TWI375067B - - Google Patents

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1375067 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種液晶顯示裝置及其製造方法。 【先前技術】 液晶顯示元件因薄型、輕量、消耗電力低等優點’一吉 應用於各種用途之顯示元件。近年來，廣泛應用於從家庭 用大型電視機至小型行動終端機上，顯示元件所要求之特 性亦更為嚴格。特別是關於視角的要求變得更強。 因此’從先前之TN(Twisted Nematic ;扭轉向列）模式開 始，提出有橫向電場方式之IPS(In_Plane Switching ;平面 轉換）模式（例如參照專利文獻1}，及多區域配向va (Vertical AHgn ;垂直配向）模式（MVA，Muiti D〇main

Vertical Alignment ;多區域垂直配向）（例如參照專利文獻 2)等。 其中，以MVA為代表之VA模式’係高生產性之模式， 其液晶分子對於基板垂直配向，故容易獲得高對比 (Contrast Ratio ; CR)，晶胞間隙之控制餘裕亦較廣泛等。 作為其分割配向方法揭示有以下方法：藉由於像素部設置 介電體之構造物，及於像素之透明電極（例如ΙΊΓ〇 : Indium Tin Oxide ;氧化銦錫）部設置缺口及狹縫，而利用其傾斜 電場控制液晶分子之配向（例如參照專利文獻3)。 據此，如圖12(1)之平面佈局模式圖及圖12(2)之要部剖面 圖所示，藉由於一像素40内之像素電極12、32置入缺口， 將像素40分割為複數個，並以位於各分割之次像素5〇(5 !、 I24325.doc 1375067 52、53)之中心之方式在相反側之像素電極（共通電極）32上 配置用於配向控制之配向控制因子（例如介電體構造物）34 等，藉此，可在次像素50内以設置於像素電極32之配向控 制因子34為中心，呈放射狀地配向液晶分子β由於液晶分 子ζκ呈放射狀地配向，故從方位角方向所視之亮度變化變 小’可獲付廣視角性能。 惟，在將一像素内複數地分割之情形下，有電性連接其 次像素彼此之間之必要，根據上述之文獻，揭示有於次像 素之中央部保留像素電極（共通電極）之方法β根據該方 法’在次像素内，藉由設置於相對電極之配向控制因子控 制配向方向，但該電性連接部處於配向控制較弱之狀態， 按壓液晶面板一旦擾亂配向時，則如圖13(2)之照片所示， 配向混亂。由於連接部之液晶分子之配向倒向與面壓前不 同之方向’故次像素之配向亦混亂’成為配向不良。另， 如圖13(1)之照片所示，可知在未按壓液晶面板表面之狀態 下，不產生配向混亂。 即，如上述圖12所示，先前像素其次像素間之像素電極 (連接部）有電性連接之必要，但由於沒有規定該連接部之 配向之因子，故配向狀態不穩定，在面壓等強制性地擾亂 配向之情形下，配向混亂無法恢復。 圖14顯示配向混亂之一例之模式圖。如此，由於液晶分 子22之配向混亂狀態無法恢復，故可發現在面板上殘留有 壓痕之異常顯示之現象。此現象雖然藉由擴大次像素彼 此之間的距離，可減輕異常顯示，但若擴大次像素5〇彼此 124325.doc 1375067 之間的距離’則會產生穿透率下降之問題。 [專利文獻1]日本特公昭63-21907號公報。 [專利文獻2]日本特開平i〇_186330號公報。 [專利文獻3]日本特開2005-266778號公報。 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 所欲解決之問題點為，由於按壓液晶面板一旦擾亂配向 時’液晶之配向混亂，無法恢復正常狀態，故在液晶面板 上顯示殘留有壓痕之異常顯示。 本發明之目的係提供一種液晶顯示裝置及其製造方法， 其藉由以將像素分割為複數個而形成之次像素作為一個電 性獨立之像素’而抑制藉由按壓液晶顯示裝置之顯示面之 面壓所造成之液晶配向混亂。 [解決問題之技術手段] 請求項1之本發明係一種液晶顯示裝置，其係由具有反 射部及穿透部之複數個像素構成，且上述像素由配向分割 之複數個次像素構成者’其特徵在於具有：於基板上形成 之元件層；被覆上述元件層地於上述基板上形成之絕緣 膜’與上述元件層相連接地於上述絕緣膜上形成之像素電 極；於包含上述元件層與上述像素電極之連接區域之上述 兀件層上之上述絕緣膜上形成之間隙調整層；及在電性連 接上述次像素間之連接部上形成之介電體；上述反射部由 具有上述元件層、被覆上述元件層之上述絕緣膜及形成於 上述，·，邑緣膜上之上述間隙調整層之區域構成；上述穿透部 124325.doc 1375067 由具有在除上述間隙調整層形成區域之外的上述絕緣臈上 形成之上述像素電極之區域構成；上述介電體於上述穿透 部之上述像素電極上形成。 在請求項1之本發明中’因在次像素間之電性連接部形 成介電體，故在按壓液晶面板時不再容易產生液晶配向混 亂，此外，因不必增加步驟數亦可形成上述介電體，故可 避免因形成上述介電體所導致之生產性下降。 請求項7之本發明係一種液晶顯示裝置之製造方法，其 係由具有反射部及穿透部之複數個像素構成，且上述像素 由配向分割之複數個次像素構成之液晶顯示裝置的製造方 法，其特徵在於具備以下步驟：於基板上形成元件層之步 驟；被覆上述元件層地於上述基板上形成絕緣膜之步驟； 與上述元件層相連接地於上述絕緣膜上形成像素電極之步 驟，及於包含上述元件層與上述像素電極之連接區域之上 述元件層上之上述絕緣膜上形成間隙調整層之步驟；上述 反射部由具有上述元件層、上述絕緣膜及上述間隙調整層 之區域所形成，上述穿透部由具有在上述間隙調整層形成 區域之外的上述絕緣膜上形成之上述像素電極之區域形 成，在上述穿透部之上述像素電極上，於電性連接上述次 像素間之連接部上形成介電體。 在請求項7之本發明中，因其具備在電性連接上述次像 素間之連接部上形成介電體之步驟，可使次像素彼此之間 形成電性獨立化之狀態，故可使液晶之配向穩定化。因 此’即使按壓液晶面板一度擾亂液晶之配向，液晶之配向 124325.doc 1375067 •'亦會立即恢復原狀’從而製造可消除因液晶面板之面壓而 殘留症痕之顯不不良之液晶顯示裝置。其次因不必增加 .#驟數而形成介電體，故可避免形成介電體所致之生產性 下降。 [發明效果] 根據明求項1之本發明’因為可消除液晶面板之面壓所 致之顯示不良’故具有可提高顯示品質之優點。又，由於 φ σ使幵/成於電隹連接次像素間之連接部上之介電體及控制 形成於各-人像素之液晶配向之配向控制因子為極小，故可 媒求穿透率之提高。又，先前為提高面壓之耐性，必須縮 小基板間隔（所謂晶胞間隙），但因面壓耐性之提高，可增 大基板間隔’故可提高穿透率特性。 根據請求項7之本發明，因為可消除液晶面板之面壓所 致之顯示不良，故具有可製造能夠提高顯示品質之液晶顯 • 不裝置之優點。又，由於可使形成於電性連接次像素間之 • 連接部上之介電體及控制形成於各次像素之液晶配向之配 向控制因子為極小，故可製造能夠提高穿透率之液晶顯示 • 裝置。又，先前為提尚面壓之耐性，必須縮小基板間隔 (亦稱為晶胞間隙），但因面壓耐性之提高，可增大基板間 ' 隔’故能夠製造提高穿透率特性之液晶顯示裝置。 【實施方式】 精由圖1及圖2說明s青求項1之本發明之液晶顯示裝置之 一實施形態（第1實施例）。圖1係作為顯示裝置之一例，顯 不半穿透型液晶顯示裝置之圖式，其中圖i(i)係顯示液晶 124325.doc -10· 1375067 顯示裝置之液晶胞1個像素份之元件側基板之平面圖，圖 1(2)係® 1⑴中之Α_Αι線剖面圖。又，圖2係像素分割後由 複數個次像素構成之像素之平面佈局模式圖。 首先如圖1(1)及圖2所示，液晶顯示裝置1在對置之基 扳1〇(未圖示）間密封有液晶層20,且由具有反射部5及穿透 部6之顯示圖像之複數個像素4〇構成’各像素4〇由配向分 割而成之複數個次像素，例如次像素50(51、52、53)構 成。上述次像素50間藉由形成於基板1〇上之像素電極14而 電性連接，在該次像素50間之像素電極14上形成有例如缺 口 61❶又，在次像素5〇間之上述像素電極丨4(以下稱為連 接部14C)上形成有介電體16。 又，在形成有上述介電體16側之與基板1〇對置之基板 (相對基板）(未圖示）上，形成有像素電極。在位於各次像 素50之中心之上述像素電極上（液晶層2〇側之面），形成有 配向控制因子34。該配向控制因子34例如以介電體形成。 在圖2中’投影顯示形成配向控制因子34之位置。 以下，具體地說明上述液晶顯示裝置1之構成。如圖 1(2)所示，於元件形成側之基板1〇上形成元件層u，被覆 该凡件層11地於基板1〇上形成絕緣膜12。在上述絕緣膜12 形成有通達上述元件層Η之接觸孔13。並且，在上述絕緣 膜12上形成有通過上述接觸孔13與上述元件層"相連接之 像素電極14。在包含上述元件層η與上述像素電極丨々之連 接區域之上述元件層“上之上述絕緣膜12上，經由像素電 極14之一部分，形成有可調整上述反射部5之液晶層2〇之 124325.doc T度之間隙調整層15。該間隙調整層15例如由有機絕緣臈 或無機絕緣膜形成。此外，至少在電性連接次像素50間之 連接部14C上形成有介電體16。 因此，上述反射部5由具有上述元件層u、被覆上述元 件層11之上述絕緣膜12及在上述絕緣膜12上經由像素電極 14之一部分形成之上述間隙調整層15之區域所構成。該間 隙調整層15上面’形成有例如平滑之凹凸形狀。如此，因 間調整層15之表面形成為凹凸形狀，故可謀求反射特性 之提高。另，於上述間隙調整層15及其表面形成之凹凸形 狀，亦可與相鄰像素連續而形成。此外，在上述間隙調整 層15上形成有反射電極17。如此，因形成有反射電極Η， 故可提高間隙調整層15上之反射，且又因該反射電極以於 間隙調整層15端部與上述像素電極14相連接’故在間隙調 整層15上具有像素電極之功能，再者，上述穿透部6由具 有形成於上述反射部5之外之上述基板1〇上之上述絕緣膜 12之區域構成，上述介電體16，經由上述像素電極形成 於上述穿透部6之絕緣膜12上。 在上述液晶顯示裝置1中’由於至少在電性連接次像素 50間之連接部14C上具有介電體16，故可使次像素5〇彼此 之間電性獨立化’因此可使液晶層2〇之配向，特別是連接 部14C之液晶分子22之配向穩定化。 例如’如圖3(1)所示，在面壓液晶顯示面板前之狀態 下，液晶分子22以配向控制因子34為中心呈放射狀地配 向。並且，如圖3(2)所示，即使在面壓液晶顯示面板後之 124325.doc 1375067 狀態下，由於液晶分子22亦立即恢復原來之配向狀態，故 仍以配向控制因子34為中心呈放射狀地配向，並不產生配 向不良等。因此，有如下之優點’即由於不會產生藉由面 壓之液晶分子22之配向混亂，故可消除藉由液晶面板之面 壓所殘留之壓痕之顯示不良，因此有可提高顯示品質之優 點。並且，從方位角方向所視之亮度變化變小，可獲得廣 視角性能》

又，因液晶分子22之配向穩定，故在先前之像素構造中 為配向之穩定，次像素5〇間之連接部14C需要一定程度之 長度，配置於相對側之配向控制因子34亦需要一定程度之 面積，其成為降低穿透率之主要原因，但如本發明，藉由 於連接部14C配置介電體16，可使該連接部14C及配向控 制因子34為最小限度之大小。藉此，可確保液晶顯示裝置 1之穿透率。X ’先前為提高面壓耐性，必須縮小基板間

隔（亦稱為晶胞間隙），但因面壓耐性提高，故可增大基板 間隔’因此可提高穿透率特性。 又在上述液晶顯不裝置丄中，可不增加步驟數地形成 上述”電體16’從而可避免藉由形成上述介電體16所導致 之生產性降低。 下面，藉由圖4說明本發明之液晶顯示裝置之一實施形 態（第2實施例）。圖4係作為液晶顯示裝置之一例，顯示半 穿透型液晶顯示裝置之圖式’其中，圖4〇)係顯示液晶顯 不裝置之液晶胞之相對側基板側之平面圖，圖4⑺係顯示 圖4(1)中之B-B，線剖面圖。 124325.doc •13· 丄375067 如圖4所不’液晶顯示裝置2在對置之基板l〇、30間密封 液晶層20 ’且由具有反射部5與穿透部6之顯示圖像之複數 個像素40構成，各像素4〇由配向分割而形成之複數個次像 素，例如次像素50(51、52、53)構成◊上述次像素50間藉 由形成於基板i〇上之像素電極丨4電性連接，在該次像素5〇 間之像素電極14，形成有例如缺口 61 »又，在次像素50間 之上述像素電極14(以下稱為連接部14C)上形成有由介 電體構成之間隙調整層丨5。 又，在與上述基板10對置之基板（相對基板）3()，形成有 彩色濾光片層3 1、平坦化膜32、像素電極33。在位於各次 像素50之中心之上述像素電極33上（液晶層2〇侧之面），形 成有配向控制因子34。該配向控制因子34例如以介電體形 成。 下面，具體地說明構成。於元件形成側之基板丨〇上形成 元件層11，被覆該元件層丨〗地在基板10上形成有絕緣膜 12。 在上述絕緣膜12上形成通達上述元件層丨丨之接觸孔 13。 又，在上述絕緣膜12上，形成有通過上述接觸孔13與 上述元件層11相連接之像素電極在包含上述元件層Η 與上述像素電極14之連接區域之上述元件層u上之上述絕 緣膜12上，經由像素電極14之一部分’形成有調整上述反 射部5之液晶層20之厚度之間隙調整層15。該間隙調整層 1 5，例如由有機絕緣膜、無機絕緣膜等介電體形成。 因而，上述反射部5由具有上述元件層u、被覆上述元 件層11之上述絕緣膜12及在上述絕緣膜12上經由像素電極 124325.doc 14之一部分形成之上述間隙調整層^ 5之區域構成。該間隙 調整層15上面’形成為例如平滑之凹凸形狀。如此，間隙 調整層15之表面形成為凹凸形狀，故可謀求反射特性之提 间另，於上述間隙調整層15及其表面形成之凹凸形狀， 亦可與相鄰像素連續而形成。 再者，在上述間隙調整層15，形成有通向上述接觸孔13 之接觸孔18。如此，藉由在反射部5形成接觸孔18，即使 在像素電極14沒有缺口之狀態下，配向較弱之次像素5〇間 之連接/亦#由接觸部而實％，故不產纟藉由液晶面板之面 壓所致之配向混亂。並且，在上述間隙調整層15上，形成 有通過上述接觸孔18與上述像素電極14相連接之反射電極 17。如此形成反射電極17，可提高間隙調整層15上之反 射，且又因該反射電極17於間隙調整層15端部與上述像素 電極14相連接，故在間隙調整層15上具有像素電極之功 能。又，上述穿透部6由具有於上述反射部5之外之上述基 板10上形成之上述絕緣膜12之區域構成。 在上述液晶顯示裝置2中，將像素4〇 一分為3而形成之次 像素50(51、52、53)之中，在中央次像素52上形成反射部 5，因此即使在像素電極14、34上沒有缺口，亦可分割像 素，且可抑制藉由突起之穿透對比之下降，及由於可將突 起部作為反射板使用，故可提高反射特性。又，由於在次 像素5 0間沒有像素之交界、即電性連接穿透部及反射部之 連接部’故無藉由面壓之配向混亂。因此，可使液晶層2〇 之配向，特別是次像素50間之液晶分子之配向穩定化。 124325.doc 15· 厂下面，藉由圖5之概略構成刮面圖說明本發明之液晶顯 置之實施形悲（第3實施例）。圖5係作為液晶顯示裝 置之—例，顯示半穿透型液晶顯示裝置之圖式。 ，如圖5所示，液晶顯示裝置3在對置之基板1〇、％間密封 有液曰日項ζυ，亚由具有反射部5與穿透部6之顯示圖像之複 數個像素40構成，各像素4〇具有配向分割而形成之複數個 _欠像素。 “又，在與基板10對置之基板（相對基板）3〇 ,形成彩色濾 光片層31，並在其上面經由平坦化膜32形成有像素電極 33 〇 下面，具體地說明構成《於元件形成側之基板1〇上形成 元件層11，被覆該元件層11地在基板10上形成有絕緣膜 12。在上述絕緣膜12，形成有通達上述元件層丨丨之接觸孔 13並且，在上述絕緣膜12上，形成有通過上述接觸孔I〗 與上述元件層11相連接之像素電極14。在包含上述元件層 11與上述像素電極14之連接區域之上述元件層11上之上述 絕緣膜12上，經由像素電極14之一部分，形成有調整上述 反射部5之液晶層2 0之厚度之間隙調整層15。該間隙調整 層15 ’例如由有機絕緣膜、無機絕緣膜等介電體形成。 因而，上述反射部5由具有上述元件層丨丨、被覆上述元 件層11之上述絕緣膜12及在上述絕緣膜丨2上經由像素電極 14之一部分而形成之上述間隙調整層15之區域構成。該間 隙調整層1 5上面’形成有例如平滑之凹凸形狀。如此，由 於間隙調整層15之表面形成為凹凸形狀，故可謀求反射特 124325.doc -16 * 1375067 性之提高。另，於上述間隙調整層15及其表面形成之凹凸 形狀，亦可與相鄰像素連續而形成。 再者，在上述間隙調整層15，形成有通向上述接觸孔13 之接觸孔18 ^如此，藉由在反射部5形成接觸孔18，即使 在像素電極14沒有缺口之狀態下，由於配向較弱之次像素 5〇間之連接藉由接觸部而實現，故不會產生藉由液晶面板 之面麗所致之配向混亂。並且，在上述間隙調整層1 5上， 形成有通過上述接觸孔18與上述像素電極14相連接之反射 電極17。如此，由於形成有反射電極17，可提高間隙調整 層15上之反射，且又因該反射電極17通過接觸孔18與上述 像素電極14相連接，在間隙調整層15上具有像素電極之功 能。又，上述穿透部6由具有形成於上述反射部5之外之上 述基板10上之上述絕緣膜12之區域構成。 在上述液晶顯示裝置3中，可獲得與上述液晶顯示襞置j 同樣之作用效果。又，由於在次像素間沒有像素之交界、 即電性連接穿透部及反射部之連接部，故無藉由面壓之配 向混亂。因此，可使液晶層20之配向，特別是次像素間之 液晶分子之配向穩定化。 下面，藉由圖6之概略構成刳面圖說明本發明之液晶顯 示裝置之一實施形態（第4實施例）。圖6作為液晶顯示裝置 之一例，顯示半穿透型液晶顯示裝置。 如圖6所示，液晶顯示裝置3在對置之基板1〇、3〇間密封 有液晶層20，並由具有反射部5與穿透部6之顯示圖像之複 數個像素40構成，各像素40具有配向分割而形成之複數個 I24325.doc 1375067 次像素。在上述穿透部6之次像素間，經由形成於基板1〇 上之絕緣膜12、像素電極14形成有介電體16。 又，在與基板10對置之基板（對向基板）3〇，形成彩色濾 光片層31，在其上面經由平坦化膜32形成有像素電極33。 卜面，具體地說明構成。於元件形成側之基板1〇上形成 元件層11，被覆該元件層在基板10上形成有絕緣膜 12。在上述絕緣膜12上形成有通達上述元件層丨丨之接觸孔 3並且，在上述絕緣膜12上，形成有通過上述接觸孔I〗 與上述元件層11相連接之像素電極14。在包含上述元件層 U與上述像素電極14之連接區域之上述元件層丨丨上之上述 絕緣膜12上，經由像素電極14之一部分，形成有調整上述 反射部5之液晶層20之厚度之間隙調整層15。該間隙調整 層1 5為2層等複數層構成，例如由有機絕緣膜、無機絕緣 膜等介電體之複數層構造而形成。如此，藉由間隙調整層 15構成為複數層’因此可提高反射特性。 因而’上述反射部5由具有上述元件層η、被覆上述元 件層11之上述絕緣膜12及在上述絕緣膜12上經由像素電極 14之一部分而形成之上述間隙調整層15之區域構成。該間 隙調整層15上面，形成為例如平滑之凹凸形狀。如此，由 於間隙調整層15之表面形成為凹凸形狀，故可謀求反射特 性之提高。另，於上述間隙調整層丨5及其表面形成之凹凸 形狀’亦可與相鄰像素連續而形成。 此外，在上述間隙調整層15上，形成有通向上述接觸孔 13之接觸孔18。如此，在反射部5形成接觸孔18，從而即 124325.doc •18· 1375067 使在像素電極14沒有缺口之狀態下，由於配向較弱之次像 素間之連接藉由接觸部而實現，故不會發生藉由液晶面 板之面壓所致之配向混亂。並且，在上述間隙調整層15 上，形成有通過上述接觸孔18與上述像素電極14相連接之 反射電極17。如此，由於形成有反射電極17，可提高間隙 調整層15上之反射，且又因該反射電極17通過接觸孔a與 上述像素電極14相連接，故在間隙調整層15上具有像素電 極之功能。 又，上述穿透部6由具有於上述反射部5之外之上述基板 1〇上形成之上述絕緣膜丨2、像素電極14、介電體16等之區 域構成。 在上述液晶顯示裝置4中’可獲得與上述液晶顯示裝置1 同樣之作用效果。又，由於在次像素間沒有像素之交界、 即電性連接穿透部與反射部之連接部，故無藉由面壓之配 向混亂。因此，可使液晶層20之配向，特別是次像素間之 液晶分子之配向穩定化。此外，間隙調整層15藉由2層等 複數層構成’亦可提高反射特性。又，此時，配置於穿透 部ό之像素電極上之介電體16’亦可採用複數層之任何材 料。 下面，藉由圖7之概略構成剖面圖說明本發明之液晶顯 示裝置之-實施形態（第5實施例）。圖7係作為液晶顯示裝 置之一例’顯示半穿透型液晶顯示裝置。 如圖7所示，液晶顯示裝置5係在藉由上述圖6所說明之 液晶顯示裝置4中，以介電體16形成決定晶胞間隙之間隔 124325.doc •19- 1375067 物者。因此’介電體16形成為與元件側之像素電極14和與 元件側之基板10對置之基板30側之像素電極34相連接之構 成。自不待言，上述介電體16,在被覆形成於基板（未圖 示）上之元件層（未圖示）之平坦化膜18上，經由像素電極^ 形成於由次像素間之像素電極i4構成之連接部i4c上。 如上述第5實施例，若調節介電體16之高度而作為用於 形成晶胞間隙之間隔物使用，則不必在彩色濾光片侧製作 光間隙材料，故可縮減步驟數，又因在次像素之電性連接 部14C上形成之介電體16兼具保持基板間之間隔之間隔 物，能夠以一定之間隔配置間隔物，故可高精度且均一地 保持基板間隔》又，液晶顯示裝置5，可獲得與上述液晶 顯不裝置1同樣之作用效果。再者，由於在次像素間沒有 像素之交界、即電性連接穿透部及反射部之連接部，故無 藉由面壓之配向混亂。因此，可使液晶層2〇之配向，特別 疋·人像素間之液晶分子之配向穩定化。 在上述各實施例中所說明之液晶顯示裝置，由於至少在 電性連接次像素50間之連接部14C上具有介電體16，可使 ••人像素50彼此之間電性獨立化，故可使液晶（液晶分子）22 之配向穩定化。因此’即使面壓液晶面板一度使液晶之配 向混亂，液晶之配向亦會立即恢復原狀，可消除藉由液晶 面板之面壓所殘留之壓痕之顯示不良。 下面’藉由圖8〜圖9之製造步驟剖面圖說明本發明之液 日曰顯不裝置之製造方法之一實施形態（第1實施例）。圖8〜 圖9作為顯示裝置之—例，顯示半穿透型液晶顯示裝置。 124325.doc 1375067 如圖8(1)所不，在基板（第丨基板）1〇上形成由TFT等構成 之開關元件、輔助電容線、閘極線及信號線等之元件層

11。 S 接者，如圖8(2)所示，為使伴隨元件層丨丨及信號線（未圖 不）之凹凸平坦化，在基板1〇上形成由平坦化膜構成之絕 緣臈12。 接著，如圖8(3)所示，在絕緣膜12上形成通達元件層u 之接觸孔13。上述絕緣膜12可採用透明抗蝕層。作為如此 之抗蝕層，例如有JSR公司製造的PC315G。或者，亦可採 用丙烯I類有機膜、脂環族烯烴樹脂、旋轉塗佈玻璃 (SOG)等。作為上述塗佈#法，有旋轉塗佈及狹縫塗佈等 方法。 下面，如圖9(4)所示，在上述絕緣膜12上，作為穿透部 6之電極’形成有通過接觸孔13與上述元件層叫目連接之 像素電極14。该像素電極14，例如以氧化銦锡⑽⑴

Oxide ; ITO)等透明電極形成。 接著，如圖9(5)所示，在反射部5之元件㈣上方之絕緣 膜12(亦包括像素電極“上)上’形成用於形成間隙調整層 之介電體膜71。例如，可藉由塗佈法形成。 卜曲 如圖9(6)所示 以介電體膜71形成間隙調整層 15’且在次像素50間之連接部“c上形成介電體16。此 ，’由於介電體16之高度影響光學特性，故對介電體狀 高度進行調整。又，在形成上述間隙調整層。時，在間隙 調整層之上面形成凹凸，其後進行培燒，藉此，上述凹 124325.doc 1375067 凸成帶圓度之形狀。如此’首先形成與元件層_連接之 像素電極14'然後形成間隙調整層15，⑨而可㉟免在間隙 調整層15上形成通向元件層"之接觸孔，可獲得優異之反 射特性。 下面，如圖9(7)所示，在上述間隙調整層㈠上，形成在 間隙調整層15端部與上述像素電極14相連接之反射電極 17。上述反射電極17,例如以高反射率之金屬材料形成。 例如，以銀（Ag)、鋁（A1)等金屬材料形成。如此，間隙調 整層15上面形成為帶圓度之凹凸形狀，在其表面形成反射 電極17’從而可提高反射部5之反射特性。 作為以後之步驟，形成配向膜，經由形成間隔物之彩色 濾光片或者間隔物，採用密封材料相互黏合，並藉由向基 板間注入液晶而完成液晶胞。藉由在該液晶胞貼附相位差 板及偏光板，製造本實施形態之半穿透型液晶顯示裝置。 下面’藉由圖10〜圖11之製造步驟剖面圖說明本發明之 液晶顯示裝置之製造方法之一實施形態（第2實施例）。圖 10〜圖11作為顯示裝置之一例，顯示半穿透型液晶顯示裝 置。 如圖10(1)所示，在基板（第1基板）10上形成由TFT等構成 之開關元件、輔助電容線、閘極線及信號線等之元件層 11 〇 如圖10(2)所示，為使伴隨元件層〗丨及信號線（未圖示）之 凹凸平坦化’在基板1 〇上形成由平坦化膜構成之絕緣膜 12 ° 124325.doc -22- 1375067 接著，如圖1〇(3)所示，在絕緣膜12上形成通達元件層11 之接觸孔13。此時’在穿透部6之絕緣膜12與反射部5之絕 緣膜12上形成階差。即，藉由姓刻穿透部6之絕緣膜，形 ?較反射部5之絕緣膜12更低。在上述絕緣膜12上可採 用达〇乃沉儀層。作為該種抗姓廣，例如有jsr公司製造的 P⑶5G。或者，#可採用丙烯酸類有機膜、脂環族烯烴 樹脂、旋轉塗佈玻璃（S0G)等。作為上述塗佈方法，有旋 轉塗佈及狹縫塗佈等方法。 其次’如圖11(4)所示，作為穿透部6之電極，在上述絕 緣臈12上形成通過接觸孔13與上述元件層n相連接之像素 電極Μ。該像素電極14，例如以氧化銦錫（indium Tin Oxide ; ITO)等透明電極形成 接著，如圖11(5)所示，在反射部5之元件層丨丨上方之絕 緣膜12上’形成用於形成間隙調整層之介電體膜7ι。例 如，可藉由塗佈法形成。 下面，如圖11(6)所示，以介電體膜71形成間隙調整層 15，且在次像素5〇間之連接部14C上形成介電體16。此 時，由於介電體16之高度影響光學特性，故對介電體16之 高度進行調整。又，在形成上述間隙調整層丨5時，在間隙 調整層15之上面形成凹凸，其後進行焙燒，藉此，上述凹 凸成帶圓度之形狀。如此’首先形成與元件層^相連接之 像素電極14，然後形成間隙調整層1 5，從而可避免在間隙 調整層15上形成通向元件層11之接觸孔，並可獲得優異之 反射特性。 124325.doc •23· 1375067 接著，如圖11 (7)所示，在、+ 在上述間隙調整層15上，形成在 間隙調整層1 5端部與上述像辛 豕京電極14相連接之反射電極 Η。上述反射電極17，例如 U如从间反射率之金屬材料形成。 例如’由銀（Ag)、鋁（Α1)等金屬好钮 — )寸Φ屬材枓形成。如此，間隙調 整層i5上面形成為帶圓度之 U凸肜狀，隹其表面形成反射 電極17,藉此，可提高反射部5之反射特性。

作為以後之步驟’形成配向膜，經由形成間隔物之彩色 遽光片或者間隔物，採用密封材料相互黏合，並藉由向基 板間注入液晶而完成液晶胞。藉由在該液晶胞貼附相位差 板及偏光板，可製造本實施形態之半穿透型液晶顯示裝 在上述第2實施例之製造方法中，可使用於形成間隙調 整層15而形成之介電體膜71之膜厚變薄，從而提高步驟之 效率。又，可控制用於配向控制之介電體16之高度，可使 光學特性最佳化β 根據上述各實施例之製造方法，由於可消除藉由液晶面 板之面壓所致之顯示不良，故具有可製造能夠提高顯示品 質之液晶顯示裝置之優點。又，由於可使形成於電性連接 次像素間之連接部14C上之介電體16及控制形成於各次像 素之液晶之配向之配向控制因子為極小，故可製造能夠謀 求穿透率之提高之液晶顯示裝置。又，先前，為提高面壓 耐性’必須縮小基板間隔（所謂晶胞間隙），但由於面壓耐 性之提高，可增大基板間隔，故可製造提高穿透率特性之 液晶顯示裝置。 124325.doc •24· 1375067 此外，藉由同時形成間隙調整層15、及在分割垂直配向 之像素之電性連接部14C形成之介電體16，從而可抑制液 晶之面壓所致之配向混亂，亦更不需增加製程。又，在半 穿透型液晶顯示裝置中，&射部5與穿透部6之間之配向穩 定，並形成抑制配向混亂之面板。此外，在由配置於反射 部5之介電體構成之間隙調整層15實施像素構造分割，從 而可提供高開口率且配向穩定之像素。 【圖式簡單說明】

圖1係顯不請求項1之本發明之液晶顯示裝置之一實施形 態（第1實施例）之圖式’其中，圖1(1)係顯示液晶顯示裝置 之液晶胞丨個像素份之元件側基板之平面圖，圖2(2)係圖 1(1)中之A-A1線剖面圖。 圖2係像素分割後由複數個次像素構成之像素之平面佈 局模式圖。 圖3⑴、圖3(2)係顯示面塵前後之液晶分子之配向狀態 之平面佈局模式圖。 圖4係顯示本發明之潘令甚自+ # +货乃之戒曰日顯不裝置之—實施形態（第2實 施例)之圖式’其中，圖4⑴係液晶顯示裝置之液晶胞之相 對側基板側之平面圖，圖4(2)係圖4⑴中之B-B，線剖面 圖。 圖5係顯示本發明之液晶顯裝 _ ^ ^ 取且之—實施形態（第3實 施例）之概略構成剖面圖。 圖6係顯示本發明之液晶顯 成日日顯不裝置之一實施形態（第4實 施例）之概略構成剖面圖。 124325.doc •25· 1375067 圖7係顯示本發明之液晶顯示裝置之— 施例）之概略構成剖面圖。 知形態（第5實 圖1 2 3 4(1)〜（3)係顯示本發明之液晶顯 丨、衮置之絮、生 一實施形態（第1實施例）之製造步騾剖面圖。 乂方法之 圖5(4)〜（7)係顯示本發明之液晶顯 展置之製、生_

一實施形態（第1實施例）之製造步驟剖面圖。 &方法之 圖10(1)〜(3)係顯示本發明之液晶顯示裝置 一實施形態（第2實施例）之製造步驟剖面圖。之製造方法之 圖11(4)〜(7)係顯示本發明之液晶顯示裝置^ 一實施形態（第2實施例）之製造步驟剖面圖。’化·方法之 液晶顯示裝置之平面佈 晶顯示面板前後之狀態 圖12(1)、圖12(2)係顯示先前之 局模式圖及要部剖面圖。 圖13(1)、圖13(2)係顯示面壓液 之像素之照片。

圖14係顯不配向混亂之一例之平面佈局模式圖 【主要元件符號說明】 ' 液晶顯示裝置 反射部 穿透部 基板 元件層 絕緣膜 接觸孔 像素電極 124325.doc 26· 1 2 3 10 4 11 5 12 13、18 14 、 32 、 33 、 34 1375067 14C 連接部 15 間隙調整層 16 介電體 17 反射電極 20 液晶層 22 液晶分子 30 相對基板 31 彩色濾光片層 32 平坦化膜 34 配向控制因子 40 像素 50 、 51 、 52 、 53 次像素 61 缺口 71 介電體膜

124325.doc -27-

Claims (1)

1. 第096143293號專利申請案 十、申請專利範圍： 1· 一種液晶類示裝置 中文申請專利範圍替換本(101年2月） 1 111 · ··**·····-··· Η年：月叫曰修正本 係包含具有反射部與穿透部之冢玉—— 個像素’且上述像素包括配向分割而成之複數個次像 素，其特徵在於包含： 於基板上形成之元件層； 被覆上述元件層地於上述基板上形成之絕緣膜； 與上述元件層相連接地於上述絕緣膜上形成之像素電 極； 於包含上述元件層與上述像.素電極之連接區域的上述 元件層上之上述絕緣膜上形成之間隙調整層；及 在電性連接上述次像素間之連接部上形成之介電體； 上述反射部包含具有上述元件層、被覆上述元件層之 上述絕緣膜及在上述絕緣膜上形成之上述間隙調整層之 區域； 上述穿透部包含具有於上述間隙調整層的形成區域除 外之上述絕緣膜上形成之上述像素電極之區域； 上述介電體形成於上述穿透部之上述像素電極上·且 上述絕緣膜係以 <吏自上述基板表面至上述反射部之絕 緣膜表面之高度高於至上述穿透部之絕緣膜表面之高度 之方式而形成。 如叫求項1之液晶顯示裝置，其中上述間隙調整層之表 面形成為凹凸形狀。 3.如δ月求項1之液晶顯示裝置，其中上述間隙調整層於像 素間形成。 124325-1010224.doc 1375067 如-月求項1之液晶顯示裝置，其中在上述間隙調整層上 形成有反射電極。 5.如清求項4之液晶顯示裝置，其中上述反射電極在上述 間隙調整層端部和與上述元件層相連接之像素電極相連 接。 6. 置’其中上述反射部形成於上 上述穿透部係使用上述次像素

   如請求項1之液晶顯示裝 述一次像素之全部區域， 而形成者； 上述間隙調整層包含介電體； 在作為上述反射部之上述次像素之全部 述間隙調整層。 〜成百上 7· 一種液晶顯示裝置之製造方法，該液晶顯示裝置包含且 有反射部與穿透部之複數個像素，上述像素包括配向: 割而成之複數個次像素，其特徵在於包含以下步驟： 於基板上形成元件層之步驟； 被覆上述元件層地於上述基板上形成絕緣膜之步驟； 與上述7〇件層相連接地於上述絕緣膜上形成像 之步驟；及 在包含上述元件層與上述像素電極之連接區域的上述 X件層上之上述絕緣膜上形成間隙調整層之步驟· 二=部由具有上述元件層、上述絕緣膜、及上述 間隙調整層之區域形成； 上述穿透部由具有於上述間隙調整層之形成 的上述絕緣膜上形成之上述像素電極之區域形成；及 124325-1010224.doc 在上述穿透部之上述像辛雷搞μ j-L - 1豕京電極上，於電性連接上述次 像素間之連接部上形成介電體； 其中以使自上述基板表面i μ十 衣®至上述反射部之絕緣膜表面 之兩度高於至上述穿透部之絕緣膜表面之高度之方式， 形成上述级铥眩。 · »«〆、 8·如請求項7之液晶顯示裝置之製造方法，其中藉由在上 述次像素間形成介電體而進行像素分割。 9 9_如請求項7之液晶顯示裝置之製造方法，其中具有在上 比間隙調整層之表面形成凹凸之步驟。 如喷求項7之液晶顯示裝置之製造方法，其中具有在上 述間隙調整層上形成與上述像素電極相連接之反射電極 之步驟。 :峭求項7之液晶顯示裝置之製造方法，其中在同一層 形成上述間隙調整層與上述介電體。 124325-1010224.doc 1375067 冥（)％1432W Η專f:申 士文ϊη替祛頁（1丨'丨1玍

   (2) 圖13 12·ί