TWI403097B - High frequency module and trusted device - Google Patents

High frequency module and trusted device Download PDF

Info

Publication number
TWI403097B
TWI403097B TW099135113A TW99135113A TWI403097B TW I403097 B TWI403097 B TW I403097B TW 099135113 A TW099135113 A TW 099135113A TW 99135113 A TW99135113 A TW 99135113A TW I403097 B TWI403097 B TW I403097B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
tuner
integrated circuit
satellite
ground wave
shield
Prior art date
Application number
TW099135113A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201141083A (en
Inventor
Tadashi Imai
Takayuki Kaida
Hitoshi Masumura
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of TW201141083A publication Critical patent/TW201141083A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI403097B publication Critical patent/TWI403097B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/44—Receiver circuitry for the reception of television signals according to analogue transmission standards
    • H04N5/50—Tuning indicators; Automatic tuning control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/645—Inductive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/08—Constructional details, e.g. cabinet
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B7/00—Radio transmission systems, i.e. using radiation field
    • H04B7/14—Relay systems
    • H04B7/15—Active relay systems
    • H04B7/185—Space-based or airborne stations; Stations for satellite systems
    • H04B7/1851—Systems using a satellite or space-based relay
    • H04B7/18517—Transmission equipment in earth stations
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N21/00—Selective content distribution, e.g. interactive television or video on demand [VOD]
    • H04N21/40—Client devices specifically adapted for the reception of or interaction with content, e.g. set-top-box [STB]; Operations thereof
    • H04N21/41—Structure of client; Structure of client peripherals
    • H04N21/426—Internal components of the client ; Characteristics thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N21/00—Selective content distribution, e.g. interactive television or video on demand [VOD]
    • H04N21/40—Client devices specifically adapted for the reception of or interaction with content, e.g. set-top-box [STB]; Operations thereof
    • H04N21/41—Structure of client; Structure of client peripherals
    • H04N21/426—Internal components of the client ; Characteristics thereof
    • H04N21/42607—Internal components of the client ; Characteristics thereof for processing the incoming bitstream
    • H04N21/4263—Internal components of the client ; Characteristics thereof for processing the incoming bitstream involving specific tuning arrangements, e.g. two tuners
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007—Casings
    • H05K9/006—Casings specially adapted for signal processing applications, e.g. CATV, tuner, antennas amplifier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Astronomy & Astrophysics (AREA)
  • Aviation & Aerospace Engineering (AREA)
  • Structure Of Receivers (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Description

高頻模組及受信裝置
本發明係關於可應用於電視調諧器等之高頻模組及受信裝置者。
近年來，高頻模組之一例之電視(TV)調諧器不僅內藏於TV受信機中，亦內藏於個人電腦(PC)等IT機器中。
並且，該受信裝置為能夠接收地波電視廣播與衛星電視廣播，而構成為搭載有地波調諧器與衛星調諧器之所謂雙調諧器之受信裝置。
圖1係顯示應用於IT機器之雙調諧器之一般廣播受信裝置之構成例之方塊圖。
圖1之受信裝置1具有衛星調諧器2、地波調諧器3、輸入端子4、分離器5、PCI-Express橋接晶片6、電源7、記憶體8、及卡緣連接器部9。
圖1係使用稱作PCI-Express的電腦介面之PC中之應用例。
本構成之電路為於特定插槽中內藏電路，其高度亦經過標準化，必須要在大致3.75 mm以內。
受信裝置1中，從輸入端子4輸入之高頻信號經由分離器5經分配後，供給至2個調諧器2與3予以解調而輸出資料。
該資料經由PCI-Express橋接晶片6向數位資料PCI-Express之介面輸出。
此時，電源7供給必要之電壓、電流，記憶體8進行保持 必要之保管資料之動作。
但，雙調諧器之受信裝置要求小型化及安裝設計之簡化。為與此對應，將2個調諧器配置於1個雙調諧器模組內之受信裝置業已實用化。
圖2係顯示應用雙調諧器模組之廣播受信裝置之構成例之方塊圖。
圖2中，受信裝置1A具有雙調諧器模組10。
又，附加與圖1相同符號之功能部份同樣地進行與圖1相同之動作。
圖3係顯示配置於PCI-Express基板上之雙調諧器模組之簡化構成之圖。
圖中顯示雙調諧器模組10在基板11上以更薄之高度即高2.3 mm設計而成之例。
以此方式構成薄模組時，衛星調諧器12及地波調諧器13係以作為積體電路(IC)而被裝載於基板11上並以屏蔽罩14覆蓋之構成而實現。
如此，在為實現薄型調諧器所使用之半導體中，亦以更加集成化之IC較佳，同樣的，為提高圖3之內部之衛星調諧器12與地波調諧器13之集成度，而內藏有局部振盪器與使用於其之電感器。
圖4係用以說明內藏於IC之電感器之一例之圖。
於高頻帶中動作之半導體中，一般利用外部電路而實現之電壓控制振盪器(VCO：Voltage Controlled Oscillator)，為布局於圖4之IC晶片20上之晶載型VCO21。VCO21所必 須使用之電感器22係利用鋁佈線而由具有同心圓形狀之螺旋形狀而實現。
本例係以NXP公司之稱作QUBIC4之製程之說明圖，且以IC之圖案佈局構成局部振盪器(圖中VCO21)所使用之電感器之IC之例。
一般言之，由於內藏於IC之電感器配置於平面上，因此如圖4具有使同心圓捲繞成螺旋狀之螺旋結構。
因此，IC動作時由該電感器引發之電場、磁場會向紙面平面之上下方向放射。
對此，使用內藏局部振盪電路、且內藏電感器之複數個IC之情形時，需要考慮於IC周圍產生之電場之影響。
圖5A及圖5B係顯示內藏電感器之IC所放射之電場之概念之圖。
圖5A係顯示從裝載於電路基板11上之IC30放射之電波31之例。
此情形時，在IC30附近為圓弧狀之電場強度，但越遠離放射元件之IC30則越與放射面成平行。
圖5B係顯示安裝於實際之調諧器模組之情況。
即，在裝載於電路基板11上之IC30之底面，銅箔面33在橫方向與上面方向被屏蔽罩14覆蓋。此情形時，由於所放出之電波31會在屏蔽罩14及銅箔面33附近反射，因此圓弧狀電場一面被反射一面經由路徑32被傳送。
又，屏蔽罩14係使用薄材料且焊錫性優良之銅、鎳、鋅之合金即通稱為洋銀之金屬，但一般只要導電性優良則無 問題，因此在形狀之約束較寬的情形時，可使用低價之鍍錫板材或其類似品。
圖6A及圖6B係顯示內藏電感器之IC所放射之磁場之概念之圖。
圖6A及圖6B中，對與圖5相同之構成要素附加相同符號。
於圖6A中形成從IC30向上部方向引發磁場40並返回至底面側之環路。
同樣的，如圖6B所示，碰撞到屏蔽罩14、電路基板11表面之銅箔面33之導體面之磁場會產生渦電流41。而該渦電流會於導體內被傳送並擴散於導體內。
圖7A及圖7B等價地顯示利用圖5及圖6之電場、磁場之高頻信號之傳送之圖。
圖7A係於IC30之上面附近有屏蔽罩14之情形時，利用浮游電容50置換電場及磁場經由罩反射或因引發電流而傳導信號之作用。
並且，圖7B係應用於圖3之雙調諧器模組之說明圖，且係顯示衛星調諧器12與地波13經由浮游電容50而連接之情形。
由此可容易理解內藏於IC30內之電感器亦與一般零件相同，若使電流流動則成為產生電磁場之元件，反之若置於電磁場中則成為引發電流之元件。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2007-103610號公報
但是，之所以容易引起如上說明之高頻信號之放射，其主要原因亦需要考慮到IC之動作頻率之進化。
如圖4所示，內藏有VCO之IC中一般係使用適於電路動作之電感器，但由於受到IC尺寸之約束，一般只能賦予數平方毫米之空間。
此情形時可實現之電感值只能取10 nH左右之值。
在此條件下例如若構成並聯共振器並計算共振頻率，則f=1/2π√LC、C=1/(2πf)2L。
例如f=200 MHz時，需要C=63 pF。
但，作為於IC內部所設之電容量，63 pF係非常大，若要確保構成電容器之對向電極面之面積則晶片尺寸變大，而使得成本變高。
另一方面，在逐年高速化、微細化之半導體製程中，動作頻率已進入千兆赫範圍，正好可在本衛星調諧器、地波調諧器之所用頻率之數倍之區域內動作。
隨著以取半導體內部零件與製程之動作頻率兩者之平衡之形式發展技術之結果，使用以受信頻率之倍頻數振盪之VCO，進行分頻之頻率轉換之方式成為主流。
衛星調諧器12之情形中，局部頻率為2~4 GHz左右，因此波長變成70~140 mm左右。
此時，如欲以1一個模組實現雙調諧器，則調諧器IC之 間隔容易收在λ/4之尺寸。
λ/4之距離會對電波之受信引起高效共振，尤其會產生易引起電波傳播之情況。
圖8係顯示如此而引起調諧器間之干擾之一例之圖。
圖8所示之例將一方之調諧器之VCO振盪作為局部頻率顯示。
並且，在局部頻率之兩側，會產生於該1/2局部與RF信號經頻率轉換之IF附近從另一個調諧器產生之電磁場寄生所引起之邊帶SB1、SB2。因此同樣地會在IF兩側予以頻率轉換。
如此，調諧器間之干擾以千兆赫範圍之高頻率產生，結果與原來必要之RF信號一同經頻率轉換而出現於IF帶。
該頻率轉換具有使與VCO電路間之干擾或與其他電路重疊之電磁場寄生在進行頻率轉換之混合部一同予以頻率轉換等之複數之路徑。
如上說明，將VCO等振盪器等具有RF電路之IC以較薄的金屬框體覆蓋時，越是小型框體越會使電磁波在周圍傳播，而易於受信頻帶內產生寄生雜訊。
專利文獻1中記載有一種電子裝置，其係使屏蔽罩變形，並以使電路基板上所產生之雜訊有效率地逸出屏蔽罩，以降低對鄰接之電路之影響之方式構成。
該電子裝置中，對屏蔽罩之金屬部實施拉深加工，以靠近調諧器內部之具有頻率轉換電路之IC為主要目的，使用屏蔽罩作為吸收從IC產生之電波之接地導體。
並且，於拉深部上形成有用以散熱之狹縫。
該電子裝置雖具有以屏蔽罩吸收電磁波而避免洩漏之功能，但要防止因電場及磁場之影響而引起之調諧器間之干擾則有困難。
本發明提供一種高頻模組及受信裝置，其可將電場及磁場向屏蔽部之外部排出，可使屏蔽部內之電子零件更靠近地配置，進而可謀求小型化。
本發明之第1觀點之高頻模組，包含：內藏振盪器之積體電路，及覆蓋上述積體電路之形狀之屏蔽部，上述屏蔽部在與上述積體電路之配置位置對向之區域內，形成有該積體電路之形狀尺寸之1/2以上大小之開口部。
本發明之第2觀點之受信裝置包含：輸入端子，其輸入衛星廣播信號或地波廣播信號；衛星廣播受信電路，其包含具有上述衛星廣播信號之頻率轉換功能之衛星調諧器；地波廣播受信電路，其包含具有上述地波廣播信號之頻率轉換功能之地波調諧器；及分波電路，其將從上述輸入端子輸入之衛星廣播信號分配至上述衛星廣播受信電路，並將上述地波廣播信號分波至上述地波廣播受信電路；且，上述衛星調諧器及上述地波調諧器係內藏振盪器且作為衛星調諧器積體電路及地波調諧器積體電路而形成，且包含至少覆蓋上述衛星調諧器積體電路及上述地波調諧器積體電路的形狀之屏蔽部；上述屏蔽部在與上述衛星調諧器積體電路及上述地波調諧器積體電路中至少一方之積體電路 之配置位置對向之區域內，形成有該積體電路之形狀尺寸之1/2以上大小之開口部。
根據本發明，可將電場及磁場向屏蔽部之外部排出，可使屏蔽部內之電子零件更靠近地配置，進而可謀求模組之小型化。
以下，參照附圖說明本發明之實施形態。
又，說明按以下順序進行。
1.第1實施形態
2.第2實施形態
<1.第1實施形態>
圖9係顯示採用本發明之第1實施形態之高頻模組之廣播信號受信裝置之構成例之圖。
圖10係顯示作為本第1實施形態之高頻模組之一例所採用之雙調諧器模組之要部之簡化構成之圖。
圖11係作為本實施形態之高頻模組之一例所採用之雙調諧器模組之具體構成例之圖。
本受信裝置100具有雙調諧器模組110、輸入端子120、PCI-Express橋接晶片130、電源140、記憶體150、及卡緣連接器部160。
圖9之受信裝置100係使用稱作PCI-Express之電腦介面之PC內之應用例。
本實施形態中，作為高頻模組之一例而顯示之雙調諧器 模組110，構成為可接收衛星TV廣播與地波TV廣播。
[雙調諧器模組之構成例]
雙調諧器模組110如圖10所示，顯示於調諧器基板111上以更薄之高度即高2.3 mm設計而成之例。
作為薄型模組而構成之雙調諧器模組110係以衛星調諧器112及地波調諧器113作為IC而裝載於調諧器基板111上，並以作為屏蔽部之屏蔽罩114覆蓋之方式構成。
如此，在為實現薄型調諧器所使用之半導體中，亦以更加集成化之IC較佳。
本實施形態之衛星調諧器112與地波調諧器113為提高積體度，而例如如圖4所示，內藏有局部振盪器與使用於其之電感器。
另，圖10中之符號115表示底面之銅箔面。
如圖10所示，本雙調諧器模組110在位於利用IC形成之衛星調諧器IC112與位於地波IC113上部之屏蔽罩114上，形成有IC之形狀尺寸之1/2以上大小之開口部116A、116B。
該開口部116A、116B以可將於屏蔽罩114內產生之電場及磁場向外部高效率地排出之方式而形成。
由圖10明確所示，使用於各衛星調諧器IC112與地波調諧器113之上部形成有開口部之屏蔽罩114，可防止圖7所示之浮游電容之產生。
該結構之雙調諧器模組110中，即使進行與VCO振盪頻率之波長相比無法獲得充分距離之複數個調諧器IC之安 裝，亦可避免高頻率信號相互干擾。
關於該高頻模組(本實施形態中係雙調諧器模組)之開口部116之大小、形狀、功能等將於後詳述。
本第1實施形態之屏蔽罩114係使用薄材料且焊錫性優良之銅、鎳、鋅之合金即通稱洋銀之金屬。
惟作為屏蔽罩114，一般只要導電性優良則無問題，在形狀之約束較寬時，亦可使用低價之鍍錫板材或其類似品。
另，IC內藏之振盪器所使用之電感器以具有同心形狀之佈線之方式構成。
另，IC內藏之振盪器所使用之電感器以具有複數之同心形狀之佈線之方式構成。
例如亦可於IC內部之遮罩圖案上形成為螺旋狀之電感器而形成。
另，IC可採用將同心形狀之電感器配置於佈線圖案、電子零件或佈線上之結構。
[雙調諧器模組之功能說明]
此處，參照圖11說明雙調諧器模組110內之電路構成及功能。
此處，以符號200表示雙調諧器模組。
圖11之雙調諧器模組200具有輸入端子201、分波電路202、高通濾波器(High Pass Filter：HPF)203、低雜訊放大器(Low Noise Amplifier：LNA)204、衛星調諧器205、及衛星解調部206。
雙調諧器模組200具有帶通濾波器(Band Pass Filter：BPF)207、衰減器電路(ATT)208、LNA209、地波調諧器210、地波解調部211。
雙調諧器模組200具有輸出矩陣部212、開關213、214、及傳輸流(Transport Stream：TS)輸出端口215、216。
雙調諧器模組200具有電感器217、及低雜訊阻斷轉換器(Low Noise Blockdown Converter：LNB)用端子218。
雙調諧器模組200具有作為電源端子之衛星調諧器用VCCA1端子219、地波調諧器用VCCA2端子220。
雙調諧器模組200具有衛星及地波解調及輸出矩陣用VDDH端子221、VDDL端子222。
雙調諧器模組200具有12C端子223。
於雙調諧器模組200中，藉由HPF203、LNA204、衛星調諧器205、及衛星解調部206而形成衛星廣播受信電路230。
藉由BPF207、衰減器電路208、LNA209、地波調諧器210、及地波解調部211而形成地波廣播受信電路240。
雙調諧器模組200中，被施加於輸入端子201之高頻信號藉由分波電路202而被分成衛星廣播之受信側與地波廣播之受信側。
衛星廣播受信電路230中，衛星廣播信號經由HPF203而藉由LNA204放大、輸入至衛星調諧器205並予以頻率轉換。其後在衛星解調部206成為TS資料並向輸出矩陣部212送出。
另一方面，地波廣播受信電路240中，地波廣播信號以 分波電路202經分波後在BPF207予以限制頻寬，於衰減器電路208中經適當之信號位準調節後，由LNA209予以放大並輸入至地波調諧器210。
在地波調諧器210經頻率轉換後，藉由地波解調部211轉換成與衛星解調相同之TS資料，而與前述相同地向輸出矩陣部212送出。
輸出矩陣部212具有開關213及214，可選擇向TS輸出端口215、216輸出所需之TS。
電感器217具有向LNB之直流供給與截斷高頻信號之作用，接線於端子218與分波電路(分配器)202之衛星用線路，使分波電路202直流地通過並從輸入端子201向外部供給直流電壓。
端子223係分別控制衛星解調部206與地波解調部211之I2C總線之輸入端子，且構成為經由各個解調部亦控制各個衛星調諧器205及地波調諧器210。
以上，以高頻模組之一例之雙調諧器模組110為中心說明了本實施形態之廣播信號受信裝置100之全體構成。
以下，針對本實施形態之具有開口部之高頻模組之特徵進行說明。
[具有開口部之高頻模組之原理說明]
圖12A及圖12B係用以說明本第1實施形態之具有開口部之高頻模組之原理之圖。
此處，為容易理解，與雙調諧器模組相同構成之部份以相同符號表示。
圖12A中，300表示內藏含電感器之振盪器之IC，301表示電波。
圖12B中，400表示磁場。
圖12A係顯示利用本實施形態之高頻模組之電波之放射。
以使電波301從本實施形態之具有開口部之屏蔽罩114之開口部116向外部輻射之方式，決定該屏蔽罩114之開口部之位置與開口度而形成開口部116，因此電波301在屏蔽罩114中不會反射，亦不會引起向橫方向之傳播。
圖12B係同樣以使具有開口部116之屏蔽罩114對磁場400不產生渦電流之方式，決定該屏蔽罩114之開口部之位置與開口率而形成開口部116。
磁場400藉由該開口部116而向模組之外部擴散，可防止傳播於屏蔽罩114中之渦電流之產生。
基於以上原理而形成使用圖10之屏蔽罩之雙調諧器模組110。
如前述，由圖10明確可知，使用於各個衛星調諧器IC112與地波調諧器IC113之上面設有開口部之屏蔽罩，從而可防止圖7所示之浮游電容之產生。
該結構之調諧器模組中，即使進行與VCO之振盪頻率之波長相比無法獲得充分距離之複數個調諧器IC之安裝，亦可避免高頻信號相互干擾。
圖13係用以說明形成於本實施形態之屏蔽罩114上之開口部之具體構成例之圖。
圖13之上圖係於所安裝之IC之上面形成方形之孔作為開口部116C、116D之例，其中心位置與各IC為同一點。
並且，開口率以具有IC之晶片尺寸之各邊的1/2以上的一邊之尺寸其效果顯著，此情形時之開口率為(1/2)2=1/4以上較佳，且為IC尺寸之25%以上。
又，本例中，方形孔之尺寸為4.7 mm×4.7 mm，調諧器IC之尺寸為4.3 mm×4.3 mm。
屏蔽罩114具有23 mm×23 mm之大小。
圖13之下圖係使本實施形態之屏蔽罩114之開口部116E、116F之形狀成為圓孔形狀者。
此情形時亦同，只要開口率為IC尺寸之25%以下則可預期充分之效果。
本例中，圓孔形狀之開口部116E、116F之直徑為6 mm
圖14A及圖14B係用以說明形成於本實施形態之屏蔽罩114上之開口部之其他具體構成例之圖。
圖14A係以符號116C、116D表示相當於圖13之上圖之構成例之方形孔部，在本例中，以包含其兩者之形狀之形式而形成橢圓形之長圓孔之開口部116G。
藉由本構成亦可避免前述浮游電容之產生，防止高頻信號之相互干擾。
同樣的，在圖14B之例中，係於長方形孔之開口部116H上包含方形孔部116C、116D者。
圖14C係利用同一孔之開口部116I、116J、但以不取與 IC之位置為同一中心之條件形成複數孔之例。
圖14D係只具有1個開口部116k之情形。
以上構成之雙調諧器模組中，實際之性能差會出現在位元誤差率(Bit Error Rate：BER)。
圖15係顯示測定從地波調諧器相對微型調諧器之干擾之例之圖。
圖15中，橫軸表示通道名稱，縱軸表示CN值。
縱軸之CN比係以稱作所需CN之為使BER成為非常良好狀態所需之輸入信號的Carrier對Noise之比予以規格化而顯示者。
圖15中，A所示之特性係形成2個開口部之孔之情形，B所示之特性係形成1個開口部之孔之情形，C所示之特性係不形成開口部之孔之情形。
其中尤其顯示日本之衛星廣播所使用之BS15通道附近之孔之效果。
形成2個開口部之孔的情形時可充分抑制干擾。
只形成1個開口部之孔的情形時，與不形成孔之情形相比亦顯示充分抑制干擾之效果。
即，圖15之所需CN係BS-15通道附近之輸入頻率1318 MHz之2倍的局部頻率2636 MHz之對應結果，顯示只設置與搭載孔之個數之IC個數相同的情形時最具效果。
當然即使只有1個亦有效果。
<2.第2實施形態>
圖16係顯示本發明之第2實施形態之廣播信號受信裝置 之雙調諧器模組之構成例之圖。
本第2實施形態之雙調諧器模組110A與第1實施形態之雙調諧器模組110不同之點在於，作為屏蔽部，改以塗布導電性膏117之導電性塗布膜而形成，以此取代屏蔽罩。
即，雙調諧器模組110A係以模組填充材118密封並保護裝載於調諧器基板111上之衛星調諧器IC112與地波調諧器IC113周圍。
並且，雙調諧器模組110A於其密封外周塗布導電性膏117，從而具有與前述屏蔽罩具相同效果之結構。
此時，於發揮與屏蔽罩相同作用之導電性膏117之塗布膜117A上形成開口部116A與開口部116B，利用導電膏將電波、磁力線向屏蔽體之外部排出。
詳細之動作原理與使用屏蔽罩之情形完全相同，因此此處省略其說明。
基板111上之底面115與導電性膏117在其壁面電性連接，從而構成屏蔽體。
如上說明，根據本實施形態可獲得以下效果。可將電場及磁場向屏蔽部之外部排出，而可使屏蔽部內之電子零件更靠近地配置，進而可謀求小型化。
例如對於在使用屏蔽罩之衛星調諧器IC或地波調諧器IC中內藏使用螺旋電感之VCO般之振盪器之情形時有效。
即，對於將零件靠近裝載到其振盪電路所放射之電場、磁場與周圍電路電磁結合或磁場結合以致於產生寄生雜訊、或使振盪器之相位雜訊劣化到無法忽視的地步之情形 有效。
尤其因附設屏蔽罩，故可將更強地產生之上述雜訊群向屏蔽部外部放射，因此可將零件配置得非常靠近。
另，尤其於同一基板上構成複數個調諧器之情形時，與向屏蔽部外部排出電場、磁場為相同效果，尤其同時動作時效果顯著。
另，對於使用如收發器般具有送信與受信功能之獨立之振盪之情形器時亦有效。
又，即使振盪器為一個之情形時雜訊亦成為朝向混合電路或輸入電路之其他路徑之雜訊，因此可期待包含具有本開口部之屏蔽部之結構之效果。
此外對於無線LAN之2.4 GHz頻帶與5 GHz頻帶等具有複數頻帶之收發器亦有效。
又，作為應用本構成之半導體，包含於IC之遮罩圖案中內藏螺旋電感之單一積體型IC。
再者包含搭載有稱作SIP(System In Package：系統級封裝)之矽裸晶之小型基板上所構成之具有電感之構成之IC。
或包含使用作為通常之外部器件之螺旋電感之IC。
該等IC皆具有效果，且可適當應用。
100‧‧‧廣播信號受信裝置
110‧‧‧雙調諧器模組
111‧‧‧調諧器基板
112‧‧‧衛星調諧器IC
113‧‧‧地波調諧器IC
114‧‧‧屏蔽罩
116、116A~116K‧‧‧開口部
117‧‧‧導電性膏
120‧‧‧輸入端子
130‧‧‧PCI-Express橋接晶片
140‧‧‧電源
150‧‧‧記憶體
160‧‧‧卡緣連接器部
圖1係顯示應用於IT機器等之雙調諧器之一般廣播受信裝置之構成例之方塊圖。
圖2係顯示應用雙調諧器模組之廣播受信裝置之構成例 之方塊圖。
圖3係顯示配置於PCI-Express基板上之雙調諧器模組之簡化構成之圖。
圖4係用以說明內藏於IC之電感器之一例之圖。
圖5A係顯示內藏電感器之IC所放射之電場之概念之圖。
圖5B係顯示內藏電感器之IC所放射之電場之概念之圖。
圖6A係顯示內藏電感器之IC所放射之電場之概念之圖。
圖6B係顯示內藏電感器之IC所放射之電場之概念之圖。
圖7A係等價顯示利用圖5及圖6之磁場、電場之高頻信號之傳送之圖。
圖7B係等價顯示利用圖5及圖6之磁場、電場之高頻信號之傳送之圖。
圖8係顯示產生調諧器間之干擾之一例之圖。
圖9係顯示採用本發明之第1實施形態之高頻模組之廣播信號受信裝置之構成例之圖。
圖10係顯示作為本第1實施形態之高頻模組之一例所採用之雙調諧器模組之要部之簡化構成之圖。
圖11係作為本實施形態之高頻模組之一例所採用之雙調諧器模組之具體構成例之圖。
圖12A係用以說明本第1實施形態之具有開口部之高頻模組之原理之圖。
圖12B係用以說明本第1實施形態之具有開口部之高頻模組之原理之圖。
圖13係用以說明形成於本實施形態之屏蔽罩上之開口部 之具體構成例之圖。
圖14A係用以說明形成於本實施形態之屏蔽罩上之開口部之其他具體構成例之圖。
圖14B係用以說明形成於本實施形態之屏蔽罩上之開口部之其他具體構成例之圖。
圖14C係用以說明形成於本實施形態之屏蔽罩上之開口部之其他具體構成例之圖。
圖14D係用以說明形成於本實施形態之屏蔽罩上之開口部之其他具體構成例之圖。
圖15係顯示測定從地波調諧器相對衛星調諧器之干擾之例之圖。
圖16係顯示本發明之第2實施形態之廣播信號受信裝置之雙調諧器模組之構成例之圖。
111‧‧‧調諧器基板
112‧‧‧衛星調諧器IC
113‧‧‧地波調諧器IC
114‧‧‧屏蔽罩
115‧‧‧底面
116A、116B‧‧‧開口部

Claims (11)

  1. 一種高頻模組，其包含：內建振盪器之複數之積體電路，及覆蓋上述複數之積體電路之屏蔽部，其中上述屏蔽部在與上述複數之積體電路之配置位置對向之各區域內，分別形成有各積體電路之形狀尺寸之1/2以上大小之開口部。
  2. 一種高頻模組，其包含：內建振盪器之複數之積體電路，及覆蓋上述複數積體電路之屏蔽部，其中上述屏蔽部在與上述複數之積體電路之配置位置對向之區域，以包含各積體電路之形狀尺寸之1/2以上大小之開口部之形式，形成有長孔狀之開口部。
  3. 如請求項1之高頻模組，其中上述複數之積體電路包含：處理衛星廣播信號之衛星調諧器積體電路，及處理地波廣播信號之地波調諧器積體電路。
  4. 如請求項2之高頻模組，其中上述複數之積體電路包含：處理衛星廣播信號之衛星調諧器積體電路，及處理地波廣播信號之地波調諧器積體電路。
  5. 如請求項1至4中任一項之高頻模組，其中上述屏蔽部係藉由金屬製之屏蔽罩而形成。
  6. 如請求項1至4中任一項之高頻模組，其中上述屏蔽部係 藉由導電性塗布膜而形成。
  7. 一種受信裝置，其包含：輸入端子，其被輸入衛星廣播信號或地波廣播信號；衛星廣播受信電路，其包含具有上述衛星廣播信號之頻率轉換功能之衛星調諧器；地波廣播受信電路，其包含具有上述地波廣播信號之頻率轉換功能之地波調諧器；及分波電路，其將從上述輸入端子輸入之衛星廣播信號分配至上述衛星廣播受信電路，並將上述地波廣播信號分波至上述地波廣播受信電路；且上述衛星調諧器及上述地波調諧器係內建振盪器且分別作為衛星調諧器積體電路及地波調諧器積體電路而形成，且其包含至少覆蓋上述衛星調諧器積體電路及上述地波調諧器積體電路的形狀之屏蔽部；上述屏蔽部在與上述衛星調諧器積體電路及上述地波調諧器積體電路中至少一方之積體電路之配置位置對向之區域內，形成有該積體電路之形狀尺寸之1/2以上大小之開口部。
  8. 如請求項7之受信裝置，其中上述屏蔽部在與上述衛星調諧器積體電路及上述地波調諧器積體電路之配置位置對向之各區域內，分別形成有各積體電路之形狀尺寸之1/2以上大小之開口部。
  9. 如請求項7之受信裝置，其中上述屏蔽部在與上述衛星 調諧器積體電路及上述地波調諧器積體電路之配置位置對向之區域，以包含各積體電路之形狀尺寸之1/2以上大小之上述開口部之形式，形成有長孔狀之開口部。
  10. 如請求項7至9中任一項之受信裝置，其中上述屏蔽部係藉由金屬製之屏蔽罩而形成。
  11. 如請求項7至9中任一項之受信裝置，其中上述屏蔽部係藉由導電性塗布膜而形成。
TW099135113A 2009-10-21 2010-10-14 High frequency module and trusted device TWI403097B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009242756A JP5045727B2 (ja) 2009-10-21 2009-10-21 高周波モジュールおよび受信装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201141083A TW201141083A (en) 2011-11-16
TWI403097B true TWI403097B (zh) 2013-07-21

Family

ID=43900167

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099135113A TWI403097B (zh) 2009-10-21 2010-10-14 High frequency module and trusted device

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8923748B2 (zh)
EP (1) EP2493080B1 (zh)
JP (1) JP5045727B2 (zh)
KR (1) KR101309414B1 (zh)
CN (1) CN102577138B (zh)
IN (1) IN2012DN03200A (zh)
TW (1) TWI403097B (zh)
WO (1) WO2011048934A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5664489B2 (ja) * 2011-07-28 2015-02-04 ソニー株式会社 回路基板
US8747121B1 (en) * 2013-01-24 2014-06-10 Cresta Technology Corporation Television tuner module having a shielded housing mounted on an outer circuit board and having an inner circuit board with a tuner chip
CN105830548B (zh) * 2013-10-31 2017-12-01 阿莫绿色技术有限公司 散热部件及具有其的便携式终端
US10181653B2 (en) * 2016-07-21 2019-01-15 Infineon Technologies Ag Radio frequency system for wearable device
DE102018208925A1 (de) * 2018-06-06 2019-12-12 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Verfahren zum Abschirmen von Bauteilen

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0582051U (ja) * 1992-04-10 1993-11-05 株式会社村田製作所 半導体装置の放熱構造
JP2003332928A (ja) * 2002-05-15 2003-11-21 Mitsumi Electric Co Ltd 半導体装置用基板
JP2004235738A (ja) * 2003-01-28 2004-08-19 Mitsumi Electric Co Ltd 電子装置及び選局装置
WO2005078796A1 (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. 電子部品及びその製造方法
JP2007235650A (ja) * 2006-03-02 2007-09-13 Sony Corp チューナモジュールおよび放送受信装置
TWI315493B (en) * 2006-08-03 2009-10-01 Holtek Semiconductor Inc Transponder for rfid
TWI315608B (en) * 2006-01-27 2009-10-01 Sunplus Technology Co Ltd Receiving device, interface switch module and method of manufacturing the interface switch module

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0582051A (ja) 1991-09-19 1993-04-02 Hitachi Ltd シヤドウマスク形カラー陰極線管
JPH11331015A (ja) * 1998-05-15 1999-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd モジュール部品
JP2001274720A (ja) * 2000-03-24 2001-10-05 Murata Mfg Co Ltd 携帯無線端末装置
JP2002094410A (ja) * 2000-09-20 2002-03-29 Ngk Spark Plug Co Ltd Ｓａｗフィルタを具えたアンテナスイッチモジュール
JP2002198490A (ja) 2000-12-26 2002-07-12 Toshiba Corp 半導体装置
JP2005198051A (ja) * 2004-01-08 2005-07-21 Hitachi Ltd 高周波モジュール
WO2006059556A1 (ja) * 2004-12-02 2006-06-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. 電子部品及びその製造方法
JP2007103610A (ja) * 2005-10-03 2007-04-19 Mitsumi Electric Co Ltd 電子装置
JP4246224B2 (ja) * 2006-09-01 2009-04-02 シャープ株式会社 放送受信装置
US8013775B2 (en) 2007-04-30 2011-09-06 Viasat, Inc. Radio frequency absorber
CN101675596A (zh) * 2007-05-04 2010-03-17 Nxp股份有限公司 调谐器
JP2009016715A (ja) * 2007-07-09 2009-01-22 Tatsuta System Electronics Kk シールド及び放熱性を有する高周波モジュール及びその製造方法
CN101842895A (zh) * 2007-10-30 2010-09-22 Nxp股份有限公司 Rf-ic封装方法及所获得的电路
US8013258B2 (en) * 2008-06-11 2011-09-06 Mediatek Inc. Shielding device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0582051U (ja) * 1992-04-10 1993-11-05 株式会社村田製作所 半導体装置の放熱構造
JP2003332928A (ja) * 2002-05-15 2003-11-21 Mitsumi Electric Co Ltd 半導体装置用基板
JP2004235738A (ja) * 2003-01-28 2004-08-19 Mitsumi Electric Co Ltd 電子装置及び選局装置
WO2005078796A1 (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. 電子部品及びその製造方法
TWI315608B (en) * 2006-01-27 2009-10-01 Sunplus Technology Co Ltd Receiving device, interface switch module and method of manufacturing the interface switch module
JP2007235650A (ja) * 2006-03-02 2007-09-13 Sony Corp チューナモジュールおよび放送受信装置
TWI315493B (en) * 2006-08-03 2009-10-01 Holtek Semiconductor Inc Transponder for rfid

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011048934A1 (ja) 2011-04-28
KR20120089286A (ko) 2012-08-09
KR101309414B1 (ko) 2013-09-23
TW201141083A (en) 2011-11-16
CN102577138B (zh) 2016-11-23
EP2493080A4 (en) 2013-08-14
EP2493080B1 (en) 2016-07-13
JP2011091574A (ja) 2011-05-06
IN2012DN03200A (zh) 2015-10-09
JP5045727B2 (ja) 2012-10-10
US8923748B2 (en) 2014-12-30
EP2493080A1 (en) 2012-08-29
CN102577138A (zh) 2012-07-11
US20120200782A1 (en) 2012-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6238175B2 (ja) 電磁共鳴結合器及び高周波伝送装置
US8254144B2 (en) Circuit board laminated module and electronic equipment
US8110895B2 (en) Circuit substrate structure and circuit apparatus
TWI403097B (zh) High frequency module and trusted device
CN107256854B (zh) 半导体器件
KR20070115794A (ko) 반도체 장치
US20080058036A1 (en) Communication device with a dielectric substrate
US10403540B2 (en) Integrated circuit
JP2015023473A (ja) アンテナ装置
JP5278579B2 (ja) 高周波モジュールおよび受信装置
US10383211B2 (en) Front-end circuit and high-frequency module
JP2018129596A (ja) 無線装置
JP2005183696A (ja) 半導体装置
US11245184B2 (en) Antenna device and electrical appliance
TW200845605A (en) Sending/receiving circuit module
JP2008278099A (ja) テレビジョンチューナ装置
KR100333460B1 (ko) 송수신회로모듈
JP3576465B2 (ja) 高周波半導体装置およびそれを用いた携帯用通信機器
JP2007189136A (ja) フィルタカバー実装方法及びアンテナ装置
JP4611902B2 (ja) ダイバーシティ受信用チューナ
KR101672498B1 (ko) 튜너 모듈
JP2010135960A (ja) 高周波信号受信装置とこれを用いた電子機器
JP2009152225A (ja) 電子回路モジュール
JP2007059859A (ja) 回路装置
JP2003289257A (ja) 選局装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees