TWI374487B - Substrate treating apparatus - Google Patents

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1374487 ·· < « *. • 修正本 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 • 本發明是有關利用處理液對.半導體晶圓或液晶顯示裝置 . 用的玻璃基板（以下，僅稱爲基板）等之基板進行處理的基 板處理裝置，特別是有關供給含有異丙醇等有機溶劑的氮氣 ' 等之非活性氣體以進行乾燥處理的技術。 * 【先前技術】 Φ 以往，有關此種基板處理裝置方面係可舉出具備如下構成 者，亦即貯留處理液並收容基板以對基板執行處理的處理 槽；包圍該處理槽周圍之腔室；支持基板並橫跨於位在處理 槽的內部之處理位置以及處理槽上方且位在腔室內部的待機 位置而進行_昇降的^降支持機構；以及安裝在_腔室的內部上 方而對腔室內供給含有異丙醇的氮氣之噴嘴（例如，參照曰 本國特開2004 - 63 5 1 3號公報（第1圖））。 在如此所構成的裝置中，例如，係在貯留著純水的處理槽 φ 對基板進行洗浄處理之後，從噴嘴供給含有異丙醇的氮氣以 將腔室內形成乾燥處理氛圍。然後，利用昇降支持機構將基 板吊至處理槽的上方，將附著於基板上的純水置換成異丙醇 • 以促進乾燥。 - 【發明所欲解決之課題】 然而，在具有此種構成的從來例之情況係具有如次的問題。 • 亦即，以往的裝置爲了避免在腔室內發生用以使基板昇降 ' 的昇降支持機構與噴嘴干涉，而在腔室內的較高位置上安裝 噴嘴，因而具有所謂需要有時間讓幫助基板乾燥的空間形成 1374-487 ,. •， 修正本 爲乾燥處理氛圍的問題。又，因爲需要形成爲乾燥處理氛圍 的空間的容量很大，所以也具有所謂的在基板之乾燥處理中 . 的異丙醇使用效率低的問題。 . 【發明内容】 【解決課題之手段】 ' 本發明乃有鑒於這樣的情事而完成者，係提供一種藉由縮 * 小可幫助乾燥的空間以迅速地形成乾燥處理氛圍，而可提高 Φ 異丙醇的使用效率之基板處理裝置爲目的。 本發明爲達成此種目的，係採用如次的構成。 本發明係利用處理液對基板進行處理的基板處理裝置，前 述裝置包含以下的要素：貯留處理液並收容基板以利用處理 液對基板進行處理的處理槽；包圍前述處理槽周圍之腔室； 昇降支持機構，係一邊支持基板，一邊橫跨於前述處理槽內 部之處理位置與前述腔室內之前述處理槽的上方之待機位 置而進行昇降；排出前述處理槽的處理液之排出部：用以開 φ 閉前述處理槽的上部之開閉機構；以及下方噴嘴，其設於前 述開閉機構，係在前述開閉機構被關閉，且使處理液自前述 排出部排出的狀態下，朝前述處理槽內部供給含有機溶劑的 * 非活性氣體。 ' 依據本發明，係在開閉機構被關閉，且處理槽內的處理液 從排出部被排出的狀態，從處理槽的上部所配設之下方噴嘴 供給非活性氣體。與將腔室內部整體形成乾燥處理氛圍的先 行技術相較之下、因爲只要將極小的空間形成乾燥處理氛圍 就可以，所以可將空間迅速地形成爲乾燥處理氛圍，而可提 1374487 修正本 高有機溶劑的使用效率。 又，本發明中係以再具備上方噴嘴者較佳，該上方噴嘴被 設置在前述開閉機構，且於前述開閉機構被關閉並使前述昇 降支持機構朝待機位置移動的狀態下，朝向位在待機位置之 基板供給含有機溶劑的非活性氣體。 因爲會再從上方噴嘴對移動到待機位置之基板供給包含 有機溶劑的非活性氣體，所以可更加促進乾燥。又，光是下 方噴嘴就可使難以乾燥的基板下部充分乾燥。 又，本發明中係以再具備有密封板者較佳，該密封板位在 比前述開閉機構還下方，且設置在前述處理槽與前述腔室的 內壁之間以包圍前述腔室內的下部位置。 被供給非活性氣體的空間可限定爲只有位在比開閉機構 還下方的腔室下部，而可提升乾燥效率。 又，本發明中，前述開閉機構係以具備可對前述處理槽上 部開閉之一對板狀部材，而前述下方噴嘴係具備，形成在前 述板狀部材內部且被供給含有機溶劑的非活性氣體之下方 側供給路、以及形成在前述板狀部材之前述處理槽側，且與 前述下方側供給路連通接續之複數個下方側供給口者較佳。 當對下方側供給路供給非活性氣體時，係經由複數個下方 側供給口供給非活性氣體，所以可均一地對基板的上部作供 給。 又’本發明中，更具備有設置在前述板狀部材之前述處理 槽側的多孔質部材係較佳。 當對下方側供給路供給非活性氣體時，係經由複數個下方 1374487 修正本 側供給口及多孔質部材供給非活性氣體，所以可更均一地對 基板的上部作供給。 又’本發明中係以，前述開閉機構具備可對前述處理槽上 部開閉之一對板狀部材，而前述上方噴嘴具備，形成在前述 板狀部材內部且被供給含有機溶劑的非活性氣體之上方側 供給路'以及形成在前述板狀部材之前述處理槽側的相反 側’且與前述上方側供給路連通接續之複數個上方側供給口 者較佳。 當對上方側供給路供給非活性氣體時，係經由複數個上方 側供給口供給非活性氣體，所以可均一地對基板的下部作供 給。 又’本發明中，更具備有設置在前述板狀部材之前述處理 槽側的相反側之多孔質部材者係較佳。 當對上方側供給路供給非活性氣體時，係經由複數個上方 側供給口及多孔質部材供給非活性氣體，所以可均一地對基 板的下部作供給。 本發明係利用處理液對基板作處理之基板處理裝置，前述 裝置包含以下的要素：貯留處理液並收容基板以利用處理液 對基板進行處理的處理槽；包圍前述處理槽周圍之腔室；昇 降支持機構，係一邊支持基板，一邊橫跨於前述處理槽內部 之處理位置與前述腔室內之前述處理槽的上方之待機位置 而進行昇降；用以開閉前述處理槽的上部之開閉機構；以及 上方噴嘴’其設於前述開閉機構，係在前述開閉機構被關 閉，且使前述昇降支持機構朝待機位置移動的狀態下，朝位 1374487 修正本 在待機位置之基板供給含有機溶劑的非活性氣體。 依據本發明，係於開閉機構被閉止並使基板移動至待機位 置的狀態下，從處理槽的上部所配設的上方噴嘴供給非活性 氣體。與使腔室內部整體形成乾燥處理氛圍的先行技術相比 較之下係僅將較小的空間形成爲乾燥處理氛圍即可，所以可 將空間迅速地形成爲乾燥處理氛圍，而可提高有機溶劑的使 用效率又，在附著於基板的液滴低下來的場所之周圍的基 板下部雖然難以乾燥，但是藉由利用上方噴嘴從基板下方供 給非活性氣體，即便是基板的下部也可使其充分地乾燥。 【實施方式】 以下，依據圖面來詳細說明本發明較佳實施例。 第1圖係表示實·施例所涉及之基板處理裝置的槪略構成之 方塊圖。 處理槽1係貯留處理液並將基板w收容至內部，再利用處 理液對基板W執行洗浄、蝕刻等之處理。該處理槽1具備內 槽3和外槽5。內槽3之底部兩側具備有將處理液朝內槽3 內進行供給之一對噴出管7，而在底部中央則具備用以從內 槽3將處理液排出之排出部9。外槽5係將內槽3所溢出之 處理液回收並排出。 處理槽1之周圍整體係被腔室11所包圍。腔室11之上部 開口 1 3係依擋門1 5而開閉自如。腔室Π係於處理槽1的上 方備有可形成基板W在進行乾燥處理所暫時要存在之待機位 置WP的內容量和高度。 昇降支持機構17係橫跨於位在內槽3內部之處理位置Ρ 1374487 修正本 p、上述待機位置WP、以及位在腔室11上方的退避位置 ο P而使保持部19昇降移動。保持部19係將複數片基板W 以立起的姿勢來保持。 處理槽1之上部配置有開閉機構21。開閉機構21係由一 對可動板23構成。各可動板23係構建成各自以一端邊爲軸 而形成可對處理槽1的上部開閉自如。各可動板23之一端邊 被配置於腔室11的內壁附近，然而因有使腔室11內的氣體 等流下某程度之需要，所以故意設置一定的間隙並非一點間 隙也沒有地予以完全地閉塞。可動板23之上下面具備噴嘴， 茲詳述如後。 在比上述的開閉機構21還下方，且於處理槽1和腔室11 =的-內壁之間係配罠有用以和緩包閏腔S 1 1下部尝間之密封 板25。密封板25因爲有需要是可容許腔室11內的氣體等具 某程度之流通，所以並非完全閉塞的構造。藉由具有該密封 板25，而如同後述那樣，因爲依密封板25而使得朝下方供 給之非活性氣體對下方空間大量之供給受到抑制，所以可更 加提升屬有機溶劑的異丙醇之使用效率。 上述的噴出管7與供給管27之一端側連通接續，其另一端 側與純水供給源29連通接續。於供給管27之上游側配置混 合閥（mixing valve)31.及控制閥33。混合閥31係將複數種類 的藥液注入供給管27，控制閥33係對在供給管27流通之處 理液的流量及其流通進行開閉控制。 開閉機構21係與第1供給管35的一端側連通接續，其另 —端側與氮氣供給源37連通接續著。第1供給管35與副供 -10- 1374487 修正本 給管39連通接續著。該副供給管39與異丙醇（I PA)供 給源41連通接續，經由開放副供給管39所配設之開閉閥43 而使異丙醇被注入第1供給管35而與氮氣混合。在比副供給 管39被連通至第1供給管35的部位還上游側，配置有用以 控制在第1供給管35流通的氮氣之流通用的開閉閥45。在 比第1供給管35中之開閉閥45及副供給管39的配設部位還 上游側的一部位，第2供給管47自第1供給管35分岐而設 置。第2供給管47被連通接續至開閉機構21，而流通係由 開閉閥49所控制。位在開閉閥49的下游側之第2供給管47 係與上述副供給管39連通接續，藉由開閉閥50以控制異丙 醇的流通。 腔室11的上部，配置有固定噴嘴51用以對腔室11內部供 給含有氮氣或異丙醇的氮氣。固定噴嘴51與第3供給管53 之一端側連通接續，其另一端側與第1供給管35連通接續。 其連通部位係比開閉閥45及副供給管39的連通部位還接近 上游。第3供給管53具備開閉閥55，利用開閉閥55之開閉 以控制來自固定噴嘴51之氮氣供給。位在開閉閥55的下游 側之第3供給管53係與副供給管39連通接續，藉由開閉閥 54以控制異丙醇的流通。 其次，參照第2圖，針對上述開閉機構21作詳細說明。此 外，第2圖係顯示開閉機構之槪略構成的縱斷面圖。 用以構成開閉機構21的一對可動板23係具備板狀部材 57。該板狀部材57係於內部之處理槽1側形成有下方側供給 路63，同時在處理槽1相反側形成有上方側供給路_ 65。再者， 1374487 ·. ，· 修正本 ' 於該板狀部材57之處理槽1側，形成有與下方側供給路63 連通接續之複數個下方側連通口 67，同時於處理槽1側之相 反側形成與上方側供給路65連通接續之複數個上方側連通 口 69。 下方側供給路63與第2供給管47連通接續，上方側供給 • 路65與第1供給管35連通接續。板狀部材57之處理槽1側 - 設置有下方側多孔質部材59,同時在處理槽1之相反側設置 有上方側多孔質部材61。當開閉閥49、50 (參照第1圖）一 ® 被開放時，含有異丙醇的氮氣係自第2供給管47朝下方側供 給路63供給，然後從複數個下方側連通口 67通過下方側多 孔質部材59朝下方作噴射。又，當開閉閥43、45 (參照第1 _圖）一被開.放時，含有異丙醇的氮氣係從第1供給管35朝上 ' 方側供給路65作供給，然後從複數個上方側連通口 69通過 上方側多孔質部材61而朝上方噴射。 此外，下方側供給路63、第2供給管47、下方側連通口 ^ 67及下方側多孔質部材59係相當於本發明中的下方噴嘴， 而上方側供給路65、第1供給管35、上方側連通口 69及上 方側多孔質部材61係相當於本發明中的上方噴嘴。 其次，參照第3〜6圖，針對上述所構成的基板處理裝置之 - 動作進行說明。此外，第3〜6圖係供動作說明用圖。 在擋門1 5及開閉機構2 1開放時，昇降支持手段1 7係以支 持著基板W的狀態從退避位置〇 P下降到內槽3內之處理位 置P P (第3圖）。此外’此時僅開閉閥55被開放，氮氣從 固定噴嘴51供給至腔室11內。利用氮氣洗淨之腔室11內之 -12- 1374487 修正本 氣體係通過密封板25與腔室11之間隙等而經由位在腔室11 底部的排出部9朝向腔室11外排出。在基板W被移動到處理 位置P P之後，擋門15及開閉機構21被關閉。然後，含有 藥液的處理液從一對噴出管7供給到內槽3以對基板W執行 既定處理。其後，僅作爲處理液的純水自噴出管7朝內槽3 作供給，利用純水對基板W的洗浄處理係經過既定時間而被 執行。 在純水的洗浄處理結束時，排出部9係被開放，內槽3內 的純水係通過排出部9而被急速地排出，同時開放開閉閥 49、50(第4圖）。於是，含有異丙醇的氮氣係被供給到可動 板23之板狀部材57內的下方側供給路63。而利用急速排水 使基板W自純水露出，因爲含有異丙醇的氮氣係通過下方側 連通口 67及下方側多孔質部材59而流下到基板W，所以附 著於基板W上的純水之液滴被異丙醇所置換以促進乾燥。此 時需要被供給含有異丙醇的氮氣只有處理槽1的內部、開閉 機構2 1和密封板25之間的小空間而已。因此，與將腔室11 的內部整體形成乾燥處理氛圍的先行技術相較之下因爲僅需 將極小的空間形成乾燥處理氛圍就好，所以可使空間迅速地 形成乾燥處理氛圍，而可提高異丙醇的使用效率。 其次，將開閉閥49、50關閉，同時開放開閉機構21而使 昇降支持機構17從處理位置P P上昇到待機位置WP (第5 圖）。接著，關閉開閉機構2 1且同時開放開閉閥43、45 C第 6圖）。於是，含有異丙醇的氮氣係被供給到可動板23之板 狀部材57的上方側供給路65，含有異丙醇的氮氣係經由上 -13- 1374487 修正本 方側連通口 69及上方側多孔質部材61而朝向位在待機位置 WP之基板W的下部下方作供給。又，此時，開閉閥54、55 被開放，含有異丙醇的氮氣係從固定噴嘴51朝位在待機位置 P P的基板W上部之上方作供給。藉此更可促進基板W的乾 燥，光是來自上方的氣體供給就可使難以乾燥的基板W下部 充分地乾燥。 如同上述那樣，在使基板W在待機位置WP僅待機既定時 間之後，將開閉閥43、45關閉，且同時開放擋門15，利用 昇降支持機構17使基板W從待機位置WP搬出到退避位置 0 P。藉此以結束對基板W的洗浄及乾燥處理。 本發明不受限定於上述的實施形態，亦可如同以下那樣變 形而實施。 (1)開閉機構21不一定需要具備上方噴嘴和下方噴嘴雙 方，只需下方噴嘴或上方噴嘴就可以。於僅具備上方噴嘴的 情況，在將基板W移動到待機位置W P之後，供給含有異丙 醇的氮氣以執行乾燥處理。即便是這樣的構成，與將腔室11 的內部整體形成乾燥處理氛圍的先行技術相較之下因爲僅將 小的空間形成乾燥處理氛圍即可，所以可使待機位置w P的 空間迅速地形成乾燥處理氛圍，而可提高異丙醇的使用效 率。又，位在附著於基板W的液滴會流下來的場所之基板W 的下部雖然難以乾燥，但是藉由設定成從基板W的下方作供 給的形態，即便是基板W的下部也可使充分地乾燥。 (2 )開閉機構2 1雖然具備在閉止時用以閉塞腔室1 1下部 的大小尺寸，但是也可以僅閉塞處理槽1的上部的大小就可 -14- 1374487 修正本 以。即便是如此的構成，要供給氮氣的空間成爲只有處理槽 1，可獲得上述同樣的效果。 (3)雖然是作成供給將異丙醇混合於氮氣的氣體’但是也 可採用與氮氣不同的非活性氣體。 【圖式簡單說明】 ※ 圖示乃係用以對發明進行說明而舉出現今認爲合適的 幾個形態，期能理解本發明並非受限於圖示之構成及策略者 〇 第1圖係表示實施例所涉及之基板處理裝置的槪略構成之 方塊圖， 第2圖係表示開閉機構的槪略構成之縱斷面， 第3至6圖係供動作說明用的圖。 【主要元件符號說明】 I 處理槽 3 內槽 5 外槽 7 噴出管 9 排出部 II 腔室 13 上部開口 15 擋門 17 昇降支持機構 19 保持部 21 開閉機構 23 可動板 25 密封板 -15- 1374487 修正本

27 供 給 管 29 純 水供 給 源 3 1 混 合 閥 33 控 制 閥 35 第 1 供 給 管 37 氮 氣 供 給 源 39 副 供給 管 41 異 丙 醇 供 給 源 43 開 閉 閥 45 開 閉 閥 47 第 2 供 給 管 49 開 閉 閥 50 開 閉 閥 5 1 固 定 噴 嘴 53 第 3 供 給 管 55 開 閉 閥 57 板狀部 材 63 下 方 側 供 給 路 65 上 方 側 供 給 路 67 下 方 側 連 通 □ 69 上 方 側 連 通 □ -16-

Claims (1)

1374487 修正本 第95 140523號「基板處理裝置」專利案 (2011年5月6日修正） 十、申請專利範圍： 1. 一種利用處理液進行基板處理之基板處理裝置，前述裝 置包含以下的要素： 處理槽，係貯留處理液，並收容基板來利用處理液 對基板作處理； # 腔室，係包圍前述處理槽的周圍； 昇降支持機構，係一邊支持基板，一邊在前述處理 槽內部之處理位置與前述腔室內之前述處理槽的上方之 待機位置的範圍內進行昇降； 排出部，係用以排出前述處理槽的處理液； 開閉機構，係用以開閉前述處理槽上部；以及 下方噴嘴，係設於前述開閉機構.，並係以前述開閉 機構被關閉且使處理液自前述排出部排出的狀態，朝前 •述處理槽內部供給含有機溶劑的非活性氣體； 前述開閉機構，係具備上方噴嘴，其以前述開閉機 構被關閉且使前述昇降支持機構朝待機位置移動的狀 態，朝位在前述處理槽之待機位置的基板的下部供給含 有機溶劑的非活性氣體》 2. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其中 更具備有密封板，其位在比前述開閉機構還下方， 且設置在前述處理槽與前述腔室內壁之間，用以包圍前 述腔室內的下部位置。 1374487 修正本 3. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其中 前述開閉機構係具備可對前述處理槽上部開閉的一 對板狀構件， 前述下方噴嘴具備：下方側供給路，其形成在前述 板狀構件內部’並被供給含有機溶劑的非活性氣體；以 及複數個下方側供給口，其形成在前述板狀構件的前述 處理槽側，並與前述下方側供給路連通連接。 4. 如申請專利範圍第3項所記載之基板處理裝置，其中 更具備有設置在前述板狀構件之前述處理槽側的多 孔質構件。 5_如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其中 前述開閉機構係具備可對前述處理槽上部開閉的一 對板狀構件， . 前述上方噴嘴係具備：上方側供給路，其形成於前 述板狀構件內部，並被供給含有機溶劑的非活性氣體； 以及複數個上方側供給口，其形成於前述板狀構件之前 述處理槽側的相反側，並被連通連接至前述上方側供給 路。 6. 如申請專利範圍第5項所記載之基板處理裝置，其中 更具備有設置在前述板狀構件之前述處理槽側的相 反側之多孔質構件。 7. —種利用處理液進行基板處理之基板處理裝置，前述裝 置包含以下的要素： 處理槽，係貯留處理液，並收容基板來利用處理液 1374487 修正本 對基板進行處理； 腔室，係包圍前述處理槽周圍； 昇降支持機構，係一邊支持基板，一邊在前述處理 槽內部之處理位置與前述腔室內之前述處理槽的上方之 待機位置的範圍內進行昇降；以及 開閉機構，係用以開閉前述處理槽上部； 前述開閉機構，係具備上方噴嘴，其以前述開閉機 構被關閉且使前述昇降支持機構朝待機位置移動的狀 態，朝位在待機位置之基板的下部供給含有機溶劑的非 活性氣體。 8. 如申請專利範圍第7項所記載之基板處理裝置，其中 前述__閉機構係具備可對前述處理槽上部開閉的一 對板狀構件， 前述上方噴嘴係具備：上方側供給路，其形成於前 述板狀構件內部，並被供給含有機溶劑的非活性氣體； 以及複數個上方側供給口，其形成於前述板狀構件之前 述處理槽側的相反側，並被連通連接至前述上方側供給 路。 9. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其中 前述腔室係在上部具備固定噴嘴，其係以使前述昇 降支持機構朝待機位置移動的狀態，朝位在待機位置的 基板供給含有機溶劑的非活性氣體。 10.如申請專利範圍第2項所記載之基板處理裝置，其中 前述腔室係在上部具備固定噴嘴，其係以使前述昇 1374487 » · · 修正本 降支持機構朝待機位置移動的狀態，朝位在待機位置的 基板供給含有機溶劑的非活性氣體。 11.如申請專利範圍第3項所記載之基板處理裝置，其中 前述腔室係在上部具備固定噴嘴，其係以使前述昇 降支持機構朝待機位置移動的狀態，朝位在待機位置的 基板供給含有機溶劑的非活性氣體。 - 12.如申請專利範圍第4項所記載之基板處理裝置，其中 ^ 前述腔室係在上部具備固定噴嘴，其係以使前述昇 降支持機構朝待機位置移動的狀態，朝位在待機位置的 基板供給含有機溶劑的非活性氣體》 13. 如申請專利範圍第5項所記載之基板處理裝置，其中 前述腔室係在上部具備固定噴嘴，其係以使前述昇 降支持機構朝待機位置移動的狀態，朝位在待機位置的 基板供給含有機溶劑的非活性氣體.。 14. 如申請專利範圍第6項所記載之基板處理裝置，其中 φ 前述腔室係在上部具備固定噴嘴，其係以使前述昇 降支持機構朝待機位置移動的狀態，朝位在待機位置的 基板供給含有機溶劑的非活性氣體。 • 15.如申請專利範圍第7項所記載之基板處理裝置，其中 • 前述腔室係在上部具備固定噴嘴，其係以使前述昇 降支持機構朝待機位置移動的狀態，朝位在待機位置的 基板供給含有機溶劑的非活性氣體。 16.如申請專利範圍第8項所記載之基板處理裝置，其中 前述腔室係在上部具備固定噴嘴，其係以使前述昇 -4- 1374487 .. • 修正本 ' 降支持機構朝待機位置移動的狀態，朝位在待機位置的 基板供給含有機溶劑的非活性氣體。