TWI373792B - - Google Patents

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TWI373792B
TWI373792B TW093127774A TW93127774A TWI373792B TW I373792 B TWI373792 B TW I373792B TW 093127774 A TW093127774 A TW 093127774A TW 93127774 A TW93127774 A TW 93127774A TW I373792 B TWI373792 B TW I373792B
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Tsuneyuki Okabe
Makoto Takado
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Tokyo Electron Ltd
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Description

1373792 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種半導體製造裝置及半導體製造方法， 其係於處理容器内導入製程氣體，對於為了製造半導體裝 置之基板進行特定處理，例如：熱處理或蝕刻等者。、 【先前技術】 於半導體製造過程中’有時會將多數氣體特連接於處 理容器’切換此等氣體路徑’於處理容器内進行連續處理， 例如.對於基板之連續成膜處理或處理容器内之洗淨處 理。此時，若使用於處理之製程氣體繞入未使用在處理容 2内進行之處理之待機路徑，則唯恐產生物附著於待機路 f ’成為微粒污染的原因，或者腐蚀配管。因此，重要的 是將淨化氣體流入製程氣體之配管（待機路徑）内，並 氣體不會由處理容器繞入配管内。作為此類方法，: 獻1之方法係為人所知。 此方法係於將複數製程氣體分別經由製程氣體導入其力 入處理容器内’並於基板表面成膜之際，對於未使用：： =氣體導人管，使淨化氣體—直由連接㈣製程氣體導入 管流入’以防止供給至處理容器内之製程氣 體擴散至不使用狀態之製程氣體導入管。然而，由待機路 控流入惰性氣體時，由於此情性氣體會稀釋處理容器内之 製程氣體’因此為了將實施製程之際之製程氣體之稀釋率 值’宜無關於待機路徑之數目，始终將淨化氣 體之一罝控制在一定值。並且，必須保證特定量以上之 9600I.doc 1373792 淨化氣體流於各待機路徑。關於此要求並未記戴於專利文 獻1。 因此，發明者為了解決此課題，提案圖6〜圖9所示之配 管系統。
首先，圖6之配管系統係由立型熱處理裝置之處理容器 100及製程氣體A、Β、C之各氣體路徑101、1〇2、1〇3及淨 化氣體路徑104所構成。淨化氣體路徑104亦分支為各製程 氣體路徑1(H、102、1〇3，將淨化氣體供給至未使用之製程 氣體路徑内。又’於各氣體路徑1〇1、1〇2、1〇3、1〇4設置 質量流量控制器10 5，其係分別控制由氣體供給源2 〇丨〜2 〇 4 所供給之各氣體之流量者。V0為閥，V1〜V4為遮斷閥，V 為閥。再者，為了便於圖示，將共通的符號「V」分配給質 量流量控制器105之上游側之閥。 而且，採用例如：製程氣體A及製程氣體B，於處理容器 内實施特定處理，例如：成膜處理時，由淨化氣體路徑_， 將淨化氣體之氮氣微量地供給至未使用之製程氣體c之路 ㈣’同時亦將氮氣微量地流入淨化氣體路徑⑽，並以 此等淨化氣體之總流量成為特定值之方式進行於制。 此時，淨线體之流量㈣係藉由設於各氣體路徑ι〇ι 〜104之質量流量控制器1〇5 吾士 進仃，但用於淨化氣體之微 1控制時，設於各氣體路徑1〇1〜 之容量過大。若是製程氣體 里^ ϊ控制器105 ㈣田" 體用之質量流量控制器105的話， 係使用例如：5公升/分的容量， 量控制Μ 4 m 右疋惰性氣體用之質量流 ^的活，係使用5〇公升/分的容量。因此，若欲藉由 96001 .doc 1373792 此類貝里流量控制Is 105控制50 cc/分程度之微小流量，質 量流量控制器將在最大流量之卜2%程度的範圍進行控 制’因此脫離已校正之流量範圍，無法進行正確的流量控 /因此由於淨化氣體之總流量控制之精度變低，製程 氣體之稀釋率變化，唯恐製程變得不安定。 、目7之配言系統之構成係於由淨化氣體路徑1 〇4分支 並用以將淨化氣體供給至各製程氣體路徑⑻〜之分支 路1〇7’分別介設淨化氣體之微流量調整用之例如：容量5〇 分之質量流量控制器106,同時針對淨化氣體路徑崩亦 連接串聯流路108,於此串聯流路1〇8亦同樣設置容量小的 質f流量控制器1〇6。此時’淨化氣體係由前述質量流量控 ^ 106-面進行流量控制，—面供給至未使用之製程氣體 旦:進行微量淨化。然而，於此構成，由複數質量流 刀擔乎化氣體之總流量，因此具有各質量流量 控制器之流量控制之誤差重疊，淨化氣體之總流量之控制 的問題’同時由於在各淨化氣體路徑設置質量流 罝控制器106，因此亦具有成本變高的問題。 又’於圖7之配管系統，於切換製程氣體路徑進行連續製 況’例如：連續於第—成膜處理而進行第二成臈處 或者藉由切換製程氣體以依序層疊單原子層或 ::明ΓΓ，或者進一步將處理容器内洗淨處理後(於 說月θ，洗淨係作為製程處理）進行成膜處理之情況，亦 具有製程氣體路徑内之殘留氣體置換需要長時間的課題。 關於此點，若參考圓8及圖9進行說明，圖8係表示為了進 9600J.doc 1373792 行製程，將製程氣體A、製程氣體B分別通流於氣體路徑 101、102 ’將淨化氣體微量流入其他氣體路徑1〇3、ι〇4之 狀態。現在為了由此狀態轉移到其次的製程，如圖9所示， 藉由閥V之切換，將流於氣體路徑101、1〇2之氣體由製程氣 體A、B切換成微量之淨化氣體，同時將流於氣體路徑ι〇3 之氣體由微量之淨化氣體切換成製程氣體C時，為了避免殘 存於氣體路徑101、102之製程氣體擴散於處理容器ι〇〇内， 對於製程造成不良影響，必須預先藉由淨化氣體置換氣體 路徑101、102内之殘留氣體。在此，氣體路徑1〇1、ι〇2即 使为別於不流有製程氣體A、B之時序，由於微量地使淨化 氣體通流，因此遮斷閥VI、V2開啟，故必須置換殘存於位 於遠離處理容器1〇〇之位置之氣體箱内之閥V至處理容器 1〇〇為止之配管内之製程氣體。因此，為了置換氣體路徑 101 1 内之氣體而花費長時間，對於單件產品生產時間 造成不良影響。 【專利文獻1】特開平4-24921號公報 【發明内容】 本發明係有鑑於上述問題點所實現者，其目的在於提供 種半導體製造裝置及半導體製造方法，其係於連接在處 理容器之製程氣體之配管（製程氣體導入管）内流入微量淨 化氣體之手法，可高精度地控制各淨化氣體之流量❶又， 作為其他目的係在於提供一種可迅速進行配管内之氣體置 換之半導體製造裝置及半導體製造方法。 一碴半導體製造裝置，其係複數製程氣體導入管連接於 96001 doc -10- 1373792 處理容器，於此處理容器内，藉由製程氣體對於半導體裝 置製造用之基板實施特定處理；其特徵在於具備： 遮斷閥，其係設於各製程氣體導人管之處理容器之正前 者； 淨化氣體主流路，其係為了供給淨化氣體者； 複數淨化氣體分流路’其係由此主流路分支，分別連接 於製程氣體導入管之遮斷閥與處理容器之間者； 孔口’其係設於此淨化氣體分流路之各個，於卜欠側之壓 力對於其2次側之壓力之比率為特定值以上時，藉由^欠側 之壓力決定通過流量者；及 流篁控制部’其係設於前述淨化氣體主流路，控制各淨 化氣體分流路之總流量者； 以前述比率成為特定值以上之方式調整壓力。又，流量 控制部亦可由質量流量控制器所構成，如此—來，可高精 度地控制淨化氣體的總流量。又，流量控制部亦可且備： =量檢測部；及壓力調整部’其係根據此流量檢測部之流 里檢測值’控制前述孔口之—次側之壓力纟；如此一來， 可藉由流量檢測部檢測通過孔口之淨化氣體流量，根據此 ^則值-直控制—次側之壓力，以成為特定值以上。又， 前述孔口之1次側之壓力調整為例如：2次側之壓力之2倍以 如此來，淨化氣體能以音速通過孔口，藉此，流經 •rf匕氣體主々IL路之淨化氣體將被等分而流往各淨化氣體分 流5^ 〇 又’別的發明為一種半導體製造裝£，其係複數製程氣 9600l.doc 1373792 體導入管連接於處理容器，於此處理容器内，藉由製程氣 體對於半導體裝置製造用之基板實施特定處理·其特徵在 於具備： 遮斷閥’其係設於各製程氣體導入管之處理容器之正前 者； 淨化氣體主流路，其係為了供給淨化氣體者； 4數淨化氣體分流路，其係由此主流路分支，分別連接 於製程氣體導入管之遮斷閥與處理容器之間者；及 流量控制部，其係設於此淨化氣體分流路之各個者。 又，進一步別的發明為一種丰導體製造方法，其 製程氣體導入管連接於處理容器’於此處理容器内，藉由 製程氣體對於半導體裝置製造用之基板實施特定處理^ ; 其特徵在於包含以下工序： 將淨化氣體供給淨化氣體主流路，控制流經該 主流路之淨化氣體之流量之工序； ， 孔體 古淨化氣體由淨化氣體主流路分流至複數淨化氣體分 /7丨(_路之工序； 使於前述工序分流之淨化氣體通流於設於各淨化氣體分 :路，同時於【次側之壓力對於其2次側之壓力之比率為： 定值以上時’ 11由1次側之壓力決定流量之孔口之工序； 狀將“已通流各孔口之淨化氣體分別供給於各製程氣體導入 目之。又於處理谷器正前之遮斷閥與處理容器之間之工序. 以别述比率成為特定值以上之方式調整壓力之工序；及 至v針對1個製程氣體導入管關閉遮斷閥，藉由從孔口流 9600l.doc -\2- 1373792 出之淨化氣體置換殘留於此遮斷閥之下游側之製程氣體之 工序。 又，進一步別的發明為一種半導體製造方法，其係複數 製程氣體導入管連接於處理容器，於此處理容器内，藉由 製程氣體對於半導體裝置製造用之基板實施特定處理者； 其特徵在於包含以下工序： 將淨化氣體供給淨化氣體主流路之工序；
將此淨化氣體由淨域μ流料流至複數淨化氣體分 流路之工序； 藉由設於各淨化氣體分流路之流量控制部，控制於前述 工序分流之淨化氣體之流量之工序； 將已通流各淨化氣體分流路之淨化氣體分別供給於各製 程氣體導入管之設於處理容器正前之遮斷閥與處理容器之 間之工序；及 至少針對1個製程氣體導入管關閉遮斷閥，藉由從淨化氣
體分流路流出之淨化氣體置換殘留於此遮斷閥之下游側之 製程氣體之工序。 根據本發明，由於在製程氣體導入管之處理容器之正前 設置遮斷閥，將淨化氣體供給於此遮斷閥與處理容器之 間，因此於製程切換時，只要置換遮斷閥下游側之製程氣 體即可，因此可迅速置換配管内之氣體。又，在設於各淨 化氣體分流路之孔口，正確地控制淨化氣體之流量因此 於淨化氣體流路内設個流量控制部’即可高精度地控制 供給至各配管之淨化氣體之總流量，因此可進行安定的處 9600I.doc •13- 1373792 理。 【實施方式】 百先，於圖1表示本發明之半導體製造裝置作為實施型態 之立型熱處理裝置之配管圖。此立型熱處理裝置之構成主 匕3 4理谷$卜其係對於為了製造半導體元件等之半 導體裝置之基板之半導體晶圓實施熱處理，實施例如：對 於基板表面之成膜者；二氧石夕烷供給源1〇、氨供給源"、 淨氣體供給源12 ’其係成膜之際所需之製程氣體，在此 為3種製程氣體供給源；二氧㈣導人管13、氨導入管n 洗淨氣體導人管15，其係從各製程氣體供給源1()、η、12 ，接於處理容m，將各製程氣體導人處理容器π之製程 氣體導入s ’後述之排氣管34，其係設於處理容器1之下游 者；淨化氣體供給部5,其係將後述之淨化氣體供給至各導 入管内者。又，除了各製程氣體導入管13、14、15之外，導 入為了使處理容器1之壓力回復到大氣壓之淨化氣體之淨化 氣體導入管16亦從淨化氣體供給源18連接於處理容器卜 於各製程氣體導入管Π、14、15及淨化氣體導入管16 , 在稍微遠離處理容器丨之部位設置第一質量流量控制器 1 9，同時在處理容器丨之正前位置，分別設置可遮斷對於處 理容器1之氣體導入之遮斷閥V1〜V4。 如圖2之概略圖所示，遮斷閥¥1〜¥4之構成係具備本體 部21，於本體部21連接有製程氣體導入口 22、淨化氣體流 入口 23及流出口 24，由製程氣體導入口 22及淨化氣體流入 口 23分別流入之氣體係由流出口 μ流出。而且，在未圖示 96001.doc •14- 1373792 之閥體關閉時，製程氣體被遮斷，同時淨化氣體之通流未 ^止，並由各製程氣體導入管13、14、15及淨化氣體導入 管1 6之遮斷閥v 1〜V4而始終通流於下游側。 簡單說明與處理容器丨關連之部位。處理容器1係由例 如：兩端開口之内管31及上部閉塞之外管32所構成，在以 内官31包圍之區域，將多牧晶圓w呈棚狀地搭載之晶舟33 係由下方側搬入。排氣管34連接於外管32，真空排氣手段 之真空泵35連接於此排氣管34，因此供給至内管31之下部 區域之氣體係由其上部經由内管3丨與外管32之間隙，從排 氣管34排氣》 再煮’於實際之各製程氣體導入管13、14、b及淨化氣 體導入管16介設例如：微粒過濾器、壓力檢測器及穩壓器 等機器’但於圖式係省略。 又，已述之淨化氣體供給部5係自淨化氣體導入管16分支 而設置。此淨化氣體供給部5具備：由淨化氣體導入管16 分流之淨化氣體主流路50及由此淨化氣體主流路50分支之 4條淨化氣體分流路5丨。於淨化氣體主流路5〇，設置第二質 流1：控制器52 ’其係作為控制流入各淨化氣體分流路5 i 之淨化氣體之總流量之流量控制部；於此第二質量流量控 制器52之下游側’設置閥V5、過濾器F及壓力檢測部PD1。 而且’於各淨化氣體分流路51設置孔口 53，此孔口 53之下 游側連接於各製程氣體導入管13、14、15及淨化氣體導入 管16之遮斷閥V1〜V4與處理容器1之間，將淨化氣體微量 也供’’.σ各導入管1 3〜1 6内。於此例’如圖2所示’各淨化氣 96001.doc •15- 1373792 體分流路51成為連接於遮斷閥VI〜V4之狀態，但由於從藉 由遮斷閥VI〜V4遮斷流路之部位連接於下游側，因此連接 於遮斷閥VI〜V4與處理容器i之間。前述孔口 53係於例 如：金屬片穿設越朝向下游側口徑越大之例如：最大口徑 為70 # m程度之制队狀的孔而構成，稱為音波喷嘴或音速喷 嘴等。亦即，此孔口 53係於1次侧之壓力ρι對於2次侧之壓 力P2之比率（P1/P2)為特定值以上，例如：成為2倍以上時， 氣體以音速通過，其流量以1次侧之壓力決定。因此，各孔 口 53之流量（通過流量）相等，將流入淨化氣體主流路5〇之淨 化氣體4等分。 其次，根據圖I、圖3說明有關上述實施型態之作用。在 此，舉例說明採用作為製程氣體之二氧矽烷（SiH2Ci2)、氨 (NH3)，於基板之半導體晶圓w之表面形成氮化矽臈，其後 藉由洗淨氣體之例如：氟及敦化氫之混合氣體實施處理容 器1内之洗淨，接著進行氮化矽膜之成膜處理之情況。 再者，圖1、圖2 t之虛線箭頭表示在處理進行之際流入 處理容器1或各氣體導入管13〜16内之氣體。 首先’如圖1所示，將保持多月半導體晶圓…之曰曰曰舟通 入處理容器！内，設定成特定之加熱氣氛及減壓氣氛後，開 啟製程氣體導入營13、14夕戸弓'/6 c- 守八14之閥V，自二氧矽烷供給源1〇及氨 i、給源11，分別藉由第一質量流量控制器丨9，以特定流量， 例如.刀別為50 seem及500 seem，經由製程氣體導入管13、 氧夕烷及氨導入處理容器!内。此時，製程氣體導入 管15及甲化氣體導人管16之閥V關閉，製程氣體導入管15 96001.doc 1373792 及淨化氣體導入管16未流有氣體。 而且，於處理容器丨内，氨氣及二氧矽烷氣體反應，於半 導體晶圓表面成膜氣化石夕膜’特定時間進行成膜之後，將 製程氣體導入管13、14之各閥v停止。 另一方面，於進行成膜處理的期間，淨化氣體主流路5〇 之閥V5開啟，孔口53之1次側之壓力^約為例如：〇 3〜〇4 MPa。而且處理容器i内之壓力為133 pa以下，此壓力相當 於孔口 53之2-人側之壓力P2，因此前述壓力之比率/p2約 為2250〜3000。因此，若孔口 53係以按照1次側之壓力ρι 之流量使淨化氣體流動，將4條淨化氣體分流路51之總流量 設定在例如：200 sccm的話，第二質量流量控制器52進行 動作，以便獲得各孔0 53之通過流量成為5〇 次側 之壓力pi。結果，淨化氣體以200 sccm之流量流入淨化氣 體主流路50，以藉由各孔口 53正確地4等分總流量之流量 (5〇 sccm)流入淨化氣體分流路51，由各導入管13〜16之遮 斷閥VI供給至V4之2次側，流於處理容器i内。於此方法， 即使在製程氣體流於製程氣體導入管13、14，孔口 53之2 -人壓與製程氣體導入管丨5、淨化氣體導入管16不同之狀 况’由於確保音速條件P1 /P2 g 2，因此可不受2次壓影響而 正確地將淨化氣體分流。因此，由於可防止處理容器1内之 一氧石夕烧氣體及氨氣由洗淨氣體導入管15及淨化氣體導入 官16之導入口進如該導入管15、16内，因此可防止反應產 生物（於此例為氮化矽膜或氣化氨等）附著於配管内。再者， 藉由設於淨化氣體主流路50之壓力檢測部PD1及排氣管34 96001.doc 1373792 之壓力檢測部PD2,始終分別檢測壓力’藉由未圖示之控制 部監視前述壓力之比率（P1/P2)，於其比率成為2倍以下時， 發出警報，而且於p 1 < P2時關閉閥V5。 若結束成膜處理，導入管13、14之閥V及遮斷閥乂1、¥2 關閉，同時進行處理容器丨内之真空抽取之後，經由淨化氣 體導入管16，將淨化氣體供給至處理容器丨内，使回復到大 氣壓，將晶圓W搬出。又，到搬出晶圓w為止之期間，如已 述，淨化氣體由淨化氣體分流路51流往處理容器，因此 殘留於遮斷閥V1、V2與處理容器1之間之製程氣體（二氧矽 烧及氨）係由淨化氣體迅速地置換。 其後，不载置晶圓W，僅將晶舟33搬入處理容器^内，將 洗淨氣體由洗淨氣體供給源12經由洗淨氣體導入管15導入 f理容器1内，藉由導入處理容器1内之洗淨氣體，除去附 著於處理容器1内及晶舟33之成.膜物質等。 即使於進行洗淨處理期間，淨化氣體主流路5〇之閥乂5開 啟，洗淨時之處理容器！内之壓力（孔口 53之2次側壓力以） 為例如.5,3xl〇4 Pa，因此即使於此情況，孔口 次側 之壓力P1對於2次側之壓力Ρ2之比率為2倍以上，因此淨化 氣體同時地由各淨化氣體分流路5 1往各導人管〗3〜！ 6之出 口部分微量地供給。 、如此’若結束洗淨工序’接著同樣進行成膜卫序。在此， 於已述之圖6所示之配管系統之情況，由遮斷閥νι〜νβ 亡游側對於各導人管13〜16進行微量淨化（微量流入淨化 氣體），因此於成膜處理時，即使在與此成膜無關之導入管 96001.doc -18- /:5792
b、16亦開啟遮斷閥V3、V4。因此，於進行成膜處理之前， 必須以淨化氣體置換殘留於從洗淨氣體導入管15之氣體箱 内之第—質量流量控制器19之上游側至對於處自容器= 導入口為止之長管路内之洗淨氣體，但於本實施型態之情 況，由於在遮斷閥V1〜V4與處理容器i之間，供給用於微 量淨化之淨化氣體’因此只要以淨化氣體置換殘存於洗淨 氣體導入管之遮斷閥¥3之2次侧之管路内之洗淨氣體即 可’此置換作業係以極短的時間結束。
於以上說明，舉出洗淨工序、成膜工序作為連續製程， 但其他亦可舉例在成膜工序之後進行不同成臈工序之情 况，或切換製程氣體而繼續層疊單原子層之情況。例如： 作為連續成膜，舉例如上述將氮化矽膜成膜後，將製程氣 體切換成TEOS及氧，經由分配給此等氣體之製程氣體導入 s，將製程氣體導入處理容器丨内，於氮化矽膜上層疊氧化 夕膜之情況。又，作為單原子層之層疊製程係經由導入管 13,將二氧矽烷氣體導入處理容器丨内，於晶圓w上形成矽 之單原子層，其次關閉導入管13之閥v，開啟導入管丨4之閥 V，將氨導入處理容器1内，於矽之單原子層上層疊氮，重 複此類製耘複數次而將極薄之氮化矽膜成膜之情況。 於上述實施形態具有如其次之效果。對於各導入管13〜 16進行微量淨化之際，由於在各淨化氣體分流路$丨設置已 述之孔口 53，因此可將淨化氣體正確地等分並供給各導入 s 13〜16。因此，只要於淨化氣體主流路5〇使用i個用以控 制總流量之質量流量控制器即可，可使設備成本低廉，而 96001.doc -19- 1373792 且亦無虞複數質1流量控制器之誤差會重疊，於總流量產 生誤差，可進行安定的處理。 而且，由於在遮斷閥VI〜V4與處理容器i之間供給微量 淨化氣體，因此關於與正在實施之製程無關的導入管，可 預先關閉遮斷閥，因此如已詳述之進行某工序之情況，能 以極短時間進行以淨化氣體置換殘存於前工序所用之導入 管内之製程氣體之作業’因此可迅速轉移到其次工序。 其次，以圖4說明本發明其他實施形態。在此，不藉由質 菫流量控制器，而是藉由質量流量計（Mass F1〇w Meter)54 及穩塵器5 5，構成作為控制流入各淨化氣體分流路5丨之淨 化氣體之總流置之流量控制部。此時，根據質量流量計5 4 之流量檢測值，經由未圖示之控制部控制位於該質量流量 4 5 4之下游之穩壓器5 5，將前述淨化氣體之總流量進行壓 力控制。於此例亦藉由進行孔口 53之1次侧之壓力控制，結 果進行各淨化氣體分流路5 1之流量控制。 並且’於本發明其他實施形態，亦可如圖5所示，於各淨 化氣體分流路51不設置孔口 5 3，而是例如：設置各個相等 容量之分流路用質量流量控制器5 8。於此例，於淨化氣體 分流路51設置分流路用質量流量控制器58，於設於各導入 管之遮斷閥VI〜V4與處理容器1之間供給微量淨化氣體， 因此關於與正在實施之工序無關之導入管，可預先關閉遮 斷閥V，因此於進行某工序之情況，將以極短時間進行以淨 化氣體置換殘存於前工序所用之導入管内之製程氣體，故 可迅速轉移到其次工序。 96001.doc -20- 1373792 又，於上述實施形態，由於藉由未圖示之加熱手段，將 供給至各導入管13〜16内之淨化氣體加熱至例如：100〜 2〇〇°C並一直供給，因此從遮斷閥¥1〜乂4至處理容器1為止 之各導入管13〜16之溫度上升，因此可更確實防止前述反 應產生物等附著於遮斷閥V1〜V4内或氣體導入管内。 又，於處理容器1内結束各處理之後，有時會進行週期淨 ^ ’其係重複將淨化氣體從淨化氣料人管16導人處理容 盗1内之工序及真空抽取工序者；以將製程氣體由處理容器 1趕出，將氣體氣氛置換成淨化氣體；但此情況 存 在處理容器（至各製程氣體導入管13、14、15之遮斷= 〜V4之間之製程氣體，亦須確實地置換。在此，若根據本 發明’由於在週期淨化時，如前述將淨化氣體供給至各 程氣體導人管13、14、15之遮斷_〜V4與處理容器卜 間之處所’因此可將殘留於從處理容器i至各製程氣體導入 管13、14、15之遮斷閥¥1〜以為止之間之處理氣體，迅逮 地押出至處理容器!内’故可迅速確實地實施氣體置換。 於上述說明，作為藉由製程氣體而於基板進行處理之裝 ，係舉例淨化爐之立型熱處理裝置，但本發明亦可適用^ 單一晶片式熱處理裝置或乾式蝕刻裝置等。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之實施形態之配管圖。 圖2係表示本實施形態之遮斷閥之概略圖。 圖3係表示本發明之實施形態之配管圖。 圖4係表示本發明其他實施形態之配管圖。 96001.doc 1373792 圖5係表示本發明其他實施形態之配管圖。 圖6係表示本發明之以往例之圖。 圖7係表示本發明之以往例之圖。 圖8係表示本發明之以往例之圖。 圖9係表示本發明之以往例之圖。 【主要元件符號說明】 1 處理裝置 5 淨化氣體供給部 13 二氧矽烷導入管 14 氨導入管 15 洗淨氣體導入管 16 稀釋氣體（淨化氣體）導入管 19 第一質量流量控制器 50 淨化氣體主流路 51 淨化氣體分流路 52 第二質量流量控制器 56 第一壓力檢測部 57 第二壓力檢測部 VI 〜V4 遮斷閥 96001.doc 22-

Claims (1)

1373792 (扣年α月ιΓ日修(费)正本I 申請專利範圍： 第093127774號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(1〇〇年u 一種半導體製造裝置，其係將複數製程氣體導入管連接 於處理容器，於此處理容器内，藉由製程氣體對半導體 裝置製造用之基板實施特定處理；其特徵在於具備： 遮斷閥，其係設於各製程氣體導入管中靠近處理容器 之處者； 淨化氣體主流路’其係用以供給淨化氣體者； 複數淨化氣體分流路，其係由上述主流路分支，分別 連接於製程氣體導入管中位於遮斷閥與處理容器之間 者； B 孔口，其係設於上述淨化氣體分流路之各自，於古亥孔 次側之壓力對2次側之壓力之比率為特定值以上時， 藉由1次側之壓力決定通過流量者；及 流量控制部’其係設於前述淨化氣體主流路，控制各 淨化氣體分流路之總流量者；且 以前述比率成為特定值以上之方式調整壓力； 述遮斷閥包含供製程氣體自前述製程氣體導入管法 入^製程氣體導人π、連接至前述淨化氣體分流路之: 化氧體流入口、及浠屮口，廿姐上， 並構成為由前述製程氣體導 :::: =氣體—流入之氣體係由前述I V 容器流出’且，在闕體關閉時，製程 孔體被遮斷，同時淨化氣體 至各劁浐名触货 艰机禾被彳T止而始終通流 2. 莸軋體導入管之遮斷閥之下游侧。 如請求項1之半導體製造裝置，其中流量控制部係由質量 9600Mooni5.doc 1373792 流量控制器所構成。 3. 如請求項1之半導體製造裝置，其中流量控制部具備：流 量檢測部；及壓力調整部，其係根據該流量檢測部之流 量檢測值，控制前述扎口之一次側之壓力者。 4. 如請求項1至3中任一項之半導體製造裝置，其中前述孔 口之1次側之壓力調整為2次側之壓力值之2倍以上。 5. —種半導體製造方法，其係將複數製程氣體導入管連接 於處理容器’於此處理容器内，藉甴製程氣體對半導體 裝置製造用之基板實施特定處理者；其特徵在於包含以 下工序： 3 將淨化氣體供給至淨化氣體主流路，並控制流經該淨 化氣體主流路之淨化氣體之流量之工序； 〆 將此淨化氣體由淨化氣體主流路分流至複數淨化氣體 分流路之工序； 使於前述工序分流之淨化氣體流通於設於各淨化氣體
分流路且於1次側之壓力對於其2次側之壓力之比率為特 定值以上時可藉由丨次側之壓力決定流量之孔口之工序| 將流經各孔口之淨化氣體分別供給至各製程氣體導入 管中設於靠近處理容器處之遮斷閥與處理容器之間之工 序； 壓力之工序；及 以前述比率成為特定值以上之方式調整 Ο 氣 至少針對1個製程氣體導入管關閉遮斷閥，藉由從孔 流出之淨化氣體置換殘留於該遮斷閥之下游側之製程 體之工序； 9600M00lH5.doc • 2· 1373792 前述遮斷閥包含供製程氣體自前述製程氣體導入管流 入之製程氣體導入口、連接至前述淨化氣體分流路之淨 化氣體流入口、及流出口，並構成為由前述製程氣體導 入口及前述淨化氣體流入口分別流入之氣體係由前述流 出口朝向前述處理容器流出，且，在閥體關閉時，製程 氣體被遮斷，同時淨化氣體之通流未被停止而始終通流 至各製程氣體導入管之遮斷閥之下游側。 96001-1001115.doc 1373792 第093127774號專利申請案 中文圖式替換頁（100年3月） 至1 畔切7 修(度)正替換買 V1 〜V4 從各氣體導入管
21 圖2 96001-fig-1000307.doc
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