CN101609218B - 液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种液晶显示装置，通过改善用于给像素电极施加电势的局部结构而增强亮度。该液晶显示装置包括：像素电极，具有多个开口；对向电极，设置为面对像素电极，其间具有绝缘层；液晶层，设置在像素电极与对向电极相反的一侧；选择线，用于选择像素；薄膜晶体管，设置在对向电极的与像素电极相反的一侧以驱动像素，并利用选择线的一部分作为它的栅极；以及层间导体，连接在薄膜晶体管和像素电极之间。对向电极具有允许层间导体穿过的对向电极孔，并且对向电极孔与选择线部分地重叠。

Description

液晶显示装置

技术领域

本发明涉及由面内切换模式(in-plane switching)的液晶进行显示的液晶显示装置。

背景技术

已有具有面内切换模式比如边缘场切换(Fringe Field Switching，FFS)模式的液晶结构的液晶显示装置。FFS模式的液晶显示装置具有对向电极(opposite electrode)。具有狭缝形状的开口的像素电极设置为通过绝缘层与对向电极相对。此外，液晶层设置在像素电极的上面。导电接触设置为在层堆叠方向上穿透绝缘层，并且像素电极和驱动像素电极的薄膜晶体管(TFT)通过导电接触导电。在这样的液晶显示装置中，当从连接到TFT的数据线给像素电极施加电压时，产生从像素电极朝着像素电极下面的对向电极经由液晶层和狭缝(slit)的电场，并且因此给液晶层施加横向电场以进行驱动。日本未审查专利申请公开No.2008-64947揭示了FFS模式的液晶显示装置。

发明内容

因为近年来要求液晶显示装置改善亮度，所以努力增加开口率(apertureratio)。为了增加开口率，必须尽可能大地加大透光区域的面积。如上所述，因为必须用导电接触连接像素电极和TFT，且设置导电接触的空间是必需的，所以未必获得足够高的开口率。然而，尚未提出这方面的改进方案。

因此，希望提供一种能够通过改善给像素电极施加驱动电压的结构来增加亮度的液晶显示装置。

根据本发明实施例的液晶显示装置包括：像素电极，具有多个开口；对向电极，设置为隔着绝缘层面对像素电极；液晶层，设置在像素电极的与对向电极相反的一侧；选择线，用于选择像素；薄膜晶体管，设置在对向电极与像素电极相反的一侧以驱动像素，并且利用选择线的一部分作为其栅极；以及层间导体，电连接在薄膜晶体管和像素电极之间。对向电极具有允许层间导体穿过的对向电极孔，并且对向电极孔与选择线部分地重叠。

在根据本发明实施例的液晶显示装置中，来自背光的入射光穿过像素电极和对向电极而进入液晶层，另一方面，受选择线和层间导体的阻挡。当薄膜晶体管由选择线提供的信号导通，并且给像素电极施加图像信号电压时，从像素电极朝着像素电极下面的对向电极产生经由液晶层和像素电极中的开口的电场。因此，给液晶层施加横向电场，液晶层中的液晶分子选择性旋转，并且调制通过液晶层的光。因为允许层间导体穿过的对向电极孔提供在与选择线重叠的位置，结果，阻挡入射光的层间导体设置为非常靠近选择线。因此，与现有技术相比，像素电极中的开口区域可以扩大到更加靠近选择线的位置。而且，因为选择线的一部分用作薄膜晶体管的栅极，所以从选择线分开地引出栅极部分来构造薄膜晶体管的情况相比，相应地减少设置薄膜晶体管的空间所产生的遮光区域，并且像素电极中的开口区域对应于该减少的量而扩大。

在根据本发明实施例的液晶显示装置中，优选层间导体具有沿着对向电极和选择线之间的层平面延伸的第一延伸部分，以覆盖对向电极孔与选择线部分地重叠的重叠区域。在此情况下，层间导体沿着层堆叠平面延伸的部分阻挡了从选择线经由对向电极孔到液晶层的泄漏电场，并且抑制了电场的干扰。优选地，层间导体还具有与第一延伸部分不同的第二延伸部分，对向电极的第一内边缘区域是围绕对向电极孔的整个内边缘区域的一部分，面对重叠区域，并且对向电极的第二内边缘区域与第一内边缘区域不同，与层间导体的第二延伸部分或者像素电极重叠，或者与层间导体的第二延伸部分和像素电极都重叠。在对向电极的第二内边缘区域覆盖有像素电极的情况下，抑制了第二内边缘区域不用像素电极覆盖时会产生的电场干扰。作为选择，在层间导体的一部分与第二内边缘区域重叠的情况下，不存在对向电极的部分覆盖有该部分的层间导体。因此，即使像素电极和对向电极之间产生的电场受到干扰，层间绝缘膜的一部分也挡光。结果，防止低液晶控制力的部分用于显示。因此，防止了对比度的降低。

在根据本发明实施例的液晶显示装置中，因为允许层间导体穿过的对向电极孔位于与选择线重叠的位置，所以可以扩大透射区域的面积，并且显示亮度得到改善。另外，因为与现有技术相比像素电极中的开口可以扩大到更加靠近选择线的位置，所以增加了开口面积，并且显示对比度得到改善。而且，通过利用选择线的一部分作为薄膜晶体管的栅极部分，减少了设置薄膜晶体管的空间，从而透光区域的面积可以进一步对应于该减少的空间的量而扩大，并且像素电极中的开口可以扩大，因此，就此而言，有助于改善显示亮度和显示对比度。

通过下面的详细描述，本发明的其他和进一步的目标、特征和优点将更加明显易懂。

附图说明

图1是根据第一实施例的液晶显示装置的局部放大平面图。

图2是图1所示的液晶显示装置中的第一接触的一部分的放大平面图。

图3的示意图图解了在提供有液晶显示装置的第一接触的区域周围主要部分的平面方向上的位置关系。

图4是沿着图2的A-A线剖取的截面图。

图5A和5B的透视图每一个都图解了液晶显示装置的示意性构造。

图6A和6B是对向电极、像素电极和液晶层的截面图，用于说明液晶显示装置的操作。

图7是根据第二修改的液晶显示装置的截面图。

图8是根据第三修改的液晶显示装置的截面图。

图9是根据第二实施例的液晶显示装置中的部分接触的放大平面图。

图10是根据第三实施例的液晶显示装置中的部分接触的放大平面图。

图11是根据比较示例的液晶显示装置的局部放大平面图。

图12是图11所示液晶显示装置中的部分接触的放大平面图。

图13是沿着图12的C-C线剖取的截面图。

具体实施方式

下面，将参考附图详细描述本发明的实施例。

第一实施例

图1的平面图图解了根据本发明第一实施例的液晶显示装置的主要部分的构造。图2和3是图1所示的液晶显示装置中的一部分(接触周围的部分)的放大图。在图3中，没有图解部分部件(如，像素电极)。图4图解了沿着图2的A-A线剖取的截面结构。

如图4所示，液晶显示装置1提供有玻璃基板10。在玻璃基板10的上表面上，作为选择线的多个栅极线11沿行方向(垂直于图面的方向)延伸。在一个像素的区域中，栅极线11用作驱动像素的切换元件的栅极12a，也就是薄膜晶体管(TFT)12的栅极12a。在玻璃基板10的上表面上，提供栅极绝缘膜13，并且用栅极绝缘膜13覆盖栅极线11。

在栅极绝缘膜13的上表面上，提供半导体层14。在本实施例中，半导体层14在图1所示的平面图中基本上为U形。U形的一个臂部跨越栅极线11。半导体层14的栅极线11与半导体层14彼此交叉的区域用作TFT12的沟道12b。栅极12a、栅极绝缘膜13和半导体层14的沟道12b构成TFT12的主要部分。

作为层间导体的第一接触15(稍后予以描述)提供在半导体层14的U形的一端(源极)中，并且第二接触17提供在另一端(漏极)中。第一接触15提供为在层堆叠方向上连接半导体层14的源极和像素电极25，这将稍后描述。第二接触17提供为在层堆叠方向上连接沿列方向延伸的数据线16和半导体层14的漏极。数据信号(像素电压)从数据线16经由第二接触17提供给半导体层14。数据信号还通过TFT12的源极和漏极之间，并且从半导体层14(漏极)经由第一接触15提供给像素电极25。

在半导体层14和栅极绝缘膜13上，提供具有绝缘属性的晶体管保护膜18，以覆盖半导体层14和栅极绝缘膜13(图4)。在晶体管保护膜18中，在与栅极线11相邻的位置提供接触孔15h，并且填充有导体，由此构造第一接触15。第一接触15具有部分15a、部分15b和延伸部分15c，部分(延伸部分或者第一延伸部分)15a沿着晶体管保护膜18的上表面在朝着栅极线11的方向上延伸，部分(穿透部分)15b在层堆叠方向上穿透晶体管保护膜18，延伸部分15c(第二延伸部分)延伸在与延伸部分15a的延伸方向不同的三个方向上。延伸部分15a的前端部延伸到与栅极线11重叠的位置。

在晶体管保护膜18和第一接触15上，提供覆盖晶体管保护膜18和第一接触15的层间绝缘膜19。在层间绝缘膜19中，到达第一接触15的上表面的层间绝缘膜孔20形成在形成第一接触15的位置。

对向电极21形成在层间绝缘膜19的上表面上。在对向电极21中，形成具有矩形形状的对向电极孔22。对向电极孔22形成为包括层间绝缘膜孔20，并且在平面方向上大于层间绝缘膜孔20。结果，层间绝缘膜孔20位于对向电极孔22的内侧的区域中。对向电极孔22形成在栅极线11的上面以与栅极线11重叠。就是说，围绕对向电极孔22的内边缘区域的一部分(内边缘区域27)终止在栅极线11的上面。栅极线11和对向电极孔22重叠的重叠区域101覆盖有第一接触15的延伸部分15a。换言之，第一接触15的延伸部分15a的前端部在对向电极21和栅极线11之间延伸到超过对向电极孔22的内边缘21a的位置的部分，并终止在该部分。类似地，在围绕对向电极孔22的内边缘区域中内边缘区域27之外的区域28也在第一接触15的上面与第一接触孔15的另一延伸部分15c重叠。换言之，第一接触15的另一延伸部分15c的前端部延伸到超过对向电极孔22的内边缘21a的与半导体层14重叠的部分之外的内边缘21b的位置，并终止在该部分。

层间绝缘膜19、对向电极21和层间绝缘膜孔20覆盖有像素绝缘膜23(绝缘层)。在像素绝缘膜23中，形成像素绝缘膜孔24，该像素绝缘膜孔24在层堆叠厚度方向上穿透对向电极21中的对向电极孔22和层间绝缘膜19中的层间绝缘膜孔20的内侧并且到达第一接触15上表面。

在像素绝缘膜23上，以像素单元为基础形成像素电极25，如图1所示，像素电极25设置为跨越两个相邻的栅极线11以与栅极线重叠。如图1和4所示，像素电极25覆盖像素绝缘膜孔24的内面(内壁面和第一接触15的上表面)，从而半导体层14的漏极和像素电极25经由第一接触15彼此电连接。以完全覆盖对向电极孔22的位置和尺寸形成像素电极25。在像素电极25中，沿着平行于数据线16的方向形成多个狭长的开口(狭缝26)。位于狭缝26的中间部分的狭缝26(图1中的三个狭缝26)延伸靠近TFT12，即靠近第一接触15，并且周边部分中的狭缝26(图1中的两个狭缝)延伸得非常靠近栅极线。沿着图1的B-B线剖取的截面如稍后描述的图6所示。

图5A和5B示意性地图解了液晶显示装置的透视结构。如图5A和5B所示，在像素电极25的上面侧(出光侧)，设置了第一取向膜(alignment film)30、液晶层31、第二取向膜32和第二偏振器(polarizer)34。在玻璃基板10的下面侧(入光侧)，设置第一偏振器33。

例如，具有这样构造的液晶显示装置1制造如下。首先，作为驱动液晶显示装置1的像素的切换元件，形成TFT12。为了形成TFT12，首先，在玻璃基板10上形成作为TFT12的栅极12a(栅极线11)的金属膜。可以通过采用例如溅射等沉积诸如钼的金属材料来形成金属膜。其后，采用光刻技术，在金属膜的上表面上形成掩模，蚀刻从掩模中的开口暴露的金属膜，其后，去除掩模。以这样的方式，形成也用作栅极线11的TFT12的栅极12a。

接下来，形成覆盖玻璃基板10和栅极线11的栅极绝缘膜13。栅极绝缘膜13可以通过采用诸如化学气相沉积(CVD)的膜形成法在玻璃基板10的上表面上沉积诸如氮化硅的绝缘材料来形成。

接下来，形成半导体层14。为了形成半导体层14，首先，通过采用诸如CVD的膜形成法，在栅极绝缘膜13的上表面上沉积将成为半导体层14的诸如非晶硅的半导体材料。其后，为了获得具有图1所示形状的半导体层14，通过采用光刻技术在半导体材料的上表面上形成掩模，蚀刻由掩模中的开口暴露的半导体材料，并且其后去除掩模。结果，形成一端连接到第一接触15、另一端连接到第二接触17且一部分用作TFT12的沟道12b的半导体层14。

接下来，在半导体层14和栅极绝缘膜13的上表面上形成保护TFT12的晶体管保护膜18。为了形成晶体管保护膜18，首先，采用诸如CVD的膜形成法，在栅极绝缘膜13的上表面上沉积诸如氮化硅的绝缘材料以覆盖半导体层14。其后，采用光刻技术在栅极绝缘膜13的上表面上形成掩模，以使得在层堆叠方向上沉积第一接触15和第二接触17。然后，蚀刻由掩模中的开口暴露的绝缘材料，并且其后去除掩模。结果，形成晶体管保护膜18，并且晶体管保护膜18构造为具有设置第一接触15的穿透部分15b的第一接触孔15h和设置第二接触17的第二接触孔。

接下来，在晶体管保护膜18的上表面上形成成为第一接触15的晶体管接触金属膜和数据线16。为了形成晶体管接触金属膜，首先，采用诸如溅射的膜形成法，例如，在晶体管保护膜18的上表面上堆叠钛、铝和钛的三层。其后，通过采用光刻技术，在晶体管接触金属膜的上表面上形成掩模。然后，蚀刻没有用掩模覆盖的部分，并且去除掩模。结果，形成第一接触15和数据线16，第一接触15包括沿平面方向延伸的部分，也就是包括从平面图上看晶体管接触金属膜在内边缘区域中的端部与栅极线11重叠的部分，数据线16沿列方向延伸。因此，第一接触15设置在对向电极21和栅极线11之间的层中。

接下来，在晶体管保护膜18、第一接触15和数据线16的上表面上形成层间绝缘膜19。层间绝缘膜19可以由诸如丙烯酸树脂的绝缘材料制成。在此情况下，如果丙烯酸树脂为光敏的，则采用光刻技术易于形成层间绝缘膜孔20。因此，获得使得第一接触15和数据线16与对向电极21之间绝缘的层间绝缘膜19，并且经由层间绝缘膜孔20从该层间绝缘膜19暴露第一接触15的一部分。

接下来，在层间绝缘膜19的上表面上形成作为透明电极的对向电极21。为了形成对向电极21，首先，通过利用诸如溅射的膜形成法，例如，在层间绝缘膜19的上表面上形成诸如铟氧化物的电极材料。其后，为了形成对向电极孔22，通过利用光刻技术，在对向电极21的上表面上形成掩模。然后，蚀刻由掩模中的开口暴露的电极材料，并且其后去除掩模。结果，形成具有对向电极孔22的对向电极21。如图4所示，本实施例的对向电极孔22形成为大于层间绝缘膜孔20而小于第一接触15沿平面方向延伸的部分。因此，在平面图中看，形成对向电极孔22的内边缘21a的内边缘区域与第一接触15和栅极线11都重叠。

接下来，为了给液晶层31施加电场，在对向电极21的上表面上形成像素绝缘膜23。例如，通过采用诸如CVD的膜沉积法在对向电极21的上表面上沉积诸如氮化硅的电介质，从而形成像素绝缘膜23。然后，通过采用光刻技术，在电介质层的上表面上形成掩模。其后，蚀刻没有覆盖掩模的部分，并且去除掩模。因此，形成具有像素绝缘膜孔24的像素绝缘膜23，并且在层间绝缘膜孔20的内侧和对向电极孔22上设置本实施例的像素绝缘膜孔24。

接下来，在像素绝缘膜23的上表面上形成用于驱动液晶而施加电势的像素电极25。例如，像素电极25可以这样形成，采用诸如溅射的膜沉积法沉积诸如铟氧化物的电极材料，并且其后采用由光刻技术和蚀刻获得的掩模，形成在平面图中看覆盖狭缝26和对向电极孔22的图案，从而经由像素绝缘膜23在像素电极25和对向电极21之间施加电场。

其后，在像素电极25的上表面上设置第一取向膜30、液晶层31、第二取向膜32和第二偏振器34，并且在玻璃基板10的下面侧设置第一偏振器33，由此获得液晶显示装置1。

接下来，将描述本实施例的液晶显示装置1的操作。首先，参考图5A和5B以及图6A和6B，将描述基本操作。图5A和5B图解了液晶显示装置1的透视构造。图6A和6B图解了液晶显示装置1的截面(沿着图1的B-B线剖取)。图5A和6A图解了没有施加电压的状态，而图5B和6B图解了施加电压的状态。

光从玻璃基板10的后侧(图1中的下侧)入射(图4中的箭头C和D)在液晶显示装置1上。入射光D被由金属制作的部分阻挡，如栅极线11、第一接触15、第二接触17和数据线16等，并且穿过其它部分，而进入液晶层31(入射光C)。

当光穿过液晶层31时，入射在液晶层31上的光经受稍后描述的FFS模式的空间调制。

如图5A和6A所示，在没有在对向电极21和像素电极25之间施加电压的状态下，作为液晶层31成分的液晶分子35的轴垂直于入射侧的第一偏振器33的透射轴，并且平行于出射侧的第二偏振器34的透射轴。因此，通过入射侧的第一偏振器33的入射光“h”到达出射侧的第二偏振器34，而没有在液晶层31中引起相差，而被吸收，从而导致黑色显示。

另一方面，如图5B和6B所示，在对向电极21和像素电极25之间施加电压的状态下，液晶分子35的取向方向由像素电极25之间产生的电场倾斜地旋转到像素电极25的延伸方向。此时，优化了白色显示模式中的电场强度，从而位于液晶层31的厚度方向中心的液晶分子35旋转约45度。因此，在入射光穿过液晶层31时，相差在已穿过入射侧的第一偏振器33的入射光中产生。因此，该光变为旋转90度的线性偏振光，并且穿过出射侧的第二偏振器34，从而导致白色显示。

现在，将描述本实施例的液晶显示装置1的独特作用。首先，为了比较，将描述比较示例。

图11的平面图图解了根据比较示例的液晶显示装置100的主要部分的构造。图12是液晶显示装置100中的一部分(在接触周围的部分)的放大图。图13是沿着图12的C-C线剖取的截面图。

与本实施例的液晶显示装置1一样，液晶显示装置100具有设置在行方向上的栅极线111和设置在列方向上的数据线116。TFT112的栅极112a由沿列方向延伸的两个金属膜构造，并且每个金属膜的一端连接到栅极线111。半导体层114经由栅极绝缘膜113设置在栅极112a的上面，并且沿着栅极线111延伸。半导体层114面对栅极112a的部分用作TFT112的沟道112b。在半导体层114的上表面上，提供晶体管保护膜118。晶体管保护膜118提供有在层堆叠方向上穿透膜118并且到达半导体层114的一端侧的上面的第一接触115。半导体层114的另一端侧经由第二接触117连接到数据线116(图11)。

在晶体管保护膜118等的上面，提供层间绝缘膜119、对向电极121、像素绝缘膜123和像素电极125。在层间绝缘膜119中，提供到达第一接触115的上表面的层间绝缘膜孔120。对向电极121提供在层间绝缘膜119上，并且具有对向电极孔122。像素绝缘膜123提供为覆盖对向电极121和层间绝缘膜119。在像素绝缘膜123中，形成到达第一接触115的上面的像素电极孔124。在像素绝缘膜123上，形成带有多个开口(狭缝)的像素电极125。像素电极125经由像素电极孔124连接到第一接触115。

TFT112的栅极112a以及使像素电极125和半导体层114导电的第一接触115等是由金属制成且不透射入射光的遮光区域，并且是没有用于液晶显示装置100的显示的部分。因此，在比较示例中，因为下面的原因，遮光区域的面积相对大。

(1)第一接触115形成在完全离开栅极线111的位置，并且第一接触115的遮光面积和栅极线111的遮光面积的总和大。

(2)因为栅极112a从栅极线111引出并用作TFT112的栅极，所以栅极112a的遮光面积加到了栅极线111的遮光面积上。

在接触方面，在本实施例的液晶显示装置1中，第一接触15的区域设置为靠近像素区域中的周边，从而第一接触15与栅极线11重叠。具体地讲，对向电极孔22形成在栅极线11的上面，其位置使得对向电极孔22与栅极线11重叠。结果，第一接触15自身形成在足够靠近栅极线11的位置，并且进一步降低第一接触15的遮光面积和栅极线11的遮光面积之和。

另外，在本实施例的液晶显示装置1中，TFT12的栅极12a也用作栅极线11(就是说，栅极线11的一部分用作TFT12的栅极)。就这一点而言，使得遮光区域的面积小于比较示例的遮光区域的面积。

因此，总体上减少了遮光量，并且增加了透光量，从而显示亮度得到改善。

如上所述，作为靠近像素区域的周边形成第一接触15的形成区域从而第一接触15与栅极线11部分地重叠的结果，像素电极25中的狭缝26可以加大到靠近栅极线11的位置，与比较示例的情况相比，增加量为形成区域靠近重叠部分的量。而且栅极线11的一部分(栅极12a)用作TFT12的栅极部分，从而设置TFT12的空间与比较示例相比可以减少，并且像素电极25中的狭缝26可以对应于该减少量而增大。具体地讲，图2中的阴影线区域X1是比比较示例增大的狭缝区域。当狭缝区域以这样的方式加大时，控制液晶分子运动的区域对应于狭缝区域增大的量而变宽，并且像素电极25和对向电极21之间产生的横向电场变得强且稳定，从而液晶分子的控制力变得适合，且显示对比度得到改善。

此外，在本实施例中，栅极线11和对向电极孔22重叠的重叠区域101覆盖有第一接触15的延伸部分15a。因此，从栅极线11穿过对向电极孔22且到达液晶层31的泄漏电场被第一接触15的部分(延伸部分15a)阻挡，并且抑制了电场的干扰。

此外，在本实施例中，在围绕对向电极孔22的内边缘部分中，除了面对重叠区域101的内边缘区域27之外的区域28也与第一接触15上面的第一接触15的另一延伸部分15c重叠。因此，即使像素电极25和对向电极21之间产生的电场在区域28中受到干扰，第一接触15的部分(延伸部分15c)也遮挡光。结果，防止液晶控制力低的部分用于显示。

此外，在本实施例中，因为像素电极25与对向电极21中的区域28重叠，所以抑制了在区域28不用像素电极25覆盖的情况下产生的电场干扰。

在前述实施例中，已经描述了在对向电极孔的内边缘区域中除与栅极线11重叠的区域27之外的区域28与像素电极25和第一接触15都重叠的情况。然而，本发明不限于此。区域28可以与像素电极25和第一接触15的延伸部分15c中的至少一个重叠。

另外，已经描述了本实施例具有像素绝缘膜孔24的平面尺寸小于层间绝缘膜孔20的平面尺寸的构造的液晶显示装置1。然而，本发明的液晶显示装置可以具有如图7所示的构造，层间绝缘膜孔20的平面尺寸小于像素绝缘膜孔24的平面尺寸。这样的液晶显示装置也可以产生与前述实施例的液晶显示装置1相类似的效果。

本实施例的液晶显示装置1已经相对于像素绝缘膜孔24的内边缘位置和层间绝缘膜孔20的内边缘位置彼此不同的情况进行了描述。然而，如图8所示，层间绝缘膜孔20(垂直阴影部分)的一对侧面和像素绝缘膜孔24(倾斜阴影部分)的一对侧面中的至少一方可以在相同的平面中。在图8的情况下，层间绝缘膜孔20和像素绝缘膜孔24的侧面中的列方向上的侧面在相同的平面中。另外，在图8的情况下，第一接触15的延伸部分15a的宽度小于图2的情况。这样的液晶显示装置1也可以产生与前述实施例的液晶显示装置1相类似的效果。此外，像素绝缘膜孔24的尺寸和位置可以与层间绝缘膜孔20的相同。在此情况下，像素绝缘膜孔24和层间绝缘膜孔20可以采用一个蚀刻掩模由一个工艺形成。

第二实施例

图9是根据第二实施例的液晶显示装置2中的第一接触15的一部分的放大图。相同的附图标记指代与第一实施例相类似的部件，并且不再重复其描述或者只简单地描述。在第二实施例的液晶显示装置2中，形成在像素电极40中的狭缝41中的两个狭缝41(从右侧数的第二狭缝和从左侧数的第二狭缝)比第一实施例的长，并且狭缝41的一部分与第一接触15的延伸部分15a重叠。在第二实施例中，狭缝26中的四个狭缝延伸靠近TFT12的栅极12a。因此，与第一实施例的液晶显示装置1相比，图9中的阴影区域X2变为入射光可透射区域，并且对应于该区域的量而改善显示亮度。

第三实施例

图10是根据第三实施例的液晶显示装置3中的第一接触15的一部分的放大图。第三实施例的液晶显示装置3构造为使得形成层间绝缘膜孔20的侧面和形成像素绝缘膜孔24的侧面中的至少一个在相同的平面中，并且形成在像素电极40中的狭缝41以与图9所示的第二实施例相类似的方式形成。

当层间绝缘膜孔20和像素绝缘膜孔24的所有侧面在相同的平面中，也就是层间绝缘膜孔20的平面尺寸和像素绝缘膜孔24的平面尺寸设定为相同，且孔20和24设置在相同的位置时，孔20和24可以用一个蚀刻形成。工艺的具体示例如下。在晶体管保护膜18、第一接触15和数据线16的上表面上，提供成为层间绝缘膜19的绝缘材料。其后，如上所述形成对向电极21，并且在它们的上表面上，提供成为像素绝缘膜23的绝缘材料。接下来，采用光刻技术形成掩模。其后，蚀刻掩模中的开口以形成从层间绝缘膜18到像素绝缘膜23连续穿透的孔。

在如上所述一次进行光刻工艺和蚀刻工艺时，简化了工艺，并且为光刻制备的一种光掩模就足够了。另外，当层间绝缘膜孔的侧面和像素绝缘膜孔的侧面在层堆叠方向上为连续时，孔20和24的平面尺寸可以更小。以与上述相类似的方式，扩大了入射光可透射区域，并且改善了透射率。

尽管上面已经描述了一些实施例和修改，但是本发明不限于此，而是可以适当修改。例如，像素电极中的开口形状不限于线性狭缝形状，而是可以为另外的开口形状，如弯曲的狭缝形状。接触的形状不限于正方形，而是可以为矩形或者其它形状。

本申请包含2008年6月16日提交日本专利局的日本优先权专利申请JP2008-157229中揭示的相关主题，将其全部内容引用参考于此。

明显地，在上述教导的指引下，本发明可以有很多修改和变化。因此，应当理解的是，在权利要求的范围内，本发明可以以具体描述之外的方式予以实施。

Claims (5)

1.一种液晶显示装置，包括：

像素电极，具有多个开口；

对向电极，设置为隔着绝缘层面对该像素电极；

液晶层，设置在该像素电极的与该对向电极相反的一侧；

选择线，用于选择像素；

薄膜晶体管，设置在该对向电极的与该像素电极相反的一侧以驱动像素，且利用该选择线的一部分作为该薄膜晶体管的栅极；以及

层间导体，将该薄膜晶体管和该像素电极之间电连接，

其中该对向电极具有对向电极孔，该对向电极孔允许该像素电极穿过，并且该对向电极孔与该选择线部分地重叠。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中该层间导体具有第一延伸部分，该第一延伸部分沿着该对向电极和该选择线之间的层的平面延伸，以覆盖该对向电极孔与该选择线部分地重叠的重叠区域。

3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中

该层间导体还具有与该第一延伸部分不同的第二延伸部分，

该对向电极的第一内边缘区域是围绕该对向电极孔的整个内边缘区域的一部分，该第一内边缘区域与该选择线重叠，并且

该对向电极的第二内边缘区域与该第一内边缘区域不同，该第二内边缘区域与该层间导体的该第二延伸部分或者该像素电极重叠，或者与该层间导体的该第二延伸部分和该像素电极都重叠。

4.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中

层间绝缘膜提供在该对向电极和该层间导体之间，并且

具有等径的孔形成为从该绝缘层的表面穿透该绝缘层和该层间绝缘膜到达该层间导体。

5.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中该像素电极中的该开口形成为狭缝形状，并且延伸到最靠近该选择线。

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