JP2017092177A - 半導体デバイスのシールド構造およびシールドカバーデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プリント配線板10と、プリント配線板10に接続される半導体デバイス20と、半導体デバイス20をシールドするシールドカバー30と、を有して半導体デバイスのシールド構造201が構成される。シールドカバー30とその内面に形成された受動素子40とでシールドカバーデバイス101が構成される。受動素子40は、半導体デバイス20に直接的にまたは間接的に接続される。
【選択図】図1
Description
プリント配線板と、前記プリント配線板に接続される半導体デバイスと、前記半導体デバイスをシールドするシールドカバーと、を有する、半導体デバイスのシールド構造であって、
前記シールドカバーの内面に形成された受動素子を備え、
前記受動素子は、前記半導体デバイスに(直接的にまたは間接的に)接続されている、
ことを特徴とする。
金属板の第1面に受動素子を形成する受動素子形成工程と、前記金属板の前記第1面を内側にして屈曲させ、前記第1面側を開口とするシールドカバーを形成する屈曲工程とを、この順に処理することを特徴とする。
図1は第1の実施形態に係る半導体デバイスのシールド構造201を示す断面図である。この半導体デバイスのシールド構造201は、プリント配線板10と、プリント配線板10に接続される半導体デバイス20と、半導体デバイス20をシールドするシールドカバー30と、を有する。シールドカバー30の内面には受動素子40を備える。そして、受動素子40は半導体デバイス20に接続されている。より具体的には次のとおりである。
図5(A)に示すように、先ず、平板状金属板30Mの第1面S1に、薄膜プロセスによって受動素子40を形成する。
その後、図5(B)に示すように、金属板30Mの第1面S1を内側にして屈曲させ、第1面S1側を開口とするシールドカバー30を形成する。
第2の実施形態では、シールドカバーのキャパシタを一方の電極として用いないで、受動素子に薄膜キャパシタを設けた例を示す。
第3の実施形態では、受動素子をシールドカバーの天井だけでなく、プリント配線板に接する位置まで形成した例を示す。
図8(A)に示すように、先ず、平板状金属板30Mの第1面S1に受動素子40を形成する。この受動素子40は例えば樹脂多層基板による素子形成方法によるものである。そのため受動素子40には可撓性がある。
その後、図8(B)に示すように、金属板30Mの第1面S1を内側にして屈曲させ、第1面S1側を開口とするシールドカバー30を形成する。
以上に示した実施形態以外に、プリント配線板10上の配線と受動素子40との接続は、プリント配線板10に搭載したスプリングピン等を介して接続してもよい。
EC1,EC2…キャパシタ電極
L1,L2…インダクタ素子
L1P,C1P…接続部
L1P1,L1P2…接続部
S1…第1面
10…プリント配線板
20…半導体デバイス
20D1,20D2…スイッチング回路
20P1,20P2…入出力電極
30…シールドカバー
30F…フランジ部
30M…金属板
40…受動素子
40D…誘電体層
51,52…チップ型受動素子
101,102,103…シールドカバーデバイス
201,202,203…半導体デバイスのシールド構造
Claims (10)
- プリント配線板と、
前記プリント配線板に接続される半導体デバイスと、
前記半導体デバイスをシールドするシールドカバーと、
を有する、半導体デバイスのシールド構造であって、
前記シールドカバーの内面に形成された受動素子を備え、
前記受動素子は、前記半導体デバイスに接続されている、
ことを特徴とする半導体デバイスのシールド構造。 - 前記受動素子はキャパシタ素子を含み、前記キャパシタ素子は、前記シールドカバーの内面と当該シールドカバーの内面と対向するキャパシタ電極および前記シールドカバーと前記キャパシタ電極との間に介在する誘電体層によって構成されている、請求項1に記載の半導体デバイスのシールド構造。
- 前記受動素子は、前記キャパシタ素子に接続されたインダクタ素子をさらに含む、請求項2に記載の半導体デバイスのシールド構造。
- 前記半導体デバイスは、前記プリント配線板への実装面とは反対側の面に入出力電極を有し、
前記受動素子は、前記入出力電極に接続される接続部を有し、前記半導体デバイスの前記入出力電極に前記受動素子の接続部が接続された、請求項1から3のいずれかに記載の半導体デバイスのシールド構造。 - 前記プリント配線板は前記受動素子の接続電極を有し、
前記受動素子は前記プリント配線板に接続される接続部を有し、前記プリント配線板の前記接続電極に前記受動素子の接続部が接続された、請求項1から3のいずれかに記載の半導体デバイスのシールド構造。 - 前記受動素子は、基材、前記基材の表面に形成された薄膜導体層および薄膜絶縁体層で構成された薄膜受動素子である、請求項1から5のいずれかに記載の半導体デバイスのシールド構造。
- 前記半導体デバイスはDC−DCコンバータのスイッチング回路部を備え、
前記受動素子は、前記DC−DCコンバータに接続される平滑回路である、請求項1から6のいずれかに記載の半導体デバイスのシールド構造。 - プリント配線板に接続される半導体デバイスをシールドするシールドカバーデバイスの製造方法であって、
金属板の第1面に受動素子を形成する、受動素子形成工程と、
前記金属板の前記第1面を内側にして屈曲させ、前記第1面側を開口とするシールドカバーを形成する、屈曲工程と、
を、この順に処理することを特徴とするシールドカバーデバイスの製造方法。 - 前記受動素子は可撓性のある層で構成され、前記屈曲工程で前記受動素子は前記金属板と共に屈曲される、請求項8に記載のシールドカバーデバイスの製造方法。
- 前記受動素子はシールドカバーの天井となる領域に形成され、前記屈曲工程で、前記金属板は、前記天井となる領域の周囲が屈曲される、請求項8に記載のシールドカバーデバイスの製造方法。
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