JP2009302803A - インダクタモジュール、シリコンチューナモジュールおよび半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】IC内に集積する機能とは別にモジュール内にフィルタとして機能するインダクタを設ける場合において、配線等の寄生抵抗、寄生容量、寄生インダクタンス等の影響によるインダクタの特性劣化を抑制しつつ、ICからの不要輻射の悪影響を抑制可能とする。
【解決手段】放送を受信するチューナ機能を有したシリコンチューナIC3と、プリント配線板またはインターポーザとして機能する基板1と、前記シリコンチューナIC3を搭載するために前記基板1の面上に形成されたIC搭載部16と、前記基板1内における前記IC搭載部16と平面的に重なる位置に形成されて当該IC搭載部16に搭載される前記シリコンチューナIC3と導通するインダクタ18と、前記IC搭載部16と前記インダクタ18との間に介在するように配された磁性体23とを備えて、シリコンチューナモジュールを構成する。
【選択図】図2
【解決手段】放送を受信するチューナ機能を有したシリコンチューナIC3と、プリント配線板またはインターポーザとして機能する基板1と、前記シリコンチューナIC3を搭載するために前記基板1の面上に形成されたIC搭載部16と、前記基板1内における前記IC搭載部16と平面的に重なる位置に形成されて当該IC搭載部16に搭載される前記シリコンチューナIC3と導通するインダクタ18と、前記IC搭載部16と前記インダクタ18との間に介在するように配された磁性体23とを備えて、シリコンチューナモジュールを構成する。
【選択図】図2
Description
本発明は、インダクタモジュール、シリコンチューナモジュールおよび半導体装置に関する。
近年、有機EL(Electro-Luminescence)テレビや超薄型LCD(Liquid Crystal Display)テレビ等の登場により、テレビ受像機の中で最も大きな機能部品の一つであるチューナモジュールの小型薄型化が求められている。また、録画機能の内蔵やマルチ画面表示等の多機能化もあり、一つのテレビ受像機に複数のチューナモジュールを搭載するケースが増え、この点でもチューナモジュールの小型化が益々求められるようになっている。
このような要望に応えるべく、最近では、シリコン(Si)やシリコンゲルマニウム(SiGe)等の半導体にアナログRF(Radio Frequency)回路を集積することで、テレビ放送を受信する機能を実現したシリコンチューナモジュールの開発が盛んに行われている。
このような要望に応えるべく、最近では、シリコン(Si)やシリコンゲルマニウム(SiGe)等の半導体にアナログRF(Radio Frequency)回路を集積することで、テレビ放送を受信する機能を実現したシリコンチューナモジュールの開発が盛んに行われている。
シリコンチューナモジュールは、従来のボックス型のチューナモジュールである、いわゆる「CANチューナ」と比べ、容積を大幅に小さくすることができる。CANチューナの容積が大きいのは、シールド用の金属の中にミキサやPLL等のICの他、フィルタ等のアナログ部を構成する直径数mmの空芯コイル、バラクタ、ダイオードといった数多くのアナログ部品を実装しているためである。これに対して、シリコンチューナモジュールでは、これらのアナログ部品をICに集積することで小型化を実現している。
ところで、ICにフィルタ機能を集積する場合には、当該ICに集積できるコイルの直径が数十μmと小さいため、CANチューナと比べて、フィルタの性能を高めるのが難しい。つまり、ICに集積されたフィルタ機能では、不要信号を十分に除去できず、受信感度を高めることが困難になるおそれがある。
この点については、IC内に集積する機能とは別に、モジュール内に、フィルタとして機能する巻き線インダクタ(以下、単に「インダクタ」という。)を設け、これを用いて受信感度を高めるようにすればよい。
ただし、インダクタが外付け部品であると、インダクタ特性の劣化を招く可能性がある。外付け部品としてのインダクタをIC搭載基板上に実装すると、ワイヤーボンドや基板配線等を引き回して、当該インダクタをICに対して接続することが必要になるからである。つまり、配線等の引き回し距離に起因する寄生抵抗、寄生容量、寄生インダクタンス等が、インダクタ特性に悪影響を及ぼすのである。
この点については、IC内に集積する機能とは別に、モジュール内に、フィルタとして機能する巻き線インダクタ(以下、単に「インダクタ」という。)を設け、これを用いて受信感度を高めるようにすればよい。
ただし、インダクタが外付け部品であると、インダクタ特性の劣化を招く可能性がある。外付け部品としてのインダクタをIC搭載基板上に実装すると、ワイヤーボンドや基板配線等を引き回して、当該インダクタをICに対して接続することが必要になるからである。つまり、配線等の引き回し距離に起因する寄生抵抗、寄生容量、寄生インダクタンス等が、インダクタ特性に悪影響を及ぼすのである。
このことから、フィルタとして機能するインダクタについては、外付け部品としてではなく、IC搭載基板内に形成することで、配線等の引き回し距離を大幅に短くし、これによりインダクタ特性の劣化を抑制することが考えられる。具体的には、インダクタ素子を多層回路板に内蔵させたり(例えば、特許文献1参照。)、基板に内蔵されたコイルによりノイズやクロストーク、または浮遊容量による悪影響を減少させたり(例えば、特許文献2参照。)、インターポーザ内にスパイラルインダクタを形成してフィルタとして機能させること(例えば、特許文献3参照。)等が提案されている。
しかしながら、単に配線等の引き回し距離を短くしただけでは、IC内からの不要輻射の影響を受けて、インダクタ特性が劣化するという問題が生じてしまう。すなわち、配線等の引き回し距離を短くすれば、寄生抵抗、寄生容量、寄生インダクタンス等の悪影響は抑制し得るが、フィルタとして機能させるべく形成したインダクタがICに近づくことになるため、例えば当該IC内に集積されたVCO(Voltage Controlled Oscillator)と呼ばれる回路から生じる高調波成分の輻射の影響を受け易くなってしまい、その高調波輻射(不要輻射)の影響でインダクタ特性が劣化してしまうのである。
そこで、本発明は、IC内に集積する機能とは別にモジュール内にフィルタとして機能するインダクタを設ける場合において、配線等の引き回し距離を短くして寄生抵抗、寄生容量、寄生インダクタンス等の悪影響を抑制することを可能にしつつ、ICからの不要輻射の悪影響の抑制に寄与することも可能である、インダクタモジュール、シリコンチューナモジュールおよび半導体装置を提供することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するために案出されたものである。
すなわち、本発明に係るインダクタモジュールは、プリント配線板またはインターポーザとして機能する基板と、前記基板の面上に形成されたIC搭載部と、前記基板内における前記IC搭載部と平面的に重なる位置に形成されて当該IC搭載部に搭載されるICと導通するインダクタと、前記IC搭載部と前記インダクタとの間に介在するように配されたNiZn系フェライト、NiZnCu系フェライトまたはBa系フェライトのいずれかの磁性材料からなる磁性体とを備えるものである。
すなわち、本発明に係るインダクタモジュールは、プリント配線板またはインターポーザとして機能する基板と、前記基板の面上に形成されたIC搭載部と、前記基板内における前記IC搭載部と平面的に重なる位置に形成されて当該IC搭載部に搭載されるICと導通するインダクタと、前記IC搭載部と前記インダクタとの間に介在するように配されたNiZn系フェライト、NiZnCu系フェライトまたはBa系フェライトのいずれかの磁性材料からなる磁性体とを備えるものである。
上記構成のインダクタモジュールでは、基板内のIC搭載部と平面的に重なる位置にインダクタが形成されているので、当該インダクタを基板上に外付け部品として形成する場合に比べて、ICとの導通を確保するための配線等の引き回し距離が短くて済む。
また、IC搭載部と平面的に重なる位置にインダクタが形成されていても、当該IC搭載部と当該インダクタとの間には磁性体が介在しているので、IC搭載部に搭載されるICからの不要輻射が当該磁性体による電磁波吸収作用によって吸収され、その不要輻射の悪影響が当該インダクタに及ぶのが抑制されることになる。しかも、IC搭載部とインダクタとの間に介在しているのは磁性体であることから、当該磁性体によるインダクタのL値増幅作用も期待できる。
また、IC搭載部と平面的に重なる位置にインダクタが形成されていても、当該IC搭載部と当該インダクタとの間には磁性体が介在しているので、IC搭載部に搭載されるICからの不要輻射が当該磁性体による電磁波吸収作用によって吸収され、その不要輻射の悪影響が当該インダクタに及ぶのが抑制されることになる。しかも、IC搭載部とインダクタとの間に介在しているのは磁性体であることから、当該磁性体によるインダクタのL値増幅作用も期待できる。
このような磁性体によるL値増幅作用および電磁波吸収作用は、当該磁性体における複素透磁率の実数部(μ′)および虚数部(μ″)の特性を利用することで発揮される。つまり、ICの使用周波数帯域では磁性体のμ′特性を利用してL値増幅作用を発揮させ、ICからの不要輻射が問題となる周波数帯域では磁性体のμ″特性を利用して電磁波吸収作用を発揮させている。そして、磁性体として、NiZn系フェライト、NiZnCu系フェライトまたはBa系フェライトのいずれかの磁性材料からなるものを用いることで、ICの使用周波数帯域でのμ′特性の利用と、不要輻射が問題となる周波数帯域でのμ″特性の利用とが、それぞれ実現可能となるのである。
本発明によれば、IC搭載部に搭載されるIC(例えば、シリコンチューナIC。)と基板内に形成されるインダクタとの間の導通を確保する配線等の引き回し距離が短くて済むので、寄生抵抗、寄生容量、寄生インダクタンス等の悪影響を抑制することが可能となり、その結果としてインダクタの特性劣化を抑制することが実現可能になる。さらには、IC搭載部とインダクタとの間にNiZn系フェライト、NiZnCu系フェライトまたはBa系フェライトのいずれかの磁性材料からなる磁性体を介在させるという簡素な構成によって、当該IC搭載部に搭載されるICから発生する不要輻射の悪影響が当該インダクタに及ぶのを抑制することができる。つまり、配線等の引き回し距離を短くした場合であっても、ICからの不要輻射の悪影響の抑制に寄与し得るようになる。
以下、図面に基づき本発明に係るインダクタモジュール、シリコンチューナモジュールおよび半導体装置について説明する。
先ず、半導体装置の一具体例であるシリコンチューナモジュールの構成について説明する。
図1はシリコンチューナモジュールの全体の概略構成例を示す平面図であり、図2はその要部の構成例を示す側断面図である。
図1はシリコンチューナモジュールの全体の概略構成例を示す平面図であり、図2はその要部の構成例を示す側断面図である。
シリコンチューナモジュールは、テレビ受像機に搭載されて用いられるもので、テレビ放送を受信する機能を実現するものである。
そのために、シリコンチューナモジュールは、図1に示すように、基板1上にシリコンチューナIC3が搭載されて構成されている。なお、基板1上には、シリコンチューナIC3の他に、平衡と不平衡の状態にある電気信号を変換するための素子である平衡−不平衡変換器41や、インダクタ42、キャパシタ43および抵抗44といった各受動部品が搭載されていてもよい。
そのために、シリコンチューナモジュールは、図1に示すように、基板1上にシリコンチューナIC3が搭載されて構成されている。なお、基板1上には、シリコンチューナIC3の他に、平衡と不平衡の状態にある電気信号を変換するための素子である平衡−不平衡変換器41や、インダクタ42、キャパシタ43および抵抗44といった各受動部品が搭載されていてもよい。
シリコンチューナIC3は、放送を受信するチューナ機能を有したもので、当該チューナ機能の実現に必要となるアナログRF回路やVCO回路等が集積されてなるものである。さらに詳しくは、図2に示すように、アナログRF回路やVCO回路等が集積されてなる半導体ICチップ31、および、これにワイヤボンディング32を介して接続するリードフレーム33が、樹脂材34によって封止されてなるものである。このようなシリコンチューナIC3としては、例えばVQFN(Very Thin Quad Flat Non-leaded Package)パッケージと呼ばれる形式のものが挙げられる。ただし、VQFNパッケージに限定されることはなく、他の形成のものであっても構わない。
一方、シリコンチューナIC3が搭載される基板1は、電子回路を構成する板状またはフィルム状の部品であるプリント配線板、または、ベアチップとマザーボードを繋ぐ再配線基板であるインターポーザとして機能するものである。ただし、基板1は、詳細を後述するように、本発明に係るインダクタモジュールとしても機能するようになっている。
ここで、インダクタモジュールとしても機能する基板1の構成について、図2を参照しながら詳しく説明する。
基板1は、プリント配線板またはインターポーザのコア材11、補強材のガラス布に熱硬化性樹脂を含浸させてなるプリプレグ12a,12b,13a,13b、および、表面を覆う合成樹脂膜(例えば、感光性と絶縁性のあるエポキシ系の樹脂膜。)であるソルダーレジスト14a,14bが、積層されて構成されている。なお、プリプレグ12a,12b,13a,13bの形成層部分には、必要に応じて配線15が形成されているものとする。
このような基板1の一方の面上には、当該面上に露出する配線が、IC搭載部16として形成されている。そして、そのIC搭載部16上に、クリームはんだ17を介して、シリコンチューナIC3が搭載されるようになっている。
また、基板1内には、IC搭載部16と平面的に重なる位置に、インダクタ18が形成されている。このインダクタ18は、例えばプリプレグ13bの形成層部分において銅配線を巻回することで形成することが考えられるが、インダクタンスを利用してフィルタとして機能させ得るものであればよく、その巻き形状や巻き数等が限定されるものではない。
このようなインダクタ18が形成されていることで、基板1は、インダクタモジュールとして機能することになる。
このようなインダクタ18が形成されていることで、基板1は、インダクタモジュールとして機能することになる。
さらに、基板1内には、コア材11およびプリプレグ12a,12b,13a,13bの積層方向に延びる方向に、銅膜19、銅箔20および貫通電極21,22が形成されている。そして、これらを介して、IC搭載部16に搭載されるシリコンチューナIC3とインダクタ18が導通するようになっている。
また、基板1内におけるIC搭載部16とインダクタ18との間には、コア材11の形成層部分に、当該コア材11に代わって、磁性体23が配設されている。つまり、基板1を構成する各層の積層方向において、IC搭載部16に搭載されるシリコンチューナIC3と当該基板1内のインダクタ18との間には、磁性体23が介在しているのである。この磁性体23は、NiZn系フェライト、NiZnCu系フェライトまたはBa系フェライトのいずれかの磁性材料によって形成されているものとする。なお、これらの磁性材料は、いずれも公知材料であるため、ここではその詳しい説明を省略する。
次に、以上のように構成された基板1(すなわちインダクタモジュール。)および当該基板1を備えて構成されたシリコンチューナモジュールの製造手順を簡単に説明する。
基板1等の製造にあたっては、先ず、コア材11に貫通孔を形成し、その貫通孔に対して例えばめっき処理を行って銅膜19を形成する。そして、貫通孔の銅膜19が形成されていない部分には、樹脂材24を充填する。
そして、貫通孔の形成箇所近傍におけるコア材11の上下面のそれぞれに銅箔20を貼り合わせた後、ドライフィルムを露光現像し、銅箔20を例えばウェットエッチングすることで所望のパターンにし、その後ドライフィルムを取り除く。
その後は、コア材11における磁性体23の配設箇所を除去部25として取り除く。そして、除去部25を取り除いた後のコア材11をプリプレグ12b上に載せ、除去部25の部分に磁性体23を置き、その上にプリプレグ12aを重ね、これらをプレス成型する。
さらに、その後は、例えばCO2レーザ加工を行って、プリプレグ12a,12bに貫通孔を形成し、ビアフィルめっき処理を行うことで貫通電極21を形成する。
また、以上のような手順と略同様にして、配線15、プリプレグ13a,13b、貫通電極22、IC搭載部16となる配線、および、インダクタ18を形成する。
そして、ソルダーレジスト14a,14bを形成し、当該ソルダーレジスト14aの開口部にNi/Auめっき処理を行い、クリームはんだ17をコーティングする。
最後に、クリームはんだ17上にVQFNパッケージであるシリコンチューナIC3をマウントし、はんだリフロー処理を行う。
以上のような手順を経ることで、インダクタモジュールおよびシリコンチューナモジュールが完成されることになる。
基板1等の製造にあたっては、先ず、コア材11に貫通孔を形成し、その貫通孔に対して例えばめっき処理を行って銅膜19を形成する。そして、貫通孔の銅膜19が形成されていない部分には、樹脂材24を充填する。
そして、貫通孔の形成箇所近傍におけるコア材11の上下面のそれぞれに銅箔20を貼り合わせた後、ドライフィルムを露光現像し、銅箔20を例えばウェットエッチングすることで所望のパターンにし、その後ドライフィルムを取り除く。
その後は、コア材11における磁性体23の配設箇所を除去部25として取り除く。そして、除去部25を取り除いた後のコア材11をプリプレグ12b上に載せ、除去部25の部分に磁性体23を置き、その上にプリプレグ12aを重ね、これらをプレス成型する。
さらに、その後は、例えばCO2レーザ加工を行って、プリプレグ12a,12bに貫通孔を形成し、ビアフィルめっき処理を行うことで貫通電極21を形成する。
また、以上のような手順と略同様にして、配線15、プリプレグ13a,13b、貫通電極22、IC搭載部16となる配線、および、インダクタ18を形成する。
そして、ソルダーレジスト14a,14bを形成し、当該ソルダーレジスト14aの開口部にNi/Auめっき処理を行い、クリームはんだ17をコーティングする。
最後に、クリームはんだ17上にVQFNパッケージであるシリコンチューナIC3をマウントし、はんだリフロー処理を行う。
以上のような手順を経ることで、インダクタモジュールおよびシリコンチューナモジュールが完成されることになる。
次に、以上のように構成されたインダクタモジュールおよびシリコンチューナモジュールにおける作用効果について説明する。
上記構成のインダクタモジュールでは、基板1内のIC搭載部16と平面的に重なる位置にインダクタ18が形成されているので、当該インダクタ18を基板1上に外付け部品として形成する場合に比べて、シリコンチューナIC3との導通を確保するための配線15,16、銅膜19、銅箔20、貫通電極21,22等の引き回し距離が短くて済む。したがって、配線等の引き回し距離に起因する寄生抵抗、寄生容量、寄生インダクタンス等が、インダクタ18の特性に悪影響を及ぼすのを回避することができ、その結果としてインダクタ18の特性劣化を抑制することが実現可能になる。
また、上記構成のインダクタモジュールでは、IC搭載部16と平面的に重なる位置にインダクタ18が形成されていても、当該IC搭載部16と当該インダクタ18との間には磁性体23が介在しているので、IC搭載部16に搭載されるシリコンチューナIC3からの不要輻射が当該磁性体23による電磁波吸収作用によって吸収され、その不要輻射の悪影響が当該インダクタ18に及ぶのが抑制されることになる。しかも、IC搭載部16とインダクタ18との間に介在しているのは磁性体23であることから、当該磁性体23によるインダクタ18のL値増幅作用も期待できる。
つまり、上述したようにインダクタモジュールを構成することにより、インダクタ18までの引き回し配線距離を短くでき、しかもシリコンチューナIC3とインダクタ18との間に磁性体23が介在するという構成にするだけで、シリコンチューナIC3のVCO回路等からの高調波輻射の影響による特性劣化を軽減できるようになる。
ここで、磁性体23がシリコンチューナIC3とインダクタ18との間に介在することにより高調波輻射を抑制できるメカニズムについて説明する。
高調波輻射は、回路中に不必要な高周波の電流が生じたとき、飛び易いところから放射される。例えば、シリコンチューナIC3のVCO回路におけるインダクタから放射される、といった具合である。
一方、磁性体23は、高周波の電流が発生した回路に対して抵抗性のインピーダンスとして働き、高周波電流そのものを消し去る。
したがって、磁性体23がシリコンチューナIC3とインダクタ18との間に介在していると、高調波輻射の原因である高周波電流が、高周波でのみ現れる磁気損失(すなわち、抵抗性のインピーダンス。)により取り除かれて、熱に変換されるために、高調波輻射が抑制されることになるのである。
高調波輻射は、回路中に不必要な高周波の電流が生じたとき、飛び易いところから放射される。例えば、シリコンチューナIC3のVCO回路におけるインダクタから放射される、といった具合である。
一方、磁性体23は、高周波の電流が発生した回路に対して抵抗性のインピーダンスとして働き、高周波電流そのものを消し去る。
したがって、磁性体23がシリコンチューナIC3とインダクタ18との間に介在していると、高調波輻射の原因である高周波電流が、高周波でのみ現れる磁気損失(すなわち、抵抗性のインピーダンス。)により取り除かれて、熱に変換されるために、高調波輻射が抑制されることになるのである。
ただし、このような磁性体23による電磁波吸収作用は、当該磁性体23における複素透磁率の虚数部(μ″)の特性を利用することで発揮される。
図3は、磁性体の磁気特性の一具体例を示す説明図であり、複素透磁率の周波数依存性を示している。
図例のように、磁性体23における複素透磁率には、実数部(μ′)と虚数部(μ″)とが存在することが知られている。
このうち、磁性体23が高調波輻射を抑制するのは、μ″(磁気損失)が立ち上がる周波数からである。当該周波数より低い周波数帯域では、μ′の効果によりインダクタ18のインダクタンス値(L値)アップに寄与することになる。
図3は、磁性体の磁気特性の一具体例を示す説明図であり、複素透磁率の周波数依存性を示している。
図例のように、磁性体23における複素透磁率には、実数部(μ′)と虚数部(μ″)とが存在することが知られている。
このうち、磁性体23が高調波輻射を抑制するのは、μ″(磁気損失)が立ち上がる周波数からである。当該周波数より低い周波数帯域では、μ′の効果によりインダクタ18のインダクタンス値(L値)アップに寄与することになる。
このことは、磁性体23による高調波輻射の抑制を図る場合には、当該高調波輻射の発生源となるICの使用周波数帯域と、当該磁性体23におけるμ′およびμ″の特性とを、それぞれ合致させる必要があることを意味する。具体的には、シリコンチューナIC3であれば、チューナとして使用する1GHzより低い周波数では磁性体23におけるμ′特性の効果によってインダクタ18のL値アップに寄与し、1GHzより高い周波数では磁性体23におけるμ″特性の効果によってシリコンチューナIC3からの高調波輻射を抑制し得るようにする。
このような磁気特性を実現できる磁性材料としては、NiZn系フェライト、NiZnCu系フェライトまたはBa系フェライトがある。つまり、磁性体23として、NiZn系フェライト、NiZnCu系フェライトまたはBa系フェライトのいずれかの磁性材料からなるものを用いることで、シリコンチューナIC3の使用周波数帯域でのμ′特性の利用と、不要輻射が問題となる周波数帯域でのμ″特性の利用とが、それぞれ実現可能となるのである。具体的には、シリコンチューナIC3の使用周波数帯域(例えば、数十〜1GHz弱。)では磁性体23のμ′特性を利用してL値増幅作用を発揮させ、当該シリコンチューナIC3のVCO回路からの不要輻射が問題となる周波数帯域(例えば、2GHz)では磁性体のμ″特性を利用して電磁波吸収作用を発揮させることが可能になる。
なお、本実施形態では、本発明の好適な実施具体例を説明したが、本発明はその内容に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
例えば、本実施形態では、半導体装置の一具体例であるシリコンチューナモジュールに本発明を適用した場合を例に挙げたが、半導体集積回路としての機能を有したICが基板のIC搭載部上に搭載されてなるものであれば、他の半導体装置であっても、全く同様に本発明を適用することが可能である。すなわち、当該他の半導体装置であっても、IC搭載部とインダクタとの間に磁性体を介在させることで、寄生抵抗、寄生容量、寄生インダクタンス等の悪影響を排除しつつ、ICからの不要輻射の悪影響の抑制することが可能になる。
例えば、本実施形態では、半導体装置の一具体例であるシリコンチューナモジュールに本発明を適用した場合を例に挙げたが、半導体集積回路としての機能を有したICが基板のIC搭載部上に搭載されてなるものであれば、他の半導体装置であっても、全く同様に本発明を適用することが可能である。すなわち、当該他の半導体装置であっても、IC搭載部とインダクタとの間に磁性体を介在させることで、寄生抵抗、寄生容量、寄生インダクタンス等の悪影響を排除しつつ、ICからの不要輻射の悪影響の抑制することが可能になる。
1…基板、3…シリコンチューナIC、16…IC搭載部、18…インダクタ、23…磁性体
Claims (3)
- プリント配線板またはインターポーザとして機能する基板と、
前記基板の面上に形成されたIC搭載部と、
前記基板内における前記IC搭載部と平面的に重なる位置に形成されて当該IC搭載部に搭載されるICと導通するインダクタと、
前記IC搭載部と前記インダクタとの間に介在するように配されたNiZn系フェライト、NiZnCu系フェライトまたはBa系フェライトのいずれかの磁性材料からなる磁性体と
を備えるインダクタモジュール。 - 放送を受信するチューナ機能を有したシリコンチューナICと、
プリント配線板またはインターポーザとして機能する基板と、
前記シリコンチューナICを搭載するために前記基板の面上に形成されたIC搭載部と、
前記基板内における前記IC搭載部と平面的に重なる位置に形成されて当該IC搭載部に搭載される前記シリコンチューナICと導通するインダクタと、
前記IC搭載部と前記インダクタとの間に介在するように配されたNiZn系フェライト、NiZnCu系フェライトまたはBa系フェライトのいずれかの磁性材料からなる磁性体と
を備えるシリコンチューナモジュール。 - 半導体集積回路としての機能を有したICと、
プリント配線板またはインターポーザとして機能する基板と、
前記ICを搭載するために前記基板の面上に形成されたIC搭載部と、
前記基板内における前記IC搭載部と平面的に重なる位置に形成されて当該IC搭載部に搭載される前記ICと導通するインダクタと、
前記IC搭載部と前記インダクタとの間に介在するように配されたNiZn系フェライト、NiZnCu系フェライトまたはBa系フェライトのいずれかの磁性材料からなる磁性体と
を備える半導体装置。
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---|---|---|---|---|
JP2011138816A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-14 | Sony Corp | 回路基板積層モジュールおよび電子機器 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8564092B2 (en) * | 2011-02-25 | 2013-10-22 | National Semiconductor Corporation | Power convertor device and construction methods |
KR101306247B1 (ko) * | 2012-05-11 | 2013-09-17 | (주)포인트엔지니어링 | 백라이트 유닛용 광소자 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광소자와 그 어레이 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10303565A (ja) * | 1997-04-30 | 1998-11-13 | Murata Mfg Co Ltd | 多層回路基板 |
JP2003197426A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Tdk Corp | インダクタンス素子を含む複合電子部品 |
JP2004056144A (ja) * | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プリント配線板 |
JP2006019342A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Tdk Corp | 半導体ic内蔵基板 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002050011A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-02-15 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システム |
JP2003318549A (ja) | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Toppan Printing Co Ltd | 多層回路板(プリント配線板またはインターポーザ)の製造方法 |
JP2005034728A (ja) | 2003-07-14 | 2005-02-10 | Taisei Kogyo Kk | 局所排気装置及び水壁ユニット |
US7323948B2 (en) * | 2005-08-23 | 2008-01-29 | International Business Machines Corporation | Vertical LC tank device |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10303565A (ja) * | 1997-04-30 | 1998-11-13 | Murata Mfg Co Ltd | 多層回路基板 |
JP2003197426A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Tdk Corp | インダクタンス素子を含む複合電子部品 |
JP2004056144A (ja) * | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プリント配線板 |
JP2006019342A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Tdk Corp | 半導体ic内蔵基板 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011138816A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-14 | Sony Corp | 回路基板積層モジュールおよび電子機器 |
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