TW201426146A - 陣列基板以及包含該陣列基板之液晶顯示裝置 - Google Patents

Abstract

一種陣列基板包含：基板，沿第一方向位於基板上的閘極線，沿第二方向位於基板上的資料，以及資料線與閘極線交叉以定義畫素區域，位於閘極線與資料線之每一交叉處的薄膜電晶體，覆蓋薄膜電晶體且具有平整的頂表面的絕緣層，位於遍及基板之絕緣層上的共同電極，位於共同電極上的共同線，位於共同線上的鈍化層，以及畫素電極，位於每一畫素區域中的鈍化層上以及連接薄膜電晶體，畫素電極包含電極圖案。鈍化層由於共同線的緣故在鈍化層的頂表面具有階梯高度。

Description

陣列基板以及包含該陣列基板之液晶顯示裝置

本發明係關於一種液晶顯示裝置，特別是一種可避免柱狀間隔物之移位問題之陣列基板以及包含該陣列基板之液晶顯示裝置。

液晶顯示裝置已經廣泛地被用於各種電子設備，例如膝上型電腦、監視器、電視等，原因在於液晶顯示裝置具有高對比度，適合顯示運動影像，並且功率消耗低。液晶具有光學各向異性，其中液晶的分子結構薄且長，並且其分子排列具有指向性，以及具有極化作用，其中當液晶處於電場中時，其分子排列的方向係依照電場的大小變化。液晶顯示裝置利用液晶的光學各向異性與極化作用顯示影像。

通常液晶顯示裝置包含透過黏合第一與第二基板製造的液晶面板，液晶層係位於兩者之間，電極係形成於第一與第二基板之正對表面上，這樣液晶分子的排列取決於施加到電極的電場，從而在透射率方面產生差別。

當位於液晶面板的後側的背光單元發射的光線通過彩色濾光片時，在組合色彩方面反映出液晶面板的透射率的差別，從而顯示彩色影像。

液晶顯示裝置的製造方法包含形成陣列基板與彩色濾光片 基板之基板製造製程、製造液晶面板之液晶盒製程(cell process)以及整合液晶面板與背光單元之模組製程。

基板之製造製程中，重複完成薄膜沈積、光刻、蝕刻等步 驟，以在各基板上形成陣列層與彩色濾光片層。液晶盒製程中，用於黏合的密封圖案係形成於陣列基板與彩色濾光片基板其中之一上，陣列基板被黏合至彩色濾光片基板，液晶層被放置於兩者之間從而製造液晶面板。模組製程中，極化片、驅動電路等被接合到液晶面板上，然後液晶面板與背光單元整合，從而完成液晶顯示裝置。

其間，陣列基板與彩色濾光片基板之間提供間隔物，從而 保持陣列基板與彩色濾光片基板之間的距離恆定。間隔物依照其形狀與排列被分類為球狀間隔物與柱狀間隔物(column spacers)。球狀間隔物被形成為以分佈於陣列基板或者彩色濾光片基板上，柱狀間隔物係透過在陣列基板或彩色濾光片基板上圖案化被形成。

近來，因為柱狀間隔物可在特定位置處形成為期望的圖 案，所以已經被廣泛使用，柱狀間隔物通常形成於需要相對少量製程的彩色濾光片基板上。

然而，當外力被施加到液晶面板時，柱狀間隔物移動，可損害配向層以及導致缺陷。以下將結合圖式加以詳細描述。

第1圖為習知技術之液晶顯示裝置之剖面示意圖。

第1圖中，第一基板10與第二基板20彼此正對並且兩者之間分隔一定距離，第一基板10與第二基板20上定義開口區域AA與遮蔽區域SA，開口區域AA中顯示影像，遮蔽區域SA不顯示影像。

與第二基板20正對的第一基板10的內表面上，對應遮蔽 區域SA形成訊號線12例如閘極線或資料線，絕緣層14形成於訊號線12上，第一配向層16形成於絕緣層14上。雖然第1圖中未表示，但是第一基板10上的開口區域AA中形成畫素電極。

與第一基板10正對的第二基板20的內表面上形成有黑色 矩陣22，彩色濾光層24形成於黑色矩陣22上，第二配向層26形成於彩色濾光層24上。雖然第1圖中未表示，共同電極係形成於第二基板20的整個表面上。此外，柱狀間隔物32形成於第二配向層26上，對應黑色矩陣22，這樣針對每一畫素形成至少一個柱狀間隔物32。

其間，液晶層(圖中未表示)係位於第一配向層16與第二 配向層26之間。

第2A圖與第2B圖係為當外力施加到習知技術之液晶顯示裝置以及當施加的外力被移除時，習知技術之液晶顯示裝置之剖面示意圖。

第2A圖中，當外力依照第2A圖所示的箭頭方向被施加到習知技術之液晶顯示裝置時，第二基板20相對第一基板10向右移動。此時，第二基板20上的柱狀間隔物32也向右移動，這樣柱狀間隔物32接觸開口區域AA的第一配向層16。由於與柱狀間隔物32接觸，第一配向層16與第二配向層26依照預定方向被摩擦或者被光學配向，第一配向層16的配向在接觸區域A1處變化，這樣接觸區域A1具有與其他區域不同的配向。

接下來，第2B圖中，當外力被移除時，第二基板20相對第一基板10向左移動，返回其初始狀態。然而，因為第一配向層16的接 觸區域A1與其他區域具有不同的配向，接觸區域A1上的液晶分子與其他區域上的液晶分子配向不同，從而改變光的透射率。然而，因為接觸區域A1未被黑色矩陣22覆蓋，當顯示黑色影像時，對應接觸區域A1的光線被透射，導致可辨識的缺陷。

第3圖表示用於避免這種缺陷之結構。

第3圖係為習知技術之液晶顯示裝置之剖面示意圖。除黑 色矩陣的結構以外，第3圖所示的結構與第1圖所示的結構相同。在以下描述中，不再描述與上述元件相同的元件。

第3圖中，每一黑色矩陣22的寬度增加到預定大小，這樣 黑色矩陣22覆蓋第一配向層16的接觸區域A1。詳細地，黑色矩陣22的寬度增加到預定大小，其中黑色矩陣22從與第一配向層16接觸的柱狀間隔物32的兩個頂部邊緣延伸大約22至25微米。就是說，與第1圖所示的黑色矩陣22的例子相比，黑色矩陣22的寬度增加大約15微米或更多。

然而，黑色矩陣22增加的寬度也增加了遮蔽區域SA以減 少開口區域AA，由此降低了液晶顯示裝置的開口率與亮度。

因此，本發明在於提供一種陣列基板以及包含此陣列基板之液晶顯示裝置，實質上避免習知技術之限制與缺點所帶來的一或多個問題。

本揭露之目的在於提供一種陣列基板以及包含此陣列基板之液晶顯示裝置，避免柱狀間隔物之移動所導致的問題以及提高開口率與亮度。

本發明之另一目的在於提供一種陣列基板以及包含此陣列 基板之液晶顯示裝置，可阻擋摩擦問題導致的光線泄露。

本發明其他的優點、目的和特徵將在如下的說明書中部分地加以闡述，並且本發明其他的優點、目的和特徵對於本領域的普通技術人員來說，可以透過本發明如下的說明得以部分地理解或者可以從本發明的實踐中得出。本發明的目的和其它優點可以透過本發明所記載的說明書和申請專利範圍中特別指明的結構並結合圖式部份，得以實現和獲得。

為了獲得本發明的這些目的和其他特徵，現對本發明作具體化和概括性的描述，本發明的一種液晶顯示裝置之陣列基板包含：基板；沿第一方向位於基板上的閘極線；沿第二方向位於基板上的資料線，以及資料線與閘極線交叉以定義畫素區域；薄膜電晶體，位於閘極線與資料線之每一交叉處；絕緣層，覆蓋薄膜電晶體且具有平整的頂表面；共同電極，位於遍及基板之絕緣層上；共同線，位於共同電極上；鈍化層，位於共同線上；以及畫素電極，位於每一畫素區域中的鈍化層上以及連接薄膜電晶體，畫素電極包含電極圖案，其中鈍化層由於共同線的緣故在鈍化層的頂表面具有階梯高度。

另一方面，一種液晶顯示裝置包含：彼此正對的第一基板與第二基板；其中第一基板包含：複數條閘極線，沿第一方向位於第一基板上方；複數條資料線，沿第二方向位於第一基板上方，以及與閘極線交叉以定義複數個畫素區域；薄膜電晶體，位於閘極線與資料線之每一交叉處；絕緣層，覆蓋薄膜電晶體並且包含平整的頂表面；共同電極，位於遍及第一基板之絕緣層上；複數條共同線，位於該共同電極上；鈍化層，位 於共同線上；以及畫素電極，位於每一畫素電極中的鈍化層上以及連接薄膜電晶體，畫素電極包含複數個電極圖案，其中鈍化層由於共同線的緣故在鈍化層的頂表面具有階梯高度，其中第二基板包含：堆疊於第二基板上的黑色矩陣、彩色濾光層以及過塗佈層；以及位於過塗佈層上的第一間隔物與第二間隔物。

可以理解的是，如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。

10‧‧‧第一基板

12‧‧‧訊號線

14‧‧‧絕緣層

16‧‧‧第一配向層

20‧‧‧第二基板

22‧‧‧黑色矩陣

24‧‧‧彩色濾光層

26‧‧‧第二配向層

32‧‧‧柱狀間隔物

110‧‧‧絕緣基板

122‧‧‧閘極線

124‧‧‧閘電極

130‧‧‧閘極絕緣層

142‧‧‧主動層

152‧‧‧資料線

154‧‧‧源電極

156‧‧‧汲電極

160‧‧‧第一鈍化層

162‧‧‧第二鈍化層

172‧‧‧共同電極

172a‧‧‧開口

174‧‧‧共同線

174a‧‧‧第一部件

174b‧‧‧第二部件

174c‧‧‧第三部件

174d‧‧‧第四部件

180‧‧‧第三鈍化層

180a‧‧‧汲極接觸孔

182‧‧‧畫素電極

190‧‧‧第二基板

192‧‧‧第一柱狀間隔物

194‧‧‧第二柱狀間隔物

210‧‧‧第一基板

222‧‧‧閘極線

224‧‧‧閘電極

230‧‧‧閘極絕緣層

242‧‧‧主動層

252‧‧‧資料線

254‧‧‧源電極

256‧‧‧汲電極

260‧‧‧第一鈍化層

262‧‧‧第二鈍化層

272‧‧‧共同電極

272a‧‧‧開口

274‧‧‧共同線

274a‧‧‧每一部件

274b‧‧‧第二部件

274c‧‧‧第三部件

274d‧‧‧第四部件

280‧‧‧第三鈍化層

280a‧‧‧汲極接觸孔

282‧‧‧畫素電極

290‧‧‧第二基板

292‧‧‧第一柱狀間隔物

294‧‧‧第二柱狀間隔物

310‧‧‧第一基板

322‧‧‧閘極線

324‧‧‧閘電極

330‧‧‧閘極絕緣層

342‧‧‧主動層

352‧‧‧資料線

354‧‧‧源電極

356‧‧‧汲電極

360‧‧‧第一鈍化層

362‧‧‧第二鈍化層

362a‧‧‧凹陷部

372‧‧‧共同電極

372a‧‧‧第一開口

372b‧‧‧第二開口

374‧‧‧共同線

374a‧‧‧第一部件

374b‧‧‧第二部件

374c‧‧‧第三部件

374d‧‧‧第四部件

380‧‧‧第三鈍化層

380a‧‧‧汲極接觸孔

382‧‧‧畫素電極

390‧‧‧第二基板

392‧‧‧第一柱狀間隔物

394‧‧‧第二柱狀間隔物

396‧‧‧第三柱狀間隔物

AA‧‧‧開口區域

SA‧‧‧遮蔽區域

A1‧‧‧接觸區域

T‧‧‧薄膜電晶體

h1‧‧‧第一高度

h2‧‧‧第二高度

PXL‧‧‧畫素

R‧‧‧紅色次畫素

G‧‧‧綠色次畫素

B‧‧‧藍色次畫素

d1‧‧‧差值

第1圖為習知技術之液晶顯示裝置之剖面示意圖。

第2A圖與第2B圖為當外力施加到習知技術之液晶顯示裝置以及當施加的外力被移除時，習知技術之液晶顯示裝置之剖面示意圖。

第3圖為另一習知技術之液晶顯示裝置之剖面示意圖。

第4圖為本發明實施例之液晶顯示裝置之陣列基板之平面圖。

第5圖為本發明實施例之液晶顯示裝置之陣列基板之剖面示意圖。

第6A圖與第6B圖分別為施加外力前後本發明實施例之液晶顯示裝置之剖面示意圖。

第7A圖至第7D圖為本發明實施例之液晶顯示裝置之共同線之例子之示意圖。

第8A圖為本發明另一實施例之液晶顯示裝置之陣列基板之平面圖，第8B圖僅僅為第8A圖之共同線之剖面示意圖。

第9A圖與第9B圖分別為施加外力前後本發明另一實施例之液晶顯示裝置之剖面示意圖。

第10圖為本發明另一實施例之液晶顯示裝置之陣列基板之平面圖。

第11圖為本發明另一實施例之液晶顯示裝置之陣列基板之剖面示意圖。

第12圖為施加外力後本發明另一實施例之液晶顯示裝置之剖面示意圖。

現在將結合圖式部份對本發明的較佳實施方式作詳細說明。

第4圖為本發明實施例之液晶顯示裝置之陣列基板之平面圖。為了便於解釋，一同說明彩色濾光片基板上形成的第一與第二柱狀間隔物。

第4圖中，閘極線122與閘電極124形成於絕緣基板(圖中未表示)上。閘極線122沿第一方向延伸，閘電極124連接閘極線122。

閘極絕緣層(圖中未表示)形成於閘極線122與閘電極124上。

非晶矽的主動層142形成於閘電極124上方的閘極絕緣層上。

資料線152、源電極154以及汲電極156形成於閘極絕緣層與主動層142上。資料線152沿第二方向延伸，源電極154連接資料線152，汲電極156與源電極154間隔開來。資料線152與閘極線122交叉以定義 畫素區域。源電極154與汲電極156在對應的主動層142上方彼此間隔開來。

當前實施例中，資料線152的部份為源電極154，但是從資料線152延伸的部份變為源電極154。

閘電極124、主動層142、源電極154以及汲電極156構成了薄膜電晶體T，源電極154與汲電極156之間的主動層142變為薄膜電晶體T的通道。

本文中，薄膜電晶體T並非限制於第1圖所示的結構，薄膜電晶體T的結構可改變。

同時，如第4圖所示，連接奇數閘極線122之薄膜電晶體T連接左側的資料線152，連接偶數閘極線122之薄膜電晶體T連接右側的資料線152。或者，連接奇數閘極線122之薄膜電晶體T連接右側的資料線152，連接偶數閘極線122之薄膜電晶體T連接左側的資料線152。

第一鈍化層(圖中未表示)與第二鈍化層(圖中未表示)順序地形成於資料線152、源電極154以及汲電極156上。本文中，第一鈍化層係由無機絕緣材料形成，第二鈍化層係由有機絕緣材料形成並且具有平整表面。

共同電極(圖中未表示)形成於第二鈍化層上。共同電極形成於基板的整個表面上方，並且包含與薄膜電晶體T的汲電極156對應的開口172a。

共同線174形成於共同電極上並且接觸共同電極。每一共同線174包含第一、第二、第三以及第四部件174a、174b、174c以及174d。 第一部件174a係放置於薄膜電晶體T其中之一的上方並且對應第一柱狀間隔物192。第二部件174b被放置於另一薄膜電晶體T上方，並且對應第二柱狀間隔物194。第三部件174c從第二部件174b的兩側的每一個沿第二方向延伸預定長度，並且與資料線152重疊。第四部件174d沿第一方向延伸。 第四部件174d包含第一線圖案與第二線圖案，此第一線圖案連接第一部件174a與第二部件174b的第一端，此第二線圖案與第一線圖案平行，並且連接第一部件174a與第二部件174b的第二端。共同線174由相對低電阻率的金屬材料形成。

本文中，第一柱狀間隔物192為形成間隙之間隔物，在平面結構中具有圓形形狀。第二柱狀間隔物194係為避免壓力之間隔物，在平面結構中具有棒狀或矩形形狀。第二柱狀間隔物194的寬度與長度大於第一柱狀間隔物192的直徑較佳。

第一柱狀間隔物192的直徑小於第一部件174a沿第一與第二方向之的長度，第一柱狀間隔物192的邊緣被放置於第一部件174a的邊緣內。另一方面，第二柱狀間隔物194沿第一方向的長度小於畫素區域沿第一方向的長度，以及大於第二部件174b沿第一方向的長度。

第三鈍化層(圖中未表示)形成於共同線174上。第三鈍化層係由無機絕緣材料例如氧化矽(silicon oxide)或氮化矽形成，並且由於下層即共同線174的緣故在其頂表面處具有階梯高度。此外，第三鈍化層包含汲極接觸孔180a，以暴露汲電極156連同第一鈍化層與第二鈍化層。 即，汲極接觸孔180a也形成於第一與第二鈍化層中。汲極接觸孔180a分別被放置於開口172a中。

畫素電極182係形成於第三鈍化層上的每一畫素區域中。 畫素電極182包含複數個電極圖案，複數個電極圖案沿第二方向延伸並且沿第一方向彼此間隔開來。畫素電極182透過每一畫素區域中的汲極接觸孔180a接觸汲電極156。

畫素電極182相對閘極線122傾斜預定角度，在其中央部包含至少一個彎曲部。如第4圖所示，畫素電極182包含一個第一彎曲部以及位於第一彎曲部兩側的第二與第三彎曲部。因此，資料線152也相對閘極線122傾斜預定角度，並且在與畫素電極182平行的各個區域畫素對應處包含彎曲部。

配向層(圖中未表示)形成於畫素電極182上，配向層可沿第二方向被摩擦。

當前實施例中，共同線174包含第三部件174c，第三部件174c沿第二方向延伸預定長度並且與資料線152重疊，共同線174的第三部件174c還與資料線152一樣相對閘極線122傾斜預定角度。配向層在其頂表面由於共同線174的緣故具有階梯高度，當配向層被摩擦時，此階梯高度導致摩擦問題。更特別地，配向層沿預定方向被摩擦，從而判定液晶顯示裝置之液晶分子之初始配向。透過沿預定方向旋轉滾軸以及使得滾軸在配向層的表面上通過，配向層的表面被周圍纏繞配向布的滾軸摩擦。另外，如果配向層具有階梯高度，階梯高度周圍的配向層的部份不會接觸摩擦布，以及不會被適當地摩擦。因此，導致摩擦問題，並且階梯高度周圍的液晶分子被排列得與其他區域的液晶分子不同，從而導致光線泄露。特別地，本發明中，因為共同線174的第三部件174c使得階梯高度未與摩擦 方向平行並且與摩擦方向傾斜，由於第三部件174c的緣故導致摩擦問題，並且可能出現光線泄露，從而增加黑色影像的亮度。因此，為了避免摩擦問題，第三部件174c具有預定長度較佳，沿第二方向少於畫素區域的長度的一半。例如，第三部件174c具有大於25微米的長度。

其間，當前實施例中，共同電極172形成於基板的整個表面的上方，共同電極172上方的畫素電極182與共同電極172重疊。然而，另一實施例中，共同電極與畫素電極各自在每一畫素區域中包含複數個圖案，共同電極與畫素電極的圖案彼此交替。或者，另一實施例中，畫素電極被形成以包含與此畫素電極對應之一個區域，共同電極被形成於畫素電極上方遍及基板，並且在畫素區域中包含開口。

第5圖為本發明實施例之液晶顯示裝置之陣列基板之剖面示意圖。

第5圖中，閘電極124形成於絕緣基板110上。雖然圖中未表示，但是第4圖的閘極線122形成於基板110上方，閘極線122接觸閘電極124並且從第一方向延伸。閘極線122與閘電極124由相對低電阻率的金屬材料形成。

閘極絕緣層130形成於閘極線122與閘電極124之上。閘極絕緣層130由無機絕緣材料例如氮化矽或者氧化矽形成。

主動層142形成於閘電極124上方之閘極絕緣層130上。主動層142由本質非晶矽(intrinsic amorphous silicon)形成。

源電極154與汲電極156係形成於主動層142上。源電極154與汲電極156在閘電極124上方彼此間隔。資料線152形成於閘極絕緣 層130上。資料線152連接源電極154，以及沿第二方向延伸。資料線152與第4圖的閘極線122交叉以定義一個畫素區域。資料線152、源電極154與汲電極156由相對低電阻率的金屬材料形成。

其間，摻雜雜質的非晶矽的歐姆接觸層(圖中未表示)係形成於主動層142與源電極154之間以及主動層142與汲電極156之間。

本文中，閘電極124、主動層142、源電極154以及汲電極156構成薄膜電晶體，薄膜電晶體的結構並非限制於第5圖所示之結構。

第一鈍化層160形成於資料線152、源電極154以汲電極156之上，用於極化之第二鈍化層162形成於第一鈍化層160上。第一鈍化層160由無機絕緣材料例如氮化矽或者氧化矽形成。第二鈍化層162由例如光壓克力(photo acryl)之有機絕緣材料形成，並且具有平整的頂表面。 本文中，可省略第一鈍化層160。

共同電極172形成於遍及基板110的第二鈍化層162上。 共同電極172由透明材料例如氧化銦錫或氧化銦鋅形成，並且包含對應汲電極156的開口172a。

共同線174形成於共同電極172上。共同線174具有從銅、銅合金或者鉬與鈦(molybdenum and titanium，MoTi)中選擇的單層結構或雙層結構。本文中，共同線174對應第4圖之位於資料線152上方的第三部件174c。

第三鈍化層180形成於共同線174上。第三鈍化層180包含汲極接觸孔180a，用於暴露汲電極156連同第一鈍化層160與第二鈍化層162。即，汲極接觸孔180a還形成於第一鈍化層160與第二鈍化層162 中。汲極接觸孔180a貫穿開口172a。第三鈍化層180由無機絕緣材料例如氮化矽或者氧化矽形成，並且由於共同線174的緣故在其頂表面具有階梯高度。

畫素電極182係形成於第三鈍化層180上的畫素區域中。 畫素電極182由透明導電材料例如氧化銦錫或氧化銦鋅形成。畫素電極182包含複數個電極圖案，彼此間隔並且與共同電極172重疊。

本發明中，柱狀間隔物透過階梯高度被支撐，其中此階梯高度係由共同電極172上的共同線174導致，當柱狀間隔物被移位時，畫素區域中畫素電極182上的配向層(圖中未表示)則避免被損壞。期望從共同線174上的第三鈍化層180的頂表面到畫素電極上第三鈍化層180之頂表面的高度與從畫素區域中畫素電極182之頂表面到畫素電極上第三鈍化層180之頂表面的高度之間的差值d1為大於約500埃，就是說，共同線174上第三鈍化層180的頂表面的高度比畫素區域中畫素電極182之頂表面的高度大約500埃，為此，共同線174具有大於1000埃到1500埃的厚度。 換言之，共同線上第三鈍化層180上的配向層高於畫素區域中畫素電極182上的配向層。

第6A圖與第6B圖分別為施加外力前後本發明實施例之液晶顯示裝置之剖面示意圖。第6A圖與第6B圖表示第4圖中沿第一方向之剖面圖對應的畫素區域。

第6A圖與第6B圖中，第一基板110與第二基板190彼此間隔且彼此正對。

閘極絕緣層130係形成於第一基板110之內表面上，資料 線152形成於閘極絕緣層130上。資料線152彼此間隔預定距離，鄰接資料線152之間的區域為畫素區域。

第一鈍化層160與第二鈍化層162順序地形成於資料線152上，第二鈍化層162包含平整的頂表面。

共同電極172形成於第二鈍化層162上，對應第一基板110之整個表面。共同線174形成於共同電極172上，共同線174被放置於一些資料線152上方。本文中，每一共同線174對應第4圖之第三部件174c。

第三鈍化層180形成於共同線174上。第三鈍化層180由於共同線174的緣故在其頂表面處具有階梯高度。

畫素電極182形成於資料線152之間每一畫素電極處的第三鈍化層180上。畫素電極182包含彼此間隔的複數個電極圖案。

雖然圖式中未表示，第一配向層形成於畫素電極182上。 第一配向層形成於第一基板110之實質整個表面上方。因此，第一配向層形成於與共同線174對應的第三鈍化層180上。

其間，第一柱狀間隔物(圖中未表示)與第二柱狀間隔物194形成於第二基板190之內表面上。第一柱狀間隔物與第二柱狀間隔物194被放置以對應共同線174。第一柱狀間隔物的高度大於第二柱狀間隔物194的高度，第一柱狀間隔物的寬度與長度小於第二柱狀間隔物194的寬度與長度。

雖然圖中未表示，黑色矩陣、彩色濾光層以及過塗佈層(overcoat layer)形成於第二基板190與第一柱狀間隔物及第二柱狀間隔物194之間。黑色矩陣包含與畫素區域對應的開口，彩色濾光層被放置以對應 黑色矩陣的開口。彩色濾光層包含紅色、綠色以及藍色的彩色濾光圖案，每一彩色濾光圖案對應一個畫素區域。過塗佈層覆蓋彩色濾光層。

第一柱狀間隔物與第二柱狀間隔物194形成於黑色矩陣上。

其間，第二配向層(圖中未表示)係形成於過塗佈層與第一柱狀間隔物及第二柱狀間隔物194之間或者形成於第一柱狀間隔物及第二柱狀間隔物194上。此外，液晶層(圖中未表示)被放置於第一配向層與第二配向層之間。

如第6A圖所示，在施加外力以前，第二柱狀間隔物194間隔開來且放置於共同線174上的第三鈍化層180上方。如上所述，第6A圖的共同線174對應第4圖之第三部件174c，第二柱狀間隔物194實際上對應第4圖之第二部件174b被放置。然而，為了便於解釋，第二柱狀間隔物194被表示為對應第4圖之第三部件174c。本文中，放置鄰近的第二柱狀間隔物194其中之一，這樣其中央相對對應的共同線174向右移位。放置鄰近的第二柱狀間隔物194的另一個，這樣其中央相對對應的共同線174向左移位。

此時，第一柱狀間隔物(圖中未表示)接觸共同線174上的第三鈍化層180，就是說，第4圖之第一部件174a，以及第一柱狀間隔物實際接觸第4圖之第一部件174a上方的第一配向層。

如第6B所示，當箭頭所示的外力被施加到本發明之液晶顯示裝置時，第二基板190相對第一基板110向右移動，並且被降低。第二基板190上的第二柱狀間隔物194連同第二基板190一起移動，以及第二柱狀間隔物194被放置為離開了第6B圖中與第三部件174c即實際上第4 圖之第二部件174b對應的初始位置。此時，第二柱狀間隔物194至少其一接觸共同線174即第4圖之第三部件174c上的第三鈍化層180，並且被其支撐。實際上，鄰接的第二柱狀間隔物194其中之一接觸共同線174即第4圖之第三部件174c上的第一配向層(圖中未表示)並且被其支撐，由此另一個鄰接的第二柱狀間隔物194則避免接觸畫素區域中的第一配向層。

其間，當施加外力時，第一柱狀間隔物(圖中未表示)被放置於與第4圖之之第一部件174a對應的初始位置之外，以及接觸畫素區域中的第一配向層。由於第一柱狀間隔物與第一配向層接觸，所以第一配向層的配向改變。然而，透過移動第一柱狀間隔物加寬黑色矩陣的寬度，可避免光線泄露。第一柱狀間隔物比第二柱狀間隔物194具有更低的排列密度。因此，本發明中，由於黑色矩陣的寬度最低限度被增加，則避免了開口率的降低，以及避免光線泄露。

然後，當施加的外力被移除時，本發明之液晶顯示裝置回到如第6A圖所示。

因此，本發明實施例中，雖然施加了外力，第二柱狀間隔物194由導致階梯高度的共同線174支撐。畫素區域中的第一配向層不會接觸第二柱狀間隔物194，以及當顯示黑色影像時避免泄露光線。

本發明實施例之共同線可具有多種結構，以下將結合圖式加以詳細論述。

第7A圖至第7D圖為本發明實施例之液晶顯示裝置之共同線之例子之示意圖，以及第7A圖至第7D圖表示共同線、畫素、第一柱狀間隔物以及第二柱狀間隔物。本文中，第7A圖表示與第4圖之共同線具有 相同結構之共同線。其間，陰影部份表示共同線，圓圈表示第一柱狀間隔物，矩形表示第二柱狀間隔物。

在第7A圖至第7D圖中，紅色、綠色以及藍色次畫素R、G以及B之每一個對應一個畫素區域，紅色、綠色以及藍色次畫素R、G以及B形成一個畫素PXL。第一柱狀間隔物或第二柱狀間隔物係對應每一畫素PXL被放置。本文中，第一柱狀間隔物的排列密度低於第二柱狀間隔物的排列密度。例如，沿第一方向每8個畫素排列第一柱狀間隔物，沿第二方向每4個畫素排列第一柱狀間隔物。

如第7A圖所示，每一共同線包含分別與第一及第二柱狀間隔物對應的第一及第二部件。共同線還包含第三及第四部件。第三部件沿第二方向從第二部件的兩側即第二部件的第一與第二端的每一個延伸預定長度。第四部件由沿第一方向延伸的第一與第二線圖案組成。第一線圖案連接第一與第二部件之第一端，第二線圖案連接第一與第二部件之第二端。

如第7B所示，每一共同線包含第一、第二與第三部件。此時，第一與第二部件分別對應第一與第二柱狀間隔物。第三部件沿第二方向從第二部件的第一與第二端各自延伸一預定長度。

如第7C圖所示，每一共同線包含第一、第二、第三與第四部件。此時，第一與第二部件分別對應第一與第二柱狀間隔物。第三部件沿第二方向從第二部件的第一與第二端各自延伸預定長度。第四部件沿第一方向延伸，並且連接第一與第二部件之第一端或者第一與第二部件之第二端。例如，第7C圖中，第四部件連接第一與第二部件之第二端。

如第7D圖所示，每一共同線包含第一、第二、第三與第四 部件。此時，第一與第二部件分別對應第一與第二柱狀間隔物。第三部件沿第二方向從第二部件的第一或第二端延伸預定長度。第四部件沿第一方向延伸，並且連接第一與第二部件之第一端或者第一與第二部件之第二端。例如，第7D圖中，第四部件連接第一與第二部件之第二端。本文中，奇數共同線的第三部件沿第二方向從第二部件之第一端延伸，偶數共同線之第三部件沿第二方向從第二部件之第二端延伸。

其間，第二柱狀間隔物被放置，這樣其中央相對第二部件之中央向右或向左移位。比如，鄰接的兩個第二柱狀間隔物其中之一被放置，這樣其中央相對對應的第二部件向右移位，鄰接的兩個第二柱狀間隔物其中另一個則被放置，這樣其中央相對對應的第二部件向左移位。

第8A圖為本發明另一實施例之液晶顯示裝置之陣列基板之平面圖，第8B圖僅僅為第8A圖之共同線之剖面示意圖。為了便於解釋，第8A圖一同表示彩色濾光片基板上形成的第一與第二柱狀間隔物。

第8A圖中，閘極線222與閘電極224形成於絕緣基板上(圖中未表示)。閘極線222沿第一方向延伸，閘電極224連接閘極線222。

閘極絕緣層(圖中未表示)形成於閘極線222與閘電極224上。

非晶矽的主動層242形成於閘電極224上方的閘極絕緣層上。

資料線252、源電極254以及汲電極256形成於閘極絕緣層與主動層242上。資料線252沿第二方向延伸，源電極254連接資料線252，汲電極256與源電極254間隔開來。資料線252與閘極線222交叉以定義 畫素區域。源電極254與汲電極256在對應的主動層242上彼此間隔開來。

當前實施例中，資料線252之部份為源電極254，但是從資料線252延伸的部份變為源電極254。

閘電極224、主動層242、源電極254以及汲電極256組成薄膜電晶體T，源電極254與汲電極256之間的主動層242變為薄膜電晶體T的通道。

本文中，薄膜電晶體T並非限制於第8A圖所示之結構，薄膜電晶體T的結構可被改變。

其間，如第8A圖所示，連接奇數閘極線222的薄膜電晶體T連接左側的資料線252，連接偶數閘極線222的薄膜電晶體T連接右側的資料線252。或者，連接奇數閘極線222的薄膜電晶體T連接右側的資料線252，連接偶數閘極線222的薄膜電晶體T連接左側的資料線252。

第一鈍化層(圖中未表示)與第二鈍化層(圖中未表示)順序地形成於資料線252、源電極254以及汲電極256上。本文中，第一鈍化層係由無機絕緣材料形成，第二鈍化層由有機絕緣材料形成且具有平整表面。可省略第一鈍化層。

共同電極(圖中未表示)形成於第二鈍化層上。共同電極係形成於基板的整個表面上方，並且對應薄膜電晶體T的汲電極256具有開口272a。

共同線274形成於共同電極上並且接觸共同電極。請參考第8A圖與第8B圖，每一共同線274包含第一、第二、第三以及第四部件274a、274b、274c以及274d。第一部件274a被放置於薄膜電晶體T其一 上方，對應第一柱狀間隔物292。第二部件274b包含兩個圖案，分別放置於鄰接的其他薄膜電晶體T上方，每一圖案對應一個第二柱狀間隔物294。 第三部件274c沿第二方向從第二部件274b兩側的每一個，即第二部件274b每一圖案之第一端與第二端之每一個沿第二方向延伸預定長度，並且與資料線252重疊。第三部件274c的長度為大約25微米。第四部件274d沿第一方向延伸。第四部件274d包含第一線圖案與第二線圖案，第一線圖案連接第一部件274a與第二部件274b的第一端，第二線圖案與第一線圖案平行並且連接第一部件274a與第二部件274b的第二端。共同線274由相對低電阻率的金屬材料形成。

本文中，第一柱狀間隔物292為形成間隙之間隔物，在平面結構中具有圓形形狀。第二柱狀間隔物294係為避免壓力之間隔物，在平面結構中具有棒狀或矩形形狀。第一柱狀間隔物292在平面結構中可具有矩形形狀。第二柱狀間隔物294的寬度與長度大於第一柱狀間隔物292的直徑較佳。

第一柱狀間隔物292的直徑小於第一部件274a沿第一與第二方向之的長度，第一柱狀間隔物292的邊緣被放置於第一部件274a的邊緣內。另一方面，第二柱狀間隔物294沿第一方向的長度大於畫素區域沿第一方向的長度，第二柱狀間隔物294與第二部件274b的圖案重疊，第二柱狀間隔物294的兩側分別被放置於第二部件274b的圖案的邊緣外部。

第三鈍化層(圖中未表示)形成於共同線274上。第三鈍化層係由無機絕緣材料例如氧化矽(silicon oxide)或氮化矽形成，並且由於下層即共同線274的緣故在其頂表面處具有階梯高度。此外，第三鈍化 層包含汲極接觸孔280a，以暴露汲電極256連同第一鈍化層與第二鈍化層。汲極接觸孔280a分別被放置於開口272a中。

畫素電極282係形成於第三鈍化層上的每一畫素區域中。畫素電極282包含複數個電極圖案，複數個電極圖案沿第二方向延伸並且沿第一方向彼此間隔開來。畫素電極282透過每一畫素區域中的汲極接觸孔280a接觸汲電極256。

畫素電極282相對閘極線222傾斜預定角度，在其中央部包含至少一個彎曲部。如第8A圖所示，畫素電極282包含一個第一彎曲部以及位於第一彎曲部兩側的第二與第三彎曲部。因此，資料線252也相對閘極線222傾斜預定角度，並且在與畫素電極282平行的各個區域畫素對應處包含彎曲部。

配向層(圖中未表示)形成於畫素電極282上，配向層可沿第二方向被摩擦。

第9A圖與第9B圖分別為施加外力前後本發明另一實施例之液晶顯示裝置之剖面示意圖。第9A圖與第9B圖表示沿第8A圖之第一方向放置的畫素區域。

第9A圖與第9B圖中，第一與第二基板210與290彼此間隔且彼此面對。

閘極絕緣層230係形成於第一基板210之內表面上，資料線252形成於閘極絕緣層230上。資料線252彼此間隔預定距離，鄰接的資料線252之間的區域為畫素區域。

第一鈍化層260與第二鈍化層262順序地形成於資料線252 上，第二鈍化層262包含平整的頂表面。

共同電極272形成於第二鈍化層262上，對應第一基板210之整個表面。共同線274形成於共同電極272上，共同線274被放置於一些資料線252上。本文中，每一共同線274對應第8A圖之第三部件274c。

第三鈍化層280形成於共同線274上。第三鈍化層280由於共同線274的緣故在其頂表面處具有階梯高度。

畫素電極282形成於資料線252之間每一畫素電極處的第三鈍化層280上。畫素電極282包含彼此間隔的複數個電極圖案。

雖然圖式中未表示，第一配向層形成於畫素電極282上。 第一配向層形成於第一基板210之實質整個表面上方。因此，第一配向層形成於與共同線274對應的第三鈍化層280上。

其間，第一柱狀間隔物(圖中未表示)與第二柱狀間隔物294形成於第二基板290之內表面上。第一柱狀間隔物與第二柱狀間隔物294被放置以對應共同線274。第一柱狀間隔物的高度大於第二柱狀間隔物294的高度，第一柱狀間隔物的寬度與長度小於第二柱狀間隔物294的寬度與長度。

雖然圖中未表示，黑色矩陣、彩色濾光層以及過塗佈層形成於第二基板290與第一柱狀間隔物及第二柱狀間隔物294之間。

其間第二配向層(圖中未表示)形成於過塗佈層與第一柱狀間隔物及第二柱狀間隔物294之間或者形成於第一柱狀間隔物及第二柱狀間隔物294上。此外，液晶層(圖中未表示)被放置於第一配向層與第二配向層之間。

如9A圖所示，在施加外力以前，第二柱狀間隔物294與共同線274上的第三鈍化層280間隔開來且被放置於共同線274上的第三鈍化層280上方。如上所述，第9A圖的共同線274對應第8A圖之第三部件274c，第二柱狀間隔物294實際上對應第8A圖之第二部件274b被放置。 然而，為了便於解釋，第二柱狀間隔物294被表示為對應第8A圖之第三部件274c。本文中，每一第二柱狀間隔物294具有一長度，此長度覆蓋鄰接的資料線252上方的共同線274以及鄰接的資料線252之間的畫素區域。

此時，第一柱狀間隔物(圖中未表示)接觸共同線274上的第三鈍化層280，就是說，第8A圖之第一部件274a，以及第一柱狀間隔物實際接觸第8A圖之第一部件274a上方的第一配向層。

如第9B所示，當箭頭所示的外力被施加到本發明之液晶顯示裝置時，第二基板290相對第一基板210向右移動，並且被降低。第二基板290上的第二柱狀間隔物294連同第二基板290一起移動，以及第二柱狀間隔物294被放置為第8A圖之第二部件274b對應的初始位置之外。 此時，每一第二柱狀間隔物294接觸共同線274更特別地為第8A圖之鄰接的第三部件274c其中之一上的第三鈍化層280，並且被其支撐。實際上，第二柱狀間隔物294接觸第8A圖之鄰接的第三部件274c其中之一上的第一配向層(圖中未表示)並且被其支撐，由此第二柱狀間隔物294則避免接觸畫素區域中的第一配向層。

然後，當施加的外力被移除時，本發明之液晶顯示裝置回到如第9A圖所示。

因此，本發明另一實施例中，雖然施加了外力，導致階梯 高度的共同線274仍然支撐第二柱狀間隔物294。畫素區域中的第一配向層不會接觸第二柱狀間隔物294，以及當顯示黑色影像時避免泄露光線。

其間，本發明另一實施例之共同線具有多種結構，並且可具有與第7A圖至第7D圖所示類似的結構。

第10圖為本發明另一實施例之液晶顯示裝置之陣列基板之平面圖。為了便於解釋，彩色濾光片基板上形成的第一至第三柱狀間隔物一同被顯示。

第10圖中，閘極線322與閘電極324形成於絕緣基板上(圖中未表示)。閘極線322沿第一方向延伸，閘電極324連接閘極線322。

閘極絕緣層(圖中未表示)形成於閘極線322與閘電極324上。

非晶矽的主動層342形成於閘電極324上方的閘極絕緣層上。

資料線352、源電極354以及汲電極356形成於閘極絕緣層與主動層342上。資料線352沿第二方向延伸，源電極354連接資料線352，汲電極356與源電極354間隔開來。資料線352與閘極線322交叉以定義畫素區域。源電極354與汲電極356在對應的主動層342上彼此間隔開來。

當前實施例中，資料線352之部份為源電極354，但是從資料線352延伸的部份變為源電極354。

閘電極324、主動層342、源電極354以及汲電極356組成薄膜電晶體T，源電極354與汲電極356之間的主動層342變為薄膜電晶體T的通道。

本文中，薄膜電晶體T並非限制於第10圖所示之結構，薄膜電晶體T的結構可被改變。

其間，如第10圖所示，連接奇數閘極線322的薄膜電晶體T連接左側的資料線352，連接偶數閘極線322的薄膜電晶體T連接右側的資料線352。或者，連接奇數閘極線322的薄膜電晶體T連接右側的資料線352，連接偶數閘極線322的薄膜電晶體T連接左側的資料線352。

第一鈍化層(圖中未表示)與第二鈍化層(圖中未表示)順序地形成於資料線352、源電極354以及汲電極356上。本文中，第一鈍化層係由無機絕緣材料形成，第二鈍化層由有機絕緣材料形成，具有平整表面。可省略第一鈍化層。

共同電極(圖中未表示)形成於第二鈍化層上。共同電極係形成於基板的整個表面上方，並且包含第一開口372a與第二開口372b。 第一開口372a對應一個畫素區域的汲電極356，第二開口372b對應彼此鄰接的另外兩個畫素區域的汲電極356。

其間，第二鈍化層包含與共同電極之第二開口372b對應的凹陷部(圖中未表示)。

共同線374形成於共同電極上並且接觸共同電極。每一共同線374包含第一、第二、第三以及第四部件374a、374b、374c以及374d。第一部件374a被放置於一個薄膜電晶體T上方，對應第一柱狀間隔物392。第二部件374b被放置於另一薄膜電晶體T上方，並且對應一個第二柱狀間隔物394。第三部件374c沿第二方向從彼此鄰接的另外兩個畫素區域之汲電極356對應的共同電極372之第二開口372b之每一第一與第二端，即第 二鈍化層之凹陷部之上端與下端延伸一預定長度。第三部件374c與彼此鄰接的另外兩個畫素區域之汲電極之間的資料線352重疊。第三部件374c對應第三柱狀間隔物396。第三部件374c的長度為大約25微米。第四部件374d沿第一方向延伸。第四部件374d包含第一線圖案與第二線圖案，第一線圖案連接第一部件374a與第二部件374b的第一端，第二線圖案與第一線圖案平行，並且連接第一部件374a與第二部件374b的第二端。共同線374由相對低電阻率的金屬材料形成。

本文中，第一柱狀間隔物392為形成間隙之間隔物，在平面結構中具有圓形形狀。第二柱狀間隔物394係為避免壓力之間隔物，在平面結構中具有圓形形狀。第三柱狀間隔物396為閂鎖間隔物，在平面結構中具有矩形形狀。第三柱狀間隔物396的寬度與長度大於第一柱狀間隔物392與第二柱狀間隔物394的直徑。第一柱狀間隔物392與第二柱狀間隔物394在平面結構中具有矩形形狀。

第一柱狀間隔物392的直徑小於第一部件374a沿第一與第二方向之的長度，第一柱狀間隔物392的邊緣被放置於第一部件374a的邊緣內。第二柱狀間隔物394的直徑小於第二部件374b沿第一與第二方向的長度，第二柱狀間隔物394的邊緣被放置於第二部件374b的邊緣之內。

其間，第三柱狀間隔物396沿第一方向的長度大於畫素區域沿第一方向的一半長度，以及小於畫素區域沿第一方向的長度。第三柱狀間隔物396與彼此鄰接的另外兩個畫素區域的汲電極356之間的資料線352重疊。此時，鄰接的第三柱狀間隔物396其中之一被放置，這樣其中央相對對應的資料線352向右移位。鄰接的另一第三柱狀間隔物396被放置， 這樣其中央相對對應的資料線352向左移位。

第三鈍化層(圖中未表示)形成於共同線374上。第三鈍化層係由無機絕緣材料例如氧化矽或氮化矽形成，並且由於下層即共同線374的緣故在其頂表面處具有階梯高度。此外，第三鈍化層包含汲極接觸孔380a，以暴露汲電極256連同第一鈍化層與第二鈍化層。汲極接觸孔380a分別被放置於共同電極之第一開口372a或者第二開口372b中。

畫素電極382係形成於第三鈍化層上的每一畫素區域中。 畫素電極382包含複數個電極圖案，複數個電極圖案沿第二方向延伸，並且沿第一方向彼此間隔開來。畫素電極382透過每一畫素區域中的汲極接觸孔380a接觸汲電極356。

畫素電極382相對閘極線322傾斜預定角度，在其中央部包含至少一個彎曲部。如第10圖所示，畫素電極382包含一個第一彎曲部以及位於第一彎曲部兩側的第二與第三彎曲部。因此，資料線352還相對閘極線322傾斜預定角度，並且在與畫素電極382平行的各個區域畫素對應處包含彎曲部。

配向層(圖中未表示)形成於畫素電極382上，配向層可沿第二方向被摩擦。配向層係形成於基板之實質整個表面上方。因此，配向層形成於共同線374對應的第三鈍化層上。

其間，本發明另一實施例之共同線具有多種結構，並且可具有與第7A圖至第7D圖所示類似的結構。

第11圖為本發明另一實施例之液晶顯示裝置之陣列基板之剖面示意圖。

第11圖中，閘電極324形成於第一基板310上，雖然圖中未表示，第10圖之閘極線322形成於第一基板310上，閘極線322接觸閘電極324以及沿第一方向延伸。閘極線322與閘電極324由相對低電阻率的金屬材料形成。

閘極絕緣層330形成於閘極線322與閘電極324上。閘極絕緣層330由例如氮化矽或者氧化矽的無機絕緣材料形成。

主動層342形成於閘電極324上方的閘極絕緣層330上。 主動層342由本質非晶矽形成。

源電極354與汲電極356係形成於主動層342上。源電極354與汲電極356在閘電極324上方彼此間隔。資料線352形成於閘極絕緣層330上。資料線352連接源電極354，以及沿第二方向延伸。資料線352與第10圖的閘極線322交叉以定義一個畫素區域。資料線352、源電極354與汲電極356由相對低電阻率的金屬材料形成。

其間，摻雜雜質的非晶矽的歐姆接觸層(圖中未表示)係形成於主動層342與源電極354之間以及主動層342與汲電極356之間。

本文中，閘電極324、主動層342、源電極354以及汲電極356構成薄膜電晶體，薄膜電晶體的結構並非限制於第11圖所示之結構。

第一鈍化層360形成於資料線352、源電極354以汲電極356之上，用於極化之第二鈍化層362形成於第一鈍化層360上。第一鈍化層360由無機絕緣材料例如氮化矽或者氧化矽形成。第二鈍化層362由例如光壓克力(photo acryl)之有機絕緣材料形成，並且具有平整的頂表面。 本文中，可省略第一鈍化層360。

第二鈍化層362包含位於薄膜電晶體上方的凹陷部362a。 實際上，凹陷部362a對應彼此鄰接的兩個畫素區域之薄膜電晶體。由於凹陷部362a的緣故，第二鈍化層362具有與薄膜電晶體對應的第一高度h1，以及與畫素區域對應的第二高度h2。第一高度h1與第二高度h2之間的差值為1微米較佳。例如，第一高度h1為大約1微米，第二高度h2為大約2微米。

凹陷部362a係使用遮罩被形成，此遮罩包含狹縫或者一個半透射層。即，如果第二鈍化層362由具有感光特性的有機絕緣材料形成，有機絕緣層則形成於第一基板310上，包含透光部、阻光部以及半透光部的遮罩被放置於有機絕緣層上方。當有機絕緣層具有正感光特性時，其中顯影以後被曝光的部份被移除，則透光部對應畫素區域，半透光部對應共同電極372之第二開口372b。另一方面，當有機絕緣層具有負感光特性時，其中顯影以後被曝光的部份保留，則阻光部對應畫素區域，半透光部對應共同電極372之第二開口372b。然後，曝光的有機絕緣層被顯影，從而形成第二鈍化層362，第二鈍化層362包含與共同電極372之第二開口372b對應的凹陷部362a，並且具有不同的高度h1與h2。

如果第二鈍化層362不具有感光特性，則光阻層形成於有機絕緣層上，有機絕緣層使用光阻層被圖案化，從而形成第二鈍化層362。

共同電極372形成於整個第一基板310上方的第二鈍化層362上。共同電極372由透明導電材料例如氧化銦錫或氧化銦鋅形成，並且包含與凹陷部362a對應的第二開口372b。雖然第11圖中未表示，共同電極372包含與另一汲電極356對應的第10圖之第一開口372a。

複數條共同線374形成於共同電極372上。共同線374具有從銅、銅合金或者鉬與鈦(molybdenum and titanium，MoTi)選擇的單層結構或雙層結構。本文中，共同線374對應位於資料線352上方的第10圖之第三部件374c。

第三鈍化層380形成於複數條共同線374上方。第三鈍化層380包含汲極接觸孔380a，汲極接觸孔380a暴露汲電極356連同第一鈍化層360與第二鈍化層362。汲極接觸孔380a被放置於第二開口372b內。 第三鈍化層380由無機絕緣材料例如氮化矽或者氧化矽形成，並且由於共同線374的緣故在其頂表面處具有階梯高度。

畫素電極382形成於第三鈍化層380上的畫素區域中。畫素電極382由透明導電材料例如氧化銦錫或氧化銦鋅形成。畫素電極382包含複數個電極圖案，複數個電極圖案彼此間隔並且與共同電極372重疊。

雖然圖中未表示，第一配向層形成於畫素電極382上。第一配向層形成於第一基板310之實質整個表面上。因此，第一配向層形成於與共同線374對應的第三鈍化層380上。

其間，第二基板390與第一基板310間隔，第一柱狀間隔物392、第二柱狀間隔物394以及第三柱狀間隔物396形成於第二基板390之內表面上。第一柱狀間隔物392與第二柱狀間隔物394係對應共同線374被放置。如上所述，第11圖之共同線374對應第10圖之第三部件374c，第一柱狀間隔物392對應第10圖之第一部件374a，第二柱狀間隔物394對應第10圖之第二部件374b。然而，為了便於解釋，第一柱狀間隔物392與第二柱狀間隔物394被放置於第10圖之第三部件374c上方。

第一柱狀間隔物392的高度大於第二柱狀間隔物394的高度，第一柱狀間隔物392的寬度與長度等於或小於第二柱狀間隔物394的寬度與長度。本文中，第一柱狀間隔物392接觸共同線374上的第三鈍化層380，第二柱狀間隔物394與另一共同線374上的第三鈍化層380間隔開來。

其間，第三柱狀間隔物396對應共同電極372之第二開口372b與第二鈍化層362之凹陷部362a。第三柱狀間隔物396的底表面被放置於凹陷部362a上之空間中，在高度上處於凹陷部362a之頂表面與第三鈍化層380之頂表面之間。第三柱狀間隔物396的寬度與長度大於第一柱狀間隔物392與第二柱狀間隔物394之寬度與長度。

第三柱狀間隔物396的高度實質上等於第一柱狀間隔物392的高度，當第一柱狀間隔物392被第一與第二基板310與390按壓時，第一柱狀間隔物392可能具有比第三柱狀間隔物396小的高度。第一、第二以及第三柱狀間隔物392、394以及396係使用遮罩透過一個遮罩製程被形成，此遮罩包含狹縫或者半透射層。

雖然圖中未表示，黑色矩陣、彩色濾光層以及過塗佈層形成第二基板390與第一、第二以及第三柱狀間隔物392、394及396之間。

其間，第二配向層(圖中未表示)形成於過塗佈層與第一、第二以及第三柱狀間隔物392、394以及396之間，或者形成於第一、第二以及第三柱狀間隔物392、394以及396上。此外，液晶層(圖中未表示)被放置於第一配向層與第二配向層之間。

第二鈍化層362之第一高度h1與第二高度h2之間的差值， 即凹陷部362a的深度需要大於第三柱狀間隔物396之最大收縮量(shrinkage)，例如可大於6000埃。如上所述，凹陷部362a的深度為大約1微米較佳，並且並非限制於此。

第12圖為施加外力後本發明另一實施例之液晶顯示裝置剖面示意圖。第12圖表示沿第10圖之第一方向放置的畫素區域。

如第12圖所示，當箭頭所示的外力被施加到圖式內容中本發明另一實施例之液晶顯示裝置時，第二基板390相對第一基板310向右移動。本文中，第二基板390相對第10圖之第一基板310上下移動。此時，第二基板390上的第一、第二以及第三柱狀間隔物392、394以及396連同第二基板390一同移動。當外力大於預定數值時，在高度上處於凹陷部362a之頂表面與第三鈍化層380之頂表面之間第三柱狀間隔物396超出凹陷部362a上的空間，以及第三柱狀間隔物396接觸與第三柱狀間隔物396鄰接的共同線374上的第三鈍化層390即第10圖之第三部件374c，並且被其支撐。實際上，第三柱狀間隔物396接觸第一配向層並且被其支撐。因此，第一與第二柱狀間隔物392與394避免接觸畫素區域中的配向層。

如上所述，第三柱狀間隔物396的高度實質上等於第一柱狀間隔物392的高度，第二柱狀間隔物394的高度小於第一與第三柱狀間隔物392與396的高度。

其間，雖然圖中未表示，當外力小於預定數值時，在高度上處於凹陷部362a之頂表面與第三鈍化層380之頂表面之間的第三柱狀間隔物396不會超出凹陷部362a上的空間，第三柱狀間隔物396的側壁接觸凹陷部362a之側壁，更特別地為第三鈍化層380或者凹陷部362a之側壁上 的畫素電極382之側壁。因此，避免第二基板390移動。

如果第三柱狀間隔物396的排列密度過低，當施加外力時，第三柱狀間隔物396無法被共同線374上的第三鈍化層380支撐。如果第三柱狀間隔物396的排列密度過高，會導致摩擦問題。因此，第三柱狀間隔物396具有合適的排列密度較佳，這樣上述問題被最小化。

本發明之另一實施例中，液晶顯示裝置包含第三柱狀間隔物396，第二鈍化層362包含與第三柱狀間隔物396對應的凹陷部362a，這樣第三柱狀間隔物396不會接觸第一基板310上方各層。第一、第二以及第三柱狀間隔物392、394以及396與第一基板310上各層的接觸面積降低，液晶的空白(margin)被最佳化。此外，當第一、第二以及第三柱狀間隔物392、394以及396移動時，第三柱狀間隔物396接觸共同線374上的第三鈍化層380，這樣第一與第二柱狀間隔物392與394避免接觸第三鈍化層380。

任何熟習相關技藝者，在不脫離本發明的精神和範圍內，顯然可依本揭露之顯示裝置當可做些許的修正與變更。因此，本發明的專利保護範圍須視本說明書所附的申請專利範圍所界定者為準。

122‧‧‧閘極線

124‧‧‧閘電極

142‧‧‧主動層

152‧‧‧資料線

154‧‧‧源電極

156‧‧‧汲電極

172a‧‧‧開口

174‧‧‧共同線

174a‧‧‧第一部件

174b‧‧‧第二部件

174c‧‧‧第三部件

174d‧‧‧第四部件

180a‧‧‧汲極接觸孔

182‧‧‧畫素電極

192‧‧‧第一柱狀間隔物

194‧‧‧第二柱狀間隔物

T‧‧‧薄膜電晶體

Claims (29)

1. 一種液晶顯示裝置，包含：彼此正對的一第一基板與一第二基板；其中該第一基板包含：複數條閘極線，沿一第一方向位於該第一基板上方；複數條資料線，沿一第二方向位於該第一基板上方，以及與該等閘極線交叉以定義複數個畫素區域；一薄膜電晶體，位於該等閘極線與該等資料線之每一交叉處；一絕緣層，覆蓋該薄膜電晶體並且包含平整的頂表面；一共同電極，位於遍及該第一基板之該絕緣層上；複數條共同線，位於該共同電極上；一鈍化層，位於該共同線上；以及一畫素電極，位於每一畫素電極中的該鈍化層上以及連接該薄膜電晶體，該畫素電極包含複數個電極圖案，其中該鈍化層由於該等共同線的緣故在該鈍化層的頂表面具有一階梯高度，其中該第二基板包含：堆疊於該第二基板上的一黑色矩陣、一彩色濾光 層以及一過塗佈層；以及位於該過塗佈層上的一第一間隔物與一第二間隔物。
2. 如請求項1所述之液晶顯示裝置，其中該等共同線的每一條包含對應一個薄膜電晶體之一第一部件與對應另一薄膜電晶體之一第二部件。
3. 如請求項2所述之液晶顯示裝置，其中該等共同線的每一條包含一第三部件，沿第二方向從該第二部件延伸一預定長度。
4. 如請求項3所述之液晶顯示裝置，其中該預定長度少於該畫素區域沿該第二方向之一半長度。
5. 如請求項3所述之液晶顯示裝置，其中該第三部件與該等資料線其中之一重疊。
6. 如請求項2所述之液晶顯示裝置，其中該第二基板更包含一第三間隔物，從該第三間隔物的頂表面到底表面的高度等於從該第一間隔物的頂表面到底表面的高度。
7. 如請求項6所述之液晶顯示裝置，其中該絕緣層包含一凹陷部，該凹陷部對應彼此鄰接的兩個畫素區域之薄膜電晶體，該第三間隔物被放置於該凹陷部上的空間中，在高度方面位於該凹陷部之一頂表面與該鈍化層之一頂表面之間。
8. 如請求項7所述之液晶顯示裝置，其中該等共同線的每一 條更包含一第三部件，從與該凹陷部之每一頂端與底端對應的區域延伸。
9. 如請求項7所述之液晶顯示裝置，其中該共同電極包含與該凹陷部對應的一開口。
10. 如請求項2所述之液晶顯示裝置，其中該等共同線的每一條更包含一第三部件，沿該第一方向延伸並且包含一第一線圖案或一第二線圖案，該第一線圖案連接該第一部件與該第二部件之第一端，該第二線圖案連接該第一部件與該第二部件之第二端。
11. 如請求項10所述之液晶顯示裝置，其中該等共同線的每一條更包含一第四部件，沿第二方向從該第二部件延伸一預定長度，該第三部件連接該第一與第二部件之第二端，其中鄰接的第四部件其中之一沿第二方向從該第二部件之第一端延伸，鄰接的第四部件之另一個沿第二方向從下一第二部件之第二端延伸。
12. 如請求項2所述之液晶顯示裝置，其中該第二部件包含分別對應彼此鄰接的另外兩個薄膜電晶體之兩個圖案，該第二間隔物與該第二部件之每一圖案重疊。
13. 如請求項12所述之液晶顯示裝置，其中兩個鄰接的第二間隔物之一個第二間隔物之一中央線相對該第二間隔物對應之一共同線之一中央線被放置於右側，兩個鄰接的第二間隔物之另一個第二間隔物之一中央線相對另一第二間隔 物對應之一共同線之一中央線被放置於左側。
14. 如請求項1所述之液晶顯示裝置，其中每一第二間隔物具有一長度，該長度覆蓋該等資料線上方之該等共同線以及該等資料線中的畫素區域。
15. 如請求項14所述之液晶顯示裝置，其中每一第二間隔物具有一長度，該長度覆蓋兩個鄰接的資料線上方的該等共同線以及該等資料線中的畫素區域。
16. 如請求項1所述之液晶顯示裝置，其中該等資料線相對該等閘極線傾斜一預定角度。
17. 如請求項1所述之液晶顯示裝置，其中該第一間隔物從一頂表面到一底表面之高度高於該第二間隔物從一頂表面到一底表面之高度，該第一間隔物之該頂表面接觸該第一基板上方的一頂層，這樣該第一基板與該第二基板之間的間隙保持均勻。
18. 如請求項17所述之液晶顯示裝置，其中該第一間隔物在平面結構中具有一圓形形狀，該第二間隔物在平面結構中具有一矩形形狀。
19. 一種液晶顯示裝置之陣列基板，包含：複數條閘極線，沿一第一方向位於一基板上方；複數條資料線，沿一第二方向位於該基板上方，以及與該等閘極線交叉以定義複數個畫素區域；一薄膜電晶體，位於該等閘極線與該等資料線之每一 交叉處；一絕緣層，覆蓋該薄膜電晶體以及具有一平整的頂表面；一共同電極，位於遍及該基板上方的該絕緣層上；複數條共同線，位於該共同電極上；一鈍化層，位於該等共同線上；以及一畫素電極，位於每一畫素區域中的該鈍化層上，以及連接該薄膜電晶體，該畫素電極包含複數個電極圖案，其中該鈍化層由於該等共同線的緣故在該鈍化層的一頂表面處具有一階梯高度。
20. 如請求項19所述之液晶顯示裝置之陣列基板，其中每一該等共同線包含對應一個薄膜電晶體之一第一部件與對應另一薄膜電晶體之一第二部件。
21. 如請求項20所述之液晶顯示裝置之陣列基板，其中每一該等共同線包含一第三部件，沿該第二方向從該第二部件延伸一預定長度。
22. 如請求項21所述之液晶顯示裝置之陣列基板，其中該預定長度少於該畫素區域沿該第二方向之長度的一半。
23. 如請求項21所述之液晶顯示裝置之陣列基板，其中該第三部件與該等資料線其中之一重疊。
24. 如請求項20所述之液晶顯示裝置之陣列基板，其中每一該等共同線更包含一第三部件，沿該第一方向延伸並且包 含一第一線圖案或一第二線圖案，該第一線圖案連接該第一部件與該第二部件之第一端，該第二線圖案連接該第一部件與該第二部件之第二端。
25. 如請求項24所述之液晶顯示裝置之陣列基板，其中每一該等共同線更包含一第四部件，沿第二方向從該第二部件延伸一預定長度，以及該第三部件連接該第一與第二部件之第二端，其中鄰接的第四部件其中之一沿第二方向從該第二部件之第一端延伸，鄰接的第四部件之另一個沿該第二方向從下一第二部件之第二端延伸。
26. 如請求項20所述之液晶顯示裝置之陣列基板，其中該絕緣層包含一凹陷部，該凹陷部對應彼此鄰接的兩個畫素區域之薄膜電晶體。
27. 如請求項26所述之液晶顯示裝置之陣列基板，其中每一該等共同線更包含一第三部件，從該凹陷部之每一上下端對應的一區域延伸。
28. 如請求項26所述之液晶顯示裝置之陣列基板，其中該共同電極包含與該凹陷部對應之一開口。
29. 如請求項19所述之液晶顯示裝置之陣列基板，其中該等資料線相對該等閘極線傾斜一預定角度。