TWI379308B - Bit line precharge circuit having precharge elements outside sense amplifier - Google Patents

Description

1379308 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 此揭露關於一種半導體記憶裝置，且尤其是 可改善位元線預充電作業之位元線預充電電路。 【先前技術】 通常，半導體記憶裝置中之位元線預充電電 線預充電作業期間，將一對位元線預充電至電源 VCC之一半。在預充電作業中，重要的是要保持 憶裝置中該對位元線之預充電電壓位準爲電源 VCC之一半。 在該對位元線之預充電電壓高於電源供應電 一半的情況，於高電壓位準下，資料之容.限變差 對位元線之預充電電壓低於電源供應電壓VCC之 況中，於低位準，資料之容限變差。亦即，在將 線預充電至電源供應電壓VCC之一半的狀態中， 作業中選取連接至記憶胞元之字元線時，實施該 之間的電荷分享作業。此時，在當預充電電壓位 源供應電壓VCC之一半時，位元線感測放大器使 線上之高位準資料放大的情況，無法將該對位元 位準資料放大至電源供應電壓VCC之足夠電壓位 確切地實施放大。類似地，在當預充電電壓位準 供應電壓VCC之一半時，位元線感測放大器使該 上之低位準資料放大的情況下，無法將該對位元 位準資料放大至地電壓之足夠電壓位準或無法確 關於一種 路在位元 供應電壓 半導體記 供應電壓 壓VCC之 ，且在該 一半的情 該對位元 當於主動 對位元線 準高於電 該對位元 線上之高 準或無法 低於電源 對位元線 線上之低 切地實施 1379308 放大。 習知之半導體記憶裝置使用位元線感測放大器中所含 之預充電電路以預充電位元線。然而，隨半導體裝置中整 合位準之增加，位元線阻抗增加，且由於該等增加之阻抗， 位元線預充電之特性變差。 【發明內容】 在此揭露之一態樣中，提供一種能有經改善位元線預 充電作業之位元線預充電電路。 在實施例中，位元線預充電電路包括：第一預充電元 件，用以回應第一預充電信號，預充電第一位元線；預充 電單元，用以回應第二預充電信號，預充電第二及第三位 元線；以及第二預充電元件，用以回應第三預充電信號， 預充電第四位元線。 當對弟一與桌一胞兀區塊中之至少一者輸入主動命 令，且該第二胞元區塊鄰接該第一胞元區塊時，使該第一 預充電信號不啓動。 當對該第一胞元區塊與一第三胞元區塊中之至少一者 輸入主動命令，且該第三胞元區塊鄰接該第一胞元區塊 時，使該第二預充電信號不啓動。 當對該第三胞元區塊與一第四胞元區塊中之至少一者 輸入主動命令’且該第四胞元區塊鄰接該第三胞元區塊 時，使該第三預充電信號不啓動。 該第一及第二位元線係形成在該第一胞元區塊之記憶 胞元中。 1379308 該第三及第四位元線係形成在該第三胞元區塊之記憶 胞元中^ 該預充電單元係包含在該第一胞元區塊之位元線感測 放大器中。 在另一實施例中，一種位元線預充電電路包括：胞元 預充電信號產生單元，用以回應一第一胞元區塊之主動命 令，產生第一、第二及第三預充電信號；第一預充電元件， 用以回應該第一預充電信號，預充電第一位元線；第一預 充電單元，用以回應該第二預充電信號，預充電第二位元 線及第二位元反相線（bar line)，其中該第二位元反相線與 該第二位元線互補：以及第二預充電元件，用以回應該第 三預充電信號，預充電第三位元線。 該胞元預充電信號產生單元包含：胞元區塊信號產生 單元，用以回應該主動命令，產生第一胞元區塊信號；及 預充電控制單元，用以回應該第一胞元區塊信號，產生第 一、第二及第三預充電信號。 該預充電控制單元包含：第一預充電信號產生單元， 配置成接收該第一胞元區塊信號及第二胞元區塊信號，並 產生第一預充電信號，其中該第二胞元區塊信號係回應鄰 接該第一胞元區塊之第二胞元區塊的主動命令而產生：第 二預充電信號產生單元，配置成接收該第一胞元區塊信號 及第三胞元區塊信號，並產生第二預充電信號，其中該第 三胞元區塊信號係回應鄰接該第一胞元區塊之第三胞元區 塊的主動命令而產生：以及第三預充電信號產生單元，配 1379308 置成接收該第三胞元區塊信號及第四胞元區塊信號，並產 生第三預充電信號，其中該第四胞元區塊信號係回應鄰接 該第三胞元區塊之第四胞元區塊的主動命令而產生。 該第一預充電信號產生單元產生該第一預充電信號， 其中當使該第一與第二胞元區塊信號中之至少一者啓動 時，使該第一預充電信號不啓動。 該第一預充電信號產生單元包含：邏輯單元，用以執 行該第一與第二胞元區塊信號之邏輯運算；以及位準位移 器，用以位移該邏輯單元之輸出信號之電壓位準。 該第二預充電信號產生單元產生該第二預充電信號， 其中當使該第一與第三胞元區塊信號中之至少一者啓動 時，使該第二預充電信號不啓動。 該第二預充電信號產生單元包含：邏輯單元，用以執 行該第一與第三胞元區塊信號之邏輯運算；以及位準位移 器，用以位移該邏輯單元之輸出信號之電壓位準。 該第三預充電信號產生單元產生該第三預充電信號， 其中當使該第三與第四胞元區塊信號中之至少一者啓動 時，使該第三預充電信號不啓動。 該第三預充電信號產生單元包含：邏輯單元，用以執 行該第三與第四胞元區塊信號之邏輯運算；以及位準位移 器，用以位移該邏輯單元之輸出信號。 該第一及第二位元線形成在該第一胞元區塊之記憶胞 元中。 與該第二位元線互補之該第二位元反相線及該第三位 1379308 元線係形成在該第三胞元區塊中。 該第一預充電單元係包含在該第一胞元區塊之位元線 感測放大器中》 該位元線預充電電路更包括··第一反相器，用以緩衝 該第一預充電信號，並將該第一預充電信號傳送至該第一 預充電元件；第二反相器’用以緩衝該第二預充電信號， 並將該第二預充電信號傳送至該第一預充電單元；以及第 三反相器，用以緩衝該第三預充電信號，並將該第三預充 電信遗傳送至該第一預充電兀件。而且，該位兀線預充電 電路更包括：第三預充電元件，含在鄰接該第二胞元區塊 之第五胞元區塊中，用以回應該第四預充電信號，預充電 與該第一位元線互補之第一位元反相線；第二預充電單 元，含在該第二胞元區塊中，用以回應第五預充電信號， 預充電該第一位元線與該第一位元反相線的第二預充電單 元；第四預充電元件，含在該第二胞元區塊中，用以回應 第六預充電信號，預充電該第二位元線；第五預充電元件， 用以回應第七預充電信號，預充電與該第二位元線互補之 該第二位元反相線；以及第三預充電單元，含在該第三胞 元區塊中，用以回應第八預充電信號，預充電該第三位元 線。 回應該第一胞元區塊信號之啓動，使該第四至第八預 充電信號不啓動。 在還另一實施例中，位元線預充電電路包括：預充電 元件，具有第一至第四位元線之矩陣（mat)，用以回應第一 1379308 預充電信號，預充電該第一至第三位元線之預充電元件； 以及預充電單元，用以回應第二預充電信號，預充電該第 二至第四位元線。 【實施方式】 此後，本發明將透過諸實例及諸實施例予以詳述。該 等實例及實施例爲本發明應用之例證，且此揭露之範圍及 增補之申請專利範圍未侷限於此。 第1圖爲說明依據此揭露實施例之位元線預充電電路 的示意方塊圖。 參考第1圖，依據實施例實施之位元線預充電電路包 含胞元預充電信號產生單元1及胞元預充電單元2。 胞元預充電信號產生單元1包含第一至第i胞元預充 電信號產生單元（l:i)且分別產生第一至第i緩衝高預充電 信號CHB1至CHBi、第一至第i緩衝中預充電信號CMB1 至CMBi及第一至第i緩衝低預充電信號CLB1至CLBi。 該胞元預充電單元2包含第一至第i胞元區塊，其分 別由第一至第i緩衝高預充電信號CHB1至CHBi、第一至 第i緩衝中預充電信號CMB1至CMBi及第一至第i緩衝低 預充電信號CLB1至CLBi予以預充電。 依據實施例實施之位元線預充電電路將參考第2圖中 之第η胞元預充電信號產生單元12及第η胞元區塊22予 以詳述。在實際半導體記憶裝置中，該等胞元區塊係配製 成多數列與行。然而，爲說明方便起見，將透過第2圖說 明三列與一行之簡單配置。 -10- 1379308 第η胞元預充電信號產生單元12包含第η胞元區塊信 號產生單元106及第η預充電控制單元108。當對第η胞 元區塊22輸入主動命令時，第η胞元區塊信號產生單元 106產生自高電壓位準遷移至低電壓位準之第：！胞元區塊 信號Cn。第η預充電控制單元108接收第（η-l)至（η + 2)胞 元區塊信號Cn-1、Cn、Cn+1及Cn + 2且接著產生第η高預 充電信號CHn、第η中預充電信號CMn及第η低預充電信 號CLn。當對第（η-l)至（η + 2)胞元區塊分別輸入主動命令 時，第（η-l)至（η + 2)胞元區塊信號Cn-1、Cn、Cn+Ι及Cn + 2 自高電壓位準遷移至低電壓位準。 如第3圖中所示，第η預充電控制單元108包含第一 至第三預充電信號產生單元1 0 8 0、1 084及1 0 8 8。 第一預充電信號產生單元1080包含：邏輯單元1081， 用以執行第（η-l)胞元區塊信號Cn-Ι與第η胞元區塊信號 Cn之AND運算；位準位移器1082,用以位移邏輯單元1081 之輸出信號之電壓位準；及緩衝器1083，用以緩衝位準位 移器1082之輸出信號。此處，當低位準未啓動第（η-l)胞元 區塊信號Cn-Ι與第η胞元區塊信號Cn之至少之一者時， 第一預充電信號產生單元1080產生自低電壓位準遷移至 高電壓位準之第η高預充電信號CHn。 第二預充電信號產生單元1084包含：邏輯單元1085, 用以執行第η胞元區塊信號Cn與第（n+1)胞元區塊信號 Cn+1之AND運算；位準位移器1086，用以位移邏輯單元 1〇85之輸出信號之電壓位準，·及緩衝器1 087，用以緩衝位 1379308 ♦ * 準位移器10 86之輸出信號。此處，當低位準未啓動第η胞 元區塊信號Cn與第（η+1)胞元區塊信號Cn+Ι之至少之一者 時，第二預充電信號產生單元1084產生自低電壓位準遷移 至高電壓位準之第η中預充電信號C Μη。 第三預充電信號產生單元1088包含：邏輯單元1089, 用以執行第（η+1)胞元區塊信號Cn+Ι與第（η + 2)胞元區塊信 號Cn + 2之AND運算；位準位移器1090，用以位移邏輯單 ' 元1089之輸出信號之電壓位準；及緩衝器1091，用以緩 ® 衝位準位移器1 090之輸出信號。此處，當低位準未啓動第 (η+1)胞元區塊信號Cn+Ι與第（n + 2)胞元區塊信號Cn + 2之 至少之一者時，第三預充電信號產生單元1088產生自低電 壓位準遷移至高電壓位準之第η低預充電信號CLn。 第η胞元區塊22包含第η子字元位元信號產生單元 220、第η矩陣222、第η緩衝器單元224、第η上預充電 元件2 2 6、第η位元線感測放大器2 2 8及第η下預充電元 件 23 0 » ® 第η子字元位元信號產生單元220產生當對第η胞元 區塊22輸入主動命令時使其啓動之字元線信號 WL0至 WLj。 . 多數記憶胞元及相應於該等多數記憶胞元之多數位元 線係包含在第η矩陣222中。然而，爲說明方便起見，第 2圖中僅表示兩條線，一第—位元線BL0及一第二位元線 BL1。 參考第4圖’第η緩衝器單元224包含反相器IV30、 -12- 1379308 IV31及IV32，其分別接收第η高預充電信號CHn、第η 中預充電信號CMn及第η低預充電信號CLn，且接著，分 別輸出第η緩衝高預充電信號CHBn、第n緩衝中預充電信 號CMBn及第η緩衝低預充電信號CLBp 第5圖爲說明第η上預充電元件226、第η位元線感 測放大器228及第η下預充電元件230的電路圖。

參考第5圖，第η上預充電元件226包含NMOS電晶 體Ν30。NMOS電晶體Ν30連接至第一位元線BL0及位元 線預充電電壓VBLP，且回應第η緩衝高預充電信號CHBn 而導通。與第一位元線BL0互補之第一位元反相線BLOB 係配置在第（n-1)矩陣210中。 第 η位元線感測放大器22 8包含感測放大器鎖存器 2280及預充電單元2282。預充電單元2282包含NMOS電 晶體N 3 1及N 3 2。Ν Μ Ο S電晶體N 3 1係連接在第二位元線 BL1與位元線預充電電壓VBLP之間，且回應第η緩衝中 預充電信號CMBn而導通。NMOS電晶體Ν32係連接在位 元線預充電電壓VBLP與和第二位元線BL1互補之第二位 元反相線BL1B之間且回應第η緩衝中預充電信號CMBn 而導通。當NMOS電晶體N31及N32回應高電壓位準之第 η緩衝中預充電信號C Μ Β η而導通時，判定位元線感測放 大器22 8之預充電狀態，且接著施加位元線預充電電壓 VBLP至第二位元線BL1及第二位元反相線BL1B。此處， 與第二位元線BL1互補之第二位元反相線BL1B係配置在 第（n+1 )矩陣23 4中。 1379308 下預充電元件230包含連接至位元線預充電電壓 VBLP之NMOS電晶體N33及第三位元反相線BL2B，且回 應第η緩衝低預充電信號CLB η而導通。此處，與第三位 兀線BL2互補之第三位兀反相線BL2B係配置在第（η+ι)矩 陣234中’且第三位元線BL2係配置在第（η + 2)矩陣（未示 出）中。 如以上所提及，依據第η胞元預充電信號產生單元12 及第η胞元區塊22說明依據本發明之位元線預充電電路。 以上未說明之其它區塊（第2圖中所示）可自第η胞元預充 電信號產生單元12及第η胞元區塊22予以類比化。 位元線預充電作業將參考第2至6圖予以說明。 首先，在預充電狀態下，位元線預充電電路中所含之 胞元區塊信號產生單元CBSG(1: i)分別產生高電壓位準之 第一至第i胞元區塊信號C1至Ci。因此，第一至第i預充 電控制單元PCU(l:i)分別產生第一至第i高預充電信號 CHl-CHi、第一至第i中預充電信號CMl-CMi、及低電壓 位準之第一至第i低預充電信號CLl-CLi。 由第一至第i緩衝單元BUFFER(1: i)所產生之第一至 第i緩衝高預充電信號CHBl-CHBi、第一至第i緩衝中預 充電信號 CMBl-CMBi及第一至第i緩衝低預充電信號 CLBl-CLBi處於高電壓位準，使得第一至第i上預充電元 件UPDP(1 : i)中所含之所有NMOS電晶體、第一至第i位 元線感測放大器S/A(l : i)及第一至第i下預充電元件 DNDP(1 : i)導通，且接著將胞元預充電單元2中所含之所 -14-

1379308 有位元線預充電至預充電電壓VBLP。 當在預充電狀態對第2圖之第η胞元區塊 命令時，由第η胞元區塊信號產生單元106用 胞元區塊信號Cn自高電壓位準遷移至低電壓f 參考第3圖，接收低電壓位準之第η胞元 的第η預充電控制單元108產生第η高預充電 自低電壓位準經歷遷移至高電壓位準之第η中 CMn。更詳細地說，邏輯單元1081及1085依 準之第η胞元區塊信號Cn，輸出個別之低位準 使NMOS電晶體N20與N22以及PMOS電晶儀 導通，使得第η高預充電信號CHn及第η中預充 兩者經歷遷移至高電壓位準。此時，自位準位 1086及1090輸出之輸出信號爲位移至高電壓 源供應電壓HVDD的位準輸出信號。 第η高預充電信號CHn及經歷遷移至高電 η中預充電信號C Μη由第4圖之第η緩衝器單 衝並釋放第η上預充電元件226及第η位元線 22 8之預充電狀態。更具體地說，參考第5圖 衝器單元2 24所緩衝之第η緩衝高預充電信號 緩衝中’預充電信號CMBn處於低電壓位準。因. 電晶體N30、N31及N32不導通，使得不會旅 壓VBLP至第一位元線BL0、第二位元線BL1 反相線B L 1 B。 而且，接收低電壓位準之第η胞元區塊 22輸入主動 :產生之第η JU ΛΗ· 上準。 區塊信號C η 信號CHn及 預充電信號 據低電壓位 信號。因此， I P21 與 P23 電信號CMn 移器1082 、 位準之高電 壓位準之第 元224所緩 :感測放大器 ，由第η緩 CHBn及第η 比，使NMOS 丨加預充電電 及第二位元 『號Cn的第 -15- 1379308 (n-2)預充電控制單元100產生經歷遷移至高電壓位準之第 (n-2)低預充電信號CLn-2»高電壓位準之第（n_2)低預充電 信號CLn-2係由第（n-2)緩衝器單元200所緩衝，使第（n-2) 下預充電元件206之預充電狀態釋放。因此，不會施加預 充電電壓VBLP至與第一位元線BL0互補之第一位元反相 線 BLOB 〇 接收低電壓位準之第η胞元區塊信號Cn的第（η·1)預 充電控制單元104產生經歷遷移至高電壓位準之第（心^中 預充電信號CMn-1及第（n-1)低預充電信號CLn-1。高電壓 位準之第（n-1)中預充電信號CMn-Ι及第（n-1)低預充電信 號CLn-Ι係由第（n-1)緩衝器單元212所緩衝，並使得第 (n-1)位元線感測放大器216及第（η-1)下預充電元件218之 預充電狀態釋放。因此，不會施加預充電電壓VBLP至第 一位元反相線BLOB、第一位元反相線BLOB及第二位元線 BL 1。 而且，接收低電壓位準之第η胞元區塊信號Cn的第 (n+1)預充電控制單元1 12產生經歷遷移至高電壓位準之第 (n+1)高預充電信號CHn+卜高電壓位準之第（n+1)高預充電 信號CHn+Ι係由第（n+1)緩衝器單元236所緩衝，使第（n+1) 上預充電元件238之預充電狀態釋放。因此，不會施加預 充電電壓VBLP至與第二位元線BL1互補之第二位元反相 線 BL1B 〇 再次參考第6圖，第n胞元區塊信號Cn自高電壓位準 經歷遷移至低電壓位準，且由低電壓位準之第η胞元區塊 -16- 1379308 信號Cn所緩衝的第（n-2)緩衝低預充電信號CLBn-2、第 (n-1)緩衝中預充電信號CMBn-Ι、第（n-1)緩衝低預充電信 號CLBn-Ι、第η緩衝高預充電信號CHBn、第η緩衝中預 充電信號CMBn及第（η+1)緩衝低預充電信號CLBn+Ι經歷 遷移至低電壓位準。因此釋放第η矩陣222中第一及第二 位元線BLO及BL1之預充電狀態。而且，釋放第（η^)矩陣 210中第一位元反相線BLOB之預充電狀態，亦釋放第二位 元反相線B L 1 B之預充電狀態。 如以上所提及，本發明藉由執行位元線預充電，改善 預充電作業之特性，其透過具有異於習知位元線預充電電 路之感測放大器之上預充電元件及下預充電元件的該等預 充電元件，於習知之位元線預充電電路中，僅藉由位元線 感測放大器中所含之預充電元件實施預充電作業。 第7圖爲說明第2圖之矩陣、該等預充電元件及預充 電單元之配置實例的詳細方塊圖。 參考第7圖’矩陣30中之第一位元線bl〇及第三位元 線BL2係稱接至預充電兀件32’且第二位元線BL1及第四 位元線BL3係親接至位元線感測放大器中所含之預充電單 元34。矩陣3G中之一或更多附加位元線（未示出）係耦接至 預充電元件32，且矩陣30中之一或更多附加位元線係耦 接至預充電單元34。 預充電兀件32回應緩衝高預充電信號CHB以預充電 第一及第三位兀線BL0及BL2’且預充電單元34回應緩衝 中預充電信號CMB以預充電第二及第四位元線BL1及 1379308 BL3。當對含矩陣30之胞元區塊或對鄰接該胞元區塊之另 一胞元區塊輸入主動命令時，使該緩衝高預充電信號CHB 不啓動。而且，當對含矩陣30之胞元區塊或對鄰接該胞元 區塊之另一胞元區塊輸入主動命令時，使該緩衝中預充電 信號CMB不啓動。 儘管本發明已針對特定諸實例及諸實施例作說明，對 該等嫻熟該技術者而言，顯然可作各種變更及修正，而不 偏離此揭露及下列申請專利項目之精神及範圍。 此揭露對2008年3月21日所提出之韓國專利申請案 號10-2008-0 02 660 6主張優先權，在此倂入該申請案之整體 內容供參考。 【圖式簡單說明】 從連同隨圖所取之下列詳細說明，將更清楚了解此揭 露之主要事項的以上與其它觀點、特點及其它優點，其中： 第1圖爲說明依據所揭露實施例之位元線預充電電路 的示意方塊圖； 第2圖爲說明第1圖之位元線預充電電路的詳細方塊 圖， 第3圖爲說明第2圖之第η預充電控制單元的電路圖； 第4圖爲說明第2圖之第η緩衝器的電路圖； 第5圖爲說明第2圖之第η上預充電元件、第η位元 線感測放大器及第η下預充電元件的電路圖； 第6圖爲說明第2圖之位元線預充電電路作業的時序 圖；以及 -18- 1379308 第7圖爲說明第1圖之位元線預充電電路中之矩陣、 預充電元件及預充電單元之配置實例的詳細方塊圖。 【元件符號說明】

1 胞元 預 充 電 信 號 產 生 單 元 2 胞元 預 充 電 單 元 12 第η 胞 元 預 充 電 信 號 產 生 單元 22 第η 胞 元 區 塊 30 矩陣 32 預充 電 元 件 34 預充 :電 單 元 100 第“ 卜2)預 充 電 控 制 單 元 104 第（r 1-1)預 充 電 控 制 單 元 106 第η 胞 元 區 塊 信 號 產 生 單 元 108 第η 預 充 電 控 制 單 元 200 緩衝 :器 單 元 206 下預 丨充 電 元 件 2 10 第（r 卜1)矩 陣 212 緩衝 i器 單 元 2 16 位元 :線 感 測 放 大 器 2 18 下預 ί充 電 元 件 220 第η 子 字 元 位 元 信 Qr^ Wl 產 生 單元 222 第η 〖矩 陣 224 第η 丨緩 衝 器 單 元 226 第η [上 預 充 電 元 件 第n位元線感測放大器 下預充電元件 矩陣 緩衝器單元 上預充電元件 第一預充電信號產生單元 邏輯單元 位準位移器 緩衝器 第二預充電信號產生單元 邏輯單元 位準位移器 緩衝器 第三預充電信號產生單元 邏輯單元 位準位移器 緩衝器 感測放大器鎖存器 預充電單元 第一位兀線 第二位元線 第三位元線 第四位元線 第一位元反相線 第二位元反相線 -20 - 1379308

DNDP IV3 0, IV3 1 , IV3 2 N20,N22, N30,N3 1 ,N32 P21 , P23

PCU

S/A 下預充電元件 反相器 N Μ 0 S電晶體 Ρ Μ 0 S電晶體 預充電控制單元 位元線感測放大器

UPDP 上預充電元件

Claims (1)

1379308 ·» .·» 修正本 第97 1 28 590號「於感測放大器外部具有預充電元件之位元 線預充電電路」專利案 (201 2年08月22日修正） 十、申請專利範圍： 1-一種位元線預充電電路，包括： 第一預充電元件，用以回應第一預充電信號，預充 電第一位兀線； 預充電單元，用以回應第二預充電信號，預充電第 二及第三位元線；以及 第二預充電元件，用以回應第三預充電信號，預充 電第四位元線， 其中該第一位元線係連接至第一位元線感測放大 器，該第二及第三位元線係連接至第二位元線感測放大 器，且該第四位元線係連接至第三位元線感測放大器。 2 .如申請專利範圍第1項之位元線預充電電路，其中當該 第一位元線感測放大器正在感測並放大該第一位元線之 信號時，使該第一預充電信號不啓動。 3 .如申請專利範圍第2項之位元線預充電電路，其中當該 第二位元線感測放大器正在感測並放大該第二及第三位 元線之信號時，使該第二預充電信號不啓動。 4.如申請專利範圍第3項之位元線預充電電路，其中當該 第三位元線感測放大器正在感測並放大該第四位元線之 信號時，使該第三預充電信號不啓動。 5 .如申請專利範圍第2項之位元線預充電電路’其中該第 1379308 • I 修正本 一預充電元件係開啓以將該第一位元線與供應一預充電 電壓之終端之間連接。 6. 如申請專利範圍第3項之位元線預充電電路，其中該預 充電單元包含第一開關及第二開關，該第一開關係開啓 以將該第二位兀線與供應一預充電電壓之終端之間連 接’且該第二開關係開啓以將該第三位元線與該終端之 間連接。 7. 如申請專利範圍第4項之位元線預充電電路，其中該第 —預充電單兀1係開啓以將該第四位兀線與供應一預充電 電壓之終端之間連接。 8 · —種位元線預充電電路，包括： 胞元區塊信號產生單元，用以回應一主動命令，產 生第一胞元區塊信號： 預充電控制單元，用以回應該第一胞元區塊信號， 產生第一、第二及第三預充電信號； 第一預充電元件，用以回應該第一預充電信號，預 充電第一位元線； 第一預充電單元，用以回應該第二預充電信號，預 充電第二位元線及第二位元反相線（bar line)，其中該第 二位元反相線係與該第二位元線互補；以及 第二預充電元件，用以回應該第三預充電信號，預 充電第三位元線。 9.如申請專利範圍第8項之位元線預充電電路，其中該預 充電控制單元包含： 1379308 * I 修正本 第一預充電信號產生單元’配置成接收該第一胞元 區塊信號及第二胞元區塊信號’並產生第—預充電信 號，其中該第二胞元區塊信號係回應鄰接該第一胞元區 塊之第二胞元區塊的主動命令而產生； 第二預充電信號產生單元’配置成接收該第一胞元 區塊信號及第三胞元區塊信號’並產生第二預充電信 號，其中該第三胞元區塊信號係回應鄰接該第一胞元區 塊之第三胞兀區塊的主動命令而產生；以及 ' 第三預充電信號產生單元，係配置成接收該第三胞 元區塊信號及第四胞元區塊信號，並產生第三預充電信 號，其中該第四胞元區塊信號係回應鄰接該第三胞元區 塊之第四胞元區塊的主動命令而產生》 10. 如申請專利範圍第9項之位元線預充電電路，其中該第 —預充電信號產生單元產生該第一預充電信號，當使該 第一與第二胞元區塊信號中之至少一者啓動時，使該第 一預充電信號不啓動。 11. 如申請專利範圍第10項之位元線預充電電路，其中該第 一預充電信號產生單元包含： 邏輯單元，用以執行該第一與第二胞元區塊信號之 邏輯運算；以及 位準位移器’用以位移該邏輯單元之輸出信號的電 壓位準。 12. 如申請專利範圍第9項之位元線預充電電路，其中該第 二預充電信號產生單元產生該第二預充電信號，當使該 -3- 1379308 » » 修正本 第一與第三胞元區塊信號中之至少一者啓動時，使該第 二預充電信號不啓動。 13.如申請專利範圍第12項之位元線預充電電路，其中該第 二預充電信號產生單元包含： 邏輯單元，用以執行該第一與第三胞元區塊信號之 邏輯運算；以及 位準位移器，用以位移該邏輯單元之輸出信號的電 壓位準。 * I4·如申請專利範圍第9項之位元線預充電電路，其中該第 三預充電信號產生單元產生該第三預充電信號，其中當 使該第三與第四胞元區塊信號中之至少一者啓動時，使 該第三預充電信號不啓動。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之位元線預充電電路，其中該第 三預充電信號產生單元包含： 邏輯單元，用以執行該第三與第四胞元區塊信號之 邏輯運算；以及 位準位移器，用以位移該邏輯單元之輸出信號的電 壓位準。 1 6 .如申請專利範圍第7項之位元線預充電電路，其中該第 —及第二位元線係形成在該第一胞元區塊之記憶胞元 中〇 1 7 .如申請專利範圍第9項之位元線預充電電路，其中與該 第二位元線互補之該第二位元反相線及該第三位元線係 形成在該第三胞元區塊中。 -4- 1379308 > < . 修正本 18. 如申請專利範圍第8項之位元線預充電電路其中該第 —預充電單元係包含在該第一胞元區塊之位元線感測放 大器中。 19. 如申請專利範圍第8項之位元線預充電電路，更包括： 第一反相器’用以緩衝該第一預充電信號並將該第 一預充電信號傳送至該第一預充電元件； 第二反相器’用以緩衝該第二預充電信號並將該第 二預充電信號傳送至該第一預充電單元；以及 第三反相器’用以緩衝該第三預充電信號並將該第 三預充電信號傳送至該第二預充電元件。 20. 如申請專利範圍第9項之位元線預充電電路，更包括： 第三預充電元件，其包含在鄰接該第二胞元區塊之 第五胞元區塊中，用以回應該第四預充電信號，預充電 與該第一位元線互補之第一位元反相線； 第二預充電單元，其包含在該第二胞元區塊中，用 以回應第五預充電信號，預充電該第一位元線與該第一 位元反相線； 第四預充電元件，其包含在該第二胞元區塊中，用 以回應第六預充電信號，預充電該第二位元線； 第五預充電元件，用以回應第七預充電信號，預充 電與該第二位元線互補之該第二位元反相線；以及 第三預充電單元，其包含在該第三胞元區塊中，用 以回應第八預充電信號，預充電該第三位元線。 2 1 .如申請專利範圍第20項之位元線預充電電路，其中回應 -5- 1379308 修正本 該第一胞元區塊信號之啓動，使該第四至第八預充電信 號不啓動。 22. —種位元線預充電電路，包括： 預充電元件，用以回應第一預充電信號，預充電該 第一位元線；以及 預充電單元，用以回應第二預充電信號，預充電該 第二及第三位元線， 其中該第一位元線係連接至第一位元線感測放大 J 器，且該第二及第三位元線係連接至第二位元線感測放 大器。 2 3 .如申請專利範圍第2 2項之位元線預充電電路，其中當該 第一位元線感測放大器正在感測並放大該第一位元線之 信號時，使該第一預充電信號不啓動。 24. 如申請專利範圍第23項之位元線預充電電路，其中該第 二位元線感測放大器正在感測並放大該第二及第三位元 線之信號時’使該第二預充電信號不啓動。 25. 如申請專利範圍第23項之位元線預充電電路，其中該第 一預充電元件係開啓以將該第一位元線與供應一預充電 電壓之終端之間連接。 26. 如申請專利範圍第24項之位元線預充電電路，其中該預 充電單兀包含第一開關及第二開關，該第一開關係開啓 以將該第二位元線與供應一預充電電壓之終端之間連 接，且該第二開關係開啓以將該第三位元線與該終端之 間連接。 -6-