TWI392108B - Light emitting device - Google Patents

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TWI392108B
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Naofumi Sumitani
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Nichia Corp
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Description

發光裝置
本發明係關於畫像讀取裝置與液晶之背光光源等所使用之發光裝置。特別是關於傳真機與影印機、掃描器等所使用之發光裝置。
作為以往之掃描器等之光源裝置，係有第15圖所示者(例如，參照日本專利特開平11－330557號公報(第3圖))。此發光裝置係由：第1導線架3210、及第2導線架3220、及第3導線架3230、及第4導線架3240、及固定這些導線架之樹脂構件4300所構成。第1導線架3210係由：與外部電極電性連接之第1部3211、及從樹脂構件4300露出之第2部3212、及載置有第1發光元件3110、第2發光元件3120、第3發光元件3130(以下，稱為「第1發光元件等3110、3120、3130」)之第3部3213而形成為一體。
於第1導線架3210的第3部3213載置有第1發光元件等3110、3120、3130。第1發光元件3110所具有之一個電極係介由導線而與第2導線架3220連接，第2發光元件3120所具有之一個電極係介由導線而與第3導線架3230連接，第3發光元件3130所具有之一個電極係介由導線而與第4導線架3240連接。由圖面，第1導線架3210的第2部3212、第2導線架3220的第2部3222、第3導線架3230的第2部3232、第4導線架3240的第2部3242的表面積被認為係相同。
以往的發光裝置中，由於於1個導線架3210載置有3個之發光元件3110、3120、3130，所以，其中之一的發光元件有因熱而被破壞之虞。例如，第1發光元件3110使用發出藍色光之GaN系之半導體元件、第2發光元件3120使用發出綠色光之GaN系之半導體元件、第3發光元件3130使用發出紅色光之半導體元件，而來製造RGB之發光裝置時，如對第1導線架3210投入電氣時，則第1發光元件3110及第2發光元件3120會發熱。第1導線架3210通常使用熱傳導性良好之金屬構件，所以，在此第1發光元件3110及第2發光元件3120所產生的熱會傳達於第3發光元件3130。基於此，第3發光元件3130有因熱而被破壞的問題。特別是，此次為了謀求發光裝置之高輸出化，來自發光元件之熱的產生，無法加以忽視。
由以上，本發明之目的在於提供：能抑制因熱所致之發光元件的破壞之發光裝置。
本發明係一種發光裝置，為具有：GaN系第1發光元件，具有第1發光峰值波長、及GaN系第2發光元件，比起第1發光峰值波長，於長波長側具有第2發光峰值波長、及第3發光元件，比起第2發光峰值波長，於長波長側具有第3發光峰值波長、及載置有第1發光元件之第1導線電極、及載置有第2發光元件之第2導線電極、及載置有第3發光元件之第3導線電極、及與第1發光元件電性連接之第4導線電極、及與第2發光元件電性連接之第5導線電極、及與第3發光元件電性連接之第6導線電極、及固定有第1導線電極至第6導線電極之固定構件，其特徵為：第1導線電極，係與外部電極電性連接之第1部、及從固定構件露出之第2部、及載置有第1發光元件之第3部形成為一體，第2導線電極，係與外部電極電性連接之第1部、及從固定構件露出之第2部、及載置有第2發光元件之第3部形成為一體，第3導線電極，係與外部電極電性連接之第1部、及從固定構件露出之第2部、及載置有第3發光元件之第3部形成為一體，第1導線電極之第1部及第2部，以及第2導線電極之第1部及第2部之其中之一的導線電極，係表面積比第3導線電極之第1部及第2部更大。
以第1導線電極之第1部及第2導線電極之第1部、第3導線電極之第1部之粗細，實質上為幾乎相同，第1導線電極之第2部及第2導線電極之第2部，其表面積比第3導線電極之第2部更大為佳。
以第3導線電極之露出部份，其表面積比第6導線電極的露出部份更大。
第4導線電極至第6導線電極之至少其中2個以上之導線電極，可以被設成一體。
第1導線電極係第1導線電極之第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第1導線電極之第4部從固定構件的另外一面延伸，第2導線電極係第2導線電極的第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第2導線電極的第4部從固定構件的另外一面延伸。
第1導線電極係第1導線電極的第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第1導線電極的第4部從固定構件的另外一面延伸，第1導線電極之第4部所延伸之固定構件的部位，係從外周部往內側形成有切口，比起外周部更於內側配置有第1導線電極之第4部，第2導線電極係第2導線電極之第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第2導線電極的第4部從固定構件的另外一面延伸，第2導線電極的第4部所延伸之固定構件的部位，係從外周部往內側形成有切口，比起外周部更於內側配置有第2導線電極之第4部。
第1導線電極之第3部及第2導線電極之第3部、第3導線電極之第3部之其中一部，以形成為具有錨定效果為佳。
發光裝置更具有1或2以上之導線電極，於1或2以上之導線電極之其一，載置有發光元件。
本發明係關於一種發光裝置，為具有：GaN系第1發光元件，具有第1發光峰值波長、及第2發光元件，比起第1發光峰值波長，於長波長側具有第2發光峰值波長、及載置有第1發光元件之第1導線電極、及載置有第2發光元件之第2導線電極、及與第1發光元件電性連接之第3導線電極、及與第2發光元件電性連接之第4導線電極、及固定有第1導線電極至第4導線電極之固定構件，其特徵為：第1導線電極，係與外部電極電性連接之第1部、及從固定構件露出之第2部、及載置有第1發光元件之第3部形成為一體，第2導線電極，係與外部電極電性連接之第1部、及從固定構件露出之第2部、及載置有第2發光元件之第3部形成為一體，第1導線電極之第1部及第2部，係表面積比第2導線電極之第1部及第2部更大。
以第1導線電極之第1部與第2導線電極之第1部的粗細，實質上幾乎相同，第1導線電極之第2部係表面積比第2導線電極的第2部更大為佳。
以第1導線電極之第1部及第2部，係表面積比第3導線電極之第1部及第2部更大為佳。
以第2導線電極之露出部份，其表面積比第3導線電極之露出部份更大為佳。
第3導線電極及第4導線電極，係可以設成一體。
第1導線電極係第1導線電極之第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第1導線電極之第4部從固定構件的另外一面延伸，第2導線電極係第2導線電極的第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第2導線電極的第4部從固定構件的另外一面延伸。
第1導線電極係第1導線電極的第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第1導線電極的第4部從固定構件的另外一面延伸，第1導線電極之第4部所延伸之固定構件的部位，係從外周部往內側形成有切口，比起外周部更於內側配置有第1導線電極之第4部，第2導線電極係第2導線電極之第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第2導線電極的第4部從固定構件的另外一面延伸，第2導線電極的第4部所延伸之固定構件的部位，係從外周部往內側形成有切口，比起外周部更於內側配置有第2導線電極之第4部。
以第1導線電極之第3部及第2導線電極之第3部，係形成為具有錨定效果為佳。
固定構件係形成為具有底面與側面之窗部，底面係配置有載置有第1發光元件之第1導線電極的第3部及載置有第2發光元件之第2導線電極的第3部之至少其中一部，以底面和側面所包圍之窗部，可以配置有透光性樹脂。
透光性樹脂也可以具有螢光物質。
本發明係關於一種發光裝置，係具有：GaN系之第1發光元件、及GaN系之第2發光元件、及載置有第1發光元件之第1導線電極、及載置有第2發光元件之第2導線電極、及與第1發光元件電性連接之第3導線電極、及與第2發光元件電性連接之第4導線電極、及固定有第1導線電極至第4導線電極之固定構件，其特徵為：第1導線電極，係與外部電極電性連接之第1部、及從固定構件露出之第2部、及載置有第1發光元件之第3部形成為一體，第2導線電極，係與外部電極電性連接之第1部、及從固定構件露出之第2部、及載置有第2發光元件之第3部形成為一體，固定構件係形成為具有底面與側面之窗部，底面係配置有載置有第1發光元件之第1導線電極的第3部及載置有第2發光元件之第2導線電極的第3部之至少其中一部，以底面和側面所包圍之窗部，係配置有透光性樹脂，第1導線電極之第1部及第2部以及第2導線電極之第1部及第2部，係表面積比第3導線電極之第1部及第2部更大。
透光性樹脂也可以含有螢光物質。
透光性樹脂也可以從窗部突出。
以第1導線電極之第1部及第2導線電極之第1部之粗細，實質上為幾乎相同，第1導線電極之第2部其表面積比第2導線電極之第2部更大為佳。
第3導線電極及第4導線電極也可以設為一體。
以第1導線電極係第1導線電極之第2部及第1部從固定構件之一面延伸，第1導線電極之第4部從固定構件之另外一面延伸為佳。另外，第2導線電極係第2導線電極之第2部及第1部從固定構件之一面延伸，第2導線電極之第4部從固定構件的另外一面延伸為佳。
以第1導線電極係第1導線電極的第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第1導線電極的第4部從固定構件的另外一面延伸，第1導線電極之第4部所延伸之固定構件的部位，係從外周部往內側形成有切口，比起外周部更於內側配置有第1導線電極之第4部為佳。以第2導線電極係第2導線電極的第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第2導線電極的第4部從固定構件的另外一面延伸，第2導線電極之第4部所延伸之固定構件的部位，係從外周部往內側形成有切口，比起外周部更於內側配置有第2導線電極之第4部為佳。
以第1導線電極之第3部及第2導線電極之第3部形成具有錨定效果為佳。
本發明係關於一種光源，具有前述發光裝置、及傳達從發光裝置所射出之光的導光體。
本發明係如前述說明般所構成，所以，具有以下所記載之效果。
本發明係關於一種發光裝置，為具有：GaN系第1發光元件，具有第1發光峰值波長、及GaN系第2發光元件，比起第1發光峰值波長，於長波長側具有第2發光峰值波長、及第3發光元件，比起第2發光峰值波長，於長波長側具有第3發光峰值波長、及載置有第1發光元件之第1導線電極、及載置有第2發光元件之第2導線電極、及載置有第3發光元件之第3導線電極、及與第1發光元件電性連接之第4導線電極、及與第2發光元件電性連接之第5導線電極、及與第3發光元件電性連接之第6導線電極、及固定有第1導線電極至第6導線電極之固定構件，其特徵為：第1導線電極，係與外部電極電性連接之第1部、及從固定構件露出之第2部、及載置有第1發光元件之第3部形成為一體，第2導線電極，係與外部電極電性連接之第1部、及從固定構件露出之第2部、及載置有第2發光元件之第3部形成為一體，第3導線電極，係與外部電極電性連接之第1部、及從固定構件露出之第2部、及載置有第3發光元件之第3部形成為一體，第1導線電極之第1部及第2部，以及第2導線電極之第1部及第2部之其中之一的導線電極，係表面積比第3導線電極之第1部及第2部更大。將載置第1發光元件、第2發光元件、第3發光元件之各個的導線電極加以分開，所以，第1發光元件及第2發光元件之熱，不會直接傳達至第3發光元件。因此，可以防止因熱所致之第3發光元件的破壞。另外，關於發熱量比較大之第1發光元件、第2發光元件，使第1發光元件之第2部等、第2發光元件之第2部等之表面積為大些，來提高散熱性。進而，可以將從發熱量比第3發光元件更大的第1發光元件或第2發光元件所產生的熱有效率地排放於外部。
第1導線電極之第1部及第2導線電極之第1部、第3導線電極之第1部的粗細，實質上幾乎為相同，第1導線電極之第2部及第2導線電極之第2部，其表面積以比第3導線電極之第2部更大為佳。藉此，不用變更以往所使用之電源部的形狀，可以電性連接關於本發明之發光裝置。另外，可以將從發熱量比第3發光元件為大之第1發光元件、第2發光元件所產生之熱有效率地排放於外部。藉由使各第1部的粗細實質上成為相同，比第1部更粗之第2部作用為停止件。
第3導線電極的露出部份，以表面積比第6導線電極的露出部份更大為佳。藉由使載置有發光元件之第3導線電極的表面積比沒有載置發光元件之第6導線電極更大，可以提升散熱性。藉此，使依據沒有載置發光元件之第4導線電極、第5導線電極、第6導線電極之群組、第3導線電極之群組、第1導線電極、第2導線電極群組之順序，使從固定構件露出之表面積變大，來謀求散熱性之提升。
第4導線電極至第6導線電極之至少其中2個以上之導線電極，也可以設成一體，藉此，可以減少導線電極的數目，能夠形成簡易之電路。例如，將第1導線電極及第3導線電極設成陽極電極、將第4導線電極至第6導線電極設成陰極電極之情形。即使設為一體之情形，則以第4導線電極至第6導線電極之其一來稱呼。
以第1導線電極係第1導線電極的第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第1導線電極的第4部從固定構件的另外一面延伸，第2導線電極係第2導線電極的第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第2導線電極的第4部從固定構件的另外一面延伸為佳。以上模具及下模具來夾住沖壓成特定形狀之導線架，以移轉造型法流入特定的樹脂時，導線架會晃動。單單按壓各導線電極之第1部及第2部，雖無法充分抑制晃動，但是，藉由以模具按壓相當於第4部之部份，可使導線架之晃動降低。固定構件成形後，相當於此第4部的部份被切斷，以從固定構件露出之形式殘留。
第1導線電極係第1導線電極的第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第1導線電極的第4部從固定構件的另外一面延伸，第1導線電極的第4部所延伸之固定構件的部份，係從外周部往內側形成有切口，比起外周部更於內側配置有第1導線電極之第4部，第2導線電極係第2導線電極之第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第2導線電極的第4部從固定構件的另外一面延伸，第2導線電極的第4部所延伸之固定構件的部位，係從外周部往內側形成有切口，比起外周部更於內側配置有第2導線電極之第4部。藉此，第4部不會從固定構件之外框突出於外側，發光裝置安裝時，不會成為累贅。
第1導線電極之第3部及第2導線電極之第3部、第3導線電極之第3部之其一，以形成為具有錨定效果為佳。藉此，可以防止導線電極之脫落。特別是，第1導線電極至第3導線電極之第3部的粗細為粗的關係，容易形成為具有錨定效果。例如，錨定效果為設置凹凸、於第3部設置孔，於該孔部配置固定構件等之情形。
發光裝置進而具有1或2以上之導線電極，可以於1或2以上之導線電極之其中一個載置發光元件。藉此，可以提供具有所期望之色調的發光裝置。
本發明係關於一種發光裝置，係具有：GaN系之第1發光元件、及GaN系之第2發光元件、及載置有第1發光元件之第1導線電極、及載置有第2發光元件之第2導線電極、及與第1發光元件電性連接之第3導線電極、及與第2發光元件電性連接之第4導線電極、及固定有第1導線電極至第4導線電極之固定構件，其特徵為：第1導線電極，係與外部電極電性連接之第1部、及從固定構件露出之第2部、及載置有第1發光元件之第3部形成為一體，第2導線電極，係與外部電極電性連接之第1部、及從固定構件露出之第2部、及載置有第2發光元件之第3部形成為一體，第1導線電極之第1部及第2部，係表面積比第2導線電極之第1部及第2部更大。藉此，可以防止伴隨驅動之第1發光元件的發熱所致之第2發光元件的破壞。另外，也可以提升第1發光元件之散熱性。
第1導線電極之第1部及第2導線電極之第1部的粗細，係實質上為幾乎相同，第1導線電極之第2部以表面積比第2導線電極的第2部更大為佳。藉此，不用變更以往所使用之電源部的形狀，可以電性連接關於本發明之發光裝置。另外，可以將從發熱量比第2發光元件更大之第1發光元件所產生之熱有效率地排放於外部。藉由使各第1部的粗細實質上作成相同，比第1部更粗之第2部可作用為阻止器。
第1導線電極之第1部及第2部，以表面積比第3導線電極之第1部及第2部更大為佳。藉此，可以謀求散熱性之提升。另外，可使導線電極之從固定構件的露出部份成為比要之最小限度，能夠謀求發光裝置之小型化。
第2導線電極的露出部份，以其表面積比第3導線電極的露出部份更大為佳。藉此，依據沒有載置有發光元件之第3導線電極、第4導線電極之群組、第2導線電極之群組、第1導線電極群組之順序，使從固定構件露出的表面積變大，來謀求散熱性的提升。
第3導線電極及第4導線電極也可以設為一體。藉此，可以減少導線電極的數目，能夠形成簡易之電路。即使在設為一體之情形，也可以第3導線電極或第4導線電極之其一來稱呼。
第1導線電極係第1導線電極之第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第1導線電極的第4部從固定構件的另外一面延伸，第2導線電極係第2導線電極的第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第2導線電極的第4部從固定構件的另外一面延伸為佳。與前述相同，藉由以模具按壓相當於第4部之部份，可以使導線架的晃動降低。固定構件成型後，相當於此地4部之部份被切斷，以從固定構件露出之形式殘留。
第1導線電極係第1導線電極的第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第1導線電極的第4部從固定構件的另外一面延伸，第1導線電極之第4部所延伸之固定構件的部位，係從外周部往內側形成有切口，比起外周部更於內側配置有第1導線電極之第4部，第2導線電極係第2導線電極之第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第2導線電極的第4部從固定構件的另外一面延伸，第2導線電極的第4部所延伸之固定構件的部位，係從外周部往內側形成有切口，比起外周部更於內側配置有第2導線電極之第4部。藉此，第4部不會從固定構件的外框而突出於外側，於發光裝置安裝時，不會成為累贅。
以第1導線電極之第3部及第2導線電極之第3部形成為具有錨定效果為佳。藉此，可以防止導線電極之脫落。特別是，第1導線電極及第2導線電極的第3部為粗的關係，容易形成為具有錨定效果。
固定構件係形成為具有底面及側面之窗部，底面配置有載置第1發光元件之第1導線電極的第3部及載置第2發光元件之第2導線電極的第3部之至少其中一部，以底面及側面所包圍的窗部，也可以配置有透光性樹脂。發光元件與空氣之折射率差為大的關係，配置透光性樹脂，可使來自各發光元件的光之取出提升。另外，可以保護各發光元件。
透光性樹脂也可以含有螢光物質。藉此，可以提供具有所期望之色調的發光裝置。例如，藉由組合發出藍色光之GaN系之第1發光元件、及發出紅色光之第2發光元件、及從綠色發出黃色光之螢光物質(例如，YAG螢光體)，可以提供發出白色光之發光裝置。藉此，可以提供高輸出之發光裝置。另外，可以提供色偏差小之發光裝置。
本發明係關於一種發光裝置，係具有：GaN系之第1發光元件、及GaN系之第2發光元件、及載置有第1發光元件之第1導線電極、及載置有第2發光元件之第2導線電極、及與第1發光元件電性連接之第3導線電極、及與第2發光元件電性連接之第4導線電極、及固定有第1導線電極至第4導線電極之固定構件，其特徵為：第1導線電極，係與外部電極電性連接之第1部、及從固定構件露出之第2部、及載置有第1發光元件之第3部形成為一體，第2導線電極，係與外部電極電性連接之第1部、及從固定構件露出之第2部、及載置有第2發光元件之第3部形成為一體，固定構件係形成為具有底面與側面之窗部，底面係至少配置有載置有第1發光元件之第1導線電極的第3部及載置有第2發光元件之第2導線電極的第3部，以底面和側面所包圍之窗部，係配置有透光性樹脂，第1導線電極之第1部及第2部以及第2導線電極之第1部及第2部，係表面積比第3導線電極之第1部及第2部更大。第1發光元件與第2發光元件可以為相同、也可以為不同。從一方之發光元件所產生之熱，不會直接傳達至另一方之發光元件。因此，可以防止因熱所致之發光元件的破壞。另外，關於發熱量比較大之第1發光元件、第2發光元件，使第1發光元件的第2部等、第2發光元件的第2部等之表面積變大，來提高散熱性。
透光性樹脂也可以含有螢光物質。藉此，可以提供具有所期望色調之發光裝置。例如，藉由組合發出藍色光之GaN系之第1發光元件、及發出綠色光之GaN系之第2發光元件、及發出紅色光之螢光物質(例如，氮化物系螢光體)，可以提供發出白色光之發光裝置。能提供高輸出且演色性良好之發光裝置。另外，可以提供色偏差小之發光裝置。
透光性樹脂也可以從窗部突出。在使用含有螢光物質之透光性樹脂時，藉由適當地變更透光性樹脂之量，可以提供具有所期望之色調的發光裝置。另外，藉由設置透鏡形狀，可以提高聚光性。
第1導線電極之第1部及第2導線電極之第1部的粗細，實質上幾乎為相同，第1導線電極之第2部，其表面積以比第2導線電極之第2部更大為佳。藉此，不用變更以往所使用之電源部的形狀，可以電性連接關於本發明之發光裝置。另外，可以將從發熱量比第2發光元件為大之第1發光元件所產生之熱有效率地排放於外部。藉由使各第1部的粗細實質上成為相同，比第1部更粗之第2部作用為停止件。
第3導線電極至第4導線電極也可以設成一體。藉此，可以減少導線電極的數目，能夠形成簡易之電路。即使在設為一體之情形，可以第3導線電極及第4導線電極之其一來稱呼。
以第1導線電極係第1導線電極的第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第1導線電極的第4部從固定構件的另外一面延伸為佳。另外，以第2導線電極係第2導線電極的第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第2導線電極的第4部從固定構件的另外一面延伸為佳。與前述相同，藉由以模具來按壓相當於第4部之部份，可以降低導線架之晃動。固定構件成型後，相當於此第4部之部份被切斷，以從固定構件露出之形式殘留。
以第1導線電極係第1導線電極的第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第1導線電極的第4部從固定構件的另外一面延伸，第1導線電極之第4部所延伸之固定構件的部位，係從外周部往內側形成有切口，比起外周部更於內側配置有第1導線電極之第4部為佳。以第2導線電極係第2導線電極之第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第2導線電極的第4部從固定構件的另外一面延伸，第2導線電極的第4部所延伸之固定構件的部位，係從外周部往內側形成有切口，比起外周部更於內側配置有第2導線電極之第4部為佳。藉此，第4部不會從固定構件的外框而突出於外側，於發光裝置安裝時，不會成為累贅。
以第1導線電極的第3部及第2導線電極的第3部形成為具有錨定效果為佳。藉此，可以防止導線電極的脫落。特別是，第1導線電極的第3部及第2導線電極的第3部之粗細為粗的關係，容易形成為具有錨定效果。
本發明係關於具有前述發光裝置、及傳達從發光裝置所射出之光的導光體的光源。導光體以具有嵌合發光裝置之形狀為佳。藉此，可使從導光體均勻地發光。或者只使往特定的方向發光。
以下，利用實施形態及實施例來說明關於本發明之發光裝置及其製造方法。但是，本發明並限定於此實施形態及實施例。
<第1實施形態> (發光裝置)
利用圖面來說明關於第1實施形態之發光裝置。第1圖係表示關於第1實施形態之發光裝置的概略正面圖。第2圖係表示關於第1實施形態之發光裝置的概略背面圖。第3圖係表示關於第1實施形態之發光裝置的概略左側面圖。第4圖係表示關於第1實施形態之第1導線電極之概略圖。第5圖係表示關於第1實施形態之導線架之概略圖。
關於第1實施形態之發光裝置100，係具有：GaN系第1發光元件110，具有第1發光峰值波長、及GaN系第2發光元件120，比起第1發光峰值波長，於長波長側具有第2發光峰值波長、及第3發光元件130，比起第2發光峰值波長，於長波長側具有第3發光峰值波長、及載置有第1發光元件110之第1導線電極210、及載置有第2發光元件120之第2導線電極220、及載置有第3發光元件130之第3導線電極230、及與第1發光元件110電性連接之第4導線電極240、及與第2發光元件120電性連接之第5導線電極250、及與第3發光元件130電性連接之第6導線電極260、及固定有第1導線電極210至第6導線電極260之固定構件300。
第1導線電極210係為將與外部電極電性連接之第1部211、及從固定構件300露出之第2部212、及載置第1發光元件110之第3部213形成為一體。此第1部211、第2部212、第3部213並無明確之邊界。於本說明書中，以粗細不同之部份為界而分別第1部211與第2部，第1部為前端。以是否從發光裝置100露出為界而分別第2部212與第3部213，將從發光裝置100露出之部份當成第2部212。可以載置第1發光元件110之部份雖係第3部213的一部份，但是，為了方便，將配置於發光裝置100內部的部份當成第3部213。後述之第4部214係以是否從發光裝置100露出為界，而分別第3部213與第4部214，將從發光裝置100露出之部份當成第4部214。同樣地，第2導線電極220係為將：與外部電極電性連接之第1部221、及從固定構件300露出之第2部222、及載置第2發光元件120之第3部223形成為一體，第3導線電極230係為將：與外部電極電性連接之第1部231、及從固定構件300露出之第2部232、及載置第3發光元件130之第3部233形成為一體。
第1發光元件110係介由黏晶構件而接著於第1導線電極210的第3部213。第1發光元件110係於同一面側具有正負一對的第1電極111與第2電極112。第1電極111係介由銲線350而與第1導線電極210電性連接，第2電極112係介由銲線350而與第4導線電極240電性連接。同樣地，第2發光元件120係介由黏晶構件而接著於第2導線電極220的第3部223。第2發光元件120係於同一面側具有正負一對的第1電極121與第2電極122。第1電極121係介由銲線350而與第2導線電極220電性連接，第2電極122係介由銲線350而與第5導線電極250電性連接。第3發光元件130係介由黏晶構件而接著於第3導線電極230的第3部233。第3發光元件130係於背面側具有第1電極131及於上面側具有第2電極132。第1電極111係使用電性傳導性之黏晶構件而與第3導線電極230電性連接，第2電極132係介由銲線350而與第6導線電極260電性連接。
第1導線電極210的第1部211及第2部212以及第2導線電極220的第1部221及第2部222，其表面積係比第3導線電極230的第1部231及第2部232更大。藉由使表面積變大，以增加與外部的接觸面積，可以謀求散熱性之提升。特別是，相當於第1部的部份：第1導線電極210的第1部211及第2導線電極220的第1部221、第3導線電極230的第1部231、第4導線電極240的第1部241、第5導線電極250的第1部251、第6導線電極260的第1部261之個別的粗細，實質上幾乎為相同。第1導線電極210的第2部212及第2導線電極220的第2部222幾乎為相同，表面積比第3導線電極230的第2部232為大。另外，第3導線電極230的第2部232，表面積比相當於第4導線電極240、第5導線電極250、第6導線電極260的第2部的部份更大。第3發光元件130雖然發熱量比第1發光元件110少，但是，由於會發熱，所以需要確保散熱性。相當於第1部之第1導線電極210至第6導線電極260，以等間隔配置為佳。此係可以不變更以往之電源部的形狀而加以插入的關係。
從發光裝置100的正面來看，第1導線電極210的第2部212及第1部211係從固定構件300的底面延伸，第1導線電極210的第4部214從固定構件300的左側面延伸。另外，第2導線電極220的第2部222及第1部221係從固定構件300的底面延伸，第2導線電極220的224係從固定構件300的右側面延伸。此第4部214、224，係形成固定構件300後，要從導線架200切出發光裝置100時，殘留於發光裝置100側之部份。第1導線電極210之第4部214延伸之固定構件300的部位，係從外周部往內側形成切口部301，比起外周部更於內側配置第1導線電極210的第4部214。另外，第2導線電極220之224延伸之固定構件300的部位，係從外周部往內側形成切口部301，比起外周部更於內側配置第2導線電極220的第4部224。但是，第4部214、224於從導線架200切出時，也可以不殘留。另外，也可將第4部214、224彎曲於背面側。在此情形，於從導線架200加以切出時，雖然第4部214、224會從固定構件300突出於外側，但是，藉由彎曲於背面側，成為比起固定構件300的外周部，會於內側配置第4部214、224。於將第4部214、224彎曲於發光裝置100的背面側之外，也可彎曲於正面側。但是，在此情形，以不覆蓋發光裝置100的窗部302為佳。
從第1發光元件110所產生的熱，被傳達至第1導線電極210的第3部213，且被傳達至同一構件之第2部212。此所傳達之熱，從第2部212主要被排出外部。同樣地，從第2發光元件120所產生之熱，被傳達至第2導線電極220的第3部223，且被傳達至同一構件之第2部222。該所傳達之熱從第2部222主要被排出於外部。進而，從第3發光元件130所產生之熱，被傳達至第3導線電極230的第3部233，且被傳達至同一構件之第2部232。該所傳達之熱從第2部232主要被排出於外部。第1導線電極210與第2導線電極220、第3導線電極230係個別被分開，所以，從個別之第1發光元件110、120、130所產生之熱，不會直接傳達至相鄰之導線電極。特別是，從第1發光元件110、第2發光元件120所產生之熱，不會直接傳達至第3發光元件130。藉此，可以防止因發光元件之熱所致之破壞。
(發光元件)
第1發光元件110及第2發光元件120係使用於基板上形成GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN等之Gan系的半導體以作為發光層者。第3發光元件130係使用形成ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN、AlInGaP等之半導體以作為發光層者。半導體之構造可以舉：具有MIS接合、PIN接合與PN接合之均質構造、異質構造或雙異質構造者。依據半導體層的材料與其之混晶度，可以從紫外光至紅外光來選擇種種之發光波長。發光層可以是做成產生量子效果之薄膜的單一量子井構造或多重量子井構造。
於使用氮化鎵系化合物半導體之第1發光元件110及第2發光元件120中，半導體基板係使用藍寶石、尖晶石、SiC、Si、ZnO或GaN單結晶等之材料。為了量產性高地形成結晶性良好之氮化鎵，以使用藍寶石基板為佳。表示使用氮化物系化合物半導體之第1發光元件110及第2發光元件120之例子。於藍寶石基板上形成GaN、AlN等之緩衝層。可設為於其上依序形成N或P型之GaN之第1接觸層、具有量子效果之InGaN薄膜之活性層、P或N型之AlGaN之包覆層、P或N型之GaN之第2接觸層之構造。氮化鎵系化合物半導體係在不摻雜雜質之狀態下，顯示N型導電性。另外，為了形成使發光效果提升等所期望之N型氮化鎵半導體時，作為N型摻雜劑，以適當地導入Si、Ge、Se、Te、C等為佳。
另一方面，於使形成P型氮化鎵半導體時，則摻雜P型摻雜劑之Zn、Mg、Be、Ca、Sr、Ba等。氮化鎵系半導體單單摻雜P型摻雜劑時，不易使其P型化，所以，在P型摻雜劑導入後，需要藉由爐加熱、低電子束照射與電漿照射等予以退火，而使其P型化。使如此所形成之半導體晶圓部份地蝕刻等，來形成正負之各電極。之後，藉由將半導體晶圓切斷為所期望之大小，可以形成發光元件。
第3發光元件130使用於發光層具有GaP等之半導體者時，不單是於下面層積P型層、於上面層積N型層者，也可以使用於上面層積P型層、於下面層積N型層者。在此情形，第3導線電極230、第6導線電極260其陽極、陰極成為相反。
此種第1發光元件110及第2發光元件120、第3發光元件130不單各使用一個，可以適當地使用複數個，藉由其之組合，可以實現種種之色調，能夠提升白色顯示之混色性。例如，可將發出藍色系光之第1發光元件110設為2個、發出藍色系光之第2發光元件120設為1個、發出紅色系光之第3發光元件130設為2個。另外，為了作為全彩之掃描器光源用的發光裝置使用，以紅色系之發光波長為610nm至700nm、綠色系之發光波長為495nm至565nm、藍色系之發光波長為430nm至490nm為佳。在要使發出白色系之混色光時，考慮與從後述之螢光物質的發光波長之互補色關係或後述之透光性樹脂的劣化等，第1發光元件的發光峰值波長以400nm以上530nm以下為佳，以420nm以上490nm以下更佳。另外，藉由與比較不受紫外線而劣化之透光性樹脂的組合，也可以使用以比400nm短之紫外線區域或可見光的短波長區域為主發光波長之第1發光元件110。
發光元件10的大小，為可以安裝□1mm尺寸，也可以安裝□600 μ m、□320 μ m尺寸等者。
(導線架、導線電極)
導線架200、第1導線電極210至第6導線電極260可以使用銅、鐵、磷青銅、銅合金等之電氣良導體來構成。另外，為了使來自第1發光元件110至第3發光元件130之光的反射率提升，也可於導線架200、第1導線電極210至第6導線電極260的表面施以鋁、銅、金等之金屬電鍍。另外，作為金屬電鍍的基底，也可以使用鎳。另外，為了使導線架200、第1導線電極210至第6導線電極260的表面的反射率提升，以做成平滑為佳。另外，可以使第1導線電極210至第3導線電極230的表面積大些。藉此，可以有效地抑制第1發光元件110至第3發光元件130的溫度上升，可對第1發光元件110至第3發光元件130通以比較多的電氣。
第1導線電極210與第4導線電極240、第2導線電極220與第5導線電極250、第3導線電極230與第6導線電極260，係個別為一對的正負之電極。
導線架200係於固定固定構件300而被切斷後，完成第1導線電極210至第6導線電極260之功能。第1導線電極210至第6導線電極260之第1部211、221、231及相當於此之部份，雖以從固定構件300切斷為相同長度為佳，但是，各不同種電極也可以設為不同長度。第1導線電極210至第6導線電極260的第1部211、221、231以及相當於此之部份，雖以相同粗細為佳，但是，各不同種電極也可以設為不同粗細。
第1導線電極210之第2部212、第2導線電極220之第2部222，其表面積係比第3導線電極230的第2部232大，第3導線電極230的第2部232其表面積比相當於第4導線電極240至第6導線電極260之第2部為大。另外，第1導線電極210之第2部212與第2導線電極220之第2部222也可以依據第1發光元件110與第2發光元件120的發熱量而使用改變表面積者。
(固定構件)
固定構件300只要是可以固定第1導線電極210至第6導線電極260之材質即可，並不特別限定。例如，可以使用：BT樹脂、環氧樹脂、矽樹脂、變性環氧樹脂、變性矽樹脂等樹脂構件，陶瓷構件等。
為了使從第1發光元件110至第3發光元件130所射出的光有效率地從正面方向放出，固定構件300以白色為佳。但是，也可於固定構件300的正面形成抑制反射之黑色的被膜。
固定構件300係固定第1導線電極210的第3部213、第2導線電極220的第3部223、第3導線電極230的第3部233之上下部，依據情形，也可以固定側部，而堅固地將第1導線電極210至第3導線電極230加以固定。藉此，在發光裝置100對電源部之裝卸時，可以防止第1導線電極210至第6導線電極260的脫落。
於固定構件300設置切入特定深度之切口部301。切口部301係從發光裝置100的正面來看，設置於右側面與左側面。但是，也可以設置於上面。為了使從導線架200所切斷之第1導線電極210的第4部214不從固定構件300的最外周部份突出，於左側面設置切口部301。關於第2導線電極220的第4部224的右側面之切口部301也相同。
於固定構件300設置特定的窗部302。窗部302係形成為具有底面與側面之凹部，於該凹部的底面配設有第1導線電極210至第6導線電極260。於該第1導線電極210至第3導線電極230配置第1發光元件110至第3發光元件130。從正面所見之窗部302的形狀，並不管，可以採用：略矩形、略圓形、略橢圓形等之形狀。
(保護元件)
可於本發光裝置100中，於第1導線電極210及第6導線電極260等安裝保護元件。
所謂保護元件係和發光元件等之半導體元件一同地被收容於固定構件300的窗部302內之元件，以保護其他的半導體元件免於過電壓所致之破壞者。保護元件除了具有半導體構造者之外，也包含不具有半導體構造者。
在本實施形態所可使用之保護元件，有一施加規定電壓以上之電壓時，則成為通電狀態之基納二極體(Zener diode)、吸收脈衝性之電壓的電容器等。
作用為基納二極體之保護元件，係具有：具正電極之p型半導體區域、及具負電極之n型半導體區域，保護元件的負電極及正電極係對於發光元件的p側電極與n側電極連接成為相反並聯。如此，藉由將保護元件設為基納二極體，於對正負導線電極尖施加過大的電壓時，該電壓如超過基納二極體之基納電壓時，則發光元件之正負兩電極間被保持為基納電壓，不會成為此基納電壓以上。因此，可以防止發光元件間被施加過大的電壓，可保護發光元件免於過大的電壓，能防止元件破壞與性能劣化之產生。
作為保護元件之電容器可以使用表面安裝用之片狀零件。此種構造之電容器係於兩側設置有帶狀之電極，此電極為並聯連接於發光元件的正電極及負電極。於正負一對的導線電極間施加有過電壓時，基於此過電壓，充電電流流入電容器，電容器的端子電壓瞬間下降，可使對於發光元件的施加電壓不要上升，能保護發光元件免於過電壓。另外，在施加有包含高頻成分之雜訊時，電容器作用為旁通電容器的關係，可以排除外來雜訊。
(發光裝置之製造方法)
說明關於第1實施形態之發光裝置100的製造方法之概略。第5圖係表示關於第1實施形態之導線架的概略圖。第6圖係表示關於第1實施形態之發光裝置的製造工程之概略剖面圖。
以上模360及下模370來夾住沖壓成為特定形狀之導線架200。
於以上模360及下模370所夾住之空間部份，流入特定的樹脂。
(移轉造型法成型)
事先以加熱器將上模360與下模370加熱為特定的溫度。於稱為缽之部份配置樹脂粒。以預先加熱器將樹脂粒加熱，於降低樹脂黏度後，投入模具內。樹脂也從模具獲得熱量，黏度進一步降低。降下柱塞而將樹脂注入模具內。相當於第1導線電極210的第4部214、第2導線電極220的第4部224之部份，如沒有與導線架200連接時，於流入樹脂時，第1導線電極210、第2導線電極220會產生晃動。依據此晃動，需要去除毛邊，而引起產品之不良。因此，藉由將相當於第4部214、224之部份連接於導線架200，可以抑制第1導線電極210、第2導線電極220等之晃動。
(3)加熱樹脂而使之硬化。
進而將上模360與下模370予以加溫。於填充有樹脂之狀態下，保持數分鐘時，樹脂聚合而硬化。
(4)拆除上模360與下模370，將導線架200從模具取出。
將導線架200從模具取出後，捨去不需要的樹脂部份。進而，進行數小時高溫加熱，使反應完成為佳。
(5)於導線架200的特定位置載置第1發光元件110、第2發光元件120、第3發光元件130。
使用特定的黏晶樹脂而載置第1發光元件110等。
(6)介由銲線350來將各發光元件之電極與導線電極加以連接。
(7)從導線架切出發光裝置。
此時，配置於固定構件300的切口部301之第1導線電極210的第4部214、第2導線電極220的第4部224，係被切斷成不會從固定構件300的最外周部份突出於外側。
藉此，可以製造發光裝置100。
<第2實施形態>
利用圖面說明關於第2實施形態之發光裝置。第7圖係表示關於第2實施形態之發光裝置的概略正面圖。第8圖係表示關於第2實施形態之發光裝置的概略右側面圖。採用與關於第1實施形態之發光裝置幾乎相同構造處，省略說明。
關於第2實施形態之發光裝置400，係具有：第1導線電極510、第2導線電極520、第3導線電極530、第4導線電極540。第1實施形態之第4導線電極210至第6導線電極260係作為第4導線電極540成為一體而作用。於第1導線電極510載置第1發光元件410、於第2導線電極520載置第2發光元件420、於第3導線電極530載置第3發光元件430。第1發光元件410、第2發光元件420、第3發光元件430係介由銲線650而與第4導線電極540電性連接。第1導線電極510至第4導線電極540為了防止從固定構件600之脫落，係變更導線電極之寬度、施以彎曲等。藉此，形成具有錨定效果之導線電極。
第1導線電極510與第2導線電極520之腳的部份最粗，接著，依據第3導線電極530、第4導線電極540之順序而變細。第1導線電極510至第4導線電極540中之與外部電極的連接部份，以相同形狀且等間隔配置為佳。
<第3實施形態>
利用圖面說明關於第3實施形態之發光裝置。第9圖係表示關於第3實施形態之發光裝置的概略正面圖。採用與關於第1實施形態之發光裝置幾乎同樣構造處，省略說明。
第1導線電極810至第6導線電極860之第3部係形成為具有錨定效果，此係為了防止各導線電極從固定構件900之脫落。例如，改變導線電極之寬度、形成彎曲形狀、設置凹凸等。另外，第1導線電極810至第6導線電極860之第1部係形成特定的角度。藉此，可以防止各導線電極從固定構件900之脫落。
發光裝置700等進而設置有1或2個以上之導線電極，該1或2個以上之導線電極之其一，也可以載置發光元件。例如，可以設為發出藍色光之GaN系發光元件、發出藍綠色光之GaN系發光元件、發出綠色光之GaN系發光元件、發出紅色光之發光元件。
<第4實施形態>
利用圖面說明關於第4實施形態之發光裝置。第10圖係表示關於第4實施形態之發光裝置的概略正面圖。第11圖係表示關於第4實施形態之發光裝置的概略背面圖。第12圖係表示關於第4實施形態之發光裝置的左側面圖。採用與關於第1實施形態之發光裝置幾乎同樣的構造處，省略說明。
發光裝置1100係具有：具第1發光峰值波長之GaN系之第1發光元件1110、及比起第1發光峰值波長，於長波長側具有第2發光峰值波長之第2發光元件1120、及載置第1發光元件1110之第1導線電極1210、及載置第2發光元件1120之第2導線電極1220、及與第1發光元件1110電性連接之第3導線電極1230、及與第2發光元件1120電性連接之第4導線電極1240、及固定第1導線電極1210至第4導線電極1240之固定構件1300之發光裝置。第1發光元件1110係使用發出藍色光者，第2發光元件1120係使用發出紅色光者。另外，第1發光元件1110也可以使用發出綠色光者，第2發光元件1120可以使用發出紅色光者。
第1導線電極1210係為將與外部電極電性連接之第1部1211、及從固定構件1300露出之第2部1212、及載置第1發光元件1110之第3部1213形成為一體。同樣地，第2導線電極1220係為將與外部電極電性連接之第1部1221、及從固定構件1300露出之第2部1222、及載置第1發光元件1110之第3部1223形成為一體。第1導線電極1210的第2部1212其表面積比第2導線電極1220的第2部1222更大。第1導線電極1210的第1部1211與第2導線電極1220的第1部1221之粗細，實質上幾乎為相同。進而，第1導線電極1210的第2部1212其表面積比相當於第3導線電極1230的第2部及第4導線電極1240的第2部之部份更大。第2導線電極1220的第2部1222其表面積比相當於第3導線電極1230的第2部及第4導線電極1240的第2部之部份更大。第3導線電極1230及第4導線電極1240雖係個別設置，但是，也可以設為一體。
第1導線電極1210係第1導線電極1210的第2部1212及第1部1211從固定構件1300的下面延伸，第1導線電極1210的第4部1214從固定構件1300的左側面延伸。同樣地，第2導線電極1220係第2導線電極1220的第2部1222及第1部1221從固定構件1300的下面延伸，第2導線電極1220的第4部1224從固定構件1300的右側面延伸。
第1導線電極1210的第4部1214所延伸之固定構件1300的部位，係從外周部往內側形成切口部1301，比外周部更於內側配置第1導線電極1210的第4部1214。第2導線電極1220的第4部1214所延伸之固定構件1300的部位，係從外周側往內側形成切口部1301，比外周部更於內側配置第2導線電極1220的第4部1224。
第1導線電極1210的第3部1213及第2導線電極1220的第3部1223也可以形成為具有錨定效果。
固定構件1300係形成為具有底面與側面之窗部1302，底面係配置載置第1發光元件1110之第1導線電極1210的第3部1213及載置第2發光元件1120之第2導線電極1220的第3部1223。以底面及側面所包圍之窗部1302也可配置透光性樹脂。該透光性樹脂也可以含有螢光性物質。例如，可以提供具有：發出藍色光之第1發光元件1110、及發出紅色光之第2發光元件1120、及發出黃色光之螢光物質之發光裝置1100。
<第5實施形態>
利用圖面說明關於第5實施形態之發光裝置。第13圖係表示關於第5實施形態之發光裝置的概略正面圖。第14圖係表示關於第5實施形態之發光裝置的概略左側面圖。採用與關於第1實施形態之發光裝置幾乎同樣的構造處，省略說明。
發光裝置2100係具有：GaN系第1發光元件2110、及GaN系第2發光元件2120、及載置第1發光元件2110之第1導線電極2210、及載置第2發光元件2120之第2導線電極2220、及與第1發光元件2110電性連接之第3導線電極2230、及固定第1導線電極2210至第3導線電極2230之固定構件2300。
第1導線電極2210為將與外部電極電性連接之第1部2211、及從固定構件2300露出之第2部2212、及載置第1發光元件2110之第3部2213形成為一體。同樣地，第2導線電極2220為將與外部電極電性連接之第1部2221、及從固定構件2300露出之第2部2222、及載置第2發光元件2120之第3部2223形成為一體。
固定構件2300係形成具有底面與側面之窗部2302，底面配置載置第1發光元件2110之第1導線電極2210的第3部2213及載置第2導線電極2220之第2導線電極2220的第3部2223，各導線電極露出。以底面及側面所包圍的窗部2302係配置透光性樹脂2360，透光性樹脂2360係含有螢光物質2370。透光性樹脂2360也可形成為與固定構件2300的正面為同一平面，或形成為凹陷於窗部2302內。第1導線電極2210之第2部2212及第2導線電極2220之第2部2222係其表面積比相當於第3導線電極2230的第2部之部份更大。
第3導線電極2230雖形成為一個，但是第1導線電極2210與第2導線電極2220之各個也可各使用一個。
第1導線電極2210之第3部2213及第2導線電極2220之第3部2223，雖設為幾乎相同形狀之對稱形，但是，也可以設為不同形狀。
進而，也可以設置導線電極及發光元件，而做成3個以上之發光元件。
例如，第1發光元件2110與第2發光元件2120藉由使用發出藍色光之相同者、及發出黃色光之螢光物質2270，能提供以高亮度發出白色光之發光裝置2100。
(透光性樹脂)
透光性樹脂2360係配置於固定構件2300之具有底面及側面之凹部形狀的窗部2302內。藉此，可以保護發光元件免於來自外部環境之外力與水分等，而且，可以混合螢光物質2370而變更色調。另外，係為了利用折射率差而有效率地將來自發光元件之光線放出外部。構成此種透光性樹脂2360之具體材料，可以適當地使用：矽樹脂、環氧樹脂、尿素樹脂、變性環氧樹脂、變性矽樹脂、聚醯胺樹脂等之耐候性優異的透明樹脂。特別是，以使用耐熱性良好之矽樹脂更佳。另外，為了更增加視野角、使放出均勻之光線，透光性樹脂2360中也可使含有擴散構件。具體之擴散構件可以適當地使用：鈦酸鋇、氧化鈦、氧化鋁、氧化矽等。另外，基於截斷期望以外之波長的目的，可以使含有有機與無機之著色材料與著色顏料。
(螢光物質)
螢光物質2370只要是能吸收來自發光元件之光線而波長轉換為不同波長之光線者即可。例如，以主要以Eu、Ce等之類鑭系元素被活化之氮化物系螢光體、氧氮化物系螢光體、主要以Eu等之類鑭系、Mn等之躍遷金屬系之元素被活化之鹼土類鹵素磷灰石螢光體、鹼土類金屬硼酸鹵素螢光體、鹼土類金屬鋁酸鹽螢光體、鹼土類矽酸鹽、鹼土類硫化物、鹼土類硫代鎵酸鹽、鹼土類氮化矽、鍺烷酸鹽、或主要以Ce等之類鑭系元素被活化之稀土類鋁酸鹽、稀土類矽酸鹽或主要以Eu等之類鑭系元素被活化之有機及有機錯合物等所選擇之至少其中1種以上為佳。具體例可以使用下述之螢光體，但是，並不限定於此。
主要以Eu、Ce等之類鑭系元素被活化之氮化物系螢光體，有：M2 Si5 N8 ：Eu(M為從Sr、Ca、Ba、Mg、Zn所選擇之至少1種以上。)等。另外，M2 Si5 N8 ：Eu之外，也有：MSi7 N1 0 ：Eu、M1 . 8 Si5 O0 . 2 N8 ：Eu、M0 . 9 Si7 O0 . 1 N1 0 ：Eu(M為從Sr、Ca、Ba、Mg、Zn所選擇之至少其中1種以上)等。
主要以Eu、Ce等之類鑭系元素被活化之氧氮化物螢光體，有：MSi2 O2 N2 ：Eu(M為從Sr、Ca、Ba、Mg、Zn所選擇之至少其中1種以上)等。
主要藉由Eu等之類鑭系、Mn等之躍遷金屬系之元素而被活化之鹼土類鹵素磷灰石螢光體，有：M5 (PO4 )3 X：R(M為從Sr、Ca、Ba、Mg、Zn所選擇之至少其中1種以上。X為從F、Cl、Br、I所選擇之至少1種以上。R為Eu、Mn、Eu與Mn之其中1種以上。)等。
鹼土類金屬硼酸鹵素螢光體有：M2 B5 O9 X：R(M為從Sr、Ca、Ba、Mg、Zn所選擇之至少其中1種以上。X為從F、Cl、Br、I所選擇之至少1種以上。R為Eu、Mn、Eu與Mn之其中1種以上。)等。
鹼土類金屬鋁酸鹽螢光體有：SrAl2 O4 ：R、Sr4 Al1 4 O2 5 ：R、CaAl2 O4 ：R、BaMg2 Al1 6 O2 7 ：R、BaMg2 Al1 6 O1 2 ：R、BaMgAl1 0 O1 7 ：R(R為Eu、Mn、Eu與Mn之其中1種以上。)等。
鹼土類硫化物螢光體有：La2 O2 S：Eu、Y2 O2 S：Eu、Gd2 O2 S：Eu等。
主要以Ce等之類鑭系元素而被活化的稀土類鋁酸鹽螢光體有：Y3 Al5 O1 2 ：Ce、(Y0 . 8 Gd0 . 2 )3 Al5 O1 2 ：Ce、Y3 (Al0 . 8 Ga0 . 2 )5 O1 2 ：Ce、(Y、Gd)3 (Al、Ga)5 O1 2 之組成式所表示之YAG系螢光體等。另外，也有以Tb、Lu等來置換Y的一部份或全部之Tb3 Al5 O1 2 ：Ce、Lu3 Al5 O1 2 ：Ce等。
其他之螢光體有：ZnS：Eu、Zn2 GeO4 ：Mn、MGa2 S4 ：Eu(M為從Sr、Ca、Ba、Mg、Zn所選擇之至少其中1種以上。X為從F、Cl、Br、I所選擇之至少1種以上。)等。
上述螢光體可因應需要，代替Eu或在Eu之外，使含有從Tb、Cu、Ag、Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、Ti所選擇之1種以上元素。
另外，也可以使用前述螢光體之外的螢光體，而具有同樣之性能、效果之螢光體。
這些螢光體可以使用具有藉由發光元件之激發光，而發出黃色、紅色、綠色、藍色之光譜的螢光體外，也可以使用於這些之中間色之黃色、藍綠色、橙色等具有發光光譜之螢光體。藉由各種地組合這些螢光體而使用，可以製造具有種種之發光色的發光裝置。
例如，使用發出藍色光之GaN系化合物半導體發光元件，照射於Y3 Al5 O1 2 ：Ce或(Y0 . 8 Gd0 . 2 )3 Al5 O1 2 ：Ce之YAG系螢光體，進行波長轉換。藉由來自發光元件之光與來自YAG系螢光體之光的混合色，可以提供發出白色光之發光裝置。
例如，使用於紫外線區域具有發光峰值波長之GaN系化合物半導體發光裝置，照射於由綠色發出黃色光之CaSi2 O2 N2 ：Eu或SrSi2 O2 N2 ：Eu、及螢光體之發出藍色光之(Sr、Ca)5 (PO4 )3 Cl：Eu、發出紅色光之(Ca、Sr)2 Si5 N8 ：Eu所形成之螢光體，使之吸收，可以提供發出良好之演色性之白色光的發光裝置。此為使用色之三原色之紅、藍、綠的關係，只需要改變螢光體的配合比，可以實現所期望的白色。
<第6實施形態>
說明關於第6實施形態之光源。
關於第6實施形態之光源，為將關於第1實施形態之發光裝置安裝於導光體者。此光源可以插入電源部來使用。
導光體係傳達從發光裝置所射出之光線而予以射出於特定方向者。於導光體內部重複進行光的反射及透過，從導光體的一端至另一端，幾乎均勻地發光。導光體的材質，可以是丙烯樹脂、聚醯胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯等之透光性樹脂外，也可以使用玻璃等。也可於導光體的一端設置有安裝發光裝置之嵌合部。
[實施例] <實施例1>
說明關於實施例1之發光裝置。使用第1圖至第4圖。由於使用關於第1實施形態之發光裝置的說明，所以，省略一部份說明。
使用第1發光元件110至第3發光元件130、及第1導線電極210至第6導線電極260、及固定構件300。第1發光元件110至第3發光元件130係個別載置於第1導線電極210至第3導線電極230。使用發出於440nm~480nm附近具有發光峰值波長之藍色光的第1發光元件110、及發出於500nm~540nm附近具有發光峰值波長之綠色光的第2發光元件120、及發出於610nm~700nm附近具有發光峰值波長之紅色光的第3發光元件130。導線電極係母材使用銅，對從固定構件300露出之部份施以以鎳為基底之銀電鍍處理。使用金銲線350，將各發光元件與各導線電極予以電性連接。各發光元件係以混合了Ag填充材之環氧樹脂來進行黏晶。藉由混合Ag填充材，第3發光元件130的背面與第1導線電極210為電性連接。
[產業上利用可能性]
本發明之發光裝置，可以使用於畫像讀取裝置與液晶的背光光源等所使用之發光裝置，特別是可以使用於傳真機與影印機、掃描器等。
100．．．發光裝置
110．．．第1發光元件
120．．．第2發光元件
130．．．第3發光元件
200．．．導線架
210．．．第1導線電極
220．．．第2導線電極
230．．．第3導線電極
240．．．第4導線電極
250．．．第5導線電極
260．．．第6導線電極
300．．．固定構件
301．．．切口部
302．．．窗部
350．．．銲線
360．．．上模
370．．．下模
400．．．發光裝置
510．．．第1導線電極
520．．．第2導線電極
530．．．第3導線電極
540．．．第4導線電極
600．．．固定構件
650．．．銲線
700．．．發光裝置
810．．．第1導線電極
860．．．第6導線電極
1100．．．發光裝置
1110．．．第1發光元件
1120．．．第2發光元件
1210．．．第1導線電極
1220．．．第2導線電極
1230．．．第3導線電極
1240．．．第4導線電極
1300．．．固定構件
第1圖係表示關於第1實施形態之發光裝置的概略正面圖。
第2圖係表示關於第1實施形態之發光裝置的概略背面圖。
第3圖係表示關於第1實施形態之發光裝置的概略左側面圖。
第4圖係表示關於第1實施形態之第1導線電極的概略圖。
第5圖係表示關於第1實施形態之導線架的概略圖。
第6圖係表示關於第1實施形態之發光裝置的製造工程之概略剖面圖。
第7圖係表示關於第2實施形態之發光裝置的概略正面圖。
第8圖係表示關於第2實施形態之發光裝置的概略右側面圖。
第9圖係表示關於第2實施形態之發光裝置的概略正面圖。
第10圖係表示關於第4實施形態之發光裝置的概略正面圖。
第11圖係表示關於第4實施形態之發光裝置的概略被面圖。
第12圖係表示關於第4實施形態之發光裝置的概略左側面圖。
第13圖係表示關於第5實施形態之發光裝置的概略正面圖。
第14圖係表示關於第5實施形態之發光裝置的概略左側面圖。
第15圖係表示以往之發光裝置的概略正面圖。
110．．．第1發光元件
111．．．第1電極
112．．．第2電極
120．．．第2發光元件
121．．．第1電極
122．．．第2電極
130．．．第3發光元件
131．．．第1電極
132．．．第2電極
210．．．第1導線電極
211．．．第1部
212．．．第2部
213．．．第3部
214．．．第4部
220．．．第2導線電極
221．．．第1部
222．．．第2部
223．．．第3部
224．．．第4部
230．．．第3導線電極
231．．．第1部
232．．．第2部
233．．．第3部
240．．．第4導線電極
250．．．第5導線電極
260．．．第6導線電極
300．．．固定構件
301．．．切口部
302．．．窗部
350．．．銲線
100．．．發光裝置

Claims (27)

  1. 一種發光裝置，為具有：GaN系第1發光元件，具有第1發光峰值波長、及GaN系第2發光元件，比起第1發光峰值波長，於長波長側具有第2發光峰值波長、及第3發光元件，比起第2發光峰值波長，於長波長側具有第3發光峰值波長、及載置有第1發光元件之第1導線電極、及載置有第2發光元件之第2導線電極、及載置有第3發光元件之第3導線電極、及與第1發光元件電性連接之第4導線電極、及與第2發光元件電性連接之第5導線電極、及與第3發光元件電性連接之第6導線電極、及固定有第1導線電極至第6導線電極之固定構件，其特徵為：第1導線電極，係與外部電極電性連接之第1部、及從固定構件露出之第2部、及載置有第1發光元件之第3部及從固定構件露出之第4部形成為一體，第2導線電極，係與外部電極電性連接之第1部、及從固定構件露出之第2部、及載置有第2發光元件之第3部及從固定構件露出之第4部形成為一體，第3導線電極，係與外部電極電性連接且從固定構件 露出之第1部、及從固定構件露出之第2部、及載置有第3發光元件之第3部形成為一體，第1導線電極之第1部及第2部，以及第2導線電極之第1部及第2部之其中之一的導線電極，係表面積比第3導線電極之第1部及第2部更大，第1導線電極之第2部及第1部係從固定構件之第1之面露出至外部地延伸，第1導線電極之第4部係從固定構件之第2之面露出至外部地，從固定構件向外側延伸，前述固定構件之第2之面係與前述固定構件之第1之面正交，第2導線電極之第2部及第1部係從固定構件之第1之面露出至外部地延伸，第2導線電極之第4部係從固定構件之第3之面露出至外部地，從固定構件向外側延伸，前述固定構件之第3之面係與前述固定構件之第1之面正交。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之發光裝置，其中：第1導線電極之第1部及第2導線電極之第1部、第3導線電極之第1部之粗細，實質上為幾乎相同，第1導線電極之第2部及第2導線電極之第2部，其表面積比第3導線電極之第2部更大。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之發光裝置，其中：第3導線電極之露出部份，其表面積比第6導線電極的露出部份更大。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之發光裝置，其中：第4導線電極至第6導線電極之至少其中2個以上之導線電 極，係被設成一體。
  5. 如申請專利範圍第1項所記載之發光裝置，其中：第1導線電極係第1導線電極的第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第1導線電極的第4部從固定構件的另外一面延伸，第1導線電極之第4部所延伸之固定構件的部位，係從外周部往內側形成有切口，比起外周部更於內側配置有第1導線電極之第4部，第2導線電極係第2導線電極之第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第2導線電極的第4部從固定構件的另外一面延伸，第2導線電極的第4部所延伸之固定構件的部位，係從外周部往內側形成有切口，比起外周部更於內側配置有第2導線電極之第4部。
  6. 如申請專利範圍第1項所記載之發光裝置，其中：第1導線電極之第3部及第2導線電極之第3部、第3導線電極之第3部之其中一部，係形成為具有錨定效果。
  7. 如申請專利範圍第1項所記載之發光裝置，其中：發光裝置更具有1或2以上之導線電極，於1或2以上之導線電極之其一，載置有發光元件。
  8. 一種發光裝置，為具有：GaN系第1發光元件，具有第1發光峰值波長、及第2發光元件，比起第1發光峰值波長，於長波長側具有第2發光峰值波長、及載置有第1發光元件之第1導線電極、及載置有第2發光元件之第2導線電極、及 與第1發光元件電性連接之第3導線電極、及與第2發光元件電性連接之第4導線電極、及固定有第1導線電極至第4導線電極之固定構件，其特徵為：第1導線電極，係與外部電極電性連接之第1部、及從固定構件露出之第2部、及載置有第1發光元件之第3部及從固定構件露出之第4部形成為一體，第2導線電極，係與外部電極電性連接之第1部、及從固定構件露出之第2部、及載置有第2發光元件之第3部形成為一體，第1導線電極之第1部及第2部，係表面積比第2導線電極之第1部及第2部更大，第1導線電極之第2部及第1部係從固定構件之第1之面露出至外部地延伸，第1導線電極之第4部係從固定構件之第2之面露出至外部地，從固定構件向外側延伸，前述固定構件之第2之面係與前述固定構件之第1之面正交。
  9. 如申請專利範圍第8項所記載之發光裝置，其中：第1導線電極之第1部與第2導線電極之第1部的粗細，實質上幾乎相同，第1導線電極之第2部係表面積比第2導線電極的第2部更大。
  10. 如申請專利範圍第8項所記載之發光裝置，其中：第1導線電極之第1部及第2部，係表面積比第3導線電極之第1部及第2部更大。
  11. 如申請專利範圍第8項所記載之發光裝置，其中： 第2導線電極之露出部份，其表面積比第3導線電極之露出部份更大。
  12. 如申請專利範圍第8項所記載之發光裝置，其中：第3導線電極及第4導線電極，係被設成一體。
  13. 如申請專利範圍第9項所記載之發光裝置，其中：第2導線電極係更與從固定構件露出之第4部一體形成，第2導線電極係從固定構件之第1之面露出至外部地，延伸第2導線電極之第2部及第1部，從固定構件之第3之面在外部露出地，第2導線電極之第4部從固定構件向外側延伸，前述固定構件之第3之面係與前述固定構件之第1之面正交。
  14. 如申請專利範圍第8項所記載之發光裝置，其中：第1導線電極之第4部所延伸之固定構件的部位，係從外周部往內側形成有切口，比起外周部更於內側配置有第1導線電極之第4部，第2導線電極的第4部所延伸之固定構件的部位，係從外周部往內側形成有切口，比起外周部更於內側配置有第2導線電極之第4部。
  15. 如申請專利範圍第8項所記載之發光裝置，其中：第1導線電極之第3部及第2導線電極之第3部，係形成為具有錨定效果。
  16. 如申請專利範圍第8項所記載之之發光裝置，其中：固定構件係形成為具有底面與側面之窗部，底面係配置有載置有第1發光元件之第1導線電極的第3部及載置有第2 發光元件之第2導線電極的第3部之至少其中一部，以底面和側面所包圍之窗部，係配置有透光性樹脂。
  17. 如申請專利範圍第16項所記載之發光裝置，其中：透光性樹脂，係含有螢光物質。
  18. 一種發光裝置，係具有：GaN系之第1發光元件、及GaN系之第2發光元件、及載置有第1發光元件之第1導線電極、及載置有第2發光元件之第2導線電極、及與第1發光元件電性連接之第3導線電極、及與第2發光元件電性連接之第4導線電極、及固定有第1導線電極至第4導線電極之固定構件，其特徵為：第1導線電極，係與外部電極電性連接之第1部、及從固定構件露出之第2部、及載置有第1發光元件之第3部及從固定構件露出之第4部形成為一體，第2導線電極，係與外部電極電性連接之第1部、及從固定構件露出之第2部、及載置有第2發光元件之第3部形成為一體，固定構件係形成為具有底面與側面之窗部，底面係配置有載置有第1發光元件之第1導線電極的第3部及載置有第2發光元件之第2導線電極的第3部之至少其中一部，以底面和側面所包圍之窗部，係配置有透光性樹脂，第1導線電極之第1部及第2部以及第2導線電極之第1 部及第2部，係表面積比第3導線電極之第1部及第2部更大，第1導線電極之第2部及第1部係從固定構件之第1之面露出至外部地延伸，第1導線電極之第4部係從固定構件之第2之面露出至外部地，從固定構件向外側延伸，前述固定構件之第2之面係與前述固定構件之第1之面正交。
  19. 如申請專利範圍第18項所記載之發光裝置，其中：透光性樹脂係含有螢光物質。
  20. 如申請專利範圍第18項所記載之發光裝置，其中：透光性樹脂係從窗部突出。
  21. 如申請專利範圍第18項所記載之發光裝置，其中：第1導線電極之第1部及第2導線電極之第1部之粗細，實質上為幾乎相同，第1導線電極之第2部其表面積比第2導線電極之第2部更大。
  22. 如申請專利範圍第18項所記載之發光裝置，其中：第3導線電極及第4導線電極，係被設成一體。
  23. 如申請專利範圍第18項所記載之發光裝置，其中：第1導線電極係第1導線電極之第2部及第1部從固定構件之一面延伸，第1導線電極之第4部從固定構件之另外一面延伸。
  24. 如申請專利範圍第18項所記載之發光裝置，其中：第1導線電極係第1導線電極的第2部及第1部從固定構件的一面延伸，第1導線電極的第4部從固定構件的另外一面延伸，第1導線電極之第4部所延伸之固定構件的部位，係 從外周部往內側形成有切口，比起外周部更於內側配置有第1導線電極之第4部。
  25. 如申請專利範圍第18項所記載之發光裝置，其中：第1導線電極之第3部及第2導線電極之第3部，係形成為具有錨定效果。
  26. 一種光源，其特徵為具有：申請專利範圍第1項、第8項及第18項中任一項所記載之發光裝置、及傳達從發光裝置所射出之光線的導光體。
  27. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，前述第1導線電極、和前述第2導線電極、和前述第3導線電極係實質上平行，且向同樣方向排列者。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9070850B2 (en) * 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
JP4542453B2 (ja) * 2005-03-24 2010-09-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
US7675145B2 (en) * 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8748915B2 (en) * 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US8735920B2 (en) * 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US7816698B2 (en) * 2007-04-13 2010-10-19 Industrial Technology Research Institute Heat dissipation package for heat generation element
TWM315886U (en) * 2006-12-28 2007-07-21 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting diode structure
US9711703B2 (en) * 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
KR101346342B1 (ko) * 2007-03-30 2013-12-31 서울반도체 주식회사 낮은 열저항을 갖는 발광 다이오드 램프
KR101352921B1 (ko) * 2007-05-25 2014-01-24 삼성디스플레이 주식회사 광원모듈, 이를 갖는 백라이트 어셈블리 및 이를 갖는표시장치
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
US8866169B2 (en) * 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
JP5132404B2 (ja) * 2008-04-17 2013-01-30 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
US8791471B2 (en) * 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US20110089448A1 (en) * 2009-10-20 2011-04-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Single Encapsulant For A Plurality Of Light Sources
JP2012049278A (ja) * 2010-08-26 2012-03-08 I-Chiun Precision Industry Co Ltd 熱電分離型発光ダイオードブラケットの製作方法
JP5890233B2 (ja) * 2011-05-19 2016-03-22 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュールおよびイメージセンサモジュール
JP6064396B2 (ja) 2012-07-09 2017-01-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6026315B2 (ja) * 2013-02-20 2016-11-16 スタンレー電気株式会社 発光素子モジュール
JP6349809B2 (ja) * 2014-03-15 2018-07-04 オムロン株式会社 フォトセンサ
US9328878B2 (en) 2014-07-02 2016-05-03 General Electric Company Phosphor compositions and lighting apparatus thereof
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
JP2017112347A (ja) * 2015-12-17 2017-06-22 ルーメンス カンパニー リミテッド 発光装置
DE102016103136A1 (de) * 2016-02-23 2017-08-24 Vishay Semiconductor Gmbh Optoelektronische Vorrichtung

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030006430A1 (en) * 2001-06-08 2003-01-09 Naoki Shibata Group III nitride compound semiconductor light-emitting element
US20040159850A1 (en) * 2003-02-18 2004-08-19 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light-emitting device, manufacturing method thereof, and electronic image pickup device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6035555U (ja) * 1983-08-17 1985-03-11 日本電気株式会社 シングル・イン・ラインパッケ−ジ形平面発光ダイオ−ド
US5825054A (en) * 1995-12-29 1998-10-20 Industrial Technology Research Institute Plastic-molded apparatus of a semiconductor laser
JPH11330557A (ja) 1998-05-08 1999-11-30 Canon Inc 光源装置及び電子機器
JP2003023525A (ja) * 2001-07-09 2003-01-24 Nippon Sheet Glass Co Ltd 発光ユニット及びこの発光ユニットを用いた照明装置及び画像読取装置
US6812481B2 (en) * 2001-09-03 2004-11-02 Toyoda Gosei Co., Ltd. LED device and manufacturing method thereof
JP4400057B2 (ja) * 2003-02-03 2010-01-20 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードランプ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030006430A1 (en) * 2001-06-08 2003-01-09 Naoki Shibata Group III nitride compound semiconductor light-emitting element
US20040159850A1 (en) * 2003-02-18 2004-08-19 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light-emitting device, manufacturing method thereof, and electronic image pickup device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006173359A (ja) 2006-06-29
US7586128B2 (en) 2009-09-08
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US20060131591A1 (en) 2006-06-22

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