JP6460290B2 - Dc/dcコンバータモジュール - Google Patents
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Description
基板と、
前記基板に形成される第1グランド電極および第2グランド電極と、
入力端、出力端、および第1接地端を有するスイッチ素子内蔵ICと、
前記入力端または前記出力端に接続されるコイル素子と、
前記入力端または前記出力端に接続される第1端、および前記第1グランド電極に接続される第2端を有するコンデンサ素子と、
前記スイッチ素子内蔵IC、前記コイル素子または前記コンデンサ素子のうち、前記基板に表面実装されたいずれかを覆い、前記第2グランド電極に接続されるシールドカバーと、
を備えることを特徴とする。
基板と、
前記基板に形成されるグランド電極と、
入力端、出力端および第1接地端を有するスイッチ素子内蔵ICと、
前記入力端または前記出力端に接続されるコイル素子と、
前記入力端または前記出力端に接続される第1端、および前記グランド電極に接続される第2端を有するコンデンサ素子と、
前記スイッチ素子内蔵IC、前記コイル素子または前記コンデンサ素子のうち、前記基板に表面実装されたいずれかを覆い、前記グランド電極に接続されるシールドカバーと、
を備え、
前記第2端と前記シールドカバーとの間は、物理的に接続され、所定周波数以上で電気的に遮断されることを特徴とする。
図1は第1の実施形態に係るDC/DCコンバータモジュール101の主要部の断面図である。
第2の実施形態では、スイッチ素子内蔵ICの第1接地端とシールドカバーとが電気的に接続された例を示す。
第3の実施形態では、コンデンサ素子およびシールドカバーが物理的に接続されている例を示す。
第4の実施形態では、コンデンサ素子およびシールドカバーが物理的に接続される構成において、第3の実施形態とは異なる例を示す。
第5の実施形態では、スイッチ素子内蔵ICが基板に表面実装されたDC/DCコンバータモジュールの例を示す。
第6の実施形態では、シールドカバーの構造が他の実施形態と異なる例について示す。
第7の実施形態では、第1の実施形態に係るDC/DCコンバータモジュール101と回路構成が異なる例について示す。
以上に示した各実施形態では、基板1の平面形状が矩形である例を示したが、この構成に限定されるものではない。基板1の平面形状は本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、例えば円形、楕円形、多角形等であってもよい。また、以上に示した各実施形態では、直方体状のDC/DCコンバータモジュールを示したが、この構成に限定されるものではない。DC/DCコンバータモジュールの形状は本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。
C1…入力コンデンサ
C2…出力コンデンサ
Vin…電圧入力部
Vout…電圧出力部
E1a,E1b…コンデンサ素子の第1端
E2a,E2b…コンデンサ素子の第2端
G1,G11,G12,G13,G14…第1グランド電極
G2…第2グランド電極
GL1a…幅狭部
GL1a,GL1b,GL2a,GL2b…幅狭部
GP…スイッチ素子内蔵ICの第1接地端
IP…スイッチ素子内蔵ICの入力端
OP…スイッチ素子内蔵ICの出力端
P1,P2…実装電極
PC…ノート
S1…基板の第1主面
S2…基板の第2主面
V1,V1A,V1B,V2,V2A,V2B,V3,V3A,V3B,V4,V5…層間接続導体
1,1A,1B…基板
2,2A…シールドカバー
3…コイル素子
3A…コイル
5…導電性接合材
6…表面実装部品
7…保護部材
11,12,13,14,15,16,17…導体
21,22…コンデンサ素子
31,32,33A,33B,34A,34B,35,36,37,38…グランド導体
41…端面導体
51…磁性体層
52,53…非磁性体層
61,62,63,64,65,66,67…導体
71,72,73…コイル導体
101,102,103,104A,104B,105A,105B,106,107A,107B,107C…DC/DCコンバータモジュール
201…実装基板
301…電子機器
Claims (9)
- 基板と、
前記基板に形成される第1グランド電極および第2グランド電極と、
入力端、出力端、および第1接地端を有するスイッチ素子内蔵ICと、
前記入力端または前記出力端に接続されるコイル素子と、
前記入力端または前記出力端に接続される第1端、および前記第1グランド電極に接続される第2端を有するコンデンサ素子と、
前記スイッチ素子内蔵IC、前記コイル素子または前記コンデンサ素子のうち、前記基板に表面実装されたいずれかを覆い、前記第2グランド電極に接続されるシールドカバーと、
を備える、DC/DCコンバータモジュール。 - 基板と、
前記基板に形成されるグランド電極と、
入力端、出力端および第1接地端を有するスイッチ素子内蔵ICと、
前記入力端または前記出力端に接続されるコイル素子と、
前記入力端または前記出力端に接続される第1端、および前記グランド電極に接続される第2端を有するコンデンサ素子と、
前記スイッチ素子内蔵IC、前記コイル素子または前記コンデンサ素子のうち、前記基板に表面実装されたいずれかを覆い、前記グランド電極に接続されるシールドカバーと、
を備え、
前記第2端と前記シールドカバーとの間は、物理的に接続され、所定周波数以上で電気的に遮断される、DC/DCコンバータモジュール。 - 前記第2端と前記シールドカバーとの間には、前記所定周波数で所定のインダクタンス成分を有するインダクタが接続される、請求項2に記載のDC/DCコンバータモジュール。
- 前記インダクタは、前記基板に形成される導体パターンで構成される、請求項3に記載のDC/DCコンバータモジュール。
- 前記インダクタは、前記基板に形成される層間接続導体で構成される、請求項3に記載のDC/DCコンバータモジュール。
- 前記第1接地端および前記シールドカバーは、電気的に接続される、請求項1から5のいずれかに記載のDC/DCコンバータモジュール。
- 前記基板の表面に形成され、前記スイッチ素子内蔵IC、前記コイル素子または前記コンデンサ素子のうち、前記基板に表面実装されたいずれかを覆う保護部材を備え、
前記シールドカバーは、前記保護部材の表面に形成された導体からなる、請求項1から6のいずれかに記載のDC/DCコンバータモジュール。 - 前記基板は樹脂基板であり、
前記スイッチ素子内蔵ICは、前記基板に埋設される、請求項1から7のいずれかに記載のDC/DCコンバータモジュール。 - 前記基板はフェライト基板であり、
前記コイル素子は、前記基板に形成された導体で構成される、請求項1から7のいずれかに記載のDC/DCコンバータモジュール。
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