TWI402801B - 有機電致發光器件與有機電致發光顯示裝置 - Google Patents

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Description

有機電致發光器件與有機電致發光顯示裝置
本發明係關於一種有機EL(電致發光)器件及運用此有機EL器件之有機EL(電致發光)顯示裝置。在此規格書中，技術術語"電致發光"係縮寫成EL。此外，一組件之兩側係分別稱為該組件之特定側與另一側。相似地，一組件之兩個電極係分別稱為該組件之特定電極與另一電極。以相同的方式，一區域之兩面係分別稱為該區域之特定面與另一面。
相關申請案交互參考
本發明包含有關2007年7月3日向日本專利局申請之日本專利申請案第JP 2007－175540號之標的，其全部內容係以引用的方式併入本文。
在運用一有機EL器件(包括一有機EL發光元件)之一有機EL顯示裝置中，該有機EL器件之亮度係由一流過該有機EL器件之電流來決定。嚴格而言，該有機EL器件之亮度係運用於該有機EL器件中之有機EL發光元件之亮度。此外，極類似於一液晶顯示裝置，一般已知一簡單矩陣方法與一主動矩陣方法作為有機EL顯示裝置之一驅動方法。比較該簡單矩陣方法，該主動矩陣方法具有一缺點，即一複雜結構。不過，該主動矩陣方法提供諸如一較高程度影像亮度之優點。
一用於包括於有機EL器件中作為一用於驅動一運用於有 機EL器件之有機EL發光元件之電路的電路係(例如)具有五個電晶體與一電容器的一驅動電路。在下列說明中，運用五個電晶體與一電容器的驅動電路係稱為一5Tr/1C驅動電路。該5Tr/1C驅動電路係說明於諸如日本專利公開案第2006－215213號之文件中。如圖36所示，該5Tr/1C驅動電路運用五個電晶體與一電容器C1 。該五個電晶體係一視訊信號寫入電晶體TSig 、一元件驅動電晶體TDrv 、一發光控制電晶體TEL_C 、一第一節點初始化電晶體TND1 及一第二節點初始化電晶體TND2 。在此組態下，元件驅動電晶體TDrv 之另一源極/汲極區域形成一第二節點ND2 ，而元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極形成一第一節點ND1 。在下列說明中，元件驅動電晶體TDrv 之另一源極/汲極區域係提供於一靠近有機EL發光元件之側的一源極/汲極區域以充當元件驅動電晶體TDrv 之另一源極/汲極區域的一源極/汲極區域。
以上所引用之各電晶體係(例如)一n通道型的一TFT(薄膜電晶體)。在此規格書中圖中符號ELP所表示之有機EL發光元件係(例如)提供於一產生的層間絕緣層上，以便覆蓋驅動電路。有機EL發光元件ELP之陽極電極係連接至元件驅動電晶體TDrv 之另一源極/汲極區域。另一方面，一(例如)0伏特的電壓VCat 係施加至有機EL發光元件ELP之陰極電極。此規格書之各圖中所示的符號CEL 表示有機EL發光元件ELP之寄生電容。
圖4係顯示該驅動電路之時序圖之一模型的一圖式。圖5A至5D及圖6A至6E係顯示該等電晶體之接通及截止狀態之模型的圖式。稍後將解釋該驅動電路之驅動操作之細節。該等驅動操作之一些操作係說明如下。如圖4所示，在一週期TP(5)1 期間，針對一稍後執行的臨界電壓消除程序來實施預處理。即，驅動圖36所示的一第一節點初始化電晶體控制電路104與一第二節點初始化電晶體控制電路105以便分別設定一第一節點初始化電晶體控制線AZND1 與一第二節點初始化電晶體控制線AZND2 在一高位準下以便使該第一節點初始化電晶體TND1 與該第二節點初始化電晶體TND2 進入一接通狀態，如圖5B所示。因而，出現於第一節點ND1 上的一電位變成(例如)0伏特的VOfs ，而出現於第二節點ND2 上的一電位變成(例如)－10伏特的VSS 。由此，在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之另一源極/汲極區域之間的一電位差變成至少元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth ，從而使元件驅動電晶體TDrv 進入一接通狀態。
接著，在圖4中所示的一週期TP(5)2 期間，實施一臨界電壓消除程序。如圖5D所示，原樣維持第一節點初始化電晶體TND1 之接通狀態，在週期TP(5)2 開始時，驅動一發光控制電晶體控制電路103以便升高一發光控制電晶體控制線CLEL_C 至一高位準。升高發光控制電晶體控制線CLEL_C 至一高位準使發光控制電晶體TEL_C 進入一接通狀態。由此，出現於第二節點ND2 上的一電位在一方向上變成一電 位，其等於作為從出現於第一節點ND1 上的一電位中減去元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 之一結果所獲得的一差異。即，出現於處於一浮動狀態之第二節點ND2 上的一電位會上升。接著，隨著在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之另一源極/汲極區域之間的電位差到達元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth ，使元件驅動電晶體TDrv 進入一截止狀態。在此狀態下，出現於第二節點ND2 上的電位等於一電壓差(VOfs －Vth )。接著，在下一週期TP(5)3 期間，原樣維持第一節點初始化電晶體TND1 之接通狀態，驅動發光控制電晶體控制電路103以便下拉發光控制電晶體控制線CLEL_C 至一低位準。下拉發光控制電晶體控制線CLEL_C 至一低位準使發光控制電晶體TEL_C 進入一截止狀態。隨後，在下一週期TP(5)4 期間，驅動第一節點初始化電晶體控制電路104以便下拉第一節點初始化電晶體控制線AZND1 至一低位準。下拉第一節點初始化電晶體控制線AZND1 至一低位準使第一節點初始化電晶體TND1 進入一截止狀態。
接著，在下一週期TP(5)5 期間，如圖4所示，實施用於元件驅動電晶體TDrv 的一信號寫入操作。更具體而言，如圖6C所示，原樣維持第一節點初始化電晶體TND1 、第二節點初始化電晶體TND2 及發光控制電晶體TEL_C 之截止狀態，在資料線DTL上判定一電位以便充當一對應於一視訊信號之電壓。因而此電壓係用於控制有機EL發光元件ELP之一視訊信號(又稱為一驅動信號或一亮度信號)VSig 。接著， 使掃描線SCL處於一高位準以便使視訊信號寫入電晶體TSig 進入一接通狀態。由此，出現於第一節點ND1 上的一電位上升至一電壓VSig 。基於出現於第一節點ND1 上之一電位之一變動的一電荷係分佈至電容器C1 之電容c1 、有機EL發光元件ELP之寄生電容CEL 以及在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與位於靠近有機EL發光元件ELP之側上以用作元件驅動電晶體TDrv 之另一源極/汲極區域的一源極/汲極區域之間的一寄生電容Cgs 。因而，當出現於第一節點ND1 上的一電位變化時，出現於第二節點ND2 上的一電位也會變化。然而，有機EL發光元件ELP之寄生電容CEL 越大，出現於第二節點ND2 上的電位變化便會越小。此外，有機EL發光元件ELP之寄生電容CEL 一般大於電容器C1 之電容c1 與在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與位於靠近有機EL發光元件ELP之側上作為元件驅動電晶體TDrv 之源極/汲極區域的一源極/汲極區域之間的寄生電容Cgs 。如上所說明，位於靠近有機EL發光元件ELP側以用作元件驅動電晶體TDrv 之源極/汲極區域的源極/汲極區域係元件驅動電晶體TDrv 之前述其他源極/汲極區域。藉由假定出現於第二節點ND2 上的一電位極難變化，在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之另一源極/汲極區域之間的一電壓差Vgs 可表述為等式(A)，其給出如下：
接著，在下一週期TP(5)6 期間，如圖4所示，實施一遷移率校正程序以便依據元件驅動電晶體TDrv 之特性來升高 出現於元件驅動電晶體TDrv 之另一源極/汲極區域上的一電位。元件驅動電晶體TDrv 之特性包括元件驅動電晶體TDrv 之遷移率μ之量值。出現於另一源極/汲極區域上的電位係出現於第二節點ND2 上的一電位。更具體而言，如圖6D所示，原樣維持元件驅動電晶體TDrv 之接通狀態，驅動發光控制電晶體控制電路103以便使發光控制電晶體TEL_C 進入一接通狀態。接著，在已經過預先決定的一時間週期t0 之後，使視訊信號寫入電晶體TSig 進入一截止狀態。由於，若元件驅動電晶體TDrv 之遷移率件較大，則出現於元件驅動電晶體TDrv 之另一源極/汲極區域內的一電位之上升△V會增加。另一方面，若元件驅動電晶體TDrv 之遷移率μ較小，則出現於元件驅動電晶體TDrv 之另一源極/汲極區域內的一電位之上升△V會減少。在下列說明中，出現於元件驅動電晶體TDrv 之另一源極/汲極區域內的一電位之上升△V又稱為一電壓校正量。在此情況下，在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之另一源極/汲極區域之間的一電位差Vgs 之表述從以上給出的等式(A)變成以下給出的等式(B)。此外，較佳的係在設計有機EL顯示裝置時作為一設計值決定週期TP(5)6 之整個長度t0 ，其係預先設定為實施該遷移率校正程序所耗費之時間。
以上所說明的該等操作完成該臨界電壓消除程序、該信號寫入程序及該遷移率校正程序。接著，在週期TP(5)6 後的下一週期TP(5)7 中，使視訊信號寫入電晶體TSig 進入一 截止狀態。在此狀態下，第一節點ND1 處於一浮動狀態，如圖6E所示。如相同圖中所示，第一節點ND1 係元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極。另一方面，發光控制電晶體TEL_C 維持其接通狀態。在靠近有機EL發光元件ELP側之相對側上的發光控制電晶體TEL_C 之源極/汲極區域係連接至電流供應區段，其充當用於控制用以驅動有機EL發光元件ELP發光之一操作的一區段。該電流供應區段產生(例如)20伏特的一典型電壓VCC 。因而，由於在週期TP(5)7 中所實施的該等操作，出現於第二節點ND2 上的一電位上升，從而引起與所謂靴帶式電路之現象相同的現象出現於元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極中。因此，出現於第一節點ND1 上的一電位也會增加。由此，在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之另一源極/汲極區域之間的一電位差Vgs 保持在等式(B)所表述的一值。此外，一流過有機EL發光元件ELP之電流係從元件驅動電晶體TDrv 之汲極流動至元件驅動電晶體TDrv 之源極的一汲極電流Ids 。因而，流過有機EL發光元件ELP之電流可表述為等式(C)。有機EL發光元件ELP依據汲極電流IdS 之量值在一亮度下發光。
Ids ＝k * u *(vgs －Vth )2 ＝k * u*(VSig －VOfs －△Ｖ)2 ………(C)
稍後還將說明具有至此所解釋之概要的5Tr/1C驅動電路之驅動及其他特徵。
順便提及，在具備圖36所示5Tr/1C驅動電路的有機EL器 件中，當有機EL發光元件ELP處於一發光狀態時，使連接至第一節點ND1 的該等電晶體進入一截止狀態。具體而言，連接至第一節點ND1 的該等電晶體係視訊信號寫入電晶體TSig 與第一節點初始化電晶體TND1 。然而，不能完全忽略流過該等各進入一截止狀態之電晶體的電流。一流過一進入一截止狀態之電晶體之電流係該電晶體之洩漏電流。因而，流過該等各連接至第一節點ND1 之電晶體的洩漏電流引起累積於電容器C1 內之電荷數量變動。累積於電容器C1 內之電荷數量變動引起出現於第一節點ND1 上的一電位變化且出現於第一節點ND1 上的電位變化引起在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之另一源極/汲極區域之間的電壓差Vgs 也同樣變動。如以上所給出的等式(C)所示，在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之另一源極/汲極區域之間的電壓差Vgs 變動引起從元件驅動電晶體TDrv 之汲極流動至元件驅動電晶體TDrv 之源極的汲極電流Ids 變化且電流Ids 之變動最終引起有機EL發光元件ELP之亮度也同樣變化。此外，若在有機EL器件內連接至第一節點ND1 之各電晶體之洩漏電流特性在器件間變動，則有機EL發光元件ELP之亮度變化的程度也會在器件間變動，從而引起運用於有機EL顯示裝置內的有機EL發光元件ELP之亮度之均勻性劣化。定性而言，在一設計階段作為連接至第一節點ND1 之各電晶體之洩漏電流決定的洩漏電流越小，該等電晶體所展現之洩漏電流特性之一變動範圍之寬度便會越窄。因而，藉由設定在一 設計階段作為連接至第一節點ND1 之各電晶體之洩漏電流決定的洩漏電流在一較小值下，可改良有機EL顯示裝置之亮度均勻性。
因而，為了減少以上說明為有機EL發光元件ELP之亮度變化的該等連接至第一節點ND1 之電晶體之洩漏電流所引起的亮度變化，將一情況考慮內在，其中該等電晶體之任一電晶體係設計成一雙閘極結構。一雙閘極結構係一結構，其中彼此連接以形成一串聯電路的分別兩個子電晶體之兩個閘極電極係在一閘極絕緣層上彼此連線且具有一較高導電率的一高濃度區域係提供於該等閘極電極之間作為一閘極共用區域。圖37係顯示該5Tr/1C驅動電路之一典型等效電路之一圖式，其中作為一範例，視訊信號寫入電晶體TSig 係設計成一雙閘極結構。一區域A1係提供於共同充當視訊信號寫入電晶體TSig 的兩個子電晶體之第一者之一特定側上以用作該第一子電晶體之特定源極/汲極區域的一源極/汲極區域。一區域A2係提供於兩個子電晶體之第二者之另一側上以用作該第二子電晶體之另一源極/汲極區域的一源極/汲極區域。一區域A3係一共用源極/汲極區域，其中提供於該第一子電晶體之另一側上以用作該第一子電晶體之另一源極/汲極區域的一源極/汲極區域重疊提供於該第二子電晶體之一特定側上以用作該第二子電晶體之特定源極/汲極區域的一源極/汲極區域。在下列說明中，該共用源極/汲極區域係簡稱為一共用區域。定性而言，一設計成一雙閘極結構之電晶體比一具有一單閘極結 構之電晶體更能夠抑制其洩漏電流。因而，抑制有機EL發光元件ELP之亮度變化並除此之外可減少器件間洩漏電流特性之一變動範圍之寬度。由此，可減少有機EL顯示裝置所展現之亮度之均勻性之劣化。在圖37所示之典型5Tr/1C驅動電路中，僅視訊信號寫入電晶體TSig 設計成一雙閘極結構。然而應注意，代替視訊信號寫入電晶體TSig ，第一節點初始化電晶體TND1 也可設計成一雙閘極結構。作為一替代例，視訊信號寫入電晶體TSig 與第一節點初始化電晶體TND1 之各電晶體也可設計成一雙閘極結構。
下列說明解釋在圖37所示之5Tr/1C驅動電路中在視訊信號寫入電晶體TSig 從一接通狀態轉變成一截止狀態中出現於共用區域A3內之一電位之一考量。圖38A係顯示視訊信號寫入電晶體TSig 之雙閘極結構的一圖式。如圖所示，具有雙閘極結構之視訊信號寫入電晶體TSig 包括在區域A1與該等閘極電極之一者之間的一寄生電容CA1 、在區域A2與另一閘極電極之間的一寄生電容CA2 及在該等閘極電極與共用區域A3之間的閘極電極寄生電容CA3 。圖38B係顯示5Tr/1C驅動電路針對元件驅動電晶體TDrv 實施一信號寫入程序的一圖式。在此圖中，一代表一視訊信號之電壓VSig 係出現於一資料線DTL上的一電位。接著，在設定一掃描線SCL在一高位準(諸如10伏特)時，使視訊信號寫入電晶體TSig 進入一接通狀態。在此狀態下，一出現於區域A1之電位、一出現於區域A2之電位及一出現於共用區域A3之電位各設定在電壓VSig 。出現於區域A2內的電位係出現於 第一節點ND1 上的一電位。稍後，如圖38C所示，實施一操作以設定掃描線SCL在一低位準(諸如－10伏特)，以便使視訊信號寫入電晶體TSig 進入一截止狀態。
如上所說明，具有雙閘極結構之視訊信號寫入電晶體TSig 包括在區域A1與該等閘極電極之一者之間的一寄生電容CA1 、在區域A2與另一閘極電極之間的一寄生電容CA2 及在該等閘極電極與共用區域A3之間的閘極電極寄生電容CA3 。因而，當掃描線SCL從一高位準轉變至一低位準時，由於寄生電容CA1 、CA2 及CA3 所引起之靜電耦合試圖將出現於區域A1、A2及A3內之各電位變成一負側電位。然而，接著施加來自資料線DTL之電壓VSig 至區域A1。此外，由於電容器C1 具有充分大於寄生電容CA1 、CA2 及CA3 的一靜電電容，故一出現於區域A2內的電位實質上維持在電壓VSig 。如更早所說明，出現於區域A2內的電位係出現於第一節點ND1 上的一電位。因而，當視訊信號寫入電晶體TSig 從一接通狀態變成一截止狀態時，出現於共用區域A3內的電位變成相對低於出現於區域A1及A2內該等電位的一電位。由此，在此狀態下，共用區域A3充當一源極而各區域A1及A2用作一汲極。
應注意，甚至在第一節點初始化電晶體TND1 設計成一具有一雙閘極結構之電晶體的情況下，仍會出現以上所說明的現象。即，即使第一節點初始化電晶體TND1 具有一雙閘極結構，該雙閘極結構具有第一及第二子電晶體，當第一節點初始化電晶體TND1 從一接通狀態變成一截止狀態時， 出現於一共用區域A3'的一電位仍會變成相對低於出現於區域A1'及A2'內該等電位的一電位，其中區域A1'係提供於該第一子電晶體之一特定側上以充當該第一子電晶體之特定源極/汲極區域的源極/汲極區域，區域A2'係提供於該第二子電晶體之另一側上以充當該第二子電晶體之另一源極/汲極區域的源極/汲極區域，而供應區域A3'係一區域，其中提供於該第一子電晶體之另一側上以充當該第一子電晶體之另一源極/汲極區域的源極/汲極區域重疊提供於該第二子電晶體之一特定側上以充當該第二子電晶體之特定源極/汲極區域的源極/汲極區域。在此狀態下，共用區域A3'充當一源極，而區域A1'及A2'分別用作該等第一及第二子電晶體之汲極。
一般情況下，施加至一電晶體之一通道產生區域的一電場受一出現於除該電晶體閘極電極外之一電極上之電位變化影響不合乎運用該電晶體之驅動電路之操作的需要。例如，一出現於有機發光元件ELP之陽極電極上的電位依據一欲顯示影像之亮度而變動。若有機EL發光元件ELP與驅動電路係提供於彼此靠近的位置處，則相當有可能出現於有機EL發光元件ELP之陽極電極上的電位變動影響施加至運用於該驅動電路內之電晶體之通道產生區域的一電場。在此情況下，例如，藉由產生一連接至接地之屏蔽電極作為一用於透過一絕緣層來覆蓋該電晶體之通道產生區域的電極，該絕緣層係由該電極與該通道產生區域所夾置，可減少出現於此一外部電極處之電位變動對一施加至該電晶 體之通道產生區域之電場的影響。然而在一電晶體具有一雙閘極結構之情況下，若僅產生一連接至接地之屏蔽電極以覆蓋該電晶體之通道產生區域A1、A2及A3，則一洩漏電流會增加，從而造成一問題。即，由於在電晶體從一接通狀態變成一截止狀態時出現於連接至第一節點ND1 之電晶體之區域A3內的一電位變成一負側電位，故連接至接地的屏蔽電極如同該電極係一閘極電極而工作，從而引起所謂的背部通道效應。因而，洩漏電流會增加，從而失去產生連接至第一節點ND1 之電晶體成為一雙閘極結構之效果。
為了解決以上所說明之該等問題，本發明之發明者已創新一有機EL器件，其能夠有效地抑制一連接至該有機EL器件之一第一節點ND1 之電晶體之一洩漏電流以便維持產生該電晶體成為一雙閘極結構之效果並利用該有機EL器件創新一有機EL顯示裝置。
依據本發明之一第一或第二具體實施例，提供一種有機EL顯示裝置，其運用：(l)一掃描電路；(2)一視訊信號輸出電路；(3)總計M×N個有機EL器件，其係佈置以形成在一第一方向配置的N個前述有機EL器件與在一不同於該第一方向之第二方向上配置的M個前述有機EL器件的一二維矩陣。
(4)M個掃描線，各連接至該掃描電路並各在該第一方向上伸展； (5)N個資料線，各連接至該視訊信號輸出電路並各在該第二方向上伸展；以及(6)一電流供應區段。
運用於依據本發明之第一具體實施例提供作為一裝置之有機EL顯示裝置內的有機EL器件與依據本發明之第一具體實施例提供作為一器件的一有機EL器件各運用一有機EL發光元件與一用於驅動該有機EL發光元件之驅動電路。在下列說明中，運用於依據本發明之第一具體實施例之有機EL顯示裝置內的有機EL器件與依據本發明之第一具體實施例之有機EL器件各簡稱為依據本發明之第一具體實施例之一有機EL器件。該驅動電路包括：(A)一元件驅動電晶體；(B)一視訊信號寫入電晶體；以及(C)一電容器，其具有一對特定電極與另一電極。
關於該元件驅動電晶體，(A－1)提供於該元件驅動電晶體之一特定側上以充當該元件驅動電晶體之一特定源極/汲極區域的一源極/汲極區域係連接至該電流供應區段；以及(A－2)提供於該元件驅動電晶體之另一側上以充當該元件驅動電晶體之另外源極/汲極區域的一源極/汲極區域係連接至該有機EL發光元件之陽極電極與該電容器之特定電極，從而形成一第二節點。
在下列說明中，提供於任一電晶體之一特定側上以充當該電晶體之一特定源極/汲極區域的一源極/汲極區域又簡 稱為該元件驅動電晶體之特定源極/汲極區域。相似地，提供於該電晶體之另一側上以充當該電晶體之另外源極/汲極區域的一源極/汲極區域又簡稱為該元件驅動電晶體之另一源極/汲極區域。此外，連接至有機EL發光元件之陽極的電容器電極又稱為該電容器之特定電極而在該電容器之另一側上的電容器電極又稱為該電容器之另一電極。
此外，在本發明之第一具體實施例中，提供一種有機EL器件，其中：該視訊信號寫入電晶體係具有一雙閘極結構的一電晶體，其包括一第一子電晶體，其具有一第一通道產生區域以及一第一閘極電極並包括一第二子電晶體，其具有一第二通道產生區域以及一第二閘極電極；提供於該第一子電晶體之一特定側上以充當該第一子電晶體之一特定源極/汲極區域的一源極/汲極區域係連接至該等資料線之一者；提供於該第二子電晶體之另一側上以充當該第二子電晶體之另外源極/汲極區域的一源極/汲極區域係連接至該元件驅動電晶體之閘極電極與該電容器之另一電極，從而形成該第一節點；該第一子電晶體之第一閘極電極與該第二子電晶體之第二閘極電極係連接至該等掃描線之一者；該第一子電晶體之第一閘極電極透過一閘極絕緣層來面向該第一子電晶體之第一通道產生區域之一特定面，該閘極絕緣層係由該第一閘極電極與該第一通道產生區域之特 定面所夾置；該第二子電晶體之第二極電極透過該閘極絕緣層來面向該第二子電晶體之第二通道產生區域之一特定面，該閘極絕緣層係由該第二閘極電極與該第二通道產生區域之特定面所夾置；該第二子電晶體具有一屏蔽電極，其透過一屏蔽絕緣層來面向該第二通道產生區域之另一面，該屏蔽絕緣層係由該屏蔽電極與該第二通道產生區域之另一面所夾置；以及該屏蔽電極係連接至該第二子電晶體之另一源極/汲極區域。
運用於依據本發明之第二具體實施例提供作為一裝置之有機EL顯示裝置內的有機EL器件與依據本發明之第二具體實施例提供作為一器件的一有機EL器件各運用一有機EL發光元件與一用於驅動該有機EL發光元件之驅動電路。在下列說明中，運用於依據本發明之第二具體實施例之有機EL顯示裝置內的有機EL器件與依據本發明之第二具體實施例之有機EL器件各簡稱為依據本發明之第二具體實施例之一有機EL器件。該驅動電路包括：(A)一元件驅動電晶體；(B)一視訊信號寫入電晶體；(C)一電容器，其具有一對特定電極與另一電極；以及(D)一第一節點初始化電晶體。
關於該元件驅動電晶體，(A－1)提供於該元件驅動電晶體之一特定側上以充當該 元件驅動電晶體之一特定源極/汲極區域的一源極/汲極區域係連接至該電流供應區段；以及(A－2)提供於該元件驅動電晶體之另一側上以充當該元件驅動電晶體之另外源極/汲極區域的一源極/汲極區域係連接至該有機EL發光元件之陽極電極與該電容器之特定電極，從而形成一第二節點；關於該視訊信號寫入電晶體，(B－1)提供於該視訊信號寫入電晶體之一特定側上以充當該視訊信號寫入電晶體之一特定源極/汲極區域的一源極/汲極區域係連接至該等資料線之一者；(B－2)提供於該視訊信號寫入電晶體之另一側上以充當該視訊信號寫入電晶體之另外源極/汲極區域的一源極/汲極區域係連接至該元件驅動電晶體之閘極電極與該電容器之另一電極，從而形成該第一節點；以及(B－3)該視訊信號寫入電晶體之閘極電極係連接至該等掃描線之一者。
此外，在本發明之一第二具體實施例中，提供一種有機EL器件，其中：該第一節點初始化電晶體係具有一雙閘極結構的一電晶體，其包括一第一子電晶體，其具有一第一通道產生區域以及一第一閘極電極並包括一第二子電晶體，其具有一第二通道產生區域以及一第二閘極電極；提供於該第一子電晶體之一特定側上以充當該第一子電晶體之一特定源極/汲極區域的一源極/汲極區域係連接至 一第一節點初始化電壓供應線；提供於該第二子電晶體之另一側上以充當該第二子電晶體之另外源極/汲極區域的一源極/汲極區域係連接至該第一節點；該第一子電晶體之第一閘極電極與該第二子電晶體之第二閘極電極係連接至一第一節點電晶體控制線；該第一子電晶體之第一閘極電極透過一閘極絕緣層來面向該第一子電晶體之第一通道產生區域之一特定面，該閘極絕緣層係由該第一閘極電極與該第一通道產生區域之特定面所夾置。
該第二子電晶體之第二極電極透過該閘極絕緣層來面向該第二子電晶體之第二通道產生區域之一特定面，該閘極絕緣層係由該第二閘極電極與該第二通道產生區域之特定面所夾置；該第二子電晶體具有一屏蔽電極，其透過一屏蔽絕緣層來面向該第二通道產生區域之另一面，該屏蔽絕緣層係由該屏蔽電極與該第二通道產生區域之另一面所夾置。
該屏蔽電極係連接至該第二子電晶體之另一源極/汲極區域。
應注意，在依據本發明之第二具體實施例提供作為一具有以上說明較佳組態之器件的有機EL器件中，該視訊信號寫入電晶體(例如)可具有一單閘極結構或一雙閘極結構。若該視訊信號寫入電晶體係具有一雙閘極結構的一電晶體，則該視訊信號寫入電晶體可經組態成複數個組態之一 者，包括該等較佳具體實施例，各依據本發明之第一具體實施例來實施該有機EL器件，如更早先所說明。下面藉由參考一表來解釋以各種方式添加屏蔽電極至該第一節點初始化電晶體與該視訊信號寫入電晶體所獲得之具體組態。特定言之，在該表之頂部列上的第一組合提供一優點，即此組合能夠減少該第一節點初始化電晶體與該視訊信號寫入電晶體二者之洩漏電流之量值，同時抑制提供於有機EL器件內之屏蔽電極之數目。在表中，"○"表示"存在"，而"×"表示"不存在"。
在依據本發明之第一或第二具體實施例提供作為一具有複數個組態(包括上面所說明之較佳具體實施例)之器件的有機EL顯示裝置中或在依據該第一或第二具體實施例之有機EL器件中，各種電路(諸如掃描電路與視訊信號輸出電路)、各種線(包括該等掃描及資料線)、該電流供應區段及 該有機EL發光元件ELP各可設計成一般已知的一組態及/或一結構。更具體而言，例如，該有機EL發光元件可設計成一組態，(例如)包括一陽極電極、一電洞運輸層、一發光層、一電子運輸層及一陰極電極。在下列說明中，依據本發明之第一或第二具體實施例所提供之有機EL顯示裝置與依據該第一或第二具體實施例之有機EL器件又簡稱為本發明而該有機EL發光元件又簡稱為一發光元件。
還可能提供一組態，其中除該元件驅動電晶體與該視訊信號寫入電晶體外，運用於依據本發明之第一具體實施例之有機EL器件內的驅動電路運用其他電晶體。相似地，還可能提供一組態，其中除該元件驅動電晶體、該視訊信號寫入電晶體及該第一節點初始化電晶體外，運用於依據本發明之第二具體實施例之有機EL器件內的驅動電路運用其他電晶體。例如，可向依據本發明之第一及第二具體實施例之各有機EL器件提供一組態，其中一第二節點初始化電晶體係進一步提供於各驅動電路內作為一電晶體，其包括各充當一源極或一汲極的源極/汲極區域、一通道產生區域及一閘極電極。在此第二節點初始化電晶體中，提供於該第二節點初始化電晶體之一特定側上以充當該第二節點初始化電晶體之一特定源極/汲極區域的源極/汲極區域係連接至一第二節點初始化電壓供應線，提供於該第二節點初始化電晶體之另一側上以充當該電晶體之另外源極/汲極區域的源極/汲極區域係連接至該第二節點而該閘極電極係連接至一第二節點初始化電晶體控制線。作為一替代 例，可向依據本發明之第一及第二具體實施例之各有機EL器件提供一組態，其中一發光控制電晶體係進一步提供於各驅動電路內作為一電晶體，其包括各充當一源極或一汲極的源極/汲極區域、一通道產生區域及一閘極電極。在此替代性組態下，提供於該元件驅動電晶體之一特定側上以充當該元件驅動電晶體之一特定源極/汲極區域的源極/汲極區域係透過該發光控制電晶體來連接至該電流供應區段而該發光控制電晶體之閘極電極係連接至一發光控制電晶體控制線。此外，還可能提供一組態，其中運用於依據本發明之第一具體實施例之有機EL器件內的驅動電路運用一第一節點初始化電晶體。在此組態下，該第一節點初始化電晶體可具有一單閘極結構或一雙閘極結構。
一般情況下，可能提供一組態，其中運用於依據本發明之第一具體實施例之有機EL器件內的驅動電路係一驅動電路，取代如先前所說明僅包括兩個電晶體及一電容器的組態，其運用(例如)五個電晶體及一電容器、四個電晶體及一電容器、三個電晶體及一電容器或兩個電晶體及一電容器。相似地，可能提供一組態，其中運用於依據本發明之第二具體實施例之有機EL器件內的驅動電路係一驅動電路，取代如先前所說明僅包括三個電晶體及一電容器的組態，其運用(例如)五個電晶體及一電容器、四個電晶體及一電容器或三個電晶體及一電容器。
運用於該驅動電路內的各電晶體係(例如)一n通道型的一TFT(薄膜電晶體)。然而在一些典型驅動電路中，該發 光控制電晶體可以係一p通道型的一TFT(薄膜電晶體)。可提供一組態，其中該電容器具有在一特定側上的一電極、在另一側上的另外電極以及一介電層，該介電層係由在該特定側上的電極與在另一側上的電極所夾置。至此所述的該等特定及另一電極分別係在該電容器之特定側及另一側上的電極。運用於該驅動電路內的該等電晶體及該電容器係產生一特定平地(諸如一支撐主體)上。另一方面，該有機EL發光元件係產生於運用於該驅動電路內的該等電容器與該電容器上，由一層間絕緣層將該等電晶體與該電容器分開，該層間絕緣層係由在一側上的有機EL發光元件與在另一側上的該等電晶體以及該電容器所夾置。例如，提供於該元件驅動電晶體之另一側上以充當該元件驅動電晶體之另一源極/汲極區域的一源極/汲極區域係透過一接觸孔來連接至該有機EL發光元件之陽極電極。此外，還可能提供一組態，其中該等電晶體係產生於一半導體基板等上。
在依據本發明之第一具體實施例之有機EL器件中，運用於該有機EL器件之驅動電路中作為一具有一雙閘極結構之電晶體的該視訊信號寫入電晶體之第二子電晶體具有一屏蔽電極，其透過一屏蔽絕緣層來面向該第二子電晶體之第二通道產生區域之另一面，該屏蔽絕緣層係由該屏蔽電極與該第二通道產生區域之另一面所夾置。該屏蔽電極係連接至提供於該第二子電晶體之另一側上以充當該第二子電晶體之另一源極/汲極區域以及該第一節點的源極/汲極區域。如上所說明，當該視訊信號寫入電晶體從一接通狀態 轉變至一截止狀態時，該共用區域變成該第二子電晶體之源極而該第二子電晶體之另一源極/汲極區域變成該第二子電晶體之汲極。該屏蔽電極覆蓋該第二通道產生區域之汲極區域側並在此狀態下出現於該屏蔽電極上的電位係高於出現於該共用區域內的一電位。因而，該屏蔽電極吸引在該第二通道產生區域上充當載子的電子。由此，在該第二通道產生區域之共用區域側上產生一空乏層，使得在該第二通道產生區域與該共用區域之間流動的一洩漏電流之量值減少。該屏蔽電極之形狀可依據該有機EL器件之該等設計規格來加以適當地設定。應注意，運用於依據本發明之第一具體實施例之有機EL器件中的該等第二至第四屏蔽電極之該等形狀還可依據該有機EL器件之該等設計規格來加以適當地設定。
在依據本發明之第二具體實施例之有機EL器件中，運用於該有機EL器件之驅動電路中作為一具有一雙閘極結構之電晶體的該第一節點初始化電晶體之第二子電晶體具有一屏蔽電極，其透過一屏蔽絕緣層來面向該第二子電晶體之第二通道產生區域之另一面，該屏蔽絕緣層係由該屏蔽電極與該第二通道產生區域之另一面所夾置。如更早先所說明，提供於該第一節點初始化電晶體之另一側上以充當該第一節點初始化電晶體之另一源極/汲極區域的一源極/汲極區域係連接至該第一節點，從而實質上形成該第一節點。該屏蔽電極係實質上連接至該第一節點，其係提供於該第二子電晶體之另一側上以充當該第二子電晶體之另一 源極/汲極區域的源極/汲極區域。而且在該第一節點初始化電晶體從一接通狀態轉變至一截止狀態時，會出現一現象。此現象與以上說明為依據本發明之第一具體實施例之有機EL器件之視訊信號寫入電晶體之現象相同的現象。由此，在該第二通道產生區域之共用區域側上產生一空乏層，使得在該第二通道產生區域與該共用區域之間的一洩漏電流之量值減少。該屏蔽電極之形狀可依據該有機EL器件之該等設計規格來加以適當地設定。應注意，運用於依據本發明之第二具體實施例之有機EL器件中的該等第二至第四屏蔽電極之該等形狀還可依據該有機EL器件之該等設計規格來加以適當地設定。
下文中又簡稱為一有機EL顯示裝置的有機電致發光顯示裝置運用(例如)(N/3)×M個像素，其係配置成用以形成一二維(N/3)行×M列矩陣。各像素係由(例如)三個子像素所組成，該等子像素係用於產生紅色光的一發紅光子像素、用於產生綠色光的一發綠光子像素及用於產生藍色光的一發藍光子像素。因而，各行像素由三行子像素所組成。即，在該矩陣內的像素行數目係N/3而在該矩陣內的子像素行數目係N。各子像素係至此所說明的有機EL器件。然而，該有機EL顯示裝置之實施方案決不限於此組態。例如，該有機EL顯示裝置還可經組態用以用作所謂的單色顯示裝置。
如上所說明各充當一子像素的該等有機EL器件係藉由(例如)採用一線至線順序技術來加以驅動。如更早先所說 明，該有機電致發光器件又簡稱為一有機EL器件。在此情況下，顯示圖框率係設定在FR(每秒次數)。依據此行至行順序技術，可同時驅動配置在一第m列上的N/3個像素或N個子像素，其中1、2、3...或M及符號M表示在該矩陣內的列數目。更具體而言，同時驅動各充當一子像素的該等有機EL器件。換言之，用以驅動同列配置有機EL器件的時序係藉由作為一單元操作該等有機EL器件來加以控制或用以驅動所有驅動有機EL器件的該等時序係按列單元來加以控制。然而，應注意，用以驅動有機EL器件的該等方法決不限於此線至線順序技術。
還值得注意的係，用以基於該線至線順序技術在處理中寫入視訊信號至配置於一列上之像素的一程序可以係用以同時寫入視訊信號至所有像素內的一程序或用以順序寫入一視訊信號至各個別像素內的一程序。在下列說明中，用以同時寫入視訊信號至所有像素的程序還可簡稱為一同時信號寫入程序而用以順序寫入一視訊信號至各個別像素內的程序還可簡稱為一順序信號寫入程序。依據該驅動電路之組態來適當地選擇同時或順序信號寫入程序。
作為一規則，下列說明解釋用以驅動提供於一第m列與一第n行之交叉處的一有機EL器件，其中n＝1、2、3...或N而符號N表示在該矩陣內的子像素行數目。在下列說明中，提供於一第m列與一第n行之交叉處的一有機EL器件係一第(n、m)個有機EL器件或一第(n、m)個子像素。在用以掃描配置於一第m列上之有機EL器件的一水平掃描週期 結束之前，完成稍後說明的各種程序，諸如一臨界電壓消除程序、一信號寫入程序及一遷移率校正程序。在下列說明中，用以掃描配置於一第m列上之有機EL器件的水平掃描週期稱為一第m個水平掃描週期。應注意，該信號寫入程序與該遷移率校正程序需在該第m個水平掃描週期內實施。另一方面，取決於該驅動電路之類型，該臨界電壓消除程序與伴隨該臨界電壓消除程序的預處理可在該第m個水平掃描週期之前實施。
接著，在已完成以上所說明之各種程序之後，驅動運用於配置於一第m列上之各有機EL器件內的有機EL發光元件。應注意，在已完成以上面說明之各種程序之後，可驅動運用於配置於一第m列上之各有機EL器件內的有機EL發光元件來立即發光或可驅動運用於配置於一第m列上之各有機EL器件內的有機EL發光元件在經過一預定時間週期後發光。例如，該預定時間週期係用以掃描一預定列數目的一水平掃描週期。該預定時間週期可依據該有機EL顯示裝置之該等設計規格及/或運用於該有機EL顯示裝置之各有機EL器件內之驅動電路之組態來設定在一適當值。應注意，在下列說明中，為了簡化解釋，在已完成以上所說明之各種程序之後，假定驅動運用於配置於一第m列上之各有機EL器件內的有機EL發光元件立即發光。接著，假定運用於配置於一第m列上之各有機EL器件內之有機EL發光元件之發光繼續至緊接用以掃描配置於一第(m＋m')列上之有機EL器件的一水平掃描週期開始之前的一時間點，其中 符號m'表示依據該有機EL顯示裝置之該等設計規格決定的一整數。即，假定在一特定顯示圖框上運用於配置於一第m列上之各有機EL器件內的有機EL發光元件之發光繼續至用以在相同顯示圖框上掃描配置於一(m＋m'－1)列上之有機EL器件的一水平掃描週期。另一方面，從用以在該特定顯示圖框上掃描配置於第(m＋m')列上之有機EL器件的水平掃描週期至在用以在下一顯示圖框上掃描配置於第m列上之有機EL器件的水平掃描週期內該信號寫入程序與該遷移率校正程序完成，作為一規則，運用於配置於第m列上之各有機EL器件內的有機EL發光元件維持一不發光狀態。在下列說明中，該不發光狀態之週期又簡稱為一不發光週期。藉由提供此一不發光週期，可降低一主動矩陣驅動技術所引起之殘餘影像消退之程度並可使移動影像之品質更出色。然而應注意，各充當一子像素的有機EL器件之發光與不發光狀態決不限於在該等上面說明週期期間維持的該等狀態。此外，水平掃描週期之長度小於(1/FR)×(1/M)秒。因而，若(m＋m')之值超過M，則可在下一顯示圖框中處理該水平掃描週期之一超過部分。
關於一電晶體之兩個源極/汲極區域，聲明"提供於該電晶體之一特定側以充當該電晶體之特定源極/汲極區域的一源極/汲極區域"的一短語可在一些情況下用以暗示著該源極/汲極區域連接至一電源供應區段。此外，聲明使一電晶體進入一接通狀態的一短語係用以表明一狀態，其中一通道已產生於該電晶體之源極與汲極之間的一通道產生 區域內。不試圖針對在一電晶體之一接通狀態下區別一電流是否從提供於一電晶體之一特定側上以充當該電晶體之特定源極/汲極區域的一源極/汲極區域流動至提供於該電晶體之另一側上以充當該電晶體之另一源極/汲極區域的一源極/汲極區域或反之亦然。另一方面，聲明使一電晶體進入一截止狀態的一短語係用以表明一狀態，其中一通道未曾產生於該電晶體之源極與汲極之間的一通道產生區域內。此外，聲明一特定電晶體之特定源極/汲極區域係連接至另外電晶體之另一源極/汲極區域的一短語係用以暗示著該特定電晶體之特定源極/汲極區域佔據與另一電晶體之另一源極/汲極區域相同的區域。在下列說明中，相同區域係稱為一共用源極/汲極區域或簡稱為一共用區域。此外，可能一源極/汲極區域以及一共用區域不僅由一傳導性材料(諸如多晶矽或非晶矽)所製成，而且還由一金屬、一合金、該金屬與該合金之一堆疊層結構或一有機材料(或一傳導性聚合物)所製成。在此情況下，該多晶矽或該非晶矽包括雜質。此外，在用於下列說明內的時序圖中，在代表時間流逝之水平軸上的一長度量僅係一模型。即，沿水平軸之一時間流逝之長度並非一絕對值並因而應視為一相對值。
如上所說明，在依據本發明之第一具體實施例之有機EL器件中，運用於該有機EL器件之驅動電路中作為一具有一雙閘極結構之電晶體的該視訊信號寫入電晶體之第二子電晶體具有一屏蔽電極，其透過一屏蔽絕緣層來面向該第二 子電晶體之第二通道產生區域之另一面，該屏蔽絕緣層係由該屏蔽電極與該第二通道產生區域之另一面所夾置。該屏蔽電極係連接至該第一節點，其係提供於該第二子電晶體之另一側上以充當該第二子電晶體之另一源極/汲極區域的一源極/汲極區域。還如先前所解釋，當該視訊信號寫入電晶體從一接通狀態轉變至一截止狀態時，在該第二通道產生區域之共用區域側上產生一空乏層使得在該第二通道產生區域與該共用區域之間的一洩漏電流之量值減少。因而，可有效地抑制該第一節點上作為累積於該電容器內之電荷數量變動出現的電位變動。由此，可改良該有機EL顯示裝置之亮度均勻性。
此外，還如上所說明，在依據本發明之第二具體實施例之有機EL器件中，運用於該有機EL器件之驅動電路中作為一具有一雙閘極結構之電晶體的該第一節點初始化電晶體之第二子電晶體具有一屏蔽電極，其透過一屏蔽絕緣層來面向該第二子電晶體之第二通道產生區域之另一面，該屏蔽絕緣層係由該屏蔽電極與該第二通道產生區域之另一面所夾置。該屏蔽電極係實質上連接至該第一節點，其係提供於該第二子電晶體之另一側上以充當該第二子電晶體之另一源極/汲極區域的一源極/汲極區域。還如先前所解釋，當該第一節點初始化電晶體從一接通狀態轉變至一截止狀態時，在該第二通道產生區域之共用區域側上產生一空乏層使得在該第二通道產生區域與該共用區域之間的一洩漏電流之量值減少。因而，可有效地抑制隨著累積於該 電容器內之電荷數量變動出現該第一節點上的電位變動。由此，可改良該有機EL顯示裝置之亮度均勻性。
藉由參考圖式解釋本發明之具體實施例如下。該等第一至第四具體實施例與該第九具體實施例係關於依據本發明之一第一具體實施例之一有機EL顯示裝置以及運用於該有機EL顯示裝置中作為依據本發明之第一具體實施例之一有機EL器件10的一有機EL器件10。另一方面，該等第五至第八具體實施例與該第十具體實施例係關於依據本發明之一第二具體實施例之一有機EL顯示裝置以及運用於該有機EL顯示裝置中作為依據本發明之第二具體實施例之一有機EL器件10的一有機EL器件10。
具體而言，依據該第一具體實施例，該視訊信號寫入電晶體具備一第一屏蔽電極。依據該第二具體實施例，該視訊信號寫入電晶體具備該第一屏蔽電極以及一第二屏蔽電極。依據該第三具體實施例，該視訊信號寫入電晶體具備該第一屏蔽電極以及一第三屏蔽電極。依據該第四具體實施例，該視訊信號寫入電晶體具備該等第一至第三屏蔽電極以及一第四屏蔽電極。該第九具體實施例代表第一至第三修改形式，各比依據該第一至第四具體實施例之驅動電路具有更少電晶體。
此外，依據該第五具體實施例，該第一節點初始化電晶體具備一第一屏蔽電極。依據該第六具體實施例，該第一節點初始化電晶體具備該第一屏蔽電極以及一第二屏蔽電 極。依據該第七具體實施例，該第一節點初始化電晶體具備該第一屏蔽電極以及一第三屏蔽電極。依據該第八具體實施例，該第一節點初始化電晶體具備該等第一至第三屏蔽電極以及一第四屏蔽電極。該第十具體實施例代表修改形式，各比依據該第五至第八具體實施例之驅動電路具有更少電晶體。
第一具體實施例
該第一具體實施例以及該等第二至第四具體實施例及該第九具體實施例係關於依據本發明之第一具體實施例之一有機EL顯示裝置以及依據本發明之第一具體實施例之一有機EL器件10。稍後將說明該等第二至第四具體實施例與該第九具體實施例。應注意，為了使依據該第一具體實施例及該等第二至第四具體實施例之該等驅動電路易於與基於更早先說明為本發明相關技藝之技術的該等技術之驅動電路進行比較，藉由假定依據該第一具體實施例及該等第二至第四具體實施例之各驅動電路運用五個電晶體與一電容器來解釋該第一具體實施例及該等第二至第四具體實施例之各具體實施例。
圖1係顯示運用於依據第一具體實施例之一有機EL器件10內之一驅動電路之一等效電路的一圖式而圖2係顯示依據該第一具體實施例之一有機EL顯示裝置的一概念圖。圖3係顯示代表依據該第一具體實施例之有機EL器件10之一部分之一部分斷面之一模型的一圖式而圖4顯示該驅動電路之時序圖。圖5A至5D及圖6A至6E之各圖顯示運用於該 驅動電路內之電晶體之接通及截止狀態的一模型。應注意，在圖5A至5D及圖6A至6E中，為了方便起見，除一元件驅動電晶體外的所有電晶體各顯示為一單一開關而不論各電晶體是否設計成具有一單閘極結構或一雙閘極結構的一電晶體。
首先，解釋依據該第一具體實施例之有機EL顯示裝置。
如圖2所示，依據該第一具體實施例之有機EL顯示裝置運用：(1)一掃描電路101；(2)一視訊信號輸出電路102；(3)M×N個有機EL器件10，其係佈置以形成在一第一方向配置的N個前述有機EL器件10與在一不同於該第一方向之第二方向上配置的M個前述有機EL器件10的一二維矩陣；(4)M個掃描線SCL，各連接至掃描電路101並各在該第一方向上伸展；(5)N個資料線DTL，各連接至視訊信號輸出電路102並各在該第二方向上伸展；以及(6)一電流供應區段100。
運用於稍後說明的該等第二至第十具體實施例之各具體實施例內的有機EL顯示裝置具有一組態，其與上面解釋為依據該第一具體實施例之有機EL顯示裝置之有機EL顯示裝置之組態完全相同。
如稍後說明的圖2以及圖17、22、27及32之各圖中所示 的有機EL顯示裝置運用3×3個前述有機EL器件10。然而，應注意，在該些圖中前述有機EL器件10之數目始終係一典型數目。
各有機EL器件10運用一有機EL發光元件ELP與一用於驅動該有機EL發光元件ELP的驅動電路。該發光元件ELP可設計成一般已知的一組態及/或一結構。更具體而言，例如，有機EL發光元件ELP可設計成一組態，包括(例如)一陽極電極、一電洞運輸層、一發光層、一電子運輸層及一陰極電極。此外，掃描電路101、視訊信號輸出電路102、掃描線SCL、資料線DTL及電流供應區段100之每一者之組態可分別設計成一般已知的一組態及/或一結構。依據稍後說明的該等第二至第十具體實施例之一有機EL器件具有一組態，其與依據該第一具體實施例之有機EL器件之組態完全相同。此外，運用於稍後說明的該等第二至第十具體實施例之各具體實施例之一有機EL器件中的一有機EL發光元件ELP具有一組態，其與運用於依據該第一具體實施例之有機EL器件內之有機EL發光元件ELP之組態完全相同。
極類似於基於更早先說明為本發明相關技藝之技術的該等技術之驅動電路，作為依據該第一具體實施例之一驅動電路圖1中所示驅動電路具有一組態，其包括五個電晶體與一電容器。具體而言，如圖1所示，依據該第一具體實施例之驅動電路運用：(A)一元件驅動電晶體TDrv ； (B)一視訊信號寫入電晶體TSig ；以及(C)一電容器C1 ，其具有一對特定電極與另一電極。
此外，依據該第一具體實施例之驅動電路還包括：(D)一第一節點初始化電晶體TND1 ；(E)一第二節點初始化電晶體TND2 ；以及(F)一發光控制電晶體TEL_C 。
運用於依據稍後說明的該等第二至第八具體實施例之各具體實施例之一有機EL器件內的一驅動電路具有一組態，其與運用於依據該第一具體實施例之有機EL器件內的驅動電路之組態完全相同。
元件驅動電晶體TDrv 、視訊信號寫入電晶體TSig 、第一節點初始化電晶體TND1 、第二節點初始化電晶體TND2 及發光控制電晶體TEL_C 各係一n通道TFT，其具有源極/汲極區域、一通道產生區域與一閘極電極。運用於依據稍後說明的該等第二至第十具體實施例之各具體實施例之一有機EL器件內的每一電晶體具有一組態，其與運用於依據該第一具體實施例之有機EL器件內的每一電晶體之組態完全相同。應注意，例如，發光控制電晶體TEL_C 還可設計成一p通道型的一TFT。
在元件驅動電晶體TDrv 中：(A－1)提供於元件驅動電晶體TDrv 之一特定側上以充當元件驅動電晶體TDrv 之特定源極/汲極區域的一源極/汲極區域係連接至電流供應區段100；以及(A－2)提供於元件驅動電晶體TDrv 之另一側上以充當元 件驅動電晶體TDrv 之另一源極/汲極區域的一源極/汲極區域係連接至該有機EL發光元件ELP之陽極電極與電容器C1 之特定電極，從而形成一第二節點ND2 。用於稍後說明的該等第二至第十具體實施例之各具體實施例之一有機EL器件內的一元件驅動電晶體TDrv 係以運用於依據該第一具體實施例之有機EL器件內之元件驅動電晶體TDrv 相同的方式來連接至其他組件。
在有機EL器件10之發光狀態下，驅動元件驅動電晶體TDrv 以依據以下給出的等式(1)來流動一汲極電流Ids 。在有機EL器件10之發光狀態下，元件驅動電晶體TDrv 之特定源極/汲極區域用作一汲極而元件驅動電晶體TDrv 之另一源極/汲極區域用作一源極。因而，為了簡化解釋，在下列說明中，元件驅動電晶體TDrv 之特定源極/汲極區域又簡稱為元件驅動電晶體TDrv 之汲極而元件驅動電晶體TDrv 之另一源極/汲極區域又簡稱為元件驅動電晶體TDrv 之源極。等式(1)中所解釋之符號解釋如下：μ：有效遷移率L：通道長度W：通道寬度Vgs ：在閘極電極與源極區域之間的電位差Vth ：臨界電壓COX ：(閘極絕緣層之特定介電常數)*(真空介電常數)/(閘極絕緣層之厚度)k≡(1/2)*(W/L)* COX
該等符號之上述說明亦同樣適用於稍後說明的第二至第十具體實施例。
Ids ＝k * u *(Vgs －Vth )2 ………(1)
汲極電流Ids 流過運用於有機EL器件10內的一有機EL發光元件ELP，引起該有機發光元件ELP發光。此外，汲極電流Ids 之量值控制運用於有機EL器件10內的有機EL發光元件ELP之發光狀態。運用於有機EL器件10內之有機EL發光元件ELP之發光狀態又稱為該有機EL發光元件ELP之亮度。在稍後說明的該等第二至第十具體實施例內的一汲極電流Ids 具有與該第一具體實施例中的汲極電流Ids 相同的作用。
如圖3所示，在該第一具體實施例中組成該驅動電路的該等電晶體與一電容器C1 係產生於一支撐主體20上，而該有機EL發光元件ELP係產生於運用在該驅動電路內的該等電晶體與電容器C1 上，由一層間絕緣層46等將該等電晶體與電容器C1 分開。關於該等電晶體、電容器C1 與該有機EL發光元件ELP之產生，稍後說明的該等第二至第四具體實施例及該第九具體實施例係與該第一具體實施例相同。應注意，圖3之斷面及稍後說明的圖9A、10B及11B之斷面僅顯示視訊信號寫入電晶體TSig 。此係因為除視訊信號寫入電晶體TSig 外的該等電晶體係提供於隱藏位置處，故看不見該些電晶體。
在該第一具體實施例中，視訊信號寫入電晶體TSig 具有一半導體層33、在半導體層33上之源極/汲極區域，與在 該等源極/汲極區域之間之一通道產生區域。如圖1及3所示，在該第一具體實施例中，視訊信號寫入電晶體TSig 具有一雙閘極結構，其具有一第一子電晶體TSig_1 ，包括一第一閘極電極31A、一源極/汲極區域35A及一第一通道產生區域34A，並具有一第二子電晶體TSig_2 ，包括一第二閘極電極31B、一第二源極/汲極區域35B及一第二通道產生區域34B。運用於稍後說明的該等第二、第三、第四及第九具體實施例內之一視訊信號寫入電晶體TSig 具有與上面解釋為用於該第一具體實施例之一電晶體的視訊信號寫入電晶體TSig 相同的組態。
源極/汲極區域35A、第二源極/汲極區域35B及一共用源極/汲極區域35C(如圖3所示)之各區域係產生於半導體層33上。共用源極/汲極區域35C係一區域，其中第一子電晶體TSig_1 之另一源極/汲極區域與第二子電晶體TSig_2 之特定源極/汲極區域彼此重疊。第一子電晶體TSig_1 之第一(特定)源極/汲極區域35A係連接至對應於圖3所示之一引線38的一資料線DTL。第二子電晶體TSig_2 之第二(另一)源極/汲極區域35B係連接至元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與電容器C1 之另一電極36，從而形成第一節點ND1 。第一子電晶體TSig_1 之第一閘極電極31A與第二子電晶體TSig_2 之第二閘極電極31B係連接至一掃描線SCL。第一子電晶體TSig_1 之第一閘極電極31A透過一閘極絕緣層32面向第一子電晶體TSig_1 之第一通道產生區域34A之一特定面，該閘極絕緣層係由第一閘極電極31A與第一通道產生區域34A之特定 面所夾置。第二子電晶體TSig_2 之第二閘極電極31B透過閘極絕緣層32來面向第二子電晶體TSig_2 之第二通道產生區域34B之一特定面，該閘極絕緣層係由第二閘極電極31B與第二通道產生區域34B之特定面所夾置。一視訊信號寫入電晶體TSig 係以與上面解釋為用於該第一具體實施例之一電晶體的視訊信號寫入電晶體TSig 相同的方式來連接至稍後說明的該等第二、第三、第四及第九具體實施例內的其他組件。
此外，第二子電晶體TSig_2 具有一屏蔽電極42，其透過一屏蔽絕緣層40來面向第二子電晶體TSig_2 之第二通道產生區域34B之另一面，該屏蔽絕緣層係由屏蔽電極42與第二通道產生區域34B之另一面所夾置。屏蔽電極42係連接至第二子電晶體TSig_2 之另一源極/汲極區域35B。具體而言，在該第一具體實施例中，從連接至第二子電晶體TSig_2 之源極/汲極區域35B之一線41的一延伸形成屏蔽電極42。用於該第一具體實施例之以上說明也同樣適用於稍後說明的該第二、第三、第四及第九具體實施例。
應注意，其他電晶體之各電晶體還具有一組態，其以與上述相同的方式包括一半導體層、一閘極絕緣膜與一閘極電極。此外，在稍後說明的該第二、第三、第四及第九具體實施例之各具體實施例中具有與該第一具體實施例中該等其他電晶體之各電晶體相同的組態。
電容器C1 具有一介電層，其係由閘極絕緣層32之一延伸、所謂的另一電極36及所謂的特定電極37(對應於第二 節點ND2 )所組成。第一閘極電極31A、第二閘極電極31B、閘極絕緣層32之一部分與另一電極36均產生於支撐主體20上。如上所說明，視訊信號寫入電晶體TSig 之第一子電晶體TSig_1 之第一(特定)源極/汲極區域35A係連接至引線38而視訊信號寫入電晶體TSig 之第二子電晶體TSig_2 之第二(另一)源極/汲極區域35B係連接至另一電極36。視訊信號寫入電晶體TSig 、電容器C1 及其他組件係由一層間絕緣層46所覆蓋並在層間絕緣層46上產生有機EL發光元件ELP。還如上所說明，有機EL發光元件ELP具有一陽極電極51、一電洞運輸層、一發光層、一電子運輸層與一陰極電極53。應注意，在圖中，該電洞運輸層、該發光層與該電子運輸層係由一第一層52來代表。作為一不具有發光元件ELP之部分包括在層間絕緣層46內的一部分上，提供一第二層間絕緣層54。一透明基板21係提供於第二層間絕緣層54與陰極電極53上。由該發光層所產生之一光束係透過基板21來輸出至外部空間。應注意，電容器C1 之特定電極37與有機EL發光元件ELP之陽極電極51係藉由鑽孔層間絕緣層46所產生之一接觸孔來加以彼此連接。此外，有機EL發光元件ELP之陰極電極53係藉由分別鑽孔第二層間絕緣層54與層間絕緣層46所產生之接觸孔56及55來加以連接至一引線39。引線39係提供於閘極絕緣層32之一延伸上的一線。以上說明亦適用於稍後說明的第二至第十具體實施例。
該等電晶體、電容器C1 、各種引線(包括引線38)、各種 電極(包括屏蔽電極42)與其他組件可藉由採用各種一般已知方法來產生。在稍後說明的該等第二至第十具體實施例中的電晶體、一電容器C1 、各種引線(包括一引線38)、各種電極(包括一屏蔽電極42)及其他組件可藉由採用與該第一具體實施例之該等方法相同的各種一般已知方法來產生。
如以上所說明，充當運用於視訊信號寫入電晶體TSig 之第一子電晶體TSig_1 之特定源極/汲極區域35A的第一(特定)源極/汲極區域35A係連接至一資料線DTL。視訊信號輸出電路102透過該資料線DTL來供應用於控制有機EL發光元件ELP之亮度的一電壓VSig 至第一(特定)源極/汲極區域35A。應注意，該資料線DTL還可用於供應除電壓VSig 外的各種信號及電壓至第一(特定)源極/汲極區域35A。除電壓VSig 外的該等信號及電壓包括一用於預充電驅動的信號與一參考電壓。此外，用以接通並截止視訊信號寫入電晶體TSig 的操作係由出現於一連接至視訊信號寫入電晶體TSig 之閘極電極31A及31B的掃描線SCL來加以控制。以上說明也同樣適用於稍後說明的第二、第三、第四及第九具體實施例。此外，除了視訊信號寫入電晶體TSig 具有一單閘極電極組態外，上述說明也同樣適用於稍後說明的第五、第六、第七、第八及第十具體實施例。
第一節點初始化電晶體TND1 之特定源極/汲極區域係連接至一第一節點初始化電壓供應線PSND1 ，而第一節點初始化電晶體TND1 之另一源極/汲極區域係連接至第一節點 ND1 。第一節點初始化電晶體TND1 之閘極電極係連接至一第一節點初始化電晶體控制線AZND1 ，其係連接至一第一節點初始化電晶體控制電路104。在稍後說明的該第二至第四具體實施例中第一節點初始化電晶體TND1 至其他組件之連接係與在以上說明第一具體實施例中第一節點初始化電晶體TND1 至其他組件之連接相同。
用以截止及接通第一節點初始化電晶體TND1 之操作係由連接至第一初始化電晶體TND1 之閘極電極的一第一節點初始化電晶體控制線AZND1 來加以控制，用於初始化第一節點ND1 的一電壓VOfs 係在第一節點初始化電壓供應線PSND1 上判定。此說明亦同樣適用於稍後說明的第二至第四具體實施例。
第二節點初始化電晶體TND2 之特定源極/汲極區域係連接至一第二節點初始化電壓供應線PSND2 ，而第二節點初始化電晶體TND2 之另一源極/汲極區域係連接至第二節點ND2 。第二節點初始化電晶體TND2 之閘極電極係連接至一第二節點初始化電晶體控制線AZND2 ，其係連接至一第二節點初始化電晶體控制電路105。在充當依據也稍後說明的第九具體實施例之驅動電路之一第一修改形式的一4T/1C驅動電路中以及在也稍後說明的第十具體實施例中，在稍後說明的第二至第八具體實施例中第二節點初始化電晶體TND2 至其他組件之連接係與在以上說明的第一具體實施例中第二節點初始化電晶體TND2 至其他組件之連接相同。
用以截止及接通第二節點初始化電晶體TND2 之操作係由連接至第二初始化電晶體TND2 之閘極電極的一第二節點初始化電晶體控制線AZND2 來加以控制。用於初始化第二節點ND2 的一電壓VSS 係在第二節點初始化電壓供應線PSND2 上判定。此說明也同樣適用於稍後說明的第二至第八具體實施例、充當依據也稍後說明的第九具體實施例與也稍後說明的第十具體實施例之驅動電路之第一修改形式的4Tr/1C驅動電路。
元件驅動電晶體TDrv 之汲極區域與電流供應區段100係藉由發光控制電晶體TEL_C 來彼此連接。發光控制電晶體TEL_C 之閘極電極係連接至一發光控制電晶體控制線CLEL_C ，其係連接至一發光控制電晶體控制電路103。該等連接之此說明也同樣適用於稍後說明的第二至第八具體實施例、充當依據也稍後說明的第九具體實施例與也稍後說明的第十具體實施例之驅動電路之第一修改形式的4Tr/1C驅動電路。
更具體而言，發光控制電晶體TEL_C 之特定源極/汲極區域係連接至產生電壓VCC 的電流供應區段100而發光控制電晶體TEL_C 之另一源極/汲極區域係連接至元件驅動電晶體TDrv 之汲極區域。此外，用以接通及截止發光控制電晶體TEL_C 之操作係由一出現於連接至發光控制電晶體TEL_C 之閘極電極的發光控制電晶體控制線CLEL_C 上的信號來加以控制。應注意，電流供應區段100係提供用於透過發光控制電晶體TEL_C 與元件驅動電晶體TDrv 來供應一電流至運用 於有機EL器件10內之有機EL發光元件ELP以便控制該有機EL發光元件ELP發光的一區段。此說明也同樣適用於稍後說明的第二至第八具體實施例、充當依據也稍後說明的第九具體實施例與也稍後說明的第十具體實施例之驅動電路之第一修改形式的4Tr/1C驅動電路。
如更早先所說明，有機EL發光元件ELP之陽極電極係連接至元件驅動電晶體TDrv 之源極區域。一電壓VCat 係施加至有機EL發光元件ELP之陰極區域。在圖中，符號CEL 表示有機EL發光元件ELP之寄生電容。假定要求一電壓Vth－EL 用於有機EL發光元件ELP之發光。即，若在有機EL發光元件ELP之陽極電極與陰極電極之間施加至少與電壓Vth－EL 一樣高的一電壓，則該有機EL發光元件ELP會發光。此說明亦同樣適用於稍後說明的第二至第十具體實施例。電壓Vth－EL 係有機EL發光元件ELP之臨界電壓。
應注意，前面參考圖36所解釋之5Tr/1C驅動電路具有與第一具體實施例相同的組態，除了運用於圖36所示之5Tr/1C驅動電路內的視訊信號寫入電晶體TSig 具有一單閘極結構外。
至此所給出的說明已解釋依據第一具體實施例之有機EL顯示裝置、運用於該有機EL顯示裝置中作為依據第一具體實施例之有機EL器件的有機EL器件10以及充當驅動電路之5Tr/1C驅動電路，該驅動電路係運用於該有機EL器件中作為一用於驅動該有機EL發光元件ELP之電路。
藉由參考圖式，下列說明解釋屏蔽電極42所展現的一效 應。圖7A係顯示在稍後說明的一週期TP(5)7 期間使視訊信號電晶體TSig 進入一截止狀態時在第二通道產生區域34B附近所逐漸形成之狀態之一模型的一圖式。在此具體實施例中，在共用源極/汲極區域35C與第二(另一)源極/汲極區域35B之間的第二通道產生區域34B係設定在一區域內，該區域具有大約等於第二閘極電極31B之寬度的一寬度且相似地，在共用源極/汲極區域35C與第一(特定)源極/汲極區域35A之間的第一通道產生區域34A係設定在一區域內，該區域具有大約等於第一閘極電極31A之寬度的一寬度。
緊接在稍後說明的週期TP(5)7 之前，出現於資料線DTL上的一電位係(例如)15伏特的電壓VSig ，而出現於掃描線SCL上的一電位係在一高位準(諸如10伏特)的一電壓。出現於資料線DTL上的電位係出現於圖3所示之引線38上的一電位。一10伏特的電壓係透過掃描線SCL來施加至該等閘極電極31A及31B以便使視訊信號寫入電晶體TSig 進入接通狀態。因而，出現於第一(特定)源極/汲極區域35A、第一通道產生區域34A、共用源極/汲極區域35C、第二通道產生區域34B、第二(其他)源極/汲極區域35B、一引線41、屏蔽電極42及另一電極36之每一者上的電位係(例如)15伏特的電壓VSig 。
接著，在週期TP(5)7 中，一－10伏特的電壓係透過掃描線SCL來施加至該等閘極電極31A及31B以便使視訊信號寫入電晶體TSig 進入一截止狀態。如前面在本發明相關技藝之說明中參考圖38A至38C所解釋，在此狀態下，出現於共 用源極/汲極區域35C上的一電位相對於視訊信號寫入電晶體TSig 之特定源極/汲極區域35A與另一源極/汲極區域35B變成一負側電位。相對於視訊信號寫入電晶體TSig 之特定源極/汲極區域35A與另一源極/汲極區域35B之負側電位之一範例係0伏特。因而，在此狀態下，共用源極/汲極區域35C充當第一子電晶體TSig_1 與第二子電晶體TSig_2 所共用的一源極區域而第一(特定)源極/汲極區域35A用作第一子電晶體TSig_1 之汲極區域，同時第二(另一)源極/汲極區域35B用作第二子電晶體TSig_2 之汲極區域。
屏蔽電極42覆蓋包括於第二通道產生區域34B內作為一靠近第二(另一)源極/汲極區域35B之部分的一部分。在此狀態下，出現於屏蔽電極42上的一電位係高於出現於共用源極/汲極區域35C上的一電位。因而，如圖7A所示，屏蔽電極42在第二通道產生區域34B內吸引載子，在此情況下該等載子各係一電子。由此，在包括於第二通道產生區域34B內作為一靠近共用源極/汲極區域35C之部分內產生一空乏層，使得其變得更難以使一洩漏電流在第二通道產生區域34B與共用源極/汲極區域35C之間流動。如上所說明，第二通道產生區域34B係在靠近形成第一節點ND1 之第二(另一)源極/汲極區域35B之側上的一通道產生區域。因而，可有效地抑制隨著累積於電容器C1 內之電荷數量變動出現於第一節點ND1 上的電位變動。
圖7B係顯示作為一電流電壓特性之一典型變化(稍後說明)添加屏蔽電極42所引起之一變化之一模型的一圖式。 一實線代表用於包括添加屏蔽電極42之一組態的電流電壓特性而一虛線代表用於不包括添加屏蔽電極42之一組態的電流電壓特性。在圖7B中的水平軸代表施加於第二閘極電極31B與共用源極/汲極區域35C之間的一電壓V31B－35C 。如上所說明，在一截止狀態下，共用源極/汲極區域35C充當源極區域。另一方面，在圖7B中的垂直軸代表在第二(另一)源極/汲極區域35B與共用源極/汲極區域35C之間流動的一電流I35B－35C 。如上所說明，在一截止狀態下，第二(另一)源極/汲極區域35B充當汲極區域。由於產生於汲極區域側上的屏蔽電極42之一電場效應，在第二通道產生區域34B上，由第二通道產生區域34B所形成之第二子電晶體TSig_2 之臨界電壓偏向負側。如圖7B所示之符號V1 表示在一不包括屏蔽電極42之組態下第二通道產生區域34B所形成之第二子電晶體TSig_2 之一截止狀態下的一電壓。另一方面，如圖7B所示之符號V2 表示在一包括屏蔽電極42之組態下由第二通道產生區域34B所形成之第二子電晶體TSig_2 之一截止狀態下的一電壓。在包括屏蔽電極42之一組態的情況下，若電壓V31B－35C 相對於圖7B所示之電壓V2 在負側，則使該電晶體進入一截止狀態。在此截止狀態下，產生前面所說明之空乏層具有一效應，即比較虛線曲線圖所代表之電流I35B－35C ，降低實線曲線圖所代表之電流I35B－35C 。即，在此截止狀態下洩漏電流之量值會減少。
以上說明解釋屏蔽電極42所展現之效應。下列說明解釋利用依據第一具體實施例之驅動電路來驅動有機EL發光元 件ELP之一方法。應注意，利用圖36所示之5Tr/1C驅動電流之一驅動方法係與以下作為依據第一具體實施例之驅動方法所解釋之驅動方法相同。還值得注意的係，依據稍後說明的第二至第八具體實施例之各具體實施例之一驅動方法也與以下作為依據第一具體實施例之驅動方法所解釋之驅動方法相同。
在下列說明中，假定一發光狀態在所有各種程序(諸如該臨界電壓消除程序、該信號寫入程序與該遷移率校正程序)完成之後立即開始。然而，應注意，該發光狀態還可在從所有先前所解釋之各種程序完成起經過一預定週期之後開始。
在也同樣適用於稍後說明的第二至第十具體實施例之下列說明中，電壓及/或電流之量值係設定在以下給出的值。然而，該等值係始終僅出於解釋目的而決定的典型值。即，電壓及/或電流之量值決不限於該等典型值。
VSig 係用於控制有機EL發光元件ELP之亮度的一視訊信號。此信號係在範圍0至15電壓的一電壓。
VCC 係由電流供應區段產生作為一用於控制有機EL發光元件ELP發光之電壓的一電壓。此電壓係設定在20伏特。
VOfs 係用於初始化出現於元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極上之一電位(即，用於初始化出現於第一節點ND1 上之一電位)的一電壓。此電壓係設定在0伏特。
VSS 係用於初始化出現於元件驅動電晶體TDrv 之源極區域內之一電位(即，用於初始化出現於第二節點ND2 上之一電 位)的一電壓。此電壓係設定在－10伏特。
Vth 係元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓。此電壓係3伏特。
VCat 係施加至有機EL發光元件ELP之陰極區域的一電壓。此電壓係0伏特。
Vth－EL 係有機EL發光元件ELP之臨界電壓。此電壓係3伏特。
週期TP(5)－1 (參考圖4及5A) 例如，在一週期TP(5)－1 中，實施用於緊接前面顯示圖框的操作並在已完成各種先前程序之後，使一第(n、m)個有機EL器件10進入一發光狀態下。即，由稍後說明的等式(5)所表述之一汲極電流I'ds 流動至運用於充當一第(n、m)個子像素之有機EL器件10中的有機EL發光元件ELP並決定有機EL器件10之亮度。在此週期TP(5)－1 中，視訊信號寫入電晶體TSig 、第一節點初始化電晶體TND1 及第二節點初始化電晶體TND2 之各電晶體均處於一截止狀態而發光控制電晶體TEL_C 與元件驅動電晶體TDrv 之各電晶體處於一接通狀態。連續維持第(n、m)個有機EL器件10之發光狀態，直至緊接位於該矩陣之第(m＋m')列位置處的有機EL器件10之水平掃描週期開始之前的一時間。
圖4所示之週期TP(5)0 至TP(5)4 係從各種先前程序完成之後的發光狀態完成起至緊接在下一信號寫入程序執行之前一時間的操作週期。該等週期TP(5)0 至TP(5)4 形成一週期序列，其具有(例如)從緊接前面顯示圖框之第(m＋m')個水 平掃描週期開始延伸至目前顯示圖框之第(m－1)個水平掃描週期結束的一持續時間。此外，還可提供一組態，其中該等週期TP(5)1 至TP(5)4 係包括於目前顯示圖框之第m個水平掃描週期內。
除此之外，在週期TP(5)0 至TP(5)4 之週期中，作為一規則，第(n、m)個有機EL器件10係處於一不發光狀態。即，在該等週期TP(5)0 及TP(5)1 與該等週期TP(5)3 至TP(5)4 中，發光控制電晶體TEL_C 處於一截止狀態。因而，有機EL器件10不發光。應注意，在週期TP(5)2 中，發光控制電晶體TEL_C 處於一接通狀態。然而，在此週期中，實施稍後說明的一臨界電壓消除程序。如稍後在該臨界電壓消除程序解釋中所詳細說明，作為一前提條件，假定滿足稍後說明的等式(2)，有機EL器件10不會發光。
下列說明開始於該等週期TP(5)0 至TP(5)4 之解釋。應注意，可依據該有機EL顯示裝置之設計來適當設定週期TP(5)1 之開始以及該等週期TP(5)1 至TP(5)4 之各週期之長度。
週期TP(5)0 如前面所說明，在週期TP(5)0 中，第(n、m)個有機EL器件10處於一不發光狀態。在此狀態下，視訊信號寫入電晶體TSig 、第一節點初始化電晶體TND1 及第二節點初始化電晶體TND2 之各電晶體均處於一截止狀態。此外，在從週期TP(5)－1 轉變至週期TP(5)0 時，發光控制電晶體TEL_C 處於一截止狀態，使得出現於第二節點ND2 上的一電位降低至一 電壓(Vth－EL ＋VCat )，從而使有機EL發光元件ELP處於一不發光狀態。如前面所解釋，第二節點ND2 係元件驅動電晶體TDrv 之源極區域或有機EL發光元件ELP之陽極電極。此外，出現於處於一浮動狀態下之第一節點ND1 上的一電位也會降低以跟隨第二節點ND2 之電位降低。如前面所解釋，第一節點ND1 係元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極。
週期TP(5)1 (參考圖4、5B及5C) 在下一週期TP(5)1 中，實施用於執行稍後說明之一臨界電壓消除程序的預處理。即，在週期TP(5)1 開始時，第一節點初始化電晶體控制電路104與第二節點初始化電晶體控制電路105操作以分別設定第一節點初始化電晶體控制線AZND1 與第二節點初始化電晶體控制線AZND2 至高位準來變成接通狀態，從而分別使第一節點初始化電晶體TND1 與第二節點初始化電晶體TND2 處於一接通狀態。由此，出現於第一節點ND1 上的一電位變成(例如)0伏特的電壓VOfs ，而出現於第二節點ND2 上的一電位變成(例如)－10伏特的電壓VSS 。此外，在週期TP(5)t 結束之前，驅動第二節點初始化電晶體控制電路105以便設定第二節點初始化電晶體控制線AZND2 在一低位準，從而使第二節點初始化電晶體TND2 處於一截止狀態。應注意，可使第一節點初始化電晶體TND1 與第二節點初始化電晶體TND2 同時進入一接通狀態，可使第一節點初始化電晶體TND1 在使第二節點初始化電晶體TND2 之前進入一接通狀態或可使第二節點初始化電晶體TND2 在第一節點初始化電晶體TND1 之前進入一接通狀 態。
藉由實施以上說明的處理，在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之間的一電位差到達至少等於元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 的一電壓，從而使元件驅動電晶體TDrv 進入一接通狀態。
週期TP(5)2 (參考圖4及5D) 接著，在下列週期TP(5)2 期間，如圖4所示，實施一臨界電壓消除程序。如圖5D所示，原樣保持第一節點初始化電晶體TND1 之接通狀態，在週期TP(5)2 開始時，驅動發光控制電晶體控制電路103以便升高一發光控制電晶體控制線CLEL_C 至一高位準。升高發光控制電晶體控制線CLEL_C 至一高位準使發光控制電晶體TEL_C 進入一接通狀態。由此，即使出現於第一節點ND1 上的一電位不會改變，出現於第二節點ND2 上的一電位在一方向上仍變成一電位，其等於作為從出現於第一節點ND1 上的一電位中減去元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 之一結果所獲得的一差異。即，出現於處於一浮動狀態之第二節點ND2 上的一電位會上升。接著，隨著在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之間的電位差到達元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth ，使元件驅動電晶體TDrv 進入一截止狀態。更具體而言，出現於處於一浮動狀態之第二節點ND2 上的電位靠近一電壓差(VOfs －Vth )＝－3伏特(>VSS )並最終變得等於電壓差(VOfs －Vth )。在此情況下，若判定以下給出的等式(2)之有效性，或換言之，若預先選擇並決定滿足 等式(2)的一電位，則有機EL發光元件ELP決不會發光。
(VOfs －Vth )<(Vth－EL ＋VCat )………(2)
在週期TP(5)2 中，出現於第二節點ND2 上的電位最終變得等於電壓差(VOfs －Vth )。明確而言，僅取決於元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 以及用於初始化元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極的電壓VOfs ，決定出現於第二節點ND2 上的電位。換言之，出現於第二節點ND2 上的電位不取決於有機EL發光元件ELP之臨界電壓Vth－EL 。
週期TP(5)3 (參考圖4及6A) 在隨後週期TP(5)3 期間，原樣維持第一節點初始化電晶體TND1 之接通狀態，驅動發光控制電晶體控制電路103以便設定發光控制電晶體控制線CLEL_C 至一低位準以便使發光控制電晶體TEL_C 進入一截止狀態。由此，出現於第一節點ND1 上的電位不會變化而仍維持在0伏特的電壓VOfs 且出現於在一浮動狀態下之第二節點ND2 上的電位也不會變化而仍維持在－3伏特的電壓差(VOfs －Vth )。
週期TP(5)4 (參考圖4及6B) 在隨後週期TP(5)4 中，驅動第一節點初始化電晶體控制電路104以便設定第一節點初始化電晶體控制線AZND1 在一低位準以便使第一節點初始化電晶體TND1 處於一截止狀態。出現於第一節點ND1 上的電位與出現於第二節點ND2 上的電位實質上不會變化。實際上，出現於第一節點ND1 上的電位與出現於第二節點ND2 上的電位可能由於元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之源極區 域之間寄生電容Cgs 之耦合效應等而變化。然而，通常可忽略出現於第一節點ND1 上之電位與出現於第二節點ND2 上之電位的該等變化。
接著，解釋圖4所示的一週期TP(5)5 至一週期TP(5)7 。如稍後將說明的，應注意，在週期TP(5)5 中，實施一信號寫入程序，而在週期TP(5)6 中，實施一遷移率校正程序。如前面所說明，必需在第m個水平掃描週期期間實施該信號寫入程序與該遷移率校正程序。為了簡化解釋，在下列說明中，週期TP(5)5 之開始與週期TP(5)6 之結束分別與第m個水平掃描週期之開始及結束相一致。
週期TP(5)5 (參考圖4及6C) 在隨後週期TP(5)5 中，實施用於元件驅動電晶體TDrv 的一信號寫入程序。更具體而言，如圖6C所示，原樣維持第一節點初始化電晶體TND1 、第二節點初始化電晶體TND2 及發光控制電晶體TEL_C 之截止狀態，驅動視訊信號輸出電路102以便設定出現於一資料線DTL上之一電位在對應於一視訊信號VSig 的一電壓。因而此電壓係用於在有機EL發光元件ELP上控制亮度的一視訊信號(又稱為一驅動信號或一亮度信號)VSig 。接著，驅動掃描電路101以便使一掃描線SCL在一高位準下以便使一視訊信號寫入電晶體TSig 進入一接通狀態。應注意，使視訊信號寫入電晶體TSig 進入一接通狀態意味著第一子電晶體TSig_1 與第二子電晶體TSig_2 兩者均進入一接通狀態，而使視訊信號寫入電晶體TSig 進入一截止狀態意味著第一子電晶體TSig_1 與第二子電晶體 TSig_2 之至少一者進入一截止狀態。由此，出現於第一節點ND1 上的一電位上升至電壓VSig 。
假使符號c1 表示電容器C1 之電容c1 之量值、符號cEL 表示有機EL發光元件ELP之寄生電容CEL 之量值而符號cgs 表示在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與位於靠近有機EL發光元件ELP側上以用作元件驅動電晶體TDrv 之源極區域的一源極區域之間的一寄生電容Cgs 之量值。當出現於元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極上的一電位從電壓VOfs 上升至電壓VSig (>VOfs )時，作為一規則，出現於電容器C1 兩端子上的電位也會變化。出現於電容器C1 兩端子上的該等電位係出現於第一節點ND1 上的一電位與出現於第二節點ND2 上的一電位，且出現於第一節點ND1 上的電位係出現於元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極上的一電位。基於出現於元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極上之電位之一電壓變化(VSig －VOfs )的一電荷係分佈至電容器C1 之電容c1 、有機EL發光元件ELP之寄生電容CEL 以及在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之間的寄生電容Cgs 。此外，若比較電容器C1 之電容c1 與寄生電容Cgs 之量值cgs ，寄生電容CEL 之量值cEL 充分大，則基於隨著出現於第二節點ND2 (充當元件驅動器電晶體TDrv 之源極區域)上之一電位變化出現於元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極上之電位之電壓變化(VSig －VOfs )的一電位變化較小。然而，有機EL發光元件ELP之寄生電容CEL 之量值cEL 一般大於電容器C1 之電容c1 以及在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電 晶體TDrv 之間的寄生電容Cgs 之量值cgs 。因而，為了簡化解釋，除了一要求特定組態外，藉由不考量由於隨著一出現於第二節點ND2 上之電位變化一出現於第一節點ND1 上之電位變化所引起的一電位變化來給出下列說明。此聲明也同樣適用於其他驅動電路，除稍後在第九具體實施例中作為一第二修改形式所解釋的一3Tr/1C驅動電路外。假使符號Vg 表示出現於也充當元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極之第一節點ND1 上的一電位，而符號Vs 表示出現於也充當元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之第二節點ND2 上的一電位。該等電位Vg 與Vs 具有以下顯示的值。因而，在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之間的一電位差Vgs 依據等式(3)來表述。不言而喻，電位差Vgs 也係在第一節點ND1 與第二節點ND2 之間的一電位差。
作為針對元件驅動電晶體TDrv 所實施之信號寫入程序之一結果所獲得的電位差Vgs 係僅取決於用於控制有機EL發光元件ELP之亮度的電壓VSig 、元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 以及用於初始化元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極的電壓VOfs 。此外，電位差Vgs 不取決於有機EL發光元件ELP之臨界電壓Vth－EL 。
週期TP(5)6 (參考圖4及6D) 在隨後週期TP(5)6 中，實施一遷移率校正程序。該遷移率校正程序係用於基於元件驅動電晶體TDrv 之遷移率μ之量值來校正出現於充當元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之第二節點ND2 上電位的一程序。
一般情況下，元件驅動電晶體TDrv 係(例如)由多晶矽製成的一薄膜電晶體。在此情況下，難以防止驅動電晶體遷移率μ在電晶體間變動。因而，即使施加相同電壓VSig 至彼此具有不同遷移率μ之複數個元件驅動電晶體TDrv 之該等閘極電極，具有一較大遷移率μ的一元件驅動電晶體TDrv 流動一較大汲極電流Ids ，而具有一較小遷移率μ的一元件驅動電晶體TDrv 流動一較小汲極電流Ids ，其不同於較大汲極電流Ids 。此一汲極電流Ids 差異引起出現於有機EL顯示裝置上的螢幕不可避免地損失均勻性。
為了解決損失螢幕均勻性的問題，原樣維持元件驅動電晶體TDrv 之接通狀態，驅動發光控制電晶體控制電路103以便設定發光控制電晶體控制線CLEL_C 至一高位準以便使發光控制電晶體TEL_C 進入一接通狀態。接著，在已經過預先決定的一時間週期t0 之後，驅動掃描電路101以便設定掃描線SCL在一低位準以便使視訊信號寫入電晶體TSig 進入一截止狀態並使充當元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極的第一節點ND1 進入一浮動狀態。由於該些操作，在元件驅動電晶體TDrv 之遷移率μ較大時出現於元件驅動電晶體TDrv 之源極區域內之電位的上升△V會增加，或在元件驅動電晶體TDrv 之遷移率μ較小時出現於元件驅動電晶體TDrv 之源極區 域內之電位的上升△V會減少。出現於元件驅動電晶體TDrv 之源極區域內之電位的上升△V係稱為一電位校正值。在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之間的電位差Vgs 之表述從等式(3)變成以下給出的等式(4)：
此外，較佳的係在設計有機EL顯示裝置時作為一設計值預先決定週期TP(5)6 之整個長度t0 ，其係實施該遷移率校正程序所耗費之時間週期。此外，決定週期TP(5)6 之整個長度t0 ，使得那時出現於元件驅動電晶體TDrv 之源極區域內的電位(VOfs －Vth ＋△V)滿足以下給出的等式(2')。此外，有機EL發光元件ELP因而在週期TP(5)6 期間決不會發光。除此之外，與該遷移率校正程序同時還校正一係數k(≡(1/2)*(W/L)* COX )之變動。
(VOfs －Vth ＋△V)<(Vth－EL ＋VCat )………(2')
週期TP(5)7 (參考圖4及6E) 在以上所說明之該等操作執行結束時，完成該臨界電壓消除程序、該信號寫入程序及該遷移率校正程序。順便提及，由於掃描電路101實施以設定掃描線SCL在一低位準下的操作，使視訊信號寫入電晶體TSig 進入一截止狀態，而使充當元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極的第一節點ND1 進入一浮動狀態。另一方面，維持發光控制電晶體TEL_C 之接通狀態，以便保持發光控制電晶體TEL_C 之汲極區域在一連接至電流供應區段100之狀態下，該電流供應區段係用 於藉由產生(例如)20伏特的電壓VCC 來控制有機EL發光元件ELP之發光。因而，由此，出現於第二節點ND2 上的一電位會上升。
如上所說明，使元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極進入一浮動狀態且除此之外電容器C1 存在。因而，與所謂靴帶式電路之現象相同的現象出現於元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極處，從而還升高出現於第一節點ND1 上的一電位。由此，在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之間的電位差Vgs 保持在等式(4)所表述的一值下。
此外，隨著出現於第二節點ND2 上的電位增加，超過一表達式(Vth－EL ＋VCat )所代表之一位準，有機EL發光元件ELP便開始發光。此時，從元件驅動電晶體TDrv 之汲極區域流動至元件驅動電晶體TDrv 之源極區域的汲極電流Ids 正在流過有機EL發光元件ELP。因而，流過有機EL發光元件ELP之汲極電流Ids 可表述為等式(1)。基於等式(1)至(4)，等式(1)可修改成如下給出的等式(5)： Ids ＝k * u *(VSig －VOfs －△V)2 ………(5)
因而，若電壓VOfs 係設定在(例如)0伏特，則流過有機EL發光元件ELP之汲極電流Ids 與作為從用於控制有機EL發光元件ELP之亮度之視訊信號VSig 之值中減去基於元件驅動電晶體TDrv 之遷移率μ之電位校正值△V之結果所獲得之一差異的平方成比例。如更早先所說明，電位校正值△V係用於校正出現於充當元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之第 二節點ND2 上電位的一值。換言之，流過有機EL發光元件ELP之汲極電流Ids 不取決於有機EL發光元件ELP之臨界電壓Vth－EL 與元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 。即，作為代表有機EL發光元件ELP所發射之光數量之一量的有機EL發光元件ELP所展現之亮度不受有機EL發光元件ELP之臨界電壓Vth－EL 與元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 影響。因而，第(n、m)個有機EL器件10之亮度係由汲極電流Ids 決定的一量。
此外，元件驅動電晶體TDrv 之遷移率μ越大，電位校正值△V便會越大，並因此在等式(4)左手側說明為代表電位差Vgs 之一量的量越小。因而，即使元件驅動電晶體TDrv 之遷移率μ增加，表達式(VSig －VOfs －△v)2 之值仍會減少。由此，可校正汲極電流Ids 。即，甚至對於運用具有彼此不同遷移率μ之元件驅動電晶體TDrv 的該等有機EL器件10，若相同電壓VSig 係供應至該等有機EL器件10，流過元件驅動電晶體TDrv 之汲極電流Ids 將會彼此相等。由此，可使作為各用於控制有機EL發光元件ELP之亮度之電流的流過運用於該等有機EL器件10內之該等有機EL發光元件ELP之汲極電流Ids 較均勻。即，可排除由於遷移率μ變動所引起以及還由於隨著有機EL發光元件ELP亮度變動係數k變動所引起的變動。
繼續維持該有機EL發光元件ELP之發光狀態，直至第(m＋m'－1)個水平掃描週期。即，有機EL發光元件ELP之發光狀態在週期TP(5)－1 結束時終止。
在週期TP(5)－1 結束時，充當一有機EL器件10的第(n、m)個子像素完成發光操作。
第二具體實施例
一第二具體實施例也實施依據本發明之第一具體實施例之一有機EL顯示裝置以及在該有機EL顯示裝置中用作依據本發明之第一具體實施例之一有機EL器件10的一有機EL器件10。
該第二具體實施例係藉由修改該第一具體實施例而獲得。該第二具體實施例不同於該第一具體實施例，在於在該第二具體實施例之情況下，除了前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之屏蔽電極42外，第二子電晶體TSig_2 進一步具備一第二屏蔽電極43。
圖2還可稱為一概念圖，其顯示依據該第二具體實施例之有機EL顯示裝置。圖8係顯示運用於依據該第二具體實施例之有機EL器件10內之一驅動電路之一等效電路的一圖式。圖9A係顯示代表依據該第二具體實施例之有機EL器件10之一部分之一部分斷面之一模型的一圖式而圖9B對應於圖7A之圖式的一圖式。即，圖9B係顯示在一週期TP(5)7 期間使視訊信號電晶體TSig 進入一截止狀態時在第二通道產生區域34B附近所逐漸形成之狀態之一模型的一圖式。
由依據該第二具體實施例之驅動電路所實施之驅動操作之時序圖與圖4所示之時序圖完全相同。此外，該等電晶體之接通及截止狀態之模型與圖5A至5D及6A至6E所示該等者完全相同。該些聲明也同樣適用於稍後說明的第三至 第八具體實施例。
如圖8及9A所示，在該第二具體實施例之情況下，第二子電晶體TSig_2 具備更早先所說明的第一具體實施例之屏蔽電極42以及第二屏蔽電極43，該第二屏蔽電極透過屏蔽絕緣層40面向第二子電晶體TSig_2 之第二通道產生區域34B之另一面，該屏蔽絕緣層係由第二屏蔽電極43與第二通道產生區域34B之另一面所夾置。為了彼此區分屏蔽電極42與第二屏蔽電極43，在下列說明中，屏蔽電極42也稱為一第一屏蔽電極42。第二屏蔽電極43係透過鑽孔屏蔽絕緣層40所產生之一接觸孔來連接至共用源極/汲極區域35C。如前面所解釋，共用源極/汲極區域35C係一區域，其中第一子電晶體TSig_1 之另一源極/汲極區域與第二子電晶體TSig_2 之特定源極/汲極區域彼此重疊。極類似於第一屏蔽電極42，第二屏蔽電極43還可藉由採用各種一般已知方法之任一者來產生。
除了添加以上說明的第二屏蔽電極43外，依據該第二具體實施例之有機EL顯示裝置之該等組件結構/組態、在該有機EL顯示裝置中用作依據該第二具體實施例之有機EL器件之有機EL器件10與運用於該有機EL器件內的驅動電路均與該第一具體實施例之該等者相同。此外，由運用於依據該第二具體實施例之有機EL器件內之驅動電路所實施之操作以及用以操作該驅動電路之一方法與該第一具體實施例之該等者完全相同。因而不必重複該等操作及該方法之說明以免累贅。
在該第二具體實施例之情況下，除了還包括於該第一具體實施例內的第一屏蔽電極42之效應外，連接至共用源極/汲極區域35C之第二屏蔽電極43還影響第二通道產生區域34B。如上所說明，在一截止狀態下，出現於共用源極/汲極區域35C上的一電位低於出現於第一屏蔽電極42上的一電位。因而，比較該第一具體實施例，第二子電晶體TSig_2 之臨界電壓在一朝向負側之方向偏移的程度相對較低。由此，如先前所說明圖7B中所示的電壓V2 在一方向上偏移至電壓V1 。因此，欲施加至第二閘極電極31B以便使第二子電晶體TSig_2 進入一截止狀態之一電壓之絕對值係小於該第一具體實施例之電壓絕對值。即，可減少一施加至視訊信號寫入電晶體TSig 之閘極電極之信號之振幅至一值，其小於用於該第一具體實施例之振幅。在此情況下，該振幅係在所謂接通電壓與所謂截止電壓之間的一差異。
第三具體實施例
一第三具體實施例也實施依據本發明之第一具體實施例之一有機EL顯示裝置以及在該有機EL顯示裝置中用作依據本發明之第一具體實施例之一有機EL器件10的一有機EL器件10。
該第三具體實施例係也藉由修改該第一具體實施例而獲得。該第三具體實施例不同於該第一具體實施例，在於依據該第三具體實施例，該第一子電晶體TSig_1 進一步具備一第三屏蔽電極44。
圖2還可稱為一概念圖，其顯示依據該第三具體實施例 之有機EL顯示裝置。圖10A係顯示運用於依據該第三具體實施例之有機EL器件10內之一驅動電路之一等效電路的一圖式。圖10B係顯示代表依據該第三具體實施例之有機EL器件10之一部分之一部分斷面之一模型的一圖式。
如圖10A及10B所示，該第三具體實施例不同於該第一具體實施例，在於在該第三具體實施例之情況下，除了前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之第一屏蔽電極42外，第一子電晶體TSig_1 進一步具備一第三屏蔽電極44，其透過屏蔽絕緣層40來面向第一子電晶體TSig_1 之第一(特定)通道產生區域34A之另一面，該屏蔽絕緣層係由第三屏蔽電極44與第一通道產生區域34A之另一面所夾置。第三屏蔽電極44係連接至第一子電晶體TSig_1 之第一(特定)源極/汲極區域35A。更具體而言，在該第三具體實施例中，從連接至第一(特定)源極/汲極區域35A之引線38之一延伸係第三屏蔽電極44。極類似於第一屏蔽電極42，第三屏蔽電極44還可藉由採用各種一般已知方法之任一者來產生。
除了添加以上說明的第三屏蔽電極44外，依據該第三具體實施例之有機EL顯示裝置之該等組件結構/組態、在該有機EL顯示裝置中用作依據該第三具體實施例之有機EL器件之有機EL器件10與運用於該有機EL器件內的驅動電路均與該第一具體實施例之該等者相同。此外，由運用於依據該第三具體實施例之有機EL器件內之驅動電路所實施之操作以及用以操作該驅動電路之一方法與該第一具體實施例之該等者完全相同。因而不必重複該等操作及該方法 之說明以免累贅。
除了先前所解釋之第一具體實施例所展現之效應外，在該第三具體實施例之情況下，第三屏蔽電極44還對第一通道產生區域34A具有與作為該第一具體實施例所展現之效應前面參考圖7A及7B所說明之效應相同的效應。更具體而言，由於視訊信號寫入電晶體TSig 進入一截止狀態在第一通常產生區域34A附近逐漸形成的狀態之一模型可藉由分別使用符號31A、34A及35A替代符號31B、34B及35B來獲得自顯示於圖7A內之模型。在第一通道產生區域34A附近所逐漸形成之狀態之此模型中，還在一部分內產生一空乏層，該部分係作為一靠近共用源極/汲極區域35C之部分而包括於第一通道產生區域34A內，使得其變得使一洩漏電流難以在第一通道產生區域34A與共用源極/汲極區域35C之間流動。
若出現於共用源極/汲極區域35C內的一電位此外由於一電流流過第一通道產生區域34A而變化，則該電位變化之效應將會最終變成在出現於第一節點ND1 上之一電位上的效應。在該第三具體實施例之情況下，會減少該洩漏電流之量值。因而，還可同樣抑制該效應。
第四具體實施例
一第四具體實施例也實施依據本發明之第一具體實施例之一有機EL顯示裝置以及在該有機EL顯示裝置中用作依據本發明之第一具體實施例之一有機EL器件10的一有機EL器件10。
該第四具體實施例係也藉由修改該第一具體實施例而獲得。該第四具體實施例不同於該第一具體實施例，在於在該第四具體實施例之情況下，第一子電晶體TSig_1 進一步具備一第三屏蔽電極44與一第四屏蔽電極45，而第二子電晶體TSig_2 進一步具備一第二屏蔽電極43。
圖2還可稱為一概念圖，其顯示依據該第四具體實施例之有機EL顯示裝置。圖11A係顯示運用於依據該第四具體實施例之有機EL器件10內之一驅動電路之一等效電路的一圖式。圖11B係顯示代表依據該第四具體實施例之有機EL器件10之一部分之一部分斷面之一模型的一圖式。
如圖11A及11B所示，在該第四具體實施例之情況下，第二子電晶體TSig_2 以更早先所說明之第一具體實施例相同的方式具備第一屏蔽電極42以及一第二屏蔽電極43，該第二屏蔽電極透過屏蔽絕緣層40面向第二子電晶體TSig_2 之第二通道產生區域34B之另一面，該屏蔽絕緣層係由第二屏蔽電極43與第二通道產生區域34B之另一面所夾置。此外，第一子電晶體TSig_1 以與該第三具體實施例相同的方式具備第三屏蔽電極44以及一第四屏蔽電極45，該第四屏蔽電極還透過屏蔽絕緣層40來面向第一子電晶體TSig_1 之第一通道產生區域34A之另一面，該屏蔽絕緣層係由第四屏蔽電極45與第一通道產生區域34A之另一面所夾置。第二屏蔽電極43與第四屏蔽電極45係連接至共用源極/汲極區域35C，如前面所解釋，其係一區域，其中第一子電晶體TSig_1 之另一源極/汲極區域與第二子電晶體TSig_2 之特 定源極/汲極區域彼此重疊。第三屏蔽電極44係連接至第一子電晶體TSig_1 之第一(特定)源極/汲極區域35A。
第二屏蔽電極43之該等連接及結構與該第二具體實施例中的該等者相同。另一方面，第三屏蔽電極44之該等連接及結構與該第三具體實施例中的該等者相同。
第四屏蔽電極45係以與第二屏蔽電極43相同的方式來連接至視訊信號寫入電晶體TSig 之共用源極/汲極區域35C。極類似於第一屏蔽電極42，第四屏蔽電極45還可藉由採用各種一般已知方法之任一者來產生。
除了添加第二屏蔽電極43外，以上所說明的第三屏蔽電極44與第四屏蔽電極45、依據該第四具體實施例之有機EL顯示裝置之該等組件結構/組態、在該有機EL顯示裝置中用作依據該第四具體實施例之有機EL器件之有機EL器件10與運用於該有機EL器件內的驅動電路均與該第一具體實施例之該等者相同。此外，由運用於依據該第四具體實施例之有機EL器件內之驅動電路所實施之操作以及用以操作該驅動電路之一方法與該第一具體實施例之該等者完全相同。因而不必重複該等操作及該方法之說明。
在該第四具體實施例中第二子電晶體TSig_2 之組態與前面所解釋之第二具體實施例中的第二子電晶體TSig_2 完全相同。此外，在第四具體實施例中第一子電晶體TSig_1 之組態還與第二具體實施例中第二子電晶體TSig_2 完全相同。因而，第一子電晶體TSig_1 之臨界電壓在一朝向負側之方向偏移的程度相對較低。因此，極類似於更早先所說 明之第二具體實施例，可減少一施加至視訊信號寫入電晶體TSig 之閘極電極之信號之振幅至一值，其小於用於該第一具體實施例之振幅。
第五具體實施例
稍後說明的一第五具體實施例、第六至第八具體實施例與也稍後說明的一第十具體實施例之各具體實施例實施依據本發明之第二具體實施例之一有機EL顯示裝置與在該有機EL顯示裝置中用作依據本發明之第二具體實施例之一有機EL器件10之一有機EL器件10。應注意，為了易於分別比較第五至第八具體實施例與第一至第四具體實施例，假定在該些具體實施例中該等驅動電路之各驅動電路運用五個電晶體與一電容器來解釋該等第五至第八具體實施例之各具體實施例。
圖2還可稱為一概念圖，其顯示依據該第五具體實施例之有機EL顯示裝置。圖12A係顯示運用於依據該第五具體實施例之有機EL器件10內之一驅動電路之一等效電路的一圖式。圖12B係顯示一模型的一圖式，該模型代表一部分之一部分斷面，該部分包括運用於依據該第五具體實施例之有機EL器件10內的第一節點初始化電晶體TND1 。包括於運用於該第五具體實施例之有機EL器件10內之驅動電路內的第一節點初始化電晶體TND1 具有與前面所解釋之第一具體實施例之視訊信號寫入電晶體TSig 相同的結構。
如圖12A所示，在視訊信號寫入電晶體TSig 中，(B－1)提供於視訊信號寫入電晶體TSig 之一特定側上作 為電晶體TSig 之特定源極/汲極區域的一源極/汲極區域係連接至該等資料線DTL之一者；(B－2)提供於視訊信號寫入電晶體TSig 之另一側上作為電晶體TSig 之另一源極/汲極區域的一源極/汲極區域係連接至元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與電容器C1 之另一電極，從而形成一第一節點ND1 ；以及(B－3)視訊信號寫入電晶體TSig 之閘極電極係連接至該等掃描線SCL之一者。
在該等第六至第八具體實施例與該第十具體實施例(稍後說明)中視訊信號寫入電晶體TSig 之連接與該第五具體實施例中的以上連接相同。
如圖12B所示，在該第五具體實施例中組成該驅動電路的該等電晶體與電容器C1 係產生於一支撐主體20上而有機EL發光元件ELP係產生於運用於該驅動電路內的該等電晶體與該電容器上，由一層間絕緣層46等將該等電晶體與該電容器分開。關於該等電晶體、電容器C1 與該有機EL發光元件ELP之產生，稍後說明的該等第六至第八具體實施例及該第十具體實施例與該第五具體實施例相同。應注意，圖12B之斷面以及稍後說明的圖13B、14B及15B之斷面各僅顯示第一節點初始化電晶體TND1 。此係因為除了第一節點初始化電晶體TND1 外的該等電晶體係提供於隱藏位置處，使得看不見該些其他電晶體。
如圖12A中所示，該驅動電路運用第一節點初始化電晶體TND1 。第一節點初始化電晶體TND1 包括一半導體層133 以及源極/汲極區域與在該等源極/汲極區域之間的一通道產生區域。該等源極/汲極區域與該通道產生區域係產生於半導體層133上。如圖12A及12B中所示，在該第五具體實施例中，第一節點初始化電晶體TND1 具有一雙閘極結構，其包括一第一子電晶體TND1_1 與一第二子電晶體TND1_2 。第一子電晶體TND1_1 包括一第一閘極電極131A、一第一源極/汲極區域135A及一第一通道產生區域134A。相似地，第二子電晶體TND1_2 包括一第二閘極電極131B、一第二源極/汲極區域135B及一第二通道產生區域134B。此外，第一子電晶體TND1_1 與第二子電晶體TND1_2 共享一共用源極/汲極區域135C以用作第一子電晶體TND1_1 與第二子電晶體TND1_2 所共用的一源極/汲極區域。如圖12B中所示，第一通道產生區域134A係提供於第一源極/汲極區域135A與共用源極/汲極區域135C之間，而第二通道產生區域134B係提供於共用源極/汲極區域135C與第二源極/汲極區域135B之間。稍後說明的該等第六至第八具體實施例之該等組態與以上說明為該第五具體實施例之組態的組態完全相同。
如圖12B所示，第一源極/汲極區域135A、第二源極/汲極區域135B及共用源極/汲極區域135C之各區域係提供於於半導體層133上的一區域。共用源極/汲極區域35C係一區域，其中第一節點初始化電晶體TND1 之另一源極/汲極區域與第二節點初始化電晶體TND2 之特定源極/汲極區域彼此重疊。第一子電晶體TND1_1 之第一(特定)源極/汲極區域 135A係連接至一第一節點初始化電壓供應線PSND1 ，其在圖12B中顯示為一引線138。第二子電晶體TND1_2 之第二(另一)源極/汲極區域135B係連接至第一節點ND1 。更具體而言，第二子電晶體TND1_2 之第二(另一)源極/汲極區域135B係連接至第一節點ND1 ，其係圖12B所示之電容器C1 之另一電極36。因而，第二子電晶體TND1_2 之第二(另一)源極/汲極區域135B實質上也係第一節點ND1 。第一子電晶體TND1_1 之第一閘極電極131A與第二子電晶體TND1_2 之第二閘極電極131B係連接至一第一節點電晶體控制線AZND1 。第一子電晶體TND1_1 之第一閘極電極131A透過一閘極絕緣層132面向第一子電晶體TND1_1 之第一通道產生區域134A之一特定面，該閘極絕緣層係由第一閘極電極131A與第一通道產生區域134A之特定面所夾置。相似地，第二子電晶體TND1_2 之第二閘極電極131B透過閘極絕緣層132面向第二子電晶體TND1_2 之第二通道產生區域134B之一特定面，該閘極絕緣層係由第二閘極電極131B與第二通道產生區域134B之特定面所夾置。以上作為該第一具體實施例之說明所給出的說明也同樣適用於稍後說明的該等第六至第八具體實施例及該第十具體實施例。
第二子電晶體TND1_2 具備一屏蔽電極142，其透過一屏蔽絕緣層140來面向第二子電晶體TND1_2 之第二通道產生區域134B之另一面，該屏蔽絕緣層係由屏蔽電極142與第二通道產生區域134B之另一面所夾置。屏蔽電極142係連接至第二子電晶體TND1_2 之第二(另一)源極/汲極區域135B。更 具體而言，在該第五具體實施例中，從連接至第二(另一)源極/汲極區域135B之一引線141之一延伸係屏蔽電極142。稍後說明的該等第六至第八具體實施例之該等組態與以上說明為該第五具體實施例之組態的組態完全相同。
應注意，其他電晶體(包括元件驅動電晶體TDrv )之各電晶體還具有一組態，其以與以上所說明者相同的方式包括一半導體層、一閘極絕緣膜與一閘極電極。此外，在稍後說明的該第六至第八具體實施例及該第十具體實施例中該等其他電晶體之各電晶體具有與該第五具體實施例中該等其他電晶體之各電晶體相同的組態。
運用於該第五具體實施例中的電容器C1 可在與前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之電容器C1 之解釋相同的說明中加以解釋，除了使用一閘極絕緣層132來替代在該解釋中的閘極絕緣層32外。因而，為了避免累贅，不提供運用於該第五具體實施例中之電容器C1 之任何說明。關於電容器C1 ，稍後說明的該等第六至第八具體實施例與該第十具體實施例之各具體實施例與該第五具體實施例相同。
用以接通及截止第一節點初始化電晶體TND1 之操作係由出現於第一節點初始化電晶體控制線AZND1 上的信號控制，該控制線係連接至第一初始化電晶體TND1 之該等閘極電極131A及131B。用於初始化第一節點ND1 的一電壓VOfs 係施加至第一節點初始化電壓供應線PSND1 。此說明也同樣適用於稍後說明的該等第六至第八具體實施例及該第十具體實施例。
依據該第五具體實施例之有機EL顯示裝置之該等組件結構/組態、在該有機EL顯示裝置中用作依據該第五具體實施例之有機EL器件之有機EL器件10與運用於該有機EL器件內的驅動電路均與該第一具體實施例之該等者相同。此外，由運用於依據該第五具體實施例之有機EL器件內之驅動電路所實施之操作以及用以操作該驅動電路之一方法與該第一具體實施例之該等者完全相同。因而不必重複該等驅動操作及該驅動方法之說明以免累贅。該第五具體實施例之此說明也同樣適用於稍後說明的該等第六至第八具體實施例及該第十具體實施例之各具體實施例。
當運用於依據該第五具體實施例之有機EL器件之驅動電路內的第一節點初始化電晶體TND1 從一接通狀態轉變至一截止狀態時，會出現一現象。此現象實質上與在該第一具體實施例中針對視訊信號寫入電晶體TSig 更早先所述之現象完全相同。應注意，使第一節點初始化電晶體TND1 進入一接通狀態意味著第一子電晶體TND1_1 與第二子電晶體TND1_2 兩者均進入一接通狀態，而使第一節點初始化電晶體TND1 進入一截止狀態意味著第一子電晶體TND1_1 與第二子電晶體TND1_2 之至少一者進入一截止狀態。即，一出現於共用源極/汲極區域135C內的電位相對於出現於第一子電晶體TND1_1 之第一(特定)源極/汲極區域135A內的一電位與出現於第二子電晶體TND1_2 之另一第二(另一)源極/汲極區域135B內的一電位變成一負側電位。因而，在此狀態下，共用源極/汲極區域135C變成第一子電晶體TND1_1 與第 二子電晶體TND1_2 所共用的源極區域而第一(特定)源極/汲極區域135A變成第一子電晶體TND1_1 之汲極區域，同時第二(另一)源極/汲極區域135B變成第二子電晶體TND1_2 之汲極區域。
因此，如先前在該第一具體實施例之說明中所解釋，屏蔽電極142吸引在第二通道產生區域134B內的載子(在此情況下為電子)。由此，在作為一靠近共用源極/汲極區域135C之部分包括於第二通道產生區域134B內的一部分內產生一空乏層，使得其變得更難以使一洩漏電流在第二通道產生區域134B與共用源極/汲極區域135C之間流動。如上所說明，第二通道產生區域134B係在靠近實質上形成第一節點ND1 之第二(另一)源極/汲極區域135B之側上的一通道產生區域。因而，可有效地抑制隨著累積於電容器C1 內之電荷數量變動出現於第一節點ND1 上的電位變動。
由於隨著一電流電壓特性變化由添加屏蔽電極142所引起之一變化與前面針對該第一具體實施例參考圖7B已說明者相同，故不提供用於該第五具體實施例之此一變化之一說明以免累贅。
運用於圖12A所示之有機EL器件內的視訊信號寫入電晶體TSig 係設計成具有一單閘極結構的一電晶體。然而，應注意，視訊信號寫入電晶體TSig 不必設計成具有一單閘極結構的一電晶體。即，極類似於該等第一至第四具體實施例，運用於依據該第五具體實施例之有機EL器件內的視訊信號寫入電晶體TSig 還可設計成具有一雙間極結構的一電 晶體。極類似於第一至第四具體實施例，運用於依據分別參考圖13A至15B及31稍後所解釋的第六、第七、第八及第十具體實施例之各具體實施例之有機EL器件內的視訊信號寫入電晶體TSig 還可設計成具有一雙閘極結構的一電晶體。
第六具體實施例
該第六具體實施例也實施依據本發明之第二具體實施例之一有機EL顯示裝置以及在該有機EL顯示裝置中用作依據本發明之第二具體實施例之一有機EL器件10的一有機EL器件10。
圖2還可稱為一概念圖，其顯示依據該第六具體實施例之有機EL顯示裝置。圖13A係顯示運用於依據該第六具體實施例之有機EL器件10內之一驅動電路之一等效電路的一圖式。圖13B係顯示一模型的一圖式，該模型代表一部分之一部分斷面，該部分包括運用於依據該第六具體實施例之有機EL器件10內的第一節點初始化電晶體TND1 。包括於運用於該第六具體實施例之有機EL器件10內之驅動電路內的第一節點初始化電晶體TND1 具有與前面所解釋之第二具體實施例之視訊信號寫入電晶體TSig 相同的結構。
如圖13A及13B所示，在該第六具體實施例之情況下，第二子電晶體TND1_2 具備更早先所說明的第五具體實施例之屏蔽電極142以及一第二屏蔽電極143，該第二屏蔽電極透過屏蔽絕緣層140來面向第二子電晶體TND1_2 之第二通道產生區域134B之另一面，該屏蔽絕緣層係由第二屏蔽電極 143與第二通道產生區域134B之另一面所夾置。為了彼此區分屏蔽電極142與第二屏蔽電極143，在下列說明中，屏蔽電極142也稱為一第一屏蔽電極142。第二屏蔽電極143係透過鑽孔屏蔽絕緣層140所產生之一接觸孔來連接至共用源極/汲極區域135C。如前面所解釋，共用源極/汲極區域135C係一區域，其中第一子電晶體TND1_1 之另一源極/汲極區域與第二子電晶體TND1_2 之特定源極/汲極區域彼此重疊。極類似於第一屏蔽電極142，第二屏蔽電極143還可藉由採用各種一般已知方法之任一者來產生。
在該第六具體實施例之情況下，除了還包括於該第五具體實施例內的第一屏蔽電極142之效應外，連接至共用源極/汲極區域135C之第二屏蔽電極143還會影響第二通道產生區域134B。如以上所說明，在一截止狀態下，出現於共用源極/汲極區域135C上的一電位低於出現於第一屏蔽電極142上的一電位。因而，比較該第五具體實施例，極類似於該第二具體實施例，第二子電晶體TND1_2 之臨界電壓在一朝向負側之方向偏移的程度相對較低。由此，極類似於該第二具體實施例，一欲施加至第二閘極電極131B以便使第二子電晶體TND1_2 進入一截止狀態之電壓之絕對值係小於該第五具體實施例之電壓絕對值。即，可減少一施加至第一節點初始化電晶體TND1 之閘極電極之信號之振幅至一值，其小於用於該第五具體實施例之振幅。
第七具體實施例
一第七具體實施例也實施依據本發明之第二具體實施例 之一有機EL顯示裝置以及在該有機EL顯示裝置中用作依據本發明之第二具體實施例之一有機EL器件10的一有機EL器件10。
圖2還可稱為一概念圖，其顯示依據該第七具體實施例之有機EL顯示裝置。圖14A係顯示運用於依據該第七具體實施例之有機EL器件10內之一驅動電路之一等效電路的一圖式。圖14B係顯示一模型的一圖式，該模型代表一部分之一部分斷面，該部分包括運用於依據該第七具體實施例之有機EL器件10內的第一節點初始化電晶體TND1 。包括於運用於依據該第七具體實施例之有機EL器件10內之驅動電路內的第一節點初始化電晶體TND1 具有與前面所解釋之第三具體實施例之視訊信號寫入電晶體TSig 相同的結構。
如圖14A及14B所示，該第七具體實施例不同於該第五具體實施例，在於在該第七具體實施例之情況下，除了運用於該第五具體實施例內的第一屏蔽電極142外，第一子電晶體TND1_1 進一步具備一第三屏蔽電極144，其透過屏蔽絕緣層140來面向第一子電晶體TND1_1 之第一(特定)通道產生區域134A之另一面，該屏蔽絕緣層係由第三屏蔽電極144與第一通道產生區域134A之另一面所夾置。第三屏蔽電極144係連接至第一子電晶體TND1_1 之第一(特定)源極/汲極區域135A。更具體而言，在該第七具體實施例中，從連接至第一(特定)源極/汲極區域135A之引線138之一延伸係第三屏蔽電極144。極類似於第一屏蔽電極142，第三屏蔽電極144還可藉由採用各種一般已知方法之任一者來產 生。
除了先前所解釋之第一具體實施例所展現之效應外，極類似於以上所說明的第三具體實施例，在該第七具體實施例之情況下，第三屏蔽電極144還對第一通道產生區域134A具有與作為該第一具體實施例所展現之效應前面參考圖7A及7B所說明之效應相同的效應。因而，在作為一靠近共用源極/汲極區域135C之部分包括於第一通道產生區域134A內的一部分內產生一空乏層，使得其變得更難以使一洩漏電流在第二通道產生區域134A與共用源極/汲極區域135C之間流動。
若如同該第三具體實施例之情況，出現於共用源極/汲極區域135C內的一電位此外由於一洩漏電流流過第一通道產生區域134A而變化，則該電位變化之效應將會最終變成在出現於第一節點ND1 上之一電位的一效應。在該第七具體實施例之情況下，該洩漏電流之量值會減少。因而，還可同樣抑制該效應。
第八具體實施例
一第八具體實施例亦實施一依據本發明之第二具體實施例之有機EL顯示裝置及一在該有機EL顯示裝置內用作依據本發明之第二具體實施例之一有機EL器件10的有機EL器件10。
圖2亦可稱為一概念圖，其顯示依據該第八具體實施例之有機EL顯示裝置。圖15A係顯示一運用於依據該第八具體實施例之有機EL器件10內之一驅動電路之一等效電路的 圖式。圖15B係一顯示一模型的圖式，該模型代表一部分之一部分斷面，該部分包括運用於依據該第八具體實施例之有機EL器件10內的第一節點初始化電晶體TND1 。包括於運用於該第八具體實施例之有機EL器件10內之驅動電路內的第一節點初始化電晶體TND1 具有與前面所解釋之第四具體實施例之視訊信號寫入電晶體TSig 相同的結構。
如圖15A及15B所示，在該第八具體實施例之情況下，第二子電晶體TND1_2 以之前說明之第五具體實施例相同的方式具備第一屏蔽電極142及一第二屏蔽電極143，該第二屏蔽電極也透過屏蔽絕緣層140面向第二子電晶體TND1_2 之第二通道產生區域134B之另一面，該屏蔽絕緣層係由第二屏蔽電極143與第二通道產生區域134B之另一面夾置。此外，第一子電晶體TND1_1 具備第七具體實施例之第三屏蔽電極144及一第四屏蔽電極145，該第四屏蔽電極也透過屏蔽絕緣層140來面向第一子電晶體TND1_1 之第一通道產生區域134A之另一面，該屏蔽絕緣層係由第四屏蔽電極145與第一通道產生區域134A之另一面夾置。第二屏蔽電極143與第四屏蔽電極145係連接至共用源極/汲極區域135C，如前面所解釋，其係一區域，其中第一子電晶體TND1_1 之另一源極/汲極區域與第二子電晶體TND1_2 之特定源極/汲極區域彼此重疊。第三屏蔽電極144係連接至第一子電晶體TND1_1 之第一(特定)源極/汲極區域135A。
第二屏蔽電極143之該等連接及結構與該第六具體實施例中的該等者相同。另一方面，第三屏蔽電極144之該等 連接及結構與該第七具體實施例中的該等者相同。
第四屏蔽電極145係以與第二屏蔽電極143相同的方式來連接至第一節點初始化電晶體TND1 之共用源極/汲極區域135C。極類似於第一屏蔽電極142，第四屏蔽電極145還可藉由採用各種一般已知方法之任一者來產生。
在該第八具體實施例中第二子電晶體TND1_2 之組態與前面所解釋之第六具體實施例中的第二子電晶體TND1_2 完全相同。此外，在第八具體實施例中第一子電晶體TND1_1 之組態也與該第六具體實施例中第二子電晶體TND1_2 完全相同。因而，第一子電晶體TND1_1 之臨界電壓在一朝向負側之方向偏移的程度相對較低。因此，極類似於更早所說明之第二具體實施例，可減少一施加至第一節點初始化電晶體TND1 之閘極電極之信號之振幅至一值，其小於用於該第五具體實施例之振幅。
第九具體實施例
該第九具體實施例也實施依據本發明之第一具體實施例之有機EL顯示裝置的各種修改形式與在該有機EL顯示裝置內用作依據本發明之第一具體實施例之一有機EL器件10之一有機EL器件10的各種修改形式。
如先前所解釋，運用於依據該第一至第四具體實施例之各具體實施例之有機EL器件中的驅動電路具有五個電晶體與一電容器。圖16係顯示該驅動電路之一第一修改形式之一等效電路之一典型組態的一圖式。如圖中所示，該第一修改形式運用四個電晶體與一電容器。圖21係顯示運用三 個電晶體與一電容器之一第二修改形式之一等效電路之一典型組態的一圖式。圖26係顯示運用兩個電晶體與一電容器之一第三修改形式之一等效電路之一典型組態的一圖式。
在運用於該些修改形式之各形式內的驅動電路中，視訊信號寫入電晶體TSig 可設計成與在該等第一至第四具體實施例之各具體實施例中視訊信號寫入電晶體TSig 之結構相同的結構。然而，為了簡化解釋，在圖16、21及26所示之第一、第二及第三修改形式之各形式之等效電路中，視訊信號寫入電晶體TSig 係設計成與在該第一具體實施例中視訊信號寫入電晶體TSig 之結構相同的結構。不過，在該等修改形式之各形式中視訊信號寫入電晶體TSig 不必設計成與在該第一具體實施例中視訊信號寫入電晶體TSig 之結構相同的結構。如前面所說明，在該第一具體實施例中的視訊信號寫入電晶體TSig 在一靠近第一節點ND1 之側上具有一屏蔽電極。
實施一4Tr/1C驅動電路之第一修改形式 圖16係顯示該第一修改形式之一等效電路之一典型組態的一圖式，其係運用四個電晶體與一電容器的一4Tr/1C驅動電路。圖17係顯示運用該等4Tr/1C驅動電路之一有機EL顯示裝置之一概念圖而圖18顯示該4Tr/1C驅動電路之時序圖。圖19A至19D及圖20A至20D之各圖顯示運用於該4Tr/1C驅動電路內之該等電晶體之接通及截止狀態之一模型。應注意，在圖19A至19D及圖20A至20D中，為了方便 起見，除元件驅動電晶體TDrv 外的所有電晶體各顯示為一單一開關而不論各電晶體是否設計成具有一單閘極結構或一雙閘極結構的一電晶體。
該4Tr/1C驅動電路不包括第一節點初始化電晶體TND1 。即，除了一電容器C1 外，該4Tr/1C驅動電路之組態包括四個電晶體，即一視訊信號寫入電晶體TSig 、元件驅動電晶體TDrv 、一發光控制電晶體TEL_C 及一第二節點初始化電晶體TND2 。
發光控制電晶體TEL_C 由於運用於該4Tr/1C驅動電路內的發光控制電晶體TEL_C 之組態與在該第一具體實施例之說明中前面所解釋之發光控制電晶體TEL_C 相同，故不提供運用於該4Tr/1C驅動電路內之發光控制電晶體TEL_C 之詳細說明以免累贅。
元件驅動電晶體TDrv 由於運用於該4Tr/1C驅動電路內的元件驅動電晶體TDrv 之組態與在該第一具體實施例之說明中前面所解釋之元件驅動電晶體TDrv 相同，故不提供運用於該4Tr/1C驅動電路內之元件驅動電晶體TDrv 之詳細說明以免累贅。
第二節點初始化電晶體TND2 由於運用於該4Tr/1C驅動電路內的第二節點初始化電晶體TND2 之組態與在該第一具體實施例之說明中前面所解釋之第二節點初始化電晶體TND2 相同，故不提供運用於該4Tr/1C驅動電路內之第二節點初始化電晶體TND2 之詳細說明以免累贅。
視訊信號寫入電晶體TSig 由於運用於該4Tr/1C驅動電路內的視訊信號寫入電晶體TSig 之組態與在該第一具體實施例之說明中前面所解釋之視訊信號寫入電晶體TSig 相同，故不提供運用於該4Tr/1C驅動電路內之視訊信號寫入電晶體TSig 之詳細說明以免累贅。如先前在該第一具體實施例之說明中所解釋，視訊信號寫入電晶體TSig 之特定源極/汲極區域係連接至一資料線DTL。然而，在該4Tr/1C驅動電路之情況下，視訊信號輸出電路102不僅供應用於控制有機EL發光元件ELP之亮度的電壓VSig ，而且還透過資料線DTL來供應用於初始化元件驅動電晶體VDrv 之閘極電極至視訊信號寫入電晶體TSig 之特定源極/汲極區域之電壓VOfs 。視訊信號輸出電路102供應兩個不同信號至視訊信號寫入電晶體TSig 引起視訊信號寫入電晶體TSig 不同於前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之視訊信號寫入電晶體TSig 而操作。應注意，除了電壓VSig 與電壓VOfs 外，視訊信號輸出電路102還可透過資料線DTL來供應各種信號及電壓至視訊信號寫入電晶體TSig 之特定源極/汲極區域。除電壓VSig 外的該等信號及電壓包括一用於預充電驅動的信號。
有機EL發光元件ELP 由於運用於該4Tr/1C驅動電路內的有機EL發光元件ELP之組態與前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之有機EL發光元件ELP相同，故不提供運用於該4Tr/1C驅動電路內之有機EL發光元件ELP之詳細說明以免累贅。
該4Tr/1C驅動電路之操作說明如下。
週期TP(4)－1 (參考圖18及19A) 在一週期TP(4)－1 內所實施之一操作係(例如)在緊接前面顯示圖框內執行的一操作。該操作與先前在該第一具體實施例之說明中所解釋之週期TP(5)－1 中所實施之操作相同。
圖18中所顯示的一週期TP(4)0 至一週期TP(4)4 分別對應於圖4中所示的週期TP(5)0 至週期TP(5)4 。該些週期形成一週期序列，其係配置至一操作序列，該操作序列以緊接下一信號寫入程序之前實施的一操作來結束。在週期TP(4)0 至週期TP(4)4 中所執行之該等操作與該第一具體實施例所實施之該等操作相同。更具體而言，在週期TP(4)4 中，作為一規則，第(n、m)個有機EL器件10處於一不發光狀態。然而，該第一修改形式所實施之該等操作不同於該第一具體實施例所執行之該等操作，在於在該第一修改形式之情況下，在該4Tr/1C驅動電路所實施之該等操作中，週期TP(4)5 與週期TP(4)6 以及週期TP(4)2 至週期TP(4)4 均包括於圖18所示之第m個水平掃描週期內。應注意，為了使簡化下列解釋，週期TP(4)2 之開始與週期TP(4)6 之結束分別與第m個水平掃描週期之開始及結束相一致。
週期TP(4)0 至週期TP(4)4 之各週期解釋如下。應注意，如前面在該第一具體實施例之說明中所解釋，可依據該有機EL顯示裝置之設計來適當設定週期TP(4)1 之開始以及該等週期TP(4)1 至TP(4)4 之各週期之長度。
週期TP(4)0 週期TP(4)0 係配置(例如)至為目前顯示圖框所實施之一操作的一週期。該等操作與前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之週期TP(5)0 中所實施之操作相同。
週期TP(4)1 (參考圖19B) 週期TP(4)1 對應於前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之週期TP(5)1 。在週期TP(4)1 中，實施用於執行稍後說明之一臨界電壓消除程序的預處理。即，在週期TP(4)1 結束時，驅動第二節點初始化電晶體控制電路105以便設定一第二節點初始化電晶體控制線AZND2 在一高位準，從而使第二節點初始化電晶體TND2 處於一接通狀態。由此，一出現於第二節點ND2 上之電位變成(例如)－10伏特的電壓VSS 。此外，出現於充當元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極之第一節點ND1 (處於一浮動狀態下)的一電位也下降以跟隨出現於第二節點ND2 上的一電位之一降低。應注意，在週期TP(4)1 期間出現於第一節點ND1 上的電位受在週期TP(4)－1 期間出現於第一節點ND1 上的電位影響且在週期TP(4)－1 期間出現於第一節點ND1 上的電位係由在緊接前面圖框中所產生之電壓VSig 之量值所決定。因而，在週期TP(4)1 期間出現於第一節點ND1 上的電位並非一恒定位準。
週期TP(4)2 (參考圖19C) 接著，在隨後週期TP(4)2 中，驅動視訊信號輸出電路102以便設定出現於資料線DTL上之一電位在(例如)0伏特的電壓VOfs 下，而驅動掃描電路101以便設定出現於掃描線SCL上的一電位在一高位準以便使視訊信號寫入電晶體 TSig 進入一接通狀態。由此，出現於第一節點ND1 上的電位變得等於(例如)0伏特的電壓VOfs 。另一方面，出現於第二節點ND2 上的電位維持在(例如)－10伏特的電壓VSS 。隨後，驅動第二節點初始化電晶體控制電路105以便設定一第二節點初始化電晶體控制線AZND2 在一低位準下以便使第二節點初始化電晶體TND2 處於一截止狀態。
應注意，在週期TP(4)1 開始的同時或在週期TP(4)1 中的一點，可使視訊信號寫入電晶體TSig 進入一接通狀態。
由於以上說明的操作，在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之間的一電位差係設定在至少等於元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 的一電壓，從而使元件驅動電晶體TDrv 進入一接通狀態。
週期TP(4)3 (參考圖19D) 接著，在週期TP(4)2 期間，實施一臨界電壓消除程序。即，原樣維持視訊信號寫入電晶體TSig 之接通狀態，驅動發光控制電晶體控制電路103以便升高一發光控制電晶體控制線CLEL_C 至一高位準。發光控制電晶體控制線CLEL_C 升高至一高位準使發光控制電晶體TEL_C 進入一接通狀態。由此，即使出現於第一節點ND1 上的一電位不會改變，維持在0伏特的電壓VOfs ，出現於第二節點ND2 上的一電位在一方向上仍會變成一電位，其等於作為從出現於第一節點ND1 上的一電位中減去元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 之一結果所獲得的一差異。即，出現於處於一浮動狀態之第二節點ND2 上的一電位會上升。接著，隨著在元件驅動 電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之間的電位差到達元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth ，使元件驅動電晶體TDrv 進入一截止狀態。更具體而言，出現於處於一浮動狀態之第二節點ND2 上的電位靠近一電壓差(VOfs －Vth )＝－3伏特並最終變得等於電壓差(VOfs －Vth )。在此情況下，若判定更早給出的等式(2)之有效性，或換言之，若預先選擇並決定滿足等式(2)的一電位，則有機EL發光元件ELP絕不會發光。
在週期TP(4)3 中，出現於第二節點ND2 上的電位最終變得等於電壓差(VOfs －Vth )。明確而言，僅取決於元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 以及用於初始化元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極的電壓VOfs ，決定出現於第二節點ND2 上的電位。換言之，出現於第二節點ND2 上的電位不取決於有機EL發光元件ELP之臨界電壓Vth－EL 。
週期TP(4)4 (參考圖20A) 在隨後週期TP(4)4 期間，原樣維持視訊信號寫入電晶體TSig 之接通狀態，驅動發光控制電晶體控制電路103以便設定發光控制電晶體控制線CLEL_C 至一低位準以便使發光控制電晶體TEL_C 進入一截止狀態。由此，出現於第一節點ND1 上的電位不會變化而仍維持在0伏特的電壓VOfs 且出現於在一浮動狀態下之第二節點ND2 上的電位實質上也不會變化而仍維持在－3伏特的電壓差(VOfs －Vth )。實際上，出現於處於一浮動狀態下之第二節點ND2 上的電位由於在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之源極 區域之間的寄生電容Cgs 之一耦合效應等而變化。不過，通常可忽略出現於第二節點ND2 上之電位之變化。
接著，說明一週期TP(4)5 至一週期TP(4)7 之各週期。在週期TP(4)5 至一週期TP(4)7 內所實施之操作與在週期TP(5)5 至週期TP(5)7 內所執行之該等操作(先前在該第一具體實施例之說明已解釋)基本上完全相同。
週期TP(4)5 (參考圖20B) 在隨後週期TP(4)5 中，實施用於元件驅動電晶體TDrv 的一信號寫入操作。更具體而言，原樣維持視訊信號寫入電晶體TSig 之接通狀態以及第二節點初始化電晶體TND2 及發光控制電晶體TEL_C 之截止狀態，驅動視訊信號輸出電路102以便將出現於資料線DTL上的一電位從電壓VOfs 改變至用於控制有機EL發光元件ELP之亮度的視訊信號VSig 。由此，出現於第一節點ND1 上的電位上升至電壓VSig 。應注意，視訊信號寫入電晶體TSig 還可曾經截止。接著，原樣維持視訊信號寫入電晶體TSig 、第二節點初始化電晶體TND2 及發光控制電晶體TEL_C 之截止狀態，驅動視訊信號輸出電路102以便將出現於資料線DTL上的一電位改變至用於控制有機EL發光元件ELP之亮度的視訊信號VSig 。隨後，原樣維持第二節點初始化電晶體TND2 與發光控制電晶體TEL_C 之截止狀態，設定掃描線SCL在一高位準下以便使視訊信號寫入電晶體TSig 重新進入一接通狀態。
因而，如前面在該第一具體實施例之說明中所解釋，由前面所給出之等式(3)所表述的一值可作為在充當元件驅動 電晶體TDrv 之閘極電極的第一節點ND1 與充當元件驅動電晶體TDrv 之源極區域的第二節點ND2 之間的一電位差Vgs 來獲得。
即，還在該4Tr/1C驅動電路之情況下，作為針對元件驅動電晶體TDrv 所實施之信號寫入程序之一結果所獲得的電位差Vgs 係僅取決於用於控制有機EL發光元件ELP之亮度的電壓VSig 、元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 以及用於初始化元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極的電壓VOfs 。此外，電位差Vgs 不取決於有機EL發光元件ELP之臨界電壓Vth－EL 。
週期TP(4)6 (參考圖20C) 在隨後週期TP(4)6 中，實施一遷移率校正程序。該遷移率校正程序係用於基於元件驅動電晶體TDrv 之遷移率μ之量值來校正出現於充當元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之第二節點ND2 上之電位的一程序。更具體而言，該遷移率校正程序與前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之週期TP(5)6 中所實施的程序完全相同。此外，較佳的係在設計有機EL顯示裝置時作為一設計值預先決定週期TP(4)6 之整個長度t0 ，其係實施該遷移率校正程序所耗費之時間週期。
週期TP(4)7 (參考圖20D) 在以上所說明之該等操作執行結束時，完成該臨界電壓消除程序、該信號寫入程序及該遷移率校正程序。接著，實施與前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之週期 TP(5)7 中所實施之程序相同的程序。由此，出現於第二節點ND2 上的一電位上升，超過一位準(Vth－EL ＋VCat )。因而，有機EL發光元件ELP開始發光。此時，流過有機EL發光元件ELP之一汲極電流Ids 可表述為等式(5)。因而，流過有機EL發光元件ELP之汲極電流Ids 不取決於有機EL發光元件ELP之臨界電壓Vth－EL 與元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 。即，作為代表有機EL發光元件ELP所發射之光數量之一量的有機EL發光元件ELP所展現之亮度不受有機EL發光元件ELP之臨界電壓Vth－EL 與元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 影響。除此之外，可避免產生隨著汲極電流Ids 變動而元件驅動電晶體TDrv 之遷移率μ變動所引起之電流變動。
繼續維持該有機EL發光元件ELP之發光狀態，直至第(m＋m'－1)個水平掃描週期。即，有機EL發光元件ELP之發光狀態在週期TP(4)－1 結束時終止。
在週期TP(4)－1 結束時，充當一有機EL器件10的第(n、m)個子像素完成發光操作。
接著，解釋一3Tr/1C驅動電路。
實施一3Tr/1C驅動電路之第二修改形式 圖21係顯示該第二修改形式之一等效電路之一典型組態的一圖式，其係運用三個電晶體與一電容器的一3Tr/1C驅動電路。圖22係顯示運用該等3Tr/1C驅動電路之一有機EL顯示裝置之一概念圖而圖23顯示該3Tr/1C驅動電路之時序圖。圖24A至24D及圖25A至25E之各圖顯示運用於該3Tr/1C驅動電路內之該等電晶體之接通及截止狀態之一模 型。應注意，在圖24A至24D及圖25A至25E中，為了方便起見，除元件驅動電晶體TDrv 外的所有電晶體各顯示為一單一開關而不論各電晶體是否設計成具有一單閘極結構或一雙閘極結構的一電晶體。
該3Tr/1C驅動電路不包括兩個電晶體，即第一節點初始化電晶體TND1 與第二節點初始化電晶體TND2 。即，除了一電容器C1 外，該3Tr/1C驅動電路之組態包括三個電晶體，即一視訊信號寫入電晶體TSig 、元件驅動電晶體TDrv 及一發光控制電晶體TEL_C 。
發光控制電晶體TEL_C 由於運用於該3Tr/1C驅動電路內的發光控制電晶體TEL_C 之組態與前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之發光控制電晶體TEL_C 相同，故不提供運用於該3Tr/1C驅動電路內之發光控制電晶體TEL_C 之詳細說明以免累贅。
元件驅動電晶體TDrv 由於運用於該3Tr/1C驅動電路內的元件驅動電晶體TDrv 之組態與前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之元件驅動電晶體TDrv 相同，故不提供運用於該3Tr/1C驅動電路內之元件驅動電晶體TDrv 之詳細說明以免累贅。
視訊信號寫入電晶體TSig 由於運用於該3Tr/1C驅動電路內的視訊信號寫入電晶體TSig 之組態與前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之視訊信號寫入電晶體TSig 相同，故不提供運用於該3Tr/1C驅動電路內之視訊信號寫入電晶體TSig 之詳細說明以免累 贅。如先前在該第一具體實施例之說明中所解釋，視訊信號寫入電晶體TSig 之源極/汲極區域係連接至一資料線DTL。然而在該3Tr/1C驅動電路之情況下，視訊信號輸出電路102不僅供應用於控制有機EL發光元件ELP之亮度的電壓VSig ，而且還透過資料線DTL來供應用於初始化元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極之電壓VOfs－L 及VOfs－H 至視訊信號寫入電晶體TSig 之特定源極/汲極區域。視訊信號輸出電路102供應三個不同信號至視訊信號寫入電晶體TSig 的事實引起視訊信號寫入電晶體TSig 不同於前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之視訊信號寫入電晶體TSig 而操作。應注意，除了電壓VSig 、VOfs－L 及電壓VOfs－H 外，視訊信號輸出電路102還可透過資料線DTL來供應各種信號及電壓至視訊信號寫入電晶體TSig 之特定源極/汲極區域。除電壓VSig 外的該等信號及電壓包括一用於預充電驅動的信號。該等電壓VOfs－L 及VOfs－H 之典型量值給出如下：VOfs－H ＝大約30伏特VOfs－L ＝大約0伏特然而，應注意，電壓VOfs－L 與電壓VOfs－H 之量值決不限於以上典型值。
在寄生電容CEL 與電容器C1 之電容c1 之間的關係
如稍後所說明，在該3Tr/1C驅動電路中，必需藉由利用資料線DTL來改變出現於第二節點ND2 上的一電位。先前藉由假定有機EL發光元件ELP之寄生電容CEL 之量值cEL 比較電容器C1 之電容c1 以及在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電 極與元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之間寄生電容Cgs 之量值cgs 充分大並藉由不考量隨著出現於充當元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之第二節點ND2 上的一電位變化出現於用作元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極之第一節點ND1 上之一電位變化(VSig －VOfs )所引起之電位變化來說明運用於依據該第一具體實施例之有機EL器件內之驅動電路與該4Tr/1C電路。另一方面，在該3Tr/1C驅動電路之情況下，電容器C1 之電容c1 係設定成一設計值，其大於運用於依據該第一具體實施例之有機EL器件內之驅動電路與該4Tr/1C驅動電路之該等設計值。例如，運用於該3Tr/1C驅動電路內的電容器C1 之電容c1 係設定在一值，其等於大約為寄生電容CEL 之量值cEL 的1/4至1/3倍。因而，比較運用於依據該第一具體實施例之有機EL器件中的驅動電路與該4Tr/1C驅動電路，在該3Tr/1C驅動電路中，出現於充當元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之第二節點ND2 上的電位由於出現於充當元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極之第一節點ND1 上的電位變化而變化至一較高程度。為此原因，下面藉由有意考量隨著出現於第二節點ND2 上之電位變化出現於第一節點ND1 上之電位變化所引起的電位變化來解釋該3Tr/1C驅動電路。應注意，下面還藉由有意考量隨著出現於第二節點ND2 上之電位變化出現於第一節點ND1 上之電位變化所引起的電位變化來在圖23中顯示時序圖。
有機EL發光元件ELP 由於運用於該3Tr/1C驅動電路內的有機EL發光元件ELP 之組態與前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之有機EL發光元件ELP相同，故不提供運用於該3Tr/1C驅動電路內之有機EL發光元件ELP之詳細說明以免累贅。
該3Tr/1C驅動電路之操作說明如下。
週期TP(3)－1 (參考圖23及24A) 在一週期TP(3)－1 內所實施之一操作係(例如)在緊接前面顯示圖框內執行的一操作。實質上，該操作與先前在該第一具體實施例之說明中所解釋之週期TP(5)－1 中所實施之操作相同。
圖23中所顯示的一週期TP(3)0 至一週期TP(3)4 分別對應於圖4中所示的週期TP(5)0 至週期TP(5)4 。該些週期形成一週期序列，其係配置至一操作序列，該操作序列以緊接下一信號寫入程序之前實施的一操作來結束。在週期TP(3)0 至週期TP(3)4 中所執行之該等操作與該第一具體實施例所實施之該等操作相同。更具體而言，在週期TP(3)4 中，作為一規則，第(n、m)個有機EL器件10處於一不發光狀態。然而，由充當該第二修改形式之3Tr/1C驅動電路所實施之操作不同於該第一具體實施例所執行之操作，在於在該第二修改形式之情況下，在該3Tr/1C驅動電路所實施之該等操作中，週期TP(3)5 與週期TP(3)6 以及週期TP(3)1 至週期TP(3)4 均包括於第m個水平週期內，如圖23所示。應注意，為了使簡化下列解釋，週期TP(3)1 之開始與週期TP(3)6 之結束分別與第m個水平掃描週期之開始及結束相一致。
週期TP(3)0 至週期TP(3)4 之各週期解釋如下。應注意，如前面在該第一具體實施例之說明中所解釋，可依據該有機EL顯示裝置之設計來適當設定該等週期TP(3)1 至TP(3)4 之各週期之長度。
週期TP(3)0 (參考圖24B) 週期TP(3)0 係配置至(例如)為緊接前面顯示圖框與目前顯示圖框所實施之一操作的一週期。該等操作與前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之週期TP(5)0 中所實施之操作相同。
週期TP(3)1 (參考圖24C) 接著，在下一週期TP(3)1 中，開始在目前顯示圖框上的第m列之水平掃描週期。在週期TP(3)1 開始時，驅動視訊信號輸出電路102以便在資料線DTL上產生一電位作為用於初始化元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極的一電壓VOfs－H 。接著，驅動掃描電路101以便設定一掃描線SCL在一高位準下以便使視訊信號寫入電晶體TSig 進入一接通狀態。由此，出現於第一節點ND1 上的一電位變得等於電壓VOfs－H 。如先前所解釋，電容器C1 之電容c1 係設定成一設計值，其大於其他驅動電路之該等值。因而，出現於充當元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之第二節點ND2 上的一電位上升。接著，在有機EL發光元件ELP之該等端子之間的一電位差超過有機EL發光元件ELP之臨界電壓Vth_EL ，使有機EL發光元件ELP進入一傳導狀態。然而，出現於充當元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之第二節點ND2 上的電位再次立即 下降至一電壓(Vth－EL ＋VCat )。應注意，在此程序中，該有機EL發光元件ELP可能發光，但由於發光係瞬間的，故不會造成任何問題。同時，一出現於元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極上之電位維持在電壓VOfs－H 。
週期TP(3)2 (參考圖24D) 接著，在下一週期TP(3)2 中，驅動視訊信號輸出電路102以便將出現在資料線DTL的一電位從用於初始化元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極的電壓VOfs－H 變成一電壓VOfs－L 。接著，出現於第一節點ND1 上的一電位變成VOfs－L 。由此，出現於第一節點ND1 上的一電位降低，從而引起出現於第二節點ND2 上的一電位也同樣下降。即，基於出現於元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極上之電位之變化(VOfs－L －VOfs－H )的一電荷係分佈至電容器C1 之電容c1 、有機EL發光元件ELP之寄生電容CEL 以及在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之間的寄生電容Cgs 。應注意，作為在稍後說明之一週期TP(3)3 中所實施之一操作之一前提條件，出現於第二節點ND2 上之電位應在週期TP(3)2 結束時低於電壓差(VOfs－L －Vth )。電壓VOfs－H 與其他電壓係預先設定在滿足作為此前提條件設定之條件的值。即，藉由實施以上說明的操作，在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之間的電位差變得至少等於元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth ，從而使元件驅動電晶體TDrv 進入一接通狀態。
週期TP(3)3 (參考圖25A) 接著，在週期TP(3)3 期間，實施一臨界電壓消除程序。即，原樣維持視訊信號寫入電晶體TSig 之接通狀態，驅動發光控制電晶體控制電路103以便升高一發光控制電晶體控制線CLEL_C 至一高位準。發光控制電晶體控制線CLEL_C 升高至一高位準使發光控制電晶體TEL_C 進入一接通狀態。由此，即使出現於第一節點ND1 上的一電位不會改變，維持在0伏特的電壓VOfs－L ，出現於第二節點ND2 上的一電位在一方向上仍變成一電位，其等於作為從出現於第一節點ND1 上的一電位中減去元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 之一結果所獲得的一差異。即，出現於處於一浮動狀態之第二節點ND2 上的一電位會上升。接著，隨著在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之間的電位差到達元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth ，使元件驅動電晶體TDrv 進入一截止狀態。更具體而言，出現於處於一浮動狀態之第二節點ND2 上的電位靠近一電壓差(VOfs －Vth )＝－3伏特並最終變得等於電壓差(VOfs －Vth )。在此情況下，若判定更早給出的等式(2)之有效性，或換言之，若預先選擇並決定滿足等式(2)的一電位，則有機EL發光元件ELP絕不會發光。
在週期TP(3)3 中，出現於第二節點ND2 上的電位最終變得等於電壓差(VOfs－L －Vth )。即，僅取決於元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 以及用於初始化元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極的電壓VOfs－L ，決定出現於第二節點ND2 上的電位。換言之，出現於第二節點ND2 上的電位不取決於有機 EL發光元件ELP之臨界電壓Vth_EL 。
週期TP(3)4 (參考圖25B) 在隨後週期TP(3)4 期間，原樣維持視訊信號寫入電晶體TSig 之接通狀態，驅動發光控制電晶體控制電路103以便設定發光控制電晶體控制線CLEL_C 至一低位準以便使發光控制電晶體TEL_C 進入一截止狀態。由此，出現於第一節點ND1 上的電位不會變化而仍維持在0伏特的電壓VOfs－L 且出現於在一浮動狀態下之第二節點ND2 上的電位實質上也不會變化而仍維持在－3伏特的電壓差(VOfs－L －Vth )。
接著，說明一週期TP(3)5 至一週期TP(3)7 之各週期。在週期TP(3)5 至一週期TP(3)7 內所實施之操作與在週期TP(5)5 至週期TP(5)7 內所執行之該等操作(先前在該第一具體實施例之說明已解釋)基本上完全相同。
週期TP(3)5 (參考圖25C) 在隨後週期TP(3)5 中，實施用於元件驅動電晶體TDrv 的一信號寫入操作。更具體而言，原樣維持視訊信號寫入電晶體TSig 之接通狀態以及發光控制電晶體TEL_C 之截止狀態，驅動視訊信號輸出電路102以便將出現於資料線DTL上的一電位在用於控制有機EL發光元件ELP之亮度的視訊信號VSig 。由此，出現於第一節點ND1 上的電位上升至電壓VSig 。應注意，視訊信號寫入電晶體TSig 還可曾經截止。接著，原樣維持視訊信號寫入電晶體TSig 與發光控制電晶體TEL_C 之截止狀態，驅動視訊信號輸出電路102以便將出現於一資料線DTL上的電位設定至用於控制有機EL發光元 件ELP之亮度的視訊信號VSig 。隨後，原樣維持發光控制電晶體TEL_C 之截止狀態，設定掃描線SCL在一高位準下以便使視訊信號寫入電晶體TSig 重新進入一接通狀態。
如上所說明，在週期TP(3)5 中，出現於第一節點ND1 上的電位從電壓VOfs－L 上升至電壓VSig 。因而，若將隨著出現於第二節點ND2 上之一電位變化出現於第一節點ND1 上之電位變化所引起之電位變化考量在內，出現於第二節點ND2 上之電位之變化還會略微上升。即，出現於第二節點ND2 上的電位可表示為一表達式VOfs－L －Vth ＋α *(VSig －VOfs－L )，其中符號α表示在0<α<1之一範圍的一值。α之值係從多個參數來決定，包括電容器C1 之電容c1 與有機EL發光元件ELP之寄生電容CEL 。
因而，如先前在該第一具體實施例之說明中所解釋，在第一節點ND1 與第二節點ND2 之間的一電位差可表示為以下給出的等式(3')。應注意，在第一節點ND1 與第二節點ND2 之間的電位差係在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之間的電位差Vgs 。
即，還在該3Tr/1C驅動電路之情況下，作為針對元件驅動電晶體TDrv 所實施之信號寫入程序之一結果所獲得的電位差Vgs 係僅取決於用於控制有機EL發光元件ELP之亮度的電壓VSig 、元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 以及用於初始化元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極的電壓VOfs_L 。此外，電位差Vgs 不取決於有機EL發光元件ELP之臨界電壓Vth－EL 。 週期TP(3)6 (參考圖25D)
在隨後週期TP(3)6 中，實施一遷移率校正程序。該遷移率校正程序係用於基於元件驅動電晶體TDrv 之遷移率μ之量值來校正出現於充當元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之第二節點ND2 上之電位的一程序。更具體而言，該遷移率校正程序與前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之週期TP(5)6 中所實施的程序完全相同。此外，較佳的係在設計有機EL顯示裝置時作為一設計值預先決定週期TP(3)6 之整個長度t0 ，其係實施該遷移率校正程序所耗費之時間週期。
週期TP(3)7 (參考圖25E) 在以上所說明之該等操作執行結束時，完成該臨界電壓消除程序、該信號寫入程序及該遷移率校正程序。接著，實施與前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之週期TP(5)7 中所實施之程序相同的程序。由此，出現於第二節點ND2 上的一電位上升，超過一位準(Vth－EL ＋VCat )。因而，有機EL發光元件ELP開始發光。此時，流過有機EL發光元件ELP之一汲極電流Ids 可表述為等式(5)。因而，流過有機EL發光元件ELP之汲極電流Ids 不取決於有機EL發光元件ELP之臨界電壓Vth_EL 與元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 。即，作為代表有機EL發光元件ELP所發射之光數量之一量的有機EL發光元件ELP所展現之亮度不受有機EL發光元件ELP之臨界電壓Vth－EL 與元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 影響。除此之外，可避免產生隨著汲極電流Ids 變動 元件驅動電晶體TDrv 之遷移率μ變動所引起之電流變動。
繼續維持該有機EL發光元件ELP之發光狀態，直至第(m＋m'－1)個水平掃描週期。即，有機EL發光元件ELP之發光狀態在週期TP(3)－1 結束時終止。
在週期TP(3)－1 結束時，充當一有機EL器件10的第(n、m)個子像素完成發光操作。
接著，解釋一2Tr/1C驅動電路。
實施一2Tr/1C驅動電路之第三修改形式 圖26係顯示該第三修改形式之一等效電路之一典型組態的一圖式，其係運用兩個電晶體與一電容器的一2Tr/1C驅動電路。圖27係顯示運用該2Tr/1C驅動電路之一有機EL顯示裝置之一概念圖而圖28顯示該2Tr/1C驅動電路之時序圖。圖29A至29F之各圖顯示運用於該2Tr/1C驅動電路內之該等電晶體之接通及截止狀態之一模型。應注意，在圖29A至29F中，為了方便起見，除元件驅動電晶體TDrv 外的所有電晶體各顯示為一單一開關而不論各電晶體是否設計成具有一單閘極結構或一雙閘極結構的一電晶體。
該2Tr/1C驅動電路不包括三個電晶體，即第一節點初始化電晶體TND1 、發光控制電晶體TEL_C 及第二節點初始化電晶體TND2 。即，除了一電容器C1 外，該2Tr/1C驅動電路之組態還包括兩個電晶體，即視訊信號寫入電晶體TSig 與元件驅動電晶體TDrv 。
元件驅動電晶體TDrv 由於運用於該2Tr/1C驅動電路內的元件驅動電晶體TDrv 之組態與前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之元件驅動電晶體TDrv 相同，故不提供運用於該2Tr/1C驅動電路內之元件驅動電晶體TDrv 之詳細說明以免累贅。然而，在該2Tr/1C驅動電路之情況下，元件驅動電晶體TDrv 之汲極區域係連接至電流供應區段100，其產生用於控制有機EL發光元件ELP之亮度的一電壓VCC－H 與用於控制出現於元件驅動電晶體TDrv 之源極區域內之一電位的一電壓VCC－L 。該等電壓VCC－L 及VCC－H 之典型量值給出如下：VCC－H ＝20伏特VCC－L ＝－10伏特然而，應注意，電壓VCC－L 與電壓VCC－H 之量值決不限於以上典型值。還值得注意的係，以上說明也同樣適用於稍後說明的一第十具體實施例。
視訊信號寫入電晶體TSig 由於運用於該2Tr/1C驅動電路內的視訊信號寫入電晶體TSig 之組態與前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之視訊信號寫入電晶體TSig 相同，故不提供運用於該2Tr/1C驅動電路內之視訊信號寫入電晶體TSig 之詳細說明以免累贅。
有機EL發光元件ELP 由於運用於該2Tr/1C驅動電路內的有機EL發光元件ELP之組態與前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之有機EL發光元件ELP相同，故不提供運用於該2Tr/1C驅動電路內之有機EL發光元件ELP之詳細說明以免累贅。
該2Tr/1C驅動電路之操作說明如下。
週期TP(2)－1 (參考圖28及29A) 在一週期TP(2)－1 內所實施之一操作係(例如)在緊接前面顯示圖框內執行的一操作。實質上，該操作與先前在該第一具體實施例之說明中所解釋之週期TP(5)－1 中所實施之操作相同。
圖28中所示的一週期TP(2)0 至一週期TP(2)2 分別對應於圖4中所示的週期TP(5)0 至週期TP(5)4 。該些週期形成一週期序列，其係配置至一操作序列，該操作序列以緊接下一信號寫入程序之前實施的一操作來結束。在週期TP(2)0 至週期TP(2)2 中所執行之該等操作與該第一具體實施例所實施之該等操作相同。更具體而言，在週期TP(2)2 中，作為一規則，第(n、m)個有機EL器件10處於一不發光狀態。然而，由充當該第三修改形式之2Tr/2C驅動電路所實施之操作不同於該第一具體實施例所執行之該等操作，在於在該第三修改形式之情況下，在該2Tr/1C驅動電路所實施之該等操作中，週期TP(2)3 與週期TP(2)1 以及週期TP(2)2 均包括於第m個水平掃描週期內，如圖28所示。應注意，為了簡化下列解釋，週期TP(2)1 之開始與週期TP(2)3 之結束分別與第m個水平掃描週期之開始及結束相一致。
週期TP(2)0 至週期TP(2)2 之各週期解釋如下。應注意，如前面在該第一具體實施例之說明中所解釋，可依據該有機EL顯示裝置之設計來適當設定該等週期TP(2)1 至TP(2)3 之各週期之長度。
週期TP(2)0 (參考圖29B) 週期TP(2)0 係配置至(例如)為緊接前面顯示圖框與目前顯示圖框所實施之操作的一週期。即，此週期TP(2)0 係開始於緊接前面顯示圖框內第(m＋m')個水平掃描週期並結束於目前顯示圖框內第(m－1)個水平掃描週期的一週期。在此週期TP(2)0 中，第(n、m)個有機EL元件10係處於一不發光狀態。在從週期TP(2)－1 轉變至週期TP(2)0 的一點，由電流供應區段100所產生的一電壓從位準VCC－H 切換至位準VCC－L 。由此，出現於充當元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之第二節點ND2 以及有機EL發光元件ELP之陽極電極上的一電位下降至電壓VCC－L ，從而使有機EL發光元件ELP進入一不發光狀態。此外，出現於處於一浮動狀態下之第一節點ND1 上的一電位也會下落以跟隨第二節點ND2 之電位降低。如前面所說明，第一節點ND1 充當元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極。
週期TP(2)1 (參考圖29C) 接著，在下一週期TP(2)1 中，開始在目前顯示圖框上的第m列之水平掃描週期。在週期TP(2)1 開始時，驅動掃描電路101以便設定掃描線SCL在一高位準下以便使視訊信號寫入電晶體TSig 進入一接通狀態。由此，出現於第一節點ND1 上的一電位變得等於(例如)0伏特的電壓VOfs 。出現於第二節點ND2 上的電位維持在(例如)－10伏特的電壓VCC－L 。
藉由實施以上說明的該等操作，在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之間的電位差上升至至少等於元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 的一 電壓，從而使元件驅動電晶體TDrv 進入一接通狀態。
週期TP(2)2 (參考圖29D) 接著，在週期TP(2)2 期間，實施一臨界電壓消除程序。即，原樣維持視訊信號寫入電晶體TSig 之接通狀態，將由電流供應區段100所產生之一電壓從電壓VCC－L 切換至電壓VCC－H 。由此，即使出現於第一節點ND1 上的一電位不會改變，維持在0伏特的電壓VOfs ，出現於第二節點ND2 上的一電位在一方向上仍會變成一電位，其等於作為從出現於第一節點ND1 上的一電位中減去元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 之一結果所獲得的一差異。即，出現於處於一浮動狀態之第二節點ND2 上的一電位會上升。接著，隨著在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之間的電位差到達元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth ，使元件驅動電晶體TDrv 進入一截止狀態。更具體而言，出現於處於一浮動狀態之第二節點ND2 上的電位靠近一電壓差(VOfs －Vth )＝－3伏特並最終變得等於電壓差(VOfs －Vth )。在此情況下，若判定更早給出的等式(2)之有效性，或換言之，若預先選擇並決定滿足等式(2)的一電位，則有機EL發光元件ELP絕不會發光。
在週期TP(2)2 中，出現於第二節點ND2 上的電位最終變得等於電壓差(VOfs －Vth )。明確而言，僅取決於元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 以及用於初始化元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極的電壓VOfs ，決定出現於第二節點ND2 上的電位。換言之，出現於第二節點ND2 上的電位不取決於有 機EL發光元件ELP之臨界電壓Vth－EL 。
週期TP(2)3 (參考圖29E) 在隨後週期TP(2)3 中，實施一用於元件驅動電晶體TDrv 的信號寫入操作與一遷移率校正程序。該遷移率校正程序係用於基於元件驅動電晶體TDrv 之遷移率μ之量值來校正出現於充當元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之第二節點ND2 上之電位的一程序。更具體而言，原樣維持視訊信號寫入電晶體TSig 之接通狀態，驅動視訊信號輸出電路102以便將出現於資料線DTL上的一電位在用於控制有機EL發光元件ELP之亮度的視訊信號VSig 。由此，出現於第一節點ND1 上的電位上升至電壓VSig ，使元件驅動電晶體TDrv 進入一接通狀態。應注意，視訊信號寫入電晶體TSig 還可曾經截止。接著，出現於一資料線DTL上的電位變成用於控制有機EL發光元件ELP之亮度的視訊信號VSig 。隨後，將該掃描線SCL設定在一高位準以便使視訊信號寫入電晶體TSig 重新進入一接通狀態以便使元件驅動電晶體TDrv 進入一接通狀態。
然而，不同於先前所說明之第一具體實施例，由電流供應區段100所產生之一電壓VCC－H 係施加至元件驅動電晶體TDrv 之汲極區域。因而，出現於元件驅動電晶體TDrv 之源極區域內的一電位會上升。在經過預先決定的一時間週期t0 之後，設定出現於掃描線SCL上的一電位在一較低位準以便使視訊信號寫入電晶體TSig 進入一截止狀態並使充當元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極的第一節點ND1 進入一浮 動狀態。此外，較佳的係在設計該有機EL顯示裝置時作為一設計值預先決定週期TP(2)3 之整個長度t0 ，使得出現於第二節點ND2 上的電位變得等於一電壓(VOfs －Vth ＋△V)。
甚至在週期TP(2)3 中，若元件驅動電晶體TDrv 之遷移率μ較大，則出現於元件驅動電晶體TDrv 之源極區域內之電位之增加△V也會較大。另一方面，若元件驅動電晶體TDrv 之遷移率μ較小，則出現於元件驅動電晶體TDrv 之源極/汲極區域內之一電位之增加△V也會較小。
週期TP(2)4 (參考圖29F) 在以上所說明之該等操作執行結束時，完成該臨界電壓消除程序、該信號寫入程序及該遷移率校正程序。接著，實施與前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之週期TP(5)7 中所實施之程序相同的程序。由此，出現於第二節點ND2 上的一電位上升，超過一位準(Vth－EL ＋VCat )。因而，有機EL發光元件ELP開始發光。此時，流過有機EL發光元件ELP之一汲極電流Ids 可表述為等式(5)。因而，流過有機EL發光元件ELP之汲極電流Ids 不取決於有機EL發光元件ELP之臨界電壓Vth－EL 與元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 。即，作為代表有機EL發光元件ELP所發射之光數量之一量的有機EL發光元件ELP所展現之亮度不受有機EL發光元件ELP之臨界電壓Vth－EL 與元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 影響。除此之外，可避免產生隨著汲極電流Ids 變動元件驅動電晶體TDrv 之遷移率μ變動所引起之電流變動。
繼續維持該有機EL發光元件ELP之發光狀態，直至第 (m＋m'－1)個水平掃描週期。即，有機EL發光元件ELP之發光狀態在週期TP(2)－1 結束時終止。
在週期TP(2)－1 結束時，充當一有機EL器件10的第(n、m)個子像素完成發光操作。
此外，可提供一替代性典型組態，其中配置至以圖26所示2Tr/1C驅動電路所實施之一操作來結束之一操作序列的週期TP(3)3 係劃分成兩個操作，即一子週期TP(3)3 與一子週期TP(3)'3 。如先前所說明，在子週期TP(3)3 中，視訊信號寫入電晶體TSig 曾經截止。接著，出現於一資料線DTL上的電位變成用於控制有機EL發光元件ELP之亮度的視訊信號VSig 。隨後，在子週期TP(3)'3 中，設定該掃描線SCL在一高位準以便使視訊信號寫入電晶體TSig 重新進入一接通狀態並因而使元件驅動電晶體TDrv 進入一接通狀態。在此情況下時序圖如圖30所示。
第十具體實施例
該第十具體實施例實施依據本發明之第二具體實施例之有機EL顯示裝置的各種修改形式與在該有機EL顯示裝置內用作依據本發明之第二具體實施例之一有機EL器件10之一有機EL器件10的各種修改形式。
如先前所解釋，運用於依據該第五至第八具體實施例之各具體實施例之有機EL器件中的驅動電路具有五個電晶體與一電容器。圖31係顯示運用於依據一第十具體實施例之一有機EL器件內之一驅動電路之一等效電路之一典型組態的一圖式，該驅動電路運用三個電晶體與一電容器。
圖31係顯示運用於依據第十具體實施例之一有機EL器件10內之一驅動電路之一等效電路的一圖式而圖32係顯示運用複數個前述有機EL器件之一有機EL顯示裝置的一概念圖。圖33顯示該有機EL器件之時序圖。圖34A至34D及圖35A至35C之各圖顯示運用於該有機EL器件內之該等電晶體之接通及截止狀態的一模型。
比較以上說明的第五至第八具體實施例，運用於依據該第十具體實施例之一有機EL器件中的驅動電路不包括兩個電晶體，即第二節點初始化電晶體TND2 與發光控制電晶體TEL_C 。即，除了一電容器C1 外，依據該第十具體實施例之驅動電路之組態包括三個電晶體，即一視訊信號寫入電晶體TSig 、一元件驅動電晶體TDrv 及一第一節點初始化電晶體TND1 。
在該第十具體實施例中，運用於該驅動電路內的第一節點初始化電晶體TND1 可設計成與運用於先前所解釋之該等第五至第八具體實施例之任一者中第一節點初始化電晶體TND1 相同的組態。例如，運用於作為運用於該第十具體實施例內之驅動電路之一等效電路的圖31所示之等效電路的第一節點初始化電晶體TND1 係設計成與運用於先前參考圖12所解釋之第五具體實施例內之第一節點初始化電晶體TND1 相同的組態。如圖12及31所示，第一節點初始化電晶體TND1 在靠近第一節點ND1 側上具有一屏蔽電極。然而，第一節點初始化電晶體TND1 之組態決不限於運用於該第五具體實施例中之第一節點初始化電晶體TND1 之組態，而仍 可設計成與運用於該第六至第八具體實施例之任一者中所運用之第一節點初始化電晶體TND1 相同的組態。此外，運用於圖31所示之等效物內的視訊信號寫入電晶體TSig 係設計成具有所謂單閘極結構的一電晶體。然而，先前在該第五具體實施例之說明中所解釋，視訊信號寫入電晶體TSig 之組態決不限於該單閘極結構，視訊信號寫入電晶體TSig 還可設計成與運用於前面所說明之第一至第四具體實施例之任一者內之視訊信號寫入電晶體TSig 相同的組態。
基本而言，運用於該第十具體實施例之有機EL器件內之驅動電路之組態係藉由添加一第一節點初始化電晶體TND1 至運用於依據先前參考圖26所解釋之第九具體實施例之有機EL器件中的2Tr/1C驅動電路來獲得。應注意，出於方便起見，在下列說明中，運用於依據該第十具體實施例之有機EL器件內的驅動電路係稱為一第二3Tr/1C驅動電路。
元件驅動電晶體TDrv 由於運用於該3Tr/1C驅動電路內的元件驅動電晶體TDrv 之組態與前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之元件驅動電晶體TDrv 相同，故不提供運用於該第二3Tr/1C驅動電路內之元件驅動電晶體TDrv 之詳細說明以免累贅。然而，在該第二3Tr/1C驅動電路之情況下，元件驅動電晶體TDrv 之汲極區域係連接至一電流供應區段100，其以與該第九具體實施例之第三修改形式相同的方式來產生一電壓VCC－H 與一電壓VCC－L 。由於該等電壓VCC－H 及VCC－L 與該第九具體實施例之第三修改形式之該等形式完全相同，故不提 供該等電壓VCC－H 及VCC－L 之詳細說明以免累贅。
視訊信號寫入電晶體TSig 由於運用於該第二3Tr/1C驅動電路內的視訊信號寫入電晶體TSig 之組態與前面在該第五具體實施例之說明中所解釋之視訊信號寫入電晶體TSig 相同，故不提供運用於該第二3Tr/1C驅動電路內之視訊信號寫入電晶體TSig 之詳細說明以免累贅。
第一節點初始化電晶體TND1 由於運用於該第二3Tr/1C驅動電路內的第一節點初始化電晶體TND1 之組態與前面在該第五及其他具體實施例之說明中所解釋之第一節點初始化電晶體TND1 相同，故不提供運用於該第二3Tr/1C驅動電路內之第一節點初始化電晶體TND1 之詳細說明以免累贅。
有機EL發光元件ELP 由於運用於該第二3Tr/1C驅動電路內的有機EL發光元件ELP之組態與前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之有機EL發光元件ELP相同，故不提供運用於該第二3Tr/1C驅動電路內之有機EL發光元件ELP之詳細說明以免累贅。
該第二3Tr/1C驅動電路之操作說明如下。
週期TP(32 )－1 (參考圖33及34A) 在一週期TP(32 )－1 內所實施之一操作係(例如)在緊接前面顯示圖框內執行的一操作。實質上，該操作與先前在該第一具體實施例之說明中所解釋之週期TP(5)－1 中所實施之操作相同。
圖33中所示的一週期TP(32 )0 至一週期TP(32 )3 分別對應於圖4中所示的週期TP(5)0 至週期TP(5)4 。該些週期形成一週期序列，其係配置至一操作序列，該操作序列以緊接下一信號寫入程序之前實施的一操作來結束。在週期TP(32 )0 至週期TP(32 )3 中所執行之該等操作與該第一具體實施例所實施之該等操作相同。更具體而言，在週期TP(32 )3 中，作為一規則，第(n、m)個有機EL器件10處於一不發光狀態。即，該等週期TP(32 )0 至TP(32 )3 係一週期序列，其具有(例如)從緊接前面顯示圖框之第(m＋m')個水平掃描週期開始伸展至目前顯示圖框之第(m－1)個水平掃描週期結束的一時間段。此外，還可提供一組態，其中該等週期TP(32 )1 至TP(32 )3 係包括於目前顯示圖框之第m個水平掃描週期內。應注意，為了簡化下列說明，一週期TP(32 )4 之開始及結束分別與第m個水平掃描週期之開始及結束相一致。
週期TP(32 )0 至週期TP(32 )3 之各週期解釋如下。應注意，如前面在該第一具體實施例之說明中所解釋，可依據該有機EL顯示裝置之設計來適當設定該等週期TP(32 )1 至TP(32 )4 之各週期之長度。
週期TP(32 )0 (參考圖34B) 週期TP(32 )0 係配置至(例如)為緊接前面顯示圖框與目前顯示圖框所實施之操作的一週期。即，此週期TP(32 )0 係開始於緊接前面顯示圖框內第(m＋m')個水平掃描週期並結束於目前顯示圖框內第(m－1)個水平掃描週期的一週期。在此週期TP(32 )0 中，作為一規則，第(n、m)個有機EL元件10 處於一不發光狀態。在從週期TP(32 )－1 轉變至週期TP(32 )0 的一點，由電流供應區段100所產生的一電壓從一位準VCC－H 切換至一位準VCC－L 。由此，出現於充當元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之第二節點ND2 以及有機EL發光元件ELP之陽極電極上的一電位下落至電壓VCC－L ，從而使有機EL發光元件ELP進入一不發光狀態。此外，出現於處於一浮動狀態下之第一節點ND1 上的一電位也會下降以跟隨第二節點ND2 之一電位之降低。如前面所說明，第一節點ND1 充當元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極。
週期TP(32 )1 (參考圖34C) 在下一週期TP(32 )1 開始時，驅動第一節點初始化電晶體控制電路104以便設定一第一節點初始化電晶體控制線AZND1 在一高位準以便使第一節點初始化電晶體TND1 處於一接通狀態。由此，出現於第一節點ND1 上的一電位變得等於(例如)0伏特的電壓VOfs 。出現於第二節點ND2 上的電位維持在(例如)－10伏特的電壓VCC－L 。
藉由實施以上說明的該等操作，在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之間的電位差上升至至少等於元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 的一電壓，從而使元件驅動電晶體TDrv 進入一接通狀態。
週期TP(32 )2 (參考圖34D) 接著，在週期TP(32 )2 期間，實施一臨界電壓消除程序。即，原樣維持第一節點初始化電晶體TND1 之接通狀態，由電流供應區段100所產生之一電壓從電壓VCC－L 切換至電壓 VCC－H 。由此，即使出現於第一節點ND1 上的一電位不會改變，維持在0伏特的電壓VOfs ，出現於第二節點ND2 上的一電位在一方向上仍變成一電位，其等於作為從出現於第一節點ND1 上的一電位中減去元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 之一結果所獲得的一差異。即，出現於處於一浮動狀態之第二節點ND2 上的一電位會上升。接著，隨著在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之間的電位差到達元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth ，使元件驅動電晶體TDrv 進入一截止狀態。更具體而言，出現於處於一浮動狀態之第二節點ND2 上的電位靠近一電壓差(VOfs －Vth )＝－3伏特並最終變得等於電壓差(VOfs －Vth )。在此情況下，若判定更早給出的等式(3)之有效性，或換言之，若預先選擇並決定滿足等式(3)的一電位，則有機EL發光元件ELP絕不會發光。
在週期TP(32 )2 中，出現於第二節點ND2 上的電位最終變得等於電壓差(Vofs －Vth )。明確而言，僅取決於元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 以及用於初始化元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極的電壓VOfs ，決定出現於第二節點ND2 上的電位。換言之，出現於第二節點ND2 上的電位不取決於有機EL發光元件ELP之臨界電壓Vth－EL 。
週期TP(32 )3 (參考圖35A) 在隨後週期TP(32 )3 中，驅動第一節點初始化電晶體控制電路104以便設定第一節點初始化電晶體控制線AZND1 在一低位準以便使第一節點初始化電晶體TND1 處於一截止狀 態。由此，出現於第一節點ND1 上的電位與出現於第二節點ND2 上的電位實質上不會變化。實際上，該等電位會由於在元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極與元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之間寄生電容Cgs 之一為合效應等而變化。不過，通常可忽略該等電位變化。
週期TP(32 )4 (參考圖35B) 在隨後週期TP(32 )4 中，實施一用於元件驅動電晶體TDrv 的信號寫入操作與一遷移率校正程序。該遷移率校正程序係用於基於元件驅動電晶體TDrv 之遷移率μ之量值來校正出現於充當元件驅動電晶體TDrv 之源極區域之第二節點ND2 上之電位的一程序。更具體而言，驅動視訊信號輸出電路102以便設定出現在一資料線DTL上的一電位在用於控制該有機EL發光元件ELP之亮度上的視訊信號VSig 下。隨後，驅動掃描電路101以便設定該掃描線SCL在一高位準下以便使視訊信號寫入電晶體TSig 進入一接通狀態。由此，出現於第一節點ND1 上的電位上升至電壓VSig ，使元件驅動電晶體TDrv 進入一接通狀態。
不同於先前所說明的第一具體實施例，由電流供應區段100所產生之一電壓VCC－H 係施加至元件驅動電晶體TDrv 之汲極區域。因而，出現於元件驅動電晶體TDrv 之源極區域內的一電位上升。在經過預先決定的一時間週期t0 之後，設定出現於掃描線SCL上的一電位在一較低位準以便使視訊信號寫入電晶體TSig 進入一截止狀態並使充當元件驅動電晶體TDrv 之閘極電極的第一節點ND1 進入一浮動狀態。 此外，較佳的係在設計該有機EL顯示裝置時作為一設計值預先決定週期TP(32 )4 之整個長度t0 ，使得出現於第二節點ND2 上的電位變得等於一電壓(VOrs －Vth ＋△V)。
甚至在週期TP(32 )4 中，若元件驅動電晶體TDrv 之遷移率μ較大，則出現於元件驅動電晶體TDrv 之源極區域內之電位之增加△V也會較大。另一方面，若元件驅動電晶體TDrv 之遷移率μ較小，則出現於元件驅動電晶體TDrv 之源極區域內之電位之增加△V也會較小。
週期TP(32 )5 (參考圖35C) 在以上所說明之該等操作執行結束時，完成該臨界電壓消除程序、該信號寫入程序及該遷移率校正程序。接著，實施與前面在該第一具體實施例之說明中所解釋之週期TP(5)7 中所實施之程序相同的程序。由此，出現於第二節點ND2 上的一電位上升，超過一位準(Vth－EL ＋VCat )。因而，有機EL發光元件ELP開始發光。此時，流過有機EL發光元件ELP之一汲極電流Ids 可表述為等式(5)。因而，流過有機EL發光元件ELP之汲極電流Ids 不取決於有機EL發光元件ELP之臨界電壓Vth－EL 與元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 。即，作為代表有機EL發光元件ELP所發射之光數量之一量的有機EL發光元件ELP所展現之亮度不受有機EL發光元件ELP之臨界電壓Vth－EL 與元件驅動電晶體TDrv 之臨界電壓Vth 影響。除此之外，可避免產生隨著汲極電流Ids 變動元件驅動電晶體TDrv 之遷移率μ變動所引起之電流變動。
繼續維持該有機EL發光元件ELP之發光狀態，直至第 (m＋m'－1)個水平掃描週期。即，有機EL發光元件ELP之發光狀態在週期TP(32 )－1 結束時終止。
在週期TP(32 )－1 結束時，充當一有機EL器件10的第(n、m)個子像素完成發光操作。
以上說明已解釋依據該第十具體實施例之有機EL顯示裝置之組態、在該有機EL顯示裝置內用作依據該第十具體實施例之有機EL器件之有機EL器件10與該第二3Tr/1C驅動電路之組態，該第二3Tr/1C係作為一用於驅動該有機EL器件之一有機EL發光元件ELP之驅動電路而包括於該有機EL器件內。應注意，圖31所示之第二3Tr/1C驅動電路可變成一組態，其額外包括一第二節點初始化電晶體TND2 、一發光控制電晶體TEL_C 或二者。例如，若添加一第二節點初始化電晶體TND2 至該驅動電路，則不再有必要從電流供應區段100供應電壓VCC－L ，而仍可藉由採用與先前在該第一具體實施例之說明中所解釋者相同的方法來施加一初始化電壓至第二節點ND2 。此外，若添加一發光控制電晶體TEL_C 至該第二3Tr/1C驅動電路，則電流供應區段100僅需產生一固定電壓VCC 並藉由採用與先前參考圖24C及24D在該第九具體實施例之第二修改形式之說明中所解釋之驅動方法相同的驅動方法，可施加一初始化電壓至第二節點ND2 。
以上說明藉由說明該等較佳具體實施例來例示本發明然而，應注意，本發明之範疇決不限於該些具體實施例。依據該等具體實施例之各具體實施例之有機EL顯示裝置與運用於該有機EL顯示裝置內之有機EL器件10之該等組態/ 結構係典型組態/結構並因而可加以適當地改變。此外，運用於該等有機EL器件之各器件內的該驅動電路之操作與該驅動電路採用作為一用以驅動該有機EL器件之有機EL發光元件ELP之方法的驅動方法還分別係一典型操作與一典型方法並因而還可同樣加以適當地改變。
10‧‧‧有機EL器件
20‧‧‧支撐主體
21‧‧‧透明基板
31A‧‧‧第一閘極電極
31B‧‧‧第二閘極電極
32‧‧‧閘極絕緣層
33‧‧‧半導體層
34A‧‧‧第一通道產生區域
34B‧‧‧第二通道產生區域
35A‧‧‧源極/汲極區域
35B‧‧‧第二源極/汲極區域
35C‧‧‧共用源極/汲極區域
36‧‧‧電容器C1之另一電極
37‧‧‧電容器C1之特定電極
38‧‧‧引線
39‧‧‧引線
40‧‧‧屏蔽絕緣層
41‧‧‧引線
42‧‧‧第一屏蔽電極
43‧‧‧第二屏蔽電極
44‧‧‧第三屏蔽電極
45‧‧‧第四屏蔽電極
46‧‧‧層間絕緣層
51‧‧‧陽極電極
52‧‧‧第一層
53‧‧‧陰極電極
54‧‧‧第二層間絕緣層
55‧‧‧接觸孔
56‧‧‧接觸孔
100‧‧‧電流供應區段
101‧‧‧掃描電路
102‧‧‧視訊信號輸出電路
103‧‧‧發光控制電晶體控制電路
104‧‧‧第一節點初始化電晶體控制電路
105‧‧‧第二節點初始化電晶體控制電路
131A‧‧‧第一閘極電極
131B‧‧‧第二閘極電極
132‧‧‧閘極絕緣層
133‧‧‧半導體層
134A‧‧‧第一通道產生區域
134B‧‧‧第二通道產生區域
135A‧‧‧第一源極/汲極區域
135B‧‧‧第二源極/汲極區域
135C‧‧‧共用源極/汲極區域
138‧‧‧引線
140‧‧‧屏蔽絕緣層
141‧‧‧引線
142‧‧‧第一屏蔽電極
143‧‧‧第二屏蔽電極
144‧‧‧第三屏蔽電極
145‧‧‧第四屏蔽電極
A1‧‧‧區域
A2‧‧‧區域
A3‧‧‧共用區域
AZND1 ‧‧‧第一節點初始化電晶體控制線
AZND2 ‧‧‧第二節點初始化電晶體控制線
C1 ‧‧‧電容器
CLEL_C ‧‧‧發光控制電晶體控制線
DTL‧‧‧資料線
ELP‧‧‧有機EL發光元件
ND1 ‧‧‧第一節點
ND2 ‧‧‧第二節點
PSND1 ‧‧‧第一節點初始化電壓供應線
PSND2 ‧‧‧第二節點初始化電壓供應線
SCL‧‧‧掃描線
TDrv ‧‧‧元件驅動電晶體
TEL_C ‧‧‧發光控制電晶體
TND1 ‧‧‧第一節點初始化電晶體
TND2 ‧‧‧第二節點初始化電晶體
TSig ‧‧‧視訊信號寫入電晶體
TSig_1 ‧‧‧第一子電晶體
TSig_2 ‧‧‧第二子電晶體
圖1係顯示運用於依據一第一具體實施例之有機EL器件內之一驅動電路之一等效電路的一圖式；圖2係顯示依據該第一具體實施例之一有機EL顯示裝置之一概念圖；圖3係顯示代表依據該第一具體實施例之有機EL器件之一部分之一部分斷面之一模型的一圖式；圖4顯示運用於依據該第一具體實施例之有機EL器件內之驅動電路之時序圖的一模型；圖5A至5D係各顯示依據該第一具體實施例之有機EL器件之一模型作為代表運用於依據該第一具體實施例之有機EL器件之驅動電路內之電晶體之接通及截止狀態之一模型的圖式；充當圖5D之一延續，圖6A至6E係各顯示依據該第一具體實施例之有機EL器件之一模型作為代表運用於依據該第一具體實施例之有機EL器件之驅動電路內之電晶體之接通及截止狀態之一模型的圖式；圖7A係顯示週期TP(5)7 期間使一視訊信號電晶體TSig 進入一截止狀態時在一第二通道產生區域附近所逐漸形成之 狀態之一模型的一圖式；圖7B係顯示隨著一電流電壓特性之一典型變化添加屏蔽電極所引起之一變化之一模型的一圖式；圖8係顯示運用於依據一第二具體實施例之有機EL器件內之一驅動電路之一等效電路的一圖式；圖9A係顯示代表依據該第二具體實施例之有機EL器件之一部分之一部分斷面之一模型的一圖式；充當對應於圖7A的一圖示，圖9B係顯示在一週期TP(5)7 期間使該第二具體實施例中的一視訊信號電晶體TSig 進入一截止狀態時在第二通道產生區域附近所逐漸形成之狀態之一模型的一圖式；圖10A係顯示運用於依據該第三具體實施例之有機EL器件內之一驅動電路之一等效電路的一圖式；圖10B係顯示代表依據該第三具體實施例之有機EL器件之一部分之一部分斷面之一模型的一圖式；圖11A係顯示運用於依據該第四具體實施例之有機EL器件內之一驅動電路之一等效電路的一圖式；圖11B係顯示代表依據該第四具體實施例之有機EL器件之一部分之一部分斷面之一模型的一圖式；圖12A係顯示運用於依據該第五具體實施例之有機EL器件內之一驅動電路之一等效電路的一圖式；圖12B係顯示代表依據該第五具體實施例之有機EL器件之一部分之一部分斷面之一模型的一圖式；圖13A係顯示運用於依據該第六具體實施例之有機EL器 件內之一驅動電路之一等效電路的一圖式；圖13B係顯示代表依據該第六具體實施例之有機EL器件之一部分之一部分斷面之一模型的一圖式；圖14A係顯示運用於依據該第七具體實施例之有機EL器件內之一驅動電路之一等效電路的一圖式；圖14B係顯示代表依據該第七具體實施例之有機EL器件之一部分之一部分斷面之一模型的一圖式；圖15A係顯示運用於依據該第八具體實施例之有機EL器件內之一驅動電路之一等效電路的一圖式；圖15B係顯示代表依據該第八具體實施例之有機EL器件之一部分之一部分斷面之一模型的一圖式；圖16係顯示實施運用於依據一第九具體實施例之一有機EL器件內之一4Tr/1C驅動電路之基本組態之一第一修改形式之一等效電路的一圖式；圖17係顯示運用具有該4Tr/1C驅動電路之有機EL器件之一有機EL顯示裝置的一概念圖；圖18顯示基本上運用四個電晶體與一電容器之4Tr/1C驅動電路之時序圖的一模型；圖19A至19D係各顯示運用該4Tr/1C驅動電路之有機EL器件之一模型作為代表運用於該4Tr/1C驅動電路內之該等電晶體之接通及截止狀態之一模型的圖式；充當圖19D之一延續，圖20A至20D係各顯示運用該4Tr/1C驅動電路之有機EL器件之一模型作為代表運用於該4Tr/1C驅動電路內之該等電晶體之接通及截止狀態之一模 型的圖式；圖21係顯示實施運用於依據該第九具體實施例之一有機EL器件內之一3Tr/1C驅動電路之基本組態之一第二修改形式之一等效電路的一圖式；圖22係顯示運用具有該3Tr/1C驅動電路之有機EL器件之一有機EL顯示裝置的一概念圖；圖23顯示基本上運用三個電晶體與一電容器之3Tr/1C驅動電路之時序圖的一模型；圖24A至24D係各顯示運用該3Tr/1C驅動電路之有機EL器件之一模型作為代表運用於該3Tr/1C驅動電路內之該等電晶體之接通及截止狀態之一模型的圖式；充當圖24D之一延續，圖25A至25E係各顯示運用該3Tr/1C驅動電路之有機EL器件之一模型作為代表運用於該3Tr/1C驅動電路內之電晶體之接通及截止狀態之一模型的圖式；圖26係顯示實施運用於依據該第九具體實施例之一有機EL器件內之一2Tr/1C驅動電路之基本組態之一第三修改形式之一等效電路的一圖式；圖27係顯示運用具有該2Tr/1C驅動電路之有機EL器件之一有機EL顯示裝置的一概念圖；圖28顯示基本上運用兩個電晶體與一電容器之2Tr/1C驅動電路之時序圖的一模型；圖29A至29F係各顯示運用該2Tr/1C驅動電路之有機EL器件之一模型作為代表運用於該2Tr/1C驅動電路內之該等 電晶體之接通及截止狀態之一模型的圖式；圖30顯示代表該2Tr/1C驅動電路之時序圖作為除圖28所示該等時序圖外之時序圖的一模型；圖31係顯示運用於依據一第十具體實施例之一有機EL器件內之一第二3Tr/1C驅動電路之一等效電路的一圖式；圖32係顯示運用具有該第二3Tr/1C驅動電路之有機EL器件之一有機EL顯示裝置的一概念圖；圖33顯示基本上運用三個電晶體與一電容器之第二3Tr/1C驅動電路之時序圖的一模型；圖34A至34D係各顯示運用該第二3Tr/1C驅動電路之有機EL器件之一模型作為代表運用於該第二3Tr/1C驅動電路內之該等電晶體之接通及截止狀態之一模型的圖式；充當圖34D之一延續，圖35A至35C係各顯示運用該第二3Tr/1C驅動電路之有機EL器件之一模型作為代表運用於該第二3Tr/1C驅動電路內之電晶體之接通及截止狀態之一模型的圖式；圖36係顯示運用於一有機EL器件內之一5Tr/1C驅動電路之一等效電路的一圖式；圖37係顯示以上5Tr/1C驅動電路之一典型等效電路的一圖式，其中一視訊信號寫入電晶體TSig 係設計成一雙閘極結構；以及圖38A至38C係各顯示以上5Tr/1C驅動電路之一更詳細組態的圖式。
20‧‧‧支撐主體
21‧‧‧透明基板
3lA‧‧‧第一閘極電極
31B‧‧‧第二閘極電極
32‧‧‧閘極絕緣層
33‧‧‧半導體層
34A‧‧‧第一通道產生區域
34B‧‧‧第二通道產生區域
35A‧‧‧源極/汲極區域
35B‧‧‧第二源極/汲極區域
35C‧‧‧共用源極/汲極區域
36‧‧‧電容器C1 之另一電極
37‧‧‧電容器C1 之特定電極
38‧‧‧引線
39‧‧‧引線
40‧‧‧屏蔽絕緣層
41‧‧‧引線
42‧‧‧第一屏蔽電極
46‧‧‧層間絕緣層
51‧‧‧陽極電極
52‧‧‧第一層
53‧‧‧陰極電極
54‧‧‧第二層間絕緣層
55‧‧‧接觸孔
56‧‧‧接觸孔
TSig_1 ‧‧‧第一子電晶體
TSig_2 ‧‧‧第二子電晶體

Claims (10)

  1. 一種有機電致發光器件，其包含：一有機電致發光發光元件；以及一驅動電路，用於驅動該有機電致發光發光元件，其中該驅動電路包括(A)一元件驅動電晶體，(B)一視訊信號寫入電晶體，及(C)一電容器，其具有一對特定電極與另一電極，關於該元件驅動電晶體，(A－1)提供於該元件驅動電晶體之一特定側上以充當該元件驅動電晶體之一特定源極/汲極區域之一源極/汲極區域係連接至一電流供應區段，及(A－2)提供於該元件驅動電晶體之另一側上以充當該元件驅動電晶體之另外源極/汲極區域之一源極/汲極區域係連接至該有機電致發光發光元件之陽極電極與該電容器之該特定電極，從而形成一第二節點，該視訊信號寫入電晶體係一具有一雙閘極結構的電晶體，其包括一第一子電晶體，其具有一第一通道產生區域及一第一閘極電極，並包括一第二子電晶體，其具有一第二通道產生區域及一第二閘極電極，提供於該第一子電晶體之一特定側上以充當該第一子電晶體之一特定源極/汲極區域之一源極/汲極區域係連接至一資料線，提供於該第二子電晶體之另一側上以充當該第二子電 晶體之另外源極/汲極區域之一源極/汲極區域係連接至該元件驅動電晶體之閘極電極與該電容器之該另一電極，從而形成一第一節點，該第一子電晶體之該第一閘極電極與該第二子電晶體之該第二閘極電極係連接至一掃描線，該第一子電晶體之該第一閘極電極透過一閘極絕緣層來面向該第一子電晶體之該第一通道產生區域之一特定面，該閘極絕緣層係由該第一閘極電極與該第一通道產生區域之該特定面所夾置，該第二子電晶體之該第二極電極透過該閘極絕緣層來面向該第二子電晶體之該第二通道產生區域之一特定面，該閘極絕緣層係由該第二閘極電極與該第二通道產生區域之該特定面所夾置，該第二子電晶體具有一屏蔽電極，其透過一屏蔽絕緣層來面向該第二通道產生區域之另一面，該屏蔽絕緣層係由該屏蔽電極與該第二通道產生區域之該另一面所夾置，及該屏蔽電極係連接至該第二子電晶體之該另一源極/汲極區域。
  2. 如請求項1之有機電致發光器件，其中：該第二子電晶體具有一第二屏蔽電極，其透過一屏蔽絕緣層來面向該第二通道產生區域之該另一面，該屏蔽絕緣層係由該屏蔽電極與該第二通道產生區域之該另一面所夾置；及 該第二屏蔽電極係連接至一共用區域，其中提供於該第一子電晶體之另一側上以充當該第一子電晶體之另外源極/汲極區域之一源極/汲極區域重疊提供於該第二子電晶體之一特定側上以充當該第二子電晶體之一特定源極/汲極區域之一源極/汲極區域。
  3. 如請求項1之有機電致發光器件，其中：該第一子電晶體具有一第三屏蔽電極，其透過一屏蔽絕緣層來面向該第一通道產生區域之另一面，該屏蔽絕緣層係由該第三屏蔽電極與該第二通道產生區域之該另一面所夾置；及該第三屏蔽電極係連接至該第一子電晶體之該特定源極/汲極區域。
  4. 如請求項1之有機電致發光器件，其中：該第二子電晶體進一步具有一第二屏蔽電極，其透過一屏蔽絕緣層來面向該第二通道產生區域之該另一面，該屏蔽絕緣層係由該第二屏蔽電極與該第二通道產生區域之該另一面所夾置；該第一子電晶體具有第三及第四屏蔽電極，其透過一屏蔽絕緣層來面向該第一通道產生區域之另一面，該屏蔽絕緣層係由該第三及第四屏蔽電極與該第一通道產生區域之該另一面所夾置；該第二及第四屏蔽電極係連接至一共用區域，其中提供於該第一子電晶體之另一側上以充當該第一子電晶體之另外源極/汲極區域之一源極/汲極區域重疊提供於該 第二子電晶體之一特定側上以充當該第二子電晶體之一特定源極/汲極區域之一源極/汲極區域；及該第三屏蔽電極係連接至該第一子電晶體之該特定源極/汲極區域。
  5. 一種有機電致發光器件，其包含：一有機電致發光發光元件；及一驅動電路，用於驅動該有機電致發光發光元件，其中該驅動電路包括(A)一元件驅動電晶體，(B)一視訊信號寫入電晶體，(C)一電容器，其具有一對特定電極與另一電極，及(D)一第一節點初始化電晶體，關於該元件驅動電晶體，(A－1)提供於該元件驅動電晶體之一特定側上以充當該元件驅動電晶體之一特定源極/汲極區域之一源極/汲極區域係連接至一電流供應區段，及(A－2)提供於該元件驅動電晶體之另一側上以充當該元件驅動電晶體之另外源極/汲極區域之一源極/汲極區域係連接至該有機電致發光發光元件之陽極電極與該電容器之該特定電極，從而形成一第二節點，關於該視訊信號寫入電晶體，(B－1)提供於該視訊信號寫入電晶體之一特定側上以充當該視訊信號寫入電晶體之一特定源極/汲極區域之一源極/汲極區域係連接至一資料線， (B－2)提供於該視訊信號寫入電晶體之另一側上以充當該視訊信號寫入電晶體之另外源極/汲極區域之一源極/汲極區域係連接至該元件驅動電晶體之閘極電極與該電容器之該另一電極，從而形成一第一節點，及(B－3)該視訊信號寫入電晶體之閘極電極係連接至一掃描線，該第一節點初始化電晶體係一具有一雙閘極結構的電晶體，其包括一第一子電晶體，其具有一第一通道產生區域及一第一閘極電極，並包括一第二子電晶體，其具有一第二通道產生區域及一第二閘極電極，提供於該第一子電晶體之一特定側上以充當該第一子電晶體之一特定源極/汲極區域之一源極/汲極區域係連接至一第一節點初始化電壓供應線，提供於該第二子電晶體之另一側上以充當該第二子電晶體之另外源極/汲極區域之一源極/汲極區域係連接至該第一節點，該第一子電晶體之該第一閘極電極與該第二子電晶體之該第二閘極電極係連接至一第一節點初始化電晶體控制線，該第一子電晶體之該第一閘極電極透過一閘極絕緣層來面向該第一子電晶體之該第一通道產生區域之一特定面，該閘極絕緣層係由該第一閘極電極與該第一通道產生區域之該特定面所夾置，該第二子電晶體之該第二極電極透過該閘極絕緣層來 面向該第二子電晶體之該第二通道產生區域之一特定面，該閘極絕緣層係由該第二閘極電極與該第二通道產生區域之該特定面所夾置，該第二子電晶體具有一屏蔽電極，其透過一屏蔽絕緣層來面向該第二通道產生區域之另一面，該屏蔽絕緣層係由該屏蔽電極與該第二通道產生區域之該另一面所夾置，及該屏蔽電極係連接至該第二子電晶體之該另一源極/汲極區域。
  6. 如請求項5之有機電致發光器件，其中：該第二子電晶體具有一第二屏蔽電極，其透過一屏蔽絕緣層來面向該第二通道產生區域之該另一面，該屏蔽絕緣層係由該屏蔽電極與該第二通道產生區域之該另一面所夾置；及該第二屏蔽電極係連接至一共用區域，其中提供於該第一子電晶體之另一側上以充當該第一子電晶體之另外源極/汲極區域之一源極/汲極區域重疊提供於該第二子電晶體之一特定側上以充當該第二子電晶體之一特定源極/汲極區域之一源極/汲極區域。
  7. 如請求項5之有機電致發光器件，其中：該第一子電晶體具有一第三屏蔽電極，其透過一屏蔽絕緣層來面向該第一通道產生區域之另一面，該屏蔽絕緣層係由該第三屏蔽電極與該第二通道產生區域之該另一面所夾置；以及 該第三屏蔽電極係連接至該第一子電晶體之該特定源極/汲極區域。
  8. 如請求項5之有機電致發光器件，其中：該第二子電晶體進一步具有一第二屏蔽電極，其透過一屏蔽絕緣層來面向該第二通道產生區域之該另一面，該屏蔽絕緣層係由該第二屏蔽電極與該第二通道產生區域之該另一面所夾置；該第一子電晶體具有第三及第四屏蔽電極，其透過一屏蔽絕緣層來面向該第一通道產生區域之另一面，該屏蔽絕緣層係由該第三及第四屏蔽電極與該第一通道產生區域之該另一面所夾置；該第二及第四屏蔽電極係連接至一共用區域，其中提供於該第一子電晶體之另一側上以充當該第一子電晶體之另外源極/汲極區域之一源極/汲極區域重疊提供於該第二子電晶體之一特定側上以充當該第二子電晶體之一特定源極/汲極區域之一源極/汲極區域；及該第三屏蔽電極係連接至該第一子電晶體之該特定源極/汲極區域。
  9. 一種有機電致發光顯示裝置，其包含：(1)一掃描電路；(2)一視訊信號輸出電路；(3)總計M×N個有機電致發光器件，其經佈置以形成一在一第一方向配置的N個該有機電致發光器件與在一不同於該第一方向之第二方向上配置的M個該有 機電致發光器件的二維矩陣；(4)M個掃描線，各連接至該掃描電路，並各在該第一方向上伸展；(5)N個資料線，各連接至該視訊信號輸出電路，並各在該第二方向上伸展；以及(6)一電流供應區段，其中該等有機電致發光器件之各有機電致發光器件包括一有機電致發光發光元件與一用於驅動該有機電致發光發光元件的驅動電路，該驅動電路包括(A)一元件驅動電晶體，(B)一視訊信號寫入電晶體以及(C)一電容器，其具有一對特定電極與另一電極，關於該元件驅動電晶體，(A－1)提供於該元件驅動電晶體之一特定側上以充當該元件驅動電晶體之一特定源極/汲極區域之一源極/汲極區域係連接至該電流供應區段，及(A－2)提供於該元件驅動電晶體之另一側上以充當該元件驅動電晶體之另外源極/汲極區域之一源極/汲極區域係連接至該有機電致發光發光元件之陽極電極與該電容器之該特定電極，從而形成一第二節點，該視訊信號寫入電晶體係一具有一雙閘極結構的電晶體，其包括一第一子電晶體，其具有一第一通道產生區域及一第一閘極電極，並包括一第二子電晶體，其具有 一第二通道產生區域及一第二閘極電極，提供於該第一子電晶體之一特定側上以充當該第一子電晶體之一特定源極/汲極區域之一源極/汲極區域係連接至該等資料線之一者，提供於該第二子電晶體之另一側上以充當該第二子電晶體之另外源極/汲極區域之一源極/汲極區域係連接至該元件驅動電晶體之閘極電極與該電容器之該另一電極，從而形成一第一節點，該第一子電晶體之該第一閘極電極與該第二子電晶體之該第二閘極電極係連接至該等掃描線之一者，該第一子電晶體之該第一閘極電極透過一閘極絕緣層來面向該第一子電晶體之該第一通道產生區域之一特定面，該閘極絕緣層係由該第一閘極電極與該第一通道產生區域之該特定面所夾置，該第二子電晶體之該第二極電極透過該閘極絕緣層來面向該第二子電晶體之該第二通道產生區域之一特定面，該閘極絕緣層係由該第二閘極電極與該第二通道產生區域之該特定面所夾置，該第二子電晶體具有一屏蔽電極，其透過一屏蔽絕緣層來面向該第二通道產生區域之另一面，該屏蔽絕緣層係由該屏蔽電極與該第二通道產生區域之該另一面所夾置，及該屏蔽電極係連接至該第二子電晶體之該另一源極/汲極區域。
  10. 一種有機電致發光顯示裝置，其包含：(1)一掃描電路；(2)一視訊信號輸出電路；(3)總計M×N個有機電致發光器件，其經佈置以形成一在一第一方向配置的N個該有機電致發光器件與在一不同於該第一方向之第二方向上配置的M個該有機電致發光器件的二維矩陣；(4)M個掃描線，各連接至該掃描電路，並各在該第一方向上伸展；(5)N個資料線，各連接至該視訊信號輸出電路，並各在該第二方向上伸展；及(6)一電流供應區段，其中該等有機電致發光器件之各有機電致發光器件包括一有機電致發光發光元件與一用於驅動該有機電致發光發光元件的驅動電路，該驅動電路包括(A)一元件驅動電晶體，(B)一視訊信號寫入電晶體，(C)一電容器，其具有一對特定電極與另一電極，以及(D)一第一節點初始化電晶體，關於該元件驅動電晶體，(A－1)提供於該元件驅動電晶體之一特定側上以充當該元件驅動電晶體之一特定源極/汲極區域之一源極/ 汲極區域係連接至該電流供應區段，及(A－2)提供於該元件驅動電晶體之另一側上以充當該元件驅動電晶體之另外源極/汲極區域之一源極/汲極區域係連接至該有機電致發光發光元件之陽極電極與該電容器之該特定電極，從而形成一第二節點，關於該視訊信號寫入電晶體，(B－1)提供於該視訊信號寫入電晶體之一特定側上以充當該視訊信號寫入電晶體之一特定源極/汲極區域之一源極/汲極區域係連接至該等資料線之一者，(B－2)提供於該視訊信號寫入電晶體之另一側上以充當該視訊信號寫入電晶體之另外源極/汲極區域之一源極/汲極區域係連接至該元件驅動電晶體之閘極電極與該電容器之該另一電極，從而形成一第一節點，及(B－3)該視訊信號寫入電晶體之閘極電極系連接至該等掃描線之一者，該第一節點初始化電晶體係一具有一雙閘極結構的電晶體，其包括一第一子電晶體，其具有一第一通道產生區域及一第一閘極電極，並包括一第二子電晶體，其具有一第二通道產生區域及一第二閘極電極，提供於該第一子電晶體之一特定側上以充當該第一子電晶體之一特定源極/汲極區域之一源極/汲極區域係連接至一第一節點初始化電壓供應線，提供於該第二子電晶體之另一側上以充當該第二子電晶體之另外源極/汲極區域之一源極/汲極區域係連接至 該第一節點，該第一子電晶體之該第一閘極電極與該第二子電晶體之該第二閘極電極係連接至一第一節點初始化電晶體控制線，該第一子電晶體之該第一閘極電極透過一閘極絕緣層來面向該第一子電晶體之該第一通道產生區域之一特定面，該閘極絕緣層係由該第一閘極電極與該第一通道產生區域之該特定面所夾置，該第二子電晶體之該第二極電極透過該閘極絕緣層來面向該第二子電晶體之該第二通道產生區域之一特定面，該閘極絕緣層係由該第二閘極電極與該第二通道產生區域之該特定面所夾置，該第二子電晶體具有一屏蔽電極，其透過一屏蔽絕緣層來面向該第二通道產生區域之另一面，該屏蔽絕緣層係由該屏蔽電極與該第二通道產生區域之該另一面所夾置，及該屏蔽電極係連接至該第二子電晶體之該另一源極/汲極區域。
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