) * 1997-11-10 1999-09-28 Regents Of The University Of California Passivating overcoat bilayer for multilayer reflective coatings for extreme ultraviolet lithography
US6567450B2 (en) 1999-12-10 2003-05-20 Cymer, Inc. Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system
US6190835B1 (en) * 1999-05-06 2001-02-20 Advanced Energy Systems, Inc. System and method for providing a lithographic light source for a semiconductor manufacturing process
US6625191B2 (en) 1999-12-10 2003-09-23 Cymer, Inc. Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system
US6549551B2 (en) 1999-09-27 2003-04-15 Cymer, Inc. Injection seeded laser with precise timing control
DE10046218B4 (de) * 2000-09-19 2007-02-22 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage
JP2002323404A (ja) * 2001-04-26 2002-11-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表面検査装置
US7843632B2 (en) 2006-08-16 2010-11-30 Cymer, Inc. EUV optics
US7598509B2 (en) 2004-11-01 2009-10-06 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
US6998620B2 (en) * 2001-08-13 2006-02-14 Lambda Physik Ag Stable energy detector for extreme ultraviolet radiation detection
US6634760B2 (en) 2001-08-27 2003-10-21 The Regents Of The University Of California Low-cost method for producing extreme ultraviolet lithography optics
US6577442B2 (en) * 2001-09-27 2003-06-10 Intel Corporation Reflective spectral filtering of high power extreme ultra-violet radiation
US7671349B2 (en) * 2003-04-08 2010-03-02 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
JP3564104B2 (ja) * 2002-01-29 2004-09-08 キヤノン株式会社 露光装置及びその制御方法、これを用いたデバイスの製造方法
DE10204994B4 (de) 2002-02-05 2006-11-09 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Überwachung der Energieabstrahlung einer EUV-Strahlungsquelle
US20030164998A1 (en) * 2002-03-01 2003-09-04 The Regents Of The University Of California Ion-assisted deposition techniques for the planarization of topological defects
JP2004061177A (ja) * 2002-07-25 2004-02-26 Canon Inc 光学装置及び測定方法、半導体デバイスの製造方法
US6803581B2 (en) * 2002-07-30 2004-10-12 International Radiation Detectors, Inc. Semiconductor photodiode with integrated microporous filter
US7132206B2 (en) * 2002-09-17 2006-11-07 International Business Machines Corporation Process and apparatus for minimizing thermal gradients across an advanced lithographic mask
DE10339495B4 (de) * 2002-10-08 2007-10-04 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur optischen Detektion eines bewegten Targetstromes für eine gepulste energiestrahlgepumpte Strahlungserzeugung
DE10251435B3 (de) * 2002-10-30 2004-05-27 Xtreme Technologies Gmbh Strahlungsquelle zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung
US6781135B2 (en) * 2002-11-21 2004-08-24 Euv, Llc Universal EUV in-band intensity detector
US7098442B2 (en) * 2003-03-05 2006-08-29 Raytheon Company Thin micropolarizing filter, and a method for making it
TWI275325B (en) 2003-03-08 2007-03-01 Cymer Inc Discharge produced plasma EUV light source
DE10314849B3 (de) * 2003-03-28 2004-12-30 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Stabilisierung der Strahlungsemission eines Plasmas
US7217940B2 (en) 2003-04-08 2007-05-15 Cymer, Inc. Collector for EUV light source
JP4095566B2 (ja) * 2003-09-05 2008-06-04 キヤノン株式会社 光学素子を評価する方法
DE60315986T2 (de) 2003-10-09 2008-05-21 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Methode zur Herstellung einer Vorrichtung
US6822251B1 (en) * 2003-11-10 2004-11-23 University Of Central Florida Research Foundation Monolithic silicon EUV collector
US7081992B2 (en) 2004-01-16 2006-07-25 Euv Llc Condenser optic with sacrificial reflective surface
US7098994B2 (en) 2004-01-16 2006-08-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
DE102004005241B4 (de) * 2004-01-30 2006-03-02 Xtreme Technologies Gmbh Verfahren und Einrichtung zur plasmabasierten Erzeugung weicher Röntgenstrahlung
US7193228B2 (en) 2004-03-10 2007-03-20 Cymer, Inc. EUV light source optical elements
JP2005233827A (ja) * 2004-02-20 2005-09-02 Canon Inc Ｅｕｖ光強度分布測定装置およびｅｕｖ光強度分布測定方法
WO2005091076A2 (en) 2004-03-05 2005-09-29 Carl Zeiss Smt Ag Methods for manufacturing reflective optical elements
US7164144B2 (en) 2004-03-10 2007-01-16 Cymer Inc. EUV light source
JP4917014B2 (ja) * 2004-03-10 2012-04-18 サイマー インコーポレイテッド Ｅｕｖ光源
US7198872B2 (en) * 2004-05-25 2007-04-03 International Business Machines Corporation Light scattering EUVL mask
US7375794B2 (en) 2004-08-04 2008-05-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102004062289B4 (de) 2004-12-23 2007-07-19 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Thermisch stabiler Multilayer-Spiegel für den EUV-Spektralbereich
US7106832B2 (en) * 2005-01-10 2006-09-12 Asml Netherlands B.V. Apparatus including a radiation source, a filter system for filtering particles out of radiation emitted by the source, and a processing system for processing the radiation, a lithographic apparatus including such an apparatus, and a method of filtering particles out of radiation emitting and propagating from a radiation source
JP2006226936A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Canon Inc 測定方法、露光装置及びデバイス製造方法
US20060222961A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Pei-Yang Yan Leaky absorber for extreme ultraviolet mask
US7295293B2 (en) * 2005-10-21 2007-11-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Apparatus and method for testing a reflector coating
US7453077B2 (en) * 2005-11-05 2008-11-18 Cymer, Inc. EUV light source
JP2007134166A (ja) 2005-11-10 2007-05-31 Ushio Inc 極端紫外光光源装置
US7262423B2 (en) * 2005-12-02 2007-08-28 Asml Netherlands B.V. Radiation system and lithographic apparatus
JP4904809B2 (ja) * 2005-12-28 2012-03-28 ウシオ電機株式会社 極端紫外光光源装置
JP4937590B2 (ja) 2006-01-25 2012-05-23 株式会社小松製作所 極端紫外光源装置
US7329876B2 (en) 2006-01-26 2008-02-12 Xtreme Technologies Gmbh Narrow-band transmission filter for EUV radiation
JP2008263173A (ja) * 2007-03-16 2008-10-30 Canon Inc 露光装置
US7760341B2 (en) * 2007-09-04 2010-07-20 Sematech, Inc. Systems and methods for in-situ reflectivity degradation monitoring of optical collectors used in extreme ultraviolet (EUV) lithography processes

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6359212B1 (en) * 2000-07-13 2002-03-19 Trw Inc. Method for testing solar cell assemblies and second surface mirrors by ultraviolet reflectometry for susceptibility to ultraviolet degradation
TW569005B (en) * 2001-06-21 2004-01-01 Imego Ab Ultraviolet detection sensor
US20070187627A1 (en) * 2004-03-10 2007-08-16 Cymer, Inc. Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an EUV light source
TW200607987A (en) * 2004-07-12 2006-03-01 August Technology Corp Camera module for an optical inspection system and related method of use
TW200625833A (en) * 2004-12-22 2006-07-16 Mitac Int Corp Handheld electronic apparatus with detecting ultraviolet intensity
TWM285698U (en) * 2005-09-21 2006-01-11 Han-Chin Gau Detection device for detecting ultraviolet strength

Also Published As

Publication number Publication date
US8686370B2 (en) 2014-04-01
US20090159808A1 (en) 2009-06-25
JP6013528B2 (ja) 2016-10-25
JP2011515650A (ja) 2011-05-19
US20110192985A1 (en) 2011-08-11
WO2009085094A2 (en) 2009-07-09
EP2232210A2 (en) 2010-09-29
JP2015135334A (ja) 2015-07-27
US8314398B2 (en) 2012-11-20
US7960701B2 (en) 2011-06-14
US20130070332A1 (en) 2013-03-21
TW200932066A (en) 2009-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI404461B (zh) 製備、監測或整修euv鏡面的方法、euv光生成方法及系統、euv集光鏡鏡面裝置、監測euv鏡面的系統、及碎屑移除裝置
TWI489155B (zh) 極遠紫外光光學部件
US7732793B2 (en) Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an EUV light source
EP1853882B1 (en) Systems for protecting internal components of an euv light source from plasma-generated debris
US7355191B2 (en) Systems and methods for cleaning a chamber window of an EUV light source
JP6687691B2 (ja) 放射源およびリソグラフィのための方法
JP4689672B2 (ja) Ｅｕｖ光源の内部コンポーネント上のプラズマ生成デブリの影響を減少させるためのシステム及び方法
TWI528117B (zh) 光譜純度濾光器
TWI644177B (zh) 用於產生輻射之方法及裝置
JP2012531730A (ja) スペクトル純度フィルタ、リソグラフィ装置、及びスペクトル純度フィルタを製造する方法
JP2013526044A5 (zh)
JP2010147138A (ja) 極端紫外光光源装置および極端紫外光光源装置の保守方法
US20100025600A1 (en) Systems and methods for heating an EUV collector mirror
US10859928B2 (en) EUV light source and apparatus for lithography
JP6395832B2 (ja) 放射源用コンポーネント、関連した放射源およびリソグラフィ装置
TWI486715B (zh) 用於微影曝光工具之碳氫化合物收集器
JP2005260072A (ja) 反射素子、露光装置
TWI338536B (en) Laser produced plasma euv light source
Lin et al. High power LPP EUV source system development status