TWI342332B - Selective barrier metal polishing solution - Google Patents

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TWI342332B
TWI342332B TW093101590A TW93101590A TWI342332B TW I342332 B TWI342332 B TW I342332B TW 093101590 A TW093101590 A TW 093101590A TW 93101590 A TW93101590 A TW 93101590A TW I342332 B TWI342332 B TW I342332B
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Description

1342332 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 舦而。，本發明係關於化學拋光平坦化（CMp)製程，用 來移除障礙金屬，並且更特別地，係關於在積體電路裝置 中互連結構存在下’用於選擇性移除障礙金屬的拋光組合 物。 【先前技術】 近年來’半導體工業漸增地在形成積體電路上依賴銅電子 互連器（mterconnects)。這些銅互連器具有低電阻及電移動 的高阻力。因為銅在許多介電物質中是非常可溶的，該介電 物貝如·一氧化矽 '及低K或經攙合版本的二氧化矽，擴散 障礙層為必需的’以避免銅擴散到下面的介電物質。一般的 障礙物貝包括.鈕、氮化鈕、鈕_氮化矽、鈦、氮化鈦、鈦· 氮化石夕、鈦_氮化鈦、m氮化鶴及鶴.氮化石夕。 對高密度積體電路増加需求的反應，現在製造商製造έ 含多個上面層金屬互連結構的積體電路。在裝置製造其 間’將各互連層平坦化改進封裝密度、製程均勾度、產； 品質，並且最重要的是能夠使晶片製造者製造多層積體屬 路。晶片製造者依賴於化學_機械_平坦化（CMp)，為產生今 坦基材表面的成本有效方式。CMP製程—般以兩步驟順月 進行。首先，該拋光製程使用”第一步驟”於聚，特定被定 計來快速移除銅。例如：卡皮歐（〜pi。）等人在"在銅CM 於聚化學的起初研究（Initial study 〇n⑶咖⑽伽 —Wes)"，薄固·態膜（™nS〇lidFilms)，262(1995)，求
0A90W720 DOC 1342332 該拋光溶液包括研磨劑，則該拋光溶液也為—種拋光於 h該拋光溶液也可視情泥地包括界面活性劑、螯合劑、 pH緩衝劑及脫泡劑。 為此說明書的目的’介電質包括矽為基礎的物質，如： TEOS、低k及超低k物質（一些超低物質不以矽為基礎）。為 了拋光低k及超低k介電物f，重要的是維持低壓，以減少 這些物質的分層及斷裂。然@，低壓產生低障礙物質 (Ta/TaN)移除速率，其對晶圓生產力為不想要的。幸運地， 具有強氧化劑的酸性抛光溶液’與在低壓操作之習用驗性 障礙淤漿比較’已證實了高障礙移除速率。該障礙物質可 包括下列：钽、氮化鈕、鈕_氮化矽、鈦、氮化鈦、鈦·氮化 矽、鈦-氮化鈦、鈦-鎢、鎢、氮化鎢及鎢_氮化矽。 該障礙金屬拋光組合物包括視情況的膠體氧化矽研磨 劑，用來研磨或"機械"移除該障礙物質。該膠體氧化矽在 拋光組合物之水相中具有〇至1〇重量百分比的濃度此說明 書所指的所有濃度為重量百分比，除非特定另述。若拋光 組合物中不包含研磨劑，則墊選擇及條件對CMP製程變得 更重要。例如：對一些無矽組合物而言，經固定的研磨墊 改進拋光表現。優越地，該膠體氧化矽濃度為〇 〇 i至5重量 百分比。並且最優越地，該膠體氧化矽濃度為〇1至2重量 百分比。 該膠體氧化矽具有平均顆粒尺寸小於50毫微米，用來避 免過量金屬淺碟化及介電質腐蝕。為此說明書的目的，顆 粒尺寸意指膠體氧化矽的平均顆粒尺寸。優越地，該氧化
0 \90\90720 DOC 1342332 另外視情況的次要腐钮抑制劑包括兩性界面活性劑及聚合 物，如：聚羧酸酯類及其衍生物、聚丙烯基醯胺類及其衍 生物、纖維素、聚乙烯基醇類及其衍生物 '及聚乙烯基四 氫吡咯酮類及其衍生物。 最優越地，次要腐蝕抑制劑為十二烷基笨磺酸鈉界面活 性劑。當存在時，十二烧基笨續酸鈉在水相中存在的濃度 為0.0001至5重量百分比。優越地，十二烷基苯磺酸鈉存在 的份量為0.0001至0.5重量百分比。最優越地，該拋光溶液 包含為0.01至0.05重量百分比的十二院基苯確酸納。 該拋光溶液包括一種無機pH調整劑，以降低拋光組合物 到pH低於3的酸性pH。該pH調整劑為無機酸，如：硝酸、 硫酸、鹽酸及璃酸。最優越的pH調整劑為硝酸（hn〇3)。優 越地’該酸創造溶液具有pH K5至2·9β最優越地，該pH為2 至2.8。因為氧化矽具有等電點pH 2，溶液在接近此pH時不 為動力穩定的；並且在接近等電點、而不使用分散劑時’ 氧化石夕顆粒會趨向凝結。 在pH低於3時，該拋光組合物可提供高障礙金屬移除速 率，甚至在相當低的研磨劑濃度。此低研磨劑濃度可藉著 減少如：刮擦之不想要的研磨劑引發缺陷，而改進CMP製 程的拋光表現。在pH低於3時，該拋光組合物也可與具有相 當小顆粒尺寸的研磨顆粒調配。例如：小如約1〇毫微米之 顆粒尺寸仍提供可接受的Ta/TaN移除速率。藉著使用具有 相當小顆粒尺寸的研磨劑，並且在低研磨劑濃度下調配酸 性拋光組合物，抛光缺陷被減少到優越的程度。
O:\90\90720 DOC •12- 1342332 其鹽類’ pKa是在1.5至低於3的PH範圍内。該拋光組合物另 可情況地包括脫泡劑，如：非離子界面活性劑，包括：酿 類、環氡乙烷、醇類、乙氧基化物 '矽化合物、氟化合物、 喊類、葡萄糖芬及其衍生物 '和類似物。該脫泡劑也可為 兩性界面活性劑。 實例 進行幾個實驗’以測量本拋光組合物在不同組份濃度下 的拋光表現。拋光實驗是使用Buehler Ecomet CMP系統、
Strausbaugh 6EC、IPEC 472、或 Applied Materials Mirra進行。 製備幾個拋光組合物，以評估在所選組份之不同組份濃度 份量及不同pH值下的拋光表現。所有的淤漿在三加侖（11.3 升）桶中製備，首先添加DI水、續以在不同化學組份中混合， 以形成水相。然後pH是藉著添加确酸的份量被調整，以獲得 所要的pH值。一旦形成水相’膠體氧化矽被添加，足以在水 相中形成具有1重量％至8.5重量％的氧化矽的溶液。
兩種不同的膠體氧化石夕顆粒被用於這些初步代表 (scooping)實驗中。Nalco23 60及Klebosol系列a該膠體氧 化矽顆粒被列於下表1中。 表1 產物名稱 平均顆粒尺寸 (毫微米） 經穩定的pH範圍 Nalco 2360 60 酸 Klebosol PL150H25 25 酸 Klebosol PL150H20 20 酸 Klebosol PL20H12 12 酸 Klebosol PL10H9 9 駿 0 \90\90720 DOC 14 1342332
Klebosol膠體氧化矽在PH約2.4下被穩定》雖然在拋光組 合物中具有相當低pH之膠體氧化矽穩定性為工業上所考量 的’上述的膠體氧化矽產物可使用穩定該顆粒的添加物。 【貫施方式】 實例1 測試基材使用Buehler CMP系統 '以兩個被調配成具有不 同pH值的拋光組合物拋光。第一及第二拋光組合物各包含 一種pH調整劑及不同份量的H202和8.5重量。/〇的膠體氧化 石夕。各於漿的研磨相使用Nalco 2360膠體氧化矽顆粒而被調 配。一個拋光組合物被調配成具有pH 2，並且另一個被調 配成具有pH 9。該拋光實驗使用由目標物質公司（Target Materials lnc.)製造的钽（99.95%)基材進行。基材被測量為 直徑1英吋（2·5公分）且厚〇_〇18英吋（0.30公分）。 對根據本發明調配成pH 2之拋光組合物、及調配成pH 9 之驗性第二拋光組合物而言’钽移除速率為h2〇2濃度的函 數’顯示於圖1中。為了測量從各基材移除之金屬的份量， 金屬碟重量在各拋光運轉之前及之後被測量。被移除金屬 的份量在拋光時間六分鐘之後對各拋光運轉測量，以毫克 計。 為了獲得顯示於圖1中的資料，Buehler CMP系統配備了 由洛道公司（Rodel，Inc.)製造之1C 1000、k-凹溝拋光塾。該 拋光塾在各拋光運轉之間、對各測試使用鑽石碟調節劑調 節2分鐘。該拋光運轉是使用經計算的墊壓力每磅6 4平方 °寸（44.1千巴斯卡）及每分鐘7〇轉的轉臺速度進行，並且拋光 0 \90\90720 DOC • 15 · 1342332 組合物流速為1 00毫升/分鐘。 如圖1中所說明的’當與具有pH 9的拋光組合物比較時， 具有pH 2的抛光組合物在丁&移除速率上顯示重大的增加。 當Ηζ〇2濃度從〇重量％變化至4重量％時，改進的丁&移除速率 甚至更明顯。 貫驗也使用以KJebosol研磨相及具有pH 2.5之水相調配 的抛光組合物進行^ Ta移除速率在H2〇2濃度從〇重量。/。增加 至4重量％時來測量—字母標示比較用的淤漿，並且數字標 不本發明的實例。對這些實驗而言，Buehler CMp*統配備 了 IC1010/Suba IV拋光墊。資料顯示於下表2中。 表2 淤漿 Klebosol PL150H25 * % BTA > % H2O2，％ pH 平均Ta移 除，毫克 A 4 0.4 0 2.5 6.4 1 4 0.4 卜0,5 2.5 8.5 2 4 「0.4 1 2.5 8.9 3 4 0.4 1.5 2.5 9.8 4 4 0.4 2 2.5 10.9 5 4 0.4 4 2.5 13 這些資料顯示在Ta移除上隨著H2〇2濃度增加的穩定增 加。顯示於圖1及表2中的資料代表從預期之丁3移除速率隨 著氧化劑；辰度增加的偏差—習用給性拋光組合物一般有更 而的氧化劑濃度而顯示減少的丁 a移除速率。 實例2 測試基材使用Strausbaugh CMP系統、以四個被調配成各 具有不同pH值的拋光組合物拋光β對這些實驗而<， Strausbaugh CMP系統配備了洛道公司之Icl〇1〇/Suba以拋 〇 \90\90720 D0C -16- 1342332 光墊。兩個拋光組合物包含！重量0/t^Kleb〇s〇1 pu5〇H2〇 膝na氧化石夕，並且其餘的兩個組合物包含4重量％的 I^lebosol PL15 0H20膠體氧化矽。再者，該拋光實驗使用墊 壓每磅1平方吋（6.9千巴斯卡）及每磅2平方吋（13 8千巴斯卡）_ 對各拋光組合物進行，使用由瓦福奈特公司（Wagernet丨以.） 獲得的200毫米直徑矽基材。該基材包括15,〇〇〇埃的電鍍 Cu、使用丁EOS來源氣體以CVD沉積之15 〇〇〇埃3丨〇2、或覆 蓋矽之2000埃cVDTaN的薄膜層。 拋光製程在每磅0.5平方吋（3.4千巴斯卡）背壓及每分鐘# 120轉轉臺速度下進行。其他的參數包括載體速度每分鐘 11 4轉及200毫升/分鐘的淤漿流速。拋光時間對不同的薄膜 變化如下：對Cu為分鐘’對以〇2為1分鐘，對Ta]S^3〇 秒。IC1010/Suba IV抛光墊在各運轉之間使用DiaGrid Kinik 調節劑調節。
Cu移除速率及TaN移除速率使用cde 1 68 4點探針測量， 並且Si02(TE0S)移除速率使用KLA-Tencor SM300測量。φ TaN移除速率做為ρΗ的函數’在五個不同的pH值下測試， 說明於圖2中。實驗資料顯示：當水相的pH被從2調整至4 時’ TaN移除速率明顯的減少。對Cu、二氡化矽（TE〇s)及 TaN的移除速率資料顯示於下表3中。
Ο \9〇\9〇72〇 DOC 1342332 表3 淤 漿 Klebosol PL150H20 % BTA % H2〇2 % pH 一 拋光庳力 Cu RR 埃/ 分鐘 TE0S RR 埃/ 分鐘 TaN RR 埃/ 分鐘 每峙 平方°于 千巴 斯卡 B 4 0.6 4 3 i 6.9 477 88 323 C 4 0.6 4 3 ~~2 13.8 769 195 556 υ 4 0.6 4 3.5 1 6.9 398 27 148 Η 4 0.6 4 3.5 13.8 697 123 342 F 4 0.6 4 4 1 6.9 357 58 128 G 4 0.6 4 4 2 13.8 602 121 286 Η 1 0.6 4 3 1 6.9 308 43 333 1 1 0.6 4 3 2 13.8 486 110 993 6 4 0.6 4 2 1 6.9 448 172 1503 7 4 0.6 4 2 2 13.8 618 355 2763 8 4 0.6 4 2.5 1 6.9 431 160 945 y 4 0.6 4 2.5 13.8 553 355 1781 1U 1 0.6 4 2 1 6.9 300 85 1086 11 1 0.6 4 2 2 13.8 415 180 1718 這些資料顯示低於3的pH為達到氮化钽對銅及氮化鈕對 TEOS選擇性戶斤需要的。 實例3 在不同顆粒濃度下對測量拋光組合物之TaN移除速率進 行實驗。該實驗也以不同塾壓進行，以測量顆粒濃度及塾 壓力之間的交互作用。拋光資料在圖3中被說明。在不同顆 粒濃度的測試範圍内，TaN移除速率以線性型態隨增加墊壓 而增加。對所給的墊壓而言，TaN移除速率隨增加顆粒濃度 而增加。重要的，甚至低顆粒濃度及墊壓時，該資料顯示 獲得高TaN移除速率。 實例4 為測量Cu、Si〇2(TEOS)及TaN的移除速率而進行實驗。 對11些實驗而言，樣本在每磅2平方吋（138千巴斯卡）墊壓 下、使用具有4重量％膠體氧化石夕、4重量0/〇心〇2之抛光組 OA90\90720.DOC -18- 1342332 合物’且在pH 2被拋光。圖4說明在不同濃度的主要抑制劑 BTA下的Cu、TaN及Si〇2(TEOS)移除速率。Cu移除速率使 用CDE 168 4-點探針測量，並且Si〇2移除速率使用KLA_ Tencor SM300測量。當BTA重量百分比增加到飽和程度時， 該資料顯示在Cu移除速率有重大的減少。在飽和程度以 上、缺乏次要抑制劑下，BTA濃度增加不大大減少Cu移除 速率。重要地，與（^移除速率比較，si〇2及TaN移除速率維 持相當的恆定。TaN移除速率在整個BTA濃度範圍内維持高 的0 實例5
Cu、二氧化矽及TaN的移除速率以次要腐蝕抑制劑（十二 烷基硫酸鈉）濃度的函數被測量。使用調配成具有pH2之拋 光組合物進行實驗。發明之拋光組合物也包含4重量％過氧 化氫及0.6重£/〇的主要抑制劑（BTA)。strausbaugh CMP系 統以每磅2平方吋（13.8千巴斯卡）墊壓操作。 結果顯示於圖5中。該結果顯示：在次要抑制劑濃度的實 驗範圍内，TaN以比Si〇2及Cu恆為更高的速率被移除。以〇2 也比Cu更快的速率被移除。在這些實驗中，Cu的移除速率 以次要腐蝕抑制劑被壓制到低於1〇〇埃/分鐘的非常低值。 實例6 為了測量Cu、SiOATaN的移除速率進行實驗，使用根據 本發明調配的拋光組合物，其包括一個界面活性劑。對這 些貫驗而言，陰離子界面活性劑Bi〇s〇ft D_4〇被添加到拋光 組合物中，形成在水相中的界面活性劑濃度為〇〇2重量％。
0 \90\90720 DOC -19- 1342332
BiosoftD-40的活性原料為十二烷基苯磺酸鈉。拋光測試使 用IPEC 472 CMP系統進行。IPEC 472配備有IC丨〇〇〇 k凹溝 拋光墊。其他的操作參數包括轉臺速度每分鐘丨2〇轉、載體 速度每分鐘114轉及淤漿流速2〇〇毫升/分鐘。加上每磅1平 方吋（6.9千巴斯卡）墊壓，獲得下表4中顯示的移除速率。 表4 淤 漿 Klebosol PL20H12, % Klebosol PL10H9, % ΒΤΑ, % Biosoft D-40, % h2o 2 % pH Cu RR 埃/ 分鐘 TEOS RR 埃/ 分鐘 TaNRR 埃/ 分鐘 [2 4 0.4 2 2 129 75 853 10 4 0.4 2 2 106 79 911 14 4 Γ 0.1 0.02 2 2 84 70 1228 15 4 0.2 0.02 2 2 51 70 广839 16 4 0.3 0.02 2 2 14 70 1155 17 4 0.4 0.02 2 2 27 71 974 在所有拋光測试中’ Cu移除速率比TaN移除速率更低。 咼TaN移除速率在BTA濃度〇. 1重量％至〇 4重量％的範圍内 被維持。 實例7 於聚調配物18至21及表5的J包括4重量％膠體氧化石夕、〇 6 重量％ BTA、0.5重量°/〇H202，並且pH以硝酸調整成2_5。下 表代表在Mirra CMP拋光器上的片狀晶圓移除速率資料。該 抛光製程使用母分鐘120轉的轉臺速度、每分鐘H4轉的載 體速度、每磅1平方吋（6.9千巴斯卡）下壓力、200毫升/分鐘 淤漿流速及IClOlO/SubalV墊。 Ο \90\90720 DOC •20·
顆粒尺寸 分佈 在單峰及 雙峰之間
TaN RR (埃/ 分鐘） 表5
CuRR (埃/ 分鐘） 670 604 1161 TEOS RR (埃/ 分鐘）
SiCN RR (埃/ 分鐘） CORAL RR (埃/ 分錢） 108 127 67
77 54 67 51 48 302 267 785 785 634 170 141 176 128 103 —matech 854 TEOS型式的晶圓在Mirra上被拋光以評估 不同膠體顆粒的淺碟化及腐#表現。在各平臺上的抛光製 程被說明於表6令：並且淺碟化及腐蝕資料顯示於圖6中。 轉_臺 速度 (每分 鐘轉） 平臺1 93 平臺2 33 平臺3 120
*附註：EPL2360、RLS2360A枘膂 水跑、认蔣—' : υ钓銅第一步驟於漿，並且於漿 18、19、20、21 & J為第二步驟游毁。
TaN及SiCN片狀晶圓移除速率提供在25毫微米顆粒尺寸 的最大移除速率，同時TEQS、（^及^㈣丨移除速率對顆粒 尺寸或分佈不敏感。有趣的是：854 丁⑽型式晶圓的淺碟 化及腐#隨著顆粒尺寸及尺寸分佈峰增加而增加。然而， 從這些結果不清楚的是：顆粒尺寸或分佈峰數是否支配淺 碟化及腐独表現。9毫微米研磨顆粒提供最佳的淺碟化及腐 O:\90\90720.DOC -21 . 1342332 蝕表現。除了 TaN移除速率隨著顆粒尺寸從25毫微米至9毫 微米減少之外，移除速率對有效的第二步驟障礙CMP製程 為足夠的。 總之，在低pH之無機酸、BTA及過氧化氩的組合’提供 第二步驟拋光溶液，其擁有障礙物質的快速溶解及對如銅 之互連金屬及介電質兩者的優越選擇性。障礙物質的此快 速溶解容許CMP製程在低於15千巴斯卡的壓力下發生，並 優越地是低於10千巴斯卡的壓力下。最優越地，該CMP平 坦化可發生在低於7.5千巴斯卡的壓力下。 【圖式簡單說明】 圖1說明在pH 2之拋光溶液（8.5% Nalco 2360)及pH 9之拋 光溶液，Ta移除速率對H202濃度的比較作圖。 圖2說明對於包含〇·6% BTA及4% H202和膠體氧化矽（PL 150H20)之拋光溶液，在不同濃度及兩個拋光墊壓力下之 TaN移除速率對PH份量的作圖 圖3說明對於包含0.12% BTA及4% H2〇2之拋光溶液，： 和pH 2、不同膠體氧化矽（PL150H20)濃度下，TaN移除速率 對拋光墊壓力的作圖。 圖4對於說明包含4% PL150H20及4% H2〇2之拋光溶液， 在pH 2、13.8千巴斯卡壓力、在不同BTA抑制劑濃度下，^卜 TaN及二氧化矽（te〇S)移除速率的作圖。 圖5說明對於包含4% PL150H20、4%仏〇2及〇 6% bta之 拋光溶液，在ρΗ 2、13.8千巴斯卡壓力、不同多重次要抑 制劑下，Cu' TaN及二氧化矽（TE〇s)移除速率的作圖。 O:\90\90720 DOC •22- 1342332 圖6對於包含4°/。膠體氧化矽、0.6% ΒΤΑ、0.5% H202之拋 光溶液，並以硝酸調整為pH 2.5，說明銅淺碟化及TEOS腐. 蝕對膠體氧化矽顆粒尺寸。 0 \90\90720 DOC •23 -

Claims (1)

1342332 告本丨 ................ ·»- 拾、申請專利範圍： 1. 一種拋光溶液，其有用於在互連金屬 • % 第93101590號專利申請案 - (99 年 10 月 27 日
竹年，D月1曰修」 及介ϊΐ ¥^~卞j移除障 礙物質，該拋光溶液以重量百分比計包含：〇1至1〇的過氧 化氫；至少一種pH調整劑，其係選自由硝酸、硫酸、鹽酸及 磷酸所組成的族群，用來調整拋光溶液的pH值到低於3; 〇乃 至1,7的笨并三唾抑制劑，用來減少互連金屬的移除速率；〇 至10的界面活性劑；0.01至10的膠體氧化矽，其具有平均 顆粒尺寸小於50毫微米；及餘量的水和附帶的不純物，並且 該拋光溶液具有氮化鈕對銅的選擇性為至少3比丨，及氮化钽 對源自原矽酸四乙酯之介電質（TE0S)的選擇性為至少3比 卜其是在拋光墊壓力以垂直於晶圓測量係低於15千巴斯卡 (kPa)時所測量。 2. 如申請專利範圍第i項之拋光溶液，其中該阳調整劑為硝 酸’並且該拋光溶液的pH值為1.5至2.9。 3. 如申請專利範圍帛1項之抛光溶液，其中該界面活性劑減少 銅互連的移除速率。 4. 一種拋光溶液，其有用於在互連金屬及介電質存在下移除障 礙物質，該拋光溶液以重量百分比計包含：〇1至5的過氧化 氫；硝酸，用來調整拋光溶液的pH值到丨5至2 9 ; 〇 25至 1.7的苯并三唑抑制劑，用來減少互連金屬的移除速率；〇至 10的界面活性劑；0.01至5的膠體氧化矽，具有平均顆粒尺 寸小於30毫微米；及餘量的水和附帶的不純物，並且該拋光 溶液具有氮化妲對銅的選擇性為至少4比丨，及氮化妲對源自 原矽酸四乙酯之介電質（TE0S)的選擇性為至少4比】，其是 93047L修正版 24 1342332 » » 第93101590號專利申請索 (99年1〇月27曰） 在抛光塾壓力以垂直於晶圓測量係低於1 5千巴斯卡時所測 量。 5 ·如申吻專利範圍第4項之拋光容液，其中該抛光溶液的pH值 為2至2.8 。 6. 如申請專利範圍第4項之拋光溶液，其中該界面活性劑為陰 離子界面活性劑，其具有選自由磺酸鹽、硫酸鹽、羧酸鹽、 磷酸鹽及其衍生物所組成群之官能基團，並且該界面活性劑 減少銅互連的移除速率。 7. 如申請專利範圍第4項之拋光溶液，其中該膠體氧化矽的平 均顆粒尺寸為2至15毫微米，並且該膠體氧化矽具有單峰尺 寸分佈。 8. 如申研專利範圍第4項之拋光溶液，其中該拋光溶液包含ο」 至2的過氧化氫、0.25至1的苯并三唑抑制劑、〇至5的界 面活性劑、0.1至2的膠體氧化矽，並且ρΗ值為2至28， 忒膠體氧化矽具有平均顆粒尺寸小於丨5毫微米，並且該拋光 溶液具有氮化鈕對銅的選擇性為至少5比丨，及氮化钽對源自 原矽酸四乙酯之介電質（TE0S)的選擇性為至少5比i，其是 在拋光墊壓力以垂直於晶圓測量係低於丨〇千巴斯卡時所測 量。 9. 一種在互連金屬存在下自半導體基材移除障礙物質的方法， 其包含以下步驟··在垂直於半導體基材係低於15千巴斯卡之 壓力下，以申請專利範圍帛！項之拋光溶液及抛光塾平坦化 該半導體基材，以提供氮化鈕對銅的選擇性為至少3比丨，及 氮化鈕對源自原矽酸四乙酯之介電質（丁£〇5)的選擇性為至少 25 93047L修正版 丄J 丄J
第93101590號專利申請案 (99年10月27日） 】0‘ 如申請專利範圍第9項之方 #^ ^ ，其中該平坦化發生在低於】0 千巴斯卡之壓力下，該拋光溶液包含0.1至2的過氧化氫、 0.25至1的笨并三唾抑制劑、〇至5的界面活性劑、〇別至2 的膠體氧化矽，並且pH值為2至2.8，該膠體氧化矽具有平 均顆粒尺寸小於15毫微米，並且氮化钽對銅的選擇性為至少 5比卜及氮化钽對源自原矽酸四乙酯之介電質（TEOS)的選擇 性為至少5比1。 26 93047L修正版
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