TWI361958B - Lithographic apparatus, aberration correction device and device manufacturing method - Google Patents
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Description
1361958 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置及元件製造方法。 【先前技術】 肘一所冩圖案施加至一基板上 微影裝置係一機器 通常係施加至該基板之一目標部分上。微影裝置可用於 (例如)積體電路(ic)的製造。在此實例中,可用一圖案化 凡件(或將其稱為—遮罩或—標線片)來產生-欲形成於積 體電路之-個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至一基 .板(例如碎晶圓)上之目標部分(例如包含—或數個晶粒之部 分)上。-般係經由成像將圖案轉印至一設置於該基板上 的輕射敏感材料(光阻)層上。一般而言,一單一基板將包 含連續圖案化之相鄰目標部分之一網路。已知微影裝置包 斤月/進機’其t藉由-次將整個圖案曝光於目標部分 上來照射各目標部分;及所謂掃描器,其中藉由在一既定 向^掃為方向)上透過輕射光束掃描圖案,同時與此方 向平仃或反平订地同步掃描該基板來照射各目標部分。亦 將該圖案厂堅印至基板上而將該圖案從 件轉印至該基板。 b 置高產量(即每小時圖案化大量基板),微影裝 置通常使用強力輻射源。 r 將該所需圖案投射至基板上)二統之元件(其 汉上)具有極尚透射比, 且 :投射系統之高度有效溫度控制系 : 射量係不可忽略且導致元〃及收之“ 千之明顯加熱。因為此加熱係非 122013.doc 1361958 均勻’其導致元件之形狀變形足以造成投射影像之明顯失 真。此問題係使用折射透鏡之投射系統的特定問題且通常 稱作透鏡加熱,雖然其亦隨著反射及折反射系統發生。
已知透鏡加熱效應可事先使用數學模型計算,其針對— 欲投射之既定圖案及一既定照明模式計算:該投射光束將 定位在投射系統中何處、將會造成之加熱及投射影像之產 生像差。設置在投射系統中用於此及其他修正之可調整透 鏡元件,係用來引入補償像差,因此至少減輕透鏡加熱之 效應。以口可調錢鏡元件允許有效纟正藉纟低階 多項式(高達Z1 6)可描述的像差。一可調整透鏡元件之範 例(旨於修正放大、像散及場曲率)係揭示於Ep 〇 66〇 169A 中,且包含二具有相反功率可相對地旋轉的圓柱透鏡。 【發明内容】 .…〖一 需求提供用於透鏡加熱效應的改進補償。尤其是本發明 者已發現,圖案、遮罩類型及/或照明模式的某些組合, 特別是有關局部化轴極之特定照明模式,由已知可調整透 鏡元件無法充分補償。本發明者已確定由此等模式引致的 透叙加熱效應無法由低階Zernike多項式充分描述,且因此 無法藉由現存可調整透鏡元件有效地補償。故需求一種能 巧償更高階zernik^.差之可調整透鏡元件,尤其係由透鏡 加熱造成的像差。 依據本發明之一方面,係提供一種微影裝置’其包含: —投射系統’其包含複數個光學元件,該系統經組態用 '將 圖案化fe射光束投射至一基板之目標部分上,且具 122013.doc 有-置於其内之像差修正裝置,該像差修正裝置包含: 且:第-修正光學元件’其具有一第一表面,該第一表面 /、有一繞一軸線不會旋轉對稱的第一形狀; I:第二修正光學元件’其具有一第二表面,該第二表面 插—第二形狀’該第二形狀實質上與該第一形狀互 補;及 致動器,其係配置以調整相對於該第一及第二修正光 予7L件之5亥軸的相對旋轉位置;及 '電^其係配置以控制該致動器以將該第一及第 正光學元件定位在-相對旋轉位置處,以至少部分補 =於吸收來自該㈣光束之能量,造成該複數個光學元 中之—或多個的溫度改變之效應所引致的-像差。 依據本發明之一方面提供—種微影裝置,其包含: :投射系統,其包含複數個光學元件,該^統經組態用 圖案化轄射光束投射至一基板之一目標部分上,且, ”有:置於其中之像差修正裝置,該像差修正裝置包含:- ::修正光學元件’其具有一第一表面,該第一表面 /、有一為一軸線不會旋轉對稱的第一形狀 第c正光學凡件其具有—第二表面,該第二表面 補有;第二形狀’該第二形狀實質上與該第一形狀互 補,及 ㈣固則幾構,其係配置以將該第—及第二修正光學元件 A、 相對於该轴之所需相對旋轉位置,其中
5亥像差修正裝詈# h + + H 置τ、位在该铋射系統之一光瞳平面處或靠 122013.doc 1361958 近其。 含依據本發明之-方面,係提供一種像差修正裝置,其包 …第學元件,其具有一第一表面,該第-表面 ' A軸線不會旋轉對稱的第一形狀; :第二修正光學元件,其具有一第二表面,該面 具有-第二形狀,該第一 及 貝貝上_忒第—形狀互補; 一固持機構,其係配置 固持在—相對於該第—修正光學元件 、 所站相對旋轉位置,中 該第—形狀係實質上由一 /、
Zernike多項式的 咖e夕項式或複數個 有至少一項含 ^夕項式或该多項式之一具 整數相乘的e,其戈由大於或專於2之 依據本發明之_方面 含: 係k供—種像差修正裝置,其包 i »
一第—修正光學元件,A 具有一繞-軸線不合 ' " 一表面’該第—表面 -第… 轉對稱的第-形狀; 第-修正光學元件,1 具有-第二形狀〜、有—第二表面’該第二表面 補;及 °亥第二形狀實質上與該第一形狀互 固持機構’其係配置以將該 固持在一才目對於 第一及第二修正光學元件 該第-形狀係Cl:需相對旋轉位置,其中 自包含以下各項組成之群組内中 122013.doc 1361958 選出的一 Zernike多項式或複數個Zernike多項式的一和來 描述: Z12: (4.p4-3.p2).c〇s(20) Z13: (4.p4-3.p2).sin(20) Z17: p4.cos(40) Z18: p4.sin(40) Z28: (6.p6-5.p4).cos(40) Z29: (6.p6-5.p4).sin(40)
依據本發明之一方面,係提供一種元件製造方法,該方 法包含使用一投射系統將一圖案化之輻射光束投射至一基 板上,該投射系統包含複數個已.組態之光學元件,該方^ 包含: 、 在这投射系統中提供一像差修正裝置,該像差修正裝置 包含: ^ 一第-修正光學元件”其具有—第—表面,該第一
表面具有-繞-軸線不會旋轉對稱的第一形狀;及 -第二修正光學元件,其具有—第二表面,該第二 表面具有—第二,狀’該第二形狀實質上與該第—形 肤互補;及 '·. \ ' 將該第—及第二修正光學元件設定在一相對旋轉位置 處:以至少部分補償由於吸收來自該轄射光束之能量,造 成6玄複數個光學元件中之一或 致的一像差。 _,皿度改變之效應所引 【實施方式] 122013.doc 1361958 圖1不意性說明依據本發明之一具體實施例的微影穿 置。該裝置包含: -一妝明系統(照明器)IL,其經組態用以調節一輻射光束 B〇 UV輻射或DUV輻射); --支撐結構(如遮罩台)MT,其係構造以支撐一圖案化元 件(例如遮罩)MA,並連接至—第—定位器州,該第一定 位器PM經組態用以根據某些參數來精確定位該圖案化:
…(例如晶圓台)WT,其係構造以固持一基板(如塗 布光阻的晶圓)w且係連接至_第:定位器pw,㈣^ 據某些參數來料定位該基板.及& :一:射系統(如折射式投射透鏡系統)PS,其係配置用以 藉由圖案化元件财將賦予該 基板w的一目桿部八束之一圖案投射至該 (例如,包括-或更多晶粒)上。 該照明系統可句括久# > , ;
磁性、電磁’先學組件,例如折射、反射、 用-I導、成型或控制㈣Γ 組件或其任何組合, 重θ = °構支撐5亥圖案化元件’即承裁該圖宰化元件的 重置。其以取決於該圖案化元 帛化…牛的 計及其他條件(例如 ^影裝置的設 之方式來固持該圖案化元件於真峨^ 空、靜電或其他夹鉗技術來固持圖宰牙化口 1:':機械、真 可係(例如)—框架或—A, 茱化兀件。垓支撐結構 動式。該0結構可確:該圖定式或為可活 件知處於—所需位置 1220J3.doc 丄361958 (例如相對於投射系統)。本文中任何使用之 或"遮罩、可視為與更-般名詞"圖案化⑽,同義^片 、本文所使用之名詞"圖案化元件”應廣泛地解釋成 二賦:-輕射光束-在其斷面中之圖案,以便在該基板之 :目標部分令產生一圖案之任何元件。應注意的係,賦予 以輻射光束的圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分 :::需圖案’例如,若該圖案包括相移特徵或所謂的協 —,般而言,賦予該㈣光束之圖案將會對應於一 :件中產生於該目標部分中之—特定功能層,例如積體電 路0 該圖案化元件可為透射型或反射型。圖案化元件之範例 包括遮罩、可程式鏡陣列及可程式lcd面板。遮罩在微影 :係為人熟知’且包括例如二元式、交替式相移、及衰減 式相移等遮軍類型,以及各種混合遮罩類型。可程式鏡陣 列之一範例採用小鏡之—矩陣配置,其中各鏡可個別地傾 :以便在不同方向十反射一入射輻射光束。該等傾斜鏡將 一圖案賦予一藉由該鏡矩陣反射之輻射光束内。 本文使用的名詞"投射系統”應廣義地解釋為包含任何投 射系統類型包括折射、反射、折反射、磁性'電磁與 靜電光學系統,或其任何組合,只要其適合於所使用的曝 光輻射,或例如使用浸潰液體或使用真空等其他因素。本 文中任何地方所用之名詞"投射透鏡,,皆可視為與更一般名 詞"投射系統”同義。 如在此所描述,該裝置係透射類型(例如採用透射式遮 122013.doc -12· :)。或者’該裝置可為反射類型(例如採用上述類型之可 私式鏡陣列,或採用反射式遮罩)。 。:玄微影裝置可為—具有二(雙級)或多個基板台⑷或二 或夕個遮罩台)之類型°在此類"多級"機器_ ’寸平行使用 額外的台,或可在一或多個台上實施預備步驟,而將一或 多個其他台用於曝光。 〆 微影裝置之類型亦可為其中該基板之至少一部分可藉由 /具有相對較高折射率之液體(如水)所覆、蓋,以填充投射 糸統與基板之間的空間。亦可將浸潰液體施加於微影裝置 中的其他空間,例如在該遮罩與該投射系統之間。浸漬技 術係此項技術中為人熟知,其係用來增加投射系統之數值 ❹:本文使用之名詞"浸漬"並非意指-結構(例如基板) 必肩/又入液體中,而僅意指該液體在曝光期間係位於該投 射系統與該基板之間。 參考圖1,照明器IL會接收來自輻射源s〇的輻射光束。 if輻射源與微影裝置可為分離實體,例如當該輻射源為準 分子雷射時。在此類情況下,不認為該輻射源會形成該微 影裝置之部分’且輻射光束係藉由包含(例如)適當引導鏡 及/或光束擴張器之一光束傳遞系統從該輻射源s〇傳遞 至該照明器IL。在其他情況下,輻射源可係該微影裝置之 一整合部分,例如當該輻射源為水銀燈時。可將輻射源s〇 與照明器IL(如有必要’連同該光束傳遞系統bd)稱為一輻 射系統。 該照明器IL可包含一用於調整該輻射光束之角強度分伟 I22013.doc 1361958 的调整器AD。一般而言,可調整照明器之光瞳平面中的 強度分佈之至少外側及/或内側徑向範圍(一般分別稱為心 外及σ-内)。此外,該照明器儿可包括各種其他組件例 如-積分器IN及一聚光器C0。該照明器可用以調節輻射 光束,以在其斷面中具有所需均勻度及強度分布。 輻射光束B入射在固持於支撐結構(例如遮罩台厘丁)上的 該圖案化元件(例如遮罩叫上,並藉由該圖案化元件來圖 案化。在行經遮罩MA之後,輻射光束B穿過投射系統ps, 該投射系統PS將該光束聚焦在基板w之一目標部分^上。 糟由第二定位器PW及位置感測·器IF(.如,干涉元件、線性 編碼器或電容式感測器)之助,便可精確地移動基板台 WT,如用以在輻射光束B之路徑,定位不同目標部分C。 同樣地,可利用第一定位器PM及/另一位置感測器(並未顯 示於圖1中)’相對於輻射光束B之路徑來準確地定位遮罩 MA,如於以機械方式自遮罩庫中取回該遮罩之後或在掃 描期間。一般而言,可藉由一長衝程模組(粗略定位)及— 短衝程模組(精細定位)來實現遮罩sMT之移動,該等模組 形成第-定位器PM之部分。同樣地,|板台胃的移動可 使用一長衝程模組及一短衝程模組來實現,該等模組形成 第二定位器PW的料。在一步進機之情況下(與一掃描器 相反),該遮罩台MT可僅連接至一短衝程致動器,或可為 固定。可使用遮罩對準標記Ml、M2以及基板對準標記 PI、P2來對準遮罩MA及基板W。儘t圖示該等基板對準 標記佔用專用目標部》,然而其可位於目標部分(此等係 122013.doc 14 卍=:=:== 所述之裝置可用於以下模式中的至少—模式中:
^在步進模式中’該遮罩台MT及該基板台WT基本上 靜止:同時將已賦予該輕射光束之一整,個圖案一次投射至 二標部分C上(即一單一靜態曝光卜隨後,讓該基板台 或¥方向中偏移,以便能曝光-不同的目標部分 C。在步«式中,曝光場之最大尺寸限制單—靜態曝光 中成像的目標部分C之尺寸。
2·在掃描模式中’同步掃描該遮罩台逍與該基板台资, 同日㈣f賦予該輕射光束之圖案投射至一目標部分以(即 一早一λ態曝光)。該基板台资相對於該遮罩台逍之速度 及方向可由該投射系統PS之(縮)放率及影像反轉特徵來決 定;。在掃描模式中,曝光場之最大尺寸限制單一動態曝光 中亥目払邻刀之寬度(在非掃描方向中),而掃描運動之長 度決定該目標部分之高度(在掃描方向中)。 3.在另一糢式中,遮罩$ΜΤ基本上保持靜止並固持一可 程式圖案化元件,而且當將一已賦予該輻射光束的一圖案 技射至目祆部分c上時’係移動或掃描基板台WT。在此 模式中 般利用一脈衝式輻射源,而且在該基板台WT 之每次移動後或在-掃描期間之連續輻射脈衝間視需要更 新該可程式圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可 程式圖案化元件(例如上述類型之„可程式鏡陣列)的無遮 I22013.doc 15 1361958 罩微影中。 亦可使用上述使用模式的組合及/或變化或完全不同的 使用模式。 本發明者已確定如以上所述在一微影裝置中之某些曝光 過程中發生的透鏡加’熱效應’並無法由已知可調整透鏡元 充刀L正,尤其導致投射光束被定位在靠近投射透鏡中 之光瞳邊緣的曝光過程。範例係水平閘極、接觸孔、混合 層及垂直位元線。圖2A至D顯示填有此等類型之曝光過程 的個別測試案例之光瞳。藉由此等曝光過裎弓丨致的透鏡加 熱,會引致可藉由現存透鏡操縱器部分修正的相位誤差, ^修正和nike多項式Z5及z! 2,但保留_ 4波像差(z i 7)且 —修正此像差之可調整透鏡元件尚未得到用處。 圖3顯示一根據本發明之具體實施例的像差修正裝置 1〇。該像差修正裝置10.包含二可彼此相對地旋轉的光學元 件ELI、EL2。該光學元件係由_透明材料形成且在欲使 Μ曝光輻射的波長處(例如’炫融二氧切或且有 大^之折射率。肖等元件之各者的—表面具有—非球面 面係互補。若該二表面對準,該裝置之淨效 ^ & ’但右該二表面係相對地旋轉-小量,則备 引入-相位差’其為徑向ρ及方位θ位置之函 二 示,相移函數係與表面函數之微分有關 I斤 Γ 項s’相移函數實質上等於晴多項式。 因此,錯由提供二個互補5波表面,可達到. 效應係基於具有其本身之偏移版本此 此 况下係旋轉)之 122013.doc 16 1361958 函數的和係實質上等於該函數之微分的事實。亦可使用由 除了 Zernike多項式以外之函數描述的表面。該板之其他表 面可為平面或具有-光學功率但視需要為旋轉對稱。、 由於以下二原因’係需要設置_或多個致動器(未顯示 . 於圖3)以旋轉該等元件EL1、EL2中之—或二個。首先,係 ^要—相對旋轉讀㈣致之修正量;對於小旋轉,所引 致之修正係實質上與該旋轉成比例。其次,因為所提供之 • 修正可能非旋轉對稱,亦需要調整完整元件之旋轉位置. 以小量調整相對於由欲成像之遮罩特徵定義的該車由之修正 (及在某些情況下以較大量),如因此—元件可用來針對X方 向偶極及y方向偶極曝光二者修正。 . 雖然需要以上描述之致動器以實現快速設定該修正裝 4,卩回應曝光過程的改變,本發明的修正裝置亦可在不、 可能提供致動器之處使用。尤其係本發明之具體實施例可 配合-具有一用於插入—可互換元件的槽之現存投射系統 • 使用。該等元件EL1、EL2可設置在一框架中,以致可(永 久或臨時)固定其相對及絕對旋轉,以提供所需之修正然 後經由可用的槽插入投射系統。可(手動或自動地)設置及 交換多個不同修正元件。亦可同時使用多個修正裝置來提 供更複雜的修正。 光學元件EU及EL2最好置於一投射系統之光瞳平面中 或靠近其。該等元件可執行為一具有一平坦表面及一非平 坦(如球面)表面之平-非球面元件。該等元件之平坦表面可 配置為垂直於投射系統的光軸〇A ,如圖3所示。 122013.doc 為了以數學方式解釋根據本發明之—具體實施例的一元 件之功能,沿著該等元件之光軸0A的厚度係相對於圊3中 所示之參考平面RP1&RP2定義。厚度d〇、di、^及七係固 定設計參數,即與圖3中之x,y座標無關。反之,厚度…及 V2係X及y之非固定函數,或等於卩及㊀。此等空間變化厚度 v,&v2係稱作表面形狀函數。表面形狀函數…與h一般定& 相對於參考平面RP1&RP2之個別表面的非球面或 形狀。 坦 沿一平行光軸0A傳播之光線的光學路徑包括一光與 徑長度OP ’其由以下給定 +路 OP = nd0 + «V, + (^ _ V,) + V, + n(d2 - v2) + nd}^ 真中η係該等元件el 1及EL2之材料的折射率。 光學路徑OP之空間可變部分〇户往 又丨刀^%ar係由表面形狀 及"2決定: 口数、 0Pv« = («-iXv, -V2) ο (2)
以下,相對於圖!之\7座標定義極座標口與㊀;卩係心 面中之一點的徑向座標,且㊀係該點 W 门’土1^ 衣面形扯 函數可依此等極座標描述: 〜狀 V, = ν,(ρ^), ν2=ν2(Αθ) 。 (3) 以下,當非球面S1及S2旋轉對準時,係假設其具有一 光軸〇Α之相同佈局(即,具有一相同高度輪廟):、——沿 的(旋轉對準)。 (4) 當元件EL2繞著光轴〇八旋轉經過一角度㈣,光學路秤 122013.doc 1361958 op之空間可變部分〇Pvar(參考方程式2),係給定為: op^ = (« - ίΧν, (ρ, θ) - ν2 (ρ, Θ + φ)) (5) 方程式5之微分性質結合如方程式(4)中表示之等式,音 味在第一近似(對於足夠小之旋轉φ有效)中,光學路徑長 度〇户var係由以下給定: (6)
光學路徑長度之此變化係與一橫越該等元件Eu及EL2 之光學波的相位)^的對應變化有關: ⑺ λ λ 3Θ 因此,在此近似中,一經過Φ之旋轉獲得一相位像差, 其與φ係線性成比例。因此,元件EL1及犯互相旋轉經過 一角度Φ,可方便地用以調整在投射透鏡之光瞳中的相位 像差。
一引致之波像差抑原則上可藉由元件EL2相對於元件 EL1之—旋轉刪,其限制條件在於係執行表面形狀函 數V2 ’以滿足以下方程式: (9) Λ δθ 其中Α係一無因次常數。藉由 ▲ 巾妖稭由選擇荨於A的互相旋轉φ,d 可變部分(9Pvar引致的相位蠻》% "日证义化% w則正具有波像差奶以 相反值: (-^) ^ ~~Wq 。 據以完成以上描述之補償的 (10) 表面形狀函數”2與v】之一具 I22013.doc 1361958 體實施例,係由以下給定 ^P^) = ^~\w<p^)de' (11) 一將一像差表示為一波相位誤差(即,波長λ之一分數) 之波像差心(ρ,Θ)係合宜地寫成正交Zernike圓多項式 Zj(p,Θ) ’且對應像差係數a』加權存在之個別Zernike多項 ' 式:
Wa^p,9) = YjaJZj(p,0) (12) (例如參見Alfred Kwok-Kit Wong"在投射顯微蝕刻中之光 學成像(Optical imaging in projection microlithography)",
Optical engineering 中之教科書,TT66 卷,2005 年,SPIE ' 出版社’美國華盛頓州Bellingham,第7.3章)。例如,使 - 用一離軸多極照明模式,由透鏡加熱引致之波像差(由 灰《lh指示)顯示出現一超出公差之有限數目的Zernike像差 作用。 • 例如’在X方向及y方向偶極照明之情況下,典型地該光 學、透鏡加熱引致像差係由一HV-像散(Z5與Z12)之結合主 導’據以該個別Zernike正交函數係: (13) (14) Ζ5 = -/βρ2 cos 2θ . Ζη =VlO(4/?4-3p2)cos20 波像差係由以下給定 lh(P^) = a5^s +a\2^\2 其中fl5與fl12係加權Zernike像差Z5及Z12之作用的加權因 子。 122013.doc -20- 1361958 接著,需用於補償之表面形狀係給定如下: νι(Ρ,θ) (α5 V6p2 +fl|2VlO(V ~3ρ2))5ιη2θ
^^“5知2 +〜顺 V ~3p”)}cos26W (15) 5-^6 +α]2^η)° 2Α(η~\) λ 2A(n-\) 為了在透鏡加熱引致像差及補償像差 方程式(〗〇)中表示),可應用如先 十衡(士 φ。 …專於A的互相旋轉 典型地’依據由一或多個個別時間常數特徵化 個指數’透鏡加熱效應具有時間相依性…範例/,: 及《丨2則係時間之函數。一般而 5 . 如'有—主導之單一丑n 呀:相依性彻,使得⑴、(。_,且同樣地 二=)=時間相依性可藉由應用— 相依互相㈣_用於像差㈣償 指數函數。 ⑽n 根據本發明之一具體實施例,提供—如、 EL 1及EL2的組合,其經組態用 、 迚之元件 用的透鏡加熱效應特徵。對於 ’ '、、式之使 j八u/極照明, ”四葉形(clover),,或,,四波”像差所 〆、 糸有由 可表示為 彡鏡引致像差’其
^LH(P>^)=auZU (16) 據以 ZM = VT0/74 sin4^ > 3.au=au(0)f(t) I22013.doc 21 (17) ^61958 因為四波像差之相當稠密的空間像差相變特徵 :使用投射系統内之習知透鏡元件操縱器來補償四:: 差。根據本發明,該像差可藉由設置具有由以下仏 面形狀的元件(類似方程式(15)),謂由應用―等。於 之時間相依互相旋轉φ來補償· V2 ⑽=w
= -i^I^(0)z“A·^)。 (18) :-元件亦可與偶極照明用以補償4波像差,其係在附 散項之修正後剩餘的主要像/差’如以上所述。 應注意到Zernike多項式為有多種定義,例如正規化及未 正規化’及不同計算編號产案 '然而,本發明的功能不取 ,於“知多項式之特定,定義,非另行指定,否則以上 提出之解釋假設以下定義: Z2: p.cos(G) Z3: p. sin(0) Z4: 2·ρ2-1 Z5: p2.cos(2.6) Z6: p2.sin(2.6) Z7: (3.p3-2.p).cos(0) Z8: (3 .p3-2.p).sin(0) Z9: 6.p4'6.p2 + 1 Z12: (4. p4-3 . p2).cos(20) Z13: (4.p4-3.p2).sin(20). 122013.doc •7 •7 Ζ17: P4-c〇s(40) Ζ18: P4-sin(40) Ζ28: (6.P6-5.p4).cos(4e) Ζ29: ’ (6.P6-5.p4).sin(40)。 .-依據本發明之一具體實施例將像差修正裝置整合至例如 圖1中所不之微影裝置,係如以下參考圖4所述。該裝置具 有一控制系統20 ,其控制及協同整個裝置,包括照明及投 射系統中之可調整元件。該控制系統中包括一輪入區段 21,其接收關於所需照明模式(其將由調整器八〇實施)之資 Λ,及在圖案化元件(如遮罩)MA中執行之圖案的形式。此 資訊被傳遞給計算區段22 ’其包括投射系統之_數學模 型,或一套經驗性規則,使得能計算在投射系統中各處之 局部光束強度、將造成之吸收及透鏡加熱、將因此弓I致的 像差、及將會需要應用之修正。進行此計算之軟體係已 知。所需修正被傳遞至控制器23,其控制致動器以調整像 差修正裝置10,及任何可設置在投射系統PL内之 可變透鏡元件。 Μ _田方便時,欲應用之透鏡加熱修正可在可用之可變透铲 元件VLE及像差修正裝置1〇間區分,例如低階修正: 可變透鏡tl件VLE應用,而高階修正則藉由像差修正』置 1 〇。透鏡加熱修正可結合欲廡 又 0奴應用之其他修正且可隨時間變 化。修正的計算可即時或離線事先進行。 可設置多個像差修正裝置 展罝10此專裝置可同時定位在招 射光束之路徑中及/或可換。 女以上所述,.像差修正裝 1220I3.doc -23- 1361958 置10最好置於投射系統之光瞳 有多個光睦平面,盆中任何或所右^罪近其,在該處係 置10。 ’、中任何或所有平面可具有像差修正裝 雖然本文中特^參考製造積體電路時使用的微影裝置, 應瞭解在此所述之微影裝置可有其他應用’例如製造效人 型光學系統、導引和傾測圖案用於磁域記憶體、平面= 欣日日顯不益(LCD)、薄膜磁頭等。孰習 者應瞭解,就此料代應用而言,在此使料名^術 t,:晶可被分別視為更-般化名詞,,基板"或"目標部分” 6门義d。本文所提到的基板可在曝光之前或之 (通常可將一光阻層施加於基板並顯影二 〜,、)、度量衡工具及/或檢驗工具中進行處理。 :工二本文之揭示内容可應用於此類及其他基板處 。此外,例如為了產生—多層積 :::rr’因此本文所使用之名詞"基板”亦= 包3夕個已處理層的基板。 施二然以上已特別參考在光學微影背景中本發明之具體實 =的❹,但應瞭解本發明可心其他應用,例如塵; =二且只要該背景允許’並不限定於光學微影。在料 宏—圖案化元件中的佈局定義該基板上所建立的圖 =可將該圖案化元件之佈局麼於供應給該基板之一光阻 :中’其上該光阻係藉由施加電磁輻射、熱、屢力或其組 ;固化。在該光阻固化後,從該光阻移除該圖案化元 件’而在其中留下—圖案。 122013.doc •24· 1361958 本文所用名詞”輕射”以及"光束"涵蓋所有類型的電磁輕 射,包括紫外線(UV)輻射(如波長約為365、355、24卜 193、157或126奈米)及遠紫外線(EUV)輕射(如具有5至2〇 奈来之範圍内的波長),以及粒子束,例如離子束或電子 束。 當允許時,名詞"透鏡"可表示各類光學組件之任一也件 或組合,包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學组件。 儘管以上已說明本發明之特定具體實施例,但應明白本 發明可用所述以外之苴他方忐杳 ”他W貫施。例如’本發明可採取 以下形式:-電腦程式’其包含描述如上所揭示方法的機 器可讀取指令之一或多個序列;或一資料儲存媒體(例如 +導體記憶體、磁碟或光碟)’其具有儲存於其中的此— 電腦程式。 以上所述旨在說明而非限制。因此,熟習此項技術者將 明白,可依照說明對本發明進行修正,而不會脫離下列申 请專利範圍所提出之範疇。 【圖式簡單說明】 上面已僅藉由舉例方式並參考隨附圖式說明本發明之呈 體實施例,其中對應的參考符號指示對應部分,且立中:、 圖1說明一根據本發明之一具體實施例的微影裝置、;. 圖2A至D說明填有某些曝光類型之光瞳; 件圖:說明-依據本發明之-具體實施例的可調整透鏡元 圖4說明在圖!之裝置中的選擇控制及光學配置。 122013.doc ‘25· 1361958
【主要元件符號說明】 10 像差修正裝置 20 控制糸統 21 輸入區段 22 計算區段 23 控制器 AD 調整器 B 輻射光束 BD 光束傳遞系統 C 目標部分 CO 聚光器 ELI 光學元件 EL2 光學元件 IL 昭明$ IF 位置感測器 IN 積分器 Ml 遮罩對準標記 M2 遮罩對準標記 ΜΑ 遮罩/圖案化器件 MT 支撐結構/遮罩台 OA 光轴 PI 基板對準標記 P2 基板對準標記 PL 投射系統 122013.doc -26- 1361958 PM 第一定位器 PW 第二定位器 SI 非球面 S2 非球面 SO 輻射源 VLE 可變透鏡元件 W 晶圓/基板 WT 基板台/晶圓台 RP1 參考平面 RP2 參考平面 122013.doc 27-
Claims (1)
1. 1. 、申請專利範園·· 第096125121號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(1GG年12月)23(} 一種微影裝置,其包含: 一投射系統,甘6 A 用以脾固 複數個光學元件,該系統經組態 用以將一圖宏 〜 上,、射光束投射至一基板之一目標部分 置包含Γ —置於其内之像差修正裝置,該像差修正裝 第-修正光學元件,其具有一第_表面,該第一 面八有繞—軸線非旋轉對稱的一第一形狀; —第二修正光學元件’其具有-第二表面,該第二 表面具有-第二形狀,該第二形狀實質上與該第一形 狀互補;及 致動态,其係配置以調整相對於該第一及第二修 正光學元件之該軸的相對旋轉位置;及 控制電路,其係配置以控制該致動器以將該第一及 第一修正光學元件定位在一相對旋轉位置處,以至少部 分補償由於吸忮來自該輻射光束之能量,造成該複數個 光學疋件中之一或多個的溫度改變之效應所引致的一像 差。 2. 如請求項1之裝置,其中該第一形狀係實質上由一 Zernike多項式或複數個2打出]^多項式的一和來描述,該 多項式或一多項式具有至少一項含有4或更高乘冪的p, 或由—大於或等於2之整數相乘的θ,其中卩與0係極座 標。 3. 如請求項1之裝置’其中該第一形狀係實質上可由自包 122013-1001223.doc 含以下各項組成之群組内中 甲選出的一Zernike多項式或複 數個Zernike多項式的-和來描述: Z12. (4.p4-3.p2).cos(2Q) Z13: Z17: Z18: Z28: 229: (4.p4-3.p2).sin(20) P4-c〇s(40) p4.sin(40) (6.p6-5.p4).cos(40) (6.p6-5.p4).sin(40) 如請求項1之裝置,豆推 ^ ^ A 仆分妓 以《進—步包含-照明系統及-圖案 該圖宰化該照明系統係配置以用—可控制照明模式照明 :二 且該圖案化元件係配置以將-圖案賦予 口乂 ’光束,其中該控制電路包含: 區段,其係、配置以接收欲用於—曝光過程之該 圖案及该照明模式之資訊;及 十算區奴,其回應於該圖案及該照明模式之資訊, =置以計算用於該第一及第二修正光學元件之:相 的:像:置’以至少部分補償由溫度改變之效應所引致 5. 一種微影裝置,其包含: 技射系統’其包含複數個光學元件,該系統經組態 :以將一圖案化輻射光束投射至一基板之一目標部分 上’且具有—置於其内之像差修正裝置該像差修 置包含: -第-修正光學元件,其具有一第一表面,該第一 I22013-1001223.doc 1361958 、有、爽軸線非旋轉對稱的一第一形狀; 第-修正光學元件,其具有一第二表面,該第二 表面且有_皆一 、 弟二形狀,該第二形狀實質上與該第一形 狀互補;及 ―固持機構,其係配置以將該第一及第二修正光學 凡件固持在—相對於該轴之所需相對旋轉位置,其中 。玄像差修正裝置係位在該投射纟統之 或其附近。 處 6. 一種像差修正裝置,其包含: 第正光學凡件,其具有一第一表面,該第—表 面具有繞—軸線非旋轉對稱的-第-形狀; -第二修正光學元件,其具有一第二表面,該第二表 面具有一第二形狀,該第二形狀實質上與該第-形狀互 補;及 氺办狀互 一固持機構’其係配置以將該第-及第二修正光學元 件固持在—相對於該軸之所需相㈣轉位置,其中 該第一形狀係實質上由一 Zernike多項式或複數個 Z_ke多項式的一和來描述’該多項式或該多項式之一 具有至少-項含有4或更高乘幂的p,或由—大於或等於 2之整數相乘的θ,其中口與㊀係極座標。 7. 一種像差修正裝置,其包含: 一第一修正光學元件,其具有—第—表面,言亥第—表 面具有繞一軸線非旋轉對稱的一第一形狀; 一第二修正光學元件,其具有一第二表面,該第二表 122013-1001223.doc 面具有—第二形狀,該第二形狀實質上與該第一形狀互 補;及 一固持機構,其係配置以將該第一及第二修正光學元 件固持在一相對於該軸之所需相對旋轉位置,其中 該第一形狀係實質上由自包含以下各項組成之群組内 中選出的一Zernike多項式或複數個Zernike多項式的一和 來描述: Zl2: (4.p4.3.p2).c〇s(20) Zl3: (4.p4-3.p2).sin(20) Z17: p4.cos(40) Z18: p4.sin(40) Z28: (6.p6-5.p4).c〇s(40) Z29: (6.p6-5.p4).sin(40)。 一種器件製造方法,其包含使用—投射系統將—圖案化 之輻射光束投射至-基板上,該投射系統包含複數個已 組態之光學元件,該方法包含: 在該投射系統中提供-像差修正裝置,該像差修正 置包含: ~ …… ^ 双囬,該第 表面具有繞一軸線非旋轉對稱的一第一形狀;及 一第二修正光學元件,其具有一第二表面,該第 表面具有一第二形狀,該第二形狀實質上與該第一 狀互補;及 ' X 將該第一及第二修正光學开杜 元于70件6免疋在一相對旋轉位 122013-1001223.doc •4· 1361958 處,以至少部分補償由於吸收來自該輻射光束之能量, 造成該複數個光學元件中之一或多個的溫度改變之效應 所引致的一像差。
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Families Citing this family (39)
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WO2008040494A1 (en) * | 2006-10-02 | 2008-04-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Method for improving the imaging properties of an optical system, and such an optical system |
DE102007062265A1 (de) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv für die Lithographie |
US8237913B2 (en) * | 2007-05-08 | 2012-08-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
DE102008011501A1 (de) * | 2008-02-25 | 2009-08-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zum Betreiben eines Beleuchtungssystems einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102008001892A1 (de) * | 2008-05-21 | 2009-11-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches System für die Mikrolithographie |
NL1036905A1 (nl) * | 2008-06-03 | 2009-12-04 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
CN101609261B (zh) * | 2008-06-16 | 2011-07-06 | 南亚科技股份有限公司 | 一种曝光的方法 |
DE102008043243A1 (de) * | 2008-10-28 | 2009-10-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie sowie Verfahren zum Verbessern der Abbildungseigenschaften eines Projektionsobjektivs |
NL2003806A (en) * | 2008-12-15 | 2010-06-16 | Asml Netherlands Bv | Method for a lithographic apparatus. |
JP5312058B2 (ja) * | 2009-01-19 | 2013-10-09 | キヤノン株式会社 | 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101675380B1 (ko) | 2010-02-19 | 2016-11-14 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 보정방법 및 그를 이용한 반도체 제조방법 |
CN102236260B (zh) * | 2010-04-27 | 2013-05-22 | 上海微电子装备有限公司 | 一种波像差校正系统与方法 |
WO2012097833A1 (en) * | 2011-01-20 | 2012-07-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method of operating a projection exposure tool |
NL2008285A (en) * | 2011-03-11 | 2012-09-12 | Asml Netherlands Bv | Method of controlling a lithographic apparatus, device manufacturing method, lithographic apparatus, computer program product and method of improving a mathematical model of a lithographic process. |
US8625078B2 (en) * | 2011-04-06 | 2014-01-07 | Nanya Technology Corp. | Illumination design for lens heating mitigation |
US8736814B2 (en) * | 2011-06-13 | 2014-05-27 | Micron Technology, Inc. | Lithography wave-front control system and method |
CN102368114A (zh) * | 2011-11-15 | 2012-03-07 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 基于波像差检测的光学系统面形补偿装调方法 |
NL2010196A (en) * | 2012-02-09 | 2013-08-13 | Asml Netherlands Bv | Lens heating aware source mask optimization for advanced lithography. |
US10133184B2 (en) | 2012-04-25 | 2018-11-20 | Nikon Corporation | Using customized lens pupil optimization to enhance lithographic imaging in a source-mask optimization scheme |
JP6410406B2 (ja) * | 2012-11-16 | 2018-10-24 | キヤノン株式会社 | 投影光学系、露光装置および物品の製造方法 |
JP2014120682A (ja) * | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Canon Inc | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
DE102013204572A1 (de) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage mit hochflexiblem Manipulator |
KR101992711B1 (ko) | 2013-06-21 | 2019-06-25 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 기판, 마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 이들의 제조방법, 그리고 반도체 디바이스의 제조방법 |
CN103322942A (zh) * | 2013-07-15 | 2013-09-25 | 中国科学院光电技术研究所 | 基于波像差的光学系统各光学件面形的检测方法 |
JP6381210B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2018-08-29 | キヤノン株式会社 | 光学素子ユニット、回転方向の相対位置の調整方法、露光装置、物品の製造方法 |
WO2016087177A1 (en) * | 2014-12-01 | 2016-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Projection system |
JP6422307B2 (ja) * | 2014-11-05 | 2018-11-14 | キヤノン株式会社 | 露光方法、露光装置、および物品の製造方法 |
WO2016087142A1 (en) * | 2014-12-02 | 2016-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic method and apparatus |
WO2016098452A1 (ja) | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、マスクブランク及びこれらの製造方法、転写用マスクの製造方法並びに半導体デバイスの製造方法 |
JP6730850B2 (ja) * | 2016-06-01 | 2020-07-29 | キヤノン株式会社 | 露光条件の決定方法、プログラム、情報処理装置、露光装置、および物品製造方法 |
JP6971637B2 (ja) * | 2016-06-29 | 2021-11-24 | キヤノン株式会社 | アタッチメント光学系、撮像光学系、および、撮像装置 |
WO2018028971A1 (en) * | 2016-08-11 | 2018-02-15 | Asml Holding N.V. | Variable corrector of a wave front |
JP6445501B2 (ja) * | 2016-09-20 | 2018-12-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィのための投影露光ツールを作動させる方法 |
CN106405869B (zh) * | 2016-12-14 | 2019-06-14 | 北京耐德佳显示技术有限公司 | 可调节焦距的透镜组 |
WO2019057583A1 (en) * | 2017-09-20 | 2019-03-28 | Asml Netherlands B.V. | CONTROL SYSTEM FOR LITHOGRAPHIC APPARATUS |
KR102678312B1 (ko) | 2018-10-18 | 2024-06-25 | 삼성전자주식회사 | Euv 노광 장치와 노광 방법, 및 그 노광 방법을 포함한 반도체 소자 제조 방법 |
JP2019070812A (ja) * | 2018-11-29 | 2019-05-09 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィのための投影露光ツールを作動させる方法 |
JP7178932B2 (ja) * | 2019-03-12 | 2022-11-28 | キヤノン株式会社 | 露光装置、および物品製造方法 |
KR20240055798A (ko) | 2021-09-01 | 2024-04-29 | 코닝 인코포레이티드 | 변형 가능 렌즈 플레이트를 사용한 배율 조정 가능 투사 시스템 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7656504B1 (en) * | 1990-08-21 | 2010-02-02 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus with luminous flux distribution |
JP3341269B2 (ja) | 1993-12-22 | 2002-11-05 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、露光方法、半導体の製造方法及び投影光学系の調整方法 |
JPH10142555A (ja) * | 1996-11-06 | 1998-05-29 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3303758B2 (ja) * | 1996-12-28 | 2002-07-22 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
US6235438B1 (en) * | 1997-10-07 | 2001-05-22 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
JP3306772B2 (ja) * | 1998-07-01 | 2002-07-24 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP2002175964A (ja) | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Nikon Corp | 観察装置およびその製造方法、露光装置、並びにマイクロデバイスの製造方法 |
JPWO2002052620A1 (ja) * | 2000-12-22 | 2004-04-30 | 株式会社ニコン | 波面収差測定装置、波面収差測定方法、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
DE10140608A1 (de) * | 2001-08-18 | 2003-03-06 | Zeiss Carl | Vorrichtung zur Justage eines optischen Elements |
JP2004281697A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Canon Inc | 露光装置及び収差補正方法 |
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