TWI373690B - Method and device for cleaning at least one optical component - Google Patents

Description

1373690 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種清洗至少一照射裝置之至少一光學元 件的方法，該裝置包含一真空室内之至少一輻射源，特定 言之’該輻射源產生其射線係經由光學元件引導至需要處 理之工件上的遠紫外線及/或軟X射線輻射，其中由於該輻 射源引入之無機物質，該光學元件至少部分受污染。 本發明亦係關於如申請專利範圍第5 6項之前言部分所定 義的裝置。 【先前技術】 特定言之，此類輻射源用於在微影蝕刻生產製程中曝露 晶圓。經由照射裝置將來自輻射源之射線引導至晶圓，該 照射裝置包含極昂貴且敏感之光學系統，例如單光儀、集 極鏡及多層鏡。因此輻射源與光學系統 '光罩及晶圓一起 提供於單一真空室内。此可為必要配置，因為否則會強烈 吸收射線，例如由透鏡、窗口及複數種氣體。 輻射源較佳的係包含用於產生波長範圍由丨〇至2 〇 n m (較 佳的係大約13.5nm)之射線的熱電聚，該電漿（例如）藉由放 電或雷射脈衝產生多重電離之離子，離子發射短波範 圍内之射線。 當使用放電裝置時，由於用 金屬蒸汽’主要係將無機物質 此外’放電操作過程中常發生 極材料之金屬物質可進入真空 於此裝置之工作氣體，例如 不斷引入輻射源或真空室。 電極侵蝕，因此實質導電電 至。在雷射引起之電漿之情 93301.doc 1373690 开> 中亦將無機物質引入真空室，1 .[七 八係错由聚焦、脈衝、高 功率雷射光束激發之無機目標及藉 你稭由二間上鄰近電漿而配 置之喷嘴，熱負载及/或由電漿 电水引起之離子轟擊會侵蝕該等 噴嘴。 特定言之，該等無機物質包含鐘、錫、鋼、錄、蹄及/或 其組合’其能夠將供應至電漿之能量以特別有效之方式轉 換為波長約為U.5nm之射線，且其在照射裝置内主要屋力 及溫度狀況下為非揮發性。該等物f從輻射源向光學元件 轉移，其反射率在EUV範圍内藉由無機物f之冷凝而大大 減小，導致表面沈積物之形成。此外，由於光學元件上沈 積的層’會發生吸收損失。該等兩個效應將射線減弱至一 程度’使其強度對於實現經濟上可行之每單位時間晶圓生 產量來說過低。由於光學元件上之沈積物不會以均勻分佈 方式出現在用於射線反射之表面上，結果係射線之非均勻 印刷分佈，以及最終的晶圓不均勻照射。 照射裝置之光學元件上的此沈積物問題亦由可進入真空 室之碳化合物引起，例如由於有機材料，例如真空油及/或 光阻。 已知許多種方法及裝置可用於此類含碳沈積物之移除。 因此，例如DE-A-100 61 248建議有控制地將氧引入真空 室，以便實現EUV微影蝕刻裝置之原處淨化。此方法之二 定缺點係供應氧主要僅能夠藉由氧化分解含碳沈積物，特 定言之與無機物質之反應能夠（例如）僅形成在真空室内主 要壓力及溫度狀況下具有低蒸汽壓力之金屬氧化物。另 93301.doc 1373690 外，形成部分揮發性金屬羰基化物（例如河0((：0)6)後，釕鏡 之表面及/或多層鏡之翻層之表面與實際上無法避免之一 氧化碳發生不可逆反應，導致反射率之完全損失。 W〇_A-02/054 115揭示清洗用於Euv微影蝕刻之多層鏡 的另一裝置，其中提供額外保護層，例如由釕、铑、鈀、 銥、鉑及/或金製成。氫分子之選擇性供應用於僅有效移除 含碳沈積物。此外，含碳反應夥伴（例如水分子）在相當大程 度上吸收了 EUV射線。此以特別不利之方式顯著減小了輻 射強度。 【發明内容】 因此本發明之目的係提供序言段中所述種類之方法及裝 置，其實質上實現主要無機沈積物之改良移除，並藉由技 術上簡單的構件延長光學元件之操作壽命。 依據本發明，關於序言段中所述種類之方法實現此目的 係根據主要反應狀況經由饋送裝置引入實質上對射線半透 或透月之至y —反應夥伴，該反應夥伴與污染沈積物發 生化學反應以便將其從光學元件移除。 此處關於本發明尤為重要的係，認識此方法可用於雷射 引起之電漿及放電電聚兩者。藉由化學反應形成之產物可 在(例如)照射裝置内之主要壓力及溫度狀況下形成⑼如） 移動相’其對自然重力作出回應流過光學元件之表面。 特疋s之，為實現饋入輻射源内之能量的高轉換效率， 4方法可改進成所使用之引入無機物質較佳的係含金屬物 質，特定言之係含錫物質。 93301.doc 1373690 所供應反應夥伴之較高光學透射使EUV範圍内射線之吸 收不明顯。因此有利係將該方法實施成在照射裝置之操作 過程中饋入反應夥伴。亦可能在關閉輻射源後清洗光學元 件，因此不必拆除真空室内配置的光學元件並且大大減小 對應維護時間。 較佳的係將該方法實施成，一被選定反應夥伴導致與無 機物質及/或沈積物之化學反應，該反應形成在主要反應狀 況下為揮發性的反應產物β 顯然，揮發性反應產物應理解為與無機物質相比具有較 低/弗騰點或較低什華溫度之化合物。轉換的沈積物進入汽 相並且可由連接至真空室的幫浦藉由抽氣容易地移除。 為在高沈積率情形中盡可能快速恢復光學元件之反射 率，將該方法實施成’為在主要反應狀況下實現與無機物 質及/或沈積物之快速化學反應選擇並饋入反應夥伴。 因此可在輻射源之全部操作狀況下即時移除光學元件之 污染。 該方法之另一有利具體實施例提供的係，饋入一被選定 反應夥伴，以便實現與無機物質及/或沈積物之選擇性化學 反應。特定言之被選定反應夥伴之較高選擇性能夠避免次 要反應’例如照射裝置其他元件之鹵化反應，結果係明顯 延長了鏡及光罩、真空室及幫浦之操作週期。 該方法有利地實施成，所使用之反應夥伴係（例如）含氫 物質及/或幽素、_間化合物、含_化合物及/或其組合。可 為（但不限於）氫分子、鹵化氫或氨之含氫物質形成揮發性氫 9330I.doc 1373690 匕物例如H2Te，特定言之係與無機物質。除元素氣、漠、 -外胃素_需要特別提到的係t，因為此元素可容易地 處理而不命其與無機物質的較高反應性。此處齒間化合 物（此處*要提及的其範例係' ciFj及含齒化合物（例如恥） 皆可用作替代氟來源。 田額外紱發裝置藉由射線及/透過照射將真空室内反應 夥伴轉換為自由基時，該方法特別有利。該等自由基由上 述大員別之化合物形成，例如在Euv範圍照射後形成於照射 裝置内原處。該額外激發裝置可將(例如)適當波長之UV光 引V至而要者洗之光學元件上，以便實現特別反應性自由 基之較^農度’供應的分子反應料因此形成自由基。 該方法較佳的係實施成以液體及/或氣體形式饋入反應 夥伴。接著可以較小技術花費將該被選定反應夥伴引入真 空室。 此外，氣體及液體反應夥伴之組合供應可產生適當大小 的較密集霧滴，例如其能夠將光學元件潤濕一較短時間。 因此在有限時間及空間内沈積物附近可獲得高濃度之反應 夥伴’從而實現（例如）低反應速率及高選擇性下的光學元件 之有效清洗。 若在操作過程中連續饋入反應夥伴則該方法特別有利。 此在照射單位内產生恆定流量及壓力狀況，例如在連續供 應反應夥伴情形巾。此外，反應料、無機物質或沈積物 及反應產物間可自行建立化學平衡。 另外該方法有利的係實施成，按劑量供應反應夥伴，例 9330l.doc -10- 1373690 如藉由脈衝饋入。特定言之若已知反應動力，供應反應夥 伴啟動之沈積物轉換可提供對光學元件之最佳化清洗速 率。 該方法可實施成以相對於無機物質及/或沈積物之引入 數量的額外數量饋入反應夥伴。接著在有限時間及空間内 供應額外數量之反應夥伴，以便根據化學反應之反應動力 與無機物質一起特意形成反應產物。 該方法較佳的係實施成，經由散佈裝置以化學等效於無 機物質及/或沈積物之引入數量的速率饋入反應夥伴。散佈 裝置提供（例如）反應夥伴之脈衝引入，並且藉由適於反應動 力之反應夥伴饋入大大減少材料花費。 該方法可得到另外改進，即根據離開光學元件之射線的 強度規定需要供應之反應夥伴數量，其中藉由至少一個測 穿置决疋”亥強度。技術中已知的任何測量裝置顯然可用 於此方法’例如具有適用濾波器之二極體。顯，然亦可能替 代使用決定無機物質輸入之測量裝置。後一測量裝置測量 (例如）直接撞擊光學元件之材料的數量。 為進纟增強光學元件清洗效率，該方法較佳的係實施 成、左由上間上接近光學元件之饋送裝置的饋送線饋入反應 夥伴額外饋运線可以定向方式將反應夥伴引入照射裝置。 一種特別㈣之方法係設計成反應夥伴集中於光學元件 上。供應反應夥伴之主要部分接著撞擊光學元件之完全反 射表面^而破保沈積物完全轉換為揮發性化合物。 該方法可進-步有利地實施成饋送裝置分割反應夥伴並 9330l.doc l37369〇 按區段供應反應夥伴。由於沈積物在照射裝置内的空間配 置’其對光學元件之局部污染不同’因此分割反應夥伴實 現較佳之定向供應，並且避免（例如與真空室之）二次反廡。 該方法可得到另外改進，即經由冷卻裝置及/或噴嘴將反 應夥伴饋入真空室内。特定言之可使用焦耳_湯普森效應 (Joule-Thompson effect)藉由在技術上容易實現的冷卻裝置 或噴嘴將氣體反應夥伴製成液體，從而確保反應夥伴在照 射裝置内（即光學元件表面上）之足夠停歇時間。 一種清洗照射裝置光學元件之特別有利方法係實施成至 少一個光學元件具有實質上對射線透明的塗層，透明塗層 理解為厚度至多數奈米之塗層。符合此條件之材料係（例如） 鉑、鈀、金、釕、鎳、铑或其合金或其化合物，例如氧化 物或氮化物，亦可為Si〇2或碳。該等塗層另外亦保護光學 元件反射表面免受供應反應夥伴影響。 該方法較佳的係實施成藉由加熱裝置將光學元件加熱至 一溫度，其範圍從室溫至大約肋^^較佳的係大約4〇〇〇c。 已發現從大約50〇C高至大約300〇c之溫度特別適用於含錫 沈積物之移除。由於無機物質、其沈積物及從其形成之反 應產物之蒸汽壓力隨光學元件溫度升高而升高，假定照射 裝置内壓力及溫度狀況相同，無機物質之沈積減少，反應 產物之蒸發速率增加。另外，可選擇更多反應產物，其在 升问/皿度下至少以液體形式出現。顯然，僅可根據光學元 件之材料特性以及隨升高溫度自然變化之反應平衡來選擇 光學元件之溫度。 933〇ldoc •12- 1373690 本發明之另—具體實施例提供的係、，在照射裝置之操作 暫停中實施清洗，而不用拆除個別元件。此稱為離線清洗。 此處#在碎片#料*移除速率觀點下㈣光學元件材 料無害之清洗觀點下 反應夥伴或清洗氣體之反應參數' 溫度及分壓係最佳化，則較有利 為實現更有效的清洗，例如藉由對未清洗元件益害之過 度劑量’㈣㈣保護不需要清洗之照射裝置元件免於接 觸反應夥伴或清洗氣體。 本發明之另-具體實_特财利的係根據與沈積金屬 之反應來選擇反應夥伴。 為實現含齒素及/或含氫物質之分壓僅在需要清洗之個 別位置得以增加而在其他位置^夠低，有利的係含函素及/ 或含氫反應夥伴之分壓僅在需㈣洗之個職置得以增 加0 基於此目的，特定言之係在所謂離線㈣巾，特別有利 的係清洗程序持續時間中需要清洗之光學元件與真空室剩 餘部分分離。其結果係反應夥伴實質上僅影響光學元件。 可藉由將惰性氣體供應至不需要以清洗氣體處理之真空 系統區域及/或將反應夥伴作為與惰性氣體之混合物饋入 而有利地實現不需要清洗之表面的保護。 本發明之另一具體實施例提供的係，透過局部供應額外 反應氣體而化學鈍化除光學元件外之剩餘元件，或將揮發 性元件轉換為非揮發性物質，其中選擇之反應氣體可為（例 如）氧氣或氫氣。 93301.doc -13- 上述測量亦抑制不需要清洗之元件的揮發性化合物釋放 成乳相及對真空品質之伴隨的不利影響。 如上所述’H由具有金屬操作介質之光㈣統操作過程 的化子β洗’集極可無金屬沈積物。當用於碎 2置整合至料源與集極間之系統内時，可實現 有效之長期操作。 叉 因此為實現需要移除之沈積物數量可得以減小，若藉由 輪射源與集極間之截留器片抑制引入的無機物質，列" ^專利範圍第!項之前言部分所定義的方法係為有利的。 此方面中待別有利的係截留器片具有緩衝氣體。 對於延長戴留器片有效壽命有利的係以類似於 所用但與之分離的方式化學清洗截留器片。 此處特別有利的係清洗藉由清洗介質流動態地發生，或 地統特定言之係該等光學元件封閉之情況下靜態 冑留a片之清洗程序可藉由額外加熱截留器片而增 強。 曰 内右夥:專門引入包含戴留器片之真空室部分體積 、了進一步增強清洗結果。 此外亦可機械清洗截留器片。 本發明之— t „„ y 八祖貫轭例中提供的係將截留器片或截留 盗片之部分設定為旋轉。 戳留 源==組光學元件之操作壽命，有利的係在輕射 或π極區域内額外提供與截留器片緩衝氣體之 93301.doc 1373690 氣體類型不同的阻隔氣體。 此處另一可能性係電場及/或磁場應用於沈積物之抑制。 對避免集極空間次級放電有利的係截留器片及/或集極 至少在燈泡操作中與真空容器電性絕緣。 由於清洗程序中最佳結果需要全部作用元件之特別準確 劑量，有利的係後者係受到電子控制。 一複雜測量及控制系統用㈣線上或離線操作中用於系 統清洗之全部元件控制光源模組，該系統監視光學元件及 用於碎片抑制目的之系統的狀況’並初始化及控制清洗程 序0 控制系統之重要組成部分係光學元件(例如集極)之污染 裎度的連續測量。該測量較佳的係發生於各種位置，因為 :染程度可取決於位置，因此清洗之偵測、程序控制及結 果檢查亦必須局部地發生。 弟一實例中用於此測量之適當測量參數係光學元件反射 =其係在微影_處理之波長下（若有可能），例如爾 Γυ二:?在光學元件之典型入射角度下(若可能)β適當 偵測益（例如具有特殊濾波 元—極體）可為此目的 而移動至光學元件附 換而引起的曝光暫停二=暫停中(例如由晶圓交 之光強度。 ）便測里在光學元件各種位置反射

用於根據反射率變化 若離線清洗中無EUV 亦可能使用不同波長之輻射，例如 測量光學元件上沈積物之可見輻射。 輻射源可用，此特別有利。 93301.doc 15 1373690 其他測量原理亦可用於測量沈積層之線上清洗及離線清 二可猎由層厚度測量構件(例如振盈石英元件)或搞圓測量 法來測量污染層之存在及厚度。 可藉由施加高頻AC電壓而決定光學元件表面之表面導 電率。此導電率取決於材料並提供表面沈積物資訊。若表 面材料與沈積材料間之導電率差異過小，可在光學元件附 近提供具有較大導電率差異之材料(例如金屬雜質情形令 的絕緣體材料)的表面’其目的係該等表面應受污染，該等 表面之空間方位及表面溫度類似光學元件。該等測量表面 之沈積物提供關於光學元件上沈積物存在的資訊。 另-測量參數係光電流，其源自撞擊光學元件表面從而 導致電子發射的輻射量子。此光電流之變化亦係由污染引 起之表面沈積物變化的敏感指示器。 真空系統内不同位置之氣相分析提供用於控制化學清洗 之寶貴資訊。可能用於實施此分析的測量方法有數種。此 處需要特別提及的一範例係質譜法。分壓組成物之測量可 證明揮發性反應產物及額外反應氣體之存在。一方面此用 於最佳化清洗效率。最大化反應產物及反應氣體之分壓比 率，例如藉以盡可能減小清洗之侵襲性。另一範例中，最 大化反應產物分壓以儘快獲得清洗。離線清洗情形中可根 據反應產物之分壓降低而偵測清洗結束。亦可藉由分壓測 量來監視選擇性，因為可監視不需要的與光學元件材料之 反應產物。可用關於雜質（由於與真空系統其他元件之反應 而產生）之相同方式檢查真空品質。最後，可藉由分壓測量 93301.doc -16- 1373690 控制吸附幫浦之再生週期。 可藉由閥實施反應氣體之氣體供應控制並藉由對應流量 計實施流量控制。藉由局部分壓測量檢查反應氣體之最終 壓力。以額外反應氣體清洗情形中局部總壓力測量即足 夠。用於氣體供應之控制系統可提供不同反應氣體之選 擇、反應氣體之局部分佈 '用於減小擴散之惰性氣體的混 口以及用於鈍化不需要清洗之表面的額外反應氣體之供 應。 、除氣體輸入外，需要清洗之元件及不需要清洗之元件的 溫度顯然亦為重要控制參數。此外，#由對反應氣體之曝 光持續時間來控制化學清洗。 另外，本發明之目的藉由用於清洗至少一個照射裝置之 至少一個光學元件的裝置而實現，該照射裝置在真空室内 I 3至少一個輻射源（特定言之其產生遠紫外線及/或軟X 射線輻射），以及一光學元件，其將射線引導至需要處理之 工件，由於輻射源引入之無機物質，該光學元件可至少部 分党污染，其特徵在於有一饋送裝置用於消除污染光學元 件之沈積物，該饋送裝置根據主要反應狀況引入至少一種 反應夥伴，該反應夥伴實質上對於該等射線可滲透或透明 並且進入與污染沈積物之化學反應。 特疋5之，此饋送裝置可關於照射裝置配置，以便反應 夥伴可沿真空室之抽氣方向供應至第一光學元件之上游及 幸田射源之下游。顯然，空間上位於輻射源下游之光學元件 的污染最嚴重。因此增加此區域内反應夥伴之濃度可導致 93301.doc 1373690 特定揮發性反應產物之較高轉換率。 該裝置有利的係設計成，包含金屬（特定言之係錫）之基 板可用作引入的無機物質。將無機物質（例如包含錫）引入輻 射源能夠實現供應能量至輻射強度的較高轉換效率。 該裝置可進一步實施成可在照射裝置操作過程中饋入反 應夥伴。此處特別有利的係可在原處發生反應夥伴供應並 且不需要照射裝置之昂貴拆除。 特別有利裝置之構造係，可基於與無機物質及/或沈積 物發生化學反應之目的而經由饋送裝置引入被選定反應夥 伴，從而形成在主要反應狀況下係揮發性的反應產物。隨 後藉由真空室抽氣移除揮發性反應產物。或者，可藉由分 離裝置（例如真空室内適當位置之冷卻阱）收集並移除反應 產物。 隨與輻射源之距離增加，無機物質濃度以及隨後光學元 件上沈積物之數量降低。 車乂佳的係該裝置之構造為，可藉由饋送裝置選擇所需之 反應夥伴，以在主要反應狀況下與無機物質及/或沈積物發 生快速化學反應。 為此目的，用（例如）鐵氟龍在内部塗佈饋送裝置，以便 保護其免受侵蝕。另外饋送裝置較佳的係包含用於提供不 同反應夥伴的複數個空間上分離之儲存容器，其可根據需 要在較短時間内加以切換。 較佳的係該裝置之構造為，可藉由饋 為貫現有效轉換， 送裝置選擇所需的反應夥伴 以在主要反應狀況下實現與 93301.doc 1373690 無機物質及/或沈積物之選擇性化學反應。 特定言之’此可大大減小供應反應夥伴與照射裝置元件 (主要係光學元件表面）間發生之二次反應的風險。 為此目的該裝置可進一步發展成，饋送裝置可引入作為 反應夥伴之（例如）含氫物質及鹵素、虐間化合物、齒素化合 物及/或其組合。特定言之，氫分子及元素二鹵代氣、漠及 氟對EUV範圍内之射線較透明。特定言之，使用氟及/或含 氧化合物導致真空室表面之自然鈍化，從而保護其免受進 一步侵钱。 引入反應夥伴之適當選擇可在照射單元内主要狀況下碟 保污染沈積物比鏡面材料（例如釕、鍺、矽及/或鉬）更快地 發生反應。 可藉由該裝置之另一具體實施例實現提高之反應速率， 因為可藉由射線及/或透過額外激發單元之照射將反應夥 伴轉換為真空室内之自由基。在Ευν光照射下，一些反應 夕半貝…;、已轉換為自由基，该等自由基（化學反應性特別強 之片斷）可首先與無機物質反應。激發裝置之位置盡可能接 I光干旋置並且產生具有適當波長或電能（例如以電暈放 電形式）的光，能夠大幅增強自由基形成。 有利的係該裝置之構造使得饋送裝置提供液體及/或氣 =形式之反應夥伴。其最簡單情形中，饋送裝置可包含可 良大】、之開口，其位於反應夥伴儲存容器與照射裝置間。 由於健存容ϋ與真空室間的主要壓力差異，反應夥伴接著 如同吸入照射單元中。 9330l.doc •19· 1373690 為此目的’將該裝置合適地配置成可在操作過程令 饋送裝置連續供應反應夥伴。反應夥伴之供應應可適；；至 少一個光學元件之污染程度及至少一反應速率。反應速率 取決於供應之反應夥伴及沈積物提供的動力值。 因此遠裝置之較佳具體實施例提供的係（例如）藉由脈衝 輸入而为份供應反應夥伴。顯然可藉由任何熟知技術實現 反應夥伴分份，例如藉由幫浦、阿基米德螺旋或碟片。此 亦可關於反應夥伴之脈衝供應，其中藉由供應反應夥伴之 適當脈衝持續時間最佳化數量。 較佳的係該裝置之構造可以相對於無機物質及/或沈積 ::引入數量的額外數量供應反應夥伴。特定言之反應速 率月定受其影響Ο鈇而&、证丄 …、而此過程中可以時間及空間有限方式 供應額外數量。 本發明另-特別有利具體實施例提供的係、，可藉由饋送 裝置，由散佈裝置以化學等效於無機物質及，或沈積物引 :數量之速率供應反應夥伴。此外主要根據先前已知反應 動力控制反應夥伴之饋送速率。 與-的係用於’月洗光學元件之裝置構造係可根據離開光 _牛之“射強度決定需要供應之反應夥伴之數量，該強 2藉由測量裝置決定。為此目的可藉由可移動鏡面轉移 例如到達-人要電子乘法器或任何其他適當測量裝 置’例如在晶圓及光罩交換後，以便決定個別光學元件或 :射裝置整個光學系統之反射率。另外，測量裝置可提供 幸田射源内部’該測量裝置谓測直接撞擊光學元件之無機 93301.doc -20- 1373690 物質的數虿，從而決定需要供應之反應夥伴的數量。 該裝置構造較佳的係饋送裝置包含空間上接近光學元件 之饋送線。如此實施不僅簡化照射裝置内供應反應夥伴之 流量導引，亦可實現藉由反應產物額外減小射線吸收。 為確保光學元件上反應夥伴之增加濃度，該裝置構造有 利的係可經由饋送裝置之一或該饋送線將反應夥伴集中於 光學70件。此外，可使用載體氣流（例如氫或氮），其將揮發 性反應產物從光學元件之反射表面吹落。 為將數$自然變化之沈積物更有效地從光學元件表面或 光學系統之光學元件移除，該裝置可改進成饋送裝置包含 用於分割反應夥伴質量之區段。用於此目的之區段可配置 於饋送線末端以及兩條饋送線之分支位置，從而確保供應 反應夥伴之較佳分佈。 為獲得清洗效率之進一步增強，該裝置可進一步發展成 饋送裝置包含冷卻裝置及/或喷嘴。特別係使用此類裝置， 在照射裝置主要狀況下氣體反應產物之供應可藉由低溫技 術測ϊ實現光學元件上之部分冷凝，從而進一步增加反應 夥伴之濃度。 特別有利裝置之構造係至少一個光學元件具有實質上 對射線透明之材料（例如銘 '纪 '金 '釕、錄、Si02或其合 金）的塗層。塗層用作一種覆蓋層’其係用於避免與反射材 料的不合需要之化學反應，並且其可在沈積物與反應夥伴 間之化學反應中執行（例如）催化功能。 為減少光學元件上金屬物質之冷凝’該裝置構造有利的 93301.doc U/J690 m光學元件包含加熱裝置及/或可冷卻不需要清 特〜 ”.、裝置可提供空間有限升高溫度， 特疋吕之係光學元件矣 致MW m太 表面。此處特別有利的係其必然導

致表V;反應產物之^冥$ I 入、高W庙 此外，此情形中可用其他 、、〜夥伴，因為其反應產物在較高表面溫度下自缺 具有較高蒸汽壓力，從而更容易移除。 ’’、、 本發明之另—具體實施例提供的係可在 清洗。此稱為離線清洗。 執灯 另外，該裝置構造較佳的係可調整清洗夥伴之溫度及/或 分摩β +若在清洗程序之持續時間期間，需要清洗之光學元件可 藉由可移動擋板或透過其本身之移動與剩餘真空系統分 離，則有利於貫現清洗操作過程中將受反應夥伴影響之元 件數量保持盡可能低。 本發明另一具體實施例提供複數個用於反應夥伴之入 D 〇 為更好地保護不參與清洗之元件，有利的係可另外在該 等70件之區域供應惰性氣體及/或用於清洗光學元件目的 之反應夥伴及惰性氣體混合物形式的惰性氣體。 可增強不參與清洗之元件以及必須清洗之元件的保護， 此係因為光學元件之反射層，該等層由釕（Ru)、鈀（pd)、铑 (Rh)、翻（Mo)、矽（Si)或鈹（Be)形成，以及其他基底層及保 持構件由化學惰性材料組成或塗佈，例如釕（Ru)、鍺（Rh)、 鉑（P〇、金（Au)、鎳（Ni)、二氧化矽（Si〇2)或碳（C)。 93301.doc -22- 1373690 若截留器片配置於輻射源與集極間 從光學元件移除之沈積物的數量报有利。、對表初減小需要 此處若可加熱截留器片則特別有利。 因為碎片材料可藉由抽氣裝置從截 過早替換截留器片。 片移除，可避免 所發現的截留器片之另—清洗可能性 從鄰近截留器片配置並包含多孔、 #由毛細官力 結構移除碎片材料。 厂型或燈芯型之 為確保從截留器片移除之碎片材料的定向移除，若可使 截留窃片或截留器片部分旋轉則較有利。 因為=可旋轉捕捉裝置係配置於可旋轉截留器片邊 緣周圍，可有利地實現碎片材料之已^義沈積。 本發明之另-具體實施例提供的係可透過至少—個 噴嘴將緩衝氣體供應至集極盘 $ u留态片間的空間内或截留 态月本身區域内。 此處若可透過另一入口將阻隔氣體供應至輻射源區域内 及/或集極區域内則特別有利。 然而有利的係該阻隔氣體亦可不同於截留器片緩衝氣體 之氣體類型。 因為具有用於產生電場及/或磁場之裝置，可有利地預先 減少在清洗程序中需要移除之碎片數量。 另外有利的係清洗過程中截留器片可藉由密封裝置與剩 餘真空系統分離。 本發明另一尤佳的具體實施例中，提供的係截留器片及/ 9330l.doc •23- 1373690 器（另—方面）間存在電性絕緣。 之高精確度調整。可藉由電子控 或集極（一方面）與真空容 清洗程序需要個別參數 制有利地獲得該等調整。 附屬項中 之特徵及 其他個別有利具體實施例在其他申請專利範圍 定義。由於其特徵及優點實質上對應於對應方法 優點’此處參考其詳細說明。 【實施方式】 現在將參考圖！至8說明本發明之數項具體實施例。除非 指明相反，相同參考數字始終代表相同結構特徵且始终俜 關於全部圖式。 、 現在參考圖丨說明依據本發明用於清洗光學元件ιι〇之裝 置的操作原理，該等元件配置於照射裝置"2内，以便將從 真空室114内輻射源116產生之射線118引導至需要處理之 工件120。特疋g之，此處輻射源丨丨6提供遠紫外線及/或軟 X射線，其用於照射工件12〇,例如一晶圓。此情形中射線 118由輻射源116内之熱電漿產生。為產生此電漿，可使用 工作氣體，例如可藉由放電激發之金屬蒸汽，或由於雷射 光束脈衝而蒸發之目標。任一情形中，藉由輻射源116將無 機物質122,较佳的係金屬物質，特定言之係包含錫，引入 真空室114 ’待定言之該等物質污染光學元件n〇。 主要在照射裝置112操作過程中經由饋送裝置126引入反 應夥伴124(其在真空室114内之主要壓力及溫度狀況下係 氣體及/或液體）啟動一化學反應’例如與污染光學元件丨i 〇 之無機物質122或沈積物128。因此將該等沈積物128轉換為 9330l.doc •24· 1373690 液體或揮發性反應產物130，該產物可從真空室114移除， 例如藉由此圖式中配置於照射裝置112左側之真空幫浦p。 依需要，根據無機物質122選擇藉由適當散佈裝置132供應 之反應夥伴124，以便發生快速及選擇性轉換，從而盡可能 避免任何二次反應’例如與真空室u4之元件。 由於與光學元件110,相比，此處顯示之光學元件110較接 近輻射源116，最好在輻射源116與光學元件丨1〇間供應反應 夥伴124,由於此區域中可期望無機物質122之較高沈積速 率。 特定言之，合格反應夥伴124係含氫物質及/或函素、函 間化合物、卣素化合物及/或其組合。其中，例如，元素氯 具有較低EUV射線吸收，容易在真空室114内形成高反應性 氣自由基。此處化學反應f形成之氣化物通常具有實質上 較高的氣壓，因此具有比其中所含無機陽離子更低的沸 點。因此’例如’正常狀況下元素錫在大約2M7.C沸騰， 而相同狀況下SnCh在大約605°C沸騰，SnCl4在大約114°C 即沸騰。連續饋入反應夥伴124，特定言之係輻射源116操 作過私中，從而藉由本文所述程序移除光學元件11 〇之任何 污染物。此饋入可控制成連續及脈動，以便根據先前決定 之反應動力發生供應。藉由空間及時間有限方式以額外數 量或至多為無機物質122(由輻射源116引入）數量之化學當 量發生反應夥伴之供應，從而實現完全轉換。 如圖2所示，例如使用測量裝置134，從而可以控制方式 供應最佳數量之反應夥伴124。此測量裝置134可偵測（例如） 9330l.doc •25· 1373690 由光學元件110反射之射線118的強度。此較佳的係發生於 微影#刻處理中需要替換光罩及/或晶圓12〇時。 可透過此處所示饋送線136以空間限制方式及高濃度將 反應夥伴124集中於光學元件110之反射表面上。因此可實 現沈積物128與反應夥伴124間之較高反應速率。 可另外增加反應夥伴〖24之濃度，特定言之係經由喷嘴 14 0藉由額外冷卻裝置丨3 8或使用低溫技術測量（例如焦耳· 湯普森效應）來液化氣體反應夥伴124，從而將污染表面潤 濕一有限時間週期。 另外，可藉由此處所示額外激發裝置125將反應夥伴124 轉換為化學反應性特別強之自由I，例如藉由以高能光照 射’從而進一步增加反應速率。 可藉由實質上對射線透明之額外塗層142進一步減小因 反應夥伴124潤濕光學元件11〇表面而引起之二次反應。此 塗層包含一材料144，其包含（例如）過渡金屬翻 ' 纪、釘、 铑、金或其合金或化合物，例如氧化物或氮化物或者二氧 化石夕或碳。其能夠藉由反應夥伴124支援（例如以催化形式） 沈積物128之設想的轉換。然而亦可使用替代塗層材料，其 在以下進一步說明。 加熱裝置146(例如與此處所示光學元件11〇整合）藉由（例 如）歐姆電阻加熱產生大約2〇°C至80(TC(較佳的係400。〇 的溫度。眾所周知，本文說明的大多數情形中溫度上升導 致較南瘵發速率。由於沈積物128對光學元件11〇表面之污 染根據其在照射.裝置112内之配置而變化，如圖i所示，可 93301.doc -26- 1373690 清洗可發生於EUV設備操作過程中，即如圖5所示的所謂 線上清洗。此處目的係在光學元件43之特定溫度下局部引 入鹵素或氫，其數量使得沈積材料之數量正好對應於反應 及蒸發材料之數量。該情形中光學元件43之反射率保持恆 定。EUV輻射44之存在導致齒素或氫自由基之形成，其會 增強反應性。另-方面，如此形成之揮發性金屬化合物亦 可再次部分解離並重新凝結，其減小了淨移除速率。然而 該等移除速率之輻射相關變化可藉由氣體劑量補償。此清 洗模式中，氣體入口（例如清洗氣體入口 4〇或喷嘴41)以及泵 抽配置之構造係含鹵素及含氫物質之分壓始終只在需要清 洗之位置增加而在其他位置足夠低，使得照明單元之操作 不受干擾且其他元件之有效壽命不受影響。 或者清洗可發生於操作暫停中，即圖6所示的所謂離線清 洗，該情形中污染光學元件43保持在設備内部，因此不需 要對應較長停機時間之拆除H透㈣#參數選擇 將清洗週期保持極短。 為實現此結果，在清洗程序持續時間期間，需要清洗之 光學元件（例如集極光學元件或集極3)可藉由可移動:閉部 件（例如燈泡外殼30、燈泡封閉裝置31、集極封閉震置Μ或 擋板）與剩餘真空系統分離。可透過反應氣體溫度及分壓之 選擇最佳化清洗週期速度’而不必考慮剩餘真空系統内之 =牛。從封閉清洗區域泵抽反應產物後，再次開啟封閉部 什川、3 1、32，並可恢復照射單元操作。 反應氣體或清洗氣體42之引人較佳的係發生於需要清洗 9330l.doc -28· 1373690 之光學元件43附近並引導至後者。理想狀況下，需要清洗 之表面構成反應氣體42離開饋送線後撞擊的第一壁。在獲 得不均勻污染之情形中，光學元件43之個別區域可藉由複 數個局部氣體入口曝露於反應氣體的彼此不同之分壓。需 要清洗的光學元件43表面上形成之揮發性反應產物及任何 額外反應氣體42被抽空。 可減小氣體碰撞間之平均自由路徑長度，因此可透過將 惰性氣體加入不需要以清洗氣體42處理之真空系統區域内 或透過加入與惰性氣體之混合物形式的反應氣體來防止或 至> 延緩反應氣體或反應產物擴散至真空系統其他區域 内。因此可在反應產物及殘餘反應氣體42之主要部分到達 真空系統其他元件前藉由有效泵抽系統將其抽空。 在操作暫停過程中的離線清洗中，需要清洗之光學元件 43較佳的係藉由封閉裝置3〇、3卜32與剩餘真空系統分離。 因此反應氣體42僅到達封閉空間。可極有效地排放封閉空 間’從而在完成清洗後迅速再次實現所需之氣相組成物。 接著可再次開啟封閉裝置30、31、32或閥，並可恢復照射 裝置操作。 如圖6所示，例如’可藉由適當平板閥或封閉裝置32封閉 光源模組輸出側。輕射源1可藉由燈泡外殼30及可移動封閉 裝置31屏蔽。此處提供的係藉由供應惰性氣體或緩衝氣體 20另外防止反應性清洗氣體42之滲入。 用於清洗體積之配置及分離的各種其他具體實施例可用 於離線清洗。圖7顯示如何將輸出側之封閉裝置如接配置 93301.doc •29· 1373690 於集極3之輸出。此外，集極3輸入及輸出側的兩個泵抽空 間内可提供分離。從而大大減小與清洗氣體42接觸之體積. (或表面）。 » 如圖8所示，藉由集極輸入處之封閉裝置33可實現清洗體 .

積之進-步減小。此處藉由在輻射源i之操作中側向移動的 若干區段33c形成封閉裝置33,從而完全清洗光學輻射路徑 6。此結構僅佔據極小空間’且亦用作碎片抑制系統（例如 截留器片1 〇)存在時集極空間之封閉結構。 I 封閉體積經由較大直徑線路連接至高功率幫浦，或本身 需要清洗的光學元件43周圍之閉合壁構成一有效幫浦❶此 可藉由將冷卻表面整合至閉合壁内而實現，該等表面足夠 冷，可使反應產物及任何額外反應氣體42實質上完全冷 凝。具有冷凝物質之冷卻表面在清洗後經由真空鎖傳輸至 _ 其他真空容器内，其中加熱該等表面並抽空蒸發物質。若 - 需要，冷卻表面吸附可與藉由適當塗層獲得之更有效化學 吸附（例如藉由活性碳）組合，如真空技術中所熟知。 鲁 操作過程_之線上清洗中，局部調節之氣體入口永久性 操作，並需要連續抽空反應產物及額外反應氣體。需要清 洗之光學元件43附近的高泵抽輸出量可再次藉由較大幫浦 直徑及/或局部熱或熱化學吸附而得以實現。連續操作中吸 附表面必須在真空鎖定後週期性交替再生。 . 可藉由差動泵抽級及具有EUV透明惰性氣體之定向逆流 ， 保護反應產物或額外反應氣體42無法進入之區域（例如 EUV光源1、截留器片1 〇、光學元件43)以及對使用之清洗 93301.doc • 30- 1373690 氣體42無抵抗力之區域（即位於中間焦點外之光罩及晶圓 區域）。特別稀有之氣體（例如氦）對此極有利，因為其係惰 性且對EUV光較透明。此外，部分吸附表面可配置成無法 泵抽（例如）氦從而飽和較慢，因此其必須再生。可同樣使用 替代氣體’例如氫及氮。 選擇性地發生化學清洗，以便移除金屬雜質，使光學元 件43不會與引入清洗氣體42發生反應。此係透過反應氣體 42及反應狀況（例如反應氣體之溫度及分壓）之適當選擇來 實現。可用參數範圍藉由用於光學元件43之適當材料選擇 而加寬。掠反射鏡面情形中由於高反射要求，EUV反射層 之選擇限於Ru及Pd之類材料，並且垂直反射鏡面限於M〇、 Si及Be，但基底層及支撐結構提供更寬的自由度。化學惰 性氣體，例如Ru、Pt、Au、Ni或Si02，可用於此目的。 此處化學惰性材料（例如Ru、Rh、Pt、Au、Ni或其合金或 化合物，例如氧化物或氮化物，si〇24C也行）之薄塗層足 夠覆蓋光學元件43之部分，從而保護該等元件免於反應。 為保護反射上層，惰性材料塗層係選擇成薄至僅在較低程 度上影響光學特性。 藉由光學元件之溫度來控制冷凝金屬之反應速率及反應 產物之蒸發速率。另一方面，其亦影響光學元件43材料與 新增反應氣體42間之可能反應，以便經由溫度影響反應之 選擇性。 元件之適當加熱藉由選擇性化學反應增強清洗》金屬化 合物形成於異質表面反應之速度隨表面溫度升高。如此形 93301.doc •31 - 1373690 成之金屬化合物的蒸氣壓力亦隨溫度升高。由於蒸發標準 係化合物蒸氣壓力應高於周圍化合物之分壓，較大數量之 化合物在較高溫度下滿足此標準。此外，蒸發速率由：面 上蒸汽壓力及熱速度決定。兩者皆隨溫度升高而升高，因 此較向溫度導致更快蒸發速率。 ° 然而隨溫度升高與集極材料的彳能不合需要之反應變得 更重要，因為此處反應速度及產物揮發性亦隨溫度升高。 因此本發明範圍内之目的係藉由加熱或冷卻裝置設定光 學π件43之溫度，以便實現金屬雜質之充分移除速率以及 光學相關表面之可忽略弱腐蝕。 溫度限制因數亦係光學元件43之材料特性，即整個系統 之溫度抵抗及化學反應平衡之溫度依賴。若溫度過高，反 應平衡傾向於從金屬化合物向初始產物移動。 操作暫停的離線清洗過程中，保護處於真空之真空容器 或其他元件不受反應氣體42及反應產物影響。操作過程的 線上清洗中，不需要清洗之元件亦可與反應氣體及反應產 物接觸。此可導致表面上的化學腐蝕並且可形成揮發性產 物’其導致不合需要物質自由進入氣相。 為防止此狀況，氣體入口及泵抽排程係配置成反應氣體 之分壓僅在鄰近需要清洗元件處升高。此外，若真空容器 本身及其他元件的溫度保持低於需要清洗元件之溫度則受 保護。為此目的提供適當的冷卻裝置。低溫大大減小反應 性，以便進一步減小已藉由較低分壓減小之化學物質轉換 率。此外’低溫導致反應產物之低蒸汽壓力，因此極少反 93301.doc -32- l37369〇 應產物進入氣相。 若溫度及反應氣體分壓之降低本身不足，為保護元件可 採用其他措施。理想狀況下，由化學惰性氣體製造或至少 用其塗佈元件。另一可能性係反應產物在主要溫度下為非 揮發性之反應材料的選擇，以便化學產物保持在表面從而 化學鈍化後者》 最後’亦可藉由局部加入其他反應氣體而鈍化表面，或 者可將揮發性物質轉換為非揮發性物質。加入氧氣可將金 屬（已存在或沈積）轉換為金屬氧化物。後者通常在化學上比 金屬鹵化物更穩定，從而防止透過與清洗氣體42之反應而 進一步形成金屬函化物。此外，如此形成之金屬氧化物通 常不容易揮發，因此其保持為鈍化表面層且不影響氣相。 若從較熱光學元件之清洗產生的揮發性反應產物在較冷 元件（例如金屬自化物）上冷凝，其會因較低溫度而緩慢蒸發 亚且會根據與溫度相關之蒸氣壓力而較長時間地污染氣 相。此可藉由加入氧氣來防止，從而形成不傾向於揮發的 金屬氧化物’其並不進人氣相及鈍化表面。依此發展之齒 素（其在低溫下亦係揮發性）則可迅速抽空。 氫氣亦可作為額外反應氣體而加入。將化學反應中出現 之揮發性t氫化合物迅速抽空，而留下重、純金屬。然而 與加入乳氣相比，此處不發生鈍化，因為純金屬與其氧化 物不同，在形成金屬鹵化物後可再次與_素反應。 如上所述，集極3可藉由具有金屬操作介質的光源系統授 作過程中之化學清洗避免金屬沈積物。若用於碎片抑制二 | 9330l.doc -33^ 1373690 裝置整合至轄射源1與集極3間之系統内，可實現經濟上# 有效之長期操作。 用於碎片抑制之極有效系統係以上另外說明之截留 1_〇。圖U)顯示截留器片1〇之典型配置。截留器片1〇 凡件係.a)複數個薄片或薄層，其係配置成盡可能少攔戴 輻射源1發射之光，另一方面建立捕捉關於薄層傾斜推進之 顆粒並將其吸收至少-較短週期的狹窄通道，以及b) 氣體供應噴嘴提供緩衝氣體2〇，氣體供應喷嘴藉由氣體碰 撞從軌道偏轉人射的碎片顆粒，⑼而防止其連續穿過薄層 間之通道。 圖11及12顯示截留器片之替代具體實施例。圖”，從 集極3供應緩衝氣體2〇。若輕射則位置内的緩衝氣體分^ 不能過高則較有利。圖12中’以兩部分截留器片1〇顯示關 於圖10及11之壓力分佈的中間解決方案。 然而此處出現問題’特；t言之係、關於正常狀況下使用固 體或液體工作介質-例如金屬或金屬鹽溶液_之輻射源1，該 工作介質沈積物出現於截留器片狹窄通道内，此導致堵 塞，從而在較短週期後導致Euv輻射4之損失。 此處截留HUG内沈積物之數量係集極3上沈積數量的 數倍。截留器片H)抑制不合需要之顆粒越有效，即將其黏 結至截留器片表面越有效，如實際所設想，相對於集極3 之沈積物的沈積物數量越高。 ' $ 此問題可用各種方法解決。 一種解決方案係用與上述用於集極3者相巧之方式化學 93301.doc -34- 1373690 再生截留ti 1 Λ ° 0°由於與集極3比較需要從截留器片10移除 更大數積物’需要使用較高劑量之清洗氣體42，即 4：力及/或有政週期，或者必須在較高溫度發生清洗程序。 χ下詳細建5義用於截留器片10之化學清洗程序的下列具 體實施例： 透過將增加劑量之清洗介質42引入總真空容器來清 洗。右光源模組（特定言之係集極）之全部結構材料抵 抗增加的清洗劑量，此程序有可能。該程序可作為光 源操作過程中之線上清洗或作為離線清洗而發生。 2.該耘序可在清洗介質42之流下動態實施或在系統完全 密封之情況下靜態實施。 3·如第1及2項，（例如）以電性方式或藉由紅外線輻射另 外加熱截留器片。因此在實質上較小劑量之清洗介質 42下’截留器片1〇之清洗變得可能。 4·將清洗介質42引入真空容器之部分體積，其包含截留 器片10但不包含集極3，若需要可與第2項結合。 5·如第3項之配置，其中藉由截留器片1〇與集極3間之機 械擋板33，實現截留器片1〇與集極3間之分離。 6·如第3項之配置，其中藉由位於截留器片輸入及輸出的 兩個機械封閉裝置，實現截留器片1〇與集極3間之分 離。 7.如第3項之配置，其中藉由額外封閉部件3〇、3 i，將輻 射源1排除在化學清洗外。 8·如第3項之配置，其中藉由將截留器片1〇機械移動至盥 9330l.doc -35· 1373690 主要真空容器分離之清洗室而實現截留器片1〇與集極 3間的分離。其令以類似2及/或3之方式實施清洗，然 後返回操作位置。 輻射源1之操作過程中，若截留碎片材料45以液體形式出 現於截留器片10之熱薄層上，則可使用用於清洗截留器片 10之另一可能性。此係（例如）將錫用作輻射源1内之操作介 質的情形。 ' 液體操作介質將在重力影響下流向對稱軸或截留器片之 較低邊緣。此處其係藉由抽氣移除。 徉細建議從（例如）圖15可見的以下具體實施例： 1 ·由幫浦或抽氣裝置i 2主動抽氣。 2_藉由毛細管力移除。可使用多孔、海綿型或燈芯型結 構，其吸收材料並將其從截留器片1〇傳輸離開。 3. 如第1、2項之裝置配置，其位於系統軸上（光軸卜 4. 如第1、2項之裝置配置，其位於截留器片1〇邊緣。 5_如第1、2項之裝置配置，其位於對應於光束路徑内該 等區域（其由其他系統元件遮蔽）的截留器片10之位 置。因此抽氣裝置本身不會造成額外光損失。 ’若截留碎片材料45出現於截留器

93301.doc 輻射源1之操作過程中， 片10之（熱）薄層上，亦可使 能性。此倍、Γ例如）胳姐P0 , 〜刀时况檟於截留器片1〇薄層 從而將其從截留器片10薄層移 •36· 1^/3690 除°棱向加速度由下式得出： «Γ一Γ. Q) (幻如）5 cm範圍内之給定典型半徑、每秒7轉之旋轉 頻率已實現10g=98.1 m/s2之徑向加速度。從而實質上可將 液體沈積物完全向外推進 外。 除可能黏接至截留器片之薄膜 使用旋轉戴留片1〇之另一優點係藉由截留器片⑺之薄 層旋轉捕捉具有較低速度之較大碎片滴45，從而可將其移 除。假定旋轉截留器片1G之長度Μ，圓周方向通道之寬度 為Β’具有最大速度：

Vmax=6J .r.L/B 之小滴仍可移除。在每秒7轉旋轉頻率下典型值⑽ 、L/B= 10得出保留顆粒最大速度22 m/s。 /旋轉截留器片10以較高旋轉頻率用作幫浦，實現主要沿 仅向之氣體傳輸。此對用於截留器片1〇的緩衝氣體2〇之密 度分佈有影響。此外，亦改變用於緩衝氣體2〇之軸向通量 的截留器結構之流量電導。 以下為詳細建議旋轉截留器片之具體實施例： 1·藉由馬達14沿旋轉軸13旋轉整個截留器片1〇，參考圖 16 ° 2.僅旋轉截留器片丨〇部分，例如以圖丨了所示的二級截留 器片10之形式。 3·連同用於捕捉徑向加速材料並以定義方式將其移除之 截留器一起旋轉之圓形捕捉部件或環〖5 ^ 9330l.doc •37- 1373690 .圓形、靜態環15配置於旋轉截留器片1〇周圍並且設計 成捕捉徑向噴射材料並以定義方式將其移除。 5. 截留器片10旋轉軸上之緩衝氣體供應配置成根據截留 器片1〇旋轉頻率並考慮徑向幫浦動作獲得盡可能均勻 之緩衝氣體20密度分佈。此係透過薄層及氣流區域内 轴向流出位置之適當選擇來實現。 6. 集極3與截留器片1〇間之空間内緩衝氣體供應配置於 對應於光束路徑區域（由其他系統元件遮蔽）之位置。 因此抽氣裝置本身不會造成額外光損失。配置及氣流 係選擇成根據截留器片10旋轉頻率並考慮徑向幫浦動 作獲得盡可能均勻之緩衝氣體20密度分佈。 上述用於化學清洗及截留器片1〇操作之具體實施例可與 用於延長光源模組光學元件之操作壽命的其他措施組合。 •額外供應之阻隔氣體20,的氣體類型不同於輻射源1區 域内截留器片10之緩衝氣體20。此導致輻射源丨區域内 之反壓力以及從截留器片10或11及11，（圖13)至輻射源 之氣/;IL的減小。從而減小輻射源1之位置内的截留器 片緩衝氣體之分壓。若輻射源丨之操作可能僅處於截留 器片緩衝氣體20之較低分壓，此較有利。使用的阻隔 氣體可為，例如，氫氣、1氣、氦氣或其他稀有氣體， 亦可能為混合物。 •額外供應之阻隔氣體的氣體類型不同於集極3區域内截 留器片10之緩衝氣體20。此導致集極區域内之反壓力 以及從截留器片⑺或丨丨及丨丨，至集極之氣流的減小。從 9330l.doc -38- 1373690 而減丨、求極空間内截留器片緩衝氣體之分壓。若可藉 由本極工間内的更少吸收氣體避免截留器片緩衝氣體 之輻射吸收動作，此較有利。可使用前述段落中所述 氣體。 藉由包或磁場抑制碎片。從而可偏轉帶電顆粒並將其 引導至系統無害區域。 •截留器片10及/或集極3關於真空容器電性絕緣。從而 可防止集極空間内的次級放電，否則由於喷濺其可導 致反射層之損壞。 如圖18所示的-複雜測量及控制系統係以線上或離線操 作令用於控制具有用於系統清洗之全部元件的光源模組， 該系統監視光學元件43及用於碎片抑制之系統的狀況，並 初始化及控制清洗程序。 控制系統之重要組成部分係光學元件（例如集極）之污染 =度的連續測量。該測量應首先發生於數個位置，因為污 。又可取決於位置，因此清洗之偵測、程序控制及結果 檢查亦必須局部地發生。 用於此測量之適當測量參數係光學元件反射率，其盡可 能在微影钱刻4理之波長下’例如EUV範圍，若可能二處 於光學7L件之典型入射角度下。適當Euv偵測器（例如具有 特殊濾波器之二極體）可為此目的而移動至光學元件43附 近，例如在曝光暫停中（例如由晶圓交換而引起的暫停），以 便測量在光學元件各種位置反射之光強度。 或者可能使用不同波長之輻射，例如可見輻射，以便根 93301.doc 1373690 據反射率變化測量光學元件43上的沈積物。若離線清洗情 形中無EUV光源可用，此特別有利。 測量沈積層之線上清洗及離線清洗亦可使用其他測量方 法。可糟由層厚度測量方法（例如使用振盪石英元件）或橢圓 測量法測量污染層之存在及厚度。 可透過對該等表面施加高頻AC電壓而決定光學元件表 面之表面導電率。此導電率係與材料相關，並提供表面沈 積物存在之線纟。若表面材料與沈積材料間之導電率差異 迻】可基於光孥元件（空間方位及表面溫度内類似上述 光學兀件）附近之污染目的提供具有較大導電率差異之材 料（例如金屬污染情形中係絕緣材料）表面。該等測量表面上 的沈積物提供光學元件上沈積物的直接證據。 另-測量參數係光電流，其源自入射至光學元件表面從 而‘致電子發射的輻射量子。此光電流之變化亦係污染物 質之表面佔據變化的敏感指示器。 真空系統内不同位置之氣相分析供應用於控制化學清洗 之寶貴證據。可能用於實施此分析的測量方法有數種。此 處可提及的一範例首先係質譜法。分I组成物之測量可顯 不揮發性反應產物及額外反應氣體。―方面此用於最佳化 清洗效率。例如在侵n 专 牡仪袋〖生盡可能小之清洗中，最大化反應 產物與反應氣體分壓之比率H例中，最大化反應產 物u mi什盡可能快之清洗。離線清洗情形中可藉由反 應產物分壓之降低指示清洗程序結束。亦可藉由分歷測量 監視選擇性’即監視因與光學元件材料之反應而產生的不 93301.doc •40· 1373690 需要之反應產物。同樣’根據由於與真空系統内其他元件 之反應引起的污染可檢查真空品質。最後可經由分壓測 量控制吸附幫浦之再生週期。 可藉由閥以及具有相關聯流4計之流量控制單元實施反 應氣體的氣體供應控制。然後藉由局部分壓測量檢查反應 亂體之最終壓力。額外數量反應氣體之清洗情形中局部總 壓力測里即足夠。用於氣體供應之控制系統可提供不同反 應氣體之選擇、反應氣體之局部分佈、用於減小擴散之惰 性氣體的混合以及用於鈍化不需要清洗之表面的額外反應 氣體之供應。 除氣體供應外’對需要清洗之元件及不需要清洗之元 件，/JDL度顯然亦為重要控制參數。此外，藉由對反應氣體 之曝光持續時間控制化學清洗。 用於清洗光學元件之方法及裝置實現大為改進之沈積物 移除及更長的光學元件有效壽命。 【圖式簡單說明】 從以上參考圖式提供的若干具體實施例之說明可清楚本 發明之其他優點及特徵，其中： 圖1概略地顯示用於晶圓照射之裝置； 圖2係依據本發明用於清洗光學元件表面之第二裝置的 操作過程中光學元件之側視圖； 圖3概略地顯示光源模組之結構； 圖4顯示化學清洗程序之原理； 圖5係化學線上清洗圖； 93301.doc 1373690 圖<5係化學離線清洗圖； 圖7係在集極輸出具有閥之裝置的斷面圖； 圖8係在集極輸入及輸出具有閥之裝置的部分斷面圖； 圖9闡明藉由冷卻表面泵抽之原理·， 圖1 〇係截留器片之部分視圖； 圖11係截留器片之詳細視圖； 圖12係雙裁留器片之另一部分視圖；

圖13係EUV燈泡内氣體緩衝器之詳細視圖； 圖14係顯Μ留器片化學清洗操制理之圖式 圖15顯示截留器片機械清洗之原理； 圖16係可設定為旋轉之截留器片的詳細視圖； 片的詳

圖Π係可設^為旋轉之截留器片以及固定截留器 細視圖；以及 ° 圖18係顯示清洗程序控制之方塊圖。 【主要元件符號說明】 1 燈泡 2 真空池 3 集極 4 幫浦管狀線 5 中間焦點 6 光束路徑範例 7 碎片抑制系統 10 截留器片 11 雙截留器片 93301.doc •42- 1373690 12 柚氣裝置 13 旋轉軸 14 馬達 15 移動碎片材料捕捉裝置 20 缓衝氣體供應 20' 阻隔氣體 21 缓衝氣體出口噴嘴 30 燈泡外殼 31 燈泡封閉裝置 32 集極側封閉裝置 33 截留器片與集極間封閉裝置 34 安裝環及外部密封表面 35 中央片及内部密封表面 36 可移動封閉區段 37 冷卻裝置 40 清洗氣體供應 41 清洗氣體出口喷嘴 42 清洗氣體 43 光學元件，例如反射體 44 EUV輻射 45 碎片顆粒 46 沈積碎片顆粒、碎片材料 47 揮發性反應產物 110 光學元件 93301.doc -43 · 1373690 112 照射裝置 114 真空室 116 輻射源 118 射線 120 工件 122 無機物質 124 反應夥伴 125 激發裝置 126 饋送裝置 128 沈積物 130 反應產物 132 散佈裝置 134 測量裝置 136 饋送線 138 冷卻 140 喷嘴 142 塗層 144 材料 146 加熱裝置 148 區段 P 真空幫浦

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Claims (1)

1373690 第093114146號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(101年5月） 1^1年< 月^曰修正本 十、申請專利範圍： !· 一種清洗至少一照射（irradiation)裝置（112)之至少一光學 元件（110; 43)之方法，該照射裝置包含一真空室（114)内 之至少一輻射源（116)，該輻射源產生遠紫外線及/或軟X 射線輻射之射線（118)，其經由該光學元件（11〇)引導至需 要處理之一工件（120)上，其中由於該輻射源（116)引入之 一無機物質（122)，該光學元件（ι10)至少部分受污染，該 無機物質於該光學元件（110)上形成污染沈積物（128)，其 特徵在於根據該等主要反應狀況經由一饋送裝置（126)引 入實質上對該等射線（118)半透明或透明的至少一個反應 夥伴（124)，該反應夥伴（124)與該等污染沈積物（128)化學 反應以便將其轉換成液體或揮發反應產物並且將其從該 光學元件（1 1 0)移除， 以相對於無機物質（122)及/或該等沈積物（128)之一引 入數量的一額外數量’或以化學等效於無機物質（122)及/ 或該等沈積物（128)之一引入數量的一速率經由一散佈裝 置（132)饋入該反應夥伴（124)。 2.如凊求項1之方法，其特徵在於包含一金屬之一物質，特 疋吕之，其係包含錫、鋰、銦、銻或碲之一物質，較佳 的係用作該引入無機物質（122)。 3·如請求項1或2之方法，其特徵在於在該照射裝置（112)之 操作過程中饋入該反應夥伴（124)。 4_如咕求項1或2之方法，其特徵在於一被選定反應夥伴 (124)導致與該無機物質（122)及/或該等沈積物（丨28)化學 93301-1010522.doc 1373690 反應，該反應形成一反應產物（130)，該反應產物（130)在 該等主要反應狀況下係揮發性。 5·如請求項1或2之方法，其特徵在於在該等主要反應狀況 下實現與該無機物質（122)及/或該等沈積物（128)之一快 速化學反應而選擇並饋入該反應夥伴（124)。

6.如請求項1或2之方法’其特徵在於饋入一被選定反應夥 伴（124)，從而實現與該無機物質（122)及/或該等沈積物 (128)之一選擇性化學反應。 7·如請求項1或2之方法，其特徵在於所使用之該反應夥伴 (124)係，例如，一含氫物質及/或一齒素、一鹵間化合物' 一含il化合物及/或一其組合。 8.如請求項1或2之方法’其特徵在於藉由該等射線（U8)及/ 或透過一額外激發裝置（125)之照射將該真空室（丨14)内之 該反應夥伴（124)轉換為自由基。 9·如請求項1或2之方法，其特徵在於以液體及/或氣體形式 饋入該反應夥伴（124)。 10. 如凊求項1或2之方法，其特徵在於操作過程中連續饋入 該反應夥伴（124) 〇 11. 如清求項1或2之方法，其特徵在於按劑量供應該反應夥 伴（124)，例如藉由一脈衝饋入。 12. 如清求項1或2之方法，其特徵在於根據離開該光學元件 (1H))之該等射線⑴8)的-強度規定需要饋入的反應夥伴 (124)之數量，其中藉由至少一個測量裝置（134)決定該強 度0 93301-1010522.doc •2- 1373690 13. 如請求項1或2之方法’其特徵在於經由空間上接近該光 學元件（110 ; 43)之該饋送裝置（126)的一饋送線（136)饋入 該反應夥伴（124)。 14. 如請求項1或2之方法，其特徵在於該反應夥伴（124)集中 於該光學元件（110)上。 15. 如請求項1或2之方法，其特徵在於該饋送裝置（126)分割 該反應夥伴（124)，並按區段供應該反應夥伴（124)。 16. 如請求項1或2之方法，其特徵在於經由一冷卻裝置（丨38) 及/或一噴嘴（140)將該反應夥伴（124)饋入該真空室（114) 内。 17·如請求項1或2之方法，其特徵在於至少一個光學元件 (110 ; 43)具有一塗層（142)，其實質上對該等射線（118) 透明且由一材料（144)製成，例如鉑、鈀、金、釕、錢、 鎳或其合金或化合物，例如氧化物或氮化物，或者si〇2 或碳。 18.如請求項…之方法，其特徵在於藉由一加熱裝置⑽) 將=光學元件⑴0; 43)加熱至一溫度，其範圍從室溫至 最高大約800。(：。 9·如吻求項18之方法，其特徵在於將該光學元件⑴〇 ; μ) 加熱至大約5〇〇c至最高大約赠的一溫度。 2θ.:=Γ法，其特徵在於在該照射裝置⑴2)之 =暫停中實施該清洗，而不用拆除個別元件。 或2之方法，其特徵在於為實現碎片材料(46) 阿除逮率或為對該光學元件⑽；43)之該材料無 93301-|〇|〇522,d〇c 1373690 害的一清洗，而最佳化該反應夥伴（124)或該等清洗氣體 (42)之反應參數、溫度及分壓。 22. 如請求項1或2之方法，其特徵在於保護該照射裝置之不 需要清洗的元件免於接觸該反應夥伴〇24)或該清洗氣體 (42)。 23. 如請求項1或2之方法，其特徵在於根據與該沈積金屬之 該反應選擇該反應夥伴（124、42)。 24. 如請求項23之方法，其特徵在於僅在需要清洗之該等個 別位置增加該等含鹵素及/或含氫反應夥伴（124、42)之分 壓。 25·如請求項丨或2之方法，其特徵在於在該清洗程序之持續 時門期間而要清洗之該等光學元件（11 〇 ; 43)與該真空 系統之剩餘部分分離。 26·如晴來項1或2之 該真二系統中不需要以該清洗氣體處理的區域。

27.如月求項1或2之方法，其特徵在於該反應夥伴（以、42) 係作為與一惰性氣體之—混合物饋人。 2求項1或2項之方法，其特徵在於透過額外反應氣體 之局部供應來鈍化除該等光學元件（110; 43)外之剩餘 或者將揮發性元件轉換為非揮發性物質。 29. 如請求項28之方法好从 祕〆匕 其特徵在於所選擇的該額外反應氣 體係氧氣或氫氣。 30. —種清洗至少一昭 …、射裝置（112)之至少一光學元件（11〇 ; °亥照射裝置包含-真2室（114)内的至少-輻 93301-1010522.doc 1373690 射源⑴6)，該輻射源（116)產生遠紫外線及/或軟χ射線輕 射之射線（U8)，其經由該光學元件⑴〇)引導至需要處理 之-工件（120)上，其中如請求項129中任一項之方法， 由於該輻射源⑴6)引入之一無機物質（122)，該光學元件 (110)至少部分受污染，其特徵在於藉由該輻射源⑴與一 集極（3)間的-截留器片（1〇)而抑制該等引入之無機物質 (122 、 45)。 31. 如請求項30之方法，其特徵在於該截留器片（1〇)具有一緩 衝氣體（20)。 32. 如請求項3〇或31之方法，其特徵在於以類似該光學元件 (110，43)所使用但與之分離的一方式化學清洗該截留器 片（10)。 33. 如請求項30或31項之方法，其特徵在於該清洗係藉由該 清洗介質（124、42)之一流動而動態地發生，或者在該系 統之該等光學元件（110; 43)封閉（ci〇se off)之情況下靜態 地發生 34. 如請求項30或31之方法，其特徵在於額外加熱該戴留器 片（10)。 35. 如請求項30或31之方法，其特徵在於將該清洗夥伴（124、 42)專門引入包含該截留器片（1〇)之該真空室的一部分體 積。 36. 如請求項30或31之方法，其特徵在於機械清洗該截留器 片（10)。 37. 如請求項30或31之方法，其特徵在於將該截留器片（1〇; 93301-1010522.doc 1373690 11及1Γ)或該截留器片（11，1Γ)之一部分設定為旋轉β 38. 如請求項30或31之方法’其特徵在於一氣體類型不同於 該截留器片（10)之該緩衝氣體（20)的一阻隔氣體（2〇，）另 外提供至該賴射源（1)區域及/或該集極（3)區域内，該阻隔 氣體包含’例如’至少氫氣、氮氣、氦氣或某一其他稀 有氣體。 39. 如請求項30或31之方法，其特徵在於該電及/或磁場應用 於該沈積物（128，45)抑制。 40. 如'凊求項30或31之方法，其特徵在於至少該燈泡（！）之操 作過程中’該截留器片（10)及/或該集極（3)與該真空容器 電性絕緣。 41· 一種清洗至少一照射裝置（112)之至少一光學元件（11〇 ; 43)之方法，該照射裝置包含一真空室（丨i 4)内的至少一輻 射源（116) ’該輻射源（116)產生遠紫外線及/或軟χ射線輻 射之射線（118)，其經由該光學元件（u〇)引導至需要處理 之一工件（120)上，其中如請求項1至40項中任一項之方 法，由於該輻射源（116)引入之一無機物質（丨22)，該光學 元件（110)至少部分受污染，其特徵在於其係受到電子控 制及調節。 42·如明求項41之方法，其特徵在於根據需要或連續測量該 光學元件（110 ; 43)之污染程度。 43_如請求項42之方法，其特徵在於在若干位置測量該污染 程度。 44.如請求項42或43之方法’其特徵在於為決m亏染程度 9330I-1010522.doc 1373690 而測量該光學元件（110 ; 43)之反射率。 45. 如凊求項42或43之方法，其特徵在於具有微影蝕刻處理 之一波長或具有其他波長之射線用於測量該污染程度。 46. 如請求項41之方法，其特徵在於藉由該層厚度之測量來 決定該污染程度。 47. 如請求項41之方法，其特徵在於藉由該光學元件（u〇;43) 之表面的導電率測量來決定該污染程度。 48. 如請求項41之方法，其特徵在於透過一參考表面之導電 率測量來決定該污染程度。 49. 如明求項41之方法，其特徵在於藉由電子發射引起的一 光電流之測1來決定該污染程度。 5〇·如請求項41、42或43項之方法，其特徵在於基於該化學 清洗目的分析該真空系統内的該氣相。 5 1·如4求項50之方法，其特徵在於藉由質譜法實施該分析。 52.如凊求項41、42或43之方法，其特徵在於測量該等揮發 性反應產物及額外反應夥伴（124 ; 42)二者之分壓組成 物，並將其用於控制及調節。 53·如凊求項41、42或43之方法，其特徵在於測量需要清洗 之該等元件及不需要清洗之該等元件的該等溫度以及 藉由該等；〇件之-被選定加熱及/或冷卻來控制並調節藉 由k擇性化學反應之該清洗，及/或為調整該等反應夥 伴（124，42)之該等分廢而控制，並調節該氣體引入及果 抽排程。 54· -種用於清洗至少一照射裝置⑴2)之至少一光學元件 9330I-10I0522.doc 1373690 (110)之裝置’該照射裝置（112)在一真空室（114)内包含至 少一輻射源（116)以及將射線（118)引導至需要處理之一工 件（120)之一光學元件（110) ’該輻射源（π6)產生遠紫外線 及/或軟X射線輻射，由於該輻射源（116)引入之一無機物 質（122) ’該光學元件（110)至少部分受污染，該無機物質 於該光學元件（110)上形成污染沈積物（128)，其特徵在於 有一饋送裝置（126)用於消除污染該光學元件（11〇)之沈積 物（128)，該饋送裝置（126)根據該等主要反應狀況引入至 少一反應夥伴（124) ’該反應夥伴（124)實質上對於該等射 線（Π8)可滲透或透明’並且與該等污染沈積物（128)發生 一化學反應， 其中該反應夥伴（124)由該饋送裝置（126)透過一散佈 裝置（132)以化學等效於無機物質（122)及/或沈積物（128) 之一引入數量的額外數量或一速率（132)來饋入。 55·如請求項54之裝置，其特徵在於包含一金屬之一物質， 特疋S之，其係包含錫或銦、碲、録、鐘之一物質較佳 的係用作引入的該無機物質（122)。 56. 如請求項54或55之裝置，其特徵為在該照射裝置（112)之 操作過程中饋入該反應夥伴（丨24)。 57. 如明求項54或55之裝置，其特徵在於與該無機物質（us) 及/或該等沈積物（128)發生化學反應而經由該饋送裝置 (126)引入一被選定反應夥伴（124)，從而形成一反應產物 (130) ’該反應產物（130)在該等主要反應狀況下係揮發 93301-1010522.doc 1373690 5 8·如請求項54或55之裝置，其特徵在於可藉由該饋送裝置 (126)選擇所需之該反應夥伴（124)，以獲得與該無機物質 (122)及/或該等沈積物（12 8)之一快速化學反應，從而形成 一反應產物（130)，該反應產物（130)在該等主要反應狀況 下係揮發性。 59·如明求項54或55之裝置，其特徵在於可藉由該饋送裝置 (126)選擇用於在該等主要反應狀況下實現與該無機物質 (122)及/或該等沈積物（128)之一選擇性化學反應所需的 該反應夥伴（124)。 60. 如請求項54或55之裝置，其特徵在於該饋送裝置（126)引 入，例如，一含氫物質及/或一鹵素、一鹵間化合物、一 鹵素化合物及/或一其組合作為該反應夥伴（124)。 61. 如請求項54或55之裝置，其特徵在於藉由該等射線（118) 及/或透過一額外激發裝置（125)之照射將該該反應夥伴 (I24)轉換為該真空室（丨丨4)内之自由基。 62. 如請求項54或55之裝置，其特徵在於該饋送裝置ο%)以 液體及/或氣體形式饋入該反應夥伴（124)。 63. 如凊求項54或55之裝置，其特徵在於操作過程中經由該 饋送裝置（126)連續饋入該反應夥伴（124)。 64·如請求項54或55之裝置，其特徵在於分份供應該反應夥 伴（1 24)，例如藉由一脈衝輸入。 如月长項54之裝置’其特徵在於可根據離開該光學元件 (_之贿射（m)的-強度來決U要供應之反應夥伴 (124)的數量’該強度可藉由-測量裝置（134)決定。 9330M010522.doc 13/3690 66. ίΓ求項54或55之裝置，其特徵在於該饋送裝置（126)包 含空間上接近該光學元件（110)之一饋送線（136)。 67. 如請求項54或55項之裝置，其特徵在於該反應夥卯μ) 可經由該饋送裝置（126)之一或該饋送線（136)集中於該 光學元件（110)。 68. =4求項54或55之裝置，其特徵在於該饋送裝置（I%)包 含用於分割該反應夥伴（124)之質量的區段（148卜 鲁69.如明求項54或55之裝置’其特徵在於該饋送裝置（126)包 含一冷卻裝置（138)及/或一喷嘴（14〇)。 70.如請求項54或55之裝置，其特徵在於至少一光學元件 (11〇)具有-材料之一塗層（142)，該材料對該等射線⑴ 實質上透明，例如翻、把、金 '釘、錄、錄或其合金或 化口物，例如氧化物或氮化物，或者Si02或碳。 .如請求項54或55之裝置，其特徵在於至少—光學元件 (U〇)包含-加熱裝置（146)，及/或可冷卻該真空系統但卻 験不需要清洗的該等元件。 72. 如請求項54或55之裝置，其特徵在於可在—操作暫停中 實施該清洗。 73. 如請求項54或55之裝置’其特徵在於可調整該清洗夥伴 (124、42)之該溫度及/或該分壓。 74·如請求項54或55之裝置，其特徵在於清洗程序之持續時 間期間，需要清洗之該等光學元件⑴〇、43)可藉由可移 動封閉裝置（30、31、39、丄丄a )或藉由其本身之移動與該剩餘真 空系統分離。 9330l-i0W522.doc 1373690 75 76. 77. 78. 79. 80. 81. 82. 83. 84. •如請求項54或55之裝置’其特徵在於存在用於反應夥伴 (124、42)之複數個入口。 如請求項54或55之裝置’其特徵在於此外可供應一惰性 氣體及/或可以用於清洗該光學元件的反應夥伴及惰性氣 體之一混合物供應該反應夥伴。 如請求項54或55之裝置，其特徵在於該等光學元件（11〇 ; 43)之該等反射層由釕、鈀（pd)、铑（Rh)、鉬、矽 (Si)或鈹（Be)形成，以及該等其他基底層及保持構件由化 學惰性材料組成或塗佈，例如釕（Ru)、鍺（Rh)、鉑、 金（Au)、鎳（Ni)或二氧化矽（Si〇2)。 如請求項54或55之裝置，其特徵在於可在一電子控制下 實施該清洗。 如請求項78之裝置，其特徵在於可藉由配置於若干位置 之裝置來測量該光學元件（11〇 ; 43)之污染程度。 如叫求項79之裝置，其特徵在於藉由測量該光學元件 (110 ’ 43)之反射率的偵測器來決定該污染程度。 如β求項80之裝置，其特徵在於該等偵測器由光二極體 形成’其可包含濾波器。 如清求項78之裝置，其特徵在於可藉由測量 位於該等先學元件(一上之該碎片材料(46)= 度。 如"月求項82之裝置’其特徵在於該等測量裝置係振靈石 英元件。 如清求項78之裝置’其特徵在於可藉由測量裝置來決定 93301-I010522.doc 85. 86. 87. 88. 89. 90. 91. 92 93 該等光學it件⑴〇;43)之表面導電率。 一月求項78之裝置，其特徵在於可藉由測量裝置來決定 一參考表面之表面導電率。 -月求項78之裝置’其特徵在於可藉由測量裝置來測量 由電子發射引起的一光電流。 -月求項78之裝置，其特徵在於可藉由測量裝置來分析 該真空系統内的該氣相》 "月求項87之裝置’其特徵在於該測量裝置係一質譜儀。 如：求項78之裝置’其特徵在於可藉由測量裝置來決定 該等揮發性反應產物及額外反應夥伴（124 ; 42)二者之分 壓組成物。 如哨求項78之裝置’其特徵在於溫度測量裝置與需要清 洗之：等元件及不需要清洗之該等元件相關聯。 種m洗至）一照射裝置（112)之至少一光學元件（丨1〇)之 裝置該照射裝置（112)包含一真空室⑴4)内的至少一輻 射源（116)以及將射線（118)引導至需要處理之一工件 (120)的-光學元件〇 1〇)，該辕射源產生遠紫外線及/或軟 X射線輻射’其中如請求項54至77項中任一項之方法，由 於該辕射源（m)引人之—無機物f (122)，㉟光學元件 (110)至少部分受污染，其特徵在於有—截留器片⑽配置 於該輻射源（1)與一集極（3)間。 •如請求項91之裝置’其特徵在於該㈣器片⑽可得到加 熱。 •如請求項91或92之裝置，盆姓外六认叮# 取1其特徵在於可藉由一抽氣裝置 93301-1010522.doc -12· 1373690 (12)將碎；{材料（46)從該截留器片（1〇)移除。 94.如請求項91或92之裝置，其特徵在於可藉由毛細管力將 碎片材料（46)從鄰近該截留器片（1〇)配置並包含一多 孔、發·/包塑料型或燈芯型材料之結構移除。 95·如請求項91或92之裝置，其特徵在於該截留器片（1〇)可藉 由封閉裝置與該剩餘真空系統分離。 96.如請求項91或92之裝置，其特徵在於將該截留器片（1〇) 或該截留器片（10)之部分設定為旋轉。 97_如請求項96之裝置，其特徵在於一固定或可旋轉捕捉裝 置（15)係配置於該可旋轉截留器片（1〇)之邊緣。 98.如請求項91或92之裝置，其特徵在於可透過至少一個出 口噴嘴（21)將一緩衝氣體（2〇)供應至該集極與該截留 器片（10)間的空間内，及/或該截留器片（1〇)本身之區域 内。 99·如請求項91或92之裝置，其特徵在於可透過該輻射源（1) 之區域内及/或該集極（3)之區域内的另一入口供應一阻 隔氣體（20·)。 100.如叫求項98之裝置，其特徵在於該阻隔氣體（2〇，）為不同 於該截留器片（1〇)之該緩衝氣體（2〇)的一氣體類型，該阻 隔氣體包含，例如，至少氫氣、氮氣、氧氣或某一其他 稀有氣體。 101·如印求項97之裝置，其特徵在於存在用於產生電場及/或 磁場之裝置。 1〇2_如請求項91或92之裝置’其特徵在於一方面該截留器片 93301-1010522.doc 13· 1373690 (10)及/或該集極（3)與另一方面該真空容器間存在一電性 絕緣。

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