TWI395299B - 影像感測元件封裝體及其製作方法 - Google Patents

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TWI395299B
TWI395299B TW096145127A TW96145127A TWI395299B TW I395299 B TWI395299 B TW I395299B TW 096145127 A TW096145127 A TW 096145127A TW 96145127 A TW96145127 A TW 96145127A TW I395299 B TWI395299 B TW I395299B
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Jui Ping Weng
Jang Cheng Hsieh
Tzu Han Lin
Peter Zung Pai-Chun
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Visera Technologies Co Ltd
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Description

影像感測元件封裝體及其製作方法
本發明係有關於影像感測元件封裝體,特別是關於一種具有相對較小尺寸的影像感測元件封裝體及其製作方法。
電荷耦合元件(charge couple device;CCD)及互補式金氧半導體(complementary metal-oxide-semiconductor;CMOS)元件係廣泛地應用於數位影像的電子裝置中。由於使用影像感測元件機會的增加,例如數位相機(digital camera)、數位攝影機(digital video recorder)、可擷取影像的手機(image capture mobile phone)或顯示器(monitor)等,使得消費者愈來愈來熟知影像擷取技術。
第1圖顯示一種習知之影像感測元件封裝體。在第1圖中,提供上方形成有一影像感測元件4及一接合墊5的一晶片2。接著,藉由一黏著層6,貼合一蓋板8於上述晶片2上。之後,設置上述晶片2於一承載基底10上。然後,形成一導電層12於承載基底10的下表面上,且此導電層12沿著承載基底10的側壁,延伸至接合墊5,以電性連接接合墊5與一焊料球體14。由於晶片及承載基底具有一即定厚度,使得習知之影像感測元件封裝體具有相對較大的尺寸。此外,由於導電層係形成於鄰近影像感測元件封裝體的外部,例如基底的側壁。因此,在後續的製程中,例如切割步驟,容易造成導電層的損傷。
因此,亟需一種可解決上述問題的影像感測元件封裝體及其製作方法。
有鑑於此,本發明之一目的係提供一種影像感測元件封裝體。上述影像感測元件封裝體,包含一具有一第一表面及一與其相反之第二表面的第一基底,且在此第一基底之中更形成一導通孔於其中。一驅動電路,形成於第一基底的第一表面上,且電性連接上述導通孔。一第一導電墊,形成於第一基底的第一表面上,且電性連接上述驅動電路。具有一第一表面及與其相反之第二表面的第二基底,接合於第一基底的第一表面上。在上述第二基底的第一表面上方形成有一感光元件及一第二導電墊,且藉由接觸的第一、第二導電墊,使得此感光元件可電性連接至第一基底上的驅動電路。一支撐部及一蓋板依序設置於第二基底的第二表面上。在上述影像感測元件封裝體,更包含一焊料球體,形成於第一基底的第二表面上,且電性連接上述導通孔。在上述影像感測元件封裝體中,由於上方形成有感光元件之第二基底及上方形成有驅動電路的第一基底會經一研磨處理。因此,可降低影像感測元件封裝體的整體厚度及其尺寸。再者,由於感光元件與驅動電路係個別及獨立地製作於不同的基底上,因此,感光元件及驅動電路的設計及製作相對較具有彈性。
本發明之另一目的係提供一種影像感測元件封裝體的製作方法。上述製作方法包括,提供一包含一導通孔於其中的第一基底;形成一電性連接上述導通孔的驅動電路於上述第一基底上;接合上方形成有一感光元件的一第二基底於上述第一基底上,以電性連接上述感光元件與上述驅動電路;形成一支撐部於上述第二基底上;設置一蓋板於第二基底上;以及形成一焊料球體於第一基底上,且此焊料球體電性連接上述導通孔。上述製作方法更包含薄化上述第一、第二基底的步驟,使得可以降低影像感測元件封裝體的尺寸。
本發明之再一目的係提供一種影像感測元件封裝體。上述影像感測元件封裝體,包含一具有一第一導電墊於其上方及一導通孔於其中的第一基底,且上述第一導電墊電性連接上述導通孔;一第二基底,接合於上述第一基底上,上述第二基底上方形成有包含一感光元及一驅動電路的一影像感測元件及一第二導電墊,且藉由接合步驟,此第二導電墊會接觸形成於第一基底的第一導電墊;一支撐部,形成於上述第二基底的背面上;一蓋板,設置於上述支撐部上;以及一焊料球體,形成於第一基底的背面上,且電性連接導電孔。
接下來以實施例並配合圖式以詳細說明本發明,在圖式或描述中,相似或相同部份係使用相同之符號。在圖式中,實施例之形狀或厚度可擴大,以簡化或是方便標示。圖式中元件之部份將以描述說明之。可了解的是,未繪示或描述之元件,可以是具有各種熟習該項技藝者所知的形式。
第2A-2G圖係顯示根據本發明之一第一實施例之製作一種影像感測元件封裝體的連續剖面圖。如第2A圖所示,提供一具有一第一表面1021及一與第一表面1021相反之第二表面1022的第一基底102,同時此第一基底102也可稱為承載基板。上述第一基底102的第一表面1021也可以稱為第一基底102的正面,而第一基底102的第二表面1022也可以稱為第一基底102的背面。在一實施例中,上述第一基底102較佳可以是一整個矽、矽於絕緣層(silicon on insulator;SOI)或其它適合之半導體材料。
形成一導通孔(via hole)108於上述第一基底102之中。在一實施例中,蝕刻第一基底102的第一表面1021,以形成一凹槽104。藉由化學氣相沈積(chemical vapor deposition;CVD)法、低壓化學氣相沈積(low pressure chemical vapor deposition;LPCVD)法或電漿加強式化學氣相沈積(plasma enhanced vapor deposition;PECVD)法,順應性地沈積例如是氧化矽(si1icon oxide)、氮化矽(silicon nitride)或其它合適材料之絕緣材料層(圖未顯示)於第一基底102的第一表面1021上以及填充於此凹槽104之中。接著,圖案化上述絕緣材料層,以形成一絕緣層106於凹槽104之中。填充例如是銅的導電材料層於上述凹槽104之中,以形成此導通孔108。
在第2A圖中,形成一電性連接上述導通孔108之驅動電路(driving circuit)110於第一基底102的第一表面1021上。在一實施例中,可以是藉由一半導體製程,製作上述驅動電路110於上述第一基底102的第一表面1021上。接著,順應性地形成一介電層112於第一基底102上,以覆蓋上述驅動電路110與導通孔108。又如第2A圖所示,藉由一金屬化製程(metallization process),形成一第一導電墊114於第一基底102上方的介電層112上,且此第一導電墊114係電性連接上述驅動電路110。上述第一導電墊114較佳可以是銅(copper)、鋁(aluminum)或其它合適的導電材料。
如第2B圖所示,提供一具有一第一表面1161及一第二表面1162的第二基底116,其中第一表面1161係與第二表面1162相反。此第二基底116的材質較佳可以是與上述第一基底102相似。同樣地,此第一表面1161也可以稱為第二基底116的正面,而第二表面1162也可以稱為第二基底116的背面。在第2B圖中,藉由一互補式金氧半導體(complementary metal-oxide-semiconductor;CMOS)製程,形成一感光元件(photosensitive device)118於第二基底116的第一表面1161上。據此,上述第二基底116也可以稱為感光元件晶片。在一實施例中,上述感光元件118可以是互補式金氧半導體元件或電荷耦合元件(charge-coupled device;CCD),以擷取圖像或影像。
又如第2B圖所示,形成一層間介電層(interlayer dielectric)120於上述第二基底116的第一表面1161上,以覆蓋上述感光元件118。形成一金屬插塞(metal plug)122,例如是銅、鋁或鎢,於上述層間介電層120之中。接著,形成一第二導電墊124於上述第二基底116上方的層間介電層120上,且藉由上述金屬插塞122電性連接上述感光元件118。
如第2C圖所示,接合上述第二基底116於上述第一基底102,以電性連接形成於第二基底116上方之感光元件118至形成於第一基底102上方之驅動電路110。在一實施例中,上述接合的方式可以是,塗佈一例如是環氧樹脂(epoxy)的黏著劑(未顯示)於第二基底116的第一表面1161上方,接著,將第二基底116的第一表面1161貼附於上述第一基底102的第一表面1021上,使得第二導電墊124可直接接觸或電性連接上述第一導電墊114。因此,設置於第一基底102上方之驅動電路110可耦接於第二基底116上方的感光元件118,且此驅動電路110可更進一步控制此感光元件118。另,也可以是使用一具有導電能力的黏著劑,例如是異向性導電性薄膜(anisotropic conductive film;ACF),以接合第二基底116於第一基底102。
接著,移除部分上述第二基底116,使得足夠量的光可穿透第二基底116至感光元件118。在一實施例中,研磨(grinding)此第二基底116的第二表面1162,以薄化第二基底116。上述薄化第二基底116的步驟,使得感光元件118可藉由其背面感應足夠量的光,以產生訊號,接著將此訊號傳送至設置於第一基底102上方的驅動電路110。上述研磨較佳可以是藉由化學機械研磨(chemical mechanical polishing;CMP)製程完成。
值得注意的是,上述第二基底116被薄化至一適當的厚度,其適當的厚度係指可允許足夠量的光穿過第二基底116,且讓感光元件118感應而產生訊號的厚度即可。因此,餘留之第二基底116的厚度,只要完成上述的目的即可,並不另外提供。此外,由於上述的研磨步驟,可降低最後完成之影像感測元件封裝體的整體厚度。
如第2D圖所示,在薄化步驟後,接著形成一彩色濾光層128於上述感光元件118上。在一實施例中,形成上述彩色濾光層128於感光元件118的背面(第二基底116的第二表面1162)上。接著,塗佈例如是丙二醇甲醚醋酸脂(propylene glycol methyl ether acetate;PMA)、丙二醇乙醚醋酸脂(propylene glycol ethyl ether acetate)或丙烯酸(acrylic acid)聚合物的平坦層(overcoating layer)126於第二基底116的第二表面1162上,且覆蓋彩色澸光層128。接著,移除部分平坦層126,以暴露彩色濾光層128。
又加第2D圖所示,接著,設置一例如是微鏡頭(micro lens)之光學元件130於彩色濾光層128的上方。上述微鏡頭較佳可以是酚醛樹脂(phenolic resin)、三聚氰胺(melamine resin)、環氧樹脂(epoxy)或其它合適的材質。值得注意的是,也可以將光學元件130形成於平坦層126上,而不需要移除部分的平坦層126。
在第2E圖中,設置一蓋板134於第二基底116的第二表面1161上,以形成一間隙138於蓋板134與第二基底116之間。在一實施例中,形成一支撐部(support member)132,也可稱為支撐墊(support dam),於蓋板134上。接著,塗佈黏著層136於上述支撐部132上,之後,將蓋板134貼附於第二基底116上,以形成支撐部132於第二基底116的第二表面1162上。在另一實施例中,也可以將上述支撐部132形成於平坦層126上,接著,再藉由黏著層136將蓋板134貼附於第二基底116上。因此,圖式中顯示的方式僅是用來說明本發明實施例的一種方式,並不用以限制本發明。
上述蓋板134較佳可以是一透明基板,例如是玻璃、石英、蛋白石或塑膠。而,上述支撐部132較佳可以是聚醯亞胺(polyimide;PI)、環氧樹脂(epoxy)或光阻材料。
之後,移除部分上述第一基底102與絕緣層106,以暴露導通孔108。在一實施例中,研磨第一基底102的第二表面1022,以暴露導通孔108。上述研磨方式較佳可以是與研磨第二基底116的化學機械研磨相似。
如第2F圖所示,在完成上述步驟後,藉由刻痕裝置或乾蝕刻進行一刻痕(notching)步驟,以形一溝槽(trench)140於第一基底102之中。接著,藉由化學氣相沈積法、低壓化學氣相沈積法、電漿加強式化學氣相沈積法或塗佈,順應性地形成例如是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其它合適材料之絕緣層142於第一基底102的第二表面1022上,且此絕緣層142更延伸至溝槽140之中。
在第2F圖中,接著,形成例如是聚醯亞胺的一墊層144於第一基底102的第二表面1022上。然後,形成一導電層146於第一基底102的第二表面1022上,且電性連接上述導通孔108。在一實施例中,在形成導電層146之前,先移除部分絕緣層142,以暴露導通孔108。接著,再使用濺鍍、蒸鍍、電鍍或電漿加強式化學氣相沈積法,順應性地形成例如是鋁、銅、鎳或其它合適材料之導電材料層於第一基底102的第二表面1022上,且覆蓋上述墊層144。接著,圖案化上述導電材料層,以形成上述導電層146。值得注意的是,藉由圖案化上述導電材料層的步驟,可重新佈局從驅動電路110傳送至外部的訊號傳導路徑。另,上述導電層146也可以稱為重新佈局層(redistribution layer)
值得注意的是,由於導電層146係藉由形成於第一基底102之中的導通孔108電性連接驅動電路110,而不需將導電材料層形成於溝槽140之中。因此,可使得較容易製作導電層146。此外,藉由上述導通孔108,也可以使得縮短訊號的傳導路徑。
如第2G圖所示,形成一阻焊膜148,也可稱為保護層,於導電層146及絕緣層142上,且接著圖案化阻焊膜148,以暴露部分導電層146,其暴露導電層146的位置係後續形成之一焊料球體150的位置。在形成防焊膜148之後,塗佈一焊料於暴露的導電層146上方,接著,進行一回焊(reflow)步驟,以形成焊料球體150於導電層146上,且電性連接上述導通孔108。在完成上述步驟後,藉由切割刀(cutter)或乾蝕刻,沿著預切割線將個別晶粒切割出來,以完成根據本發明第一實施例之影像感測元件封裝體的製作,如第2G圖所示。
值得注意是,由於藉由研磨步驟,同時薄化第一基底及第二基底,本發明第一實施例之影像感測元件封裝體的整體厚度較薄於習知之影像感測元件封裝體。因此,本發明第一實施例之影像感測元件封裝體具有相對較小的尺寸。此外,由於感光元件的感光面係位於設置金屬插塞的相反面,在本發明第一實施例之影像感測元件封裝體的製作方法中,金屬插塞的製作與佈局並不會受限於感光元件的感光面。因此,金屬插塞的製作與佈局也會更加彈性。也就是說,由於金屬插塞係形成於第二基底的第一表面上(後續與第一基底貼合的表面),而利用感光元件的背面來感應光。故感光元件的感光面係與金屬插塞設置的位置相反,使得金屬插塞的製作與設計較具有彈性。
在第一實施例的影像感測元件封裝體中,導電層係形成於第一基底的背面(第二表面)上,且藉由第一基底中的導通孔電性連接驅動電路,而不需將導電層形成於影像感測元件封裝體的外部。因此,可降低在製作過程,例如切割步驟,所引起的導電層損傷,且也可以改善影像感測元件封裝體的製程良率。此外,由於控制第二基底上方之感光元件的驅動電路係形成於第一基底上,因此,可不需另形成驅動電路於第二基底。也就是說,上方形成有驅動電路及形成導通孔於其中的第一基底,與上方形成有感光元件的第二基底,可個別及獨立地製作,使得驅動電路與感光元件的設計及製作較具有彈性。另,第一基底也可以稱為驅動電路基底,而第二基底也可以稱為感光元件基底。
再者,由於在本發明第一實施例之影像感測元件封裝體中,感測元件係藉由其背面感應光,使得在製作金屬插塞及導電墊於第一基底的第一表面上時,較具有彈性。同樣地,使得設置驅動電路、導電墊及導通孔具有較少的限制,其甚至可設置於第一基底的任何位置。
第3圖顯示根據本發明第二實施例之影像感測元件封裝體的剖面圖。相較於第一實施例,在第二實施例中,係將驅動電路與感光元件設置於同一基底上。在此實施例中,相似元件的說明及形成方式可參閱第一實施例中對應的說明,在此並不再贅述。
如第3圖所示,提供一具有第一表面2021及第二表面2022的第一基底202,且此第一基底202更形成有一導通孔208於其中。上述第一表面2021也可以稱為正面,而第二表面2022也可以稱為背面。接著,形成一第一導電墊214於上述第一基底202的第一表面2021上,且接觸上述導通孔208。值得注意的是,雖然在第3圖中,第一導電墊214係位於導通孔208上方,可了解的是,第一導電墊214與導通孔208也可以分離地設置於第一基底202的任何位置,而僅需彼此電性連接即可。
又如第3圖所示,藉由例如是黏著劑,將一具有一第一表面2161及一第二表面2162的第二基底216,貼附於上述第一基底202的第一表面2021。在第3圖中,在接合步驟之前,形成一影像感測元件於第二基底216上,且電性連接第二導電墊224,其中上述影像感測元件係包含一感光元件208及一驅動電路,且感光元件208係與驅動電路電性連接。也就是說,感光元件208與驅動電路係設置於同一基底上。上述第二導電墊224藉由接合步驟,以接觸第一基底202上的第一導電墊214,且彼此電性連接。如同第一實施例,進行研磨第二基底216至一合適的厚度,使得影像感測元件可藉由其背面感應一足夠量的光。
在第3圖中,形成一支撐部232於第二基底216的第二表面上2162,且接著設置一蓋板234於第二基底216上,以形成一間隙238於蓋板234與第二基底216之間。接著,研磨第一基底202的第二表面2022,以暴露導通孔208。之後,形成一導電層246於第一基底202的第二表面2022上,且電性連接導通孔208與一焊料球體250。在完成上述步驟後,接著,進行一切割步驟,以完成根據本發明第二實施例之影像感測元件封裝體的製作。
如同上述第一實施例,由於第一、第二基底會經一薄化步驟處理。因此,此第二實施例之影像感測元件封裝體具有一相對較小的尺寸。此外,上述影像感測元件封裝體係利用其與設置金屬插塞位置相反的背面感應光。據此,金屬插塞的製作與佈局也會相對地較具有彈性。
在上述第二實施例之影像感測元件封裝體中,其感光元件218可藉由其背面感應光,且產生一訊號。接著,將感光元件218產生的訊號傳送至同一基底的驅動電路。之後,再藉由接觸之第一、第二導電墊214及224,將在第二基底116的訊號傳送至第一基底202中的導通孔208,然後,再傳送此訊號至導電層246與焊料球體250。值得注意的是,藉由上述導通孔,可縮短上述影像感測元件封裝體的訊號傳導路徑。
第4圖顯示根據本發明第三實施例之影像感測元件封裝體的剖面圖。相較於第一實施例,在第三實施例中係使用球形間隙子(spherical spacer)作為支撐部。相似元件的說明、形成方式及材質可參閱第一實施例對應的說明,在此,並不再贅述。
如第4圖所示,提供一具有一第一表面3021及一與其相反之第二表面3022的第一基底302,且此第一基底302更具有一導通孔308於其中。形成一電性連接上述導通孔308的驅動電路310於第一基底302的第一表面3021上。在第4圖中,接合一具有一第一表面3161及一第二表面3162的第二基底316於第一基底302,以電性連接上述驅動電路310至一形成於第二基底316之第一表面3161上的感光元件318。藉由上述接合步驟,形成於第一基底302的驅動電路310可進一步電性連接及控制形成於第二基底316的感光元件318。值得注意的是,上述驅動電路310與感光元件318係設置於不同的基底上。
又如第4圖所示,形成一支撐部332於第二基底316的第二表面3162上,接著,設置一蓋板334於第二基底316上,以形成一間隙338於蓋板334與第二基底316之間。在一實施例中,塗佈一含有例如是球形間隙子或捲軸式間隙子(roll spacer)之支撐部332的黏著材料331於上述蓋板334上,接著,貼附此蓋板334於第二基底316。之後,形成一焊料球體350於第一基底302的第二表面3022上,且藉由導電層346電性連接導通孔308。在完成上述步驟後,接著,進行一切割步驟,以完成本發明第三實施例影像感測元件封裝體360的製作。
值得注意的是,在上述實施例中,例如是球形間隙子或捲軸式間隙子的支撐部也可以應用於其它型式的影像感測元件封裝體中,以隔離及維持蓋板與晶粒間的間隙。此外,由於可將一次完成形成支撐部與黏附蓋板的步驟,因此,可減少影像感測元件封裝體的製作流程。
第5圖顯示根據本發明第四實施例之影像感測元件封裝體的剖面圖。相較於第一實施例,在第四實施例中,係利用蓋板的一突出部(protruding part)作為支撐部。在第5圖中,與第一實施例相似的元件係以類似的元件符號編號,且相似元件的形成方式、材料及其說明可參閱第一實施例中對應的說明,在此並不再贅述。
如第5圖所示,在接合第二基底416與第一基底402之後,接著,將具有突出部454的蓋板434設置於第二基底416的第二表面4162上,以形成一間隙438於蓋板343與第二基底416之間。在一實施例中,在貼黏蓋板434於第二基底416之後,先蝕刻蓋板434,以形成一凹槽452及突出部454。值得注意的是,上述凹槽452的大小可以是大體上大於感光元件418設置的區域。上述突出部454可以是具有一合適的高度,以維持第二基底416與蓋板434間的間隙438,上述突出部454的高度係指從凹槽452底部至突出部454上表面的距離。之後,塗佈黏著劑436於蓋板434的突出部454上,接著,貼附此蓋板434於上述第二基底416。之後,依照第一實施例所述的步驟,完成第四實施例之影像感測元件封裝體460的製作,如第5圖所示。
在上述實施例中,由於蓋板的突出部可以作為一支撐部,因此,不需要使用額外作為支撐部的材料。此外,由於作為支撐部之突出部的材料係與蓋板相似,因此,可降低不同材料間的熱膨脹係數(coefficient of thermal expansion;CTE)差異所引起的翹曲現象(warpage phenomenon)。
值得注意的是,雖然在第4、5圖中係以類似第一實施例的方式表示,然而,可以了解的是,在第三實施例中以球形間隙子或捲軸式間隙子作為支撐部的實施例,及在第四實施例中以蓋板突出部作為支撐部的實施例,也可以應用於第二實施例的影像感測元件封裝體。
第6圖顯示根據本發明實施例製作影像感測元件封裝體的流程圖。上述影像感測元件封裝體的製作方法,包括提供一第一基底,其具有一導通孔於其中以及與一第一導電墊電性連接的一驅動電路於其上方,如步驟S402所示;提供一第二基底,其上方形成有一感光元件及一第二導電墊,如步驟S404所示;接合第二基底於第一基底,且藉由接觸的第一、第二導電墊,電性連接形成於第二基底上感光元件及形成於第一基底上方的驅動電路,如步驟S406;薄化第二基底,如步驟S408所示,使得足夠量的光可穿過餘留的第二基底,且藉由感光元件的背面感應上述穿過餘留之第二基底的光;形成彩色濾光層及光學元件於感光元件上,如步驟S410所示;設置一蓋板於第二基底上,以形成一間隙於其間,如步驟S412所示;薄化第一基底,以暴露第一基底中的導通孔,如步驟S414所示;對第一基底進行一刻痕步驟,以形成一溝槽,如步驟S416所示;形成一導電層於第一基底的背面上,以電性連接導通孔,如步驟S418;形成焊料球體於導電層上,如步驟S420所示;進行一切割步驟,以完成影像感測元件封裝體的製作,如步驟S422。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作此許之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定為準。
相關前案元件符號:
2...晶片
4...影像感測元件
5...接合墊
6...黏著層
8...蓋板
10...承載基底
12...導電層
14...焊料球體
實施例元件符號:
102...第一基底or承載基底
1021...第一表面
1022...第二表面
104...凹槽
106...絕緣層
108...導通孔
110...驅動電路
112...介電層
114...導電墊
116...第二基底
1161...第一表面
1162...第二表面
118...感光元件
120...介電層
122...金屬插塞
124...導電墊
126...平坦層
128...彩色濾光層
130...光學元件
132...支撐部
134...蓋板
136...黏著層
138...間隙
140...溝槽
142...絕緣層
144...墊層
146...導電層
148...阻焊膜
150...焊料球體
160...影像感測元件封裝體
202...第一基底
2021...第一表面
2022...第二表面
208...導通孔
214...導電墊
216...第二基底
2161...第一表面
2162...第二表面
218...影像感測元件
224...導電墊
232...支撐部
234...蓋板
238...間隙
246...導電層
250...焊料球體
260...影像感測元件封裝體
302...第一基底
3021...第一表面
3022...第二表面
308...導通孔
310...驅動電路
314...導電墊
316...第二基底
3161...第一表面
3162...第二表面
318...感光元件
324...導電墊
331...黏著材料
332...支撐部
334...蓋板
338...間隙
346...導電層
350...焊料球體
360...影像感測元件封裝體
402...第一基底
4021...第一表面
4022...第二表面
408...導通孔
410...驅動電路
414...導電墊
416...第二基底
4161...第一表面
4162...第二表面
418...感光元件
424...導電墊
434...蓋板
436...黏著劑
438...間隙
450...焊料球體
452...凹槽
454...突出部
460...影像感測元件封裝體
接下來,將配合附圖說明,使得可更加了解本發明的具體實施方式及優點,其中:第1圖顯示一種習知之影像感測元件封裝體的剖面圖;第2A-2G圖顯示根據本發明第一實施例之影像感測元件封裝體之製作方法的連續剖面圖;第3圖顯示根據本發明第二實施例之影像感測元件封裝體的剖面圖;第4圖顯示根據本發明第三實施例之影像感測元件封裝體的剖面圖;第5圖顯示根據本發明第四實施例之影像感測元件封裝體的剖面圖;以及第6圖顯示根據本發明實施例之影像感測元件封裝體之製作方法的流程圖。
102...第一基底
1021...第一表面
1022...第二表面
108...導通孔
110...驅動電路
114...導電墊
116...第二基底
1161...第一表面
1162...第二表面
118...感光元件
124...導電墊
132...支撐部
134...蓋板
138...間隙
146...導電層
148...阻焊膜
150...焊料球體
160...影像感測元件封裝體

Claims (24)

  1. 一種影像感測元件封裝體,包含:一第一基底,其具有一第一表面以及與該第一表面相反之一第二表面;一導通孔,形成於該第一基底之中;一驅動電路,形成於該第一基底的該第一表面上,且電性連接該導通孔;一第一導電墊,形成於該第一基底的該第一表面上,且電性連接該驅動電路;一第二基底,具有一第一表面以及與該第一表面相反之一第二表面,其藉由一第二導電墊接合於該第一基底上,其中該第二基底的該第一表面上方形成有一感光元件,且該感光元件與該第一基底直接接觸之該驅動電路電性連接,且該第一導電墊直接接觸該第二導電墊;一支撐部,形成於該第二基底的該第二表面上方;一蓋板,設置於該第二基底的該第二表面上;以及一焊料球體,形成於該第一基底的該第二表面上,且電性連接該導通孔。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測元件封裝體,其中該蓋板包含玻璃、石英、蛋白石或塑膠。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測元件封裝體,其中該支撐部包含環氧樹脂、光阻材料、聚醯亞胺或玻璃材質。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測元件封裝 體,其中該支撐部包含一球形間隙子或捲軸式間隙子。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測元件封裝體,其中該支撐部包含由該蓋板延伸出來的一突出部。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測元件封裝體,更包含:一彩色濾光層,形成於該感光元件上;以及一光學元件,設置於該彩色濾光層上。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測元件封裝體,更包含:一層間介電層,形成於該第二基底的該第一表面上;以及一金屬插塞,形成於該層間介電層之中,且電性連接該感光元件與該第二導電墊。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測元件封裝體,更包含:一導電層,形成於該第一基底的該第二表面上,且電性連接該導通孔與該焊料球體;以及一阻焊膜,覆蓋於該導電層上。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測元件封裝體,其中該感光元件藉由其背面感應光。
  10. 一種影像感測元件封裝體,包含:一第一基底,具有一第一導電墊於其上方以及一導通孔於其中,且該第一導電墊電性連接該導通孔;一第二基底,接合於該第一基底上,且該第二基底 上方形成有包含一感光元件及一驅動電路的一影像感測元件以及一第二導電墊,其中形成於該第二基底上的該第二導電墊係直接接觸形成於該第一基底上的該第一導電墊;一支撐部,形成於該第二基底的一背面上;一蓋板,設置於該第二基底的該背面上方;以及一焊料球體,形成於該第一基底的一背面上,且電性連接該導通孔。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之影像感測元件封裝體,其中該支撐部包含環氧樹脂、光阻材料聚醯亞胺或玻璃材質。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之影像感測元件封裝體,其中該支撐部包含一球形間隙子或捲軸式間隙子。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之影像感測元件封裝體,其中該支撐部包含由該蓋板延伸出來的一突出部。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測元件封裝體,更包含:一彩色濾光層,形成於該感光元件上;以及一光學元件,設置於該彩色濾光層上。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測元件封裝體,更包含一導電層,形成於該第一基底的該背面上,且電性連接該導通孔與該焊料球體。
  16. 如申請專利範圍第10項所述之影像感測元件封裝體,其中該感光元件藉由其背面感應光。
  17. 一種影像感測元件封裝體的製作方法,包括:提供具有一導通孔的一第一基底;形成一驅動電路於該第一基底上,且電性連接該導通孔;接合一上方形成有一感光元件的第二基底於該第一基底上,以電性連接該感光元件與該驅動電路;形成一支撐部於該第二基底的背面上;設置一蓋板於該第二基底背面上;對該第一基底的背面,進行薄化步驟,以暴露該導通孔;以及形成一焊料球體於該第一基底的背面,且電性連接該導通孔。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之影像感測元件封裝體的製作方法,其中形成該導通孔的方式,包括:蝕刻該第一基底,以形成一凹槽;以及填充一導電材料於該凹槽之中,以形成該導通孔。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之影像感測元件封裝體的製作方法,更包括:形成一第一導電墊於該第一基底上,且電性連接該驅動電路;以及形成一第二導電墊於該第二基底上,且電性連接該感光元件;其中藉由接合步驟,接觸該第一導電墊與該第二導電墊,以電性連接該驅動電路與該感光元件。
  20. 如申請專利範圍第17項所述之影像感測元件封裝體的製作方法,其中薄化步驟係由研磨的方式完成。
  21. 如申請專利範圍第17項所述之影像感測元件封裝體的製作方法,更包括薄化該第二基底,使得該感光元件可藉由其背面感應足夠量的光。
  22. 如申請專利範圍第17項所述之影像感測元件封裝體的製作方法,其中形成該支撐部的方式,包括:移除部分該蓋板,以形成一凹槽及一突出部;以及設置具有該突出部之該蓋板於該第二基底上,以形成該支撐部於該蓋板與該第二基底之間。
  23. 如申請專利範圍第17項所述之影像感測元件封裝體的製作方法,更包括:形成一彩色濾光層於該感光元件上;以及設置一光學元件於該彩色濾光層上。
  24. 如申請專利範圍第17項所述之影像感測元件封裝體的製作方法,在接合步驟之前,更包括:形成一層間介電層於該第二基底上;以及形成一金屬插塞於該層間介電層之中,且電性連接該感光元件與該第二導電墊。
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