TWI374454B - - Google Patents

Description

1374454 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於用以製造小型且高容量的積層陶究電容 器（下面稱為「MLCC」）並用以形成内部電極的導電性朦 ‘糊，以及採用其之積層陶瓷電容器等積層陶瓷電子零件。 _ ·【背景技術】 MLCC —般係以下述方法製造。首先，為了形成介電體 鲁層，在含有鈦酸鋇（BaTiCh )與聚乙烯丁醛等有機黏合劑 的介電體生片（green sheet)上，把分散在含導电性粉 末、樹脂黏合劑及溶劑的載體中之作為内部電極的導電性 膠糊’以既定的圖案印刷，乾燥並除去溶劑，形成乾燥膜。 其次’把印刷有該導電性膠糊的介電體生片，以積層重疊 的狀態進行加熱壓黏，一體化後切斷，在氧化性環境或惰 性環境中，於5〇(TC以下進行脫黏合劑。然後，以不氧化 内部電極之方式，於還原性環境十，在1300。(：左右進行 •加熱煅燒。另外，對煅燒晶片進行皇多、锻意後，在外部 電極上實施轉雇等，完成MLCC。 -π然而，在^述煅燒步驟中，介電體陶瓷粉末開始燒結的 · -. 义為1200 C左右，與鎳等金屬粉末的燒結.之 .:度產生很大的mismatch)，故易產生脫層（層間剝 或裂縫等結構缺陷。特別是伴隨著小型.高容量化， ，：多或陶瓷介電體層的厚度愈薄，則結構缺陷的發 生愈顯者。 因此’例如在内部電極用鎳糊上，為了控制至少直至介 97114493 5 ^74454 的燒結.收縮開始的溫度附近的燒結·收縮, 系等㈣礦型成之㈣㈣或錯酸錦 繞結行為，並"㈣電極：：的陶聽末，控制錄粉的 的失配。]内#電極層與介電體層的燒結收縮行為 可疋伴心著行動電話或數位儀器等 小化’對於作為晶片零件的積層陶究儀::：薄短 手段，用於實現這些要求的最有效的 手^疋使内部電極層與介電體層減薄以謀求積声化Μ 如此，近年來要求MLCC更加小型.大容旦 採用鎳等的内部電極，探谷里化，例如，對 _化，對二:::::;::!:異的電極膜 高介電係數化及薄層化，介電體層厚為^電體層則探討 經實用化。進而，對電極膜希望=。2.°…下者已 為了實現上述内部電極的緻密且：二:：。 •極膜的薄層化所必要的特性，主要^優:，電 !)内部電極用_的乾燥膜 下3點。即， •，在内部電極用鎳糊的乾燥度; ..突起物； 介電體生片的 -3)將薄的印刷塗布的内部電極 .. 不破裂，有效電極面積高。 刻桃顧，電極膜 ▲對上述1)進行詳述，若内部電極 :燥膜密摩，則可以實現锻燒後的積有 的潯層化。 貝！日日片内部電極 97114493 丄 J /Η·Η〇4 • 即為了採用少量的全Μ冷尤曰 極，访㈣· 里们金屬塗布買形成南密度之内部電 並同時實現薄層化與押 乾燥時，儘量提高每單;立俨： 邛電極用糊之 -導電性4…ί (或網板印刷單位面積）的 ‘ ^粒子之填充密度（乾燥膜密度）是個大課題。 另外，對上述2)進行詳述，為了伴隨著 借 介電體声之厘☆里化而使 的平滑,1。r ' ’必需提高内部電極用錄糊的乾燥膜 ^ 層生片的厚度比㈣電極㈣糊的乾燥膜中 之大起物的高度小時，合產哇* ' θ產生犬起物貫穿陶瓷生片，在電 極膜間產生短路，使電玄哭 的問題。 使電㈣的可祕或產品合格率等降低 ，外’對上述3)進行詳述’當層厚減薄時，難以確保 内4電極的有效電極面積，且般燒時的内部電極層與介電 體層的收縮率的不同變得承Λ日日月 , 丨』爻仔更加明顯，產生稱為脫層之對 MLCC而言為致命的結構缺陷的問題。 根據上述情況，例如，直条丨丨令虹 e j如导利文獻1也公開了不可能形成 膜厚Ι.Ο/zm的電極膜;的鈴if!，+ 书從朕旳靶lij，存在對電極膜的薄層化 適合等問題。 另外，專利文獻2公開了電極膜厚〇.7//m以下的範圍， 但超過該範圍的電極膜厚為〇.8“時，如果陶究層厚度 達到3# m以下，則存在脫層頻繁的問題。 另外，專利文獻3公開了在電極膜厚的最大尺寸4〇# m以下最巧尺寸0.2/ζιη以上的範圍内，靜電電容量的 誤差也小，脫層的發生被抑制，但該專利文獻3的發明對 97114493 7 1374454 於電極膜的薄層化並不適合。 〔專利文獻1〕 〔專利文獻2〕 〔專利文獻3〕 【發明内容】 日本專利特開2002— 245874號公報 日本專利特開2005— 167290號公報 日本專利特開平1 〇 — 12477號公報 (發明所欲解決之問題） 本發明是為了解決上述習 部電極用鋅糊&#π β的問蟪而提出，提供一種内 在==的乾，大突起高度為〗—下， 高的有效電極面广印：塗布的錄糊在锻燒後可以確保 木面積’且無結構缺陷，可達到内部電極膜厚 以及^用1之之積化的導電性膠糊、導電性膠糊乾燥膜 休用ν、之積層陶瓷電容器。 (解決問題之手段） =，本發明之㈣轉糊之錢在於 分含有質量比率在。鳥下且平均粒徑未滿二有= 錄粉、以及平均粒徑未滿G.1Min的陶堯粉末。·㈣’ /外，本發明之另一導電性膠糊之特徵在於 灰成二質量比率* 0.°6%以下且平均粒徑未滿二 ?=、平均粒徑未滿。.丨。…陶究粉末、黏合樹 “及有機溶劑，另外，上述陶变粉 上述錄粉末m質量份為10〜25質量份。有羊相對於 另外’本發明之另-導電性膠糊之特徵在於， 二=相法或氣相法製造的錄粉中按照碳成分含“ w率在0.06%以下且平均粒徑未滿〇 2〇"的條件選擇 97114493 8 1374454 •的鎳卷末、以及平均粒徑未 另外，本發明之導電性幽· 的陶瓷粉末。 述導電性膠糊，進行乾操二之特徵在於，印刷上 5.5g/cc以上。 。’的乾燥獏的乾燥膜密度在 另外’本發明之另—導電性移糊乾 刷上述導電性膠糊，進行乾 ”、之特徵在於，印 高度在i.o/zni以下。'、斤侍到的乾燥m的最大突起 另外，本發明之導電性膠糊煅 電性膠糊在介電體^上印刷、、之2在於’將該導 性膠糊電極膜的膜厚為G8〜μ &燒所得到的導電 為50%以上。 .Α"1之鎳有效電極面積 人^ ，本發明之積制以容11係將上料f性职糊在 :電雜生片上印刷、乾燥、煅燒所得到的導;== 膜膜厚為08〜10" m,磕士 电r生膠糊電極 ,、+，入： 鎳有效電極面積4 50%以上，且 體生片锻燒得到的介電體層的厚度為 卜 〇 (發明效果） 以上，按照本發明’可以實現可形成在内部電極用導電 性錄糊的乾燥膜中的最大突起高度為1Mm以下且般 燒獏厚為l.G/zm以下，緻密且連續性優異的電極膜之導 電性鎳糊’以及採用其之積層陶瓷電容器。 【實施方式】 本發明的積層陶瓷電容器的内部電極形成用導電性膠 糊，其特欲在於係在-黏合劑 >谷解在溶劑裏所形成的載體中 97114493 9

丄 J 使錄粉及陶聽末分散的糊。 〔鎳粉〕 薄二為了得到可對應突起高度低、煅燒後敏密 更希望採用、，故希望鎳粉的平均粒徑未滿〇.2"m， 的粒徑超過0 2心昧 "的微粉末。當錦粉 者辦^ θ 時，下述的最大突起高度超過l.Ovm L二：疋不佳的。更詳細地說，錄粉有時由於凝聚而生 二’當鎳粉的粒徑超過〇.2㈣時，粗大粒子的 大有幫助。㈣其存在對於突起部分的產生 声ί?〇田取大突起高度超過丨.0"時，在製造介電體 的⑽時，電極間發生短路，使電容器 .了罪性或產品合袼率等降低。 於2二Ϊ發明中的錄粉粒徑’只要未特別限定，係基 ； 法舁出比表面積的粒徑。計算式如下： ，粒控=6 / S.Axp。（ ρ=8.9 (Ni 的真 的比表面積ύ.Α m杨 另外H粒控規定為未滿Q 2 g ^ 厚為0.8〜1.0㈣形成_上有效電極面積的電 ^::二如:採用粒徑超過Ο.2”的鎳粉而形成 "又』居達到0.84.0^的電極膜，相對於鎖粉的粒 徑’必需減薄乾燥膜’在乾燥臈中鎳粉粒子的填充不充 二St保所希望的乾燥膜密度，結果是不能確保電極 膜的有效電極面積。即，當鎳粉的粒徑超過〇 時， 97114493 1374454 電極膜破裂，使MLCC的容量降低。還有，關於有效電極 面積係如後所述。 此外，鎳粉以大致球狀，且顯示尖銳的粒度分佈者較 佳。鎳粉的粒度可採用公知的粒度解析裝置（例如，註冊 =標「Microtrac」）進行測定。所謂尖銳的粒度分佈，意 =鎳粉的D100在1.3/ζιη以下為佳，更佳為11/zm以下。 當Dl〇〇超過時，最大突起高度超過i ，如 f所述，在薄層化方面產生問題。在這裏，所謂则〇, 疋粒度分佈中的最大粒度。如此規定D1〇〇的理由如下。 導電性膠糊的乾燥膜是鎳粉和陶竞粉堆疊而形成。如在乾 燥膜的最底部配置1)1()()為U"的粗大粒子，且該粒子 .的頂端部分處於貫穿乾燥膜表面的狀態，則突起的高度益 士述問題。然而’當該粗大粒子配置在乾燥 近 時’則產生突起的問題。 在本發明中’對所用鎳粉的製造方法/未作特 二使用：還原劑還原鎳鹽水溶液，使鎳粉析 、之 ' :、、，’使氯化物蒸氣在氫氣中從氣相直接析出 的氣相還原法；在高、、田Φ r办丨丄 、容液6Gm)喷霧鎳水 液，使其熱解的喷霧熱解法等。 二在這裏，鎳粉中有時合舻。/ 如，燒9性）考/ / s’從鎳粉本來的特性（例 -考慮，不含碳也是所希望的。 例如，採用還原劑還月鐘m 還々法中，溶液而使鎳粉析出的液相 :原法中為了控制所得到的粉末粒 的，向反應溶液中夭‘ 々儿破ΛΚ·#目 界面活性劑等有機分散劑進行合 97114493 1374454 成，但此時添加的有機物，右一 部晶粒邊界殘留。 有&在精由反應生成的鎳粉内 對鋅♦液中的界面活性劑等有機分散劑添加量， 對鎳粉中的含碳量有很大影響。 里 •另外，採用羰基鎳蹢的勃紐^^ 的還片等穿进鉾於的^…、、元乳化鎳的還原、氣化鎳 為石反起因的雜質大大影響鎳粉中的含碳量。 成 二的其他一法，生產_ 由上述可知，本發明發現，藉由選擇使 外，且鎳粉中的碳成分含右所旦 对豕 製造高品質的㈣有U比率非常低的錄粉’可以 錦粉中的含碳量分析，可採用高頻燃 =，為_製造的EC—12或堀場製造的ΕΜΙΑ U 511 )進行測定。 在這晨，錄粉中碳成分的含有質量比率 以下，更希望在0.帽以下。當錄粉中的碳成分含有質量 t土匕率超過0.06%時’由於會造成乾燥膜密度的降低，故不 另Λ ’錄粉中的碳成分含有質量比率與乾燥膜密度相 關的理由雖不詳，但鎳粉中的碳成分含有質量比率若在 0.06%以下，則可以實現所希望的乾燥膜的密度，結果是 以所希望的料，形成可以確保所希望有效電極面積的電 極、膜。另-方面，當錄粉中的碳成分含有f量比率超過 0.06%時’電極膜中碳過量殘留，該殘留碳成為原因，使 97114493 12 壞電生(例如’靜電電容量、介電損耗、絕緣破 等）惡化’是不理想的。 〔陶瓷粉末〕 從明中’添加至導電性膠糊中的陶究粉末，通常可 加物後=礦^化物的BaTi。3等、或於其中添加各種添 八 卜，與作為MLCC用介電體層生片的主成 刀、m末相同之組成或類似之組成亦佳。 望為明中陶聽末的粒徑希望未滿G.1#"1，更希 時凝聚=二ο·02”。當陶究粉㈣ 成的粗大粒子的粒徑與上述辞 1不能,t、視，是不佳的。 ㈣如的粗大粒子同 降Γ在末的粒徑超過W乾燥膜密度 中填充有大致球狀_粉粒子堆疊形成的間隙 、充有陶η末’當該㈣粉末 :能容納入大致球狀的錄粉粒子間隙中，由於陶= 望的乾燥膜密度的問題。 產生…法仔到所希 y卜，當陶聽末的粒徑超過G1//m時，由於 之降低或陶末的凝聚粉末，使最大突起高V 成為1.0…上，在進行介電體層的薄層化時，》：度 緣電阻降低、短路率上升等，其結 。產生、、，邑 低，可靠性惡化等問題。 x產品合格率降 陶竞粉末的粒徑對導電性耀糊的脫層有影響 末粒控超過0.bm時，鎳粉的捷結行為控制變^困難粉 97114493 、果疋電極膜的脫層問題發生。 在本發日月中，&於錄 來的粒徑超過〇 位未滿〇.2"，與原 脫層。A 了*/ 的導電㈣糊相比，易發生 滿0U β本發明㈣粉之脫層，陶聽末的粒徑未 ’兩υ. 1以m是必要的。 到1 〇t:末質'含/。率’相對於金屬粉末1 〇 〇質量份希望達 到15^刀。更希望相對於金屬粉末100質量份達 時，例如貝里伤。當陶瓷粉末的含有率未滿10質量份 :的控制以粉的燒結，内部電極層與介電體 =有：:為的失，變得顯著。另-方面，當㈣ 向介電體層二30質里份時’例如，由於從内部電極層 的降低二擴政’介電體層的厚度膨脹，故對介電係數 的降低4電特性帶來不良影響。 〔導電性膠糊〕 導電性膠糊的有機溶劑溶解樹脂成分，同時是且有使導 :性金屬粉末等無機成分在膠糊中穩定分散功、能的成 刀i在電子零件的生片及電路基板上等塗布（印刷）時， 使廷=末均勻延展，煅燒前必須使其向大氣中逸散。 在廷晨’作為本發明中的有機溶劑，可以使㈣品醇 / :沒、7及該等的混合物）、二氫祐品醇、辛醇、癸 醇、三癸醇、酞酸二丁酯、醋酸丁酯、丁基卡必醇、丁某 卡必醇乙酸m單甲醚等。另外，為了調整黏度土， 可以使料香烴或絲烴作為_的稀釋冑卜例如癸烧、 壬烧、庚燒等脂肪烴；^ 19G〜35rCa較佳為碳數8 97114493 ^74454 =〇的脂肪族類高級醇，例如癸醇、辛醇等；或芳香煙， 苯等；既可單獨使用也可併用。該稀釋劑是為 印刷後的乾燥速度，或賦予膠糊適度的黏度特 炫而使用的。 ::本的黏合樹脂，可以舉出甲基纖維素、乙基 纖維素、确基纖維素、丙嫌酿条 可料笪m 烯丁醛等有機樹脂， 处心 擇1種以上。對分子量未作特別限定，只要 上=劑即可。—般採用_〜_。之分子 ί月日。還有’膠糊中的樹脂量，希望達到"〜5 質置％，特別是逵毋丨？ η . _ _ θ · ·

質―丄質量%是更佳的。當未滿U 旦。、、以仵到適於網板印刷的黏度，當超過5. 〇質 ，在脫黏合劑時，殘留的石炭量增加，引起積層晶片 的脫層，是不理想的。 :本發明的導電性膠糊中，可根據需要 散劑、可塑密丨丨、w ° 刀 的添加物。 性劑、增黏㈣導電性膠糊中公知 的::性膠糊的製造’可採用3輥研磨機、球磨機等公知 〔乾::/刷(塗布)可採用公知的網板印刷來進行。 如性::!用網板印刷塗布在生片等上，例 乾燥膜。此時二ί:劑，形成規定圖案的内部電極糊 電性膠糊膜的厚二更絲網圖案的厚度，製作規定的導 97114493 i374454 :本發明中，導電性膠糊的 以上。逛有’希望乾 4度較佳為5.5g/cc 密度。當乾燥膜密度未滿55y但不得超過金屬鎳'的真 的電極膜，產生容量缺損等問y:時’炮燒時得不到緻密 定採用…法測 到30-然後二= 積上膜厚達 的Νι糊乾燥膜切成lxlcm，.、目丨丨〜厂—刀理把乾知 膜密度。 幻如.厚度與質量，算出乾燥 膠糊後進 生片上當 /乾燥膜密度的測定是纟PET膜上印刷導電性 灯’但本發日㈣導電性膠糊即使印财介電體層 然仍可以發揮同樣的特性。 s 在這裏 度。 所謂乾燥膜密度 疋使導電性膠糊乾燥後的密 ?中，最大突起高度希望在1Mm以下更希 望在：8…下。其原因是’當最大突起高度超過i 〇 P時，在進行介電體層的薄層化時，產生絕緣電阻的降 低短路率上升等，其結果，發生產品合格率降低，可靠 性惡化等問題。當最大突起高度超過1.0"日寺，產生貫 穿介電體層而發生短路的問題。 還有，最大突起高度的測定方法，例如有以下方法。採 用塗布器（間隙厚度5//m)，在玻璃基板上塗布Ni糊後， 於120C在空氣中乾燥5分鐘，得到膜厚約3“m的乾燥 膜。然後，對乾燥膜採用光學方法，即相移干涉方式測定 97114493 16 1374454 =面的讀。具體的是將來自限定在特定波長區域的光 本、的光照射於試樣及基準鏡，藉由照射試樣及基準鏡的 ::的：涉條紋觀察表面狀態。進一步說明，係使試樣每隔 /能長在光的照射方向上移冑，從光的+涉條紋觀察表 r 例如，可採用光干涉式表面形狀測定裝置（wyco 製,’ NT—uoo)，測定乾燥膜的最大突起高度。 最大突起高度的測定是在玻璃基板上塗布本發明的 來進行’但是，即使在介電體層生片上印刷本發 ' ，性膠糊，當然也可以發揮同樣的特性。 ，這裏’所謂最大突起高度’不是在任意的測定面積中 二線的突起高度的最大值與谷底深度的最大值之和 P max值），而是表示任意的測定面積 起咼度的最大值。 *丨两竦犬 〔電極膜〕 #把形成有導電性膠糊乾燥膜的生片以既定的片數重 積層，料規定的形狀後，在惰性環境中或含少 環 社 π，皿下進仃緞燒，使内部電極與介電體同時燒 、今口 0 中’電極膜的般燒膜厚達到"〜i 0"m時， 鎳有效電極面積達5〇%以上為佳，更佳為55%以上。 當般燒膜厚未滿0.8"時，電極膜的連續性 =保MLCC所希望的電特性（容量、絕緣破壞電壓差不 另外，使歐的可靠性或產品合格率等降低。另—方面， 97114493 17 lJ/44^4 當膜厚超過]Λ 的 .柃，不能回應MLCC的小型.大容量化 望的特性或二=·二容量化的 I 生電極膜的膜厚應達到0.8〜1.0Am。 不二7極面積未滿50%時’不能確保電極膜的連續性， 不月b確保MLCC所希穿沾φ 4* k / 電麼算）μ 特性（靜電電容量、絕緣破壞 )，另外，使MLCC的可靠性或產品合格率等降低。 採二社鎳有效電極面積的測定方法係例如有以下方法。 到〇 印刷’在氧化銘基板上進行印刷，使锻燒膜厚達 行鸟傻2 ’乾燥後’對在惰性環境下锻燒後的電極膜進 :—解析’把鎳覆蓋面積的比例定為鎳有效電極面積。 到說’影像解析係使以光學顯微鏡觀察電極膜所得 像易於讓電腦識別，而具有強調對比度的影像處理 :予内的錦覆盍面積的測定、解析的裝置。例如 ^用稱為LUZEX (註冊商標）之影像處理解析系統，^求 出本發明的導電膜的鎳有效面積。 遇有，錄有效電極面積的評價係在氧化紹基板上 電性膠糊而進行’在上述介電體層生片上印刷、乾燥、炮 燒，當然也可以發揮導電性膠糊所希望的特性。 3廷裏’所謂有效電極面積’是把欲形成電極膜的導電性 膠糊印刷、乾燥、般燒後的電極膜中作為電極 之覆蓋面積率。 ，、（金屬） (實施例及比較例） 下面，基於實施例、比較例，對於藉由確認各種鎳粉粒 徑與陶瓷粉末粒徑組合時對品質的影響的數據〃 ^ ^ 、1 )、 97114493 18 1374454 與辱認使錄粉末尹碳成分的含 的影響的數據（表2)，一起進行J比羊咖對品質 本發明的實施例喝申請專利範 I藉由 範圍未作任何限定。 。載的本發明的技術 導電性勝糊係使用3輕機势 價，传測定輥機衣&，作為該糊的乾燥膜評 二糸，乾_讀及最大突起高度；作為锻燒膜 知，係測定有效電極面積作為 ' 陶究電容_"“ 評價’係測定積層 合态的短路率，其結果示於表工。 (1) 勝糊的製造 ㈣〇 I '㈣粉(粒徑呲2”、0.1㈣、〇.〇8 、U^m、0.02 ㈣）10·8 質量 ％、載體 A :。载體A係由作為樹脂成分的乙基纖維素（分子量 、—00) 9質量％與作為有機溶劑的祐品醇91質量％構成， 進仃加熱（6G°C )而製成載體。鎳粉係以液相還原法製造， =添加至反應溶液中的界面活性劑等有機分散劑之量辦 厂，攸得到的各後異含量的鎳粉中選擇Ni 的含有質量比為0.04%與〇.叫 的反成刀 (2) 積層陶瓷電容器的製造 採用上述製造的導電性膠糊，製造MLCC，評 特性的短路率。評價法如下所述。 … (3 )最大突起高度的測定 抹用塗布器（間隙厚度5 # m)，在玻璃基板上塗布I 糊後’在空氣中於12〇〇c乾燥5分鐘，得到膜厚約^爪 97114493 19 1374454 的乾燥膜。然後，對乾燥膜採用光學方法，用光干涉式表 面形狀測定裝置（WYCO製造，NT—uoo)，測定乾二膜的^ 最大突起高度。測定數為34，把其中最高的突起高度定 為最大突起高度。 (4 )乾燥膜密度之測定

乾燥膜密度之測定係將膠糊印在pET膜上使其成為 i〇cm的面積、膜厚30/^後，在空氣中於i2〇:c乾燥4〇x ^鐘二把乾燥的Ni糊乾燥膜切成lxlcm，測定厚度與質 量’算出乾燥膜密度。測定數為3〇 4，所得到的膜密度 的平均值定為該導電性膠糊的膜密度。 X 乾燥膜密度=(試樣的質量）/ (試樣的面積χ厚度） (5 )有效電極面積 用網板印刷法將膠糊印刷在氧化鋁基板上使煅燒膜厚 達到G.8//m，乾燥後，把在惰性環境下锻燒後的電極膜 以影像解析裝置（LUZEX m )測定鎳的覆蓋面積比，定為 有效電極面積。 ' (6 )積層MLCC的製造 採用上述製造的導電性膠糊製作MLCC，評價作為電特 性的短路率。評價法如下所述。 … ' 在厚度3.0gm的原始的介電體生片上印刷導電性膠 糊，乾燥後將ίο層重疊，加壓黏合、切斷，製成3 2x16_ 尺寸的晶片。將該晶片脫黏合劑後，在弱還原性環境下於 1240°C炮燒。锻燒後在晶片上塗布端子電極，製成積層陶 瓷電容器20個。利用Q表（Q meter)測定該積層陶瓷電容 97114493 20 器二路=發生個數’求出不良發生率。短路率 表1 D1

T~I~~~~J--~L·-^--L-^-L·_ I 42 ~r-~ 表不煅燒膜評價結果不良，未進 ΈΜΜΣ (註）短路率之「 行電特性評價。 攸表1 5己載的實施例1的 社 度Λ 5 ?〇·/ , f ^貝、·，。果了知’顯示乾燥膜密 又為5· 7g/cc的鎳糊，最大突起 、 效電極面積為55^，3 又 .“ m以下，有 如比較例】見…'短路的良好結果。另-方面， 孕乂例1、2所示，可知告导+— 短路率高達6⑽;電極厚u…超二 並保持連續性的電極。並且可知不：確保緻岔 膜密度大幅依賴於Ni粉 ：::广度、乾燥 十碳成分之含有質量比率，Μ1034之粒徑4粉 然後’從採用液相還原法製造的錄粉中 碳成分含有質量比為〇 擇1叔中 粉，將由任何一種鎳粉47質量%°= 粉10.8質量％、A49 Q、 拉仫〇·05以m的BaTi〇3 载體A42.2質量％所構成的膠糊，用μ 97114493 21 1374454 機製造’得到表2所示的4種膠糊。這些膠糊係以上述乾 燥膜密度的測定法進行測定。結果示於表2。還有，在本 實施例中，賴係用液相還原法製造，但不限於此製法， 使用從其他製造方法製造的鎳粉中根據碳含量所 . 鎳粉亦可。 ,

表2

材料辑Ϊ?~--- Ni粉粒徑 BaTi〇3粉粒徑 的碳成分 i含有質量比率 膠糊乾深膜評僧 乾琛膜密度 電特性评僧 短路_ m μηι —% R/CC 實施例4 食施例5 比敕例4 _JUL 0.18 ΠΙΟ 0.05 〇5 π Λζ % _ 〇 04 0. OR 5. b Γ5 比較Ϊ列5 丄ο 0.18 ν· υϋ 0. 05 __ U. 11 b.3 ΒΠ 0.17 b.2 ——yvi __60 從表2所示的實施例4、5的結果及比較例4、5的結果 可知’ Ni粉中碳成分之含有質量比率在〇. 〇6%以下時乾 燥膜密度顯示5· 5g/cc以上，當Ni粉中碳成分之含有質 量比率超過0.06%時，乾燥膜密度未滿5· 5g/cc。因此可 知’所使用的Ni粉中之碳成分含有質量比率，對乾燥膜 密度有很大影響。

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Claims (1)

1374454 I ............ I入I丨 十、申請專利範圍： 有糊，其特徵在於，至少含^^ 貝在0，%以下且平均粒徑未滿。2〇…鋅 刀、以及平均粒徑未滿ο.ιοβπι的陶瓷粉末； 〃 上述陶瓷粉末的含有率相對於 為U)〜25質量份。 上34鎳粉末_質量份 二性膠糊，其特徵在於，至少含有碳成分之含 :貝：:率在0·06%以下且平均粒經未滿〇2‘的錄 :容劑未滿。.1—的陶究粉末、黏合樹脂以及有 為to述=末的含有率相對於上述鎳粉末_質量份 马10〜25質量份。 3^種導電性膠糊乾燥膜’其特徵在於，印刷申請專利 靶圍第1或2項之導電性膠糊，進行 之乾燥膜密度為5.5g/cc以上。 ]的乾如膜 ^種導電性膠糊乾燥膜，其特徵在於，印刷申請專利 乾=第1或2項之導電性膠糊’進行乾燥所得到的乾燥膜 之最大突起高度為l.Oym以下。 、 5. -種導電性勝糊锻燒膜，其特徵在於，將申請專利範 圍第1或2項之導電性膠糊在介電體生片（green sheet) 上印刷、乾燥、煅燒所得到的導電性膠糊電極膜，係臈厚 為〇.8〜l.〇vm且鎳有效電極面積為5〇%以上。 、 6. 種積層陶瓷電谷器，其特徵在於，將申請專利範圍 第1或2項之導電性膠糊在介電體生片上印刷、乾燥、煅 97114493 23 1374454 _____ 巧月>〇日修正替換頁 燒所得到的導電性膠糊電極膜，係膜厚為0. 8〜1. 0 // m且 鎳有效電極面積為50%以上，並且，上述介電體生片煅燒 得到的介電體層之厚度為2/zm以下。

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