JP5278579B2 - 高周波モジュールおよび受信装置 - Google Patents
高周波モジュールおよび受信装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5278579B2 JP5278579B2 JP2012119317A JP2012119317A JP5278579B2 JP 5278579 B2 JP5278579 B2 JP 5278579B2 JP 2012119317 A JP2012119317 A JP 2012119317A JP 2012119317 A JP2012119317 A JP 2012119317A JP 5278579 B2 JP5278579 B2 JP 5278579B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tuner
- satellite
- terrestrial
- inductor
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000005028 tinplate Substances 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 101000722833 Geobacillus stearothermophilus 30S ribosomal protein S16 Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 210000004899 c-terminal region Anatomy 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Structure Of Receivers (AREA)
Description
そして、その受信装置は、地上波テレビジョン放送と衛星波テレビジョン放送を受信可能にするために、地上波チューナと衛星チューナを搭載した、いわゆるダブルチューナの受信装置として構成される。
本構成の回路では所定のスロットに回路が内蔵されるように高さも標準化されていて、おおよそ3.75mm以内にする必要がある。
そのデータは、PCI-Expressブリッジ6を介してデジタルデータPCI-Expressのインターフェースに出力される。
そのとき、電源7は必要な電圧、電流を供給しメモリ8は必要な保管データを保持する動作を行う。
図2において、受信装置1Aは、ダブルチューナモジュール10を有する。
なお、図1と同じ番号を付してある機能部分は同じく図1と同じ動作を行う。
このように、薄いモジュールを構成する場合、衛星チューナ12および地上波チューナ13は基板11の上に集積回路(IC)としてマウントされ、シールドケース14で覆う構成によって実現される。
このように、薄いチューナを実現するには使用する半導体においてもより集積化されたICが好適であり、同様に図3の内部の衛星チューナ12と地上波チューナ13は集積度を向上するために、局部発振器とそれに用いるインダクタを内蔵している。
本例はNXP社のQUBIC4と言うプロセスの説明図で、局部発振器(図中VCO21)に使うインダクタをICのパターンレイアウトで構成しているICの例である。
このため、ICの動作時にはこのインダクタから誘起される電界、磁界は紙面平面の上下方向に放射される。
そこで、局部発振回路を内蔵し、かつインダクタを内蔵したICを複数使用する場合、ICの周囲に発生する電界の影響を考慮する必要がある。
この場合は、IC30近傍では円弧状の電界強度であるが放射素子であるIC30から離れるにつれて放射面に平行になる。
すなわち、回路基板11にマウントされたIC30の底面には銅箔面33が横方向と上面方向はシールドケース14で覆われている。この場合、放出された電波31がシールドケース14および銅箔面33に近傍で反射されるため、円弧状の電界が反射しながら経路路32を経て伝搬されていく。
図6(A)および(B)において、図5と同じ構成要素には同じ番号を付してある。
同様に、図6(B)に示すように、シールドケース14、回路基板11の表面の銅箔面33の導体面にぶつかった磁界は渦電流41を発生させる。そして、この渦電流は導体内を伝搬して導体内に拡散される。
そして図7(B)は、図3のダブルチューナモジュールに当てはめた説明図であり、衛星チューナ12と地上波チューナ13がストレーキャパシタンス50を介して接続されている様子を示している。
この場合に実現できるインダクタンス値は10nH程度の値しか取れない。
この条件でたとえは並列共振器を構成して共振周波数を計算すると、
f=1/2π√LC、 C=1/(2πf)2L
となる。たとえば、f=200MHzとすると、C=63pFが必要になる。
半導体内部部品とプロセスの動作周波数のバランスを取る形で技術が進化した結果、受信周波数の逓倍周波数で発振するVCOを用い、分周して周波数変換を行う方式が主流となっている。
このとき、ダブルチューナを1つのモジュールで実現しようとした場合、チューナICの間隔は容易にλ/4のサイズに収まってしまう。
λ/4という距離は電波の受信に効率の良い共振を起こしてしまい、特に電波の伝播が起こりやすい状況を生じさせる。
そして、その1/2ローカル周波数とRF信号が周波数変換されたIFの近傍にもう一つのチューナから発せられた電磁界スプリアスによるサイドバンドSB1,SB2がローカル周波数の両サイドに生じる。このことから、同じようにIFの両サイドに周波数変換されている。
この周波数変換はVCO回路間の干渉あるいはその他の回路に重畳された電磁界スプリアスが周波数変換を行うミキサ部にて一緒に周波数変換されるなど、複数の経路がある。
この電子装置においては、シールドケースの金属部に絞りの加工を施し、チューナ内部の周波数変換回路を有するICに近接させることを主目的とし、ICから発せられる電波を吸収する接地導体としてシールドケースを用いている。
そして、絞り部には、放熱のためのスリットが形成されている。
この電子装置は、シールドケースに電磁波を吸収し、漏洩をさせない機能を持たせているものの、電界および磁界の影響によるチューナ間の干渉を防止することは困難である。
なお、説明は以下の順序で行う。
1.第1の実施形態
2.第2の実施形態
図9は、本発明の第1の実施形態に係る高周波モジュールを採用した放送信号受信装置の構成例を示す図である。
図10は、本第1の実施形態に係る高周波モジュールの一例として採用したダブルチューナモジュールの要部の簡略構成を示す図である。
図11は、本実施形態に係る高周波モジュールの一例として採用したダブルチューナモジュールの具体的な構成例を示す図である。
図9の受信装置100は、PCI-Expressと呼ばれるコンピュータのインターフェースを使ったPC内のアプリケーションの例である。
ダブルチューナモジュール110は、図10に示すように、チューナ基板111上でさらに薄い高さとして2.3mm高で設計されている例を示している。
薄いモジュールとして構成されるダブルチューナモジュール110は、衛星チューナ112および地上波チューナ113がチューナ基板111の上にICとしてマウントされ、シールド部としてのシールドケース114で覆うように構成されている。
このように、薄いチューナを実現するには使用する半導体においてもより集積化されたICが好適である。
本実施形態の衛星チューナ112と地上波チューナ113は集積度を向上するために、たとえば図4に示すように、局部発振器とそれに用いるインダクタを内蔵している。
また、図10中の符号115はグランド面である銅箔面を示している。
この開口部116A,116Bは、シールドケース114内で発生する電界および磁界を外部に効率よく排出できるように形成されている。
図10から明らかなようにそれぞれの衛星チューナIC112と地上波チューナIC113の上部に開口部が形成されシールドケース114を用いることで、図7に示されるストレーキャパシタンスの発生を防ぐことが可能である。
この構造のダブルチューナモジュール110では、VCOの発振周波数の波長に比べて十分な距離が取れない複数のチューナICの実装を行っても高周波信号が相互に干渉することを回避させることができる。
この高周波モジュール(本実施形態ではダブルチューナモジュール)の開口部116の大きさ、形状、機能等については後で詳述する。
ただし、シールドケース114としては、一般に導電性が優れていれば問題無いため、形状の制約がゆるい場合は安価なブリキ材やその類似品を用いることも可能である。
また、IC内蔵の発振器に使用されるインダクタは、複数の同心形状の配線を持つように構成される。
たとえば、IC内部のマスクパターンにスパイラル状のインダクタとして形成することも可能である。
また、ICは、配線パターンまたは電子部品または配線に同心形状のインダクタを配置する構造を採用することも可能である。
ここで、図11に関連付けてダブルチューナモジュール110内の回路構成および機能について説明する。
ここでは、ダブルチューナモジュールを符号200で示す。
ダブルチューナモジュール200は、バンドパスフィルタ(Band Pass Filter:BPF)207、アッテネータ回路(ATT)208、LNA209、地上波チューナ210、地上波復調部211を有する。
ダブルチューナモジュール200は、出力マトリックス部212、スイッチ213,214、およびトランスポートストリーム(Transport Stream:TS)出力ポート215,216を有する。
ダブルチューナモジュール200は、インダクタ217、および低雑音ブロックダウンコンバータ(Low Noise Blockdown Converter;LNB)用端子218を有する。
ダブルチューナモジュール200は、電源端子として、衛星チューナ用VCCA1端子219、地上波チューナ用VCCA2端子220を有する。
ダブルチューナモジュール200は、衛星および地上波復調および出力マトリックス用VDDH端子221、VDDL端子222を有する。
ダブルチューナモジュール200は、I2C端子223を有する。
BPF207、アッテネータ回路208、LNA209、地上波チューナ210、および地上波復調部211により地上波放送受信回路240が形成される。
衛星放送受信回路230では、衛星放送信号がHPF203を介してLNA204によって増幅され衛星チューナ205に入力され周波数変換される。その後に衛星復調部206にてTSデータとなって出力マトリックス部212に送出される。
地上波チューナ210にて周波数変化された後に地上波復調部211によって衛星復調と同様のTSデータに変換され前記同様に出力マトリックス部212に送出される。
出力マトリックス部212はスイッチ213および214を有しており、TS出力ポート215,216に求められるTSを選択して出力することができる。
端子223は、それぞれ衛星復調部206と地上波復調部211を制御するI2Cバスの入力端子であり、それぞれの復調部を介してそれぞれ衛星チューナ205および地上波チューナ210も制御する構成になっている。
以下では、本実施形態に係る開口部を有する高周波モジュールの特徴について説明する。
図12(A)および(B)は、本第1の実施形態に係る開口部を有する高周波モジュールの原理を説明するための図である。
ここで、理解を容易にするために、ダブルチューナモジュールと同一構成部分は同一符号を持って表している。
図12(A)においては、300はインダクタを含む発振器を内蔵するICを示し、301は電波を示している。
図12(B)において、400は磁界を示している。
電波301は、本実施形態の開口部を有するシールドケース114の開口部116から外部に輻射するように、開口部116はその位置と開口度を決めて形成されることによって、電波301がシールドケース114では反射せず、横方向への伝播も起こらない。
この開口部116によって磁界400はモジュールの外部へ拡散することになり、シールドケース114を伝播する渦電流の発生を防ぐことができる。
前述したが、図10から明らかなように、それぞれの衛星チューナIC112と地上波チューナIC113の上面に開口部を設けたシールドケースを用いることで図7に示されるストレーキャパシタンスの発生を防いでいることが分かる。
この構造のチューナモジュールではVCOの発振周波数の波長に比べて十分な距離が取れない複数のチューナICの実装を行っても高周波信号が相互に干渉することを回避させることができる。
そして、開口率はICのチップサイズの各辺の1/2以上の一辺を持つサイズで効果が顕著であり、この場合の開口率は(1/2)2=1/4 以上であることが望ましく、ICサイズの25%以上である。
なお、本例では、角穴のサイズは、4.7mm×4.7mmであり、チューナICのサイズは4.3mm×4.3mmである。
シールドケース114は、23mm×23mmの大きさを有する。
この場合も開口率がICサイズの25%以上であれば十分な効果が見込める。
本例において、丸穴形状の開口部116E,116Fの直径は6mmである。
本構成によっても前述したストレーキャパシタンスの発生を回避できるため、高周波信号の相互干渉を防げる。
図14(C)は、同一穴の開口部116I,116JによってICの位置と同一の中心を取らない条件での複数穴の例である。
図14(D)は、開口部116Kを1つしか有しない場合である。
図15において、横軸はチャンネル名を、縦軸はCN値を示している。
縦軸のCN比は所要CNと言われるBERが非常に良い状態になるのに必要な入力信号のCarrier対Noiseの比で規格化して示したものである。
図15において、Aで示す特性が開口部である穴を2つ形成した場合であり、Bで示す特性が開口部である穴を1つ形成した場合であり、Cで示す特性が開口部である穴を形成しない場合である。
開口部である穴を2つ形成した場合には十分に干渉を抑止することが可能である。
開口部である穴を1つのみ形成した場合であっても、穴を形成しない場合に比較して十分に干渉抑止効果が示されている。
勿論一つだけでも効果がある事は自明である。
図16は、本発明の第2の実施形態に係る放送信号受信装置におけるダブルチューナモジュールの構成例を示す図である。
そして、ダブルチューナモジュール110Aは、その封止外周に導電性ペースト117を塗布することで、前述したシールドケースと同様の効果を持たせた構造を有している。
その際、シールドケースと同様の作用を施す導電性ペースト117の塗布膜117Aに開口部116Aと開口部116Bを形成して電波、磁力線を導電ペーストによるシールド体の外部に排出させるようにしている。
詳細の動作原理はシールドケースを用いた場合と全く同様であることから、ここではその説明は省略する。
基板111上のグランド面115と導電性ペースト117はその壁面にて電気的に接続されることで、シールド体を構成している。
たとえばシールドケースを用いた衛星チューナICまたは地上波チューナICがスパイラルインダクタンスを用いたVCOのような発振器を内蔵する場合に効果がある。
すなわち、その発振回路が放射する電界、磁界が周囲の回路を電磁結合、あるいは磁界結合することによってスプリアスノイズを発生させたり、発振器の位相ノイズを劣化させたりすることが無視できない程に近接されてマウントされる場合に効果がある。
特に、シールドケースを付けたために、より強く発生する上記のノイズ群をシールド部外に放射させることができるので、非常に近接させた部品配置を可能にする。
また、特に、複数のチューナを同一基板上に構成する場合は、電界、磁界をシールド部の外部に排出するのと同じ効果であり、特に同時に動作させた時に顕著に表れる。
また、トランシーバーのように送信と受信の機能を持ち、独立の発振器を用いる場合にも有効である。
さらに、発振器が一つの場合でもミキサ回路や入力回路への別経路のノイズとなり得るため、本開口部を有するシールド部の構造を持たせることで効果が期待できる。
その他にも、無線LANのように2.4GHz帯と5GHz帯など、複数のバンドを持つ送受信器にも有効である。
また、SIP(System In Package)と呼ばれるシリコン・ベア・チップを搭載した小型基板上に構成されるインダクタンスを持つ構成のICを含む。
あるいは、通常の外部デバイスとしてスパイラルインダクタンスを用いるICを含む。 これらICの何れにおいても効果があり、適応させることができる。
Claims (17)
- インダクタおよび発振器を内蔵する複数の集積回路と、
上記集積回路を覆う形状のシールド部と、を備え、
上記シールド部は、
上記複数の集積回路の配置位置と対向する領域に、上記複数の集積回路からの電磁波を当該シールド部外に排出するための開口部を有する
高周波モジュール。 - 上記集積回路は、
上記発振器の表面から電磁波を放射するインダクタを有する
請求項1記載の高周波モジュール。 - 上記インダクタは、同心形状の配線を持つように構成される
請求項2記載の高周波モジュール。 - 上記インダクタは、複数の同心形状の配線を持つように構成される
請求項3記載の高周波モジュール。 - 上記インダクタは、螺旋状に周回するスパイラル状の配線を持つように構成される
請求項2記載の高周波モジュール。 - 上記インダクタは、配線パターンにより構成される
請求項2から5のいずれか一に記載の高周波モジュール。 - 上記複数の集積回路は、
衛星波放送信号を処理する衛星チューナ集積回路と、
地上波放送信号を処理する地上波チューナ集積回路と、を含む
請求項1から6のいずれか一に記載の高周波モジュール。 - 上記シールド部は、
金属製のシールドケースにより形成される
請求項1から7のいずれか一に記載の高周波モジュール。 - 上記シールド部は、
導電性塗布膜により形成される
請求項1から7のいずれか一に記載の高周波モジュール。 - 衛星波放送信号または地上波放送信号が入力される入力端子と、
上記衛星波放送信号の周波数変換機能を有する衛星チューナを含む衛星放送受信回路と、
上記地上波放送信号の周波数変換機能を有する地上波チューナを含む地上波放送受信回路と、
上記入力端子から入力される衛星波放送信号を上記衛星放送受信回路に分配し、上記地上波放送信号を上記地上波放送受信回路に分波する分波回路と、を有し、
上記衛星チューナおよび上記地上波チューナは、
インダクタおよび発振器を内蔵して衛星チューナ集積回路および地上波チューナ集積回路として形成され、
少なくとも上記衛星チューナ集積回路および上記地上波チューナ集積回路を覆う形状のシールド部を含み、
上記シールド部は、
上記衛星チューナ集積回路および地上波チューナ集積回路の配置位置と対向する領域に、上記衛星チューナ集積回路および地上波チューナ集積回路からの電磁波を当該シールド部外に排出するための開口部を有する
受信装置。 - 上記集積回路は、
上記発振器の表面から電磁波を放射するインダクタを有する
請求項10記載の受信装置。 - 上記インダクタは、同心形状の配線を持つように構成される
請求項11記載の受信装置。 - 上記インダクタは、複数の同心形状の配線を持つように構成される
請求項12記載の受信装置。 - 上記インダクタは、螺旋状に周回するスパイラル状の配線を持つように構成される
請求項11記載の受信装置。 - 上記インダクタは、配線パターンにより構成される
請求項11から14のいずれか一に記載の受信装置。 - 上記シールド部は、
金属製のシールドケースにより形成される
請求項10から15のいずれか一に記載の受信装置。 - 上記シールド部は、
導電性塗布膜により形成される
請求項10から15のいずれか一に記載の受信装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012119317A JP5278579B2 (ja) | 2012-05-25 | 2012-05-25 | 高周波モジュールおよび受信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012119317A JP5278579B2 (ja) | 2012-05-25 | 2012-05-25 | 高周波モジュールおよび受信装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009242756A Division JP5045727B2 (ja) | 2009-10-21 | 2009-10-21 | 高周波モジュールおよび受信装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012191654A JP2012191654A (ja) | 2012-10-04 |
JP2012191654A5 JP2012191654A5 (ja) | 2012-12-06 |
JP5278579B2 true JP5278579B2 (ja) | 2013-09-04 |
Family
ID=47084261
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012119317A Expired - Fee Related JP5278579B2 (ja) | 2012-05-25 | 2012-05-25 | 高周波モジュールおよび受信装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5278579B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015065117A1 (ko) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 주식회사 아모그린텍 | 방열 부재 및 그를 구비한 휴대용 단말기 |
KR101675868B1 (ko) | 2013-10-31 | 2016-11-15 | 주식회사 아모그린텍 | 방열 부재 및 그를 구비한 휴대용 단말기 |
WO2018168653A1 (ja) | 2017-03-14 | 2018-09-20 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0936659A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Takeshi Ikeda | 発振器 |
JPH11331015A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | モジュール部品 |
JP2001274720A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Murata Mfg Co Ltd | 携帯無線端末装置 |
JP2004235738A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Mitsumi Electric Co Ltd | 電子装置及び選局装置 |
JP2009016715A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Tatsuta System Electronics Kk | シールド及び放熱性を有する高周波モジュール及びその製造方法 |
-
2012
- 2012-05-25 JP JP2012119317A patent/JP5278579B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012191654A (ja) | 2012-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8254144B2 (en) | Circuit board laminated module and electronic equipment | |
JP5381696B2 (ja) | 回路基板積層モジュールおよび電子機器 | |
JP6238175B2 (ja) | 電磁共鳴結合器及び高周波伝送装置 | |
JP5045727B2 (ja) | 高周波モジュールおよび受信装置 | |
US9112475B2 (en) | EBG structure and circuit board | |
CN107256854B (zh) | 半导体器件 | |
US9258019B2 (en) | Communication device | |
JP2015023473A (ja) | アンテナ装置 | |
JP5278579B2 (ja) | 高周波モジュールおよび受信装置 | |
JP6674824B2 (ja) | 多層基板回路モジュール、無線通信装置およびレーダ装置 | |
US10383211B2 (en) | Front-end circuit and high-frequency module | |
JP2008278099A (ja) | テレビジョンチューナ装置 | |
JP5334686B2 (ja) | 多層高周波パッケージ基板 | |
JP2008219453A (ja) | 送受信回路モジュール | |
WO2013118664A1 (ja) | 高周波モジュール | |
JP2007165579A (ja) | 半導体装置 | |
JP2009302803A (ja) | インダクタモジュール、シリコンチューナモジュールおよび半導体装置 | |
US20100073245A1 (en) | Wireless communication apparatus | |
TWI837989B (zh) | 天線結構與電子裝置 | |
JP2013141097A (ja) | 高周波モジュール、及び該高周波モジュールを備えた電子機器 | |
KR101672498B1 (ko) | 튜너 모듈 | |
JP2009152225A (ja) | 電子回路モジュール | |
JP4856258B2 (ja) | チューナモジュール及び受信装置 | |
JP2006135835A (ja) | 高周波信号処理用電子部品および無線通信システム | |
TW202416583A (zh) | 天線結構與電子裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121022 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121022 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20130220 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20130226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130305 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130404 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130423 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130506 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5278579 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |