WO2017057208A1

WO2017057208A1 - 液晶表示パネル及びその製造方法

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Publication number: WO2017057208A1
Application number: PCT/JP2016/078138
Authority: WO
Inventors: 下敷領　文一; 壮寿吉田
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2015-10-02
Filing date: 2016-09-26
Publication date: 2017-04-06
Also published as: US20180275436A1; US10545381B2

Abstract

本発明は、高透過率及び高速応答性を実現でき、指押し跡を充分に解消でき、容易に製造することができる液晶表示パネルを提供する。本発明の液晶表示パネルは、画素電極が、略４５°方位に延びる第一の線状電極群、略１３５°方位に延びる第二の線状電極群、略２２５°方位に延びる第三の線状電極群、及び、略３１５°方位に延びる第四の線状電極群を含み、第一配向膜及び第二配向膜のいずれか一方は、略２２５°方位にプレチルト角が付与された第一配向領域と、略４５°方位にプレチルト角が付与された第三配向領域と、プレチルト角が実質的に付与されないか、又は、該線状電極群と略直交する方位にプレチルト角が付与された領域とを含み、該第一配向膜及び該第二配向膜の他方は、略１３５°方位にプレチルト角が付与された第二配向領域と、略３１５°方位にプレチルト角が付与された第四配向領域と、プレチルト角が実質的に付与されないか、又は、該線状電極群と略直交する方位にプレチルト角が付与された領域とを含む。

Description

液晶表示パネル及びその製造方法

本発明は、液晶表示パネル及びその製造方法に関する。より詳しくは、高透過率及び応答特性が向上され、指押し跡を充分に解消でき、容易に製造することができる液晶表示パネル及びその製造方法に関する。

液晶表示パネルは、一対のガラス基板等に液晶表示素子を挟持して構成され、薄型で軽量かつ低消費電力といった特長を活かして、カーナビゲーション、電子ブック、フォトフレーム、産業機器、テレビ、パーソナルコンピュータ、スマートフォン、タブレット端末等、日常生活やビジネスに欠かすことのできないものとなっている。これらの用途において、液晶層の光学特性を変化させるための電極配置や基板の設計に係る各種モードの液晶表示パネルが検討されている。

近年の液晶表示パネルの表示方式としては、負の誘電率異方性を有する液晶分子を基板面に対して垂直配向させた垂直配向（Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ；ＶＡ）モード等が挙げられる。垂直配向モードの液晶表示パネルは、広視野角特性を有することから、上述した用途に用いられている。なかでも、配向制御構造として、一方の基板に電極スリット、他方の基板に突起構造物を設けて画素分割（配向分割）を行うＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ－Ｄｏｍａｉｎ　Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードや、両方の基板に電極スリットを設けて画素分割（配向分割）を行うＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ　Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶表示パネルが実用化されている。

しかしながら、ＭＶＡモード及びＰＶＡモードにおいては、応答速度が遅いという点で改善の余地があった。すなわち、黒状態から白状態へ応答させるために高電圧を印加しても、瞬時に応答し始めるのは、電極スリット及び突起構造物付近の液晶分子のみであり、これらの配向制御構造から遠い距離にある液晶分子は応答が遅れてしまう。

この応答速度の改善に関しては、基板全面に配向膜を設けて配向処理を行い、液晶分子に予めプレチルト角を付与しておくことが有効である。ＶＡモードにおいても、液晶分子を予め垂直配向膜に対してわずかに傾斜させておくことで、液晶層への電圧印加時に液晶分子を傾斜させることが容易となるため、応答速度を速くすることができる。

互いの基板で配向処理方向が直交する垂直配向膜を用いることにより、液晶分子がツイスト構造となるＶＡモードの液晶表示装置としては、垂直配向型の液晶層と、第１基板及び第２基板と、第１基板の液晶層側に設けられた第１電極及び第２基板の液晶層側に設けられた第２電極と、液晶層に接するように設けられた少なくとも１つの配向膜とを有し、第１基板又は第２基板が遮光部材を有し、遮光部材が、第１液晶ドメイン、第２液晶ドメイン、第３液晶ドメインおよび第４液晶ドメインのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域が、第１エッジ部、第２エッジ部、第３エッジ部および第４エッジ部のいずれかと交わる領域を遮光する遮光部を含む、液晶表示装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。

また、液晶分子に予めプレチルト角を付与した、４分割配向構造を有するＶＡモードの液晶表示装置としては、例えば、偏光軸が互いに直交するように配置された２つの偏光板と、複数の画素を有し、上記複数の画素のそれぞれは、誘電率異方性が負のネマチック液晶材料を含む液晶層と、第１電極と、上記第１電極に上記液晶層を介して対向する第２電極と、上記第１電極と上記液晶層との間および上記第２電極と上記液晶層との間に設けられた一対の垂直配向膜と、を有し、上記第１電極は、幹部と、上記幹部に接続された複数の枝部とを有し、上記複数の枝部は、第１方位に延びる複数の第１枝部がストライプ状に配列された第１群と、第２方位に延びる複数の第２枝部がストライプ状に配列された第２群と、第３方位に延びる複数の第３枝部がストライプ状に配列された第３群と、第４方位に延びる複数の第４枝部がストライプ状に配列された第４群とを含み、上記第１方位、第２方位、第３方位および第４方位は、任意の２つの方位の差が９０°の整数倍に略等しく、且つ、上記２つの偏光板の偏光軸と略４５°の角をなし、上記液晶層に電圧を印加しないとき、上記一対の垂直配向膜の近傍の液晶分子のプレチルト方位は、それぞれ上記一対の垂直配向膜によって規定されている、液晶表示装置が開示されている（例えば、特許文献２参照）。

特許第５１８４６１８号公報特開２０１１－８５７３８号公報

上記特許文献１に記載の液晶表示パネル（このような液晶表示パネルは、画素中の配向領域が４分割されていると共に、互いの基板で配向処理方向が直交していることから、４Ｄ－ＲＴＮ〔４Ｄｏｍａｉｎ－Ｒｅｖｅｒｓｅ　Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ〕配向の液晶表示パネルとも言う。）では、近年の液晶表示パネルにおける画素の高精細化に伴って、以下の（１）、（２）の課題があった。
（１）画素内に占める不連続配向領域の割合が増加しているため、配向をより安定化するための工夫の余地がある（例えば、図５１）、（２）特許文献１に記載の４Ｄ－ＲＴＮ配向の液晶表示パネルでは、卍形暗線が発生するため、透過率及び応答性能をより向上するための工夫の余地がある。

上記（１）、（２）の課題は、下記〔１〕、〔２〕の原因によるものであると考えられる。
〔１〕図５２に示した画素エッジ部に生成する斜め電界の影響を受ける液晶分子ＬＣ１（矩形状の画素の輪郭線上の液晶分子）の配向方向と、一点鎖線で囲んで示した、液晶分子が安定的に配向するドメイン部における、液晶分子ＬＣ２の配向方向との捩れ角が９０°を超えるので、破線で囲んで示した不連続配向領域（暗線エッジ部）が発生し、配向が乱れる要因となる。更に、画素サイズが小さくなると、不連続配向領域の幅が約１０μｍであるため、不連続配向領域の割合が増加し、最終的には画素全体で配向が安定しなくなってしまうおそれがある。〔２〕図５２に示される、破線で囲んで示した不連続配向領域や、その他の暗線幹部の幅が約１０μｍあるため、画素サイズが小さくなるほど、暗線以外の領域の割合が少なくなり、透過率及び応答性能が低下するおそれがある。

また上記特許文献２の図６、図７には、特許文献２における実施形態に係る配向処理方法が開示されているが、該配向処理方法は、卍形暗線が改善された液晶表示装置を作製するものではなかった。
図７２は、特許文献２の図６に記載の液晶表示装置に含まれる画素におけるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を露光方向、スキャン方向と共に示す概念図である。図７３は、特許文献２の図７に記載の液晶表示装置に含まれる画素におけるＣＦ（カラーフィルタ）基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を露光方向、スキャン方向と共に示す概念図である。図７４は、図７２で得られたＴＦＴ基板の光配向膜と、図７３で得られたＣＦ基板の光配向膜とを組み合わせた場合の液晶層配向を示す概念図である。
図７２及び図７３に示す配向処理方法は、露光方向とスキャン方向とが平行であり従来の露光装置を適用できるが、この配向方法により得られる液晶層配向は、図７４に示すように、卍形暗線が改善される放射状配向（例えば、特許文献２の図１２（ｂ）に示される液晶分子の配向方向）にはならない。

なお、特許文献２の図７はＣＦ基板の露光方向、スキャン方向を光配向膜の配向膜面から見た図（光配向膜面を上にして見た図）であるが、図７２及び図７３は、本図面の他の図と同様に、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とを貼り合わせた液晶表示パネルの上面（観察者側）から見た露光方向・スキャン方向を示している。図７２は、ＴＦＴ基板の光配向膜の配向膜面を上にして見た図であるが、図７３は、ＣＦ基板の光配向膜の配向膜面を下にして見た図である。

更に、特許文献２の図１２（ｂ）には従来技術として放射状配向である４Ｄ－ＲＴＮ配向の液晶表示パネルが開示されているが、該４Ｄ－ＲＴＮ配向の液晶表示パネルでは、以下の（３）、（４）の課題があった。
（３）画素の中央部に十字型に発生する暗線の細線化のため、特許文献２の図１（ａ）に示されるようなスリットが設けられた電極（スリット電極）を適用することが考えられるが、これを適用すると、指押し跡が元に戻りにくくなるおそれがあり、指押し跡を元に戻すための工夫の余地がある。（４）特許文献２の図１２（ｂ）に従来技術として記載される４Ｄ－ＲＴＮ配向の液晶表示パネルは、卍形の暗線は改善できるが、従来の光配向用露光装置（液晶パネルの製造装置）では生産が困難であるため、新規に露光装置を開発することとなる。更に、この露光装置は従来の露光装置に比べて大型化する等、作製が困難であり、製造コストの増加に繋がる。

上記（３）、（４）の課題は、下記〔３〕、〔４〕の原因によるものであると考えられる。
〔３〕スリット電極由来の電界により液晶分子が回転して配向する方向と、光配向による液晶分子のプレチルト方向とが異なる。〔４〕液晶分子を配向（プレチルト）させたい方向（露光方向）と、露光装置におけるスキャン方向（基板の移動方向）とが直交するので、従来の露光装置の適用が困難であった。

上記〔４〕の原因について更に説明する。図７５は、特許文献２の段落番号〔００４０〕に記載の、液晶表示装置に含まれる画素におけるＴＦＴ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を露光方向、スキャン方向と共に示す概念図である。図７６は、特許文献２の段落番号〔００４０〕に記載の、液晶表示装置に含まれる画素におけるＣＦ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を露光方向、スキャン方向と共に示す概念図である。図７７は、図７５で得られたＴＦＴ基板の光配向膜と、図７６で得られたＣＦ基板の光配向膜とを組み合わせた場合の液晶層配向を示す概念図である。
図７７に示される卍形暗線が改善される放射状配向は特許文献２の段落番号〔００４０〕に記載の方法（図７５～図７７参照）により得られるが、その場合、図７５及び図７６に示されるように、露光方向とスキャン方向が平行とはならず、直交するものであった。
なお、特許文献２自体には、そもそもスキャン方向に関する記述はない。図７２、図７３、図７５、図７６では、通常のスキャンで作製する場合を想定して、スキャン方向（スキャンが可能な方向）を記載している。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、高透過率及び高速応答性を実現でき、指押し跡を充分に解消でき、容易に製造することができる液晶表示パネル及びその製造方法を提供することを目的とするものである。

本発明者らは、配向膜の配向処理プロセスの簡便さを維持しつつ、高透過率及び高速応答性を実現することができる液晶表示パネルについて種々検討したところ、一画素又は半画素中の配向領域が４分割されていると共に、電圧無印加時に該液晶分子を膜表面に対して略垂直に配向させるとともに、光配向処理がなされた領域で該液晶分子にプレチルト角を付与する光配向膜を用い、閾値以上の電圧印加時に液晶分子が配向膜面に対してより平行となるように配向し、液晶表示パネルの透過光に対して複屈折性を示す４Ｄ－ＥＣＢ（４Ｄｏｍａｉｎ－Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ　Ｃｏｎｔｒｏｌｅｄ　Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）配向の液晶表示パネルに着目した。そして、従来の露光装置にて製造可能な新しい４Ｄ－ＥＣＢ配向の構造とし、スリット電極を用いることとした。そして、特定方向への４Ｄ－ＥＣＢ配向により、エッジ部の不連続配向領域の排除と、スリット電極による幹暗線の細線化とを達成できることを見出した。これにより、画素サイズが小さい高精細の液晶表示パネルにおいても安定した配向を実現できる。その結果、高透過率及び高速応答性を実現し、上記（１）、（２）の課題を解決できる。また、本発明者らは、液晶分子のプレチルト方向を、スリット電極由来の電界により液晶分子が回転して配向する方向と同じ方位とすることにより、指押し跡を充分に元に戻すことができることを見出した。更に、本発明者らは、従来の露光装置を簡単に改造してスキャン露光を行うことにより、このような液晶表示パネルを製造することが可能であることを見出し、上記（３）、（４）の課題もみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。

すなわち、本発明は、複数の画素がマトリクス状に配列された液晶表示パネルであって、第一偏光板と、スリットが設けられた画素電極を有する第一基板と、第一配向膜と、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含有する液晶層と、第二配向膜と、対向電極を有する第二基板と、第二偏光板とを順に有し、該第一偏光板の偏光軸と該第二偏光板の偏光軸とは、互いに直交し、該画素の短手方向に沿った方位を０°と定義したときに、該複数の画素のそれぞれにおいて、該画素電極は、略４５°方位に平行に延びる第一の線状電極群、略１３５°方位に平行に延びる第二の線状電極群、略２２５°方位に平行に延びる第三の線状電極群、及び、略３１５°方位に平行に延びる第四の線状電極群を含み、該第一配向膜及び該第二配向膜は、それぞれ、該液晶層への電圧無印加時に該液晶分子を膜表面に対して略垂直に配向させると共に、少なくとも一部の領域で該液晶分子にプレチルト角を付与する配向膜であり、該第一配向膜及び該第二配向膜のいずれか一方は、平面視で該第一の線状電極群と重畳し、略２２５°方位にプレチルト角が付与された第一配向領域と、平面視で該第三の線状電極群と重畳し、略４５°方位にプレチルト角が付与された第三配向領域と、平面視で該第二又は該第四の線状電極群と重畳し、プレチルト角が実質的に付与されないか、又は、該線状電極群と略直交する方位にプレチルト角が付与された領域とを含み、該第一配向膜及び該第二配向膜の他方は、平面視で該第二の線状電極群と重畳し、略１３５°方位にプレチルト角が付与された第二配向領域と、平面視で該第四の線状電極群と重畳し、略３１５°方位にプレチルト角が付与された第四配向領域と、平面視で該第一又は該第三の線状電極群と重畳し、プレチルト角が実質的に付与されないか、又は、該線状電極群と略直交する方位にプレチルト角が付与された領域とを含む液晶表示パネルであってもよい。なお、プレチルト角は、閾値以上の電圧印加時に所望の方位角に液晶層の液晶分子を傾斜させるように電圧無印加時に予め傾斜させた基板付近の液晶分子の傾斜角である。プレチルト角が付与された領域の配向膜近傍の液晶分子は、液晶層への電圧無印加時に、配向膜に対して実質的に垂直に、かつ、傾斜して配向し、上記液晶層への電圧印加によって、該傾斜の方位に沿って更に大きく傾斜する。

本発明はまた、本発明の液晶表示パネルを製造する方法であって、表面に第一配向膜が形成された第一基板、及び、表面に第二配向膜が形成された第二基板のそれぞれに対して、光源から偏光子を介して光を照射する光配向処理工程を含み、該光配向処理工程では、該第一基板又は該第二基板を移動させながら、又は、該第一基板又は該第二基板に対して該光源を移動させながら光を照射し、該第一基板又は該第二基板に対する光の照射方向と、該第一基板又は該第二基板の移動方向又は該光源の移動方向とが平行であり、該偏光子の偏光軸と該光の照射方向とが異なる液晶表示パネルの製造方法であってもよい。上記異なるとは、１０°以上が好ましく、１５°以上がより好ましく、３０°以上が更に好ましい。上記偏光子の偏光軸と上記光の照射方向とは、略４５°をなすことが特に好ましい。更に、上記偏光子の偏光軸を上記第一基板の表面又は上記第二基板の表面に投影した軸と、上記光の照射方向とは、略４５°をなしてもよい。以下に、本発明を詳述する。

上記略４５°は、４５°±１５°の範囲内であればよく、４５°であることが好ましい。上記略１３５°は、１３５°±１５°の範囲内であればよく、１３５°であることが好ましい。上記略２２５°は、２２５°±１５°の範囲内であればよく、２２５°であることが好ましい。上記略３１５°は、３１５°±１５°の範囲内であればよく、３１５°であることが好ましい。
上記平面視とは、第一基板と第二基板を貼り合わせた後の液晶パネルを上面（観測者側）から平面視することを意味する。

本発明の液晶表示パネルでは、上記液晶層が、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含有し、上記第一配向膜及び第二配向膜は、それぞれ、液晶層への電圧無印加時に該液晶分子を膜表面に対して略垂直に配向させるとともに、光配向処理がなされた領域で該液晶分子にプレチルト角を付与する。このような液晶層及び配向膜を用いることにより、液晶分子が基板面に対して略垂直に配向し、かつ基板間でハイブリッド配向又はツイスト配向を有する４Ｄ－ＥＣＢ配向の液晶表示パネルを得ることができる。

本発明の液晶表示パネルにおいて、上記画素電極は、平面視で上記第一配向領域、上記第二配向領域、上記第三配向領域、及び、上記第四配向領域それぞれの境目と重畳する十字状電極部分と、該十字状電極部分から延びる上記第一の線状電極群、上記第二の線状電極群、上記第三の線状電極群、及び、上記第四の線状電極群とを有することが好ましい。上記第一配向領域、上記第二配向領域、上記第三配向領域、及び、上記第四配向領域それぞれの境目とは、画素それぞれにおける、上記第一配向領域と上記第二配向領域との境目、上記第二配向領域と上記第三配向領域との境目、上記第三配向領域と上記第四配向領域との境目、及び、上記第四配向領域と上記第一配向領域との境目を言う。

本発明の液晶表示パネルにおいて、上記第一の線状電極群、上記第二の線状電極群、上記第三の線状電極群、及び、上記第四の線状電極群は、上記十字状電極部分を構成する２つの線状部分の少なくとも一方に対して線対称であることが好ましく、上記十字状電極部分を構成する２つの線状部分のそれぞれに対して線対称であることがより好ましい。

本発明の液晶表示パネルにおいて、上記第一の線状電極群、上記第二の線状電極群、上記第三の線状電極群、及び、上記第四の線状電極群は、上記十字状電極部分を構成する２つの線状部分の少なくとも一方から互い違いに延びていることが好ましく、上記十字状電極部分を構成する２つの線状部分のそれぞれから互い違いに延びていることがより好ましい。

本発明の液晶表示パネルにおいて、上記画素電極は、矩形状部分と、該矩形状部分から平面視で上記第一配向領域、上記第二配向領域、上記第三配向領域、及び、上記第四配向領域それぞれの境目と重畳するように延びる線状電極部分と、該矩形状部分及び線状電極部分から延びる上記第一の線状電極群、上記第二の線状電極群、上記第三の線状電極群、及び、上記第四の線状電極群とを有することが好ましい。

本発明の液晶表示パネルによれば、高透過率及び高速応答性を実現でき、指押し跡を充分に解消できる。本発明の液晶表示パネルの製造方法によれば、高透過率及び高速応答性を実現でき、指押し跡を充分に解消できる液晶表示パネルを容易に製造することができる。

実施形態１の液晶表示パネルに含まれる半画素における４つのドメインと液晶分子の配向方向とスリットが設けられた電極との関係を示す平面模式図である。実施形態１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を示す平面模式図である。実施形態１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＣＦ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を示す平面模式図である。図１の拡大詳細図である。図４に対応するシミュレーション図である。実施形態１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を露光方向、スキャン方向と共に示す概念図である。実施形態１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＣＦ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を露光方向、スキャン方向と共に示す概念図である。実施形態１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向とＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向とを示す平面模式図である。実施形態１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるスリットが設けられた電極を示す平面模式図である。図９の破線で囲んだ部分の拡大図である。４Ｄ－ＥＣＢ配向の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向、ＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向、及び、液晶層配向を示す概念図である。図１１に示した液晶表示パネルのＴＦＴ基板側のプレチルトによる液晶分子の配向を示す。図１１に示した液晶表示パネルのＴＦＴ基板側のスリット電極の電界による液晶分子の配向を示す。図１１に示した液晶表示パネルにおける、指押し時、及び、指押し解放時のＴＦＴ基板側及び液晶層の液晶分子の配向を示す。実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向、ＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向、及び、液晶層配向を示す概念図である。実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素の領域（１）におけるオフ状態の断面模式図である。実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素の領域（１）におけるオン状態の断面模式図である。実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向、ＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向、及び、液晶層配向を示す概念図である。実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素の領域（２）におけるオフ状態の断面模式図である。実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素の領域（２）におけるオン状態の断面模式図である。実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向、ＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向、及び、液晶層配向を示す概念図である。実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素の領域（３）におけるオフ状態の断面模式図である。実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素の領域（３）におけるオン状態の断面模式図である。実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向、ＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向、及び、液晶層配向を示す概念図である。実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素の領域（４）におけるオフ状態の断面模式図である。実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素の領域（４）におけるオン状態の断面模式図である。参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向、ＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向、及び、液晶層配向を示す概念図である。参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素の領域（１）におけるオフ状態の断面模式図である。参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素の領域（１）におけるオン状態の断面模式図である。参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向、ＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向、及び、液晶層配向を示す概念図である。参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素の領域（２）におけるオフ状態の断面模式図である。参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素の領域（２）におけるオン状態の断面模式図である。参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向、ＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向、及び、液晶層配向を示す概念図である。参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素の領域（３）におけるオフ状態の断面模式図である。参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素の領域（３）におけるオン状態の断面模式図である。参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向、ＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向、及び、液晶層配向を示す概念図である。参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素の領域（４）におけるオフ状態の断面模式図である。参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素の領域（４）におけるオン状態の断面模式図である。実施形態１におけるＵＶ露光装置の概要図である。実施形態１における１回目露光の概要図である。実施形態１における２回目露光の概要図である。実施形態１の液晶表示パネルに含まれる基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光により得られる液晶分子のプレチルト方向を示す概要図である。実施形態２の液晶表示パネルに含まれる半画素における４つのドメインと液晶分子の配向方向とスリットが設けられた電極との関係を示す平面模式図である。実施形態３の液晶表示パネルに含まれる半画素における４つのドメインと液晶分子の配向方向とスリットが設けられた電極との関係を示す平面模式図である。実施形態４の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、３回目露光、４回目露光、各露光による液晶分子のプレチルト方向を露光方向、スキャン方向と共に示す概念図である。実施形態４の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＣＦ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、３回目露光、４回目露光、各露光による液晶分子のプレチルト方向を露光方向、スキャン方向と共に示す概念図である。実施形態４の液晶表示パネルに含まれる半画素における４つのドメインと液晶分子の配向方向とスリットが設けられた電極との関係を示す平面模式図である。比較例１の液晶表示パネルに含まれる半画素における４つのドメインと液晶分子の配向方向と面状電極との関係を示す平面模式図である。比較例１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を示す平面模式図である。比較例１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＣＦ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を示す平面模式図である。比較例１の液晶表示パネルに含まれる８２μｍ×２４５μｍの画素の半画素における４つのドメインと液晶分子の配向方向と面状電極との関係を示す平面模式図である。図５１に対応するシミュレーション図である。比較例１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向とＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向とを示す平面模式図である。比較例１の液晶表示パネルに含まれる半画素における面状電極を示す平面模式図である。４Ｄ－ＲＴＮ配向の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向、ＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向、及び、液晶層配向を示す概念図である。図５５に示した液晶表示パネルのＴＦＴ基板側のプレチルトによる液晶分子の配向を示す。図５５に示した液晶表示パネルのＴＦＴ基板側のスリット電極の電界による液晶分子の配向を示す。図５５に示した液晶表示パネルにおける、指押し時、及び、指押し解放時のＴＦＴ基板側及び液晶層の液晶分子の配向を示す。比較例１における露光装置の概要図である。比較例１における１回目露光の概要図である。比較例１における２回目露光の概要図である。比較例１の液晶表示パネルに含まれる基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光により得られる液晶分子のプレチルト方向を示す概要図である。左側は、露光方向とスキャン方向とが平行の場合の光配向膜への露光を光配向膜の真上から見た図であり、右側は、左側のｙ１－ｙ２軸における光源からの入射角度分布を示す平面模式図である。露光方向とスキャン方向とが平行の場合の光配向膜への露光の斜視図である。左側は、露光方向とスキャン方向とが直交する場合の光配向膜への露光を光配向膜の真上から見た図であり、右側は、左側のｙ１－ｙ２軸における光源からの入射角度分布を示す平面模式図である。露光方向とスキャン方向とが直交する場合の光配向膜への露光の斜視図である。比較例２の液晶表示パネルに含まれる半画素における４つのドメインと液晶分子の配向方向とスリットが設けられた電極との関係を示す平面模式図である。比較例２の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を示す平面模式図である。比較例２の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＣＦ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を示す平面模式図である。比較例２の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を露光方向、スキャン方向と共に示す概念図である。比較例２の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＣＦ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を露光方向、スキャン方向と共に示す概念図である。特許文献２の図６に記載の液晶表示装置に含まれる画素におけるＴＦＴ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を露光方向、スキャン方向と共に示す概念図である。特許文献２の図７に記載の液晶表示装置に含まれる画素におけるＣＦ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を露光方向、スキャン方向と共に示す概念図である。図７２で得られたＴＦＴ基板の光配向膜と、図７３で得られたＣＦ基板の光配向膜とを組み合わせた場合の液晶層配向を示す概念図である。特許文献２の段落番号〔００４０〕に記載の、液晶表示装置に含まれる画素におけるＴＦＴ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を露光方向、スキャン方向と共に示す概念図である。特許文献２の段落番号〔００４０〕に記載の、液晶表示装置に含まれる画素におけるＣＦ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を露光方向、スキャン方向と共に示す概念図である。図７５で得られたＴＦＴ基板の光配向膜と、図７６で得られたＣＦ基板の光配向膜とを組み合わせた場合の液晶層配向を示す概念図である。

以下に実施形態を掲げ、本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

なお、本明細書において、「方位」とは、基板面と平行な平面における向きをいい、基板面の法線方向からの傾斜角（極角、プレチルト角）は考慮されない。例えば、ｘ軸とｘ軸に直交するｙ軸とがｘｙ平面を形成し、ｘ軸は画素の短手方向に沿った方位であり、ｘｙ平面は基板面と平行とすると、ｘ軸方向を０°とし、反時計回りに正の値で方位を定める。また、「傾斜方位」とは、第一基板近傍の液晶分子については、液晶分子が第一基板に対して傾斜する方位（液晶分子の第一基板面に近い側の端から遠い側の端への傾斜方向を第一基板面に投影したときに示す方位）を言い、液晶層の厚さ方向の中心付近の液晶分子については、液晶分子が第一基板に対して傾斜する方位を言い、第二基板近傍の液晶分子については、液晶分子が第二基板に対して傾斜する方位（液晶分子の第二基板面に近い側の端から遠い側の端への傾斜方向を第二基板面に投影したときに示す方位）を言う。例えば、図１において「ＬＣ」と直接指し示した液晶層の厚さ方向の中心付近の液晶分子ＬＣの傾斜方位は、２２５°である。プレチルト角とは、液晶層への電圧無印加時における、配向膜表面と、配向膜近傍の液晶分子の長軸方向とがなす角度を言う。閾値電圧とは、例えば、明状態の透過率を１００％に設定したとき、５％の透過率を与える電圧値を意味する。プレチルト角の方位（プレチルト方向）とは、液晶層への電圧無印加時における、第一基板近傍の液晶分子又は第二基板近傍の液晶分子の傾斜方位をいう。また、本明細書中、液晶層配向とは、液晶層の厚さ方向の中心付近の液晶分子の傾斜方位をいう。
画素とは、１つの色（例えば、赤、緑、青、又は、黄）のフィルタを含む領域を言う。また、後述する実施形態では、対向基板を、カラーフィルタを設けていることからＣＦ（カラーフィルタ）基板と言うが、カラーフィルタを、対向基板に設ける代わりに、画素ごとにＴＦＴを設けているＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板に設けても構わない。なお、上記第一基板及び第二基板のいずれか一方は、ＴＦＴ基板であり、他方がＣＦ基板であってもよい。

後述する実施形態の液晶表示パネルでは、オフ状態においては負の誘電率異方性を有する液晶分子を配向膜表面に対して略垂直に配向させるとともに、光配向処理がなされた領域では該液晶分子にプレチルト角を付与する。オン状態においては該液晶分子が印加電圧（画素電極及び対向電極による印加電圧を言う。）に応じて、配向膜面に対してより平行となるように配向し、液晶表示パネルの透過光に対して複屈折性を示す。

後述する実施形態の液晶表示パネルは、液晶表示パネルの基本構成として、複数の画素がマトリクス状に配列された液晶表示パネルであり、第一偏光板と、スリットが設けられた画素電極を有するＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板の液晶層側の配向膜と、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含有する液晶層と、ＣＦ基板の液晶層側の配向膜と、対向電極を有するＣＦ基板と、第二偏光板とを順に有する。該第一偏光板の偏光軸と該第二偏光板の偏光軸は、互いに直交する。対向電極は、リブやスリット等の配向規制構造体が設けられていてもよいが、配向規制構造体が設けられていない面状電極であることが好ましい。

（実施形態１）
図１は、実施形態１の液晶表示パネルに含まれる半画素における４つのドメインと液晶分子の配向方向とスリットが設けられた電極との関係を示す平面模式図である。図１は、オン状態（白表示時の状態）での上記関係を示している。図１では、更に、配向領域間の暗線を示している。図２は、実施形態１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を示す平面模式図である。図３は、実施形態１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＣＦ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を示す平面模式図である。なお、実施形態１に係る画素は、図１～３に示した半画素が縦方向に２つ並んで構成されているが、横方向に２つ並んで構成されていても構わない。

実施形態１の液晶表示パネルは、以下の特長を備える。
（１）液晶分子の配向が放射状である。
（２）画素の短手方向に沿った方位を０°と定義したときに、ＴＦＴ基板近傍のプレチルト方向が、図１で示される第一配向領域（１）、第三配向領域（３）（図１に（１）、（３）を付して示した矩形領域）において、それぞれ、２２５°方位、４５°方位となっている。また、ＣＦ基板近傍のプレチルト方向が、図１で示される第二配向領域（２）、第四配向領域（４）（図１に（２）、（４）を付して示した矩形領域）において、それぞれ、１３５°方位、３１５°方位となっている。
これら４つの配向領域は、観察面側から見たときに、第一の配向領域（１）、第二の配向領域（２）、第三の配向領域（３）、第四の配向領域（４）の順に反時計回りに配置されている。
（３）ＴＦＴ基板が備える画素電極（スリット電極）が含むスリット（線状電極群）が延びる方向は、画素の短手方向に沿った方位を０°と定義したときに、図１で示される第一配向領域（１）、第二配向領域（２）、第三配向領域（３）、第四配向領域（４）において、それぞれ、４５°方位、１３５°方位、２２５°方位、３１５°方位となっている。各線状電極群が延びる方向は、対応する配向領域における上記プレチルト方向と互いに平行である。また、該スリット電極由来の電界により液晶分子が回転して配向する方向と、ＴＦＴ基板側及び／又はＣＦ基板の光配向膜のプレチルト方向とが同方向である。
また液晶分子のプレチルト角は、例えば、８５°～８９．５°であることが好ましい。該プレチルト角は、８８．５°以上であることがより好ましい。
なお、本明細書中、「放射状」とは、図１で示される第一配向領域（１）、第二配向領域（２）、第三配向領域（３）、第四配向領域（４）における液晶層の厚さ方向の中心付近の液晶分子について、第一配向領域（１）は略２２５°方位、第二配向領域（２）は略３１５°方位、第三配向領域（３）は略４５°方位、第四配向領域（４）は略１３５°方位、にそれぞれ液晶分子が配向されていることを言う。

図４は、図１の拡大詳細図である。図５は、図４に対応するシミュレーション図である。
実施形態１の液晶表示パネルは、液晶分子の配向が放射状である。これにより、図５に示すように、スリット電極のエッジ部に生成する斜め電界の影響を受ける液晶分子（矩形状の半画素の輪郭線上の液晶分子ＬＣ１）の長軸方向と、ドメイン部の液晶分子ＬＣ２の長軸方向との捩れ角が９０°を超えないので、後述する比較例１の液晶表示パネルと比べて、図５の破線で囲った箇所において不連続配向領域を削除することができる。その結果、ドメイン部の配向領域が拡大し、安定した配向となる。　

実施形態１の液晶表示パネルは、放射状のスリットが設けられた電極を有する。これにより、中央幹暗線を細線化（例えば、図４に示すように、ｄ_１及びｄ_２が、それぞれ１０μｍ未満となるように細線化）することができ、ドメイン部の配向領域を拡大させることができる。
実施形態１の液晶表示パネルは、暗線領域が縮小することにより透過率が向上する。また、配向が安定化して応答性能が向上する。

実施形態１の液晶表示パネルは、ＴＦＴ基板近傍の液晶分子のプレチルト方向及びＣＦ基板近傍の液晶分子のプレチルト方向と、スリット電極由来の電界により該液晶分子が回転して配向する方向とが同じ方位となる構造である。これにより、後述する比較例２の液晶表示パネルと比べて、指押し跡を充分に元に戻すことができ、液晶表示パネルの表示品位を改善できる。

図６は、実施形態１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を露光方向、スキャン方向と共に示す概念図である。図７は、実施形態１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＣＦ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を露光方向、スキャン方向と共に示す概念図である。
実施形態１の液晶表示パネルを製造する際には、後述するように、露光装置の偏光軸を４５°回転させることにより、基板の光配向膜への露光方向とスキャン方向（基板の移動方向）が平行方向になる。このように、従来の露光装置を簡単に改造してスキャン露光を行うことで実施形態１の液晶表示パネルを製造することが可能となり、実施形態１の液晶表示パネルを簡便に製造することができる。

図８は、実施形態１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向とＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向とを示す平面模式図である。
実施形態１の液晶表示パネルは、上述した図６及び図７に示したように露光を行い、ＵＶ（紫外線）露光処理のみで図８に示したように４分割配向構造とする。
実施形態１の液晶表示パネルでは、第一配向領域（１）、第二配向領域（２）、第三配向領域（３）、第四配向領域（４）（図８に（１）、（２）、（３）、（４）を付して示した４つに分かれた矩形領域）のうちの２つの領域（第一配向領域（１）、第二配向領域（２））それぞれにおいて、ＴＦＴ基板の配向膜又はＣＦ基板の配向膜のいずれかのみがプレチルト角を付与し、４つの領域のうちのその他の２つの領域（第三配向領域（３）、第四配向領域（４））それぞれにおいて、ＴＦＴ基板の配向膜が付与するプレチルト角の大きさと、ＣＦ基板の配向膜が付与するプレチルト角の大きさとが異なり、ＴＦＴ基板の配向膜が付与するプレチルト角の方位と、ＣＦ基板の配向膜が付与するプレチルト角の方位とが直交する。以上を纏めると下記表１のようになる。下記表１中のプレチルトの「大」、「小」、「無し」に対応する露光状態を下記表２に示す。本明細書中、ハイブリッド配向の配向領域とは、一対の基板のそれぞれの配向膜により該配向膜近傍の液晶分子を略垂直に配向させるとともに、一方の配向膜をＵＶ露光して該一方の配向膜近傍の液晶分子をプレチルトさせる配向領域を言う。

図９は、実施形態１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるスリットが設けられた電極を示す平面模式図である。実施形態１の液晶表示パネルでは、スリット電極由来の電界（平面視でスリットと直交方向に発生する横電界成分）により、液晶層への電圧印加時に液晶分子がスリットと平行方向に配向し、ツイストを解消する。

図１０は、図９の破線で囲んだ部分の拡大図である。図１０に示すように、スリット電極により、スリットが延びる方向と直交方向の横電界成分が発生する。したがって、液晶層の液晶分子が、スリットが延びる方向と平行方向（上記横電界成分と直交方向）へ配向する。
このように、実施形態１の液晶表示パネルは、特定の露光方向、偏光軸を用いたＵＶ露光による４分割配向（プレチルト）構造と、スリット電極由来の電界による配向との組み合わせにより、図１に示した４分割ＥＣＢ配向が実現されたものである。

実施形態１の液晶表示パネルの形態は、ＴＦＴ基板の配向膜及びＣＦ基板の配向膜が、感光性基の結合構造を含む光配向膜である。なお、本明細書において、光配向膜とは、光照射により配向規制力が変化する材料で形成された膜を意味し、感光性基の結合構造を含む光配向膜とは、構成分子に含まれる感光性の官能基同士が結合した構造を含む光配向膜を意味する。なお、本発明の液晶表示パネルは、上記光配向膜の代わりに、有機材料から形成された配向膜、無機材料から形成された配向膜、ラビング処理等によって配向処理がなされた配向膜等を使用してもよく、これによっても本発明の効果を発揮できる。

本発明において、ＴＦＴ基板の配向膜及びＣＦ基板の配向膜は、４－カルコン基、４’－カルコン基、クマリン基、及び、シンナモイル基（シンナメート基ともいう）からなる群より選ばれる少なくとも一つの感光性基の結合構造を含むことが好ましい。

上記感光性基は光により二量化反応又は架橋反応を生じるものであり、これによれば、プレチルト角のばらつきを効果的に抑制することができ、安定した透過率を有する液晶表示パネルを提供できる。

本発明において、ＴＦＴ基板の配向膜及びＣＦ基板の配向膜は、半画素又は一画素に３つのプレチルト角の方位が異なる配向領域と、プレチルトが実質的に付与されていない領域とを有する。その結果、後述するように、半画素又は一画素を４つのドメインに分割する場合、配向分割のために行う配向処理工程が第一配向膜及び第二配向膜にそれぞれ２回ずつ、計４回ですむ。

〔４Ｄ－ＥＣＢ配向の液晶表示パネルの指押し跡について〕
図１１は、４Ｄ－ＥＣＢ配向の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向、ＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向、及び、液晶層配向を示す概念図である。なお、図１１に示す液晶表示パネルは、液晶分子のプレチルト方向を図１１に示したように変更した以外は、実施形態１と同様であり、実施形態１の第１変形例に相当する。図１２は、図１１に示した液晶表示パネルのＴＦＴ基板側のプレチルトによる液晶分子の配向を示す。図１３は、図１１に示した液晶表示パネルのＴＦＴ基板側のスリット電極の電界による液晶分子の配向を示す。なお、図１２及び図１３は、図１１の破線で囲まれた箇所の拡大図であり、スリット電極及びＴＦＴ基板側の液晶分子の配向を示す。

スリット電極が設けられたＴＦＴ基板側（ＴＦＴ基板近傍）の液晶分子の配向は（１）プレチルトによる配向と（２）スリット電極由来の電界による配向とのバランスで決まり、通常時（指押し解放時）は（１）プレチルトによる配向が支配的で、指押し時は、ＴＦＴ基板／ＣＦ基板間のギャップが小さくなり、（２）スリット電極由来の電界による配向が支配的となる。

図１４は、図１１に示した液晶表示パネルにおける、指押し時、及び、指押し解放時のＴＦＴ基板側及び液晶層の液晶分子の配向を示す。図１４中、「スリット」が「有り」とは、図１１に示したスリット電極を有する液晶表示パネルを意味する。「スリット」が「無し」とは、スリット電極を有さず、面状電極を有する液晶表示パネル（図１１に示した液晶表示パネルにおいて、スリット電極の代わりに面状電極を用いた液晶表示パネル）を意味する。「ＴＦＴ基板側配向」は、液晶層のＴＦＴ基板側における液晶分子の配向を示す。「液晶層配向」は、液晶層における液晶分子の配向、又は、液晶層の、ＴＦＴ基板側、ＣＦ基板側以外の中央部分における液晶分子の配向を示す。「液晶層／ＴＦＴ配向（重なり）」は、液晶層の中央部分における液晶分子の配向と、液晶層のＴＦＴ基板側における液晶分子の配向とが重なっており（一致しており）、これらの配向を示す。図１１に示したスリット電極が設けられた４Ｄ－ＥＣＢ配向の液晶表示パネルは、「Ａ」を付して示される場所の液晶分子、「Ｂ」を付して示される場所の液晶分子、「Ｃ」を付して示される場所の液晶分子のいずれも、指押し時から指押し解放時に移行する際に、配向ａから配向ｂに途中で止まることなく遷移するので、指押し跡は発生しないと考えられる。なお、スリット電極の代わりに面状電極が設けられた液晶表示パネルは、いずれの場所の液晶分子も、指押し時と指押し解放時とで配向の変化がないため、指押し跡は発生しない。

〔４Ｄ－ＥＣＢ配向の液晶表示パネルの断面図〕
実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルの断面図について説明する。
図１５は、実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向、ＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向、及び、液晶層配向を示す概念図である。図１６は、実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素の第一配向領域（１）におけるオフ状態の断面模式図である。図１７は、実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素の第一配向領域（１）におけるオン状態の断面模式図である。
図１６及び図１７では、第一偏光板１１１の偏光軸１１１ａは、ｘ軸の方位であり、第二偏光板１２１の偏光軸１２１ａは、ｙ軸の方位である。ＴＦＴ基板の表示領域内では、ＴＦＴを有する基板１１３上に、ＩＴＯ１１５（酸化インジウム錫）が部分的に配置され、光配向膜１１７が全面的に配置されている。また、ＣＦ基板の表示領域内では、ＣＦを有する基板１２３上（液晶層側）に、ＩＴＯ１２５及び光配向膜１２７が全面的に配置されている。なお、ＩＴＯの代わりにＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等のその他の透明電極材料を使用しても構わない。以下の図１９、図２０、図２２、図２３、図２５、図２６においても同様である。
第一配向領域（１）の液晶分子は、ＣＦ基板側はプレチルト配向し、ＴＦＴ基板側は無露光でプレチルト配向していない。

図１８は、実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向、ＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向、及び、液晶層配向を示す概念図である。図１９は、実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素の第二配向領域（２）におけるオフ状態の断面模式図である。図２０は、実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素の第二配向領域（２）におけるオン状態の断面模式図である。
第二配向領域（２）の液晶分子は、ＴＦＴ基板側はプレチルト配向し、ＣＦ基板側は無露光でプレチルト配向していない。

図２１は、実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向、ＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向、及び、液晶層配向を示す概念図である。図２２は、実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素の第三配向領域（３）におけるオフ状態の断面模式図である。図２３は、実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素の第三配向領域（３）におけるオン状態の断面模式図である。
第三配向領域（３）の液晶分子は、ＣＦ基板側はプレチルト配向し、ＴＦＴ基板側は２重露光によりＣＦ基板側よりも弱くプレチルト配向し、スリット電極によりＴＦＴ基板側のプレチルトによる影響が更に小さくなり、全体として弱くツイスト配向している。図２３の破線で囲んだＴＦＴ基板近傍にてツイストが発生している。
スリット電極由来の電界により、ＴＦＴ基板側のプレチルト配向の影響を小さくすることが可能である。

図２４は、実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向、ＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向、及び、液晶層配向を示す概念図である。図２５は、実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素の第四配向領域（４）におけるオフ状態の断面模式図である。図２６は、実施形態１の第１変形例の液晶表示パネルに含まれる半画素の第四配向領域（４）におけるオン状態の断面模式図である。
第四配向領域（４）の液晶分子は、ＴＦＴ基板側はプレチルト配向し、ＣＦ基板側は２重露光によりＴＦＴ基板側よりも弱くプレチルト配向し、スリット電極によりＣＦ基板側のプレチルトによる影響が更に小さくなり、全体として弱くツイスト配向している。図２６の破線で囲んだＣＦ基板近傍にてツイストが発生している。
スリット電極由来の電界により、ＣＦ基板側のプレチルト配向の影響を小さくすることが可能である。

（参考例１）
参考例１は、ＴＦＴ基板側の電極としてスリット電極の代わりに面状電極を用いる以外は実施形態１の第１変形例と同様である。
図２７は、参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向、ＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向、及び、液晶層配向を示す概念図である。図２８は、参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素の第一配向領域（１）におけるオフ状態の断面模式図である。図２９は、参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素の第一配向領域（１）におけるオン状態の断面模式図である。
図２８及び図２９では、第一偏光板２１１の偏光軸２１１ａは、ｘ軸の方位であり、第二偏光板２２１の偏光軸２２１ａは、ｙ軸の方位である。ＴＦＴ基板の表示領域内では、ＴＦＴを有する基板２１３上に、ＩＴＯ２１５及び光配向膜２１７が全面的に配置されている。また、ＣＦ基板の表示領域内では、ＣＦを有する基板２２３上（液晶層側）に、ＩＴＯ２２５及び光配向膜２２７が全面的に配置されている。なお、ＩＴＯの代わりにＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等のその他の透明電極材料を使用しても構わない。以下の図３１、図３２、図３４、図３５、図３７、図３８においても同様である。
第一配向領域（１）の液晶分子は、ＣＦ基板側はプレチルト配向し、ＴＦＴ基板側は無露光でプレチルト配向していない。

図３０は、参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向、ＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向、及び、液晶層配向を示す概念図である。図３１は、参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素の第二配向領域（２）におけるオフ状態の断面模式図である。図３２は、参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素の第二配向領域（２）におけるオン状態の断面模式図である。
第二配向領域（２）の液晶分子は、ＴＦＴ基板側はプレチルト配向し、ＣＦ基板側は無露光でプレチルト配向していない。

図３３は、参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向、ＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向、及び、液晶層配向を示す概念図である。図３４は、参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素の第三配向領域（３）におけるオフ状態の断面模式図である。図３５は、参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素の第三配向領域（３）におけるオン状態の断面模式図である。
第三配向領域（３）の液晶分子は、ＣＦ基板側はプレチルト配向し、ＴＦＴ基板側は２重露光によりＣＦ基板側よりも弱くプレチルト配向し、全体として弱くツイスト配向している。図３５の破線で囲んだＴＦＴ基板近傍～液晶層の厚さ方向の中心付近にかけてツイストが発生している。

図３６は、参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向、ＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向、及び、液晶層配向を示す概念図である。図３７は、参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素の第四配向領域（４）におけるオフ状態の断面模式図である。図３８は、参考例１の液晶表示パネルに含まれる半画素の第四配向領域（４）におけるオン状態の断面模式図である。
第四配向領域（４）の液晶分子は、ＴＦＴ基板側はプレチルト配向し、ＣＦ基板側は２重露光により弱くプレチルト配向し、全体として弱くツイスト配向している。図３８の破線で囲んだＣＦ基板近傍～液晶層の厚さ方向の中心付近にかけてツイスト配向が発生している。

実施形態１の第１変形例、参考例１の液晶表示パネルでは、４つの領域のうちの２つの領域（第一配向領域（１）、第二配向領域（２））それぞれにおいて、ＴＦＴ基板の光配向膜又はＣＦ基板の光配向膜のいずれかのみがプレチルト角を付与し、４つの領域のうちのその他の２つの領域（第三配向領域（３）、第四配向領域（４））それぞれにおいて、ＴＦＴ基板の光配向膜が付与するプレチルト角の大きさと、ＣＦ基板の光配向膜が付与するプレチルト角の大きさとが異なり、ＴＦＴ基板の光配向膜が付与するプレチルト角の方位と、ＣＦ基板の光配向膜が付与するプレチルト角の方位とが直交する。以上を纏めると下記表３のようになる。なお、下記表３中のプレチルトの「大」、「小」、「無し」に対応する露光状態は、上記表２と同様である。

以下、実施形態１の液晶表示パネルの製造方法について説明する。
実施形態１においては、まず通常の方法にて配向膜形成前の一対の基板を準備した。
一方の基板である第一基板としては、（１）スパッタ、プラズマ化学気相成長（ＰＶＣＤ）、真空蒸着等を用いた薄膜形成工程、（２）スピン塗布、ロール塗布等の後にベーキングを行うレジスト塗布工程、（３）レンズプロジェクション（ステッパ）、ミラープロジェクション、プロキシミティ等の露光法による露光工程、（４）現像工程、（５）ドライエッチング、ウェットエッチング等によるエッチング工程、（６）プラズマ（ドライ）アッシング、ウェット剥離等によるレジスト剥離工程を繰り返し行って薄膜の積層形成及びパターニングを行うことで、ガラス基板上に、走査信号線及びデータ信号線が絶縁膜を介して碁盤目状に交差するように形成され、その交点毎に薄膜トランジスタ及び画素電極が形成された薄膜トランジスタアレイ基板を作製した。
また、他方の基板である第二基板としては、ガラス基板上に、（１）ブラックマトリクス、（２）ＲＧＢの着色パターン、（３）保護膜、（４）透明電極膜が順次形成されたカラーフィルタ基板を作製した。

次に、第一基板及び第二基板に対して、配向膜材料の溶液をスピンキャスト法により塗布した後、２００℃で焼成して配向膜を形成した。

続いて、配向膜の一部に対し偏光を照射することで、光照射による配向処理を実施し、第一配向膜近傍及び第二配向膜近傍における液晶分子にプレチルト方向が付与されるようにした。配向膜の構成分子は、高分子鎖の側鎖に光官能基（感光性基）を有するが、この配向処理により、光官能基が二量化反応により二量体を形成し、架橋構造（橋架け結合構造）が形成されることになる。
そして、シール形成、スペーサ散布等を行った後、基板貼り合わせ工程において、第一基板と第二基板とを貼り合わせた。これにより、各画素内に液晶分子のプレチルト方向の異なる４つのドメイン領域を形成させることが可能となった。

次に、貼り合わせた第一基板と第二基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶分子を注入した。続いて、配向膜におけるプレチルト角の方位と偏光板の偏光軸との位置関係が、画素の短手方向に沿った方位を０°と定義したときに、４つのドメイン領域が、プレチルト方向が２２５°の方位に沿った第一配向領域、プレチルト方向が１３５°の方位に沿った第二配向領域、プレチルト方向が４５°の方位に沿った第三配向領域、及び、プレチルト方向が３１５°の方位に沿った第四配向領域を含むように、偏光板を貼り付け、実施形態１に係る液晶表示パネルを完成させた。更に、実装工程を行うことで液晶表示装置を完成させた。

以下では、実施形態１の液晶表示パネルの製造方法における配向処理について詳述する。
図３９は、実施形態１におけるＵＶ露光装置の概要図である。ＵＶ偏光子１を介して照射されたＵＶ光は、ＵＶ露光マスク２を通って基板５に照射される。基板５は、第一基板であってもよいし、第二基板であってもよい。ＵＶ光照射方向（光の照射方向）３は、基板５の主面を平面視したときのＵＶ光照射方向を示す。上記光の照射方向は、光源から照射される光を基板５の表面に投影した場合の光の進行方向ともいえる。基板５は、基板移動方向４に沿って移動する。実施形態１では、ＵＶ光照射方向３と、基板移動方向４とが平行である。なお、基板を移動させる代わりに、光源を移動させても構わない。

図４０の（ａ）は、実施形態１における１回目露光の概要図である。図４１の（ａ）は、実施形態１における２回目露光の概要図である。図４０の（ｂ）及び図４１の（ｂ）は、偏光子の偏光軸を基板の表面に投影した平面模式図である。図３９～図４１中、ＵＶ偏光子１上の両矢印はＵＶ偏光子１の偏光軸６を表し、基板５上の白抜き矢印は液晶分子のプレチルト方向７を表す。ＵＶ偏光子１の偏光軸６とＵＶ光照射方向３とは、実質的に異なり、略４５°をなすことが好ましい。図４０の（ｂ）及び図４１の（ｂ）に示したように、ＵＶ偏光子１の偏光軸６を基板５の表面に投影した軸と、プレチルト方位７とは一致することが好ましい。これにより、液晶分子を所望の方位に配向させることができる。また、ＵＶ偏光子１の偏光軸６を基板５の表面に投影した軸と、光の照射方向６とは、実質的に４５°をなしてもよい。これにより、より精度を高く、プレチルト角が付与された配向領域を形成する）ことができる。

図４２は、実施形態１の液晶表示パネルに含まれる基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光により得られる液晶分子のプレチルト方向を示す概要図である。例えば、従来の露光装置において、図４０に示した「偏光軸を４５°回転」、図４１に示した「偏光軸を－４５°回転」、「２回目露光前に基板を９０°回転」の簡単な改造を行うことにより、本発明の液晶表示パネルを製造するための露光装置とすることができる。

（実施形態２）
図４３は、実施形態２の液晶表示パネルに含まれる半画素における４つのドメインと液晶分子の配向方向とスリットが設けられた電極との関係を示す平面模式図である。
実施形態２では、電極の線状電極部分が、十字状電極部分を構成する２つの線状電極部分のそれぞれから互い違いに延びている。これにより、本発明の効果を発揮できると共に、製造工程においてパターニングによってスリットを形成する際に十字状電極部分が誤って切断されてしまうことを防ぐことができ、製造歩留まりを向上することができる。
実施形態２の液晶表示パネルのその他の構成は、上述した実施形態１の液晶表示パネルの構成と同様である。

（実施形態３）
図４４は、実施形態３の液晶表示パネルに含まれる半画素における４つのドメインと液晶分子の配向方向とスリットが設けられた電極との関係を示す平面模式図である。
実施形態３では、画素電極は、矩形状部分と、矩形状部分から４つの配向領域それぞれの境目と重畳するように延びる線状電極部分と、矩形状部分から４つの配向領域それぞれに延びる線状電極部分とを有する。このような電極の形状によっても、本発明の効果を発揮できる。
実施形態３の液晶表示パネルのその他の構成は、上述した実施形態１の液晶表示パネルの構成と同様である。

上述した実施形態１～３の液晶表示パネルは、半画素中の配向領域が４分割されているが、一画素中の配向領域が４分割されているものであってもよく、同様に本発明の効果を発揮できる。

上述した実施形態１～３では、第一配向領域（１）、第二配向領域（２）では、ＴＦＴ基板又はＣＦ基板のいずれか一方のみに露光し、他方は無露光である。
このような、片側のみ露光する領域があると、残留ＤＣ（直流）による焼付きが発生する可能性があることが過去の検討で分かっている。当該焼付きを回避するための工夫の余地があった。この課題を解決する方法として、下記実施形態４が挙げられる。

（実施形態４）
図４５は、実施形態４の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、３回目露光、４回目露光、各露光による液晶分子のプレチルト方向を露光方向、スキャン方向と共に示す概念図である。図４６は、実施形態４の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＣＦ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、３回目露光、４回目露光、各露光による液晶分子のプレチルト方向を露光方向、スキャン方向と共に示す概念図である。図４７は、実施形態４の液晶表示パネルに含まれる半画素における４つのドメインと液晶分子の配向方向とスリットが設けられた電極との関係を示す平面模式図である。
この方法によれば、プレチルト角が実質的に付与されない領域が無くなり、上記焼付きを回避しつつ、本発明の効果を発揮することができる。ただし、デメリットとして露光回数が、実施形態１～３における２回から４回に増える。

実施形態４の液晶表示パネルでは、第一配向領域、第二配向領域、第三配向領域、第四配向領域（図４７に（１）、（２）、（３）、（４）を付して示した４つに分かれた矩形領域）それぞれにおいて、ＴＦＴ基板の光配向膜が付与するプレチルト角の大きさと、ＣＦ基板の光配向膜が付与するプレチルト角の大きさとが異なり、ＴＦＴ基板の光配向膜が付与するプレチルト角の方位と、ＣＦ基板の光配向膜が付与するプレチルト角の方位とが直交する。以上を纏めると下記表４のようになる。なお、下記表４中のプレチルトの「大」、「小」、「無し」に対応する露光状態は、上記表２と同様である。

（比較例１）
図４８は、比較例１の液晶表示パネルに含まれる半画素における４つのドメインと液晶分子の配向方向と面状電極との関係を示す平面模式図である。図４９は、比較例１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を示す平面模式図である。図５０は、比較例１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＣＦ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を示す平面模式図である。比較例１の液晶表示パネルは、図４８に示したように、卍形の暗線が発生する。

図５１は、比較例１の液晶表示パネルに含まれる８２μｍ×２４５μｍの画素の半画素における４つのドメインと液晶分子の配向方向と面状電極との関係を示す平面模式図である。図５２は、図５１に対応するシミュレーション図である。液晶表示パネルが高精細になり、画素のサイズが小さくなると、点線で示す画素エッジ部に発生する不連続配向領域と画素の中央部に十字型に発生する暗線とによる卍形暗線が画素に占める割合が大きくなり、配向が安定しにくく、又、透過率及び応答性能が低下する。ここで、破線で囲んで示した画素エッジ部に発生する不連続配向領域は、スリット電極のエッジ部に生成する斜め電界の影響を受ける液晶分子（矩形状の半画素の輪郭線上の液晶分子ＬＣ１）の長軸方向と、ドメイン部の液晶分子ＬＣ２の長軸方向との捩れ角が９０°を超えるために発生する。

図５３は、比較例１の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向とＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向とを示す平面模式図である。図５４は、比較例１の液晶表示パネルに含まれる半画素における面状電極を示す平面模式図である。
比較例１の液晶表示パネルは、図５３に示した液晶分子の４分割配向（プレチルト）構造と、図５４に示した面状電極由来の電界による配向との組み合わせにより、図４８に示した配向となる。

〔４Ｄ－ＲＴＮ配向の液晶表示パネルの指押し跡について〕
図５５は、４Ｄ－ＲＴＮ配向の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板側の液晶分子のプレチルト方向、ＣＦ基板側の液晶分子のプレチルト方向、及び、液晶層配向を示す概念図である。なお、図５５に示す液晶表示パネルは、電極として面状電極の代わりに図５５に示したスリット電極を用いた以外は、比較例１と同様であり、比較例１の変形例に相当する。図５６は、図５５に示した液晶表示パネルのＴＦＴ基板側のプレチルトによる液晶分子の配向を示す。図５７は、図５５に示した液晶表示パネルのＴＦＴ基板側のスリット電極の電界による液晶分子の配向を示す。なお、図５６及び図５７は、図５５の破線で囲まれた箇所の拡大図であり、スリット電極及びＴＦＴ基板側の液晶分子の配向を示す。

４Ｄ－ＥＣＢ配向の液晶表示パネルと同様に、スリット電極が設けられたＴＦＴ基板側（ＴＦＴ基板近傍）の液晶分子の配向は（１）プレチルトによる配向と（２）スリット電極由来の電界による配向とのバランスで決まり、通常時（指押し解放時）は（１）プレチルトによる配向が支配的で、指押し時は、ＴＦＴ基板／ＣＦ基板間のギャップが小さくなり、（２）スリット電極由来の電界による配向が支配的となる。

図５８は、図５５に示した液晶表示パネルにおける、指押し時、及び、指押し解放時のＴＦＴ基板側及び液晶層の液晶分子の配向を示す。図５８中、「スリット」が「有り」とは、図５５に示したスリット電極を有する液晶表示パネルを意味する。「スリット」が「無し」とは、スリット電極を有さず、面状電極を有する比較例１の液晶表示パネル（図５５に示した液晶表示パネルにおいて、スリット電極の代わりに面状電極を用いた液晶表示パネル）を意味する。「ＴＦＴ基板側配向」又は「ＴＦＴ配向」は、液晶層のＴＦＴ基板側における液晶分子の配向を示す。「液晶層配向」は、液晶層における液晶分子の配向、又は、液晶層のＴＦＴ基板側、ＣＦ基板側以外の中央部分における液晶分子の配向を示す。「ＣＦ配向」は、ＣＦ基板側における液晶分子の配向を示す。図５５に示したスリット電極が設けられた４Ｄ－ＲＴＮ配向の液晶表示パネルは、液晶層が捩れ配向であり、指押し時から指押し解放時に移行する際に、「Ａ」を付して示される場所の液晶分子、及び、「Ｂ」を付して示される場所の液晶分子は、液晶層の中央部分における液晶分子が配向ａから配向ｂに途中で止まることなく遷移すると考えられるが、「Ｃ」を付して示される場所の液晶層の中央部分における液晶分子は、配向ａから配向ｂに遷移する途中の、ＣＦ基板側液晶分子のプレチルト方向と平行となる配向ｃの状態で、捩れが無く安定した状態となってトラップされ、配向ｂに遷移しなくなってしまい、これが暗線となり指押し跡が残ると考えられる。なお、スリット電極の代わりに面状電極を用いた液晶表示パネル（比較例１の液晶表示パネル）は、いずれの場所の液晶分子も、指押しの前後で配向の変化がないため、指押し跡は発生しない。

図５９は、比較例１における露光装置の概要図である。図６０は、比較例１における１回目露光の概要図である。図６１は、比較例１における２回目露光の概要図である。図６２は、比較例１の液晶表示パネルに含まれる基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光により得られる液晶分子のプレチルト方向を示す概要図である。これら露光は、従来の露光装置を用いて行うことが可能である。

（露光方向と直交方向にスキャンすることが困難な理由）
（１）露光方向とスキャン方向とが平行の場合
図６３は、左側は、露光方向とスキャン方向とが平行の場合の光配向膜への露光を光配向膜の真上から見た図であり、右側は、左側のｙ１－ｙ２軸における光源からの入射角度分布を示すグラフである。図６４は、露光方向とスキャン方向とが平行の場合の光配向膜への露光の斜視図である。
図６４に示すように、１つの光源のＵＶ光（紫外光）照射エリア内において、どの位置においても入射角度がほぼ変わらない（θ_Ａ≒θ_Ｂ）ため、液晶分子ＬＣのプレチルト角のバラツキがなく、このようにして得られる光配向膜を備える液晶表示装置の表示品位が優れたものとなる。

（２）露光方向とスキャン方向とが直交する場合
図６５は、左側は、露光方向とスキャン方向とが直交する場合の光配向膜への露光を光配向膜の真上から見た図であり、右側は、左側のｙ１－ｙ２軸における光源からの入射角度分布を示すグラフである。図６６は、露光方向とスキャン方向が直交する場合の光配向膜への露光の斜視図である。
図６６に示すように、１つの光源のＵＶ光照射エリア内において、入射角度が照射エリア内で異なる（θ_Ａ≠θ_Ｂ）。具体的には、光源から遠ざかるほど入射角度が浅くなり、Ｙ方向に入射角度の分布を持つようになる。このため、液晶分子ＬＣのプレチルト角のばらつきが大きくなり、このようにして得られる光配向膜を備える液晶表示装置の表示品位が悪くなる。

（比較例２）
図６７は、比較例２の液晶表示パネルに含まれる半画素における４つのドメインと液晶分子の配向方向とスリットが設けられた電極との関係を示す平面模式図である。図６７は、オン状態（白表示時の状態）での上記関係を示している。図６８は、比較例２の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を示す平面模式図である。図６９は、比較例２の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＣＦ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を示す平面模式図である。
比較例２の液晶表示パネルは、液晶層が捩れ配向であり、スリット電極由来の電界により液晶分子が回転して配向する方向と、ＴＦＴ基板側及び／又はＣＦ基板側の光配向膜のプレチルト方向が異なるため、比較例１の変形例と同様に、指押し跡が元に戻らないものであった。

図７０は、比較例２の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＴＦＴ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を露光方向、スキャン方向と共に示す概念図である。図７１は、比較例２の液晶表示パネルに含まれる半画素におけるＣＦ基板の光配向膜への１回目露光、２回目露光、両露光それぞれによる液晶分子のプレチルト方向を露光方向、スキャン方向と共に示す概念図である。
比較例２の液晶表示パネルは、スキャン方向と露光方向とが直交するため、従来の露光装置でのスキャンが困難であり、生産が困難であった。

本発明の液晶表示パネルに使用できる液晶表示装置としては、カーナビゲーション等の車載用の機器、電子ブック、フォトフレーム、産業機器、テレビ、パーソナルコンピュータ、スマートフォン、タブレット端末等が挙げられる。本発明は、例えば、カーナビゲーション等の車載用の機器等の高温環境下、低温環境下の両方で用いられ得る機器に適用されることが好ましい。

なお、ＴＦＴ基板において、ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：走査型電子顕微鏡）等の顕微鏡観察により、本発明の液晶表示パネルに係る電極構造等を確認することができる。

ＬＣ：液晶分子
Ａ、Ｂ、Ｃ：（液晶分子の）場所
ａ、ｂ、ｃ：配向
１、１１：ＵＶ偏光子
２、１２：ＵＶ露光マスク
３、１３：ＵＶ光照射方向
４、１４：基板移動方向
５、１５：基板
６：偏光軸
７：プレチルト方位
１１１、２１１：第一偏光板
１１１ａ、２１１ａ：偏光軸
１１３、２１３：ＴＦＴを有する基板
１１５、１２５、２１５、２２５：ＩＴＯ
１１７、１２７、２１７、２２７：光配向膜
１２１、２２１：第二偏光板
１２１ａ、２２１ａ：偏光軸
１２３、２２３：ＣＦを有する基板

Claims

複数の画素がマトリクス状に配列された液晶表示パネルであって、
第一偏光板と、
スリットが設けられた画素電極を有する第一基板と、
第一配向膜と、
負の誘電率異方性を有する液晶分子を含有する液晶層と、
第二配向膜と、
対向電極を有する第二基板と、
第二偏光板とを順に有し、
該第一偏光板の偏光軸と該第二偏光板の偏光軸とは、互いに直交し、
該画素の短手方向に沿った方位を０°と定義したときに、該複数の画素のそれぞれにおいて、該画素電極は、略４５°方位に平行に延びる第一の線状電極群、略１３５°方位に平行に延びる第二の線状電極群、略２２５°方位に平行に延びる第三の線状電極群、及び、略３１５°方位に平行に延びる第四の線状電極群を含み、
該第一配向膜及び該第二配向膜は、それぞれ、該液晶層への電圧無印加時に該液晶分子を膜表面に対して略垂直に配向させると共に、少なくとも一部の領域で該液晶分子にプレチルト角を付与する配向膜であり、
該第一配向膜及び該第二配向膜のいずれか一方は、平面視で該第一の線状電極群と重畳し、略２２５°方位にプレチルト角が付与された第一配向領域と、平面視で該第三の線状電極群と重畳し、略４５°方位にプレチルト角が付与された第三配向領域と、
平面視で該第二又は該第四の線状電極群と重畳し、プレチルト角が実質的に付与されないか、又は、該線状電極群と略直交する方位にプレチルト角が付与された領域とを含み、
該第一配向膜及び該第二配向膜の他方は、平面視で該第二の線状電極群と重畳し、略１３５°方位にプレチルト角が付与された第二配向領域と、平面視で該第四の線状電極群と重畳し、略３１５°方位にプレチルト角が付与された第四配向領域と、
平面視で該第一又は該第三の線状電極群と重畳し、プレチルト角が実質的に付与されないか、又は、該線状電極群と略直交する方位にプレチルト角が付与された領域とを含む
ことを特徴とする液晶表示パネル。
前記配向膜は、光配向処理がなされた領域で該液晶分子にプレチルト角を付与する光配向膜である
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
前記画素電極は、平面視で前記第一配向領域、前記第二配向領域、前記第三配向領域、及び、前記第四配向領域それぞれの境目と重畳する十字状電極部分と、該十字状電極部分から延びる前記第一の線状電極群、前記第二の線状電極群、前記第三の線状電極群、及び、前記第四の線状電極群とを有する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示パネル。
前記第一の線状電極群、前記第二の線状電極群、前記第三の線状電極群、及び、前記第四の線状電極群は、前記十字状電極部分を構成する２つの線状部分の少なくとも一方に対して線対称である
ことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示パネル。
前記第一の線状電極群、前記第二の線状電極群、前記第三の線状電極群、及び、前記第四の線状電極群は、前記十字状電極部分を構成する２つの線状部分の少なくとも一方から互い違いに延びている
ことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示パネル。
前記画素電極は、矩形状部分と、該矩形状部分から平面視で前記第一配向領域、前記第二配向領域、前記第三配向領域、及び、前記第四配向領域それぞれの境目と重畳するように延びる線状電極部分と、該矩形状部分及び線状電極部分から延びる前記第一の線状電極群、前記第二の線状電極群、前記第三の線状電極群、及び、前記第四の線状電極群とを有する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示パネル。
請求項２に記載の液晶表示パネルを製造する方法であって、
表面に第一配向膜が形成された第一基板、及び、表面に第二配向膜が形成された第二基板のそれぞれに対して、光源から偏光子を介して光を照射する光配向処理工程を含み、
該光配向処理工程では、該第一基板又は該第二基板を移動させながら、又は、該第一基板又は該第二基板に対して該光源を移動させながら光を照射し、
該第一基板又は該第二基板に対する光の照射方向と、該第一基板又は該第二基板の移動方向又は該光源の移動方向とが平行であり、
該偏光子の偏光軸と該光の照射方向とが異なることを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
前記偏光子の偏光軸と前記光の照射方向とは、略４５°をなすことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示パネルの製造方法。
請求項２に記載の液晶表示パネルを製造する方法であって、
表面に第一配向膜が形成された第一基板、及び、表面に第二配向膜が形成された第二基板のそれぞれに対して、光源から偏光子を介して光を照射する光配向処理工程を含み、
該光配向処理工程では、該第一基板又は該第二基板を移動させながら、又は、該第一基板又は該第二基板に対して該光源を移動させながら光を照射し、
該第一基板又は該第二基板に対する光の照射方向と、該第一基板又は該第二基板の移動方向又は該光源の移動方向とが平行であり、
該偏光子の偏光軸を該第一基板の表面又は該第二基板の表面に投影した軸と、該光の照射方向とは、略４５°をなすことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。