KR100841826B1 - 기판처리장치 - Google Patents

기판처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100841826B1
KR100841826B1 KR1020060107191A KR20060107191A KR100841826B1 KR 100841826 B1 KR100841826 B1 KR 100841826B1 KR 1020060107191 A KR1020060107191 A KR 1020060107191A KR 20060107191 A KR20060107191 A KR 20060107191A KR 100841826 B1 KR100841826 B1 KR 100841826B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
standby position
processing
chamber
opening
Prior art date
Application number
KR1020060107191A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070049559A (ko
Inventor
토모아키 아이하라
Original Assignee
다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 filed Critical 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
Publication of KR20070049559A publication Critical patent/KR20070049559A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100841826B1 publication Critical patent/KR100841826B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like

Abstract

처리액에 의해 기판을 처리하는 기판처리장치로서, 상기 장치는 이하의 요소를 포함한다. 처리액을 저류하고, 기판을 수용해서 처리액에 의해 기판에 대한 처리를 행하는 처리조, 상기 처리조의 주위를 둘러싸는 챔버, 기판을 지지하면서, 상기 처리조 내부의 처리위치와, 상기 챔버 내에서 상기 처리조 상방의 대기위치에 걸쳐 승강하는 승강지지기구, 상기 처리조의 처리액을 배출하는 배출부, 상기 처리조의 상부를 개폐하는 개폐기구, 상기 개폐기구에 설치되고, 상기 개폐기구가 닫히고, 또한 상기 배출부에서 처리액을 배출시킨 상태에서, 상기 처리조 내부를 향해서 유기용제를 포함하는 불활성 가스를 공급하는 하방노즐.
Figure R1020060107191
기판, 처리, 장치, 처리액, 가스

Description

기판처리장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}
도 1은, 실시예에 관한 기판처리장치의 개략구성을 나타내는 블록도,
도 2는, 개폐기구의 개략구성을 나타내는 종단면도,
도 3~6은, 동작 설명에 제공하는 도면들이다.
본 발명은, 반도체웨이퍼나 액정표시장치용의 유리기판(이하, 간단히 기판이라 칭한다) 등의 기판을 처리액에 의해 처리하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 특히, 이소프로필알코올(isopropyl alcohol) 등의 유기용제를 포함한 질소가스 등의 불활성 가스를 공급해서 건조처리를 행하는 기술에 관한 것이다.
종래, 이러한 종류의 기판처리장치로서, 처리액을 저류하여, 기판을 수용해서 기판에 대한 처리를 행하는 처리조(處理槽)와, 이 처리조의 주위를 둘러싸는 챔버와, 기판을 지지하고, 처리조의 내부에 해당되는 처리위치와, 처리조의 상방에 있고 챔버의 내부에 해당되는 대기위치에 걸쳐 승강하는 승강지지기구와, 챔버의 내부 상방에 설치되어, 챔버 내에 이소프로필알코올을 포함한 질소가스를 공급하는 노즐을 구비하고 있는 것을 들 수 있다(예를 들면, 일본국 특개2004-63513호 공보 도 1 참조).
이렇게 구성된 장치에서는, 예를 들면, 순수(純水)를 저류하고 있는 처리조에서 기판에 대한 세정처리를 행한 후, 노즐로부터 이소프로필알코올을 포함한 질소가스를 공급해서 챔버 내를 건조처리 분위기로 한다. 그리고, 승강지지기구에 의해 기판을 처리조의 상방으로 끌어올리고, 기판에 부착되어 있는 순수를 이소프로필알코올로 치환해서 건조를 촉진한다.
그렇지만, 이러한 구성을 가지는 종래 예의 경우에는, 다음과 같은 문제가 있다.
즉, 종래의 장치는, 챔버 내에서 기판을 승강시키는 승강지지기구가 노즐과 간섭하는 것을 피하기 위해서, 챔버 내의 높은 위치에 노즐을 설치하고 있으므로, 기판의 건조에 기여하는 공간을 건조처리 분위기로 하는 데 시간이 필요한 문제가 있다. 또한, 건조처리 분위기로 할 필요가 있는 공간의 용량이 크므로, 기판의 건조처리에 있어서의 이소프로필알코올의 사용 효율이 낮은 문제도 있다.
본 발명은, 이러한 사정을 감안해서 된 것으로서, 건조에 기여하는 공간을 작게 함으로써, 신속하게 건조처리 분위기로 할 수 있고, 이소프로필알코올의 사용 효율을 높일 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위해서, 다음과 같은 구성을 채택한다.
본 발명은, 처리액에 의해 기판을 처리하는 기판처리장치로서, 상기 장치는 이하의 요소를 포함한다: 처리액을 저류하고, 기판을 수용해서 처리액에 의해 기판에 대한 처리를 행하는 처리조; 상기 처리조의 주위를 둘러싸는 챔버; 기판을 지지하면서, 상기 처리조 내부의 처리위치와, 상기 챔버 내에서의 상기 처리조 상방의 대기위치에 걸쳐 승강하는 승강지지기구; 상기 처리조의 처리액을 배출하는 배출부; 상기 승강지지기구의 대기위치와 처리위치 사이를 칸막이하도록, 상기 처리조의 상부를 개폐하는 개폐기구; 상기 개폐기구에 설치되고, 상기 개폐기구가 닫히고, 또한 상기 배출부에서 처리액을 배출시킨 상태에서, 상기 처리조 내부를 향해서 유기용제를 포함하는 불활성 가스를 공급하는 하방노즐.
본 발명에 따르면, 개폐기구가 닫히고, 처리조 안의 처리액이 배출부로부터 배출된 상태에서, 처리조의 상부에 배치된 하방노즐로부터 불활성 가스가 공급된다. 챔버 내부 전체를 건조처리 분위기로 하는 종래 기술에 비해서 지극히 작은 공간을 건조처리 분위기로 하는 것만으로 좋으므로, 공간을 신속하게 건조처리 분위기로 할 수 있어, 유기용제의 사용 효율을 높게 할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 개폐기구에 설치되며, 상기 개폐기구가 닫히고, 또한 상기 승강지지기구를 대기위치로 이동시킨 상태에서, 대기위치에 있는 기판을 향해서 유기용제를 포함하는 불활성 가스를 공급하는 상방노즐을 더 구비하고 있는 것이 바람직하다.
대기위치로 이동된 기판에, 또한 상방노즐로부터 유기용제를 포함한 불활성 가스를 공급하므로, 건조를 더욱 촉진할 수 있다. 또한, 하방노즐만으로는 건조하기 어려운 기판의 하부를 양호하게 건조시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 개폐기구보다 하방에 있고, 상기 처리조와 상 기 챔버의 내벽 사이에 설치되며, 상기 챔버 내의 하부위치를 둘러싸는 씰판(seal plate)을 더 구비하고 있는 것이 바람직하다.
불활성 가스가 공급되는 공간을 개폐기구보다 하방에 해당하는 챔버 하부만으로 한정할 수 있어, 건조 효율을 향상할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 개폐기구는, 상기 처리조 상부에 대하여 개폐가능한 한 쌍의 판상부재를 구비하고, 상기 하방노즐은, 상기 판상부재 내부에 형성되고, 유기용제를 포함하는 불활성 가스가 공급되는 하방측 공급로와, 상기 판상부재의 상기 처리조측에 형성되고, 상기 하방측 공급로에 연통접속된 복수의 하방측 공급구를 구비하고 있는 것이 바람직하다.
하방측 공급로에 불활성 가스를 공급하면, 복수의 하방측 공급구를 통해서 불활성 가스가 공급되므로, 기판의 상부에 대하여 편차 없이 균일하게 공급할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 판상부재의 상기 처리조측에 설치된 다공질부재를 더 구비하고 있는 것이 바람직하다.
하방측 공급로에 불활성 가스를 공급하면, 복수의 하방측 공급구 및 다공질부재를 통해서 불활성 가스가 공급되므로, 기판의 상부에 대하여 더욱 균일하게 공급할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 개폐기구는, 상기 처리조 상부에 대하여 개폐가능한 한 쌍의 판상부재를 구비하고, 상기 상방노즐은, 상기 판상부재 내부에 형성되고, 유기용제를 포함하는 불활성 가스가 공급되는 상방측 공급로와, 상기 판상 부재의 상기 처리조측과는 반대측에 형성되고, 상기 상방측 공급로에 연통접속된 복수의 상방측 공급구를 구비하고 있는 것이 바람직하다.
상방측 공급로에 불활성 가스를 공급하면, 복수의 상방측 공급구를 통해서 불활성 가스가 공급되므로, 기판의 하부에 대하여 편차 없이 균일하게 공급할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 판상부재의 상기 처리조측과는 반대측에 설치된 다공질부재를 더 구비하고 있는 것이 바람직하다.
상방측 공급로에 불활성 가스를 공급하면, 복수의 상방측 공급구 및 다공질부재를 통해서 불활성 가스가 공급되므로, 기판의 하부에 대하여 더욱 균일하게 공급할 수 있다.
본 발명은, 처리액에 의해 기판을 처리하는 기판처리장치로서, 상기 장치는 이하의 요소를 포함한다: 처리액을 저류하고, 기판을 수용해서 처리액에 의해 기판에 대한 처리를 행하는 처리조; 상기 처리조의 주위를 둘러싸는 챔버; 기판을 지지하면서, 상기 처리조 내부의 처리위치와, 상기 챔버 내에 있어서의 상기 처리조의 상방의 대기위치에 걸쳐 승강하는 승강지지기구; 상기 승강지지기구의 대기위치와 처리위치 사이를 칸막이하도록, 상기 처리조의 상부를 개폐하는 개폐기구; 상기 개폐기구에 설치되고, 상기 개폐기구가 닫히고, 또한 상기 승강지지기구를 대기위치로 이동시킨 상태에서, 대기위치에 있는 기판을 향해서 유기용제를 포함하는 불활성 가스를 공급하는 상방노즐.
본 발명에 따르면, 개폐기구가 닫히고, 기판을 대기위치로 이동시킨 상태에서, 처리조의 상부에 배치된 상방노즐로부터 불활성 가스가 공급된다. 챔버 내부 전체를 건조처리 분위기로 하는 종래 기술에 비해서 작은 공간을 건조처리 분위기로 하는 것만으로 좋으므로, 공간을 신속하게 건조처리 분위기로 할 수 있어, 유기용제의 사용 효율을 높게 할 수 있다. 또한, 기판에 부착되고 있는 액방울이 흘러내려오는 장소에 해당하는 기판의 하부는 건조하기 어렵지만, 상방노즐에 의해 기판의 하방에서 불활성 가스를 공급함으로써, 기판의 하부이어도 양호하게 건조시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 도면에 근거해서 상세히 설명한다.
발명을 설명하기 위해서 현재 바람직하다고 생각되는 몇 개의 형태가 도시되어 있지만, 발명이 도시된 대로의 구성 및 수단에 한정되는 것이 아님이 이해될 것이다.
도 1 은, 실시예에 관한 기판처리장치의 개략구성을 나타내는 블록도이다.
처리조(1)는, 처리액을 저류하고, 기판(W)을 내부에 수용하여, 기판(W)에 대하여 처리액에 의해 세정, 에칭 등의 처리를 행한다. 이 처리조(1)는, 내조(內槽)(3)와 외조(外槽)(5)를 구비하고 있다. 내조(3)는, 바닥 양측에, 처리액을 내조(3) 안으로 공급하는 한 쌍의 분출관(7)을 구비하고, 바닥 중앙에 내조(3)로부터 처리액을 배출하기 위한 배출부(9)를 구비하고 있다. 외조(5)는, 내조(3)로부터 넘친 처리액을 회수해서 배출한다.
처리조(1)는, 그 주위 전체가 챔버(11)로 둘러싸져 있다. 챔버(11)는, 그 상부개구(13)가 셔터(15)로 자유롭게 개폐되도록 되어 있다. 챔버(11)는, 처리조(1) 의 상방에, 기판(W)이 건조처리를 위해 일시적으로 위치되는 대기위치(WP)를 형성할 수 있는 내용량(內容量)과 높이를 구비하고 있다.
승강지지기구(17)는, 내조(3)의 내부에 해당하는 처리위치(PP)와, 상기 대기위치(WP)과, 챔버(11)의 상방에 해당하는 대피위치(OP)에 걸쳐, 지지부(19)를 승강 이동시킨다. 지지부(19)는, 복수장의 기판(W)을 기립 자세로 지지한다.
처리조(1)의 상부에는, 개폐기구(21)가 배치되어 있다. 개폐기구(21)는, 한 쌍의 가동판(23)으로 구성되어 있다. 각 가동판(23)은, 각각 일단변(一端邊)을 축으로 해서 처리조(1)의 상부에 대하여 자유롭게 개폐되도록 구성되어 있다. 각 가동판(23)은, 일단변이 챔버(11)의 내벽 가까이에 배치되어 있지만, 챔버(11) 안의 기체 등을 어느 정도 흘러내리게 할 필요가 있기 때문에, 일정한 간극(間隙)이 의도적으로 설치되고, 간극없이 완전히 폐쇄하는 것이 아니다. 상세한 것은 후술하지만, 가동판(23)은, 그 상하면에 노즐을 구비하고 있다.
상기의 개폐기구(21)보다 하방에 있어서, 처리조(1)와 챔버(11)의 내벽 사이에는, 챔버(11)의 하부공간을 느슨하게 둘러싸는 씰판(25)이 배치되어 있다. 씰판(25)은, 챔버(11) 안의 기체 등이 어느 정도 유통하는 것을 허용할 필요가 있으므로, 완전히 폐쇄하는 구조가 아니다. 이 씰판(25)이 있음으로써, 후술하는 바와 같이, 하방을 향해서 공급되는 불활성 가스가 씰판(25)보다 하방의 공간에 대량으로 공급되는 것이 억제되므로, 유기용제인 이소프로필알코올의 사용 효율을 더욱 향상할 수 있다.
상술한 분출관(7)에는, 공급관(27)의 일단측이 연통접속되고, 그 타단측이 순수공급원(29)에 연통접속되어 있다. 공급관(27)에는, 상류측으로부터, 믹싱밸브(mixing valve, 31)와 제어밸브(33)가 배치되어 있다. 믹싱밸브(31)는, 복수 종류의 약액(藥液)을 공급관(27)에 주입하고, 제어밸브(33)는, 공급관(27)을 유통하는 처리액의 유량 및 그 유통을 개폐제어한다.
개폐기구(21)에는, 제1공급관(35)의 일단측이 연통접속되고, 그 타단측이 질소가스 공급원(37)에 연통접속되어 있다. 제1공급관(35)에는, 부(副)공급관(39)이 연통접속되어 있다. 이 부공급관(39)은, 이소프로필알코올(IPA) 공급원(41)에 연통접속되어 있고, 부공급관(39)에 배치되어 있는 개폐밸브(43)를 개방함으로써 이소프로필알코올이 제1공급관(35)에 주입되어서 질소가스에 혼합된다. 부공급관(39)이 제1공급관(35)에 연통되어 있는 개소(箇所)보다 상류측에는, 제1공급관(35)을 유통하는 질소가스의 유통을 제어하는 개폐밸브(45)가 배치되어 있다. 제1공급관(35)에서의 개폐밸브(45) 및 부공급관(39)의 설치 개소보다 상류측의 일 부위에는, 제2공급관(47)이 제1공급관(35)으로부터 분기되어 설치되어 있다. 제2공급관(47)은, 개폐기구(21)에 연통접속되어 있고, 유통이 개폐밸브(49)에 의해 제어된다. 개폐밸브(49)의 하류측에 해당하는 제2공급관(47)에는, 상기 부공급관(39)이 연통접속되어 있어, 개폐밸브(50)에 의해 이소프로필알코올의 유통이 제어된다.
챔버(11)의 상부에는, 챔버(11)의 내부에 질소가스 또는 이소프로필알코올을 포함한 질소가스를 공급하기 위한 고정노즐(51)이 배치되어 있다. 고정노즐(51)에는, 제3공급관(53)의 일단측이 연통접속되고, 그 타단측이 제1공급관(35)에 연통접속되어 있다. 그 연통 개소는, 개폐밸브(45) 및 부공급관(39)의 연통 개소보다 상 류이다. 제3공급관(53)은, 개폐밸브(55)를 구비하고 있어, 개폐밸브(55)의 개폐에 의해 고정노즐(51)로부터의 질소가스 공급이 제어된다. 개폐밸브(55)의 하류측에 해당하는 제3공급관(53)에는, 부공급관(39)이 연통접속되어 있고, 개폐밸브(54)에 의해 이소프로필알코올의 유통이 제어된다.
다음으로, 도 2를 참조하여, 상술한 개폐기구(21)에 대해서 상세히 설명한다. 도 2는, 개폐기구의 개략구성을 나타내는 종단면도이다.
개폐기구(21)를 구성하고 있는 한 쌍의 가동판(23)은, 판상부재(57)를 구비하고 있다. 이 판상부재(57)에는, 내부에 있어서 처리조(1)측으로는 하방측 공급로(63)가 형성되어 있는 동시에, 처리조(1)와는 반대측으로 상방측 공급로(65)가 형성되어 있다. 또한, 이 판상부재(57)에는, 처리조(1)측에 있어서 하방측 공급로(63)와 연통접속된 복수의 하방측 연통구(67)가 형성되어 있는 동시에, 처리조(1)측과 반대측에 있어서 상방측 공급로(65)와 연통접속된 복수의 상방측 연통구(69)가 형성되어 있다.
하방측 공급로(63)에는, 제2공급관(47)이 연통접속되고, 상방측 공급로(65)에는, 제1공급관(35)이 연통접속되어 있다. 판상부재(57)의 처리조(1)측으로는 하방측 다공질부재(59)가 설치되어 있는 동시에, 처리조(1)와 반대측으로는 상방측 다공질부재(61)가 설치되어 있다. 개폐밸브(49, 50)(도 1 참조)가 개방되면, 이소프로필알코올을 포함하는 질소가스가 제2공급관(47)으로부터 하방측 공급로(63)에 공급되고, 또한 복수의 하방측 연통구(67)로부터 하방측 다공질부재(59)를 통하여, 하방을 향해서 분사된다. 또한, 개폐밸브(43, 45)(도 1 참조)가 개방되면, 이소프 로필알코올을 포함하는 질소가스가 제1공급관(35)으로부터 상방측 공급로(65)에 공급되고, 또한 복수의 상방측 연통구(69)로부터 상방측 다공질부재(61)를 통하여, 상방을 향해서 분사된다.
한편, 하방측 공급로(63), 제2공급관(47), 하방측 연통구(67) 및 하방측 다공질부재(59)가 본 발명에서의 하방노즐에 상당하고, 상방측 공급로(65), 제1공급관(35), 상방측 연통구(69) 및 상방측 다공질부재(61)가 본 발명에서의 상방노즐에 상당한다.
다음으로, 도 3~6을 참조하여, 상술한 바와 같이 구성되어 있는 기판처리장치의 동작에 대해서 설명한다. 도 3~6은, 동작 설명에 제공되는 도면이다.
셔터(15) 및 개폐기구(21)가 개방되고, 승강지지수단(17)이 기판(W)을 지지한 상태에서 대피위치(OP)로부터 내조(3) 안의 처리위치(PP)까지 하강한다(도 3). 한편, 이 때 개폐밸브(55)만이 개방되어, 고정노즐(51)로부터 질소가스가 챔버(11) 안으로 공급되고 있다. 질소가스에 의해 정화(purge)되는 챔버(11) 안의 기체는, 씰판(25)과 챔버(11)의 간극 등을 통과하여, 챔버(11)의 바닥에 있는 배출부(9)를 통해서 챔버(11) 밖으로 배출된다. 기판(W)이 처리위치(PP)로 이동된 후, 셔터(15) 및 개폐기구(21)가 닫힌다. 그리고, 약액을 포함하는 처리액이 한 쌍의 분출관(7)으로부터 내조(3)로 공급되어 기판(W)에 대한 소정의 처리가 행해진다. 그 후, 처리액으로서 순수만이 분출관(7)으로부터 내조(3)로 공급되어, 기판(W)에 대하여 순수에 의한 세정처리가 소정시간에 걸쳐 행해진다.
순수에 의한 세정처리가 끝나면, 배출부(9)가 개방되어, 내조(3) 안의 순수 가 배출부(9)를 통해서 급속히 배출되는 동시에, 개폐밸브(49, 50)가 개방된다(도 4). 그러면, 이소프로필알코올을 포함한 질소가스가 가동판(23)의 판상부재(57) 안의 하방측 공급로(63)로 공급된다. 급속배수에 의해, 기판(W)은 순수로부터 노출하게 되지만, 하방측 연통구(67) 및 하방측 다공질부재(59)를 통해 이소프로필알코올을 포함한 질소가스가 기판(W)에 흘러내리므로, 기판(W)에 부착하고 있는 순수의 액방울이 이소프로필알코올로 치환되어 건조가 촉진된다. 이 때 이소프로필알코올을 포함한 질소가스가 공급되는 것은, 처리조(1)의 내부와, 개폐기구(21)와 씰판(25) 사이의 작은 공간만으로 좋다. 따라서, 챔버(11)의 내부 전체를 건조처리 분위기로 하는 종래 기술에 비해서 지극히 작은 공간을 건조처리 분위기로 하는 것만으로 좋으므로, 공간을 신속하게 건조처리 분위기로 할 수 있어, 이소프로필알코올의 사용 효율을 높게 할 수 있다.
다음으로, 개폐밸브(49, 50)를 닫는 동시에, 개폐기구(21)를 개방하고, 승강지지기구(17)를 처리위치(PP)로부터 대기위치(WP)까지 상승시킨다(도 5). 이어서, 개폐기구(21)를 닫는 동시에, 개폐밸브(43, 45)를 개방한다(도 6). 그러면, 이소프로필알코올을 포함한 질소가스가 가동판(23)의 판상부재(57)의 상방측 공급로(65)에 공급되어, 이소프로필알코올을 포함한 질소가스가, 상방측 연통구(69) 및 상방측 다공질부재(61)를 통해서 대기위치(WP)에 있는 기판(W)의 하부를 향해서 하방으로부터 공급된다. 또한, 이 때, 개폐밸브(54, 55)가 개방되어, 이소프로필알코올을 포함한 질소가스가 고정노즐(51)로부터 대기위치(WP)에 있는 기판(W)의 상부를 향해서 상방으로부터 공급된다. 이것에 의해, 기판(W)의 건조를 더욱 촉진할 수 있고, 상방으로부터의 공급만으로는 건조하기 어려운 기판(W)의 하부를 양호하게 건조시킬 수 있다.
상기한 바와 같이 기판(W)을 대기위치(WP)에 소정시간만 대기시킨 후, 개폐밸브(43, 45)를 닫는 동시에, 셔터(15)를 개방하고, 승강지지기구(17)에 의해 기판(W)을 대기위치(WP)로부터 대피위치(OP)에 반출한다. 이것에 의해 기판(W)에 대한 세정 및 건조처리가 완료된다.
본 발명은, 상술한 실시형태에만 한정되는 것이 아니고, 아래와 같이 변형 실시할 수 있다.
(1) 개폐기구(21)에는, 상방노즐과 하방노즐의 양쪽을 반드시 구비할 필요는 없고, 하방노즐만 혹은 상방노즐만으로서도 좋다. 상방노즐만으로 했을 경우에는, 기판(W)을 대기위치(WP)로 이동한 후에, 이소프로필알코올을 포함한 질소가스를 공급해서 건조처리를 행한다. 이러한 구성으로서도, 챔버(11)의 내부 전체를 건조처리 분위기로 하는 종래 기술에 비해서 작은 공간을 건조처리 분위기로 하는 것만으로 좋으므로, 대기위치(WP)의 공간을 신속하게 건조처리 분위기로 할 수 있어, 이소프로필알코올의 사용 효율을 높게 할 수 있다. 또한, 기판(W)에 부착되어 있는 액방울이 흐러내려 오는 장소에 해당하는 기판(W)의 하부는 건조하기 어렵지만, 기판(W)의 하방에서 공급하는 형태로 함으로써, 기판(W)의 하부이어도 양호하게 건조시킬 수 있다.
(2)개폐기구(21)는, 닫을 때에 챔버(11)의 하부를 폐쇄하는 크기를 구비하고 있지만, 처리조(1)의 상부만을 폐쇄하는 크기로도 좋다. 이렇게 구성해도, 질소가스를 공급하는 공간이 처리조(1)만이 되고, 상기와 동일한 효과를 발휘한다.
(3)이소프로필알코올을 질소가스에 혼합한 가스를 공급하도록 하고 있지만, 질소가스와는 다른 불활성 가스를 채용해도 좋다.
본 발명은, 그 사상 또는 본질로부터 일탈하지 않고 다른 구체적 형태로 실시할 수 있고, 따라서, 발명의 범위를 나타내는 것으로서, 이상의 설명이 아니라, 부가된 청구범위를 참조해야 한다.
본 발명에 따르면, 챔버 내부 전체를 건조처리 분위기로 하는 종래 기술에 비해서 지극히 작은 공간을 건조처리 분위기로 하는 것만으로 좋으므로, 공간을 신속하게 건조처리 분위기로 할 수 있어, 유기용제의 사용 효율을 높게 할 수 있다.
또한, 대기위치로 이동된 기판에, 또한 상방노즐로부터 유기용제를 포함한 불활성 가스를 공급하므로, 건조를 더욱 촉진할 수 있다. 또한, 하방노즐만으로는 건조하기 어려운 기판의 하부를 양호하게 건조시킬 수 있다.
또한, 불활성 가스가 공급되는 공간을 개폐기구에 의해 하방에 해당하는 챔버 하부만으로 한정할 수 있어, 건조 효율을 향상할 수 있다.
또한, 하방측 공급로에 불활성 가스를 공급하면, 복수의 하방측 공급구 또는 다공질부재를 통해서 불활성 가스가 공급되므로, 기판의 상부에 대하여 편차 없이 균일하게 공급할 수 있다.
또한, 상방측 공급로에 불활성 가스를 공급하면, 복수의 상방측 공급구 또는 다공질부재를 통해서 불활성 가스가 공급되므로, 기판의 하부에 대하여 편차 없이 균일하게 공급할 수 있다.
그리고, 본 발명에 따르면, 챔버 내부 전체를 건조처리 분위기로 하는 종래 기술에 비해서 작은 공간을 건조처리 분위기로 하는 것만으로 좋으므로, 공간을 신속하게 건조처리 분위기로 할 수 있어, 유기용제의 사용 효율을 높게 할 수 있다. 또한, 기판에 부착되고 있는 액방울이 흘러내려오는 장소에 해당하는 기판의 하부는 건조하기 어렵지만, 상방노즐에 의해 기판의 하방에서 불활성 가스를 공급함으로써, 기판의 하부이어도 양호하게 건조시킬 수 있다.

Claims (20)

  1. 처리액에 의해 기판을 처리하는 기판처리장치로서, 상기 장치는,
    처리액을 저류하고, 기판을 수용해서 처리액에 의해 기판에 대한 처리를 행하는 처리조;
    상기 처리조의 주위를 둘러싸는 챔버;
    기판을 지지하면서, 상기 처리조 내부의 처리위치와, 상기 챔버 내에서의 상기 처리조 상방의 대기위치에 걸쳐 승강하는 승강지지기구;
    상기 처리조의 처리액을 배출하는 배출부;
    상기 승강지지기구의 대기위치와 처리위치 사이를 칸막이하도록, 상기 처리조의 상부를 개폐하는 개폐기구;
    상기 개폐기구에 설치되고, 상기 개폐기구가 닫히고, 또한 상기 배출부로부터 처리액을 배출시킨 상태에서, 상기 처리조 내부를 향해서 유기용제를 포함하는 불활성 가스를 공급하는 하방노즐;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 개폐기구에 설치되며, 상기 개폐기구가 닫히고, 또한 상기 승강지지기구를 대기위치로 이동시킨 상태에서, 대기위치에 있는 기판을 향해서 유기용제를 포함하는 불활성 가스를 공급하는 상방노즐을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 개폐기구보다 하방에 있고, 상기 처리조와 상기 챔버의 내벽 사이에 설치되며, 상기 챔버 내의 하부위치를 둘러싸는 씰판을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 개폐기구보다 하방에 있고, 상기 처리조와 상기 챔버의 내벽 사이에 설치되며, 상기 챔버 내의 하부위치를 둘러싸는 씰판을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 개폐기구는, 상기 처리조 상부에 대하여 개폐가능한 한 쌍의 판상부재를 구비하고,
    상기 하방노즐은, 상기 판상부재 내부에 형성되고, 유기용제를 포함하는 불활성 가스가 공급되는 하방측 공급로와, 상기 판상부재의 상기 처리조측에 형성되고, 상기 하방측 공급로에 연통접속된 복수의 하방측 공급구를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 판상부재의 상기 처리조측에 설치된 다공질부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 개폐기구는, 상기 처리조 상부에 대하여 개폐가능한 한 쌍의 판상부재를 구비하고,
    상기 상방노즐은, 상기 판상부재 내부에 형성되고, 유기용제를 포함하는 불활성 가스가 공급되는 상방측 공급로와, 상기 판상부재의 상기 처리조측과는 반대측에 형성되고, 상기 상방측 공급로에 연통접속된 복수의 상방측 공급구를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 판상부재의 상기 처리조측과는 반대측에 설치된 다공질부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 처리액에 의해 기판을 처리하는 기판처리장치로서, 상기 장치는,
    처리액을 저류하고, 기판을 수용해서 처리액에 의해 기판에 대한 처리를 행하는 처리조;
    상기 처리조의 주위를 둘러싸는 챔버;
    기판을 지지하면서, 상기 처리조 내부의 처리위치와, 상기 챔버 내에서 상기 처리조 상방의 대기위치에 걸쳐 승강하는 승강지지기구;
    상기 승강지지기구의 대기위치와 처리위치 사이를 칸막이하도록, 상기 처리조의 상부를 개폐하는 개폐기구;
    상기 개폐기구에 설치되고, 상기 개폐기구가 닫히고, 또한 상기 승강지지기구를 대기위치로 이동시킨 상태에서, 대기위치에 있는 기판을 향해서 유기용제를 포함하는 불활성 가스를 공급하는 상방노즐;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 개폐기구는, 상기 처리조 상부에 대하여 개폐가능한 한 쌍의 판상부재를 구비하고,
    상기 상방노즐은, 상기 판상부재 내부에 형성되고, 유기용제를 포함하는 불활성 가스가 공급되는 상방측 공급로와, 상기 판상부재의 상기 처리조측과는 반대측에 형성되고, 상기 상방측 공급로에 연통접속된 복수의 상방측 공급구를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 챔버는, 상기 승강지지기구를 대기위치로 이동시킨 상태에서, 대기위치에 있는 기판을 향해서 유기용제를 포함하는 불활성 가스를 공급하는 고정노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제2항에 있어서,
    상기 챔버는, 상기 승강지지기구를 대기위치로 이동시킨 상태에서, 대기위치에 있는 기판을 향해서 유기용제를 포함하는 불활성 가스를 공급하는 고정노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 제3항에 있어서,
    상기 챔버는, 상기 승강지지기구를 대기위치로 이동시킨 상태에서, 대기위치에 있는 기판을 향해서 유기용제를 포함하는 불활성 가스를 공급하는 고정노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 제4항에 있어서,
    상기 챔버는, 상기 승강지지기구를 대기위치로 이동시킨 상태에서, 대기위치에 있는 기판을 향해서 유기용제를 포함하는 불활성 가스를 공급하는 고정노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 제5항에 있어서,
    상기 챔버는, 상기 승강지지기구를 대기위치로 이동시킨 상태에서, 대기위치에 있는 기판을 향해서 유기용제를 포함하는 불활성 가스를 공급하는 고정노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 제6항에 있어서,
    상기 챔버는, 상기 승강지지기구를 대기위치로 이동시킨 상태에서, 대기위치에 있는 기판을 향해서 유기용제를 포함하는 불활성 가스를 공급하는 고정노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 제7항에 있어서,
    상기 챔버는, 상기 승강지지기구를 대기위치로 이동시킨 상태에서, 대기위치에 있는 기판을 향해서 유기용제를 포함하는 불활성 가스를 공급하는 고정노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  18. 제8항에 있어서,
    상기 챔버는, 상기 승강지지기구를 대기위치로 이동시킨 상태에서, 대기위치에 있는 기판을 향해서 유기용제를 포함하는 불활성 가스를 공급하는 고정노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  19. 제9항에 있어서,
    상기 챔버는, 상기 승강지지기구를 대기위치로 이동시킨 상태에서, 대기위치에 있는 기판을 향해서 유기용제를 포함하는 불활성 가스를 공급하는 고정노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  20. 제10항에 있어서,
    상기 챔버는, 상기 승강지지기구를 대기위치로 이동시킨 상태에서, 대기위치에 있는 기판을 향해서 유기용제를 포함하는 불활성 가스를 공급하는 고정노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
KR1020060107191A 2005-11-08 2006-11-01 기판처리장치 KR100841826B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005323805A JP4545083B2 (ja) 2005-11-08 2005-11-08 基板処理装置
JPJP-P-2005-00323805 2005-11-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070049559A KR20070049559A (ko) 2007-05-11
KR100841826B1 true KR100841826B1 (ko) 2008-06-26

Family

ID=37865631

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060107191A KR100841826B1 (ko) 2005-11-08 2006-11-01 기판처리장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20070045161A1 (ko)
JP (1) JP4545083B2 (ko)
KR (1) KR100841826B1 (ko)
CN (1) CN100447947C (ko)
TW (1) TWI374487B (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI406330B (zh) 2007-09-26 2013-08-21 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置及基板處理方法
CN102610489A (zh) * 2012-03-23 2012-07-25 冠礼控制科技(上海)有限公司 一种有机溶剂薄膜干燥装置
CN103046097B (zh) * 2012-12-31 2016-08-03 上海新阳半导体材料股份有限公司 晶圆处理装置
CN103994637B (zh) * 2014-05-22 2016-04-13 京东方科技集团股份有限公司 一种基板干燥装置及基板干燥方法
JP6497587B2 (ja) 2015-08-18 2019-04-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN108682643A (zh) * 2018-06-06 2018-10-19 上海华力微电子有限公司 一种降低干燥槽引起的颗粒杂质的装置
JP7175122B2 (ja) * 2018-08-02 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
JP7241568B2 (ja) * 2019-03-04 2023-03-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0143751B1 (ko) * 1993-12-08 1998-08-17 이시다 아키라 침지형 기판처리장치
KR19980081324A (ko) * 1997-04-14 1998-11-25 이시다아키라 기판 건조장치 및 기판 처리장치
KR100255424B1 (ko) 1995-06-09 2000-05-01 이시다 아키라 기판처리장치
KR100274128B1 (ko) 1996-06-28 2000-12-15 이시다 아키라 기판처리장치

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19541436C2 (de) * 1995-11-07 1998-10-08 Steag Micro Tech Gmbh Anlage zur Behandlung von Gegenständen in einem Prozeßtank
US5922138A (en) * 1996-08-12 1999-07-13 Tokyo Electron Limited Liquid treatment method and apparatus
US6050275A (en) * 1996-09-27 2000-04-18 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
US6413355B1 (en) * 1996-09-27 2002-07-02 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
JP3151613B2 (ja) * 1997-06-17 2001-04-03 東京エレクトロン株式会社 洗浄・乾燥処理方法及びその装置
US6354311B1 (en) * 1997-09-10 2002-03-12 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate drying apparatus and substrate processing apparatus
JP2000005710A (ja) * 1998-06-24 2000-01-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置
JP3553430B2 (ja) * 1999-09-06 2004-08-11 東邦化成株式会社 ウェハ乾燥装置用ミスト噴霧装置及びウェハ乾燥装置
US20020174882A1 (en) * 2001-05-25 2002-11-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2004063513A (ja) * 2002-07-25 2004-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体基板の洗浄乾燥方法
JP3560962B1 (ja) * 2003-07-02 2004-09-02 エス・イー・エス株式会社 基板処理法及び基板処理装置
JP4319510B2 (ja) * 2003-10-15 2009-08-26 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0143751B1 (ko) * 1993-12-08 1998-08-17 이시다 아키라 침지형 기판처리장치
KR100255424B1 (ko) 1995-06-09 2000-05-01 이시다 아키라 기판처리장치
KR100274128B1 (ko) 1996-06-28 2000-12-15 이시다 아키라 기판처리장치
KR19980081324A (ko) * 1997-04-14 1998-11-25 이시다아키라 기판 건조장치 및 기판 처리장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN1963992A (zh) 2007-05-16
JP2007134408A (ja) 2007-05-31
TW200807528A (en) 2008-02-01
TWI374487B (en) 2012-10-11
CN100447947C (zh) 2008-12-31
KR20070049559A (ko) 2007-05-11
US20070045161A1 (en) 2007-03-01
JP4545083B2 (ja) 2010-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100841826B1 (ko) 기판처리장치
KR100666352B1 (ko) 기판 세정 건조 장치 및 방법
KR102328464B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20190041158A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2007214447A (ja) 基板処理装置
KR102254186B1 (ko) 기판 건조 장치
US8882961B2 (en) Substrate treatment apparatus
KR102262250B1 (ko) 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법
KR20090029376A (ko) 이소프로필 알코올 용액 공급 장치
KR102254187B1 (ko) 기판 건조 장치
JP4859703B2 (ja) 基板処理装置
JP2008251657A (ja) 基板処理装置
JP2013125812A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR102357843B1 (ko) 기판 건조 장치
KR101933081B1 (ko) 기판처리장치 및 이를 가지는 기판처리설비, 그리고 기판처리방법
KR102596286B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
WO2024095760A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20220004932A (ko) 밸브 유닛 및 기판 처리 장치
KR100481157B1 (ko) 기판 건조 방법 및 장치
JP4859684B2 (ja) 基板処理装置
KR20230019039A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20230019040A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20220085288A (ko) 기판 건조 장치 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법
KR20080040126A (ko) 유체 분사 노즐 및 그를 구비하는 반도체 제조설비
KR20220021491A (ko) 기판 건조 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130531

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140603

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150518

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160517

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170522

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180530

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190530

Year of fee payment: 12