TWI399786B - Excimer lamp - Google Patents

Description

準分子燈

本發明是關於具備二氧化矽玻璃所成的放電容器，在介設有形成該放電容器的二氧化矽玻璃的狀態下設有一對電極所成，而在上述放電容器的內部發生準分子放電的準分子燈。

近年來，開發了例如藉由將波長200nm以下的真空紫外光照射在金屬、玻璃及其他材料所成的被處理體，而藉由該真空紫外光及由此所生成的臭氧的作用來處理被處理體的技術，例如除去附著於被處理體的表面的有機污染物質的洗淨處理技術、或在被處理體的表面形成氧化膜的氧化膜形成處理技術，而被實用化。

作為照射真空紫外光的裝置，使用一種例如藉由準分子放電形成準分子分子，而將利用從該準分子分子所放射的光的準分子燈具備作為光源者，在此種準分子燈中，為了更有效率地放射更高強度的紫外線，實施很多嘗試。

具體上，例如參照第4圖加以說明：記載著具備透射紫外線之由二氧化矽玻璃所成的放電容器51，而在該放電容器51的內側與外側分別設有電極55、56所成的準分子燈50中，在放電容器51之曝露於放電空間S的表面，形成紫外線反射膜20，而作為紫外線反射膜，僅由二氧化矽粒子所成者、及僅由氧化鋁粒子所成者被例示於實施例( 參照專利文獻1)

在該準分子燈50中，在放電容器51的一部分，形成有因未形成有紫外線反射膜20而出射在放電空間S內所發生的紫外線的光出射部58。

依照此種構成的準分子燈50，在放電容器51之曝露於放電空間S的表面設有紫外線反射膜，藉此在設有紫外線反射膜的領域中，發生在放電空間S內的紫外線藉由紫外線反射膜被反射之故，因而不會入射至二氧化矽玻璃，而在構成光出射部58的領域中，紫外線透射二氧化矽玻璃被放射至外部之故，因而基本上，可有效地利用在放電空間S內所發生的紫外線，而且可將構成光出射部58以外的領域的二氧化矽玻璃的紫外線失真所致的損壞抑制成較小，而可防止發生裂痕的情形。

專利文獻1：日本專利第3580233號公報

然而，在具備如上述的紫外線反射膜的準分子燈中，明確可知會發生放電容器的軸方向的照度分布成為不均勻的問題。

本發明是依據如上情形所創作者，其目的在於提供即使長時間被點燈時，也可把紫外線反射膜的反射率降低的程度抑制較小，而且在放電容器的軸方向可得到均勻的照度分布的準分子燈。

本發明的準分子燈，屬於具備備有放電空間之由二氧 化矽玻璃所構成的放電容器，在介設有形成該放電容器的二氧化矽玻璃的狀態下設有一對電極所成，而在上述放電容器的放電空間內發生準分子放電的準分子燈，其特徵為： 在上述放電容器之曝露於放電空間的表面，形成有由二氧化矽粒子與氧化鋁粒子所形成的紫外線反射膜， 上述二氧化矽粒子是其中心粒徑為上述氧化鋁粒子的中心粒徑的0.67倍以上的大小者。

本發明的準分子燈，紫外線反射膜的氧化鋁粒子的含有比率，是上述二氧化矽粒子與氧化鋁粒子的合計的5wt%以上較佳，10wt%以上更佳。

依照本發明的準分子燈，紫外線反射膜是由二氧化矽粒子與氧化鋁粒子所形成，二氧化矽粒子是對於氧化鋁粒子的中心粒徑具有特定大小的中心粒徑者，即使長時間被點燈時，也不會使得粒界消失而被維持之故，因而可有效率地擴散反射真空紫外光而可維持初期反射率，而且可將依二氧化矽粒子與氧化鋁粒子的比重差所致的質量差控制在一定範圍內之故，因而可使形成紫外線反射膜之際被調整的分散液的二氧化矽粒子與氧化鋁粒子的流動性相一致的結果，可使紫外線反射膜形成為均勻地分散著二氧化矽粒子與氧化鋁粒子的狀態者，而對於放電容器的軸方向可得到均勻的照度分布。

第1圖是表示本發明的準分子燈的一例的構成的概略的說明用斷面圖，(a)是表示沿著放電容器的長度方向的斷面的橫斷面圖，(b)是表示(a)的A-A線斷面圖。

該準分子燈10是具備兩端被氣密地封閉而在內部形成有放電空間S的斷面矩形狀的中空長狀的放電容器11，而在該放電容器11的內部，作為放電用氣體，例如被封入有氙氣體、或混合氬與氯的氣體。

放電容器11是由良好地透射真空紫外光的二氧化矽玻璃，例如合成石英玻璃所成，具有作為介電質的功能。

在放電容器11的長邊面的外表面，一對格子狀電極，亦即作為高電壓供給電極而發揮功能的一方電極15及作為接地電極而發揮功能的另一方電極16以朝長度方向延伸的方式作配置，藉由此，作成在一對電極15、16間介設有作為介電質而發揮功能的放電容器11的狀態。

此種電極是例如可藉由將由金屬所成的電極材料糊膏塗佈於放電容器11、或是藉由印刷來形成。

在該準分子燈10中，當點燈電力被供應至一方電極15，則經由作為介電質而發揮功能的放電容器11的壁而在兩電極15、16間生成放電，藉由此，形成有準分子分子，而且從該準分子分子產生放射真空紫外光的準分子放電，惟為了有效率地利用藉由該準分子放電所發生的真空紫外光，在放電容器11的內表面設有由二氧化矽粒子與氧化鋁粒子所形成的紫外線反射膜20。在此，作為放電用氣體使用氙氣體時，則放出在波長172nm具有峰值的真空 紫外線，而作為放電用氣體使用混合氟與氯的氣體時，則放射在波長175nm具有峰值的真空紫外線。

紫外線反射膜20是例如遍及放電容器11的長邊面之作為高電壓供給電極而發揮功能的一方電極15所對應的內表面領域、與連續於該領域的短邊面的內表面領域的一部分而形成，而藉由在放電容器11的長邊面之作為接地電極而發揮功能的另一方電極16的內表面領域未形成有紫外線反射膜20來構成光出射部(孔徑部)18。

紫外線反射膜20的膜厚是例如10~100μm較佳。

紫外線反射膜20是二氧化矽粒子及氧化鋁粒子本身具有備有高折射率的真空紫外光透射性者之故，因而到達至二氧化矽粒子或氧化鋁粒子的真空紫外光的一部分在粒子表面被反射，同時其他的一部分折射而被入射至粒子內部，又被入射於粒子內部的大部分光被透射(一部分被吸收)，而再出射之際被折射的具有重複產生此種反射與折射的「擴散反射」的功能。

又，紫外線反射膜20是由二氧化矽粒子與氧化鋁粒子，亦即陶瓷所構成，具有不會發生不純氣體，又耐於放電的特性。

構成紫外線反射膜20的二氧化矽粒子，是例如可使用將二氧化矽玻璃以粉末狀作成微細粒子者等。

二氧化矽粒子是如下地被定義的粒子徑為例如0.01~20μm的範圍內者，中心粒徑(數平均粒子徑的峰值)為如0.1~10μm者較佳，更佳為0.3~3μm者。

又，具有中心粒徑的二氧化矽粒子的比率為50%以上較佳。

構成紫外線反射膜20的氧化鋁粒子是如下地被定義的粒子徑為例如0.1~10μm的範圍內者，中心粒徑(數平均粒子徑的峰值)為如0.1~3μm者較佳，更佳為0.3~1μm者。

又，具有中心粒徑的氧化鋁粒子的比率為50%以上較佳。

構成紫外線反射膜20的二氧化矽粒子及氧化鋁粒子的「粒子徑」，是指將紫外線反射膜20對於其表面朝垂直方向切剖時的切剖面的厚度方向的大約中間位置作為觀察範圍，藉由掃描型電子顯微鏡(SEM)取得擴大投影像，而以一定方向的兩條平行線夾著該擴大投影像的任意粒子時的該平行線的間隔亦即弗雷特(Feret's)直徑。

如第2圖(a)所示地，具體上，在單獨存在著大約球狀的粒子A及具有粉碎粒子形狀的粒子B等粒子時，將以朝著一定方向[例如紫外線反射膜20的厚度方向(Y軸方向)]延伸的兩條平行線夾著該粒子時的該平行線的間隔作為粒徑DA、DB。

又，針對於具有出發材料的粒子經熔融所接合的形狀的粒子C，如第2圖(b)所示地，針對於被判別為作為出發材料的粒子C1、C2的部分中的球狀部分的各個，測定以朝一定方向[例如紫外線反射膜20的厚度方向(Y軸方向)]延伸的2條平行線相夾時的該平行線的間隔，將 此作為該粒子的粒徑DC1、DC2。

構成紫外線反射膜20的二氧化矽粒子及氧化鋁粒子的「中心粒徑」，是指將針對於如上述所得到的各粒子的粒子徑的最大值與最小值的粒子徑的範圍，例如以0.1μm的範圍分成複數區分，例如15區分左右，屬於各個區分的粒子個數(度數)成為最大的區分的中心值。

二氧化矽粒子及氧化鋁粒子是具有與真空紫外光的波長相同程度的上述範圍的粒子徑者，因此可有效率地擴散反射真空紫外光。

在以上，上述準分子燈10的紫外線反射膜20所含有的氧化鋁粒子的比率，是二氧化矽粒子與氧化鋁粒子的合計的5wt%以上、70wt%以下較佳，又，10wt%以上、70wt%以下更佳。藉由此，即使長時間被點燈時，也可將紫外線反射膜20的反射率的降低程度抑制成較小，而可將準分子燈10的放電容器11的軸方向的照度分布實質上仍可維持在點燈初期時的狀態。

上述準分子燈10的紫外線反射膜20所含有的二氧化矽粒子，是使用其中心粒徑為氧化鋁粒子的中心粒徑的0.67倍以上的大小者，較佳為使用氧化鋁粒子的中心粒徑的0.67倍以上、10倍以下的大小者。

紫外線反射膜是如下述地，例如可藉由「流下法」所形成，惟二氧化矽粒子與氧化鋁粒子的比重不相同之故，因而傾斜放電容器而澄乾過多的塗敷液(分散液)之際，比重輕的二氧化矽粒子是留在上端，而比重重的氧化鋁粒 子是偏在下端的狀態下附著於放電容器，若仍保持該狀態來乾燥、燒成塗敷液而形成紫外線反射膜時，則會產生二氧化矽粒子與氧化鋁粒子的濃度坡度。因此，將二氧化矽粒子的中心粒徑，相對於氧化鋁粒子的粒徑的中心徑，將二氧化矽粒子的中心粒徑作成一定範圍內的大小，藉此可將依二氧化矽粒子與氧化鋁粒子的比重差所致的質量差控制在一定範圍內，可使分散液中的二氧化矽粒子與氧化鋁粒子的流動性相一致，而可均勻地分散二氧化矽粒子與氧化鋁粒子。

此種紫外線反射膜20是可藉由例如被稱為「流下法」的方法來形成。亦即，可在組合水與PEO樹脂(聚乙烯氧化物)之具有黏性的溶劑，混合二氧化矽粒子及氧化鋁粒子來調配分散液，藉由將該分散液流進放電容器11內，附著於放電容器11的內表面的所定領域之後，利用乾燥、燒成，使水與PEO樹脂蒸發，藉此形成紫外線反射膜20。在此，燒成溫度是例如作成500~1100℃。

即使紫外線反射膜為例如藉由流下法所形成時，紫外線反射膜的二氧化矽粒子與氧化鋁粒子的中心粒徑比，作成作為出發材料的粒子狀態的中心粒徑比被保持的狀態，係藉由例如在由二氧化矽玻璃所形成的基材上形成紫外線反射膜後，從基材剝落該紫外線反射膜，藉由表示於以下的方法，測定二氧化矽粒子與氧化鋁粒子的各粒子徑來被確認。

二氧化矽粒子的粒子徑的測定，是可將從基材所剝落 的紫外線反射膜，放進例如85%磷酸與97%硫酸的混酸中，在微波加熱爐使氧化鋁粒子溶解，取出加溫該溶解液使之蒸發所留下的二氧化矽粒子，以純水進行洗淨，經乾燥之後，依據上述方法，利用SEM來進行測定。

又，氧化鋁粒子的粒子徑的測定，是可將從基材所剝落的紫外線反射膜，使用例如47%氫氟酸來使二氧化矽粒子溶解，取出加溫該溶解液而使二氧化矽成分與氫氟酸蒸發所留下的氧化鋁粒子，以純水進行洗淨，經乾燥之後，依據上述方法，利用SEM來進行測定。

形成紫外線反射膜20之際所使用的二氧化矽粒子及氧化鋁粒子的製造，是都可利用固相法、液相法、氣相法的任何方法，惟在此些中，由於可確實地得到次微米、微米尺寸的粒子，因此以氣相法，尤其是化學蒸鍍法(CVD)較佳。

具體上，例如二氧化矽粒子是藉由使氯化矽與氧在900~1000℃起反應，而氧化鋁粒子是藉由使原料的氯化鋁與氧在1000~1200℃加熱反應，就可加以合成，而粒子徑是可藉由控制原料濃度、在反應場的壓力、反應溫度來調整。

一般而言，在準分子燈眾知隨著準分子放電，就發生電漿，惟在如上述構成的準分子燈中，電漿大約直角地入射於紫外線反射膜而施以作用之故，因而紫外線反射膜的溫度會局部急劇上昇，若紫外線反射膜為例如僅由二氧化矽粒子所成者，則藉由電漿的熱，二氧化矽粒子會被熔融 而使粒界消失之故，因而變得無法擴散反射真空紫外光而使反射率降低。

然而，紫外線反射膜20為由二氧化矽粒子與氧化鋁粒子所構成，而二氧化矽粒子是其中心粒徑對於氧化鋁粒子的中心粒徑具有一定範圍內的大小者，藉由此，依照上述構成的準分子燈10，即使被曝露在依電漿所致的熱時，具有比二氧化矽粒子還高融點的氧化鋁粒子並不會熔融之故，因而防止互相鄰接的二氧化矽粒子與氧化鋁粒子以粒子彼此間相結合而被維持粒界，因此即使長時間被點燈時，也可有效率地擴散反射真空紫外光而可將反射率的降低程度抑制成較小，而且在形成紫外線反射膜之際所調配的分散液中，依二氧化矽粒子與氧化鋁粒子的比重差所致的質量差被補償成為控制在一定範圍內的狀態，而可使二氧化矽粒子與氧化鋁粒子的流動性相一致之故，因而可在二氧化矽粒子與氧化鋁粒子均勻地被分散的狀態下形成紫外線反射膜，而對於放電容器的軸方向(藉由例如流下法形成紫外線反射膜時的傾斜方向)可得到均勻的照度分布。

又，氧化鋁粒子是具有比二氧化矽粒子還高折射率之故，因而與僅由二氧化矽粒子所形成的紫外線反射膜相比較，可得到高反射率。

又，由於在被曝露在產生準分子發光的放電空間S的放電容器11的內表面形成有紫外線反射膜20，可減小隨著放電空間S內的真空紫外線被入射於構成光出射部18以外的領域的二氧化矽玻璃的紫外線失真所致的損傷，而 可防止發生裂痕。

以下，將為了確認本發明的效果所進行的實驗例加以說明。

(實驗例1)

依照第1圖的構成，除了紫外線反射膜中的二氧化矽粒子的中心粒徑D1與氧化鋁粒子的中心粒徑D2的比D1/D2依照下述表1被變更以外，製作出具有同一構成的8種類的準分子燈。各準分子燈的基本構成是如下所述。

(準分子燈的構成)

放電容器的尺寸是10×40×900mm，厚度為3mm。

被封入在放電容器內的放電用氣體是氙氣體，而其封入量是50kPa。

高電壓供給電極及接地電極的尺寸是30×800mm。

準分子燈的發光長度是800mm。

構成紫外線反射膜的二氧化矽粒子，是具有中心粒徑的粒子比率為50%者，而氧化鋁粒子，是具有中心粒徑的粒子比率為50%者。

在此，二氧化矽粒子及氧化鋁粒子的粒子徑的測定，是使用日本日立製電場放射型掃描電子顯微鏡「S4100」，將加速電壓設為20kV，而將擴大投影像的觀察倍率，粒子徑為0.1~1μm的粒子設為20000倍，而粒子徑為1~10μm的粒子設為2000倍來進行。

紫外線反射膜是藉由流下法，將燒成溫度作為1100℃所得到者，其膜厚是30μm，而氧化鋁粒子的含有比率為10wt%。

針對於各準分子燈，藉由在電極間的電壓成為10kV的條件下，連續點燈準分子燈1小時以上，使動作狀態穩定之後，在對於光出射方向距3mm的位置的對於發光部間的放電容器的管軸方向的每隔10mm間隔的位置上，測定波長172nm的氙準分子光的照度，而調查出利用[(最小照度)/(最大照度)]×100(%)所表示的相對照度分布。將結果表示於下述表1。

準分子燈的相對照度分布是作為製品的規格被要求為70%以上，惟由以上的結果，依照作為二氧化矽粒子，混合著其中心粒徑為氧化鋁粒子的中心粒徑的0.67倍以上 者而形成有紫外線反射膜的準分子燈1~6，可將相對照度分布作為70%以上，而被確認為對管軸方向可得到均勻的照度分布。

(實驗例2)

製作除了將發光長度作為1600mm以外，具有與在實驗例1所使用者同一的構成的紫外線反射膜的二氧化矽粒子的中心粒徑D1與氧化鋁粒子的中心粒徑D2之比D1/D2依照下述表2被變更的8種類的準分子燈，進行與實驗例1同樣的實驗，調查出各準分子燈的相對照度分布。將結果表示於下述表2。

由以上結果，依照與準分子燈的發光長的大小無關，作為二氧化矽粒子，摻合其中心粒徑為氧化鋁粒子的中心 粒徑的0.67倍以上者而形成有紫外線反射膜的準分子燈9~14，可將相對照度分布作為70%以上，而被確認為對管軸方向可得到均勻的照度分布。

(實驗例3)

將由中心粒徑(D1)為0.3μm的二氧化矽粒子、及中心粒徑(D2)為0.3μm的氧化鋁粒子(D1/D2=1.00)所形成，且氧化鋁粒子的含有比率被變更為0wt%、10wt%、33wt%、50wt%的紫外線反射膜以30μm膜厚形成於平板狀的二氧化矽玻璃製基材上，藉此製作出4種類的試驗片。

又，針對於各試驗片，測定出將紫外線反射膜加熱至1000℃時[在第3圖以一點鏈線表示的直線(1)]、及加熱至1300℃時[在第3圖中以虛線表示的直線(2)]的各個的波長170nm的光的反射光強度。將結果表示於第3圖。在此，紫外線反射膜的加熱溫度的1000℃，是相當於形成紫外線反射膜之際的燒成溫度的溫度，而1300℃是相當於電漿作用於紫外線反射膜時的加熱溫度的溫度。

反射光強度的測定是使用ACTON RESEARCH所製的「VM-502」，首先，針對於未具有紫外線反射膜的基材，取得各波長的散射光的基準值，設置形成有紫外線反射膜的試驗片，針對於各波長測定散射光，將藉由此所得到的各個測定值，以各波長的基準值(未具有紫外線反射膜的基材的測定值)進行除算，得到反射光強度，藉由從各種測定結果抽出特定波長的測定值，而得到波長170nm的 光的反射光強度。

由表示於第3圖的結果可明瞭，紫外線反射膜的氧化鋁粒子的含有比率為0wt%時，亦即，在未含有氧化鋁粒子時，表示被加熱至1000℃時的反射光強度是0.03以上的高值，而被加熱至1300℃時，則反射光強度會大幅度地降低至大約0.01。由此，在實際的準分子燈中，係假想在電漿接觸紫外線反射膜的部位，反射光強度會局部地降低，使得準分子燈的照度分布成為不均勻，當準分子燈長時間被點燈時，則電漿會接觸紫外線反射膜全體，而使反射率降低者。

另一方面，確認了藉由添加氧化鋁粒子，因熱所致的反射率降低是慢慢地被抑制。具體地加以說明如下，在添加氧化鋁粒子10wt%者中，被加熱至1000℃時的反射光強度比僅由二氧化矽粒子所成者的反射光強度還低，例如成為降低至0.023，惟被加熱至1300℃時，則反射光強度為0.017，比未添加氧化鋁粒子時還高，確認了可將因熱所致的紫外線反射膜的反射率降低抑制大約70%。

如此，隨著增加氧化鋁粒子的含有比率，可將因熱所致的紫外線反射膜的反射率降低的程度抑制成較小，例如在添加氧化鋁粒子50wt%者，則被加熱至1000℃時的反射光強度、及被加熱至1300℃時的反射光強度成為一致，確認了可將依熱所致的紫外線反射膜的反射率降低加以抑制。

(實驗例4)

除了在實驗例3中從0wt%到10wt%的範圍內適當地變更氧化鋁粒子的含有比率以外，是與實驗例3同樣，藉由將紫外線反射膜以膜厚30μm形成在平板狀的二氧化矽製基材上來製作複數種試驗片，針對於此所得到的各試驗片，與實驗例3同樣地，測定將紫外線反射膜加熱至1000℃時、及加熱至1300℃時各自的波長170nm的光的反射光強度，藉由此針對於紫外線反射膜的氧化鋁粒子的含有量的影響加以調查。將結果表示於下述表3。在此，氧化鋁粒子的含有比率為0wt%時、及氧化鋁粒子的含有比率為10wt%時的結果，是在上述實驗例3所得到者。

由表示於實驗例4的結果可明瞭，在添加氧化鋁粒子1wt%者中，被加熱至1000℃時的反射光強度比僅由二氧化矽粒子所形成者的反射光強度還低，又，在被加熱至1300℃時，反射光強度為0.012，比未添加氧化鋁粒子時還高，惟可將因熱所致的紫外線反射膜的反射率降低僅抑制大約32%。

對於此，在添加氧化鋁粒子5wt%者中，被加熱至1000℃時的反射光強度比僅由二氧化矽粒子所形成的反射光強度還低，例如降低至0.0235，惟被加熱至1300℃時，反射光強度為0.016，比未添加氧化鋁粒子時還高，確認了可將因熱所致的紫外線反射膜的反射率的降低抑制大約68%。

因此，在實際的準分子燈中，由於紫外線反射膜為添加氧化鋁粒子5wt%以上者，即使準分子燈長時間被點燈使得紫外線反射膜曝露於電漿的熱時，也可抑制二氧化矽粒子熔融所致的反射率降低，依照形成有此種紫外線反射膜的準分子燈，假想可經長時間的期間確實地維持對於管軸方向可得到均勻的照度分布的狀態者。

如此，由於紫外線反射膜為添加氧化鋁粒子10wt%以上者，假想可更確實地得到上述效果者。

以上，針對於本發明的實施形態加以說明，惟本發明是並不被限定於上述實施形態者，可施加各種變更。

本發明是並不被限定於上述構成的準分子燈者，也可適用於如第4圖所示的雙重管構造的準分子燈，或是如第5圖所示的所謂「四方型」的準分子燈。

如第4圖所示的準分子燈50，是具有由二氧化矽玻璃所形成的圓筒狀外側管52、及在該外側管52內沿著其管軸所配置的具有比該外側管52的內徑還小的外徑的例如由二氧化矽玻璃所形成的圓筒狀內側管53，具備有外側管52與內側管53在兩端部被熔融接合而在外側管52與內側 管53之間形成有環狀放電空間S所成的雙重管構造的放電容器51，例如由金屬所形成的一方電極(高電壓供給電極)55密接內側管53的內周面而設，而且例如由金屬網等導電性材料所形成的另一方電極56密接外側管52的外周面而設，而在放電空間S內，例如填充有氙氣體等藉由準分子放電而形成準分子分子的放電用氣體所構成。

在此種構成的準分子燈50中，例如遍及放電容器51的內側管53的外表面的全周設有上述紫外線反射膜20，而且在外側管52的內表面，除了形成光出射部58的一部分的領域以外設有上述紫外線反射膜20。

又，表示於第5圖的準分子燈40是例如具備由合成二氧化矽玻璃所成的斷面長方形的放電容器41所成，而由金屬所成的一對外側電極45、45配設於放電容器41的互相相對向的外表面成為朝放電容器41的管軸方向延伸，而且放電用氣體的例如氙氣體被填充於放電容器41內。在第5圖中，符號42是排氣管，而符號43是例如由鋇所形成的吸氣劑。

在此種構成的準分子燈40中，遍及放電容器41的內表面中的各個外側電極45、45所對應的領域及連續於此些領域的一方內面領域，設有上述紫外線反射膜20，而藉由未設有紫外線反射膜20以形成光出射部44。

10‧‧‧準分子燈

11‧‧‧放電容器

15‧‧‧一方電極(高電壓供給電極)

16‧‧‧另一方電極(接地電極)

18‧‧‧光出射部(孔徑部)

20‧‧‧紫外線反射膜

40‧‧‧準分子燈

41‧‧‧放電容器

42‧‧‧排氣管

43‧‧‧吸氣劑

44‧‧‧光出射部

45‧‧‧外側電極

50‧‧‧準分子燈

51‧‧‧放電容器

52‧‧‧外側管

53‧‧‧內側管

55‧‧‧一方電極(高電壓供給電極)

56‧‧‧另一方電極

58‧‧‧光出射部

S‧‧‧放電空間

第1圖是表示本發明的準分子燈的一例子的構成概略 的說明用斷面圖，(a)是表示沿著放電容器的長度方向的斷面的橫斷面圖，(b)是表示(a)的A-A線斷面圖。

第2圖是表示用於說明二氧化矽粒子及氧化鋁粒子的粒子徑的定義的說明圖。

第3圖是表示以0~50wt%的範圍改變實驗例3的準分子燈的紫外線反射膜所含有的氧化鋁粒子的比率時的反射光強度的圖表。

第4圖是表示本發明的準分子燈的其他例子的構成概略的說明用斷面圖，(a)是表示沿著放電容器的長度方向的斷面的橫斷面圖，(b)是表示(a)的A-A線斷面圖。

第5圖是表示本發明的準分子燈的另一例子的構成概略的說明用斷面圖，(a)是表示沿著放電容器的長度方向的斷面的橫斷面圖，(b)是表示依垂直於(a)的紙面的平面的斷面的斷面圖。

10‧‧‧準分子燈

11‧‧‧放電容器

15‧‧‧一方的電極(高電壓供應電極)

16‧‧‧另一方的電極(接地電極)

18‧‧‧光出射部(孔徑部)

20‧‧‧紫外線反射膜

S‧‧‧放電空間

Claims (2)

1. 一種準分子燈，屬於具備備有放電空間之由二氧化矽玻璃所構成的放電容器，在介設有形成該放電容器的二氧化矽玻璃的狀態下設有一對電極所成，而在上述放電容器的放電空間內發生準分子放電來放射真空紫外光的準分子燈，其特徵為：在上述放電容器之曝露於放電空間的表面，形成有由中心粒徑為0.1~10μm的二氧化矽粒子與中心粒徑為0.1~3μm的氧化鋁粒子所形成的紫外線反射膜，上述二氧化矽粒子是其中心粒徑為上述氧化鋁粒子的中心粒徑的0.67倍以上的大小，紫外線反射膜的氧化鋁粒子的含有比率，是上述二氧化矽粒子與氧化鋁粒子的合計的5wt%以上。
2. 如申請專利範圍第1項所述的準分子燈，其中，紫外線反射膜的氧化鋁粒子的含有比率，是上述二氧化矽粒子與氧化鋁粒子的合計的10wt%以上。