TWI421902B - Excimer lamp - Google Patents

Description

準分子燈

本發明是關於具備二氧化矽玻璃所成的放電容器，在介設有形成該放電容器的二氧化矽玻璃的狀態下設有一對電極所成，而在上述放電容器的內部發生準分子放電的準分子燈。

近年來，開發了例如藉由將波長200nm以下的真空紫外光照射在金屬、玻璃及其他材料所成的被處理體，而藉由該真空紫外光及由此所生成的臭氧的作用來處理被處理體的技術，例如除去附著於被處理體的表面的有機污染物質的洗淨處理技術或在被處理體的表面形成氧化膜的氧化膜形成處理技術，而被實用化。

作為照射真空紫外光的裝置，使用例如藉由準分子放電形成準分子分子，而將利用從該準分子分子所放射的光例如波長170nm附近的準分子燈具備作為光源者，在此種準分子燈中，為了更有效率地放射更高強度的紫外線，實施很多嘗試。

具體上，例如參照第6圖加以說明，記載著具備透射紫外線的二氧化矽玻璃所成的放電容器51，而在該放電容器51的內側與外側分別設有電極55、56所成的準分子燈50中，在曝露於放電容器51的放電空間S的表面，形成紫外線反射膜20，而作為紫外線反射膜，僅由二氧化矽粒 子所成者，及僅由氧化鋁粒子所成者被例示於實施例(參照專利文獻1)。

在該準分子燈50中，在放電容器51的一部分，形成有藉由未形成有紫外線反射膜20進行出射在放電空間S內所發生的紫外線的光出射部58。

依照此種構成的準分子燈50，在被曝露於放電容器51的放電空間S的表面，藉由設有紫外線反射膜，在設有紫外線反射膜的領域中，發生在放電空間S內的紫外線藉由紫外線反射膜被反射之故，因而不會入射至二氧化矽玻璃，而在構成光出射部58的領域中，紫外線透射二氧化矽玻璃被放射至外部之故，因而基本上，有效地可利用在放電空間S內所發生的紫外線，而且可將構成光出射部58以外的領域的二氧化矽玻璃的紫外線失真所致的損壞抑制成較小，而可防止發生裂痕的情形。

專利文獻：日本專利第3580233號公報

近幾年來，對於照射具備準分子燈的真空紫外光的裝置的一種願望，為要求更提昇處理率，作為對於此種願望的措施，可能有有效地使用從準分子燈所放射的更短波長的光。該理由是波長短的光是能量較大之故，因而即使為少光量也可得到大的作用。

然而，習知的準分子燈的紫外線反射膜，是未具有如波長150nm附近的光的反射特性者之故，因而無法達成上 述願望乃為實際情況。

因此，本案發明人等，即使為些微量，也形成可反射波長150nm的附近的光的紫外線反射膜，若有效率地可利用該波長的光，也認為可提昇將具備如該準分子燈的真光紫外光予以照射的裝置的處理能力者，而逐完成了本發明。

本發明的目的，是提供有效率地可利用波長150nm附近的短波長的光，而可構成作為具有高處理能力者的準分子燈，作為目的。

本發明的準分子燈，屬於具備備有放電空間的二氧化矽玻璃所構成的放電容器，在介設有形成該放電容器的二氧化矽玻璃的狀態下設有一對電極，而且在放電空間內封入有氙氣體所成，而在上述放電容器的放電空間內發生準分子放電的準分子燈，其特徵為：

在曝露於上述放電容器的放電空間的表面，形成有二氧化矽粒子與氧化鋁粒子所形成的紫外線反射膜，含有於該紫外線反射膜的矽及鋁以外的雜質金屬的濃度為700wtppm以下。

依照本發明的準分子燈，藉由紫外線反射膜為二氧化矽粒子與氧化鋁粒子所形成，而矽及鋁以外的雜質金屬的濃度為700wtppm以下，可構成作為不僅波長170nm附近的光，甚至針對於比波長150nm附近更短波長的光也具有反射該紫外線反射膜的功能者，而且形成放電容器的二氧化矽玻璃為具有透射波長140~150nm以上的光的特性之故 ，因而有效率地可出射利用準分子放電所發生的真空紫外光，因此有效地可利用包含能量大的150nm附近的短波長的光的真空紫外光，可構成作為具有高處理能力者。

第1圖是表示本發明的準分子燈的一例的構成的概略的說明用斷面圖，(a)是表示沿著放電容器的長度方向的斷面的橫斷面圖，(b)是表示(a)的A－A線斷面圖。

該準分子燈10是具備兩端被氣密地封閉而形成有放電空間S的斷面矩形狀的中空長狀的放電容器11，而在該放電容器11的內部，作為放電用氣體，被封入有氙氣體。在此，氙氣體是作成壓力為如成為10~60kPa(100~600mbar)的範圍內的封入量。

放電容器11是由良好地透射真空紫外光的二氧化矽玻璃，例如合成石英玻璃所成，具有作為介質的功能。

在放電容器11的長邊面的外表面，配置一對格子狀電極，亦即，相對向配置著作為高電壓饋電電極的功能的一方電極15及功能作為接地電極的另一方電極16朝長度方向延伸，藉由此，作成在一對電極15、16間介設有作為介質的功能的放電容器11的狀態。

此種電極是例如藉由將金屬所成的電極材料糊膏塗佈於放電容器11，或是藉由照片印刷可形成。

在該準分子燈10中，當點燈電力被供應於一方的電極15，則經由功能作為介質的放電容器11的壁而在兩電 極15、16間生成放電，藉由此，形成有準分子分子，而且從該準分子分子產生真空紫外光所放射的準分子放電，而藉由氙氣體的封入壓力為作為如10~60kPa(100~600mbar)的範圍內，放射著壓波長150nm附近具有峰值的真空紫外光。

具體上，例如，如第2圖(1)所示地，在氙氣體的封入壓力為50mbar時，則發光著在波長150nm附近具有峰值P1的從波長145nm前後一直到波長190nm為止的波長域的光。又，如第2圖(2)所示地，在氙氣體的封入壓力為100mbar時，則發光著在波長150nm附近及波長170nm附近具有峰值P2、P3的從波長145nm前後一直到波長190nm為止的波長域的光。又，第2圖(3)是氙氣體的封入壓力為680mbar時的準分子放電發光光譜。

如上述地，放電容器11為藉由二氧化矽玻璃，尤其是藉由雜質少的合成石英玻璃所構成，藉此，合成石英玻璃玻璃是具有透射波長140~150nm以上的波長的光的特性之故，因而在氙氣體的封入壓力例如作為10~60kPa(100~600mbar)的範圍內的上述構成的準分子燈10中，波長140~150nm以上，而放射著在波長150nm附近及波長170nm附近具有峰值的真空紫外光。

然而，在上述準分子燈10中，為了有效率地利用藉由準分子放電所發生的真空紫外光，例如被曝露在放電容器11的放電空間S的表面，設有二氧化矽粒子與氧化鋁粒子所形成的紫外線反射膜20。

紫外線反射膜20是例如對應於放電容器11的長邊面的功能作為高電壓饋電電極的一方電極15的內表面領域與連續於該領域的短邊面的內表面領域的一部分全面所形成，而在對應於放電容器11的長邊面的功能作為接地電極的另一方電極16的內表面領域，藉由未形成有紫外線反射膜20來構成光出射部(孔徑部)18。

紫外線反射膜20的膜厚是例如10~100 μm較佳。

紫外線反射膜20是至少曝露於放電空間S的表面層部分，亦即，接受隨著準分子放電所產生的電漿的影響使得二氧化矽粒子熔融而發生粒界消失的例如在深度約2 μm的範圍內，氧化鋁粒子與二氧化矽粒子混在所成者，例如藉由二氧化矽粒子與氧化鋁粒子的堆積體可構成。

紫外線反射膜20是二氧化矽粒子及氧化鋁粒子本體具有備有高折射率的真空紫外光透射性者之故，因而到達至二氧化矽粒子或氧化鋁粒子的真空紫外光的一部分在粒子表面被反射，同時其他的一部分折射而被入射至粒子內部，又被入射於粒子內部的大部分光被透射(一部分被吸收)，而再出射之際被折射的具有重複產生此種反射與折射的「擴散反射」的功能。

又，紫外線反射膜20是由二氧化矽粒子與氧化鋁粒子所構成，亦即藉由陶瓷所構成，具有不會發生不純氣體，又耐於放電的特性。

構成紫外線反射膜20的二氧化矽粒子，是例如可使用將二氧化矽玻璃粉末狀地作成細粒子者等。

二氧化矽粒子是如下地被定義的粒子徑為例如0.01~20 μm的範圍內者，中心粒徑(數平均粒子徑的峰值)為如0.1~10 μm者較佳，更佳為0.3~3 μm者。

又，具有中心粒徑的二氧化矽粒子的比率為50%以上較佳。

構成紫外線反射膜20的氧化鋁粒子是如下地被定義的粒子徑為例如0.1~10nm的範圍內者，中心粒徑(數平均粒子徑的峰值)為如0.1~3 μm者較佳，更佳為0.3~1 μm者。

又，具有中心粒徑的氧化鋁粒子的比率為50%以上較佳。

構成紫外線反射膜20的二氧化矽粒子及氧化鋁粒子的「粒子徑」，是指將紫外線反射膜20對於其表面朝垂直方向切剖時的切剖面的厚度方向的大約中間位置作為觀察範圍，藉由掃描型電子顯微鏡(SEM)取得擴大投影像，而以一定方向的兩條平行線隔著該擴大投影像的任意粒子時的該平行線的間隔的弗雷特(Feret)直徑。

如第3(a)圖所示地，具體上，在以單獨存在著大約球狀的粒子A及具有粉碎粒子形狀的粒子B等的粒子時，將以朝著一定方向(例如紫外線反射膜20的厚度方向延伸的兩條平行線隔著該粒子時的該平行線的間隔作為粒徑DA、DB。

又，針對於具有出發材料的粒子經熔融所接合的形狀的粒子C，如第3(b)圖所示地，針對於被判別為出發材 料的粒子C1、C2的部分的各該球狀部分，測定以朝一定方向〔例如紫外線反射膜20的厚度方向〕延伸的2條平行線相夾時的該平行線的間隔，將此作為該粒子的粒徑DC1、DC2。

構成紫外線反射膜20的二氧化矽粒子及氧化鋁粒子「中心粒子」，是指將針對於如上述所得到的各粒子的粒子徑的最大值與最小值的粒子徑的範圍，例如以0.1 μm的範圍分成複數區分，例如區分成約15區分，屬於各個區分的粒子個數(度數)成為最大的區分的中心值。

二氧化矽粒子及氧化鋁粒子是藉由具有與真空紫外光的波長相同程度的上述範圍的粒子徑者，有效率地可擴散反射真空紫外光。

然而，在上述準分子燈10，藉由紫外線反射膜20含有氧化鋁粒子者，除了成為二氧化矽粒子的主成分的矽及成為氧化鋁粒子的主成分的鋁以外的雜質金屬會成為不可避免地被混入的情形，例如，在二氧化矽粒子的純度及氧化鋁粒子的純度之關係，藉由調整構成紫外線反射膜20的二氧化矽粒子與氧化鋁粒子的混合比成為適當範圍，使得含有於紫外線反射膜20的雜質金屬的濃度(合計)被規制在700wtppm以下的狀態。

含有於紫外線反射膜20的氧化鋁粒子的比率，是二氧化矽粒子與氧化鋁粒子的合計的例如1wt%以上較佳，更佳為5wt%以上，而最佳為10wt%。

又，二氧化矽粒子與氧化鋁粒子的合計的70%wt以下 較佳，更佳為40wt%以下。

藉由紫外線反射膜20以上述混合比來構成著二氧化矽粒子與氧化鋁粒子，即使長時間被點燈時，也確實地可抑制二氧化矽粒子被熔融而把紫外線反射膜20的反射率會大幅度地降低的情形，而且不會大幅度地降低氧化鋁粒子混入所致的紫外線反射膜20對於放電容器11的黏合性(接著性)之故，因而確實地可防止紫外線反射膜20被剝落的情形，而且可將雜質金屬的濃度成為所定值以下的狀態。

此種紫外線反射膜20是例如稱為「流下法」的方法，就可形成。亦即，在具有組合水與PEO樹脂(聚乙烯氧化物)的黏性的溶劑，混合二氧化矽粒子及氧化鋁粒子來調配分散液，藉由將該分散液流進放電容器形成材料內，附著於放電容器形成材料的內表面的所定領域之後，利用乾燥、燒成，把水與PEO樹脂予以蒸發，就可形成紫外線反射膜20。在此，燒成溫度是例如作為500~1100℃。

形成紫外線反射膜20之際所用的二氧化矽粒子及氧化鋁粒子的製造，是都可利用固相法、液相法、氣相法的任何方法，惟在此些中，由確實地可得到亞微細粒，微米尺寸的粒子，以氣相法，尤其是化學蒸鍍法(CVD)較佳。

具體上，例如二氧化矽粒子是藉由將氯化矽與氧在900~1000℃予以反應，而氧化鋁粒子是藉由將原料的氯化鋁與氧在1000~1200℃予以加熱反應，就可加以合成， 而粒子徑是藉由控制原料濃度，反應場的壓力，反應溫度就可調整。

一般，在準分子燈，眾知隨著準分子放電，就發生電漿，惟在如上述的構成的準分子燈中，電漿成為大約直角地入射於紫外線反射膜而施以作用之故，因而紫外線反射膜的溫度會局部地急激地被上昇，若紫外線反射膜僅為如二氧化矽粒子所成者，則藉由電漿的熱，使得二氧化矽粒子被熔融而會消失粒界有無法擴散反射真空紫外光而有降低反射率的情形。

然而，紫外線反射膜20為由二氧化矽粒子與氧化鋁粒子所構成，藉由此，依照上述構成的準分子燈10，基本上，即使被曝露在依電漿所致的熱時，其有比二氧化矽粒子還高融點的氧化鋁粒子是也不會熔融之故，因而以粒子彼此間結合著互相地鄰接的二氧化矽粒子與氧化鋁粒子被防止而被維持著粒界之故，因而即使長時間被點燈時，也有效率地可擴散反射真空紫外光而實質上可維持初期的反射率。又，氧化鋁粒子是具有比二氧化矽粒子還高折射率之故，因而與僅由二氧化矽粒子所形成的紫外線反射膜相比較，可得到高反射率。

而且，依照上述構成的準分子燈10，藉由除了成為含有於紫外線反射膜20的二氧化矽粒子的主成分的矽及成為氧化鋁粒子的主成分的鋁以外的雜質金屬的濃度為700wtppm以下，如下述的實驗例的結果所示地，可將紫外線反射膜20構成作為不僅波長170nm附近的光，甚至 針對於波長150nm附近的光也具有反射特性者之故，因而藉由形成放電容器的二氧化矽玻璃為具有透射波長140~150nm以上的光的特性之故，因而有效率地可利用在藉由準分子放電所發生的波長150nm附近及波長170nm附近具有真空紫外光，成為具有高處理能力者。

又，藉由在被曝露在產生準分子發光的放電空間S的放電容器11的內表面形成有紫外線反射膜20，可將放電空間S內的真空紫外線隨著入射於光出射部18以下的領域的二氧化矽玻璃的紫外線失真所致的損傷予以減小，而可防止發生裂痕。

以下，將為了確認本發明的效果所進行的實施例加以說明。

(實驗例1：紫外線反射膜的反射特性)

準備純度為99.99%，99.9%及純度99.8%的3種類的二氧化矽粒子，與純度為99.99%、99.9%及純度99.8%的3種類的氧化鋁粒子，將二氧化矽粒子與氧化鋁粒子適當地變更組合，而且將二氧化矽粒子與氧化鋁粒子的混合比(二氧化矽粒子：氧化鋁粒子)在20：80~80：20的範圍內適當地變更，而在合成石英玻璃所成的厚度1mm的基材上，藉由流下法來形成紫外線反射膜，俾製作複數種類的試驗片。在此，形成紫外線反射膜之際的燒成溫度是1100℃，而膜厚是30 μm。

二氧化矽粒子是任何純度者，粒子徑範圍為0.3~1.0 μm，而中心粒子徑為0.3 μm，具有中心粒子徑的粒子比率為50%者。

氧化鋁粒子是任何純度者，粒子徑範圍為0.2~0.7 μm，而中心粒子徑為0.4 μm，具有中心粒子徑的粒子比率為50%者。

針對於各個試驗片的紫外線反射膜，測定含有於該紫外線反射膜的矽及鋁以外的雜質金屬的濃度，而且測定波長150nm的光的反射光強度及波長170nm的光的反射光強度。將結果表示於第4圖。

〈雜質金屬濃度的測定方法〉

以純水進行洗淨試驗片之後，乾燥後進行試驗片的秤量，使用特弗隆(Teflon)(登記商標)膠帶來遮蔽試驗片的基材所露出的部分(未形成有紫外線反射膜的二氧化矽玻璃部分)，在該狀態下，浸漬在氟酸中而藉由施以加熱來進行蝕刻處理，在以目視無法確認試驗片的紫外線反射膜的時候取出試驗片，進行該試驗片的秤量，而藉由比較進行蝕刻理前後的試驗片的秤量值來算出紫外線反射膜的質量。

之後，將含有著藉由蝕刻以氟酸溶解的二氧化矽粒子(成分)，與未被溶解而粒狀地殘留的氧化鋁粒子，及雜質金屬成分的氟酸液，加以加溫，首先，將與氟酸反應的二氧化矽成分蒸發作為SiF₄ ，將藉由此成為殘渣所留下的氧化鋁成分與雜質成分，放進由85%磷酸6.5ml，97%硫 酸3.55ml所成的混酸中，藉由微波加熱爐進行溶解氧化鋁成分與雜質成分之後，添加純水而稀釋成為合計30ml的溶液。

然後，利用ICP(inductively coupled plasma，感應耦合電漿)發光分光分析裝置，依據稀釋溶液中的雜質金屬的濃度來測定雜質金屬的質量，對應於雜質金屬對於作為測定對象的紫外線反射膜的質量0.5g的質量比，而得到含有於紫外線反射膜中的殘留雜質金屬的濃度。

作為一例子，例如由純度99.99%的二氧化矽粒子30wt%，與純度99.8%的氧化鋁70wt%所構成的紫外線反射膜的雜質金屬成分及此些的濃度是如下述表1所示。又，雜質金屬是指含有鈹．鎂的鹼土類金屬，或是屬於過渡金屬的元素者。

〈反射光強度的測定方法〉

針對於紫外線反射膜的波長150nm的光的反射光強度，及波長170nm的光的反射光強度之測定，是使用ACTON RESEARCH所製的「VM-520」。該裝置的測定部，是由如第5圖所示的直入射型光學系統所構成，放射著從波長120nm以下的光一直到可視光為止的連續光的重氫 燈60被使用作為光源。在該裝置，為將從重氫燈60所放射的光，一旦適當地接觸於凹面光柵61之後，通過開縫62而照射在試驗片TS，俾將藉由該試驗片TS所反射的反射光(散射光)，一面以0°~180°的範圍內調整受光面的角度，一面利用將受光於攝影用插入式配件65所得到的測定值，而得到針對於特定波長的光的反射光強度。

針對於反射光強度的測定方法具體地加以說明，首先，針對於未具有紫外線反射膜的基材(合成石英玻璃)，取得散射光的波長150nm的光及波長170nm的光的各該反射光強度(基準值)，之後，設置形成有紫外線反射膜的試驗片，測定散射光的波長150nm的光及波長170nm的光的各該反射光強度，藉由以基準值(未具有紫外線反射膜的基材的測定值)來除算由此所得到的各該測定值，而得到波長150nm的光的反射光強度及波長170nm的光的反射光強度。

由表示於第4圖的結果可明瞭，波長150nm的反射光強度與波長170nm的光的反射光強度，及雜質金屬的濃度是線形的關係，而可知更近似於直線。

又，150nm的光的反射光強度成為0.000時的雜質金屬的濃度是700wtppm，而170nm的光的反射光強度成為0.000時的雜質金屬的濃度是1181wtppm，因此，藉由將含有於紫外線反射膜的雜質金屬的濃度，控制成至少成為700wtppm以下的狀態，確認了不僅170nm的光，還可成為確實地具有反射150nm的光的功能者。

因此，在實際的準分子燈中，藉由紫外線反射膜是雜質金屬的濃度被規制在700wtppm以下者，成為有效率地可利用包含藉由準分子放電所發生的波長150nm的光的真空紫外光者。

(實驗例2)

由純度為99.9%的二氧化矽粒子，及純度為99.8%的氧化鋁粒子所形成，而將以氧化鋁粒子的含有比率變更為0wt%、10wt%、33wt%、50wt%的紫外線反射膜，在膜厚30 μm下藉由流下法形成在平板狀合成石英玻璃所成的厚1mm的基材上，俾製作4種類的試驗片。

又，針對於各試驗片，將紫外線反射膜加熱成1000℃時，及加熱成1300℃時的各該情形的波長170nm的先的反射光強度，使用ACTON RESEARCH所製的「VM－502」而利用上述方法進行測定，若紫外線反射膜的氧化鋁粒子的含有比率為0wt%時，亦即，在未含有氧化鋁粒子時，對於被加熱成相當於形成紫外線反射膜之際的燒成溫度的溫度1000℃時的反射光強度，被加熱成相當於電漿作用於紫外線反射膜時的加熱溫度的溫度1300℃的情形，確認了會大幅度降低反射光強度，由此可假設在實際的準分子燈，在電漿接觸到紫外線反射膜的部位，會有反射光強度局部性地降低，使得準分子燈的照度分布成為不均勻，而當準分子燈長時間被點燈，則電漿會碰到紫外線反射膜全體，而會降低反射率者。

一方面，在添加10wt%氧化鋁粒子者，即使被加熱成1300℃時，反射光強度比未添加氧化鋁粒子時還高，而確認了也可將依熱的紫外線反射膜的反射率的降低程度抑制在70%左右。又，隨著氧化鋁粒子的含有比率增加，則可將依熱的紫外線反射膜的反射率的降低程度抑制成較小，例如在添加50wt%氧化鋁粒子者，被加熱成1000℃時的反射光強度，與被加熱成1300℃時的反射光強度成為一致，而被確認可抑制降低依熱的紫外線反射膜的反射率。

因此，在實際的準分子燈中，藉由紫外線反射膜添加有氧化鋁粒子10wt%以上者，即使準分子燈長時間被點燈而使紫外線反射膜曝露於電漿之熱時，也可抑制二氧化矽粒子熔融所致的反射率的降低。

又，在該實驗例2中所製作的試驗片的含有氧化鋁粒子的紫外線反射膜，雜質金屬的濃度也為700wtppm以下者。

以上，針對於本發明的實施形態加以說明，惟本發明是並不被限定於上述實施形態者，而可加入各種變更。

本發明是並不被限定於上述構成的準分子燈者，也可適用於如第6圖所示的雙重管構造的準分子燈，或是如第7圖所示的所謂「四方型」的準分子燈。

如第6圖所示的準分子燈50，是具有二氧化矽玻璃管所形成的圓筒狀外側管52，及在該外側管52內沿著其管軸所配置的具有比該外側管52的內徑還小的外徑的例如二氧化矽玻璃管所形成的圓筒狀內側管53，外側管52與 內側管53在兩端部被熔融接合而在外側管52與內側管53之間具備形成有環狀放電空間S所成的雙重管構造的放電容器51，例如金屬所形成的一方的電極(高電壓供應電極)55密接設於內側管53的內周面，而且例如由金屬網等的導電性材料所形成的另一方的電極56密接設於外側管52的外周面，而在放電空間S內，例如填充有藉由氙氣體等準分子放電形成準分子分子的放電用氣體所構成。

在此種構成的準分子燈50中，例如在放電容器51的內側管53的內表面的所有全周設有上述紫外線反射膜20，而且在外側管52的內表面，除了形成光出射部58的一部分的領域以外設有上述紫外線反射膜20。

表示於第7圖的準分子燈40是例如具備合成二氧化矽玻璃所成的斷面長方形的放電容器41所成，而金屬所成的一對外側電極45，45配設於放電容器41的互相相對向的外表面成為朝放電容器41的管軸方向延伸，而且放電用氣體的例如氙氣體被填充於放電容器41內。在第7圖中，符號42是排氣管，而符號43是如鋇所形成的吸氣劑。

在此種構成的準分子燈40中，對應於放電容器41的內表面的各個外側電極45、45的領域及連續於此些領域一方的內面領域的所有領域，設有上述紫外線反射膜20，而藉由未設有紫外線反射膜20以形成光出射部44。

10‧‧‧準分子燈

11‧‧‧放電容器

15‧‧‧一方的電極(高電壓供應電極)

16‧‧‧另一方的電極(接地電極)

18‧‧‧光出射部(孔徑部)

20‧‧‧紫外線反射膜

30‧‧‧鋁製容器

31‧‧‧支撐台

35‧‧‧紫外線照度計

40‧‧‧準分子燈

41‧‧‧放電容器

42‧‧‧排氣管

43‧‧‧吸氣劑

44‧‧‧光出射部

45‧‧‧外側電極

50‧‧‧準分子燈

51‧‧‧放電容器

52‧‧‧外側管

53‧‧‧內側管

55‧‧‧一方的電極(高電壓供應電極)

56‧‧‧另一方的電極

58‧‧‧光出射部

60‧‧‧重氫燈

61‧‧‧凹型光柵

62‧‧‧開縫

65‧‧‧攝影插入式配件

TS‧‧‧試驗片

S‧‧‧放電空間

第1圖是表示本發明的準分子燈的一例子的構成概略的說明用斷面圖，(a)是表示沿著放電容器的長度方向的斷面的斷面圖，(b)是表示(a)的A－A線斷面圖。

第2圖是表示封入有氙氣體的準分子燈的準分子放電發光光譜的圖表。

第3圖是表示用於說明二氧化矽粒子及氧化鋁粒子的粒子徑的定義的說明圖。

第4圖是表示針對於在實驗例所製作的紫外線反射膜的特定波長的光的反射光強度，及含有於紫外線反射膜的雜質金屬的濃度之關係的圖表。

第5圖是表示用於說明針對於在實驗例所製作的紫外線反射膜的使用於測定反射光強度的裝置的測定原理的圖表。

第6圖是表示本發明的準分子燈的另一例子的構成概略的說明用斷面圖，(a)是表示沿著放電容器的長度方向的斷面的橫斷面圖，(b)是表示(a)的A－A線斷面圖。

第7圖是表示本發明的準分子燈的其他例子的構成概略的說明用斷面圖，(a)是表示沿著放電容器的長度方向的斷面的斷面圖，(b)是表示依垂直於(a)的紙面的平面的斷面的斷面圖。

10‧‧‧準分子燈

11‧‧‧放電容器

15‧‧‧一方的電極(高電壓供應電極)

16‧‧‧另一方的電極(接地電極)

18‧‧‧光出射部(孔徑部)

20‧‧‧紫外線反射膜

S‧‧‧放電空間

Claims (1)

1. 一種準分子燈，屬於具備備有放電空間的二氧化矽玻璃所構成的放電容器，在介設有形成該放電容器的二氧化矽玻璃的狀態下設有一對電極，而且在放電空間內封入有氙氣體所成，而在上述放電容器的放電空間內發生準分子放電的準分子燈，其特徵為：在曝露於上述放電容器的放電空間的表面，形成有二氧化矽粒子與氧化鋁粒子所形成的紫外線反射膜，含有於該紫外線反射膜的矽及鋁以外的雜質金屬的濃度為700wtppm以下，該紫外線反射膜不僅對於波長170nm附近的光，對於波長150nm附近的光亦具有反射特性。