TWI364524B - Method for drying a surface - Google Patents

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Description

1364524 九、發明說明： 【明所屬技領^^ 3 本發明關於乾燥一表面之乂法。更具體地，本發明關 於乾燥一碟型物品之一表面之方法’其包含用一清洗液覆 5 蓋該表面和移除該清洗液。 【先前技術3 供乾燥一碟型物品表面之方法典型用於半導體產業， 以供生產製程期間清潔矽晶圓（例如光刻前的清潔、CMP後 的清潔、及電漿處理後的清潔）。但是，此類乾燥方法可應 10 用于其餘類盤狀物品，例如實密碟片、光罩、圖罩、磁碟 或平板顯示器。當用於半導體產業時，其也可應用於供生 產積體電路之玻璃基材（例如絕緣體上矽層積製程）、ΙΠ_ν 基材(例如GaAs)或其它基材或載體。 右干種乾無方法習知於半導體產業。許多乾燥方法利 15用一界定的液體/氣體邊界層。此類.乾燥方法或以Marangoni 乾燥方法稱，更廣為人知》 US 5,882,433揭示一組合式Marangoni旋轉乾燥方法。 其中，去離子水被配注於一晶圓上，且限時氮和丙醇之 一混合物也被配注。該氮中的2—丙醇將影響該液體/氣體 20邊界層，而產生一表面梯度，引發水逃離該晶圓而不會在 該晶圓上留下任何液滴之效應（Marangoni效應）。當液體配 注件自該中心移至晶圓邊緣且當晶·圓旋轉時，該氣體配注 件是直接跟在該液體配注件之後，因此氣體直接將液體自 該晶圓移除。 5 1364524 此類物質可被稱作表面活性物質。但是，依本文定義， 表面活性物質必須是能夠降低水的表面能（表面張力）之物 質。這並非一定是表示，其必須為一表面活性劑，例如肥 皂。這僅應表示它應包含具有一極性和一非極性端之一分 5 子。 雖然因環境以及成本原因，該清洗液應該僅包含水和 該物質，但是任何其餘溶液亦可利用，·只要其達到上述標 準即可。 使用至少50wt.%水會產生該混合物具有高於室溫(25 10 °C)之一閃點之積極效應，甚至當餘下50wt·%為有機溶劑亦 如此。如果使用2 —丙醇或丙酮，則該水含量應高於75%， 以提高該閃點至20°C以上。 令人驚異地是，藉利用此類一發明性乾燥方法，該清 洗液可一次清除而不會在碟型物品上留下任何液滴。 15 該乾燥方法不僅能夠乾燥半導體晶圓之親水性表面， 而且能夠乾燥疏水性表面，而且也能夠乾燥具有親水性及 疏水性區域之結構化表面。 _ 不束縛於任何理論，但相信該清洗承在該表面上形成 可不容易被去除之一液膜（液體彎月面）。將氣體吹到該液膜 20 上部分打開該液層。接著，因包含水和該物質的該混合物 之比表面能之故，清洗液會在僅僅是微小的額外支助（例如 重力、離心力、氣流、毛細管力）下，自動流離該表面。但 是，進一步將氣體吹到該表面上可會有幫助，以保持該表 面與液體分離。
7 上’這表示該等液體和氣體自低處被供應至該晶圓。作為 選擇，藉利用該相同方法’例如具有如us 6,536,454Β2所揭 示之一旋轉卡盤，該晶圓兩面可同時被乾燥。 I：圖式簡單説明：| 第1圖至第4圖顯示該等上述示例。 在第1圖中，該清洗液透過液體配注件1被配注至一旋 轉晶圓W上《氣體配注件2位於等待位置。清洗液完全覆蓋 該晶圓並因此形成該液層L。 在第2圖中’氡體被吹動透過氣體配注件2並因此打開 位於一微小中央區Α内之該液層。液體配注同時停止且液體 配注件1被放置進備用位置。 在第3圖中顯示大約1〇s之一時間後之情形。該乾燥區 域自動變大《氣, 在第4圖中， 氣體仍舊被配注(但是非必需）。 【主要元件 1…液體配注件 2···氣體配注件 A…微小中央區 現在該晶圓表面被完全乾燥。 t将號說明】 L…液層 W…旋轉晶圓

Claims (1)

  1. 第95108954號專利申請案申 請專利範圍修正本 100.05.11
    —青洗液f蓋該表φ，藉此形成—封雜層，以及清除 該第二清洗液’其中該第二清洗液包含至少伽％的水 和至少5Wt.%之-物質’其中該物質降低水的表面能，
    十、申請專利範圍： 一種乾燥碟型物品之表面之方法，其包含在—第二清洗 液施加至該表面前，該表面已以―第―清洗液清洗其 中乂第，月洗液實質上不含任何表面活性物質用該第 其中該物質為雙極财機溶劑，其巾藉由魏體吹到該 封閉液層上而啟動該清除該第二清洗液之步驟，藉此該 封閉液層在一分明的區域被打開。 2. 如申請專利範圍第w之方法，其中該雙極性有機溶劑 係選自於一包含醇(例如乙醇、2—㈣）、嗣(例如丙嗣) 以及此專的混合物之群組。 3. 如申請專利範圍第w之方法，其中該雙極性有機溶劑 在20°C下具有一高於15hPa之蒸氣壓。 4·如申請專利範㈣丨項之方法，其中該氣體包含一選自 於稀有氣體、二氧化碳以及氮氣之群組的惰性氣體。 5.如申請專利範圍第丨項之方法，其中該氣體實 質上不含 任何表面活性物質。 6. 如申請專利範圍第！項之方法，其中被形成於該表面上 之該封閉液層被暴露於氣體。 7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該清洗液包含至少 10wt·%之一物質。 8.如申請專利範圍第7項之方法，其巾該清洗液包含至少 12 1364524 . 第95108954號專利申請案申請專利範圍修正本 100·05.11 15wt·%之一物質。 9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該氣體透過一喷嘴 被吹至該表面，而該喷嘴口的之一截面積不應超過lcm2。 10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該氣體藉一喷嘴被 ' 吹至該表面上，該喷嘴被導向該一距離該碟型物品的中 .· _、· 心不超過30刪的表面之衝擊區域。 • 11.如申請專利範圍第1項之方法，其中被吹至該表面之該 - 氣體之氣體流速應超過3 m/s。 ® 12.如申請專利範圍第1項之方法，其中在移除該清洗液之 至少部分的時間當中，該碟型物品繞著一實質上垂直於 該碟型物品的表面之軸而被旋轉。
    13
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5096849B2 (ja) * 2007-09-13 2012-12-12 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5390873B2 (ja) * 2009-01-28 2014-01-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP5538102B2 (ja) * 2010-07-07 2014-07-02 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP5615650B2 (ja) 2010-09-28 2014-10-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
CN108176640A (zh) * 2017-11-17 2018-06-19 天津津航技术物理研究所 一种提高激光陀螺腔体清洗洁净度的干燥方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8900480A (nl) * 1989-02-27 1990-09-17 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.
US5271774A (en) * 1990-03-01 1993-12-21 U.S. Philips Corporation Method for removing in a centrifuge a liquid from a surface of a substrate
JPH05326392A (ja) * 1992-05-14 1993-12-10 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
TW386235B (en) * 1995-05-23 2000-04-01 Tokyo Electron Ltd Method for spin rinsing
JP3402932B2 (ja) * 1995-05-23 2003-05-06 東京エレクトロン株式会社 洗浄方法及びその装置
JPH1041267A (ja) * 1996-07-19 1998-02-13 Kaijo Corp 基板の洗浄・乾燥装置
US5997653A (en) * 1996-10-07 1999-12-07 Tokyo Electron Limited Method for washing and drying substrates
US6729040B2 (en) * 1999-05-27 2004-05-04 Oliver Design, Inc. Apparatus and method for drying a substrate using hydrophobic and polar organic compounds
US7021319B2 (en) * 2000-06-26 2006-04-04 Applied Materials Inc. Assisted rinsing in a single wafer cleaning process
US20020121286A1 (en) * 2001-01-04 2002-09-05 Applied Materials, Inc. Rinsing solution and rinsing and drying methods for the prevention of watermark formation on a surface
CN2460229Y (zh) * 2001-01-16 2001-11-21 集贤实业有限公司 干燥气化装置
TW200303581A (en) * 2002-02-28 2003-09-01 Tech Ltd A Method and apparatus for cleaning and drying semiconductor wafer
TW556255B (en) 2002-06-04 2003-10-01 Semiconductor Mfg Int Shanghai Drying method of post-cleaned semiconductor wafer
JP4030832B2 (ja) * 2002-08-20 2008-01-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4421611B2 (ja) * 2003-08-07 2010-02-24 株式会社荏原製作所 基板処理装置
TWI236061B (en) 2003-08-21 2005-07-11 Grand Plastic Technology Corp Method for wafer drying
JP4324527B2 (ja) * 2004-09-09 2009-09-02 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法及び現像装置

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