TWI398708B - Liquid crystal display device - Google Patents

Description

液晶顯示裝置

本發明係關於藉由橫電場模式之液晶而施行顯示之液晶顯示裝置。

在液晶顯示裝置中，有FFS(邊緣電場切換)模式等之橫電場模式之液晶構造。FFS模式之液晶顯示裝置具備有對向電極。在對向電極，係經由絕緣層而對向配置具有縫隙狀開口之畫素電極，進而，在畫素電極之上方配置有液晶層。在絕緣層，係貫通積層方向而配置有導電接觸部，且經由此導電接觸部使畫素電極與畫素電極驅動用之TFT(薄膜電晶體)導通。在此種液晶顯示裝置中，由連接於TFT之資料線將電壓施加至畫素電極時，可形成由畫素電極通過液晶層及縫隙而朝向畫素電極下方之對向電極之電場，藉此，將橫電場施加至液晶層而施行驅動。又，揭示有關FFS模式之液晶顯示裝置者中，可列舉專利文獻1。

[專利文獻1]日本特開2008-64947號公報

在上述之液晶顯示裝置中，近年來愈來愈要求亮度之提高，故有人進行提高數值開口之嘗試。為提高此數值開口，有必要儘量增大光穿透區域之面積。然而，如上所述，為連接畫素電極與TFT之間，係需要導電接觸部，而需要其配置空間，故未必能獲得充分大之數值開口。但，關於此點，以往並未曾有謀求改善之提案。

本發明係鑑於此問題點而發明者，其目的在於提供一種藉由對畫素電極之驅動電壓施加構造加以改善而可提高亮度之液晶顯示裝置。

本發明之液晶顯示裝置係構成為包含：畫素電極，其係形成有複數之開口；對向電極，其係積層配置成經由絕緣層而與畫素電極對向；液晶層，其係積層配置於畫素電極之與對向電極相反側；畫素選擇用之選擇線；畫素驅動用之薄膜電晶體，其係積層配置於對向電極之與畫素電極相反側，並構成為直接利用選擇線之一部分以作為閘極；以可使連接薄膜電晶體與畫素電極之間之層間導通部通過的方式，在對向電極設有對向電極孔，且對向電極孔係與選擇線重疊。

在本發明之液晶顯示裝置中，來自背光源之入射光係穿透畫素電極及對向電極而入射於液晶層，另一方面，被選擇線及層間導通部所遮蔽。藉由選擇線所供應之信號而使薄膜電晶體通電，當圖像信號電壓施加至畫素電極時，形成由畫素電極通過液晶層及畫素電極之開口而朝向畫素電極之下方之對向電極的電場。藉此，將橫電場施加至液晶層，液晶層之液晶分子選擇性地旋轉，並調制通過液晶層之光。在此，由於將令層間導通部通過用之對向電極孔設置於與選擇線重疊之位置，其結果，可使遮蔽入射光之層間導通部位於極接近於選擇線之處。因此，可使畫素電極之開口區域擴張至比以往更接近於選擇線之位置。而且，直接利用選擇線(閘極線)之一部分作為薄膜電晶體之閘極部分，故與由選擇線另行引出閘極部分而構成薄膜電晶體之情形相比，可縮小因薄膜電晶體之配置空間所產生之遮光區域，可恰如其份地擴張畫素電極之開口區域。

在本發明之液晶顯示裝置中，較好構成為：層間導通部係具有延伸部分，其係在對向電極與前述選擇線之間的階層中，沿著積層面延伸成覆蓋對向電極孔之一部分與選擇線之重疊區域。此時，由選擇線通過對向電極孔而到達液晶層之漏電場，係可以沿著積層面延伸之層間導通部的一部分所遮蔽，以抑制電場之紊亂。進而，較好構成為：對向電極孔之內周緣區域中，除面臨重疊區域之區域以外的區域，係與層間導通部中之其他的延伸部分或畫素電極、或該等之雙方重疊。在此，對向電極孔之內周緣區域中，在上述其他之區域被畫素電極覆蓋時，可抑制上述其他之區域未被畫素電極所覆蓋時所產生之電場之紊亂。或者，層間導通部之一部分與上述其他之區域重疊時，對向電極不存在(液晶控制性較差)之部分係可以層間導通部之一部分所覆蓋，故縱使產生於畫素電極與對向電極之間之電場有所紊亂，層間絕緣膜之一部分遮蔽光之結果，可阻止液晶控制性較差之部分對顯示提供助益。藉此，可防止對比度之降低。

依據本發明之液晶顯示裝置，由於將令層間導通部通過用之對向電極孔設置於與選擇線重疊之位置，故可增加透光區域之面積，提高顯示亮度。又，可使畫素電極之開口擴張至比以往更接近於選擇線之位置，故可增加開口面積，提高顯示對比度。而且，直接利用選擇線(閘極線)之一部分作為薄膜電晶體之閘極部分，故可縮小薄膜電晶體之配置空間，故可恰如其份地進一步增加透光區域之面積，並可擴張畫素電極之開口，此點也有助於顯示亮度及顯示對比度之提高。

以下，參照圖式詳細地說明有關本發明之實施型態。

[第1實施型態]

圖1係表示有關本發明之第1實施型態之液晶顯示裝置之要部之平面構成之圖。圖2及圖3係放大表示圖1所示之液晶顯示裝置之一部分(接觸部週邊部)之圖。但，在圖3中，省略要素之一部分(畫素電極等)之圖示。圖4係表示圖2之A-A線之箭視剖面構造之圖。

如圖4所示，此液晶顯示裝置1係包含玻璃基板10。在玻璃基板10之上面，向列方向(與紙面垂直之方向)延設有複數條作為選擇線之閘極線11。在構成1個畫素之區域內，閘極線11係構成驅動畫素用之開關元件，即，薄膜電晶體(TFT)12之閘極12a。又，在玻璃基板10之上面，設有閘極絕緣膜13，閘極線11係被此閘極絕緣膜13所覆蓋。

在閘極絕緣膜13之上面設有半導體層14。本實施型態之情形，半導體層14如圖1所示，係具有略U字形之平面形狀，此U字之一方臂部與閘極線11交叉。半導體層14中，與閘極線11之交叉區域係構成TFT12之通道12b。而，藉由閘極線11、閘極絕緣膜13及半導體層14之通道12b構成TFT12之要部。

半導體層14之U字形之一端部(源極)，設有作為層間導通部之第1接觸部15(後述)，在另一端部(汲極)設有第2接觸部17。第1接觸部15係用以將半導體層14之源極與後述之畫素電極25之間連接於積層方向。第2接觸部17係用以將延設於行方向之資料線16與半導體層14之汲極之間連接於積層方向。可經由此第2接觸部17而由資料線16將資料信號(畫素電壓)供應至半導體層14。此資料信號進一步通過TFT12之源極-汲極間，經由第1接觸部15而由半導體層14(汲極)供應至畫素電極25。

在半導體層14及閘極絕緣膜13之上，設有覆蓋此等而絕緣性之電晶體保護膜18(圖4)。在此電晶體保護膜18，於鄰接於閘極線11之位置設有接觸孔15h，將導電體填充於此而構成第1接觸部15。第1接觸部15具有沿著電晶體保護膜18之上面而向接近於閘極線11之方向延伸之部分(延伸部分)15a、向積層方向貫通電晶體保護膜18之部分(貫通部分)15b、及向排除延伸部分15a之延伸方向之其他3個方向延伸之延伸部分15c。除延伸部分15a之前端部分延伸至與閘極線11重疊之位置。

在電晶體保護膜18及第1接觸部15之上，覆蓋此等而設有層間絕緣膜19。在此層間絕緣膜19，於第1接觸部15之形成位置，形成有達到第1接觸部15之上面之層間絕緣膜孔20。

在層間絕緣膜19之上面，形成對向電極21。在此對向電極21，形成矩形狀之對向電極孔22。對向電極孔22係包含層間絕緣膜孔20，而比此大幅地形成於平面方向，此結果，可使層間絕緣膜孔20位於對向電極孔22之內側區域。此對向電極孔22係在閘極線11之上方被形成與此重疊。即，包圍對向電極孔22之內周緣區域中之一部分(內周緣區域27)之終端在閘極線11之上方。而，由第1接觸部15之延伸部分15a覆蓋著閘極線11與對向電極孔22疊合之重疊區域101。換言之，第1接觸部15之延伸部分15a之前端係在對向電極21與閘極線11之間，使其終端延伸至超過對向電極孔22之內周緣部21a之位置之處。同樣地，包圍對向電極孔22之內周緣區域中上述內周緣區域27以外之其他區域28亦在第1接觸部15之上方，與第1接觸部15之其他延伸部分15c重疊。換言之，第1接觸部15之其他延伸部分15c之前端係在對向電極孔22之內周緣部21a中，使其終端延伸至超過重疊於半導體層14之部分以外之內周緣部21b之位置之處。

層間絕緣膜19、對向電極21及層間絕緣膜孔20係被畫素絕緣膜23(絕緣層)所覆蓋。在此畫素絕緣膜23，形成有畫素絕緣膜孔24，其係向積層方向貫通對向電極21之對向電極孔22及層間絕緣膜19之層間絕緣膜孔20之內側而達到第1接觸部15之上面。

在畫素絕緣膜23之上，於各畫素形成畫素電極25。畫素電極25如圖1所示，係架在鄰接之2條閘極線11間而配置成與各閘極線重疊。畫素電極25如圖1及圖4所示，係覆蓋著畫素絕緣膜孔24之內面(內壁面及第1接觸部15之上面)，藉此，可經由第1接觸部15電性連接半導體層14之汲極與畫素電極25之間。畫素電極25係形成完全覆蓋對向電極孔22之位置及大小。在畫素電極25，沿著與資料線16平行之方向形成有複數之細長開口(縫隙26)。在此等縫隙26中位於中央部者(在圖1中有3條)係延伸至TFT12之近旁，即，第1接觸部15之近旁，位於週邊部者(在圖1中有2條)係延伸至閘極線之最近處。又，圖1之B-B箭視剖面呈現如後述之圖6所示。

圖5係模式地表示液晶顯示裝置之立體構造之圖。如本圖所示，在畫素電極25之上面側(光出射側)，如圖5所示，配置有第1定向膜30、液晶層31、第2定向膜32、及第2偏光板34。又，在玻璃基板10(對向電極21)之下面側(光入射側)配置有第1偏光板33。

此種構成之液晶顯示裝置1例如可利用如下方式製造。最初，作為驅動液晶顯示裝置1之各畫素用之開關元件，形成TFT12。為形成TFT12，首先，將作為TFT12之閘極12a(閘極線11)之金屬膜形成於玻璃基板10之上。此金屬膜例如只要利用濺鍍等之成膜法將鉬等金屬材料成膜而形成即可。此後，利用光微影技術，在金屬膜上面形成遮罩，蝕刻露出於此遮罩之開口部分之金屬膜後，除去遮罩。藉此，形成兼作為閘極線11之TFT12之閘極12a。

其次，形成覆蓋玻璃基板10及閘極線11之閘極絕緣膜13。閘極絕緣膜13例如只要利用化學汽相生長法(CVD)等成膜法，將氮化矽等絕緣材料成膜而形成於玻璃基板10之上面即可。

其次，形成半導體層14。為形成此半導體層14，首先，將作為半導體層14之非晶質矽等半導體材料，利用CVD等成膜法成膜於閘極絕緣膜13之上面。此後，為獲得圖1所示之形狀之半導體層14，利用光微影技術，在半導體材料之上面形成遮罩，蝕刻露出於此遮罩之開口部分之半導體材料後，除去遮罩。藉此，形成包含連接第1接觸部15之一方端部、連接第2接觸部17之另一方端部、及構成TFT12之通道12b之部分之半導體層14。

其次，在半導體層14及閘極絕緣膜13之上面形成保護TFT12之電晶體保護膜18。為形成此電晶體保護膜18，首先，利用CVD等成膜法將氮化矽等絕緣材料成膜於閘極絕緣膜13之上面而覆蓋半導體層14。此後，在閘極絕緣膜13之上面，利用光微影技術形成遮罩，蝕刻露出於此遮罩之開口部分之絕緣材料後，除去遮罩，以便將第1接觸部15及第2接觸部17配置於積層方向。藉此，形成電晶體保護膜18，電晶體保護膜18係呈現包含配置第1接觸部15之貫通部分15b之第1接觸孔15h、及配置第2接觸部17之第2接觸孔之構成。

其次，將作為第1接觸部15及資料線16之電晶體接觸金屬膜形成於電晶體保護膜18之上面。為形成此電晶體接觸金屬膜，首先，利用濺鍍等之成膜法，例如將鈦、鋁及鈦之3層積層於電晶體保護膜18之上面。此後，在電晶體接觸金屬膜之上面，利用光微影技術形成遮罩，蝕刻未被此遮罩覆蓋之部分後，除去遮罩。藉此，形成使向平面方向延伸之部分具有特定形狀，即，使內周緣區域之電晶體接觸金屬膜之端部在平面視上與閘極線11重疊之形狀之第1接觸部15、及向行方向延伸之資料線16。故第1接觸部15係配置於對向電極21與閘極線11之間之階層。

其次，將層間絕緣膜19形成於電晶體保護膜18、第1接觸部15及資料線16之上面。此層間絕緣膜19可以絕緣性之材料形成，例如也可藉由丙烯酸樹脂等形成。此情形，若丙烯酸樹脂具有感光性，則可利用光微影技術容易形成層間絕緣膜孔20。藉此，可獲得使第1接觸部15及資料線16與對向電極21絕緣，且藉由層間絕緣膜孔20使第1接觸部15之一部分露出之層間絕緣膜19。

其次，將透明電極之對向電極21形成於層間絕緣膜19之上面。為形成此對向電極21，首先，利用濺鍍等之成膜法，例如將氧化銦等電極材料成膜於層間絕緣膜19之上面。此後，為形成對向電極孔22，利用光微影技術在對向電極21之上面形成遮罩，蝕刻露出於此遮罩之開口部分之電極材料後，除去遮罩。藉此，形成具備有對向電極孔22之對向電極21。又，本實施型態之對向電極孔22如圖4所示，係形成大於層間絕緣膜孔20，且形成小於第1接觸部15之向平面方向延伸之部分。因此，形成對向電極孔22之內周緣部21a中內周緣區域在平面視上，係與第1接觸部15及閘極線11之雙方重疊。

其次，為將電場施加至液晶層31，在對向電極21之上面形成畫素絕緣膜23。畫素絕緣膜23係利用CVD等成膜法，例如將氮化矽等之電介質成膜於對向電極21之上面後，在此電介質層之上面，利用光微影技術形成遮罩，蝕刻未被此遮罩之覆蓋之部分後，藉由除去遮罩所形成。藉此，形成具備有畫素絕緣膜孔24之畫素絕緣膜23，本實施型態之畫素絕緣膜孔24係配置於層間絕緣膜孔20及對向電極孔22之內側。

其次，在畫素絕緣膜23之上面形成施加驅動液晶用之電位之畫素電極25。畫素電極25係利用濺鍍等之成膜法，例如將氧化銦等電極材料成膜後，為使電場經由畫素絕緣膜23施加至畫素電極25與對向電極21之間，只要利用使用光微影技術所得之遮罩及蝕刻形成在平面視上覆蓋縫隙26及對向電極孔22之圖案即可。

此後，在畫素電極25之上面側，配置第1定向膜30、液晶層31、第2定向膜32及第2偏光板34，在玻璃基板10之下面側配置第1偏光板33時，即可獲得液晶顯示裝置1。

其次，說明本實施型態之液晶顯示裝置1之動作。首先，參照圖5及圖6，說明基本動作。圖5係表示液晶顯示裝置1之立體構成，圖6係表示液晶顯示裝置1之一剖面(圖1之B-B箭視剖面)之圖。在此，圖5(A)及圖6(A)係表示電壓無施加狀態，圖5(B)及圖6(B)係表示電壓施加狀態。

光由玻璃基板10之背面側(在圖1中為下側)入射於液晶顯示裝置1(圖4：箭號C,D)。此入射光D係被閘極線11及第1接觸部15、第2接觸部17、資料線16等之金屬所形成之部分遮蔽，另一方面，穿透其他之部分而入射於液晶層31(入射光C)。

入射於液晶層31之光係在通過該處之際，接受如以下所述之FFS模式之空間調制。

即，如圖5(A)及圖6(A)所示，在電壓未施加至對向電極21與畫素電極25之間之狀態下，呈現構成液晶層31之液晶分子35之軸係與入射側之第1偏光板33之穿透軸正交，且與出射側之第2偏光板34之穿透軸平行之狀態。因此，穿透入射側之第1偏光板33之入射光h在液晶層31內不會發生相位差而可到達出射側之第2偏光板34，並在此被吸收，故呈現黑色顯示。

另一方面，如圖5(B)及圖6(B)所示，在電壓施加至對向電極21與畫素電極25之間之狀態下，液晶分子35之定向方向因畫素電極25間所生之電場E而對畫素電極25之延設方向向斜方向旋轉。此際，以位於液晶層31之厚度方向之中央之液晶分子35旋轉約45度之方式將白色顯示時之電場強度控制於最適值。藉此，在穿透入射側之第1偏光板33之入射光中，在穿透液晶層31內之間會發生相位差，成為旋轉90度之直線偏光，並通過出射側之第2偏光板34，故呈現白色顯示。

其次，說明有關本實施型態之液晶顯示裝置1之特有之作用。在此，首先，為了對比，說明有關比較例。

圖11係表示比較例之液晶顯示裝置100之要部之平面構成，圖12係將此液晶顯示裝置100之一部分(接觸部週邊部)放大表示之圖。圖13係圖12之C-C箭視剖面之圖。

此液晶顯示裝置100係與本實施型態之液晶顯示裝置1同樣，具備有配置於列方向之閘極線111及配置於行方向之資料線116。TFT112之閘極112a係利用向行方向延伸之2個金屬膜所構成，該等之各一端連接於閘極線111。半導體層114係經由閘極絕緣膜113配置於閘極112a之上方，沿著閘極線111延伸。半導體層114中與閘極112a對向之部分成為TFT112之通道112b。在此半導體層114之上面設有電晶體保護膜118。在此電晶體保護膜118，設有向積層方向貫通此而達到半導體層114之一端側之上面之第1接觸部115。半導體層114之另一端側被第2接觸部117(圖11)連接於資料線116。

在此等電晶體保護膜118等之上方，設有層間絕緣膜119、對向電極121、畫素絕緣膜123及畫素電極125。在層間絕緣膜119，設有達到第1接觸部115之上面之層間絕緣膜孔120。對向電極121係設於層間絕緣膜119之上，具備有對向電極孔122。畫素絕緣膜123係設置成覆蓋對向電極121及層間絕緣膜119。在此畫素絕緣膜123，形成達到第1接觸部115之上面之畫素電極孔124。在畫素絕緣膜123之上，形成有形成複數之開口部(縫隙)之畫素電極125。此畫素電極125係經由畫素電極孔124連接於第1接觸部115。

在此，構成TFT112之閘極112a、及使畫素電極125與半導體層114導通之第1接觸部115係以金屬形成，係不使入射光穿透之遮光區域，且係對作為液晶顯示裝置100之顯示無助益之部分。然而，在此比較例中，此等遮光區域之面積變得較大。其理由如下所示。

(1)第1接觸部115係形成於完全離開閘極線111之位置，第1接觸部115之遮光面積與閘極線111之遮光面積之和較大。

(2)由閘極線111引出閘極112a而作為TFT112之閘極，故閘極線111之遮光面積需加上閘極112a之遮光面積。

對此，在本實施型態之液晶顯示裝置1中，使第1接觸部15之形成區域端靠至局部與閘極線11重疊之處。具體而言，在閘極線11之上方，將對向電極孔22形成於可與此重疊之位置。此結果，可將第1接觸部15本身形成於充分接近於閘極線11之位置，故可進一步縮小第1接觸部15之遮光面積與閘極線11之遮光面積之和。

另外，在本實施型態之液晶顯示裝置1中，將TFT12之閘極12a兼用作為閘極線11(即，將閘極線11之一部分直接利用作為TFT12之閘極)，故在此點上，遮光區域之面積也比比較例之情形小。

因此，可減低全體之遮光量，增加穿透光量，故可提高顯示亮度。

又，如上所述，使第1接觸部15之形成區域端靠至局部與閘極線11重疊之處之結果，可恰如其份地使畫素電極25之縫隙26擴張至比比較例之情形更接近於閘極線11之位置。而且，直接利用閘極線11之一部分(閘極12a)作為TFT12之閘極部分，故與比較例之情形相比，可縮小因TFT12之配置空間，可恰如其份地擴張畫素電極25之縫隙26。具體而言，在圖2中斜線所示之區域X1變成比比較例之情形更擴張之縫隙區域。如此擴張縫隙面積時，可恰如其份地擴大可控制液晶分子之移動之區域，且可更強力穩定畫素電極25與對向電極21之間所生之橫電場，故可使液晶分子之控制性保持良好，而提高顯示對比度。

另外，在本實施型態中，由第1接觸部15之延伸部分15a覆蓋閘極線11與對向電極孔22疊合之重疊區域101。因此，由閘極線11通過對向電極孔22而到達液晶層31之漏電場可被第1接觸部15之一部分(延伸部分15a)所遮蔽，以抑制電場之紊亂。

另外，在本實施型態中，包圍對向電極孔22之內周緣區域中面臨重疊區域101之內周緣區域27以外之其他區域28亦在第1接觸部15之上方，與第1接觸部15之其他延伸部分15c重疊。因此，故在此區域縱使產生於畫素電極25與對向電極21之間之電場有所紊亂，第1接觸部15之一部分(延伸部分15c)遮蔽光之結果，也可阻止液晶控制性較差之部分對顯示提供助益。

另外，在本實施型態中，畫素電極25與對向電極21之區域28重疊，故可抑制區域28未被畫素電極25覆蓋之情形所生之電場之紊亂。

又，在上述實施型態中，雖說明有關對向電極孔22之內周緣區域中重疊於閘極線11之區域27以外之區域28係與畫素電極25及第1接觸部15之雙方重疊之情形，但不限定於此。區域28只要與畫素電極25及第1接觸部15之延伸部分15a中至少一方重疊即可。

又，在上述實施型態之液晶顯示裝置1中，說明有關畫素絕緣膜孔24之平面尺寸大於層間絕緣膜孔20之構成。但，本發明之液晶顯示裝置如圖7所示，也可採用層間絕緣膜孔20之平面尺寸大於畫素絕緣膜孔24之構成。採用此種液晶顯示裝置，也可發揮與上述實施型態之液晶顯示裝置1同樣之效果。

又，在上述實施型態之液晶顯示裝置1中，雖說明有關畫素絕緣膜孔24與層間絕緣膜孔20之內周緣位置互異之情形，但如圖8所示，層間絕緣膜孔20(縱影線部分)之一對側面及畫素絕緣膜孔24(斜影線部分)之一對側面之至少一方彼此也可位於同一面內。圖8之情形，層間絕緣膜孔20及畫素絕緣膜孔24之各側面中，沿著行方向之側面彼此分別位於同一面內。又，圖8之情形，第1接觸部15之延伸部分15a之寬度比圖2之情形更狹窄。採用此種液晶顯示裝置1，也可發揮與上述實施型態之液晶顯示裝置1同樣之效果。另外，畫素絕緣膜孔24與層間絕緣膜孔20之尺寸與位置也可完全相等。此情形，可利用1個蝕刻遮罩而以1個步驟形成畫素絕緣膜孔24與層間絕緣膜孔20。

[第2實施型態]

圖9係表示將第2實施型態之液晶顯示裝置2之第1接觸部15之部分放大之圖。在此，在與第1實施型態同樣之構成部分附上同符號，省略或簡略其說明。本實施型態之液晶顯示裝置2係將形成於畫素電極40之縫隙41中另外2條(右側算起第2條與左側算起第2條)形成比第1實施型態之情形更長，使縫隙41之一部分與第1接觸部15之延伸部分15a重疊。在本實施型態中，使畫素電極25之縫隙26中之4條延伸至TFT12之閘極12a之最近處，故與第1實施型態之液晶顯示裝置1相比，在圖9中斜線所示之X2之區域變成可穿透入射光區域，可恰如其份地提高顯示亮度。

[第3實施型態]

圖10係表示將第3實施型態之液晶顯示裝置3之第1接觸部15之部分放大之圖。本實施型態之液晶顯示裝置3係將形成層間絕緣膜孔20之側面、與形成畫素絕緣膜孔24之側面之至少任一面形成位於同一面內，且將形成於畫素電極40之縫隙41形成與圖9所示之第2實施型態相同。

將層間絕緣膜孔20及畫素絕緣膜孔24之各側面全部形成位於同一面內，即，使層間絕緣膜孔20及畫素絕緣膜孔24之平面尺寸相同，且使配置各孔20、24之位置位於同一處時，可利用1次之蝕刻形成此等之孔20、24。此步驟之具體的一例如以下所述。即，在電晶體保護膜18、第1接觸部15及資料線16之上面，設置作為層間絕緣膜19之絕緣材料後，如上述所說明，形成對向電極21，其後，在此等之上設置作為畫素絕緣膜23之絕緣材料。其次，利用光微影技術形成遮罩後，蝕刻遮罩之開口部分而形成由層間絕緣膜18連續貫通至畫素絕緣膜23之孔部。

如此，若1次施行光微影步驟及蝕刻步驟，即可簡化步驟，光微影時所準備之光罩也只要一種即已足夠。又，層間絕緣膜孔及畫素絕緣膜孔之各側面在積層方向連續時，可縮小孔20、24之平面尺寸，與上述同樣地，可增加入射光之穿透區域，提高穿透率。

以上已列舉若干實施型態及變形例予以說明，但本發明並不僅限定於此等，可適宜地使其變形。例如，畫素電極之開口形狀不限於直線縫隙狀，也可為其他之開口形狀，例如也可為曲折之縫隙狀。又，接觸部形狀也可非為正方形，也可為長方形或其他之形狀。

1~3．．．液晶顯示裝置

11．．．閘極線

12．．．薄膜電晶體(TFT)

12a．．．閘極

12b．．．通道

14．．．半導體層

15．．．第1接觸部

15a．．．延伸部分

15b．．．貫通部分

18．．．電晶體保護膜

19．．．層間絕緣膜

20．．．層間絕緣膜孔

21．．．對向電極

21a．．．內周緣部

22．．．對向電極孔

23．．．畫素絕緣膜

24．．．畫素絕緣膜孔

25．．．畫素電極

26．．．縫隙

27．．．內周緣區域

31．．．液晶層

40．．．畫素電極

41．．．縫隙

圖1係將有關第1實施型態之液晶顯示裝置之一部分放大之平面圖。

圖2係將圖1所示之液晶顯示裝置之第1接觸部之部分放大之平面圖。

圖3係表示在設有液晶顯示裝置之第1接觸部之附近之主要部之平面方向之關係位置之圖。

圖4係在圖2之A-A線之剖面圖。

圖5(A)、(B)係表示液晶顯示裝置之概略構成之立體圖。

圖6(A)、(B)係液晶顯示裝置之動作之說明用之對向電極、畫素電極及液晶層之剖面圖。

圖7係有關第2變形例之液晶顯示裝置之剖面圖。

圖8係有關第3變形例之液晶顯示裝置之剖面圖。

圖9係將有關第2實施型態之液晶顯示裝置之接觸部之部分放大之平面圖。

圖10係將有關第3實施型態之液晶顯示裝置之接觸部之部分放大之平面圖。

圖11係將比較例之液晶顯示裝置之一部分放大之平面圖。

圖12係將圖11所示之液晶顯示裝置之接觸部之部分放大之平面圖。

圖13係圖12之B-B線之剖面圖。

1．．．液晶顯示裝置

10．．．玻璃基板

11．．．閘極線

12．．．薄膜電晶體(TFT)

12a．．．閘極

12b．．．通道

13．．．閘極絕緣膜

14．．．半導體層

15a．．．延伸部分

15b．．．貫通部分

15c．．．延伸部分

15h．．．接觸孔

18．．．電晶體保護膜

19．．．層間絕緣膜

20．．．層間絕緣膜孔

21．．．對向電極

21a、21b．．．內周緣部

22．．．對向電極孔

23．．．畫素絕緣膜

24．．．畫素絕緣膜孔

25．．．畫素電極

27．．．內周緣區域

28．．．區域

101．．．重疊區域

Claims (4)

1. 一種液晶顯示裝置，其係包含：畫素電極，其係形成有複數之開口；對向電極，其係積層配置成經由絕緣層而與前述畫素電極對向，並形成有對向電極孔；液晶層，其係積層配置於前述畫素電極之與前述對向電極相反側；畫素選擇用之選擇線；畫素驅動用之薄膜電晶體，其係積層配置於前述對向電極之與前述畫素電極相反側，並構成為直接利用前述選擇線之一部分作為閘極；及層間導通部，其係於與前述選擇線鄰接之位置，連接前述薄膜電晶體與前述畫素電極之間；且前述畫素電極與前述層間導通部係經由前述對向電極孔而連接，且前述對向電極孔之一部分係與前述選擇線重疊；前述層間導通部係具有延伸部分，其係在前述對向電極與前述選擇線之間的階層中，沿著積層面延伸成覆蓋前述對向電極孔之一部分與前述選擇線之重疊區域。
2. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中前述對向電極孔之內周緣區域中，除面臨前述重疊區域之區域以外的區域，係與前述層間導通部中之其他的延伸部分或前述畫素電極、或該等之雙方重疊。
3. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中在前述對向電極與前 述層間導通部之間設有層間絕緣膜；在前述絕緣層及前述層間絕緣膜，設有以同徑由前述絕緣層之表面貫通至前述層間導通部之孔。
4. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中前述畫素電極之開口係形成為縫隙狀，且延伸設置至前述選擇線之最近處。