TWI360271B - Drive laser for euv light source - Google Patents

Drive laser for euv light source Download PDF

Info

Publication number
TWI360271B
TWI360271B TW096118947A TW96118947A TWI360271B TW I360271 B TWI360271 B TW I360271B TW 096118947 A TW096118947 A TW 096118947A TW 96118947 A TW96118947 A TW 96118947A TW I360271 B TWI360271 B TW I360271B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
laser
pulse
gas
expander
gain medium
Prior art date
Application number
TW096118947A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200807827A (en
Inventor
Alexander I Ershov
Alexander N Bykanov
Jerzy R Hoffman
Igor V Fomenkov
William N Partlo
Original Assignee
Cymer Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cymer Inc filed Critical Cymer Inc
Publication of TW200807827A publication Critical patent/TW200807827A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI360271B publication Critical patent/TWI360271B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
    • H01S3/2316—Cascaded amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
    • H05G1/08—Electrical details
    • H05G1/26—Measuring, controlling or protecting
    • H05G1/54—Protecting or lifetime prediction
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0057—Temporal shaping, e.g. pulse compression, frequency chirping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/2232—Carbon dioxide (CO2) or monoxide [CO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

1360271 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域3 發明領域 本發明係主張於2006年6月14日申請在先之美國專利 5申請案第11/452,588號的優先權。本發明係有關於在2006 年2月21日申請在先之共同審查中的美國專利申請案第 11/358,988號，其標題為「帶有前脈衝之雷射產生電漿EUV 光源」、於2005年8月9日頒給韋伯（Webb)等人，標題為「長 延遲與高TIS脈衝伸展器」的美國專利第6,928，〇93號、2006 10年3月31日申請，標題為「共焦脈衝伸展器」之美國專利申 請案第 11/394,512號(律師簽號2004-0144-01)、2005年5月 26 曰申靖，且標題為「用以在一雷射成形作為一線光束以及 一沈積於一基板上的薄膜之間實行互動之系統與方法」之 美國專利申請案第丨丨/^⑻丨號、以及2〇〇2年5月7日申請， 標題為「具有光束傳遞性之雷射微刻光源」的美國專 利申請案號（現在成為美國專利第第6 693 939 说）’各案之揭露内容係併入本文中以做為參考之用。 本發明係有關於用以產生雷射光之系統與方法，其能 夠應用之領域包括但未限定於照射—目標材料，以便產生 20 一紫外光，例如波長約為50奈米左右與更短之光線。 發明背景 極端紫外光(EUV)，例如波長約為5〇奈米或更短之電磁 輻射（有時亦稱之為弱X射線），以及包括波長為或約為13·5 5 奈米的光線能如於光微影_程序，以便在基板(例 晶圓）中產生極度細微的特徵。 產生EUV紐之方法包括但未必限定於：將—材 換成為-《狀態’該材料帶有—具有屬於刪範圍 射譜線的元素(例如氤、鋰或錫在通常專稱為 聚(LPP)之其中-此方法中，所需電浆能夠藉由以―雷射： 束照射-目標物材料，諸如具有所需譜線發射元素的材料 之一液滴、蒸汽或簇加以產生。 LPP以及其他高能量雷射應用通常需要—符合特定雷 射輸出需求之雷射光源。這些需求可能包括功率（或者在一 脈衝雷射中則為脈衝能量以及重複率）、脈衝期、光束品質 以及波長…般而言’亦希望對於初始雷射成本、雷射操 作成本、可靠性以及轉換效率(例如，EUV功率輸出對於電 能輸入的比值)進行最佳化。例如，且其並非作為限制，一 特定之LPP構造(例如使用錫目標物）能夠使用波長為1〇 6微 米，脈衝期為2G〜15G奈秒，且脈衝能量約為⑽微焦耳㈣) 之光線有效率地加以運作。 有此觀念之後，申請人揭露用以有效率地生產具有上 述特徵之雷射光的系統與方法，同時文中所提供之學說能 夠延伸到雷射総的設計，以便產生其他特定之雷射輸出 特徵。 C發明内容j 發明概要 在一實施例之一第—觀點中，一雷射光源能夠包括： 1360271 ο . 一產生一輸出光束之雷射振盪器、一將輸出光束增強，以 便產生一第一增強光束之第一擴大器、以及一將該第一增 強光束增強’以便產生一第二增強光束之第二擴大器。對 此觀點而言’該第一擴大器能夠具有一增益介質，其特徵 5係在於一飽和能量（Es>1)以及一微小訊號增益（g(M);且該第 一擴大器能夠具有一增益介質，其特徵係在於一飽和能量 (Es,2)以及一微小訊號增益（gQ2)，並且(gG,i)>(gQ2)，另外 〉（Es，i)。雷射光源能夠進一步包含一將該第二增強光束增 強’以便產生一第三增強光束之第三擴大器，該第三擴大 ίο器具有一增益介質，其特徵係在於一飽和能量(Es3)以及一 微小讯號增益(8〇,3)，並且(§〇，1)>(8〇,2)>^〇,3)，另外(匕3)> (ES，2)>(ES，丨）。 15 在一實施例中，該第一增益介質能夠包含一具有一第 一氣體成分之氣體，且在一特定實施例中，該第二擴大器 增益介質能夠包括一具有與該第一氣體成分不同之一氣體 成分的氣體。在一實施例中，該第一擴大器增益介質可為 氣體壓力為P〗之一氣體，且該第二擴大器增益介質可為氣 體壓力為匕的-氣體，且P| — p2。對於任一上述實施例而 言，該氣體能夠包含二氧化碳(C〇2)。 20 在雷射光源之另一觀點中，該雷射振盪器可為例如一 模式鎖定雷射振盪器、q開關雷射振盪器或是其他傾腔式雷 射振盪器。在一特定實施例中，雷射光源能夠進一步包含 -時態脈衝伸展器。在—種設置中，該時態脈衝伸展器係 佈置成接收來自於振盪器之雷射脈衝，並藉以產生伸展之 7 1360271 脈衝，用以藉由一擴大器進行增強。 在一實施例之另一觀點中，一EUV光源能夠包含〜產 生含有一EUV譜線發射元素之液滴的液滴產生器、以及〜 雷射光源’其用以照射液滴，以便產生一 EUV放射。對於 5 EUV光源而言’該雷射光源能夠包含一產生雷射脈衝之雷 射振盪器、一伸展雷射脈衝之時態脈衝伸展器 '以及一増 強雷射脈衝之擴大器。在一特定實施例中，該擴大器可為 一增強脈衝’以便產生一第一增強光束之第一擴大器，該 第一擴大器具有一增益介質，其特徵係在於一飽和能量（Esl) 10 以及一微小訊號增益（g(M);且該EUV光源能夠進一步包含 一增強該第一脈衝’以便產生一第二增強光束之第二擴大 器’該第二擴大器具有一增益介質，其特徵係在於一飽和 能量（Es，2)以及一微小訊號增益(g〇,2)，並且(g〇,丨）>(g〇2)，另 外(Es，2)>(EsJ)。例如，EUV譜線發射元素可為錫。在一特 15定實施例中’該雷射振盈器能夠產生雷射脈衝，其具有一 範圍為10〜30奈秒之脈衝期，且該時態脈衝伸展器能夠產 生具有範圍為50〜150奈秒之脈衝期的雷射脈衝。 一實施例之觀點亦能夠包括一種用以產生雷射光線之 方法，該方法包含之動作且/或步驟為··產生一種子雷射光 20束、使用一第一增益介質增強該種子光束，以便產生一第 一增強光束’該第一增益介質之特徵係在於一飽和能量(Esl) 以及一微小訊號增益(go，1)、以及使用一第二增益介質增強 該第一增強光束，以便產生一第二增強光束，該第二增益 介質之特徵係在於一飽和能量〇Es，2)以及一微小訊號增益 8 1360271 w (g〇,2) ’ 並且(g〇,l)〉（g〇,2)，另外(Es,2)>(Es，l)。 本發明之一實施例的另一觀點其特徵係在於包含：一 EUV光源，其具有一材料，該材料含有例如錫之一EUV譜 線發射元素、一至少一種雷射脈衝(例如C〇2雷射）光源、一 脈衝伸展器，其修正脈衝之形狀，以便使脈衝具有至少三 個尖峰。該伸展器具有一界定出尖峰之相對強度的分束器
以及一建立尖峰之時態分隔的延遲路徑。選擇以經過修正 之脈衝形狀照射材料，並且產生一EUV ’其強度大於未設 置脈衝伸展器所產生的EUV強度。在一實施例中，修正光 1〇束之一第一尖峰具有低於該修正光束的其他尖峰之強度， 且在一特定實施例中，該第一尖峰之一個或更多參數係加 以選擇，以一前脈衝照射該材料，以便在空間上擴展譜線 發射7L素，供第二尖峰之後續照射使用。在一實施例中， 脈衝伸展器可為一無偏移脈衝伸展器，且在一特定佈置 °亥脈衝伸展器能夠將各個脈衝尖峰佈置於離開伸展器 之不同路徑’且該材料可為液滴之形式。 圖式簡單說明 20 第1圖顯示用於根據本發明之一觀點的雷射產生電聚 光源之一整體廣義觀念的一概略圓； 圖顯不_雷射光源之—實施例，其包括—振盡器單 兀以及一擴大器單元； 第3圖顯示-雷射光源之另—實 單元、一拉丹包括一振盪态 時L脈衝伸展器以及一擴大器單元； 第3A圖顯示_能夠使用—脈衝伸展 器所獲得之第 脈 9 衝形狀； 第3B圖顯示能夠使用-脈衝伸展器所獲得之另一脈衝 形狀； 第3C圖顯示能夠使用-脈衝伸展器所獲得之另一脈衝 5 形狀； 第3D圖顯示-脈衝伸展器，其具有—光學校準，以致 於使各個後續離開伸展器之脈衝尖峰沿著—稍微不同的路 徑加以引導； 第4圖顯示一擴大器單元之一範例，其具有兩個成串列 10佈置之擴大器’ 5玄擴大器單元適合用於第2圖或第3圖中之 實施例； 第5圖顯示對於一種具有相對局微小訊號增益以及相 對低飽和能量的8公尺之增益介質的計算所得E〇ut對Ein之曲 線、對於一種具有相對低微小訊號增益以及相對高飽和能 15量的8公尺之增益介質的計算所得曲線，以及總增 益介質長度Li+L2=8公尺之兩個串列擴大器的計算所得 對Ein曲線’且該第一擴大器具有一相對高微小訊號增益以 及相對低飽和能量，而一第二擴大器則具有一增益介質， 其具有一相對低微小訊號增益以及相對高飽和能量；及 2〇 第6圖顯示一具有三個串列佈置擴大器之擴大器單元 的一範例’該擴大器單元適用於第2圖或第3圖中之實施例。 【實施方式】 較佳實施例之詳細說明 首先參考第1圖，圖中顯示一根據本發明之一觀點的示 10 範圆V光源(例如-雷射產生EUV光源)2〇之概略圖。如第 圖中及X下進一步之詳細說明所示，該LPP光源20能包 括一來源22 ’其用以產生光脈衝’並且將該光脈衝傳遞進 到一腔室26。如以下之詳細說明’光脈衝能夠沿著一個或 更多來自於來源22之光束路徑行進，並且進入腔室26，以 便照射一個或更多的目標物體積。 如第1圖進一步顯示，光源20亦能夠包括一來源材料運 送系統24，例如將一來源材料之液滴運送進入一腔室26的 内部到達一目標體積28，來源材料於該處接受一個或更多 光脈衝之照射(例如一前脈衝以及接續的主脈衝），以便產生 一電漿，並且產生一EUV發射。來源材料能夠包括(但未限 定於）一種包括錫、鐘、氙、或其混合物之材料。該EUV發 射元素（例如錫、鋰、氙等等）可為液滴之形式且/或包含於 液滴中之固體顆粒，或者是任何其他將Euv發射元素運送 到目標體積之形式。 繼續參考第1圖，光源20亦能夠包括一聚光鏡30(例如 一反射器）’其形式可為例如一具有交替的鉬層與矽層之截 頭橢圓形多層鏡片，並帶有一孔徑，以便容許藉由來源22 所產生之光脈衝通過，並到達目標體積28。聚光鏡30可為 例如一橢圓鏡，其具有一個位於目標體積28内或是接近該 目標體積之第一焦點、以及一個位於所謂的中間點4〇(亦稱 之為中間焦點40)之第二焦點，EUV光線於該處能夠自光源 20輸出，並輸入到例如一積體電路光微影蝕刻工具（未顯 示）。 1360271 光源20亦能夠包括一EUV光源控制器系統60，其亦能 夠包括一發射控制系統65，用以觸發一個或更多位於來源 22中之燈泡且/或雷射源，藉以產生用以送入腔室26之光脈 衝。光源20亦能夠包括一液滴位置偵測系統，該系統能夠 5 包括一個或更多的液滴成像器70，其提供一指示一個或更 多液滴相對於例如目標體積28之位置的輸出，並且將此輸 出提供給一液滴位置偵測回饋系統62，該系統能夠例如計 算出一液滴位置與軌跡，由此能夠例如以液滴做為基準或 是平均之方式計算出一液滴的液滴誤差。液滴誤差接著能 10 夠提供作為對於光源控制器60之一輸入，其能夠例如對於 來源22提供一位置、方向與計時校正訊號，用以控制一來 源計時電路且/或控制一光束位置以及成形系統，以便改變 例如傳遞到腔室26之光脈衝的位置且/或焦度。 如第1圖中所示，光源20能夠包括一液滴運送控制系統 15 90，該系統能夠運作，用以反應來自於系統控制器60之一 訊號(在某些實施方式中可包括上述之液滴誤差，或者在某 些實施方式中為由其衍生出之數量），以便例如修正來自於 一液滴運送機構92之來源材料的釋放點，用以修正到達所 需目標體積28之液滴中的誤差。 20 第2圖顯示一來源22之實施例，其包括一振盪器單元 200以及一擴大器單元202。例如，振盪器單元200能夠包括 一脈衝氣體放電C02、受激準分子或是分子氟雷射振盪器， 且擴大器單元202能夠包括一個或更多構造做為振盪器或 單/雙通式擴大器的氣體放電C02、受激準分子或是分子氟 12 1360271 雷射單元，該等位於擴大器單元202中之雷射單元能夠以並 聯或串聯方式加以佈置。 第3圖顯示一來源22’之另一實施例，其包括一振盪器 單元200’、一時態脈衝伸展器3〇〇以及一擴大器單元2〇2,。 5更多有關於時態脈衝伸展器之細節能夠在2005年8月9曰頒 給韋伯（Webb)等人，標題為「長延遲與高TIS脈衝伸展器」 的美國專利第6,928,093號、2006年3月31日申請，標題為「共 焦脈衝伸展器」之美國專利申請案第11/394,512號(律師簽 號2004-0144-01)、2005年5月26曰申請，且標題為「用以在 1〇 -雷射成形作為-線光束以及—沈積於—基板上的薄膜之 間實行互動n統與方法」之美國專射請案第11/138,〇〇1 號(律師簽號2004-0128-01)、以及2002年5月7日申請，標題 為「具有光束傳遞性之雷射微影钮刻光源」力美國專利申 請案iomi，2i6號（現在成為美國專利第第6,693,939號）中 】5發現’各案之揭露内容係以參考方式併入本文中。典型而 言，這些光學脈衝伸展器包括一分束器3〇2，其使光权一 部^通過-延遲路徑304,使得離開伸展器之脈衝形狀能夠 藉者選擇適當的分束器反射性以及延遲路徑長度而加以控 制。具體而言，脈衝伸展器300接受通常具有一單獨尖峰(亦 即在強度對於時間的標繪圖中）之一輸入脈衝，並輸出一且 有複數個時態分隔尖峰之脈衝。如圖所示，該伸展器3〇〇大 體上並不會產生衰減。對於脈衝尖峰係為一共用光束路徑 上之所有輸出的案例而言，該脈衝伸展器在文中係稱之為 一無偏移脈衝伸展器。對於第3圖中所示之佈置而言，伸展 13 1360271 益300之組件能夠加以對齊，以致於使脈衝伸展器成無偏移 伸展器。 5 對於伸展器而言，分束器之反射性將會影響輸出尖峰 的相對強度，且延遲路徑之長度能夠建立尖峰之間的時態 間隔。因此，輸出脈衝形狀能夠藉著適當地選擇分束器反 射性以及延遲路徑的長度加以設計。 、此外，在某些案例中，輸出脈衝形狀能夠進行最佳化， 、便增加EUV輸出且/或轉換效率（亦即輸出Euv功率董子於 10 UV光源輸人功率的比率)且/或較低的來源材料消耗（亦印 ^肖耗）’且/或降低電聚腔室中不希望形成之副產品(例如 ，片）’其可能損害或是降低各種電漿腔室光學元件(例如於 片、窗口等等）之操作效率。 兄 勹 寺疋脈衝开)狀對於某些應用而言可能相當理想， 15 =括如第3Α與3Β圖中所示之—前脈衝尖峰之後跟著二 的主脈衝尖峰。更詳細而言，f3A圖顯示—離開— 展裔之脈衝31〇的形狀，其中分束器之反射性係加 擇，以致於使第二尖峰312之強度大於第—尖峰314 钇係加以選擇，以致於使最前的兩個央峰隔開—段 20 =&夠體胡的是，對應尖峰312之—尾跡與對應尖峰 、=尾跡重疊，且因此該兩尖峰係為相同脈衝之部分。 ^說月之目的’第3b圖顯示一離開—脈: 31〇,的拟站甘淑 脈衝 ' ，，、中分束器之反射性係約略等於對應第3a '分束器’且因此第二尖峰312’之強度係大於第— 14 ’但是其使用—較長的延遲路徑長度’而現在該兩個 14 1360271 尖峰之間係隔開-段時間t2，且t2>ti。另_方面第冗圖 顯示（同樣為求說明之目的）—離開—脈衝伸展器之脈衝 310”的形狀，其中分束器之反射性係小於對應第3α圖的分 束器，且因此第二尖峰312”之強度係小於第—尖峰314”。 注意到的是，脈衝3丨〇，，之延遲路徑長度係大約等於脈衝3工〇 的延遲路徑長度，產生一尖峰間隔時間t3，且t3=ti。因此， 第3A圖顯示藉由改變分束器反射性以及延遲路經長度，便 能夠產生—範圍寬廣的脈衝形狀。
使用—前脈衝以便增加EUV功率且/或轉換效率且/或 10降低消耗/碎片之細節能夠在2006年2月21曰申請在先之共 同審查中的美國專利申請案第丨丨/358,988號，標題為「帶有 前脈衝之雷射產生電漿EUV光源」（律師簽號為 2005_0085-01號）中發現，其完整内容係以參考方式併入本 文之中。在某些案例中，一前脈衝能夠用以蒸發並在空間 15上擴張來源材料(例如錫液滴），且一後續之主脈衝則用以自 該擴張之來源材料產生一 EUV發射。 依照前脈衝尖峰之強度，該來源材料在某些實施方式 中可能會形成一弱電漿。文中所使用之術語「弱電漿」及 其衍生物表示一種材料，該材料包括離子，但其離子化程 20 度少於約1%。前脈衝照射經過一段預定的時間之後，該經 照射之材料能夠暴露於一主脈衝尖峰，以便製造一電漿’ 並產生一EUV放射。例如，對於一氧化碳(CO)雷射來源以 及錫液滴而言，其適用於一個1〜10微焦耳(mJ)之前脈衝， 以及50〜400微焦耳(mJ)的主脈衝。 15 1360271 v 10 如以上所述，第3圖中所示之伸展器300能夠加以對 4，以致於使脈衝伸展器成為無偏移伸展器。或者，如第 3D圖中所示，能夠稍微改變一個或更多光學組件（亦即分束 器302’或是界定延遲路徑3〇4,的鏡片）之對齊性，以產生一 脈衝伸展器300’，以致於使各個後續的脈衝尖峰係沿著一 稍微不同的路徑加以引導。尤其是，對於伸展器3〇〇,而言， 一第一脈衝尖峰能夠沿著路徑320發射，一第二脈衝尖峰能 夠沿著路徑322發射，一第三脈衝尖峰能夠沿著路徑324發 射，一第四脈衝尖峰能夠沿著路徑326發射，諸如此類等 等。由於此佈置，脈衝之順序能夠r接續」—如顯示以方 向330移動之移動來源材料328(例如液滴或前脈衝體積）。 15 20 對於第3圖中所示之構造而言，振i器單元测，能夠包 括一雷射振盪器，例如一模式鎖定雷射振盪器、q開關雷射 振1器或是其他傾腔雷射振|器。該f射振盈器能夠提供 例如10〜3 0奈秒範圍之脈衝期（較所需時間短），接著使用脈 衝伸展器使脈衝期增長。對於某些LP p構造而言，短脈衝期 可能會限制E U V光源之轉換效率（亦即E u v輪出對於來源 材料/雷射輸人的比率）。對於某些脈衝擴大器（例如對於叫 j而言，由於CQ2分子之相同振t鍵中的旋轉線之間的2 能量交換’長脈衝之擴大性係較短脈衝（10奈秒範圍）更有效 率。使用較長的脈衝亦能夠聽-前脈衝的複雜性。對於 某些LPP構造(例如使用錫液滴）而言，—適當的脈衝期範圍 可為約2G〜18G奈秒，且在某些案例巾則為5G〜⑼夺秒。 使用脈衝伸展器亦能夠應用於其中使用1脈=構 16 1360271 造，且該前脈衝能夠通過或是繞過脈衝伸屐器3〇〇。 對於第3圖中所示之構造而言，佈置一時態脈衝伸展器 300，以便接受來自於振盪器單元2〇〇之雷射脈衝，並產生 伸展脈衝，供擴大器單元2〇2進行後續的增強擴大。此佈置 5使得擴大器單元2〇2之前的尖峰脈衝強度降低，降低了對於 擴大器單元光學物件之高強度損害。亦能夠採行其他佈 置，例如，脈衝伸展器能夠佈置於擴大器單元2〇2,中之— 個、些許或所有雷射單元的後方。 第4圖顯示具有兩個擴大器4〇〇、4〇2佈置成串之一擴大 10器單元202a、202a’的一範例，其適用於第2圖或第3圖中之 實施例。對於所顯示之擴大器單元2〇2a、202a，而言，擴大 器400能夠具有一增益介質，其特徵係在於一增益介質長度 (L丨）、一飽和能量（ESJ)以及一微小訊號增益;且擴大 器402能夠具有一增益介質，其特徵係在於一增益介質長度 15 (乙2)、一飽和能量（Es，2)以及一微小訊號增益(g(),2)。 文中所使用之術語「飽和能量」及其衍生物表示一輸 入訊號之脈衝能量’其致使一增益介質之增益減低到其初 始值的l/e(約等於37%)。 文中所使用之術語「微小訊號增益」及其衍生物表示 20 對於一輸出訊號所獲得的增益，其係相當微弱，以致於不 會導致一增益介質之任何可察覺的增益飽和。 如以上所述，擴大器4〇〇、402之增益介質能夠構造成 (g〇,i)>(g。，2)，且(Es，2)>(es1)。如以下之詳細說明，此佈置 能夠導致比具有一增益介質長度為Ll+L2之一單獨擴大器 17 產生一較大的擴大増強。此效果係藉由第5圖加以顯示，該 圖顯不對於L= 8公尺之具有相對高微小訊號増益化。=〇 9 m )以及相對低餘和能量(Es==5的增益介質之輸入能量 (Ef對輸出此1 (u曲線5⑻、L = 8公尺之具有相對低微小 5訊號增益(go=0.5 m.1)以及相對高飽和能量(Es = 25 mJ)的 增益質之Ein對E°ut曲線502、以及對於總增益介質長度 Ll+L2—8公尺之一串列佈置的兩個擴大器之Είη對Eout曲線 504，且第一擴大器具有長度L = 3公尺之增益介質，其帶有 相對阿微小訊號增益（g〇= 〇·9 m-1)以及相對低飽和能量 (s 5mJ)，且第二擴大器具有長度[=5公尺之增益介質， /、'有相對低微小訊號增益（g。= 0.5 m-1)以及相對高飽 和此:£(ES=25 mJ)。所顯示之增益參數係為對於一c〇2雷射 的典型數值。可以見到的是，圖中有相當多（亦即Ein> 0.25 mJ)的區域’顯示出該雙擴大器構造（曲線504)會較任一單獨 15擴大器構造（曲線5〇〇、502)導致一更高的Emit。尤其是，在 Ein=l mj時，雙擴大器構造具有一超過單擴大器之輸出能 置’且幾乎沿著整個曲線長度具有超過接近50%之固定參 數。因此’對於長度同樣等於8公尺之增益介質而言，雙擴 大盗構造（曲線504)會較任一單獨擴大器構造（曲線500、502) 20導致一更高的Eout。 在數學項次方面，PA之輸出能量（ΕπΟ對於輸入能量 (Ein)的比率係藉著增益介質之兩個參數加以界定：微小訊 號;增益(go)乘以介質長度⑴以及飽和能量(Es)強度。根據費 南心-諾維克(Frantz-Nodvic)式，參看例如L.M. Frantz, J· S. 18 1360271
Nodvik: J. Appl. Phys. 34,2346(1963年）： (Eu,) — 心，尽In \ + e8<f 1 ⑴ 對於諸如一 C02雷射擴大器之一射頻（RF)、直流〇)C) 或是脈衝激發氣體放電介質而言，這些參數並非獨立無 5 關。例如，在一射頻激發增益介質中，高g〇能夠使用低射 頻功率以及低壓加以獲得，而欲對於相同介質增加Es，且 相應降低go ’則能夠使用南射頻功率以及高氣體壓力。另 一個費南茲-諾維克式中並未涵蓋但同樣會影響g()與Es之參 數係為雷射介質的氣體混合物(例如二氧化碳：氮：氦的比 10 例）。因此，能夠控制包括RF功率、氣體壓力、氣體成分以 及氣體泵送速度之一些增益介質因數，以便選擇性地界定 微小訊號增益(go)乘以介質長度(丨)以及飽和能量(Es)。諸如 脈衝期以及形狀與強度分佈（例如高斯分佈等等）之輸入光 束特徵亦能夠影響參數的選擇，例如氣體壓力、成分與獲 15 得一選定微小訊號增益(go)以及飽和能量（Es)所需的激發電 壓。 對於微小輸入能量相對於飽和能量而言，（亦即Ein/Es <<1且£4/£5<<6\卩(§〇*1))，式（1)能夠近似簡化成： E0Ut=W (2) 如此意味著，對於微小輸入訊號而言，雷射輸出能量 並不會根據飽和能量而定，而係以指數方式根據(g〇l)的產 物而定。輸出能量係與輸入能量成線性正比。對於高輸入 19 20 1360271 能量而言，當Ein大約等於£5時，則對於飽和能量（Es)之依 賴會更加顯著。對此案例而言，兩項括弧中之1能夠忽略不 計，並能夠得到下式： K 卜。/ + ¾) (3) 5 當Ein/Es<gQl時，其對於長增益介質典型通常成立，式 (3)中之第二項能夠加以忽略，便會獲得下式：
Eout - Eing〇l ⑷ 10 此式顯示輸出能量達到一飽和值，其並非根據輸入能 量而定。對於較高之Ein而言，輸出能量會根據輸入能量呈 現些微偏移之線性變化，且具有較微小Ein更小的斜率。 如第6圖中所示，以上所述之原理能夠擴展到三個或更 15 多擴大器。更具體而言，第6圖顯示一具有成串列佈置之擴 大器600、602、604的擴大器單元202b、202b’之範例，其 適用於第2圖或第3圖之實施例。對於所顯示之擴大器單元 202b、202b’而言，擴大器600能夠具有一增益介質，其特 徵係在於一增益介質長度（L,)、一飽和能量（Es，〇以及一微小 20 訊號增益（g〇, 且擴大器602能夠具有一增益介質，其特徵 係在於一增益介質長度(L2)、一飽和能量（Es，2)以及一微小訊 號增益(go,2);而擴大器604能夠具有一增益介質，其特徵係 在於一增益介質長度(L3)、一飽和能量（Es，3)以及一微小訊號 增益（g〇,3) ’ 且（g〇，l) > (g〇,2)〉（g〇,3) ’ 另外（Es，3) > (Es，2) > 25 (Es，〇。如以上所述，此佈置能夠導致比具有一增益介質長 20 1360271 度為Ll+L2+L3之—單獨擴大器產生一較大的擴大增強。
為了對於—特定輸入能量之整體輸出功率（或是輸出 脈衝能f)進行最佳化，能夠使賴數侧特構造之擴大器 取代相等長度的單獨擴大器。在一特殊實施方式中，第一 5擴大器能夠構造成具有最大的可用go參數(在低壓與低強度 運作），而最後之輸出擴大器能夠構造成具有最大可用的 Esg〇l產量。中間段能夠具有逐漸增加的艮參數(從輸入到輸 出）以及逐漸減少的g。參數。擴大器之間的此-E#g。參數 最佳化會產生-雷射，其具有較相等增益介質長度之帶有 口定的g(^Es之單-擴大器高出許多的輸出能量(功率）。 15 20 對於熟州此技藝之人士而言，以上所述之本發明的實 施例之觀點僅旨在作為較佳實施例，且並不會以任何方式 限制本發明之揭露内容，尤其是將其單獨限制於—特定的 較佳實施例。對於熟諸此技藝之人士而言，能夠理解與體 認到的是’對於揭露發明之實施例的揭露觀職夠進行許 多改變與修正。所社巾請專韻圍旨在蚊範噃，且表 示涵蓋射不僅止本發明之實施例的揭露_，尚包括此 等熟諸此技藝之人切能㈣狀彳目等細及其他修正與 改變。儘管此申請案中以滿足35U.Sc 、 尤.§112所需之細節描 述與顯示的實施例之特定觀點係完全能夠達成任何上述目 的，為了上述實施例的觀點之目的或任何其他原因或藉其 解決問題’熟諳此技藝之人士將會理解_是，本發明^ 描述實施例的目前描述觀點僅為範例性、_ ^on Α ^ 不範性且代表本 發明所廣泛想見的主體物。目前响述與宣告的實施例之 21 1360271 觀點的範嘴完整涵蓋其他實施例，其對於熟諸此技藝之人 士而5可能目則已熟知或是能夠基於本說明書的學說而得 知。本發明之範嘴唯-且完全僅藉由所附申請專利範圍加 以限定，且不會超越所附申請專利範圍之列舉項目。除 5特別聲明，此等申請專利範圍中以單數形式參考一元件並 非預計表示或解釋為此宣告元件料「—個且為唯_」，而 應為「-個或更多者」。熟諳此技藝之人士已知或將會知悉 子於實域的上述觀點之任何元件的所有構造性盘功 能性相等物係以明確參考方式併入本文之中且預計由 3 說明書中且/或申請專利範圍中所 ^ 明書中且/或申請專利範圍中明確 15 字典方面或其他普遍使用義’與此一術語之任何 一事置關。卿#巾所說明之 用^並非預計或必須作為-實施例的任何觀點， 的各個或每個問題 械丄式圖解決 涵蓋。本《内容二請專利範〜 以公開，A論《方法步驟並不預計加 ]一^專利砣圍中是否明確 20 或是方法步驟。除非使用慣用語 :、，且件 明確敘述元件，或者在方法 一「步驟」而非-「動作^清況中將元件教述成為 r 」斤附申請專利範圍令之6及_ _ 件係不能視為屬於35usc § 财之旦。几 【圓式簡率說明】第六即之條款。 第1圖顯示用於根據本發明之一觀點的雷射產生電衆 22 1360271 EUV光源之一整體廣義觀念的—概略圖； 第2圖顯示一雷射光源之一實施例， 只β例再包括一振盪器單 元以及一擴大器單元； 第3圖顯示一雷射光源之另一實施 貝她例，其包括一振盪器 單元、一時態脈衝伸展器以及一擴大器單元. 第3Α圖顯示一能夠使用一脈衝伸展器所獲得之第—脈 衝形狀； 第3Β圖顯示能夠使用一脈衝伸展器所獲冑之另一脈衝 形狀； ίο 第3C圖顯示能夠使用一脈衝伸展器所獲得之另一脈衝 形狀； 第3D圖顯示-脈衝伸展器，其具有—光學校準，以致 於使各個後續離開伸展器之脈衝尖峰沿著一稍微不同的路 徑加以引導； 15 第4圖顯示一擴大器單元之一範例，其具有兩個成串列 佈置之擴大器，該擴大器單元適合用於第2圖或第3圖中之 實施例； 第5圖顯示對於一種具有相對高微小訊號增益以及相 對低飽和能量的8公尺之增益介質的計算所得^价對氐。之曲 20 線、對於一種具有相對低微小訊號增益以及相對高飽和能 量的8公尺之增益介質的計算所得EcuJfEin曲線，以及總增 益介質長度1^+1^=8公尺之兩個串列擴大器的計算所得 對Ein曲線，且該第一擴大器具有一相對高微小訊號增益以 及相對低飽和能量’而一第二擴大器則具有一增益介質， 23 1360271 其具有一相對低微小訊號增益以及相對高飽和能量；及 第6圖顯示一具有三個串列佈置擴大器之擴大器單元 的一範例，該擴大器單元適用於第2圖或第3圖中之實施例。 【主要元件符號說明】
20…光源 202a…擴大器單元 22…來源 202a’…擴大器單元 22’…來源 202b…擴大器單元 24…來源材料運送系統 202b’···擴大器單元 26…腔室 300…時態脈衝伸展器 28…目標體積 300’…脈衝伸展器 30…聚光鏡 302…分束器 40…中間點 302’..·分束器 60…EUV光源控制器系統 304…延遲路徑 62…液滴位置憤測回饋系統 304,…延遲路徑 65·.·發射控制系統 310…脈衝 70…液滴成像器 310,…脈衝 90···液滴運送控制系統 310”…脈衝 92…液滴運送機構 312…第二尖峰 200···振盪器單元 312’…第二尖峰 200’…振盪器單元 312’’···第二尖峰 202…擴大器單元 314…第一尖峰 202’·.·擴大器單元 314’…第一尖峰 24 1360271 314”…第一尖峰 500…曲線 320…雜 502…曲線 322…離 504…曲線 324…雜 600…擴大器 328…來源材料 602…擴大器 400…擴大器 604…擴大器 402···擴大器

Claims (1)

1360271 第961丨8947號申請案申請專利範圍修正頁 100.05.30.十、申請專利範圍： 1- 一種雷射光源，其包含·· 一雷射振盪器，其產生一輸出光束； 一第一擴大器，其增強該輸出光束，以便產生一第 一增強光束，該第一擴大器具有一增益介質，該增益介 質之特徵係在於一飽和能量（Esl)以及一微小訊號增益 (go,〗）；及
10 15
20 第一擴大器，其增強該第一增強光束，以便產生 一第二增強光束，該第二擴大器具有一增益介質，該增 盃介質之特徵係在於一飽和能量（仏2)以及一微小訊號 增益(g〇,2)，且(g〇,丨）>(g〇2)，另外(Es2)>(Esl); 其中該第一擴大器增益介質包含一具有一第一氣 體成分之氣體，且該第二擴大器增益介質包含一具有一 與該第一氣體成分不同之氣體成分之氣體。 2·如申請專利範圍第1項之雷射光源，其中該氣體包含 C〇2 0 3.如申請專利範圍第1項之雷射光源，其進一步包含一第 二擴大器，其增強該第二增強光束，以便產生一第三增 強光束’該第三擴大器具有一增益介質，該增益介質之 特徵係在於一飽和能量（es，3)以及一微小訊號增益 (g〇,3)’i(g01)>(g〇2)>(g〇3)，sn(Es3)>(Es2)>(Esl)。 4·如申請專利範圍第1項之雷射光源，其中該雷射振盪器 係為一腔傾式雷射振盪器。 5·如申請專利範圍第1項之雷射光源，其中該雷射振盪器 26 1360271 100.0530. • 帛96118947號申請案申請專利範圍修正頁 係為一模式鎖定雷射振盪器。 6. 如申請專利範圍第1項之雷射光源，其中該雷射振盪器 係為一q開關雷射振盪器。 7. 如申請專利範圍第4項之雷射光源，其進一步包含一時 5 態脈衝伸展器。 8. 如申請專利範圍第7項之雷射光源，其中該時態脈衝伸 展器係定位以接受來自於該振盪器之雷射脈衝，並由其 φ 產生伸展脈衝，供該第一擴大器進行增強之用。 9_如申請專利範圍第1項之雷射光源，其中該第一擴大器 1〇 增益介質係為一氣體壓力為Pi之氣體，且該第二擴大器 增益介質係為一氣體壓力為p2的氣體，且Pl关。 1 10·—種雷射光源，其包含： ‘ 一雷射振盪器，其產生一輸出光束； 一第一擴大器，其增強該輸出光束，以便產生一第 增強光束，該第一擴大器具有一增益介質，該增益介 • 質之特徵係在於一飽和能量（ES，1)以及一微小訊號增益 (g〇，l);及 一第二擴大器，其增強該第一增強光束，以便產生 一第二增強光束，該第二擴大器具有一增益介質，該增 20 益介質之特徵係在於一飽和能量（Es，2)以及一微小訊號 增益(8〇,2)，且(§0，1)>(8〇,2)，另外(它52)>(民1” 其中該第一擴大器增益介質係為一氣體壓力為Ρι 之氣體，且該第二擴大器增益介質係為一氣體壓力為p2 的氣體，且p,^p2。 27 1360271 第96118947號申請案申請專利範圍修正頁 1〇〇 1 1.如申請專利範圍第1〇項之雷射光源，其中該第一擴大器 增益介質包含一具有一第一氣體成分之氣體。 12. 如申請專利範圍第n項之雷射光源，其中該第二擴大器 増益介質包含一具有一與該第一氣體成分不同之氣體 成分之氣體。 13. 如申請專利範圍第u項之雷射光源，其中該氣體包含 C〇2。 14.如申請專利範圍第1〇項之雷射光源，其進一步包含一第 二擴大器，其增強該第二增強光束，以便產生一第三增 10 強光束，該第三擴大器具有一增益介質，該增益介質之 特徵係在於一飽和能量（民3)以及—微小訊號增益 (g〇,3)，且⑷，1) > (g〇,2) > (g0,3)，另外(Es,3) > (Es，2) > (ΕΜ)。 ，如申明專利範圍第1 〇項之雷射光源，其中該雷射振盈器 係為一腔傾式雷射振盪器。 .如申明專利範圍第1 〇項之雷射光源，其中該雷射振盪器 係為一模式鎖定雷射振盪器。 17.如申請專利範圍第1〇項之雷射光源，其中該雷射振盪器 係為一q開關雷射振盪器。 Μ.如申請專利範圍第15項之雷射光源，其進一步包含一時 2〇 態脈衝伸展器。 19·如申請專利範圍第18項之雷射光源，其中該時態脈衝伸 展器係定位以接受來自於該振盪器之雷射脈衝，並由其 產生伸展脈衝，供該第一擴大器進行增強之用。 28
TW096118947A 2006-06-14 2007-05-28 Drive laser for euv light source TWI360271B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/452,558 US7518787B2 (en) 2006-06-14 2006-06-14 Drive laser for EUV light source

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200807827A TW200807827A (en) 2008-02-01
TWI360271B true TWI360271B (en) 2012-03-11

Family

ID=38832514

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096118947A TWI360271B (en) 2006-06-14 2007-05-28 Drive laser for euv light source

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7518787B2 (zh)
JP (1) JP6037594B2 (zh)
TW (1) TWI360271B (zh)
WO (1) WO2007146329A2 (zh)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7856044B2 (en) 1999-05-10 2010-12-21 Cymer, Inc. Extendable electrode for gas discharge laser
US7897947B2 (en) * 2007-07-13 2011-03-01 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source having a droplet stream produced using a modulated disturbance wave
US7916388B2 (en) * 2007-12-20 2011-03-29 Cymer, Inc. Drive laser for EUV light source
US7491954B2 (en) * 2006-10-13 2009-02-17 Cymer, Inc. Drive laser delivery systems for EUV light source
US8653437B2 (en) 2010-10-04 2014-02-18 Cymer, Llc EUV light source with subsystem(s) for maintaining LPP drive laser output during EUV non-output periods
US7671349B2 (en) 2003-04-08 2010-03-02 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
US8654438B2 (en) * 2010-06-24 2014-02-18 Cymer, Llc Master oscillator-power amplifier drive laser with pre-pulse for EUV light source
US8158960B2 (en) 2007-07-13 2012-04-17 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
US7812329B2 (en) 2007-12-14 2010-10-12 Cymer, Inc. System managing gas flow between chambers of an extreme ultraviolet (EUV) photolithography apparatus
US7655925B2 (en) 2007-08-31 2010-02-02 Cymer, Inc. Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source
US20110122387A1 (en) * 2008-05-13 2011-05-26 The Regents Of The University Of California System and method for light source employing laser-produced plasma
US8519366B2 (en) 2008-08-06 2013-08-27 Cymer, Inc. Debris protection system having a magnetic field for an EUV light source
US8138487B2 (en) 2009-04-09 2012-03-20 Cymer, Inc. System, method and apparatus for droplet catcher for prevention of backsplash in a EUV generation chamber
US8275007B2 (en) * 2009-05-04 2012-09-25 Ipg Photonics Corporation Pulsed laser system with optimally configured saturable absorber
JP2011192961A (ja) * 2010-02-19 2011-09-29 Komatsu Ltd レーザ装置、極端紫外光生成装置、およびメンテナンス方法
JP5687488B2 (ja) 2010-02-22 2015-03-18 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
JP5666285B2 (ja) 2010-03-15 2015-02-12 ギガフォトン株式会社 再生増幅器、レーザ装置および極端紫外光生成装置
US8462425B2 (en) 2010-10-18 2013-06-11 Cymer, Inc. Oscillator-amplifier drive laser with seed protection for an EUV light source
JP6054028B2 (ja) 2011-02-09 2016-12-27 ギガフォトン株式会社 レーザ装置および極端紫外光生成システム
US8604452B2 (en) 2011-03-17 2013-12-10 Cymer, Llc Drive laser delivery systems for EUV light source
JP6364002B2 (ja) * 2013-05-31 2018-07-25 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成システム
DE102013212685A1 (de) 2013-06-28 2014-12-31 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Strahlbeeinflussungsoptik und Strahlformungssystem
WO2015028103A1 (de) * 2013-09-02 2015-03-05 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Strahlführungseinrichtung und euv-strahlungserzeugungsvorrichtung damit
JP6285450B2 (ja) * 2013-09-27 2018-02-28 ギガフォトン株式会社 レーザ装置、及び極端紫外光生成システム
US9357625B2 (en) * 2014-07-07 2016-05-31 Asml Netherlands B.V. Extreme ultraviolet light source
WO2016131583A1 (en) * 2015-02-19 2016-08-25 Asml Netherlands B.V. Radiation source
JP6810741B2 (ja) 2015-11-11 2021-01-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 放射システムおよび光デバイス
CN107426911B (zh) * 2016-05-23 2019-04-05 中国科学院物理研究所 一种使用团簇靶材的电子加速器设备
CN109314365B (zh) * 2016-07-26 2021-05-11 极光先进雷射株式会社 激光系统
CN108110602A (zh) * 2017-12-05 2018-06-01 天水师范学院 一种全固态Tm:LuScO3调Q锁模陶瓷激光器
CN108036930A (zh) * 2017-12-28 2018-05-15 长春长光精密仪器集团有限公司 一种透射光栅衍射效率的检测系统
JP7121383B2 (ja) * 2018-04-25 2022-08-18 精電舎電子工業株式会社 ガスレーザ発振方法、及びこの方法を用いたガスレーザ発振装置、レーザ溶着装置、レーザ加工装置
CN114355735A (zh) * 2022-01-20 2022-04-15 广东省智能机器人研究院 极紫外光产生方法和系统

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4174504A (en) * 1978-01-25 1979-11-13 United Technologies Corporation Apparatus and method for cavity dumping a Q-switched laser
JP2597845B2 (ja) * 1987-06-09 1997-04-09 浜松ホトニクス株式会社 高繰り返しパルスレーザー装置
JPH0666501B2 (ja) * 1987-10-09 1994-08-24 理化学研究所 多波長同期型パルスレーザ発振方法
JPH0278283A (ja) * 1988-09-14 1990-03-19 Toshiba Corp レーザ装置
US5117303A (en) * 1990-08-23 1992-05-26 At&T Bell Laboratories Method of operating concatenated optical amplifiers
JP3317013B2 (ja) * 1994-04-15 2002-08-19 石川島播磨重工業株式会社 放電励起型ｃｏガスレーザ
US5818630A (en) * 1997-06-25 1998-10-06 Imra America, Inc. Single-mode amplifiers and compressors based on multi-mode fibers
JPH11186635A (ja) * 1997-12-18 1999-07-09 Hoya Corp 光ファイバ増幅器
US5991069A (en) * 1998-01-22 1999-11-23 Tyco Submarine Systems, Ltd. Split-pumped dual stage optical fiber amplifier
US6389045B1 (en) * 1999-04-19 2002-05-14 Lambda Physik Ag Optical pulse stretching and smoothing for ArF and F2 lithography excimer lasers
US6625191B2 (en) * 1999-12-10 2003-09-23 Cymer, Inc. Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system
US6693939B2 (en) * 2001-01-29 2004-02-17 Cymer, Inc. Laser lithography light source with beam delivery
US7079564B2 (en) * 2001-04-09 2006-07-18 Cymer, Inc. Control system for a two chamber gas discharge laser
US20050259709A1 (en) * 2002-05-07 2005-11-24 Cymer, Inc. Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate
US6928093B2 (en) * 2002-05-07 2005-08-09 Cymer, Inc. Long delay and high TIS pulse stretcher
JP3888673B2 (ja) * 2001-12-28 2007-03-07 ウシオ電機株式会社 露光用フッ素分子レーザシステム
JP4229275B2 (ja) * 2003-10-20 2009-02-25 株式会社小松製作所 露光用２ステージＡｒＦエキシマレーザ装置
JP4367836B2 (ja) * 2003-12-04 2009-11-18 株式会社小松製作所 Ｍｏｐｏ方式２ステージレーザ装置
JP4798687B2 (ja) * 2004-07-09 2011-10-19 株式会社小松製作所 狭帯域化レーザ装置
JP2006093560A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Toshiba Corp 固体レーザ装置
JP2006128157A (ja) * 2004-10-26 2006-05-18 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置用ドライバレーザシステム

Also Published As

Publication number Publication date
US20070291350A1 (en) 2007-12-20
TW200807827A (en) 2008-02-01
JP2009540607A (ja) 2009-11-19
JP6037594B2 (ja) 2016-12-07
WO2007146329A3 (en) 2008-11-27
US7518787B2 (en) 2009-04-14
WO2007146329A2 (en) 2007-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI360271B (en) Drive laser for euv light source
JP5373814B2 (ja) Ｅｕｖ光源用の駆動レーザ
JP5893014B2 (ja) Ｅｕｖ光源のためのプレパルスを有する主発振器−電力増幅器駆動レーザ
JP5358060B2 (ja) 極端紫外光源装置
US8704200B2 (en) Laser produced plasma EUV light source
US8158960B2 (en) Laser produced plasma EUV light source
JP5431675B2 (ja) プレパルスによるレーザ生成プラズマｅｕｖ光源
US20090014668A1 (en) Laser produced plasma EUV light source having a droplet stream produced using a modulated disturbance wave
JP6054028B2 (ja) レーザ装置および極端紫外光生成システム
JP6408578B2 (ja) 極端紫外光源
JP2007529903A5 (zh)
US20060146906A1 (en) LLP EUV drive laser
JPWO2014119199A1 (ja) レーザ装置及び極端紫外光生成装置
JP6434404B2 (ja) 極端紫外光生成システム
JP6533464B2 (ja) レーザ増幅器、及びレーザ装置、並びに極端紫外光生成システム
US20190235287A1 (en) Laser device and extreme ultraviolet light generation device
JP2012146683A (ja) 極端紫外光源装置
JP2013127975A (ja) 極端紫外光源装置
Rocca et al. High-brightness injection-seeded soft-x-ray-laser amplifier using a solid target