TWI385710B - 驅動設備、保持設備、曝光設備、及半導體裝置製造方法 - Google Patents

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Description

驅動設備、保持設備、曝光設備、及半導體裝置製造方法
本發明關係於驅動設備、保持設備、曝光設備及半導體裝置製造方法。
曝光設備傳統上，使用光微影術以製造微圖案半導體裝置，例如半導體記憶體或邏輯電路。曝光設備將各種形成在光罩(原版)上之圖案(電路圖案)轉印至例如矽晶圓(基材)上。
隨著近來半導體裝置積集度的增加，將愈來愈細之圖案轉印至晶圓上變成經常性實務。因此，曝光設備需要具有一投影光學系統，其較不會受到波前像差或失真(即有優良解析能力)。為了製造大型積體電路裝置，不只想要改良投影光學系統的解析能力，同時也要改良重疊準確度(將幾個圖案重疊至晶圓上之準確度)成為一重要因素。
為了符合此要求，有必要建立光學元件，例如在投影光學系統中之透鏡，在此同時，它們被精確地定位(滿足其光學設計)。也有必要在所用曝光設備上下變動時(例如氣壓變化或曝光時所產生熱的上下變動)，調整光學元件在投影光學系統內之位置。在用以在投影光學系統中彼此固持的光學堆疊框體中，框體的位置係被調整，以定位光學元件。此光學元件定位需要非常小心框體的位置調整，耗用很多時間。
在此情形下，日本特許公開2005－175271提議一驅動機制(調整機制)，其可以容易地執行以高準確地之投影光學系統中之光學元件的定位與位置調整。此驅動機制係被等距地安排在光學元件之圓周的三個位置上，並可以使用例如堆疊之壓電元件之直線(rectilinear)致動器，來驅動光學元件於垂直方向(Z方向)及傾斜方向(θx方向及θy方向)。基本上，如圖7所示，用以量測光學元件OE之位移之位移感應器CD延伸於Z方向。光學元件OE在三個方向(Z方向、θx方向及θy方向)中之位置可以藉由回授位移感應器CD所取得之量測結果至直線致動器DA加以控制。圖7為一方塊圖，顯示為傳統驅動機制進行之光學元件之位置控制。
近年來，其也需求開發一驅動機制，其可以執行光學元件之定位與位置調整於Z方向中有較長之行程及較高之準確度。
不好的是，當光學元件在Z方向中之行程增加，傳統驅動機制不可避免地以更大量驅動於θx方向及θy方向中。這可能過量地傾斜(偏斜)光學元件。結果，黏結光學元件與格之黏著應力超出一限制。然後，光學元件由格剝離(或光學元件損壞)或塑性變形為超出作動在格上之應力限制。
光學元件之傾斜可以使用位移感應器限制(控制)。然而，如果位移感應器故障，則便不可能限制光學元件的傾斜。
本發明提供一種驅動設備，其驅動例如光學元件之物體於垂直方向(Z方向)及傾斜方向(θx方向及θy方向)，同時限制物體於其傾斜方向的驅動量，以防止物體的任何損壞及變形。
依據本發明另一態樣，提供一驅動一物體的驅動設備，其包含：多數壓電元件，架構以驅動該物體的多數部份；多數電壓施加單元，架構以施加電壓至多數壓電元件；及一控制單元，架構以控制多數電壓施加單元，使得於施加至該多數壓電元件之電壓間之差並不超過一預定值。
依據本發明之另一態樣，其中提供一保持設備，包含：一保持單元，架構以保持一光學元件；及一驅動設備，架構以驅動為該保持單元所保持之光學元件；及該驅動設備包含：多數壓電元件，架構以驅動該光學元件的多數部份；多數電壓施加單元，架構以施加電壓至該多數壓電元件；及一控制單元，架構以控制多數電壓施加單元，使得於施加至多數壓電元件之電壓間之差並不超過一預定值。
依據本發明另一態樣，其中提供一曝光設備，其包含上述保持設備，及一光學系統，架構以經由為該保持設備所保持之光學元件曝光，而轉印光罩圖案至一基材。
依據本發明另一態樣，提供一半導體裝置製造方法， 包含步驟：使用上述曝光設備，曝光一基材；及對該已曝光基材，執行一顯影程序。
本發明之其他態樣將由以下例示實施例的說明，配合上附圖加以了解。
本發明之較佳實施例將參考附圖加以描述。相同元件符號表示所有圖中之相同元件，及其重覆說明將被省略。
圖1為依據本發明一態樣之保持設備1的立體圖。圖2為一剖面圖，顯示保持設備1的剖面圖。保持設備1保持光學元件OE，例如透鏡、平行板玻璃、稜鏡、鏡面、雙光學件及全像片。在此實施例中，保持設備1被實施為保持設備，其固持曝光設備之投影光學系統之透鏡。然而，保持設備1也可以適用為一保持設備，其保持照明光學系統之光學元件或曝光設備之另一光學系統之光學元件。保持設備1並未特別限定於執行曝光設備的光學元件之定位及位置調整。保持設備1也可應用於例如電子顯微鏡機台的設備，其需要高準確度的定位。如圖1及2所示，保持設備1包含一格10、保持單元20、驅動單元30、及位移感應器40。
格10為一環狀構件，具有光學元件OE的光軸作為中心。例如，格10作為一移動體(物體)，其經由黏劑黏結至光學元件OE並為驅動單元30所驅動(如後述)。在此實施例中，格10被安裝在保持單元20上。
保持單元20為一固定塊，將被黏結至光學元件OE之格格10固定至投影光學系統之透鏡鏡筒。例如，保持單元20經由三個安排在光學元件OE圓周上，使用光學元件OE之光軸作為中心，以120度之間距(等距)之安裝單元安裝格10。換句話說，保持單元20經由格10保持光學元件OE。
驅動單元30連接至格10並相對於保持單元20於垂直方向(Z方向)及傾斜方向(θx方向及θy方向)驅動光學元件OE。換句話說，驅動單元30作為一驅動設備，其藉由驅動光學元件OE，執行光學元件OE於投影光學系統中之定位及位置調整。在此實施例中，驅動單元30使用光學元件OE之光軸作為中心，以120度的間距(等距)被安排在光學元件OE之圓周上。以此配置，驅動單元30可以取得三個軸向之驅動，即Z方向、θx方向及θy方向的驅動。將如以下所詳述，當在Z方向中以相當長行程驅動光學元件OE時，驅動單元30可以限制於θx方向及θy方向中之傾斜(偏斜)。
位移感應器40量測光學元件OE之位移。在此實施例中，如圖2所示，位移感應器40包含五感應器，即延伸於Z方向(垂直於圖2之紙張的方向)的三個感應器40z、延伸於X方向之感應器40x、及延伸於Y方向之感應器40y。投影光學系統中之光學元件OE的定位與位置調整可以藉由將位移感應器40所取得之量測結果(即光學元件OE之位移)回饋至驅動單元30加以控制。基本上， 只有延伸於Z方向中之三個感應器40z可以控制光學元件OE在三個軸向，即Z方向、θx方向及θy方向中的位置。
驅動單元30的詳細配置將如下所述。圖3為一電路圖，顯示依據第一實施例之驅動單元30之配置。如圖3所示，依據第一實施例之驅動單元30包含多數壓電元件310a至310c；多數電壓施加單元320a至320c；及控制單元330。
各個該多數壓電元件310a至310c之例子係為一壓電元件，作為一電容性負載。該多數壓電元件310a至310c具有第一終端312a至312c與第二終端314a至314c，及膨脹/收縮取決於施加於第一終端312a至312c與第二終端314a至314c之電壓。該多數壓電元件310a至310c經由格10驅動光學元件OE之多數部份。該多數壓電元件310a至310c之膨脹/收縮量(即光學元件OE之驅動量)可以為施加至其上之電壓所控制。
多數電壓施加單元320a至320c施加電壓於該多數壓電元件310a至310c之第一終端312a至312c與第二終端314a至314c。該多數電壓施加單元320a至320c包含例如電流放大器。
控制單元330控制多數電壓施加單元320a至320c，使得施加至該等多數壓電元件310a至310c之電壓間之差並不超出一預定值。換句話說，控制單元330防止施加至壓電元件310a之電壓、及施加至壓電元件310b的電壓、 及施加至壓電元件310c之電壓間之差(電位差)超出一預定值。這變得可以防止一特定壓電元件在膨脹/收縮量之顯著增加(例如Z方向中之光學元件OE之驅動量)，因而，防止光學元件OE過度傾斜(於θx方向及θy方向中)。在第一實施例中，控制單元330包含二極體331a至331c及332a至332c及齊納二極體333。
二極體331a至331c與332a至332c決定電流流動方向。在第一節點FN及多數壓電元件310a至310c之第一端312a至312c間，二極體331a至331c構成第一二極體，其中，陽極係朝向第一端312a至312c。在多數壓電元件310a至310c之第一端312a至312c間，二極體332a至332c構成第二二極體，其中陰極係朝向第一端312a至312c。
齊納二極體333決定一電壓值(預定值)Vlim ，施加至多數壓電元件310a至310c之電壓間之差(電位差)係被限制至該電壓值。電壓值Vlim 為多數壓電元件310a至310c間之電位差的上限。根據齊納二極體333的齊納電壓Vzd 及二極體331a至331c與332a至332c之導通電壓(約0.6伏)，電壓值Vlim 變成約1.2伏(Vlim Vzd ＋1.2V)。齊納二極體333係連接於第一節點FN及第二節點SN之間，使得齊納二極體333之陽極係朝向多數壓電元件310a至310c之第二端。
以下將解釋控制單元330之操作。為了簡化說明起見，將注意在壓電元件310a及310b。假設Vi為施加至 (產生於)壓電元件310a之第一端312a及第二端314a之間的電壓，及V2為施加至(產生於)壓電元件310b之第一端312b及第二端314b間之電壓，V2>V1。
參考圖3，當例如於壓電元件310a之第一端312a及壓電元件310b之第一端312b間之電位差(V2－V1)大概要超出電壓值Vlim 時，齊納二極體333被驅動。一流動經連接至壓電元件310b之第一端312b的節點之電流iB，以相當低電壓，經由二極體331b及332a進入連接至壓電元件310a之第一端312a的一節點。結果，於壓電元件310a之第一端312a與壓電元件310b之第一端312a間之電位差被抑制低於電壓值Vlim 。一連串之這些操作可以迅速應用至使用三個或更多壓電元件的情形中。例如，如果一壓電元件被額外提供時，額外提供兩二極體，使得有可能控制於施加至多數壓電元件之電壓間之差。
示於圖3中之驅動單元驅動單元30中之控制單元330可以容易地控制施加至多數壓電元件之電壓間之差。這可以更防止例如在Z方向中驅動光學元件OE之單一特定壓電元件接收相當高之電壓(即，防止光學元件OE之驅動量增加於Z方向)，因而，光學元件OE過度傾斜(於θx方向及θy方向中)。換句話說，有可能防止驅動光學元件OE時，光學元件OE的損壞及變形，同時，限制光學元件OE於其傾斜方向中之驅動量。
因為示於圖3之驅動單元30根據齊納電壓Vzd 決定電壓值Vlim ，所以有可能容易藉由替換齊納二極體333， 來改變電壓值Vlim 。驅動單元30之配置使用允許取得一機制，其容易地以最低成本限制光學元件OE之傾斜。
圖4為依據第二實施例之驅動單元30之配置的電路圖。如圖4所示，依據第二實施例之驅動單元30包含多數壓電元件310a至310c、多數電壓施加單元320a至320c、及控制單元330A。
控制單元330A控制多數電壓施加單元320a至320c，使得施加至壓電元件310a至310c之電壓間之差並不超出一預定值。即使控制單元330A具有類似於330之功能，其構成元件與控制單元330者不同。在第二實施例中，控制單元330A包含二極體331a至331c及332a至332c，電阻334a及334b、電晶體335、齊納二極體336、電晶體337及電阻338。
電阻334a及334b將分出一電壓值(預定值)Vlim ，施加至多數壓電元件310a至310c之電壓間之差(電位差)係被限制。換句話說，電阻334a及334b作為一電壓除法電路，其除以第一節點FN及第二節點SN間之電壓。
電晶體(第一電晶體)335具有：一基極，被施加以有作為電阻除法電路的電阻334a及334b所除之電壓；一集極，連接至第一節點側；及一射極，連接至第二節點側。
齊納二極體336係連接至第二節點SN與電晶體335之射極間，使得其陰極朝向電晶體335之射極。
電晶體(第二電晶體)337具有：一基極，被施加有齊納二極體336之陽極之電壓；一集極，連接至該第一節點 側；及一射極，連接至第二節點側。
電阻338作為一作動電路，其作動(即導通)電晶體337。電阻338係連接於第二節點SN及齊納二極體336之陽極間。然而，也可能以MOSFET替代電阻338。
參考圖4，電阻334a及334b與齊納二極體336決定電壓值Vlim 。電壓值Vlim 係被決定為(Vzd ＋2.4V)×(R1＋R2)/R2，其中Vzd 為齊納二極體3336之齊納電壓，R1為電晶體334a之電阻，R2為電晶體334b之電阻。注意的是，電晶體335及337之導通電壓為0.6伏。
以下將解釋控制單元330A之操作。為了簡明說明起見，將針對壓電元件310a及310b。假設V1為施加至(產生於)壓電元件310a之第一端312a及第二端314a間之電壓，及V2為施加至(產生於)壓電元件310b之第一端312b及第二端314b間之電壓，V2>V1。
例如，假設當壓電元件310a之第一端312a與壓電元件310b之第一端312b間之電位差(V2－V1)將要超出電壓值Vlim 。在此時，當為電阻334a及334b除以電壓值Vlim 所得之電壓值Vp 為＋1.2V或更大時，則齊納二極體336被驅動。一電流流經電晶體335之集－射極路徑。當電流流經電阻338時，電晶體337被導通。流經連接至壓電元件310b之第一端312b的節點之電流iB流經二極體331b至電晶體337，然後，以相當低電壓流入連接至壓電元件310a之第一端312a的節點。結果，於壓電元件310a之第一端312a及壓電元件310b之第一端312b間之電位差 被抑制低於電壓值Vlim 。如同第一實施例，一連串之這些操作係可迅速地應用至使用三或更多壓電元件的情形中。例如，假如一壓電元件被額外提供，則額外提供兩二極體，而有可能控制施加至多數壓電元件之電壓間之差。
示於圖4之驅動單元30中之控制單元330A可以容易地控制施加至多數壓電元件之電壓間之差。這使得它有可能防止，例如，只有一特定壓電元件，在Z方向中驅動之光學元件光學元件OE接收相當高電壓(即防止該光學元件OE只有在Z方向中之驅動量增加)，因而，防止光學元件OE過度傾斜(於θx方向及θy方向)。換句話說，有可能防止驅動光學元件OE造成之光學元件OE的損壞及變形，同時，限制光學元件OE於其傾斜方向之驅動量。
依據第二實施例之驅動單元30具有構成元件，其數量係大於依據第一實施例之驅動單元30的數量。然而，使用一與電晶體337一般，產生相當大容量損電晶體，依據第二實施例之驅動單元30可以產生較依據第一實施例之驅動單元30所產生為大之電流。換句話說，依據第二實施例之驅動單元30的配置係適用於一情況，其中可以供給相當大電流至連接至壓電元件的節點的放大器係被使用作為各個電壓施加單元320a至320c。
電壓值Vlim 可以藉由改變示於圖4中之驅動單元30中之電阻334a及334b之電阻值加以容易調整。驅動單元30配置的使用允許一機制的實施，該機制可以以低成本限制光學元件OE之傾斜。
圖5為一方塊圖，顯示依據第三實施例之驅動單元30的配置。如圖5所示，依據第三實施例之驅動單元30包含多數壓電元件310a至310c、多數電壓施加單元320a至320c、及控制單元330B。
控制單元330B控制多數電壓施加單元320a至320c，使得施加至壓電元件310a至310c之電壓間之差並不超出一預定值。依據第三實施例之控制單元330B包含一位置控制單元341、電壓檢測單元342、A/D轉換器343、計算單元344、電壓控制單元345、及D/A轉換器346。
位置控制單元341具有例如一DSP及CPU(即，算術處理功能)，用以以高準確度，控制光學元件OE於Z方向、θx方向及θy方向中之位置。位置控制單元341使用例如PID補償器，根據為感應器40z所取得之量測結果，計算壓電元件310a至310c之驅動量(膨脹/收縮量)，感應器40z量測光學元件OE於Z方向中之位移。位置控制單元341產生對應於壓電元件310a至310c之計算驅動量(膨脹/收縮量)電壓的輸入信號給它們，並輸出所產生之輸入信號給電壓控制單元345。
電壓檢測單元342檢測施加至多數壓電元件310a至310c之電壓(即自多數電壓施加單元320a至320c輸出的電壓)。
A/D轉換器343將為電壓檢測單元342所檢測的電壓轉換為數位信號，並將之輸至計算單元344。
根據自A/D轉換器343接收之數位信號(即為電壓檢測單元342所取得之檢測結果)，計算單元344計算施加至多數壓電元件310a至310c之電壓間之差(電位差)，並將之輸出至電壓控制單元345。
根據為計算單元344所計算之電位差，電壓控制單元345控制自多數電壓施加單元320a至320c輸出之電壓。在此實施例中，電壓控制單元345限制自位置控制單元341所接收並用以施加電壓至多數壓電元件310a至310c之輸入信號。例如，電壓控制單元345比較一預存電位差與為計算單元344所計算之電位差，並控制為電壓檢測單元342所檢測之多數壓電元件310a至310c間之電位差為預存電位差(以不超出一預定值)。更明確地說，根據自計算單元344接收之電位差，電壓控制單元345限制輸入信號，該等輸入信號係自位置控制單元341接收並被用以施加電壓至多數壓電元件310a至310c，使得電位差並不超出預定值。結果，為電壓施加單元320a至320c所施加至多數壓電元件310a至310c之電壓(即自多數電壓施加單元320a至320c輸出之電壓)係被限制。
D/A轉換器346將為電壓控制單元345所控制(限制)並被用以施加電壓至多數壓電元件310a至310c之輸入信號轉換為類比信號，並將之輸出至多數壓電元件310a至310c。
示於圖5中之驅動單元30中之控制單元330B可以容易控制施加至多數壓電元件之電壓間之差。這使得可以防 止例如驅動光學元件OE於Z方向的單一特定壓電元件接收一相當電壓(例如，防止光學元件OE之Z方向中之驅動量的增加)，因而，防止光學元件OE過度傾斜(於θx方向及θy方向)。換句話說，有可能藉由驅動光學元件OE同時限制光學元件OE於其傾斜方向的驅動量，而防止光學元件OE的損壞及變形。
示於圖5之驅動單元30可以控制光學元件OE的位置(特別是在傾斜方向)，而無關於使用多數位移感應器40控制光學元件OE位置的控制系統。然而，保持設備1可以控制光學元件OE之位置，即使在任何位移感應器40故障時。
如同以上所述，保持設備1可以保持光學元件OE並藉由(驅動光學元件OE)執行光學元件OE之定位及位置調整，同時，限制光學元件OE於其傾斜方向的驅動量，而防止光學元件OE損壞及變形。
具有應用有保持設備1之投影光學系統630的曝光設備600係參考圖6加以解釋。圖6為依據本發明一態樣之曝光設備600的剖面圖。在此實施例中，曝光設備600為一投影曝光設備，其使用步進掃描(step & scan)設計，將藉由曝光將光罩620之圖案轉印至晶圓640上。然而，曝光設備600可以採用步進重覆設計。
可以由圖6看出，曝光設備600包含一照明設備610、光罩機台625，其上安裝有光罩620、投影光學系統630、及晶圓機台645，其上安裝有晶圓640。
照明設備610照射其上形成有予以轉印之電路的光罩620，並包含一光源單元612與照明光學系統614。
光源單元612使用例如一準分子雷射，例如具有波長約248nm之KrF準分子雷射或具有波長約193nm之ArF準分子雷射作為光源。然而，光源單元612之光源並不特別限制為準分子雷射，並且，可以例如為約157nm波長之F2 雷射。
照明光學系統614照射光罩620。照明光學系統614包含例如透鏡、鏡子、光學積分器、相位板、繞射光學元件、及止板。保持設備1可以用以保持光學元件，例如照明光學系統614之透鏡。
光罩620可以具有電路圖案並被光罩機台625所支援及驅動。為光罩620所產生之繞射光經由投影光學系統630投影至晶圓640。因為曝光設備600為步進掃描設計，所以其藉由掃描將光罩620的圖案轉印至晶圓640。
光罩機台625支撐光罩620並以X軸方向、Y軸方向、及Z軸方向移動光罩620，並使用例如線性馬達，繞著個別軸旋轉。注意的是，光罩620或晶圓640表面上之掃描方向係被界定為Y軸，垂直於其表面方向被界定為X軸，及垂直於光罩620或晶圓640之表面方向為Z方向。
投影光學系統630將光罩620的圖案投影至晶圓640。投影光學系統630可以為折射系統、折反射系統或反射系統。
在此實施例中，投影光學系統630包含多數透鏡 632。保持設備1保持多數透鏡632。在投影光學系統630中之多數透鏡632受到定位及位置調整，而沒有損壞或變形。然而，投影光學系統630展現優良成像效能。保持設備1具有上述配置，及其詳細說明係被省略。
晶圓640為一基材，其上被投影(轉印)有光罩620的圖案。然而，有可能使用一玻璃板或其他基材，以替換晶圓640。晶圓640被塗覆以光阻。
晶圓機台645支撐晶圓640並移動晶圓640於X軸方向、Y軸方向、Z軸方向，及使用線性馬達繞著個別軸旋轉，如同光罩機台625。
在曝光時，由光源單元612所發射之光經由照明光學系統614照射光罩620。通過光罩620時反射光罩620之電路圖案的光束經由投影光學系統630在晶圓640上形成影像。在用於曝光設備600之投影光學系統630中(及/或照明光學系統614)，保持設備1保持受到定位及位置調整之光學元件。因此，曝光設備600展現優良曝光效能，以提供具有高產量及高品質之裝置(例如半導體裝置、LCD裝置、影像感應裝置(例如CCD)、及薄膜磁頭)。
以下將說明使用上述曝光設備600之裝置製造方法的實施例。該裝置係藉由使用曝光設備600，曝光被塗覆以光阻之基材(晶圓或玻璃板)的步驟；對已曝光基材執行顯影程序的步驟；及執行其他已知製程的步驟加以形成。
雖然本發明已經參考例示實施例加以描述，但應了解的是，本發明並不限於所揭示例示實施例。以下申請專利 範圍係依據最廣的解釋，以包含所有此等修改及等效結果及功能。
1‧‧‧保持設備
10‧‧‧格
20‧‧‧保持單元
30‧‧‧驅動單元
40‧‧‧位移感應器
40x‧‧‧感應器
40y‧‧‧感應器
40z‧‧‧感應器
310a－c‧‧‧壓電元件
320a－c‧‧‧電壓施加單元
312a－c‧‧‧第一端
314a－c‧‧‧第二端
332a－c‧‧‧二極體
333‧‧‧齊納二極體
331a－c‧‧‧二極體
330‧‧‧控制單元
330A‧‧‧控制單元
334a－b‧‧‧電阻
335‧‧‧電晶體
336‧‧‧齊納二極體
337‧‧‧電晶體
338‧‧‧電阻
330B‧‧‧控制單元
341‧‧‧位置控制單元
342‧‧‧電壓檢測單元
343‧‧‧A/D轉換器
344‧‧‧計算單元
345‧‧‧電壓控制單元
346‧‧‧D/A轉換器
600‧‧‧曝光設備
610‧‧‧照明設備
620‧‧‧光罩
630‧‧‧投影光學系統
640‧‧‧晶圓
645‧‧‧晶圓機台
625‧‧‧光罩機台
612‧‧‧光源單元
614‧‧‧照明光學系統
632‧‧‧透鏡
OE‧‧‧光學元件
圖1為依據本發明一實施例之保持設備的立體圖；圖2為示於圖1之保持設備的剖面圖；圖3為一電路圖，顯示依據第一實施例之驅動單元於示於圖1中之保持設備中之配置；圖4為一電路圖，顯示依據第二實施例之驅動單元於示於圖1中之保持設備中之配置；圖5為一電路圖，顯示依據第三實施例之驅動單元於示於圖1中之保持設備中之配置；圖6為依據本發明一態樣之曝光設備的剖面圖；及圖7為一方塊圖，顯示傳統驅動機制之光學元件的定位控制。
310a－c‧‧‧壓電元件
320a－c‧‧‧電壓施加單元
312a－c‧‧‧第一端
314a－c‧‧‧第二端
332a－c‧‧‧二極體
333‧‧‧齊納二極體
331a－c‧‧‧二極體
330‧‧‧控制單元
FN‧‧‧第一節點
SN‧‧‧第二節點
iB‧‧‧電流

Claims (6)

  1. 一種驅動設備，用以驅動一物體，該設備包含：多數壓電元件，架構以驅動該物體的多數部份；多數電壓施加單元，架構以施加電壓至該多數壓電元件；及一控制單元，架構以控制該多數電壓施加單元，使得該施加至該多數壓電元件之電壓間之差並不超出一預定值，其中各個該多數壓電元件具有一第一端與一第二端，各個該多數電壓施加單元施加一電壓於該多數壓電元件之一對應壓電元件之該第一端與該第二端間，及該控制單元包含：多數第一二極體，各個係連接於第一節點與該多數壓電元件之一對應壓電元件的該第一端間，使得各二極體之陽極係朝向該第一端，多數第二二極體，各個係連接於第二節點與該多數壓電元件之一對應壓電元件的該第一端間，使得各二極體之陰極朝向該第一端，一分壓電路，架構以分壓在該第一節點與該第二節點間之電壓，一第一電晶體，其係架構以令基極被施加以為該分壓電路所分壓之電壓、集極被連接至該第一節點的一側、及 射極連接至該第二節點的一側，一齊納二極體，連接於該第二節點與該第一電晶體的該射極間，使得其陰極係朝向該第一電晶體的該射極，一第二電晶體，其係架構以令基極被施加以該齊納二極體的陽極的電壓、集極連接至該第一節點的一側、及射極連接至該第二節點的一側，及一作動電路，其係連接於該第二節點與該齊納二極體的該陽極之間，並被架構以作動該第二電晶體。
  2. 一種驅動設備，用以驅動一物體，該設備包含：多數壓電元件，架構以驅動該物體的多數部份；多數電壓施加單元，架構以施加電壓至該多數壓電元件；及一控制單元，架構以控制該多數電壓施加單元，使得該施加至該多數壓電元件之電壓間之差並不超出一預定值，其中各個該多數壓電元件具有一第一端與一第二端；各個該多數電壓施加單元施加一電壓於該多數壓電元件之一對應壓電元件之該第一端與該第二端間；及該控制單元包含：多數第一二極體，各個係連接於第一節點與該多數壓電元件之一對應壓電元件的該第一端間，使得各二極體之陽極係朝向該第一端，多數第二二極體，各個係連接於第二節點與該多數壓電元件之一對應壓電元件的該第一端間，使得各二極體之 陰極朝向該第一端，及一齊納二極體，連接於該第一節點與該第二節點間，使得其陽極係朝向該第二節點。
  3. 一種驅動設備，用以驅動一物體，該設備包含：多數壓電元件，架構以驅動該物體的多數部份；多數電壓施加單元，架構以施加電壓至該多數壓電元件；及一控制單元，架構以控制該多數電壓施加單元，使得該施加至該多數壓電元件之電壓間之差並不超出一預定值，其中各個該多數壓電元件具有第一端與第二端，各個該多數電壓施加單元，施加一電壓於該多數壓電元件之對應壓電元件的該第一端與該第二端間，及該控制單元包含：一電壓檢測單元，架構以檢測該施加至該多數壓電元件的電壓，一計算單元，架構以計算為該電壓檢測單元所檢測之電壓間之差並施加至該多數壓電元件，及一電壓控制單元，架構以根據為該計算單元所計算之施加至該多數壓電元件之電壓間之差，控制自該多數電壓施加單元輸出的電壓。
  4. 一種保持設備，包含：一保持單元，架構以保持一光學元件；及一驅動設備，架構以驅動為該保持單元所保持之該光 學元件，及該驅動設備包含：多數壓電元件，架構以驅動該光學元件之多數部份，多數電壓施加單元，架構以施加電壓至該多數壓電元件，及一控制單元，架構以控制該多數電壓施加單元，使得於施加至該多數壓電元件之電壓間之差不超出一預定值，其中各個該多數壓電元件具有一第一端與一第二端，各個該多數電壓施加單元施加一電壓於該多數壓電元件之一對應壓電元件之該第一端與該第二端間，及該控制單元包含：多數第一二極體，各個係連接於第一節點與該多數壓電元件之一對應壓電元件的該第一端間，使得各二極體之陽極係朝向該第一端，多數第二二極體，各個係連接於第二節點與該多數壓電元件之一對應壓電元件的該第一端間，使得各二極體之陰極朝向該第一端，一分壓電路，架構以分壓在該第一節點與該第二節點間之電壓，一第一電晶體，其係架構以令基極被施加以為該分壓電路所分壓之電壓、集極被連接至該第一節點的一側、及射極連接至該第二節點的一側，一齊納二極體，連接於該第二節點與該第一電晶體的該射極間，使得其陰極係朝向該第一電晶體的該射極， 一第二電晶體，其係架構以令基極被施加以該齊納二極體的陽極的電壓、集極連接至該第一節點的一側、及射極連接至該第二節點的一側，及一作動電路，其係連接於該第二節點與該齊納二極體的該陽極之間，並被架構以作動該第二電晶體。
  5. 一種曝光設備，包含：如申請專利範圍第4項所述之保持設備；及光學系統，架構以經由為該保持設備所保持之光學元件，藉由曝光將光罩之圖案轉印至一基材。
  6. 一種半導體裝置製造方法，包含步驟：使用如申請專利範圍第5項所述之曝光設備，曝光一基材；及對該已曝光基材，執行一顯影製程。
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