JP2009003194A - 液晶表示パネルおよび液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】従来よりも透過率および応答速度が改善された垂直配向型の液晶表示パネルおよび液晶表示装置を提供する。
【解決手段】垂直配向型の液晶表示パネル２は、画素電極２４および垂直配向膜を備えたＴＦＴ基板２０と、対向電極および垂直配向膜を備えた対向基板と、ＴＦＴ基板２０と対向基板との間に挟持された液晶層とを備えている。ＴＦＴ基板２０および対向基板のうち少なくとも一方の基板には、基板面内方向に長軸２６ａを有し、長軸方向に各画素８における電界印加時の液晶分子の配向方向を規制する複数の微小突起２６が、電圧印加時に液晶分子が画素８毎に放射状に傾斜して配向するように各画素一面に放射状に配置されており、ＴＦＴ基板２０および対向基板の外側には、各々、円偏光板が配置されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶表示パネルおよび液晶表示装置に関するものであり、より詳しくは、垂直配向型の液晶表示パネルおよび液晶表示装置に関するものである。

近年、液晶表示装置における表示方式として、ＭＶＡモード（Multi Domain Vertically Aligned Mode）や、ＩＰＳ（In-Plain Switching）モードといった広視野角モードが提案されており、ＴＶ(television)等の用途に広く用いられている。そのうち、ＭＶＡモードは、垂直配向モードであるため、コントラストが高いという特徴を有し、特に注目を集めている。

垂直配向モードでは、誘電率異方性が負の液晶を使用し、２つの相対する電極上に、液晶分子を垂直に配向させる垂直配向膜を形成する。これにより、上記両電極に挟まれ、垂直に配向した液晶分子に電圧を印加して該液晶分子を所定の方向に傾けることで、任意の表示を実現する。

ＭＶＡモードを用いた液晶表示装置では、液晶分子を傾ける方向を制御する手段として、リブあるいは電極にスリットを設けている。ＭＶＡモードを実現する方法としては、（１）配向膜の下地に局所的にリブを形成し、リブの周囲の液晶分子を傾斜させ、リブ形成部以外の液晶分子を順次同じ方位に配列させることで、リブを起点とした配向制御を行う方法、または、（２）画素電極内にスリット（電極抜き部）を設け、このスリット近傍に電界の歪み（斜め電界）を発生させることで、リブを設けた場合と同様の配向を行う方法が、一般的に用いられている。

しかしながら、上記したように、ＭＶＡモードは、リブあるいはスリットを画素内に配置することから、光透過率がやや低いという課題を有している。さらに、液晶分子のチルトが、スリットあるいはリブ近傍の領域から他の領域へと伝搬するため、応答に時間を要するという課題を有している。

そこで、近年、光透過率が改善された垂直配向モードの液晶表示装置として、１つの画素内に、１画素の大きさよりも小さな電極ユニットを複数設け、これらを画素電極として１画素を構成し、円偏光を用いて表示を行う液晶表示装置が提案されている（例えば特許文献１参照）。

図１１は、特許文献１に記載の液晶表示装置における１画素の構成を示す平面図である。

図１１に示すように、特許文献１に示す液晶表示装置における画素電極１００は、略正方形状の外周を有し、画素領域より小さい複数の電極ユニット１１０と、隣接する電極ユニット１１０間に形成されたスリット１１１（電極の抜き部）と、スリット１１１で分離された電極ユニット１１０を互いに電気的に接続する接続電極１１２とを有している。図１１では、画素領域において、ドレインバスライン１１４に平行な方向に３個の電極ユニット１１０が配置されている。画素電極１００を構成する複数の電極ユニット１１０は、同一の透明導電膜により形成されている。

電極ユニット１１０は、ドレインバスライン１１４およびゲートバスライン１１５にほぼ平行または垂直な辺を有する略正方形状のベタ部１０１と、ベタ部１０１の各辺の中央から分岐して、ドレインバスライン１１４およびゲートバスライン１１５にほぼ平行または垂直に延伸する幹部１０２と、これらベタ部１０１および幹部１０２から分岐して、幹部１０２に対して斜めに櫛形状に延伸する複数の枝部１０４がスリット１０５を介して形成された櫛形電極１０６とを備えている。さらに、図示しないＣＦ（カラーフィルタ）基板における、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）基板に対向する面には、電極ユニット１１０上の領域に、接続電極１１２が複数の電極ユニット１１０を接続する方向に細長い配向制御用構造物１１６が形成されている。上記液晶表示装置では、上記したように、接続電極１１２によって互いに接続された複数の電極ユニット１１０により画素電極１００を形成することで画素を複数に分割し、各電極ユニット１１０に設けられた配向制御用構造物１１６によって、外力に対する配向乱れの補正を行っている。

上記特許文献１に示す垂直配向モードでは、円偏光を用いていることから、電圧印加時に、液晶分子がどの向きに傾斜しても光透過に寄与する。このため、液晶分子を傾ける方向を制御する手段として、ＭＶＡモードのようなリブあるいはスリットを形成する必要はなく、ＭＶＡモードと比べて、高い光透過率を得ることができる。

一方、少なくとも一方の基板に、基板面に平行な少なくとも第１の方向に延在し、基板面に平行でかつ第１の方向に直交する第２の方向に周期的に変化する構造パターンを設けることにより、電界を局所的に変形させて電界印加時の液晶分子のチルト方向を規制して応答速度を向上させるとともに、液晶分子のチルト方向が異なる複数のドメインを形成することで視野角が改善された液晶表示装置が提案されている（特許文献２参照）。

図１２および図１３は、特許文献２に記載の液晶表示装置における１画素の構成を示す平面図である。

特許文献２に示す液晶表示装置では、図１２に示すように、例えばカラーフィルタ基板２０１上に、格子状粗構造パターン２０２・２０３を、両者が画素電極２０４の中央において交差するように、ゲートバスライン２０５およびドレインバスライン２０６の延設方向に、画素電極２０４の配列ピッチで繰り返し形成している。そして、この格子状粗構造パターン２０２・２０３によって囲まれた各ドメインＡ〜Ｄの各々に、微細構造パターン２０７（方向性パターン）を、一つのドメインにおける延在方向（第１の方向）が、辺で隣接するドメインにおける上記第１の方向と９０°の角度で交差するような関係で形成することにより、画素を４分割している。

また、図１３に示す例では、ＴＦＴガラス基板２１０において、画素電極２０４中に、図１１と同様に区画されたドメインＡ〜Ｄを形成し、方向性パターンの方向を、矢印で示すように、各ドメインＡ〜Ｄで異ならせることで画素を略正方形状に分割している。

このため、特許文献２に示す液晶表示装置によれば、ＭＶＡモードと比べて応答速度を向上させることができるとともに、もともと垂直配向モードの採用により優れている視野角特性を、さらに向上させることができる。
特開２００６−８４５１８号公報（２００６年３月３０日公開） 特開２００２−１０７７３０号公報（２００２年４月１０日公開）

しかしながら、特許文献１に示すように、円偏光を用いた従来の液晶表示装置は、ＭＶＡモードのようなリブあるいはスリットを形成する必要はないものの、電圧印加時に安定した配向を得るために、ある程度画素を分割する必要がある。

画素を分割することは、図１１に示すスリット１１１のように、画素内に大きなスリットを形成することを意味する。しかしながら、このようなスリット部分には電極がないため実質的に光透過に寄与しない領域となり、円偏光を利用する優位性を十分に生かしきれない。

一方、前記特許文献２に示す液晶表示装置では、図１２および図１３に示す各ドメインＡ〜Ｄの境界において液晶分子の配向方向が約９０°変化する。このため、各ドメインＡ〜Ｄの境界に対応して暗線が出現し、これが透過率の低下に繋がっている。

また、特許文献２に記載の液晶表示装置において、各ドメインＡ〜Ｄにおける方向性パターンは、４５°、１３５°、２２５°、３１５°の４方向に配置されている。

しかしながら、一般的に、画素電極端近傍の液晶分子は、画素電極端の電界によって、画素電極に向かって倒れようとする。

このため、上記特許文献２に記載の画素電極２０４における画素電極端の電界による配向方向と上記方向性パターンによる配向方向とは必ずしも一致せず、電圧印加直後に、配向乱れや、十分倒れきれない液晶分子が現れる。このため、上記画素電極端では配向安定に時間がかかり、これが、応答時間を遅くする一因となる。最終的には上記画素電極端の電界による配向規制力と方向性パターンによる配向規制力とが作用し合い、四角形の画素電極を丸く取り囲むように液晶分子が傾斜する。

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、従来よりも透過率および応答速度が改善された垂直配向型の液晶表示パネルおよび液晶表示装置を提供することにある。

本発明にかかる液晶表示パネルは、上記課題を解決するために、電極および該電極を覆う配向膜を備えた一対の基板と、上記一対の基板間に挟持された液晶層とを備え、電圧無印加時に、上記液晶層中の液晶分子を、基板面に略垂直に配向させる垂直配向型の液晶表示パネルであって、上記一対の基板のうち少なくとも一方の基板には、基板面内方向に突出部を有し、該突出部の延設方向に各画素における電界印加時の液晶分子の配向方向を規制する複数の配向規制用構造物が、電圧印加時に上記液晶分子が画素毎に放射状に傾斜して配向するように各画素一面に放射状に配置されており、上記一対の基板の外側には、各々、円偏光板が配置されていることを特徴としている。

また、本発明にかかる液晶表示装置は、上記課題を解決するために、本発明にかかる上記液晶表示パネルを備えていることを特徴としている。

上記液晶表示パネルおよび液晶表示装置は、上記配向規制用構造物を有することで、個々の液晶分子は、電圧印加時に、上記配向規制用構造物により局所的に変形された電界に応答して該配向規制用構造物の突出部の延設方向に倒れる。このため、液晶分子が倒れる際に、該液晶分子のチルトが、ＭＶＡモードによって駆動される従来の液晶表示装置のようにスリットあるいはリブ近傍の領域から他の領域へと伝搬する必要がなく、応答速度を速めることができる。

しかも、上記の構成によれば、円偏光を利用し、かつ、電圧印加時に上記液晶分子が画素毎に放射状に傾斜して配向するように上記配向規制用構造物を各画素一面に放射状に配置することで、画素全域の液晶分子を画素毎に放射状に傾斜させることができ、画素電極端の電界による液晶分子の配規制方向と上記配向規制用構造物による液晶分子の配向規制方向とを、容易に略一致、好適には一致させることができる。このため、配向境界の発生を抑制、防止することができる。

このように上記画素電極端の電界による配向規制方向と上記配向規制用構造物による配向規制方向とを、略一致、好適には一致させることで、液晶分子の応答の乱れを排除し、配向境界の安定に時間がかかるといった問題の発生を防止することができる。この結果、配向境界における応答の乱れに起因する応答速度の低下を防止することができる。

したがって、上記の構成によれば、従来よりも、応答速度を改善することができる。

また、上記の構成によれば、上記配向規制用構造物により上記したように液晶分子の配向方向が規制されているので、例えば特許文献１に示す、円偏光を利用した従来の液晶表示装置のように１画素を複数の電極ユニットに分割する必要はなく、画素電極として、スリットを有していない、ベタ状の画素電極を用いることができる。このため、光の利用効率を向上させることができ、円偏光を利用する優位性を十分に生かすことができる。しかも、上記の構成によれば、各画素に、上記配向規制用構造物を上記したように放射状に配置することで、特許文献２に示すような暗線の出現を防止することができる。このため、従来よりも透過率を改善することができる。

特に、上記の構成によれば、上記したように上記配向規制用構造物により液晶分子の傾斜方向が規制されているとともに、円偏光を用いていることから、液晶分子の傾斜角度のみに依存して光透過率が変化する。このため、輝度の高い液晶表示パネル並びに液晶表示装置を得ることができる。

また、上記の構成によれば、上記液晶表示パネルおよび液晶表示装置が、上記配向規制用構造物を有することで、個々の液晶分子の配向方向が、駆動状態において、上記配向規制用構造物の延設方向に実質的に規制されるため、倒れた液晶分子同士が相互作用して液晶分子のツイスト角が液晶層の面内において変化することがなく、コントラスト比の高い高品質の表示が可能になる。

このため、上記の構成によれば、円偏光を利用する優位性を十分に生かすことができ、従来よりも透過率および応答速度が改善され、しかも表示品位が高い垂直配向型の液晶表示パネルおよび液晶表示装置を提供することができる。

上記液晶表示パネル並びに液晶表示装置において、互いに隣り合う配向規制用構造物による液晶分子の配向規制方向のなす角度は、６０°以下であることが望ましい。

上記液晶表示パネル並びに液晶表示装置の応答速度は、互いに隣り合う配向規制用構造物による液晶分子の配向規制方向のなす角度が６０°であるときを境にして飛躍的に向上する。このため、上記角度とすることが望ましい。

また、上記配向規制用構造物は、多重の楕円形状に配列されていることが望ましい。すなわち、上記配向規制用構造物は、上記突出部が画素周辺部を向くように放射状に配置され、かつ、多重の楕円形状をなすように配列されていることが望ましい。

一般的に、１絵素は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３つの画素から構成されるため、各画素、特に、各画素における画素電極は、細長い長方形になる。このため、上記配向規制用構造物が、上記したように多重の楕円形状に配列されていることで、各画素における画素電極端の電界による液晶分子の配向規制方向と上記配向規制用構造物による液晶分子の配向規制方向とを、容易に略一致あるいは一致させることができる。

本発明にかかる液晶表示パネルは、電極および該電極を覆う配向膜を備えた一対の基板と、上記一対の基板間に挟持された液晶層とを備え、電圧無印加時に、上記液晶層中の液晶分子を、基板面に略垂直に配向させる垂直配向型の液晶表示パネルであって、以上のように、上記一対の基板のうち少なくとも一方の基板には、基板面内方向に突出部を有し、該突出部の延設方向に各画素における電界印加時の液晶分子の配向方向を規制する複数の配向規制用構造物が、電圧印加時に上記液晶分子が画素毎に放射状に傾斜して配向するように各画素一面に放射状に配置されており、上記一対の基板の外側には、各々、円偏光板が配置されている構成である。

また、本発明にかかる液晶表示装置は、以上のように、本発明にかかる上記液晶表示パネルを備えている構成である。

上記液晶表示パネルおよび液晶表示装置は、上記配向規制用構造物を有することで、液晶分子のチルトが、ＭＶＡモードによって駆動される従来の液晶表示装置のようにスリットあるいはリブ近傍の領域から他の領域へと伝搬する必要がない。しかも、円偏光を利用し、かつ、電圧印加時に上記液晶分子が画素毎に放射状に傾斜して配向するように上記配向規制用構造物を各画素一面に放射状に配置することで、画素電極端の電界による液晶分子の配向規制方向と上記配向規制用構造物による液晶分子の配向規制方向とを略一致させることができ、配向境界の発生を防止することができる。このため、配向境界における液晶分子の応答の乱れを排除することができ、従来よりも、応答速度を改善することができる。

また、上記の構成によれば、上記配向規制用構造物により上記したように液晶分子の配向方向が規制されているので、１画素を複数の電極ユニットに分割する必要はなく、画素電極として、スリットを有していない、ベタ状の画素電極を用いることができる。このため、光の利用効率を向上させることができ、円偏光を利用する優位性を十分に生かすことができる。しかも、上記の構成によれば、各画素に、上記配向規制用構造物を上記したように放射状に配置することで、特許文献２に示すような暗線の出現を防止することができる。このため、従来よりも透過率を改善することができる。

特に、上記の構成によれば、上記したように上記配向規制用構造物により液晶分子の傾斜方向が規制されているとともに、円偏光を用いていることから、液晶分子の傾斜角度のみに依存して光透過率が変化する。このため、輝度の高い液晶表示パネル並びに液晶表示装置を得ることができる。

また、上記の構成によれば、上記液晶表示パネルおよび液晶表示装置が、上記配向規制用構造物を有することで、個々の液晶分子の配向方向が、駆動状態において、上記配向規制用構造物の延設方向に実質的に規制されるため、倒れた液晶分子同士が相互作用して液晶分子のツイスト角が液晶層の面内において変化することがなく、コントラスト比の高い高品質の表示が可能になる。

このため、上記の構成によれば、円偏光を利用する優位性を十分に生かすことができ、従来よりも透過率および応答速度が改善され、しかも表示品位が高い垂直配向型の液晶表示パネルおよび液晶表示装置を提供することができるという効果を奏する。

本発明の一実施形態について図１〜図１０に基づいて説明すれば以下の通りである。

図１は、本実施の形態にかかる液晶表示装置におけるアレイ基板の１画素の構成を模式的に示す平面図であり、図２は、本実施の形態にかかる液晶表示装置の概略構成を示すブロック図である。なお、図１中、対向基板に設けられたブラックマトリクス（以下、「ＢＭ」と記す）を二点鎖線にて示す。

図２に示すように、本実施の形態にかかる液晶表示装置１は、液晶表示パネル２と、該液晶表示パネル２を駆動する駆動回路と、該駆動回路の駆動を制御する制御回路３と、必要に応じて、バックライトユニット（図示せず）等を備えている。

上記駆動回路は、液晶表示パネル２におけるゲートバスライン６を駆動するゲート駆動回路４と、ソースバスライン７を駆動するソース駆動回路５とを備えている。これらゲート駆動回路４、ソース駆動回路５は、各々、ゲートバスライン６、ソースバスライン７に電気的に接続されており、これらバスラインに、外部から独立して電位を与えることができるようになっている。これら駆動回路は、上記制御回路３に各々電気的に接続されており、該制御回路３から供給される制御信号や映像信号によって制御されている。

上記ゲートバスライン６とソースバスライン７とは、図１および図２に示すように、互いに交差して設けられている。これらゲートバスライン６とソースバスライン７とで囲まれた各領域が１画素であり、上記液晶表示パネル２は、画素８…がマトリクス状に配された構成を有している。

各画素８には、図１に示すように、複数に区切られ、各々に異なる電圧を印加可能な画素電極２４が各々設けられている。また、上記ゲートバスライン６とソースバスライン７との交差部には、各々、スイッチング素子として、ＴＦＴ５１が設けられている。

上記ＴＦＴ５１は、ゲート電極５２、絶縁膜２２（ゲート絶縁膜、図４参照）および半導体層、ソース電極５３およびドレイン電極５４が、この順に形成された構成を有している。ゲートバスライン６の一部は、上記ＴＦＴ５１のゲート電極５２として機能する。また、上記ＴＦＴ５１のソース電極５３は、ソースバスライン７に電気的に接続されている。上記ドレイン電極５４は、コンタクトホール５５を介して画素電極２４に電気的に接続されている。

次に、上記液晶表示パネル２の構成について、図３および図４を参照して以下に説明する。

図３は、本実施の形態にかかる液晶表示装置１における液晶表示パネル２の概略構成を模式的に示す斜視図である。

図３に示すように、本実施の形態にかかる液晶表示パネル２は、液晶セル１０の外側、つまり、液晶セル１０の表裏面側に、円偏光板１１・１５が各々設けられた構成を有している。上記円偏光板１１は、液晶セル１０側から１／４波長板１２と偏光板１３とがこの順に積層された構成を有している。また、円偏光板１５は、液晶セル１０側から１／４波長板１６と偏光板１７とがこの順に積層された構成を有している。

また、図３中、上側を観察者側（表示面側）とすると、光源としてのバックライトユニット（図示せず）は、下側の円偏光板１５の下方（後方）、つまり、下側の偏光板１７の下方（後方）に配置される。また、上記液晶セル１０と上側の円偏光板１１との間、具体的には、上記液晶セル１０と１／４波長板１２との間には、視角特性を向上させるために、必要に応じて、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）フィルム１４のような負の位相差を有する層が配置されていてもよい。

図３に示すように、平面視、すなわち、上記液晶表示パネル２の表面を垂直方向から見ると、各々の円偏光板１１・１５を構成する偏光板１３の吸収軸１３ａと、偏光板１７の吸収軸１７ａとは、互いにほぼ直交して設けられている。また、１／４波長板１２の光学軸１２ａ（遅相軸）は、１／４波長板１６の光学軸１６ａ（遅相軸）とほぼ直交している。上記偏光板１３の吸収軸１３ａと１／４波長板１２の光学軸１２ａとのなす角は、ほぼ４５°である。また、偏光板１７の吸収軸１７ａと１／４波長板１６の光学軸１６ａとのなす角も、ほぼ４５°である。すなわち、上記１／４波長板１２および偏光板１３、１／４波長板１６および偏光板１７、各々、円偏光子を構成している。このため、バックライトユニット（光源）から射出された光が偏光板１７と１／４波長板１６とをこの順に透過すると円偏光になる。

このため、光透過率は、液晶層４０の液晶分子４１（図９参照）の傾斜方向には依存せず、液晶分子４１の傾斜角度に依存して変化することから、電圧印加時に、液晶分子４１がどの向きに傾斜しても光透過に寄与する。

また、上記したように、互いに光学軸１２ａ・１６ａが直交する１／４波長板１２・１６を配置することにより、クロスニコルに配置された偏光板１３・１７のみを用いた場合と比較して、白表示の際の光の透過率を向上することができ、輝度の高い明るい表示が得られる液晶表示装置を実現できる。

本実施の形態では、視野角の対称性を実現し、さらに表示画面に対して上下左右方向での視角特性を最適化するために、上記偏光板１３・１７並びに１／４波長板１２・１６は、以下のように配置されている。

上記偏光板１７の吸収軸１７ａは、表示画面の右方（３時の方位）を基準として、反時計回りに１５０°の方向に配置されている。また、１／４波長板１６の光学軸１６ａは、上記した表示画面の右方を基準として、反時計回りに１５°の方向に配置されている。さらに、液晶セル１０の観察者側（つまり、液晶層の観察者側）に配置されたＴＡＣフィルム１４の光学軸１４ａおよび１／４波長板１２の光学軸１２ａは、上記した表示画面の右方を基準として、反時計回りに１０５°の方向に配置されている。偏光板１３の吸収軸１３ａは、上記した表示画面の右方を基準として、反時計回りに６０°の方向に配置されている。

上記液晶表示パネル２は、上記液晶セル１０に、負の誘電率異方性を有する垂直配向型の液晶を使用し、２つの相対する電極上に、液晶層４０における液晶分子４１を垂直に配向させる垂直配向膜を備えた垂直配向型の液晶表示パネルであり、上記両電極に挟まれ、垂直に配向した液晶分子４１に電圧を印加して該液晶分子４１を所定の方向に傾けることで、任意の表示を実現する。

図４は、上記液晶セル１０の１画素の概略構成を模式的に示す断面図である。なお、図４中、点線は、電気力線を示す。

上記液晶セル１０は、図４に示すように、互いに対向して配置された一対の基板（アレイ基板としての薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と記す）基板２０、および対向基板３０）を備え、これら一対の基板間に液晶層４０が挟持された構成を有している。すなわち、上記円偏光板１１・１５並びにＴＡＣフィルム１４等は、これら一対の基板の外側（両基板の対向面とは反対側の面）に各々設けられている。

本実施の形態で用いられる上記対向基板３０は、ガラス等の透明基板３１（透明絶縁性基板）における上記ＴＦＴ基板２０との対向面上に、ＢＭ３２（ブラックマトリクス）と、平坦化膜３３と、対向電極３４と、配向膜３５とが、上記透明基板３１側からこの順に配された構成を有している。

上記対向電極３４は、上記透明基板３１上のほぼ全面に形成されており、各画素８に共通の電極（共通電極）として使用される。また、上記ＢＭ３２は、図１および図４に示すように、上記ＴＦＴ基板２０におけるゲートバスライン６およびソースバスライン７を覆うとともに、画素電極２４の端部にオーバーラップして設けられている。

なお、上記対向基板３０には、必要に応じて、図示しない下地膜や、カラーフィルタ等が設けられていてもよい。

一方、上記ＴＦＴ基板２０は、図４に示すように、ガラス等の透明基板２１（透明絶縁性基板）上に、図示しない第１の金属電極層、絶縁膜２２（ゲート絶縁膜、第１の層間絶縁膜）、ソースバスライン７等で構成される第２の金属電極層、絶縁層２３（第２の層間絶縁膜）、画素電極２４、配向膜２５（垂直配向膜）が、この順に形成された構成を有している。

上記第１の金属電極層は、図１に示すゲートバスライン６等で構成されている。また、第２の金属電極層は、図１に示すソースバスライン７、ＴＦＴ５１のドレイン電極５４、等で構成されている。

また、画素電極２４は、図１および図４に示すように、画素８毎に形成されている。上記画素電極２４および対向電極３４は、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電膜により形成された透明電極である。

液晶層４０には、上記対向電極３４と画素電極２４とに印加された電圧によって電界が印加され、これにより、画像が形成される。

また、上記配向膜２５・３５は、液晶層４０の液晶分子４１を、電圧無印加時に、上記透明基板２１・３１の基板面にほぼ垂直（好適には垂直方向）に配向させる垂直配向膜であり、例えば、上記画素電極２４および対向電極３４上に塗布された、垂直配向規制力を有するポリイミドやポリアミック酸等の配向膜材料によって形成されている。

なお、上記液晶表示パネル２において、液晶層４０中の液晶分子４１は、上記透明基板２１・３１の基板面に垂直に配向することが最も望ましい。しかしながら、上記基板面には、上記したように、ゲートバスライン６、ソースバスライン７等の配線や、ＴＦＴ５１等のスイッチング素子が設けられているとともに、後述するように各画素８に対応して、図１および図４に示すように微小突起２６（微細構造パターン）が設けられている等、上記基板面は平坦ではない。

一般的に、液晶分子の長軸方向は、このように基板面が平坦ではないといった構造的な要因や、熱揺らぎによって液晶分子の配向が微小に揺らぐといった物性的な要因等によって、局所的に、基板面に対して９０°からずれることがある。

但し、このように、一般的に、垂直配向型の液晶表示パネルにおいて、液晶分子の長軸方向が基板面に対して必ずしも垂直とは限らず、略垂直であればよく、画素電極上の液晶分子の長軸方向の平均が一定以上であれば表示にはほとんど影響を与えることはないことは、当業者にとって周知（常識）である。また、当業者であれば、「略垂直」によって示される程度（つまり、どの程度であれば表示にほとんど影響しないか）に対する十分な知見を有している。

図５に、垂直配向モードの液晶表示パネルにおける液晶のプレチルト角とコントラストとの関係の一例を示す。図５に示すように、通常、プレチルト角が８７°以上であれば、表示に影響を及ぼすことはほとんどない。すなわち、上記液晶表示パネル２において、極角方向（すなわち基板面に対して垂直方向）に対する±３°以内のばらつきは十分に許容範囲内である。

また、上記ＴＦＴ基板２０および対向基板３０のうち少なくとも一方の基板には、基板面内方向に突出部を有し、該突出部の延設方向に各画素８における電界印加時の液晶分子４１の配向方向を規制する配向制御用構造物からなる構造パターンが設けられている。上記配向規制用構造物は、液晶層４０に電圧が印加されたときに該液晶層４０内の液晶分子４１…が一画素内で複数の方向に傾斜するように、一画素内に複数形成される。

本実施の形態では、図４に示すように、ＴＦＴ基板２０における画素電極２４上に、上記配向制御用構造物として、複数の微小突起２６からなる構造パターンを設けている。

上記微小突起２６は、液晶層４０における電界を局所的に変形させることで各画素８における電界印加時の液晶分子４１の配向方向を規制する、画素電極２４よりも小さな突起状構造物である。

本実施の形態では、上記微小突起２６として、図１に示すように、基板面に平行な少なくとも第１の方向に長軸２６ａを有するＴ字状の微小突起を形成した。

液晶分子４１は、電圧印加時、すなわち駆動状態において、実質的に上記第１の方向、すなわち上記微小突起２６の長軸方向に配向（チルト）する。本実施の形態では、上記液晶層４０の液晶分子４１は、各微小突起２６における長軸２６ａに沿って、短軸２６ｂに向かって配向（チルト）する。

本実施の形態では、上記微小突起２６は、電圧印加時に上記液晶分子４１…が画素８毎に放射状に傾斜するように、各画素８に、微小突起２６の長軸２６ａが、画素端（画素周辺部）を向くとともに、画素一面に、放射状に形成されている。より具体的には、上記微小突起２６は、放射状に、周期的に配置されているとともに、基板面内方向に複数の層（多重円）をなすように配列されている。

以下に、上記微小突起２６を上記したように放射状に配置することによって得られる効果について、図６を参照して詳細に説明する。

上記したように円偏光を用いた垂直配向型の液晶表示装置において、円偏光を利用する優位性を十分に生かすためには、スリットに代えて、微小な凹凸を画素８内に設けることで液晶分子４１を所定の方向に配向させ、これにより画素分割を行うことが考えられる。

図６は、円偏光を用いた垂直配向型の液晶表示装置において、画素内に微小な凹凸を設けて液晶分子を所定の方向に配向させて画素分割を行う場合に考えられるＴＦＴ基板（アレイ基板）の１画素の一構成例を模式的に示す平面図である。

図６では、上記凹凸として、図１に示す配向制御用構造物と同じＴ字状の微小突起２６を形成した。上記微小突起２６は、画素電極２４のすぐ下の絶縁層２３に配置した。画素電極２４は、上記微小突起２６を覆うように形成した。また、上記微小突起２６は、その長軸２６ａが、４５°、１３５°、２２５°、３１５°の４方向に延在するように配置した。

上記したように微小突起２６を４方向に向けて配置した場合、微小突起２６の延在方向が異なる各領域の境界にドメインが生じる。しかしながら、上記したようにＴ字状の微小突起２６を形成した場合、Ｔ字状自身に一定の大きさがあるために、上記境界を厳密に定めきることができないことがある。このため、配向境界の安定に時間が生じる場合がある。

また、電圧印加時、図６に示すアレイ基板を用いた液晶表示装置では、図１に示す微小突起２６同様、Ｔ字形状の下から上に向かって液晶分子が傾斜する。一方、画素電極２４における画素電極端の電界の影響で、画素電極端の液晶分子は、画素電極２４の辺に対して垂直な方向に傾斜しようとする。このため、図６に示すアレイ基板を用いた液晶表示装置においても、図１２および図１３に示す特許文献２に記載の液晶表示装置と同様、画素電極端の電界による液晶分子の傾斜方向と、Ｔ字状の微小突起２６による液晶分子の傾斜方向とが一致せず、電圧印加直後に、配向乱れや、十分倒れきれない液晶分子が現れる。そのため、画素電極端では配向安定に時間がかかり応答時間を遅くする一因となる。そして、図６に示すアレイ基板を用いた液晶表示装置でも、図１２および図１３に示す特許文献２に記載の液晶表示装置と同様、最終的には両者の配向規制力が作用しあい、画素電極２４を丸く取り囲むように液晶分子が傾斜する。

なお、上記特許文献２には、方向性パターンを、同心円状または渦巻状に配列してもよいことが開示されている。しかしながら、上記特許文献２では、４方向に液晶分子を倒すことで配向分割していることから、必ず上記した配向境界が生じる。なお、配向境界は突起物上に発生する。また、斜め方向の突起物はチルト角を発生させ、かつ画素内で占める面積が大きいので、コントラストの低下や、実質的な透過率の低下の原因となる。

また、上記方向性パターンを、例えば、同心円状または渦巻状に沿って配置した場合には、画素周辺部では、液晶分子が画素電極の辺と概平行に倒れる。しかしながら、前記したように画素電極端近傍の電界は液晶分子を画素電極の内側に向かって画素電極の辺と直角方向に倒そうとする。このため、この場合にも、構造による配向規制力と電界による配向規制力の方向が異なることから、電圧印加時に画素電極端の液晶分子の配向が乱れ、応答が遅くなったり、駆動電圧が高くなり、場合によっては画素毎に乱れ方が異なるため、応答時間のばらつきや僅かな透過率の違いが画素毎に発生し、ざらつきとなって見えたりする等の問題がある。

このため、円偏光を用いた垂直配向モードに、従来公知の方向性パターンを用いた配向制御方法を適用しても、配向境界における液晶分子の応答の乱れを排除することはできず、透過率並びに応答性に優れ、上記した問題が発現せず、円偏光を利用する優位性を十分に生かすことができる液晶表示装置を得ることはできない。

一方、本実施の形態によれば、円偏光を利用し、かつ、上記したように各画素８に上記微小突起２６を放射状に配置することで、画素８全域の液晶分子４１…を画素８毎に放射状に傾斜させることができ、画素電極端の電界による液晶分子４１の配向規制方向と上記微小突起２６による液晶分子４１の配向規制方向とを、容易に概一致、好適には一致させることができ、配向境界の発生を防止することができる。このため、液晶分子４１の応答の乱れを排除し、配向境界の安定に時間がかかるといった問題の発生を防止することができるので、上記したような配向境界における応答の乱れに起因する応答速度の低下を防止することができる。

なお、上記画素電極端の電界による配向規制方向と上記微小突起２６による配向規制方向とは、完全に一致していなくてもよいが、上記配向境界の発生の抑制効果を確実に得る上で、上記画素電極端の電界による配向規制方向と上記微小突起２６による配向規制方向とのズレは、上記画素電極端の電界による配向規制方向を基準として、±４５°の範囲内であることが望ましく、±２０°の範囲内であることがより望ましい。すなわち、上記微小突起２６は、上記画素電極端の電界による配向規制方向と上記微小突起２６による配向規制方向とのずれが上記範囲内、好適には、上記画素電極端の電界による配向規制方向と上記微小突起２６による配向規制方向とが一致するように配置されていることが望ましい。

図９は、上記微小突起２６による、上記液晶層４０における画素電極端の液晶分子４１の配向規制方向（すなわち、画素電極端の微小突起２６の長軸方向によって示される液晶分子４１の配向方向）と、該画素電極端の電界による液晶分子４１の配向規制方向とのなす角度を、上記液晶表示パネル２の要部の平面並びに断面にて示す図である。なお、便宜上、各基板（ＴＦＴ基板２０および対向基板３０）における透明基板２１・３１並びに画素電極２４および対向電極３４以外の構成要素については図示を省略している。

図９に、矢印ｄ１にて示す、上記微小突起２６による、上記液晶層４０における画素電極端の液晶分子４１の配向規制方向（すなわち、画素電極端の微小突起２６の長軸方向によって示される液晶分子４１の配向方向）と、矢印ｄ２にて示す、該画素電極端の電界による液晶分子４１の配向規制方向とのなす角度をθにて示す。θが大きいと、電圧印加時に、上記微小突起２６による液晶分子４１の配向規制力と、画素電極端の電界による液晶分子４１の配向規制力とのせめぎ合いの結果、応答に時間がかかる。その影響は、特に、図９に示すように、上記液晶表示パネル２のパネル面を斜めから見たときに顕著に観察される。

図１０は、図９に示すように方位角４５°、極角６０°の方向から上記液晶表示パネル２のパネル面を観察したときの、応答速度τ（ｍｓ）のθ異存性の一例を示すグラフである。

図１０から判るように、上記θは４５°以下であれば、液晶分子４１の配向乱れの影響は小さくなり、２０°以下にすれば配向乱れの影響はほぼなくなる。

また、本実施の形態によれば、上記液晶表示パネル２が上記微小突起２６を有することで、液晶層４０における個々の液晶分子４１は、電圧印加時に、上記微小突起２６により局所的に変形された電界に応答して該微小突起２６の延在方向（長軸方向）に倒れる。このため、液晶分子４１が倒れる際に、該液晶分子４１のチルトが、ＭＶＡモードによって駆動される従来の液晶表示装置のようにスリットあるいはリブ近傍の領域から他の領域へと伝搬する必要がなく、応答速度を速めることができる。

したがって、本実施の形態によれば、従来よりも、応答速度を改善することができる。

また、上記したように微小突起２６により液晶分子４１の配向方向が規制されているので、例えば特許文献１に示す、円偏光を利用した従来の液晶表示装置のように１画素を複数の電極ユニットに分割する必要はなく、上記画素電極２４として、スリットを有していない、ベタ状の画素電極を用いることができる。このため、光の利用効率を向上させることができ、円偏光を利用する優位性を十分に生かすことができる。しかも、本実施の形態によれば、上記したように各画素８に上記微小突起２６を放射状に配置することで、特許文献２に示すような暗線の出現を防止することができる。このため、従来よりも透過率を改善することができる。

特に、本実施の形態によれば、上記したように上記微小突起２６により液晶分子４１の傾斜方向が規制されているとともに、前記したように円偏光を用いていることから、液晶分子４１の傾斜角度のみに依存して光透過率が変化する。このため、輝度の高い液晶表示装置を得ることができる。

また、本実施の形態によれば、上記したように、上記液晶表示パネル２が上記微小突起２６を有することで、個々の液晶分子４１の配向方向が、駆動状態において、上記微小突起２６の延在方向（長軸方向）に実質的に規制されるため、倒れた液晶分子４１・４１同士が相互作用して液晶分子４１のツイスト角が液晶層４０の面内において変化することがなく、コントラスト比の高い高品質の表示が可能になる。

このため、本実施の形態によれば、円偏光を利用する優位性を十分に生かすことができ、前記した問題の発現を防止することができる液晶表示パネル２並びに液晶表示装置１を提供することができる。

図７は、円偏光を用いる垂直配向モードの液晶表示装置の応答時間と、上記微小突起２６により２領域の液晶分子の配向方向を変化させたときの、両領域における液晶分子の配向方向のなす角度との関係を示すグラフである。なお、ここで、応答時間は、黒透過率を０％、白透過率を１００％とし、０Ｖから白表示のための電圧（白電圧）を印加したときに透過率が１０％から９０％に変化するのに要する時間を示す。なお、セル厚は４μｍとした。

通常、画素を４分割した場合は、２領域の配向方向のなす角度、つまり、互いに隣り合う各ドメインにおける液晶分子の配向方向のなす角度は９０°である。図７から、上記角度を小さくすると応答時間が改善され、特に、上記角度を６０°以下にすると、応答速度の改善効果が飛躍的に向上し、４０°以下にすると、上記角度を小さくする効果は、ほぼ飽和することが判る。

したがって、互いに隣り合う微小突起２６による液晶分子４１・４１の配向規制方向のなす角度、言い換えれば、互いに隣り合う微小突起２６・２６の延設方向同士のなす角度（つまり互いに隣り合う微小突起２６・２６の長軸２６ａ・２６ａ同士がなす角度）は、６０°以下であることが好ましく、４０°以下であることがより好ましく、製造上、４０°であることが、特に好ましい。なお、上記したように、４０°以下では効果はほぼ飽和することから、上記角度を６０°以下に設定する場合、上記角度を４０°以上、６０°以下に設定しても効果は同じであることから、製造の容易さ等を考慮すれば、上記角度を６０°以下に設定する場合には、上記角度を４０°以上、６０°以下に設定することがより望ましい。

なお、上記微小突起２６の形状並びに配置がどのような形状あるいは配置であるにせよ、微小突起２６が形成されていない箇所は液晶分子４１の配向規制力が殆どない。このため、微小突起２６…は、可能な限り密に形成されていることが望ましい。

本願発明者の検討によると、上記微小突起２６（配向規制用構造物）の大きさが光の波長以上であると干渉が発生する。このため、上記微小突起２６の一方の端部から、該微小突起２６の隣に配設された微小突起２６における上記端部に対応する端部までの最大距離によって示される上記微小突起２６の配設周期は、４００ｎｍ以下であることが望ましく、製造上、５０ｎｍ〜４００ｎｍ程度の配設周期とすることがより望ましい。

なお、上記配設周期とは、より具体的には、例えば図１に示す例では、Ｔ字状の微小突起２６と、微小突起２６・２６間の間隙を含めた周期であり、例えば、該微小突起２６の長軸２６ａの幅と、隣り合う微小突起２６・２６間の最長の間隙、つまり、上記微小突起２６・２６の長軸２６ａ・２６ａの先端同士の間隙とからなる周期を示す。尚、隣り合う微小突起２６・２６間の間隙は、画素８全域で一様に配向するように内側と外側とで略等しく（好適には等しく）設定されている。但し、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、上記間隙が、外側ほど疎になるように各微小突起２６を配設することにより、干渉を弱める効果を得ることもできる。

また、本実施の形態において、上記微小突起２６の高さは特に限定されるものではないが、コントラストの低下を防止するため、２００ｎｍ以下であることが望ましく、５０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であることがより望ましい。

また、上記微小突起２６の大きさは、上記したように各画素８内に放射状に配置することができれば特に限定されるものではないが、例えば、その長軸２６ａの長さが、０．０５μｍ〜１μｍ程度の大きさとなるように形成される。

上記微小突起２６の形成方法は特に限定されるものではなく、例えば、上記画素電極２４上に、樹脂材料、例えばアクリル系樹脂やポリイミド系樹脂、あるいは、ノボラック系樹脂等の市販のレジスト材料を一様に塗布してレジスト膜を形成し、露光・現像処理を行うことにより容易に形成することができる。また、このときの上記レジスト材料の塗布条件、並びに、露光・現像条件等の形成条件は特に限定されるものではなく、例えば上記特許文献２に記載の方向性パターンの形成方法と同様の方法並びに条件を採用し、上記微小突起２６が形成されるように、適宜、変更、調整すればよい。

本実施の形態にかかる上記液晶表示パネル２は、上記したようなＴＦＴ基板２０と対向基板３０とを張り合わせ、その間に誘電率異方性が負の液晶を注入して得られた液晶セル１０の表裏に、前記したように円偏光板１１・１５を貼付することにより容易に製造することができる。具体的には、図３に示したように液晶セル１０を、１／４波長板１２・１６並びに偏光板１３・１７で挟み、円偏光を作るため、前記したように、偏光板１３・１７の吸収軸１３ａ・１７ａと１／４波長板１２・１６の光学軸１２ａ・１６ａ（遅相軸）とを、４５°の角度をなすように配置する。なお、視角特性改善のため、前記したように、液晶セル１０と１／４波長板１２・１６との間には、ＴＡＣフィルム１４等の、負の位相差を有する層が配置されていてもよい。

本実施の形態において、上記液晶層４０に円偏光を入射するための上記円偏光板１１・１５としては、偏光子を透過した直線偏光を円偏光に変換することができるものであれば特に限定されるものではなく、前記したように、偏光板（直線偏光板）と１／４波長板とによって形成されていてもよく、偏光膜（複屈折フィルム）と偏光板との積層体であってもよい。

なお、本実施の形態では、上記微小突起２６を、図４に示すように画素電極２４上に形成した場合を例に挙げて説明したが、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、例えば、図８に示すように、上記画素電極２４の下層に形成してもよい。

上記微小突起２６を上記画素電極２４のすぐ下の層に、該画素電極２４に隣接して形成することで、画素電極２４および配向膜２５の表面には、上記微小突起２６に由来する凹凸が形成される。なお、図４では、図面の簡略化のために、上記微小突起２６によって形成される配向膜２５表面の凹凸については、図示を省略している。

上記微小突起２６を画素電極２４の下層に形成する場合、例えば図１に示すように、隣り合う画素８における液晶分子４１の配向に影響を及ぼさない範囲内で、微小突起２６を、画素電極２４形成領域を越えて形成することができる。

すなわち、前記したように、微小突起２６が形成されていない箇所は液晶分子４１の配向規制力が殆どない。このため、微小突起２６は、可能な限り密に形成されていることが望ましい。上記微小突起２６を、上記画素電極２４の下層に形成することで、画素８内全域に微小突起２６を形成することができる。また、一般的に、電極上に絶縁体が存在する場合、焼付きの一因となり易い。しかしながら、上記したように、上記微小突起２６を上記画素電極２４の下層に形成することで、焼付きの発生を防止することができる。

上記微小突起２６は、上記画素電極２４の下層の絶縁層２３上に形成されていてもよく、例えばエッチング等により上記絶縁層２３の表面に凹凸を形成することにより、上記絶縁層２３と一体的に形成されていても構わない。

また、図８に示すように、上記絶縁層２３上に、樹脂層２７を形成し、該樹脂層２７の表面に上記微小突起２６を形成することで、各層を構成する材料の熱収縮率の違いや洗浄工程等によって上記微小突起２６の層界面（境界）で膜が剥離することを回避することができる。また、上記の構成によれば、上記微小突起２６は、画素電極２４の真下に、該画素電極２４に隣接して設けられていることで、上記微小突起２６上に後から塗布した樹脂が上記微小突起２６をある程度平坦化してしまうおそれを回避することができるので、上記微小突起２６の厚さ制御が容易である。

このような微小突起２６は、転写を用いて所望の形状（凹凸）を樹脂にインプリントすることにより、容易かつ精度よく形成することができる。

次に、上記樹脂層２７に、転写によって上記微小突起２６を形成する方法について以下に説明する。

まず、予め、表面に上記微小突起２６による構造パターンに対応した転写用の型を、原盤として製造する。

一方、上記透明基板２１上における絶縁層２３上に、上記樹脂層２７を構成する熱硬化性樹脂あるいは紫外線硬化性樹脂が塗布もしくは滴下された基板を準備する。なお、上記透明基板２１上に、前記したように第１の金属電極層、絶縁膜２２、第２の金属電極層、絶縁層２３を形成するまでの工程は、従来と同じである。

次に、上記したように上記透明基板２１上に塗布もしくは滴下された、樹脂層２７を構成する熱硬化性樹脂あるいは紫外線硬化性樹脂の表面に、上記した転写用の型を押し付け、加熱あるいは紫外線を照射する。

これにより、上記転写用の型の表面形状を、樹脂層２７を構成する熱硬化性樹脂あるいは紫外線硬化性樹脂に容易に転写することができる。

その後、上記樹脂層２７の上に、蒸着方法もしくはスパッタリング等、通常のＩＴＯの成膜方法によって画素電極２４を形成し、その上から配向膜２５の材料を塗布して垂直配向膜を形成する。これにより、上記ＴＦＴ基板２０を形成することができる。

上記の方法によれば、表示特性に優れた液晶表示パネル２を、容易かつ安定して製造することができるとともに、前記したように、画素８内全域に微小突起２６を形成することができるとともに、焼付きの発生を防止することができる。

また、本実施の形態では、前記したように、上記微小突起２６が、各画素８に、画素一面に放射状に形成されている例として、上記微小突起２６が、放射状に、周期的に配置されているとともに、基板面内方向に複数の層（多重円）をなすように配列されている場合を例に挙げて説明した。

但し、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、上記微小突起２６が、電圧印加時に、液晶分子４１…が画素８毎に放射状に傾斜するように画素一面に放射状に配置されてさえいれば、微小突起２６・２６同士が、千鳥状に互い違いに形成されている構造を有していてもよく、部分的に配設密度が異なる領域を有していてもよい。

また、画素電極２４が正方形の場合には、円形に放射状に液晶分子４１…を傾斜させることができるが、一般的に、１絵素は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３つの画素８から構成されるため、各画素８、特に、各画素８における画素電極２４は、その長辺２４ａと短辺２４ｂとの比率が３以上と、細長い長方形になる。

このため、上記微小突起２６は、楕円形をなすように放射状に配置されている（つまり、放射状に配置された複数の微小突起２６によって形成される構造パターンが楕円状を有する）ことが望ましい。より具体的には、上記微小突起２６は、放射状に配置され、かつ、多重の楕円形状に配列されていることが望ましい。これにより、各画素８における画素電極端の電界による液晶分子４１の配向規制方向と上記微小突起２６による液晶分子４１の配向規制方向とを、容易に略一致あるいは一致させることができる。

但し、上記微小突起２６の配置は、これに限定されるものではなく、図１に示すように、微小突起２６が、画素８中心では円形に放射状に配置され、画素８の長手方向端部では、短手方向に向かって円弧状に湾曲した層を形成するように、放射状に配置されていてもよい。

また、上記微小突起２６の大きさは、一律であることが好ましいが、互いに異なっていても構わない。また、上記微小突起２６の形状としては、例えば、前記特許文献２に示された各種凸パターン（方向性パターン）と同様のパターンを採用することができる。

また、本実施の形態では、図４に示すように、ＴＦＴ基板２０に微小突起２６を形成する場合を例に挙げて説明したが、本実施の形態は、これに限定されるものではなく、対向基板３０に微小突起２６が形成されている構成を有していてもよく、両基板に微小突起２６が形成されている構成を有していてもよい。

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

上記液晶表示パネルおよび液晶表示装置は、垂直配向型の液晶表示パネルおよび液晶表示装置であり、コントラストが高く、視野角特性に優れているとともに、高透過率で色調変化が小さいので、テレビ、ノート型ＰＣ、ディスクトップ型ＰＣ、ＰＤＡおよび携帯電話等、種々の電子機器に好適に使用することができる。また、上記液晶表示パネルの製造方法によれば、上記液晶表示パネルを、容易かつ安定して製造することができる。

本発明の実施の一形態にかかる液晶表示装置におけるアレイ基板の１画素の構成を模式的に示す平面図である。 本発明の実施の一形態にかかる液晶表示装置の概略を示すブロック図である。 本発明の実施の一形態にかかる液晶表示装置における液晶表示パネルの概略構成を模式的に示す斜視図である。 図３に示す液晶表示パネルにおける液晶セルの１画素の概略構成を模式的に示す断面図である。 垂直配向モードの液晶表示パネルにおける液晶のプレチルト角とコントラストとの関係を示すグラフである。 円偏光を用いた垂直配向型の液晶表示装置において、画素内に微小な凹凸を設けて液晶分子を所定の方向に配向させて画素分割を行う場合に考えられるＴＦＴ基板の１画素の一構成例を模式的に示す平面図である。 円偏光を用いる垂直配向モードの液晶表示装置の応答時間と、配向制御用構造物により２領域の液晶分子の配向方向を変化させたときの、両領域における液晶分子の配向方向のなす角度との関係を示すグラフである。 図１に示すアレイ基板における配向制御用構造物の他の形成例を示す要部断面図である。 図１に示す配向制御用構造物による画素電極端の液晶分子の配向規制方向と、該画素電極端の電界による液晶分子の配向規制方向とのなす角度を、上記液晶表示パネルの要部の平面並びに断面にて示す図である。 方位角４５°、極角６０°の方向から上記液晶表示パネルのパネル面を観察したときの、応答速度τ（ｍｓ）のθ異存性の一例を示すグラフである。 特許文献１に記載の液晶表示装置における１画素の構成を示す平面図である。 特許文献２に記載の液晶表示装置における１画素の構成を示す平面図である。 特許文献２に記載の液晶表示装置における１画素の構成を示す他の平面図である。

符号の説明

１ 液晶表示装置
２ 液晶表示パネル
３ 制御回路
４ ゲート駆動回路
５ ソース駆動回路
６ ゲートバスライン
７ ソースバスライン
８ 画素
１０ 液晶セル
１１ 円偏光板
１２ １／４波長板
１２ａ 光学軸
１３ 偏光板
１３ａ 吸収軸
１４ ＴＡＣフィルム
１４ａ 光学軸
１５ 円偏光板
１６ １／４波長板
１６ａ 光学軸
１７ 偏光板
１７ａ 吸収軸
２０ ＴＦＴ基板
２１ 透明基板
２２ 絶縁膜
２３ 絶縁層
２４ 画素電極
２４ａ 長辺
２４ｂ 短辺
２５ 配向膜
２６ 微小突起
２６ａ 長軸
２６ｂ 短軸
２７ 樹脂層
３０ 対向基板
３１ 透明基板
３２ ＢＭ
３３ 平坦化膜
３４ 対向電極
３５ 配向膜
４０ 液晶層
４１ 液晶分子
５１ ＴＦＴ
５２ ゲート電極
５３ ソース電極
５４ ドレイン電極
５５ コンタクトホール

Claims (5)

1. 電極および該電極を覆う配向膜を備えた一対の基板と、上記一対の基板間に挟持された液晶層とを備え、電圧無印加時に、上記液晶層中の液晶分子を、基板面に略垂直に配向させる垂直配向型の液晶表示パネルであって、
   上記一対の基板のうち少なくとも一方の基板には、基板面内方向に突出部を有し、該突出部の延設方向に各画素における電界印加時の液晶分子の配向方向を規制する複数の配向規制用構造物が、電圧印加時に上記液晶分子が画素毎に放射状に傾斜して配向するように各画素一面に放射状に配置されており、
   上記一対の基板の外側には、各々、円偏光板が配置されていることを特徴とする液晶表示パネル。
2. 各画素における画素電極端の電界による液晶分子の配向規制方向と上記配向規制用構造物による液晶分子の配向規制方向とが略同じであることを特徴とする請求項１記載の液晶表示パネル。
3. 互いに隣り合う配向規制用構造物による液晶分子の配向規制方向のなす角度が６０°以下であることを特徴とする請求項１または２記載の液晶表示パネル。
4. 上記配向規制用構造物は、多重の楕円形状に配列されていることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の液晶表示パネル。
5. 請求項１から４の何れか１項に記載の液晶表示パネルを備えていることを特徴とする液晶表示装置。

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