TWI379616B - Electroluminescent devices and methods - Google Patents

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TWI379616B
TWI379616B TW093124381A TW93124381A TWI379616B TW I379616 B TWI379616 B TW I379616B TW 093124381 A TW093124381 A TW 093124381A TW 93124381 A TW93124381 A TW 93124381A TW I379616 B TWI379616 B TW I379616B
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Martin Benson Wolk
Leslie Ann Kreilich
Sergey Aleksandrovich Lamansky
John Patrick Baetzold
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Samsung Display Co Ltd
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Description

1379616 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及電激發光裝置及方法。 【先前技術】 在電激發光裝置之生產中,圖案化之發光層之形成係一 重要但困難之步驟。例如,生產電激發光全彩顯示裝置通 常需要形成單獨之紅色、綠色及藍色圖案化發射極層。真 二為發(例如使用陰影遮罩)係形成每一圖案化層最常用之 技術。由於該技術複雜且成本高(尤其是用於製造大型顯示 器時),所以該技術需要使用其他方法來形成圖案化層。特 別需要基於自溶液中沈積材料之方法,此係由於該等方法 具有所需之適合大規模裝置製造之能力。 喷墨印刷技術已被推薦使用生產圖案化發射極層。已知 可先藉由喷墨印刷沈積兩種色彩之圖案化發射極先驅物, 然後藉由溶液技術沈積第三種色彩之發射極。然而,一些 因素會限制使用喷墨印刷技術沈積圖案化層,該等因素包 括嗔墨媒體中之沈積材料之溶解性、潤濕性及均勻性。 【發明内容】 方面,本發明提供一種製造一電激發光裝置的方法 在一具體實施例中,該方法包括:使一轉移層(包括第一發 射極)的一部分選擇性地熱轉印至一受體(其具有可選擇之 溶劑易溶性),以形成一圖案化發射極層,該圖案化發射極 層置放於該受體上並包括第一發射極;在該圖案化發射極 層與該受體上置放包括第二發射極的一層,以形成包括該 94874-10I0725.doc -6 - 第二發射極的-非圖案化發射極層。或者,該方法進一步 * _形成該非圖案化發射極層前,使一第二轉移層(包括 第三發射極)的-部分選擇性地熱轉印至該受體,以形成一 第二圖案化發射極層,㈣:㈣化發射極層置放於該受 體上並包括1¾第三發射極。該受體較㈣陽極、電洞傳輸 層、電洞注入層、電子阻礙層、介電層、純化層基板或 上述之組合。該非圖案化發射極層較佳係未摻雜電子傳輸 層、摻雜電子傳輸層、未摻雜電洞阻礙層、摻雜電洞阻礙 層或上述之組合。在一些具體實施例中,該受體係電洞傳 輸層並附著至陽極,此情況下,該裝置可選擇性地包括一 電洞注入層,該將電洞注入層置放在該電洞傳輸層與該陽 極之間。視需要,該方法可進一步包括在該非圖案化發射 極層i置放一陰择。 在另一具體實施例中,製造一電激發光裝置之方法包括· 提供包括第一發射極的一非圖案化層;.使一轉移層(包括第 二發射極)的一部分選擇性地熱轉印至該非圖案化發射極 層(其具有可選擇之溶劑易溶性),以形成一圖案化發射極 層’該圖案化發射極層置放於該非圖案化發射極層上並包 括該第二發射極。視需要,該方法可進一步包括使一第二 轉移層(包括第三發射極)的一部分選擇性地熱轉印至該非 圖案化發射極層,以形成一第二圖案化發射極層,該第二 圖案化發射極層置放於該非圖案化發射極層上並包括該第 三發射極。該非圖案化發射極層較佳係未摻雜電子傳輸層、 摻雜電子傳輸層、未摻雜電洞阻礙層、摻雜電洞阻礙層、 94874-1010725.doc • 纟摻雜電子注入層、換雜電子注人層或上述之組合。在一 些具體實施例中,該方法進一步包括在該圖案化發射極層 與該非圖案化發射極層上置放_陽極。可依據需要在該發 射極層與該陽極之間置放-電洞傳輸層、一電洞注入層、 電子阻礙層或其組合。視需要,與該圖案化發射極層相 對之該非圖案化發射極層之側係附著一陰極。 β在另一具體實施例中,製造一電激發光裝置之方法包括: 提供一溶劑易溶層;在該溶劑易溶層上置放一圖案化層, 該圖案化層包括第一發射極與非揮發性成分,該非揮發性 成分與該第一發射極相同或不同;在該圖案化層與該溶劑 易溶層上置放一層,該層包括第二發射極,以形成包括該 第發射極之非圖案化發射極層。置放該圖案化層時,較 佳選擇性地熱轉印-轉移層的一部分,該轉移層包括該第 一發射極與該非揮發性成分。或者,可在形成該非圖案化 發射極層前,較佳藉由熱轉印第二轉移層的一部分,於該 ’合劑易命層上置放包括第三發射極之第二圖案化層,其中 該第二轉移層包括第三發射極,並可選擇性地包括非揮發 性成分。 θ在另·具體實施例中,製造-電激發錢置之方法包括: 提供包括第-發射極之溶劑易溶之非圖案化層並於該溶 劑易溶層上置放圖案化層,該圖案化層包括第二發射極與 非揮發性成分,該非揮發性成分可能與該第二發射極相同 或不同。置放該圖案化層時,較佳選擇性地熱轉印一轉移 層的β刀該轉移層包括該第二發射極與該非揮發性成 94874-10I0725.doc ΙΟ 分。視需要,該方法可進一步包括,較佳藉由熱轉印包括 第三發射極之第二轉移層的—部分,在該溶劑易溶層上置 放第二圖案化層’該第二圖案化層包括第三發射極,並可 選擇性地包括非揮發性成分。 另方面,本發明提供一種電激發光裝置。該電激發光 裝晋白紅. 1匕括溶劑易溶層、該溶劑易溶層上的一圖案化層 (其中該圖案化層包括第__發射極與—非揮發性成分,該非 揮發性成分可能與該第一發射極相同,也可能不同)及一非 、:化層(其置放於該圖案化發射極層與該溶劑易溶層上, ^括第發射極)。視需要,該圖案化層可進一步包括第 χ射極或者,可選擇性在該溶劑易溶層上置放第二圖 案化層,其令該第二圖案化層包括第.三發射極。該溶劑易 '弟層較佳係電_輸層、f洞注λ層、電子阻礙層、介電 曰純化層或上述之組合。該非圖案化發射極層較佳係未 ’雜電子傳輸層、摻雜電子傳輸層、未掺雜電洞阻礙層、 換雜電洞阻礙層、去换&恭, 、 未摻雜電子注入層、摻雜電子注入層或 V 口在些具體實施例中,可附著一陽極至該溶 d易合a並可附著—陰極至該非圖案化發射極層。視需 要,可在該陽極與該溶劑易溶層之間置放電洞注入層、電 子阻礙層或其組合。在— 在具體貫施例中,該陰極不透明, 該陽極透明,可接作分# m '该裝置以透過該透明陽極發光。在另 一具體貫施例中,兮h a 陰極透明,該陽極不透明,可操作該 裝置以透過該透明陰坧 極發先。在另一具體實施例中,該陰 極透明,該裝置進—歩3u 少包括附者至該陽極的一不透明基板, 94874-1010725.doc 1379616 可操作該裝置以透過該透明陰極發光。在另—具體實施例 令,該陰極透明,該陽極也透明,可操作該裝置以透㈣ 透明陰極與該透明陽極發光。或者,該非圖案化發射極層 可以係溶劑易溶的。 另一方面,本發明提供-種產生光的方法。該方法包含 提供於此所述之電激發光裝置;向該陽極與該陰極提供一 信號’其中該信號可操作以定址—發射極,然後該發射極 發光。該袭置較佳係主動或被動定址裝置。該裝置較佳係 全彩顯示器或可調照明裝置。 可藉由控制或配置電子與電洞重新結合之區域改變多層 OLE D裝置之發光特性。對於具有能夠發出足夠螢光或鱗光 的單層之裝置,該重新結合區位於該發射極層内時,該 裝置達到最佳性能。對於具有多發光層(例如—紅色圖案化 毛射極層與一藍色非圖案化發射極層)之冑i,有可能主要 藉由一單層(例如該紅色圖案化發射極層)發光。因此,例如, 圖案化基板(5亥基板具有紅色與綠色發光區),然後提 供一非圖案化M色發射極層,有可能構建-全彩OLED顯示 器如果正確控制該重新結合區,則紅色與綠色發光區不 會顯不明顯的藍光。對於顯示裝置之應用,其較佳具有發 飽和紅色、綠色及紅色之顯示次像素。因此,在本發明 ’、體實知例(其中藉由選擇性地熱轉印部分發射極層以 ^成圖案化發射極層)_,有可能藉由使用少於「η」步之 熱轉印步驟(例如只用兩步選擇性熱轉印)製備「η」色彩裝 置(例如三色裝置)。 94874-1010725.doc 1379616 在一些具體實施例中,有 此(有時係較佳)藉由改變操 作電壓或電流密度,改❹層裝置之 於用於照明應用之GLED,該所謂「色彩調整」很實用。 定義 如此處所使用,「層」指置放於另—材料上的一不連續 (例如一圖案化層)或連續(例如非圖案化)材料。 如此處所使用,「圖案化層」指不連續層,其中僅在其他 材料之選定部分上置放該圖案化層之材料。 如此處所使用,「非圖案化層」指連續層,其中在其他材 料之所有部分上置放非該圖案化層之材料。 如此處所使用,「溶劑易溶」層係—層,如果在該溶劑易 溶層上直接㈣-溶劑塗層,則該溶劑可能溶解、侵钱、 滲透該層.,及/或使該層無法用於其預定目的。 如此處所使用,溶劑塗層之「溶劑」指有機或水溶劑, 其能夠溶解、分散錢浮適於形成電激發光裝置的一層之 有機聚合物或樹脂。 θ 通常,將「置放於」《「附著至」另一層的一層廣義地 解釋為可選擇性地在該等兩層之間包括—或多層附加層。 如此處所使用,「在」或「置放於」一「溶劑易溶層」上 的一層意欲包括直接接觸該溶劑易溶層的一層,或藉由— 或多層附加層與該溶劑易溶層分隔的一層,限制條件係 「在」或「置放於」該「溶劑易溶層」上之該層之溶劑能 ㈣觸該㈣易溶層(例如透過蒸發、擴散或運送該溶劑穿 過該等附加層之其他方法卜「在」或「置放於」一「 94874-1010725.doc 1379616 易溶層」上的一層較佳係直接接觸該溶劑易溶層。 如此處所使用’「透明電極」指實質上可透過可見光之導 電兀件。實質上可透過可見光之元件較佳可透過垂直照射 至該元件表面之入射可見光(尤其是波長相當於該裝置最 大發光之波長之可見光)之5〇%,更佳係80〇/〇。 如此處所使用,「不透明電極」指實質上吸收或反射可見 光之導電元件。實質上吸收或反射可見光之元件較佳吸收 或反射垂直照射至該元件表面之入射可見光(尤其是波長 相當於該裝置最大發光之可見光)之β 如此處所使用’「主動定址」裝置係一包括驅動像素或次 像素陣列之結構的裝置,其中藉由一分立電路定址每一像 素或次像素。通常,該分立電路鄰近該像素或次像素,並 位於該裝置内部。 如此處所使用,「被動定址」裝置係一包括驅動像素 像素陣列之結構的裝置,其中藉由電子電路定址每一像素 或次像素,該電子電路包括列與行電極。通常,該電子電 路位於鵁裝置外部。 如此處所使用,「可調照明」裝置係一元件,其依據驅動 條件(例如電壓與電流密度等)發出色彩可變之光。 如此處所使用,「全衫顯示器」裝置指一電子組件,其包 括像素或次像素的一陣列’該陣列能夠以適合顯示彩色照 片及視頻之色域(例如國際電視標準協會ntsc^義之色域 顯示影像。 ^ 如此處所使用,「 非揮發性成分」指一 成分,其在通常用 94874-1010725.doc •12· 1379616 於真空蒸發或真空昇華之條件下具有可忽略之蒸汽壓力。 通常’如果一材料在低於其分解溫度之溫度下不能以至少 〇.1埃/秒之速率沈積’則將該材料視為非揮發的。 【實施方式】 本發明提供電激發光裝置與製造及使用該等裝置之方 法°該技術中熟知的電激發光裝置包括,例如,有機電激 發光(OLE)裝置。例如,見saibeck,Ber. Bunsenges. Phys. Chem·’ l〇〇(1()):1667 (1996) ; γ Sat〇,半導體與半金屬(G Meuller 編輯)(Vol. 64, p 2〇9 (2〇〇〇))中之「有機 LED 系統研 究」,Kido,電化學公報,1〇(1):1 (199句;F s〇等人,高速 電子元件及系統國際雜諸,8(2):247 (1997) ; Bald〇等人,
Pure Appl. Chem.,71(11):2095 (1999)。如此處所使用,「電 激發光裝置」係要包括全部或部分裝置(例如裝置組件類 似地,製造電激發光裝置之方法係要包括形成或部分形成 裝置或裝置組件。 可能藉由熱轉印由熱轉印施體元件形成之一層或多層形 成電激發光裝置的一層或多層。作為一特定範例,熱轉印 7C件可用於製造至少部分〇EL裝置或〇£匕裝置陣列及用於 OEL顯示器之組件。命〜,此可藉由熱轉印由熱轉印元件 之單一或多組件轉移單元實現。應瞭解,可使用該單層或 多層轉移形成其他裝置或物件。雖然未如此限制本發明, 但透過討論下面提供之範例,將獲得對本發明之各方面之 理解》 藉由選擇性地熱轉印來自—或多個熱轉印元件之材料, 94874-1010725.doc -13- 1379616 可將等材料圖案化至基板上。可藉由將定向的熱量施加在 熱轉印7G件之選定部分而加熱該熱轉印元件。可使用加熱 元件(例如電阻加熱元件)、將輻射(例如光束)轉換為熱及/ 或施加電流至一層熱轉印元件以產生熱之方式產生熱。在 許多情況下’使用光(例如燈或雷射產生之光)之熱轉印係很 有益處的,此係由於該方法通常可以達成之精度與精確 性。例如,可以藉由選擇光束大小、該光束之曝光圖案、 疋向光束接觸該熱轉印元件之持續時間及該熱轉印元件之 材料,控制該轉移圖案(例如直線、圓、方形或其他形狀) 之大小與形狀。 熱轉印元件可包括一轉移層,該轉移層可用於形成各種 元件及裝置,或該等元件及裝置之部分。範例性材料與轉 移層包括該等用於形成在電子顯示器中使用之元件、裝置 及該等元件及裝置之部分之材料與轉移層。雖然,本發明 中使用之該等範例大多數情況下集中於〇EL裝置與顯示 器,但也可以轉移來自熱轉印元件之材料以至少部分形成 電子電路及光學與電子組件,例如電阻器、電容器、二極 體、整流器、電激發光燈、記憶體元件、場效電晶體、雙 極電晶體、單結電晶體、MOS電晶體、金屬_絕緣體_半導 體電晶體、有機電晶體、電荷耦合裝置、絕緣體_金屬-絕緣 體堆疊、有機導體-金屬-有機導體堆疊、積體電路、光偵測 器、雷射、透鏡、波導、光柵、全訊元件、濾光器(例如塞 取濾光器、增益平坦化濾光器及截止濾光器等)、反射鏡、 分光器、耦合器、組合器、調變器、感測器(例如衰減感測 94874-1010725.doc •14- 1379616 器、相位調變感測器及干涉感測器等)、光學腔、壓電裝置、 鐵電裝置、薄膜電池或上述之組合(例如,場效電晶體與有 機電激發光燈之組合’該組合係作為光學顯示器之主動矩 陣陣列。)。藉由轉移多組件轉移單元及/或單一層可能形成 其他項目。 使用光之熱轉印通常可以為極小的裝置(例如小的光与 與電子裝置)提供較佳之精度與品質控制,該等小裝置έ 括,例如電晶體與積體電路之其他組#,以及顯示器中相 用之組件(例如電激發光燈與控制電路)。另外,至少在一邊 情況中,在-區域上(該區域比該裝置大)形成多個裝置時 使用光之熱轉印可能提供較佳之配準。作為一範例… 使用此方法形成具有許多像素之顯示器之組件。 .在-些情泥下,可能使用多個熱轉印元件形成一裝置另 其他物件’或形成相鄰之裝置、其他物件或該等裝置或* 件=部分。該等多個熱轉印元件可能包括具有多組件之奉 移单凡之熱轉印元件與轉移一單層之熱轉印元件。例如, ::使用具有多組件之轉移單元的—或多個熱轉印元件及 中每-熱轉印㈣都可用於轉移單層或多層單元的一 或多個熱轉印元件形成一裝置或其他物件。 :於形成裝置或裝置陣列之—或多層之熱轉印也可以令 或噜如用於減少或消除程序(例如,微影蝕刻圖案价 ^電子盘二化)17之濕處理㈣,其中使用該等處理形成穿 步驟m如光學裝置。對於來自圖案化步驟之解搞塗層塗伸 (列如’該Μ合會限制可圖案化之層狀結構之類型或相 94874-10J0725.doc -15- 1379616 鄰結構之類型之步驟),用於圖案化來自施體元件之層之熱 轉印也可以係貫用的β在傳統圖案化程序中,例如微影蚀 刻、喷墨、網版印刷及各種基於遮罩之技術,通常將層直 接塗佈在發生圖案化之基板上。圖案化可與塗佈同時發生 (例如,在喷墨、網版印刷或一些基於遮罩之程序中)或藉由 蝕刻或其他移除技術在塗佈之後進行。該等傳統方法的一 困難係,用於塗佈材料之溶劑及/或用於圖案化材料之蝕刻 程序會損壞、溶解及滲透預先塗佈或圖案化之層或材料, 及/或使該等層或材料無效。 本發明中,可將材料塗佈在熱轉印施體元件上,以形 成該等施體元件之轉移層。然後可以藉由將該施體選擇性 地熱轉印至受體來圖案化該等轉移層材料。在施體上塗佈 後藉由選擇性轉移來圖案化表示從圖案化步驟解麵層塗佈 之步驟。解輕塗佈與圖案化步驟之益處係,如有可能,則 可使用傳統圖案化程序,在難於圖案化之其他材料頂部或 接著難於圖案化之其他材料來圖案化材料。例如,在本發 ^方^’如果將—溶劑塗層直接塗佈在—溶劑易溶材 ’貝1可以在該溶劑易溶材料上圖案化該 溶劑可能溶解、侵Μ滲透該溶則溶材料,及= 劑易溶材料無法用於預定 及/成使,亥溶 必接趨、一- # ®案化熱轉印緊接著(但不 觸)一文體上之材料或層(該等 溶劑相容)之溶劑塗層材料時,效果拍同。層了此不月匕與该 「溶劑易溶」層係一層,如 佈-溶料思—⑤如果在該溶劑易溶層上直接塗 劑塗層,該溶劑可能溶解、侵钱、滲透該層’及/或 94874-10l0725.doc u/9616 一〜法用於預定目的。藉由使用第_溶劑旋轉塗佈第 _ : 6燥1¾ *劑’然後在該第―塗層之頂部旋轉塗佈第 一溶劑’可執行溶劑易溶性的一簡單測試。如果該第二溶 劑溶解、侵姓或渗透該第一塗層,則認為該第一塗層係一 ,谷劑易溶層。或者,藉由真空蒸發沈積第-塗層時,可執 行一相似測試。 ^第♦劑」較佳係有機溶劑,其能夠溶解、分散或 〜汙適於形成電激發光裝置的一.層之有機聚合物或樹脂。 可在一些資料巾發現合適之溶劑,例如I.M. Smallw()()d所著 之「有機溶劑特性手冊」,出版社(娜年)。 在本發月的-些具體實施例中,該轉移層將包括非揮發 陡成刀#揮發性成分」係一化合物,其在通常用於真空 .:沒或真工汁華之條件下具有可忽略《蒸汽壓力。決定一 化合物是否具有非揮發性的一簡單測試係嘗試在該化合物 之真空沈積條件下嘗試昇華該成分。非揮發性化合物通常 分解(例如燒焦或降解等)或不能以足夠的速率昇華,即昇華 的速率:足以對使用目前可用真空沈積系統之真空沈積實 用。通常,如果材料在低於其分解溫度之溫度下不能達成 至少0.1埃/秒之速率’則將該材料視為非揮發的。非揮發性 成刀L吊範例包括聚合物、低聚物、樹狀分子、大分子 量物種及陶免等。 々如下面將更詳細討論,0EL裝置之形成提供尤其適合之 1&例。例如’美國專利第6,410,01號(wolk等人)揭示範例性 施體元件、熱轉印方法及藉由熱轉印方法製造之裝置。 94874-1010725.doc 1379616 對於使用輻射(例如光)之熱轉印’在本發明中可使用多 種輕射源。對於類比技術(例如透過—遮罩曝光),高功率光 源(例如氙閃光燈與雷射)係實用的。對於數位成像技術,紅 外、可見及紫外雷射尤其實用。合適之雷射包括,例如, 高功率(大於等於100毫瓦(mW))單模雷射二極體、光纖耦合 雷射二極體及二極體激發式固態雷射(例如Nd:YAG與 Nd:YLF)。雷射曝光持續時間可以在,例如〇 ι1〇〇毫秒之 範圍内,雷射通量可在,例如每平方釐米焦耳(J/cm2) 之範圍内。 大基板區域上需要高光斑放置精度時(例如高資訊全彩 顯示應用)’雷射尤其適於用作輻射源。雷射源適合大的剛 性基板(例如lmxlmxl.lmm玻璃)與連續或片狀膜基板(例 如100微米聚醯亞胺片)兩者》 例如,對於具有可能缺少光熱轉換(LTHC)層或輻射吸收 物之結構之簡化施體膜’可能使用電阻式熱印刷頭或其陣 列。此尤其適用於較小基板大小(例如任一方向之尺寸小於 大約30 cm)或較大圖案,例如字母數字分段顯示器所需之 圖案。 成像期間,通常使熱轉印元件緊密接觸受體。至少在一 些情況下’使用壓力或真空固定緊密接觸受體之熱轉印元 件。然後使用-輻射源以-成像方式(例如透過__遮罩數位 或類比曝光)加熱該LTHC層(及/或包含㈣吸收物之其他 層),以依據-圖案執行來自熱轉印元件之轉移層之成像轉 移’使該轉移層轉移至該受體。 94874-1010725.doc 1379616 或者,可能使用一加熱元件,例如一電阻加熱元件,轉 移該轉移單元。使該熱轉印元件選擇性地接觸該加熱元 件’以依據一圖案熱轉印該轉移層的一部分。在另一具體 實施例中,該熱轉印元件可能包括一層,該層可以將施加 至該層之電流轉換為熱。 通常,將該轉移層轉移至受體時不轉移該熱轉印元件之 任何其他層(例如可選之中間層與該LTHC層)。該可選的中 間層之存在可能消除或減少該LTHC層至該受體之轉移及/ 或減少該轉移層之已轉移部分之變形。成像條件下,該中 間層與該LTHC層之間之附著力較佳大於該中間層與該轉 移層之間之附著力。在一些情況下,可使用反射性或吸收 性中間層以消弱穿透該中間層之成像輻射位準及減少對該 -轉移:層之已轉移部分之損壞,透過之輻射與該轉移層及,或 該受:體相互作用可能導致該損壞。此對於減小該受體對該 成像輻射係高吸收時可能發生之損壞尤其有益。 可以使用大的熱轉印元件,包括具有一米或更大尺寸之 長度與寬度之熱轉印元件。在操作中,可以對雷射使用光 柵’或使雷射移動穿過該大的熱轉印元件,選擇性地操作 雷射使其依據所需圖案照亮該熱轉印元件之部分^或者, 可能固定雷射’而使該熱轉印元件在該雷射下面移動。 熱轉印施體基板可以係聚合物膜。一合適類型之聚合物 膜係聚酯膜’例如聚對苯二曱酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二 酯(polyethylene naphthalate)膜。然而,可以使用具有足夠 光學特性之其他膜(如果使用光加熱或轉移),該等特性包括 94874-1010725.doc -19· 1379616 對特定波長之光之高透光性,及對特定應用之足夠機械與 熱穩定性。至少在一些情況下,該施體基板係平的,以便 可以在其上進行均勻地塗佈β通常也從加熱該LThc層時保 持穩定之材料中選擇該施體基板。雖然可能使用較厚或較 薄之該施體基板,該施體基板之典型厚度係在0.025至〇.15 mm之範圍内,較佳在〇 〇5至〇 j mm之範圍内。 通常,選擇用於形成該施體基板與該LTHC層之該等材料 以改進該LTHC層與該施體基板之間的附著力。可以使用一 可選之底塗層增加塗佈後續塗層期間之均勻性,並增加該 LTHC層與該施體基板之間的中間層黏接強度。可從Teijin 有限公司(日本,大阪,產品編號HPE100)獲得具有底塗層 之合適基板之範例。 可能在該LTHC層與熱轉印元件之該轉移層之間置放一 可選之中間層,以最小化對該轉移層之該已轉移部分之損 壤與污染,並也可能減小該轉移層之該已轉移部分之變 形。該中間層也可能影響該轉移層與該熱轉印元件之剩餘 部分之間之附著力。通常,該中間層具有高耐熱性。在成 像條件下該中間層較佳不變形或化學分解,尤其是變形或 化學分解不能達到致使該已轉移之影像變得失去功能之程 度。該轉移程序期間,該中間層通常保持接觸該LTHC層, 且實質上不隨該轉移層轉移。 該中間層可能提供許多益處。該中間層可能係一阻障, 其阻止材料轉移至該光-熱轉換層或從該光-熱轉換層轉移 出來。其也可能調整該轉移層中獲得之溫度,以轉移熱不 •94874_1010725.doc -20· 1379616 穩定材料。令間層之存在也可改進該已轉移之材料中的塑 性記憶》 熱轉印元件可包括一可選之釋放層。該可選之釋放層通 常促進釋放來自加熱(例如藉由發光源或加熱元件)該熱轉 印元件時該熱轉印元件之剩餘部分(例如,該中間層及/或該 LTHC層)之該轉移層,至少在一些情況下,該釋放層在暴 露於熱前提供該轉移層與該熱轉印元件之剩餘部分之間的 一些附著力。 該釋放層可能係該轉移層之部分或單獨一層❶全部或部 分該釋放層可能隨該轉移層一起轉移。或者,轉移該轉移 層時,大部分或實質上全部該釋放層可以隨該施體基板保 留。在-些情況下’例如使用包括—可昇華材料之釋放層 時,該轉移程序期間,該釋放層的一部分可能散逸。— 本發明之熱轉印元件之轉移層^能包括用⑨轉移至受體 的-或多層。可能使用有機、無機、有機金屬或其他材料 开v成該等-或多層。雖然將該轉移層說明及圖解為具有— 或^層分立層,應瞭解,至少在使用多於一層的一些情況 下,可能存在一介面區域,該區域包括每一層之至少一部 分。例如’在轉移該轉移層m戈之後,如果該^ 層混合或材料在該等層L則可能存在該介面區 域在其他情況下,在轉移該轉移層之前、期間或之後, 個別層可能完全或部分混合。任何情況下,特別是藉由不 同區域執订該I置之不同功能時,將認為該等結構包括多 於 '一層獨立層。 94874-I0I0725.doc -21 · 該轉移層可能包括置放在該轉移層的一外表面之附著 層,以協助附著至該受體。例如,如果該附著層在該受體 與該轉移層之其他層之間傳導電荷,該附著層可能係一操 作層’如果該附著層僅使該附著層黏附至該受體,則該附 著層可能係一非操作層。例如,可能使用熱塑性聚合物形 成該附著層,該熱塑性聚合物包括導電與不導電之聚合 物、導電與不導電之填充聚合物及/或導電與不導電之分散 劑。 該轉移層可能也包括一釋放層,該釋放層置放於該轉移 層表面上’該轉移層表面接觸該熱轉印元件之剩餘部分。 如上所述,轉移該轉移層時,該釋放層可能部分或完全隨 該轉移層之剩餘部分轉移,或實質上全部該釋放層可能隨 該熱轉印元件保留,或該釋放層可能全部或部分散逸。以 上說明合適之釋放層。 雖然可能使用分立層形成該轉移層,應瞭解,至少在一 些具體實施例中,該轉移層可能包括具有多組件及/或在該 裝置中具有多用途之層。也應暸解’至少在一些具體實施 例中’在轉移期間,兩或更多分立層可能融合或混合或結 合在一起。任何情況下,雖然該等層混合或結合,但仍認 為其係個別層β 可轉移一或多層單一或多組件轉移單元以形成〇el (有 機電激發光)裝置之至少一部分’此提供一尤其具有說明 性、非限制性之範例,即使用一熱轉印元件形成一主動裝 置之範例。在至少一些情況下,一 OEL裝置包括夾在一陰 94874-10l0725.doc • 22· 丄379616 極與-陽極之間的-或多種適合之有機材料的_薄層或多 自該陰極/主人電子至該(等)有機層,並從該陽極注入電 洞至該(等)有機層。該等注人之電荷向相對極性之電極移動 時該等電荷可能重新結合而形成電子-電洞對,通常稱其 為激子(exciton)。該等激子或激發態物種在其衰退至基態 時可能以光之形式發出能量(例如,見Tsutsui,mrs公報 22:39-45(1997))。 〇EL裝置結構之說明性範例包括以分子形式分散之聚合 物裝置,其十攜帶及/或發射電荷之物種分散於一聚合物基 質中(例如,見Kido,聚合物科學之趨勢,2:35〇·355 (1994)),共軛聚合物裝置,其中聚合物(例如聚苯乙烯)之 層用作攜帶及/或發射電荷之物種(例如,見11&118等人著, 「薄膜工程」學術期刊(Thin Solid Filn>s),276:13-20 (1996));汽相沈積小分子異質結構裝置(例如,見美國專利 第5,061,569號(VanSlyke等人),及Chen等人所著,大分子 論文集,125:1-48 (1997));發光電化學單元(例如,見pei 等人,J. Amer. Chem. Soc.,118:3922-3929 (1996));能夠發 射多波長光之垂直堆疊有機發光二極體(例如,見美國專利 第5,707,745號(Forrest等人)及Shen等人,科學, 276:2009-2011 (1997)) ° 如此處所使用,術語「小分子」指非聚合有機、無機或 有機金屬分子,而術語「有機小分子」指非聚合有機或有 機金屬分子。在0EL裝置中,可以使用小分子材料作為發 射極層、電荷傳輸層或發射極層或電荷傳輸層中之推雜劑 94874-1010725.doc -23- 1379616 (例如用於控制發光色彩)等》 對於許多應用,例如對於顯示應用,陰極與陽極之至少 一電極對於該電激發光裝置發出的光較佳係透明的。此依 賴於該裝置之方向性(即該陽極或該陰極是否靠近該基板) 及發光方向(即透過基板還是背離基板)。 材料,也可以包括多層 通常使用導電材料形成該陽極與陰極,存在多種該等導 電材料,例如金屬、合金、金屬化合物、金屬氧化物、導 電陶究、導電分散劑及導電聚合物,該等導電材料具體包 括’例如金、鉑、鈀、鋁、鈦、氮化鈦、氧化銦錫(ιτ〇)、 氧化氟錫(FTO)及聚苯胺。該陽極與該陰極可以係單層導電 陽極或一陰極可能包括 -層铭與-層金一層銘與_層氟化鐘或—金屬層與一導 電有機層。提供包括-導電有機層(例如〇1至5微米厚)與一 金屬或金屬化合物層(例如100至1〇〇〇埃厚)之雙層陰極(或 陽極)可能尤其實用。該雙層電極結構可能更能抵抗潮濕或 氧,而潮濕或氧可損壞-裝置中下方之對潮濕或氧敏感之 層(例如有機發光層薄金屬層中存在小孔時會發生該損 壞,可藉由該導電有機物層覆蓋及密封該薄金屬層。該薄 金屬層破裂或破碎會導致裝置損壞及/或故障。附加之導電 有機物層可使該金屬層更能抗破碎,或可作為阻擋腐姓物 質之阻障及作為發生破碎時之導電橋。 該電洞傳輸層協助將電洞注人該裝置並協助電洞向陰極 移動。該電洞傳輸層可進一步作為電子向陽極移動之通道 之阻障。該電洞傳輸層可包括,例如’二胺衍生物(例如Ν,Ν,_ 94874-I0l0725.doc •24· 1379616 雙(3-甲基苯基)-N’n,_二笨基聯笨胺,其稱為加)或其他電 洞導電材料(例如,N,N,·雙(3·萘冬基)_N,N,雙(苯基)聯苯 胺(NBP))。通常’該電洞傳輸層可能包&有機小分子材料、 導電聚合物、摻雜有機小分子材料之聚合物基質及其他適 合之有機或無機導電或半導電材料。 該電子傳輸屬協助注人電子並協助電子向陽極移動。該 電子傳輸層可進-步作為阻斷電洞向陰極移動之通道之 障。 通吊使用金屬螯化物化合物(例如三(8_羥基喹啉)鋁 (ALQ))形成該發射極層。發射極層也可包括發光聚合物, 例如聚笨乙缔(PPV)、聚對苯類(ppp)及聚苟類(pF);有機小 分子材料(例如ALQ);摻雜有機小分子之聚合物及其他適合 _材料。 該電子傳輸層也可如本文所述摻雜螢光或磷光染料。本 文有時稱掺雜之電子傳輸層為電子傳輸/發射層。在較佳具 體實施例中,使用藍色螢光染料摻雜該電子傳輸層。 對於包含電子傳輸/發射層之具體實施例’電洞傳輸層與 電子傳輪/發射層之間的介面形成電洞與電子通道之阻 障,並藉此建立一電洞/電子之重新結合區,並提供有效之 有機電激發光裝置》該發射材料係ALQ時,該〇el裝置發 射藍-綠光。藉由使用不同發射極與電子傳輸/發射層中的摻 雜劑(例如,見chen等人,大分子論文集,125:148 (Μ”)) 達成發出不同色彩之光。 對於包括一電子傳輸/發射層與一第二發射極層之具體 94874-J〇i〇725.doc •25· 1379616 實施例,可使該電子傳輸/發射層獨自作為電子傳輸層,以 使重新結合及發射係限於該第二發射極層。該結構較佳能 夠提供有效之有機電激發光裝置。 其他輒多層裝置結構可能包括,例如,一電洞傳輸層, 其同時也係-發射極層。或者,可將該電洞傳輸層與該電 子傳輸/發射層結合為-層。另外,可將一單獨之發射極層 置於一電洞傳輸層與一電子傳輸層之間。 圖案化OEL材料與層形以成OEL裝置,此係一特別合適之 範例’其說明傳統圖案化技術的一些困難,及如何依據本 發明克服該等困難。使用傳統圖案化技術,可能不能使用 二材料或層,此係由於該等材料或層暴露於用於塗佈或 圖案化該顯示器基板上之其他層之溶劑或姓刻劑時容易遭 受侵姓、滲透或分解。因此,由於會在—溶劑易溶層上塗 佈/谷劑塗^ ’或由於會使用一银刻劑目案化對該钱刻劑 敏感之層上之其他層,可能存在無法藉由傳統技術製造之 裝置及/或顯示器結構4列如,使用傳統處理技術形成一 裝置時’丨中該咖裝置包括—基板上的—陽極、該陽極 上的一小分子電洞傳輸層'該電洞傳輸層上的一發光聚合 物發射極及該發射極層上的一陰極,用於塗佈該發光聚合 物之溶劑可能損壞該電洞傳輸層。圖案化相鄰〇el裝置之 傳統技術可能存在相同限制,其中一〇EL裝置可能包括一 發光聚合物發射極層,而另一〇EL裝置可能包括一有機小 分子發射極層。使用本發明之熱圖案化方法可克服該等限 制。克服該等限制後’可允許更廣範圍之可能的裳置結構 94874-1010725.doc -26- 1379616 與替代材料’藉此可料成0㈣置與顯W,該等队裝 置與顯示器可呈現以前無法達成之顯示特性,例如亮度: 壽命、色彩純度及效率等。因此,本發明提供新的0EL裝 置與顯示器結構及新的圖案化方法。 如上所述,可以藉由選擇性的熱轉印來自—或多種施體 元件之轉移層形成OEL裝置。可將多個裝置轉移至—受體 上,以形成-像素化顯示器。或者,可將紅色綠色及藍 色熱轉印元件以堆疊方式熱轉印,以建立_多色彩堆疊式 OLED裝置,美國專利第5,斯,745號(〜⑽等人)揭示該類 型之裝置。 形成多色彩像素化帆顯*器之另一方法係從(例如)三 種單獨施體圖案化紅色、綠色及藍色發射極,然後在一單 獨步驟巾m體元件圖案化所有該等陰極(且可視 需要圖案化該等電子傳輸層)。藉此,至少藉由兩次熱轉印 圖案化每-OEL裝置’該等兩次熱轉印之第一熱轉印圖案 化該發射極部分(且可視需要圖案化附著層、緩衝層、陽 極、電洞注入層、電洞傳輸層及電子阻礙層等),而該等兩 次熱轉印之第二熱轉印圖案化該陰極部分(且可視需要圖 案化電子注入層、電子傳輸層及電洞阻礙層等)。 在兩或更多種施體元件(例如一發射極施體與一陰極施 體)之間劃分該等裝置層的一益處係,可以使用同一施體元 件圖案化被動矩陣或主動矩陣顯示器結構之〇EL裝置之發 射極部分。通常,主動矩陣顯示器包括沈積在所有該等穿 置上的一共用陰極。對於此結構,可能不必熱轉印包括— 94S74-1010725.doc • 27· 1^/9616 陰極之發射極堆疊,而可能需要具有一無陰極轉移堆疊。 對於被動矩陣顯示器,可以使用無陰極施體轉移該等發射 極部分之每一發射極部分(如果需要多色彩,則每一色彩使 用不同之施體),然後從該同一單獨之施體元件圖案化每一 裝置之該等陰極。或者,可以使用合成材料(2003年第138 期,第497頁,Y._HTak等著)中說明之方法圖案化被動矩陣 顯不器之陰極,其中將一共用陰極施加至該基板,然後藉 由雷射切除程序使該共用陰極分離。因此,不同顯示器結 構可使用不同發射極元件。 本發明之另一益處係,例如,可以依據所述方法轉移與 圖案化OEL裝置,以形成具有不同及不能相容之發射極材 料之相鄰裝置。例如,可以在與發藍光之發光聚合物裝置 (例如,使用主動溶液塗層發光聚合物層)相同之受體上圖案 化發紅光之有機小分子裝置(例如,使用主動汽相沈積小分 子層之裝置)。此允許依據功能(例如亮度、效率、壽命、導 電性及圖案化之後之實體特性(例如可撓性等))靈活地選擇 發光材料(及其他裴置層材料),而不是依據與同一或相鄰裝 置中之其他材料使用之特定塗層及/或圖案化技術之相容 性。可為OEL顯示器中之不同色彩裝置選擇不同類型之發 射極材料之能力,可在選擇補充裝置特性時提供較大靈活 性。一 OEL裝置之較佳發射極材料與另一 〇El裝置之較佳發 射極材料不能相容時,使用不同類型之發射極之能力也係 重要的。 該基板可能係適合特定應用之任何項目,其包括,但不 94874-l〇l〇725.d< -28- 1379616 限於’透明膜、顯示器黑色矩陣、電子顯示器之被動與主 動。p刀(例如電極、薄膜電晶體及有機電晶體等)、金屬、半 導體玻璃、各種紙及塑膠。本發明可使用之基板之非限 制性範例包括陽極氧化紹及其他材料、塑㈣(例如聚對苯 二甲酸乙二酯與聚丙烯)、氧化銦錫塗層塑膠膜、玻璃、氧 化麵錫塗層玻璃、可撓式電路、電路板、石夕或其他半導體 及各種類型之紙(例如,填充或非填充、壓光或塗伟)。對於 OEL顯不器’所使用基板之類型依賴於該顯示器係頂部發 光顯示器(發射極層位於觀看者與基板之間)或底部發光顯 示器(基板位於觀看者與發射極層 <間),還係既是頂部發光 顯示器也是底部發光顯示器。對於頂部發光顯示器,不需 要基板係透明的。對於底部發光顯示器,通常需要透明基 板…。 基板用作受體(例如,作為熱轉印層之受體)時可能在 該基板上塗佈各種層(例如附著層),以協助將轉移層轉移至 5亥爻體。可能在該基板上塗佈其他層,以形成多層裝置的 口P刀例如,可此《使用一基板形成OEL或其他電子裝置, 該基板具有金屬及/或導電有機陽極或陰極,該等陽極或陰 極係在轉移來自該熱轉印元件之轉移層之前形成於該基板 上。可能藉由一些方法形成該等陽極或陰極,例如在該基 板上沈積一或多層導電層,並使用任何合適方法(例如,微 影蝕刻技術或本文所述之熱轉印技術)將該(等)層圖案化為 一或多個陽極或陰極。 存在特別適合圖案化多層裝置的一基板,其具有一共用 94874-10I0725.doc •29· 電極或電極圖案,並且在該(等)電極之至少一部分之頂部具 有一絕緣阻障圓案。可以以-圖案提供該絕緣阻障,該圖 案與該等多層裝置之邊緣之預期位置一致,以協助防止受 體電極與相對電極(與—多層堆疊—起轉移或在該堆疊之 外另外轉移)之間之電氣短路。此在被動矩陣顯示器中尤其 貫用。另外,在主動矩陣顯示器結構中,該絕緣阻障可以 協助使該主動矩陣之電晶體與共用電極絕緣,在主動矩陣 顯示器結構中通常都會提供該共用電極。此可以協助防止 電㈣漏及寄生電容,電流沒漏與寄生電容會減小裝置效 率。 電激發光(EL)裝置向觀看者位置發光,且其特徵可能係 「底部陽極」或「頂部陽極術語「底部陽極」或「頂部 陽極」指祕、基板及陰極之相對位置。細「底部陽極」 裝置中,將陽極置於基板與陰極之間。在以「底部陽極」 裝置中’將陰極置於陽極與基板之間。在本文所述的一些 具體實施例中’該基板可能係—受體或—受體的—部分(例 如,熱轉印材料之受體)。 「底部陽極」肖「頂部陽極」裝置可能進一步以「底部 發光」或「頂部發光」&特徵。術語「底部發光」與「頂 部發光」指基板、發射層及觀看者之相對位置。無論「觀 看者」係人類觀察者、螢幕 '光學組件或電子裝置等,該 觀看者之位置通常指示發出之光之預期目的地。在底部發 光EL裝置中’將一透明或半透明基板置於發射極層與觀看 者之間。在相反之頂部發光配置中,將發射極層置於基板 94874-1010725.doc •30· 1379616 與觀察者之間。 通常,以簡化方式說明本文揭示之裝置結構以例 發明之較佳具體實施例。對於熟知技術人士而言,所: 附加層係顯然的包括在特定裝置之結構中。因此,並而之 欲將本文說明之該等裝置結構僅限制於本文所述 層,而係廣泛地解釋為包括所需之附加層。 現在轉至附圖,圖1A[1C說明依據本發明的一電激 裝置(尤其是一「底部陽極」配置)之裝配件。 , 在受體120上置放包括第一發射極(例如,發紅色、綠色 色幻的一或多個圖案化發射極層13〇,其可能係二陽 或附者至陽極的-層。在—些具體實施财,圖案化發 射極層13G包括-非揮發性成分’該非揮發性成分可能與該 第-發射極之成分㈣或;^同m體實施例中^ 由將:轉移層(包括-第一發射極)的一部分選擇性地熱^ 印至受體120 ’以形成圖案化發射極層13(),從而在受體㈣ 上置放圖案化發射極層130。 或者,參考圖⑺,可能在受體m上置放包_轉㈣ 之一或多層附加圖案化發射極層刚。在―些具體實施例 中,圖案化發射極層140可能包括非揮發性成分,該等非揮 發性成分可能與該等附加發射極之成分相同或不同。在一 些具體實施例中,藉由選擇性地熱轉印—或多層附加轉移 層(包括附加發射極)之部分,在受體12〇上置放附加圖案化 發射極層140。較佳地,該等附加發射極發出與該第一發射 極不同色彩之光。 94874-1010725.doc -31 · 1379616 參考圖1C,然後將包括第二發射極的一層置放在該等圖 案化發射極層上,以形成非圖案化發射極層丨5〇(例如發出 紅色、綠色或藍色光)。較佳地,該第二發射極層15〇發出 與該第一發射極層130及任何附加發射極層14〇不同色彩之 光。 在一些具體實施例中,受體120係溶劑易溶的。受體12〇 也可能係’例如電洞傳輸層、電洞注入層、電子阻礙層、 介電層、鈍化層或上述之組合。例如,可將受體12〇附著至 %極110 ’較佳係圖案化的陽極11 〇。可將附加層置放在受 體120與陽極11 〇之間。例如,如果受體丄2〇係電洞傳輸層, 則可將電洞注入層114置放在受體12〇與陽極11〇之間。另 外,可使陽極110附著至基板105。 非圖案化發射極層15 0可能進一步係,例如,電子傳輸層 (可此選擇性地摻雜(例如掺雜螢光或鱗光染料))、電洞阻礙 層(可能選擇性地摻雜(例如摻雜螢光或破光染料))或二者 之組合。可能在非圖案化發射極層15〇上置放陰極160。 對於電激發光裝置係底部發光裝置之具體實施例,陽極 11 〇與基板105係透明的’而陰極1 60較佳係不透明的。 對於電激發光裝置係頂部發光裝置之具體實施例,陰極 160係透明的,而陽極11〇及/或基板ι〇5較佳係不透明的。 對於基板105、陽極110與陰極160都係透明之配置,將其 看作其既是頂部發光也是底部發光。 圖2A至2C說明依據本發明之電激發光裝置(尤其是「頂部 陽極」配置)。 94874-1010725.doc -32- 提供包括第一發射極(例如,發紅色、綠色或藍色光)之 非圖案化層220。在非圖案化發射極層22〇上置放包括第二 發射極的-或多層圖案化發射極層23〇。在一些具體實施例 中’圖案化發射極層23G包括—非揮發性成分,該非揮發性 成刀可%與該第二發射極之成分相同或不同。在一些具體 實施例中,藉由將一轉移層㈣一第二發射極)的一部分選 擇性地熱轉印至非㈣化發射極層22(),以形成圖案化發射 極層230,從而在非圖案化發射極層22〇上置放圖案化發射 極層230。 或者,參考圖2B,可能在非圖案化發射極層22〇上置放包 括附加發射極的一或多層附加圖案化發射極層2 4 〇。在一些 具體實施例中,圖案化發射極層24〇可能包括非揮發性成 刀,該等非揮發性成分可能與該等附加發射極相同或不 同。在一些具體實施例中,藉由選擇性地熱轉印一或多層 附加轉移層(包括附加發射極)之部分,在非圖案化發射極層 220上置放附加圖案化發射極層24〇。較佳地,該等附加發 射極發出與該等第一與第二發射極不同色彩之光。 或者,參考圖2C,可能在圖案化發射極層23〇與附加圖案 化發射極層240(如果附加圖案化發射極層24〇存在)上置放 陽極250»可能在陽極25〇與圖案化發射極層23〇及圖案化發 射極層240(如果圖案化發射極層24〇存在)之間置放附加 層。例如’可能在陽極250與圖案化發射極層230及圖案化 發射極層240(如果圖案化發射極層24〇存在)之間置放電洞 傳輸層、電洞注入層或電子阻礙層244。 94874-1010725.doc -33· 1379616 在些具體實施例中,非圖案化發射極層220係溶劑易溶 的非圖案化發射極層可能進一步係,例如,電子傳輸層(可 月b選擇ϋ地摻雜’例如摻雜螢光或碗光染料)、冑洞阻礙層 (可此選擇性地摻雜,例如摻雜螢光或磷光染料”電子注入 層(可犯選擇性地摻雜,例如摻雜螢光或磷光染料)或上述之 ’且5例如’可能將非圖案化發射極層220附加至陰極210, 較佳係圖案化陰極21h另外,例如可使陰極21〇附著至基 板 205。 對於電激發光裝置係底部發光裝置之具體實施例,陰極 210係透明的,基板2〇5(如果其存在)係透明的而陽極 較佳係不透明的。 對於電激發光裝置係頂部發光裝置之具體實施例,陽極 250係透明的,而陰極21〇及/或與基板2〇5較佳係不透明的。 對與基板205、陽極250與陰極21〇都係透明之配置,將其 看作其既是頂部發光也是底部發光。 較佳可藉由向陽極與陰極提供一信號操作圖丨八至⑴與 2A至2C中示意性說明之裝置來發光。較佳可操作該信號定 址發射極,然後该發射極發光。通常,可能使用本文前 面定義之主動或被動定址結構,定址像素或次像素之陣 列。在本發明之範圍内,全彩顯示裝置與可調照明裝置兩 者都係可能的。全彩顯示裝置通常使用三種發射極,每一 種發射極發射不同色彩之光,例如紅光、綠光或藍光。可 調照明裝置通常使用兩種發射極,每一種發射極發射不同 色彩之光。可能藉由向一像素中之每一次像素提供電流操 94874-1010725.doc •34- I裝置改變向次像素提供之電流之比率,將影響該像 '、發出之光之色彩與亮度兩者。 範例 藉由參考下面的非限制性範例說明本發明,將更全面地 睁解本發明。將依據上述本發明之範圍與精神廣泛地解釋 s等特疋具體貫施例、材料、數量及程序。 除非另有說明,所有份量都係按重量計算之份量,而所 比率與百分比都係按重量計算。為簡單起見,在該等範 列:使用各種縮寫,該等縮寫具有給定之意義及/或說明可 購得之材料(如在下表中所註明)。 ~~~--—_ 縮寫 ~^ED〇T~~ ~~ 說明/購買來源 ~~~' ______________ 作為PEDOT VP AI 4083的水與3,4-聚乙烯二氧噻 吩-聚磺苯乙(陽離子)之混合物,可從美國馬薩諸 塞州牛頓市H.C. Starck公司獲得 EL111T 作為EL111T而用於形成電激發光裝置的一層之材 料,可從日本川崎的Hodogaya化學有限公司獲得 2-mTNATA 作為 2·ΜΤΝΑΤΑ 的 4,4’,4"-三(]^-(2-萘基)以-(3-甲基 苯基)-胺基)-三苯基胺,可從日本神戶的Bando化 學工業公司獲得 ST1693.S 作為 ST 1693 .S 的 2,7-雙-(N-苯基·Ν-(4,-Ν,Ν-二苯氨 基-聯苯-4-基))-9,9-二甲基-茴,經昇華,可從德國 Wolfen 的 Syntec GmbH公司獲得 ST755.S 作為ST 755.S的1,1 -雙-(4-雙(4-甲基-苯基)-胺基-苯 基)-環己胺,經昇華,可從德國Wolfen的Syntec GmbH獲得 LEP Covion Super Yellow ’ PDY 132,一種黃光發射極, 可從德國法蘭克福的Covion半導體公司獲得 94S74-I0l0725.doc •35· 1379616 PS 標準聚苯乙烯,典型Mw=2500 ’可從美國威斯康 星州密爾沃基市的Aldrich化學公司以產品號碼 32,771-9獲得 PVK .- "― _ 聚·Ν-乙烯°弄峻,可從加拿大多爾瓦爾市的聚合物 來源有限公司以產品號碼P2236-VK獲得 MTDATA 4,4',4”-三(1^3-甲基苯基-^苯基胺基)三苯基胺,經 昇華,可從美國佛羅里達州Jupiter市的H.W. Sands 公司以產品號碼OSA3939獲得 PBD 2-(4-聯苯基)-5-(4•叔戍基苯基)-1,3,4·β惡二嗤,可從 曰本熊本的Dojindo Laboratories公司獲得 EL028T 作為EL028T而用於形成電激發光裝置的一層之材 料,可從曰本川崎Hodogaya化學有限公司獲得 TPOB 依據J. Mater. Chem. 9:2177-2181 (1999)(Noda等人 所著)_說明之程序製備的一材料 Spiro-CF3-PBD 作為Spiro-CFrPBD而用於形成電激發光裝置的一 層之材料’可從德國法蘭克福的Covion半導體公 司獲得 Ir(ppy)3-S-C-1 一種綠色發射極’可從德國法蘭克福的C〇vi〇n半 導體公司獲得 Ir(PPy)2(tmhd) 依據J. Am. Chem. Soc.,123:4304-4312 (2001) (Lamansky等人所著)中說明之程序製備的一綠色 發射極 Ir(btp)2(tmhd) — -綠色發射極,依據J. Am. Chem. Soc., l23:43〇4-4312(2〇01)(Lamansky 等人所著)中說明 之程序製備 BAlq 基-8·喹啉醇)冬(苯基_笨醇)·銘_(m),經昇 t二Σ從美國紐約州羅徹斯特市的Eastman Kodak 公司獲得 二萘嵌苯藍色 染料 國咸斯康星州密爾沃基市的Aldrich化學公 aJ後得 94874-1010725.doc ,36 · 1379616 氟化鋰 鋰的氟化物,純度99.85%,可從美國馬薩諸ϋ Ward Hill市的Alfa Aesar公司以產品號碼36359獲得 鋁 高純度鋁珠,純度99.999%,可從馬薩諸塞州Ward Hill市的Alfa Aesar公司獲得 FC表面活性劑 一種氟化工表面活性劑,可依據美國專利第 3,787,351號之範例5製備 Ebecryl 629 一種作為Ebecryl 629的環氧酚醛丙烯酸脂,可從美 國南卡羅來納州N_ Augusta的UCB Radcure公司獲得 Elvacite 2669 一種作為Elvacite 2669的丙稀酸樹脂,可從美國田 納西州孟菲斯市的ICI丙烯酸樹脂公司獲得 Irgacure 369 作為Irgacure 369的2-苯甲基-2-(二曱胺基)-i_(4-(嗎琳基)苯基)丁嗣’可從美國紐約州Tarryown的 Ciba專業化學藥品公司獲得 Irgacure 184 作為Irgacure 184的1-經基環己基苯基曱酮,可從 美國紐約州Tarryown的Ciba專業化學藥品公司獲 得 M7Q 膜..... 一種作為M7Q的0.076- mm聚對苯二甲酸乙二醋 膜,可從日本大阪的Teijin公司獲得 UV nm 紫外光 奈米 m 米 min 分鐘 SR351HP 作為SR351 HP的三甲醇基丙烧三丙稀酸脂,可從 美國賓士法尼亞州Exton的Sartomer公司獲得 LITI 雷射誘發熱成像 ITO 氧化銦錫 區塊像素ITO玻璃 玻璃基板,具有ITO測量50mmx50mmx0.7mm之 區域,並具有<20 Ohm/sq之電阻,可從美國明尼 蘇達州Stillwater的Delta技術公司獲得 94874-1010725.doc -37- 條紋像素IT0玻璃 ~~~~'''--- 基板,具有IT〇測量50 111111x50 mmx0.7腿之 ^ = ’該區域包括相鄰平行之75微米寬IT〇條紋之 J ’該等條紋具有165微米之間距與<2〇〇hm/sq 術八I從美國明尼蘇達州Stillwater的Delta技 ----- LTHC Raven 760 Ultra 光·熱轉換 ^^760 Ultra的碳黑顏料,可從美國喬治亞州亞特 鬧大市的哥倫比亞化學公司獲得 Butvar B-98 ^ ^Butvar B-98的聚乙烯縮丁醛樹脂,可從美國 在、蘇裏州聖路易斯市的Solutia公司獲得 、 Joncryl 67 作為Joncryl 67的丙稀酸樹脂’可從美國虚斯廉窟 州拉辛市的S.C. Johnson & Sons公司獲得 Disperbyk 161 一種作為Disperbyk 161的分散劑,可從美國康太 提格州Wallingford的Byk-Chemie公司獲得 不 Wt. % 重量百分比 ~~ Puradisc過慮器 0.45微米聚丙烯過濾器,可從美國新澤西州克 頓市的Whatman公司以商標Puradisc獲得 ------ 除非另有說明,上表中未註明的材料可從美國威斯康星 州密爾沃基市的Aldrich化學公司獲得。 1379616 施體膜的一般製備 每一範例中都使用一施體膜,其在此一般製備中製備。 藉由混合3.55份1^乂611 760 1;1^3、0.63份811卜&1"3.98、19() 份 Joncryl 67、0.32份 Disperbyk 161、0_〇9份 FC表面活性劑、 12.0外^^匕6(^1 629、8_06份£1¥玨〇如 2669、0.82份11^扣111^ 369、0.12份1^3〇11代184、45.31份2-丁酮及27.19份12-單甲 基醚丙二醇乙酸酯來製備LTHC溶液。使用一 Yasui 8以!^實 驗室塗佈機(型號CAG-150,具有每英吋110個螺旋單元的一 94874-1010725.doc -38 · 1379616 微凹版滾筒)將該溶液塗佈在M7Q膜上。在80°C下線上乾燥 該LTHC塗層並在UV輻射下固化該LTHC塗層,其中藉由熔 化UV系統公司之600瓦D型燈泡,以100%能量輸出(UVA 3 20至3 9〇11111)並以6.1111/111111之曝光速率供應11\^輕射° 藉由混合14.85份3尺3511^、0.93份811卜3犷8-98、2.78份 Joncryl 67、1.25份 Irgacure 369、0.19份 Irgacure 184、48份 2-丁酮、及32份1-曱氧基-2-丙醇製造一中間層溶液。使用 一 Yasui Seiki實驗室塗佈機(型號CAG-150,具有每英吋直 線上180個螺旋單元的一微凹版滚筒)藉由輪轉凹版方法將 該溶液塗佈在該固化LTHC層上。在60°C下線上乾燥該塗層 並在UV輻射下固化該UV塗層,其中藉由使該塗層在熔化 UV系統公司之600瓦D型燈泡(以100%能量輸出(UVA 320至 3 90 nm)|L以6.1 m/^nin·^曝光速..率)下面通過而供應UV輻 射。 範例1 範例1說明製造依據本發明的一電激發光裝置的一方 法,其中將一轉移層(包括第一發射極)選擇性地熱轉印至受 體,形成一圖案化發射極層,並將包括第二發射極的一層 置放在該圖案化發射極層上,以提供一非圖案化發射極層。 製備受體 使用Puradisc過濾器來過濾PED0T兩次,並將其旋轉塗佈 至一區塊像素ITO玻璃基板上,形成具有40 nm乾燥厚度的 一層。在一氮氣氛中以200°C烘烤該經塗佈之玻璃基板達5 分鐘。使用甲醇選擇性地從部分IT0區域移除該塗層,以提 94874-1010725.doc •39- 1379616 供接觸區域’該等接觸區域連接該受體至電源供應。 製備施體 按1:3之重量比率使LEP(黃色發射極)與1>8結合然後使 用HPLC級之甲苯稀釋按重量),然後在7(rc下加熱 並授動’然後使用Puradisc過濾'器過滤一次,然後旋轉塗佈 至施體膜(按一般製備中所述方法製備)上,以產生一轉移 層’該轉移層具有90 nm之乾燥厚度。 選擇性地熱轉印圖案化發射極層 藉由LITI使來自該施體之該轉移層在該受體上成像,以 產生一圖案化發射極層。以三角抖動模式及4〇〇 KHz之頻 率、以單向掃描並以16瓦特之功率使用兩雷射。要求之線 寬係100微米並具有225微米之間距,劑量係〇 65〇 J/cm2。 沈積非圖案化發射極層 在大約1〇-5 ton*之真空下並使用一陰影遮罩,藉由標準真 空沈積技術將厚500 A的一層BAlq (摻雜按重量計大約 0.5-1%之二萘嵌苯藍色染料)沈積至該圖案化發射極層 上,其中該陰影遮罩係用於防止材料沈積在該IT〇接觸區 域,s亥ΙΤ0接觸區域用於連接至一電源供應。 沈積陰極 然後在该非圖案化發射極層上沈積一兩層之陰極,該陰 極包括10 Α厚的一層LiF膜及其上之2000 Α厚的一層鋁 膜。在大約10-6torr之真空下並使用一第二陰影遮罩實施沈
積,其中6亥第二陰影遮罩允許該陰極接觸該受體上之該ITO 接觸區域。 94874-1010725.doc .40· 1379616 製備相應於範例1之控制裝置 製備相應於範例1之裝置之控制裝置,以證明該非圖案化 發射極層中之二萘嵌笨藍色染料之存在不影響圖案化發射 極層發出之黃色。 該控制裝置包括如範例1中使用的一受體。按1:3之重量 比率使LEP(黃色發射極)與PS結合,然後使用HpLC級之甲 苯稀釋至1.58%(按重量)’然後在7(rc下加熱並攪動然後 使用Puradisc過濾器過濾一次,然後立即旋轉塗佈至該受體 直至達90 nm之乾燥厚度》此提供一非圖案化發射極層,其 成分相當於範例1中之圖案化發射極層之成分。選擇性地從 部分ITO區域移除該塗層,以提供接觸區域,該等接觸區域 連接該受體至電源供應。 製備並沈積包含二萘嵌苯藍色染料的一層至該非圖案化 發射極層上。更明確言之,在大約10-5100>之真空中藉由標 準真空沈積技術將一層500 A厚之BAlq(摻雜按重量計大約 0_5至1%之二萘嵌苯藍色染料)沈積至該非圖案化發射極層 上。使用一陰影遮罩以防止材料沈積在該IT〇接觸區域上, 該ΙΤΟ接觸區域用於連接至電源供應。 藉由範例1中之陰極使用之程序,將一陰極沈積在包含二 萘礙苯藍色染料之該層上。 電激發光頻譜 藉由使用Keithley來源計2400(美國俄亥俄州克利夫蘭市 器公司)驅動該等裝置,並使用海洋光纖光學螢 光错儀(美國佛羅里達州丹寧丁市的海洋光學公司)記錄四 94874-1010725.doc 1379616 個不同裝置電流密度(10、20、30及40 mA/cm2)之輪出,獲 得範例1之電激發光頻譜及其控制裝置。 範例1顯示藉由該圖案化發射極層產生之黃色條故與該 等頁色條紋之間的藍色條紋(藉由該非圖案化發射極層產 生)的一圖案。然而,該控制裝置僅顯示藉由該非圖案化發 射極層產生之黃色區域,而不顯示藍色區域。因此,在兩 裝置中,如果將包含二萘嵌苯藍色染料之該層沈積在包含 黃色發射極之該層(即範例i中之該圖案化發射極層與該控 制裝置中的該非圖案化發射極層)上,但該激子重新結合區 沒有明顯偏向包含該二萘嵌苯藍色染料之該層,則包含二 萘嵌苯藍色染料之該層實質上僅提供電子傳輸功能。該等 裝置也證明頻譜特性與驅動電流之CIE色彩座標之獨立性。 範例2 範例2說明製造依據本發明的一電激發光裝置的一方 法,其中將一轉移層(包括第一發射極)選擇性地熱轉印至受 體,以形成一圖案化發射極層,並將包括第二發射極的一 層置放在該圖案化發射極層上,以提供一非圖案化發射極 層0 製備受體 按照範例1中所用之該程序製備一受體。 製備施體 以42:28:27:3之重量比率組合PVK_4、MTDATA、pBD及 Ir(btp)2(tmhd)(紅色發射極),然後使用Ηριχ級甲苯稀釋至 1.97% (按重量)。透過Puradisc過濾器過濾該形成之溶液兩 94874-1010725.doc -42· 1379616 次’然後將其旋轉塗佈至施體膜(按在一般製備中所述方法 製備)上’以產生一轉移層,該轉移層具有55 nm之乾燥厚 度。 選擇性地熱轉印圖案化發射極層 藉由LITI使來自該施體之該轉移層在該受體上成像,以 產生一圖案化發射極層。以三角抖動模式及4〇〇 KHz之頻 率、以單向掃描並以4瓦特之功率使用一雷射。要求之線寬 係100微米並具有225微米之間距,劑量係〇.875 J/cm2。 沈積非圖案化發射極層與沈積陰極 然後,按照結合範例1說明之沈積該等層之程序,在該圖 案化發射極層上沈積一非圖案化發射極層(包含二蔡於苯 藍色染料)與一雙層陰極。 .…製.備相摩於範例2之控制裝置 製備相應於範例2之裝置之控制裝置,以證明該非圖案化 發射極層中之二萘嵌苯藍色染料之存在不影響圖案化發射 極層發出之紅色。 該控制裝置包括如範例2中使用的一受體。以42:28·273 之重量比率組合 PVK-4、MTDATA、PBD及 Ir(btpMtmhd)(紅 色發射極),然後使用HPLC級曱苯稀釋至1970/0(按重量)。 透過Puradisc過濾器過濾該形成之溶液兩次,並旋轉塗佈至 該受體至50nm之乾燥厚度,以提供一非圖案化發射極層, 其成分相當於範例2中之該圖案化發射極層之成分。選擇性 地從部分ITO區域移除該塗層,以提供接觸區域,該等接觸 區域連接該受體至電源供應。 94874-10i0725.doc •43· 1379616 製備並沈積包含二萘嵌苯藍色染料的一層至該非圖案化 發射極層上。更明確言之,在大約10-5 torr之真空中藉由標 準真空沈積技術將一層5 00 A厚之BAlq(摻雜按重量計大約 0.5至1 %之二萘嵌苯藍色染料)沈積至該非圖案化發射極層 上。使用一陰影遮罩以防止材料沈積在該ΙΤ〇接觸區域上, 該接觸區域連接至電源供應。 藉由按照範例2中之陰極使用之程序,將一陰極施加至包 含二萘嵌苯藍色染料之該層上。 電激發光頻譜 藉由施加電功率至該等裂置(使用Agilent Ε3612直流電 源供應(美國加利福尼亞州帕洛阿爾托市的Agilent技術公 司)並微觀地檢查(使用Nikon Eclipse TE300反向光學顯微 鏡(日本東京的尼康公司))該電激發光,可觀察到範例2之電 激發光頻譜及其控制裝置。 範例2顯示藉由該圖案化發射極層產生之紅色條紋與該 等紅色條紋之間的藍色條紋(藉由該非圖案化發射極層產 生)的一圖案。然而,該控制裝置僅顯示藉由該非圖案化發 射極層產生之紅色區域,而不顯示藍色區域。因此,在兩 裝置中,如果將包含二萘嵌苯藍色染料之該層沈積在包含 紅色發射極之該層(即範例2中之該圖案化發射極層與該控 制裝置中的該非圖案化發射極層)上,但該激子重新結合區 沒有明顯偏向包含該二萘嵌苯藍色染料之該層,則包含二 萘嵌苯藍色染料之該層實質上僅提供電子傳輸功能。 範例3 94874-1010725.doc 1379616 範例3說明製造依據本發明的一電激發光裝置的一方 法,其中將一轉移層(包括第一發射極)選擇性地熱轉印至受 體,以形成一圖案化發射極層,並將包括第二發射極的一 層置放在該圖案化發射極層上,以提供一非圖案化發射極 層。除了用Ir(PPy)2(tmhd)(綠色發射極)替換Ir(btp)2(tmhd) 紅色發射極,其餘係按照範例2之程序製備範例3。 製備相應於範例3之控制裝置 製備相應於範例3之裝置之控制裝置,以證明該非圖案化 發射極層中之二萘嵌苯藍色染料之存在不影響圖案化發射 極層發出之綠色。除了用Ir(ppy)2(tmhd)(綠色發射極)替換 lr(btp)2(tmhd)紅色^射極,其餘係按照結合範例2之該控制 裝置使用之該程序製備範例3之控制裝置。 電敏發光頻譜 使用結合範例2說明之程序觀察範例3之電激發光頻譜及 其控制裝置。 I巳例3顯示藉由該圖案化發射極層產生之綠色條紋與該 等綠色條紋之間的藍色條紋(藉由該非圖案化發射極層產 生)的一圖案。然而,該控制裝置僅顯示藉由該非圖案化發 射極層產生之綠色區域,而不顯示藍色區域。因此,在兩 裝置中,如果將包含二萘嵌苯藍色染料之該層沈積在包含 綠色發射極之該層(即範例3中之該圖案化發射極層與該控 制裝置中的該非圖案化發射極層)上,但該激子重新結合區 沒有明顯偏向包含該二萘嵌苯藍色染料之該層,則包含二 蔡嵌苯藍色染料之該層實質上僅提供電子傳輸功能。 94874-1010725.doc •45- 13V9616 範例4 範例4說明製造依據本發明的一電激發光裝置的一方 法其中將轉移層(包括第一發射極與第二發射極)選擇性地 熱轉印至受體’以形成—圖案化發射極層,並將包括第三 發射極的-層置放在該圖案化發射極層上,以提供一非圖 案化發射極層。藉由範例2之該紅色發射極提供該第一發射 極,藉由範例3之該綠色發射極提供該第二發射極。 按照結合範例1說明之程序來製備一受體,並依據範例 2(紅色發射極)及範例3(綠色發射極)來製備單獨之施體(每 把體包括一轉移層)。使用如範例2甲說明之雷射配置(但 此處使用300微米之間距)藉由UTI將包含紅色發射極之該 轉移層成像至該受體。也藉由LITI並再次使用如範例2中說 明之雷射配置(但此處使用3〇〇微米之間距)將包含綠色發射 極之該轉移層成像至該同一受體。使包含該綠色發射極之 该轉移層之來源相對於包含該紅色發射極之該轉移層之來 源偏移+ 100微米。 然後’使用結合範例1說明之沈積該等層之程序,在該圖 案化發射極層上(包含該第一(紅色)與該第二(綠色)發射極) 沈積一非圖案化發射極層(包含二萘嵌苯藍色染料)與一雙 層陰極。 電激發光頻譜 使用結合範例2說明之該程序觀察範例4之電激發光頻 谱’該電激發光頻譜顯示交替的紅色、綠色及藍色條紋之 圖案’該等紅色與綠色發光圖案與藉由選擇性熱轉印(藉由 94874-1010725.doc • 46· 1379616 LITI)所圖案化之區域一致。 範例5 範例5說明製造依據本發明的一電激發光裝置的一方 法,其令將轉移層(包括第一發射極與第二發射極)選擇性地 熱轉印至受體,以在一溶劑易溶層上形成一圖案化發射極 層’並將包括第三發射極的一層置放在該圖案化發射極層 上’以提供一非圖案化發射極層。 製備受體 製造EL111T在HPLC級曱苯中之5.0%(按重量)溶液,並允 許在電爐上在70C下授動達20分鐘。然後,透過puradisc 過濾器過濾該溶液’然後將其旋轉塗佈至條紋像素IT〇玻璃 上,以產生具有160 nm乾燥厚度的一溶劑易溶層。使用曱 笨選擇性地從部分ITO區域移降該塗層,以提供接觸區域, 該等接觸區域連接該受體至電源供應。 製備施體 為了製備相應於該第一發射極之第一施體,以45:45:10 之重量比率組合EL028T、Spiro-CF3-PBD及 Ir(btp)2(tmhd)(紅 色發射極)’並使用氣苯稀釋至丨3 5%(按重量),並允許在電 爐上在70C下擾動達20分鐘。透過puradisc過濾器過濾該形 成之溶液一次,然後將其旋轉塗佈至施體膜(按在一般製備 中所述方法製備)上,以產生一轉移層,該轉移層具有5〇nm 之乾燥厚度。以同一方法製備相應於第二發射極之第二施 體’但此處用綠色發射極Ir(PPy)3_S_C-l取代紅色發射極。 選擇性地熱轉印圖案化發射極層 94874-10i0725.doc -47- 96l6 藉由Lm使來自第—施體之該轉移層在該受體上成像, 以產生-圖案化發射極層。以三角抖動模式及侧κ沿之頻 率乂單向掃私並以4瓦特之功率使用一雷射。要求之線寬 係110微米並具有495微米之間距,劑量係0_85 然 後’错由LITI並使用該同一雷射配置將來自該第二施體之 該轉移層成像至該同-受體上,以提供包括第-(紅色)與第 二(綠色)發射極的一圖案化發射極層。使包含該綠色發射極 之該轉移層之來源相對於包含該紅色發射極之該轉移層之 來源偏移+165微米。 沈積非圖案化發射極層與沈積陰極 然後’按照結合範例i說明之沈積該等層之程序在該圖 案化發射極層上(包含該第—(紅色)與該第二(綠色)發射極) 沈積一非圖案化發射極層(包含二萘喪苯藍色染料)與一雙 層陰極》 電激發光頻譜 使用結合範例2說明之該程序觀察範例5之電激發光頻 譜,該電激發光頻譜顯示交替的紅色、綠色及藍色條紋之 圖案,該等紅色與綠色發光圖案與藉由該選擇性熱轉印(藉 由LITI)所圖案化之區域一致。 範例6 範例6說明製造依據本發明的一電激發光裝置的一方 法,其中將一轉移層(包括第一發射極)選擇性地熱轉印至受 體,以在一溶劑易溶層上形成一圖案化發射極層,並將包 括第二發射極的一層置放在該圖案化發射極層上,以提供 94874-1010725.doc • 48· 1379616 一非圖案化發射極層。 製備受體 製造2-mTNATA在HPLC級曱苯中之6 〇%(按重量)溶液, 然後透過Puradisc過遽器過濾該溶液一二欠,然後旋轉塗佈至 條紋像素!το玻璃上,以產生具有162nm乾燥厚度的一溶劑 易溶層m苯選擇性地從部分ITO區域移除該塗層,以 提供接觸區域,該等接觸區域連接該受體至電源供應。 製備施體 以45:45:1〇之重量比率組合以…、τρ〇Β(經昇華)及 ir(Ppy)2(tmhd)(綠色發射極),並使用氯苯稀釋至〗78%(按 重量),並允許在電爐上在7(rc下攪動達2〇分鐘。透過 Puradisc過;慮器過濾該形成之溶液一次,然後將其旋轉塗佈 .至_施體膜(按照在一般製備中所述方法製備)上,以產生一轉 移層’該轉移層具有45 nm之乾燥厚度。 選擇性地熱轉印圖案化發射極層 藉由LITI使來自該施體之該轉移層在該受體上成像,以 產生一圖案化發射極層,該圖案化發射極層與所古其他 條紋配準。以三角抖動模式及400 KHz之頻率、以單向掃描 並以4瓦特之功率使用一雷射。要求之線寬係丨丨〇微米並具 有330微米之間距,劑量係〇.9〇 j/cm2。 沈積非圖案化發射極層與沈積陰極 然後’按照結合範例1說明之沈積該等層之程序,在該圖 案化發射極層上沈積一非圖案化發射極層(包含二萘嵌苯 藍色染料)與一雙層陰極。 94874-1010725.doc -49· 1379616 製備範例6之控制裝置 為範例6製備兩個控制裝置。按照用於製備範例6之程序 製備該第一控制裝置,但此處在選擇性地熱轉印該轉移層 期間,該間距係165微米,此產生與每一 IT〇條紋配準的— 圖案。也按照結合範例6使用之程序製備該第二控制裝置, 但此處不製備該施體,也不熱轉印該轉移層。然後,在該 第二控制裝置中,將包含二萘嵌苯藍色染料之該非圖案化 發射極層直接置放在該溶劑易溶層上,而沒有一中間圖案 化發射極層。 電激發光頻譜 使用結合範例2說明之程序觀察範例6之裝置之電激發光 頻譜及其兩控制裝置。範例6之該裝置顯示交替的綠色與藍 色條紋之圖案,該綠色發光圖案與藉由選擇性熱轉印(藉由 LITI)所圖案化之區域一致。該第一控制裝置顯示綠色條紋 之圖案,該圖案與藉由選擇性熱轉印(藉由LITI)所圖案化之 區域一致’而該第二控制裝置顯示藍色條紋之圖案,該圖 案與ITO條紋之該圖案一致。 範例7 範例7說明製造依據本發明的一電激發光裝置的一方 法’其中將一轉移層(包括第一發射極)選擇性地熱轉印至受 體’以在一溶劑易溶層上形成一圖案化發射極層,並將包 括第二發射極的一層置放在該圖案化發射極層上,以提供 一非圖案化發射極層。 按照結合範例6說明之程序來製備範例7,但此處在沈積 94874-10i0725.doc -50- 1379616 於該受體上之該溶劑易溶層中,藉由ST 1693 s取代 2-mTNΑΤΑ,且施加該溶劑易溶層至14〇 nm之乾燥厚产。也 按照結合範例6說明之程序來製備範例7之兩控制裝置,但 此處該受體上之該溶劑易溶層包含ST 1693.S而不包含 2-mTNATA。 電激發光頻譜 使用結合範例6說明之程序觀察範例7之裝置之電激發光 頻譜及其兩控制裝置。範例7之該裝置顯示交替的綠色與藍 色條紋之圖案,該綠色發光圖案與藉由選擇性熱轉印(藉由 LITI)所圖案化之區域一致。該第一控制裝置顯示綠色條紋 之圖案,該圖案與藉由選擇性熱轉印(藉由UTI)所圖案化之 區域一致,而該第二控制裝置顯示藍色條紋之圖案,該圖 案與ITO條紋冬圖案一致。 範例8 範例8說明製造依據本發明的一電激發光裝置的一方 法,其中將一轉移層(包括第一發射極)選擇性地熱轉印至受 體,以在一溶劑易溶層上形成一圖案化發射極層,並將包 括第二發射極的一層置放在該圖案化發射極層上,以提供 一非圖案化發射極層。 製備受體 製造ST 755.S在氣苯中之5.0% (按重量)之溶液,並允許 在電爐上在70。(:下攪動達20分鐘,然後透過Puradisc過濾器 過濾該溶液一次,然後將該溶液旋轉塗佈至該條紋像素IT〇 玻璃上。在氮氣氛中在8〇。〇下烘烤該經塗佈之ΙΤ〇玻璃達1〇 94874-1010725.doc •51· 1379616 分鐘,以產生具有126 nm乾燥厚度之溶劑易溶層。使用曱 苯選擇性地從部分ITO區域移除該塗層,以提供接觸區域, 該等接觸區域連接該受體至電源供應。 製備施體 以44.26:44.26:11.5之重量比率組合ST 755.S、TPOB(經昇 華)及Ir(btp)2(tmhd)(紅色發射極),並使用氯苯稀釋至1.71% (按重量)’並允許在電爐上在70 °C下攪動達20分鐘。透過 Puradisc過濾器過濾該形成之溶液一次,然後將其旋轉塗佈 至施體膜(按在一般製備中所述方法製備)上,然後在氮氣氛 中在80°C下烘烤該經塗佈之施體膜達1〇分鐘,以產生一轉 移層,該轉移層具有45 nm之乾燥厚度。 製備範例8之控制裝置 為範例8製備兩個控制裝置。藉由使來自該施體之該轉移 層成像至該受體製備該第一控制裝置,該成像程序中以單 方向掃描使用至少4瓦特功率的一雷射,該單方向掃描具有 一角形抖動模式及400 KHz頻率。所要求之線寬係i丨〇微米 並具有165微米間距及〇.9〇 j/cm2劑量,此產生與每一 IT〇條 紋配準之成像圖案。然後,按照結合範例丨說明之沈積該等 層之程序,在該圖案化發射極上沈積一非圖案化發射極層 (包含二萘嵌苯藍色染料)與一雙層陰極。 也按照結合範例8使用之程序製備該第二控制裝置,但此 處不製備該施體’也不熱轉印該轉移層。然後,在該第二 控制裝置中,將包含二萘嵌苯藍色染料之該非圖案化發射 極層直接置放在該溶劑易溶層上,而沒有—中間圖案化發 94874-1010725.doc -52- 1379616 射極層。 電激發光頻譜 使用結合範例2說明之程序觀察範例8之裝置之電激發光 頻譜及其兩控制裝置❶該第一控制裝置顯示紅色條紋之圖 案,該圖案與藉由選擇性熱轉印(藉由LITI)所圖案化之區域 一致’而該第二控制裝置顯示藍色條紋之圖案,該圖案與 ΠΌ條紋之圖案一致。 範例9 範例9說明製造依據本發明的一電激發光裝置的一方 法’其中將一轉移層(包括第一發射極)選擇性地熱轉印至受 體’以在一溶劑易溶層上形成一圖案化發射極層,並將包 括第一發射極的一層置放在該圖案化發射極層上,以提供 一非圖案化發射極層》 按照結合範例8說明之程序來製備範例9,但此處在沈積 於該基板上之該溶劑易溶層中’由ST 1693.S取代ST 75 5.S,且施加該溶劑易溶層至140 nm之乾燥厚度。另外, 製造ST 1693.S在甲苯中之6·0%(按重量)溶液,並允許在過 濾及旋轉塗佈該溶液之前,在環境條件下攪動該溶液達5 分鐘。也按照結合範例8說明之程序製備範例9之兩控制裝 置’但此處沈積在該受體上之該溶劑易溶層中包含st 1693.S而不包含ST 755.S。 電激發光頻譜 使用結合範例6說明之程序觀察該等兩控制裝置之電激 發光頻s普。該第一控制裝置顯示紅色條紋之圖案,該圖案 94874-1010725.doc -53· ^/9616 與藉由選擇性熱轉印(藉由LITI)所圖案化之區域一致,而該 第一控制裝置顯示藍色條紋之圖案,該圖案與IT〇條紋之圖 案一致。 範例10 Ι&例10說明製造依據本發明的一電激發光裝置的一方 法,其中將轉移層(包括第一發射極與第二發射極)選擇性地 熱轉為受體’以在一溶劑易溶層形成一圖案化發射極層, 並將包括第三發射極的一層置放在該圖案化發射極層上, 以提供一非圖案化發射極層。 製備受體 製造ST 755. S在氯苯中之5.0%(按重量)之溶液,並允許在 電爐上在7〇t下攪動達20分鐘,然後透過puradisc過濾器過 /慮该溶液’然後將該溶液旋轉塗佈至該條紋像素IT〇玻璃 上°在氮氣氛中在80 °C下烘烤該經塗佈之ΙΤΟ玻璃達1 〇分 鐘,以產生具有126 nm乾燥厚度之溶劑易溶層。使用甲苯 選擇性地從部分ITO區域移除該塗層,以提供接觸區域,該 等接觸區域連接該受體至電源供應。 製備施體 為了製備相應於該第一發射極之第一施體,以 44.26:44.26:11_5之重量比率組合ST «755.5、TP〇B及Ir(btp)2(tmhd) (紅色發射極),並使用氣苯稀釋至1.71%(按重量),並在電爐 上在70C下授動達20分鐘。透過Puradisc過遽器過遽該形成 之溶液一次,然後將其旋轉塗佈至施體膜(按在一般製備中 所述方法製備)上,然後在氮氣氛中在8〇°C下在烤箱中烘烤 94874-1010725.doc • 54 · 1379616 該經塗佈之施體膜達ίο分鐘,以產生一轉移層,該轉移層 具有45 nm之乾燥厚度》以同一方法製備相應於第二發射極 之第二施體’但此處用綠色發射極Ir(PPy)2(tmhd)取代紅色 發射極。 選擇性地熱轉印圖案化發射極層 藉由LITI使來自第一施體之該轉移層在該受體上成像, 以產生一圖案化發射極層。以三角抖動模式及4〇〇 KHz之頻 率、以單向掃描並以4瓦特之功率使用一雷射。要求之線寬 係110微米並具有495微米之間距,劑量係〇9〇 J/cm2。然 後’藉由LITI並使㈣同-雷射配置將來自該第二施體之 該轉移層成像至該同一受體上,以提供包括第一(紅色)與第 二(綠色)發射極的-圖案化發射極層。使包含該綠色發射極 之該轉移層之來源相對於包含該紅色發射極之該轉移層^ 來源偏移+165微米。 沈積非圖案化發射極層與沈積陰極 然後’按照結合範例1說明之沈積該:爲子扣产 償成寺層之程序,在該圖 案化發射極層上(包含該第一(紅色)盥 厂、这弟一(綠色)發射極) 沈積一非圖案化發射極層(包含二苯與 I篏本藍色染料)與一雙 層陰極。 電激發光頻譜 使用結合範例2說明之該程序觀窣笳 祭範例10之電激發光頻 譜’該電激發光頻譜顯示交替的紅色、綠色及藍色條纹之 圖案,該等江色與綠色發光圖案與藉由選擇性夢 LITI)所圖案化之區域一致。 ^ 94874-1010725.doc •55· 1379616 範例11 範例11說明製造依據本發明的一電激發光裝置的一方 法,其中將一轉移層(包括第一發射極)選擇性地熱轉印至受 體’以在一溶劑易溶層上形成一圖案化發射極層,並將包 括第二發射極的一層置放在該圖案化發射極層上,以提供 一非圖案化發射極層。 製備電激發光裝置 依據結合範例1說明之程序製備一施體,並將該轉移層選 擇性地熱轉印至受體,以產生一圖案化發射極層,其中該 受體包括一溶劑易溶層,該溶劑易溶層係依據結合範例9 說明之程序製備。以三角抖動模式及4〇〇 KHz之頻率、以單 向掃描並以16瓦特之功率使用兩雷射。要求之線寬係11〇微 米並具有165微米之間距,劑量係〇 65〇 jycm2。然後,按照 結合範例1說明之沈積該等層之程序,在該圖案化發射極層 上沈積一非圖案化發射極層(包含二萘嵌苯藍色染料)與一 雙層陰極。 製備範例11之控制裝置 也按照結合範例〗1使用之程序製備一控制裝置,但此處 不製備該施體,也不熱轉印該圖案化發射極層。然後,將 包含二萘嵌苯藍色染料之該非圖案化發射極層直接置放在 該溶劑易溶層上,而沒有一中間圖案化發射極層。 電激發光頻譜 使用結合範例2說明之程序觀察範例丨丨之裝置之電激發 光頻譜及其控制裝置。範例U之該裝置顯示交替的黃色與 94874-10l0725.doc •56· 13/9616 藍色條紋之目案,該黃色發光_與藉由選擇性熱轉印(藉 由LITI)所圖案化之區域一致。該控制裝置顯示藍色條紋之 圖案,該圖案與ITO條紋之圖案—致。 本文所引用之所有專利、專利申嗜宏八„也 』τ π累'公開案之完整揭 示内容及可以電子方式獲得之#料係以引时式併入本 =。給出前述之詳細說明與範例僅係為了清晰理解。不能 藉此遇為存在任何不必要之限制^ 士 & 受I限刺本發明不限於所示及所 述之精確細節,此係由於由申請皋刹 Τ °月寻利靶圍定義之本發明將 包括對熟知技術人士而言係顯然之變化。 【圖式簡單說明】 圖1Α至1C係示意斷面圖,該等圖說日月組裝㈣本發明之 電激發光裝置之-範例性方法’且該等電激發光裝置具有 「底部陽極」配置。以-簡化方式說明mu:中之該等 方法’以例禾本發明之較佳具體實施例。對於熟知技術人 士而言,所需之附加層係顯然的包括在特定裝置之結構 卜因此’並非意欲將本文說明之該等方法與裝置僅限制 於本文所述之特疋層,而係將其廣泛地解釋為包括所需之 附加層。 圖2A至2C係示料面圖,該等圖說明組裝依據本發明之 ,激發光裝置之-範例性方法,且該等電激發光裝置具有 「頂部陽極」配置。以一簡化方式說明圖2八至%中之該等 方法W例不本發明之較佳具體實施%。對於熟知技術人 士而吕’所需之附加層係顯然的包括在特定裝置之結構 中因此並非意欲將本文說明之該等方法與裝置僅限制 94874-1010725.doc -57- 1^/9616 ;本文所述之特定層,而係將其廣 之 附加層。 、 地解釋為包括所需 【主要元件符號說明】 105 基板 110 陽極 114 電洞注入層 120 受體 130 圖案化發射極層 140 附加圖案化發射極層 150 非圖案化發射極層 160 陰極 205 基板 210 陰極 220 非圖案化發射極層 230 圖案化發射極層 240 附加圖案化發射極層 244 電洞傳輸層、電洞注入 250 1¾極 94874-1010725.doc • 58 ·

Claims (1)

  1. 丄。/观6「s Μ年 « 丨 .—---------. 圍 +、申請專利範 ^ 一種製造一電激發光裝置之方法,其包括: 將包括一第一發射極的一轉移層之一部分選擇性地熱 轉印至一受體,以形成置放在該受體上並包括該第—發 射極的一圖案化發射極層;及 在該圖案化發射極層與該受體上置放包括一第二發射 極的一層,以形成包括該第二發射極之非圖案化發射極 層。 2.如請求項1之方法,其進一步包括,在形成該非圖案化發 射極層前,將包括一第三發射極的一第二轉移層之一部 分轉選擇性地熱轉印至該受體,以形成—第二圖案化發 射極層,該第二圖案化發射極層置放於該受體上並包括 §亥第三發射極。 3·如請求項1之方法’其中該受體係一陽極'一電洞傳輸 層、-電洞注入層、一電子阻礙層、一介電層、一鈍化 層、—基板或上述的一組合。 4.如6月求項1之方法,其巾該非圖案化發射極層係一未摻雜 -子傳輪層、一摻雜電子傳輸層、一未摻雜電洞阻礙層、 5 一=雜電洞阻礙層或上述的一組合。 ^ 項1之方法,其中該受體係一電洞傳輸層,並將該 受體附著至一陽極。 6 ·如請求項5夕士 法’其中該裝置進一步包括一電洞注入 層,該電、;同、、* λ a ρ " 層係置放在該電洞傳輸層與該陽極之間。 7.如請求項1之方 々在’其進一步包括在該非圖案化發射極層 94874-1010725.doc 1379616 上置放一陰極β I.如之方法’其中該受體係溶劑易溶的。 .-種製"激發光裝置之方法 提供包括一第一菸鼾/、 將勺乜货 非圖案化發射極層;及 轉印至w㈣ 轉移層之一部分選擇性地熱 得p至該非圖案化發射極 ,該圖索n ^形成一圖案化發射極層 "圖案化發射極層係置放 包括該第二發射極。 4圆案化發射極層上並 】〇·如請求項9之方法,其進 一笸7匕括將包括一第三發射極的 射^ ―部分選擇性地熱㈣至該非圖案化發 恭a以形成一第二圖案化發射極層,該第二圖案化 =層係置放於該非圖案化發射極層上並包括該第三 考Λ射極。 請求項9之方法’其中該非圖案化發射極層係 電子傳輪層、-推雜電子傳輸層、一未擦雜電洞a礙層雜 -掺雜電洞阻礙層、一未摻雜電子注入層、一摻雜電子 注入層或上述的一组合。 12.如請求項9之方法,其進一步包括在該圖案化發射極廣與 該非圖案化發射極層上置放一陽極。 U.如請求項12之方法,其中該裝置進一步包括置放在該圖 案化發射極層與該陽極之間的—電洞傳輸層、—電洞注 入層、一電子阻礙層或上述的一組合。 圖案化發射極層之侧係附著一陰極 14·如請求項9之方法,其中與該圖案化發射極層相對 圖案化路 Al· 4s: Λι.丨 /么!Ti. ·Μτ 94874-1010725.doc -2 · 1379616 15.如請求項9之方法,其中該非圖案化發射極層係溶劑易溶 的0 94874-1010725.doc 1379616 七、指定代表圖: (一)本案指定代表圖為:第(1C )圖。 (二)本代表圖之元件符號簡單說明: 105 基板 110 陽極 114 電洞注入層 120 受體 130 圖案化發射極層 140 附加圖案化發射極層 150 非圖案化發射極層 160 陰極 八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: (無) 94874-1010725.doc
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