TWI384513B - 電容器元件及其製造方法 - Google Patents
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Description
本發明大體而言係關於電容器元件，且更特定言之，本發明係關於可嵌入於印刷電路板或其他微電子元件中之電容器元件。
電容器元件可用來提供電路中所需之電容，而電容在電路中主要的功能在於儲存電能、阻斷直流電流，或准許交流電流之通過。電容器元件可包含一介電材料層，該介電材料層夾於一對隔開之導電金屬層(例如銅箔)之間。
電容器元件為印刷電路板(PCB)及其他微電子元件上之常見器件。近年來，在例如印刷電路板及配置於該印刷電路板上之元件的設計中，設計者可能需付出大量努力以抑制在該印刷電路板中之電源層與接地層之間引起的電壓波動。一種常見類型之電壓波動可包括“切換雜訊”，該“切換雜訊”可能由積體電路中電晶體之切換操作而引起。對此問題之常見解決方案為置放一或多個去耦合電容器元件或旁路電容器元件，該等電容器元件可電性耦接於該積體電路附近之電源端子與接地端子之間。
此外，電容器元件可被以分離式元件方式電性耦接於電路板上，或可被設計成嵌入於該電路板中。在此等選擇中，形成嵌入於該電路板中之該電容器元件可以增加該電路板上可用於其他用途的表面積。
選擇電容器元件時的主要考量因素可包括該電容器元件
之電容及頻寬。該電容器元件之頻寬可視其自共振頻率而定，因為當該電容器元件在低於該自共振頻率之頻率下工作時該電容器元件可具有正常的工作狀態。以下等式(1)說明了電容器元件之電容與自共振頻率之間的關係：
其中，fr表示自共振頻率，L表示寄生電感(亦即，等效串聯電感“ESL”)，及C表示寄生電容(亦即，等效串聯電容“ESC”)。根據等式(1)，具有較小電容之電容器元件可具有較高的自共振頻率，因而具有寬頻寬。反之，具有較大電容之電容器元件可具有較低自共振頻率，因而具有窄頻寬。然而，對於去耦合電容器元件而言，可能非常需要具有高自共振頻率及高電容。
一般而言，可藉由以下等式來計算電容：
其中，C表示電容器元件之電容(以法拉為單位)，ε表示介電材料之介電常數，A表示兩塊導電板間夾有介電材料之面積，及d表示板間距離。根據上式(2)，電容與兩塊導電板間夾有介電材料之面積及介電材料之介電常數成正比，而與兩塊導電板間之距離成反比。因而，為了增加電容器
元件之電容，吾人可增加導電板之面積，或選擇極薄的具有高介電常數之介電材料層。然而，上述方法均可能有困難之處。首先，增加導電板之面積將使得整體設計離小型化設計目標愈來愈遠。另外，介電材料之選擇常常受到許多生產及組態等因素上的限制。而當介電層厚度減小時亦會出現額外的問題與困難，例如電路板上介電層之厚度可能會難以控制，因為該介電層之厚度可能由於介電質沈積所在之圖案化特徵(例如，電容器元件電極)的形狀及尺寸而顯著改變。採用薄介電層設計通常可能伴隨有引起兩金屬間透過薄介電層而發生短路之危險，或在該介電層中形成可能影響電容效應及特性之細微氣泡或其他結構上之缺陷之危險。
依據本發明之範例可提供一種具有一電容之電容器元件及一種製造一電容器元件之方法。
本發明之一範例可提供一種具有一電容之電容器元件，其可包含至少一電容性器件。該至少一電容性器件可包含：一對彼此對置之第一導電層；至少一第一介電層，其可形成於該等第一導電層中之至少一者的表面上；及一第二介電層，其可被夾於該等第一導電層之間。該第一介電層可具有一第一介電常數，且該第二介電層可具有一第二介電常數。該電容器元件之該電容可視該第一介電層及該第二介電層之介電參數而定。該等介電參數可包含該至少一第一介電層之第一介電常數及厚度，以及該第二介電層
之第二介電常數及厚度。
本發明之另一範例可提供一種製造一電容器元件之方法，該方法可包含：提供一對第一導電層；在該等第一導電層中之一者上形成至少一第一介電層；及使該等第一導電層及該至少一第一介電層與一第二介電層層壓。
依據本發明之一範例亦可提供一種包含許多個電容性器件之電容器元件。該等電容性器件中之至少一者可包含：一第一導電層及與該第一導電層對置之一第二導電層；至少一第一介電層，其可形成於該第一導電層及該第二導電層中之至少一者的表面上；以及一第二介電層，其經由該至少一第一介電層而可被夾於該第一導電層與該第二導電層之間。該第一介電層可具有一第一介電常數，且該第二介電層可具有一第二介電常數。該電容性器件之該第一導電層及該第二導電層中的至少一者可電性耦接至另一電容性器件之一導電層。
依據本發明之另一範例可提供一種具有許多個電容性器件之電容器元件。該電容器元件可包含一第一電容性器件，該第一電容性器件可包含：一對彼此對置之第一導電層；至少一第一介電層，其可形成於該等第一導電層中之至少一者的表面上；及一第二介電層，其可經由該至少一第一介電層而被夾於該等第一導電層之間。該電容器元件可進一步包含一第二電容性器件，該第二電容性器件可包含：一對彼此對置之第二導電層；至少一第三介電層，其可形成於該等第二導電層中之至少一者的表面上；及一第
四介電層，其可經由該至少一第三介電層而被夾於該等第二導電層之間。該至少一第一介電層可具有一第一介電常數，且該至少一第三介電層可具有一第三介電常數。該第三介電常數可不同於該第一介電常數。
依據本發明之一其他範例可提供一種具有一電容之電容器元件。該電容器元件可包含：一對彼此對置之第一導電層；及一介電層，其可被夾於該等第一導電層之間。該介電層可包含：具有一第一介電常數之至少一第一介電材料，及具有不同於該第一介電常數之一第二介電常數之一第二介電材料，從而形成共用該等第一導電層之至少兩個並聯的電容性器件。
其應該瞭解的係，上文的概要說明以及下文的詳細說明都僅供作例示與解釋，其並未限制本文所主張之發明。
併同所附之範例性圖示來閱讀本發明之前述發明內容以及實施方式將能更暸解本發明。然而，本行人士應可暸解到，本發明並不限於該範例性圖示中之精確配置及手段。
美國專利第5,800,575號描述了一種製造金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器元件之方法。請參看圖1(a)，其製造過程可由形成一初始層壓(lamination；壓成一片)產物50開始，初始層壓產物50可包括已完全固化之介電薄片40'，以及層壓或結合於介電薄片40'之相對兩側上之導電箔28'及46'。之後，如圖1(b)所示，對導電箔28'進行蝕刻。請參看圖1(c)，以與層壓產物50類似之方式可形成另一層壓產
物52。層壓產物52可包括另一介電層42'以及導電箔30'及48'。接著在層壓產物50與52之間可配置未經固化之一介電薄片32'，以使介電薄片32'與導電箔28'及30'皆相鄰。在將未經固化之介電薄片32'轉化至完全固化狀態的習知層壓之後，便形成如圖1(d)中所示之成品電容性印刷電路板10'。通常可以減小介電薄片32'之厚度以便獲得大的電容。然而，薄介電薄片之設計可能導致該等薄介電薄片間形成之不當的金屬間短路。
本發明之一範例可提供一種可包含至少一介電層之電容器元件，該至少一介電層可以於當作該電容器元件之電極的導電層與一中間介電層層壓之前塗佈於該等導電層中的至少一者上。以此方式，藉由該至少一介電層來保護該導電層使其不會彼此接觸。圖2(a)至圖2(f)範例圖示了在依據本發明之一範例中之製造金屬-絕緣體-金屬電容器元件之方法。製造過程可包括形成包括一載體212及一導電層214之一初始結構210。在一些範例中，載體212可包括預浸布(prepreg or pre-impregnation)，該預浸布可為用環氧樹脂浸漬過之強化材料，或為塗佈有環氧樹脂之纖維強化材料。在一範例中，載體212可具有約9 μm至36 μm之間的厚度，且可由一或多種導電材料(諸如，銅)製成。在另一範例中，可如圖2(a)中所示對導電層214進行蝕刻。本發明之導電層可視所要應用而變。在一些範例中，導電層214可包括選自由以下各物質所組成之材料：銅、鋅、黃銅、鉻、鉻酸鹽、氮化鈦、鎳、矽烷、鋁、不銹鋼、鐵、金、
銀、鈦及其組合。在一範例中，導電層214可包括銅或由銅製成，且其厚度可在約5 μm至75 μm之範圍內。
如圖2(a)中所示，類似於結構210，可形成另一初始結構220，其可包括載體222及導電層224。在使結構210及220與中間介電層230層壓之前，在導電層214及224中之至少一者上可形成另一介電層。舉例而言，如圖2(a)中所示在導電層224上可形成介電層226，及如圖2(c)中所示在導電層214中之一者上可形成介電層216及在導電層224中之一者上可形成介電層226。在另一範例中，如圖2(e)中所示，在導電層214及224兩者上均可形成兩介電層216及226。可藉由絲網印刷、噴墨印刷或任何其他可提供薄介電層之技術來形成該介電層。該介電層可包括具有高達數百之介電常數的介電材料，且可具有約5 μm之厚度，但厚度可視不同應用而變。高介電常數之材料的範例可包括環氧樹脂、聚酯、含有聚酯之共聚物、芳族熱固性共聚酯、聚伸芳基醚及氟化聚伸芳基醚、聚醯亞胺、苯幷環丁烯、液晶聚合物、烯丙基化聚苯醚、胺類、無機材料(諸如，鈦酸鋇(BaTiO3)、氮化硼(BN)、氧化鋁(Al2O3)、二氧化矽、鈦酸鍶、鈦酸鍶鋇、石英及其他陶瓷及非陶瓷無機材料)及其組合。
在將至少一介電層塗覆於導電層214及224中之至少一者後，兩個結構210及220可被壓合於中間介電層230，從而形成如圖2(b)、圖2(d)或圖2(f)中所示之結構，其中中間介電層230之部分可經由至少一介電層216及/或226而被
夾於導電層214與224之間。介電層230可為如上所述之具有高介電常數之介電材料。在一範例中，介電層230之介電常數可低於介電層216及/或226之介電常數。介電層230之厚度為約20 μm。
利用上文所說明之電容器元件設計，藉由介電層216及/或226來保護導電層214及224使其不會彼此接觸或彼此間短路。另外，藉由具有可包含介電層230及介電層216或226之介電結構，可由中間介電層230以及介電層216及226來控制介電結構之介電常數。另外，電容視介電層216及/或226以及中間介電層230之厚度而定。
圖3(a)及圖3(b)範例圖示了在依據本發明之範例中之金屬-絕緣體-金屬電容器元件的製造過程。參看圖3(a)，結構310及320中之每一者可包括一載體(312或322)及一導電層(314或324)。在經圖案化之導電層314及324上，可形成介電層。形成於經圖案化之導電層314及324上之每一介電層可藉由具有不同介電材料或不同介電材料組合而具有不同介電常數。在一範例中，介電層316a可具有與介電層326a相同之介電常數，而介電層316b可具有與介電層326b相同之介電常數。在使結構310及320與中間介電層330層壓後，便形成如圖3(b)中所示之電容器元件C1及C2。由於電容器元件C1之介電常數不同於電容器元件C2之介電常數，因此電容器元件C1及C2可具有不同電容值。圖3(c)中展示了圖3(b)之等效電路，其中電容器元件C1及C2可並聯連接。圖3(d)為圖3(b)之電容器元件之阻
抗曲線，其圖示了在電容器元件並聯之情況下，電容器元件之頻寬(諸如，用於降低或消除不同頻率之雜訊之頻寬)可變得較寬。
圖4(a)至圖4(b)範例圖示了依據本發明之範例之金屬-絕緣體-金屬電容器元件。類似於圖3(A)，每一結構(410或420)可包括載體(412或422)、經圖案化之導電層(414或424)、在經圖案化之導電層上之介電層(416或426)。另外，如圖4(a)中所示，在每一介電層上可形成薄導電層418及428。在使兩個結構410及420與介電層430層壓之後，可形成如圖4(b)中所示之具有較高電容之電容器元件。如圖4(c)中所說明，可利用薄導電層418及428而減少導電層414與424之間的距離。因此，電容可增加。在一範例中，許多薄導電層可包括於導電層414與424之間以減少導電層之間的距離，藉以增加電容。該導電層及該薄導電層可包括上文提及之導電材料中之一或多者，或由上文提及之導電材料中之一或多者製成。可藉由印刷及/或塗佈技術而將薄導電層418及428形成於一位於下方的介電層之上。該介電層可包括上文提及之一或多種高介電常數材料，或藉由上文提及之一或多種高介電常數材料而製成，且可被印刷及/或塗佈於該介電層之下層上。
圖5(a)範例圖示了在依據本發明之範例中之金屬-絕緣體-金屬電容器元件。在此實例中，結構510及520可包括載體(512或522)、導電層(514或524)，及在導電層(514或524)之表面上高介電常數材料之許多點(spot)或其他
圖案(516或526)。該等點可藉由噴墨印刷或其他技術而形成。該等點可形成任何圖案或圖案之任何組合，且可經由控制形成過程(諸如，噴墨印刷過程)來形成圖案。具有點之結構510及520可被壓合於中間介電材料530，如圖5(b)中所示。在點516或526由該介電材料形成之情況下，此等點可保護導電層514及524使其免於發生金屬間短路。另外，電容器元件500a及500b之介電常數可視相鄰點之間的距離而定。
圖5(c)範例圖示了在依據本發明之範例中之另一金屬-絕緣體-金屬電容器元件。類似於圖5(a)，結構510及520可包括載體(512或522)、導電層(514或524)，及藉由噴墨印刷或其他技術而提供於導電層(514或524)之表面上之許多點(516或526)。該等點包括高介電常數材料之介電點(dielectric spots)516a或526a，及導電材料之導電點(conductive spots)516b或526b。接著，具有該等點之結構510及520可經被合於中間介電材料530，如圖5(d)中所示。在一範例中，介電點516a及526a以及導電點516b及526b可形成交叉圖案或格紋圖案。視點或圖案配置而定，導電點及介電點可提供藉由連接來自兩個結構之介電點而形成有波狀介電層之電容器元件，如圖5(e)中所示。在所說明之範例的情況下，電容視兩個導電點之間的最小距離x而定，如圖5(e)中所示。
在另一範例中，該等點或介電層可由具有不同介電常數之介電材料形成。圖6(a)範例圖示了層壓之後的電容器
元件之結構。參看圖6(a)，電容器元件600a可具有一介電層630，介電層630可藉由具有不同介電材料或不同介電材料組合而具有三個不同介電常數。結果，形成三個並聯的電容性器件。由於此三個電容性器件共用導電層614及624，因此不需要額外接線來連接此等並聯的電容性器件。圖6(b)為圖6(a)之結構之等效電路的實例。圖6(c)為圖6(a)之電容器元件之阻抗曲線，其圖示之有效頻寬寬於圖6(d)中所示之並聯SMC電容器元件之有效頻寬。
以上論述係針對單一金屬-絕緣體-金屬電容器元件。在一些範例中，依據本發明之許多個電容性器件710a、710b、710c可形成一組電容器元件720，如圖7(a)中所示。圖7(b)範例圖示了依據本發明之另一組例示性金屬-絕緣體-金屬電容器元件。圖7(b)可包括並聯的電容性器件730a與730b以及電容性器件730c。圖7(c)範例圖示了依據本發明之一組例示性金屬-絕緣體-金屬電容器元件。圖7(c)可包括電容性器件740a、740b及740c。如圖7(c)中所示，此三個電容器元件之電極中之一者(諸如，接地層750)可電性耦接在一起。
本行人士應瞭解，可在不偏離上述實施範例之廣泛發明概念之情況下對上述實施範例進行改變。因此，應理解，本發明並不限於所揭示之特定實施範例，而是意欲涵蓋在由所附申請專利範圍所界定之本發明之精神及範疇內的修改。
10'‧‧‧成品電容性印刷電路板
28'‧‧‧導電箔
30'‧‧‧導電箔
32'‧‧‧介電薄片
40'‧‧‧介電薄片
42'‧‧‧介電層
46'‧‧‧導電箔
48'‧‧‧導電箔
50‧‧‧初始層壓產物
52‧‧‧層壓產物
210‧‧‧初始結構
212‧‧‧載體
214‧‧‧導電層
216‧‧‧介電層
220‧‧‧初始結構
222‧‧‧載體
224‧‧‧導電層
226‧‧‧介電層
230‧‧‧中間介電層
310‧‧‧結構
312‧‧‧載體
314‧‧‧導電層
316a‧‧‧介電層
316b‧‧‧介電層
320‧‧‧結構
322‧‧‧載體
324‧‧‧導電層
326a‧‧‧介電層
326b‧‧‧介電層
330‧‧‧中間介電層
410‧‧‧結構
412‧‧‧載體
414‧‧‧導電層
416‧‧‧介電層
418‧‧‧薄導電層
420‧‧‧結構
422‧‧‧載體
424‧‧‧導電層
426‧‧‧介電層
428‧‧‧薄導電層
430‧‧‧介電層
500a‧‧‧電容器元件
500b‧‧‧電容器元件
510‧‧‧結構
512‧‧‧載體
514‧‧‧導電層
516‧‧‧點或其他圖案
516a‧‧‧介電點
516b‧‧‧導電點
520‧‧‧結構
522‧‧‧載體
524‧‧‧導電層
526‧‧‧點或其他圖案
526a‧‧‧介電點
526b‧‧‧導電點
530‧‧‧中間介電材料
600a‧‧‧電容器元件
614‧‧‧導電層
624‧‧‧導電層
630‧‧‧介電層
710a‧‧‧電容性器件
710b‧‧‧電容性器件
710c‧‧‧電容性器件
720‧‧‧電容器元件
730a‧‧‧電容性器件
730b‧‧‧電容性器件
730c‧‧‧電容性器件
740a‧‧‧電容性器件
740b‧‧‧電容性器件
740c‧‧‧電容性器件
750‧‧‧接地層
圖1(a)至圖1(d)為先前技術中之金屬-絕緣體-金屬電容器元件之橫截面圖；圖2(a)至圖2(f)為在依據本發明之範例中之金屬-絕緣體-金屬電容器元件之橫截面圖；圖3(a)至圖3(b)為在依據本發明之範例中之金屬-絕緣體-金屬電容器元件之橫截面圖；圖3(c)為圖3(b)之結構之等效電路；圖3(d)為圖3(b)之電容器元件之阻抗曲線；圖4(a)至圖4(b)為在依據本發明之範例中之金屬-絕緣體-金屬電容器元件之橫截面圖；圖4(c)展示圖4(b)之等效結構；圖5(a)至圖5(e)為在依據本發明之範例中之金屬-絕緣體-金屬電容器元件之橫截面圖；圖6(a)為在依據本發明之範例中之金屬-絕緣體-金屬電容器元件之橫截面圖；圖6(b)為圖6(a)之結構之等效電路；圖6(c)為圖6(a)之電容器元件之阻抗曲線；圖6(d)為並聯的三個SMD電容器元件之阻抗曲線；及圖7(a)至圖7(c)為依據本發明之範例中之電容核心。
210‧‧‧初始結構
212‧‧‧載體
214‧‧‧導電層
216‧‧‧介電層
220‧‧‧初始結構
222‧‧‧載體
224‧‧‧導電層
226‧‧‧介電層
230‧‧‧中間介電層
Claims (25)
- 一種電容器元件，包括有：一對載體；一對彼此對置之第一導電層，每一該第一導電層形成於對應之該載體上；一第一介電層，其形成於該等第一導電層中之其中之一的一表面上；以及一第二介電層，該第二介電層之至少一部分係夾於該等第一導電層其中之一與該第一介電層之間，該第二介電層係形成於該等第一導電層之其中之一之上；其中該電容器元件之電容視該第一介電層及該第二介電層之介電參數而定。
- 如申請專利範圍第1項之電容器元件，其中該等介電參數包含該第一介電層之一第一介電常數及厚度，以及該第二介電層之一第二介電常數及厚度。
- 如申請專利範圍第1項之電容器元件，更包含至少一第二導電層，該至少一第二導電層係形成於該第一介電層上。
- 如申請專利範圍第1項之電容器元件，更包括有一第三介電層，形成於該等第一介電層其中之一之表面，並且相鄰該第一介電層，該第三介電層具有與該第一介電常數不同之一第三介電常數。
- 如申請專利範圍第1項之電容器元件，其中該第一介電層包括有複數個具有第一介電常數之第一介電點。
- 如申請專利範圍第5項之電容器元件，其中該電容器元件 之該電容係至少由兩個相鄰點之間的一空間及第一介電常數而定。
- 如申請專利範圍第5項之電容器元件，其中該第一介電層更包括有複數個導電點。
- 如申請專利範圍第5項之電容器元件，其中該第一介電層更包括有複數個第二介電點，該第二介電點具有與該第一介電常數不同之一第二介電常數。
- 如申請專利範圍第1項之電容器元件，其中該導電層包含選自由以下各物質所組成之一材料：銅、鋅、鋁、不銹鋼、鐵、金、銀及其組合。
- 如申請專利範圍第1項之電容器元件，其中該至少一第一介電層包含一選自環氧樹脂、聚酯、無機材料、陶瓷及非陶瓷材料及其組合之介電材料。
- 一種電容器元件，包括有：一對彼此對置之第一導電層；至少一第一介電層，形成於該等第一導電層中之至少其中之一的一表面上，該至少一第一介電層具有一第一介電常數；一第二介電層，具有一第二介電常數，該第二介電層經由該至少一第一介電層而夾於該等第一導電層之間，其中該電容器元件之電容視該至少一第一介電層及該第二介電層之介電參數而定；其中該至少一第一介電層呈一圖案，其中該圖案係藉由在該至少一第一介電層中具有許多個介電點而形成。
- 如申請專利範圍第11項之電容器元件，其中該電容器元件之該電容係至少由兩個相鄰點之間的一空間及第一介電常數而定。
- 如申請專利範圍第11項之電容器元件，其中該圖案更包括有複數個導電點。
- 如申請專利範圍第11項之電容器元件，其中該圖案更包括有複數個第二介電點，該第二介電點具有與該第一介電常數不同之一第二介電常數。
- 如申請專利範圍第11項之電容器元件，其中該導電層包含選自由以下各物質所組成之一材料：銅、鋅、鋁、不銹鋼、鐵、金、銀及其組合。
- 如申請專利範圍第11項之電容器元件，其中該至少一第一介電層包含一選自環氧樹脂、聚酯、無機材料、陶瓷及非陶瓷材料及其組合之介電材料。
- 一種製造一電容器元件之方法，其包含：提供一對第一導電層；在該等第一導電層中之一者上形成至少一第一介電層；及使該等第一導電層及該至少一第一介電層與一第二介電層層壓。
- 如申請專利範圍第17項之方法，其中藉由絲網印刷及/或噴墨印刷而形成該至少一第一介電層。
- 如申請專利範圍第17項之方法，更包含在該至少一第一介電層上形成至少一第二導電層。
- 如申請專利範圍第17項之方法，其中以一圖案形成該至少一第一介電層。
- 如申請專利範圍第20項之方法，其中藉由絲網印刷及/或噴墨印刷而形成該圖案。
- 如申請專利範圍第17項之方法，其中該至少一第一介電層包含許多個介電點。
- 一種電容器元件，其包含：許多個電容性器件，該等電容性器件中之至少一者包含：一第一導電層及一與該第一導電層對置之第二導電層；至少一第一介電層，其形成於該第一導電層及該第二導電層中之至少一者的一表面上，該至少一第一介電層具有一第一介電常數；以及一第二介電層，其具有一第二介電常數，該第二介電層經由該至少一第一介電層而被夾於該第一導電層與該第二導電層之間，其中該電容性器件之該第一導電層及該第二導電層中的至少一者電性耦接至另一電容性器件之一導電層。
- 一種具有許多個電容性器件之電容器元件，其包含：一第一電容性器件，其包含：一對彼此對置之第一導電層、形成於該等第一導電層中之至少一者的一表面上之至少一第一介電層，及一經由該至少一第一介電層而被夾於該等第一導電層之間的第二介電層；以及 一第二電容性器件，其包含：一對彼此對置之第二導電層、形成於該等第二導電層中之至少一者的一表面上之至少一第三介電層，及一經由該至少一第三介電層而被夾於該等第二導電層之間的第四介電層，其中該至少一第一介電層具有一第一介電常數，且該至少一第三介電層具有一第三介電常數，該第三介電常數不同於該第一介電常數。
- 一種電容器元件，其包含：一對彼此對置之第一導電層；以及一介電層，其被夾於該等第一導電層之間，其中該介電層包含：具有一第一介電常數之至少一第一介電材料，及具有不同於該第一介電常數之一第二介電常數之一第二介電材料，從而形成共用該等第一導電層之至少兩個並聯的電容性器件。
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